DE112021003267T5 - Lichtemittierende Vorrichtung und Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Hiroyuki Kashihara
Toshihiro Miura
Toshiaki Hasegawa
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Abstract

Diese lichtemittierende Vorrichtung umfasst: lichtemittierende Elementteile (132), die so angeordnet sind, das sie für jedes Pixel voneinander getrennt sind; Pixelelektroden (131), die für jedes Pixel auf Seiten erster Oberflächen der lichtemittierenden Elementteile (132) angeordnet sind; gemeinsame Elektroden (133), die so angeordnet sind, dass sie zwischen benachbarten Pixeln auf Seiten zweiter Oberflächen, die den ersten Oberflächen der lichtemittierenden Elementteile (132) gegenüberliegen, voneinander getrennt sind; und einen Elektrodenkopplungsteil (134), der die für jedes Pixel angeordneten gemeinsamen Elektroden (133) in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem die lichtemittierenden Elementteile (132) angeordnet sind.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine lichtemittierende Vorrichtung und eine Anzeigevorrichtung.
  • Stand der Technik
  • Eine Leuchtdiode (LED), die elektrische Energie in Lichtenergie umwandelt, hat eine hohe Ansprechgeschwindigkeit und einen geringen Energieverbrauch und hat somit als Lichtquelle einer Anzeigevorrichtung oder dergleichen Aufmerksamkeit auf sich gezogen (z. B. PTL 1).
  • Eine Anzeigevorrichtung, die Leuchtdioden umfasst, wird z. B. hergestellt durch: Bonden eines Substrats, auf dem die Leuchtdioden über eine Mehrzahl von Pixeln verteilt sind, auf ein Substrat, auf dem eine Treiberschaltung angeordnet ist, die die Leuchtdioden treibt; und anschließendes Aufbringen einer fluoreszierenden Substanz, eines Farbfilters oder dergleichen auf die Leuchtdioden für jedes Pixel.
  • Literaturliste
  • Patentliteratur
  • PTL 1: Ungeprüfte japanische Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2018-182282
  • Kurzdarstellung der Erfindung
  • Dementsprechend besteht eine Nachfrage nach einer weiteren Reduzierung von Übersprechen (d. h. Lichtlecks) zwischen Pixeln in einer lichtemittierenden Vorrichtung, wie z. B. einer Anzeigevorrichtung, die eine Leuchtdiode umfasst.
  • Dementsprechend ist es wünschenswert, eine lichtemittierende Vorrichtung und eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die jeweils in der Lage sind, Lichtlecks zwischen benachbarten Pixeln weiter zu reduzieren.
  • Eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes der Pixel angeordnet ist; eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist; eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
  • Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes der Pixel angeordnet ist; eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist; eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
  • In der lichtemittierenden Vorrichtung und der Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung: ist das lichtemittierende Element separat für jedes der Pixel angeordnet; ist die Pixelelektrode auf der Seite der ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet, ist die gemeinsame Elektrode auf der Seite der zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und sind die gemeinsamen Elektroden durch den Elektrodenkoppler elektrisch miteinander gekoppelt, der in dem planen Bereich angeordnet ist, der sich von dem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist. Dementsprechend sind z. B. die lichtemittierende Vorrichtung und die Anzeigevorrichtung der Ausführungsform jeweils in der Lage, die Pixelelektrode, das lichtemittierende Element und die gemeinsame Elektrode, die in einem Pixel enthalten sind, von der Pixelelektrode, dem lichtemittierenden Element und der gemeinsamen Elektrode, die in einem dem einen Pixel benachbarten Pixel enthalten sind, zu trennen.
  • Figurenliste
    • [1] 1 ist eine vertikale Querschnittsansicht einer Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • [2] 2 ist eine orthografische Ansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt extrahiert sind.
    • [3A] 3A ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3B] 3B ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3C] 3C ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3D] 3D ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3E] 3E ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3F] 3F ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3G] 3G ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3H] 3H ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [31] 3I ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3J] 3J ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3K] 3K ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3L] 3L ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3M] 3M ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3N] 3N ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3O] 3O ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3P] 3P ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3Q] 3Q ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3R] 3R ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3 S] 3S ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3T] 3T ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [3D] 3U ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [4] 4 ist eine Draufsicht auf eine plane Form gemeinsamer Elektroden und eines Elektrodenkopplers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [5] 5 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode und eines Elektrodenkopplers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [6] 6 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode und eines Elektrodenkopplers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [7] 7 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode und eines Elektrodenkopplers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem vierten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [8] 8 ist eine Draufsicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem fünften Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind, extrahiert sind.
    • [9] 9 ist eine orthographische Ansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt gemäß einem sechsten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform extrahiert sind.
    • [10] 10 ist eine vertikale Querschnittsansicht einer Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • [11] 11 ist eine Draufsicht auf eine plane Positionsbeziehung einer Durchkontaktierung und einem Metallübergang im Verhältnis zu jedem Pixel.
    • [12A] 12A ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt extrahiert sind.
    • [12B] 12B ist eine Draufsicht, in der die Pixelelektrode, das lichtemittierende Element, die gemeinsame Elektrode, der Elektrodenkoppler und der Kontaktabschnitt extrahiert sind.
    • [13A] 13A ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13B] 13B ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13C] 13C ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13D] 13D ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13E] 13E ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13F] 13F ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13G] 13G ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13H] 13H ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13I] 13I ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13J] 13J ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13K] 13K ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13L] 13L ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13M] 13M ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13N] 13N ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13O] 13O ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13P] 13P ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13Q] 13Q ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13R] 13R ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13S] 13S ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13T] 13T ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13U] 13U ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [13V] 13V ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [14] 14 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind, extrahiert sind.
    • [15] 15 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind, extrahiert sind.
    • [16] 16 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der eine Pixelelektrode, ein lichtemittierendes Element, eine gemeinsame Elektrode, ein Elektrodenkoppler und ein Kontaktabschnitt, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind, extrahiert sind.
    • [17] 17 ist eine vertikale Querschnittsansicht einer Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • [18] 18 ist eine Draufsicht, in der eine gemeinsame Elektrode und ein Elektrodenkoppler extrahiert sind.
    • [19A] 19A ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19B] 19B ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19C] 19C ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19D] 19D ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19E] 19E ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19F] 19F ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [19G] 19G ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [20A] 20A ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem zweiten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [20B] 20B ist eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem zweiten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der Ausführungsform enthalten ist.
    • [21] 21 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode, eines Elektrodenkopplers und eines Lichtabsorbers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [22] 22 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode, eines Elektrodenkopplers und eines Lichtabsorbers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [23] 23 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode, eines Elektrodenkopplers und eines Lichtabsorbers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [24] 24 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode, eines Elektrodenkopplers und eines Lichtabsorbers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem vierten Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [25] 25 ist eine Draufsicht auf eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode, eines Elektrodenkopplers und eines Lichtabsorbers, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem fünften Modifikationsbeispiel der Ausführungsform enthalten sind.
    • [26] 26 ist eine schematische Ansicht eines äußeren Erscheinungsbildes eines Fernsehgeräts, auf das eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angewendet wird.
  • Ausführungsarten der Erfindung
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Die nachstehende Beschreibung ist ein spezielles Beispiel für die vorliegende Offenbarung, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die nachstehenden Ausführungsformen beschränkt. Ferner ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die Anordnung, die Abmessungen, die Größenverhältnisse und dergleichen der in den Zeichnungen dargestellten Bestandteile beschränkt.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung in der nachstehenden Reihenfolge erfolgt.
    • 1
    Erste Ausführungsform
    1.1
    Gesamtkonfiguration
    1.2
    Detaillierte Konfiguration
    1.3
    Herstellungsverfahren
    1.4
    Modifikationsbeispiele
    2
    Zweite Ausführungsform
    2.1
    Gesamtkonfiguration
    2.2
    Detaillierte Konfiguration
    2.3
    Herstellungsverfahren
    2.4
    Modifikationsbeispiele
    3
    Dritte Ausführungsform
    3.1
    Gesamtkonfiguration
    3.2
    Detaillierte Konfiguration
    3.3
    Herstellungsverfahren
    3.4
    Modifikationsbeispiele
    4
    Anwendungsbeispiele
  • <1. Erste Ausführungsform>
  • (1.1. Gesamtkonfiguration)
  • Zuerst wird mit Bezugnahme auf 1 eine Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. 1 ist eine vertikale Querschnittsansicht der Gesamtkonfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
  • Wie in 1 dargestellt, umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform z. B. ein lichtemittierendes Element 132, eine Pixelelektrode 131, eine gemeinsame Elektrode 133, einen Elektrodenkoppler 134, einen Kontaktabschnitt 135, einen Lichtabschirmabschnitt 141, Isolierschichten 140 und 142, eine Fluoreszenzschicht 151, eine Pixeltrennschicht 150, eine Schutzschicht 152, eine Durchkontaktierung 123, einen Metallübergang 122, eine Mehrlagenverdrahtungsschicht 121, eine Zwischenlagenisolierschicht 120 und ein Treibersubstrat 110. Die lichtemittierende Vorrichtung 1 ist z. B. eine Anzeigevorrichtung, die durch Umwandlung des von dem lichtemittierenden Element 132 emittierten Lichts, das von der Fluoreszenzschicht 151 für jedes Pixel in rotes Licht, grünes Licht oder blaues Licht getrennt wird, eine RGB-Farbanzeige durchführt.
  • Das lichtemittierende Element 132 ist separat für jedes Pixel vorgesehen und ist eine selbstleuchtende Verbindungshalbleiterschicht, die durch Anlegen eines elektrischen Feldes Licht emittiert. In das lichtemittierende Element 132 werden Elektronen von einer Elektrode injiziert und Löcher von einer anderen Elektrode injiziert. Die injizierten Elektronen und Löcher werden in dem lichtemittierenden Element 132 kombiniert, um Licht zu emittieren, das einer Bandlücke des in dem lichtemittierenden Element 132 enthaltenen Verbindungshalbleiters entspricht.
  • Insbesondere hat das lichtemittierende Element 132 eine Stapelstruktur aus Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V. Beispielsweise kann das lichtemittierende Element 132 eine Stapelstruktur haben aus: p-GaN (mit Störstellen vom p-Typ dotiertes GaN), p-AlGaN (mit Störstellen vom p-Typ dotiertes AlGaN); eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs), in der mehrere Strukturen übereinander gestapelt sind, wobei die mehreren Strukturen jeweils eine ultradünne Schicht mit einer kleinen Bandlücke umfassen, die von einer Schicht mit einer großen Bandlücke umgeben ist; n-GaN (mit Störstellen vom n-Typ dotiertes GaN) und u-GaN (undotiertes GaN).
  • Die Pixelelektrode 131 ist eine Elektrode, die in der Lage ist, ein unabhängiges Potential für jedes Pixel anzulegen, und ist für jedes Pixel auf einer Seite einer ersten Oberfläche (d. h. auf einer Unterseite in 1) des lichtemittierenden Elements 132 angeordnet. Die Pixelelektrode 131 kann z. B. eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur aufweisen, die ein Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, oder ein transparentes, elektrisch leitendes Material, wie z. B. ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid) oder ZnO, umfasst.
