DE112014006394B4 - Silicon wafer manufacturing process - Google Patents

Abstract

Siliziumwafer-Herstellungsverfahren, umfassend:einen Drahtfortbewegungsschritt, bei dem eine Mehrzahl von Hauptrollen (2), um die ein gewellter Draht (7), der wie eine Welle geformt ist, in einer Spiralform gewickelt ist, gedreht werden, so dass sich der gewellte Draht (7) in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu einer axialen Richtung von jeder der Hauptrollen (2) fortbewegt; undeinen Schneideschritt, bei dem ein Block (T) gegen den gewellten Draht (7), dessen Spannung in einem Bereich von 15 N bis 25 N auf Basis einer Beziehung zwischen der Spannung des gewellten Drahtes (7) und eines Ausmaßes einer Verbiegung eines Siliziumwafers (W) eingestellt ist, gedrückt wird, um den Block (T) zu schneiden, um eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erzeugen, die in eine Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, wobei ein Mittenabschnitt von jedem der Siliziumwafer in einer einzigen Richtung relativ zu einem Außenrand von jedem der Siliziumwafer einsinkt.A silicon wafer manufacturing method comprising:a wire traveling step in which a plurality of main rollers (2) around which a corrugated wire (7) shaped like a wave is wound in a spiral form are rotated so that the corrugated wire (7) travels in a direction substantially orthogonal to an axial direction of each of the main rollers (2); anda cutting step in which a block (T) is pressed against the corrugated wire (7) whose tension is set in a range of 15 N to 25 N based on a relationship between the tension of the corrugated wire (7) and an amount of bending of a silicon wafer (W) to cut the block (T) to produce a plurality of silicon wafers bent or warped into a dome shape, wherein a center portion of each of the silicon wafers sinks in a single direction relative to an outer edge of each of the silicon wafers.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren.The present invention relates to a silicon wafer manufacturing method.

HINTERGRUND DER TECHNIKTECHNOLOGY BACKGROUND

Epitaxiale Siliziumwafer können durch Aufwachsen einer Epitaxieschicht auf Siliziumwafern erhalten werden, die von einem Silizium-Monokristallblock geschnitten wurden.Epitaxial silicon wafers can be obtained by growing an epitaxial layer on silicon wafers cut from a silicon monocrystal block.

Es ist allgemein bekannt, dass Waferverbiegung in einem epitaxialen Siliziumwafer auftritt, wenn es einen Unterschied zwischen den Widerstandswerten in dem Siliziumwafer und in der Epitaxieschicht gibt. Denkbarerweise tritt Waferverbiegung aufgrund der elastischen Verformung auf, die von der Fehlanpassung zwischen den Gitterkonstanten des Siliziumwafers und der Epitaxieschicht erzeugt wird. Der Nachteil besteht gewöhnlicherweise darin, dass, wenn die Verbiegung größer ist, es tendenziell erschwert wird, beispielsweise eine Maske anzupassen oder den Wafer mit einem Vakuumdruck während einer Bauelementherstellungsphase zu halten.It is well known that wafer warping occurs in an epitaxial silicon wafer when there is a difference between the resistance values in the silicon wafer and in the epitaxial layer. Conceivably, wafer warping occurs due to the elastic deformation generated by the mismatch between the lattice constants of the silicon wafer and the epitaxial layer. The disadvantage is usually that if the warping is larger, it tends to become more difficult to, for example, fit a mask or hold the wafer with a vacuum pressure during a device manufacturing phase.

Ein Verfahren zur Herstellung eines epitaxialen Siliziumwafers, das vorgeschlagen wurde, um dieses Problem zu lösen, beinhaltet ein Identifizieren der konkaven oder konvexen Formen in der Waferverbiegung, ein Vorhersagen der Richtung der Waferverbiegung, die beim Aufwachsen der Epitaxieschicht auf der Oberfläche eines Siliziumwafers erzeugt wird, und ein Aufwachsen der Epitaxieschicht auf der Oberfläche eines Siliziumwafers, der eine verwölbte Oberfläche aufweist (siehe JP H06- 112 120 A , zum Beispiel).A method of manufacturing an epitaxial silicon wafer that has been proposed to solve this problem involves identifying the concave or convex shapes in the wafer warp, predicting the direction of the wafer warp generated when growing the epitaxial layer on the surface of a silicon wafer, and growing the epitaxial layer on the surface of a silicon wafer having a warped surface (see JP H06- 112 120 A , for example).

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines epitaxialen Siliziumwafers, das vorgeschlagen wurde, verbessert die Planarität des epitaxialen Siliziumwafers durch absichtliches Steuern der Richtung der Waferverbiegung beim Polieren oder Schleifen des Siliziumwafers, um eine konkave (Kuppel)Form herzustellen (siehe JP 2008 - 140 856 A , zum Beispiel).Another method for producing an epitaxial silicon wafer that has been proposed improves the planarity of the epitaxial silicon wafer by intentionally controlling the direction of wafer bending when polishing or grinding the silicon wafer to produce a concave (dome) shape (see JP 2008 - 140 856 A , for example).

Nebenbei bemerkt umfassen die beim Herstellen eines Halbleiterwafers beteiligten Prozesse eine Stufe, bei der ein Halbleiterblock in Scheiben geschnitten wird, um einen Wafer herzustellen. Dieser Prozess verwendet im Allgemeinen eine mit einem Draht ausgestattete Drahtsäge. Eine Drahtsäge ist aus einem Draht konfiguriert, der mehrere Male zwischen einer Mehrzahl von Hauptrollen gewickelt ist; wobei ein zu schneidendes Objekt, wie beispielsweise ein Halbleiter (hier nachstehend als „Werkstück“ bezeichnet) gegen den Draht gedrückt wird, wenn sich der Draht fortbewegt, um dadurch das Werkstück in vielfache blattförmige Stücke einer vorbestimmten Dicke zu schneiden.Incidentally, the processes involved in manufacturing a semiconductor wafer include a step of slicing a semiconductor ingot to produce a wafer. This process generally uses a wire saw equipped with a wire. A wire saw is configured of a wire wound multiple times between a plurality of main rollers; an object to be cut such as a semiconductor (hereinafter referred to as a "workpiece") is pressed against the wire as the wire advances, thereby cutting the workpiece into multiple sheet-like pieces of a predetermined thickness.

Die freie abrasive Bearbeitung ist ein Verfahren zum Schneiden unter Verwendung einer Drahtsäge. Bei der freien abrasiven Bearbeitung schneidet ein vermessingter Stahldraht das Werkstück, während eine Aufschlämmung, die eine Mischung aus grünem Siliziumcarbid (GC), Schleifkörner in Öl oder wasserlöslichem Öl oder dergleichen umfasst, auf das Werkstück zugeführt wird.Free abrasive machining is a method of cutting using a wire saw. In free abrasive machining, a brass-coated steel wire cuts the workpiece while a slurry comprising a mixture of green silicon carbide (GC), abrasive grains in oil or water-soluble oil, or the like is fed onto the workpiece.

Eine Anzahl von Steuerparametern wird in der Drahtsäge verwendet, um die Form der davon erhaltenen Wafer zu steuern. Beispielsweise sind die Strömungsrate der Aufschlämmung (oder des Kühlmittels), die der Bearbeitungseinheit zugeführt wird (d.h., eine Aufschlämmungsströmungsrate), oder die Rate, mit der das Werkstück, z.B., das Silizium gegen eine sich fortbewegenden Draht gedrückt wird (d.h., eine Zuführungsrate) Beispiele der Parameter, die gesteuert werden können.A number of control parameters are used in the wire saw to control the shape of the wafers obtained therefrom. For example, the flow rate of the slurry (or coolant) supplied to the processing unit (i.e., a slurry flow rate) or the rate at which the workpiece, e.g., silicon, is pressed against a moving wire (i.e., a feed rate) are examples of the parameters that can be controlled.

Nebenbei bemerkt neigt der mit einer Drahtsäge in Scheiben geschnittene Siliziumwafer im Allgemeinen dazu, sich in beliebige Richtungen aufgrund der thermischen Expansion oder Kontraktion zu verwerfen, wenn die Siliziumwafer geschnitten werden. Obwohl es möglich ist, Kühlung und dergleichen zu verwenden, um irgendwelche thermischen Fluktuationen zu steuern und dadurch die Wirkungen der thermischen Expansion und Kontraktion zu beseitigen, um die Richtung dieser Art von Verbiegung zu vereinheitlichen, gibt es viele nicht näher spezifizierte Ursachen thermischer Fluktuation, und daher ist es tendenziell schwierig, thermische Fluktuation vollständig zu steuern. Daher werden andere Verfahren untersucht, um die Richtungen dieser Art von Verbiegung zu vereinheitlichen (siehe zum Beispiel JP H08- 323 741 A ).Incidentally, the silicon wafer sliced with a wire saw generally tends to warp in random directions due to thermal expansion or contraction when the silicon wafers are sliced. Although it is possible to use cooling and the like to control any thermal fluctuations and thereby eliminate the effects of thermal expansion and contraction to uniformize the direction of this type of warping, there are many unspecified causes of thermal fluctuation, and therefore it tends to be difficult to fully control thermal fluctuation. Therefore, other methods are being studied to uniformize the directions of this type of warping (see, for example, JP H08- 323 741 A ).

Die JP H08- 323 741 A schlägt ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren vor, wobei eine Drahtsäge verwendet wird, die aus Drähten konfiguriert ist, die um eine Mehrzahl von voneinander in vorbestimmten Intervallen beabstandeten Hauptrollen gewickelt sind, um einen Siliziumwafer mit einem gewünschten Grad von Verbiegung zu erhalten. Wenn der Block in Scheiben geschnitten wird, wird jede der Hauptrollen axial verschoben. Die Verschiebung der Hauptrollen bewegt die Hauptrollen und den Draht entlang der axialen Richtung des Blocks, wenn der Block geschnitten wird, was zu einem gewünschten Grad von Verbiegung auf dem geschnittenen Siliziumwafer führt, die dem Ausmaß der Bewegung des Drahts entspricht.The JP H08- 323 741 A proposes a silicon wafer manufacturing method using a wire saw configured from wires arranged at a plurality of predetermined distances from each other. Intervals spaced apart from each other are wound on main rollers to obtain a silicon wafer with a desired degree of deflection. When the ingot is sliced, each of the main rollers is axially displaced. The displacement of the main rollers moves the main rollers and the wire along the axial direction of the ingot as the ingot is sliced, resulting in a desired degree of deflection on the sliced silicon wafer that corresponds to the amount of movement of the wire.

Die DE 696 29 247 T2 offenbart ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren mittels einer Drahtsäge, die einen Drahtfortbewegungsschritt, bei dem eine Mehrzahl von Rollen, um die ein Draht gewickelt ist, gedreht werden, so dass sich der Draht in einer Richtung orthogonal zu einer axialen Richtung der Hauptrollen fortbewegt, und einen Schneideschritt, bei dem ein Block gegen den Draht gedrückt wird, um Siliziumwafer zu schneiden, die eine Verwerfung oder Krümmung aufweisen.The EN 696 29 247 T2 discloses a silicon wafer manufacturing method by means of a wire saw comprising a wire advancing step in which a plurality of rollers around which a wire is wound are rotated so that the wire advances in a direction orthogonal to an axial direction of the main rollers, and a cutting step in which a block is pressed against the wire to cut silicon wafers having a warp or curvature.

Die JP 2004- 276 207 A offenbart eine Drahtsägevorrichtung mit einem gewellten Draht.The JP 2004- 276 207 A discloses a wire sawing device with a corrugated wire.

Die DE 11 2008 003 339 T5 offenbart eine weitere Drahtsägevorrichtung.The EN 11 2008 003 339 T5 discloses another wire sawing device.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

VON DER ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEMEPROBLEMS TO BE SOLVED BY THE INVENTION

Die Art der in der JP H06- 112 120 A und JP 2008 - 140 856 A beschriebenen Konfigurationen erfordern jedoch nachteilhafterweise Prozesse, die herkömmlicherweise nicht in Gebrauch sind, wie beispielsweise, nachdem die Siliziumwafer von dem Block erhalten werden, ein Vorhersagen der Richtung der Verbiegung und ein absichtliches Steuern der Verbiegung, um eine konkave Form zu erzeugen. Des Weiteren erfordert die Art der in der JP H08- 323 741 A beschriebenen Konfiguration ein Verschieben der Hauptrollen entlang der axialen Richtung während des Schneidens des Blocks, was bedauerlicherweise die Steuerung der Drahtsäge kompliziert.The type of JP H06- 112 120 A and JP 2008 - 140 856 A However, the configurations described disadvantageously require processes that are not conventionally in use, such as, after the silicon wafers are obtained from the block, predicting the direction of the bending and intentionally controlling the bending to produce a concave shape. Furthermore, the nature of the JP H08- 323 741 A The configuration described above causes the main rollers to shift along the axial direction during cutting of the block, which unfortunately complicates the control of the wire saw.

Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren, das in der Lage ist, eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erhalten, die eine Kuppelform aufweisen, wobei sich der Mittenabschnitt des Wafers in einer einzigen Richtung relativ zu den Außenrändern desselben verwirft oder verwölbt, bereitzustellen.An object of the invention is to provide a silicon wafer manufacturing method capable of obtaining a plurality of silicon wafers having a dome shape in which the central portion of the wafer warps or buckles in a single direction relative to the outer edges thereof.

MITTEL ZUM LÖSEN DES(DER) PROBLEMS(PROBLEME)MEANS TO SOLVE THE PROBLEM(S)

Es wird ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Die Unteransprüche definieren weitere Ausführungsformen.There is provided a silicon wafer manufacturing method according to claim 1. The subclaims define further embodiments.

Durch sorgfältiges Experimentieren entdeckten die Erfinder, dass unter Verwendung eines gewellten Drahts (d.h. eines Draht mit einer welligen Form) in der Drahtsäge, es möglich sein kann, eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erhalten, die eine Kuppelform aufweisen, wobei der Mittenabschnitt derselben in einer einzigen Richtung verworfen oder verwölbt ist. Daher führten die Erfinder das folgende Experiment durch.Through careful experimentation, the inventors discovered that by using a corrugated wire (i.e., a wire having a wavy shape) in the wire saw, it may be possible to obtain a plurality of silicon wafers having a dome shape with the center portion thereof warped or warped in a single direction. Therefore, the inventors conducted the following experiment.

Gewellter DrahtCorrugated wire

Zuerst wird eine Konfiguration des gewellten Drahts beschrieben.First, a configuration of the corrugated wire is described.

Wie in 1A veranschaulicht, wurde ein gewellter Draht 7 durch Formgebung eines Drahtstabs 71, der als ein normaler gerader Draht verwendet wird, in eine Spirale gebildet. Es sei beispielsweise angenommen, dass der Durchmesser des Drahtstabs 71 0,12 mm bis 0,16 mm war. Es sei ebenfalls angenommen, dass das für den Drahtstab 71 verwendete Material beispielsweise vermessingter Kohlenstoffstahl war.As in 1A As illustrated, a corrugated wire 7 was formed by shaping a wire rod 71 used as a normal straight wire into a spiral. For example, assume that the diameter of the wire rod 71 was 0.12 mm to 0.16 mm. Also assume that the material used for the wire rod 71 was, for example, brass-plated carbon steel.

Der gewellte Draht 7 wurde geformt, um als eine Welle (d.h., grob gesehen eine Sinuswellenform) bei Betrachtung in einer Richtung orthogonal zu der Länge des Drahtes zu erscheinen. Der Abstand P der Formgebung (d.h., die Beabstandung zwischen zueinander benachbarte Höchstpunkten 72 in 1A) ist vorzugsweise 2,5 mm bis 5,0 mm. Außerdem ist das Profil D der Formgebung (d.h., ein Abstand d1 von einem Höchstpunkt 72 zu einem Tiefstpunkt 73 minus einem Stabdurchmesser d2 des Drahtstabs 71 in 1A) vorzugsweise 6 um bis 12 um.The corrugated wire 7 was formed to appear as a wave (i.e., roughly a sine waveform) when viewed in a direction orthogonal to the length of the wire. The pitch P of the formation (i.e., the spacing between adjacent peaks 72 in 1A) is preferably 2.5 mm to 5.0 mm. In addition, the profile D of the shaping (ie, a distance d1 from a maximum point 72 to a minimum point 73 minus a rod diameter d2 of the wire rod 71 in 1A) preferably 6 um to 12 um.

Die Vorteile des gewellten Drahts werden als nächstes beschrieben.The advantages of the corrugated wire are described next.

Wie in 1B veranschaulicht, ist beim Schneiden des Blocks T mit dem gewellten Draht 7 der gewellte Draht 7 imstande, sich fortzubewegen, während Schleifkörner G1 zwischen benachbarten Höchstpunkten 72 und zwischen benachbarten Tiefstpunkten 73 vorhanden sind; daher können die Schleifkörner G1 ebenfalls ausreichend im Voraus in der Fortbewegungsrichtung (in Richtung, wo der Draht austritt) bereitgestellt werden, und die gleichen Verbesserungen in der Schneideleistung am vorderen Teil können für die Schneideleistung am hinteren Teil (in Richtung, wo der Draht in den Block eintritt) erwartet werden.As in 1B As illustrated, when cutting the block T with the corrugated wire 7, the corrugated wire 7 is able to advance while abrasive grains G1 are present between adjacent peaks 72 and between adjacent valleys 73; therefore, the abrasive grains G1 can also be provided sufficiently in advance in the advancement direction (in the direction where the wire exits), and the same improvements in the cutting performance at the front part can be expected for the cutting performance at the rear part (in the direction where the wire enters the block).

Im Gegensatz dazu weist, wie in 1C veranschaulicht, der normale gerade Draht 9 keinen Abschnitt ähnlich dem gewellten Draht 7 auf, wo die Schleifkörner G1 eintreten können; daher können die Schleifkörner G1 nicht ausreichend im Voraus in der Fortbewegungsrichtung bereitgestellt werden und es kann erwartet werden, dass die Schneideleistung am vorderen Teil schlechter als die Schneideleistung am hinteren Teil ist.In contrast, as in 1C illustrated, the normal straight wire 9 does not have a portion similar to the corrugated wire 7 where the abrasive grains G1 can enter; therefore, the abrasive grains G1 cannot be sufficiently provided in advance in the advancing direction and the cutting performance at the front part can be expected to be inferior to the cutting performance at the rear part.

Konfiguration der DrahtsägeWire saw configuration

Die Konfiguration der Drahtsäge wird als nächstes beschrieben.The configuration of the wire saw is described next.

Es sei bemerkt, dass die folgende Beschreibung annimmt, dass, bei Betrachtung von 2 von vorne, „auf“ und „ab“ (d.h., die Richtung der Schwerkraft) jeweils die +Z und -Z Richtungen sind, und „links“ und „rechts“ jeweils die +X und -X Richtungen sind; wobei die Beschreibung ebenfalls annimmt, dass „vorne“ die -Y Richtung zur Vorderseite in der Richtung orthogonal zu dem Zeichnungsblatt ist, während „hinten“ die +Y Richtung in der Tiefe ist.It should be noted that the following description assumes that, when considering 2 from the front, "up" and "down" (i.e., the direction of gravity) are the +Z and -Z directions, respectively, and "left" and "right" are the +X and -X directions, respectively; the description also assumes that "front" is the -Y direction to the front in the direction orthogonal to the drawing sheet, while "back" is the +Y direction in depth.

Wie in 2 veranschaulicht, ist die Drahtsäge 1 mit drei Hauptrollen 2 ausgestattet; zwei der Hauptrollen 2 sind in der gleichen horizontalen Ebene oberhalb einer dritten Hauptrolle 2 angeordnet, die darunter und dazwischen angeordnet ist. Ein spiralförmiger gewellter Draht 7 ist um diese drei Hauptrollen 2 entlang der axialen Richtung (d.h., der Länge nach) gewickelt. Drahtspulen 41, 42 werden an beiden Enden des gewellten Drahts 7 bereitgestellt, wobei die Drahtspulen den gewellten Draht 7 über jeweilige einzelne Führungsrollen 3 führen und aufnehmen. Durchquerer 43, 44 werden ebenfalls zwischen jeder Führungsrolle 3 und den jeweiligen Drahtspulen 41, 42 bereitgestellt. Die Durchquerer 43, 44 stellen die Sitzposition und die Aufnahmeposition des gewellten Drahts 7 ein. Eine Düse 5 ist oberhalb jeder der beiden Hauptrollen 2 (hier nachstehend obere Hauptrollen 21) zum Zuführen einer Schleifflüssigkeit G in Aufschlämmungsform an einer mittleren Position relativ zu den beiden oberen Hauptrollen 21 angeordnet. Eine Zuführeinrichtung 6 wird ebenfalls oberhalb der Düsen 5 bereitgestellt, um den dadurch gehaltenen Block T anzuheben und abzusenken.As in 2 , the wire saw 1 is provided with three main rollers 2; two of the main rollers 2 are arranged in the same horizontal plane above a third main roller 2 arranged below and between them. A spiral-shaped corrugated wire 7 is wound around these three main rollers 2 along the axial direction (i.e., lengthwise). Wire spools 41, 42 are provided at both ends of the corrugated wire 7, the wire spools guiding and receiving the corrugated wire 7 via respective individual guide rollers 3. Traverses 43, 44 are also provided between each guide roller 3 and the respective wire spools 41, 42. The traverses 43, 44 adjust the seating position and receiving position of the corrugated wire 7. A nozzle 5 is arranged above each of the two main rollers 2 (hereinafter, upper main rollers 21) for supplying a grinding liquid G in slurry form at a middle position relative to the two upper main rollers 21. A feed device 6 is also provided above the nozzles 5 to raise and lower the block T held thereby.

Das Drehen der Mehrzahl von Hauptrollen 2 bewirkt, dass sich der gewellte Draht 7 in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu der axialen Richtung der Hauptrollen 2 fortbewegt (d.h., seitlich; hier nachstehend die Drahtfortbewegungsrichtung); wobei ein Absenken und Drücken des Blocks T gegen den sich fortbewegenden gewellten Draht 7 bewirkt, dass wenn die Schleifflüssigkeit G zwischen den beiden oberen Hauptrollen 21 zugeführt wird, die Drahtsäge 1 den Block T schneidet und eine Mehrzahl von Siliziumwafern erzeugt.Rotating the plurality of main rollers 2 causes the corrugated wire 7 to advance in a direction substantially orthogonal to the axial direction of the main rollers 2 (i.e., laterally; hereinafter, the wire advancement direction); whereby lowering and pressing the block T against the advancing corrugated wire 7 causes, when the grinding fluid G is supplied between the two upper main rollers 21, the wire saw 1 to cut the block T and produce a plurality of silicon wafers.

An diesem Punkt wird der Block T gewöhnlicherweise auf den gewellten Draht 7 in der Richtung der Schwerkraft linear abgesenkt, um Verwerfen oder Verwölben des Siliziumwafers zu vermeiden. Somit ist eine Schneiderichtung (hier nachstehend als eine „Zielschneiderichtung“ bezeichnet) des Blocks T der Richtung der Schwerkraft entgegengesetzt, ohne durch eine externe Kraft beeinflusst zu werden. Der gewellte Draht 7 wird ebenfalls dazu gebracht, sich linear in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu der axialen Richtung des Blocks T fortzubewegen, um Verwerfen oder Verwölben des Siliziumwafers zu verhindern. Somit wird, wenn die Fortbewegungsrichtung des gewellten Drahts 7 (hier nachstehend als eine „Zieldrahtfortbewegungsrichtung“ bezeichnet) linear ist, der gewellte Draht 7 nicht von externen Kräften beeinflusst.At this point, the block T is usually lowered onto the corrugated wire 7 linearly in the direction of gravity to prevent warping or warping of the silicon wafer. Thus, a cutting direction (hereinafter referred to as a "target cutting direction") of the block T is opposite to the direction of gravity without being influenced by an external force. The corrugated wire 7 is also caused to advance linearly in a direction substantially orthogonal to the axial direction of the block T to prevent warping or warping of the silicon wafer. Thus, when the advancement direction of the corrugated wire 7 (hereinafter referred to as a "target wire advancement direction") is linear, the corrugated wire 7 is not influenced by external forces.

Experiment 1Experimentation 1

Zuerst wurde das Experiment 1 basierend auf der folgenden Hypothese ausgeführt.First, Experiment 1 was conducted based on the following hypothesis.

