DE1184019B - Device for electrolytic etching of a semiconductor component with an essentially monocrystalline semiconductor body - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHESGERMAN

PATENTAMTPATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Internat. Kl.: HOIlBoarding school Kl .: HOIl

Deutsche KL: 21g-11/02 German KL: 21g-11/02

Nummer: 1184 019Number: 1184 019

Aktenzeichen: S 63369 VIII c/21 gFile number: S 63369 VIII c / 21 g

Anmeldetag: 9. Juni 1959 Filing date: June 9, 1959

Auslegetag: 23. Dezember 1964Opening day: December 23, 1964

Beim Ätzen von Halbleiterbauelementen mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper ist es bekannt, die Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einem Überzug eines gegen das Ätzmittel beständigen Werkstoffs, wie Wachs, Paraffin od. dgl., zu versehen, der die zu ätzenden Stellen frei läßt.When etching semiconductor components with an essentially monocrystalline semiconductor body, it is known, the surface of the semiconductor body with a coating of a resistant to the etchant Material, such as wax, paraffin or the like. To be provided, which leaves the areas to be etched free.

Weiter ist es bereits bekannt, einen Halbleiterkörper in einem elektrolytischen Ätzbad und in gewisser Entfernung davon eine als Kathode wirkende Elektrode anzuordnen. Es ist auch bereits bekannt, einen aus Glas bestehenden, unten offenen zylindrischen Behälter auf einem Germaniumkörper zu befestigen und einen darin eingefüllten Elektrolyten als Bezugspotential für elektrische Messungen an dem Germaniumkristall zu verwenden.Furthermore, it is already known to use a semiconductor body in an electrolytic etching bath and to a certain extent Distance from it to arrange an electrode acting as a cathode. It is also already known one made of glass, open at the bottom cylindrical container to be attached to a germanium body and an electrolyte filled therein as a reference potential for electrical measurements on the germanium crystal to use.

. Das Hauptpatent 1160 547 betrifft ein Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterbauelements mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und einem an die Oberfläche tretenden pn-übergang, bei dem zum Erhöhen der Sperrspannung des pn-Übergangs die angelegte Ätzspannung unterhalb der Spannung gehalten wird, bei der eine Polierwirkung an der Halbleiteroberfläche auftritt.. The main patent 1160 547 relates to a method for electrolytic etching of a semiconductor component with an essentially monocrystalline semiconductor body and one rising to the surface pn junction, in which the applied etching voltage is used to increase the reverse voltage of the pn junction is kept below the voltage at which a polishing effect occurs on the semiconductor surface.

Als Beispiel ist die Ätzung einer Gleichrichteranordnung behandelt. Diese Gleichrichteranordnung wird als bipolare Elektrode im Elektrolysebad so angeordnet, daß sie eine Öffnung in einer Blende aus Isolierstoff bedeckt, die im Elektrolysebad quer zur Strombahn den ganzen Badquerschnitt außerhalb ihrer Öffnung ausfüllt. In die beiden durch die isolierende Blende getrennten Teile des Elektrolysebads taucht je eine Platinelektrode, die an den negativen bzw. positiven Pol der Spannungsquelle angeschlossen sind. Der Strom wird also gezwungen, durch das Halbleiterbauelement hindurchzuwandern und auf seiner Oberfläche die erwünschte Ätzwirkung auszuüben. The etching of a rectifier arrangement is treated as an example. This rectifier arrangement is arranged as a bipolar electrode in the electrolysis bath in such a way that it forms an opening in a diaphragm Insulating material covers the entire cross-section of the bath in the electrolysis bath across the current path their opening fills. In the two parts of the electrolysis bath separated by the insulating cover A platinum electrode is immersed, which is connected to the negative or positive pole of the voltage source are. The current is thus forced to migrate through the semiconductor component and on to exert the desired etching effect on its surface.