  • Die gemeinsame Elektrode 133 ist eine Elektrode, die in der Lage ist, ein gemeinsames Potential an eine Mehrzahl von Pixeln anzulegen, und ist über die Mehrzahl von Pixeln hin angeordnet, indem sie elektrisch mit der Mehrzahl von Pixeln auf einer Seite einer zweiten Oberfläche (d. h. auf einer Oberseite in 1) des lichtemittierenden Elements 132 gekoppelt ist, wobei die Seite einer zweiten Oberfläche der Seite einer ersten Oberfläche gegenüberliegt. Die gemeinsame Elektrode 133 kann z. B. eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur mit einem transparenten, elektrisch leitenden Material wie z. B. ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid), ZnO, SnO oder TiO aufweisen.
  • In der lichtemittierenden Vorrichtung 1 ist es möglich, die Anzahl von elektrischen Verbindungen zwischen dem lichtemittierenden Element 132 und dem Treibersubstrat 110 zu reduzieren, indem eine der Elektroden (d. h. die gemeinsame Elektrode 133), die das elektrische Feld an das lichtemittierende Element 132 anlegt, für alle Pixel gemeinsam dient. Auf diese Weise lassen sich das lichtemittierende Element 132 und das Treibersubstrat 110 sogar bei Miniaturisierung der Pixel leichter elektrisch miteinander koppeln.
  • Hier ist die gemeinsame Elektrode 133 für jedes von benachbarten Pixeln separat angeordnet. Die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel sind durch den Elektrodenkoppler 134 elektrisch miteinander gekoppelt, wodurch es möglich wird, ein gemeinsames Potential an die Mehrzahl von Pixeln anzulegen.
  • Der Elektrodenkoppler 134 ist in einem planen Bereich angeordnet, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element 132 angeordnet ist, und koppelt die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel elektrisch. Insbesondere kann der Elektrodenkoppler 134 so angeordnet sein, dass er in dem planen Bereich hervorragt, der sich von dem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element 132 angeordnet ist, kann ein Material umfassen, das mit dem Material der gemeinsamen Elektrode 133 identisch ist, und kann auf der gleichen Schicht wie die gemeinsame Elektrode 133 und integral mit dieser angeordnet sein. Einzelheiten des Elektrodenkopplers 134 werden später mit Bezugnahme auf 2 beschrieben.
  • Der Kontaktabschnitt 135 ist in Bezug auf den Elektrodenkoppler 134 auf der gleichen Seite wie die Pixelelektrode 131 angeordnet. Der Kontaktabschnitt 135 ist an dem Elektrodenkoppler 134 angeordnet, der von dem Bereich hervorragt, an dem das lichtemittierende Element 132 angeordnet ist, wodurch er mit der gemeinsamen Elektrode 133 von einer Seite aus elektrisch koppelbar ist, die identisch ist mit einer Seite, auf der die Pixelelektrode 131 vorhanden ist. Der Kontaktabschnitt 135 kann z. B. eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur aufweisen, die ein Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, oder ein transparentes, elektrisch leitendes Material, wie z. B. ITO (Indium-Zinn-Oxid), IZO (Indium-Zink-Oxid) oder ZnO, umfasst.
  • Der Lichtabschirmabschnitt 141 umfasst ein lichtabschirmendes Material und ist so angeordnet, dass er eine Treibersubstrat 110-Seite des lichtemittierenden Elements 132, die Pixelelektrode 131, die gemeinsame Elektrode 133, den Elektrodenkoppler 134 und den Kontaktabschnitt 135 bedeckt. Der Lichtabschirmabschnitt 141 kann ein Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, oder ein organisches Material, wie z. B. Kohlenstoff, umfassen.
  • Insbesondere ist der Lichtabschirmabschnitt 141 so angeordnet, dass er die Treibersubstrat 110-Seite in Bezug auf das lichtemittierende Element 132 bedeckt und zu einer Fluoreszenzschicht 151-Seite hin offen ist. Der Lichtabschirmabschnitt 141 ist somit in der Lage, das von dem lichtemittierenden Element 132 emittierte Licht daran zu hindern, zur Treibersubstrat 110-Seite zu gelangen.
  • Ferner ist der Lichtabschirmabschnitt 141 so angeordnet, dass die lichtemittierenden Elemente 132 der entsprechenden Pixel voneinander getrennt sind. In der lichtemittierenden Vorrichtung 1 ist das lichtemittierende Element 132 separat für jedes Pixel vorgesehen. Somit ist es möglich, den Lichtabschirmabschnitt 141 zwischen den lichtemittierenden Elementen 132 der entsprechenden Pixel anzuordnen. Dementsprechend ist die lichtemittierende Vorrichtung 1 in der Lage, Lichtlecks zwischen den Pixeln weiter zu unterdrücken.
  • Die Isolierschichten 140 und 142 umfassen jeweils ein Isoliermaterial und sind so angeordnet, dass sie die Peripherie des lichtemittierenden Elements 132, der Pixelelektrode 131 und der gemeinsamen Elektrode 133 füllen. Die Isolierschichten 140 und 142 isolieren jeweils das lichtemittierende Element 132, die Pixelelektrode 131 und die gemeinsame Elektrode 133 elektrisch auf einer Pro-Pixel-Basis, was es dem lichtemittierenden Element 132 ermöglicht, auf einer Pro-Pixel-Basis zu treiben. Die Isolierschichten 140 und 142 können z. B. jeweils ein isolierendes Oxynitrid, wie z. B. SiOx, SiNx, SiON oder Al2O3, umfassen.
  • Die Fluoreszenzschicht 151 umfasst ein lichtumwandelndes Material, das eine Farbe des von dem lichtemittierenden Element 132 emittierten Lichts umwandelt. Die Fluoreszenzschicht 151 ist z. B. auf einer Seite, die nicht mit dem Lichtabschirmabschnitt 141 bedeckt ist, entsprechend dem lichtemittierenden Element 132 jedes Pixels angeordnet. Die Fluoreszenzschicht 151 kann z. B. blaues Licht, das von dem lichtemittierenden Element 132 emittiert wird, in rotes und grünes Licht umwandeln, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 1 ermöglicht, Licht in den drei Primärfarben Rot, Grün und Blau zu emittieren. Alternativ kann die Fluoreszenzschicht 151 weißes Licht, das von dem lichtemittierenden Element 132 emittiert wird, in blaues, rotes und grünes Licht umwandeln, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 1 ermöglicht, Licht in den drei Primärfarben Rot, Grün und Blau zu emittieren. Als lichtumwandelndes Material kann die Fluoreszenzschicht 151 z. B. ein anorganisches fluoreszierendes Material, ein organisches fluoreszierendes Material, Quantenpunkte oder dergleichen umfassen.
  • Die Pixeltrennschicht 150 ist angeordnet, um die Fluoreszenzschichten 151 für die entsprechenden Pixel zwischen den Fluoreszenzschichten 151 voneinander zu trennen, um eine Vermischung des lichtumwandelnden Materials zwischen den Pixeln zu verhindern. Die Pixeltrennschicht 150 kann ein Material umfassen, das eine lichtabschirmende Eigenschaft hat (oder ein Material, das nicht transparent ist), um eine Farbvermischung zwischen den Pixeln zu verhindern.
  • Die Schutzschicht 152 ist eine Schicht, die die Fluoreszenzschicht 151 und dergleichen vor einer äußeren Umgebung schützt, und ist in Bezug auf die Fluoreszenzschicht 151 auf der Seite angeordnet, die der Seite gegenüberliegt, auf der das lichtemittierende Element 132 angeordnet ist. Die Schutzschicht 152 kann als ein einschichtiger Film, der z. B. eines von lichtdurchlässigen Isoliermaterialien umfasst, die SiOx, SiNx, SiON, Al2O3 und dergleichen umfassen, oder als ein gestapelter Film, der zwei oder mehr solcher lichtdurchlässigen Isoliermaterialien umfasst, angeordnet sein. Alternativ kann die Schutzschicht 152 ein lichtdurchlässiges anorganisches Material, wie z. B. Borosilikatglas, Quarzglas oder Saphirglas, oder ein lichtdurchlässiges organisches Material, wie z. B. Acrylharz, umfassen.
  • Die Durchkontaktierung 123 umfasst ein elektrisch leitendes Material und erstreckt sich von der Pixelelektrode 131 oder dem Kontaktabschnitt 135 zu dem Treibersubstrat 110 hin. Die Durchkontaktierung 123 ist in der Lage, die Pixelelektrode 131 oder den Kontaktabschnitt 135 elektrisch mit dem Metallübergang 122 zu koppeln, der an einer Grenzfläche zwischen der Isolierschicht 140 und der Zwischenlagenisolierschicht 120 angeordnet ist. Die Durchkontaktierung 123 kann z. B. eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur aufweisen, die ein Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, umfasst.
  • Der Metallübergang 122 umfasst ein Metall wie Cu und ist an der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht 140 und der Zwischenlagenisolierschicht 120 angeordnet. Insbesondere wird der Metallübergang 122 durch Bonden einer Elektrode, die auf der Isolierschicht 140 freiliegt, und einer Elektrode, die auf der Zwischenlagenisolierschicht 120 freiliegt, gebildet, wenn die Isolierschicht 140, die mit dem lichtemittierenden Element 132 versehen ist, und die Zwischenlagenisolierschicht 120, auf die das Treibersubstrat 110 gestapelt ist, aneinander befestigt werden. Der Metallübergang 122 ist in der Lage, die in der Isolierschicht 140 angeordnete Durchkontaktierung 123 und die in der Zwischenlagenisolierschicht 120 angeordnete Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 elektrisch miteinander zu koppeln. Dementsprechend ist die lichtemittierende Vorrichtung 1 in der Lage, die Durchkontaktierung 123 und die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 mittels einer einfachen Struktur wie z. B. des Metallübergangs 122 elektrisch miteinander zu koppeln. Dadurch kann eine Verdrahtungskonfiguration weiter vereinfacht werden.
  • Die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 umfasst ein elektrisch leitendes Material und ist eine Verdrahtungsleitung, die über eine Mehrzahl von Schichten hin in der Zwischenlagenisolierschicht 120 angeordnet ist. Die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 ist in der Lage, den Metallübergang 122, der an der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht 140 und der Zwischenlagenisolierschicht 120 angeordnet ist, mit jedem der auf dem Treibersubstrat 110 angeordneten Elemente elektrisch zu koppeln. Die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur mit einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, aufweisen.
  • Die Zwischenlagenisolierschicht 120 umfasst ein isolierendes Material und trennt die entsprechenden Verdrahtungsleitungen der Mehrlagenverdrahtungsschichten 121 elektrisch voneinander. Die Zwischenlagenisolierschicht 120 kann z. B. ein isolierendes Oxynitrid, wie z. B. SiOx, SiNx, SiON oder Al2O3, umfassen.
  • Das Treibersubstrat 110 umfasst eine Schaltung, die die lichtemittierenden Elemente 132 der entsprechenden Pixel treibt. Das Treibersubstrat 110 kann z. B. ein Halbleitersubstrat, das Si oder dergleichen umfasst, oder ein Harzsubstrat, das PCB (Polychloriertes Biphenyl) oder dergleichen umfasst, sein.
