DE1234837B - Arrangement for stabilizing DC voltages - Google Patents

Description

Anordnung zum Stabilisieren von Gleichspannungen Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Stabilisieren von Gleichspannungen, die die entsprechende Anordnung der Patentanmeldung V 23326 VIII b/21 c (deutsche Auslegeschrift 1227 988) vorteilhaft weiterbildet und ihren Anwendungsbereich wesentlich erweitert.Arrangement for stabilizing DC voltages The invention relates to an arrangement for stabilizing DC voltages, the corresponding arrangement the patent application V 23326 VIII b / 21 c (German Auslegeschrift 1227 988) advantageous further educates and significantly expands their area of application.

Stabilisierungsschaltungen mit Zenerdioden sind an sich bekannt; so ist es geläufig, eine Zenerdiode mit einem Vorwiderstand zu betreiben und die stabilisierte Spannung an der Zenerdiode abzunehmen. Diese Schaltung ist insofern unvollkommen, als sich sowohl bei schwankender Speisespannung als auch bei schwankender Belastung der Strom durch die Zenerdiode ändert und damit auch die Ausgangsspannung, da die Spannung an der Zenerdiode von dem sie durchfließenden Strom abhängt.Stabilization circuits with Zener diodes are known per se; so it is common to operate a Zener diode with a series resistor and the stabilized Take off the voltage at the Zener diode. This circuit is imperfect in that than both with fluctuating supply voltage and with fluctuating load the current through the Zener diode changes and with it the output voltage, because the Voltage at the Zener diode depends on the current flowing through it.

Dem Stand der Technik gehören ferner Stabilisierungsschaltungen an, in denen der oben beschriebenen Anordnung ein Transistor nachgeschaltet ist, an dessen Emitter die Ausgangsspannung abgenommen wird. Als Vorteil wird dadurch erzielt, daß der Zenerstrom nicht mehr in so starkem Maß belastungsabhängig ist; der Einfluß der Speisespannungsschwankungen bleibt jedoch nach wie vor bestehen.The state of the art also includes stabilization circuits, in which the arrangement described above is followed by a transistor whose emitter the output voltage is taken off. The advantage of this is that that the Zener current is no longer so heavily dependent on the load; the influence however, the supply voltage fluctuations remain as before.

Zur Stromkonstanthaltung sind verschiedene Schaltungen bekannt, die im allgemeinen zwei Transistoren enthalten, von denen der eine den Aussteuerungsgrad des anderen in Abhängigkeit vom Ausgangsstrom herauf- oder herunterregelt. Um den temperaturabhängigen Innenwiderstand solcher Schaltungen zu kompensieren, ist es geläufig, an geeigneter Stelle Dioden einzusetzen, die etwa das gleiche Temperaturverhalten aufweisen wie die Transistoren. Zur Spannungsstabilisierung lassen sich derartige Schaltungen nicht verwenden, da sie wohl den Ausgangsstrom, nicht aber die jeweilige Ausgangsspannung beeinflussen können.Various circuits are known for keeping the current constant generally contain two transistors, one of which controls the dynamic range the other up or down depending on the output current. To the It is to compensate for the temperature-dependent internal resistance of such circuits It is common to use diodes at a suitable point, which have approximately the same temperature behavior like the transistors. Such Do not use circuits, as they probably have the output current, but not the respective one Can affect output voltage.

