DE1276834B - Elektromechanische Vorrichtung zum AEndern der Amplitude eines akustischen Signals - Google Patents
Elektromechanische Vorrichtung zum AEndern der Amplitude eines akustischen SignalsInfo
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- DE1276834B DE1276834B DEW32148A DEW0032148A DE1276834B DE 1276834 B DE1276834 B DE 1276834B DE W32148 A DEW32148 A DE W32148A DE W0032148 A DEW0032148 A DE W0032148A DE 1276834 B DE1276834 B DE 1276834B
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000018672 Dilatation Diseases 0.000 description 1
- 241000251539 Vertebrata <Metazoa> Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F13/00—Amplifiers using amplifying element consisting of two mechanically- or acoustically-coupled transducers, e.g. telephone-microphone amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/30—Time-delay networks
- H03H9/36—Time-delay networks with non-adjustable delay time
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
Int. Cl.:
H03h
Deutsche Kl.: 21g-34
Nummer: 1276 834
Aktenzeichen: P 12 76 834.2-35 (W32148)
Anmeldetag: 26. April 1962
Auslegetag: 5. September 1968
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektromagnetische Vorrichtung zum Ändern der Amplitude eines
akustischen Signals, insbesondere eines Ultraschallsignals, mit einem Halbleiterkörper, einer Vorspannungseinrichtung
mit einer Gleichspannungsquelle zum Erzeugen eines Gleichfeldes im Halbleiterkörper
einer solchen Größe, die eine Bewegung der Ladungsträger in einer gewünschten Richtung erzeugt.
Der bekannte elektroakustische Effekt besteht darin, daß ein elektrischer Gleichstrom erzeugt wird, wenn
eine akustische Welle durch ein leitendes Medium läuft. Im Prinzip verursacht die akustische Welle
eine Umverteilung der freien Ladungsträger des Mediums im Sinne einer periodischen lokalen (Ladungsträgeranhäufung.
Die hierbei entstehenden elektrischen Felder erzeugen dann den Strom. Bei Halbleitern, bei
denen freie Ladungsträger beiderlei Vorzeichens vorhanden sind, ist eine beachtliche Umverteilung der
Ladungsträger möglich, ohne daß hierbei Raumladungen erzeugt würden. Man hat gezeigt, daß der
hier resultierende elektrische Strom das Vorzeichen der Minoritätsladungsträger hat, also ein reiner
Minoritätsladungsträgereffekt ist. Setzt man den mit elastischen Wellen beaufschlagten Halbleiterkörper
einem elektrischen Gleichfeld aus, so bewegen sich die Ladungsträger des einen Typus entgegen der
Laufrichtung der akustischen Welle und die Ladungsträger des anderen Typus in Laufrichtung. Es wird
daher der eine elektroakustische Partikelstrom abnehmen und der andere zunehmen. Da jedoch die
zugeordneten elektrischen Ströme entgegengesetztes Vorzeichen haben, addieren sich die beiden elektroakustischen
Effekte, und der hieraus resultierende Gesamtstrom erhöht sich bzw. tritt bei eigenleitendem
Halbleitermaterial, das ohne angelegtes Feld keinen elektroakustischen Effekt zeigt, überhaupt erst auf
(vgl. zu alledem »Physical Review«, Bd. 104, 1956, S. 321 bis 324).
Eine auf diesem Effekt beruhende Vorrichtung der eingangs erwähnten Art würde keine nennenswerte
Änderung der Amplitude des akustischen Signals, insbesondere Verstärkung, erzeugen können. Man
hat hier erst bei Temperaturen des flüssigen Heliums eine sehr kleine resultierende Verstärkung beobachtet.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art zu erzeugen, mit der auf einfache
Weise die Amplitude eines akustischen Signals nennenswert geändert, insbesondere verstärkt, werden
kann.
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
piezoelektrische Eigenschaften aufweist und zumin-Elektromechanische Vorrichtung zum Ändern
der Amplitude eines akustischen Signals
der Amplitude eines akustischen Signals
Anmelder:
Western Electric Company Incorporated,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Fecht, Patentanwalt,
6200 Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Als Erfinder benannt:
Donald Lawrence White, Mendham, N. J.
(V. St. A)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 26. April 1961 (105 700)
dest einen Abschnitt einer Schallübertragungsbahn für das Signal bildet und daß die durch das Gleichfeld
erzeugte Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger eine Geschwindigkeitskomponente längs der in der
Fortpflanzungsrichtung des Signals liegenden Achse aufweist.
Zum besseren Verständnis des der Erfindung zugrunde liegenden Wirkungsprinzips sei folgendes ausgeführt:
üblicherweise sind Halbleiter zu stark leitfähig, um ein merklisches piezoelektrisches Feld zu zeigen.
Dennoch sind wesentliche piezoelektrische Wirkungen in Halbleitern hohen Widerstandes, die in bestimmter
Weise vorbereitet wurden, beobachtet worden, so bei ZnO, CdS und AlN. Andere Halbleiter,
die wesentliche piezoelektrische Effekte unter entsprechenden Bedingungen zeigen, sind InAs, CdSe,
CdTe, GaAs und ZnS.