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens für Halbleiterbauelemente mit zwei entgegengesetzt gerichteten pn-Übergängen. Erfindungsgemäß ist diese Vorrichtung so ausgebildet, daß als Elektrolytbehälter ein aus elektrisch isolierendem Material bestehendes, unten offenes Gefäß verwendet ist, das auf den zu ätzenden Teil der Oberfläche des Halbleiterbauelements, vorzugsweise mit Hilfe einer Silikonpaste, aufgeklebt ist, und daß eine den p-leitenden Bereich des Halbleiterkörpers kontaktierende Elektrode an den positiven Pol und eine in geringem Abstand von der Halbleiteroberfläche innerhalb des Elektrolyten angeordnete Elektrode an den negativen Pol einer Spannungsquelle angeschlossen ist. Die Erfindung schafft so eine Möglichkeit, Vorrichtung zum elektrolytischen Ätzen eines
Halbleiterbauelements mit einem im wesentlichen einkristallinen HalbleiterkörperThe invention relates to a device for performing this method for semiconductor components with two oppositely directed pn junctions. According to the invention, this device is designed so that an existing electrically insulating material, open at the bottom vessel is used as the electrolyte container, which is glued to the part of the surface of the semiconductor component to be etched, preferably with the help of a silicone paste, and that one of the p-conductive Area of the semiconductor body contacting electrode is connected to the positive pole and an electrode arranged at a small distance from the semiconductor surface within the electrolyte is connected to the negative pole of a voltage source. The invention thus creates a possibility of a device for electrolytic etching
Semiconductor component with an essentially monocrystalline semiconductor body

Zusatz zum Patent: 1 160 547Addendum to the patent: 1 160 547

Anmelder:Applicant:

Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,

Berlin und Erlangen,Berlin and Erlangen,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:
Fritz Wunderling, ErlangenNamed as inventor:
Fritz Wunderling, Erlangen

auch Halbleiterbauelemente mit kompliziertem Aufbau dem Verfahren nach dem Hauptpatent zu unterwerfen, insbesondere Transistoren, Vierschichtanordnungen u. dgl.
An Hand eines Ausführungsbeispieles soll die Erfindung näher erläutert werden. In der Zeichnung ist ein nach dem Legierungsverfahren hergestellter Transistor dargestellt, der bereits in dem Unterteil seines Gehäuses befestigt ist, und der in eine erfindungsgemäß gestaltete Vorrichtung eingesetzt ist. Der Transistor besteht beispielsweise aus einem Halbleiterkörper aus hochohmigem, p-leitendem Silizium, in den Elektroden einlegiert sind. In die Oberseite ist ein Muster der Basis- und Emitterelektroden und in die Unterseite eine Kollektorelektrode ednlegiert. Entsprechend geformte, aus Gold mit entsprechenden Dotierungszusätzen bestehende Folien sind in ein Scheibchen des Halbleitermaterials einlegiert und bilden nun die Elektroden für entsprechend Umdotierte Elektrodenbereiche. Man geht zweckmäßigerweise von p-leitendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 80 bis 100 Ohm-cm aus. Auf ein etwa 100 μ starkes Scheibchen dieses Materials mit einem Durchmesser von 12 mm werden konzentrisch ein Scheibchen einer Bor enthaltenden Goldfolie von 2,85 mm Durchmesser und etwa 35 μ Stärke, ein Ring aus einer Gold-Antimon-Legienang (etwa 0,5% Sb) von 3 mm Innendurchmesser und 4,85 mm Außen-also to subject semiconductor components with a complicated structure to the method according to the main patent, in particular transistors, four-layer arrangements and the like.
The invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment. In the drawing, a transistor produced by the alloying process is shown, which is already fastened in the lower part of its housing and which is inserted into a device designed according to the invention. The transistor consists, for example, of a semiconductor body made of high-resistance, p-conductive silicon into which electrodes are alloyed. A pattern of the base and emitter electrodes is alloyed into the top and a collector electrode into the bottom. Correspondingly shaped foils made of gold with appropriate doping additives are alloyed into a small disc of the semiconductor material and now form the electrodes for correspondingly redoped electrode areas. It is expedient to start from p-conductive silicon with a specific resistance of 80 to 100 ohm-cm. An approximately 100 μ thick slice of this material with a diameter of 12 mm are concentrically a slice of a boron-containing gold foil of 2.85 mm in diameter and approximately 35 μ thickness, a ring made of a gold-antimony Legienang (about 0.5% Sb) of 3 mm inside diameter and 4.85 mm outside

