DE1234808B - Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers - Google Patents

Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers

Info

Publication number
DE1234808B
DE1234808B DE1959L0032210 DEL0032210A DE1234808B DE 1234808 B DE1234808 B DE 1234808B DE 1959L0032210 DE1959L0032210 DE 1959L0032210 DE L0032210 A DEL0032210 A DE L0032210A DE 1234808 B DE1234808 B DE 1234808B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
collector
intermediate frequency
frequency amplifier
radio receivers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1959L0032210
Other languages
German (de)
Inventor
Helmut Mahr
Heinz-Hubert Meurer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Loewe Opta GmbH
Original Assignee
Loewe Opta GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Loewe Opta GmbH filed Critical Loewe Opta GmbH
Priority to DE1959L0032210 priority Critical patent/DE1234808B/en
Publication of DE1234808B publication Critical patent/DE1234808B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G11/00Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
    • H03G11/02Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/02Details
    • H03J3/06Arrangements for obtaining constant bandwidth or gain throughout tuning range or ranges

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Mehrstufiger Zwischenfrequenzverstärker für FM-Transistor-Rundfunkempfänger Bei Hochfrequenzempfängern mit Transistoren im Zwischenfrequenzteil ist es vielfach zu beobachten, daß die ZF-Abstimmung mit steigendem Energieniveau sich verändert. überschreiten die Kollektor-Wechselspannungen einen bestimmten Wert, so tritt eine Änderung der dynamischen Kollektorkapazität auf, die eine Verschiebung der Zwischenfrequenzabstimmung nach tieferen Frequenzen bewirkt. Dies führt vielfach zu einem Abreißen des Empfangs. Wenn beispielsweise beim Abstimmen des Empfängers ein stärkerer UKW-Sender empfangen wird, so hört plötzlich der Empfang unter Auftreten eines hörbaren Knackens auf. Zweck der Erfindung ist die Beseitigung dieser Störungen durch Einschaltung von Schutzdioden.Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers In the case of high-frequency receivers with transistors in the intermediate frequency part, it is often to observe that the IF tuning changes with increasing energy level. If the collector alternating voltages exceed a certain value, a Change in the dynamic collector capacitance, resulting in a shift in the intermediate frequency tuning caused by lower frequencies. This often leads to the reception being interrupted. For example, if a stronger FM station is received when tuning the receiver reception suddenly stops with an audible click. The purpose of the invention is to eliminate these interferences by switching on Protection diodes.

Es ist allgemein in der Rundfunktechnik bekannt, sogenannte Begrenzerdioden zu verwenden. Diese Begrenzerdioden haben den Zweck, z. B. im ZF-Verstärker eines FM-Rundfunkgerätes, Störspannungsspitzen, die das FM-Signal amplitudenmäßig überragen, abzuleiten und dadurch unschädlich zu machen. Es handelt sich also hierbei ausschließlich um die Unterdrückung der schädlichen Amplitudenmodulation bei frequenzmodulierten Signalen.It is well known in broadcast technology, so-called limiter diodes to use. These limiter diodes have the purpose, e.g. B. in the IF amplifier one FM radio, interference voltage peaks that exceed the FM signal in terms of amplitude, derive and thereby render harmless. So it is here exclusively about the suppression of the harmful amplitude modulation in the case of frequency-modulated Signals.

Es ist ferner bekannt, bei einem Transistor-Oszillator die Vergrößerung der Emitterdiffusionskapazität bei steigendem Emitterstrom, die eine Kapazitätsänderung des Schwingkreises bewirkt, durch Parallelschaltung einer Kompensationsdiode zum Schwingkreis zu kompensieren. Hier hat die zusätzlich eingeschaltete Diode eine Kompensationswirkung, die über den gesamten Arbeitsbereich des Oszillators wirksam ist.It is also known that the magnification of a transistor oscillator the emitter diffusion capacitance with increasing emitter current, which is a change in capacitance of the resonant circuit caused by parallel connection of a compensation diode to the To compensate for the resonant circuit. Here the additionally switched on diode has one Compensation effect that is effective over the entire working range of the oscillator is.

Demgegenüber dient beim Gegenstand der vorliegenden Erfindung die Schutzdiode einem anderen Zweck. Sie ist nur bei hohen ZF-Spannungen wirksam, nämlich erst von solchen Wechselspannungen ab, die eine Verstimmung der Ausgangskapazität, d. h. also der Kollektorkapazität, bewirken. Die erfindungsgemäß vorgesehene Diode verhindert also, daß die am Kollektor auftretende Wechselspannung den kritischen Wert erreicht.In contrast, the subject matter of the present invention is used Protection diode for a different purpose. It is only effective at high IF voltages, namely only from such alternating voltages that detune the output capacitance, d. H. thus the collector capacity. The diode provided according to the invention thus prevents the alternating voltage occurring at the collector from the critical Value reached.