Es wurde gefunden, daß eine akustische Welle, die sich durch ein solches piezoelektrisches Halbleitermedium
ausbreitet, durch eine Wechselwirkung des durch die akustische Welle erzeugten piezoelektrischen
Feldes mit den freien Ladungsträgern, die unter der Einwirkung eines im Medium durch eine äußere
Gleichspannungsquelle erzeugten elektrostatischen Feldes stehen, beeinflußt werden kann. Diese Wechselwirkung
ermöglicht eine wesentliche Dämpfung oder Verstärkung des akustischen Signals selbst, und zwar
«09 599/436
in Abhängigkeit von Größe und Richtung des elektrostatischen Feldes.
Die Ausdrücke »akustische Wellen« oder »Schall« sollen hier irgendeine kohärente elastische Welle
oder mechanische Wellenschwingung irgendeiner Frequenz bezeichnen, wobei die Frequenzbereiche des
Ultraschalls und Hyperschalls eingeschlossen sein sollen.
Eine akustische Welle, die durch ein piezoelektrisches Medium wandert, erzeugt ein elektrisches
Wechselfeld, das mit derselben Geschwindigkeit wie die akustische Welle wandert. Da dieses Feld ungleichförmig
ist, werden elektrische Ströme erzeugt, die dazu neigen, elektrische Ladungen periodisch im
ganzen Medium anzuhäufen. Diese Ladungsanhäufungen sucht das piezoelektrische Feld zu neutralisieren.
Wenn an das Medium eine Gleichspannung angelegt wird, wird ein periodisches elektrisches Feld
erzeugt, und zwar durch den durch die Bereiche der Ladungsanhäufungen fließenden Gleichstrom. Dieses
durch den Gleichstrom erzeugte Wechselfeld wirkt seinerseits wieder auf das piezoelektrische Medium
ein und resultiert in einer Erzeugung zusätzlicher akustischer Wellenkomponenten. Letztere werden die
ursprüngliche akustische Welle entsprechend bestimmten vorgegebenen Variablen verstärken oder
dämpfen.
Für ein gegebenes piezoelektrisches Halbleitermaterial, das unter dem Einfluß eines gegebenen
festen Gleichfeldes steht, gibt es eine entsprechende optimale Frequenz, bei der maximale Verstärkung
(oder Dämpfung) auftritt. Diese Frequenz hängt von den Veränderlichen des Systems nach folgender
Formel ab:
t-'s
Hierin bedeutet o> die Kreisfrequenz, bei der maximale
Verstärkung auftritt, ρ der spezifische Widerstand des piezoelektrischen Materials, *·· die absolute
Dielektrizitätskonstante* vD die mittlere Driftgeschwindigkeit
der Träger im Halbleiter als Folge des anstehenden Gleichfelds und vs die Schallgeschwindigkeit
im Medium.
Aus Gleichung (1) ergibt sich, daß die zum Erhalt einer Verstärkung erforderliche Bedingung darin
besteht, daß rD größer als vs ist. Ist die Driftgeschwindigkeit
kleiner als die Schallgeschwindigkeit im Medium, so tritt Dämpfung auf.
Die Driftgeschwindigkeit ist vom Material und der Größe des Gleichfelds nach folgender Gleichung
abhängig:
vD = μE'.
(2)
Hierin bedeutet μ die Beweglichkeit der Majoritätsträger
im Halbleiter in cm^/Vsec und E' die Stärke des in Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle
vorhandenen Gleichfeldes in V/cm.
Wenn die Driftgeschwindigkeit kleiner als rs ist.
wird der Nenner in Gleichung (1) durch 1 — l-p- ersetzt.
Wenn die Richtung der Ladungsträgerdriftgeschwindigkeit der der akustischen Welle entgegengesetzt ist.
wird der Ausdruck ersetzt durch 1 + -^-. Nur wenn
's
die Komponente von vD in Richtung der akustischen
Welle größer als vs ist, kann Verstärkung auftreten.
Andernfalls ändert das elektrische Feld die Dämpfung. Die Vektoranalyse zeigt, daß die Driftgeschwindigkeit
in Gleichung (1) tatsächlich die ,Komponente der Driftgeschwindigkeit in Ausbreitungsrichtung des akustischen
Signals ist. Es ist deshalb nicht wesentlich, daß die Feldrichtung mit der Richtung der akustischen
Welle zusammenfällt.
Da das oben beschriebene Phänomen die Wechselwirkung eines piezoelektrischen Feldes mit einem
Gleichfeld erfordert, leuchtet ein, daß die Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle in bestimmter Beziehung
zu einer piezoelektrischen Achse des Materials stehen muß, damit ein piezoelektrisches Feld erzeugt
wird. Es trifft nicht immer genau zu, zu sagen, daß ein Feld erzeugt wird, solange die Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle eine Vektorkomponente
in Richtung einer piezoelektrischen Achse des Materials hat. In bestimmten Kristallstrukturen
werden einander aufhebende entgegengerichtete Felder erzeugt. Die Ausbreitungsrichtung der akustischen
Welle wird deshalb zweckmäßigerweise definiert als irgendeine kristallographische Richtung, in der ein
wesentliches piezoelektrisches Feld erzeugt werden kann. Die Richtung dieses Feldes liegt notwendigerweise
in Richtung der Wellenausbreitung.
Es wurde gefunden, daß eine Änderung der Amplitude der akustischen Welle immer dann erreicht
werden kann, wenn eine Driftgeschwindigkeitskomponente vD durch den Einfluß des Gleichfeldes erzeugt
wird. Für eine nicht reziproke Betriebsweise beträgt die Driftgeschwindigkeit vD vorzugsweise wenigstens
5% der Schallgeschwindigkeit, damit eine bevorzugte Größe des nicht reziproken Effekts erreicht wird.