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durchmesser sowie ein Ring aus einer Bor enthaltenden Goldfolie von 5 mm Innendurchmesser und 7 mm Außendurchmesser aufgelegt. Das Ganze wird auf eine Folie aus einer Gold-Antimon-Legierung (etwa 0,5 °/o Sb) von 14 mm Durchmesser gelegt und durch einen Erhitzungsvorgang miteinander legiert.diameter and a ring made of a boron-containing gold foil with an inner diameter of 5 mm and 7 mm Outside diameter placed. The whole thing is on a foil made of a gold-antimony alloy (approx 0.5% Sb) with a diameter of 14 mm and alloyed with one another by a heating process.

Die Figur zeigt das Ergebnis. Ein Teil des hochohmigen, p-leitenden Halbleitermaterials ist erhaltengeblieben und bildet die Zone 2. Auf der OberseiteThe figure shows the result. Part of the high-resistance, p-conducting semiconductor material has been retained and forms zone 2. On the top

eine leichtere Kontrollmöglichkeit ergibt. Zum Beispiel werden Zeiten von 5 bis 15 Minuten beim elektrolytischen Ätzen gegenüber Zeiten von 1 bis 3 Sekunden beim chemischen Ätzen erhalten. Außerdem 5 ergeben sich verfahrenstechnische Vereinfachungen, da beim elektrolytischen Ätzen keine hochkonzentrierten Säuren wie beim chemischen Ätzen verwendet zu werden brauchen. Außerdem tritt bei chemischen Ätzverfahren für gewöhnlich eine sehr schnelleresults in an easier control option. For example, times of 5 to 15 minutes for electrolytic Etch versus times of 1 to 3 seconds in chemical etching obtained. aside from that 5 there are procedural simplifications, since electrolytic etching does not involve highly concentrated ones Acids need to be used as in chemical etching. It also occurs with chemical Etching process is usually a very quick one

befinden sich die als Basiselektroden dienenden Gold- io Verschmutzung der Ätzlösungen ein, die sie für eine kontakte 3 und 4, die auf entsprechend hochdotierten, weitere Verwendung unbrauchbar machen. Hierdurch p-leitenden Zonen S und 6 ruhen. Zwischen beiden ist der Ätzmittelverbrauch sehr groß und demzufolge Zonen befindet sich die η-leitende umdotierte Emitter- das Verfahren sehr unwirtschaftlich. Im Gegensatz zone 7 mit der Emitterelektrode 8. Auf der Unterseite dazu tritt beim elektrolytischen Ätzen diese schnelle befindet sich die großflächige Kollektorelektrode 9 15 »Vergiftung« der Elektrolytlösung nicht auf.
mit der η-leitenden Kollektorzone 10. Die Kollektor- In den Elektrolyten taucht eine Elektrode 16, die elektrode ist zweckmäßig mit einer Molybdänscheibe an den negativen Pol einer Spannungsquelle angell verbunden, die in einer Ausnehmung des Bodens schlosssen ist. Ihre Form richtet sich nach den sondes Gehäuseunterteiles 12befestigt, z.B. angelötet, ist. stigen Gegebenheiten der Anordnung, unter anderemthere are the gold io contamination of the etching solutions serving as base electrodes, which make them unusable for a contacts 3 and 4, which are appropriately highly doped, further use. As a result, p-conductive zones S and 6 are at rest. The etchant consumption is very high between the two and consequently the η-conductive redoped emitter is located in the zones - the process is very uneconomical. In contrast to zone 7 with the emitter electrode 8. On the underside, during electrolytic etching, this rapid is the large-area collector electrode 9 15 "poisoning" of the electrolyte solution does not occur.
with the η-conductive collector zone 10. The collector In the electrolyte, an electrode 16 is immersed, the electrode is conveniently connected with a molybdenum disk to the negative pole of a voltage source that is closed in a recess in the bottom. Their shape is based on the probe housing base 12 fastened, for example soldered, is. permanent givens of the arrangement, among other things