Hypothesehypothesis

Bei der in 2 veranschaulichten Drahtsäge 1 sei berücksichtigt, dass der gewellte Draht 7 auf den Rollen von vorne nach hinten hin gewickelt ist und bei Betrachtung von vorne als eine linksläufige Spirale erscheint. In diesem Zustand veranlasst das Antreiben der Durchquerer 43, 44 während des Drehens der drei Hauptrollen 2 und der Drahtspulen 41, 42, dass sich der gewellte Draht 7 nach links zwischen den oberen Hauptrollen 21 fortbewegt; wobei an diesem Punkt der gewellte Draht 7 in einer einzigen Richtung parallel zu den Hauptrollen 2 vorrückt. Die Vorschubrichtung in dieser Situation, d.h., die rückwärts orientierte Richtung während der in 2 veranschaulichten Situation, wird hier nachstehend als eine Drahtvorrückrichtung bezeichnet.At the 2 illustrated wire saw 1, it should be taken into account that the corrugated wire 7 is wound on the rollers from front to back and when viewed from the front as a left-handed spiral appears. In this state, driving the traversers 43, 44 during rotation of the three main rollers 2 and the wire coils 41, 42 causes the corrugated wire 7 to advance to the left between the upper main rollers 21; at which point the corrugated wire 7 advances in a single direction parallel to the main rollers 2. The advance direction in this situation, ie, the backward oriented direction during rotation in 2 illustrated situation is hereinafter referred to as a wire advancing direction.

Es sei bemerkt, dass sich das „Vorrücken des gewellten Drahts 7 in einer einzigen Richtung“ nicht nur auf das einseitige Zuführen des gewellten Drahts 7 von der Drahtrolle 42 zu der Drahtrolle 41 bezieht, sondern ebenfalls eine Situation umfassen kann, bei welcher der gewellte Draht 7 durch Hin- und Herlaufen in einer einzigen Richtung vorgerückt wird, so dass die Länge des von der Drahtrolle 42 zugeführten und an der Drahtrolle 41 aufgenommenen gewellten Drahts länger als die Länge des gewellten Drahts 7 ist, der von der Drahtrolle 41 zugeführt und an der Drahtrolle 42 aufgenommen wird.Note that the “advancing of the corrugated wire 7 in a single direction” refers not only to the one-sided feeding of the corrugated wire 7 from the wire reel 42 to the wire reel 41, but may also include a situation in which the corrugated wire 7 is advanced by reciprocating in a single direction so that the length of the corrugated wire fed from the wire reel 42 and taken up on the wire reel 41 is longer than the length of the corrugated wire 7 fed from the wire reel 41 and taken up on the wire reel 42.

Des Weiteren bewegt, wenn der Block T abgesenkt wird, der gewellte Draht 7 den Block relativ von einem unteren Teil des Blocks, der durch durchgezogene und gepunktete Linien dargestellt wird (3A), zu einem oberen Teil des Blocks, der durch die doppelt strichpunktierte Linie dargestellt wird, wodurch der Block T von unten nach oben geschnitten wird.Furthermore, when the block T is lowered, the corrugated wire 7 moves the block relatively from a lower part of the block shown by solid and dotted lines ( 3A) , to an upper part of the block, which is represented by the double-dash line, thereby cutting the block T from bottom to top.

Beim Schneiden auf diese Art und Weise ist die Drahtvorrückrichtung nach hinten, wie in 2 veranschaulicht, und wenn sich der gewellte Draht 7 nach links zwischen den oberen Hauptrollen 21 der Spur des auf den Hauptrollen 2 gewickelten Drahts folgend fortbewegt, dreht sich (in Spiralen) der gewellte Draht 7 in entgegengesetzter Uhrzeigerrichtung, wenn er sich fortbewegt, wie in 3B und 3C veranschaulicht. In diesem Fall werden Schleifkörner G1 problemlos zu einer Seite hin zugeführt, bei der sich der Draht dreht und eintritt (ein Eintritt T1) und die Schneideleistung verbessert. Andererseits blockieren Späne T3 von dem Block T an einer Seite, wo sich der Draht dreht und austritt (ein Austritt T2) und bewirkt, dass sich die Schneideleistung verschlechtert.When cutting in this way, the wire feed direction is backwards, as in 2 and when the corrugated wire 7 advances to the left between the upper main rollers 21 following the track of the wire wound on the main rollers 2, the corrugated wire 7 rotates (in spirals) in the counterclockwise direction as it advances, as in 3B and 3C In this case, abrasive grains G1 are smoothly fed to a side where the wire rotates and enters (an entry T1) and improves the cutting performance. On the other hand, chips T3 from the block T block a side where the wire rotates and exits (an exit T2) and causes the cutting performance to deteriorate.

Obwohl der gewellte Draht 7 hier geformt wird, um wellenähnlich zu sein, bewegt sich der Draht aufgrund der daran wirkenden Spannung grob gesehen ausgestreckt in einer geraden Linie fort.Although the corrugated wire 7 is formed here to be wave-like, the wire moves roughly in a straight line when stretched out due to the tension acting thereon.

Bei der frühen Schneidestufe (z.B., wenn der gewellte Draht den unteren Teil des Blocks T schneidet, wie durch die durchgezogene Linie in 3A veranschaulicht) wird dem gewellten Draht 7 aufgrund der großen Ablenkung des gewellten Drahts 7 eine unzureichende Menge von Schleifkörnern G1 zugeführt, wie in 3B veranschaulicht. Genauer gesagt gibt es eine bemerkenswerte Verschlechterung der Schneideleistung in Richtung des Austritts (turn-out) T2 aufgrund der Späne T3. Als Ergebnis ist die Schneideleistung in Richtung des Eintritts (turn-in) T1 besser, wenn verglichen mit der Schneideleistung in Richtung des Austritts T2, und die Vorschubrichtung des gewellten Drahts 7 während des Schneidens (hier nachstehend Schneidevorrückrichtung) fällt nach rechts relativ zu der Zielschneiderichtung ab (3B).At the early cutting stage (e.g. when the crimped wire cuts the lower part of the block T as shown by the solid line in 3A illustrated), an insufficient amount of abrasive grains G1 is supplied to the corrugated wire 7 due to the large deflection of the corrugated wire 7, as shown in 3B . More specifically, there is a remarkable deterioration of the cutting performance in the turn-out direction T2 due to the chips T3. As a result, the cutting performance in the turn-in direction T1 is better when compared with the cutting performance in the turn-in direction T2, and the feed direction of the crimped wire 7 during cutting (hereinafter, cutting feed direction) decreases to the right relative to the target cutting direction ( 3B) .

Ferner nimmt, wie durch die Doppelpunkt-Strichlinie in 3A veranschaulicht, zusätzlich zu dem allmählichen Schrumpfen des Kontaktabschnitts zwischen dem Block T und dem gewellten Draht 7, die Menge an Schleifkörnern G1, die dem gewellten Draht 7 zugeführt werden, aufgrund des Zurückprallens der Schleifkörner G1 ab, wenn das obere Teil des Blocks T während der späten Schneidestufe geschnitten wird und sich die Schneideleistung dadurch verbessert. Wie in 3C veranschaulicht, wird, wenn sich die Schneideleistung auf diese Art und Weise verbessert, der gewellte Draht 7 von einer Kraft beeinflusst, die versucht, den Draht zu der Schneidevorrückrichtung vor dem Abfallen der Schneidevorrückrichtung zurückzuführen; und somit fällt die Schneidevorrückrichtung in der Richtung entgegengesetzt der abfallenden Richtung während der frühen Schneidestufe ab. Furthermore, as indicated by the colon-dashed line in 3A illustrates that, in addition to the gradual shrinkage of the contact portion between the block T and the crimped wire 7, the amount of abrasive grains G1 supplied to the crimped wire 7 decreases due to the rebound of the abrasive grains G1 when the upper part of the block T is cut during the late cutting stage and the cutting performance is thereby improved. As shown in 3C As illustrated, when the cutting performance improves in this manner, the curled wire 7 is affected by a force attempting to return the wire to the cutting advance direction before the cutting advance direction drops; and thus the cutting advance direction drops in the direction opposite to the decreasing direction during the early cutting stage.

Wie oben beschrieben, fällt die Schneidevorrückrichtung nach rechts relativ zu der Zielschneiderichtung bei der frühen Schneidestufe und fällt nach links relativ zu der Zielschneiderichtung bei der späten Schneidestufe ab; daher nahmen wir an, dass die resultierende Waferverbiegung, wenn der Siliziumwafer WF entlang der Schneiderichtung gemessen wird (hier nachstehend als eine Waferverbiegung in der Schneiderichtung bezeichnet), derart sein würde, dass der vertikale Mittenabschnitt (der Mittenabschnitt in der vertikalen Richtung in 3D) nach hinten in 2 einsinken würde (d.h., nach rechts hin in 3D); mit anderen Worten nahmen wir an, dass der Wafer ein Bogen sein würde, der in der Drahtvorrückrichtung einsinkt.As described above, the cutting advance direction falls to the right relative to the target cutting direction at the early cutting stage and falls to the left relative to the target cutting direction at the late cutting stage; therefore, we assumed that the resulting wafer warp when the silicon wafer WF is measured along the cutting direction (hereinafter referred to as a wafer warp in the cutting direction) would be such that the vertical center portion (the center portion in the vertical direction in 3D ) backwards in 2 would sink (ie, to the right in 3D ); in other words, we assumed that the wafer would be an arc that would sink in the wire advance direction.

Wir nahmen ferner an, dass, wenn die Drahtvorrückrichtung zur Vorderseite ist (2), die Waferverbiegung in der Schneiderichtung des Siliziumwafers WF entgegengesetzt zu der Situation in 3D sein würde, und der Siliziumwafer ein Bogen sein würde, wobei der vertikalen Mittenabschnitt zur Vorderseite einsinkt ( 2) .We further assumed that if the wire advance direction is to the front ( 2 ), the wafer bending in the cutting direction of the silicon wafer WF is opposite to the situation in 3D be and the silicon wafer would be a bow with the vertical center section sinking toward the front ( 2 ) .

Außerdem ist die Bewegung des gewellten Drahts 7 nahe der Hauptrollen 2 nach vorne und nach hinten aufgrund der Innenwand der Rillen auf den Hauptrollen 2 beschränkt (d.h., der gewellte Draht weist weniger Bewegungsfreiheit auf). Wir nahmen an, dass die Bewegung des gewellten Drahts 7 weniger durch die Innenwand der Rillen der Hauptrollen 2 eingeschränkt sein würde, wenn sich der gewellte Draht 7 dem Mittenabschnitt des Blocks T nähert (d.h. der gewellte Draht 7 würde eine größere Bewegungsfreiheit aufweisen), und somit fortfahren würde, in der Schneidevorrückrichtung abzufallen, wie oben beschrieben.In addition, the movement of the corrugated wire 7 near the main rollers 2 forward and backward is restricted due to the inner wall of the grooves on the main rollers 2 (i.e., the corrugated wire has less freedom of movement). We assumed that the movement of the corrugated wire 7 would be less restricted by the inner wall of the grooves of the main rollers 2 as the corrugated wire 7 approaches the center portion of the block T (i.e., the corrugated wire 7 would have greater freedom of movement), and thus would continue to descend in the cutting advance direction as described above.

Folglich nahmen wir an, dass, wie in 4B veranschaulicht, die Waferverbiegung beim Messen der Form des Siliziumwafers WF entlang der Fortbewegungsrichtung des gewellten Drahts 7 (hier nachstehend eine Waferverbiegung in der Fortbewegungsrichtung) derart sein würde, dass der seitliche Mittenabschnitt (der Mittenabschnitt in der vertikalen Richtung in 4B) nach hinten in 2 einfallen würde (d.h., nach rechts in 4B); mit anderen Worten würde der Wafer ein Bogen sein, der in der Drahtvorrückrichtung einsinkt.Consequently, we assumed that, as in 4B illustrated, the wafer deflection when measuring the shape of the silicon wafer WF along the advancing direction of the corrugated wire 7 (hereinafter, a wafer deflection in the advancing direction) would be such that the lateral center portion (the center portion in the vertical direction in 4B) backwards in 2 would fall (ie, to the right in 4B) ; in other words, the wafer would be an arc that sinks in the wire advance direction.