Wie vorstehend ausgeführt wurde, tritt eine Verstärkung dann auf, wenn die Driftgeschwindigkeit größer
als die Schallgeschwindigkeit ist.
Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Zeichnung beschrieben; es zeigt
F i g. 1 die Abhängigkeit der Verstärkung vom
Verhältnis ~γ- bei gegebener akustischer Frequenz
und gegebenem Material,
F i g. 2 ein der F i g. 1 ähnliches Diagramm, aber mit verschiedenem Verhältnis der akustischen Frequenz
zu den akustischen Konstanten des Materials, F i g. 3 eine schematische Ansicht eines erfindungsgemäßen
Verstärkers für akustische Wellen,
F i g. 4A eine schematische Ansicht eines Oszillators,
der nach den Prinzipien der Erfindung arbeitet, F i g. 4 B eine schematische Ansicht einer anderen
Ausführungsform eines Oszillators mit einem Hohlraumresonator,
F i g. 5 eine schematische Ansicht einer gleichzeitig verstärkenden Ultraschall-Verzögerungsleitung,
F i g. 6 eine schematische Ansicht eines nach den iPrinzipien der Erfindung arbeitenden Zirkulators
für akustische Wellen und
F i g. 7 eine schematische Ansicht eines Schalters für akustische Wellen, der der Anordnung nach
F i g. 6 ähnlich ist.
Aus Gleichung (1) ist zu ersehen, daß die Größe -—
im allgemeinen eine feste Materialeigenschaft ist.
Wie nachfolgend näher beschrieben wird, ermöglicht andererseits der spezifische Widerstand einen bequemen
Modulationsmechanismus in bestimmten ν lichtempfindlichen Halbleitermaterialien. In den an-
deren Fällen sind der spezifische Widerstand und die Dielektrizitätskonstante unveränderlich, und auch
die Schallgeschwindigkeit jjs liegt im allgemeinen
fest. Die beiden verbleibenden Veränderlichen sind somit die Frequenz der akustischen Welle und die
Driftgeschwindigkeit. Da nach Gleichung (2) die Beweglichkeit eine gegebene Halbleitermaterial-Eigenschaft
ist, bleibt als einzige Veränderliche die Feldkomponente E' in Ausbreitungsrichtung der akustischen
Welle.
Im allgemeinen ist die Frequenz der akustischen Welle durch das gewünschte zu verändernde Signal
gegeben. Deshalb ist bei üblichen Anwendungen das
Verhältnis von ω zu — (also das Produkt ω ρ ε)
in Gleichung (1) vorbestimmt und unveränderlich. In F i g. 1 ist die Verstärkung in Abhängigkeit
von -^- aufgetragen, und zwar für .ωge = 2. Daraus'
ergibt sich, daß Verstärkung bei ~ > 1 auftritt.
Aus der Figur und der Gleichung (1) ergibt sich ebenfalls, daß die maximale, mit diesem Material
erreichbare Verstärkung bei dieser Betriebsfrequenz
bei einem Verhältnis — = 1,5 auftritt.
vs
Die maximal erreichbare Verstärkung ist unter Berücksichtigung der Gleichung (1):
Verstärkung = 10 π— 10 ο
ec
ec
10 βλ , (3)
wobei die Verstärkung in db/cm angegeben ist, geringerer Dämpfung in der anderen Richtung^
(Punkt d) ergeben. Ein Betrieb mit Werten der Drift-' geschwindigkeit unterhalb der vorstehend für nicht
reziproken Betrieb angegebenen Grenze hat jedoch gleichfalls wesentliche Anwendungsmöglichkeiten und
liegt deshalb im Rahmen der Erfindung.
Die Kurve nach F i g. 1 dient sehr gut dazu, die Arbeitspunkte für eine akustische Verzögerungsleitung,
die eine Verstärkung erzeugt, zu zeigen. Eine ίο Verzögerungsleitung, die mit dem Verhältnis
ω zu —- = 2, wie bei der Kurve nach F i g. 1, und
mit einem Verhältnis -^- von 1,5 arbeitet, würde
vs
einen Arbeitspunkt in Vorwärtsrichtung bei / mit maximaler Verstärkung und einen Arbeitspunkt in
Rückwärtsrichtung bei g mit einer nur geringen Dämpfung ergeben. Da die Vorwärts-Verstärkung die
Rückwärts-Dämpfung stark übersteigt, zeigt ein Signal, das einer Mehrfach-Vorwärts- und -Rückwärtsreflektion
unterworfen wird, z. B. in einer in Scherschwingungen schwingenden Ultraschall-Verzögerungsleitung
bekannter Bauart, eine beachtliche Verstärkung pro Durchgang, und zwar um den Betrag,
um den der Punkt / den Punkt g übersteigt. Diese Verstärkung wird gleichzeitig mit der gewünschten
Verzögerung erhalten. Des weiteren kann die Verzögerungszeit des Halbleitermediums auch durch Ändern
der Stärke des Gleichfeldes passend eingestellt werden.