Auf der Oberseite des Halbleiterscheibchens be- 20 auch nach der Zugänglichkeit der einzelnen Teile, finden sich zwei U-förmige Anschlußbrücken, die Wichtig ist, daß sich zumindest ein Teil der Elektrode kreuzweise zueinander angeordnet sind, damit eine in geringem Abstand von der zu behandelnden Ober-Berührung ausgeschlossen wird. Sie bestehen aus fläche befindet. Mit Rücksicht auf die Anschluß-Gold oder vergoldetem Silberband und sind auf den brücken 13 und 14 erhält die Elektrode 16 im darentsprechenden Elektroden oder Elektrodenberei- 25 gestellten Beispiel die Form eines umgekehrten U. chen durch Legierung befestigt. Die Anschlußbrücke Wird das Ätzen vor dem Aufbringen der Anschluß-13 für die Emitterelektrode 8 ist in der Bildebene brücken durchgeführt, so kann die Elektrode 16 die dargestellt. Die Anschlußbrücke 14 für die Basiselek- Form eines Ringes oder zweier Halbringe haben und trode steht senkrecht zur Bildebene und verbindet die innerhalb des Elektrolyten in geringem Abstand von Basiskreisscheibe 3 mit dem Basisring 4. An diese 30 wenigen Millimetern oberhalb der ringförmigen Anschlußbrücken können dann die für den Betrieb Emitterelektrode 8 angebracht sein, wodurch eine des Halbleiterbauelements notwendigen Anschluß- Ätzung der äußeren Grenzen der Übergänge zwischen leiter angelötet oder anlegiert werden, die mit Hilfe dem Emitterring und dem Basisring bzw. der Basisvon Glaseinschmelzungen isoliert durch einen auf das kreisscheibe gewährleistet ist. Die Zuführung des Gehäuseunterteil 12 aufzulötenden Deckel geführt 35 Stromes erfolgt im dargestellten Beispiel durch einen werden. Kontaktdraht 17, der auf die Anschlußbrücke 14 auf-On the top of the semiconductor wafer, look for the accessibility of the individual parts, there are two U-shaped connection bridges, the important thing is that at least part of the electrode is located are arranged crosswise to one another, so that one at a short distance from the upper contact to be treated is excluded. They consist of area located. With regard to the connection gold or gold-plated silver tape and are on the bridges 13 and 14 receives the electrode 16 in the corresponding Electrodes or electrodes provided example the shape of an inverted U. attached by alloy. The connecting bridge is the etching before applying the connecting 13 for the emitter electrode 8 bridging is carried out in the image plane, so the electrode 16 can the shown. The connecting bridge 14 for the Basiselek- shape of a ring or two half rings have and trode is perpendicular to the plane of the picture and connects the inside of the electrolyte at a small distance from Base circular disk 3 with the base ring 4. At this 30 a few millimeters above the ring-shaped Connection bridges can then be attached for the operation of the emitter electrode 8, whereby a of the semiconductor component necessary connection etching of the outer boundaries of the transitions between conductors are soldered or alloyed, which with the help of the emitter ring and the base ring or the base of Glass melts isolated by a circular disk is guaranteed. The feeding of the Lower housing part 12 to be soldered cover 35 current takes place in the example shown by a will. Contact wire 17, which on the connecting bridge 14 on-

Wie in der Zeichnung dargestellt, wird die Ätzung gesetzt wird und an den positiven Pol der Spannungs-As shown in the drawing, the etching is set and applied to the positive pole of the voltage

der Oberseite des Halbleiterbauelements unmittelbar quelle angeschlossen ist. ImFaIIe des Fehlens der An-the top of the semiconductor component is directly connected to the source. In the case of the lack of

vor der endgültigen Fertigstellung des Gehäuses vor- schlußbrücken müssen sowohl die BasiskreisscheibeBefore the final completion of the housing, both the base circular disk

genommen. Eine zylindrische Vorrichtung 15, die 40 als auch der Basisring einzeln an den positiven Poltaken. A cylindrical device 15, the 40 as well as the base ring individually attached to the positive pole

zweckmäßigerweise aus Polytetrafluoräthylen (Teflon) angeschlossen werden. Damit eine Elektrolyse imobe-Appropriately made of polytetrafluoroethylene (Teflon) are connected. In order for electrolysis to be

besteht, wird auf dem Rand des Halbleiterbauele- ren Teil des Elektrolyten zwischen dem Kontaktdrahtexists, part of the electrolyte between the contact wire is on the edge of the semiconductor component

