DE1123369B - Switchable pulse lock - Google Patents

Description

Schaltbare Impulssperre Die Erfindung bezieht sich auf die Steuerung bzw. An- und Abschaltbarkeit von Glättungsgliedern, insbesondere nach Art eines Intergrationsgliedes ausgebildeten RC-Gliedern.Switchable pulse lock The invention relates to the control or the ability to switch smoothing elements on and off, in particular in the manner of a Integrated link trained RC links.

Für derartige abschaltbare Glättungsglieder wurde bisher bei geringer Anforderung an die Schaltzeit ein nach Art eines Integrationsgliedes ausgebildetes RC-Glied mit einem Relaisschalter in der Kondensatorleitung benutzt. Derartige relaisgesteuerte Schalteinrichtungen sind jedoch dann nicht mehr möglich, wenn der Zeitpunkt des Ab- bzw. Anschaltens des Glättungsgliedes auf Millisekunden oder Mikrosekunden genau festgelegt ist oder wenn die Zeitabschnitte, in denen das Glättungsglied angeschaltet sein soll, nur im Bereich zwischen Mikro- und Millisekunden liegen.For smoothing elements of this type, which can be switched off, an RC element designed in the manner of an integration element with a relay switch in the capacitor line has hitherto been used with low demands on the switching time. Such relay-controlled switching devices are no longer possible, however, if the time at which the smoothing element is switched off or on is precisely set to milliseconds or microseconds, or if the time segments in which the smoothing element is to be switched on are only in the range between microseconds and milliseconds .

Eine bei Auftreten dieses Problems naheliegende Maßnahme ist es nun, den Relaisschalter durch einen elektronischen Schalter zu ersetzen. Solche elektrischen Schalter mit Röhren oder Transistoren als steuerbaren Schaltelementen sind allgemein bekannt und haben neben anderen, teilweise den verschiedenen Ausführungsformen speziell anhaftenden Eigenschaften die allen gemeinsame Eigenschaft, daß zu ihrem Betrieb neben der unvermeidlichen Steuerquelle eine gesonderte Gleichspannungsquelle zur Erzeugung der Betriebsspannungen vorgesehen sein muß.An obvious measure when this problem occurs is to replace the relay switch with an electronic switch. Such electrical Switches with tubes or transistors as controllable switching elements are general known and have, among others, in part the various specific embodiments Adhering properties are the common property that to their operation In addition to the unavoidable control source, a separate DC voltage source for Generation of the operating voltages must be provided.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist nun, den Aufwand für solche in Verbindung mit einem Glättungsglied angewandte elektronische Schalter auf ein Minimum zu verringern. Ausgehend von dieser Aufgabenstellung kamen die Erfinder zu der Erkenntnis, daß es unter Voraussetzung einer bestimmten Bemessung der einzelnen Schaltelemente des Glättungsgliedes und zusätzlich einer bestimmten Bemessung des Steuerstromes möglich ist, die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors ohne jede Gleichvorspannung in die Kondensatorleitung zu schalten und durch geeignete Ansteuerung der Basis trotz des Fehlens einer Betriebs-spannung eine Schalterwirkung zu erzielen, die sowohl hinsichtlich des Sperr-Durchlaß-Verhältnisses als auch hinsichtlich der Sperrung kleiner Impulse günstiger als bei den bekannten elektronischen Schaltern ist.The object on which the invention is based is now the effort for electronic switches used in conjunction with a smoothing element reduce to a minimum. The inventors came from this task to the realization that it is subject to a certain assessment of the individual Switching elements of the smoothing element and, in addition, a certain dimensioning of the Control current is possible, the collector-emitter path of a transistor without to switch any DC bias into the capacitor line and by appropriate Activation of the base in spite of the lack of an operating voltage a switch effect to achieve, both in terms of the blocking ratio as well as in terms of the blocking of small pulses more favorable than with the known electronic switches is.