F i g. 2 zeigt eine Betriebskurve, die insbesondere
für nicht reziproke Vorrichtungen geeignet ist. Die Koordinaten entsprechen denen der F i g. 1. Die
das Quadrat des elektromechanischen Kopp- Kurve bezieht sich auf ein Verhältnis von—zu ω = 4,
lungskoeffizienten des Materials und λ die Wellenlänge ist.
F i g. 1 zeigt, daß die Dämpfungskurve punktsymmetrisch zum Verstärkungsteil der Kurve ist.
Demnach gibt die Frequenzabhängigkeit der Gleichung (1) ebenfalls die Frequenz der maximalen
Dämpfung an, die bei 1 —
auftritt, also bei
0,5 im System der Fig. 1.
Aus F i g. 1 ist des weiteren zu ersehen, daß eine wesentliche Dämpfung selbst bei Werten von vD
unterhalb 5% vs auftritt. Dämpfungswirkungen werden
jedoch in vielen akustischen Einrichtungen im allgemeinen für nicht reziproken Betrieb verwendet,
wie nachfolgend angegeben wird. Der Teil der Kurve im dritten Quadranten der F i g. 1 stellt die Dämpfung
des akustischen Signals für negative Verhältnisse
von ~ dar, d. h. dort, wo die Driftgeschwindigkeitskomponente
der Richtung der akustischen Aus-' breitung entgegengesetzt ist. Es ist ersichtlich, daß
ein wesentlicher nicht reziproker Effekt nicht zwischen den Punkten α und b entsprechend ± vD = 5% vs
erreicht werden kann. Für nicht reziproke Vorrichtungen beschränkt daher die vorstehend für das
minimale wirksame Geschwindigkeitsverhältnis vorgeschlagene Grenze den Betrieb auf die akzeptableren
Teile der Kurve. So würde z. B. eine nicht reziproke Vorrichtung mit dem Material und bei der Frequenz
gemäß der Kurve nach F i g. 1 mit einem Geschwin-
digkeitsverhältnis — = 0,5 eine maximale Dämpfung
in Vorwärtsrichtung (Punkt c) bei wesentlich das mit einem Material geringeren spezifischen Widerstandes
und/oder mit niedrigerer Betriebsfrequenz
erhalten wird. Wenn nun das Verhältnis — mit 3 an-
gesetzt wird, wird der Vorwärts-Betriebspunkt m, mit einer wesentlichen Verstärkung, während der
Rückwärts-Betriebspunkt η eine maximale Dämpfung mit sich bringt. Die Betriebskurve ist geeignet für
nicht reziproke Vorrichtungen, z. B. Ein-Richtungs-
Leiter. Es ist darauf hinzuweisen, daß alle Betriebskurven punktsymmetrisch zur Stelle — = 1 sind.
vs
Die größeren Abstände zwischen Maximum und
Die größeren Abstände zwischen Maximum und
Minimum werden mit größeren Verhältnissen von —
zu (D erhalten, d. h. mit Materialien, die geringeren
spezifischen Widerstand und geringere Dielektrizitätskonstante aufweisen, sowie mit einer niedrigeren
Betriebsfrequenz.
F i g. 3 zeigt einen typischen Verstärkeraufbau für akustische Wellen. An die Enden eines piezoelektrischen
Halbleiterkörpers 10 sind übliche elektroakustische Wandler 11 und 12 angebracht. Eine
bevorzugte Form eines insbesondere für den Betrieb bei hohen Frequenzen geeigneten Ultraschall-Wandlers
ist der sogenannte Verarmungs-Schicht-Ultraschall-Wandler. Ein bei 13 erzeugtes Wechselspannungssignal
wird dem Wandler 11 zugeführt. Das hierdurch entstehende akustische Signal wird durch
das Medium 10 zum Wandler 12, dem Ausgangswandler übertragen. Das am Wandler 12 hierdurch
wieder erzeugte elektromagnetische Ausgangssignal wird auf ein Voltmeter 14 über einen Auskopplungs-
der Vorrichtung nach Fig.4A wird ein elektromagnetisches
Signal in einem Verstärker 20 verstärkt, der im wesentlichen dem Verstärker nach F i g. 3
irischen Halbleiterkörper 31, dem ein Gleichfeld durch die Gleichspannungsquelle 32 in Ausbreitungsrichtung
der Resonanzwellen durch den Körper auf-
kondensator 15 gegeben. Das ■ Gleichfeld, das mit Halbleitermedium 60 drei Ultraschall-Wandler 61, 62
dem durch das akustische Signal erzeugten piezo-. und 63 auf. Das Medium wirkt in der Weise, daß es
elektrischen Feld gekoppelt wird, wird mit Hilfe die Trennung zwischen einem am Wandler 61 eineiner
Quelle 16 im Medium 10 erzeugt. geführten und über den Wandler 62 auf die hieran
Die Fig. 4A und 4B zeigen zwei Oszillatorformen, 5 angebrachte Leitung übertragenen Signal und einem
die nach den Prinzipien der Erfindung arbeiten. Bei Signal aufrechterhält, das am Wandler 63 von der
gemeinsamen, zum Wandler 62 führenden übertragungsleitung
empfangen worden ist. Diese Wirkung wird auf Grund des Feldes erreicht, das im entspricht. Der Ausgang ist auf den Eingang über ro Medium 60 durch eine Gleichspannungsquelle 64 und
