DE112012001813T5 - Micromechanical silicide unit and method of making the same - Google Patents

Abstract

Es wird ein Verfahren offenbart, um eine elektro-mechanische Einheit herzustellen, wie beispielsweise einen MEMS- oder einen NEMS-Schalter. Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Silicium-Substrat aufgebracht ist; ein Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht derart, dass er wenigstens teilweise schwebend über einem Hohlraum in der isolierenden Schicht gehalten ist; ein Abscheiden eines Metalls (z. B. Pt) auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht und ein Verwenden eines thermischen Prozesses, der wenigstens den abgelösten Anteil der Silicium-Schicht unter Verwendung des abgeschiedenen Metalls vollständig silicidiert. Das Verfahren beseitigt eine durch ein Silicid induzierte Spannung an dem abgelösten Si-Element, da das gesamte Si-Element silicidiert ist. Des Weiteren wird nach dem Bilden des vollständig silicidierten Materials kein herkömmlicher nasschemischer Ätzvorgang verwendet, wodurch eine Möglichkeit für ein Verursachen einer Korrosion des Silicids und eine Zunahme der Haftreibung verringert wird.A method is disclosed for manufacturing an electro-mechanical device, such as a MEMS or a NEMS switch. The method includes providing a silicon layer that is deposited over an insulating layer that is deposited on a silicon substrate; detaching a portion of the silicon layer from the insulating layer such that it is at least partially suspended above a cavity in the insulating layer; depositing a metal (e.g. Pt) on at least one surface of at least the stripped portion of the silicon layer and using a thermal process that completely silicides at least the stripped portion of the silicon layer using the deposited metal. The process eliminates a silicide-induced voltage on the stripped Si element because the entire Si element is silicided. Furthermore, conventional wet chemical etching is not used after the fully silicided material is formed, thereby reducing a possibility of causing silicide corrosion and increasing static friction.

Description

TECHNISCHES GEBIET:TECHNICAL AREA:

Die exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung beziehen sich allgemein auf miniaturisierte elektrisch-mechanische Einheiten, wie beispielsweise Schalter, und spezieller auf mikro-elektrisch-mechanische Systeme (MEMS, Micro-Electrical-Mechanical Systems) und auf nano-elektrisch-mechanische Systeme (NEMS, Nano-Electrical-Mechanical Systems) und Einheiten.The exemplary embodiments of this invention relate generally to miniaturized electrical-mechanical devices, such as switches, and more particularly to micro-electrical-mechanical systems (MEMS, micro-electrical-mechanical systems) and nano-electric-mechanical systems (NEMS, Nano -Electrical-Mechanical Systems) and units.

HINTERGRUND:BACKGROUND:

MEMS bezieht sich auf eine Technologie von sehr kleinen, elektrisch betriebenen mechanischen Einheiten. MEMS trifft allgemein auf der Nano-Skala mit NEMS und der Nanotechnologie zusammen. MEMS werden mitunter als Mikromaschinen oder als Mikrosystemtechnologie (MST, Micro Systems Technology) bezeichnet. MEMS beinhalten Komponenten mit einer Abmessung von 1 bis 100 Mikrometern, wenngleich die Abmessung von MEMS-Einheiten allgemein in einem Bereich von etwa 20 Mikrometern und größer liegen kann. NEMS-Einheiten sind noch kleiner. Bei den Abmessungs-Skalen von MEMS-Einheiten und erst recht von NEMS-Einheiten sind die üblichen Konstrukte der klassischen Physik nicht immer hilfreich. Zumindest aufgrund des großen Verhältnisses von Oberflächengebiet zu Volumen können Oberflächeneffekte, wie beispielsweise Elektrostatik und Benetzung, die Volumeneffekte, wie Massenträgheit oder thermische Masse, beherrschen.MEMS refers to a technology of very small, electrically operated mechanical units. MEMS generally meets on the nano-scale with NEMS and nanotechnology. MEMS are sometimes called micromachines or microsystem technology (MST, Micro Systems Technology). MEMS include components with a size of 1 to 100 microns, although the dimension of MEMS units may generally be in a range of about 20 microns and larger. NEMS units are even smaller. With the dimensional scales of MEMS units and even more so on NEMS units, the usual constructs of classical physics are not always helpful. At least because of the large surface area to volume ratio, surface effects such as electrostatics and wetting can dominate volume effects such as inertia or thermal mass.

MEMS und NEMS können unter Verwendung von Technologien zur Herstellung von Halbleitereinheiten hergestellt werden, die normalerweise dazu verwendet werden, elektronische Einheiten zu fertigen. Diese beinhalten eine photolithographische Strukturierung, Sputtern, Verdampfung sowie Nass- und Trockenätzen.MEMS and NEMS can be fabricated using semiconductor device manufacturing technologies that are commonly used to fabricate electronic devices. These include photolithographic patterning, sputtering, evaporation, and wet and dry etching.

KURZDARSTELLUNGSUMMARY

In einem ersten Aspekt derselben stellen die exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer elektro-mechanischen Einheit bereit. Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Silicium-Substrat aufgebracht ist; ein Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht derart, dass er wenigstens teilweise schwebend über einem Hohlraum in der isolierenden Schicht gehalten ist; ein Abscheiden eines Metalls auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht; sowie ein vollständiges Silicidieren von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht unter Verwendung des abgeschiedenen Metalls.In a first aspect thereof, the exemplary embodiments of this invention provide a method of making an electromechanical device. The method includes providing a silicon layer overlying an insulating layer deposited on a silicon substrate; peeling off a portion of the silicon layer from the insulating layer so as to be at least partially suspended over a cavity in the insulating layer; depositing a metal on at least one surface of at least the detached portion of the silicon layer; and completely siliciding at least the detached portion of the silicon layer using the deposited metal.