Erfindungsgemäß ist eine solche schaltbare Impulssperre für Impulse, die einer konstanten oder langsam veränderlichen Gleichspannung überlagert sind, mit einem nach Art eines Integrationsgliedes ausgebildeten RC-Glied, dessen Zeitkonstante wesentlich größer als die Dauer der zu sperrenden Impulse ist, so aufgebaut, daß in die Kondensatorleitung die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors geschaltet ist, dessen Basis zur Durchschaltung der Kondensatorleitung und damit zur Sperrung der Impulse ein Strom zugeführt wird, der größer als der durch die wirksame Kurzschlußstromverstärkung des Transistors geteilte größtmögliche über den Kondensator abfließende Impulsstrom ist, so da-ß die Impulsströme innerhalb des Anlaufstromgebietes und die durch diese bewirkten Kollektor-Emitter-Spannungen unterhalb der Knickspannung des Transistors liegen und dementsprechend zufolge der großen Steigung der Ic-U("j..--Kennlinie im Anlaufstromgebiet der Durchlaßwiderstand der Kollektor-Ernitter-Strecke sehr gering ist, und daß ferner die Kollektor-Emitter-Spannung bei Durchschaltung der Kondensatorleitung während aller Zeitabschnitte, in denen keine Impulse über den Kondensator abfließen, praktisch gleich Null ist.According to the invention, such a switchable pulse lock for pulses which are superimposed on a constant or slowly changing direct voltage, with an RC element designed in the manner of an integration element, its time constant is much longer than the duration of the pulses to be blocked, so constructed that the collector-emitter path of a transistor is connected in the capacitor line is, its basis for switching through the capacitor line and thus for blocking The pulses are supplied with a current which is greater than that caused by the effective short-circuit current gain of the transistor divided the largest possible pulse current flowing away through the capacitor is so that-ß the impulse currents within the starting current area and through it caused collector-emitter voltages below the knee voltage of the transistor and, accordingly, due to the steep slope of the Ic-U ("j ..-- characteristic in the starting current area the forward resistance of the collector-emitter path is very high is low, and that furthermore the collector-emitter voltage when the Capacitor line during all time periods in which no pulses are transmitted via the Drain condenser, is practically zero.

Zur Sperrung von Impulsen beliebiger Polarität, also z. B. von Impulsfolgen, die teilweise positive und teilweise negative Impulse enthalten, ist als Transistor ein symmetrischer Transistor vorzusehen.To block pulses of any polarity, e.g. B. of pulse trains, which contain partly positive and partly negative pulses is called a transistor to provide a symmetrical transistor.

Soll hingegen die Impulssperre im wesentlichen nur Impulse einer Polarität sperren, so ist als Transistor ein asymmetrischer Transistor vorzusehen. Dabei kann die Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen mittels eines pnp-Transistors, dessen Kollektor mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist, oder nüttels eines npn-Transistors, dessen Ernitter mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist, erzielt werden.If, on the other hand, the pulse block should essentially only have pulses of one polarity block, an asymmetrical transistor is to be provided as the transistor. Here can the blocking of essentially positive pulses by means of a pnp transistor, whose collector is connected to the earth line of the RC element, or just one npn transistor, the emitter of which is connected to the earth line of the RC element, be achieved.

Zur Sperrung von im wesentlichen negativen Impulsen hingegen ist entweder ein pnp-Transistor, dessen Emitter mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist, oder ein npn-Transistor, dessen Kollektor mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist, zu verwenden.To block essentially negative pulses, however, is either a pnp transistor, its emitter with the earth line of the RC element or an npn transistor whose collector is connected to the ground line of the RC element is connected to use.

Vorteilhaft kann der Widerstand R des RC-Gliedes oder ein Teil desselben durch den Innenwiderstand des am Eingang der Impulssperre liegenden Generators gebildet sein.The resistor R of the RC element or a part of it can be advantageous formed by the internal resistance of the generator located at the input of the pulse blocker be.

Der Widerstand R ist vorzugsweise so zu bemessen, daß die größtmöglichen Impulse einen Kurzschlußstrom durch R ergeben, der gleich dem oder kleiner als der mit der wirksamen Kurzschlußstromverstärkung multiplizierte Basisstrom des Transistors ist.The resistance R is preferably to be dimensioned so that the greatest possible Pulses result in a short-circuit current through R equal to or less than the base current of the transistor multiplied by the effective short-circuit current gain is.