ments mit Hilfe von Siliconfett befestigt. Das Silicon- 17 und der Elektrode 16 vermieden wird, sind sowohlments attached with the help of silicone grease. The silicone 17 and the electrode 16 avoided are both

fett bewirkt eine sichere Abdichtung der Aufsetzstelle, der Kontaktdraht 17 bis auf die Spitze als auch diebold causes a secure seal of the contact point, the contact wire 17 up to the tip as well as the

so daß in die so entstandene Höhlung der Elektrolyt, 45 Eelektrode 16 bis auf den U-förmigen Teil lackiert,so that in the cavity created in this way the electrolyte, 45 Eelectrode 16 is painted up to the U-shaped part,

beispielsweise 4°/oige Flußsäure, eingefüllt werden Die Teile 16 und 17 bestehen als Platin,for example 4% hydrofluoric acid, are filled in. Parts 16 and 17 are made of platinum,

kann, ohne daß die Gefahr besteht, daß der Elektrolyt Die Dauer des Ätzprozesses-sowie die zur Anwen-can without the risk of the electrolyte The duration of the etching process - as well as the

ausläuft und das Gehäuseunterteil 12 oder die Molyb- dung gelangenden Ströme und Spannungen hängenruns out and the lower housing part 12 or the molybdenum passing currents and voltages hang

dänscheibe 11 chemisch angreift. von den Gegebenheiten der einzelnen Anordnung ab.Danish disk 11 chemically attacks. depends on the circumstances of the individual arrangement.

Bei dem Aufkleben des Hohlzylinders 15 mit Hilfe 50 In dem dargestellten Beispiel des Legierungstransides Siliconfettes wird die nach außen tretende Grenze stors mit den genannten Abmessungen und Werten des pn-Übergangs zwischen den Schichten 2 und 10 wurden gute Ergebnisse erzielt, wenn zwischen der bedeckt. Diese Grenze wird zweckmäßigerweise einer Elektrode 16 und dem Kontaktdraht 17 eine Spanchemischen Ätzung unterworfen, da der Kollektor- nung von 1,3 V angelegt und eine Ätzdauer von etwa Basisübergang hochsperrend sein soll. Der starke 55 8 Minuten gewählt wurde. Es stellte sich zunächst ein chemische Ätzangriff führt zu der maximal erreich- Strom von etwa 4 mA ein, der dann auf etwa 3,5 mA baren Sperrspannung, die von dem jeweiligen Bau- zurückging.When gluing the hollow cylinder 15 with the aid of 50 In the example shown, the alloy transide Silicone grease will stors the outwardly stepping limit with the dimensions and values mentioned of the pn junction between layers 2 and 10, good results have been achieved when between the covered. This limit is expediently subjected to a chip-chemical etching of an electrode 16 and the contact wire 17, since the collector voltage of 1.3 V is applied and an etching time of approximately Base transition should be high blocking. The strong 55 8 minutes was chosen. It turned out to be the first time chemical etching attack leads to the maximum attainable current of about 4 mA, which then increases to about 3.5 mA reverse voltage that declined from the respective building.

element unter sonst gleichen Bedingungen zu erwar- Nach dem Ätzen wird das Halbleiterbauelement ten ist. Da der Emitter-Basisübergang nicht so hoch gut abgespült, zweckmäßigerweise mit destilliertem zu sperren braucht, sondern im Gegenteil eine hohe 60 Wasser, und getrocknet. NachEntfemen desHohlzylm-Sperrspannung unerwünscht ist, weil sie zu einer ders 15 kann dann die endgültige Kapselung der Anhohen Verlustleistung führt, wird der Emitter-Basis- Ordnung vorgenommen werden. Ein wichtiger Vorteil bereich nicht chemisch, sondern elektrolytisch geätzt. des beschriebenen Verfahrens und der erfindungsge-element to be expected under otherwise identical conditions. After etching, the semiconductor component ten is. Since the emitter-base junction is not so well rinsed off, it is advisable to use distilled needs to lock, but on the contrary a high 60 water, and dried. After removing the hollow cylinder reverse voltage is undesirable because it can lead to one of the other 15 then the final encapsulation of the high power dissipation, the emitter-base order will be made. An important advantage area not chemically but electrolytically etched. the described method and the invention