Der Zwischenfrequenzverstärker gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Vermeidung der nur bei hohen Wechselspannungen (über etwa 4 bis 4,5 V) auftretenden Verstimmung durch Änderung der dynamischen Kollektorkapazität mindestens einem Transistor eine Schutzdiode zugeordnet ist, die von diesen oder noch etwas geringeren Spannungswerten ab eine Ableitung (bei etwa 2,5 V) bewirkt und deren Kathode bei in Emitterschaltung arbeitenden pnp-Transistoren mit dem Kollektor des zugehörigen Transistors und deren Anode direkt mit der Kollektorspannungsquelle verbunden ist.The intermediate frequency amplifier according to the invention is characterized in that to avoid that which only occurs at high AC voltages (above about 4 to 4.5 V) Detuning by changing the dynamic collector capacitance of at least one transistor a protective diode is assigned, which of these or slightly lower voltage values ab causes a discharge (at around 2.5 V) and its cathode in emitter circuit working pnp transistors with the collector of the associated transistor and their Anode is directly connected to the collector voltage source.

Diese erfindungsgemäß vorgesehene Schutzdiode nimmt bei einer bestimmten auftretenden Kollektorspannung eine Ableitung vor, die eine Änderung der dynamischen Kollektorkapazität verhindert oder auf ein nicht mehr störendes Maß herabsetzt. Bei gewissen vielfach üblichen Transistortypen tritt eine Änderung der dynamischen Kollektorkapazität beim überschreiten einer Wechselspannungsamplitude auf, die bei etwa 4 bis 4,5 V liegt. Wenn im Ausgang solcher Transistoren Gleichrichter angeordnet werden, die von diesen oder noch etwas geringeren Spannungswerten ab eine Ableitung bewirken, so werden die eingangs genannten Nachteile vermieden. In diesem Sinne eignen sich beispielsweise die bekannten Diodentypen 0A 79, 0A 72 und 0A 172, deren Ableitung bei etwa 2,5 V einsetzt.This protection diode provided according to the invention takes a certain occurring collector voltage a derivation, which changes the dynamic Collector capacity prevented or reduced to a no longer disturbing level. In certain common transistor types, there is a change in the dynamic ones Collector capacity when an alternating voltage amplitude is exceeded, which at is about 4 to 4.5 volts. If in the output of such transistors, rectifiers are arranged are derived from these or slightly lower voltage values effect, the disadvantages mentioned at the outset are avoided. In this sense For example, the known diode types 0A 79, 0A 72 and 0A 172, their Lead starts at around 2.5 V.

Es empfiehlt sich insbesondere, bei einem mehrstufigen transistorisierten Zwischenfrequenzverstärker mindestens an zwei solchen Transistorstufen je eine Diode vorzusehen.It is particularly recommended for a multi-stage transistorized Intermediate frequency amplifier at least one diode each on two such transistor stages to be provided.

Weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus dem in der Abildung dargestellten Schaltungsbeispiel hervor, in dem ein Zwischenfrequenzverstärker mit den Transistoren 1 und 2 dargestellt ist. Die Eingangs-Zwischenfrequenzkreise 3 bzw. 4 sind jeweils mit der Basis der beiden Transistoren verbunden, wobei sowohl die Emitter als auch die kalten Enden der Kreise 3 und 4 mit Masse verbunden sind. Der Transistor 2 dient als Treibertransistor für einen Frequenzdemodulator 5, der in der üblichen Weise ausgebildet ist und von dem die Niederfrequenzleitung 6 ausgeht.Further details of the invention emerge from the circuit example shown in the figure, in which an intermediate frequency amplifier with the transistors 1 and 2 is shown. The input intermediate frequency circuits 3 and 4 are each connected to the base of the two transistors, both the emitters and the cold ends of the circuits 3 and 4 being connected to ground. The transistor 2 serves as a driver transistor for a frequency demodulator 5, which is designed in the usual way and from which the low-frequency line 6 extends.

Erfindungsgemäß ist an den Kollektor jedes der beiden Transistoren 1 und 2 eine Schutzdiode 7 bzw. 8 angeschlossen, und zwar mit dem negativen Gleichrichterpol (Kathode). Der positive Pol der beiden Gleichrichter 7 und 8 ist mit dem negativen Ende einer Kollektorspannungsquelle 9 verbunden.According to the invention, each of the two transistors is connected to the collector 1 and 2 a protective diode 7 or 8 connected, with the negative rectifier pole (cathode). The positive pole of the two rectifiers 7 and 8 are connected to the negative end of a collector voltage source 9.

