DE1419208B2 - Vorrichtung zum ziehen von kristallen aus einer schmelze - Google Patents
Vorrichtung zum ziehen von kristallen aus einer schmelzeInfo
- Publication number
- DE1419208B2 DE1419208B2 DE19591419208 DE1419208A DE1419208B2 DE 1419208 B2 DE1419208 B2 DE 1419208B2 DE 19591419208 DE19591419208 DE 19591419208 DE 1419208 A DE1419208 A DE 1419208A DE 1419208 B2 DE1419208 B2 DE 1419208B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- crystals
- graphite
- frequency coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze, die sich in
einem von einer Hochfrequenzspule umgebenen Tiegel aus Graphit befindet. Die zu ziehenden
Kristalle können insbesondere aus halbleitendem Material, wie Germanium, bestehen, das zur Herstellung
von Halbleiterbauelementen dient.
An solche Kristalle wird die Forderung gestellt, daß das Kristallgitter nur wenige Störungen, insbesondere
Versetzungen aufweist und daß der spezifische Widerstand des Kristalles möglichst gleichförmig
ist.
Das Prinzip des Verfahrens des Ziehens von Kristallen aus einer Schmelze stammt von Czochralski
(»Zeitschrift für physikalische Chemie«, 92 [1918], S. 219).
Um Kristalle mit den obengenannten Eigenschaften, Homogenität, insbesondere Versetzungsfreiheit,
zu erreichen, ist es wichtig, daß die Wärmeverhältnisse im Tiegel konstant bleiben. Bei den bisher verwendeten
Vorrichtungen zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze, bei denen zum Teil der Tiegel
durch einen im Tiegelboden mündenden engen Kanal aus einem unter dem Tiegel liegenden Vorratsbehälter
nachgefüllt wird, besteht die Gefahr, daß die Wärmeverteilung im Tiegel ungleichmäßig ist, was
dazu führt, daß Kristalle aufgezogen werden, die eine große Anzahl von Versetzungen aufweisen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil der bekannten Vorrichtungen zu vermeiden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß unter dem Tiegelboden mindestens ein von
Graphitwänden eingeschlossener Raum ausgespart ist, dessen Hauptbegrenzungsflächen quer zur Achse
der Hochfrequenzspule verlaufen.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist ein solcher Raum durch mindestens eine unter dem
Tiegel angeordnete Graphitscheibe gebildet, die einen Flansch aufweist, der dicker als die Scheibe ist.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß durch den unter dem Tiegelboden
ausgebildeten Raum die Wärmezufuhr zum unteren Teil des Tiegels gesteigert und dadurch eine
sehr gleichmäßige Temperaturverteilung im Tiegel erreicht wird. Diese gleichmäßige Temperaturverteilung
im Tiegel ermöglicht es ihrerseits, sehr homogene, insbesonders versetzungsfreie Kristalle aufzuziehen.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden
näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 eine Vorrichtung gemäß der Erfindung, bei der unter dem Tiegelboden drei Räume ausgespart
sind, und
Fig. 2 eine Vorrichtung gemäß Fig. 1, bei der
jedoch unter dem Tiegelboden nur zwei Räume ausgespart sind und der Tiegel über einen engen Kanal
aus einem unter dem Tiegel gelegenen Vorratsbehälter nachgefüllt wird.
Die F i g. 1 zeigt einen Tiegel 1, unter dem zwei Scheiben 14 mit je einem Flansch 15 angeordnet sind.
Die untere Scheibe ruht auf einer von einem Stab 19 gehaltenen Grundplatte 18. Da die Wärmeleitung
zwischen den Scheiben 14 und dem Tiegel 1 sowie der Platte 18 schlecht ist, erreichen die Scheiben im
Feld der die gesamte Tiegelanordnung umgebenden Hochfrequenzspule 7 eine Temperatur, die die Temperatur
des Tiegels um einige 100° C übersteigen kann. Die Wärmezufuhr zum Boden des Tiegels wird
dadurch stark gefördert.
F i g. 2 zeigt eine weitere Tiegelanordnung, bei der
der Boden des Tiegels 1 über einen engen Kanal 6 mit einem von einem Kolben 4 abgeschlossenen Vorratsbehälter
3 verbunden ist, aus dem der Tiegel nachgefüllt werden kann. Unterhalb des Tiegelbodens
ist entsprechend dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 eine Scheibe 14 mit einem Flansch 15 angeordnet,
die zwei eingeschlossene Räume 11,12 ausspart, so daß die Wärmeleitung zwischen ihr und
dem Tiegel 1 und dem den Vorratsbehälter 3 umschließenden Körper 16 schlecht ist. Dadurch kann
im Feld der Hochfrequenzspule 7 auch diese Scheibe eine Temperatur erreichen, die diejenige des Tiegels
um einige 100° C übersteigen kann, und die Wärmezufuhr zum Boden des Tiegels wird entsprechend gefördert.
Die im Hochfrequenzfeld angeordneten Teile der beschriebenen Vorrichtungen, d. h. die Tiegel 1, die
Scheiben 14 und die tragenden Körper 16 bzw. 18 bestehen aus Graphit, d. h. einem Material, das im
Hochfrequenzfeld erhitzt werden kann.