Indessen ist es möglich, die Maßnahmen zur Stromkonstanthaltung in einer Schaltung zur Spannungsstabilisierung dafür zu benutzen, den Strom durch das Bezugselement für die Ausgangsspannung einigermaßen ' konstant zu halten. Eine bekannte Anordnung zur Gleichspannungsstabilisierung enthält in diesem Sinne einen ersten Transistor im Längszweig zwischen der Speisespannungsquelle und der Klemme für die Ausgangsspannung, einen zweiten Transistor gleichen Leitfähigkeitstyps, dessen Kollektor mit der Basis des ersten Transistors und dessen Basis mit einem Spannungsteiler parallel zu den Ausgangsklemmen verbunden ist, während sein Emitter über eine Zenerdiode am Bezugspotential liegt, und einen dritten Transistor entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, dessen Basis an einem Spannungsteiler parallel zu einer zweiten Zenerdiode angeschlossen ist, die ihrerseits parallel zur Speisespannungsquelle liegt, und dessen Kollektor mit der Basis des ersten sowie dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, während sein Emitter über einen Widerstand an dem Pol der Speisespannung, an den auch der Kollektor des ersten Transistors führt, liegt.However, it is possible to use the measures to maintain a constant current in a circuit for voltage stabilization to use the current through the To keep the reference element for the output voltage somewhat 'constant. An acquaintance Arrangement for DC voltage stabilization contains a first in this sense Transistor in the series branch between the supply voltage source and the terminal for the Output voltage, a second transistor of the same conductivity type, its collector with the base of the first transistor and its base with a voltage divider connected in parallel to the output terminals, while its emitter via a zener diode is at the reference potential, and a third transistor of the opposite conductivity type, whose base is connected to a voltage divider in parallel with a second Zener diode is, which in turn is parallel to the supply voltage source, and its collector is connected to the base of the first and the collector of the second transistor, while its emitter is connected to the pole of the supply voltage via a resistor the collector of the first transistor also leads, lies.

In dieser Anordnung dient der dritte Transistor im Verein mit der zweiten Zenerdiode und den zugehörigen Widerständen, als Konstantstromgenerator für den in die Basis des ersten Transistors und über die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Transistors in die erste Zenerdiode fließenden Strom. Der zweite Transistor hat die Aufgabe, belastungsabhängige Schwankungen der Zenerspannung aufzufangen, die sich ohne diesen Transistor daraus ergeben würden, daß bei stärkerer Belastung der Bedarf an Basisstrom für den Längstransistor steigen und folglich der für die Zenerdiode verbleibende Stromanteil geringer würde. Um solches zu verhindern, regelt der zweite Transistor den Aussteuerungsgrad des Längstransistors entsprechend der Belastung herauf oder herunter. Allerdings muß, damit die Regelung in der beschriebenen Weise vor sich gehen kann, am Basisspannungsteiler dieses Transistors ein Spannungsabfall von mindestens 2 bis 3 Volt auftreten, weil sonst der Regeltransistor schon bei geringfügigen Spannungsänderungen in die Begrenzung gesteuert wird. Mit dieser Forderung ist die untere Grenze für die Ausgangsspannung auf etwa 9 Volt festgelegt; da man Zenerdioden nur bis zu etwa 6 Volt Zenerspannung herunter einsetzen kann, während die handelsüblichen Dioden kleinerer Zenerspannung kaum mehr einen Knick in der Kennlinie zeigen und daher für Stabilisierungsschaltungen dieser Art nicht geeignet sind.In this arrangement, the third transistor serves in conjunction with the second Zener diode and the associated resistors, as a constant current generator for the into the base of the first transistor and across the collector-emitter path of the second transistor in the first Zener diode. The second transistor has the task of absorbing load-dependent fluctuations in the Zener voltage, which without this transistor would result from the fact that with heavier load the demand for base current for the series transistor increases and consequently that for the Zener diode remaining current share would be lower. To prevent this, regulates the second transistor the degree of modulation of the series transistor according to the Load up or down. However, in order for the scheme to be described in the Way can go on at the base voltage divider of this transistor a voltage drop of at least 2 to 3 volts occur, because otherwise the control transistor is already at minor voltage changes in the limitation is controlled. With this requirement is set the lower limit for the output voltage to about 9 volts; since you can only use zener diodes down to about 6 volts zener voltage, while the commercially available diodes with a lower Zener voltage hardly show a kink show in the characteristic and therefore not for stabilization circuits of this type are suitable.