In einem weiteren Aspekt derselben stellen die exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung einen Schalter bereit, der einen bewegbaren Anteil aufweist, der einen Kontakt aufweist, der so konfiguriert ist, dass er eine elektrische Verbindung zwischen zwei stationären Punkten herstellt, wenn der Schalter betätigt wird. Zumindest der Kontakt besteht aus einem vollständig silicidierten Material.In another aspect thereof, the exemplary embodiments of this invention provide a switch having a movable portion having a contact configured to make an electrical connection between two stationary points when the switch is actuated. At least the contact consists of a completely silicided material.

In einem weiteren Aspekt derselben stellen die exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer elektro-mechanischen Einheit bereit. Das Verfahren weist ein Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Substrat aufgebracht ist; ein Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht, um ein Silicium-Element zu bilden, das zumindest teilweise schwebend über einem in der isolierenden Schicht ausgebildeten Hohlraum gehalten ist; ein Abscheiden eines Metalls auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem Silicium-Element; sowie ein Anwenden eines thermischen Prozesses auf das Silicium-Element mit dem darauf abgeschiedenen Metall auf, um ein vollständig silicidiertes Element zu bilden. Während der Durchführung des Verfahrens wird nach der Bildung des vollständig silicidierten Elements kein nasschemischer Ätzprozess verwendet, um die Einheit weiter zu bearbeiten.In another aspect thereof, the exemplary embodiments of this invention provide a method of making an electromechanical device. The method comprises providing a silicon layer deposited over an insulating layer deposited on a substrate; detaching a portion of the silicon layer from the insulating layer to form a silicon element that is at least partially suspended over a cavity formed in the insulating layer; depositing a metal on at least one surface of at least the silicon element; and applying a thermal process to the silicon element with the metal deposited thereon to form a fully silicided element. During the performance of the process, no wet chemical etch process is used after the formation of the fully silicided element to further process the device.

KURZBESCHREIBUNG DER MEHREREN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE SEVERAL VIEWS OF THE DRAWINGS

1 ist eine oben vergrößerte Ansicht einer nicht beschränkenden Ausführungsform eines (symmetrischen) NEMS-Schalters, der unter Verwendung der exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung aufgebaut werden kann, wobei ein Ausgangs-SOI-Wafer verwendet wird. 1 FIG. 10 is an enlarged top view of a non-limiting embodiment of a (symmetric) NEMS switch that may be constructed using the exemplary embodiments of this invention using an output SOI wafer.

Die 2A bis 2D, die insgesamt als 2 bezeichnet werden, zeigen einen exemplarischen ersten Prozessablauf gemäß den exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung.The 2A to 2D as a whole 2 show an exemplary first process flow according to the exemplary embodiments of this invention.

Die 3A bis 3E, die insgesamt als 3 bezeichnet werden, zeigen eine erste Variation des Prozessablaufs, um ein silicidiertes, schwebend gehaltenes (abgelöstes) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist.The 3A to 3E as a whole 3 show a first variation of the process flow to form a silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit.

Die 4A bis 4C, die insgesamt als 4 bezeichnet werden, zeigen eine zweite Variation des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist.The 4A to 4C as a whole 4 show a second variation of the process flow to form the silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit.

Die 5A und 5B, die insgesamt als 5 bezeichnet werden, zeigen eine dritte Variation des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist. The 5A and 5B as a whole 5 show a third variation of the process flow to form the silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit.

Die 6A bis 6E, die insgesamt als 6 bezeichnet werden, zeigen eine vierte Variation des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist.The 6A to 6E as a whole 6 show a fourth variation of the process flow to form the silicided, suspended (released) element comprising part of a NEMS unit.

7 ist eine vergrößerte Ansicht von oben nach unten auf eine NEMS-Einheit, die unter Verwendung der Prozesse der 2 bis 6 hergestellt werden kann. 7 is an enlarged top-down view of a NEMS unit using the processes of FIG 2 to 6 can be produced.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

Die Verwendung von NEMS (und MEMS) als Schalter in Speicher- und anderen Anwendungen kann von Vorteil sein. Im Vergleich zu Transistoren können elektro-mechanische Schalter zum Beispiel den Standby-Verluststrom verringern und können unter Umständen ein verbessertes Sub-Schwellenwert-Verhalten zeigen. Die hohe Steuer-Gate-Spannung (typischerweise einige zehn Volt) und die Gesamtzuverlässigkeit sind jedoch zwei Probleme, die angegangen werden müssen, um NEMS als Schalter zu verwenden.The use of NEMS (and MEMS) as switches in memory and other applications can be beneficial. For example, as compared to transistors, electro-mechanical switches can reduce the standby leakage current and may exhibit improved sub-threshold performance. However, the high control gate voltage (typically tens of volts) and overall reliability are two issues that must be addressed to use NEMS as a switch.

Für NEMS-Anwendungen kann ein Silicium-auf-Isolator(SOI)-Substrat verwendet werden. Es wurde nachgewiesen, dass die Co-Integration eines Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiters (CMOS) und von NEMS-Technologien unter Verwendung von SOI-Wafern erreicht werden kann.For NEMS applications, a silicon on insulator (SOI) substrate can be used. It has been demonstrated that the co-integration of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) and NEMS technologies can be achieved using SOI wafers.