An Hand der folgenden Figuren ist die Erfindung an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt Fig. 1 eine erfindungsgemäße steuerbare Impulssperre mit einem pnp-Transistor zur Sperrung von im wesentlichen negativen Impulsen, Fig. 2 eine erfmdungsgemäße steuerbare Impulssperre mit einem npn-Transistor zur Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen, Fig. 3 eine Ic-UcE-Kennlinie eines Transistors zur Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung. Impulssperrschaltungen der im folgenden beschriebenen Art können an den verschiedensten Stellen in elektronischen Schaltungen verwendet werden, so z. B. bei Verstärkern, die nur kurzzeitig aktiv gemacht werden sollen, bei Phasendiskriminatoren mit besonderen Anschlußbedingungen und im allgemeinen in allen den Fällen, in denen einem unbestimmten statisehen Potential überlagerte Signale zeitweise zu sperren sind. Das statische Potential kann sich dabei, ohne daß die Wirkung der Schaltung beeinträchtigt wird, während des Betriebes der Schaltung ändern, solange nur die Zeitkonstante einer solchen Änderung genügend groß ist.The invention is explained in more detail using two exemplary embodiments on the basis of the following figures. 1 shows a controllable pulse blocker according to the invention with a pnp transistor for blocking essentially negative pulses, FIG. 2 shows a controllable pulse blocker according to the invention with an npn transistor for blocking essentially positive pulses, FIG. 3 shows an Ic-UcE- Characteristic curve of a transistor to explain how the circuit works. Pulse blocking circuits of the type described below can be used in a wide variety of locations in electronic circuits, e.g. B. with amplifiers that are only to be made active for a short time, with phase discriminators with special connection conditions and generally in all cases in which signals superimposed on an indefinite static potential are to be temporarily blocked. The static potential can change during the operation of the circuit without the effect of the circuit being impaired, as long as the time constant of such a change is sufficiently large.

Die Forderungen, die zur universellen Verwendbarkeit an eine solche Impulssperre gestellt werden müssen, sind im wesentlichen folgende: a) Geringe Umschaltzeiten (Verineidung der Umladung einer Kapazität).The requirements for universal applicability to such The following are essentially the following: a) Short switching times (Avoiding the reloading of a capacity).

b) Verhinderung eines durch Umschalten der Sperre verursachten Fehlsignals. b) Prevention of a false signal caused by switching the lock.

c) Unabhängigkeit vom statischen Potential des Impulskreises.c) Independence from the static potential of the pulse circle.

d) Wirksamkeit auch für kleine Signale. d) Effectiveness even for small signals.

e) Wirksamkeit für Impulse entweder nur positiver oder nur negativer Polarität oder für Impulse sowohl positiver als auch negativer Polarität. Die Forderungen b), c) und d) sind im allgemeinen durch ein entsprechend dimensioniertes und nach Art eines Integrationsgliedes ausgebildetes RC-Glied erfüllbar, dessen Zeitkonstante wesentlich größer als die Dauer der zu sperrenden Impulse ist, und in deren Kondensatorleitung ein steuerbarer und mittels eines hohen Widerstandes überbrückter Kontakt liegt. Für die Forderung a), also für eine geringe Umschaltzeitkonstante, ist neben der Bedingung, daß die Umladung einer Kapazität tunlichst zu vermeiden ist, anstatt des Kontaktes ein Schaltglied mit möglichst geringer Schaltzeit erforderlich. Als solches ist insbesondere ein Transistor gut geeignet. Die Forderung e) läßt sich nur mit Hilfe der erfindungsgemäßen Schaltung in einfacher Weise befriedigend lösen. Im folgenden sei nun die Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung näher erläutert. Am Punkt A liegt ein statisches Potential, dem Impulse bestimmter maximaler Höhe und bestimmter maximaler Dauer überlagert sind. Für die Schaltung besteht die Forderung, daß bei Einschalten der Impulssperre alle negativen Impulse gesperrt werden.e) Effectiveness for impulses either only positive or only negative polarity or for impulses both positive and negative polarity. The requirements b), c) and d) can generally be met by an appropriately dimensioned and designed in the manner of an integration element RC element whose time constant is significantly greater than the duration of the pulses to be blocked, and in the capacitor line a controllable and by means of a high resistance bridged contact. For requirement a), i.e. for a short switching time constant, in addition to the condition that the charge reversal of a capacitance is to be avoided as far as possible, a switching element with the shortest possible switching time is required instead of the contact. A transistor is particularly well suited as such. The requirement e) can only be solved satisfactorily in a simple manner with the aid of the circuit according to the invention. The mode of operation of the circuit shown in FIG. 1 will now be explained in more detail below. At point A there is a static potential on which pulses of a certain maximum height and certain maximum duration are superimposed. The requirement for the circuit is that all negative pulses are blocked when the pulse block is switched on.