einen Widerstand 21 zurückgekoppelt. Der Oszillator Elektroden 65 und 66 erzeugt wird. Dieses Feld hat
wird mit dem Widerstand 21 und der Gleichspan- ■ eine abnehmende Stärke von der einen Seite des
nungsquelle 22 abgestimmt. Mediums 60 zu der anderen. Da die Schallgeschwindig-
Die F i g. 4JB zeigt einen Oszillator, der einen in keit im Medium 60 von der elektrischen Feldstärke
* einem Hohlraumresonator 30 angeordneten Verstär- I5 abhängt, bewirkt das ungleichförmige Feld, daß die
ker aufweist. Der Verstärker besitzt einen piezoelek- Wellen gebrochen werden. Demgemäß wird eine
durch die Strahlen la und Ib dargestellte, vom
Wandler 61 erzeugte Welle zum Wandler 62 abgebogen. Eine durch die Strahlen 2a und Ib dargedrückt
ist. Es ist ersichtlich, daß dieser Oszillator 2o gestellte, vom Wandler 62 erzeugte Welle wird durch
einen tatsächlich akustischen Verstärker enthält und ein Feld entgegengesetzter Richtung beeinflußt und
daß keine elektromagnetische Wandler notwendig zum Wandler 63 abgebogen. Wie ersichtlich, ist diese
sind. Bei der entsprechenden Frequenz besteht eine Vorrichtung dahingehend nicht reziprok, daß keine
elektrische Kopplung zwischen dem akustischen Me- akustische Welle ihren früheren Weg nochmals zudium
und dem Hohlraum, wodurch eine Resonanz 25 rücklegen kann. Geeignete Arbeitspunkte für den
in dem Hohlraum erzeugt wird. Die Hohlraum- Betrieb dieser Vorrichtung würden der Punkt/
(Fig. 1) für die Richtung zwischen 61 und 62 und der Punkt g für die rückwärtige Richtung sein. Bei
Verwendung dieser Arbeitspunkte wird das vom 30 Wandler 61 zum Wandler 62 übertragene Signal
wesentlich verstärkt, während das Signal, das vom Wandler 62 zum am Wandler 63 angeschlossenen
Empfänger übertragen wird, nur gering gedämpft wird. Dieser Zirkulator arbeitet demgemäß zusätz-
Anordnungen, siehe z. B. USA.-Patentschrift 2 839 731. 35 lieh als ein Verstärker für das zu übertragende Signal.
Ein bei 51 erzeugtes elektromagnetisches Signal wird F i g. 7 zeigt eine Schalteinrichtung, die nach den
■ einem piezoelektrischen Wandler52 zugeführt. Das Prinzipien des Zirkulators gemäß Fig. 6 arbeitet
sich ergebende akustische Signal tritt in das Ver- und im Aufbau letzterem ähnlich ist. Ein Halbleiterzögerungsmedium
50 ein, durchläuft dasselbe längs !körper 70 trägt drei piezoelektrische Wandler 71, 72
des dargestellten Wegs und tritt über den piezoelek- 40 !und 73. Der Wandler 73 liegt dem Wandler 72 im
trischen Wandler 53 aus. Der Wandler 53 wandelt wesentlichen gegenüber. Eine Gleichspannungsquelle
das akustische Signal zurück in elektromagnetische 74 und Elektroden 75 und 76 erzeugen das erforder-Energie,
die dann durch ein Voltmeter 54 angezeigt liehe Gleichfeld. Ein am Wandler 72 erzeugtes akustiwird.
Die Kondensatoren 55 dienen der galvanischen sches Signal folgt üblicherweise dem durch die
Entkopplung. Elektroden 56 und 57 begrenzen die 45 Strahlen 3a und 3b angegebenen Weg und wird am
reflektierenden Flächen des Verzögerungsmediums, Wandler 73 empfangen. Durch Einwirkung des Gleichfeldes
der Quelle 74 wird jedoch die Welle abgebogen und nimmt eine Richtung an entsprechend den
Strahlen 4a und 4b und wird am Wandler 71 emp-50 fangen.
Die nachfolgenden Beispiele erläutern Ausführungsformen spezieller Materialien und Verfahren zum
Herstellen von Vorrichtungen gemäß der Erfindung. Jedes Muster weist die Betriebskurve nach F i g. 1
rückwärtige Richtung α sind, erfährt, wie bereits 55 auf. Bei Verwendung dieser Muster können Vorerwähnt,
das akustische Signal eine maximale Ver- richtungen erstellt werden, die jeden der Betriebspunkte auf der Kurve nach F i g. I erreichen. Diese
Betriebspunkte können nach entsprechender Wahl für jede der beschriebenen Vorrichtungen verwendet
60 werden.
schwingungen werden durch die Verstärkung der Resonanzfrequenz mit Hilfe der Wechselwirkung mit
dem Gleichfeld im akustischen Medium vergrößert. Die Resonanzwelle tritt am Ausgang 33 auf.
F i g. 5 zeigt eine Ultraschall-Verzögerungsleitung, die die Prinzipien nach der Erfindung verwendet.
Das Verzögerungsmedium 50, ein ^piezoelektrischer Halbleiter, entspricht in seinem Aufbau bekannten
und eine Vorspannungsquelle 58 liefert ein Gleichfeld
zwischen diesen Elektroden, das eine Komponente in Fortpflanzungsrichtung der akustischen Welle
besitzt.
