DE112013006351T5 - Carrier for use in double-sided polishing apparatus and method for double-sided polishing of the wafer - Google Patents
Carrier for use in double-sided polishing apparatus and method for double-sided polishing of the wafer Download PDFInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung stellt einen Träger bereit, der in einer doppelseitigen Poliervorrichtung so verwendet wird, dass der Träger zwischen oberen und unteren Drehscheiben angeordnet ist, an denen Polierkissen in der doppelseitigen Poliervorrichtung angebracht sind, und einen Wafer hält, der zwischen den oberen und unteren Drehscheiben in einem Halteloch eingeschoben ist, das im Träger während des Polierens ausgebildet ist, umfassend obere und untere Hauptoberflächenabschnitte, die aus einer β-Titanlegierung bestehen, die aus reinem Titan, das 0,5 Gew.% oder mehr eines β-Stabilisierungselements beinhaltet, gewonnen wird. Der Träger weist eine hohe Abriebfestigkeit auf und kann seine Kosten reduzieren.The present invention provides a carrier used in a double-sided polishing apparatus such that the carrier is disposed between upper and lower rotating disks on which polishing pads are mounted in the double-sided polishing apparatus and holds a wafer sandwiched between the upper and lower rotating disks is inserted into a holding hole formed in the carrier during polishing, comprising upper and lower main surface portions made of a β-titanium alloy obtained from pure titanium containing 0.5% by weight or more of a β stabilizing element becomes. The carrier has a high abrasion resistance and can reduce its cost.
Description
TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Träger, der konfiguriert ist, um einen Wafer in einer doppelseitigen Poliervorrichtung zu halten, und ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren des Wafers.The present invention relates to a carrier configured to hold a wafer in a double-sided polishing apparatus and a method for double-side polishing of the wafer.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIKGENERAL PRIOR ART
In herkömmlichen doppelseitigen Polierprozessen von Wafern werden die Wafer mit Trägern zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung gehalten, und die Träger sind an einer vorgeschriebenen Position zwischen oberen und unteren Drehscheiben der doppelseitigen Poliervorrichtung angeordnet. Jeder Träger ist so ausgebildet, dass er eine Dicke, die dünner ist als die des Wafers, und ein Halteloch zum Halten des Wafers aufweist. Der zu polierende Wafer wird in das Halteloch eingesetzt und darin gehalten. Die oberen und unteren Oberflächen des Wafers sind zwischen Polierelementen, wie etwa Polierkissen, eingeschoben, die an gegenüberliegenden Flächen der oberen und unteren Drehscheiben angebracht sind, und werden poliert, während ein Poliermittel zum Polieren der Oberflächen zugeführt wird.In conventional double-sided polishing processes of wafers, the wafers are held with carriers for use in a double-sided polishing apparatus, and the carriers are arranged at a prescribed position between upper and lower rotating disks of the double-sided polishing apparatus. Each carrier is formed to have a thickness thinner than that of the wafer and a holding hole for holding the wafer. The wafer to be polished is inserted into the holding hole and held therein. The upper and lower surfaces of the wafer are sandwiched between polishing members such as polishing pads attached to opposite surfaces of the upper and lower rotating disks, and are polished while supplying a polishing agent for polishing the surfaces.
Beim doppelseitigen Polieren wird jeder Träger durch ein Sonnenrad und ein Hohlrad angetrieben, und die oberen und unteren Hauptoberflächen dieses Trägers werden, zusammen mit den Oberflächen eines Wafers, dadurch poliert. Es ist somit notwendig, einen Träger zu verwenden, der aus einem eine hohe Festigkeit aufweisenden Material gemacht ist, um zu verhindern, dass der Träger während des doppelseitigen Polierens beschädigt wird.In double-sided polishing, each carrier is driven by a sun gear and a ring gear, and the upper and lower major surfaces of this carrier, together with the surfaces of a wafer, are thereby polished. It is thus necessary to use a carrier made of a high strength material to prevent the carrier from being damaged during double-sided polishing.
Die Ebenheit eines Wafers nach dem doppelseitigen Polieren hängt vom Unterschied zwischen der Dicke des Trägers und der Fertigungsdicke des Wafers ab. Der dementsprechend zu verwendende Träger weist eine solche Dicke auf, dass dieser Unterschied innerhalb eines vorgeschriebenen Bereiches, wie etwa 0,5 μm oder weniger, fällt.The flatness of a wafer after double-sided polishing depends on the difference between the thickness of the carrier and the manufacturing thickness of the wafer. The support to be used accordingly has such a thickness that this difference falls within a prescribed range such as 0.5 μm or less.
Da der Träger jedoch während des doppelseitigen Polierens des Wafers wie oben poliert wird, verringert sich die Dicke des Trägers aufgrund seiner Abnutzung. Da der Poliervorgang wiederholt wird, wird es durch diese Verringerung unmöglich, den Unterschied zwischen der Trägerdicke und der Wafer-Fertigungsdicke innerhalb des vorgeschriebenen Bereiches zu halten und gleichzeitig die Wafer-Fertigungsdicke in einem gegebenen Bereich beizubehalten. Dadurch wird es auch unmöglich, den erforderlichen Grad der Wafer-Ebenheit zu erreichen. Auch wenn es gelingt, dass die Fertigungsdicke im Bereich zwischen beispielsweise 774 μm und 778 μm liegt, kann so ein Unterschied mit einem Träger, der um 4 μm abgenutzt ist, nicht beibehalten werden. Der Träger wird entsorgt, wenn seine Dicke in einem solchen Ausmaß verringert ist, dass der erforderliche Grad der Wafer-Ebenheit nicht erreicht werden kann.However, as the backing is polished during the double-sided polishing of the wafer as above, the thickness of the backing decreases due to its wear. As a result of this reduction, since the polishing operation is repeated, it becomes impossible to keep the difference between the substrate thickness and the wafer manufacturing thickness within the prescribed range while maintaining the wafer manufacturing thickness in a given range. This also makes it impossible to achieve the required degree of wafer flatness. Although it is possible that the manufacturing thickness is in the range between, for example, 774 microns and 778 microns, so a difference with a carrier that is worn by 4 microns can not be maintained. The carrier is disposed of when its thickness is reduced to such an extent that the required degree of wafer flatness can not be achieved.
Herkömmliche Träger sind wegen der Festigkeit aus Metall. Die Träger zur Verwendung beim Polieren von Silizium-Wafern sind aus Titan (Ti), weil die Elemente, die den Gruppen 4A und 5A im Periodensystem angehören, mit geringerer Wahrscheinlichkeit die Silizium-Wafer verunreinigen (siehe zum Beispiel Patentschrift 1 und 2).Conventional carriers are because of the strength of metal. The supports for use in polishing silicon wafers are made of titanium (Ti) because the elements belonging to Groups 4A and 5A in the Periodic Table are less likely to contaminate the silicon wafers (see, for example,
LISTE DER ENTGEGENHALTUNGENLIST OF CONSERVATIONS
PATENTLITERATURPatent Literature
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Patentschrift 1:
Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2006-26760 Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2006-26760 -
Patentschrift 2:
Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2008-23617 Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2008-23617
KURZFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
TECHNISCHES PROBLEMTECHNICAL PROBLEM
Die Verwendung eines eine hohe Abriebfestigkeit aufweisenden Materials für einen Träger ist erforderlich, um seine Lebensdauer zu erhöhen und seine Kosten zu verringern. Titan, das gewöhnlich für herkömmliche Träger verwendet wird, ist jedoch teuer und hat aufgrund einer geringen Abriebfestigkeit eine kurze Lebensdauer, obgleich Titan eine hohe Festigkeit aufweist. Das führt zu einem Kostenproblem für den Träger.The use of a high abrasion resistance material for a carrier is required to increase its life and reduce its cost. However, titanium, which is commonly used for conventional carriers, is expensive and has a short life because of low abrasion resistance, although titanium has high strength. This leads to a cost problem for the wearer.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme geschaffen. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Träger zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung bereitzustellen, der eine hohe Abriebfestigkeit aufweist und seine Kosten reduzieren kann. The present invention has been made in view of the problems described above. It is an object of the present invention to provide a carrier for use in a double-sided polishing apparatus which has high abrasion resistance and can reduce its cost.
LÖSUNG DES PROBLEMSTHE SOLUTION OF THE PROBLEM
Um diese Aufgabe zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung einen Träger bereit, der in einer doppelseitigen Poliervorrichtung so verwendet wird, dass der Träger zwischen oberen und unteren Drehscheiben angeordnet ist, an denen Polierkissen in der doppelseitigen Poliervorrichtung angebracht sind, und einen Wafer hält, der zwischen den oberen und unteren Drehscheiben in einem Halteloch eingeschoben ist, das im Träger während des Polierens ausgebildet ist, umfassend obere und untere Hauptoberflächenabschnitte, die aus einer β-Titanlegierung bestehen, die aus reinem Titan, das 0,5 Gew.% oder mehr eines β-Stabilisierungselements beinhaltet, gewonnen wird.To achieve this object, the present invention provides a carrier used in a double-sided polishing apparatus such that the carrier is disposed between upper and lower rotating disks on which polishing pads are mounted in the double-sided polishing apparatus, and holds a wafer between the upper and lower rotating disks is inserted in a holding hole formed in the carrier during polishing, comprising upper and lower main surface portions made of a β-titanium alloy made of pure titanium, which is 0.5 wt% or more of a β stabilization element is obtained.
Ein derartiger Träger weist eine hohe Abriebfestigkeit auf, wodurch eine Erhöhung seiner Lebensdauer und eine Reduzierung seiner Kosten ermöglicht wird.Such a carrier has a high abrasion resistance, whereby an increase in its service life and a reduction in its cost is made possible.
Die Gesamtheit des Trägers kann aus der β-Titanlegierung bestehen. Ein derartiger Träger weist eine hohe Festigkeit auf und kann seine hohe Abriebfestigkeit für einen längeren Zeitraum zum Polieren beibehalten.The whole of the carrier may consist of the β-titanium alloy. Such a carrier has a high strength and can maintain its high abrasion resistance for a longer period of time for polishing.
Alternativ kann der Träger eine Metallmatrix und eine Beschichtung enthalten, die aus der β-Titanlegierung besteht, wobei die Beschichtung so ausgebildet ist, dass sie obere und untere Hauptoberflächen der Metallmatrix abdeckt. Ein derartiger Träger kann seine Kosten reduzieren, während er seine hohe Abriebfestigkeit aufgrund der aus der β-Titanlegierung bestehenden Beschichtung erreicht.Alternatively, the support may include a metal matrix and a coating consisting of the β-titanium alloy, the coating being formed to cover upper and lower major surfaces of the metal matrix. Such a carrier can reduce its cost while achieving its high abrasion resistance due to the coating consisting of the β-titanium alloy.
Darüber hinaus besteht die Metallmatrix vorzugsweise aus reinem Titan oder der β-Titanlegierung.In addition, the metal matrix is preferably made of pure titanium or the β-titanium alloy.
Ein derartiger Träger kann die Gefahr ausschließen, dass, wenn ein Silizium-Wafer zum Beispiel poliert wird, der Träger den Silizium-Wafer verunreinigt. Insbesondere lässt die Verwendung der aus reinem Titan bestehenden Metallmatrix eine Wiederverwendung von Trägern zu, die wiederhergestellt werden, indem zum Beispiel vorhandene abgenutzte Träger mit der β-Titanlegierungsbeschichtung beschichtet werden, wodurch eine weitere Reduzierung der Kosten ermöglicht wird.Such a carrier can eliminate the risk that when a silicon wafer is polished, for example, the carrier will contaminate the silicon wafer. In particular, the use of the pure titanium metal matrix allows the reuse of backings to be restored, for example, by coating existing worn substrates with the β-titanium alloy coating, thereby allowing a further reduction in cost.
Des Weiteren stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren eines Wafers bereit, umfassend: Anordnen eines Trägers zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zwischen oberen und unteren Drehscheiben, an denen Polierkissen angebracht sind; und doppelseitiges Polieren des Wafers, während der Wafer in dem Halteloch, das in dem Träger ausgebildet ist, gehalten wird.Further, the present invention provides a method for double-side polishing a wafer, comprising: arranging a carrier for use in a double-sided polishing apparatus according to the present invention between upper and lower rotating disks to which polishing pads are attached; and double-side polishing of the wafer while holding the wafer in the holding hole formed in the carrier.
Durch ein derartiges doppelseitiges Polierverfahren können durch Verwendung des erfindungsgemäßen, eine hohe Abriebfestigkeit aufweisenden Trägers den erforderlichen Grad an Ebenheit aufweisende Wafer gewonnen werden, ohne dass der Träger über einen langen Zeitraum gewechselt wird, wodurch eine Reduzierung der Kosten ermöglicht wird.By such a double-sided polishing method, by using the carrier having high abrasion resistance, the wafers having the required degree of flatness can be obtained without changing the carrier over a long period of time, thereby enabling cost reduction.
VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNGADVANTAGEOUS EFFECTS OF THE INVENTION
Der erfindungsgemäße Träger zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung enthält obere und untere Hauptoberflächenabschnitte, die aus einer β-Titanlegierung bestehen, die aus reinem Titan gewonnen wird, das 0,5 Gew.% oder mehr eines β-Stabilisierungselements beinhaltet, und weist dadurch eine hohe Abriebfestigkeit und eine lange Lebensdauer auf. Durch die Verwendung dieses Trägers zum doppelseitigen Polieren eines Wafers können den erforderlichen Grad an Ebenheit aufweisende Wafer gewonnen werden, ohne dass der Träger über einen langen Zeitraum gewechselt wird, was eine große Reduzierung bei den Wafer-Produktionskosten ermöglicht.The carrier for use in a double-side polishing apparatus according to the present invention includes upper and lower major surface portions made of a β-titanium alloy obtained from pure titanium containing 0.5% by weight or more of a β stabilizing element, thereby exhibiting high Abrasion resistance and a long service life. By using this carrier for double-side polishing of a wafer, wafers having the required degree of flatness can be obtained without changing the carrier over a long period of time, allowing a large reduction in wafer production cost.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGURENBRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION OF EMBODIMENTS
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden beschrieben, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt.Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these embodiments.
Ein Träger zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben.A carrier for use in a double-sided polishing apparatus according to the present invention will now be described.
Der Träger zur Verwendung in einer doppelseitigen Poliervorrichtung (im Nachfolgenden einfach als Träger bezeichnet) gemäß der Erfindung wird zum Beispiel in der doppelseitigen Poliervorrichtung
Einige Zähne des Sonnenrades
Beim Polieren werden, da die oberen und unteren Hauptoberflächen des Trägers
In dem erfindungsgemäßen Träger
Ein derartiger Träger kann dadurch, dass die oberen und unteren Hauptoberflächenabschnitte
In diesem Fall kann die Metallmatrix
Das β-Stabilisierungselement ist nicht speziell beschränkt; Beispiele davon enthalten V, Zr, Nb, Mo Hf, Cr, Mn, Fe, Co und Ni. In Anbetracht dessen, dass Fe ein preiswertes Metall ist, das kein seltenes Metall ist und einen niedrigen Diffusionskoeffizienten für Silizium-Wafer aufweist, ist Fe ein bevorzugtes β-Stabilisierungselement. Der Gehalt an β-Stabilisierungselement ist gleich oder größer als 0,5 Gew.%. Insbesondere beträgt dieser Gehalt im Hinblick auf die Abriebfestigkeit vorzugsweise 1,5 Gew.% oder mehr; dieser Gehalt beträgt im Hinblick auf die Verhinderung der Verunreinigung der Silizium-Wafer vorzugsweise auch 2,0 Gew.% oder weniger. Der Gehalt ist jedoch nicht speziell beschränkt, vorausgesetzt er beträgt 0,5 Gew.% oder mehr.The β stabilizing element is not specifically limited; Examples thereof include V, Zr, Nb, Mo Hf, Cr, Mn, Fe, Co and Ni. In view of the fact that Fe is a cheap metal that is not a rare metal and has a low diffusion coefficient for silicon wafers, Fe is a preferred β stabilizing element. The content of β-stabilizing element is equal to or greater than 0.5% by weight. In particular, this content is preferably 1.5% by weight or more in terms of abrasion resistance; This content is also preferably 2.0 wt% or less in view of the prevention of contamination of the silicon wafers. However, the content is not particularly limited, provided it is 0.5% by weight or more.
Jeder der in
Ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren von Wafern gemäß der Erfindung wird nun beschrieben.A method for double-side polishing of wafers according to the invention will now be described.
Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum doppelseitigen Polieren von Wafern verwendet die oben beschriebenen erfindungsgemäßen Träger.This embodiment of the method according to the invention for double-sided polishing of wafers uses the carriers according to the invention described above.
Wie in
Als nächstes werden die oberen und unteren Oberflächen der Wafer W zwischen die Polierkissen
Durch das so durchgeführte doppelseitige Polierverfahren können durch Verwendung der erfindungsgemäßen, eine hohe Abriebfestigkeit aufweisende Träger den erforderlichen Grad an Ebenheit aufweisende Wafer gewonnen werden, ohne dass der Träger über einen langen Zeitraum gewechselt wird, wodurch die Kosten reduziert werden.By thus carrying out the double-sided polishing method, by using the high abrasion resistance carriers of the present invention, the wafers having the required degree of flatness can be obtained without changing the carrier over a long period of time, thereby reducing the cost.