Claims (1)

Patentanspruch: Mehrstufiger Zwischenfrequenzverstärker für FM-Transistor-Rundfunkempfänger, d a d u r c h gekennzeichnet, daß zur Vermeidung der nur bei hohen Wechselspannungen (über etwa 4 bis 4,5 V) auftretenden Verstimmung durch Änderung der dynamischen Kollektorkapazität mindestens einem Transistor eine Schutzdiode zugeordnet ist, die von diesen oder noch etwas geringeren Spannungswerten ab eine Ableitung (bei etwa 2,5 V) bewirkt und deren Kathode bei in Emitterschaltung arbeitenden pnp-Transistoren mit dem Kollektor des zugehörigen Transistors und deren Anode direkt mit der Kollektorspannungsquelle verbunden ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1018 468; »radio mentor«, 1957, S. 605; »Proc. IRE«, 1958, S. 1255 bis 1260; «Electronics«, eng. ed., 1958, März, S. 176 bis 190; »IRE-Transactions«, 1956, S. 67; Der Fernmelde-Ingenieur«, 1958, Heft 3, S. 12 bis 15; »Funk-Technik«, 1958, Heft 9, S. 281.Claim: Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers, d a d u r c h marked that to avoid the only at high alternating voltages (about 4 to 4.5 V) occurring detuning by changing the dynamic Collector capacitance is assigned a protective diode to at least one transistor, the voltage values from this or slightly lower voltage values from a derivative (at about 2.5 V) and its cathode in the case of pnp transistors working in a common emitter circuit with the collector of the associated transistor and its anode directly with the collector voltage source connected is. Documents considered: German Auslegeschrift No. 1018 468; "Radio mentor", 1957, p. 605; “Proc. IRE ", 1958, pp. 1255 to 1260; «Electronics«, closely. ed., 1958, March, pp. 176-190; "IRE-Transactions", 1956, p. 67; The Telecommunications Engineer «, 1958, No. 3, pp. 12 to 15; "Funk-Technik", 1958, issue 9, p. 281.
DE1959L0032210 1959-01-16 1959-01-16 Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers Pending DE1234808B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1959L0032210 DE1234808B (en) 1959-01-16 1959-01-16 Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1959L0032210 DE1234808B (en) 1959-01-16 1959-01-16 Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1234808B true DE1234808B (en) 1967-02-23

Family

ID=7265835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1959L0032210 Pending DE1234808B (en) 1959-01-16 1959-01-16 Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1234808B (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1018468B (en) * 1953-12-31 1957-10-31 Ibm Deutschland Transistor circuit with large constant input impedance

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1018468B (en) * 1953-12-31 1957-10-31 Ibm Deutschland Transistor circuit with large constant input impedance

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2613470A1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR DETECTING FAILURE SIGNALS
DE1234808B (en) Multi-stage intermediate frequency amplifier for FM transistor radio receivers
DE2134351C3 (en) Transistor VHF mixer
DE933639C (en) Amplitude limiter circuit for wireless high-frequency receivers
DE726260C (en) Receiver with a device for eliminating clicks
DE2227991B2 (en) Circuit arrangement for generating an output signal corresponding to the amplitude of an input signal measured from peak to peak
DE1148605B (en) Transistor amplifier automatically controlled by a control voltage
DE757508C (en) Receiver for frequency or phase modulated oscillations
DE681279C (en) Mixing tube circuit for overlay, especially telegraphy receivers
DE3306596C2 (en) Circuit for protecting the input transistor of a high-frequency amplifier from overvoltages
AT227305B (en) Arrangement for automatic gain control
DE969399C (en) Circuit arrangement with an electron tube for amplifying and / or mixing high-frequency oscillations, in particular of the ultra-short wave range
DE862785C (en) Circuit for receiving amplitude-modulated high-frequency oscillations, which contains a diode rectifier
DE2440310A1 (en) OSCILLATOR CIRCUIT
DE1105765B (en) Signaling device
AT240418B (en) Circuit arrangement for gain control in transistor amplifiers
DE965824C (en) Circuit arrangement for suppressing the overshoot in self-oscillating VHF mixing stages
DE1766646A1 (en) Circuit arrangement for an input stage of a radio receiver
DE1000879B (en) Self-oscillating mixer in triode circuit with low input attenuation and suppressed fundamental and harmonic radiation, mainly for ultra-short waves
DE810523C (en) Radio receiving circuit for frequency-modulated oscillations
DE1105485B (en) Circuit arrangement for transistor-equipped radio receiving devices to suppress the noise level in the absence of an input signal
DE2313672B2 (en) TRANSISTOR AMPLIFIER WITH SCREENING AGENTS TO ELIMINATE THE INTERFERENTIAL INFLUENCE OF HARMONICS IN THE OUTPUT STAGE ABOVE THE LOW FREQUENCY RANGE
DE1264533B (en) Circuit arrangement for self-oscillating transistor mixer with limiter diode
DE1243251B (en) Device for frequency-modulated oscillations
DE2653331A1 (en) Interference signals detector for receiver - has parallel RC circuit between transistor emitter and frame, with large time constant