Das die Schaltung im wesentlichen charakterisierende RC-Glied ist so bemessen, daß dessen Zeitkonstante ist. Mit Ri ist dabei der Innenwiderstand des am Punkt A anliegenden Generators bzw. der wirksame Innenwiderstand an diesem Schaltpunkt bezeichnet. Die Größe R" bezeichnet den am Punkt B liegenden Abschlußwiderstand. Mit -ri", ist die maximale Dauer der am Punkt A anliegenden Impulse bezeichnet.The RC element which essentially characterizes the circuit is dimensioned in such a way that its time constant is. Ri denotes the internal resistance of the generator connected to point A or the effective internal resistance at this switching point. The quantity R "denotes the terminating resistor located at point B. -ri" denotes the maximum duration of the pulses applied to point A.

Bei einer solchen Bemessung der Einzelelemente der Schaltung werden die Impulse für den Fall, daß der Transistor Tr durchgeschaltet ist, in der für nach Art eines Integrationsgliedes ausgebildeten RC-Gliedern bekannten Art und Weise über den Kondensator C abgeleitet, so daß am Ausgang B keine Impulse mehr auftreten.With such a design of the individual elements of the circuit, the pulses for the case that the transistor Tr is turned on, derived in the formed for the manner of an integration element RC elements known manner via the capacitor C, so that at the output B no Impulse occur more.