Das elektrolytische Ätzverfahren ist auch aus ande- mäßen Vorrichtung ist darin zu sehen, daß das ÄtzenThe electrolytic etching process can also be seen from other devices in that the etching

ren Gründen dem chemischen vorzuziehen. Insbeson- 65 in einem so fortgeschrittenen Stadium des Fertigungs-For more reasons, it is preferable to the chemical one. In particular, at such an advanced stage of manufacturing

dere zeigt es sich, daß bei elektrolytischen Ätzververfahren die Ergebnisse leichter reproduzierbar sind,
da die Zeitdauer des Ätzens langer ist, wodurch sichbut it turns out that the results are easier to reproduce with electrolytic etching processes,
since the etching time is longer, which leads to

Prozesses vorgenommen werden kann, da sich hierdurch ein erneutes Verunreinigen der Halbleiteroberfläche mit ziemlicher Sicherheit vermeiden läßt.Process can be made, as this results in renewed contamination of the semiconductor surface can almost certainly be avoided.

Claims (4)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterbauelements mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und einem an die Oberfläche tretenden pn-übergang, bei dem zum Erhöhen der Sperrspannung des pn-Übergangs die angelegte Ätzspannung unterhalb der Spannung gewählt wird, bei der eine Polierwirkung an der Halbleiteroberfläche auftritt, nach Patent 1160547, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrolytbehälter ein aus elektrisch isolierendem Material bestehendes, unten offenes Gefäß (15) verwendet ist, das auf den zu ätzenden Teil der Oberfläche des Halbleiterbauelements, vorzugsweise mit Hufe einer Silikonpaste, aufgeklebt ist, und daß eine den p-leitenden Bereich des Halbleiterkörpers kontaktierende Elektrode an den positiven Pol und eine in geringem Abstand von der Halbleiteroberfläche innerhalb des Elektrolyten angeordnete Elektrode an den negativen Pol einer Spannungsquelle angeschlossen ist.1. Device for carrying out the method for electrolytic etching of a semiconductor component with an essentially monocrystalline semiconductor body and one on the surface occurring pn junction, in which to increase the reverse voltage of the pn junction the applied etching voltage is selected below the voltage at which a polishing effect the semiconductor surface occurs, according to patent 1160547, characterized in that as an electrolyte container, a vessel made of electrically insulating material and open at the bottom (15) is used, which is on the part of the surface of the semiconductor component to be etched, preferably with a silicone paste, and that one of the p-conductive area of the Electrode contacting the semiconductor body at the positive pole and one at a short distance from the semiconductor surface within the electrolyte arranged electrode to the negative Pole of a voltage source is connected. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1 zum elektrolytischen Ätzen von Halbleiterbauelementen mit konzentrisch angeordneten Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Elektrolyten eintauchende Elektrode ringförmig gestaltet ist.2. Apparatus according to claim 1 for the electrolytic etching of semiconductor components with concentrically arranged electrodes, characterized in that the electrodes immersed in the electrolyte Electrode is designed ring-shaped. 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ringförmige Elektrode aus Platin besteht.3. Apparatus according to claim 2, characterized in that the annular electrode from Platinum is made. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1 zum elektrolytischen Ätzen von Halbleiterbauelementen mit auf den Elektroden auflegierten Anschlußbrücken, dadurch gekennzeichnet, daß die in den Elektrolyten eintauchende Elektrode U-förmig gebogen ist.4. Apparatus according to claim 1 for the electrolytic etching of semiconductor components with connecting bridges alloyed on the electrodes, characterized in that the in the electrolyte submerged electrode is bent in a U-shape. In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 823 470, 823 763,Considered publications:
German patents No. 823 470, 823 763, 1029485; deutsche Auslegeschrift Nr. 1040134;
Bell System Techn. Journ., März 1956,1029485; German Auslegeschrift No. 1040134;
Bell System Techn. Journ., March 1956, S. 333 bis 347.Pp. 333 to 347. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 409 759/285 12.64 © Bundesdruckerei Berlin409 759/285 12.64 © Bundesdruckerei Berlin