Im allgemeinen verwendet man die beschriebene Anordnung für Speisespannungen von über 20 Volt und Ausgangsspannungen um 20 Volt, weil in diesem Arbeitsbereich ihr Innenwiderstand noch verhältnismäßig niedrig ist. Für kleinere Speise- und Ausgangsspannungen wird der Innenwiderstand der Schaltung jedoch zwangläufig größer, da die entsprechenden Zenerdioden einen höheren dynamischen Widerstand aufweisen und auch die Widerstände des Konstantstromgenerators stärker bemerkbar werden. Der höhere Innenwiderstand ruft aber seinerseits eine Belastungsabhängigkeit der Ausgansspannung hervor, die nicht vom zweiten Transistor kompensiert wird. Folglich erreicht man mit dieser Schaltung trotz des Aufwands von drei Transistoren, zwei Zenerdioden und zwei Spannungsteilern mit erheblichem Stromverbrauch noch immer keine belastungsunabhängige Stabilisierung von Spannungen unter 10 Volt, also gerade der üblichen Batteriespannungen.In general, the arrangement described is used for supply voltages of over 20 volts and output voltages around 20 volts because in this working range their internal resistance is still relatively low. For smaller supply and output voltages However, the internal resistance of the circuit will inevitably be greater because the corresponding Zener diodes have a higher dynamic resistance and so do the resistances of the constant current generator become more noticeable. The higher internal resistance but in turn causes a load dependency of the output voltage, the is not compensated by the second transistor. Consequently one achieves with this Circuit despite the expense of three transistors, two Zener diodes and two voltage dividers with considerable power consumption still no load-independent stabilization of voltages below 10 volts, i.e. just the usual battery voltages.

Die Patentanmeldung V 23326 VIIIb/21c schlägt demgegenüber eine andere Lösung vor, die die Nachteile der oben beschriebenen bekannten Anordnungen überwindet und mit geringerem Aufwand die Möglichkeit schafft, auch kleine Spannungen, von etwa 5 bis 6 Volt an, so zu stabilisieren, daß sie weder von der Speisespannung noch von der Belastung abhängig sind. Die Speisespannung braucht dabei nur um Bruchteile eines Volt höher zu sein als die Durchbruchspannung der Zenerdiode, und der Innenwiderstand der Schaltung läßt sich beliebig klein machen, so daß man den Innenwiderstand Null bzw. bei geeigneter Dimensionierung sogar einen negativen Innenwiderstand erreicht. Die Anordnung der Hauptpatentanmeldung arbeitet mit einem im Längszweig zwischen der Speisespannungsquelle und dem Arbeitswiderstand angeordneten Transistor, der durch die Spannung an einer Zenerdiode ausgesteuert wird, und einem zweiten Transistor von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, der den Strom durch die Zenerdiode steuert, und ist dadurch gekennzeichnet, daß der den Zenerstrom steuernde Transistor seinerseits von einer Spannung ausgesteuert wird, die über einen zusätzlichen Widerstand im Längszweig direkt aus dem Strom im Längszweig abgeleitet wird und die von Schwankungen der Speisespannung unabhängig ist, während sie bei erhöhter Belastung ihr Potential derart verändert, daß dadurch einem Absinken der Spannung an der Zenerdiode und damit am Arbeitswiderstand entgegengewirkt wird.In contrast, patent application V 23326 VIIIb / 21c suggests a different one Solution that overcomes the disadvantages of the known arrangements described above and creates the possibility of even small voltages with less effort about 5 to 6 volts to stabilize so that they are neither from the supply voltage are still dependent on the load. The supply voltage only needs a fraction one volt higher than the breakdown voltage of the zener diode, and the internal resistance the circuit can be made as small as desired, so that the internal resistance is zero or, with suitable dimensioning, even a negative internal resistance is achieved. The arrangement of the main patent application works with one in the longitudinal branch between the supply voltage source and the load resistor arranged transistor, the is controlled by the voltage on a Zener diode, and a second transistor of opposite conductivity type that controls the current through the zener diode, and is characterized in that the transistor controlling the Zener current in turn is controlled by a voltage that has an additional resistor in the Series branch is derived directly from the current in the series branch and is affected by fluctuations the supply voltage is independent, while its potential at increased load changed in such a way that thereby a drop in the voltage across the Zener diode and so that the work resistance is counteracted.