Wenn die Driftgeschwindigkeitskomponente der
Träger in Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle ' so gewählt ist, daß die Betriebspunkte auf der Kurve
der F i g. 1 für die Vorwärtsrichtung/ und für die
Stärkung in der Vorwärtsrichtung mit einer minimalen Dämpfung in der rückwärtigen Richtung.
Die Ultraschall-Verzögerungsleitung ergibt damit eine wesentliche Verstärkung.
F i g. 6 zeigt einen Zirkulator, dessen Verwendung die Trennung übertragener Signale von empfangenen
Signalen ermöglicht, wenn beide Signale dasselbe Ubertragungsmedium verwenden. Der vorstehend
Ein Einkristall aus GaAs mit einem spezifischen Widerstand von 1000 Ohm-cm wird auf einem
beschriebene Ein-Richtungs-Leiter erreicht dies bis 65 Querschnitt von 3 mm und eine Länge- Von 2 cm
zu einem begrenzten Umfang, jedoch nur auf Kosten beschnitten, wobei die Länge in die (111)-Richtung
oder sogar unter Verlust eines dieser Signale. Bei weist. Piezoelektrische Verarmungsschicht-Wandler
der Vorrichtung nach Fi g. 6 weist das piezoelektrische werden dann an jedem Ende in üblicher Weise an-
9 10
gebracht. Diese Vorrichtung entspricht der nach digkeit von 1,5 (wie beim Beispiel I errechnet) wird
„. , TT , ,7 ,..„ .1 Λ- vD = 6,7 · 105 cm/s. Für CdS beträgt « = 300 cm2
F ι g. 3. Um das Verhältnis von — zu m von 0,5 ^ md damit'beträgt das Feld 440 V, um die aus
gemäß der Kurve in F i g. 1 zu erhalten, wird die Gleichung (2) errechnete Driftgeschwindigkeit zu erBetriebsspannung
aus der Gleichung (1) errechnet. 5 halten.
Bei diesem Muster hat der QaAs-Körper einen D Q d d Kopplungskoeffizienten &■ für
spezifischen Widerstand von 1000 Ohm ■ cm und v w & eC
eine Dielektrizitätskonstante von 11. Der Wert —- dieses CdS beträgt 0,07 und y beträgt bei dieser
in Gleichung (1) wird somit zu 109/s. Damit wird die io Probe 3,6 · 103. Die Verstärkung für diese Vor-Betriebskreisfrequenz
ω — 2 · ΙΟ9 rad/s oder die Be- richtung ergibt sich zu 65 db oder 330 db/sm.
triebsfrequenz 320 MHz. Aus der Gleichung (1) wird Ein weiterer Steuerparameter ist gemäß Gleidas Verhältnis der Driftgeschwindigkeit zur akusti- chung (1) der spezifische Widerstand des Materials. sehen Geschwindigkeit berechnet zu: Einige Halbleiter, z. B. GaAs und CdS, sind licht-
triebsfrequenz 320 MHz. Aus der Gleichung (1) wird Ein weiterer Steuerparameter ist gemäß Gleidas Verhältnis der Driftgeschwindigkeit zur akusti- chung (1) der spezifische Widerstand des Materials. sehen Geschwindigkeit berechnet zu: Einige Halbleiter, z. B. GaAs und CdS, sind licht-
15 empfindlich, d. h., ihr Widerstand ändert sich mit
0,5 == —— 1, der Stärke der einfallenden Belichtung. Damit kann
vs eine veränderbare Lichtquelle verwendet werden,
Vp _ j - um den Widerstand und damit die Verstärkung zu
vs ' ' ändern. Brauchbare spezifische Widerstände jedes
20 der Halbleitermaterialien, die für die Erfindung ge-
Mit der Schallgeschwindigkeit dieses Materials eignet sind; liegen in dem Bereich von 1 bis
von 5,6 · 105 cm/s errechnet sich die Driftgeschwindig- 106 Ohm · cm. Wie aus Gleichung (1) ersichtlich,
keit zu 8,4 · 105 cm/s. Die Gleichung (2) gibt die ergeben Materialien mit geringerem spezifischen Wi-Driftgeschwindigkeit
in Abhängigkeit von dem er- derstand Vorrichtungen mit höherer Frequenz.
forderlichen elektrischen Feld an: 25 Obwohl Einkristall-Medien bevorzugt sind, kön-
forderlichen elektrischen Feld an: 25 Obwohl Einkristall-Medien bevorzugt sind, kön-
_ „, n, nen auch polykristalline piezoelektrische Halbleiter
v° -μΆ ■ U] verwendet werden.
Hier liegt die gesamte Geschwindigkeitskomponente Der Frequenzbereich, in dem die Vorrichtungen
in Richtung der akustischen Wellenausbreitung nach der Erfindung zweckmäßigerweise arbeiten, liegt
(F i g. 3). Die Gleichung (2) wird damit: 30 zwischen 200 MHz und über 100 GHz. Bei hohen
_ £ Frequenzen wird jedoch die Diffusion der Ladungs-
'D ~ μ ' träger zu einem wesentlichen Problem, da die La-
worin E das Feld und μ die Beweglichkeit der Träger dungsträgeransammlungen entsprechend den Ver-
;„ α*™ iuat».-;„i „Kmi; κ <mn cm2 η cmc dichtungen und Dilatationen (oder Scherwellenverin
dem Material, nämlich 4000 y^. Das Feld £ 35 formun|en) des akustischen Mediums sehr eng zu-
wird damit: . sammenliegen. Die GrenzfrequenzJ0, bei der die
840000 Ladungsträgerdiffusion die Verstärkung 50% ver-
E = —^öjrr— = 210 V/cm . ringert, kann aus folgender Formel errechnet werden:
Die Wandler wurden somit an jedem Ende des 40 ,■ _ _J_ _£s_ (£d_ _ Λ ,λ\
Kristalls für eine Betriebsfrequenz von 320 MHz Jd ~ 2.-r D \ vs )' [ '
eingestellt. Die Gleichspannungsquelle, welche die
eingestellt. Die Gleichspannungsquelle, welche die
für die 2 cm lange Probe erforderliche Spannung Der Diffusionskoeffizient D ist dabei gegeben durch:
von 420 V erzeugt, wird, wie in F i g. 3 gezeigt, an- • ^ \
geschlossen. Die Betriebspunkte auf der Kurve in 45 D = μΤ (— J, (5)
F i g. 1 sind / und g . Das Hochfrequenzsignal wird ^ ^ '
am Eingangs-Wandler 11 (F i g. 3) angelegt und am . dje Träge'rbeweglichkeit in ^ , T die
Ausgangs-Wandler 12 abgenommen. Das Ausgangs- ' & & ν see
signal ist etwa 20 db verstärkt. Diese Vorrichtung absolute Temperatur in K, k die Boltzmannsche
erzeugt demnach bei der angegebenen Frequenz 5° Konstante = 1,38 · 1O~10 ergTK und q die Ladung
und der angegebenen Gleichspannung eine Ver- eines Elektrons = 1,6 ■ 10~19 Coulomb sind.
Stärkung von etwa 10 db/cm. Für Zinkoxyd und Cadmiumsulfid wird bei vD = 2r5
. die Grenzfrequenz fD etwa 10 GHz bei Raumtempe-
Beispiel II ratur. Da diese Materialien sehr stark piezoelektrisch
Ein Einkristall aus CdS wird auf einen Querschnitt 55 sind, kann eine bedeutende Verstärkung auch bei
von 1 · 1 mm und eine Länge von 2 mm beschnitten, Frequenzen weit oberhalb dieses Wertes erhalten
wobei die Länge in der c-Richtung verläuft. Die Vor- werden.
richtung entspricht ansonsten der nach Beispiel I. Für die übertragung elektromagnetischer Signale
Das Material mit einem spezifischen Widerstand sehr hoher Frequenz müssen selbstverständlich Wellen-
,mn, , . ... 1 .. ,„, 60 leiter oder gleichwertige Anordnungen verwendet
von 300 Ohm · cm hat einen Wert — von 3,9 · 10% werden Die g Figuren sind hierbei nur schematisch
...,,,..,. 1 ,, , j , zu verstehen, d.h., wenn hohe Frequenzen bzw.
Um em Verhältnis w zu — von 2 entsprechend der FreqUenzen im Mikrowellenbereich verwendet werden,
Kurve nach F i g. 1 zu erhalten, beträgt die Betriebs- sind die in den Figuren angegebenen Drähte als ent-
Tequenz o> = 7,8 · 10" rad/s oder /= 1250 MHz. 65 sprechende Ubertragungsanordnungen aufzufassen.
Ii. diesem Material und dieser kristallographischen Die beispielsweise in F i g. 3 dargestellte Einrich-
Rii'htung beträgt rs = 4,5 · 105 cm/s. Für ein Ver- tung verhält sich in ihrer Wirkung wie ein Verstärker
hälmis der Driftgeschwindigkeit zur Schallgeschwin- für elektrische Signale, obwohl die eigentliche Ver-
Stärkung im akustischen Bereich stattfindet; es ist daher darauf hinzuweisen, daß auch ein akustisches
Eingangssignal der Vorrichtung direkt aufgedrückt werden kann, wobei dann der Eingangs-Wandler Il
entfällt. Ebenfalls kann der Ausgangs-Wandler 12 weggelassen werden, wenn das gewünschte Ausgangssignal
ein akustisches Signal sein soll.
Claims (11)
1. Elektromechanische Vorrichtung zum Ändern ι ο
der Amplitude eines akustischen Signals, insbesondere eines Ultraschallsignals, mit einem
Halbleiterkörper, einer Vorspannungseinrichtung mit einer Gleichspannungsquelle zum Erzeugen
eines Gleichfeldes im Halbleiterkörper einer solchen Größe, die eine Bewegung der Ladungsträger
in einer gewünschten Richtung erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß der"
Halbleiterkörper (10, 20, 30, 40, 50, 60, 70) piezoelektrische Eigenschaften aufweist und zumindest
einen Abschnitt einer Schallübertragungsbahn für das Signal bildet und daß die durch das Gleichfeld
erzeugte Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger eine Geschwindigkeitskomponente längs
der in der Fortpflanzungsrichtung des Signals
liegenden Achse aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Halbleiterkörper
unter Verwendung von GaP, ZnO," InAs, ZnS, CdTe oder CdSe aufgebaut ist. .
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Halbleiter-"
körper unter Verwendung-von GaAs oder CdS
aufgebaut ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, 35-dadurch
gekennzeichnet, daß ihre Signal-Ein- und -Auskoppeleinrichtung für einen Betrieb oberhalb
200 MHz ausgelegt ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Driftgeschwindigkeitskomponente
in Signalfortpflanzungsrichtung zumindest 5% der Signalgeschwindigkeit beträgt.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Driftgeschwindigkeitskomponente
in Signalfortpfianzungsrichtung größer als die Signalgeschwindigkeit ist, wodurch die Ladungsträger des Gleichfeldes in
Wechselwirkung mit dem Signal zur Vergrößerung der Signalamplitude treten.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Rückkopplung für
einen Betrieb der Vorrichtung als Oszillator (F i g. 4A, 4B).
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische
Halbleiterkörper als Ultraschall-Verzögerungsmedium in Form eines Polyeders ausgebildet ist
und die Elektroden (56, 57) der Vorspannungs* einrichtung so angeordnet sind, daß die Gleichspannungsquelle
(58) zwischen den Elektroden ein Gleichfeld erzeugt, das e'"? Komponente in
Richtung des Signalwegs besitzt und die Vorrichtung als verlustfreie Verzögerungsleitung oder
als Verstärker arbeitet.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichfeld
( -^-, F i g. 2 j für einen Betrieb der Vorrichtung
als Ein-Richtung-Leitung eingestellt ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ihre Signal-Ein-
und -Auskoppeleinrichtung einen ersten und zweiten Wandler (61 bzw. 62) aufweist, daß der
erste Wandler (61) einer Fläche des piezoelektrischen Halbleiterkörpers (60) zugeordnet und
zumindest dafür ausgelegt ist, ein erstes Signal durch den Körper hindurch zu übertragen, daß
der zweite Wandler (62) einer dieser Flächen gegenüberstehenden Fläche zugeordnet und dafür
ausgelegt ist, einerseits das erste Signal zu empfangen und andererseits ein zweites Signal durch den
Körper hindurch in einer zur Richtung des ersten Signals im wesentlichen entgegengesetzten Richtung
zu übertragen, daß ein Empfangswandier (63) einer weiteren, im Abstand vom ersten Wandler
liegenden Fläche des Körpers zugeordnet und zumindest dafür ausgelegt ist, das zweite Signal
zu empfangen, und daß die Vorspannungseinrichtung (64, 65, 66) zum Erzeugen eines Gleichfeldes
ausgelegt ist, das im Körper in einer zur Fortpflanzungsrichtung der'Signale etwa senkrechten
Richtung eine abnehmende Stärke besitzt und zum gleichzeitigen Einwirken auf das erste
und zweite Signal vorgesehen ist, so daß das erste Signal auf den zweiten Wandler und das
zweite Signal auf den Empfangswandler abgelenkt werden (F i g. 6).
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ihre Signal-Ein- und -Auskoppeleinrichtung einen piezoelektrischen
Wandler (72) aufweist, der einer ersten Fläche des Körpers· (70) zugeordnet ist, ferner ein Paar
Signalempfangswandler (71 und 73), die je Flächen des Körpers zugeordnet sind, die im wesentlichen
der ersten Fläche' gegenüberliegen und 'zwei diskrete Wege zwischen jedem der Signalempfangswandler
(71 und 73) und dem sendenden Wandler (72) definieren, und daß die Vorspanneinrichtung
(74, 75, 76) zum Erzeugen eines Gleichfeldes längs eines dieser Wege vorgesehen ist, das einen vom
Gleichfeld des anderen der Wege verschiedenen Wert besitzt (F i g. 7).
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Physical Review«, Vol. 104, Nr. 2, S. 321 bis 324 (15. Oktober 1956).
»Physical Review«, Vol. 104, Nr. 2, S. 321 bis 324 (15. Oktober 1956).
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1147 632.·
Deutsches Patent Nr. 1147 632.·
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Wt 5»/«8 1.6t O Bundedruckerei Bertis
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US105700A US3173100A (en) | 1961-04-26 | 1961-04-26 | Ultrasonic wave amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1276834B true DE1276834B (de) | 1968-09-05 |
Family
ID=22307320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEW32148A Pending DE1276834B (de) | 1961-04-26 | 1962-04-26 | Elektromechanische Vorrichtung zum AEndern der Amplitude eines akustischen Signals |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3173100A (de) |
BE (1) | BE616959A (de) |
CH (1) | CH413914A (de) |
DE (1) | DE1276834B (de) |
ES (1) | ES276929A1 (de) |
GB (1) | GB1005219A (de) |
NL (1) | NL277613A (de) |
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---|---|---|---|---|
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-
0
- NL NL277613D patent/NL277613A/xx unknown
-
1961
- 1961-04-26 US US105700A patent/US3173100A/en not_active Expired - Lifetime
-
1962
- 1962-04-18 GB GB15003/62A patent/GB1005219A/en not_active Expired
- 1962-04-21 ES ES276929A patent/ES276929A1/es not_active Expired
- 1962-04-25 CH CH497962A patent/CH413914A/de unknown
- 1962-04-26 DE DEW32148A patent/DE1276834B/de active Pending
- 1962-04-26 BE BE616959A patent/BE616959A/fr unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1005219A (en) | 1965-09-22 |
BE616959A (fr) | 1962-08-16 |
US3173100A (en) | 1965-03-09 |
CH413914A (de) | 1966-05-31 |
NL277613A (de) | 1900-01-01 |
ES276929A1 (es) | 1962-10-16 |
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