Die das Wesen der Erfindung bildende Steuerbarkeit der Impulssperre beruht nun auf folgender Wirkungsweise des Transistors Tr (Fig. 1): Zur Durchschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors wird der Basis desselben ein Strom IB zugeführt, dessen Größe durch die maximale Höhe der abzuleitenden Impulse bestimmt ist. Bezeichnet man mit UI., diejenige Spannung, die der am Punkt A liegende Generator bei Impulsen maximaler Höhe im Leerlauf als Impuls-Spitzenspannung abgibt, und weiterhin mit a die Kurschlußstromverstärkung des Transistors in Emitterschaltung, so muß der Basisstrorn IB folgende Mindesthöhe haben: Ist diese Voraussetzung erfüllt, so würde bei Anlegen einer die Knickspannung des Transistors überschreitenden Batteriespannung an die Kollektor-Emitter-Strecke und bei eingeschaltetem Basisstrom ein Kollektorstrom der Größe fließen, wobei die IC-UCE-Kennlinie im Prinzip wie in Fig. 3 gezeigt, verlaufen würde. Wie ebenfalls aus Fig. 3 ersichtlich, ist jedoch die Kollektorspannung des Transistors Tr in Fig. 1 im statischen Zustand, also wenn kein Strom über den KondensatorC abfließt, gleich Null (oder genauer gesagt nahezu gleich Null, es verbleibt eine Transistor-Restspannung), weil der Kollektorstrom gleich Null ist. Fließt nun über den Kondensator C ein Impulsstrom ab, so kann dieser definitionsgemäß maximal die Höhe erreichen. Demgemäß wird der Transistor Tr durch einen solchen über den KondensatorC abfließenden Impulsstrom nur innerhalb seines Anlaufstromgebietes, also dem steil verlaufenden Stück der 1(.-Ucl.#,-Kennlinie, ausgesteuert, und die am Transistor abfallende Kollektor-Emitter-Spannung ist in jedem Falle kleiner als die Knickspannung. Damit ist der Durchlaßwiderstand des Transistors im durchgeschalteten Zustand relativ gering; er bewegt sich bei den gängigen Transistortypen etwa in der Größenordnung von 1 bis 10 Ohm. In Fig. 3 ist weiterhin an einem Beispiel der zeitliche Verlauf der Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors bei Abfließen eines Impulses über den Kondensator C gezeigt. Die rechts neben der zum Kennlinien-Koordinatensystem gehörigen Abszisse dargestellte Zeitfunktion ist dabei der über den Kondensator abfließende Impuls, die unterhalb der Ordinate dargestellte Funktion der zeitliche Verlauf der Kollektor-Emitter-Spannung beim Durchfließen dieses Impulses. Man erkennt aus dem letztgenannten Spannungsverlauf, daß die Wirksamkeit der Schaltung für kleine Signale durch die Transistor-Restspannung begrenzt ist.The controllability of the pulse lock, which forms the essence of the invention, is based on the following mode of operation of the transistor Tr (Fig. 1): To switch through the collector-emitter path of the transistor, the base of the same is supplied with a current IB, the size of which is determined by the maximum amount of the to be derived Impulse is determined. If UI., The voltage that the generator located at point A emits as pulse peak voltage with pulses of maximum height in no-load operation, and furthermore with a the short-circuit current gain of the transistor in the emitter circuit, the base current IB must have the following minimum level: If this prerequisite is met, then when a battery voltage that exceeds the breakdown voltage of the transistor is applied to the collector-emitter path and with the base current switched on, a collector current of the same magnitude would be applied flow, wherein the IC-UCE characteristic curve would in principle be as shown in FIG. 3 . As can also be seen from Fig. 3 , however, the collector voltage of the transistor Tr in Fig. 1 in the static state, i.e. when no current is flowing through the capacitor C, is equal to zero (or more precisely almost equal to zero, a residual transistor voltage remains), because the collector current is zero. If an impulse current flows off via the capacitor C , it can, by definition, be at most the height reach. Accordingly, the transistor Tr is controlled by such a pulse current flowing through the capacitor C only within its starting current area, i.e. the steep section of the 1 (.- Ucl. #, - characteristic curve, and the collector-emitter voltage dropping across the transistor is in each case smaller than the knee voltage Thus, the resistance of the transistor in the oN state is relatively low... he moves in the common types of transistor such as in the order of 1 to 10 ohms in Fig 3 is also an example of the temporal course of the collector Emitter voltage of the transistor is shown when a pulse flows off via the capacitor C. The time function shown on the right next to the abscissa belonging to the characteristic coordinate system is the pulse flowing off the capacitor, the function shown below the ordinate is the temporal course of the collector-emitter Voltage when this impulse flows through named voltage curve that the effectiveness of the circuit for small signals is limited by the transistor residual voltage.

Bei der vorangegangenen Erörterung des durchgeschalteten Zustandes war ungesagt vorausgesetzt worden, daß die über den Kondensator abfließenden Impulse eine solche Polarität haben, daß sie einen Spannungsabfall in negativer Richtung zwischen dem Emitter und dem Kollektor des Transistors erzeugen, so daß also der Transistor in seiner normalen Verschaltung (Kollektoranschluß als Kollektor, Emitteranschluß als Emitter) betrieben wird. In diesem Falle weist der Transistor, zumindest dann, wenn es sich um einen asymmetrischen Transistor handelt, auch einen relativ hohen Kurzschlußstromverstärkungswert auf. Für Impulse entgegengesetzter Polarität hingegen würde der Transistor in seiner inversen Verschaltung (Kollektoranschluß als Emitter, Emitteranschluß als Kollektor) betrieben, in welcher asymmetrische Transistoren eine wesentlich geringere Stromverstärkung aufweisen. Demgemäß werden bei Verwendung eines asymmetrischen Transistors die Impulse entgegengesetzter Polarität nur bis zu einer Höhe gesperrt, die im Verhältnis der Kurzschlußstromverstärkungen niedriger als diejenige Höhe liegt, bis zu der Impulse der richtigen Polarität (für deren Sperrung die Schaltung ausgelegt ist) gesperrt werden.In the previous discussion of the switched-through state unsaid it was assumed that the impulses flowing off via the capacitor have such a polarity that they have a voltage drop in the negative direction generate between the emitter and the collector of the transistor, so that the Transistor in its normal connection (collector connection as collector, emitter connection as an emitter). In this case the transistor has, at least then, if it is an asymmetrical transistor, also a relatively high one Short-circuit current gain value. For impulses of opposite polarity, however the inverse connection of the transistor (collector connection as emitter, Emitter connection operated as a collector), in which asymmetrical transistors have a significantly lower current gain. Accordingly, in use of an asymmetrical transistor the pulses of opposite polarity only up to locked to a level which is lower in proportion to the short-circuit current gains than the height up to which the pulses of the correct polarity (for their Blocking the circuit is designed) to be blocked.

Sollen Impulse sowohl positiver als auch negativer Polarität gesperrt werden. so ist dementsprechend anstatt eines asymmetrischen Transistors ein symmetrischer Transistor zu verwenden. Allgemein können sowohl zur Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen wie auch zur Sperrung von im wesentlichen negativenlmpulsen asymmetrischeTransistoren sowohl der Zonenfolge pnp wie auch der Zonenfolge npn verwendet werden, wobei in jedem Einzelfall das Ansteuerpotential der Basis derart zu wählen ist, daß zur Durchschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors die Basis-Emitter-Strecke in den Durchlaßbereich gesteuert wird und daß zur Auftrennung der Kollektor-Emitter-Strecke die Basis-Emitter-Strecke in den Sperrbereich gesteuert wird, und wobei ferner darauf zu achten ist, daß die Kollektor- und Emitteranschlüsse der Transistoren jeweils so verschaltet werden, daß die zu sperrenden Impulse je- weils einen derart gerichteten Spannungsabfall zwischen Emitter und Kollektor des Transistors erzeugen, daß der Transistor in seinem normalen Schaltungszustand (Kollektoranschluß als Kollektor, Emitteranschluß als Emitter) arbeitet. Zur Sperrung sowohl positiver als auch negativer Impulse ist, wie schon erwähnt, ein symmetrischer Transistor zu verwenden, der entweder die Zonenfolge pnp oder die Zonenfolge npn aufweisen kann. Dabei gilt hinsichtlich des Ansteuerungspotentials der Basis das gleiche wie für asymmetrische Transistoren. Hingegen ist die Verschaltung des Kollektor-und Emitteranschlusses frei wählbar.Should pulses of both positive and negative polarity be blocked. accordingly, a symmetrical transistor must be used instead of an asymmetrical transistor. In general, asymmetrical transistors of both the zone sequence pnp and the zone sequence npn can be used both for blocking essentially positive pulses and for blocking essentially negative pulses, whereby in each individual case the control potential of the base must be selected so that the collector- Emitter path of the transistor, the base-emitter path is controlled in the pass band and that the base-emitter path is controlled in the blocking range to separate the collector-emitter path, and it must also be ensured that the collector- and emitter connections of the transistors are connected in such a way that the pulses to be blocked each generate a voltage drop between the emitter and collector of the transistor in such a way that the transistor operates in its normal circuit state (collector connection as collector, emitter connection as emitter). As already mentioned, a symmetrical transistor, which can have either the zone sequence pnp or the zone sequence npn, is to be used to block both positive and negative pulses. With regard to the drive potential of the base, the same applies here as for asymmetrical transistors. In contrast, the interconnection of the collector and emitter connections can be freely selected.

Sollen die Impulse vom Punkt A (Fig. 1) zum Punkt B durchgelassen werden, so ist der Transistor zu sperren. Diese Sperrung des Transistors erfolgt durch Anlegen eines entsprechenden Basispotentials in der Weise, daß die Basis-Emitter-Strecke in Sperrrichtung vorgespannt ist. Die Höhe der Vorspannung ist größer gleich der maximalen Impulsamplitude, die am Punkt B auftreten kann, zu wählen. Unter dieser Voraussetzung erscheint am Punkt B das Eingangssignal im Teilverhältnis des Abschlußwiderstandes R, zum Gesamtwiderstand (R + R"). Bei gesperrtem Transistor wird der KondensatorC infolge des Reststromes über den Transistor auf dem gleichen Potential gehalten, so daß bei Einschalten der Sperre, also bei Entsperrung des Transistors, keine Nachladung des Kondensators C erforderlich ist und demgemäß auch beim Umschalten des Transistors kein durch dieses Umschalten verursachtes Ausgangssignal abgegeben wird.If the pulses are to be allowed to pass from point A (Fig. 1) to point B, the transistor must be blocked. The transistor is blocked by applying a corresponding base potential in such a way that the base-emitter path is reverse-biased. The level of the bias voltage is greater than or equal to the maximum pulse amplitude that can occur at point B. Under this condition, the input signal appears at point B in the partial ratio of the terminating resistor R to the total resistance (R + R "). When the transistor is blocked, the capacitor C is kept at the same potential as a result of the residual current through the transistor, so that when the block is switched on, that is when the transistor is unlocked, no recharging of the capacitor C is required and accordingly no output signal caused by this switching is emitted when the transistor is switched over.

Die Umschaltzeiten sind nur durch die Eigenschaften des verwendeten Transistors bestimmt und können, je nach Grenzfrequenz des Transistors, sehr klein gehalten werden. Dabei ist ein Transistor mit einer um so höheren Grenzfrequenz zu wählen, je geringer die Umschaltzeiten sein sollen.The switching times are only determined by the properties of the transistor used and, depending on the cutoff frequency of the transistor, can be kept very short. In this case, a transistor with a cut-off frequency that is higher, the shorter the switching times are to be.