Wir nahmen ferner an, dass, wenn die Drahtvorrückrichtung nach vorne ist (2), die Waferverbiegung in der Fortbewegungsrichtung des Siliziumwafers WF entgegengesetzt der in 4B veranschaulichten Situation sein würde, und der Siliziumwafer ein Bogen sein würde, bei dem der vertikale Mittenabschnitt nach vorne (nach links in 4B) einsank.We further assumed that if the wire advance direction is forward ( 2 ), the wafer bending in the direction of travel of the silicon wafer WF opposite to that in 4B illustrated situation, and the silicon wafer would be an arc with the vertical center section pointing forward (to the left in 4B) sank.

Aus dem obigen nahmen wir an, dass es möglich sein würde, eine Mehrzahl von Siliziumwafern WF zu erhalten, wobei deren Mittenabschnitte in einer Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, die in einer Richtung (der Drahtvorrückrichtung) einfallen, durch Verwenden des als eine Welle geformten, gewellten Drahts 7, um den Block T zu schneiden.From the above, we assumed that it would be possible to obtain a plurality of silicon wafers WF having their center portions bent or warped in a dome shape dipping in one direction (the wire advancing direction) by using the corrugated wire 7 shaped as a wave to cut the block T.

Experiment 1: EinzelheitenExperiment 1: Details

Siliziumwafer WF wurden durch Schneiden eines Blocks T unter Verwendung der oben beschriebenen Drahtsäge 1, dem Typ des in der folgenden Tabelle 1 beschriebenen Drahts und mit den in Tabelle 2 für Beispiele 1-1, 1-2 und Vergleichsbeispiele 1-1, 1-2 beschriebenen Bedingungen erzeugt.Silicon wafers WF were produced by cutting a block T using the wire saw 1 described above, the type of wire described in Table 1 below, and the conditions described in Table 2 for Examples 1-1, 1-2 and Comparative Examples 1-1, 1-2.

Es sei bemerkt, dass der in Tabelle 1 aufgelistete „gerade Draht“ ein Draht bedeutet, der gerade ist und nicht irgendeiner Art vorbestimmter Formgebung, wie beispielsweise Welligkeit oder Spiralbildung, unterworfen ist.It should be noted that the “straight wire” listed in Table 1 means a wire that is straight and is not subjected to any type of predetermined shaping, such as corrugation or spiraling.

Ferner wurde jeder der Drähte auf den Hauptrollen 2 in der oben unter „Hypothese“ detaillierten Form gewickelt.Furthermore, each of the wires on the main rollers 2 was wound in the form detailed above under “Hypothesis”.

Schließlich wurden die drei Hauptrollen 2 und die Drahtspulen 41, 42 gedreht, so dass sich der gewellte Draht 7 nach rechts hin zwischen den oberen Hauptrollen 21 mit der Drahtvorrückrichtung nach vorne fortbewegt und der gewellte Draht 7 auf den Hauptrollen 2 auf die gleiche Art und Weise gewickelt wurde, wie oben unter „Hypothese“ beschrieben.Finally, the three main rollers 2 and the wire coils 41, 42 were rotated so that the corrugated wire 7 advances to the right between the upper main rollers 21 with the wire advance direction forward, and the corrugated wire 7 was wound on the main rollers 2 in the same manner as described above under “Hypothesis”.

Der verwendete Block T hatte einen Durchmesser von 300 mm. Tabelle 1 Gewellter Draht Gerader Draht Durchmesser 0,1 mm 0,1 mm Material Vermessingter Kohlenstoffstahl Vermessingter Kohlenstoffstahl Formgebungsabstand (P) 5,0 mm - Formgebungsverschiebung 12,0 um - Tabelle 2 Drahttyp Drahtvorrückrichtung (Richtung Neuer Draht wird Zugeführt) Beispiel 1-1 Gewellter Draht Rückwärts Beispiel 1-2 Gewellter Draht Vorwärts Vergleichsbeispiel 1-1 Gerader Draht Rückwärts Vergleichsbeispiel 1-2 Gerader Draht Vorwärts The block T used had a diameter of 300 mm. Table 1 Corrugated wire Straight wire diameter 0.1mm 0.1mm material Brass plated carbon steel Brass plated carbon steel Forming distance (P) 5.0mm - Forming shift 12.0 um - Table 2 Wire type Wire advance direction (direction new wire is fed) Example 1-1 Corrugated wire Backward Example 1-2 Corrugated wire Forward Comparison example 1-1 Straight wire Backward Comparison example 1-2 Straight wire Forward

Des Weiteren wurden die in der folgenden Tabelle 3 aufgelisteten Bedingungen in den Beispielen 1-1, 1-2 und den Vergleichsbeispielen 1-1, 1-2 gleich gehalten. Tabelle 3 Zuführungsrate (Geschwindigkeit der Abwärtsbewegung des Blocks) Frühe Schneidestufe Späte Schneidestufe 0,35 mm/min Mittlere Schneidestufe 0,20 mm/min Temperatur der Schleifflüssigkeit 23 °C Strömungsrate der Schleifflüssigkeit 120 l/min Drahtspannung 25 N Furthermore, the conditions listed in Table 3 below were kept the same in Examples 1-1, 1-2 and Comparative Examples 1-1, 1-2. Table 3 Feed rate (speed of downward movement of the block) Early cutting stage Late cutting stage 0.35mm/min Medium cutting level 0.20mm/min Temperature of the grinding fluid 23°C Grinding fluid flow rate 120 l/min Wire tension 25N

Die Gründe zum Modifizieren der Zuführungsraten während der frühen, mittleren und späten Schneidestufen werden beschrieben. Es sei bemerkt, dass die Zuführungsrate die Geschwindigkeit bedeutet, mit der ein Block zugeführt wird, wenn der Block gegen den Draht beim Schneiden des Blocks gedrückt wird (d.h., die Geschwindigkeit, mit welcher der Block beim Verwenden der in 2 veranschaulichten Drahtsäge abgesenkt wird).The reasons for modifying the feed rates during the early, middle and late cutting stages are described. It is noted that the feed rate means the speed at which a billet is fed when the billet is pressed against the wire when cutting the billet (i.e., the speed at which the billet is fed when using the 2 illustrated wire saw).

Beim Erzeugen eines Siliziumwafers ist der Kontaktabschnitt zwischen dem Block und dem Draht während der frühen Schneidestufe (z.B., 3A; wenn der gewellte Draht 7 die durch die durchgezogene Linie dargestellte Position schneidet) und während der späten Schneidestufe (z.B., 3A; wenn der gewellte Draht 7 die durch die Doppelpunkt-Strichlinie dargestellte Position schneidet) kurz verglichen mit der Größe des Kontaktabschnitts während der mittleren Schneidestufe (z.B., 3A; wenn der gewellte Draht 7 durch die durch die Punkt-Strichlinie dargestellte Position schneidet). Daher ist die auf den Draht während der frühen Schneidestufe und der späten Schneidestufe wirkende Last kleiner als die während der mittleren Schneidestufe wirkende Last.When producing a silicon wafer, the contact portion between the block and the wire during the early cutting stage (e.g., 3A ; when the crimped wire 7 cuts the position shown by the solid line) and during the late cutting stage (eg, 3A ; when the crimped wire 7 cuts the position shown by the double-dotted line) is short compared to the size of the contact section during the middle cutting stage (eg, 3A ; when the crimped wire 7 cuts through the position shown by the dot-dash line). Therefore, the load acting on the wire during the early cutting stage and the late cutting stage is smaller than the load acting during the middle cutting stage.

Somit wird während der mittleren Schneidestufe eine langsamere Zuführungsrate als die Zuführungsrate während der frühen und späten Schneidestufen verwendet, um die Unterschiede in der auf den Draht wirkenden Last während des Schneidens zu verringern.Thus, a slower feed rate is used during the middle cutting stage than the feed rate during the early and late cutting stages to reduce the differences in the load acting on the wire during cutting.

Unter der Mehrzahl der durch Beispiele 1-1, 1-2 und Vergleichsbeispiele 1-1, 1-2 erzeugten Siliziumwafer wurden die Formen der Siliziumwafer nahe den vorderen und den hinteren Enden des Blocks entlang der Schneiderichtung des Blocks (vertikal; 2) und entlang der sich fortbewegenden Richtung des Drahtes (seitlich; 2) gemessen. Die in 5 und 6 veranschaulichten Formen sind das Ergebnis des Aufnehmens von Messungen unter Verwendung der Ebene, die zur Vorderseite des Blocks positioniert ist, als die obere Oberfläche.Among the majority of silicon wafers produced by Examples 1-1, 1-2 and Comparative Examples 1-1, 1-2, the shapes of the silicon wafers near the front and rear ends of the ingot along the cutting direction of the ingot (vertical; 2 ) and along the moving direction of the wire (lateral; 2 ) measured. The 5 and 6 The shapes illustrated are the result of taking measurements using the plane positioned toward the front of the block as the top surface.

Wie in 5 veranschaulicht, verifizierten wir, dass die unter Verwendung von Beispielen 1-1, 1-2 erzeugten Wafer in sowohl der Schneiderichtung als auch der Fortbewegungsrichtung grob gesehen am Mittenabschnitt derselben in der gleichen Richtung wie die Drahtvorrückrichtung in Relation zu dem äußeren Rand einsanken (d.h., nach hinten in 2 in Beispiel 1-1 und nach vorne in 2 in Beispiel 1-2).As in 5 As illustrated, we verified that the wafers produced using Examples 1-1, 1-2 sank in both the cutting direction and the advancing direction roughly at the center portion thereof in the same direction as the wire advancing direction relative to the outer edge (i.e., backward in 2 in Example 1-1 and forward in 2 in example 1-2).

Somit sollten sich die mit Beispielen 1-1, 1-2 erzeugten Siliziumwafer in eine Kuppelform verbiegen, wobei der Mittenabschnitt grob gesehen entlang der gleichen Richtung wie die Drahtvorrückrichtung in sowohl der Schneiderichtung als auch der Fortbewegungsrichtung relativ zu den Außenrändern des Wafers einsinkt. Das heißt, wir verifizierten, dass die oben beschriebene Hypothese korrekt war.Thus, the silicon wafers produced by Examples 1-1, 1-2 should bend into a dome shape with the center portion sinking roughly along the same direction as the wire advance direction in both the cutting direction and the traveling direction relative to the outer edges of the wafer. That is, we verified that the hypothesis described above was correct.

Andererseits sollte die Form der Verbiegung oder Verwölbung der unter Verwendung der Vergleichsbeispiele 1-1, 1-2 erzeugten Siliziumwafer nicht irgendeine Korrelation mit der Drahtvorrückrichtung weder in der Schneiderichtung noch in der Fortbewegungsrichtung aufweisen, wie in 6 veranschaulicht.On the other hand, the shape of the warp or curl of the silicon wafers produced using Comparative Examples 1-1, 1-2 should not have any correlation with the wire advance direction in either the cutting direction or the traveling direction, as shown in 6 illustrated.

Experiment 2Experimentation 2

Beide Oberflächen der durch Schneiden des Blocks erhaltenen Siliziumwafer werden gewöhnlicherweise vor Bilden der Epitaxieschicht geschliffen. Das Schleifen könnte jedoch die unter Verwendung des gewellten Drahts 7 erhaltene Waferverbiegung auf dem Siliziumwafer entfernen.Both surfaces of the silicon wafers obtained by cutting the ingot are usually ground before forming the epitaxial layer. However, the grinding could remove the wafer warp on the silicon wafer obtained by using the corrugated wire 7.

Somit führten wir ein Experiment durch, um zu verifizieren, dass das Schleifen beider Oberflächen nicht das Verschwinden der Waferverbiegung bewirken würde.Thus, we conducted an experiment to verify that grinding both surfaces would not cause the wafer warping to disappear.

Ein Siliziumwafer, der unter Verwendung der gleichen Bedingungen erstellt wurde, die in dem oben erwähnten Beispiel 1-2 vorgegeben wurden, wurde für Beispiele 2-1, 2-2 verwendet. Der Siliziumwafer für Beispiele 2-1, 2-2 wurde mit einer Bearbeitungszugabe von 20 µm für beide Oberflächen geschliffen. Es sei bemerkt, dass das Schleifen eine Oberfläche nach der anderen durchgeführt wurde. Wenn beide Oberflächen zur gleichen Zeit nicht gleichmäßig geschliffen werden, erzeugt die Ungleichmäßigkeit eine weitere Verbiegung in dem Siliziumwafer, was es schwierig macht, zu erkennen, ob die nach dem Schleifen beobachtete Verbiegung auf das Schneiden oder das Schleifen zurückzuführen war. Der verwendete Siliziumwafer war 300 mm in Durchmesser.A silicon wafer prepared using the same conditions as those specified in the above-mentioned Example 1-2 was used for Examples 2-1, 2-2. The silicon wafer for Examples 2-1, 2-2 was ground with a machining allowance of 20 μm for both surfaces. Note that grinding was performed one surface at a time. If both surfaces are not evenly ground at the same time, the unevenness will produce further warping in the silicon wafer, making it difficult to tell whether the warping observed after grinding was due to cutting or grinding. The silicon wafer used was 300 mm in diameter.