  • Das Treibersubstrat 110 kann z. B. umfassen: eine Pixelschaltung, die das lichtemittierende Element 132 für jedes Pixel einzeln treibt, und eine gemeinsame Schaltung, die jedes Pixel vertikal oder horizontal abtastet. Die Pixelschaltung umfasst eine Mehrzahl von MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) und ist für jedes Pixel angeordnet. Die Pixelschaltung ist z. B. elektrisch mit dem elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode 133 gekoppelten Kontaktabschnitt 135 und der Pixelelektrode 131 jedes Pixels gekoppelt. Die gemeinsame Schaltung umfasst eine Vertikal-Treiberschaltung und eine Horizontal-Treiberschaltung zum sequentiellen Abtasten jeder der vertikalen und horizontalen Treiberleitung, die rechtwinklig zueinander verlaufen. Jeder Schnittpunkt der vertikalen Treiberleitung und der horizontalen Treiberleitung entspricht jedem Pixel und die lichtemittierende Vorrichtung 1 ist in der Lage, jedes Pixel durch sequentielles Treiben der vertikalen Treiberleitung und der horizontalen Treiberleitung zu treiben, die in der gemeinsamen Schaltung enthalten sind.
  • (1.2. Detaillierte Konfiguration)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 2 eine detaillierte Konfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 2 ist eine orthografische Ansicht, in der die Pixelelektrode 131, das lichtemittierende Element 132, die gemeinsame Elektrode 133, der Elektrodenkoppler 134 und der Kontaktabschnitt 135 extrahiert sind.
  • Wie in 2 dargestellt, sind die gemeinsame Elektrode 133, ein zweites lichtemittierendes Element 132B, ein erstes lichtemittierendes Element 132A und die Pixelelektrode 131 in dieser Reihenfolge gestapelt. Das erste lichtemittierende Element 132A entspricht z. B. einer Stapelstruktur aus p-GaN, p-AlGaN und der Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs) und das zweite lichtemittierende Element 132B entspricht z. B. einer Stapelstruktur aus n-GaN und u-GaN. Das erste lichtemittierende Element 132A und das zweite lichtemittierende Element 132B bilden das lichtemittierende Element 132.
  • Hier haben das zweite lichtemittierende Element 132B, das erste lichtemittierende Element 132A und die Pixelelektrode 131 jeweils eine Inselform und ist die Inselform separat für jedes Pixel vorgesehen. Die gemeinsame Elektrode 133 ist für jedes der benachbarten Pixel separat angeordnet. Die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel sind durch den Elektrodenkoppler 134, der von dem mit dem ersten lichtemittierenden Element 132A und dem zweiten lichtemittierenden Element 132B versehenen Bereich hervorragt, elektrisch miteinander gekoppelt. Es sei angemerkt, dass ferner der Kontaktabschnitt 135 zum Bereitstellen eines elektrischen Kontakts mit der gemeinsamen Elektrode 133 an dem Elektrodenkoppler 134 angeordnet ist, der von dem mit dem ersten lichtemittierenden Element 132A und dem zweiten lichtemittierenden Element 132B versehenen Bereich hervorragt.
  • Der Elektrodenkoppler 134 kann integral mit der gemeinsamen Elektrode 133 angeordnet sein und kann als eine mit der gemeinsamen Elektrode 133 zusammenhängende Schicht ein mit dieser identisches Material umfassen. Mit anderen Worten kann, wie bei der gemeinsamen Elektrode 133, der Elektrodenkoppler 134 eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur umfassen, die ein transparentes, elektrisch leitendes Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, umfasst. Ferner kann der Elektrodenkoppler 134 elektrisch mit den gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel von einer Seite aus in identischer Richtung in einer Ebene gekoppelt sein. In einem solchen Fall sind der Elektrodenkoppler 134 und die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel so angeordnet, dass sie eine plane Kammform haben.
  • Wenn der Elektrodenkoppler 134 als eine mit den gemeinsamen Elektroden 133 zusammenhängende Schicht angeordnet ist, werden der Elektrodenkoppler 134 und die gemeinsamen Elektroden 133 zu Filmen gebildet und gleichzeitig geformt, wodurch die Anzahl von Prozessen reduziert wird. Ferner ist der Elektrodenkoppler 134 in der Lage, einen Ausbreitungsweg von Licht zu begrenzen, indem er geformt wird, wodurch es möglich ist, Lichtlecks zwischen den Pixeln durch die gemeinsame Elektrode 133 und den Elektrodenkoppler 134 weiter zu unterdrücken. Ferner ist ein Brechungsindexunterschied zwischen Luft (mit einem Brechungsindex von 1,0) und ITO (mit einem Brechungsindex von etwa 2,0) kleiner als ein Brechungsindexunterschied zwischen Luft (mit einem Brechungsindex von 1,0) und GaN (mit einem Brechungsindex von etwa 2,5), so dass der Elektrodenkoppler 134, wenn der Elektrodenkoppler 134 das gleiche transparente elektrisch leitende Material wie die gemeinsame Elektrode 133 umfasst, die Reflexion an einer Grenzfläche mit der Luft unterdrückt, wodurch Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 134 weiter unterdrückt werden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst das lichtemittierende Element 132, das in der inselförmigen Struktur separat für jedes Pixel vorgesehen ist, und ist deshalb in der Lage, Lichtlecks zwischen den Pixeln zu unterdrücken im Vergleich zu einem Fall, in dem das lichtemittierende Element 132 eine Struktur aufweist, die über die Mehrzahl von Pixeln hin angeordnet ist. Ferner sind in der lichtemittierenden Vorrichtung 1 die gemeinsamen Elektroden 133, an die ein gemeinsames Potential für die entsprechenden Pixel angelegt wird, zwischen den Pixeln voneinander getrennt und durch den Elektrodenkoppler 134, der von dem mit dem lichtemittierenden Element 132 versehenen Bereich hervorragt, elektrisch miteinander gekoppelt. Dementsprechend ist die gemeinsame Elektrode 133 in der Lage, Lichtlecks zwischen den Pixeln durch die gemeinsame Elektrode 133 zu unterdrücken.
  • (1.3. Herstellungsverfahren)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 3A bis 3U ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 3A bis 3U sind jeweils eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist.
  • Zuerst wird, wie in 3A dargestellt, das lichtemittierende Element 132 durch epitaktisches Aufwachsen des Verbindungshalbleiters der Gruppe III-V auf einem Kristallwachstumssubstrat 160 gebildet, das Si, Saphir oder dergleichen umfasst. Das lichtemittierende Element 132 kann durch sequentielles Stapeln der Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V in der Reihenfolge von z. B. p-GaN, p-AlGaN, der Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs), n-GaN und u-GaN gebildet werden.
  • Danach wird, wie in 3B dargestellt, ein Film aus SiOx oder dergleichen auf dem lichtemittierenden Element 132 gebildet, um dadurch einen Oxidfilm 140A zu bilden. Der Oxidfilm 140A wird z. B. ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe ein Trägersubstrat 161 an das lichtemittierende Element 132 zu bonden.
  • Danach wird, wie in 3C dargestellt, das Trägersubstrat 161 an den Oxidfilm 140A gebondet. Als das Trägersubstrat 161 kann z. B. ein Si-Substrat oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass 3C in Bezug auf 3B vertikal gespiegelt ist.
  • Danach wird, wie in 3D dargestellt, das Kristallwachstumssubstrat 160 von dem lichtemittierenden Element 132 entfernt. Insbesondere kann das Kristallwachstumssubstrat 160 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von dem lichtemittierenden Element 132 entfernt werden. Das Kristallwachstumssubstrat 160 kann auch mittels CMP (chemisch-mechanischem Polieren), Trockenätzen oder dergleichen von dem lichtemittierenden Element 132 entfernt werden.
  • Danach wird, wie in 3E dargestellt, ein Film aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material, wie z. B. ITO, auf dem lichtemittierenden Element 132 gebildet, um dadurch die gemeinsame Elektrode 133 zu bilden, die den Elektrodenkoppler 134 umfasst.
  • Danach wird, wie in 3F dargestellt, ein Film aus SiOx auf der gemeinsamen Elektrode 133 gebildet, um dadurch die Isolierschicht 142 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 3G dargestellt, ein Trägersubstrat 162 an die Isolierschicht 142 gebondet. Als das Trägersubstrat 162 kann z. B. ein Si-Substrat oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass 3G in Bezug auf 3F vertikal gespiegelt ist.
  • Danach wird, wie in 3H dargestellt, das Trägersubstrat 161 von der Oberseite des Oxidfilms 140A entfernt. Beispielsweise kann das Trägersubstrat 161 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von der Oberseite des Oxidfilms 140A entfernt werden.
  • Danach wird, wie in 3I dargestellt, der Oxidfilm 140A unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 131H in dem Oxidfilm 140A zu bilden. Die Öffnung 131H wird ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe die Pixelelektrode 131 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 3J dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, so gebildet, dass er die Öffnung 131H füllt, um dadurch die Pixelelektrode 131 zu bilden.
  • Danach werden, wie in 3K dargestellt, der Oxidfilm 140A und das lichtemittierende Element 132 unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 135H in dem Oxidfilm 140A und in dem lichtemittierenden Element 132 zu bilden, die sich in einem Bereich befindet, der sich von einem Bereich unterscheidet, in dem die Pixelelektrode 131 gebildet worden ist. Die Öffnung 135H wird ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe den Kontaktabschnitt 135 zu bilden, und das transparente, elektrisch leitende Material, das mittels der Öffnung 135H freigelegt wird, wird zum Elektrodenkoppler 134.
  • Danach wird, wie in 3L dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, an dem Elektrodenkoppler 134 in der Öffnung 135H gebildet, um dadurch den Kontaktabschnitt 135 zu bilden.
  • Danach werden, wie in 3M dargestellt, der Oxidfilm 140A, das lichtemittierende Element 132, die gemeinsame Elektrode 133 und die Isolierschicht 142 unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 130H zu bilden, die die lichtemittierenden Elemente 132 für jedes Pixel voneinander trennt. Dabei wird die Öffnung 130H so gebildet, dass die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel durch den Elektrodenkoppler 134 elektrisch gekoppelt sind, während die lichtemittierenden Elemente 132 für jedes Pixel voneinander getrennt sind.
  • Danach werden, wie in 3N dargestellt, die Isolierschicht 140 und der Lichtabschirmabschnitt 141 so gebildet, dass sie die Pixel füllen. Die Isolierschicht 140 wird z. B. durch Bilden eines Films aus SiOx oder dergleichen unter Verwendung von CVD (chemischer Gasphasenabscheidung) oder dergleichen ausgebildet. Ferner wird der Lichtabschirmabschnitt 141 durch Bilden eines Films aus einem Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, außer auf der Pixelelektrode 131 und dem Kontaktabschnitt 135 gebildet.
  • Danach wird, wie in 3O dargestellt, die Isolierschicht 140 unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 123H in der Isolierschicht 140 in jedem von einem Bereich, der der Pixelelektrode 131 entspricht, und einem Bereich, der dem Kontaktabschnitt 135 entspricht, zu bilden. Die Öffnung 123H wird ausgebildet, um die Durchkontaktierung 123 zu bilden, die in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe elektrisch mit der Pixelelektrode 131 und dem Kontaktabschnitt 135 gekoppelt wird.
  • Danach wird, wie in 3P dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, so gebildet, dass er die Öffnung 123H füllt, um dadurch die Durchkontaktierung 123 zu bilden. Es sei angemerkt, dass eine Elektrode, die der Metallübergang 122 sein wird, in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe an der Durchkontaktierung 123 gebildet wird.
  • Danach wird, wie in 3Q dargestellt, das Treibersubstrat 110, auf das die Zwischenlagenisolierschicht 120, die die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121 umfasst, gestapelt ist, an der in den Prozessen gemäß 3A bis 3P gebildeten Stapelstruktur befestigt. Insbesondere werden die in den Prozessen gemäß 3A bis 3P gebildete Stapelstruktur und das Treibersubstrat 110 so aneinander befestigt, dass sich die Isolierschicht 140 und die Zwischenlagenisolierschicht 120 gegenüberliegen. Hier werden die auf den entsprechenden Oberflächen freiliegenden Elektroden an der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht 140 und der Zwischenlagenisolierschicht 120 aneinander gebondet, um dadurch den Metallübergang 122 zu bilden. Es sei angemerkt, dass 3Q in Bezug auf 3P vertikal gespiegelt ist.
  • Danach wird, wie in 3R dargestellt, das Trägersubstrat 162 von der Oberseite der Isolierschicht 142 entfernt. Beispielsweise kann das Trägersubstrat 162 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von der Oberseite der Isolierschicht 142 entfernt werden.
  • Danach wird, wie in 3S dargestellt, die gesamte Isolierschicht 142 in einem solchen Ausmaß geätzt, dass ein Teil des Lichtabschirmabschnitts 141 freigelegt wird. Dies ermöglicht eine weitere Verkürzung des Abstands von einer lichtemittierenden Fläche zu dem lichtemittierenden Element 132 in der lichtemittierenden Vorrichtung 1, wodurch die Effizienz der Extraktion von Licht aus dem lichtemittierenden Element 132 weiter verbessert wird.
  • Danach werden, wie in 3T dargestellt, die Fluoreszenzschicht 151 und die Pixeltrennschicht 150 auf der Oberseite der Isolierschicht 142 gebildet. Die Fluoreszenzschicht 151 kann z. B. Quantenpunkte oder dergleichen umfassen und die Pixeltrennschicht 150 kann z. B. Al oder dergleichen umfassen.
  • Danach wird, wie in 3U dargestellt, ein Film aus einem lichtdurchlässigen Isoliermaterial, wie z. B. SiOx, SiNx, SiON oder Al2O3, auf der Fluoreszenzschicht 151 und der Pixeltrennschicht 150 gebildet, um dadurch die Schutzschicht 152 zu bilden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann so mittels der vorstehend beschriebenen Prozesse hergestellt werden.
  • (1.4. Modifikationsbeispiele)
  • Nachstehend werden mit Bezugnahme auf 4 bis 9 ein erstes bis sechstes Modifikationsbeispiel der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • (Erstes Modifikationsbeispiel)
  • 4 ist eine Draufsicht auf eine plane Form gemeinsamer Elektroden 133A und eines Elektrodenkopplers 134A, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 4 dargestellt, kann der Elektrodenkoppler 134 z. B. sechs gemeinsame Elektroden 133 elektrisch miteinander koppeln.
  • Mit anderen Worten ist die Anzahl von gemeinsamen Elektroden 133, die der Elektrodenkoppler 134 elektrisch koppelt, nicht auf drei beschränkt, wie in 2 dargestellt. Die Anzahl ist nicht speziell beschränkt, solange der Elektrodenkoppler 134 eine Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden 133 elektrisch koppelt.
  • (Zweites Modifikationsbeispiel)
  • 5 ist eine Draufsicht, die eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode 133B und eines Elektrodenkopplers 134B einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel darstellt. Wie in 5 dargestellt, kann die gemeinsame Elektrode 133B z. B. auch nicht die gesamte zweite Oberfläche des lichtemittierenden Elements 132 bedecken. Mit anderen Worten kann die gemeinsame Elektrode 133B ein elektrisches Feld an einem Teil der zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements 132 an das lichtemittierende Element 132 anlegen.
  • (Drittes Modifikationsbeispiel)
  • 6 ist eine Draufsicht, die eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode 133C und eines Elektrodenkopplers 134C einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel zeigt. Wie in 6 dargestellt, können die gemeinsame Elektrode 133C und der Elektrodenkoppler 134C, wenn die gemeinsame Elektrode 133C nicht die gesamte zweite Oberfläche des lichtemittierenden Elements 132 bedeckt, ein anderes Metallmaterial als das transparente, elektrisch leitende Material umfassen, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, oder Au. In einem solchen Fall ist das lichtemittierende Element 132 in der Lage, Licht von der zweiten Oberfläche zu emittieren, die nicht von der gemeinsamen Elektrode 133 bedeckt ist.
  • (Viertes Modifikationsbeispiel)
  • 7 ist eine Draufsicht, die eine plane Form einer gemeinsamen Elektrode 133D und eines Elektrodenkopplers 134D einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem vierten Modifikationsbeispiel darstellt. Wie in 7 dargestellt, kann z. B. ein Kopplungsabschnitt zwischen der gemeinsamen Elektrode 133D und dem Elektrodenkoppler 134D geformt sein. Genauer kann der Kopplungsabschnitt zwischen der gemeinsamen Elektrode 133D und dem Elektrodenkoppler 134D in einer verengten planen Form gebildet sein, um den Ausbreitungsweg des Lichts weiter zu verengen. Dementsprechend können die gemeinsame Elektrode 133D und der Elektrodenkoppler 134D Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 134D weiter unterdrücken.
  • (Fünftes Modifikationsbeispiel)
  • 8 ist eine Draufsicht, in der die Pixelelektrode 131, das lichtemittierende Element 132, die gemeinsame Elektrode 133, der Elektrodenkoppler 134 und der Kontaktabschnitt 135, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem fünften Modifikationsbeispiel enthalten sind, extrahiert sind. Wie in 8 dargestellt, können die Pixel, die jeweils die Pixelelektrode 131 und das lichtemittierende Element 132 umfassen, und die Elektrodenkoppler 134, die jeweils die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel elektrisch koppeln, in einer Matrix angeordnet sein. Mit anderen Worten können die Pixel, die jeweils die Pixelelektrode 131 und das lichtemittierende Element 132 umfassen, in jeglicher Anordnung angeordnet sein und können auch die Elektrodenkoppler 134, die jeweils die gemeinsamen Elektroden 133 der entsprechenden Pixel elektrisch koppeln, in jeglicher Form angeordnet sein. Es sei angemerkt, dass die Pixel, die jeweils die Pixelelektrode 131 und das lichtemittierende Element 132 umfassen, in einer Delta-Anordnung angeordnet sein können, die eine Anordnung von Scheiteln eines gleichseitigen Dreiecks ist.
  • (Sechstes Modifikationsbeispiel)
  • 9 ist eine orthographische Ansicht, in der die Pixelelektrode 131, das lichtemittierende Element 132 (das zweite lichtemittierende Element 132B und das erste lichtemittierende Element 132A), die gemeinsame Elektrode 133, der Elektrodenkoppler 134 und der Kontaktabschnitt 135 gemäß einem sechsten Modifikationsbeispiel extrahiert sind. Wie in 9 dargestellt, kann eine Stapelstruktur des lichtemittierenden Elements 132 gegenüber der in 2 dargestellten Stapelstruktur umgekehrt sein. Insbesondere kann das lichtemittierende Element 132 wie folgt ausgelegt sein: das erste lichtemittierende Element 132A, in dem p-GaN, p-AlGaN und die Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs) in dieser Reihenfolge von einer Seite der gemeinsamen Elektrode 133 aus gestapelt sind, und das zweite lichtemittierende Element 132B, in dem n-GaN und u-GaN gestapelt sind.
  • <2. Zweite Ausführungsform>
  • (2.1. Gesamtkonfiguration)
  • Nachstehend wird mit Bezugnahme auf 10 eine Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. 10 ist eine vertikale Querschnittsansicht der Gesamtkonfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
  • Wie in 10 dargestellt ist, umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform z. B. ein lichtemittierendes Element 232, eine erste Pixelelektrode 231A und eine zweite Pixelelektrode 231B (auch als eine Pixelelektrode 231 bezeichnet, die beide umfasst), eine gemeinsame Elektrode 233, einen Elektrodenkoppler 241, einen Kontaktabschnitt 235, eine Isolierschicht 240, eine Fluoreszenzschicht 251, eine Pixeltrennschicht 250, eine Durchkontaktierung 223, einen Metallübergang 222, eine Mehrlagenverdrahtungsschicht 221, eine Zwischenlagenisolierschicht 220 und ein Treibersubstrat 210.
  • Das lichtemittierende Element 232, der Kontaktabschnitt 235, die Isolierschicht 240, die Fluoreszenzschicht 251, die Pixeltrennschicht 250, die Durchkontaktierung 223, der Metallübergang 222, die Mehrlagenverdrahtungsschicht 221, die Zwischenlagenisolierschicht 220 und das Treibersubstrat 210 sind jeweils im Wesentlichen ähnlich wie das lichtemittierende Element 132, der Kontaktabschnitt 135, die Isolierschicht 140, die Fluoreszenzschicht 151, die Pixeltrennschicht 150, die Durchkontaktierung 123, der Metallübergang 122, die Mehrlagenverdrahtungsschicht 121, die Zwischenlagenisolierschicht 120 und das Treibersubstrat 110, die in der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben sind.
  • Es sei angemerkt, dass eine plane Positionsbeziehung der Durchkontaktierung 223 und des Metallübergangs 222 im Verhältnis zu jedem Pixel P in 11 dargestellt ist. 11 ist eine Draufsicht auf die plane Positionsbeziehung der Durchkontaktierung 223 und des Metallübergangs 222 im Verhältnis zu jedem Pixel P.
  • Wie in 11 dargestellt, können die Pixel P in einer Richtung in einer rechteckigen Form angeordnet sein und kann jedes Pixel z. B. als ein rotes Pixel (R), ein grünes Pixel (G) oder ein blaues Pixel (B) dienen. Ferner können die mit den Pixelelektroden 231 des roten Pixels (R), des grünen Pixels (G) und des blauen Pixels (B) elektrisch gekoppelten Durchkontaktierungen 223 so angeordnet sein, dass sie elektrisch mit den Metallübergängen 222 gekoppelt sind, die in einer Matrix in Bereichen angeordnet sind, die jeweils mit dem roten Pixel (R), dem grünen Pixel (G) oder dem blauen Pixel (B) versehen sind. Die elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 235 gekoppelten Durchkontaktierungen 223 können ebenfalls so angeordnet sein, dass sie elektrisch mit den in der Matrix angeordneten Metallübergängen 222 gekoppelt sind. Dadurch können die Durchkontaktierungen 223 und die Metallübergänge 222 in der lichtemittierenden Vorrichtung 2 effizienter angeordnet werden.
  • Die erste Pixelelektrode 231A und die zweite Pixelelektrode 231B bilden eine Pixelelektrode, die in der Lage ist, ein unabhängiges Potential für jedes Pixel anzulegen, und sind für jedes Pixel auf einer Seite einer ersten Oberfläche (d. h. auf einer Unterseite gemäß 10) des lichtemittierenden Elements 232 angeordnet. Die erste Pixelelektrode 231A kann z. B. ein Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, umfassen und die zweite Pixelelektrode 231B kann ein transparentes, elektrisch leitendes Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, umfassen.
  • Die gemeinsame Elektrode 233 ist eine Elektrode, die in der Lage ist, ein gemeinsames Potential an eine Mehrzahl von Pixeln anzulegen, und ist elektrisch mit einer Seitenfläche einer obersten Schicht auf einer Seite einer zweiten Oberfläche (d. h. auf einer Oberseite in 10) des lichtemittierenden Elements 232 gekoppelt, wobei die Seite der zweiten Oberfläche der Seite der ersten Oberfläche gegenüberliegt. Die gemeinsame Elektrode 233 kann z. B. eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur mit einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, aufweisen. Die gemeinsamen Elektroden 233 der entsprechenden Pixel sind durch den Elektrodenkoppler 241 elektrisch miteinander gekoppelt, wodurch es möglich ist, ein gemeinsames Potential an die Mehrzahl von Pixeln anzulegen.
  • Der Elektrodenkoppler 241 ist so angeordnet, dass er das lichtemittierende Element 232 jedes Pixels mit einem Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, umgibt. Der Elektrodenkoppler 241 ist elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode 233 jedes Pixels und mit dem Elektrodenkoppler 241, der das benachbarte Pixel umgibt, gekoppelt, wodurch es möglich ist, die gemeinsamen Elektroden 233 der entsprechenden Pixel elektrisch miteinander zu koppeln.
  • Ferner kann der Elektrodenkoppler 241 eine Höhe haben, die sich von der gemeinsamen Elektrode 233 zu der ersten Pixelelektrode 231A erstreckt, und kann so angeordnet sein, dass er die Peripherie des lichtemittierenden Elements 232 jedes Pixels umgibt. Dementsprechend ist der Elektrodenkoppler 241 in der Lage, Licht zwischen den lichtemittierenden Elementen 232 der entsprechenden Pixel abzuschirmen. In einem solchen Fall ist der Elektrodenkoppler 241 auch in der Lage, die Funktion des Lichtabschirmabschnitts 141 zu übernehmen, der in der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform enthalten ist. Der Elektrodenkoppler 241 wird später mit Bezugnahme auf 12A und 12B ausführlich beschrieben.
  • (2.2. Detaillierte Konfiguration)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 12A und 12B die detaillierte Konfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 12A ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der die Pixelelektrode 231, das lichtemittierende Element 232, die gemeinsame Elektrode 233, der Elektrodenkoppler 241 und der Kontaktabschnitt 235 extrahiert sind. 12B ist eine Draufsicht, in der die Pixelelektrode 231, das lichtemittierende Element 232, die gemeinsame Elektrode 233, der Elektrodenkoppler 241 und der Kontaktabschnitt 235 extrahiert sind.
  • Wie in 12A und 12B dargestellt, sind das zweite lichtemittierende Element 232B, das erste lichtemittierende Element 232A und die Pixelelektrode 231 in dieser Reihenfolge gestapelt. Das erste lichtemittierende Element 232A entspricht z. B. einer Stapelstruktur aus p-GaN, p-AlGaN und der Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs) und das zweite lichtemittierende Element 232B entspricht z. B. einer Stapelstruktur aus n-GaN und u-GaN. Das erste lichtemittierende Element 232A und das zweite lichtemittierende Element 232B bilden das lichtemittierende Element 232. Die gemeinsame Elektrode 233 ist an einer Seitenfläche von u-GaN angeordnet, die eine unterste Schicht des zweiten lichtemittierenden Elements 232B ist.
  • Das zweite lichtemittierende Element 232B, das erste lichtemittierende Element 232A und die Pixelelektrode 231 haben jeweils eine Inselform und die Inselform ist separat für jedes Pixel vorgesehen. Der Elektrodenkoppler 241 ist so angeordnet, dass er das zweite lichtemittierende Element 232B, das erste lichtemittierende Element 232A und die Pixelelektrode 231 umgibt. Der Elektrodenkoppler 241 ist elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode 233 gekoppelt, die auf der Seitenfläche der untersten Schicht des zweiten lichtemittierenden Elements 232B angeordnet ist, und ist elektrisch mit dem Elektrodenkoppler 241 gekoppelt, der so angeordnet ist, dass er das lichtemittierende Element 232 jedes Pixels umgibt. Dementsprechend ist der Elektrodenkoppler 241 in der Lage, die gemeinsamen Elektroden 233 der entsprechenden Pixel elektrisch miteinander zu koppeln. Es sei angemerkt, dass der Elektrodenkoppler 241 so angeordnet ist, dass er von dem ersten lichtemittierenden Element 232A und dem zweiten lichtemittierenden Element 232B elektrisch getrennt ist.
  • Ferner umfasst der Elektrodenkoppler 241 ein Metallmaterial mit einer lichtabschirmenden Eigenschaft und hat eine Höhe, die größer ist als die Höhe des Stapels aus dem zweiten lichtemittierenden Element 232B, dem ersten lichtemittierenden Element 232A und der Pixelelektrode 231. Dementsprechend ist es möglich, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den lichtemittierenden Elementen 232 der entsprechenden Pixel zu unterdrücken.
  • Ferner ist der Kontaktabschnitt 235 an dem Elektrodenkoppler 241 als ein elektrischer Kontakt mit der gemeinsamen Elektrode 233 angeordnet. Dadurch kann der Kontaktabschnitt 235 mittels der Durchkontaktierung 223 von der gleichen Seite elektrisch gekoppelt werden wie die Seite, auf der sich die Pixelelektrode 231 befindet. Der Kontaktabschnitt 235 kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur mit einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, aufweisen.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst die gemeinsame Elektrode 233, die auf einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements 232 angeordnet ist, und ist deshalb in der Lage, ein Lichtemissionsflächenverhältnis in dem lichtemittierenden Element 232 weiter zu erhöhen. Ferner ist in der lichtemittierenden Vorrichtung 2 das lichtemittierende Element 232 in der inselförmigen Struktur separat für jedes Pixel vorgesehen und umgibt der Elektrodenkoppler 241, der auch als der Lichtabschirmabschnitt fungiert, die Peripherie des lichtemittierenden Elements 232 jedes Pixels. Dementsprechend ist die lichtemittierende Vorrichtung 2 in der Lage, Lichtlecks zwischen den Pixeln zu unterdrücken.
  • (2.3. Herstellungsverfahren)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 13A bis 13V ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 13A bis 13V sind jeweils eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in dem Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist.
  • Zuerst wird, wie in 13A dargestellt, das lichtemittierende Element 232 durch epitaktisches Aufwachsen des Verbindungshalbleiters der Gruppe III-V auf einem Kristallwachstumssubstrat 260 gebildet, das Si, Saphir oder dergleichen umfasst. Das lichtemittierende Element 232 kann durch sequentielles Stapeln der Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V in der Reihenfolge von z. B. u-GaN, n-GaN, der Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs), p-AlGaN und p-GaN gebildet werden.
  • Danach wird, wie in 13B dargestellt, ein Film aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material, wie z. B. ITO, auf dem lichtemittierenden Element 232 gebildet, um dadurch die zweite Pixelelektrode 231B zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13C dargestellt, ein Film aus SiOx oder dergleichen auf der zweiten Pixelelektrode 231B gebildet, um dadurch einen Oxidfilm 240A zu bilden. Der Oxidfilm 240A wird z. B. ausgebildet, um ein Trägersubstrat 261 in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe an das lichtemittierende Element 232 zu bonden.
  • Danach wird, wie in 13D dargestellt, das Trägersubstrat 261 an den Oxidfilm 240A gebondet. Als das Trägersubstrat 261 kann z. B. ein Si-Substrat oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass 13D in Bezug auf 13C vertikal gespiegelt ist.
  • Danach wird, wie in 13E dargestellt, das Kristallwachstumssubstrat 260 von dem lichtemittierenden Element 232 entfernt. Insbesondere kann das Kristallwachstumssubstrat 260 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von dem lichtemittierenden Element 232 entfernt werden. Das Kristallwachstumssubstrat 260 kann auch durch CMP (chemisch-mechanisches Polieren), Trockenätzen oder dergleichen von dem lichtemittierenden Element 232 entfernt werden.
  • Danach wird, wie in 13F dargestellt, das lichtemittierende Element 232 unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 233H in dem lichtemittierenden Element 232 zu bilden. Die Öffnung 233H wird ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe die gemeinsame Elektrode 233 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13G dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, so gebildet, dass er die Öffnung 233H füllt, um dadurch die gemeinsame Elektrode 233 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13H dargestellt, ein Film aus SiOx oder dergleichen auf dem lichtemittierenden Element 232 und der gemeinsamen Elektrode 233 gebildet, um dadurch die Isolierschicht 242 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13I dargestellt, das Trägersubstrat 262 an die Isolierschicht 242 gebondet. Als das Trägersubstrat 262 kann z. B. ein Si-Substrat oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass 13I in Bezug auf 13H vertikal gespiegelt ist.
  • Danach wird, wie in 13J dargestellt, das Trägersubstrat 261 von der Oberseite des Oxidfilms 240A entfernt. Beispielsweise kann das Trägersubstrat 261 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von der Oberseite des Oxidfilms 240A entfernt werden.
  • Danach wird, wie in 13K dargestellt, der Oxidfilm 240A unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 231H in dem Oxidfilm 240A zu bilden. Die Öffnung 231H wird ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe die erste Pixelelektrode 231A zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13L dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, so gebildet, dass er die Öffnung 231H füllt, um dadurch die erste Pixelelektrode 231A zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13M dargestellt, der Oxidfilm 240A weiter über der ersten Pixelelektrode 231A gebildet.
  • Danach werden, wie in 13N dargestellt, der Oxidfilm 240A, die zweite Pixelelektrode 231B und das lichtemittierende Element 232 unter Verwendung von Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung 230H zu bilden, die die lichtemittierenden Elemente 232 für jedes Pixel voneinander trennt. Dabei wird die Öffnung 230H so gebildet, dass die gemeinsame Elektrode 233 freigelegt wird.
  • Danach wird, wie in 13O dargestellt, ein Film aus SiOx oder dergleichen auf einer Seitenfläche einer Innenseite der Öffnung 230H gebildet, um dadurch eine Seitenwand 240B zu bilden. Die Seitenwand 240B wird zur elektrischen Isolierung des in der Öffnung 230H gebildeten Elektrodenkopplers 241 und des lichtemittierenden Elements 232 angeordnet.
  • Danach wird, wie in 13P dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial mit einer lichtabschirmenden Eigenschaft, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, so gebildet, dass er die Öffnung 230H füllt, um dadurch den Elektrodenkoppler 241 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13Q dargestellt, die Isolierschicht 240 so gebildet, dass sie die Pixel füllt. Die Isolierschicht 240 wird z. B. durch Bilden eines Films aus SiOx oder dergleichen unter Verwendung von CVD (chemischer Gasphasenabscheidung) oder dergleichen ausgebildet. Ferner wird ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, auf dem Elektrodenkoppler 241 gebildet, um dadurch den Kontaktabschnitt 235 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 13R dargestellt, ferner ein Film der Isolierschicht 240 gebildet, um die Oberfläche zu planarisieren. Es sei angemerkt, dass die Planarisierung der Oberfläche der Isolierschicht 240 unter Verwendung von CMP oder Rückätzen durchgeführt werden kann.
  • Danach wird, wie in 13S dargestellt, die Durchkontaktierung 223 zur elektrischen Kopplung mit der ersten Pixelelektrode 231A und dem Kontaktabschnitt 235 gebildet. Insbesondere wird die Isolierschicht 240 durch Lithographie und Ätzen strukturiert, um dadurch eine Öffnung in der Isolierschicht 240 in jedem von einem Bereich, der der ersten Pixelelektrode 231A entspricht, und einem Bereich, der dem Kontaktabschnitt 235 entspricht, zu bilden. Ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni oder Au, wird so gebildet, dass er die gebildete Öffnung füllt, um dadurch die Durchkontaktierung 223 zu bilden. Es sei angemerkt, dass eine Elektrode, die der Metallübergang 222 sein wird, in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe an der Durchkontaktierung 223 gebildet wird.
  • Danach wird, wie in 13T dargestellt, das Treibersubstrat 210, auf das die Zwischenlagenisolierschicht 220 gestapelt ist, die die Mehrlagenverdrahtungsschicht 221 umfasst, an der in den Prozessen gemäß 13A bis 13S gebildeten Stapelstruktur befestigt. Insbesondere werden die in den Prozessen gemäß 13A bis 13S gebildete Stapelstruktur und das Treibersubstrat 210 so aneinander befestigt, dass sich die Isolierschicht 240 und die Zwischenlagenisolierschicht 220 gegenüberliegen. Hier werden an der Grenzfläche zwischen der Isolierschicht 240 und der Zwischenlagenisolierschicht 220 die auf den entsprechenden Oberflächen freiliegenden Elektroden aneinander gebondet, um dadurch den Metallübergang 222 zu bilden. Es sei angemerkt, dass 13T in Bezug auf 13S vertikal gespiegelt ist.
  • Danach werden, wie in 13U dargestellt, das Trägersubstrat 262 und die Isolierschicht 242 von der Oberseite des lichtemittierenden Elements 232 und der Oberseite der gemeinsamen Elektrode 233 entfernt. Beispielsweise kann das Trägersubstrat 262 durch Schleifen mit einer Schleifmaschine, Nassätzen oder dergleichen von der Oberseite des lichtemittierenden Elements 232 und der Oberseite der gemeinsamen Elektrode 233 entfernt werden.
  • Danach werden, wie in 13V dargestellt, die Fluoreszenzschicht 251 und die Pixeltrennschicht 250 auf der Oberseite des lichtemittierenden Elements 232 und der Oberseite der gemeinsamen Elektrode 233 gebildet. Die Fluoreszenzschicht 251 kann z. B. Quantenpunkte oder dergleichen umfassen und die Pixeltrennschicht 250 kann z. B. Al oder dergleichen umfassen.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann so mittels der vorstehend beschriebenen Prozesse hergestellt werden.
  • (2.4. Modifikationsbeispiele)
  • Nachstehend werden mit Bezugnahme auf 14 bis 16 ein erstes bis drittes Modifikationsbeispiel der lichtemittierenden Vorrichtung 2 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • (Erstes Modifikationsbeispiel)
  • 14 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der die Pixelelektrode 231, das lichtemittierende Element 232, eine gemeinsame Elektrode 233A, der Elektrodenkoppler 241 und der Kontaktabschnitt 235, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel enthalten sind, extrahiert sind. Wie in 14 dargestellt, kann die gemeinsame Elektrode 233A z. B. als eine transparente Elektrode auf einer Oberfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B angeordnet sein. Insbesondere kann die gemeinsame Elektrode 233A ein transparentes, elektrisch leitfähiges Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, umfassen und so angeordnet sein, dass sie von dem zweiten lichtemittierenden Element 232B hervorragt, um dadurch elektrisch mit dem Elektrodenkoppler 241 gekoppelt zu werden. Dementsprechend ist es möglich, die Prozesse zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß dem ersten Modifikationsbeispiel weiter zu vereinfachen.
  • (Zweites Modifikationsbeispiel)
  • 15 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der die Pixelelektrode 231, das lichtemittierende Element 232, eine gemeinsame Elektrode 233B, der Elektrodenkoppler 241 und der Kontaktabschnitt 235, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel enthalten sind, extrahiert sind. Wie in 15 dargestellt, kann die gemeinsame Elektrode 233B z. B. ein Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, umfassen und kann an einem Teil eines Bereichs der Oberfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B angeordnet sein. In einem solchen Fall ist ein Bereich der Oberfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B, der nicht mit der gemeinsamen Elektrode 233B versehen ist, mit der transparenten Isolierschicht 242 bedeckt. Dies ermöglicht es, dass das erste lichtemittierende Element 232A und das zweite lichtemittierende Element 232B einen lichtemittierenden Bereich gewährleisten. Dementsprechend ist es möglich, die Prozesse zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel weiter zu vereinfachen.
  • (Drittes Modifikationsbeispiel)
  • 16 ist eine vertikale Querschnittsansicht, in der die Pixelelektrode 231, das lichtemittierende Element 232, eine gemeinsame Elektrode 233C, der Elektrodenkoppler 241 und der Kontaktabschnitt 235, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel enthalten sind, extrahiert sind. Wie in 16 dargestellt, kann die gemeinsame Elektrode 233C z. B. ein Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, umfassen und kann an einem Teil eines Bereichs der Oberfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B und auf einer Seitenfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B angeordnet sein. In einem solchen Fall ist ein Bereich der Oberfläche des zweiten lichtemittierenden Elements 232B, der nicht mit der gemeinsamen Elektrode 233C versehen ist, mit der transparenten Isolierschicht 242 bedeckt. Dies ermöglicht es, dass das erste lichtemittierende Element 232A und das zweite lichtemittierende Element 232B den lichtemittierenden Bereich gewährleisten. Dementsprechend ist die lichtemittierende Vorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel in der Lage, den Kontaktwiderstand zwischen dem zweiten lichtemittierenden Element 232B und der gemeinsamen Elektrode 233 weiter zu reduzieren.
  • <3. Dritte Ausführungsform>
  • (3.1. Gesamtkonfiguration)
  • Nachstehend wird mit Bezugnahme auf 17 eine Gesamtkonfiguration einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. 17 ist eine vertikale Querschnittsansicht der Gesamtkonfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
  • Wie in 17 dargestellt, umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform z. B. ein erstes lichtemittierendes Element 322A und ein zweites lichtemittierendes Element 322B (auch als lichtemittierendes Element 332 bezeichnet, das beide umfasst), eine Pixelelektrode 331, eine gemeinsame Elektrode 333, einen Elektrodenkoppler 334, einen Kontaktabschnitt 335, einen Lichtabschirmabschnitt 341, eine Isolierschicht 340 und eine Fluoreszenzschicht 351.
  • Das lichtemittierende Element 332, die Pixelelektrode 331, die gemeinsame Elektrode 333, der Elektrodenkoppler 334, der Kontaktabschnitt 335, der Lichtabschirmabschnitt 341, die Isolierschicht 340 und die Fluoreszenzschicht 351 sind im Wesentlichen ähnlich wie das lichtemittierende Element 132, die Pixelelektrode 131, die gemeinsame Elektrode 133, der Elektrodenkoppler 134, der Kontaktabschnitt 135, der Lichtabschirmabschnitt 141, die Isolierschicht 140 und die Fluoreszenzschicht 151, die in der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben sind.
  • Dementsprechend umfasst die lichtemittierende Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wie die lichtemittierende Vorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform, das lichtemittierende Element 332, das in der inselförmigen Struktur separat für jedes Pixel vorgesehen ist, und ist deshalb in der Lage, Lichtlecks zwischen den Pixeln zu unterdrücken. Die gemeinsame Elektrode 333 und der Elektrodenkoppler 334 koppeln jedoch benachbarte Pixel mittels eines transparenten, elektrisch leitenden Materials. Somit können die gemeinsame Elektrode 333 und der Elektrodenkoppler 334 zu einem Ausbreitungsweg für Licht werden, was das Auftreten von Lichtlecks zwischen den benachbarten Pixeln bewirken kann. Die lichtemittierende Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist mit einem Lichtabsorber versehen, der später in dem Elektrodenkoppler 334 beschrieben wird, was es ermöglicht, Lichtlecks zwischen den benachbarten Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 weiter zu unterdrücken. Der Elektrodenkoppler 334 und der Lichtabsorber werden später mit Bezugnahme auf 18 detailliert beschrieben.
  • (3.2. Detaillierte Konfiguration)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 18 die detaillierte Konfiguration der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 18 ist eine Draufsicht, in der die gemeinsame Elektrode 333 und der Elektrodenkoppler 334 extrahiert sind.
  • Wie in 18 dargestellt, können die gemeinsame Elektrode 333 und der Elektrodenkoppler 334 eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Stapelstruktur aufweisen, die ein transparentes, elektrisch leitfähiges Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, umfasst, ein identisches Material umfassen und integral auf einer identischen Schicht angeordnet sein. Der Elektrodenkoppler 334 kann mit den gemeinsamen Elektroden 333 der entsprechenden Pixel von der Seite aus in der gleichen Richtung auf einer vorzusehenden Ebene elektrisch so gekoppelt werden, dass er die plane Form eines Kammes aufweist.
  • Hier ist in dem Elektrodenkoppler 334 ein Lichtabsorber 336 angeordnet, der ein Material umfasst, das ein höheres Lichtabsorptionsvermögen hat als das Lichtabsorptionsvermögen des transparenten, elektrisch leitenden Materials, das in dem Elektrodenkoppler 334 enthalten ist. Insbesondere ist das in dem Lichtabsorber 336 enthaltene Material nicht speziell beschränkt, solange das Material eine lichtabsorbierende Eigenschaft hat, und kann ein Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, oder ein organisches Material, wie z. B. Kohlenstoff, sein. Der Lichtabsorber 336 ist in dem Elektrodenkoppler 334 enthalten. Dadurch ist es möglich, das Licht entsprechend dem Lichtabsorptionsvermögen abzuschwächen, wenn das Licht, das sich in dem Elektrodenkoppler 334 ausbreitet, reflektiert wird.
  • Der Lichtabsorber 336 kann jegliche Form haben und in jeglicher Anordnung ausgebildet sein. Wie in 18 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336 z. B. als eine Mehrzahl von Schlitzformen ausgebildet sein, die sich in die gleiche Richtung erstrecken. Die Schlitzformen des Lichtabsorbers 336 sind in einer Richtung angeordnet, die rechtwinklig zu der Erstreckungsrichtung des Verfahrens verläuft. Dadurch kann das Licht, das sich in dem Elektrodenkoppler 334 ausbreitet, noch effizienter abgeschwächt werden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst den Lichtabsorber 336 in dem Elektrodenkoppler 334 und ist deshalb in der Lage, das Lecken von Licht in das benachbarte Pixel durch Verwenden des Elektrodenkopplers 334 als einen Ausbreitungsweg zu unterdrücken.
  • (3.3. Herstellungsverfahren)
  • Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 19A bis 20B ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Nachstehend wird nur ein Verfahren zur Herstellung des Elektrodenkopplers 334 beschrieben, der den Lichtabsorber 336 darin umfasst. Die anderen Prozesse des Verfahrens zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind ähnlich wie die des Verfahrens zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform und die Beschreibung der anderen Prozesse wird hier weggelassen.
  • (Erstes Herstellungsverfahren)
  • 19A bis 19G sind jeweils eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem ersten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist. Das erste Herstellungsverfahren ist ein Verfahren, bei dem zuerst der Elektrodenkoppler 334 und danach der Lichtabsorber 336 gebildet wird.
  • Zuerst wird, wie in 19A dargestellt, das lichtemittierende Element 332 durch epitaktisches Aufwachsen des Verbindungshalbleiters der Gruppe III-V auf einem Kristallwachstumssubstrat 360 gebildet, dass Si, Saphir oder dergleichen umfasst. Das lichtemittierende Element 332 kann durch sequentielles Stapeln der Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V in der Reihenfolge von z. B. p-GaN, p-AlGaN, der Mehrfachquantentopfstruktur (MQWs), n-GaN und u-GaN gebildet werden.
  • Danach wird, wie in 19B dargestellt, ein Film aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, auf dem lichtemittierenden Element 332 gebildet, um dadurch den Elektrodenkoppler 334 und die gemeinsame Elektrode 333 (nicht dargestellt) zu bilden.
  • Danach wird, wie in 19C dargestellt, auf dem Elektrodenkoppler 334 unter Verwendung von Lithographie ein Fotolack 370 mit einer Struktur gebildet.
  • Danach wird, wie in 19D dargestellt, ein Teil des Elektrodenkopplers 334 mittels Trockenätzen oder Nassätzen unter Verwendung des Fotolacks 370 als Maske entfernt, um dadurch eine Öffnung 336H zu bilden. Die Öffnung 336H wird ausgebildet, um in einem Prozess einer nachfolgenden Stufe den Lichtabsorber 336 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 19E dargestellt, der Fotolack 370 von dem Elektrodenkoppler 334 entfernt.
  • Danach wird, wie in 19F dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, so gebildet, dass er die Öffnung 336H füllt, um dadurch den Lichtabsorber 336 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 19G dargestellt, der auf dem Elektrodenkoppler 334 gebildete Lichtabsorber 336 durch CMP (chemisch-mechanisches Polieren), Trockenätzen oder dergleichen entfernt. Dadurch ist es möglich, den Elektrodenkoppler 334 mit dem darin befindlichen Lichtabsorber 336 zu bilden.
  • (Zweites Herstellungsverfahren)
  • 20A bis 20B sind jeweils eine vertikale Querschnittsansicht eines Prozesses, der in einem zweiten Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthalten ist. Das zweite Herstellungsverfahren ist ein Verfahren, bei dem zuerst der Lichtabsorber 336 und danach der Elektrodenkoppler 334 gebildet wird.
  • Zuerst wird, wie in 19A, das lichtemittierende Element 332 durch epitaktisches Aufwachsen des Verbindungshalbleiters der Gruppe III-V auf dem Kristallwachstumssubstrat 360 gebildet.
  • Danach wird, wie in 20A dargestellt, ein Film aus einem Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, auf dem lichtemittierenden Element 332 gebildet und unter Verwendung von Lithographie oder dergleichen strukturiert, um dadurch den Lichtabsorber 336 zu bilden.
  • Danach wird, wie in 20B dargestellt, ein Film aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material, wie z. B. ITO, IZO, ZnO, SnO oder TiO, auf dem Lichtabsorber 336 und dem lichtemittierenden Element 332 gebildet, um dadurch den Elektrodenkoppler 334 und die gemeinsame Elektrode 333 (nicht dargestellt) zu bilden.
  • Danach wird, wie in 19G, der auf dem Lichtabsorber 336 gebildete Elektrodenkoppler 334 durch CMP (chemisch-mechanisches Polieren), Trockenätzen oder dergleichen entfernt. Dadurch wird es möglich, den Elektrodenkoppler 334 mit dem darin befindlichen Lichtabsorber 336 zu bilden.
  • (3.4. Modifikationsbeispiele)
  • Nachstehend werden mit Bezugnahme auf 21 bis 25 ein erstes bis fünftes Modifikationsbeispiel der lichtemittierenden Vorrichtung 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • (Erstes Modifikationsbeispiel)
  • 21 ist eine Draufsicht auf eine plane Form der gemeinsamen Elektrode 333, des Elektrodenkopplers 334 und eines Lichtabsorbers 336A, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 21 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336A z. B. an einem Kopplungsabschnitt zwischen der gemeinsamen Elektrode 333 und dem Elektrodenkoppler 334 angeordnet sein. In einem solchen Fall wird die Lichtausbreitung von der gemeinsamen Elektrode 333 zu dem Elektrodenkoppler 334 von dem Lichtabsorber 336A blockiert, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 3 ermöglicht, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 zu verhindern. Es sei angemerkt, dass der Lichtabsorber 336A in dem ersten Modifikationsbeispiel ein elektrisch leitendes Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, umfasst.
  • (Zweites Modifikationsbeispiel)
  • 22 ist eine Draufsicht auf eine plane Form der gemeinsamen Elektrode 333, des Elektrodenkopplers 334 und eines Lichtabsorbers 336B, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem zweiten Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 22 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336B z. B. über den gesamten Elektrodenkoppler 334 verteilt sein. In einem solchen Fall wird Licht, das sich von der gemeinsamen Elektrode 333 ausbreitet, von dem Elektrodenkoppler 334 (d. h. dem Lichtabsorber 336B) absorbiert, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 3 ermöglicht, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 zu verhindern. Es sei angemerkt, dass in dem zweiten Modifikationsbeispiel der Lichtabsorber 336B ein elektrisch leitendes Metallmaterial, wie z. B. W, Ti, TiN, Cu, Al oder Ni, umfasst.
  • (Drittes Modifikationsbeispiel)
  • 23 ist eine Draufsicht auf eine plane Form der gemeinsamen Elektrode 333, des Elektrodenkopplers 334 und eines Lichtabsorbers 336C, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem dritten Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 23 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336C z. B. als schlitzförmige Inseln ausgebildet sein. Insbesondere kann der Lichtabsorber 336C als eine Mehrzahl von schlitzförmigen Inseln ausgebildet sein, die sich in die gleiche Richtung erstrecken. Ein solcher Lichtabsorber 336C kann an dem Kopplungsabschnitt zwischen der gemeinsamen Elektrode 333 und dem Elektrodenkoppler 334 angeordnet sein. In einem solchen Fall ist der Lichtabsorber 336C in der Lage, Licht, das sich durch Reflexion von der gemeinsamen Elektrode 333 zu dem Elektrodenkoppler 334 ausbreitet, abzuschwächen, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 3 ermöglicht, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 zu verhindern. Ferner ist der Lichtabsorber 336C als die Inselformen ausgebildet, was es dem Elektrodenkoppler 334 ermöglicht, benachbarte gemeinsame Elektroden 333 ohne Unterbrechung elektrisch miteinander zu koppeln. Dementsprechend ist der Elektrodenkoppler 334 in der Lage zu verhindern, dass eine Grenzfläche zwischen dem Lichtabsorber 336C und der gemeinsamen Elektrode 333 und dem Elektrodenkoppler 334 gebildet wird, die einen Grenzflächenwiderstand in der Mitte eines leitenden Pfades bewirkt.
  • (Viertes Modifikationsbeispiel)
  • 24 ist eine Draufsicht auf eine plane Form der gemeinsamen Elektrode 333, des Elektrodenkopplers 334 und eines Lichtabsorbers 336D, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem vierten Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 24 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336D z. B. als punktförmige Inseln ausgebildet sein. Insbesondere kann der Lichtabsorber 336D als eine Mehrzahl von abwechselnd angeordneten, rechteckigen, punktförmigen Inseln oder dergleichen ausgebildet sein. Ein solcher Lichtabsorber 336D kann an dem Elektrodenkoppler 334 angeordnet sein. In einem solchen Fall ist der Lichtabsorber 336D in der Lage, Licht, das sich durch Reflexion von der gemeinsamen Elektrode 333 zu dem Elektrodenkoppler 334 ausbreitet, abzuschwächen, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 3 ermöglicht, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 zu verhindern. Ferner ist der Lichtabsorber 336D als die Inselformen ausgebildet, was es dem Elektrodenkoppler 334 ermöglicht, benachbarte gemeinsame Elektroden 333 ohne Unterbrechung elektrisch miteinander zu koppeln. Dementsprechend ist der Elektrodenkoppler 334 in der Lage, die Bildung einer Grenzfläche zwischen dem Lichtabsorber 336D und der gemeinsamen Elektrode 333 und dem Elektrodenkoppler 334 zu verhindern, die den Grenzflächenwiderstand in der Mitte des leitenden Pfades verursacht.
  • (Fünftes Modifikationsbeispiel)
  • 25 ist eine Draufsicht auf eine plane Form der gemeinsamen Elektrode 333, des Elektrodenkopplers 334 und eines Lichtabsorbers 336E, die in einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einem fünften Modifikationsbeispiel enthalten sind. Wie in 25 dargestellt, kann der Lichtabsorber 336E z. B. als schlitzförmige Inseln ausgebildet sein. Insbesondere kann der Lichtabsorber 336E als eine Mehrzahl von schlitzförmigen Inseln ausgebildet sein, die sich in eine Mehrzahl von Richtungen erstrecken. In einem solchen Fall ist der Lichtabsorber 336E in der Lage, Licht, das sich durch Reflexion zu dem Elektrodenkoppler 334 ausbreitet, abzuschwächen, was es der lichtemittierenden Vorrichtung 3 ermöglicht, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den Pixeln durch den Elektrodenkoppler 334 zu verhindern. Ferner ist der Lichtabsorber 336E als die Inselformen ausgebildet, was es dem Elektrodenkoppler 334 ermöglicht, benachbarte gemeinsame Elektroden 333 ohne Unterbrechung elektrisch miteinander zu koppeln. Dementsprechend ist der Elektrodenkoppler 334 in der Lage, die Bildung einer Grenzfläche zwischen dem Lichtabsorber 336E und der gemeinsamen Elektrode 333 und dem Elektrodenkoppler 334 zu verhindern, die den Grenzflächenwiderstand in der Mitte des leitenden Pfades verursacht.
  • <4. Anwendungsbeispiele>
  • Die lichtemittierenden Vorrichtungen 1, 2 und 3 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung sind auf verschiedene Typen von Anzeigevorrichtungen anwendbar, von denen jede ein Bildsignal, das von außerhalb der Anzeigevorrichtung eingegeben wurde, oder ein Bildsignal, das in der Anzeigevorrichtung erzeugt wurde, anzeigt. Beispielsweise sind die lichtemittierenden Vorrichtungen 1, 2 und 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf ein Fernsehgerät, eine Digitalkamera, einen Laptop, ein Mobiltelefon, ein Smartphone oder dergleichen anwendbar. Mit Bezugnahme auf 26 wird eines der Anwendungsbeispiele der lichtemittierenden Vorrichtungen 1, 2 und 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform gezeigt. 26 ist eine schematische Ansicht des äußeren Erscheinungsbildes eines Fernsehgeräts, auf das die lichtemittierenden Vorrichtungen 1, 2 und 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform angewendet werden.
  • Wie in 26 dargestellt, umfasst ein Fernsehgerät 10 z. B. eine Bildanzeigevorrichtung 11, die eine Frontplatte 12 und ein Filterglas 13 umfasst. Die lichtemittierenden Vorrichtungen 1, 2 und 3 gemäß der vorliegenden Ausführungsform können auf die Bildanzeigevorrichtung 11 angewendet werden.
  • Die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung wurde mit Bezugnahme auf die erste bis dritte Ausführungsform sowie die Modifikationsbeispiele beschrieben. Die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung ist jedoch nicht auf die vorstehend genannten Ausführungsformen usw. beschränkt und kann auf vielfältige Weise modifiziert werden.
  • Ferner sind nicht alle der in den vorstehenden Ausführungsformen beschriebenen Konfigurationen und Vorgänge unerlässlich für die Konfiguration und die Funktion der vorliegenden Offenbarung. Beispielsweise sind von den Komponenten in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen die Komponenten, die nicht in den unabhängigen Ansprüchen beschrieben sind, die die wichtigsten Konzepte der vorliegenden Offenbarung angeben, als optionale Komponenten zu verstehen.
  • Die in dieser Beschreibung und den beiliegenden Ansprüchen verwendeten Begriffe sollten als „nicht einschränkende“ Begriffe verstanden werden. Beispielsweise sollte der Begriff „aufweisen“ oder „enthalten“ als „nicht auf die Art beschränkt, in der aufweisen bzw. enthalten angegeben ist“ zu verstehen sein. Der Begriff „umfassen“ sollte als „nicht auf die Art beschränkt, in der umfassen angegeben ist“ zu verstehen sein.
  • Die hierin verwendeten Begriffe dienen lediglich der einfacheren Erklärung und umfassen Begriffe, die nicht dazu dienen, die Konfiguration und Funktion einzuschränken. Beispielsweise geben die Begriffe „rechts“, „links“, „oben“, „unten“ und dergleichen jeweils nur eine Richtung in der Zeichnung an, auf die Bezug genommen wird. Die Begriffe „Innenseite“ und „Außenseite“ geben jeweils nur eine Richtung zur Mitte eines Elements von Interesse hin bzw. eine Richtung von der Mitte des Elements von Interesse weg an. Das Gleiche gilt für diesen ähnliche Begriffe und Begriffe mit ähnlicher Bedeutung.
  • Es sei angemerkt, dass die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung die nachstehenden Konfigurationen aufweisen kann. Gemäß der Technologie der vorliegenden Offenbarung, die die folgenden Konfigurationen aufweist, sind die Pixelelektrode, das lichtemittierende Element und die gemeinsame Elektrode, die in einem Pixel enthalten sind, von der Pixelelektrode, dem lichtemittierenden Element und der gemeinsamen Elektrode, die in einem dem einen Pixel benachbarten Pixel enthalten sind, getrennt. Dementsprechend sind die lichtemittierende Vorrichtung und die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Ausführungsform in der Lage, das Auftreten von Lichtlecks zwischen den benachbarten Pixeln durch die Pixelelektrode, das lichtemittierende Element und die gemeinsame Elektrode zu unterdrücken. Wirkungen gemäß der Technologie der Offenbarung sind nicht notwendigerweise auf die hier beschriebenen beschränkt. Die vorliegende Offenbarung kann auch andere als die hierin beschriebenen Wirkungen umfassen.
  • (1) Eine lichtemittierende Vorrichtung, umfassend:
    • ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes der Pixel angeordnet ist;
    • eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist;
    • eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und
    • einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
  • (2) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (1), wobei die gemeinsame Elektrode und der Elektrodenkoppler ein identisches Material umfassen und integral auf einer identischen Schicht angeordnet sind.
  • (3) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (2), wobei der Elektrodenkoppler die für die entsprechenden Pixel angeordneten gemeinsamen Elektroden von einer Seite aus in einer identischen Richtung elektrisch miteinander koppelt.
  • (4) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (3), wobei die gemeinsamen Elektroden der entsprechenden Pixel und der Elektrodenkoppler insgesamt eine Kammform aufweisen.
  • (5) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (1), wobei der Elektrodenkoppler eine Höhe hat, die sich von der gemeinsamen Elektrode zu der Pixelelektrode erstreckt, und eine plane Form hat, die die Peripherien der entsprechenden Pixel umgibt.
  • (6) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (5), wobei der Elektrodenkoppler von dem lichtemittierenden Element getrennt ist.
  • (7) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (6), wobei der Elektrodenkoppler ein lichtabschirmendes Material umfasst.
  • (8) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Punkte (5) bis (7), wobei die gemeinsame Elektrode auf einer Seitenfläche, auf der Seite der zweiten Oberfläche, einer untersten Schicht einer Stapelstruktur des lichtemittierenden Elements angeordnet ist.
  • (9) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (1), wobei die gemeinsame Elektrode ein transparentes, elektrisch leitendes Material umfasst, und der Elektrodenkoppler ferner einen Lichtabsorber umfasst, wobei der Lichtabsorber ein Material mit einem höheren Lichtabsorptionsvermögen als das Lichtabsorptionsvermögen des transparenten elektrisch leitenden Materials umfasst.
  • (10) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (9), wobei der Elektrodenkoppler das transparente, elektrisch leitende Material umfasst, und der Lichtabsorber in dem Elektrodenkoppler angeordnet ist und als eine plane Form einer Insel ausgebildet ist.
  • (11) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (10), wobei der Lichtabsorber als eine Mehrzahl von Punktformen angeordnet ist.
  • (12) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß Punkt (10), wobei der Lichtabsorber als eine Mehrzahl von Schlitzformen angeordnet ist, die sich in eine Richtung erstrecken oder in eine Mehrzahl von Richtungen.
  • (13) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Punkte (10) bis (12), wobei der Lichtabsorber ein Metallmaterial umfasst.
  • (14) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Punkte (1) bis (13), wobei der Elektrodenkoppler ferner einen Kontaktabschnitt umfasst, der von einer Seite aus elektrisch koppelbar ist, die mit der Seite identisch ist, auf der sich die Pixelelektrode befindet.
  • (15) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Punkte (1) bis (14), wobei die gemeinsame Elektrode ein transparentes, elektrisch leitendes Material umfasst.
  • (16) Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß einem der Punkte (1) bis (15), wobei das lichtemittierende Element einen Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V umfasst.
  • (17) Eine Anzeigevorrichtung, umfassend:
    • ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes Pixel vorgesehen ist;
    • eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist;
    • eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und
    • einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
  • Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der japanischen Prioritäts-Patentanmeldung JP2020-103815 , die am 16. Juni 2020 beim japanischen Patentamt eingereicht wurde und deren gesamter Inhalt hierin durch Bezugnahme aufgenommen ist.
  • Dem Fachmann sollte ersichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen, Kombinationen, Unterkombinationen und Abänderungen je nach den Konstruktionsanforderungen und anderen Faktoren vorgenommen werden können, sofern sie in den Umfang der beiliegenden Ansprüche oder deren Äquivalente fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018182282 [0004]
    • JP 2020103815 [0168]

Claims (17)

  1. Lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes der Pixel angeordnet ist; eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist; eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
  2. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die gemeinsame Elektrode und der Elektrodenkoppler ein identisches Material umfassen und integral auf einer identischen Schicht angeordnet sind.
  3. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Elektrodenkoppler die für die entsprechenden Pixel angeordneten gemeinsamen Elektroden von einer Seite aus in einer identischen Richtung elektrisch miteinander koppelt.
  4. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die gemeinsamen Elektroden der entsprechenden Pixel und der Elektrodenkoppler insgesamt eine Kammform aufweisen.
  5. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Elektrodenkoppler eine Höhe hat, die sich von der gemeinsamen Elektrode zu der Pixelelektrode erstreckt, und eine plane Form hat, die die Peripherien der entsprechenden Pixel umgibt.
  6. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Elektrodenkoppler von dem lichtemittierenden Element getrennt ist.
  7. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei der Elektrodenkoppler ein lichtabschirmendes Material umfasst.
  8. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die gemeinsame Elektrode auf einer Seitenfläche einer untersten Schicht, auf der Seite der zweiten Oberfläche, einer Stapelstruktur des lichtemittierenden Elements angeordnet ist.
  9. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die gemeinsame Elektrode ein transparentes, elektrisch leitendes Material umfasst, und der Elektrodenkoppler ferner einen Lichtabsorber umfasst, wobei der Lichtabsorber ein Material mit einem höheren Lichtabsorptionsvermögen als das Lichtabsorptionsvermögen des transparenten elektrisch leitenden Materials umfasst.
  10. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Elektrodenkoppler das transparente, elektrisch leitende Material umfasst, und der Lichtabsorber in dem Elektrodenkoppler angeordnet ist und als eine plane Form einer Insel ausgebildet ist.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der Lichtabsorber als eine Mehrzahl von Punktformen angeordnet ist.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der Lichtabsorber als eine Mehrzahl von Schlitzformen angeordnet ist, die sich in eine Richtung erstrecken oder in eine Mehrzahl von Richtungen.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der Lichtabsorber ein Metallmaterial umfasst.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Elektrodenkoppler ferner einen Kontaktabschnitt umfasst, der von einer Seite aus elektrisch koppelbar ist, die mit der Seite identisch ist, auf der sich die Pixelelektrode befindet.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die gemeinsame Elektrode ein transparentes, elektrisch leitendes Material umfasst.
  16. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das lichtemittierende Element einen Verbindungshalbleiter der Gruppe III-V umfasst.
  17. Anzeigevorrichtung, umfassend: ein lichtemittierendes Element, das separat für jedes der Pixel angeordnet ist; eine Pixelelektrode, die auf einer Seite einer ersten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die Pixelelektrode für jedes der Pixel angeordnet ist; eine gemeinsame Elektrode, die auf einer Seite einer zweiten Oberfläche des lichtemittierenden Elements angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die gemeinsame Elektrode separat für jedes der einander benachbarten Pixel angeordnet ist; und einen Elektrodenkoppler, der eine Mehrzahl der gemeinsamen Elektroden, die für die entsprechenden Pixel angeordnet sind, in einem planen Bereich elektrisch miteinander koppelt, der sich von einem planen Bereich unterscheidet, in dem das lichtemittierende Element angeordnet ist.
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