Ein Silicid kann als eine Verbindung, zum Beispiel eine binäre Verbindung, aus Silicium und einem weiteren Element, wie beispielsweise einem Metall, angesehen werden. Die Verwendung eines Silicids (das ein Platinsilicid (PtSi) beinhaltet) kann die Zuverlässigkeit des NEMS dramatisch verbessern. Darüber hinaus kann ein Silicid-NEMS überragende mechanische Eigenschaften im Vergleich zu einem SOI-NEMS zeigen. Zum Beispiel zeigen die leitenden PtSi-Spitzen eines Rasterkraftmikroskops (AFM, Atomic Force Microscope) mit hoher Zuverlässigkeit, dass sie hohen Strömen (> 1 mA) standhalten können.A silicide may be considered as a compound, for example a binary compound, of silicon and another element, such as a metal. The use of a silicide (which includes a platinum silicide (PtSi)) can dramatically improve the reliability of the NEMS. In addition, a silicide NEMS can show superior mechanical properties compared to an SOI NEMS. For example, the conductive PtSi tips of an Atomic Force Microscope (AFM) with high reliability show that they can withstand high currents (> 1 mA).

Es gibt jedoch Probleme, die mit dem Herstellen von Silicid-NEMS-Strukturen verknüpft sind. Ein Problem bezieht sich zum Beispiel auf eine durch das Silicid induzierte Spannung an dem Si, was zu einer Biegung des Si enthaltenden Anteils der NEMS-Struktur nach einer Ablösung führt (d. h. einer Ablösung eines Teils der NEMS-Einheit von dem Ausgangs-SOI-Wafer). Des Weiteren kann als Beispiel ein herkömmlicher nasschemischer Ätzvorgang (z. B. einer auf der Grundlage von Fluorwasserstoff(HF)-Säure), wenn er während oder nach einer Ablösung angewendet wird, das Silicid angreifen, was zu einer Korrosion führt. Allgemein kann ein nasschemischer Ätzvorgang für ein Erreichen der Ablösung des NEMS und eine nachfolgende Bearbeitung nachteilig sein, da er in einer Zunahme der Haftreibung des NEMS resultieren kann. Die Haftreibung kann allgemein als eine Kraft definiert werden, die erforderlich ist, um zu bewirken, dass ein Körper, der sich in Kontakt mit einem anderen Körper befindet, beginnt, sich zu bewegen.However, there are problems associated with producing silicide NEMS structures. For example, one problem relates to a silicide-induced voltage on the Si, resulting in a bend in the Si-containing portion of the NEMS structure following peeling (ie, a detachment of a portion of the NEMS unit from the starting SOI wafer ). Further, by way of example, a conventional wet chemical etching process (eg, one based on hydrogen fluoride (HF) acid) when applied during or after debonding may attack the silicide, resulting in corrosion. In general, a wet chemical etch may be detrimental to achieving the release of the NEMS and subsequent processing as it may result in an increase in the static friction of the NEMS. Stiction can generally be defined as a force required to cause a body in contact with another body to begin to move.

Hierin sind Prozessabläufe und Strukturen zur Vermeidung wenigstens der Probleme offenbart, die sich auf eine übermäßige Spannung, die durch das Silicid in einem Si-Element induziert wird, auf die Korrosion des Silicids und die Haftreibung des NEMS beziehen.Disclosed herein are processes and structures for avoiding at least the problems related to excessive stress induced by the silicide in a Si element, corrosion of the silicide, and stiction of the NEMS.

Es wird darauf hingewiesen, dass die Lehren dieser Erfindung nicht auf die Herstellung von NEMS-Einheiten per se beschränkt sind, sondern ebenso auf die Herstellung von MEMS-Einheiten und allgemein auf die Herstellung einer Vielfalt von miniaturisierten elektrisch-mechanischen Systemen und Einheiten angewendet werden können.It should be understood that the teachings of this invention are not limited to the manufacture of NEMS devices per se, but may also be applied to the fabrication of MEMS devices and generally to the fabrication of a variety of miniaturized electro-mechanical systems and devices ,

1 ist eine oben vergrößerte Ansicht einer exemplarischen und nicht beschränkenden Ausführungsform eines (symmetrischen) NEMS-Schalters 10, der unter Verwendung der exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung aufgebaut werden konnte, wobei ein SOI-Wafer verwendet wurde. Die gezeigte Struktur kann so gebildet werden, dass sie eine Gesamtfläche von weniger als 5 μm² aufweist. Der Schalter 10 beinhaltet einen Eingangsanschluss 12, einen Ausgangsanschluss 14 sowie Steuerelektroden oder Steueranschlüsse 16 und 18 (die mit Vdd beziehungsweise GND bezeichnet sind). Das Anlegen einer geeigneten Steuereingabe an die Anschlüsse 16 und 18 resultiert in einem Biegen (einer Bewegung) einer bewegbaren, wenigstens teilweise elektrisch leitfähigen Struktur 20 zwischen einem nicht angesteuerten Zustand und einem angesteuerten Zustand. Wenn sich in dem angesteuerten Zustand (wenn der Schalter eingeschaltet ist) über den elektrisch leitfähigen Anteil der Struktur 20, der den Eingangsanschluss 12 und den Ausgangsanschluss 14 physisch kontaktiert, ein elektrisch leitfähiger Pfad zwischen dem Eingangsanschluss 12 und dem Ausgangsanschluss 14 aufgebaut hat. 1 Fig. 10 is an enlarged top view of an exemplary and non-limiting embodiment of a (symmetric) NEMS switch 10 which could be constructed using the exemplary embodiments of this invention using an SOI wafer. The structure shown may be formed to have a total area of less than 5 μm ² . The desk 10 includes an input port 12 , an output terminal 14 as well as control electrodes or control connections 16 and 18 (labeled Vdd or GND). The creation of a suitable control input to the connections 16 and 18 results in a bending (movement) of a movable, at least partially electrically conductive structure 20 between a non-driven state and a driven state. When in the energized state (when the switch is on) the electrically conductive portion of the structure 20 that has the input connection 12 and the output terminal 14 physically contacted, an electrically conductive path between the input terminal 12 and the output terminal 14 has built up.