Wie in 7 veranschaulicht, verifizierten wir, dass die Form der Siliziumwafer von Beispielen 2-1, 2-2 nach dem Schneiden im Wesentlichen die gleiche wie die Form der beiden Oberflächen nach dem Schleifen waren.As in 7 As illustrated, we verified that the shape of the silicon wafers of Examples 2-1, 2-2 after cutting were substantially the same as the shape of the two surfaces after grinding.

Die Erfindung wurde somit auf der Grundlage derartigen Wissens fertig gestellt.The invention was thus completed on the basis of such knowledge.

Ein Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst: einen Drahtfortbewegungsschritt, bei dem eine Mehrzahl von Hauptrollen, um die ein Draht in einer spiralen Form gewickelt ist, gedreht werden, so dass sich der Draht in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu einer axialen Richtung von jeder der Hauptrollen fortbewegt; und einen Schneideschritt, bei dem ein Block gegen den Draht gedrückt wird, um den Block zu schneiden, um eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erzeugen, die in eine Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, wobei ein Mittenabschnitt von jedem der Siliziumwafer in einer einzigen Richtung relativ zu einem äußeren Rand von jedem der Siliziumwafer zum Einsinken gebracht werden.A silicon wafer manufacturing method according to an aspect of the invention comprises: a wire advancing step of rotating a plurality of main rolls around which a wire is wound in a spiral shape so that the wire advances in a direction substantially orthogonal to an axial direction of each of the main rolls; and a cutting step of pressing a block against the wire to cut the block to produce a plurality of silicon wafers bent or warped into a dome shape, wherein a center portion of each of the silicon wafers is sunk in a single direction relative to an outer edge of each of the silicon wafers.

Bei dem Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß dem obigen Aspekt der Erfindung wird ein wie eine Welle geformter, gewellter Draht als der Draht verwendet.In the silicon wafer manufacturing method according to the above aspect of the invention, a corrugated wire shaped like a wave is used as the wire.

Gemäß dem obigen Aspekt der Erfindung kann eine einfache Konfiguration, bei der ein Block mit einer Drahtsäge geschnitten wird, die einen Draht verwendet, der nicht wellenförmig geformt ist, oder ein gewellter Draht verwendet werden, um eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erhalten, die in eine Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, wobei der Mittenabschnitt in einer Richtung in Relation zu dem Außenrand einsinkt.According to the above aspect of the invention, a simple configuration in which a block is cut with a wire saw using a wire that is not wave-shaped or a wave-shaped wire can be used to obtain a plurality of silicon wafers bent or warped into a dome shape with the center portion sinking in one direction relative to the outer periphery.

Der gewellte Draht kann in eine Spirale geformt werden, so dass bei Betrachtung von einem longitudinalen Ende der gewellte Draht als ein Kreis erscheint, oder der gewellte Draht kann lediglich wie eine Welle geformt sein, so dass bei Betrachtung von einem longitudinalen Ende der gewellte Draht als eine gerade Linie erscheint.The corrugated wire may be formed into a spiral so that when viewed from a longitudinal end the corrugated wire appears as a circle, or the corrugated wire may be formed merely like a wave so that when viewed from a longitudinal end the corrugated wire appears as a straight line.

Während die Waferverbiegung in der Fortbewegungsrichtung eines unter Verwendung von Beispielen 1-1, 1-2 erzeugten Siliziumwafers ein Bogen ist, wie in 5 veranschaulicht, ist die Waferverbiegung in der Schneiderichtung kein glatter Bogen. Beim Aufwachsen einer Epitaxieschicht auf den Siliziumwafer wird der Siliziumwafer vorzugsweise in einen glatten Bogen verbogen oder verwölbt.While the wafer deflection in the traveling direction of a silicon wafer produced using Examples 1-1, 1-2 is an arc as shown in 5 As illustrated, the wafer warpage in the cutting direction is not a smooth arc. When an epitaxial layer is grown on the silicon wafer, the silicon wafer is preferably bent or warped into a smooth arc.

Somit entdeckten die Erfinder durch weiteres sorgfältiges Experimentieren, dass es möglich ist, einen Siliziumwafer zu erhalten, bei dem die Waferverbiegung in der Schneiderichtung durch geeignetes Einstellen der Zuführungsrate ein glatter Bogen ist. Daher führten die Erfinder das folgende Experiment 3 durch.Thus, through further careful experimentation, the inventors discovered that it is possible to obtain a silicon wafer in which the wafer deflection in the cutting direction is a smooth arc by appropriately adjusting the feed rate. Therefore, the inventors conducted the following Experiment 3.

Experiment 3Experimentation 3

Zuerst wird, wenn die Zuführungsrate für einen zylindrischen Block mit F und die Länge eines Kontaktabschnitts zwischen dem Draht und dem Block mit L angegeben wird, die Arbeitslast W an dem Draht beim Schneiden des Blocks durch die folgende Formel (1) definiert. $$\text{W}=\text{F}\times \text{L}$$

First, if the feed rate for a cylindrical block is given as F and the length of a contact portion between the wire and the block is given as L, the work load W on the wire when cutting the block is defined by the following formula (1). $$\text{W}=\text{F}\times \text{L}$$

Der Block wurde unter Verwendung von Bedingungen geschnitten, die zu denen in Beispiel 1-2 identisch sind, und die Beziehung zwischen der Arbeitslast W beim Schneiden des Blocks und der Waferverbiegung (der Form) in der Schneiderichtung des Siliziumwafers wurde untersucht. Die Ergebnisse werden in 8 präsentiert. Der Durchmesser des Siliziumwafers war 300 mm.The ingot was cut using conditions identical to those in Example 1-2, and the relationship between the work load W when cutting the ingot and the wafer deflection (shape) in the cutting direction of the silicon wafer was investigated. The results are shown in 8th presented. The diameter of the silicon wafer was 300 mm.

Wie unter Experiment 1 beschrieben, war die während der mittleren Schneidestufe verwendete Zuführungsrate langsamer als die Zuführungsrate, die während der frühen und späten Schneidestufen verwendet wurde. Daher unterscheidet sich der Anteil der Änderung in der Arbeitslast W weitgehend vor und nach dem Übergehen von der frühen Schneidestufe in die mittlere Schneidestufe sowie vor und nach Übergehen von der mittleren Schneidestufe in die späte Schneidestufe, wie in 8 veranschaulicht.As described in Experiment 1, the feeding rate used during the middle cutting stage was slower than the feeding rate used during the early and late cutting stages. Therefore, the proportion of change in workload W differs largely before and after moving from the early cutting stage to the middle cutting stage and before and after moving from the middle cutting stage to the late cutting stage, as shown in 8th illustrated.

Andererseits verifizierten wir, fokussiert auf die Form der Waferverbiegung in der Schneiderichtung des Siliziumwafers, dass die Form der Siliziumwafer grob gesehen der Änderung in der Arbeitslast W entspricht.On the other hand, focusing on the shape of wafer warpage in the cutting direction of the silicon wafer, we verified that the shape of the silicon wafer roughly corresponds to the change in the workload W.

Aus dem obigen vermuteten wir dann, dass es möglich war, einen Siliziumwafer, bei dem die Waferverbiegung in der Schneiderichtung im Wesentlichen ein Bogen ist, durch Steuern der Zuführungsrate zu erhalten, so dass sich die Arbeitslast W grob gesehen entlang eines Bogens ändert, wobei der Maximalwert desselben an der Schneideposition ist, wo der Durchmesser des Blocks ein Maximum ist. Das heißt, wir vermuteten, dass durch Steuern der Zuführungsrate, so dass sich die Arbeitslast W problemlos auf einer Kurve ändern würde, ein Siliziumwafer erhalten werden würde, bei dem die Waferverbiegung entlang der Schneiderichtung eine glatte Kurve war.From the above, we then conjectured that it was possible to obtain a silicon wafer in which the wafer deflection in the cutting direction is substantially an arc by controlling the feed rate so that the workload W changes roughly along an arc, the maximum value of which is at the cutting position where the diameter of the ingot is a maximum. That is, we conjectured that by controlling the feed rate so that the workload W would change smoothly on a curve, a silicon wafer in which the wafer deflection along the cutting direction was a smooth curve would be obtained.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung wurden auf der Grundlage derartigen Wissens fertig gestellt.Preferred embodiments of the invention have been completed on the basis of such knowledge.

Bei einem Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß Ausführungsformen der Erfindung ist es vorzuziehen, dass der Block zylindrisch ist, und, während des Schneideschritts, wenn eine Zuführungsrate des zylindrischen Blocks, wenn der Block gegen den gewellten Draht gedrückt wird, als F angegeben wird, und eine Länge eines Kontaktabschnitts zwischen dem gewellten Draht und dem Block als L angegeben wird, die Zuführungsrate des Blocks gesteuert wird, so dass sich eine Arbeitslast W an einer Schneideposition in einer radialen Richtung des zylindrischen Blocks im Wesentlichen in einen Bogen ändert, wobei ein Maximalwert der Arbeitslast W an der Schneideposition ist, wo der Durchmesser des Blocks das Maximum ist, wobei die Arbeitslast in der folgenden Formel (1) definiert wird.In a silicon wafer manufacturing method according to embodiments of the invention, it is preferable that the ingot is cylindrical, and, during the cutting step, when a feed rate of the cylindrical ingot when the ingot is pressed against the corrugated wire is given as F, and a length of a contact portion between the corrugated wire and the ingot is given as L, the feed rate of the ingot is controlled so that a work load W at a cutting position in a radial direction of the cylindrical ingot changes substantially into an arc, a maximum value of the work load W at the cutting position is where the diameter of the ingot is the maximum, the work load being defined in the following formula (1).

Gemäß der obigen Anordnung kann die einfache Technik zum Steuern der Zuführungsrate des Blocks verwendet werden, um einen Siliziumwafer zu erhalten, bei dem die Waferverbiegung in der Schneiderichtung ein glatter Bogen ist und sich der Siliziumwafer insgesamt in eine Kuppelform verbiegt oder verwölbt.According to the above arrangement, the simple technique for controlling the feeding rate of the ingot can be used to obtain a silicon wafer in which the wafer deflection in the cutting direction is a smooth arc and the silicon wafer as a whole bends or warps into a dome shape.

Gewöhnlicherweise tritt eine Waferverbiegung in einem Siliziumwafer auf, der mit der Art eines in Vergleichsbeispielen 1-1, 1-2 verwendeten geraden Drahts erzeugt wird, wie in 6 veranschaulicht. Andererseits kann, falls eine Epitaxieschicht auf dem Siliziumwafer gebildet wird, die Waferverbiegung auf dem Siliziumwafer aufgrund der Epitaxieschicht auftreten. Folglich kann der Siliziumwafer nach Bedarf umgedreht und dann die Epitaxieschicht gebildet werden, um irgendeine vor dem Bilden der Epitaxieschicht vorhandene Waferverbiegung zu negieren.Usually, wafer warping occurs in a silicon wafer produced with the type of straight wire used in Comparative Examples 1-1, 1-2 as shown in 6 On the other hand, if an epitaxial layer is formed on the silicon wafer, wafer warpage may occur on the silicon wafer due to the epitaxial layer. Consequently, the silicon wafer may be flipped as needed and then the epitaxial layer formed to negate any wafer warpage present prior to forming the epitaxial layer.

Somit wurde ein Siliziumwafer mit einem geraden Draht erzeugt und die Form des Siliziumwafers vor und nach Bilden des Films untersucht, um zu verifizieren, ob das Bilden der Epitaxieschicht die Waferverbiegung vor dem Bilden des Films negierte oder nicht. Die Ergebnisse werden in 9A und 9B präsentiert.Thus, a silicon wafer was produced with a straight wire and the shape of the silicon wafer before and after forming the film was examined to verify whether forming the epitaxial layer negated the wafer warping before forming the film or not. The results are presented in 9A and 9B presents.

Wie in 9A und 9B veranschaulicht, bestätigten wir, dass die Waferverbiegung in sowohl der Schneiderichtung als auch der Fortbewegungsrichtung nach Aufwachsen einer Epitaxieschicht insbesondere in einem Bereich größer war, der 50% des Durchmessers des Blocks (d.h., 0,5 × R, wobei R der Durchmesser ist) um eine Mittenposition ist, wo der Durchmesser des Blocks (Siliziumwafer) das Maximum ist (hier nachstehend als ein Mittenschneidebereich A bezeichnet).As in 9A and 9B As illustrated, we confirmed that the wafer warpage in both the cutting direction and the traveling direction after growing an epitaxial layer was larger particularly in a region that is 50% of the diameter of the ingot (ie, 0.5 × R, where R is the diameter) around a center position where the diameter of the ingot (silicon wafer) is the maximum (hereinafter referred to as a center cutting region A).

Somit vermuteten wir, dass eine Zunahme der Waferverbiegung vor Bilden der Epitaxieschicht in dem Mittenschneidebereich A die Waferverbiegung in dem Mittenschneidebereich A nach Bilden der Epitaxieschicht verringern würde. An diesem Punkt führten wir Experiment 4 durch, um zu verifizieren, ob unsere Vermutung korrekt war.Thus, we conjectured that increasing the wafer warpage before forming the epitaxial layer in the center cut region A would reduce the wafer warpage in the center cut region A after forming the epitaxial layer. At this point, we conducted Experiment 4 to verify whether our conjecture was correct.

Experiment 4Experimentation 4

Zuerst wurde ein Siliziumwafer unter Verwendung eines geraden Drahts erzeugt; der Siliziumwafer wurde dann geschliffen, um die Waferverbiegung in dem Mittenschneidebereich A absichtlich zu erhöhen. Die Form der Siliziumwafer vor und nach Bilden der Epitaxieschicht wurde dann untersucht. Die Ergebnisse werden in 10A und 10B präsentiert. Wie in 10A und 10B veranschaulicht, verifizierten wir, dass nach Bilden der Epitaxieschicht die Waferverbiegung in sowohl der Schneiderichtung als auch der Fortbewegungsrichtung in dem Mittenschneidebereich A verglichen mit der in 9A und 9B veranschaulicht dargestellten Waferverbiegung kleiner war.First, a silicon wafer was produced using a straight wire; the silicon wafer was then ground to intentionally increase the wafer warpage in the center cutting area A. The shape of the silicon wafers before and after forming the epitaxial layer was then examined. The results are shown in 10A and 10B presented. As in 10A and 10B As illustrated in Figure 1, we verified that after forming the epitaxial layer, the wafer deflection in both the cutting direction and the traveling direction in the center cutting region A is reduced compared to that in 9A and 9B illustrated wafer deflection was smaller.

Es sei bemerkt, dass der Durchmesser des in den Ergebnissen in 9A, 9B, 10A, 10B präsentierten Siliziumwafers 300 mm ist.It should be noted that the diameter of the in the results in 9A , 9B , 10A , 10B presented silicon wafer is 300 mm.

Somit ist es vermutlich möglich, die Waferverbiegung, die sich nach Bilden der Epitaxieschicht ergibt, durch Steuern der Arbeitslast W durch den Mittenschneidebereich A und Erhöhen der Waferverbiegung durch den Mittenschneidebereich A zu verringern.Thus, it is presumably possible to reduce the wafer warpage resulting after forming the epitaxial layer by controlling the work load W through the center cutting region A and increasing the wafer warpage through the center cutting region A.

Hier stellt die Beziehung zwischen der Schneideposition in einem zylindrischen Block und der Länge des Kontaktabschnitts zwischen dem Block und dem Draht eine zweidimensionale Kurve (Bogen) dar, die einen Maximalwert an der Schneideposition aufweist, wo der Durchmesser des Blocks am Maximum ist. Falls die Zuführungsrate im Wesentlichen konstant ist, ist die in der oben erwähnten Formel (1) definierte Arbeitslast W proportional zu der Länge des Kontaktabschnitts zwischen dem Block und dem Draht. Daher ist, wenn die Zuführungsrate konstant ist, die Beziehung zwischen der Schneideposition und der Arbeitslast eine zweidimensionale Kurve mit einem Maximalwert an der Mittenposition des Blocks, wie in 11 veranschaulicht. Es sei bemerkt, dass der Durchmesser des in den Ergebnissen (11) präsentierten Blocks 300 mm war.Here, the relationship between the cutting position in a cylindrical block and the length of the contact portion between the block and the wire is a two-dimensional curve (arc) having a maximum value at the cutting position where the diameter of the block is at the maximum. If the feed rate is substantially constant, the workload W defined in the above-mentioned formula (1) is proportional to the length of the contact portion between the block and the wire. Therefore, if the feed rate is constant, the relationship between the cutting position and the workload is a two-dimensional curve having a maximum value at the center position of the block, as shown in 11 It should be noted that the diameter of the sample shown in the results ( 11 ) presented block was 300 mm.

Falls die Zuführungsrate im Wesentlichen konstant gehalten wird, wird, da die Waferverbiegung in der Schneiderichtung grob gesehen zu der Änderung der Arbeitslast W basierend auf den Ergebnissen aus Experiment 3 passt, die Form der Waferverbiegung in der Schneiderichtung vermutlich im Wesentlichen zu der Änderung in der Arbeitslast W passen (11). In diesem Fall vermuteten wir, dass die Waferverbiegung in dem Mittenschneidebereich A größer als die Form der in 9A anschaulich dargestellten Waferverbiegung sein würde.If the feed rate is kept substantially constant, since the wafer deflection in the cutting direction roughly matches the change in the workload W based on the results of Experiment 3, the shape of the wafer deflection in the cutting direction is expected to substantially match the change in the workload W ( 11 ). In this case, we suspected that the wafer warpage in the center cutting area A was larger than the shape of the 9A clearly illustrated wafer bending.

Wenn sich die Arbeitslast W verändert, wie in 11 veranschaulicht, findet die folgende Beziehung Anwendung, bei der Wmax die Arbeitslast ist, wenn die Schneideposition an der Mittenposition des Blocks ist, und Wcnt die Arbeitslast in dem Mittenschneidebereich A ist. $$\text{Wcnt}\geqq \mathrm{0,85}\times \text{Wmax}$$

If the workload W changes, as in 11 , the following relationship applies, where Wmax is the workload when the cutting position is at the center position of the block, and Wcnt is the workload in the center cutting area A. $$\text{Wcnt}\geqq 0.85\times \text{Wmax}$$

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung wurden auf der Grundlage derartigen Wissens fertig gestellt.Preferred embodiments of the invention have been completed on the basis of such knowledge.

Genauer gesagt ist es in einem Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß der obigen Anordnung vorzuziehen, dass, wenn die Arbeitslast an der Schneideposition, wo der Durchmesser der Block am Maximum ist, mit Wmax angegeben wird, und die Arbeitslast in einem Bereich von 50% von der Durchmesser des Blocks um die Schneideposition, wo der Durchmesser des Blocks das Maximum ist, mit Wcnt angegeben wird, die Zuführungsrate des Blocks während des Schneideschritts gesteuert werden kann, so dass die folgende, durch die obige Formel (2) dargestellte Beziehung erfüllt ist.More specifically, in a silicon wafer manufacturing method according to the above arrangement, it is preferable that when the work load at the cutting position where the diameter of the ingot is the maximum is given as Wmax, and the work load in a range of 50% of the diameter of the ingot around the cutting position where the diameter of the ingot is the maximum is given as Wcnt, the feeding rate of the ingot during the cutting step can be controlled so that the following relationship represented by the above formula (2) is satisfied.

Gemäß der obigen Anordnung ist es möglich, einen Siliziumwafer zu erhalten, bei dem die Waferverbiegung nach Bilden der Epitaxieschicht kleiner ist.According to the above arrangement, it is possible to obtain a silicon wafer in which the wafer warp after forming the epitaxial layer is smaller.

In einem Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß dem obigen Aspekt der Erfindung ist es vorzuziehen, dass bei dem Schneideschritt die Zuführungsrate des Blocks gesteuert wird, um in einem Zeitraum zwischen dann, wenn das Schneiden des Blocks beginnt und bis das Schneiden des Blocks endet, im Wesentlichen konstant gehalten zu werden.In a silicon wafer manufacturing method according to the above aspect of the invention, it is preferable that in the cutting step, the feeding rate of the ingot is controlled to be kept substantially constant in a period between when the cutting of the ingot starts and until the cutting of the ingot ends.

Gemäß dem obigen Aspekt der Erfindung kann die einfache Technik des lediglichen Sicherstellens, dass die Zuführungsrate im Wesentlichen konstant ist, verwendet werden, um einen kuppelgeformten Siliziumwafer zu erhalten, bei dem die Waferverbiegung in der Schneiderichtung glatt ist.According to the above aspect of the invention, the simple technique of merely ensuring that the feed rate is substantially constant can be used to obtain a dome-shaped silicon wafer in which the wafer warpage in the cutting direction is smooth.

Obwohl es durch das oben beschriebene Experiment klar wurde, dass es vorzuziehen war, einen wie eine Welle geformten Draht zu verwenden, um eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erhalten, die in einer Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, die in einer einzigen Richtung an der Mitte einsinkt, gab es die Möglichkeit, dass das Ausmaß der Spannung an dem Draht bewirken könnte, dass der Draht während des Schneidens vollständig bricht.Although it was clear from the experiment described above that it was preferable to use a wave-shaped wire to obtain a plurality of silicon wafers bent or warped in a dome shape that sinks in a single direction at the center, there was the possibility that the amount of stress on the wire could cause the wire to break completely during cutting.

Daher führten die Erfinder das folgende Experiment 5 durch.Therefore, the inventors conducted the following experiment 5.

Experiment 5Experimentation 5

Mit der Ausnahme, dass Spannungen von 10 N, 15 N, 25 N und 30 N angelegt wurden, waren alle Bedingungen zum Schneiden eines Blocks mit 300 mm Durchmesser unter Verwendung des in Experiment 1 beschriebenen Beispiels 1-1 identisch.Except that stresses of 10 N, 15 N, 25 N, and 30 N were applied, all conditions for cutting a 300 mm diameter block using Example 1-1 described in Experiment 1 were identical.

Wir verifizierten aus den Ergebnissen, dass die Spannungen von 10 N und 30 N zu einem Bruch führten, während Spannungen von 15 N und 25 N nicht zu einem Bruch führten.We verified from the results that stresses of 10 N and 30 N resulted in fracture, while stresses of 15 N and 25 N did not result in fracture.

Die Verbiegung und Verwölbung wurden für einen Siliziumwafer berechnet, der unter Verwendung von Spannungen von 15N und 25N erzeugt wurde. Die Ergebnisse des Berechnens der Verbiegung und Verwölbung werden jeweils in 12A und 12B präsentiert.The deflection and warpage were calculated for a silicon wafer produced using stresses of 15N and 25N. The results of the deflection and warpage calculations are shown in 12A and 12B presents.

Es sei bemerkt, dass „Verbiegung (Warp)“ und „Verwölbung (Bow)“ Parameter sind, die verwendet werden, um die Form eines Wafers auszudrücken, der nicht von einem Chuck gehalten wird. Die Mittenoberfläche in der Dickenrichtung des Siliziumwafers WF wirkt als die Messebene CP, wobei die am besten passende Ebene für die Messebene CP als eine Bezugsebene RP wirkt. Die „Verbiegung“ stellt den Maximalwert des Versatzes von der Bezugsebene RP zu der Messebene CP dar. Die „Verwölbung“ stellt den Unterschied zwischen der Bezugsebene RP und der Messebene CP an der Mitte CT des Siliziumwafers WF dar.Note that “warp” and “bow” are parameters used to express the shape of a wafer that is not held by a chuck. The center surface in the thickness direction of the silicon wafer WF acts as the measurement plane CP, with the best fitting plane for the measurement plane CP acting as a reference plane RP. The “warp” represents the maximum value of the offset from the reference plane RP to the measurement plane CP. The “warp” represents the difference between the reference plane RP and the measurement plane CP at the center CT of the silicon wafer WF.

Wie in 12A veranschaulicht, verifizierten wir, dass je größer die Spannung am Draht ist, desto kleiner die Verbiegung ist. Wir verifizierten ebenfalls, dass je größer die Spannung am Draht ist, desto näher sich die Verwölbung an null annähert, wie in 12B veranschaulicht.As in 12A , we verified that the greater the tension on the wire, the smaller the deflection. We also verified that the greater the tension on the wire, the closer the deflection approaches zero, as shown in 12B illustrated.

Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung wurden auf der Grundlage derartigen Wissens fertig gestellt.Preferred embodiments of the invention have been completed on the basis of such knowledge.

Daher wird bei einem Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß der obigen Anordnung der Block im Schneideschritt gegen den gewellten Draht gedrückt, dessen Spannung in einem Bereich von 15 N bis 25 N gemäß der oben beschriebenen Beziehung zwischen der Spannung des gewellten Drahtes und eines Ausmaßes einer Verbiegung (Verwölbung) des Siliziumwafers eingestellt ist.Therefore, in a silicon wafer manufacturing method according to the above arrangement, in the cutting step, the block is pressed against the corrugated wire whose tension is set in a range of 15 N to 25 N according to the above-described relationship between the tension of the corrugated wire and an amount of warpage (warping) of the silicon wafer.

Gemäß dem obigen Aspekt der Erfindung können Siliziumwafer ohne Brechen des gewellten Drahts erzeugt werden.According to the above aspect of the invention, silicon wafers can be produced without breaking the corrugated wire.

Siliziumwafer gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind Siliziumwafer, die unter Verwendung der oben beschriebenen Verfahren zum Erzeugen eines Siliziumwafers erzeugt werden.Silicon wafers according to another aspect of the invention are silicon wafers produced using the methods for producing a silicon wafer described above.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG(EN)SHORT DESCRIPTION OF THE DRAWING(S)

• 1A veranschaulicht eine Konfiguration eines in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung verwendet Drahtes und ist eine Seitenansicht eines gewellten Drahts. 1A illustrates a configuration of a wire used in an exemplary embodiment of the invention and is a side view of a corrugated wire.
• 1B veranschaulicht eine Konfiguration eines in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung verwendet Drahtes, der in einer Form eines gewellten Drahts ist, der beim Schneiden eines Werkstücks verwendet wird. 1B illustrates a configuration of a wire used in an exemplary embodiment of the invention, which is in a form of a corrugated wire used in cutting a workpiece.
• 1C veranschaulicht eine Konfiguration eines in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung verwendeten Drahtes, der in einer Form eines geraden Drahts ist, der beim Schneiden eines Werkstücks verwendet wird. 1C illustrates a configuration of a wire used in an exemplary embodiment of the invention, which is in a form of a straight wire used in cutting a workpiece.
• 2 ist eine schematische Ansicht, die eine Drahtsäge veranschaulicht, die in einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird. 2 is a schematic view illustrating a wire saw used in an exemplary embodiment of the present invention.
• 3A ist ein Diagramm zum Beschreiben der Vermutungen in Experiment 1, das die Position des gewellten Drahts relativ zu einem Block veranschaulicht. 3A is a diagram to describe the conjectures in Experiment 1, illustrating the position of the curled wire relative to a block.
• 3B ist ein Diagramm zum Beschreiben der Vermutungen in Experiment 1 und veranschaulicht das Schneiden mit einem gewellten Draht bei einer frühen Schneidestufe. 3B is a diagram describing the conjectures in Experiment 1 and illustrates cutting with a crimped wire at an early cutting stage.
• 3C ist ein Diagramm zum Beschreiben der Vermutungen in Experiment 1 und veranschaulicht das Schneiden mit dem gewellten Draht bei einer späten Schneidestufe. 3C is a diagram describing the conjectures in Experiment 1 and illustrates cutting with the crimped wire at a late cutting stage.
• 3D ist ein Diagramm zum Beschreiben der Vermutungen in Experiment 1 und ist ein vertikaler Querschnitt, der die Waferverbiegung in der Schneiderichtung des Siliziumwafers veranschaulicht. 3D is a diagram for describing the conjectures in Experiment 1 and is a vertical cross section illustrating the wafer bending in the cutting direction of the silicon wafer.
• 4A ist ein Diagramm zum Erläutern der Vermutungen in Experiment 1 und ist eine Draufsicht der Drahtsäge. 4A is a diagram to explain the conjectures in Experiment 1 and is a top view of the wire saw.
• 4B ist ein Diagramm zum Beschreiben der Vermutungen in Experiment 1 und ist eine horizontale Querschnittsansicht der Waferverbiegung des Siliziumwafers in der Fortbewegungsrichtung. 4B is a diagram for describing the conjectures in Experiment 1 and is a horizontal cross-sectional view of the wafer bending of the silicon wafer in the traveling direction.
• 5 veranschaulicht Formen der Siliziumwafer entlang der Schneide- und Fortbewegungsrichtungen für die Siliziumwafer, die unter Verwendung von Beispielen 1-1, 1-2 in Experiment 1 erhalten wurden. 5 illustrates shapes of the silicon wafers along the cutting and traveling directions for the silicon wafers obtained using Examples 1-1, 1-2 in Experiment 1.
• 6 stellt die Formen der Siliziumwafer entlang der Schneide- und Fortbewegungsrichtungen für die Siliziumwafer veranschaulichend dar, die unter Verwendung von Vergleichsbeispielen 1-1, 1-2 in Experiment 1 erhalten wurden. 6 illustrates the shapes of the silicon wafers along the cutting and traveling directions for the silicon wafers obtained using Comparative Examples 1-1, 1-2 in Experiment 1.
• 7 veranschaulicht die Formgebung der Siliziumwafer entlang der Schneide- und Fortbewegungsrichtungen derselben vor und nach dem Schleifen für die Siliziumwafer, die unter Verwendung von Beispielen 2-2, 1-2 in Experiment 2 erhalten wurden. 7 illustrates the shaping of the silicon wafers along the cutting and traveling directions thereof before and after grinding for the silicon wafers obtained using Examples 2-2, 1-2 in Experiment 2.
• 8 veranschaulicht die Beziehung zwischen der Schneideposition bzw. der Arbeitslast und der Form des Siliziumwafers in der Schneiderichtung in Experiment 3. 8th illustrates the relationship between the cutting position or workload and the shape of the silicon wafer in the cutting direction in Experiment 3.
• 9A veranschaulicht Formen eines herkömmlichen Siliziumwafers in der Schneiderichtung vor und nach Aufwachsen einer Epitaxieschicht. 9A illustrates shapes of a conventional silicon wafer in the cutting direction before and after growth of an epitaxial layer.
• 9B veranschaulicht die Form des herkömmlichen Siliziumwafers in der Fortbewegungsrichtung vor und nach Aufwachsen der Epitaxieschicht. 9B illustrates the shape of the conventional silicon wafer in the direction of travel before and after growth of the epitaxial layer.
• 10A veranschaulicht die Form des Siliziumwafers in der Schneiderichtung vor und nach Aufwachsen einer Epitaxieschicht nach zwangsweisem Erhöhen der Größe der Waferverbiegung in dem Mittenschneidebereich in Experiment 4. 10A illustrates the shape of the silicon wafer in the cutting direction before and after growing an epitaxial layer after forcibly increasing the amount of wafer warp in the center cutting region in Experiment 4.
• 10B veranschaulicht die Form des Siliziumwafers in der Fortbewegungsrichtung vor und nach Aufwachsen der Epitaxieschicht nach zwangsweisem Erhöhen der Größe der Waferverbiegung in dem Mittenschneidebereich in Experiment 4. 10B illustrates the shape of the silicon wafer in the traveling direction before and after growth of the epitaxial layer after forcibly increasing the amount of wafer warpage in the center cutting region in Experiment 4.
• 11 veranschaulicht die Beziehung zwischen der Schneideposition und der Arbeitslast, wenn die Zuführungsrate konstant ist, in Experiment 4. 11 illustrates the relationship between cutting position and workload when the feeding rate is constant in Experiment 4.
• 12A präsentiert die Ergebnisse aus Experiment 5 und veranschaulicht die Beziehung zwischen der Spannung des Drahtes und der Verbiegung (Warp) des Siliziumwafers. 12A presents the results of Experiment 5 and illustrates the relationship between the tension of the wire and the warp of the silicon wafer.
• 12B präsentiert die Ergebnisse aus Experiment 5 und veranschaulicht die Beziehung zwischen der Spannung des Drahtes und der Verwölbung (Bow) des Siliziumwafers. 12B presents the results of Experiment 5 and illustrates the relationship between the tension of the wire and the bow of the silicon wafer.
• 13 ist ein Diagramm zum Erläutern von Verbiegung und Verwölbung. 13 is a diagram to explain bending and warping.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORM(EN)DESCRIPTION OF THE EMBODIMENT(S)

AUS FÜHRUNGS FORMFROM LEADERSHIP FORM

(Eine) Beispielhafte Ausführungsform(en) der Erfindung wird(werden) nachstehend mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.Exemplary embodiment(s) of the invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

In der beispielhaften Ausführungsform wird Block T unter Verwendung einer in 2 veranschaulichten Drahtsäge 1 geschnitten. Obwohl der Block T nicht auf irgendeine besondere Form beschränkt ist, sind Blöcke gewöhnlicherweise zylindrisch. Der Durchmesser des Blocks T ist ebenfalls nicht besonders beschränkt; gewöhnlicherweise ist ein Block jedoch 100 mm bis 450 mm in Durchmesser.In the exemplary embodiment, block T is generated using a 2 illustrated wire saw 1. Although the block T is not limited to any particular shape, blocks are usually cylindrical. The diameter of the block T is also not particularly limited; however, usually a block is 100 mm to 450 mm in diameter.

Bei der Vorbereitung, um den Block T zu schneiden, wird der gewellte Draht 7 zuerst in einer Spirale auf den Hauptrollen 2 zur Verwendung als der Draht in der Drahtsäge 1 gewickelt, wie in 1A veranschaulicht. Der gewellte Draht 7 kann gewickelt sein, um bei Betrachtung von vorne linksläufig oder rechtsläufig gewickelt zu erscheinen.In preparation to cut the block T, the corrugated wire 7 is first wound in a spiral on the main rollers 2 for use as the wire in the wire saw 1, as shown in 1A The corrugated wire 7 may be wound to appear counterclockwise or clockwise when viewed from the front.

Ein Antreiben der Durchquerer 43, 44 während des Drehens der Mehrzahl von Hauptrollen 2 und Drahtspulen 41, 42 bewirkt, dass sich der gewellte Draht 7 in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu der axialen Richtung der Hauptrollen 2 fortbewegt (Drahtfortbewegungsschritt), und durch Absenken und Drücken des Blocks T gegen den sich fortbewegenden gewellten Draht 7, wenn die Schleifflüssigkeit G zwischen den beiden oberen Hauptrollen 21 zugeführt wird, wird der Block T geschnitten und eine Mehrzahl von Siliziumwafern WF erzeugt (Schneideschritt).Driving the traversers 43, 44 while rotating the plurality of main rollers 2 and wire coils 41, 42 causes the corrugated wire 7 to advance in a direction substantially orthogonal to the axial direction of the main rollers 2 (wire advancement step), and by lowering and pressing the block T against the advancing corrugated wire 7 when the grinding liquid G is supplied between the two upper main rollers 21, the block T is cut and a plurality of silicon wafers WF are produced (cutting step).

Die Drahtfortbewegungsrichtung kann gemäß der gewünschten Richtung des Verwerfens oder Verwölbens in dem Siliziumwafer WF festgelegt werden. Genauer gesagt kann die Drahtvorrückrichtung nach hinten eingestellt werden ( 2), wenn gewünscht wird, dass die Siliziumwafer WF eine Kuppelform aufweisen, die nach hinten einsinkt (2); und die Drahtvorrückrichtung kann zur Vorderseite eingestellt werden (2), wenn es für die Siliziumwafer WF wünschenswert ist, eine Kuppelform aufzuweisen, die nach vorne einsinkt.The wire advance direction can be set according to the desired direction of warping or warping in the silicon wafer WF. More specifically, the wire advance direction can be set backward ( 2 ), if it is desired that the silicon wafers WF have a dome shape that sinks backwards ( 2 ); and the wire feed direction can be set to the front ( 2 ), when it is desirable for the silicon wafers WF to have a dome shape that sinks forward.

