DE1121596B - Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Barren aus Silicium hoher Reinheit - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Barren aus Silicium hoher Reinheit

Info

Publication number
DE1121596B
DE1121596B DE1960P0025852 DEP0025852A DE1121596B DE 1121596 B DE1121596 B DE 1121596B DE 1960P0025852 DE1960P0025852 DE 1960P0025852 DE P0025852 A DEP0025852 A DE P0025852A DE 1121596 B DE1121596 B DE 1121596B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
crucible
furnace
quartz
graphite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1960P0025852
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Jacques Coursier
Bernard Desbois
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pechiney SA
Original Assignee
Pechiney SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pechiney SA filed Critical Pechiney SA
Publication of DE1121596B publication Critical patent/DE1121596B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
DE1960P0025852 1959-10-15 1960-10-14 Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Barren aus Silicium hoher Reinheit Pending DE1121596B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR807545A FR1246889A (fr) 1959-10-15 1959-10-15 Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1121596B true DE1121596B (de) 1962-01-11

Family

ID=8720150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1960P0025852 Pending DE1121596B (de) 1959-10-15 1960-10-14 Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Barren aus Silicium hoher Reinheit

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE595995A (fr)
DE (1) DE1121596B (fr)
ES (1) ES261651A1 (fr)
FR (1) FR1246889A (fr)
GB (1) GB964420A (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928089C3 (de) * 1979-07-12 1982-03-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung
FR2546912B1 (fr) * 1983-06-06 1987-07-10 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'elaboration d'un monocristal
US5064497A (en) * 1990-03-09 1991-11-12 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
ES261651A1 (es) 1961-05-16
GB964420A (en) 1964-07-22
FR1246889A (fr) 1960-11-25
BE595995A (fr) 1961-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1025631B (de) Verfahren zur Raffination eines laenglichen Metallkoerpers nach dem Zonenschmelzverfahren
DE19710672A1 (de) Quarzglas-Tiegel zum Ziehen von Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0462409B1 (fr) Procédé de production de pièces moulées tubulaires d'un matériau supraconducteur à haute température et usine pour son exécution
DE1005646B (de) Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen
DE3687687T2 (de) Verfahren zum herstellen von magnetostriktiven staeben aus einer seltenen erden-eisen-legierung.
DE2059713A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiter-Einkristallen nach der Czochralski-Methode
DE10156137B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kieselglastiegels mit kristallinen Bereichen aus einem porösen Kieselglasgrünkörper
DE2229453C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer zu vergießenden Flüssig-Fest-Metallphase
DE2609949C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Gußstücks aus in einer Richtung erstarrter Metallegierung
DE2031844C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines gerichtet erstarrten Gußstückes
DE3043702C2 (fr)
EP0010307B1 (fr) Procédé de protection de produits carbonifères
DE1121596B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Barren aus Silicium hoher Reinheit
DE1941968C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
EP0095757A1 (fr) Procédé de fabrication de lingots polycristallins de silicium, qualifiés pour fusion de zone subséquente
DE3502532A1 (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen herstellung von hohlen metallgussbloecken
AT220593B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von homogenen, fahlerfreien Blöcken aus reinem Silizium
DE4218950A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters und daraus gebildeter Formkörper
DE3310827A1 (de) Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium
DE3019875C2 (de) Verfahren zur Reinigung von Silizium aus einer Silizium-Metall-Schmelze durch fraktionierte Kristallisation
DE60111856T2 (de) Metall-legierungszusammensetzungen und herstellungsverfahren
AT395389B (de) Verfahren zur herstellung von block- und formgussstuecken sowie vorrichtung zur herstellung derselben
DE2403194A1 (de) Verfahren zur herstellung von leichtmetallbloecken
DE2908795C2 (de) Vorrichtung zum Aufbringen eines Schutzstoffs auf den Badspiegel innerhalb einer elektromagnetischen Stranggießkokille
DE4409296A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium-Einkristallen