Gemäß einem Aspekt der exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung sind wenigstens die elektrisch kontaktierenden Anteile der leitfähigen Struktur 20 vollständig silicidiert (wodurch jegliches Biegen oder jegliche andere Deformation des Silicium-Materials vermieden wird), und während der Herstellung des Schalters 10 wird die bewegbare, elektrisch leitfähige Struktur 20 vor einer Silicidierung von dem Ausgangs-SOI-Wafer abgelöst. Als ein Ergebnis muss im Anschluss an die Ablösung der bewegbaren, elektrisch leitfähigen Struktur 20 von dem Ausgangs-SOI-Wafer (und die Silicidierung der bewegbaren, elektrisch leitfähigen Struktur 20) keine Nassätz-Bearbeitung durchgeführt werden. Indem die Verwendung des nasschemischen Ätzvorgangs vermieden wird, wird so auch das Problem der Haftreibung vermieden, da die Möglichkeit für das Vorhandensein von Korrosion, von Kontaminationsstoffen und von weiteren unerwünschten Produkten verringert oder beseitigt ist.According to one aspect of the exemplary embodiments of this invention, at least the electrically contacting portions of the conductive structure 20 completely silicided (thereby avoiding any bending or any other deformation of the silicon material), and during the Production of the switch 10 becomes the movable, electrically conductive structure 20 detached from the starting SOI wafer prior to silicidation. As a result, following the detachment of the movable, electrically conductive structure 20 from the starting SOI wafer (and the silicidation of the movable, electrically conductive structure 20 ) no wet etching processing is performed. By avoiding the use of the wet chemical etch, the problem of stiction is also avoided as the potential for the presence of corrosion, contaminants, and other undesirable products is reduced or eliminated.

Nunmehr wird auf die 2A bis 2D Bezug genommen, um einen exemplarischen ersten Prozessablauf gemäß den exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung zu zeigen. Es kann angemerkt werden, dass, wenngleich ein einzelnes abgelöstes Element als ausgebildet gezeigt ist, in der Praxis eine große Anzahl derartiger abgelöster Elemente gleichzeitig ausgebildet sein können.Now it will be on the 2A to 2D Reference is made to show an exemplary first process flow in accordance with the exemplary embodiments of this invention. It may be noted that, although a single peeled-off element is shown to be formed, in practice a large number of such peeled-off elements may be formed simultaneously.

In 2A wird ein Ausgangs-SOI-Wafer 30 bereitgestellt. Der SOI-Wafer 30 beinhaltet ein Substrat 32 (z. B. Si), eine Schicht aus einem vergrabenen Isolator oder einem vergrabenen Oxid 34 (BOX), wie beispielsweise SiO₂, und eine darüber liegende Schicht 36 aus Si. Das Substrat 32 kann irgendeine geeignete Dicke aufweisen. Das BOX 34 kann eine Dicke im Bereich zum Beispiel von etwa 100 nm bis etwa 200 nm aufweisen, wobei etwa 140 nm ein geeigneter Wert ist. Die Si-Schicht 36 kann eine Dicke im Bereich zum Beispiel von etwa 50 nm bis etwa 100 nm aufweisen, wobei etwa 80 nm ein geeigneter Wert ist.In 2A becomes an output SOI wafer 30 provided. The SOI wafer 30 includes a substrate 32 (eg, Si), a layer of a buried insulator or a buried oxide 34 (BOX), such as SiO ₂ , and an overlying layer 36 from Si. The substrate 32 may have any suitable thickness. The BOX 34 may have a thickness in the range, for example, from about 100 nm to about 200 nm, with about 140 nm being an appropriate value. The Si layer 36 may have a thickness in the range, for example, from about 50 nm to about 100 nm, with about 80 nm being an appropriate value.

Es ist anzumerken, dass diese Dicken lediglich exemplarisch sind, da die Ausführungsformen dieser Erfindung ebenso unter Verwendung eines extrem dünnen SOI(ETSOI, Extremely Thin SOI)-Wafers praktiziert werden können, wobei die BOX-Schicht eine Dicke von etwa 50 nm oder weniger aufweisen kann und wobei die darüber liegende Schicht aus Si eine Dicke von etwa 10 nm oder weniger aufweisen kann.It should be noted that these thicknesses are merely exemplary since the embodiments of this invention may also be practiced using an extremely thin SOI (ETSOI) wafer, wherein the BOX layer has a thickness of about 50 nm or less and wherein the overlying layer of Si may have a thickness of about 10 nm or less.