BEISPIELEXAMPLE
Die vorliegende Erfindung wird unten anhand eines Beispiels und eines Vergleichsbeispiels spezifischer beschrieben, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt.The present invention will be described more specifically below by way of example and comparative example, but the present invention is not limited to this example.
(Beispiel)(Example)
Eine beidseitige Poliervorrichtung, wie in
Jeder der erfindungsgemäßen Träger wurde so hergestellt, dass der komplette Träger aus einer β-Titanlegierung besteht, die aus reinem Titan, das Fe beinhaltet, gewonnen wird. Bei dieser Herstellung wurde der Fe-Gehalt der β-Titanlegierung verändert, um fünf Arten von Trägern zu erhalten: Träger A (0,5 Gew.%), Träger B (1,0 Gew.%), Träger C (1,5 Gew.%) und Träger D (2,0 Gew.%); von jeder Trägerart wurden fünf Träger produziert. Die Dicke dieser Träger betrug 770 μm. Eine Harzeinlage wurde entlang des inneren Umfangs eines jeden Haltelochs angebracht. Es ist zu beachten, dass der Fe-Gehalt durch Röntgenfluoreszenzanalyse gemessen wurde.Each of the carriers according to the invention was prepared so that the complete carrier consists of a β-titanium alloy which is obtained from pure titanium containing Fe. In this preparation, the Fe content of the β-titanium alloy was changed to obtain five kinds of carriers: Carrier A (0.5 wt%), Carrier B (1.0 wt%), Carrier C (1.5 % By weight) and carrier D (2.0% by weight); each carrier produced five carriers. The thickness of these supports was 770 μm. A resin insert became along the inner circumference attached to each holding hole. It should be noted that the Fe content was measured by X-ray fluorescence analysis.
Die Abnutzungsrate der Träger wurde so bewertet, dass, wie in
Die Polierbedingungen waren wie folgt:
Urethanschaumpolierkissen wurden verwendet;
eine basische Lösung, die kolloidales Silicat beinhaltet, wurde als Poliermittel verwendet und die Lösung wurde wiederverwertet; und
der Druck, der auf die Oberflächen der Träger aufgebracht wurde, betrug 200 g/cm2.The polishing conditions were as follows:
Urethane foam polishing pads were used;
a basic solution containing colloidal silicate was used as a polishing agent and the solution was recycled; and
the pressure applied to the surfaces of the supports was 200 g / cm 2 .
Die Dicke der Träger wurde an 400 Punkten entlang des kompletten Umfangs des Haltelochs gemessen. Zur Berechnung der Abnutzungsrate wurde der Durchschnittswert der gemessenen Dicke verwendet.The thickness of the carriers was measured at 400 points along the entire circumference of the holding hole. For the calculation of the wear rate, the average value of the measured thickness was used.
Das Ergebnis der Abnutzungsrate ist in Tabelle 1 und
Als nächstes wurden Silizium-Wafer mit 300-mm Durchmesser mit denselben Trägern wie die Träger D (die einen Fe-Gehalt von 2,0 Gew.% aufweisen) doppelseitig poliert, außer dass die Dicke der Träger 771 μm betrug. Die Ebenheit, Global Back-Side Ideal Range (GBIR), der polierten Wafer wurde bewertet. Beim Polieren betrug die Zielfertigungsdicke der Wafer 775 μm.Next, 300 mm diameter silicon wafers were double-sidedly polished with the same carriers as the carriers D (having an Fe content of 2.0 wt%) except that the thickness of the carriers was 771 μm. The flatness, Global Back-Side Ideal Range (GBIR), of the polished wafer was evaluated. During polishing, the target fabrication thickness of the wafers was 775 μm.
Die Polierbedingungen waren wie folgt: Dieselbe doppelseitige Poliervorrichtung und dasselbe Poliermittel wie bei der Bewertung der Abnutzungsrate der Träger wurden verwendet, um fünf Wafer pro Gruppe zu polieren. Der Druck, der auf die Oberflächen der zu polierenden Wafer aufgebracht wurde, wurde auf 200 g/cm2 eingestellt.The polishing conditions were as follows: The same double-sided polishing apparatus and the same polishing agent as in the evaluation of the wear rate of the carriers were used to polish five wafers per group. The pressure applied to the surfaces of the wafers to be polished was set to 200 g / cm 2 .
Der GBIR der polierten Wafer wurde mit einem Ebenheitsmessgerät (Nanometoro 300TT, hergestellt von KURODA Precision Industries Inc.,) gemessen. Der GBIR der Wafer wurde durch das Berechnen eines Durchschnitts von GBIR-Werten der fünf polierten Wafer derselben Gruppe erhalten.The GBIR of the polished wafers was measured with a flatness meter (Nanometoro 300TT, manufactured by KURODA Precision Industries Inc.). The GBIR of the wafers was obtained by calculating an average of GBIR values of the five polished wafers of the same group.
Das Ergebnis des GBIR ist in
Das weiter unten beschriebene Vergleichsbeispiel hat andererseits demonstriert, dass die Wafer-Ebenheit 0,35 μm betrug, als die Benutzungszeit der Träger bei 20.000 Minuten lag.On the other hand, the comparative example described later demonstrated that the wafer flatness was 0.35 μm when the use time of the carriers was 20,000 minutes.
Somit hat dieses Beispiel die Verschlechterung der Wafer-Ebenheit für einen längeren Zeitraum gehemmt und eine längere Trägerlebensdauer im Vergleich zum weiter unten beschriebenen Vergleichsbeispiel gezeigt.Thus, this example has inhibited the deterioration of wafer flatness for a longer period of time and has demonstrated a longer carrier life compared to the comparative example described below.
Die Hauptoberflächen der Träger, die in dem Beispiel 50.000 Minuten verwendet wurden, wurden dann mit einer β-Titanlegierung, die einen Fe-Gehalt von 2,0 Gew.% aufwies, durch das Ar-Sputter-Verfahren beschichtet. Die Dicke dieser β-Titanlegierungsbeschichtung betrug für die oberen und unteren Hauptoberflächen insgesamt 4 μm. Die Dicke der beschichteten Träger betrug 771 μm, welche dieselbe wie vor dem Beginn des Polierens war.The main surfaces of the supports used in the example of 50,000 minutes were then coated with a β-titanium alloy having an Fe content of 2.0 wt% by the Ar sputtering method. The thickness of this β-titanium alloy coating was 4 μm for the upper and lower major surfaces. The thickness of the coated supports was 771 μm, which was the same as before the start of polishing.
Mit diesen beschichteten Trägern wurde das doppelseitige Polieren von Wafern unter denselben Bedingungen durchgeführt. Das Ergebnis war, dass der GBIR der polierten Wafer 0,17 μm betrug; somit wurde die Verschlechterung des GBIR ausgeglichen.With these coated carriers, double-sided polishing of wafers was performed under the same conditions. The result was that the GBIR of the polished wafers was 0.17 μm; thus the deterioration of the GBIR was compensated.
Die Wafer-Ebenheit verschlechterte sich auch dann nicht, als der Träger danach für 15.000 Minuten verwendet wurde (65.000 Minuten waren seit dem Beginn der Benutzung vergangen).The wafer flatness did not deteriorate even when the carrier was then used for 15,000 minutes (65,000 minutes had passed since the start of use).
(Vergleichsbeispiel)(Comparative Example)
Die Trägerabnutzungsrate und die Wafer-Ebenheit (GBIR) wurden unter denselben Bedingungen wie im Beispiel bewertet, außer dass ein Träger verwendet wurde, der aus einer β-Titanlegierung besteht, die aus reinem Titan, das 0,2 Gew.% Fe beinhaltet, gewonnen wurde.Carrier Wear Rate and Wafer Flatness (GBIR) were evaluated under the same conditions as in Example except that a support consisting of a β-titanium alloy derived from pure titanium containing 0.2 wt% Fe was used has been.
Das Ergebnis der Abnutzungsrate ist in Tabelle 1 und
Das Ergebnis des GBIR ist in
Es wird angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform ist nur eine Erläuterung und jegliche Beispiele, die im Wesentlichen dasselbe Merkmal aufweisen und dieselben Funktionen und Effekte demonstrieren wie diejenigen in dem technischen Konzept, das in Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, sind im technischen Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten.It is noted that the present invention is not limited to the above embodiment. The embodiment is merely an explanation, and any examples having substantially the same feature and demonstrating the same functions and effects as those in the technical concept described in claims of the present invention are included in the technical scope of the present invention.
Claims (5)
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