Mit den Maßnahmen der Patentanmeldung V23326 VIII b / 21 c läßt sich in der Stabilisierungsschaltung ein Innenwiderstand von Null oder sogar ein negativer Innenwiderstand erzielen. Ein negativer Innenwiderstand ist an sich vorteilhaft, weil dadurch die Ausgangsspannung auch bei hoher Belastung nicht zusammenbricht. In manchen Fällen aber kann er sich ungünstig auswirken und z. B. einen an die Stabilisierungsschaltung angeschlossenen Verstärker zu Schwingungen anregen. Dies wird durch die Erfindung verhindert, die vorsieht, daß in der Anordnung der Hauptpatentanmeldung als zusätzlicher Widerstand im Längszweig an Stelle eines ohmschen Widerstands ein Widerstand mit nichtlinearer Kennlinie, vorzugsweise eine Halbleiterdiode, eingesetzt ist. Als Widerstand mit nichtlinearer Kennlinie kommt jede Halbleiterdiode üblicher Bauart in Betracht, insbesondere aber eine Siliziumdiode, die im Durchlaßbereich zunächst sehr hochohmig ist und, wenn die an sie gelegte Spannung einen bestimmten Schwellwert erreicht oder überschreitet, einen sehr geringen Durchlaßwiderstand aufweist, so daß die Kennlinie dieser Diode im Durchlaßbereich einen mehr oder weniger scharfen Knick zeigt.With the measures of patent application V23326 VIII b / 21 c, an internal resistance of zero or even a negative internal resistance can be achieved in the stabilization circuit. A negative internal resistance is advantageous because it prevents the output voltage from collapsing even under high loads. In some cases, however, it can have an unfavorable effect and z. B. stimulate an amplifier connected to the stabilization circuit to oscillate. This is prevented by the invention, which provides that in the arrangement of the main patent application a resistor with a non-linear characteristic, preferably a semiconductor diode, is used as an additional resistor in the series branch instead of an ohmic resistor. Any conventional semiconductor diode can be used as a resistor with a non-linear characteristic, but in particular a silicon diode which is initially very high-ohmic in the pass band and, when the voltage applied to it reaches or exceeds a certain threshold value, has a very low pass resistance, so that the characteristic this diode shows a more or less sharp kink in the pass band.

Eine andere Ausführung der vorliegenden Erfindung verwendet als nichtlinearen Widerstand die Serienschaltung eines ohmschen Widerstands mit einer Diode, wobei die Diode wiederum jeder üblichen Halbleiterbauart entsprechen kann, vorzugsweise aber eine Siliziumdiode mit der oben beschriebenen Kennlinie ist.Another embodiment of the present invention is used as a non-linear one Resistance the series connection of an ohmic resistor with a diode, whereby the diode can in turn correspond to any conventional semiconductor design, preferably but is a silicon diode with the characteristic curve described above.

Eine vorteilhafte Weiterbildung dieser Anordnung mit einem ohmschen Widerstand und einer Diode im Basiskreis des ersten und Kollektorkreis des zweiten Transistors der Stabilisierungsschaltung wird dadurch erreicht, daß als ohmscher Widerstand in der Serienschaltung ein veränderbarer Widerstand eingesetzt wird.An advantageous development of this arrangement with an ohmic Resistance and a diode in the base circuit of the first and collector circuit of the second The transistor of the stabilization circuit is achieved in that as an ohmic Resistance in the series circuit a variable resistor is used.