In 2B wird die Dicke der Si-Schicht 36, in der die NEMS-Struktur hergestellt wird, auf eine gewünschte Dicke in einem Bereich von etwa 20 nm bis etwa 50 nm verringert, wobei etwa 30 nm ein geeigneter Wert ist. Die Schicht aus Si mit verringerter Dicke wird als 36a bezeichnet.In 2 B becomes the thickness of the Si layer 36 in which the NEMS structure is prepared is reduced to a desired thickness in a range of about 20 nm to about 50 nm, with about 30 nm being a suitable value. The layer of Si of reduced thickness is called 36a designated.

In 2C wird die Si-Schicht 36a maskiert und strukturiert, und ein reaktiver Ionenätz(RIE)-Prozess wird dazu verwendet, einen Anteil der Si-Schicht 36a selektiv zu entfernen, um die gewünschte NEMS-Struktur abzugrenzen. In 2C ist der abgegrenzte Anteil mit 38 bezeichnet, und er kann zum Beispiel dem entsprechen, was einen Teil der in 1 gezeigten, bewegbaren, elektrisch leitfähigen Struktur 20 bildet. Dieser Prozess bildet außerdem das, was als Öffnungen oder Aperturen 36b durch die Si-Schicht 36a mit verringerter Dicke hindurch bezeichnet werden kann.In 2C becomes the Si layer 36a masked and patterned, and a reactive ion etching (RIE) process is used to make up a portion of the Si layer 36a selectively to delineate the desired NEMS structure. In 2C is the accrued portion with 38 For example, it may correspond to what is part of 1 shown, movable, electrically conductive structure 20 forms. This process also makes what are called apertures or apertures 36b through the Si layer 36a may be referred to with reduced thickness.

In 2D wird ein Prozess mit HF-Dampf durchgeführt, um das darunter liegende BOX-Material unterhalb des abgegrenzten Anteils 38 durch die Aperturen 36b vollständig zu entfernen, wodurch ein Hohlraum innerhalb des BOX-Materials gebildet wird und der abgegrenzte Anteil 38 von der BOX-Schicht 34 abgelöst wird (ein Verbindungsbereich zwischen dem abgelösten abgegrenzten Anteil 38 und der Si-Schicht 36a ist in 2D nicht gezeigt). Das Resultat des Ätzprozesses mit HF-Dampf dient auch dazu, das Material der BOX-Schicht 34 unterhalb der Si-Schicht 36a bis zu einem bestimmten Abstand zu unterätzen, wodurch Seitenwände 34a des BOX-Hohlraums von den Aperturen 36b weg zurückgesetzt werden.In 2D a process is performed with HF vapor to the underlying BOX material below the bounded portion 38 through the apertures 36b completely, thereby forming a cavity within the BOX material and the delimited portion 38 from the BOX layer 34 is replaced (a connection area between the detached accrued portion 38 and the Si layer 36a is in 2D Not shown). The result of the etching process with HF vapor also serves to make the material of the BOX layer 34 below the Si layer 36a to undercut to a certain distance, creating sidewalls 34a of the BOX cavity from the apertures 36b be reset.

2 kann so aufgefasst werden, dass sie Vorläufer-Prozessschritte zu dem eigentlichen Silicid-Prozess darstellen, der in den mehreren Ausführungsformen beschrieben wird (Variationen des Prozessablaufs), die in den 3, 4, 5 und 6 zu finden sind. 2 can be understood to represent precursor process steps to the actual silicide process described in the several embodiments (variations of the process flow) incorporated into the 3 . 4 . 5 and 6 can be found.