In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen gezeigt. Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist die gleiche wie oben schon für Fig. 1 näher erläutert. Es ist zu bemerken, daß für die Fig. 2 ebenso wie für die Fig. 1 die Verwendung eines asymmetrischen Transistors vorausgesetzt ist. Es könnte jedoch ebensogut stattdessen ein symmetrischer Transistor Verwendung finden, wobei die Schaltung dann zur Sperrung von sowohl positiven wie auch negativen Impulsen geeignet wäre. Die im Zusammenhang mit Fig. 1 aufgestellten Bedingungen für die Bemessung der Schaltelemente sowie der Ansteuerpotentiale gelten entsprechend auch für das in Fig. 2 gezeigte Ausführungsbeispiel.FIG. 2 shows a further exemplary embodiment of an arrangement according to the invention for blocking essentially positive pulses. The operation of this circuit is the same as already explained in the for Fig. 1 in greater detail. It should be noted that for FIG. 2, as for FIG. 1, the use of an asymmetrical transistor is assumed. However, a symmetrical transistor could just as well be used instead, in which case the circuit would be suitable for blocking both positive and negative pulses. The conditions established in connection with FIG. 1 for the dimensioning of the switching elements and the control potentials also apply accordingly to the exemplary embodiment shown in FIG. 2.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Schaltbare Impulssperre für Impulse, die einer konstanten oder langsam veränderlichen Gleichspannung überlagert sind, mit einem nach Art eines Integrationsgliedes ausgebildeten RC-Glied, dessen Zeitkonstante wesentlich größer als die Dauer der zu sperrenden Impulse ist, dadurch gekennzeichnet, daß in die Kondensatorleitung die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors geschaltet ist, dessen Basis zur Durchschaltung der Kondensatorleitung und damit zur Sperrung der Impulse ein Strom zugeführt wird, der größer als der durch die wirksame Kurzschlußstromverstärkung des Transistors geteilte größtmögliche über den Kondensator abfließende Impulsstrom ist, so daß die Impulsströme innerhalb des Anlaufstromgebietes und die durch diese bewirkten Kollektor-Emitter-Spannungen unterhalb der Knickspannung des Transistors liegen und dementsprechend zufolge der großen Steigung der IC-UCE-Kennlinie im Anlaufstromgebiet der Durchlaßwiderstand derKollektor-Emitter-Strecke sehr gering ist, und daß ferner die Kollektor-Emitter-Spannung bei Durchschaltung der Kondensatorleitung während aller Zeitabschnitte, in denen keine Impulse über den Kondensator abfließen, praktisch gleich Null ist. PATENT CLAIMS: 1. Switchable pulse blocker for pulses that are superimposed on a constant or slowly changing DC voltage, with an RC element designed in the manner of an integration element, the time constant of which is significantly greater than the duration of the pulses to be blocked, characterized in that in the capacitor line the collector-emitter path of a transistor is connected, the base of which is supplied to the through-connection of the capacitor line and thus to block the pulses, which is greater than the largest possible pulse current flowing through the capacitor divided by the effective short-circuit current gain of the transistor, so that the Impulse currents within the starting current area and the collector-emitter voltages caused by them are below the breakdown voltage of the transistor and, accordingly, due to the steep slope of the IC-UCE characteristic in the starting current area, the on-state resistance of the collector-emitter path is very low and that the collector-emitter voltage is practically zero when the capacitor line is switched through during all time periods in which no pulses flow through the capacitor. 2. Schaltbare Impulssperre nach Anspruch 1, zur Sperrung von Impulsen beliebiger Polarität, dadurch gekennzeichnet, daß als Transistor ein symmetrischer Transistor vorgesehen ist. 3. Schaltbare Impulssperre nach Anspruch 1, die im wesentlichen nur Impulse einer Polarität sperrt, dadurch gekennzeichnet, daß als Transistor ein asymmetrischer Transistor vorgesehen ist. 4. Anordnung nach Anspruch 3 zur Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein pnp-Transistor ist und der Kollektor des Transistors mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist. 5. Anordnung nach Anspruch 3 zur Sperrung von im wesentlichen positiven Impulsen, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein npn-Transistor ist und der Emitter des Transistors mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist. 6. Anordnung nach Anspruch 3 zur Sperrung von im wesentlichen negativen Impulsen, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein pnp-Transistor ist und der Emitter des Transistors mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist. 7. Anordnung nach Anspruch 3 zur Sperrung von im wesentlichen negativen Impulsen, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein npn-Transistor ist und der Kollektor des Transistors mit der Erdleitung des RC-Gliedes verbunden ist. 8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand R des RC-Gliedes oder ein Teil desselben durch den Innenwiderstand des am Eingang der Impulssperre liegenden Generator gebildet wird. 9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand R des RC-Gliedes derart bemessen ist, daß die größtmöglichen Impulse einen Kurzschlußstrom durch R ergeben, der gleich dem oder kleiner als der mit der wirksamen Kurzschlußstromverstärkung multiplizierte Basisstrom des Transistors ist.2. Switchable pulse blocker according to claim 1, for blocking pulses of any polarity, characterized in that a symmetrical transistor is provided as the transistor. 3. Switchable pulse blocker according to claim 1, which blocks essentially only pulses of one polarity, characterized in that an asymmetrical transistor is provided as the transistor. 4. Arrangement according to claim 3 for blocking substantially positive pulses, characterized in that the transistor is a pnp transistor and the collector of the transistor is connected to the ground line of the RC element. 5. Arrangement according to claim 3 for blocking substantially positive pulses, characterized in that the transistor is an npn transistor and the emitter of the transistor is connected to the ground line of the RC element. 6. Arrangement according to claim 3 for blocking substantially negative pulses, characterized in that the transistor is a pnp transistor and the emitter of the transistor is connected to the ground line of the RC element. 7. An arrangement according to claim 3 for blocking substantially negative pulses, characterized in that the transistor is an npn transistor and the collector of the transistor is connected to the ground line of the RC element. 8. Arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the resistance R of the RC element or a part thereof is formed by the internal resistance of the generator lying at the input of the pulse blocker. 9. Arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the resistance R of the RC element is dimensioned such that the largest possible pulses result in a short-circuit current through R which is equal to or less than the base current of the multiplied by the effective short-circuit current gain Transistor is.