Transistorschaltung zur Regelspannungs-C erzeugung für automatische
Verstärkungsregelung von Hochfrequenz-Empfängern Die Erfindung betrifft eine temperaturstabile
Transistorschaltung zur Erzeugung einer Regelgleichspannung als Funktion der Eingangsspannung
für die automatische Verstärkungsregelung von Empfängern.Transistor circuit for control voltage C generation for automatic
Gain control of high-frequency receivers The invention relates to a temperature-stable
Transistor circuit for generating a control DC voltage as a function of the input voltage
for the automatic gain control of receivers.
Von Schaltungen zur Regelung des Ausgangspegels von Empfängern bei
wechselndem Eingangspegel verlangt man eine gewisse Verzögerung des Einsatzes der
Regelung und eine ausreichende Steilheit der Regelkennlinie. Es soll also die Regelung
erst dann wirksam werden, wenn die Wechselspanrung am Eingang der Reggelschaltung
einen bestimmten Schwellwert überschritten hat, und die Regelgleichspannung soll
nach dem Überschreiten dieses Schwellwertes bei geringer Zunahme der Wechselspannung
sehr schnell anwachsen.Of circuits for regulating the output level of receivers
changing input level requires a certain delay in the use of the
Control and a sufficient steepness of the control characteristic. So it's supposed to be the scheme
only become effective when the alternating voltage at the input of the control circuit
has exceeded a certain threshold value, and the control DC voltage should
after exceeding this threshold value with a slight increase in the alternating voltage
grow very quickly.
Es sind Röhrenschaltungen bekannt, die diese Forderungen erfüllen
(Terman, Radio Engineers' Handbook, McGraw-Hill Book Company, 1943, S. 639
bis 642, und deutsche Patentschrift 1028 630).
Der Aufbau entsprechender transistorisierter
Schal-L ingen ist nicht ohne weiteres möglich, da einmal cas Problem des Temperaturganges
der Transistoren ituftritt und des weiteren infolge der nicht leistungslosen Ansteuerung
von Transistoren die jeweils davor liegende Wechselspannungsverstärkerstufe überlastet
werden kann.Tube circuits are known which meet these requirements (Terman, Radio Engineers' Handbook, McGraw-Hill Book Company, 1943, pp. 639 to 642, and German patent specification 1028 630). The construction of corresponding transistorized circuit lines is not readily possible, since there is a problem of the temperature response of the transistors and the AC voltage amplifier stage in front of it can be overloaded as a result of the powerless control of the transistors.
Bei der erfindungsgemäßen Transistorregelschaltung, die trotz der
aufgezeigten Schwierigkeiten große Regelsteilheit und einstellbare Regelverzögerung
ermöglicht, wird die Regelgleichspannung von einem veränderlichen Spannungsteiler
abgegriffen, der aus der gleichsinnigen Reihenschaltung der Kollektor-Emitter-Strecken
zweier gleicher Transistoren besteht, von denen der eine am Basisanschluß durch
eine der Wechselspannung proportionale Gleichspannung angesteuert wird, während
der andere durch eine feste Spannung an seiner Basis auf den mittleren Arbeitspunkt
des ersten Transistors eingestellt ist, so daß die Schaltung wegen des fast gleichen
Temperaturganges beider Transistoren weitgehend temperaturstabil ist.In the transistor control circuit according to the invention, which despite the
identified difficulties great steepness of control and adjustable control delay
the control DC voltage is made possible by a variable voltage divider
tapped from the series connection of the collector-emitter lines in the same direction
consists of two identical transistors, one of which at the base terminal through
a DC voltage proportional to the AC voltage is controlled while
the other by a fixed voltage at its base to the middle working point
of the first transistor is set, so the circuit because of almost the same
Temperature response of both transistors is largely temperature stable.
F i g. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Schaltung, F i g. 2 die Regelgleichspannung U, als Funktion der eingan-s
angelegten Wechselspannung U. F i g. 1 shows an embodiment of the circuit according to the invention, FIG . 2 the control DC voltage U, as a function of the input AC voltage U.
Nach F i g. 1 wird der Gleichspannungsanteil der mittels einer
Diode D, gleichgerichteten Wechselspannung über ein Siebalied aus einem Widerstand
R, und einer Kapazität C, an die Basis eines Transistors T, gelegt. Bei einem
Anstieg der Wechselspannung U wird der Transistor T, hochohmiger, und das
Potential UR der Regelgleichspannung wird nach positiveren Werten verschoben.
Im umgekehrten Fall, also bei einem Abfall der Wechselspannung U, wird der
Transistor Ti niederohmiger, und das Regelpotential UR wird negativer. Der Emitterwiderstand
R, dient zur Gegenkopplung und erhöht den Eingangswiderstand des Transistors Tj,
so daß die Quelle der Wechselspannung nicht nennenswert belastet wird. Der Basiswiderstand
R, und der Emitterwiderstand R4 des Transistors T, sind den Widerständen Ri und
R, des Transistors T, gleich und sorgen für gleiche Arbeitsbedingungen an beiden
Transistoren. Eine Diode D, im Basiskreis des Transistors T, kompensiert den Temperatureinfluß
der Diode Dil An einem Potentiometer R, läßt sich der mittlere Arbeitspunkt der
Anordnung einstellen, für den bei bestimmter Wechselspannungsamplitude das Regelspannungspotential
UR gleich der halben Betriebsspannung U= und die Regelsteilheit am größten
ist. Es wird mit dieser Einstellung am Potentiometer R, die Regelverzögerung festgelegt.
Der Bereich der abgegebenen Regelgleichspannung UR wird, wie aus F i g. 2
ersichtlich, durch die Größe der Betriebsspannung U= bestimmt.According to FIG. 1 , the DC voltage component of the AC voltage rectified by means of a diode D is applied to the base of a transistor T via a sieve element made up of a resistor R and a capacitance C. When the alternating voltage U rises, the transistor T i becomes more highly resistive and the potential UR of the control direct voltage is shifted towards more positive values. In the opposite case, that is to say when the alternating voltage U drops, the transistor Ti has a lower resistance and the control potential UR becomes more negative. The emitter resistor R, serves for negative feedback and increases the input resistance of the transistor Tj, so that the source of the alternating voltage is not significantly loaded. The base resistance R, and the emitter resistance R4 of the transistor T, are the resistors Ri and R, of the transistor T, the same and ensure the same working conditions on both transistors. A diode D, in the base circuit of the transistor T, compensates for the temperature influence of the diode Dil.At a potentiometer R, the mean operating point of the arrangement can be set, for which the control voltage potential UR is equal to half the operating voltage U = and the control slope is greatest at a certain alternating voltage amplitude . With this setting on potentiometer R, the control delay is determined. The range of the output control DC voltage UR is, as shown in FIG. 2, determined by the size of the operating voltage U =.
Durch Verwendung von npn-Transistoren an Stelle der pnp-Transistoren
oder durch Umpolung der Dioden Di und D, kann die Richtung der Regelspannungsänderung
umgekehrt werden.By using npn transistors instead of pnp transistors or by reversing the polarity of diodes Di and D, the direction of the control voltage change can be reversed.