Die 3A bis 3E zeigen eine erste Variation (Ausführungsform) des Prozessablaufs, um ein vollständig silicidiertes, schwebend gehaltenes (abgelöstes) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist, wie beispielsweise den in 1 gezeigten Schalter 20. In 3A wird eine Schicht 40 aus Kohlenstoff derart abgeschieden, dass sie die in 2D dargestellte Struktur bedeckt und den leeren Raum unterhalb des abgegrenzten und abgelösten Anteils 38 füllt, der aus dem Ätzprozess mit HF-Dampf resultierte. Chemische Gasphasenabscheidung oder plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung von einer geeigneten Vorläuferverbindung, wie Acetylen oder Ethylen, sind geeignete Techniken, um die Kohlenstoffschicht 40 abzuscheiden. Während des Kohlenstoff-Abscheidungsprozesses können die Bedingungen sein: 785 W Hochfrequenz RF, 6 Torr, 550°C, 600 sccm C₃H₆, 326 scm He. In 3B wird die Kohlenstoffschicht 40 zurückgeätzt, wie beispielsweise durch Verwenden eines Plasmas auf der Grundlage von Sauerstoff oder Wasserstoff, um die Oberseiten der Si-Schicht 36a und des abgegrenzten abgelösten Si-Anteils 38 freizulegen. Während des Zurückätzprozesses können die Bedingungen sein: 1) 30 mTorr/700 Ws/300 Wb/260 NH₃/NSTU (invers): 3/CSTUi 8/15-15 (kein CHF₃); 2) 4 mTorr/400 Ws/100 Wb/100 N₂/14 O₂/20 Ar/2 C₂H₄. In 3C wird eine selektive atomare Schichtabscheidung eines Metalls, wie beispielsweise Platin (Pt), durchgeführt, um die freigelegten Oberflächen der Si-Schicht 36a und des abgegrenzten abgelösten Si-Anteils 38 mit einer Pt-Schicht 42 zu bedecken. Die Dicke des abgeschiedenen Pt ist vorzugsweise ausreichend, um zu bewirken, dass das darunter liegende Si-Material während einer nachfolgenden thermischen Bearbeitung vollständig verbraucht und silicidiert wird. Als ein nicht beschränkendes Beispiel und unter der Annahme, dass die Si-Dicke des abgelösten Anteils 38 in einem Bereich von etwa 20 nm bis etwa 50 nm liegt, kann die Dicke der Pt-Schicht 42 dann in einem Bereich von etwa 15 nm bis etwa 40 nm liegen. In 3D wird die verbliebene Kohlenstoffschicht 40 entfernt, wie beispielsweise durch die Verwendung des Plasmas auf der Grundlage von Sauerstoff oder Wasserstoff, und die Bedingungen für die Entfernung des Kohlenstoffs können die gleichen wie jene sein, die vorstehend für den Kohlenstoff-Zurückätzprozess von 3B gezeigt wurden. In 3E wird ein Reaktionstemperprozess durchgeführt, um so die schwebend gehaltene NEMS-Struktur vollständig zu silicidieren, die dem abgegrenzten abgelösten Si-Anteil 38 mit der Pt-Schicht 42 entspricht. Das Reaktionstempern silicidiert außerdem vollständig die Si-Schicht 36a. Das Reaktionstempern kann unter Verwendung der Bedingungen durchgeführt werden: 500°C 30 Sekunden in N₂, anschließend 600°C 60 Sekunden in O₂. Allgemeiner kann das Reaktionstempern bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C und der entsprechend eingestellten Zeit durchgeführt werden.The 3A to 3E show a first variation (embodiment) of the process flow to form a fully silicided, suspended (detached) member having a portion of a NEMS unit, such as those shown in Figs 1 shown switch 20 , In 3A becomes a layer 40 of carbon deposited such that they meet the requirements of 2D Structure covered and the empty space below the demarcated and detached portion 38 fills that resulted from the etching process with HF vapor. Chemical vapor deposition or plasma assisted chemical vapor deposition from a suitable precursor compound such as acetylene or ethylene are suitable techniques for the carbon coating 40 deposit. During the carbon deposition process, conditions may be: 785 W radio frequency RF, 6 Torr, 550 ° C, 600 sccm C ₃ H ₆ , 326 scm He. In 3B becomes the carbon layer 40 etched back, such as by using a plasma based on oxygen or hydrogen, around the tops of the Si layer 36a and the demarcated detached Si portion 38 expose. During the back etching process the conditions may be: 1) 30 mTorr / 700 Ws / 300 Wb / 260 NH ₃ / NSTU (inverse): 3 / CSTUi 8 / 15-15 (no CHF ₃ ); 2) 4 mTorr / 400 Ws / Wb 100/100 N _2/14 O _2/20 ares / 2 C ₂ H. ₄ In 3C is a selective atomic layer deposition of a metal, such as For example, platinum (Pt) is performed around the exposed surfaces of the Si layer 36a and the demarcated detached Si portion 38 with a Pt layer 42 to cover. The thickness of the deposited Pt is preferably sufficient to cause the underlying Si material to be completely consumed and silicided during subsequent thermal processing. As a non-limiting example and assuming that the Si thickness of the detached portion 38 is in a range of about 20 nm to about 50 nm, the thickness of the Pt layer 42 then in a range of about 15 nm to about 40 nm. In 3D becomes the remaining carbon layer 40 removed, such as by the use of oxygen or hydrogen based plasma, and the conditions for removing the carbon may be the same as those described above for the carbon etch back process of FIG 3B were shown. In 3E For example, a reaction annealing process is performed so as to completely silicidate the suspended NEMS structure, which is the delimited detached Si portion 38 with the Pt layer 42 equivalent. The reaction anneal also completely silicates the Si layer 36a , The reaction annealing may be carried out using the conditions: 500 ° C for 30 seconds in N ₂ , then 600 ° C for 60 seconds in O ₂ . More generally, the reaction annealing may be performed at a temperature in a range of about 300 ° C to about 750 ° C and the time set accordingly.

Die resultierende NEMS-Struktur weist somit ein vollständig silicidiertes, schwebend gehaltenes (abgelöstes) Element 50B und vollständig silicidierte feststehende Elemente 50A auf (die Elektroden oder andere elektrisch leitfähige Elemente bilden können). Mit ”vollständig silicidiert” ist gemeint, dass im Wesentlichen kein restliches Si verbleibt, da das Si mit dem Metall (Pt in diesem Beispiel) reagiert wurde, um ein Silicid zu bilden (PtSi in diesem Beispiel). Das Problem, welches das spannungsinduzierte Biegen eines schwebend gehaltenen (teilweise) silicidierten Si-Arms oder -Elements betrifft, ist somit überwunden, da das Si, das bildete, was ursprünglich der abgelöste Anteil 38 war, im Wesentlichen vollständig durch das PtSi ersetzt wurde. Außerdem wurde nach dem Ablösen (2D) keine nasschemische Bearbeitung verwendet, wodurch jegliche Degradation des Silicids vermieden und außerdem die Möglichkeit für das Auftreten einer übermäßigen Haftreibung verringert wird.The resulting NEMS structure thus has a fully silicided, suspended (released) element 50B and completely silicided fixed elements 50A on (which can form electrodes or other electrically conductive elements). By "completely silicided" it is meant that substantially no residual Si remains because the Si has reacted with the metal (Pt in this example) to form a silicide (PtSi in this example). The problem relating to the stress-induced bending of a suspended (partially) silicided Si arm or element is thus overcome, since the Si that formed originally formed the detached portion 38 was essentially completely replaced by the PtSi. In addition, after peeling ( 2D ) does not use wet chemical processing, thereby avoiding any degradation of the silicide and also reducing the possibility of excessive stiction.

Die 4A bis 4C zeigen eine zweite Variation (Ausführungsform) des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist, wie beispielsweise den in 1 gezeigten Schalter 20. In 4A wird ein Oxid-Passivierungsschritt unter Verwendung von selbstorganisierten Monoschichten (SAM, Self-Assembled Monolayers) durchgeführt, wie beispielsweise Octadecyltrichlorsilan ODTS SAMs. Wie bekannt ist, kann eine selektive Flächen-ALD SAM als Maskenschichten zur Verhinderung eines ALD-Wachstums verwenden. Die SAM passiviert die Oberflächen gegen ein ALD-Wachstum, so dass die Dünnschicht lediglich auf Flächen ohne SAM abgeschieden wird. SAMs können durch Adsorption an einer Festkörperoberfläche aus einer Flüssig- oder einer Gasphase spontan gebildet werden. Es kann zum Beispiel Bezug genommen werden auf E. Färm et al., Selective Area Atomic Layer Deposition Using Poly(methyl methacrylate) Films as Mask Layers, J. Phys. Chem. C. 2008, 112, 15791 bis 15795.The 4A to 4C show a second variation (embodiment) of the process flow to form the silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit, such as those shown in FIG 1 shown switch 20 , In 4A For example, an oxide passivation step is performed using self-assembled monolayers (SAMs) such as octadecyltrichlorosilane ODTS SAMs. As is known, a selective area ALD can use SAM as mask layers to prevent ALD growth. The SAM passivates the surfaces against ALD growth so that the thin film is deposited only on areas without SAM. SAMs can be formed spontaneously by adsorption on a solid surface from a liquid or gas phase. For example, reference may be made to E. Färm et al., Selective Area Atomic Layer Deposition Using Poly (methylmethacrylate) Films as Mask Layers, J. Phys. Chem. C. 2008, 112, 15791-15795.

In dem Beispiel von 4A weisen die Seitenwände 34A der isolierenden Schicht 34 eine darauf ausgebildete SAM auf. Die SAM kann ein Polymer, wie beispielsweise die vorstehend erwähnten Octadecyltrichlorsilan ODTS SAMs, oder irgendein geeignetes Material sein. In 4B wird eine selektive ALD-Abscheidung von Pt durchgeführt. In diesem Fall und im Gegensatz zu 3D wird die Pt-Schicht 42 auf sämtlichen freigelegten Oberflächen mit Ausnahme der Seitenwände 34A gebildet, wo die SAM gebildet wurde. In 4C wird ein Reaktionstemperprozess durchgeführt (z. B. ein schnelles thermisches Tempern (RTA, Rapid Thermal Anneal) in einer N₂-Atmosphäre), um so die schwebend gehaltene NEMS-Struktur vollständig zu silicidieren, die dem abgegrenzten abgelösten Si-Anteil 38 mit der Pt-Schicht 42 entspricht. Das Reaktionstempern silicidiert außerdem vollständig die Si-Schicht 36a ebenso wie den darunter liegenden Anteil des Si-Substrats 32 mit der darauf abgeschiedenen Pt-Schicht 42. Das Reaktionstempern kann unter Verwendung der Bedingungen durchgeführt werden: 500°C 30 Sekunden in N₂, anschließend 600°C 60 Sekunden in O₂. Allgemeiner kann das Reaktionstempern bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C und der entsprechend eingestellten Zeit durchgeführt werden. Es ist anzumerken, dass die SAM selektiv an dem BOX abgeschieden wird und somit eine Abscheidung von Metall (Pt) auf der Seitenwand des BOX verhindert.In the example of 4A have the side walls 34A the insulating layer 34 a trained on SAM. The SAM may be a polymer such as the aforementioned octadecyltrichlorosilane ODTS SAMs, or any suitable material. In 4B a selective ALD deposition of Pt is performed. In this case and unlike 3D becomes the Pt layer 42 on all exposed surfaces except side walls 34A formed where the SAM was formed. In 4C For example, a reaction anneal process is performed (eg, a rapid thermal anneal (RTA) in an N ₂ atmosphere) to completely silicidate the suspended NEMS structure that is the delimited detached Si moiety 38 with the Pt layer 42 equivalent. The reaction anneal also completely silicates the Si layer 36a as well as the underlying portion of the Si substrate 32 with the Pt layer deposited thereon 42 , The reaction annealing may be carried out using the conditions: 500 ° C for 30 seconds in N ₂ , then 600 ° C for 60 seconds in O ₂ . More generally, the reaction annealing may be performed at a temperature in a range of about 300 ° C to about 750 ° C and the time set accordingly. It should be noted that the SAM is selectively deposited on the BOX and thus prevents deposition of metal (Pt) on the sidewall of the BOX.