Im folgenden wird die Erfindung an Hand der Figur beschrieben. Die beiden Transistoren 4 und 5, von denen 4 ein npn-Transistor, 5 ein pnp-Transistor ist, sind mit ihren Basis- und Kollektorelektroden kreuzweise direkt miteinander verbunden und befinden sich dadurch stets im gleichen Arbeitsbereich, im Sperrgebiet, im aktiven Gebiet oder in der Sättigung.The invention is described below with reference to the figure. The two transistors 4 and 5, of which 4 is an npn transistor and 5 is a pnp transistor, are cross-connected with their base and collector electrodes and are therefore always in the same working area, in the restricted area, in the active area or in of saturation.

Wenn die Speisespannung kleiner ist als die Zenerspannung, ist die Zenerdiode 6 sehr hochohmig und führt keinen Strom. In diesem Fall stellt sich als stabiler Zustand für beide Transistoren der übersteuerungszustand ein, da die Basis von Transistor 5 vom positiven Pol der Spannungsquelle 1 praktisch abgetrennt ist, so daß Transistor 5 leitet, wodurch sich an der Basis von Transistor 4 eine Spannung einstellt, die der Spannungsteilung zwischen der Diode 3 (bzw. Diode 3 und Widerstand 8) und Widerstand 7 entspricht und auf jeden Fall positiver ist als die Spannung am Emitter von Transistor 4, so daß Transistor 4 ebenfalls gesättigt ist.If the supply voltage is less than the Zener voltage, the Zener diode 6 has a very high resistance and does not carry any current. In this case, the overdrive state is established as a stable state for both transistors, since the base of transistor 5 is practically separated from the positive pole of voltage source 1 , so that transistor 5 conducts, whereby a voltage is established at the base of transistor 4 which corresponds to the voltage division between diode 3 (or diode 3 and resistor 8) and resistor 7 and is in any case more positive than the voltage at the emitter of transistor 4, so that transistor 4 is also saturated.

Sobald die Speisespannung die Zenerspannung gering überschreitet, beginnt die Zenerdiode Strom zu führen und hält die Spannung an der Basis von Transistor 5 auf dem Wert der Zenerspannung fest, während die Spannung am Emitter des gleichen Transistors darüber hinaus steigt. Transistor 5 arbeitet jetzt im aktiven Gebiet und desgleichen Transistor 4, da an der Basis 4 nun eine größere negative Spannung liegt als vordem.As soon as the supply voltage slightly exceeds the Zener voltage, the Zener diode begins to conduct current and holds the voltage at the base of transistor 5 at the value of the Zener voltage, while the voltage at the emitter of the same transistor increases beyond that. Transistor 5 now works in the active area and so does transistor 4, since there is now a greater negative voltage at base 4 than before.

Bei weiterem Anwachsen der Speisespannung bleiben die Transistoren im aktiven Bereich. Da an jeder Basis eine konstante Spannung liegt, bei Transistor 5 die Zenerspannung, bei Transistor 4 der konstante Spannungsabfall an der Diode 3 (bzw. an der Diode 3 und dem Widerstand 8), bleiben auch die Spannungen an den Emitterwiderständen 2 und 7 konstant.If the supply voltage increases further, the transistors remain in the active area. Since there is a constant voltage at each base, the Zener voltage for transistor 5 and the constant voltage drop at diode 3 (or at diode 3 and resistor 8) for transistor 4 , the voltages at emitter resistors 2 and 7 also remain constant.

Die genauen Zusammenhänge sind in der Hauptpatentanmeldung ausführlicher erläutert. Bei Erhöhung der Belastung durch Verkleinern des Arbeitswiderstands 7 wächst der Ausgangsstrom und erzeugt in der Anordnung nach dem Hauptpatent, die an Stelle der Diode 3 (bzw. Diode 3 und Widerstand 8) einen ohmschen Widerstand enthält, an diesem Widerstand einen höheren Spannungsabfall. Dadurch steigt auch der Spannungsabfall am Widerstand 2, und der Strom durch die Zenerdiode 6 wird größer, woraus hinwieder eine Erhöhung der gerade bei kleinen Werten stromabhängigen Zenerspannung folgt. Diese Wirkung ist an sich vorteilhaft, weil die Ausgangsspannung dadurch bei höherer Belastung nicht, wie im allgemeinen üblich, zusammenbricht, in manchen Fällen aber wirkt sich der negative Innenwiderstand, den die Stabilisierungsanordnung solcher Art aufweist, ungünstig aus; beispielsweise können an die Stabilisierungsschaltung angeschlossene Verstärker zu Schwingungen angeregt werden.The exact relationships are more detailed in the main patent application explained. When increasing the load by reducing the work resistance 7 increases the output current and generates in the arrangement according to the main patent, the instead of diode 3 (or diode 3 and resistor 8) an ohmic resistor contains a higher voltage drop across this resistor. This also increases the voltage drop across the resistor 2, and the current through the Zener diode 6 increases, which in turn leads to an increase in the Zener voltage, which is current-dependent especially at low values follows. This effect is advantageous in itself because it reduces the output voltage does not collapse under higher loads, as is generally the case, in some Cases, however, the negative internal resistance affects the stabilization arrangement of this kind, unfavorable from; for example, you can connect to the stabilization circuit connected amplifiers are excited to vibrate.

Die hier behandelte Weiterbildung der Anordnung nach der Patentanmeldung V 23326 VIIIb/21 c sieht an Stelle eines ohmschen Widerstands im Basiskreis von Transistor 4 und Kollektorkeis von Transistor 5 einen nichtlinearen Widerstand vor, und zwar eine Diode 3. Wenn bei höherer Belastung der Ausgangsstrom und damit der Strom durch die Diode 3 wächst, ändert sich der Spannungsabfall an der Diode wegen ihrer nichtlinearen Durchlaßkennlinie nur unwesentlich. Der Spannungsabfall am Widerstand 2 und damit auch der Strom durch die Zenerdiode bleiben auf diese Weise auch bei höheren Belastungen, Ausgangsströmen von 20 mA und darüber, konstant.The further development of the arrangement according to the patent application dealt with here V 23326 VIIIb / 21 c sees instead of an ohmic resistance in the base circle of Transistor 4 and collector circuit of transistor 5 have a non-linear resistance, namely a diode 3. If the output current and thus the Current through the diode 3 increases, the voltage drop across the diode changes because of its non-linear transmission characteristic is only insignificant. The voltage drop across the resistor 2 and with it the current through the Zener diode also remain in this way higher loads, output currents of 20 mA and above, constant.

Wenn als Diode 3 eine Siliziumdiode eingesetzt wird, deren Kennlinie bei handelsüblichen Typen im Durchlaßbereich bei etwa 0,6 bis 1 Volt einen scharfen Knick, ähnlich dem Zenerknick, aufweist, bleibt trotz Erhöhung des die Diode durchfließenden Stromes bei höherer Belastung die Spannung an der Diode konstant, nämlich je nach Diodentyp 0,6 bis 1 Volt. Der Innenwiderstand der Stabilisierungsanordnung hat damit einen kleinen positiven Wert, und die erwähnten unerwünschten Effekte können nicht auftreten.If a silicon diode is used as diode 3, its characteristic in the case of commercially available types in the pass band at about 0.6 to 1 volt, a sharp one Kink, similar to the Zener kink, remains despite the increase in the amount flowing through the diode Current at higher load the voltage at the diode is constant, namely depending on Diode type 0.6 to 1 volt. The internal resistance of the stabilization arrangement thus has a small positive value, and the undesirable effects mentioned cannot appear.

Da mittels der Maßnahme der Erfindung ein positiver Innenwiderstand erzielt wird, hat man es nunmehr in der Hand, diesen nach den jeweiligen Erfordernissen zu verändern. Es ist dann möglich, in Reihe mit der Diode 3 einen ohmschen Widerstand 8 vorzusehen. Die Kennlinie dieser Serienschaltung ist um so linearer, je größer der Widerstand 8 ist. Eine Linearisierung der Kennlinie entspricht wiederum, wie oben ausgeführt ist, einer Erniedrigung des Innenwiderstandes. Folglich läßt sich damit ein beliebig kleiner positiver Innenwiderstand Null erreichen. Besonders vorteilhaft ist es, als Widerstand 8 einen veränderbaren Widerstand zu verwenden, mit dem der jeweils gewünschte Innenwiderstand der Stabilisierungsanordnung zwischen einem negativen und einem positiven Wert oder zwischen Null und einem positiven Wert eingestellt werden kann.As a positive internal resistance by means of the measure of the invention is achieved, you now have it in your hand, these according to the respective requirements to change. It is then possible to have an ohmic resistor in series with the diode 3 8 to be provided. The characteristic of this series connection is the more linear, the larger the resistance is 8. A linearization of the characteristic curve in turn corresponds to how is set out above, a lowering of the internal resistance. Consequently, can so that an arbitrarily small positive internal resistance can reach zero. Particularly beneficial is to use a variable resistor as resistor 8, with which the each desired internal resistance of the stabilization arrangement between a negative and a positive value or between zero and a positive value can be.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Anordnung zum Stabilisieren von Gleichspannungen mit einem im Längszweig zwischen der Speisespannungsquelle und dem Arbeitswiderstand angeordneten Transistor, der durch die Spannung an einer Zenerdiode ausgesteuert wird, und einem zweiten Transistor von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, der den Strom durch die Zenerdiode steuert und seinerseits von einer Spannung ausgesteuert wird, die über einen zusätzlichen Widerstand im Längszweig direkt aus dem Strom im Längszweig abgeleitet wird und die von Schwankungen der Speisespannung unabhängig ist, während sie bei erhöhter Belastung ihr Potential derart verändert, daß dadurch einem Absinken der Spannung an der Zenerdiode und damit am Arbeitswiderstand entgegengewirkt wird, nach Patentanmeldung V 23326 VIIIb/21c, dadurch gekennz e i c h n e t, daß als zusätzlicher Widerstand im Längszweig an Stelle eines ohmschen Widerstands ein Widerstand mit nichtlinearer Kennlinie, vorzugsweise eine Halbleiterdiode (3), eingesetzt ist. Claims: 1. Arrangement for stabilizing DC voltages with one in the series branch between the supply voltage source and the working resistor arranged transistor, which is controlled by the voltage on a Zener diode is, and a second transistor of opposite conductivity type, the controls the current through the Zener diode and in turn controlled by a voltage directly from the current via an additional resistor in the series branch is derived in the series branch and is independent of fluctuations in the supply voltage is, while it changes its potential under increased stress in such a way that thereby counteracts a drop in the voltage at the Zener diode and thus at the working resistance is, according to patent application V 23326 VIIIb / 21c, characterized in that as an additional resistor in the series branch instead of an ohmic resistor Resistor with a non-linear characteristic, preferably a semiconductor diode (3), is used is. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstand mit nichtlinearer Kennlinie die Serienschaltung einer Diode (3) mit einem ohmschen Widerstand (8) eingesetzt ist. 2. Arrangement according to claim 1, characterized in that with as a resistor non-linear characteristic the series connection of a diode (3) with an ohmic resistor (8) is inserted. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als ohmscher Widerstand (8) in der Serienschaltung ein veränderbarer Widerstand vorgesehen ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1109 746; britische Patentschriften Nr. 819 627, 834 367; USA.-Patentschriften Nr. 2 841757, 2 978 630; R. B. H u r 1 e y, »Junction Transistor«, Verlag John Wiley & Sons, New York (1958), S. 224.3. Arrangement according to claim 2, characterized in that as ohmic resistor (8) in the series circuit a variable resistor is provided is. Documents considered: German Auslegeschrift No. 1109 746; British Patent Nos. 819 627, 834 367; U.S. Patent No. 2,841,757, 2,978,630; R. B. H u r 1 e y, "Junction Transistor", Verlag John Wiley & Sons, New York (1958), p. 224.