Claims (2)
1. Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze, die sich in einem von einer Hochfrequenzspule
umgebenen Tiegel aus Graphit befindet, dadurch gekennzeichnet, daß unter dem Tiegelboden mindestens ein von Graphitwänden
eingeschlossener Raum (11, 12) ausgespart ist, dessen Hauptbegrenzungsflächen quer
zur Achse der Hochfrequenzspule verlaufen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein solcher Raum durch mindestens
eine unter dem Tiegel angeordnete Graphitscheibe (14) gebildet ist, die einen Flansch
(15) aufweist, der dicker als die Scheibe ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL231082 | 1958-09-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1419208A1 DE1419208A1 (de) | 1968-11-07 |
DE1419208B2 true DE1419208B2 (de) | 1971-04-15 |
Family
ID=19751332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19591419208 Pending DE1419208B2 (de) | 1958-09-03 | 1959-08-29 | Vorrichtung zum ziehen von kristallen aus einer schmelze |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1419208B2 (de) |
FR (1) | FR1235787A (de) |
GB (2) | GB903412A (de) |
NL (4) | NL108511C (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4968380A (en) * | 1989-05-24 | 1990-11-06 | Mobil Solar Energy Corporation | System for continuously replenishing melt |
SE1350236A1 (sv) | 2010-09-03 | 2013-03-27 | Ca Atomic Energy Ltd | Kärnbränsleknippe som innehåller torium och kärnreaktor som innefattar detsamma |
RO129197B1 (ro) | 2010-11-15 | 2021-10-29 | Atomic Energy Of Canada Limited | Combustibil nuclear conţinând uraniu reciclat şi sărăcit, şi fascicul de combus- tibil nuclear şi reactor nuclear cuprinzând un astfel de fascicul |
US10176898B2 (en) | 2010-11-15 | 2019-01-08 | Atomic Energy Of Canada Limited | Nuclear fuel containing a neutron absorber |
-
0
- NL NL231082D patent/NL231082A/xx unknown
- NL NL255832D patent/NL255832A/xx unknown
- NL NL98137D patent/NL98137C/xx active
- NL NL108511D patent/NL108511C/xx active
-
1959
- 1959-08-29 DE DE19591419208 patent/DE1419208B2/de active Pending
- 1959-08-31 GB GB2598661A patent/GB903412A/en not_active Expired
- 1959-08-31 GB GB2964659A patent/GB903411A/en not_active Expired
- 1959-09-02 FR FR804088A patent/FR1235787A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB903411A (en) | 1962-08-15 |
NL108511C (de) | |
NL255832A (de) | |
NL98137C (de) | |
NL231082A (de) | |
GB903412A (en) | 1962-08-15 |
FR1235787A (fr) | 1960-07-08 |
DE1419208A1 (de) | 1968-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2257834A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes | |
DE2654063A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial | |
DE4023573A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur konservierung von zellen | |
DE112016003796T5 (de) | Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls | |
DE2063607A1 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Temperaturgefällen | |
EP0284837B1 (de) | Vorrichtung zum schnellen und gleichmässigen Einfrieren von zähfliessenden Flüssigkeiten | |
DE1419208B2 (de) | Vorrichtung zum ziehen von kristallen aus einer schmelze | |
DE1419208C (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze | |
DE3111657C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur | |
AT515423B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Gefrier- oder Tieftemperatursubstitution | |
DE112016005020T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Einkristall-Siliziums und Einkristall-Silizium | |
DE2323211A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer intermetallischen einkristall-halbleiterverbindung | |
DE1498929B2 (de) | Bearbeitungsvorrichtung fuer roehrenoder zylinderfoermige gefaesse | |
DE68908929T2 (de) | Verfahren und Tiegel zur Herstellung einer ternären, heteroepitaktischen Schicht auf einer binären Schicht. | |
AT255489B (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial | |
DE3304060C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus der Gasphase | |
DE2750172B2 (de) | Antriebsvorrichtung für einen automatischen Brutschrank | |
DE8911841U1 (de) | Vorrichtung für die Fixierung von Gegenständen | |
DE1033911B (de) | Verfahren zum Züchten von Einkristallen aus Halbleitergrundstoffen, insbesondere aus Germanium | |
DE2728771A1 (de) | Verfahren zur epitaktischen ablagerung eines halbleitermaterials | |
DE2150227C3 (de) | Verfahren zum Einbringen von in einem flussigen Kühlmittel vorbereiteten Präparaten in eine Vakuum-Behandlungsanlage und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE694313C (de) | Vorrichtung zur gleichzeitigen Herstellung von mehreren Kristallplatten | |
DE3322175C1 (de) | Vorrichtung zum gerichteten Erstarren von geschmolzenem Material | |
DE2111945C3 (de) | Vorrichtung zur epitaktischen Kristallzüchtung aus flüssiger Phase | |
DE479730C (de) | Vorrichtung zum Auftragen des Behandlungsgutes fuer Drehringtelleroefen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |