DE1261900B

DE1261900B - Modulator for amplitude modulation

Info

Publication number: DE1261900B
Application number: DE1965F0047150
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Ernst Legler
Original assignee: Fernseh GmbH
Current assignee: Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Priority date: 1965-09-10
Filing date: 1965-09-10
Publication date: 1968-02-29
Also published as: NL6612744A; GB1145898A

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Ο.:Int. Ο .:

H03cH03c

Deutsche Kl.: 21 a4 -14/01 German class: 21 a4 - 14/01

Nummer: 1261900Number: 1261900

Aktenzeichen: F 47150IX d/21 a4File number: F 47150IX d / 21 a4

Anmeldetag: 10. September 1965Filing date: September 10, 1965

Auslegetag: 29. Februar 1968Open date: February 29, 1968

Die Erfindung bezieht sich auf einen Modulator zur Amplitudenmodulation eines Trägers mit einem Modulationssignal geringerer Frequenz, wobei sowohl der Träger als auch das Modulationssignal unterdrückt und nur die beiden Seitenbänder übertragen werden.The invention relates to a modulator for amplitude modulation of a carrier with a Modulation signal of lower frequency, with both the carrier and the modulation signal being suppressed and only the two sidebands are transmitted.

Bei einer im »Jahrbuch der Hochfrequenztechnik«, Ausgabe 1937, von V i 1 b i g auf S. 447 beschriebenen Schaltungsanordnung wird ein Träger über eine Primärwicklung und über eine Sekundärwicklung an die Diagonale einer Diodenbrückenschaltung eingespeist. Die andere Diagonale dieser Diodenbrückenschaltung ist über eine Primärspule und über eine Sekundärspule eines zweiten Transformators mit dem Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden. Das Modulationssignal wird über die Wicklung eines dritten Transformators zugeführt, deren Enden einerseits an eine Mittelabzapfung der Sekundärspule des ersten Transformators und andererseits an eine Mittelanzapfung der Primärspule des zweiten Transformators angeschlossen sind. Bei dieser bekannten Schaltungsanordnung wird der Träger mittels der Dioden zerhackt, so daß Oberwellen im Ausgangssignal entstehen, die eine teilweise Verzerrung dieses Ausgangssignals bewirken. Außerdem hat diese bekannte Schaltungsanordnung den Nachteil, daß sie im Zuge der Fertigung nicht exakt reproduzierbar ist, weil bei den verwendeten Dioden relativ große Exemplarstreuungen auftreten.In one of the "Yearbook of High Frequency Technology", 1937 edition, described by V i 1 b i g on p. 447 Circuit arrangement is a carrier via a primary winding and a secondary winding fed to the diagonal of a diode bridge circuit. The other diagonal of this diode bridge circuit is via a primary coil and via a secondary coil of a second transformer with the Output of the circuit arrangement connected. The modulation signal is passed through the winding of a Third transformer supplied, the ends of which on the one hand to a central tap of the secondary coil of the first transformer and on the other hand to a center tap of the primary coil of the second transformer are connected. In this known circuit arrangement, the carrier is by means of Diodes chopped up, so that harmonics arise in the output signal, which partially distort this Cause output signal. In addition, this known circuit arrangement has the disadvantage that it is in In the course of production, this is not exactly reproducible because the diodes used are relatively large Specimen scatter occur.

Die Erfindung bezweckt, einen Modulator anzugeben, bei dem die obengenannten Nachteile der bekannten Schaltungsanordnung vermieden werden.The invention aims to provide a modulator in which the above-mentioned disadvantages of known circuit arrangement can be avoided.

Erfmdungsgemäß wird der Träger einerseits über Elektroden eines ersten Verstärkerelementes und eines zweiten Verstärkerelementes (erstes Verstärkerelementenpaar) und andererseits über die Elektroden eines dritten Verstärkerelementes und eines vierten Verstärkerelementes (zweites Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen. Dabei wird dem Betriebsstrom beider Verstärkerelementenpaare eine Wechselstromkomponente überlagert, die im Rhythmus des Modulationssignals schwankt und an den beiden Verstärkerelementenpaaren gegenphasig auftritt. Außerdem sind beide Elektroden des ersten Verstärkerelementenpaares über je eine erste Leitung bzw. über eine zweite Leitung an diejenigen Elektroden des zweiten Verstärkerelementenpaares angeschlossen, über die der Träger mit Gegenphase übertragen wird. Die beiden Leitungen sind über einen Lastwiderstand miteinander verbunden, und das Ausgangssignal wird vom Lastwiderstand abgenommen.According to the invention, the carrier is on the one hand over Electrodes of a first amplifier element and a second amplifier element (first amplifier element pair) and on the other hand via the electrodes of a third amplifier element and a fourth Amplifier element (second amplifier element pair) transmitted in phase opposition. This is the operating current an alternating current component superimposed on both amplifier element pairs, which is in rhythm of the modulation signal fluctuates and occurs in phase opposition at the two pairs of amplifier elements. In addition, both electrodes of the first amplifier element pair are each connected to a first line or connected via a second line to those electrodes of the second amplifier element pair, over which the carrier is transmitted with opposite phase. The two lines are across a load resistor connected to each other, and the output signal is taken from the load resistor.

Der erfindungsgemäße Modulator zeichnet sich einmal dadurch aus, daß er eine sehr geringe Träger-Modulator zur AmplitudenmodulationThe modulator according to the invention is distinguished by the fact that it has a very low carrier modulator for amplitude modulation

Anmelder:Applicant:

Fernseh G. m. b. H.,Television G. m. B. H.,

6100 Darmstadt, Am Alten Bahnhof 66100 Darmstadt, Am Alten Bahnhof 6

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Dipl.-Ing. Ernst Legier, 6101 SeeheimDipl.-Ing. Ernst Legier, 6101 Seeheim

Steuerleistung erfordert; außerdem auch dadurch, daß im Ausgangssignal keine Oberwellen auftreten, weil die verwendeten Transistoren als A-Verstärker geschaltet sind. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Modulators ist darin zu sehen, daß dabei eine saubere Trennung zwischen dem Träger, dem Modulationssignal und dem Ausgangssignal erzielt wird, ohne daß ein Trägergegentaktübertrager erforderlich wäre. Schließlich hat der erfindungsgemäße Modulator auch noch den Vorteil, daß er wegen des physikalisch bedingten, exemplarunabhängigen Kennlinienverlaufs der Transistoren exakt reproduzierbar ist.Tax performance required; also because there are no harmonics in the output signal, because the transistors used are connected as A-amplifiers. Another advantage of the invention Modulator can be seen in the fact that there is a clean separation between the carrier, the Modulation signal and the output signal is achieved without the need for a carrier push-pull transformer were. Finally, the modulator according to the invention also has the advantage that because of the Physically determined, model-independent characteristic curve of the transistors can be reproduced exactly is.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden zwei Modulatoren auf einen gemeinsamen Ausgang geschaltet und zum 25-Hz-Versatz des Farbträgers beim PAL-Farbfernsehsystem verwendet.In a preferred embodiment of the invention, two modulators are on a common Output switched and to the 25 Hz offset of the color carrier in the PAL color television system used.

Im folgenden werden die Erfindung und Ausführungsbeispiele derselben an Hand der Fig. 1 bis 7 beschrieben, wobei in mehreren Figuren dargestellte gleiche Bauteile mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Es zeigtThe invention and exemplary embodiments thereof are described below with reference to FIGS. 1 to 7 described, wherein the same components shown in several figures are identified by the same reference numerals are. It shows

Fig. 1 einen Modulator in prinzipieller Darstellung, bei dem das Modulationssignal über einen Transformator eingespeist wird;Fig. 1 shows a basic representation of a modulator in which the modulation signal via a Transformer is fed;

F i g. 2 und 3 Details der Abnahme der Ausgangsspannung beim Modulator nach Fig. 1;F i g. 2 and 3 details of the decrease in the output voltage in the modulator according to FIG. 1;

Fig. 4 einen Modulator in prinzipieller Darstellung, bei dem die niederfrequente Schwingung über zwei Transistoren eingespeist wird;4 shows a basic representation of a modulator, in which the low-frequency oscillation is fed in via two transistors;

F i g. 5 eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig: I;F i g. 5 shows a practical embodiment of the modulator according to FIG.

F i g. 6 eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig. 2, undF i g. 6 shows a practical embodiment of the modulator according to FIG. 2, and

Fig. 7 einen Modulator zum Versatz des Farbträgers um 25 Hz.7 shows a modulator for offsetting the color subcarrier by 25 Hz.

809 51083809 51083

Der in Fig. 1 dargestellte Modulator besteht aus den Transistoren Ij % \ A, aus den Transformatoren S, 6, den Kondensatoren 7,8, den Widerständen 9. 10, R. Diesem Modulator wird über Klemme 11 der hochfrequente Träger JiF zugeführt. Das Modulationssignal NF wird über Klemme 12 einer Wicklung des Transformators S zugeführt. Die Mittelanzapfung der anderen Wicklung ist über Klemme 13 an den ersten Pol einer Spannungsqüelle angeschlossen. An den Schaltungspunkten 14 und IS Hegt eine Gleiche spannung* der das Modulationssignal gegenphasig überlagert ist. Die Mittelanzapfung einer Wicklung des Transformators 6 ist über Klemme 16 an den zweiten Pol der Spannungsquelle angeschlossen. Das modulierte Ausgangssignal wird über Klemme 17 abgegeben. The modulator shown in FIG. 1 consists of the transistors Ij % \ A, the transformers S, 6, the capacitors 7, 8, the resistors 9, 10, R. The high-frequency carrier JiF is fed to this modulator via terminal 11. The modulation signal NF is fed to a winding of the transformer S via terminal 12. The center tap of the other winding is connected to the first pole of a voltage source via terminal 13. At the circuit points 14 and IS there is a DC voltage * on which the modulation signal is superimposed in antiphase. The center tap of a winding of the transformer 6 is connected to the second pole of the voltage source via terminal 16. The modulated output signal is output via terminal 17.

Der Träger wird über den Kondensator 8 den Basen der Transistoren 2 und 3 zugeführt, so daß er art den Kollektoren des ersten Transistorpaares 1, 2 und des zweiten Transistorpaares 3, 4 in Gegenphase auftritt. Der Kollektor des Transistors 1 ist über die Leitung Ll an den Kollektor des Transistors 3 angeschlossen, an dem der Träger in Gegenphase auftritt. Der Kollektor des Transistors 2 ist über die Leitung L 2 mit dem Kollektor des Transistors 5 verbunden an dem der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt. Auf diese Weise wird somit der Träger unterdrückt. The carrier is fed through the capacitor 8 to the bases of the transistors 2 and 3, so that it occurs art the collectors of the first transistor pair 1, 2 and the second transistor pair 3, 4 in antiphase. The collector of the transistor 1 is connected via the line Ll to the collector of the transistor 3, at which the carrier occurs in antiphase. The collector of transistor 2 is connected via line L 2 to the collector of transistor 5 at which the carrier also occurs in antiphase. In this way, the carrier is thus suppressed.

Der Transformator 6, der Kondensator 7 und der Widerstand 10 bilden den Lastwiderstand L, der an die beiden Leitungen Ll und L 2 angeschlossen ist. Über die Klemme 17 wird das Aüsgangssignal abgegeben.The transformer 6, the capacitor 7 and the resistor 10 form the load resistor L, the is connected to the two lines Ll and L 2. The output signal is sent via terminal 17 submitted.

Die Fi g. 2 zeigt ein Detail des Modulators nach Fig. I, wonach der Lastwiderstand L aus einem Resonanzkreis mit dem Kondensator 18, dem Widerstand 19 und der Spule 20 gebildet wird. Dabei äst die Leitung L 2 ah Klemme 17 angeschlossen, über welche das Ausgangssignal abgegeben wird, und die Leitung Ll ist über Klemme 16 an den zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen. Der Resonanzkreis ist derart bemessen, daß seine Resonanzfrequenz angenähert gleich der Trägerfrequenz ist. An Stelle dieses Resonanzkreises kann als Lastwiderstand jedoch auch ein rein ohmscher Widerstand verwendet werden.The Fi g. 2 shows a detail of the modulator according to FIG Fig. I, according to which the load resistance L from a Resonant circuit with the capacitor 18, the resistor 19 and the coil 20 is formed. Aest the line L 2 connected to terminal 17, via which the output signal is emitted, and the Line Ll is connected to the second pole of the operating voltage source via terminal 16. The resonance circuit is dimensioned such that its resonance frequency is approximately equal to the carrier frequency. Instead of this resonance circuit, however, a purely ohmic resistance can also be used as the load resistance be used.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 3 zeigt ein weiteres Detail des Modulators nach Fig. 1, wonach die Leitung L2 nunmehr an Klemme 16 und den zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist, wogegen das Ausgangssignal nunmehr über die Leitung Ll und über Klemme 17 abgegeben wird.The circuit arrangement according to FIG. 3 shows a further detail of the modulator according to FIG. 1, after which the line L2 is now connected to terminal 16 and the second pole of the operating voltage source is, whereas the output signal is now emitted via the line Ll and via terminal 17 will.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 4 stellt einen Modulator dar, bei dem die gegenphasigen Ströme im Rhythmus des Modulationssignals über die beiden Transistoren 22, 23 in die Emitter der Transistoren 1 und 2 bzw. 3 und 4 eingespeist werden. Der Arbeitspunkt dieser Transistoren 22, 23 wird unter Verwen·- dung der Widerstände 24, 25, 26 und 27 festgelegt. Die Basis des Transistors 23 ist über den Kondensator 28 an Masse angeschlossen. Das Modulationssignal NF wird über Klemme 12 und den Kondensator 29 der Basis des Transistors 22 und über den Widerstand 24 der Basis des Transistors 23 zugeführt.The circuit arrangement according to FIG. 4 shows a modulator in which the out-of-phase currents are fed to the emitters of transistors 1 and 2 or 3 and 4 in the rhythm of the modulation signal via the two transistors 22, 23. The operating point of these transistors 22, 23 is determined using resistors 24, 25, 26 and 27. The base of the transistor 23 is connected to ground via the capacitor 28. The modulation signal NF is fed to the base of the transistor 22 via terminal 12 and the capacitor 29 and to the base of the transistor 23 via the resistor 24.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 5 zeigt eine praktische Ausführungsform des Modulators nach Fig, 1. Dabei sihd die Emitter der Transistoren 1The circuit arrangement according to FIG. 5 shows a practical embodiment of the modulator according to FIG. 1. The emitters of the transistors 1 are shown

und 2 bzw. 3 und 4 übgr je.einen Kondensator 30 bzw. 31 gekoppelt und über je einen Widerstand ZR an den Sehaltungspunkt 14 bzw. 15 angesehlossen. Die Kondensatoren 30,31 stellen für das Niödulfttionssignal einen relativ grpßeti Widerstand da: f. Die. Aufteilung des Widerstandes R (FIg₁ i) in jg zwei Widerstände IR nach F i g. 5 bezweckt, den Emittern beider Transistöfpaare emitterseitig gleiche Ströme mit überlagertem Modulationssignal zuzuführen.and 2 or 3 and 4 each coupled via a capacitor 30 or 31 and connected to the viewing point 14 or 15 via a resistor ZR each. The capacitors 30,31 represent a relatively large resistance to the low ventilation signal: f. Division of the resistance R (FIg ₁ i) into two resistances IR according to FIG. The purpose of 5 is to feed the emitters of both transistor pairs on the emitter side with the same currents with a superimposed modulation signal.

Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 5 läßt sich an Hand der folgenden theoretischen Betrachtungen erkennen. Zunächst werden die Trägerspannung u_Hp und die Modulationssignalspannung Ufi_F in folgender Form vorausgesetzt:The mode of operation of the circuit arrangement according to FIG. 5 can be seen from the following theoretical considerations. First, the carrier voltage u _H p and the modulation signal voltage Ufi _{F are} assumed in the following form:

= Uhf sin m_Ht j= Uhf sin m _H t j

= U_NF QOS c%t,= U _NF QOS c% t,

Dabei bedeuten;Mean;

U„ρ = maximale Amplitude der Tfägerspanhuhg, U "ρ = maximum amplitude of the Tfägerspanhuhg,

U_NF = maximale Amplitude der Modulationssignalspannung, U _NF = maximum amplitude of the modulation signal voltage,

a>H = Kreisfrequeriz des TfägerSj ω_Ν = Kfeisfrequenz des Modulatienssignals, t = ZgIt. a> H = circular frequency of the TfägerSj ω _Ν = Kfeis frequency of the modulus signal, t = ZgIt.

Es wird vörausgesetzti daß Vhf wesentlich größer als U_NF ist und daß dig Betriebsspannung E größer als Uf₁P ist, Unter diesen Voraussetzungen ist der Strom I₂ durch den Transistor % gleich;It is assumed that Vhf is significantly greater than U _NF and that the operating voltage E is greater than Uf ₁ P. Under these conditions, the current I ₂ through the transistor is equal to %;

h = h =

2R2R

Dabei bedeuten:Mean:

S = die Steilheit des Transistors, 2 R = der Betrag der Widerstände 2 R nach Fi g, 5. Die Steilheit S ist gleich folgendem Ausdruck: S = the slope of the transistor, 2 R = the amount of the resistors 2 R according to Fi g, 5. The slope S is equal to the following expression:

2R2R

Die obenstehende Gleichung (4) ist aus der GleichungThe above equation (4) is from the equation

S = _7T- abgeleitet, worin U den KoUektorgleichu_T S = _7T - derived, where U is the KoUektor equals u _T

strom und U_T eine Konstante (Temperaturspannung) bedeuten. Der Faktor — ist wegen der Gegenkopp'current and U _T mean a constant (temperature voltage). The factor - is because of the negative feedback '

lung durch den zweiten Transistor des Transistorpaares erforderlich. Unter Verwendung der Gleichung (4) läßt sich die Gleichung (3) folgendermaßen umformen:development by the second transistor of the transistor pair is required. Using the equation (4), equation (3) can be transformed as follows:

^ÜNFÜNF

In ähnlicher Weise ergibt sich für den Signalstroftl t₄ durch den Transistor 4 folgender Ausdrück:In a similar way, the following expression results for the signal flow t ₄ through the transistor 4:

ί -ί -

ARAR

IRIR

Durch Addition der Gleichungen (5) und (6) ergibt sich der Stfom i„ des Ausgängssignals:Adding equations (5) and (6) results in the current i "of the output signal:

T?T? IC*.IC *.

■P ... .. 1 £ M)VF■ P ... .. 1 £ M) VF

U = kU = k

u_HF-u_NF-u _HF -u _LF -

. 2i? ^τ 2# ■ Durch Umformung ergeben sich die folgenden Gleichungen (8) bis (IQ):. 2i? ^τ 2 # ■ The transformation results in the following equations (8) to (IQ):

in in

^Uhf ' ^Uhf '

2RUt2RUt

^W^ W

ARU₁ ARU ₁

sin ιsin ι

'WJ-'WJ-

2RU₁ 2RU ₁

+ m_N)t ++ m _N ) t +

• sin• sin

· cos οι_Nt + -β-,Cos οι _N t + -β- ,

HFHF

'NF'NF

4RUj sin (c% — 4RUj sin (c% -

Dabei entspricht das erste Glied der Gleichung (10) dem oberen Seitenband, das zweite Glied dem unteren Seitenband und das dritte Glied der Gleichstromkomponente des Ausgangssignals. Der Träger und das Modulationssignal sind somit unterdrückt.The first term in equation (10) corresponds to the upper sideband, the second term to the lower Sideband and the third term of the DC component of the output signal. The carrier and the modulation signals are thus suppressed.

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 6 zeigt eine praktische Ausführungsform des Modulators nach F i g. 4. Dabei sind die Emitter der beiden Transistoren 22 und 23 über die beiden Widerstände 40 und 41 verbunden und über den Transistor 42 und den Widerstand 43 und über Klemme 13 an den ersten Pol der Spannungsquelle angeschlossen. Dieser Transistor 42 wirkt als hoher Wechselstromwiderstand. Sein Basispotential wird unter Verwendung der Widerstände 25, 44,45 festgelegt. Die Basis ist über den Kondensator 46 wechselstrommäßig an Masse angeschlossen.The circuit arrangement according to FIG. 6 shows a practical embodiment of the modulator according to FIG F i g. 4. The emitters of the two transistors 22 and 23 are connected to the two resistors 40 and 41 connected and via the transistor 42 and the resistor 43 and via terminal 13 to the first pole of the Voltage source connected. This transistor 42 acts as a high AC resistance. Its base potential is determined using the resistors 25, 44.45 set. The base is connected to ground via the capacitor 46 in terms of alternating current.

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 7 zeigt einen Modulator zum Versatz des Farbträgers, um eine Frequenz von 25 Hz, wie er beim PAL-Farbfernsehübertragungssystem benötigt wird. Diese Schaltungsanordnung besteht im wesentlichen aus zwei Modulatoren, die auf einem gemeinsamen Lastwiderstand L arbeiten. Der eine dieser Modulatoren besteht aus den Transistoren 1 bis 4, dem Transformator 5, den Kondensatoren 30, 31 und den Widerständen SO bis 54. Der andere Modulator besteht aus den Transistoren 1', 2', 3', 4', aus dem Transformator 5'. den Kondensatoren 30', 31' und den Widerständen SO', 51', 52', 53', 54'. Als hochfrequenter Träger wird eine sinusförmige Schwingung HF mit einer Frequenz von F = 4433 618,75 Hz über Klemme 55 und den Kondensator 56 zugeführt. Diese hochfrequente Schwingung wird einerseits über den Widerstand 57 und andererseits über den Kondensator 58 übertragen, so daß an den Basen der Transistoren 2 und 3 einerseits und an den Basen der Transistoren 2' und 3' andererseits hochfrequente Schwingungen auftreten, deren Phase um 90 versetzt ist. Das über Klemme 12 zugeführte Modulationssignal NF hat eine Frequenz von 25 Hz. Dieses Modulationssignal NF wird einerseits dem Transformator 5 und andererseits über ein 90°-Phasendrehglied 56 dem Transformator 5' zugeführt, über die Ausgangsklemme 17 wird dann eine sinusförmige Schwingung abgegeben, die eine Frequenz von F = 25 Hz (= 4 433 593,75 Hz) hat.The circuit arrangement according to FIG. 7 shows a modulator for offsetting the color subcarrier by a frequency of 25 Hz, as is required in the PAL color television transmission system. This circuit arrangement consists essentially of two modulators that work on a common load resistor L. One of these modulators consists of the transistors 1 to 4, the transformer 5, the capacitors 30, 31 and the resistors SO to 54. The other modulator consists of the transistors 1 ', 2', 3 ', 4' from the transformer 5 '. the capacitors 30 ', 31' and the resistors SO ', 51', 52 ', 53', 54 '. A sinusoidal HF oscillation with a frequency of F = 4433 618.75 Hz is supplied as a high-frequency carrier via terminal 55 and capacitor 56. This high-frequency oscillation is transmitted on the one hand via the resistor 57 and on the other hand via the capacitor 58, so that high-frequency oscillations occur at the bases of the transistors 2 and 3 on the one hand and at the bases of the transistors 2 'and 3' on the other hand, the phase of which is offset by 90 . The modulation signal NF supplied via terminal 12 has a frequency of 25 Hz. This modulation signal NF is supplied on the one hand to the transformer 5 and on the other hand via a 90 ° phase rotating member 56 to the transformer 5 ' Frequency of F = 25 Hz (= 4,433,593.75 Hz).

Claims

Patentansprüche :Patent claims:

1. Modulator zur Amplitudenmodulation eines Trägers mit einem Modulationssignal geringerer Frequenz, wobei sowohl der Träger als auch das Modulationssignal unterdrückt und nur die beiden Seitenbänder übertragen werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger sowohl über Elektroden eines ersten Verstärkerelementes (1) und eines zweiten Verstärkerelementes (2) (erstes Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen wird als auch über Elektroden eines dritten Verstärkerelementes (3) und eines vierten Verstärkerelementes (4) (zweites Verstärkerelementenpaar) gegenphasig übertragen wird, daß dem Betriebsstram beider Verstärkerelementenpaare (1, 2 und 3, 4) eine Wechselstromkomponente überlagert wird, die im Rhythmus des Modulationssignals schwankt und an den beiden Verstärkerelementenpaaren gegenphasig auftritt, daß beide Elektroden des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über je eine erste Leitung (Ll) bzw. zweite Leitung (L 2) an diejenigen Elektroden des zweiten Verstärkerelementenpaares (3,4) angeschlossen sind, über die der Träger mit Gegenphase übertragen wird, daß die beiden Leitungen (Ll und L2) über einen Lastwiderstand miteinander verbunden sind und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand abgenommen wird.1. Modulator for the amplitude modulation of a carrier with a modulation signal of a lower level Frequency, whereby both the carrier and the modulation signal are suppressed and only the two Sidebands are transmitted, characterized in that the carrier is both over Electrodes of a first amplifier element (1) and a second amplifier element (2) (first Amplifier element pair) is transmitted in phase opposition as well as via electrodes of a third amplifier element (3) and a fourth amplifier element (4) (second amplifier element pair) is transmitted in phase opposition that the operating current of both amplifier element pairs (1, 2 and 3, 4) an alternating current component is superimposed, which corresponds to the rhythm of the modulation signal fluctuates and occurs in phase opposition at the two amplifier element pairs, that both electrodes of the first pair of amplifier elements (1, 2) via a first line (Ll) or second line (L 2) are connected to those electrodes of the second amplifier element pair (3, 4) via which the carrier is transmitted with opposite phase that the two lines (Ll and L2) via one Load resistor are connected together and that the output signal is taken from the load resistor will.

2. Modulator nach Anspruch 1, wobei Verstärkerelemente verwendet werden, die eine erste Steuerelektrode und eine zweite Steuerelektrode haben und die Signale, die diesen Steuerelektroden zugeführt werden, praktisch unverzerrt über eine dritte Elektrode abgeben, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger der ersten Steuerelektrode des ersten Verstärkerelementes (1) zugeführt wird, welches über seine zweite Steuerelektrode mit dem zweiten Verstärkerelement (2) zum ersten Verstärkerelementenpaar (1, 2) vereinigt ist, an deren dritten Elektroden der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger der ersten Steuerelektrode des dritten Verstärkerelementes (3) zugeführt wird, welches über seine zweite Steuerelektrode mit dem vierten Verstärkerelement (4) zum zweiten Verstärkerelementenpaar (3,4) vereinigt ist, an deren dritten Elektroden der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem ersten Verstärkerelementenpaar (1, 2) über die zweiten Steuerelektroden das Modulationssignal (NF) zugeführt wird, daß dem zweiten Verstärkerelementenpaar (3, 4) über seine zweiten Steuerelektroden ein gegenphasiges Modulationssignal zugeführt wird, daß die erste Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes (2) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) und die erste Steuerelektrode des vierten Verstärkerelementes (4) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3,4) an einen Schaltungspunkt konstanten Potentials2. Modulator according to claim 1, wherein amplifier elements are used which have a first control electrode and a second control electrode and emit the signals which are fed to these control electrodes, practically undistorted via a third electrode, characterized in that the carrier of the first control electrode of the first Amplifier element (1), which is combined via its second control electrode with the second amplifier element (2) to form the first amplifier element pair (1, 2), at whose third electrodes the carrier occurs in antiphase that the carrier of the first control electrode of the third amplifier element ( 3), which is combined via its second control electrode with the fourth amplifier element (4) to form the second amplifier element pair (3, 4), at whose third electrodes the carrier also occurs in antiphase that the first amplifier element pair (1, 2) via the the modulation signal (LF) is fed to the second control electrodes is that the second amplifier element pair (3, 4) is fed an antiphase modulation signal via its second control electrodes, that the first control electrode of the second amplifier element (2) of the first amplifier element pair (1, 2) and the first control electrode of the fourth amplifier element (4) of the second amplifier element pair (3, 4) to a circuit point of constant potential

(Masse) angeschlossen sind, daß eine dritte Elektrode der beiden Verstärkerelemente (1 oder 2) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über eine erste Leitung (L 1) mit derjenigen dritten Elektrode eines der beiden Verstärkerelemente (3 oder 4) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3, 4) verbunden ist, an der der Träger in Gegenphase auftritt, und daß die dritte Elektrode des anderen Verstärkerelementes (2 oder 1) des ersten Verstärkerelementenpaares (1, 2) über eine zweite Leitung (L 2) mit der dritten Elektrode des anderen Verstärkerelementes (4 oder 3) des zweiten Verstärkerelementenpaares (3, 4) verbunden ist, daß die erste Leitung (L 1) über einen Lastwiderstand (L) an die zweite Leitung (L 2) angeschlossen ist, daß ein erster Pol einer Betriebsspannungsquelle an die zweiten Steuerelektroden des ersten und zweiten Verstärkerelementenpaares und der zweite Pol dieser Betriebsspannungsquelle an eine der Leitungen (Ll, L2) angeschlossen ist und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand (L) abgenommen wird. (Ground) are connected that a third electrode of the two amplifier elements (1 or 2) of the first amplifier element pair (1, 2) via a first line (L 1) to that third electrode one of the two amplifier elements (3 or 4) of the second amplifier element pair (3, 4) at which the carrier occurs in antiphase, and that the third electrode of the other amplifier element (2 or 1) of the first amplifier element pair (1, 2) via a second line (L 2) to the third electrode of the other amplifier element (4 or 3) of the second amplifier element pair (3, 4) is connected that the first Line (L 1) is connected via a load resistor (L) to the second line (L 2) that a first Pole of an operating voltage source to the second control electrodes of the first and second amplifier element pair and the second pole of this operating voltage source to one of the lines (Ll, L2) is connected and that the output signal is taken from the load resistor (L).

3. Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger der Basis eines ersten Transistors (1) zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zweiten Transistor (2) zu einem ersten Transistorpaar (1, 2) vereinigt ist, an deren Kollektoren der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger der Basis eines dritten Transistors (3) zugeführt wird, der emitterseitig mit einem vierten Transistor (4) zu einem zweiten Transistorpaar (3,4) vereinigt ist, an deren Kollektoren der Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem ersten Transistorpaar (1, 3) emitterseitig das Modulationssignal (NF) zugeführt wird, daß dem zweiten Transistorpaar (3,4) emitterseitig ein um 180 phasenverschobenes Modulationssignal zugeführt wird, daß die Basis des zweiten Transistors (2) des ersten Transistorpaares (1, 2) und die Basis des vierten Transistors (4) des zweiten Transistorpaares (3, 4) an einen Schaltungspunkt konstanten Potentials (Masse) angeschlossen sind, daß ein Kollektor der beiden Transistoren (1 oder 2) des ersten Transistorpaares (1,2) über eine erste Kollektorleitung (Ll) mit demjenigen Kollektor eines der beiden Transistoren (3 oder 4) des zweiten Transistorpaares (3,4) verbunden ist, an den der Träger in Gegenphase auftritt, daß der Kollektor des anderen Transistors (2 oder 1) des ersten Transistorpaares (1, 2) über eine zweite Kollektorleitung (L 2) mit dem Kollektor des anderen Transistors (4 oder 3) des zweiten Transistorpaares (3, 4) verbunden ist, daß die erste Kollektorleitung über einen Last widerstand an die zweite Kollektorleitung angeschlossen ist, daß ein erster Pol einer Betriebsspannungsquelle an die Emitter des ersten und zweiten Transistorpaares und der zweite Pol dieser Betriebsspannungsquelle an eine der Kollektorleitungen angeschlossen ist und daß das Ausgangssignal vom Lastwiderstand abgenommen wird.3. Modulator according to claim 1, characterized in that the carrier is the base of a first transistor (1) is supplied, the emitter side with a second transistor (2) to one first pair of transistors (1, 2) is combined, at the collectors of which the carrier occurs in antiphase, that the carrier is fed to the base of a third transistor (3), the emitter side with a fourth Transistor (4) is combined to form a second pair of transistors (3.4), at the collectors of which the Carrier also occurs in antiphase that the first transistor pair (1, 3) emitter side the modulation signal (NF) is supplied that the second transistor pair (3, 4) on the emitter side a 180 phase-shifted modulation signal is supplied that the base of the second transistor (2) of the first transistor pair (1, 2) and the base of the fourth transistor (4) of the second transistor pair (3, 4) are connected to a node of constant potential (ground) that a Collector of the two transistors (1 or 2) of the first transistor pair (1,2) via a first Collector line (Ll) with that collector of one of the two transistors (3 or 4) of the second Transistor pair (3,4) is connected to which the carrier occurs in phase opposition that the collector of the other transistor (2 or 1) of the first transistor pair (1, 2) via a second collector line (L 2) to the collector of the other transistor (4 or 3) of the second transistor pair (3, 4) is connected that the first collector line via a load resistance to the second collector line is connected that a first pole of an operating voltage source to the emitter of the first and second transistor pair and the second pole of this operating voltage source to one of the collector lines is connected and that the output signal is taken from the load resistor.

4. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Modulationssignal über eine Wicklung eines Transformators (5) zugeführt wird, daß die Mittelanzapfung einer weiteren Wicklung .dieses Transformators (5) an den ersten Pol (über 13) der Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist und daß die Enden.dieser weiteren Wicklung über je einen Widerstand (R) an die Emitter des ersten Transistorpaares (1, 2) bzw. des zweiten Transistorpaares (3,4) angeschlossen sind.4. Modulator according to claim 3, characterized in that the modulation signal is supplied via a winding of a transformer (5), that the center tap of a further winding .Dieses transformer (5) is connected to the first pole (via 13) of the operating voltage source and that The ends of this further winding are each connected to the emitters of the first transistor pair (1, 2) and the second transistor pair (3, 4) via a resistor (R).

5. Modulator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der beiden Transistoren des ersten Transistorpaares (1,2) über einen Kondensator (30) verbunden sind und über je einen Widerstand (2 R) an ein Ende der weiteren Wicklung des Transformators (5) angeschlossen sind und daß die Emitter der beiden Transistoren des zweiten Transistorpaares (3,4) über einen weiteren Kondensator (31) verbunden sind und über je einen weiteren Widerstand (2 J?) an das zweite Ende der weiteren Wicklung des Transformators (5) angeschlossen sind.5. Modulator according to claim 4, characterized in that the emitters of the two transistors of the first transistor pair (1, 2) are connected via a capacitor (30) and each via a resistor (2 R) to one end of the further winding of the transformer ( 5) are connected and that the emitters of the two transistors of the second transistor pair (3, 4) are connected via a further capacitor (31) and each via a further resistor (2 J?) To the second end of the further winding of the transformer (5 ) are connected.

6. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Lastwiderstand (L) eine Wicklung eines weiteren Transformators (6) vorgesehen ist, deren Enden an je eine Kollektorleitung angeschlossen sind und deren Mittelanzapfung mit dem zweiten Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden ist und daß das Ausgangssignal über eine weitere Wicklung dieses weiteren Transformators (6) abgegeben wird.6. Modulator according to claim 3, characterized in that the load resistor (L) is a Winding of a further transformer (6) is provided, the ends of which are each connected to a collector line are connected and their center tap with the second pole of the operating voltage source is connected and that the output signal via a further winding of this further Transformer (6) is delivered.

7. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Lastwiderstand (L) ein Parallelresonanzkreis (18,19,20) geschaltet ist.7. Modulator according to claim 3, characterized in that a load resistor (L) is a Parallel resonance circuit (18,19,20) is connected.

8. Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des ersten Transistorpaares (1, 2) bzw. des zweiten Transistorpaares (3,4) über die Emitter-Kollektor-Strecke eines fünften Transistors (22) bzw. sechsten Transistors (23) und über einen zusätzlichen Widerstand (26) an den ersten Pol der Betriebsspannungsquelle angeschlossen sind und daß das Modulationssignal den Basen dieses fünften und sechsten Transistors zugeführt wird.8. Modulator according to claim 1, characterized in that the emitters of the first transistor pair (1, 2) or the second pair of transistors (3, 4) via the emitter-collector path of a fifth transistor (22) or sixth transistor (23) and an additional resistor (26) are connected to the first pole of the operating voltage source and that the modulation signal the bases of these fifth and sixth transistors.

9. Modulator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter des fünften und sechsten Transistors über die Emitter-Kollektor-Strecke eines siebten Transistors (42) an den ersten PolderBetriebsspannungsquelleangeschlossensind.9. Modulator according to claim 8, characterized in that the emitters of the fifth and sixth transistor via the emitter-collector path of a seventh transistor (42) to the first Polder operating voltage sources are connected.

10. Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger mit um 90° verschobener Phase der Basis eines zusätzlichen ersten Transistors (1') zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zusätzlichen zweiten Transistor (2') zu einem zusätzlichen ersten Transistorpaar (Γ, 2') vereinigt ist, an deren Kollektoren der um 90° phasenverschobene Träger in Gegenphase auftritt, daß der Träger mit um 90^c verschobener Phase der Basis eines zusätzlichen dritten Transistors (3') zugeführt wird, der emitterseitig mit einem zusätzlichen vierten Transistor (4') zu einem zusätzlichen zweiten Transistorpaar (3', 4') vereinigt ist, an deren Kollektoren der um 90° phasenverschobene Träger ebenfalls in Gegenphase auftritt, daß dem zusätzlichen ersten Transistorpaar (1', 2') emitterseitig ein gegenüber dem Modulationssignal um 90° phasenverschobenes Modulationssignal zugeführt wird, daß dem zusätzlichen zweiten Transistorpaar (3', 4') emitterseitig ein gegenüber dem um 90° phasenverschobenen Modulationssignal gegenphasiges Modulationssignal zugeführt wird, daß die Basis des zusätzlichen zweiten Transistors (2') des zusätzlichen ersten Transistorpaares (Γ, 2') und die Basis des zusätzlichen vierten Transistors (4') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4')-an den Schaltungspunkt kon-10. Modulator according to claim 3, characterized in that the carrier is fed with a phase shifted by 90 ° to the base of an additional first transistor (1 '), which on the emitter side with an additional second transistor (2') to an additional first transistor pair (Γ , 2 '), at the collectors of which the carrier, which is phase shifted by 90 °, occurs in antiphase, so that the carrier with the ^{phase shifted by 90 c is} fed to the base of an additional third transistor (3'), which is connected to an additional fourth transistor ( 4 ') is combined into an additional second transistor pair (3', 4 ') , at the collectors of which the carrier, which is phase-shifted by 90 °, also occurs in antiphase that the additional first transistor pair (1', 2 ') on the emitter side has a relative to the modulation signal 90 ° phase-shifted modulation signal is supplied that the additional second transistor pair (3 ', 4') on the emitter side with respect to the 90 ° phase-shifted modulus lationssignal antiphase modulation signal is supplied that the base of the additional second transistor (2 ') of the additional first transistor pair (Γ, 2') and the base of the additional fourth transistor (4 ') of the additional second transistor pair (3', 4 ') - at the switching point

stanten Potentials (Masse) angeschlossen sind, daß ein Kollektor der beiden zusätzlichen Transistoren (I' oder 2') des zusätzlichen ersten Transistorpaares (Γ, 2') über die erste Kollektorleitung mit demjenigen Kollektor eines der beiden zusätzlichen Transistoren (3' oder 4') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4') verbunden ist, an den der um 90° versetzte Träger in Gegenphase auftritt, daß der Kollektor des anderen zusätzlichen Tran-constant potential (ground) are connected, that a collector of the two additional transistors (I 'or 2') of the additional first transistor pair (Γ, 2 ') via the first collector line with that collector of one of the two additional transistors (3' or 4 ') ) of the additional second transistor pair (3 ', 4') is connected to which the carrier, offset by 90 °, occurs in phase opposition, so that the collector of the other additional tran-

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sistors (2' oder 1') des ersten zusätzlichen Transistorpaares (V, T) über die zweite Kollektorleitung mit dem Kollektor des anderen zusätzlichen Transistors (4' oder 3') des zusätzlichen zweiten Transistorpaares (3', 4') verbunden ist und daß der erste Pol der Betriebsspannungsquelle an die Emitter des zusätzlichen ersten und zweiten Transistorpaares und der zweite Pol an eine der Kollektorleitung angeschlossen ist.sistor (2 'or 1') of the first additional transistor pair ( V, T) is connected via the second collector line to the collector of the other additional transistor (4 'or 3') of the additional second transistor pair (3 ', 4') and that the first pole of the operating voltage source is connected to the emitter of the additional first and second transistor pair and the second pole is connected to one of the collector lines.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings