DE112021001480T5

DE112021001480T5 - Inspektionsvorrichtung und Verarbeitungssystem

Info

Publication number: DE112021001480T5
Application number: DE112021001480.3T
Authority: DE
Inventors: Takeshi Sakamoto; Takafumi Ogiwara; Iku Sano
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2021-03-03
Publication date: 2023-01-12
Also published as: CN115244652A; US20230335421A1; JP7385504B2; TW202201587A; WO2021177376A1; KR20220150297A; JP2021141249A

Abstract

Eine Inspektionsvorrichtung enthält eine Laserbestrahlungseinheit, die einen Wafer mit Laserlicht bestrahlt, eine Anzeige, die Informationen anzeigt, und eine Steuereinheit. Die Steuereinheit ist so aufgebaut, dass sie die Ableitung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer von der Laserbestrahlungseinheit mit dem Laserlicht bestrahlt wird, auf der Grundlage von eingestellten Anleitungsrezepten (Bearbeitungsbedingungen) durchführt und die Anzeige so steuert, dass ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild angezeigt wird, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, darstellt.

Description

Technisches Gebiet
Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft eine Inspektionsvorrichtung und ein Behandlungssystem.
Stand der Technik
Eine Inspektionsvorrichtung zum Bilden einer Vielzahl von Reihen modifizierter Bereiche innerhalb eines Halbleitersubstrats entlang jeder einer Vielzahl von Linien durch Bestrahlen eines Wafers mit Laserlicht von der anderen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats, um einen Wafer mit einem Halbleitersubstrat und einer auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildeten Funktionselementschicht entlang jeder einer Vielzahl von Linien zu schneiden, ist bekannt. Die in der Patentliteratur 1 beschriebene Inspektionsvorrichtung enthält eine Infrarotkamera, so dass ein im Inneren eines Halbleitersubstrats gebildeter modifizierter Bereich, ein in einer Funktionselementschicht gebildeter Bearbeitungsschaden oder Ähnliches von einer Rückfläche des Halbleitersubstrats aus beobachtet werden kann.
Zitationsliste
Patentliteratur
[Patent Literatur 1] Japanische Patentveröffentlichung Nr. JP 2017 - 64 746 A
Zusammenfassung der Erfindung
Technisches Problem
In einer solchen, zuvor beschriebenen Inspektionsvorrichtung besteht in einer Vorstufe der Bestrahlung eines Wafers mit Laserlicht (Durchführung der Laserbearbeitung eines Wafers) die Notwendigkeit, die Bearbeitungsbedingungen einschließlich der Bestrahlungsbedingungen des Laserlichts auf der Grundlage von Informationen über einen Wafer, ein Laserbearbeitungsziel oder dergleichen zu bestimmen. Um die Bearbeitungsbedingungen angemessen zu bestimmen, ist es zum Beispiel notwendig, geeignete Bearbeitungsbedingungen oder ähnliches abzuleiten, indem die Laserbearbeitung wiederholt wird, während ein Benutzer die Bearbeitungsbedingungen einstellt. Es besteht ein Bedarf an einer effizienten Bestimmung solcher Bearbeitungsbedingungen und einer einfachen Durchführung der Bearbeitung.
Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung wurde in Anbetracht der vorgenannten Umstände konzipiert, und es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Inspektionsvorrichtung und ein Behandlungssystem bereitzustellen, die in der Lage sind, die Bearbeitungsbedingungen effizient zu bestimmen und die von einem Benutzer gewünschte Verarbeitung leicht durchzuführen.
Lösung des Problems
Eine Inspektionsvorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit Laserlicht bestrahlt, eine Anzeigeeinheit, die so konfiguriert ist, dass sie Informationen anzeigt, und eine Steuereinheit. Die Steuereinheit ist so ausgebildet, dass sie die Ableitung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der eingestellten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und die Steuerung der Anzeigeeinheit ausführt, um ein Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses anzuzeigen, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet werden, darstellt.
In der Inspektionsvorrichtung gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild, das sowohl einen Wafer als auch einen modifizierten Bereich und einen Riss des Wafers darstellt, unter Berücksichtigung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses angezeigt, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer durch Bestrahlung mit Laserlicht auf der Grundlage der festgelegten Bearbeitungsbedingungen gebildet wurde. Da ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild auf diese Weise angezeigt wird, ist es möglich, einen Benutzer darüber zu informieren, wie der Wafer bearbeitet wird (wie ein modifizierter Bereich und ein Riss gebildet werden), wenn ein Wafer in Übereinstimmung mit den festgelegten Bearbeitungsbedingungen bearbeitet wird. Folglich kann ein Benutzer das geschätzte Verarbeitungsergebnis visuell bestätigen und entscheiden, ob er die tatsächliche Bearbeitung unverändert durchführen oder die Bearbeitungsbedingungen ändern möchte. Dementsprechend ist es möglich, die Bearbeitungsbedingungen effizient zu bestimmen und die vom Benutzer gewünschte Bearbeitung einfach durchzuführen.
Die zuvor beschriebene Inspektionsvorrichtung kann ferner eine Eingabeeinheit umfassen, die so konfiguriert ist, dass sie eine Informationseingabe empfängt. Die Eingabeeinheit kann eine Informationseingabe bezüglich der Einstellung der Bearbeitungsbedingungen empfangen. Die Steuereinheit kann die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage von Informationen bezüglich der Einstellung der Bearbeitungsbedingungen einstellen, die von der Eingabeeinheit empfangen werden. Da die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage von Informationen eingestellt werden, die beispielsweise von einem Benutzer empfangen werden, ist es möglich, geeignete Bearbeitungsbedingungen unter Berücksichtigung von Informationen über einen Wafer, ein Laserbearbeitungsziel in Bezug auf den Wafer und dergleichen einzustellen.
Die Steuereinheit kann die Anzeigeeinheit so steuern, dass sowohl die Bearbeitungsbedingungen als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild einander zugeordnet angezeigt werden. Dementsprechend ist es möglich, einen Benutzer visuell über ein bestimmtes Verarbeitungsergebnis zu informieren, das erzielt wird, wenn die Verarbeitung unter bestimmten Bearbeitungsbedingungen durchgeführt wird.
Die Eingabeeinheit kann eine Eingabe von ersten korrigierten Informationen empfangen, die sich auf die Korrektur von Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses beziehen, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in einem Zustand angezeigt werden, in dem das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild von der Anzeigeeinheit angezeigt wird. Die Steuereinheit kann das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der ersten korrigierten Informationen korrigieren und die Bearbeitungsbedingungen korrigieren, um das geschätzte Verarbeitungsergebnis nach der Korrektur zu erhalten, und kann die Anzeigeeinheit so steuern, dass sie sowohl die Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander anzeigt. Dementsprechend ist es möglich, die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage einer Korrekturanweisung für ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild von einem Benutzer, der das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild bestätigt hat, einfach zu korrigieren. Wenn eine Korrekturanweisung für ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild ausgegeben wird, um ein gewünschtes Verarbeitungsergebnis zu erhalten, da die Bearbeitungsbedingungen automatisch auf die entsprechenden Bearbeitungsbedingungen korrigiert werden, kann ein Benutzer die gewünschte Verarbeitung leicht durchführen.
Die Eingabeeinheit kann eine Eingabe von zweiten korrigierten Informationen empfangen, die sich auf die Korrektur der Bearbeitunsbedinunen in einem Zustand beziehen, in dem die Bearbeitungsbedingungen von der Anzeigeeinheit angezeigt werden. Die Steuereinheit kann die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage der zweiten korrigierten Informationen korrigieren und das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur korrigieren und kann die Anzeigeeinheit so steuern, dass sie sowohl die Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander anzeigt. Dementsprechend ist es möglich, die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage einer Korrekturanweisung von einem Benutzer leicht zu korrigieren, und es ist möglich, ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild im Falle der Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur angemessen anzuzeigen.
Die zuvor beschriebene Inspektionsvorrichtung kann ferner eine Abbildungseinheit enthalten, die so konfiguriert ist, dass sie den Wafer abbildet. Die Steuereinheit kann so ausgebildet sein, dass sie ferner das Steuern der Bestrahlungseinheit, um einen modifizierten Bereich und einen sich von dem modifizierten Bereich erstreckenden Riss in dem Wafer durch Bestrahlung des Wafers mit dem Laserlicht zu bilden, das Erfassen eines Laserbearbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer durch Bestrahlung mit dem Laserlicht gebildet wurde, durch Ausgeben von Licht, das Übertragungseigenschaften in Bezug auf den Wafer aufweist, und das Steuern der Abbildungseinheit, um den Wafer abzubilden, und das Steuern der Anzeigeeinheit, um sowohl das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild als auch das Laserbearbeitungsergebnis, die einander zugeordnet sind, anzuzeigen, durchführt. Dementsprechend ist es möglich, sowohl ein Bild der aus den Bearbeitungsbedingungen geschätzten Bearbeitung als auch ein tatsächliches Laserbearbeitungsergebnis anzuzeigen, und es ist für einen Benutzer möglich, leicht zu beurteilen, ob die Bearbeitungsbedingungen zu ändern sind oder nicht, und dergleichen.
Die Steuereinheit kann die Anzeigeeinheit so steuern, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zu einer mit dem Laserlicht bestrahlten Bearbeitungslinie anzeigt. Dementsprechend ist es für einen Benutzer möglich, ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zu der Bearbeitungslinie zu bestätigen.
Die Steuereinheit kann die Anzeigeeinheit so steuern, dass das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts horizontal zu einer mit dem Laserlicht bestrahlten Bearbeitungslinie angezeigt wird. Dementsprechend ist es für einen Benutzer möglich, ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts horizontal zu der Bearbeitungslinie zu bestätigen.
Eine Inspektionsvorrichtung gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit Laserlicht bestrahlt, und eine Steuereinheit. Die Steuereinheit ist so ausgebildet, dass sie die Ableitung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der eingestellten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und die Ausgabe eines geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer darstellt, unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, ausführt. Dementsprechend ist es beispielsweise selbst in einem solchen Fall, in dem die Inspektionsvorrichtung keine Anzeigeeinheit hat, möglich, ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild oder Ähnliches unter Verwendung einer externen Vorrichtung oder Ähnlichem anzuzeigen, die mit der Inspektionsvorrichtung kommunizieren kann.
Ein Behandlungssystem gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Behandlungssystem, das eine Kommunikation zwischen einer Inspektionsvorrichtung und einer Anzeigevorrichtung durchführt. Die Inspektionsvorrichtung leitet ein geschätztes Verarbeitungsergebnis ab, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der gebildet wird, wenn ein Wafer mit Laserlicht auf der Grundlage festgelegter Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und gibt ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild aus, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer in Richtung der Anzeigevorrichtung unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer darstellt, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden. Die Anzeigevorrichtung zeigt das von der Inspektionsvorrichtung ausgegebene Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses an. Gemäß einem solchen Behandlungssystem ist es möglich, ein von der Inspektionsvorrichtung ausgegebenes Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses mit Hilfe der Anzeigevorrichtung in geeigneterWeise anzuzeigen.
Eine Inspektionsvorrichtung gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit Laserlicht bestrahlt, eine Anzeigeeinheit, die so konfiguriert ist, dass sie Informationen anzeigt, und eine Steuereinheit. Die Steuereinheit ist so ausgebildet, dass sie die Ableitung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der eingestellten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und die Steuerung der Anzeigeeinheit ausführt, um Informationen anzuzeigen, die sich auf das geschätzte Verarbeitungsergebnis beziehen.
Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
Gemäß dem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Bearbeitungsbedingungen effizient zu bestimmen und die von einem Benutzer gewünschte Bearbeitung einfach durchzuführen.
Figurenliste

1 ist eine Ansicht eines Aufbaus einer Inspektionsvorrichtung einer Ausführungsform.
2 ist eine Draufsicht auf einen Wafer gemäß der Ausführungsform.
3 ist eine Querschnittsansicht eines Teils des in 2 dargestellten Wafers.
4 ist eine Ansicht des Aufbaus einer in 1 dargestellten Laserbestrahlungseinheit.
5 ist eine Ansicht eines Aufbaus einer in 1 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit.
6 ist eine Ansicht eines Aufbaus einer in 1 dargestellten Ausrichtungskorrektur-Abbildungseinheit.
7 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers zur Beschreibung eines Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und stellt Bilder an entsprechenden Stellen dar, die von der Inspektionsabbildungseinheit aufgenommen wurden.
8 ist eine weitere Querschnittsansicht eines Wafers zur Beschreibung eines Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und zeigt Bilder an entsprechenden Positionen, die von der Inspektionsabbildungseinheit aufgenommen wurden.
9 ist eine REM-Aufnahme eines modifizierten Bereichs und eines Risses, der sich im Inneren eines Halbleitersubstrats gebildet hat.
10 ist eine weitere REM-Aufnahme eines modifizierten Bereichs und eines Risses, der sich im Inneren eines Halbleitersubstrats gebildet hat.
11 ist eine Ansicht optischer Pfade zur Beschreibung eines Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und eine schematische Ansicht, die Bilder an Brennpunkten zeigt, die von der Inspektionsabbildungseinheit aufgenommen werden.
12 ist eine weitere Ansicht optischer Pfade zur Beschreibung eines Abbildungsprinzips der in 5 dargestellten Inspektionsabbildungseinheit und eine schematische Ansicht, die Bilder an Brennpunkten zeigt, die von der Inspektionsabbildungseinheit aufgenommen werden.
13 ist ein Beispiel für eine Einstellungsanzeige für Wafer-Verarbeitungsinformationen.
14 ist ein weiteres Beispiel für eine Einstellungsanzeige von Wafer-Verarbeitungsinformationen.
15 ist ein weiteres Beispiel für eine Einstellungsanzeige von Wafer-Verarbeitungsinformationen.
16 ist eine erläuternde Ansicht des Einstellens eines Zielquerschnitts.
17 ist eine erläuternde Ansicht der Auswahl eines Anleitungsrezepts aus einer Datenbank.
18 ist eine erläuternde Ansicht der Auswahl einer Vielzahl von Anleitungsrezepten aus der Datenbank.
19 ist ein Beispiel für die Anzeige eines geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes.
20 ist eine erläuternde Ansicht eines geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes.
21 ist eine weitere erläuternde Ansicht eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses.
22 ist eine erläuternde Ansicht der Ableitung einer Waferdicke.
23 ist ein Beispiel für eine Datenbank, die sich auf die Ableitung einer Waferdicke bezieht.
24 ist ein Beispiel für eine Anzeige eines Inspektionsergebnisses (NG).
25 ist ein Beispiel für eine Anzeige eines Inspektionsergebnisses (OK).
26 ist ein Flussdiagramm eines Inspektionsverfahrens.
27 ist eine Ansicht eines Aufbaus einer Inspektionsvorrichtung gemäß einem Änderungsbeispiel.
28 ist eine Ansicht eines Aufbaus eines Behandlungssystems gemäß einem Änderungsbeispiel.

Beschreibung der Ausführungsform
Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. In jeder der Zeichnungen sind gleiche oder sich entsprechende Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und eine wiederholte Beschreibung davon entfällt.
[Konfiguration der Inspektionsvorrichtung]
Wie in 1 dargestellt, umfasst eine Inspektionsvorrichtung 1 einen Tisch 2, eine Laserbestrahlungseinheit3 (Bestrahlungseinheit), eine Vielzahl von Abbildungseinheiten 4, 5 und 6, eine Antriebseinheit 7, eine Steuereinheit 8 und eine Anzeige 150 (Eingabeeinheit/Anzeigeeinheit). Die Inspektionsvorrichtung 1 ist eine Vorrichtung, die einen modifizierten Bereich 12 in einem Objekt 11 durch Bestrahlung des Objekts 11 mit Laserlicht L bildet.
Beispielsweise trägt der Tisch 2 das Objekt 11, indem er einen mit dem Objekt 11 verbundenen Film adsorbiert. Der Tisch 2 kann sich sowohl in X- als auch in Y-Richtung bewegen und sich um eine Achse drehen, die parallel zu einer Z-Richtung als deren Mittellinie verläuft. Die X-Richtung und die Y-Richtung sind jeweils eine erste horizontale Richtung und eine zweite horizontale Richtung, die senkrecht zueinander stehen, und die Z-Richtung ist eine vertikale Richtung.
Die Laserbestrahlungseinheit 3 bündelt das Laserlicht L mit Übertragungseigenschaften in Bezug auf das Objekt 11 und bestrahlt das Objekt 11 damit. Wenn das Laserlicht L innerhalb des von der Bühne 2 getragenen Objekts 11 gebündelt wird, wird das Laserlicht L insbesondere in einem Teil absorbiert, der einem Lichtkonzentrationspunkt C des Laserlichts L entspricht, und der modifizierte Bereich 12 wird innerhalb des Objekts 11 gebildet.
Der modifizierte Bereich 12 ist ein Bereich, dessen Dichte, Brechungsindex, mechanische Festigkeit oder andere physikalische Eigenschaften sich von denen der nicht modifizierten Bereiche in der Umgebung unterscheiden. Beispiele für den modifizierten Bereich 12 sind ein Schmelzbehandlungsbereich, ein Rissbereich, ein Isolationsdurchbruchsbereich und ein Brechungsindexänderungsbereich. Der modifizierte Bereich 12 weist Eigenschaften auf, die es wahrscheinlich machen, dass sich ein Riss vom modifizierten Bereich 12 zu einer Einfallsseite des Laserlichts L und einer dazu entgegengesetzten Seite erstreckt. Diese Eigenschaften des modifizierten Bereichs 12 werden zum Schneiden des Objekts 11 genutzt.
Wenn beispielsweise der Tisch 2 in X-Richtung bewegt wird und der Lichtkonzentrationspunkt C in Bezug auf das Objekt 11 relativ in X-Richtung bewegt wird, werden mehrere modifizierte Punkte 12s nebeneinander in einer Reihe in X-Richtung gebildet. Ein modifizierter Punkt 12s wird durch Bestrahlung mit einem Impuls des Laserlichts L gebildet. Eine Reihe des modifizierten Bereichs 12 ist eine Ansammlung mehrerer modifizierter Punkte 12s, die nebeneinander in einer Reihe angeordnet sind. Nebeneinanderliegende modifizierte Punkte 12s können miteinander verbunden oder voneinander getrennt sein, je nach der relativen Bewegungsgeschwindigkeit des Lichtkonzentrationspunkts C in Bezug auf das Objekt 11 und der Wiederholungsfrequenz des Laserlichts L.
Die Abbildungseinheit 4 bildet den im Objekt 11 gebildeten modifizierten Bereich 12 und eine Spitze eines Risses ab, der sich von dem modifizierten Bereich 12 aus erstreckt.
Die Abbildungseinheit 5 und die Abbildungseinheit 6 bilden das von dem Tisch 2 getragene Objekt 11 mit Hilfe von Licht ab, das durch das Objekt 11 unter Steuerung der Steuereinheit 8 hindurchgeht. Beispielsweise wird ein durch die Bildgebung der Abbildungseinheiten 5 und 6 erhaltenes Bild zur Ausrichtung einer Bestrahlungsposition des Laserlichts L verwendet.
Die Antriebseinheit 7 stützt die Laserbestrahlungseinheit 3 und die Vielzahl von Abbildungseinheiten 4, 5 und 6. Die Antriebseinheit 7 bewegt die Laserbestrahlungseinheit 3 und die Vielzahl der Abbildungseinheiten 4, 5 und 6 in Z-Richtung.
Die Steuereinheit 8 steuert den Betrieb des Tisches 2, der Laserbestrahlungseinheit 3, der mehreren Abbildungseinheiten 4, 5 und 6 sowie der Antriebseinheit 7. Die Steuereinheit 8 besteht aus einer Computervorrichtung mit einem Prozessor, einem Langzeitspeicher, einem Kurzzeitspeicher, einer Kommunikationsvorrichtung und dergleichen. In der Steuereinheit 8 führt der Prozessor Software (Programm) aus, die in den Speicher oder ähnliches eingelesen wurde, und steuert das Lesen und Schreiben von Daten in den Langzeitspeicher und den Kurzzeitspeicher sowie die Kommunikation durch die Kommunikationsvorrichtung.
Die Anzeige 150 dient als Eingabeeinheit, die eine Informationseingabe von einem Benutzer empfängt, und als Anzeigeeinheit, die einem Benutzer Informationen anzeigt.
[Konfiguration des Objekts]
Wie in 2 und 3 dargestellt, ist das Objekt 11 der vorliegenden Ausführungsform ein Wafer 20. Der Wafer 20 umfasst ein Halbleitersubstrat 21 und eine Funktionselementschicht 22. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 20 als mit der Funktionselementschicht 22 versehen beschrieben, aber der Wafer 20 muss die Funktionselementschicht 22 nicht aufweisen und kann ein Rohwafer sein. Das Halbleitersubstrat 21 hat eine Vorderfläche 21a (zweite Oberfläche) und eine Rückfläche 21b (erste Oberfläche). Das Halbleitersubstrat 21 ist zum Beispiel ein Siliziumsubstrat. Die Funktionselementschicht 22 ist auf der Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet. Die Funktionselementschicht 22 umfasst eine Vielzahl von Funktionselementen 22a, die zweidimensional entlang der Vorderfläche 21a angeordnet sind. Beispiele für die Funktionselemente 22a sind Lichtempfangselemente wie Fotodioden, Lichtemissionselemente wie Laserdioden und Schaltungselemente wie Speicher. Die Funktionselemente 22a können auf dreidimensionale Weise aufgebaut sein, indem eine Vielzahl von Schichten gestapelt werden. Das Halbleitersubstrat 21 ist mit einer Kerbe 21c versehen, die eine Kristallorientierung anzeigt, doch kann anstelle der Kerbe 21c auch eine Orientierungsfläche vorgesehen sein.
Der Wafer 20 wird für jedes der Funktionselemente 22a entlang jeder einer Vielzahl von Linien 15 geschnitten. Die mehreren Linien 15 verlaufen, in einer Dickenrichtung des Wafers 20 betrachtet, durch Bereiche zwischen den mehreren Funktionselementen 22a. Genauer gesagt, verlaufen die Linien 15 durch die Mittelpunkte von Sägegräben 23 (Mittelpunkte in Breitenrichtung), in Dickenrichtung des Wafers 20 betrachtet. Die Sägegräben 23 erstrecken sich durch Bereiche zwischen benachbarten Funktionselementen 22a in der Funktionselementschicht 22. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Vielzahl der Funktionselemente 22a in einer Matrixform entlang der Vorderfläche 21a angeordnet, und die Mehrzahl der Linien 15 sind in einer Gitterform gesetzt. Bei den Linien 15 handelt es sich um virtuelle Linien, sie können aber auch tatsächlich gezeichnete Linien sein.
[Konfiguration der Laserbestrahlungseinheit]
Wie in 4 dargestellt, verfügt die Laserbestrahlungseinheit 3 über eine Lichtquelle 31, einen räumlichen Lichtmodulator 32 und eine Lichtkonzentrationslinse 33. Die Lichtquelle 31 gibt das Laserlicht L beispielsweise durch ein Impulsoszillationsverfahren aus. Der räumliche Lichtmodulator 32 moduliert das von der Lichtquelle 31 ausgegebene Laserlicht L. Der räumliche Lichtmodulator 32 ist beispielsweise ein räumlicher Lichtmodulator (SLM) mit Flüssigkristall auf Silizium (LCOS). Die Lichtkonzentrationslinse 33 bündelt das vom räumlichen Lichtmodulator 32 modulierte Laserlicht L. Bei der Lichtkonzentrationslinse 33 kann es sich um eine Korrekturringlinse handeln.
In der vorliegenden Ausführungsform bildet die Laserbestrahlungseinheit 3 modifizierte Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen innerhalb des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der Vielzahl von Linien 15 durch Bestrahlung des Wafers 20 mit dem Laserlicht L von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der Vielzahl von Linien 15. In den modifizierten Bereichen 12a und 12b in zwei Reihen ist der modifizierte Bereich 12a ein modifizierter Bereich, der der Vorderfläche 21a am nächsten liegt. In den modifizierten Bereichen 12a und 12b in zwei Reihen ist der modifizierte Bereich 12b ein modifizierter Bereich, der dem modifizierten Bereich 12a am nächsten liegt und ein modifizierter Bereich, der der Rückfläche 21b am nächsten liegt.
Die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen liegen in der Dickenrichtung (Z-Richtung) des Wafers 20 nebeneinander. Die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen werden gebildet, wenn zwei Lichtkonzentrationspunkte C1 und C2 entlang der Linien 15 in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 relativ bewegt werden. Beispielsweise wird das Laserlicht L durch den räumlichen Lichtmodulator 32 so moduliert, dass der Lichtkonzentrationspunkt C2 auf einer Rückfläche in einer Vorwärtsbewegungsrichtung und der Einfallseite des Laserlichts L in Bezug auf den Lichtkonzentrationspunkt C1 positioniert ist. Was die Bildung eines modifizierten Bereichs betrifft, so kann dieser einen einzigen Brennpunkt oder mehrere Brennpunkte und einen Durchgang oder mehrere Durchgänge haben.
Die Laserbestrahlungseinheit 3 bestrahlt den Wafer 20 mit dem Laserlicht L von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der Vielzahl von Linien 15. Beispielsweise wird der Wafer 20 mit dem Laserlicht L von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 entlang jeder der mehreren Linien 15 bestrahlt, während die beiden Lichtkonzentrationspunkte C1 und C2 auf eine Position von 54 µm bzw. 128 µm von der Vorderfläche 21a aus fokussiert sind, wobei das Halbleitersubstrat 21 ein Einkristall-Siliziumsubstrat mit einer Dicke von 775 µm ist. Zu diesem Zeitpunkt, beispielsweise in dem Fall, in dem ein Riss 14 über die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen die Vorderfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 erreicht, wird eine Wellenlänge des Laserlichts L auf 1099 nm, eine Pulsbreite auf 700 ns und eine Wiederholungsfrequenz auf 120 kHz eingestellt. Außerdem wird eine Leistung des Laserlichts L am Lichtkonzentrationspunkt C1 auf 2,7 W, eine Leistung des Laserlichts L am Lichtkonzentrationspunkt C2 auf 2,7 W und die relativen Bewegungsgeschwindigkeiten der beiden Lichtkonzentrationspunkte C1 und C2 in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 auf 800 mm/s eingestellt.
Die Bildung solcher modifizierter Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen und des Risses 14 wird im folgenden Fall durchgeführt. Das heißt, in einem letzten Schritt werden diese zum Beispiel in einem Fall gebildet, in dem das Halbleitersubstrat 21 durch Schleifen der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 ausgedünnt wird, der Riss 14 auf der Rückfläche 21 b freigelegt wird und der Wafer 20 in eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen entlang jeder der Vielzahl von Linien 15 geschnitten wird.
[Konfiguration der Inspektionsabbildungseinheit]
Wie in 5 dargestellt, verfügt die Abbildungseinheit 4 (Abbildungseinheit) über eine Lichtquelle 41, einen Spiegel 42, eine Objektivlinse 43 und eine Lichterfassungseinheit 44. Die Abbildungseinheit 4 bildet den Wafer 20 ab. Die Lichtquelle 41 gibt Licht I1 mit Übertragungseigenschaften in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 ab. Die Lichtquelle 41 besteht zum Beispiel aus einer Halogenlampe und einem Filter und gibt Licht I1 aus dem nahen Infrarotbereich ab. Das von der Lichtquelle 41 abgegebene Licht I1 wird von dem Spiegel 42 reflektiert, passiert die Objektivlinse 43 und wird zur Bestrahlung des Wafers 20 von der Rückfläche 21b des Halbleitersubstrats 21 verwendet. Zu diesem Zeitpunkt trägt die Bühne 2 den Wafer 20, in dem die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen wie zuvor beschrieben ausgebildet sind.
Die Objektivlinse 43 lässt das von der Vorderfläche 21 a des Halbleitersubstrats 21 reflektierte Licht I1 durch sie hindurch. Das heißt, die Objektivlinse 43 lässt das Licht 11, das sich durch das Halbleitersubstrat 21 ausbreitet, durch. Die numerische Apertur (NA) der Objektivlinse 43 beträgt beispielsweise 0,45 oder mehr. Die Objektivlinse 43 hat einen Korrekturring 43a. Der Korrekturring 43a korrigiert beispielsweise eine Aberration, die im Licht I1 innerhalb des Halbleitersubstrats 21 erzeugt wird, indem er einen Abstand zwischen einer Vielzahl von Linsen einstellt, die die Objektlinse 43 bilden. Ein Mittel zum Korrigieren einer Aberration ist nicht auf den Korrekturring 43a beschränkt, und ein anderes Korrekturmittel, wie z. B. ein räumlicher Lichtmodulator, kann verwendet werden. Die Lichterfassungseinheit 44 erfasst das Licht 11, das durch die Objektivlinse 43 und den Spiegel 42 übertragen wurde. Die Lichterfassungseinheit 44 umfasst zum Beispiel eine InGaAs-Kamera und erfasst das Licht I1 im nahen Infrarotbereich. Ein Mittel zum Erfassen (Abbilden) des Lichts I1 eines Nahinfrarotbereichs ist nicht auf eine InGaAs-Kamera beschränkt, und es kann ein anderes Abbildungsmittel wie ein konfokales Mikroskop vom Übertragungstyp verwendet werden, solange es eine Abbildung vom Übertragungstyp durchführt.
Die Abbildungseinheit 4 kann eine Spitze jedes der modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen und jeden einer Vielzahl von Rissen 14a, 14b, 14c und 14d abbilden (Einzelheiten werden unten beschrieben). Der Riss 14a ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12a zur Vorderfläche 21a erstreckt. Der Riss 14b ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12a zur Rückfläche 21 b erstreckt. Der Riss 14c ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12b zur Vorderfläche 21a hin erstreckt. Der Riss 14d ist ein Riss, der sich von dem modifizierten Bereich 12b zur Rückfläche 21 b erstreckt.
[Konfiguration der Ausrichtungskorrektur-Abbildungseinheit]
Wie in 6 dargestellt, hat die Abbildungseinheit 5 eine Lichtquelle 51, einen Spiegel 52, eine Linse 53 und eine Lichterfassungseinheit 54. Die Lichtquelle 51 gibt Licht I2 ab, das in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 Durchlässigkeitseigenschaften aufweist. Die Lichtquelle 51 besteht beispielsweise aus einer Halogenlampe und einem Filter und gibt das Licht I2 aus dem nahen Infrarotbereich ab. Die Lichtquelle 51 kann die gleiche sein wie die Lichtquelle 41 der Abbildungseinheit 4. Das von der Lichtquelle 51 abgegebene Licht I2 wird von dem Spiegel 52 reflektiert, passiert die Linse 53 und wird zur Bestrahlung des Wafers 20 von der Rückfläche 21 b des Halbleitersubstrats 21 verwendet.
Die Linse 53 lässt das von der Vorderfläche 21 a des Halbleitersubstrats 21 reflektierte Licht I2 durch sie hindurch. Das heißt, die Linse 53 lässt das Licht I2, das sich durch das Halbleitersubstrat 21 ausbreitet, durch. Eine numerische Apertur der Linse 53 beträgt 0,3 oder weniger. Das heißt, die numerische Apertur der Objektivlinse 43 der Abbildungseinheit 4 ist größer als die numerische Apertur der Linse 53. Die Lichterfassungseinheit 54 erfasst das Licht I2, das durch die Linse 53 und den Spiegel 52 gelangt ist. Die Lichterfassungseinheit 55 besteht zum Beispiel aus einer InGaAs-Kamera und erfasst das Licht I2 aus dem nahen Infrarotbereich.
Unter der Steuerung der Steuereinheit 8 bildet die Abbildungseinheit 5 die Funktionselementschicht 22 ab, indem sie den Wafer 20 mit dem Licht I2 von der Rückfläche 21b bestrahlt und das von der Vorderfläche 21a (Funktionselementschicht22) zurückgeworfene Licht I2 erfasst. Darüber hinaus nimmt die Abbildungseinheit 5 in ähnlicher Weise unter Steuerung der Steuereinheit 8 ein Bild eines Bereichs auf, der die modifizierten Bereiche 12a und 12b enthält, indem sie den Wafer 20 mit dem Licht I2 von der Rückfläche 21b bestrahlt und das Licht I2 erfasst, das von den Bildungspositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b im Halbleitersubstrat 21 zurückgeworfen wird. Diese Bilder werden zur Ausrichtung der Bestrahlungsposition des Laserlichts L verwendet. Die Abbildungseinheit 6 ist ähnlich aufgebaut wie die Abbildungseinheit 5, mit der Ausnahme, dass die Linse 53 eine geringere Vergrößerung aufweist (z. B. 6-fach in der Abbildungseinheit 5 und 1 ,5-fach in der Abbildungseinheit 6) und zur Ausrichtung in ähnlicher Weise wie bei der Abbildungseinheit 5 verwendet wird.
[Abbildungsprinzip der Inspektionsabbildungseinheit]
Unter Verwendung der in 5 dargestellten Abbildungseinheit 4 wird, wie in 7 dargestellt, ein Brennpunkt F (ein Brennpunkt der Objektivlinse 43) von der Seite der Rückfläche 21b zur Seite der Vorderfläche 21a in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 bewegt, in dem der Riss 14 über die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen die Vorderfläche 21a erreicht hat. Wenn in diesem Fall der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf eine Spitze 14e des Risses 14 fokussiert wird, die sich von dem modifizierten Bereich 12b zur Rückfläche 21b erstreckt, kann die Spitze 14e bestätigt werden (das Bild auf der rechten Seite in 7). Aber auch wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf den Riss 14 selbst und die Spitze 14e des Risses 14, der die Vorderfläche 21a erreicht hat, fokussiert wird, können diese nicht bestätigt werden (das Bild auf der linken Seite in 7). Wird der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf die Vorderfläche 21 a des Halbleitersubstrats 21 fokussiert, kann die Funktionselementschicht 22 bestätigt werden.
Darüber hinaus wird bei Verwendung der in 5 dargestellten Abbildungseinheit 4, wie in 8 dargestellt, der Brennpunkt F von der Seite der Rückfläche 21b zur Seite der Vorderfläche 21a in Bezug auf das Halbleitersubstrat 21 bewegt, in dem der Riss 14 über die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen die Vorderfläche 21a nicht erreicht hat. In diesem Fall kann die Spitze 14e des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12a zur Vorderfläche 21a erstreckt, nicht bestätigt werden, selbst wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf die Spitze 14e fokussiert wird (das Bild auf der linken Seite in 8). Wenn jedoch der Brennpunkt F von der Seite der Rückfläche 21b aus auf einen Bereich fokussiert wird, der der Rückfläche 21b in Bezug auf die Vorderfläche 21a gegenüberliegt (d. h. ein Bereich auf der Seite der Funktionselementschicht 22 in Bezug auf die Vorderfläche 21a), und wenn ein virtueller Brennpunkt Fv, der symmetrisch zum Brennpunkt F in Bezug auf die Vorderfläche 21a ist, an der Spitze 14e positioniert wird, kann die Spitze 14e bestätigt werden (das Bild auf der rechten Seite in 8). Der virtuelle Brennpunkt Fv ist ein Punkt, der unter Berücksichtigung des Brechungsindex des Halbleitersubstrats 21 in Bezug auf die Vorderfläche 21a symmetrisch zum Brennpunkt F ist.
Es wird angenommen, dass der Riss 14 selbst nicht wie zuvor beschrieben bestätigt werden kann, weil die Breite des Risses 14 kleiner ist als die Wellenlänge des Lichts I1, das Bestrahlungslicht ist. 9 und 10 sind rasterelektronenmikroskopische (REM) Aufnahmen des modifizierten Bereichs 12 und des Risses 14, der im Inneren des Halbleitersubstrats 21, einem Siliziumsubstrat, gebildet wurde. 9(b) ist ein vergrößertes Bild eines in 9(a) dargestellten Bereichs A1, 10(a) ist ein vergrößertes Bild eines in 9(b) dargestellten Bereichs A2, und 10(b) ist ein vergrößertes Bild eines in 10(a) dargestellten Bereichs A3. Auf diese Weise beträgt die Breite des Risses 14 etwa 120 nm, und ist somit kleiner als die Wellenlänge des Lichts I1 im nahen Infrarotbereich (z. B. 1,1 bis 1,2 µm).
Ein Abbildungsprinzip, das in Anbetracht der vorstehenden Ausführungen angenommen wird, ist wie folgt. Wie in 11(a) dargestellt, wird ein schwärzliches Bild (das Bild auf der rechten Seite in 11(a)) erhalten, wenn der Brennpunkt F in der Luft positioniert ist, da das Licht I1 nicht zurückgeworfen wird. Wie in 11(b) dargestellt, wird ein weißliches Bild erhalten, wenn der Brennpunkt F innerhalb des Halbleitersubstrats 21 positioniert ist, da das von der Vorderfläche 21a reflektierte Licht I1 zurückgeworfen wird (das Bild auf der rechten Seite in 11(b)). Wie in 11(c) dargestellt, wird, wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b auf den modifizierten Bereich 12 fokussiert wird, da Absorption, Streuung oder ähnliches aufgrund des modifizierten Bereichs 12 in Bezug auf einen Teil des Lichts I1 auftritt, das von der Vorderfläche 21a reflektiert wurde und zurückgeworfen wurde, ein Bild erhalten, in dem der modifizierte Bereich 12 schwärzlich vor einem weißlichen Hintergrund erscheint (das Bild auf der rechten Seite in 11(c)).
Wie in 12(a) und 12(b) dargestellt, wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b auf die Spitze 14e des Risses 14 fokussiert wird, da beispielsweise Streuung, Reflexion, Interferenz, Absorption oder Ähnliches aufgrund optischer Besonderheiten (Spannungskonzentration, Verzerrung, Diskontinuität einer atomaren Dichte, oder dergleichen) in der Nähe der Spitze 14e auftritt, eine Begrenzung des Lichts in der Nähe der Spitze 14e auftritt oder dergleichen in Bezug auf einen Teil des Lichts I1, das von der Vorderfläche 21a reflektiert und zurückgeworfen wurde, wird ein Bild erhalten, in dem die Spitze 14e schwärzlich vor einem weißlichen Hintergrund erscheint (das Bild auf der rechten Seite in 12(a) und 12(b)). Wie in 12(c) dargestellt, wird ein weißliches Bild erhalten, wenn der Brennpunkt F von der Rückfläche 21b aus auf einen anderen Teil als den in der Nähe der Spitze 14e des Risses 14 fokussiert wird, da zumindest ein Teil des von der Vorderfläche 21a reflektierten Lichts I1 zurückgeworfen wird (das Bild auf der rechten Seite in 12(c)).
[Bearbeitungsbedingungsableitungsbehandlung]
Nachfolgend wird eine Behandlung zur Ableitung der Bearbeitungsbedingungen beschrieben, die als Vorbehandlung der Behandlung zur Bildung eines modifizierten Bereichs zum Zwecke des Schneidens des Wafers 20 oder dergleichen durchgeführt wird. Bearbeitungsbedingungen sind Anleitungsrezepte, die sich auf die Bearbeitungsbedingungen und ein Verfahren zur Verarbeitung des Wafers 20 beziehen. Die Steuereinheit 8 ist konfiguriert, um die Bearbeitungsbedingungen einschließlich der Bestrahlungsbedingungen für Laserlicht durch die Laserbestrahlungseinheit 3 auf der Grundlage der von der Anzeige 150 empfangenen Informationen (Bearbeitungsbedingungsbestimmungsbehandlung) zu bestimmen, die Laserbestrahlungseinheit 3 so zu steuern, dass der Wafer 20 mit Laserlicht unter den bestimmten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird (Bearbeitungsbehandlung), ein Laserbearbeitungsergebnis des Wafers 20 durch Bestrahlung mit Laserlicht durch Steuern der Abbildungseinheit 4 zu erfassen, um den Wafer 20 abzubilden (Verarbeitungsergebniserfassungsbehandlung), und die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage des Laserbearbeitungsergebnisses (Bearbeitungsbedingungsauswertungsbehandlung) auszuwerten.
(Bearbeitungsbedingungsbestimmungsbehandlung)
Unter Bezugnahme auf die 13 bis 21 wird die Behandlung zur Bestimmung der Bearbeitungsbedingungen beschrieben. Bei der Behandlung zur Bestimmung der Bearbeitungsbedingungen empfängt die Anzeige 150 zunächst eine Benutzereingabe für Wafer-Verarbeitungsinformationen, einschließlich Informationen über den Wafer 20 und ein Laserbearbeitungsziel in Bezug auf den Wafer 20. Ein Laserbearbeitungsziel ist eine Information, die Details der von einem Benutzer gewünschten Laserbearbeitung angibt. 13 bis 15 sind Beispiele für Einstellungsanzeigen für die Wafer-Verarbeitungsinformationen, die auf der Anzeige 150 (Bildschirm für den Empfang von Benutzereingaben) angezeigt werden. 13 ist eine Einstellungsanzeige für ein Bearbeitungsverfahren (Informationen, die in der zuvor beschriebenen Laserbearbeitungsvorgabe enthalten sind), 14 ist eine Einstellungsanzeige für Wafer-Informationen (Informationen, die in den zuvor beschriebenen Informationen des Wafers 20 enthalten sind), und 15 ist eine Einstellungsanzeige für die Bearbeitungseinstellung (Informationen, die in der zuvor beschriebenen Laserbearbeitungsvorgabe enthalten sind). Hier werden das Verarbeitungsverfahren (13), die Wafer-Informationen (14) und die Bearbeitungseinstellungen (15) in dieser Reihenfolge beschrieben, aber die Reihenfolge der Einstellungen (Reihenfolge der Bildschirmanzeige) ist nicht darauf beschränkt.
Wie in 13 dargestellt, empfängt die Anzeige 150 zunächst eine Benutzereingabe für das Verarbeitungsverfahren. Beispiele für das Verarbeitungsverfahren umfassen im Wesentlichen ein Stealth-Dicing-Verfahren nach dem Schleifen (SDAG) und ein Stealth-Dicing-Verfahren vor dem Schleifen (SDBG). Das SDAG ist ein Verarbeitungsverfahren zur Durchführung von Stealth Dicing nach dem Schleifen des Wafers 20. Das SDBG ist ein Verfahren zur Durchführung von Stealth Dicing vor dem Schleifen des Wafers 20. Das SDAG wird beispielsweise in drei Typen unterteilt, wie zum Beispiel SDAG (Einfall von der Vorderfläche), SDAG (Einfall von der Rückfläche) und SDAG (Bearbeitung über ein Band). Das SDAG (Einfall von der Vorderfläche) ist ein Bearbeitungsverfahren für die Bestrahlung mit einem Laser von der Vorderfläche 21a nach dem Schleifen des Wafers 20 und ist ein Bearbeitungsverfahren, das verwendet wird, wenn es kein TEG auf einer Einfallsfläche wie MEMS gibt und eine Sägegrabenbreite gewährleistet werden kann. Das SDAG (Einfall von der Rückfläche) ist ein Bearbeitungsverfahren, das verwendet wird, wenn sich ein TEG auf der Vorderfläche 21a befinden oder wenn die Sägegrabenbreite verringert werden soll. Das SDAG (Verarbeitung über ein Band) wird verwendet, wenn ein Bandübertragungsschritt reduziert werden soll. Konkret wird das SDBG beispielsweise in zwei Arten unterteilt, wie zum Beispiel SDBG (Einfall von der Vorderfläche) und SDBG (Einfall von der Rückfläche). Nachfolgend wird ein Beispiel beschrieben, bei dem das SDBG (Einfall von der Rückfläche) als Verarbeitungsverfahren festgelegt wird.
Wie in 14 dargestellt, empfängt die Anzeige 150 anschließend eine Benutzereingabe für die Wafer-Informationen. In Bezug auf die Wafer-Informationen können zum Beispiel eine Waferdicke, eine Zieldicke, ein Wafer-Typ, ein Zustand der Einfallsfläche, ein Widerstandswert (Dotierungsmenge), eine Indexgröße (ch1) und eine Indexgröße (ch2) eingestellt werden. Darunter kann zum Beispiel die Einstellung der Waferdicke und der Zieldicke wesentlich sein. Die Waferdicke ist eine Information, die die Dicke des Wafers 20 angibt. Beispielsweise ist die Waferdicke eine Dicke, die sowohl das Halbleitersubstrat 21 (Silizium) als auch die Funktionselementschicht 22 (Muster) des Wafers 20 umfasst. Die Waferdicke kann so festgelegt werden, dass sie in eine Silizium-Waferdicke und eine Strukturdicke unterteilt wird. Die Zieldicke ist zum Beispiel eine Information, die die Dicke des Wafers 20 nach dem Schleifen angibt. Das heißt, das Schleifen wird mit einer Schleifmaschine durchgeführt, bis die Zieldicke erreicht ist. Nach dem Schleifen mit einer Schleifmaschine werden der Bandweitergabeschritt und ein Ausdehnungsschritt durchgeführt. Wenn eine Stealth-Dicing-Vorrichtung und eine Schleifvorrichtung (Schleifer) miteinander kommunizieren können, können die Informationen über die Zieldicke zwischen den beiden Vorrichtungen ausgetauscht werden. Die Zieldicke ist beispielsweise eine Dicke, die sowohl das Halbleitersubstrat 21 (Silizium) als auch die Funktionselementschicht 22 (Muster) des Wafers 20 umfasst. Die Zieldicke kann so eingestellt werden, dass sie in die Dicke des Siliziumwafers und die Dicke des Musters aufgeteilt wird. Beispielsweise werden Informationen über die Musterdicke, Informationen über eine Laminatstruktur und ähnliches verwendet, wenn die Steuereinheit 8 eine Länge des Risses 14 schätzt. Anstelle der Zieldicke kann auch ein Schleifbetrag eingestellt werden.
Der Wafer-Typ ist zum Beispiel ein Typ wie ein „0°“-Produkt, ein „45°“-Produkt oder ähnliches, das einer Position einer Kerbe entspricht. Wenn zum Beispiel 45° als Wafer-Typ eingestellt ist, wird BHC in einem BHC-Zustand der Verarbeitungseinstellung empfohlen, die im Folgenden beschrieben wird. Der Ausdruck „BHC (Bottom-Side Half-Cut)“ ist ein Begriff, der einen Zustand bezeichnet, in dem der Riss 14 die Vorderfläche 21a erreicht hat (d.h. einen Zustand, in dem der Riss angekommen ist). Um die BHC zu realisieren, muss der Riss 14 nur an der Vorderfläche 21a ankommen, und es spielt keine Rolle, ob der Riss 14 an einer Musteroberfläche (der Vorderfläche der Funktionselementschicht 22) angekommen ist oder nicht. Wenn 0° als Wafer-Typ eingestellt ist, werden sowohl ST als auch BHC im BHC-Zustand der Verarbeitungseinstellung empfohlen, die im Folgenden beschrieben wird. Der Ausdruck „ST (Stealth)“ ist ein Begriff, der einen Zustand bezeichnet, in dem der Riss 14 die Rückfläche 21 b und die Vorderfläche 21a nicht erreicht hat. Der Zustand der Einfallsfläche ist eine Information, die einen Filmtyp (Brechungsindex), eine Filmdicke oder ähnliches der Einfallsfläche angibt. Auf der Grundlage des Zustands der Einfallsfläche, der Laserwellenlänge o. Ä. wird von der Steuereinheit 8 ein Reflexionsgrad berechnet und die Ausgabe von Laserlicht bestimmt. Der Widerstandswert (Dotierungsmenge) ist ein Widerstandswert (im Falle der Dotierungsmenge ein in einen Widerstandswert umgewandelter Wert der Dotierungsmenge). Auf der Grundlage des Widerstandswerts, der Laserwellenlänge o.ä. wird von der Steuereinheit 8 eine Ankunftsgeschwindigkeit berechnet und eine Ausgabe von Laserlicht bestimmt. Die Indexgröße ist eine Information, die zur Bestimmung des Indexwertes einer Vereinzelungsvorrichtung o.ä. verwendet wird. Wenn ein unbekannter Wafer 20 verarbeitet wird, können der Wafer-Typ, der Zustand der Einfallsfläche, der Widerstandswert und ähnliches nicht festgelegt werden, da sie unsicher sind.
Wie in 15 dargestellt, empfängt die Anzeige 150 anschließend eine Benutzereingabe für die Verarbeitungseinstellung. Einige der verschiedenen Arten von Informationen für die Verarbeitungseinstellung können automatisch auf der Grundlage des zuvor beschriebenen Verarbeitungsverfahrens und der Wafer-Informationen eingestellt werden. Bei der Bearbeitungseinstellung können beispielsweise ein BHC-Zustand (Rissankunftsinformation), eine Si-Restmenge (Information, die einen angenommenen Ausdehnungsbetrag eines Risses angibt), die Anzahl der Durchgänge, eine Geschwindigkeit, ein Zielquerschnitt und ein Spritzbereich eingestellt werden. Unter diesen kann zum Beispiel die Einstellung des BHC-Zustandes wesentlich sein. Der BHC-Zustand ist eine Information, die entweder BHC oder ST anzeigt. Das heißt, der BHC-Zustand ist eine Rissankunftsinformation, die angibt, ob ein Riss, der sich von einem modifizierten Bereich aus erstreckt, der bei der Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht gebildet wurde, die Vorderfläche 21a des Wafers 20 erreicht hat, oder ein Zustand, in dem er noch nicht eingetroffen ist, eingestellt werden soll. Wenn der ST auf den BHC-Zustand eingestellt ist, kann die zuvor beschriebene Si-Restmenge eingestellt werden. Die Si-Restmenge ist eine Länge von der Ankunftsposition des Risses 14 bis zur Vorderfläche 21a nach der ST-Bearbeitung (eine Länge eines nach der ST-Bearbeitung verbleibenden Siliziumteils). Wenn die ST-Bearbeitung durchgeführt wurde, um den Wafer 20 schließlich zu teilen, muss der Riss 14 zum Zeitpunkt des Schleifens ausgedehnt werden, damit er sich vor dem Ausdehnungsschritt im BHC-Zustand befindet. Im Allgemeinen führt ein Benutzer die Bearbeitung durch, während ein Ausdehnungsgrad des Risses 14 durch Schleifen festgestellt wird. So ist es beispielsweise denkbar, dass ein Ausdehnungsgrad des Risses 14 in einer Schleifmaschine anhand der Anzahl der Stufen einer Z-Höhe, die eine Bearbeitungstiefe (Höhe) angibt, ermittelt wird, wenn die Laserbearbeitung durchgeführt wird. Das heißt, es ist denkbar, dass ein Benutzer einen angenommenen Ausdehnungsbetrag des Risses 14 in einer Schleifmaschine auf der Grundlage der Anzahl der Stufen einer Z-Höhe ermittelt, wie zum Beispiel „ein Betrag entsprechend Z1“ (ein Betrag, der der Tiefe einer Stufe der Z-Höhe entspricht) und „ein Betrag entsprechend Z2“ (ein Betrag, der der Tiefe von zwei Stufen der Z-Höhe entspricht). Daher kann der Wafer 20 zum Zeitpunkt der ST-Bearbeitung zuverlässig geteilt werden, während die ST-Bearbeitung durchgeführt wird, und ein Vorteil der ST-Bearbeitung (Erhöhung der Bearbeitungsgeschwindigkeit oder Verringerung von Spritzern) wird erreicht, indem ein angenommener Ausdehnungsbetrag (die Anzahl der Stufen der Z-Höhe) des Risses 14 in der Schleifmaschine als Si-Restbetrag festgelegt wird. Wenn die Z-Höhe zum Zeitpunkt der Laserbearbeitung eingestellt wird, wird sie von einer Position des BHC in einer ST-Richtung (eine Richtung, in der der Riss 14 kurz wird) um so viel verschoben, wie die Z-Höhe für die Si-Restmenge eingestellt wurde. In einer Datenbank (einer Datenbank, in der die Wafer-Verarbeitungsinformationen und die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) in Verbindung miteinander gespeichert werden), die weiter unten beschrieben wird, können Anleitungsrezepte einschließlich der Si-Restmenge gespeichert werden. Die Si-Restmenge kann zum Beispiel aus der Waferdicke und der Z-Höhe durch Messung der Rissmenge im ST-Zustand berechnet werden.
Die Anzahl der Durchgänge ist eine Information, die die Anzahl der Durchgänge und die Anzahl der Brennpunkte angibt. Als Anzahl der Durchläufe wird ein vom Benutzer gewünschter Wert eingestellt. In einem Fall, in dem die Bearbeitung nicht mit der eingestellten Anzahl von Durchgängen durchgeführt werden kann, kann die Steuereinheit 8 die Anzahl der Durchgänge erhöhen, wenn die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) einem Benutzer vorgeschlagen werden oder wenn die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) korrigiert werden. Wenn verschiedene Arten von Wafer-Verarbeitungsinformationen, die von der Anzeige 150 empfangen werden, nicht geeignet sind, kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sie eine Meldung anzeigt, die zur Überarbeitung auffordert. Die Geschwindigkeit ist eine Laserbearbeitungsgeschwindigkeit. Die Steuereinheit 8 bestimmt die Laserleistung, die Frequenz und den Pulsabstand in Abhängigkeit von der eingestellten Geschwindigkeit. In einem Fall, in dem die Bearbeitung nicht mit der eingestellten Geschwindigkeit durchgeführt werden kann, kann die Steuereinheit 8 die Geschwindigkeit ändern, wenn die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) einem Benutzer vorgeschlagen werden oder wenn die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) korrigiert werden. Der Spritzbereich ist eine Information, die eine Breite eines Spritzers angibt. Wenn der Spritzbereich schmal ist, kann die Steuereinheit 8 eine Z-Höhe oder einen Pulsabstand für den ST-Zustand festlegen oder Bearbeitungsbedingungen bestimmen, bei denen ein schwarzer Streifen erzeugt wird.
Der Zielquerschnitt ist eine Information, die angibt, ob ein modifizierter Bereich (Stealth Dicing (SD)-Schicht), der bei der Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht gebildet wird, nach Abschluss der Laserbearbeitung und der Endbearbeitung (Schleifen) in einem Chipquerschnitt (einem Zielquerschnitt des Wafers 20) erscheint oder nicht. Da beim SDBG das Schleifen nach der Laserbearbeitung erfolgt, kann die Endbearbeitung je nach den Bedingungen so durchgeführt werden, dass keine SD-Schicht im Chipquerschnitt verbleibt. Da keine SD-Schicht im Chipquerschnitt verbleibt, kann die Festigkeit eines Chips verbessert und die Partikelanzahl reduziert werden. Die Bedingungen, unter denen für den Zielquerschnitt „keine SD-Schicht“ eingestellt werden kann, werden unter Bezugnahme auf 16 beschrieben. In 16(a) bis 16(d) bezeichnet SD1 einen modifizierten Bereich. Gegenwärtig wird davon ausgegangen, dass für den Zielquerschnitt der Anzeige 150 in der Verarbeitungseinstellung „keine SD-Schicht“ eingestellt ist. In diesem Fall bestimmt die Steuereinheit 8, wie in 16(a) dargestellt, die Bearbeitungsbedingungen so, dass SD1 so eingestellt wird, dass die Länge vom unteren Ende von SD1 bis zur vorderen Fläche 21a (untere Endabstand SD1) länger ist als die in den Wafer-Informationen eingestellte Zieldicke. Wenn die Risslänge länger ist als der untere Endabstand SD1 im Fall des BHC-Zustands, wie im linken Diagramm von 16(b) dargestellt, oder wenn die Summe der Risslänge und des Si-Restbetrags länger ist als der untere Endabstand SD1 im Fall des ST-Zustands, wie im rechten Diagramm von 16(b) dargestellt, entscheidet die Steuereinheit 8, dass „keine SD-Schicht“ für den Zielquerschnitt eingestellt werden kann. Andererseits, wie in 16(c) dargestellt, wenn die Summe der Risslänge und des Si-Restbetrags kürzer ist als der untere Endabstand SD1 im Fall des ST-Zustands, entscheidet die Steuereinheit 8, dass „keine SD-Schicht“ für den Zielquerschnitt eingestellt werden kann. In diesem Fall kann die Steuereinheit 8 den Zielquerschnitt auf „mit SD-Schicht“ umstellen. Alternativ kann der Zielquerschnitt auf Entscheidung eines Benutzers auf „mit SD-Schicht“ umgeschaltet werden.
Wie in 15 dargestellt, kann in einem Eingabebildschirm für die Verarbeitungseinstellungen ausgewählt werden, ob die beiden Kategorien „Anzeige und Bestätigung der Anleitungsrezepte vor der Verarbeitung“ und „Bestätigung des Verarbeitungsergebnisses vor der Korrektur der Anleitungsrezepte“ ausgeführt werden sollen oder nicht. Anleitungsrezepte sind Informationen, die die Bearbeitungsbedingungen angeben. Wenn „Anzeige und Bestätigung der Anleitungsrezepte vor der Bearbeitung“ gewählt wird, werden die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen), wenn sie von der Steuereinheit 8 bestimmt werden, angezeigt, bevor die Laserbearbeitung durchgeführt wird. Wenn „Anzeige und Bestätigung der Anleitungsrezepte vor der Bearbeitung“ nicht ausgewählt ist, wird die Laserbearbeitung gestartet, ohne dass die Anleitungsrezepte angezeigt werden, wenn die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) von der Steuereinheit 8 festgelegt werden. Wenn „Bestätigung des Verarbeitungsergebnisses vor der Korrektur der Anleitungsrezepte“ gewählt wird, wird ein aktuelles Verarbeitungsergebnis vor der Korrektur der Anleitungsrezepte (oder der Abrechnung der Anleitungsrezepte) angezeigt. Wenn „Bestätigung des Verarbeitungsergebnisses vor der Korrektur der Anleitungsrezepte“ nicht ausgewählt ist, wird nach Abschluss der Verarbeitung eine Korrektur der Anleitungsrezepte (oder eine Abrechnung der Anleitungsrezepte) durchgeführt, ohne dass ein tatsächliches Verarbeitungsergebnis angezeigt wird. Wenn die in 15 dargestellte Taste „Anleitungsrezept erstellen“ gedrückt wird, wird die Anleitungsrezeptbestimmung von der Steuereinheit 8 durchgeführt.
Die Steuereinheit 8 bestimmt die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) einschließlich der Bestrahlungsbedingungen des Laserlichts durch die Laserbestrahlungseinheit 3 auf der Grundlage der Wafer-Verarbeitungsinformationen (verschiedene Arten von Informationen, die über die Einstellungsanzeigen in den 13 bis 15 empfangen werden), die von der Anzeige 150 empfangen werden. Die Steuereinheit 8 bestimmt die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen), die den von der Anzeige 150 empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen, indem sie sich auf die Datenbank bezieht, in der die Wafer-Verarbeitungsinformationen und die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) in Verbindung miteinander gespeichert sind. Genauer gesagt kann die Steuereinheit 8 die Anleitungsrezepte, die den von der Anzeige 150 empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen, unter Verwendung eines Computerprogramms, das auf einem aus der Datenbank generierten Algorithmus basiert, oder eines Rückkopplungssteuerprogramms, das sich auf die Datenbank bezieht, bestimmen. Die Datenbank kann in der Inspektionsvorrichtung 1 oder in einer externen Vorrichtung (Webserver), die mit der Inspektionsvorrichtung 1 kommunizieren kann, bereitgestellt werden. Je nach Installationsort der Inspektionsvorrichtung 1 muss die Inspektionsvorrichtung 1 beispielsweise nicht an ein Netzwerk angeschlossen werden. Selbst in einem solchen Fall kann die Steuereinheit 8 eine Funktion in Bezug auf die Datenbank ausführen, indem sie eine Datenbank wie eine systemeigene Anwendung auf einem elektronischen Medium (einer DVD, einer CD, einem USB-Speicher, einer SD-Karte oder ähnlichem) in der Inspektionsvorrichtung 1 installiert. Bei einer solchen Konfiguration können, obwohl es nicht möglich ist, mit einer Datenbank verbunden zu werden, die einer zentralen Verwaltung in einem Webserver unterliegt, Rückmeldeinformationen nur eines bestimmten Benutzers gesammelt werden, kann die Datenbank kontinuierlich aktualisiert werden, und kann die Genauigkeit der Inspektion intensiv und kontinuierlich verbessert werden, indem die Datenbank innerhalb der Inspektionsvorrichtung 1 individuell verwaltet wird. Wenn eine Datenbank im Webserver vorhanden ist, wird die Datenbank wahrscheinlich zentral verwaltet, so dass eine Inspektionsfunktion, die eine Datenbank (Benutzer-DB) verwendet, durch die Öffnung einer Webanwendung oder einer Web-API oder die Verteilung einer nativen Anwendung weit verbreitet werden kann. Darüber hinaus kann die Genauigkeit der Inspektion umfassend und kontinuierlich verbessert werden, indem Rückmeldeinformationen von vielen Benutzern gesammelt und die Datenbank kontinuierlich aktualisiert wird. 17 ist eine erläuternde Ansicht von Anleitungsrezepten, die aus einer Datenbank ausgewählt wurden. 17 zeigt lediglich eine schematische Ansicht zur Beschreibung der Bestimmung von Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepten) unter Verwendung einer Datenbank und stellt keine Informationen dar, die tatsächlich in einer Datenbank gespeichert sind. Zum Beispiel ist in 17 ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild für jedes der Anleitungsrezepte (das weiter unten beschrieben wird) dargestellt, aber die Bilder sind möglicherweise nicht tatsächlich in der Datenbank gespeichert. Zu den Anleitungsrezepten gehören die Wellenlänge des Laserlichts, d. h. die Bestrahlungsbedingungen (Laserbedingungen) des Laserlichts, die Pulsbreite, die Frequenz, die Geschwindigkeit, die Anzahl der Brennpunkte, d. h. Informationen, die sich auf die Einstellung der Bearbeitungspunkte und die LBA-Einstellung beziehen, ein Korrekturwert, wie z. B. eine sphärische Aberration oder ein Astigmatismus, der sich auf den Zustand der Lichtkonzentration der Bearbeitungspunkte bezieht, die Z-Höhe, wenn ein modifizierter Bereich gebildet wird, und Ähnliches.
Wie in 17 dargestellt, speichert die Datenbank die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen), die den einzelnen Elementen der Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen. Die Steuereinheit 8 führt einen Abgleich mit den von der Anzeige 150 empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) durch und wählt die Anleitungsrezepte, die den Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen, die den Eingabeinformationen in den in die Datenbank geladenen Wafer-Verarbeitungsinformationen am nächsten kommen, als Anleitungsrezeptvorschlag aus. Die Abgleichbehandlung kann mit Hilfe von künstlicher Intelligenz (Al) durchgeführt werden. Hier wird, wie in 17 dargestellt, angenommen, dass „Waferdicke: 775 µm“, „Zieldicke: 50 µm“, „Wafer-Typ: 45°“, „Zustand der Einfallsfläche: SiO₂-Schicht von 50 nm“, „Widerstandswert (Dotierungsmenge): 1 Ω/cm“, „Verarbeitungsverfahren: SDBG (Rückfläche)“, „BHC-Zustand: BHC“, „Anzahl der Durchgänge: 2 Brennpunkte und 1 Durchgang“, „Geschwindigkeit: 800 mm/sec“, „Zielquerschnitt: keine SD-Schicht“ und „Spritzbereich: Spritzer ±30 µm“ als Eingangsinformationen eingegeben werden. In diesem Fall wählt die Steuereinheit 8 unter Bezugnahme auf die Datenbank in Bezug auf die Wafer-Verarbeitungsinformationen die Anleitungsrezepte (die Anleitungsrezepte auf der linken Seite) aus, in denen „Waferdicke t von 775 µm“, „Zieldicke bis 60 µm“, „BHC-Bedingungen“, „2 Brennpunkte und 1 Durchlauf“, „800 mm/sec“, „keine SD-Schicht“ und „Spritzer ±10“ als die vorgeschlagenen Anleitungsrezepte festgelegt sind.
Wenn es einen Unterschied (einen abweichenden Parameter) zwischen den Wafer-Verarbeitungsinformationen der vorgeschlagenen Anleitungsrezepte, die durch die Durchführung der zuvor beschriebenen Anpassungsbehandlung ausgewählt wurden, und den Wafer-Verarbeitungsinformationen der Eingangsinformationen gibt, kann die Steuereinheit 8 die Parameterabweichung durch Berechnung und Simulation korrigieren und die Anleitungsrezepte mit einem korrigierten Parameter als die vorgeschlagenen Anleitungsrezepte bestimmen. Beispielsweise kann die Steuereinheit 8 die Z-Höhe in Übereinstimmung mit der Differenz zwischen den Waferdicken korrigieren, wenn sich beispielsweise die Waferdicken voneinander unterscheiden, eine Ausgabe von Laserlicht in Übereinstimmung mit der Differenz zwischen den Widerstandswerten korrigieren, wenn sich die Widerstandswerte voneinander unterscheiden, die Frequenz von Laserlicht in Übereinstimmung mit der Differenz zwischen den Geschwindigkeiten korrigieren, wenn sich die Geschwindigkeiten voneinander unterscheiden, und die Anzahl von Brennpunkten in Übereinstimmung mit der Differenz zwischen den Anzahlen von Durchgängen korrigieren, wenn sich die Anzahlen von Durchgängen voneinander unterscheiden.
Unter Bezugnahme auf die Datenbank kann die Steuereinheit 8 eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten extrahieren, die Kandidaten für die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) sind, die den eingegebenen Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass die Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird. In dem in 18 dargestellten Beispiel hat die Steuereinheit 8 drei Anleitungsrezeptkandidaten extrahiert. Die Eingabedaten ähneln hier denen des zuvor beschriebenen Beispiels in 17. Außerdem wurden die meisten empfohlenen Anleitungsrezepte (in 18 als „Vorschlag 1 empfohlen“ bezeichnet), Anleitungsrezepte mit Priorität auf Taktung (in 18 als „Vorschlag 2 Priorität auf Taktung“ bezeichnet) und Anleitungsrezepte mit Priorität auf Teilungstoleranz (in 18 als „Vorschlag 3 Priorität auf Teilungstoleranz“ bezeichnet) extrahiert. Die am meisten empfohlenen Anleitungsrezepte sind beispielsweise Anleitungsrezepte mit dem höchsten Übereinstimmungsgrad in Bezug auf die Eingabeinformationen (Übereinstimmungsgrad der Wafer-Verarbeitungsinformationen). Die bevorzugten Anleitungsrezepte sind zum Beispiel Anleitungsrezepte mit einem relativ hohen Übereinstimmungsgrad in Bezug auf die Eingabeinformationen (Übereinstimmungsgrad der Wafer-Verarbeitungsinformationen) und einer hohen Geschwindigkeit. Die Anleitungsrezepte mit Priorität auf Taktung in 18 haben eine Geschwindigkeit von 1.000 mm/s, die höher ist als die Geschwindigkeiten der anderen Anleitungsrezepte. Bei den Anleitungsrezepten mit Priorität auf Teilungstoleranz handelt es sich beispielsweise um Anleitungsrezepte mit einem relativ hohen Anpassungsgrad in Bezug auf die Eingangsinformationen (Anpassungsgrad der Wafer-Verarbeitungsinformationen) und einer großen Anzahl von Brennpunkten. Die Anleitungsrezepte mit Priorität auf Teilungstoleranz in 18 haben drei Brennpunkte als Anzahl der Brennpunkte, was mehr ist als die Anzahl der Brennpunkte der anderen Anleitungsrezepte. Da auf diese Weise eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten extrahiert und auf der Anzeige 150 angezeigt wird, kann ein Benutzer die gewünschten Anleitungsrezepte auswählen. Die Steuereinheit 8 kann eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten extrahieren, die unter anderen Gesichtspunkten als den zuvor beschriebenen empfohlenen, d.h., der Priorität auf Taktung und der Priorität auf Teilungstoleranz, zu extrahieren sind. Beispielsweise können sie unter dem Gesichtspunkt der Qualitätspriorität (Eindämmung von Mäanderbildung oder Partikeln) extrahiert werden.
Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass sie eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten in einer Anzeigeform unter Berücksichtigung des Übereinstimmungsgrades anzeigt, indem sie den Übereinstimmungsgrad in Bezug auf die Wafer-Verarbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) ableitet, die individuell für die Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten eingegeben wurden. Insbesondere kann die Steuereinheit 8 beispielsweise die Anzeige 150 so steuern, dass die Übereinstimmungsgrade einer Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt werden oder dass die Anleitungsrezeptkandidaten mit einem höheren Übereinstimmungsgrad und die Anleitungsrezeptkandidaten mit einem niedrigeren Übereinstimmungsgrad unterschieden werden. Darüber hinaus kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sie eine bevorzugte Reihenfolge anzeigt, die den Übereinstimmungsgraden der mehreren Anleitungsrezeptkandidaten entspricht. Darüber hinaus kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sie verschiedene Arten von Informationen (Anleitungsrezeptfeatures) anzeigt, die zu Informationen für die Beurteilung werden, wenn ein Benutzer Anleitungsrezepte aus einer Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten auswählt.
Die Anzeige 150 empfängt eine Benutzereingabe zur Auswahl eines Anleitungsrezeptkandidaten in einem Zustand, in dem eine Vielzahl von Anleitungsrezeptkandidaten angezeigt wird. Darüber hinaus kann die Steuereinheit 8 den Anleitungsrezeptkandidaten, der durch eine von der Anzeige 150 empfangene Benutzereingabe ausgewählt wurde, als Anleitungsrezept (Bearbeitungsbedingungen) bestimmen.
Die Steuereinheit 8 kann außerdem die Anzeige 150 so steuern, dass sie die ermittelten Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) anzeigt. 19 ist ein Beispiel für einen Anzeigebildschirm des geschätzten Verarbeitungsergebnisses (das unten beschrieben wird). Wie in 19 dargestellt, zeigt die Anzeige 150 bei der Bestimmung der vorgeschlagenen Anleitungsrezepte die Einzelheiten der vorgeschlagenen Anleitungsrezepte zusammen mit den empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) und dem geschätzten Verarbeitungsergebnisbild (das weiter unten beschrieben wird) an. Die anzuzeigenden Details der vorgeschlagenen Anleitungsrezepte können ein Teil der in den ermittelten Anleitungsrezepten (Bearbeitungsbedingungen) enthaltenen Informationen sein. Das heißt, dass in den Anleitungsrezepten ein Parameter enthalten sein kann, der dem Benutzer nicht angezeigt wird. In dem in 19 dargestellten Beispiel werden bezüglich der Details der vorgeschlagenen Anleitungsrezepte die Wellenlänge (Stufe 9), die die Bestrahlungsbedingungen (Laserbedingungen) des Laserlichts darstellt, die Pulsbreite (Stufe 7), die Frequenz (Stufe 12), die Geschwindigkeit (800 mm/s), die Anzahl der Brennpunkte, die Informationen bezüglich der Einstellung der Bearbeitungspunkte und der LBA-Einstellung (Zwei-Brennpunkt-Bearbeitung) darstellt, die Z-Höhen (Z173 und Z155) bezüglich der Bildung der modifizierten Bereiche SD1 und SD2 in zwei Reihen und ähnliches angezeigt.
Die Steuereinheit 8 kann ein geschätztes Verarbeitungsergebnis ableiten, wenn der Wafer 20 von der Laserbestrahlungseinheit 3 mit Laserlicht bestrahlt wird, und zwar auf der Grundlage der ermittelten Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen), und kann die Anzeige 150 so steuern, dass das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild angezeigt wird, das ein Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses ist. Genauer gesagt ist die Steuereinheit 8 dazu eingerichtet, die Ableitung eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckenden Riss enthält, der auf dem Wafer 20 gebildet wird, wenn der Wafer 20 von der Laserbestrahlungseinheit 3 mit Laserlicht bestrahlt wird, auf der Grundlage der festgelegten Anleitungsrezepte auszuführen, und ferner die Steuerung der Anzeige 150, um ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild anzuzeigen, das sowohl ein graphisches Bild des Wafers 20 als auch ein graphisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer 20 unter Berücksichtigung von Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer 20 darstellt, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet werden, auszuführen. Genauer gesagt ist ein geschätztes Verarbeitungsergebnis eine Position eines modifizierten Bereichs, eine Ausdehnung eines Risses, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein eines schwarzen Streifens oder Ähnliches, das auf der Grundlage der empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) und der ermittelten Anleitungsrezepte geschätzt wird. Die Steuereinheit 8 steuert die Anzeige 150 so, dass sowohl die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in Verbindung miteinander angezeigt werden.
Wie in 19 dargestellt, wird das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild zusammen mit den empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen (Eingabeinformationen) und den Anleitungsrezepten auf der Anzeige 150 angezeigt. In dem in 19 dargestellten Beispiel sind die modifizierten Bereiche 12a und 12b in zwei Reihen auf der Anzeige 150 dargestellt, und ist der Riss 14 über die modifizierten Bereiche 12a und 12b hinweg in zwei Reihen dargestellt. Die Positionen der dargestellten modifizierten Bereiche 12a und 12b und des Risses 14 werden von der Steuereinheit 8 auf der Grundlage der Anleitungsrezepte abgeleitet. Derzeit zeigt das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild der Anzeige 150A: BHC-Zustand (in einem Zustand von BHC), B: kein schwarzer Streifen (kein schwarzer Streifen wird erzeugt), C: 65 µm, 92 µm, 140 µm und 171 µm (die untere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12a ist 65 µm, die obere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12a ist 92 µm, die untere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12b ist 140 µm und die obere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12b ist 171 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), D: 246 µm (die obere Endzielposition des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21b erstreckt, beträgt 246 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), E: Waferdicke t von 775 µm (die Waferdicke beträgt 775 µm), die Zieldicke beträgt 50 µm, und dergleichen. Jeder der Zielwerte für die Zielposition und dergleichen kann in einem Bereich anstelle eines Wertes von einem Punkt angegeben werden.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe von ersten korrigierten Informationen empfangen, die sich auf die Korrektur der Positionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und des Risses 14 beziehen, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in einem Zustand angezeigt werden, in dem das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild angezeigt wird. Das heißt, die Anzeige 150 kann eine Eingabe der ersten korrigierten Informationen empfangen, bei denen es sich um Informationen zum Korrigieren der Zielpositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und der Zielposition des Risses 14 handelt. In diesem Fall kann die Steuereinheit 8 das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der ersten korrigierten Informationen (d.h. Informationen zum Korrigieren der Zielpositionen der modifizierten Bereiche 12a und 12b und der Zielposition des Risses 14) korrigieren, kann verschiedene Parameter der Anleitungsrezepte korrigieren, um das geschätzte Verarbeitungsergebnis nach der Korrektur zu erhalten, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl die Anleitungsrezepte nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur einander zugeordnet angezeigt werden.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe von zweiten korrigierten Informationen in Bezug auf die Korrektur von Anleitungsrezepten in einem Zustand empfangen, in dem die Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepte) angezeigt werden. In diesem Fall kann die Steuereinheit 8 verschiedene Parameter der Anleitungsrezepte auf der Grundlage der zweiten korrigierten Informationen korrigieren, kann das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Anleitungsrezepte nach der Korrektur korrigieren und kann die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl dieAnleitungsrezepte nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander angezeigt werden.
Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass sie das Ergebnis für den Vorschlag der Inspektionsbedingungen (siehe 19) zusammen mit dem geschätzten Verarbeitungsergebnisbild anzeigt. Das Ergebnis des Vorschlags für die Inspektionsbedingungen zeigt die empfohlenen Inspektionsbedingungen auf der Grundlage der Anleitungsrezepte und des geschätzten Verarbeitungsergebnisses an. Die Inspektionsverfahren mit den Buchstaben A bis E, die in dem in 19 dargestellten Vorschlag für die Inspektionsbedingungen gezeigt werden, sind Inspektionsverfahren, die den zuvor beschriebenen Inhalten von A bis E in dem geschätzten Verarbeitungsergebnisbild entsprechen. Das heißt, im Ergebnis des Vorschlags für die Inspektionsbedingungen in 19 werden A: eine BHC-Inspektion und A: eine BHC-Toleranzinspektion als die Inspektion für A: BHC-Zustand empfohlen, wird B: Inspektion der schwarzen Streifen als die Inspektion für B: schwarze Streifen empfohlen, wird C: SD-Schichtpositionsinspektion als die Inspektion für C: Position des modifizierten Bereichs (SD-Schicht) empfohlen, wird D: obere Risspositionsinspektion als die Inspektion für D: obere Endposition des Risses 14 empfohlen und wird E: Waferdickeninspektion als die Inspektion für E: Waferdicke empfohlen. Bei der BHC-Toleranzinspektion werden der Zustand der Rückfläche (ST oder BHC), die Position der Spitze des oberen Risses, der Änderungsbetrag der Position der Spitze des oberen Risses, die Länge des Risses am unteren Ende und dergleichen in jeder der Z-Höhen angezeigt. Wie in 19 dargestellt, kann der Benutzer auswählen, ob er jeden im Ergebnis der Inspektionsbedingungen angezeigten Inspektionsprozess ausführen möchte oder nicht. Wenn die in 19 dargestellte Taste „Verarbeitung starten“ gedrückt wird, nachdem die auszuführende Inspektion ausgewählt wurde, wird die Verarbeitung gestartet, und jeder Prozess der ausgewählten Inspektion wird ausgeführt, nachdem die Verarbeitung abgeschlossen ist.
Das zuvor beschriebene Anzeigen des geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes wird unter Bezugnahme auf die 20 und 21 näher beschrieben. Hier wird ein Beispiel für eine schematische Darstellung in Bezug auf einen tatsächlichen Querschnittszustand in einem geschätzten Verarbeitungsergebnisbild beschrieben. 20(a) veranschaulicht die tatsächlichen Zustände verschiedener Querschnitte, und 20(b) veranschaulicht die geschätzten Verarbeitungsergebnisbilder eines Querschnitts senkrecht zu einer Verarbeitungslinie, wenn der in 20(a) veranschaulichte Querschnitt erhalten wird. 20(a) und 20(b) zeigen Zustände, die vertikal zueinander passen. Wie in 20(b) dargestellt, wird in dem geschätzten Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zur Verarbeitungslinie der modifizierte Bereich (SD-Schicht) in einer ovalen Form (oder einem Kreis) und der Riss in einer Linie dargestellt, und die Verbindung eines Risses durch den modifizierten Bereich ist schematisch dargestellt. Anhand eines solchen geschätzten Verarbeitungsergebnisses kann visuell ausgedrückt werden, dass es sich im BHC-Zustand befindet (linkes Ende in 20(b)), dass es sich im ST-Zustand befindet und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite von links in 20(b)), dass es sich im BHC-Zustand befindet und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite Ende von rechts in 20(b)), dass es sich im BHC-Zustand befindet und Unebenheiten an der Endfläche aufgetreten sind (das rechte Ende in 20(b)), und so weiter. Darüber hinaus kann in Bezug auf die Unebenheiten an der Endfläche auch ein Unebenheitsgrad in Abhängigkeit vom mäanderförmigen Zustand des Risses angegeben werden (rechtes Ende in 20(b)). Auf diese Weise kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zur Bearbeitungslinie, die mit Laserlicht bestrahlt wird, anzeigt.
21 (a) zeigt die tatsächlichen Zustände verschiedener Querschnitte, und 21 (b) zeigt die geschätzten Bilder der Verarbeitungsergebnisse eines Querschnitts horizontal zur Verarbeitungslinie, wenn der in 21 (a) gezeigte Querschnitt erhalten wird. 21 (a) und 21 (b) zeigen Zustände, die vertikal zueinander passen. Wie in 21 (b) dargestellt, wird im Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses eines Querschnitts horizontal zur Verarbeitungslinie z. B. ein modifizierter Bereich (SD-Schicht) in Form eines Bandes angezeigt. Da der modifizierte Bereich für jeden Puls ausgedrückt werden kann, kann in dem Bild eines Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie ein Bild eines Pulsabstands angezeigt werden. Da Risse in einer Fläche anstelle von Linien dargestellt werden, werden sie durch einen Farbunterschied oder ähnliches voneinander unterschieden. Anhand eines solchen Bildes des geschätzten Verarbeitungsergebnisses kann visuell ausgedrückt werden, dass es sich im BHC-Zustand befindet (das linke Ende in 21(b)), dass es sich im ST-Zustand befindet und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite von links in 21(b)), dass es sich im BHC-Zustand befindet und der Riss in der Mitte unterbrochen ist (das zweite Ende von rechts in 21(b)), dass es sich im BHC-Zustand befindet und Unebenheiten an der Endfläche aufgetreten sind (das rechte Ende in 21(b)), und so weiter. Die Unebenheit an der Endfläche kann durch einen mäanderförmigen Bereich des Risses ausgedrückt werden (rechtes Ende in 20(b)). Auf diese Weise kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnis eines Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie anzeigt, die mit Laserlicht bestrahlt wird.
(Verarbeitungsbehandlung)
Bei der Verarbeitungsbehandlung steuert die Steuereinheit 8 die Laserbestrahlungseinheit 3 so, dass der Wafer 20 unter den festgelegten Bearbeitungsbedingungen (Anleitungsrezepten) mit Laserlicht bestrahlt wird. Insbesondere steuert die Steuereinheit 8 die Laserbestrahlungseinheit 3 so, dass durch Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht ein modifizierter Bereich und ein von dem modifizierten Bereich ausgehender Riss in dem Wafer 20 gebildet wird. Die Steuereinheit 8 startet die Verarbeitungsbehandlung in Übereinstimmung mit der Eingabe „Verarbeitung starten“ (siehe 19), die auf der Anzeige 150 gedrückt wird.
(Verarbeitungsergebniserfassungsbehandlung)
Bei der Behandlung zur Erfassung des Verarbeitungsergebnisses erfasst die Steuereinheit 8 ein Laserbearbeitungsergebnis des Wafers 20 durch Bestrahlung mit Laserlicht, indem sie die Abbildungseinheit 4 so steuert, dass der bearbeitete Wafer 20 abgebildet wird. Insbesondere erfasst die Steuereinheit 8 ein Laserbearbeitungsergebnis, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer 20 durch Bestrahlung mit Laserlicht gebildet wird, indem Licht mit Übertragungseigenschaften in Bezug auf den Wafer 20 ausgegeben wird und die Abbildungseinheit 4 so gesteuert wird, dass der Wafer 20 abgebildet wird.
Wie zuvor beschrieben, wird nach der Laserbearbeitung jedes von einem Benutzer ausgewählte Inspektionsverfahren (siehe 19) ausgeführt. In jedem Inspektionsverfahren wird E: die Waferdickeninspektion (Ableitung der Waferdicke) unter Bezugnahme auf 22 und 23 beschrieben. In der Inspektionsvorrichtung 1 kann die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der Informationen gemessen werden, die durch die Laserbearbeitung durch die Laserbestrahlungseinheit 3 und den Prozess der internen Beobachtung durch die Abbildungseinheit 4 gewonnen werden. Insbesondere führt die Steuereinheit 8 eine erste Behandlung zur Steuerung der Laserbestrahlungseinheit 3, um einen modifizierten Bereich innerhalb des Wafers 20 durch Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht zu bilden, und eine zweite Behandlung zur Ableitung einer Position des modifizierten Bereichs auf der Grundlage eines Signals, das von der Abbildungseinheit 4 ausgegeben wird, die Licht erfasst hat, das sich in dem Wafer 20 ausgebreitet hat, und zur Ableitung der Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der abgeleiteten Position des modifizierten Bereichs und der eingestellten Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) aus.
22 ist eine erläuternde Ansicht der Ableitung einer Waferdicke. 22 veranschaulicht, dass der modifizierte Bereich 12a durch Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht von dessen Rückfläche 21b her gebildet wird. Die Steuereinheit 8 steuert die Abbildungseinheit 4, nimmt eine Vielzahl von Bildern auf, indem sie den Brennpunkt F in einer Tiefenrichtung (Z-Richtung) bewegt, und leitet a: eine Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) und c: eine Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild aus den Bildern ab. Das heißt, bei der zuvor beschriebenen zweiten Behandlung leitet die Steuereinheit 8 die Z-Position (Position a) des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Seite der Rückfläche 21b und die Z-Position (Position c) des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild auf der Grundlage eines Signals ab, das von der Abbildungseinheit 4, die das Licht erfasst hat, ausgegeben wird. Wenn es sich bei dem Wafer 20 um einen Wafer mit der Funktionselementschicht 22 (Muster) handelt, kann die Steuereinheit 8 außerdem den Brennpunkt F in Tiefenrichtung (Z-Richtung) bewegen, indem sie die Abbildungseinheit 4 steuert, und kann b: eine Z-Position auf der Musteroberfläche ableiten. Im Folgenden werden diese Z-Positionen als Positionen mit der Rückfläche 21b des Wafers 20 als Bezugspunkt betrachtet. Zum Beispiel kann die Z-Position des Wafers 20, die ein Bezugspunkt ist, durch Erkennen eines Risses, der sich auf der Rückfläche 21b erstreckt, unter Verwendung der Abbildungseinheit 4 (Detektor für interne Beobachtung) oder einer visuellen Kamera für die Höheneinstellung abgeleitet werden, durch Erkennen unter Verwendung einer visuellen Kamera für die Höheneinstellung abgeleitet werden, wenn die Z-Höhe vor der Laserbearbeitung eingestellt wird, oder durch Messen der Fokusposition des Musters während der Ausrichtung vor der Laserbearbeitung oder während der internen Beobachtung nach der Laserbearbeitung abgeleitet werden, wenn Laserlicht von der Musteroberfläche einfällt.
Die Steuereinheit 8 kann die Dicke des Wafers 20 mit Hilfe von drei Ableitungsmustern ableiten. In einem ersten Verfahren leitet die Steuereinheit 8 die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage von b: die Z-Position auf der Musteroberfläche ab. Das erste Verfahren kann nur verwendet werden, wenn der Wafer 20 wie zuvor beschrieben ein Wafer mit der Funktionselementschicht 22 (Muster) ist. In einem zweiten und einem dritten Verfahren leitet die Steuereinheit 8 die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage von c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild und den Anleitungsrezepten ab.
Im zweiten Verfahren leitet die Steuereinheit 8 zunächst die Breite des modifizierten Bereichs 12a auf der Grundlage der Anleitungsrezepte ab. Insbesondere speichert die Steuereinheit 8 beispielsweise, wie in 23 dargestellt, eine Datenbank, die sich auf die Ableitung der Waferdicke bezieht (eine Datenbank, in der die Bearbeitungsbedingungen und die Breite des modifizierten Bereichs einander zugeordnet sind), und unter Bezugnahme auf die Datenbank leitet die Steuereinheit 8 eine Laserlichtenergie, eine Pulswellenform, einen Pulsabstand und eine Breite des modifizierten Bereichs 12a (eine Breite der SD-Schicht) entsprechend einem Lichtkonzentrationszustand ab, die in den Anleitungsrezepten (Bearbeitungsbedingungen) gezeigt sind. Ferner leitet die Steuereinheit 8 die Dicke des Wafers 20 auf der Grundlage der abgeleiteten Breite des modifizierten Bereichs 12a, c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild und a: die Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) ab. Wie in 22 dargestellt, kann die abgeleitete Breite des modifizierten Bereichs 12, c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild und a: die Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) addiert werden, und deren Wert ergibt das Doppelte der Dicke des Wafers 20. Aus diesem Grund kann die Steuereinheit 8 die Dicke des Wafers 20 ableiten, indem sie den addierten Wert der Breite des modifizierten Bereichs 12, c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild und a: die Z-Position des oberen Endes des modifizierten Bereichs 12a (SD1) halbiert.
Im dritten Verfahren leitet die Steuereinheit 8 zunächst eine geschätzte Endabschnittposition ab, die eine Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Seite der Vorderfläche 21a ist, die aus der Z-Höhe geschätzt wird, die eine Bearbeitungstiefe des Laserlichts in Bezug auf den Wafer 20 auf der Grundlage der Anleitungsrezepte ist. Die Steuereinheit 8 leitet eine Endabschnittposition unter Berücksichtigung einer DZ-Rate (eine Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a auf der Vorderfläche 21a unter Berücksichtigung der DZ-Rate) auf der Basis der geschätzten Endabschnittsposition und einer Konstante (DZ-Rate) unter Berücksichtigung des Brechungsindex von Silizium des Wafers 20 ab und leitet die Dicke des Wafers 20 auf der Basis der Endabschnittsposition unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild ab. Wie in 22 dargestellt, wenn die Endabschnittsposition unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem virtuellen Bild addiert werden, wird ihr Wert doppelt so groß wie die Dicke des Wafers 20. Aus diesem Grund kann die Steuereinheit 8 die Dicke des Wafers 20 ableiten, indem sie den addierten Wert der Position des Endabschnitts unter Berücksichtigung der DZ-Rate und c: die Z-Position des Endabschnitts des modifizierten Bereichs 12a (SD1) auf der Seite der Vorderfläche 21a in einem zuvor beschriebenen virtuellen Bild halbiert.
Ein Beurteilungsergebnis jedes Inspektionsprozesses umfasst Informationen über das von der Steuereinheit 8 erfasste Laserbearbeitungsergebnis. Nachfolgend wird „ein Inspektionsbeurteilungsergebnis“ als Information über „ein Laserbearbeitungsergebnis“ beschrieben. 24 ist ein Beispiel für die Anzeige eines Inspektionsbeurteilungsergebnisses (NG). Wie in 24 dargestellt, steuert die Steuereinheit 8 die Anzeige 150, um das Inspektionsergebnis einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis anzuzeigen. Wie in 24 dargestellt, kann die Steuereinheit 8 die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl das Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses als auch das Ergebnis der Inspektionsbeurteilung einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis in Verbindung miteinander angezeigt werden.
Wie in 24 zeigt das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild der Anzeige 150A: BHC-Zustand (in einem Zustand von BHC), B: kein schwarzer Streifen (kein schwarzer Streifen wird erzeugt), C: 65 µm, 92 µm, 140 µm und 171 µm (die untere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12a ist 65 µm, die obere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12a ist 92 µm, die untere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12b ist 140 µm und die obere Endzielposition des modifizierten Bereichs 12b ist 171 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), D: 246 µm (die obere Endzielposition des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21 b erstreckt, beträgt 246 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), E: Waferdicke t von 775 µm (die Waferdicke beträgt 775 µm), die Zieldicke beträgt 50 µm. Es wird angenommen, dass der Zustand des geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes erhalten wird, wenn die Laserbearbeitung gemäß den Anleitungsrezepten durchgeführt wird. Das Ergebnis der Inspektionsbeurteilung zeigt jedoch A: ST (im Zustand ST), B: kein schwarzer Streifen, C: 74 µm, 99 µm, 148 µm und 174 µm (die untere Endposition des modifizierten Bereichs 12a ist 74 µm, die obere Endposition des modifizierten Bereichs 12a ist 99 µm, die untere Endposition des modifizierten Bereichs 12b ist 148 µm und die obere Endposition des modifizierten Bereichs 12b ist 174 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), D: 211 µm (die obere Endposition des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21 b erstreckt, beträgt 211 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), E: Waferdicke t von 783 µm (die Waferdicke beträgt 783 µm), und die Zieldicke beträgt 50 µm.
(Bearbeitungsbedingungsbewertungsbehandlung)
Die Steuereinheit 8 bewertet die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Inspektionsergebnisses (siehe 24) einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis. Insbesondere bewertet die Steuereinheit 8 die Richtigkeit der Anleitungsrezepte, indem sie das Ergebnis der Inspektionsbeurteilung einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis und das geschätzte Verarbeitungsergebnis unter Berücksichtigung der auf der Grundlage der Wafer-Verarbeitungsinformationen bestimmten Anleitungsrezepte vergleicht. Wie in 24 dargestellt, gibt es hier eine Abweichung zwischen einem Zielwert des geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes und einem Wert des Inspektionsbeurteilungsergebnisses, und es wird NG zumindest für A: BHC-Inspektion, C: SD-Schichtpositionsinspektion, D: obere Risspositionsinspektion und E: Waferdickeninspektion in jedem vom Benutzer ausgewählten Inspektionsprozess (siehe 19) markiert. Was die Ursache für den Zustand ST anstelle von BHC betrifft, so ist es denkbar, dass, da E: Waferdicke t783 µm im Ergebnis der Inspektionsbeurteilung enthalten ist, die vom Benutzer eingestellte Waferdicke (775 µm) nicht korrekt ist und der Wafer 20 dicker ist als angenommen, so dass die Bildungsposition des modifizierten Bereichs in eine flache Richtung verschoben ist, der modifizierte Bereich dünner geworden ist als angenommen, und dergleichen. In einem solchen Fall bewertet die Steuereinheit 8 die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) als ungeeignet. Ob die Ursache für eine Positionsabweichung des modifizierten Bereichs (SD-Schicht) hardwarebedingt oder rezepturbedingt ist, kann die Steuereinheit 8 anhand verschiedener Daten, wie z. B. der AF- Verfolgbarkeit, beurteilen. Hier wurde ein Beispiel beschrieben, bei dem die Ursache für die Inspektion NG die Waferdicke ist, aber es ist denkbar, dass die Inspektion NG aus verschiedenen Ursachen resultiert, wie z. B. einem Hardwareunterschied, einer unzureichenden Toleranz der Anleitungsrezepte in der Datenbank und einer Dotierung des Wafers.
Wenn die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) als ungeeignet bewertet werden, kann die Steuereinheit 8 auf der Grundlage des Inspektionsbeurteilungsergebnisses einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis eine weitere Korrektur der Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) vornehmen. Wenn es zum Beispiel denkbar ist, dass der Wafer 20 dicker ist als angenommen und die Ursache für die zuvor beschriebene Inspektion NG ist, führt die Steuereinheit 8 eine Korrektur der Z-Höhe, eine Korrektur eines Ausgangs und eine Korrektur des Lichtkonzentrationskorrekturbetrags durch und bestimmt die Korrektur der Anleitungsrezepte während der BHC-Toleranzinspektion als Einzelheiten der Korrektur. Wie in 24 dargestellt, steuert die Steuereinheit 8 die Anzeige 150, um die Details der empfohlenen Korrektur zusammen mit dem Ergebnis der Inspektionsbeurteilung anzuzeigen. Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass sie eine bevorzugte Reihenfolge für jede der Korrekturangaben anzeigt. Die Anzeige 150 kann Benutzereingaben empfangen, wie z.B. die Änderung der bevorzugten Reihenfolge und die Löschung eines Teils der Korrektureinzelheiten. Die Steuereinheit 8 startet die Behandlung der in der Anzeige 150 angezeigten Korrektur in Übereinstimmung mit der Eingabe „Korrektur starten“ (siehe 24), die in der Anzeige 150 gedrückt wird. Im Falle der zuvor beschriebenen Situation (der Wafer 20 ist dicker als angenommen) wird zum Beispiel die Breite des modifizierten Bereichs sichergestellt, indem eine Änderung der Absenkung der Z-Höhe auf eine tiefere Position als die Waferdicke oder eine Korrektur der Änderung oder dergleichen zur Erhöhung der Leistung um 0,1 W durchgeführt wird. Durch eine solche Behandlung leitet die Steuereinheit 8 die endgültigen Anleitungsrezepte (nach der Korrektur) ab.
25 ist ein Beispiel für einen Anzeigebildschirm eines Inspektionsergebnisses (OK). Wie in 25 dargestellt, steuert die Steuereinheit 8 nach der Korrektur die Anzeige 150 so, dass das geschätzte Verarbeitungsergebnis, das Inspektionsergebnis und die Anleitungsrezepte nach den Korrekturen (Bearbeitungsbedingungen) zusammen angezeigt werden. In dem Beispiel von 25 zeigt das Inspektionsbeurteilungsergebnis A: BHC (im Zustand BHC), B: kein schwarzer Streifen, C: 64 µm, 93 µm, 142 µm und 173 µm (die untere Endposition des modifizierten Bereichs 12a ist 64 µm, die obere Endposition des modifizierten Bereichs 12a ist 93 µm, die untere Endposition des modifizierten Bereichs 12b ist 142 µm und die obere Endposition des modifizierten Bereichs 12b ist 173 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), D: 244 µm (die obere Endposition des Risses 14, der sich von dem modifizierten Bereich 12b in Richtung der Rückfläche 21b erstreckt, beträgt 244 µm, bezogen auf die Vorderfläche 21a), E: Waferdicke t 783 µm (die Waferdicke beträgt 783 µm), und die Zieldicke beträgt 50 µm. Auf diese Weise ist das Beurteilungsergebnis jedes Inspektionsprozesses OK, indem eine Korrektur unter Berücksichtigung der Waferdicke durchgeführt wird, die sich von der angenommenen unterscheidet. Wenn die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) korrigiert werden, aktualisiert die Steuereinheit 8 die Datenbank, in der die Wafer-Verarbeitungsinformationen und die zuvor beschriebenen Bearbeitungsbedingungen (dieAnleitungsrezepte) in Verbindung miteinander gespeichert sind, auf der Grundlage von Informationen, die die Anleitungsrezepte nach der Korrektur enthalten. Wenn beispielsweise die Anleitungsrezepte für die Waferdicke (783 µm), die in dem Inspektionsbeurteilungsergebnis angezeigt wird, nicht in der Datenbank vorhanden sind, zeichnet die Steuereinheit 8 die Anleitungsrezepte nach der Korrektur neu in der Datenbank als die Anleitungsrezepte für die Waferdicke (783 µm) auf. Wenn die Anleitungsrezepte neu in der Datenbank aufgezeichnet werden, kann ein ursprünglicher Wafer eines Benutzers oder der Name der Bearbeitungsbedingungen aufgezeichnet werden. Wenn ein ähnlicher Wafer bearbeitet wird, können die Anleitungsrezepte in der Datenbank anhand des Namens importiert werden. Darüber hinaus verbessert die Steuereinheit 8 die Genauigkeit bei der Bestimmung der nächsten Anleitungsrezepte und danach, indem sie die Ergebnisse der Inspektion NG in der Datenbank speichert.
[Inspektionsverfahren]
Ein Inspektionsverfahren der vorliegenden Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 26 beschrieben. 26 ist ein Flussdiagramm eines Inspektionsverfahrens. 26 ist ein Flussdiagramm, das die Behandlung zur Ableitung von Bearbeitungsbedingungen zeigt, die als Vorbehandlung der Behandlung zur Bildung eines modifizierten Bereichs im Wafer 20 in den von der Inspektionsvorrichtung 1 ausgeführten Inspektionsverfahren durchgeführt wird.
Wie in 26 dargestellt, empfängt die Anzeige 150 bei der Behandlung zur Ableitung der Bearbeitungsbedingungen zunächst eine Benutzereingabe von Informationen über den Wafer 20 und die Wafer-Verarbeitungsinformationen einschließlich des Laserbearbeitungsziels in Bezug auf den Wafer 20 (Schritt S1, erster Schritt). Insbesondere empfängt die Anzeige 150 eine Benutzereingabe des in 13 dargestellten Bearbeitungsverfahrens, die in 14 dargestellten Wafer-Informationen und die in 15 dargestellte Bearbeitungseinstellung.
Anschließend bestimmt die Steuereinheit 8 unter Bezugnahme auf die Datenbank (automatische Auswahl) die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen), die den von der Anzeige 150 empfangenen Wafer-Verarbeitungsinformationen entsprechen (verschiedene Arten von Informationen, die in den Einstellbildschirmen der 13 bis 15 empfangen werden), und steuert die Anzeige 150 so, dass sie die automatisch ausgewählten Anleitungsrezepte anzeigt (vorschlägt) (Schritt S2, zweiter Schritt). Die Anzeige 150 zeigt die Anleitungsrezepte, das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild, die Inspektionsbedingungen und ähnliches an (siehe 19). Ferner werden die Anleitungsrezepte durch Drücken der Taste „Verarbeitung starten“ auf der Anzeige 150 durch den Benutzer bestimmt (Schritt S3), und die Verarbeitungsbehandlung der Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht auf der Grundlage der bestimmten Anleitungsrezepte wird gestartet (Schritt S4, dritter Schritt).
Anschließend bewertet die Steuereinheit 8 die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des Inspektionsbeurteilungsergebnisses einschließlich der Informationen über das Laserbearbeitungsergebnis (siehe 24) (vierter Schritt) und beurteilt, ob die Anleitungsrezepten geeignet sind oder nicht (ob die Bewertung OK ist) (Schritt S5). Wenn in Schritt S5 beurteilt wird, dass die Anleitungsrezepte ungeeignet sind (Bewertung ist NG), werden die Anleitungsrezepte automatisch auf der Grundlage des Inspektionsbeurteilungsergebnisses korrigiert (Schritt S6). Wenn es zum Beispiel denkbar ist, dass der Wafer 20 dicker ist als angenommen, führt die Steuereinheit 8 eine Korrektur der Z-Höhe, eine Korrektur einer Leistung, eine Korrektur des Lichtkonzentrationskorrekturbetrags und dergleichen durch. Danach wird die Verarbeitungsbehandlung von Schritt S4 erneut durchgeführt.
Andererseits wird in Schritt S5, wenn beurteilt wird, dass die Anleitungsrezepte geeignet sind (Bewertung ist OK), beurteilt, ob die Anleitungsrezepte kein einziges Mal geändert wurden (ob die Korrekturbehandlung von Schritt S6 nicht einmal ein einziges Mal durchgeführt wurde) (Schritt S7), und wenn die Anleitungsrezepte geändert wurden, werden die Anleitungsrezepte nach der Änderung (neues Anleitungsrezept) in der Datenbank aufgezeichnet (Schritt S8), und die Behandlung endet.
[Betriebliche Effekte]
Nachfolgend werden die betrieblichen Auswirkungen der Inspektionsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
Die Inspektionsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform umfasst die Laserbestrahlungseinheit 3, die den Wafer 20 mit Laserlicht bestrahlt, die Anzeige 150, die Informationen anzeigt, und die Steuereinheit 8. Die Steuereinheit 8 ist so ausgebildet, dass sie die Ableitung des geschätzten Verarbeitungsergebnisses einschließlich der Information über einen modifizierten Bereich und einen Riss, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer 20 gebildet wird, wenn der Wafer 20 von der Laserbestrahlungseinheit 3 mit Laserlicht bestrahlt wird, auf der Grundlage der eingestellten Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) durchführt und die Anzeige 150 steuert, um ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild anzuzeigen, das sowohl ein graphisches Bild des Wafers 20 als auch ein graphisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer 20 unter Berücksichtigung von Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer 20 darstellt, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden.
In der Inspektionsvorrichtung 1 wird ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild, das sowohl den Wafer 20 als auch einen modifizierten Bereich und einen Riss des Wafers 20 darstellt, unter Berücksichtigung des geschätzten Verarbeitungsergebnisses angezeigt, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer 20 durch Bestrahlung mit Laserlicht auf der Grundlage festgelegter Anleitungsrezepte gebildet wurde. Da ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild auf diese Weise angezeigt wird, ist es möglich, einen Benutzer darüber zu informieren, wie der Wafer 20 bearbeitet wird (wie ein modifizierter Bereich und ein Riss gebildet werden), wenn der Wafer 20 in Übereinstimmung mit festgelegten Anleitungsrezepten bearbeitet wird. Folglich kann ein Benutzer das geschätzte Verarbeitungsergebnis visuell bestätigen und entscheiden, ob er die tatsächliche Bearbeitung unverändert durchführen oder die Bearbeitungsbedingungen ändern möchte. Dementsprechend ist es möglich, Anleitungsrezepte effizient zu bestimmen und die vom Benutzer gewünschte Verarbeitung einfach durchzuführen.
In der zuvor beschriebenen Inspektionsvorrichtung 1 kann die Anzeige 150 eine Informationseingabe bezüglich der Einstellung der Anleitungsrezepte empfangen. Die Steuereinheit 8 kann die Anleitungsrezepte auf der Grundlage der von der Anzeige 150 empfangenen Informationen bezüglich der Einstellung der Anleitungsrezepte einstellen. Da die Anleitungsrezepte auf der Grundlage von Informationen eingestellt werden, die von einem Benutzer empfangen werden, ist es zum Beispiel möglich, geeignete Anleitungsrezepte unter Berücksichtigung von Informationen über den Wafer 20 und ein Laserbearbeitungsziel in Bezug auf den Wafer 20 und dergleichen einzustellen.
Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl die Anleitungsrezepte als auch das Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses in Verbindung miteinander angezeigt werden. Dementsprechend ist es möglich, einen Benutzer visuell über ein bestimmtes Verarbeitungsergebnis zu informieren, das erzielt wird, wenn die Verarbeitung nach bestimmten Anleitungsrezepten durchgeführt wird.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe der ersten korrigierten Informationen empfangen, die sich auf die Korrektur der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses beziehen, der als das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in einem Zustand angezeigt wird, in dem das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild angezeigt wird. Die Steuereinheit 8 kann das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der ersten korrigierten Informationen korrigieren und die Anleitungsrezepte korrigieren, um das geschätzte Verarbeitungsergebnis nach der Korrektur zu erhalten, und kann die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl die Anleitungsrezepte nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur einander zugeordnet angezeigt werden. Dementsprechend ist es möglich, die Anleitungsrezepte auf der Grundlage einer Korrekturanweisung für ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild von einem Benutzer, der das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild bestätigt hat, einfach zu korrigieren. Wenn eine Korrekturanweisung für ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild ausgegeben wird, um ein gewünschtes Verarbeitungsergebnis zu erhalten, kann ein Benutzer die gewünschte Verarbeitung leicht durchführen, da die Bearbeitungsbedingungen automatisch für die entsprechenden Anleitungsrezepte korrigiert werden.
Die Anzeige 150 kann eine Eingabe der zweiten korrigierten Informationen in Bezug auf die Korrektur der Anleitungsrezepte in einem Zustand empfangen, in dem die Anleitungsrezepte angezeigt werden. Die Steuereinheit kann die Anleitungsrezepte auf der Grundlage der zweiten korrigierten Informationen korrigieren und das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Anleitungsrezepte nach der Korrektur korrigieren und kann die Anzeige 150 so steuern, dass sowohl die Anleitungsrezepte nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander angezeigt werden. Dementsprechend ist es möglich, die Anleitungsrezepte auf der Grundlage einer Korrekturanweisung von einem Benutzer leicht zu korrigieren, und es ist möglich, das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild im Falle der Anleitungsrezepte nach der Korrektur angemessen anzuzeigen.
Die Inspektionsvorrichtung 1 umfasst ferner die Abbildungseinheit 4, die den Wafer 20 abbildet. Die Steuereinheit 8 kann so ausgebildet sein, dass sie ferner die Laserbestrahlungseinheit 3 steuert, um einen modifizierten Bereich und einen sich von dem modifizierten Bereich erstreckenden Riss in dem Wafer 20 durch Bestrahlung des Wafers 20 mit Laserlicht zu bilden, das Laserbearbeitungsergebnis erfasst, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer 20 durch Bestrahlung mit Laserlicht gebildet wurde, indem Licht ausgegeben wird, das Übertragungseigenschaften in Bezug auf den Wafer 20 aufweist, und die Abbildungseinheit 4 steuert, um den Wafer 20 abzubilden, und die Anzeige 150 steuert, um sowohl das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild als auch das Laserbearbeitungsergebnis, die einander zugeordnet sind, anzuzeigen. Dementsprechend ist es möglich, sowohl ein Bild der aus den Anleitungsrezepten geschätzten Bearbeitung als auch ein tatsächliches Laserbearbeitungsergebnis anzuzeigen, und es ist für einen Benutzer möglich, leicht zu beurteilen, ob die Anleitungsrezepte zu ändern sind oder nicht, und dergleichen.
Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zur Bearbeitungslinie, die mit Laserlicht bestrahlt wird, anzeigt. Dementsprechend ist es für einen Benutzer möglich, das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zur Bearbeitungslinie zu bestätigen.
Die Steuereinheit 8 kann die Anzeige 150 so steuern, dass das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie mit Laserlicht bestrahlt angezeigt wird. Dementsprechend ist es für einen Benutzer möglich, das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts horizontal zur Bearbeitungslinie zu bestätigen.
Vorstehend wurde die vorliegende Ausführungsform beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorangehende Ausführungsform beschränkt. Beispielsweise wurde die in 1 dargestellte Inspektionsvorrichtung 1 so beschrieben, dass sie eine Anzeige 150 aufweist, das das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild und ähnliches anzeigt, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. Wie in der in 27 dargestellten Inspektionsvorrichtung 1A muss keine Anzeige vorgesehen sein. Die Inspektionsvorrichtung 1A hat eine ähnliche Konfiguration wie die Inspektionsvorrichtung 1, mit der Ausnahme, dass keine Anzeige vorgesehen ist. In diesem Fall gibt beispielsweise die Steuereinheit 8 der Inspektionsvorrichtung 1A ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild aus (überträgt es), das sowohl ein grafisches Bild eines Wafers als auch ein grafisches Bild eines veränderten Bereichs und des Risses im Wafer unter Berücksichtigung der Positionen des veränderten Bereichs und des Risses im Wafer, die als geschätztes Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, an eine externe Vorrichtung oder dergleichen darstellt. Ferner kann das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild und ähnliches in einer externen Vorrichtung anstelle der Inspektionsvorrichtung 1A angezeigt werden. Das heißt, das Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses und dergleichen kann in einem anderen Gerät (PC oder dergleichen) angezeigt werden, das mit der Inspektionsvorrichtung 1A kommunizieren kann. Dementsprechend ist es selbst in einem solchen Fall, in dem die Inspektionsvorrichtung 1A keine Anzeige hat, möglich, das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild oder Ähnliches mit einem anderen Gerät oder Ähnlichem anzuzeigen, das mit der Inspektionsvorrichtung 1A kommunizieren kann.
Wie in 28 dargestellt, kann in einem Behandlungssystem 600 mit der zuvor beschriebenen Inspektionsvorrichtung 1A und einer speziellen Anzeigevorrichtung 550 das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild erzeugt und angezeigt werden. In diesem Fall überträgt beispielsweise die Steuereinheit 8 der Inspektionsvorrichtung 1A ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild oder ähnliches, das sowohl ein grafisches Bild eines Wafers als auch ein grafisches Bild eines modifizierten Bereichs und eines Risses in dem Wafer darstellt, an die Anzeigevorrichtung 550 unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer, die als geschätztes Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden. Die Anzeigevorrichtung 550 zeigt das von der Inspektionsvorrichtung 1A empfangene Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses und dergleichen an. Gemäß einem solchen Behandlungssystem 600 kann das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild und ähnliches, das von der Inspektionsvorrichtung 1A übertragen wird, in geeigneter Weise in der Anzeigevorrichtung 550, die eine externe Vorrichtung ist, angezeigt werden.
Darüber hinaus wurde in der Ausführungsform beschrieben, dass die Anzeige ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild anzeigt, das sowohl ein grafisches Bild eines Wafers als auch ein grafisches Bild eines modifizierten Bereichs und eines Risses in dem Wafer darstellt, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. Das heißt, die Steuereinheit muss nicht unbedingt das zuvor beschriebene geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Anzeige anzeigen. Zum Beispiel kann die Steuereinheit das geschätzte Verarbeitungsergebnis ableiten, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem auf dem Wafer gebildeten modifizierten Bereich aus erstreckt, und kann die Anzeige so steuern, dass sie Informationen anzeigt, die sich auf das geschätzte Verarbeitungsergebnis beziehen. Bei den Informationen, die sich auf das geschätzte Verarbeitungsergebnis beziehen, muss es sich nicht um ein grafisches Bild eines Wafers, eines modifizierten Bereichs, eines Risses oder dergleichen handeln, sondern kann es sich einfach um Informationen oder dergleichen handeln, die die Positionen eines modifizierten Bereichs und eines Risses angeben (d.h. das grafische Bild muss nicht darin enthalten sein).
Darüber hinaus wurden die zuvor beschriebene Anzeigebehandlung des geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes und die Ableitungsbehandlung der Waferdicke bei der Behandlung zur Ableitung der Bearbeitungsbedingungen durchgeführt, aber die Anzeigebehandlung des geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes und die Ableitungsbehandlung der Waferdicke können während einer anderen Behandlung als der Behandlung zur Ableitung der Bearbeitungsbedingungen durchgeführt werden, z. B. verschiedene Arten der Behandlung, nachdem die Bearbeitungsbedingungen abgeleitet wurden.
Darüber hinaus wurde in der Ausführungsform beschrieben, dass die Inspektionsvorrichtung 1 die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage der Wafer-Verarbeitungsinformationen bestimmt und das geschätzte Verarbeitungsergebnis ableitet, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. Das heißt, die Steuereinheit der Inspektionsvorrichtung kann das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Wafer-Verarbeitungsinformationen ableiten und die Anleitungsrezepte (Bearbeitungsbedingungen) auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses bestimmen. Wenn die Bearbeitungsbedingungen automatisch durch Eingabe der Wafer-Verarbeitungsinformationen bestimmt werden, ist es zum Beispiel im Vergleich zu einem Fall, in dem eine Laserbearbeitung wiederholt durchgeführt wird und geeignete Bearbeitungsbedingungen abgeleitet werden, während ein Benutzer die Bearbeitungsbedingungen einstellt, möglich, die Bearbeitungsbedingungen einfach zu bestimmen.
Bezugszeichenliste

1, 1A: Inspektionsvorrichtung
3: Laserbestrahlungseinheit
4: Abbildungseinheit
8: Steuerabschnitt
20: Wafer
150: Anzeige

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 201764746 A [0003]

Claims

Inspektionsvorrichtung, umfassend: eine Bestrahlungseinheit zur Bestrahlung eines Wafers mit Laserlicht; eine Anzeigeeinheit, die zur Anzeige von Informationen konfiguriert ist; und eine Steuereinheit, wobei die Steuereinheit so beschaffen ist, dass sie Folgendes ausführt: Ableiten eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der festgelegten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und Steuern der Anzeigeeinheit, um ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild anzuzeigen, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer, die als geschätztes Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, darstellt.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine Eingabeeinheit, die so konfiguriert ist, dass sie eine Informationseingabe empfängt, wobei die Eingabeeinheit eine Informationseingabe empfängt, die sich auf die Einstellung der Bearbeitungsbedingungen bezieht, und wobei die Steuereinheit die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage von Informationen bezüglich der Einstellung der Bearbeitungsbedingungen einstellt, die von der Eingabeeinheit empfangen werden.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Steuereinheit die Anzeigeeinheit so steuert, dass sie sowohl die Bearbeitungsbedingungen als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in Verbindung miteinander anzeigt.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Eingabeeinheit eine Eingabe von ersten korrigierten Informationen empfängt, die sich auf die Korrektur von Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses beziehen, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild in einem Zustand angezeigt werden, in dem das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild durch die Anzeigeeinheit angezeigt wird, und wobei die Steuereinheit das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der ersten korrigierten Informationen korrigiert und die Bearbeitungsbedingungen korrigiert, um das geschätzte Verarbeitungsergebnis nach der Korrektur zu erhalten, und die Anzeigeeinheit so steuert, dass sie sowohl die Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander anzeigt.
Inspektionsvorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Eingabeeinheit eine Eingabe von zweiten korrigierten Informationen empfängt, die sich auf die Korrektur der Bearbeitungsbedingungen in einem Zustand beziehen, in dem die Bearbeitungsbedingungen von der Anzeigeeinheit angezeigt werden, und wobei die Steuereinheit die Bearbeitungsbedingungen auf der Grundlage der zweiten korrigierten Informationen korrigiert und das geschätzte Verarbeitungsergebnis auf der Grundlage der Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur korrigiert, und die Anzeigeeinheit so steuert, dass sie sowohl die Bearbeitungsbedingungen nach der Korrektur als auch das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild auf der Grundlage des geschätzten Verarbeitungsergebnisses nach der Korrektur in Verbindung miteinander anzeigt.
Inspektionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner umfassend: eine Abbildungseinheit, die zur Abbildung des Wafers konfiguriert ist, wobei die Steuereinheit ferner Folgendes ausführt: Steuern der Bestrahlungseinheit, um durch Bestrahlung des Wafers mit dem Laserlicht einen modifizierten Bereich und einen von dem modifizierten Bereich ausgehenden Riss in dem Wafer zu bilden, Erfassen eines Laserbearbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer durch Bestrahlung mit dem Laserlicht gebildet wurde, indem Licht mit Durchlässigkeitseigenschaften in Bezug auf den Wafer ausgegeben wird, und Steuern der Abbildungseinheit, um den Wafer abzubilden, und Steuern der Anzeigeeinheit, um sowohl das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild als auch das Laser-Verarbeitungsergebnis in Verbindung miteinander anzuzeigen.
Inspektionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Steuereinheit die Anzeigeeinheit so steuert, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts senkrecht zu einer mit dem Laserlicht bestrahlten Bearbeitungslinie anzeigt.
Inspektionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Steuereinheit die Anzeigeeinheit so steuert, dass sie das geschätzte Verarbeitungsergebnisbild eines Querschnitts horizontal zu einer mit dem Laserlicht bestrahlten Bearbeitungslinie anzeigt.
Inspektionsvorrichtung, umfassend: eine Bestrahlungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Wafer mit Laserlicht bestrahlt; und eine Steuereinheit, wobei die Steuereinheit konfiguriert ist, um Folgendes auszuführen: Ableiten eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der festgelegten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und Ausgeben eines geschätzten Verarbeitungsergebnisbildes, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses im Wafer, die als geschätztes Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, darstellt.
Behandlungssystem, das die Kommunikation zwischen einer Inspektionsvorrichtung und einem Anzeigevorrichtung durchführt, wobei die Inspektionsvorrichtung ein geschätztes Verarbeitungsergebnis ableitet, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der gebildet wird, wenn ein Wafer mit dem Laserlicht auf der Grundlage der festgelegten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und ein geschätztes Verarbeitungsergebnisbild ausgibt, das sowohl ein grafisches Bild des Wafers als auch ein grafisches Bild des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer in Richtung der Anzeigevorrichtung unter Berücksichtigung der Positionen des modifizierten Bereichs und des Risses in dem Wafer, die als das geschätzte Verarbeitungsergebnis abgeleitet wurden, darstellt, und wobei die Anzeigevorrichtung das von der Inspektionsvorrichtung ausgegebene Bild des geschätzten Verarbeitungsergebnisses anzeigt.
Inspektionsvorrichtung, umfassend: eine Bestrahlungseinheit zur Bestrahlung eines Wafers mit Laserlicht; eine Anzeigeeinheit, die zur Anzeige von Informationen konfiguriert ist; und eine Steuereinheit, wobei die Steuereinheit konfiguriert ist, um Folgendes auszuführen: Ableiten eines geschätzten Verarbeitungsergebnisses, das Informationen über einen modifizierten Bereich und einen Riss enthält, der sich von dem modifizierten Bereich aus erstreckt, der auf dem Wafer gebildet wird, wenn der Wafer mit dem Laserlicht durch die Bestrahlungseinheit auf der Grundlage der festgelegten Bearbeitungsbedingungen bestrahlt wird, und Steuern der Anzeigeeinheit, um Informationen über das geschätzte Verarbeitungsergebnis anzuzeigen.