Die Zuführungsrate kann gemäß der für die Waferverbiegung gewünschten Form in der Schneiderichtung des Siliziumwafers WF festgelegt werden. Die Zuführungsrate kann festgelegt werden, so dass sich die in der oben beschriebenen Formel (1) definierte Arbeitslast W im Wesentlichen entlang eines Bogens ändert, damit die Waferverbiegung in der Schneiderichtung ein glatter Bogen werden kann und sich der Siliziumwafer insgesamt in eine Kuppelform verbiegen kann.The feed rate may be set according to the shape desired for the wafer bending in the cutting direction of the silicon wafer WF. The feed rate may be set so that the workload W defined in the formula (1) described above changes substantially along an arc, so that the wafer bending in the cutting direction can become a smooth arc and the silicon wafer can bend into a dome shape as a whole.

Zu diesem Zeitpunkt kann die Zuführungsrate festgelegt werden, so dass die Arbeitslast W ein Maximalwert an der Schneideposition wird, wo der Durchmesser des Blocks T das Maximum ist. Auf diese Art und Weise kann die Zuführungsrate gemäß der Schneideposition verändert werden, so dass sich die Arbeitslast W im Wesentlichen entlang eines Bogens ändert, oder die Zuführungsrate kann im Wesentlichen konstant gehalten werden, ohne von der Schneideposition abhängig zu sein.At this time, the feed rate may be set so that the workload W becomes a maximum value at the cutting position where the diameter of the block T is the maximum. In this way, the feed rate may be changed according to the cutting position so that the workload W changes substantially along an arc, or the feed rate may be kept substantially constant without depending on the cutting position.

Die Zuführungsrate kann ebenfalls gesteuert werden, so dass eine Arbeitslast Wcnt in einem Mittenschneidebereich A die in der oben erwähnten Formel (2) definierte Beziehung erfüllt.The feed rate can also be controlled so that a work load Wcnt in a center cutting area A satisfies the relationship defined in the above-mentioned formula (2).

Des Weiteren können, wie in 11 veranschaulicht, unter der Annahme, dass die Arbeitslast an einem unteren Endteil Ab des Mittenschneidebereich A (d.h., einer von der Mitte zu dem unteren Ende um 25% des Durchmessers R verschobene Position) mit Wb angegeben wird, und dass die Arbeitslast an einem oberen Endteil At (d.h., einer von der Mitte zu dem oberen Ende um 25% des Durchmessers R verschobene Position) mit Wt angegeben wird, die Arbeitslast Wb und die Arbeitslast Wt identisch oder unterschiedlich sein.Furthermore, as in 11 illustrated, assuming that the work load at a lower end portion Ab of the center cutting area A (ie, a position shifted from the center to the lower end by 25% of the diameter R) is given as Wb, and that the work load at an upper end portion At (ie, a position shifted from the center to the upper end by 25% of the diameter R) is given as Wt, the work load Wb and the work load Wt may be the same or different.

Schließlich ist die Spannung an dem gewellten Draht 7 zwischen 15 N und 25 N einschließlich, um den gewellten Draht 7 am Brechen zu hindern.Finally, the tension on the corrugated wire 7 is between 15 N and 25 N inclusive to prevent the corrugated wire 7 from breaking.

Vorteil(e) der beispielhaften Ausführungsform(en)Advantage(s) of the exemplary embodiment(s)

Wie oben beschrieben, stellt die oben erwähnte beispielhafte Ausführungsform die folgenden Vorteile bereit.

• (1) Mit der einfachen Konfiguration, bei der die Drahtsäge 1 einen gewellten Draht 7 benutzt, der wie eine Welle geformt ist, um einen Block T zu schneiden, kann eine Mehrzahl von Siliziumwafern WF erhalten werden, die in einer Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, wobei der Mittenabschnitt entlang einer Richtung in Relation zu dem äußeren Rand einsinkt.
• (2) Falls die Zuführungsrate gesteuert wird, so dass sich die oben in Formel (1) definierte Arbeitslast W im Wesentlichen entlang eines Bogens ändert, ist die in der Schneiderichtung der Siliziumwafer WF erhaltene Waferverbiegung ein glatter Bogen, und insgesamt verwerfen sich die Siliziumwafer WF in eine Kuppelform.
• (3) Falls die Zuführungsrate gesteuert wird, so dass die Arbeitslast Wcnt in dem Mittenschneidebereich die oben in Formel (2) definierte Beziehung erfüllt, können Siliziumwafer WF erhalten werden, bei denen die Waferverbiegung nach Bilden einer Epitaxieschicht kleiner ist.
• (4) Falls die Zuführungsrate im Wesentlichen konstant gehalten wird, können Siliziumwafer WF, bei denen die Waferverbiegung in der Schneiderichtung ein glatter Bogen ist, ohne Ändern der Zuführungsrate während des Schneidens erhalten werden.
• (5) Falls der Block T gegen einen gewellten Draht 7 gedrückt wird, wobei die Spannung desselben zwischen 15 N und 25 N einschließlich eingestellt ist, kann der Siliziumwafer WF ohne Brechen des gewellten Drahts 7 erzeugt werden.

As described above, the above-mentioned exemplary embodiment provides the following advantages.

• (1) With the simple configuration in which the wire saw 1 uses a corrugated wire 7 shaped like a wave to cut a block T, a plurality of silicon wafers WF bent or warped in a dome shape with the center portion sinking along a direction relative to the outer periphery can be obtained.
• (2) If the feed rate is controlled so that the workload W defined in formula (1) above changes substantially along an arc, the wafer warp obtained in the cutting direction of the silicon wafers WF is a smooth arc, and as a whole, the silicon wafers WF warp into a dome shape.
• (3) If the feed rate is controlled so that the work load Wcnt in the center cutting region satisfies the relationship defined in formula (2) above, silicon wafers WF in which the wafer warpage after forming an epitaxial layer is smaller can be obtained.
• (4) If the feed rate is kept substantially constant, silicon wafers WF in which the wafer deflection in the cutting direction is a smooth arc can be obtained without changing the feed rate during cutting.
• (5) If the block T is pressed against a corrugated wire 7 with the tension thereof set between 15 N and 25 N inclusive, the silicon wafer WF can be produced without breaking the corrugated wire 7.

ZUSÄTZLICHE AUSFÜHRUNGSFORMENADDITIONAL MODELS

Die Erfindung ist nicht auf die oben erwähnten Ausführungsformen beschränkt, sondern kann verschiedenen Verbesserungen und Ausgestaltungsänderungen unterworfen sein.The invention is not limited to the embodiments mentioned above, but may be subject to various improvements and design changes.

Das heißt, eine Zuführungsrate kann festgelegt werden, so dass sich die in der oben erwähnten Formel 1 definierte Arbeitslast W im Wesentlichen nicht entlang eines Bogens ändert.That is, a feed rate can be set so that the workload W defined in Formula 1 mentioned above does not substantially change along an arc.

Die Zuführungsrate kann gesteuert werden, so dass ein Arbeitslast Wcnt in dem Mittenschneidebereich A nicht die in der oben erwähnten Formel (2) definierte Beziehung erfüllt.The feed rate may be controlled so that a work load Wcnt in the center cutting area A does not satisfy the relationship defined in the above-mentioned formula (2).

ERLÄUTERUNG VON BEZUGSZEICHENEXPLANATION OF REFERENCE SIGNS

22

HauptrolleMain role

77

Gewellter Draht (Draht)Corrugated wire (wire)

TT

Blockblock

WFWF

SiliziumwaferSilicon wafer

Claims (4)

Siliziumwafer-Herstellungsverfahren, umfassend: einen Drahtfortbewegungsschritt, bei dem eine Mehrzahl von Hauptrollen (2), um die ein gewellter Draht (7), der wie eine Welle geformt ist, in einer Spiralform gewickelt ist, gedreht werden, so dass sich der gewellte Draht (7) in einer Richtung im Wesentlichen orthogonal zu einer axialen Richtung von jeder der Hauptrollen (2) fortbewegt; und einen Schneideschritt, bei dem ein Block (T) gegen den gewellten Draht (7), dessen Spannung in einem Bereich von 15 N bis 25 N auf Basis einer Beziehung zwischen der Spannung des gewellten Drahtes (7) und eines Ausmaßes einer Verbiegung eines Siliziumwafers (W) eingestellt ist, gedrückt wird, um den Block (T) zu schneiden, um eine Mehrzahl von Siliziumwafern zu erzeugen, die in eine Kuppelform verbogen oder verwölbt sind, wobei ein Mittenabschnitt von jedem der Siliziumwafer in einer einzigen Richtung relativ zu einem Außenrand von jedem der Siliziumwafer einsinkt.A silicon wafer manufacturing method comprising: a wire traveling step of rotating a plurality of main rollers (2) around which a corrugated wire (7) shaped like a wave is wound in a spiral shape so that the corrugated wire (7) travels in a direction substantially orthogonal to an axial direction of each of the main rollers (2); and a cutting step of pressing a block (T) against the corrugated wire (7) whose tension is set in a range of 15 N to 25 N based on a relationship between the tension of the corrugated wire (7) and an amount of warping of a silicon wafer (W) to cut the block (T) to produce a plurality of silicon wafers warped or warped into a dome shape, with a center portion of each of the silicon wafers sinking in a single direction relative to an outer edge of each of the silicon wafers. Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei: der Block (T) zylindrisch ist, und während des Schneideschritts, wenn F eine Zuführungsrate des zylindrischen Blocks ist, wenn der Block (T) gegen den gewellten Draht (7) gedrückt wird, und L eine Länge eines Kontaktabschnitts zwischen dem gewellten Draht (7) und dem Block (T) ist, die Zuführungsrate des Blocks (T) gesteuert wird, so dass sich eine Arbeitslast W an einer Schneideposition in einer radialen Richtung des zylindrischen Blocks im Wesentlichen in einem Bogen ändert, wobei ein Maximalwert der Arbeitslast W an derjenigen Schneideposition ist, wo der Durchmesser des Blocks (T) das Maximum ist, wobei die Arbeitslast in der folgenden Formel (1) definiert ist $$\text{W}=\text{F}\times \text{L}$$

Silicon wafer manufacturing process according to Claim 1 , where: the block (T) is cylindrical, and during the cutting step, where F is a feed rate of the cylindrical block when the block (T) is pressed against the corrugated wire (7), and L is a length of a contact portion between the corrugated wire (7) and the block (T), the feed rate of the block (T) is controlled so that a work load W at a cutting position in a radial direction of the cylindrical block changes substantially in an arc, a maximum value of the work load W being at the cutting position where the diameter of the block (T) is the maximum, the work load being defined in the following formula (1) $$\text{W}=\text{F}\times \text{L}$$

Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 2, wobei: während des Schneideschritt, wenn Wmax die Arbeitslast an derjenigen Schneideposition ist, wo der Durchmesser des Blocks (T) das Maximum ist, und Wcnt eine Arbeitslast in einem Bereich von 50% von dem Durchmesser des Blocks (T) um diejenige Schneideposition ist, wo der Durchmesser des Blocks (T) das Maximum ist, die Zuführungsrate des Blocks (T) gesteuert wird, so dass die folgende Beziehung in Formel (2) erfüllt ist $$\text{Wcnt}\ge \mathrm{0,85}\times \text{Wmax}$$

Silicon wafer manufacturing process according to Claim 2 , where: during the cutting step, if Wmax is the workload at the cutting position where the diameter of the block (T) is the maximum, and Wcnt is a workload in a range of 50% of the diameter of the block (T) around the cutting position where the diameter of the block (T) is the maximum, the feed rate of the block (T) is controlled so that the following relationship in formula (2) is satisfied $$\text{Wcnt}\ge 0.85\times \text{Wmax}$$

Siliziumwafer-Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei im Schneideschritt die Zuführungsrate des Blocks (T) gesteuert wird, um im Wesentlichen in einem Zeitraum, zwischen einem Beginn des Schneidens des Blocks (T) und einem Enden des Schneidens des Blocks (T), konstant gehalten zu werden.Silicon wafer manufacturing process according to Claim 2 or 3 wherein in the cutting step the feed rate of the block (T) is controlled to be kept substantially constant in a period between a start of cutting the block (T) and an end of cutting the block (T).

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