Nach dem Reaktionstemperprozess von 4C kann die SAM von den Seitenwänden des BOX unter Verwendung der Bedingungen entfernt werden: 1) 30 mTorr/700 Ws/300 Wb/260 NH₃/NSTU (invers): 3/CSTUi 8/15-15 (kein CHF₃); 2) 4 mTorr/400 Ws/100 Wb/100 N₂/14 O₂/20 Ar/2 C₂H₄.After the reaction annealing process of 4C the SAM can be removed from the sidewalls of the BOX using the conditions: 1) 30 mTorr / 700 Ws / 300 Wb / 260 NH ₃ / NSTU (inverse): 3 / CSTUi 8 / 15-15 (no CHF ₃ ); 2) 4 mTorr / 400 Ws / Wb 100/100 N _2/14 O _2/20 ares / 2 C ₂ H. ₄

Die resultierende NEMS-Struktur weist somit ein vollständig silicidiertes, schwebend gehaltenes (abgelöstes) Element 50B sowie vollständig silicidierte feststehende Elemente 50A zusätzlich zu einem vollständig silicidierten leitfähigen Gebiet 50C auf, das unter dem vollständig silicidierten, schwebend gehaltenen (abgelösten) Element 50B liegt. Insofern als die Seitenwände 34A der ALD von Pt nicht ausgesetzt waren, muss es keinen direkten elektrischen Pfad von den silicidierten festen Elementen 50A oder dem silicidierten, schwebend gehaltenen (abgelösten) Element 50B zu dem vollständig silicidierten leitfähigen Gebiet 50C geben. Wie in der Ausführungsform von 3 ist somit das Problem überwunden, welches das Biegen eines schwebend gehaltenen, silicidierten Si-Arms oder -Elements betrifft, da das Si, das bildete, was ursprünglich der abgelöste Anteil 38 war, vollständig durch das PtSi ersetzt wurde. Außerdem wird nach dem Ablösen (2D) kein nasschemisches Bearbeiten verwendet, wodurch jegliche Degradation des PtSi vermieden und außerdem die Möglichkeit für ein Auftreten von Haftreibung verringert wird.The resulting NEMS structure thus has a fully silicided, suspended (released) element 50B as well as completely silicided fixed elements 50A in addition to a fully silicided conductive area 50C on, that under the completely silicided, suspended (detached) element 50B lies. Insofar as the side walls 34A When ALD was not exposed by Pt, there need not be a direct electrical pathway from the silicided solid elements 50A or the silicided, suspended (detached) element 50B to the fully silicided conductive area 50C give. As in the embodiment of 3 Thus, the problem of bending a suspended silicided Si arm or element is overcome since the Si that formed originally formed the detached portion 38 was completely replaced by the PtSi. In addition, after detachment ( 2D ) does not use wet-chemical processing, thereby avoiding any degradation of the PtSi and also reducing the possibility of stiction.

Die 5A und 5B zeigen eine dritte Variation des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist, wie beispielsweise den in 1 gezeigten Schalter 20. Der in 5 gezeigte Prozess ist in mancher Hinsicht dem in 4 gezeigten Prozess ähnlich, da beide mit der Struktur beginnen, die als ein Resultat der in 2 gezeigten Prozessschritte hergestellt wurde. In 5A wird jedoch die Schicht 42 aus Pt nicht mittels ALD gebildet wie in 4B, sondern mittels eines Pt-Verdampfungsprozesses. Als ein Ergebnis findet die Abscheidung von Pt lediglich auf jenen Oberflächen statt, die dem Strom von verdampftem Pt direkt ausgesetzt sind, und in diesem Fall wirkt der abgegrenzte abgelöste Si-Anteil 38 dann als eine Maske, um eine Abscheidung von Pt auf der darunter liegenden Oberfläche des Si-Substrats 32 zu verhindern. Als ein Ergebnis wird die Pt-Schicht 42 auf den Oberseiten der Schicht 36A, des abgelösten Anteils 38 und jenes Anteils der Oberfläche des Si-Substrats 32 gebildet, der durch die Aperturen 36b freigelegt ist. Aufgrund des Vorhandenseins des zurückgesetzten Oxids (als ein Ergebnis der in 2D durchgeführten Bearbeitung) sind die Seitenwände 34a des BOX 34 ebenfalls im Wesentlichen frei von abgeschiedenem Pt. In 5B wird der Reaktionstemperprozess durchgeführt, um so die schwebend gehaltene NEMS-Struktur vollständig zu silicidieren, die dem abgegrenzten abgelösten Si-Anteil 38 mit der Pt-Schicht 42 entspricht. Das Reaktionstempern silicidiert außerdem vollständig die Si-Schicht 36a ebenso wie die darunter liegenden Anteile des Si-Substrats 32 mit der darauf abgeschiedenen Pt-Schicht 42. Wie zuvor kann das Reaktionstempern unter Verwendung der Bedingungen durchgeführt werden: 500°C 30 Sekunden in N₂, anschließend 600°C 60 Sekunden in O₂. Allgemeiner kann das Reaktionstempern bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C und der entsprechend eingestellten Zeit durchgeführt werden.The 5A and 5B Figure 3 shows a third variation of the process flow to form the silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit, such as that shown in Figs 1 shown switch 20 , The in 5 The process shown is in some ways the same in 4 similar to the process shown, since both begin with the structure, which as a result of the in 2 shown process steps was produced. In 5A however, the layer becomes 42 from Pt not formed by ALD as in 4B but by means of a Pt evaporation process. As a result, the deposition of Pt takes place only on those surfaces which are directly exposed to the flow of evaporated Pt, and in this case, the separated detached Si portion acts 38 then as a mask, to deposit Pt on the underlying surface of the Si substrate 32 to prevent. As a result, the Pt layer becomes 42 on the tops of the layer 36A , the redeemed share 38 and that portion of the surface of the Si substrate 32 formed by the apertures 36b is exposed. Due to the presence of the recessed oxide (as a result of the in 2D carried out processing) are the side walls 34a of the BOX 34 also essentially free of deposited Pt. In 5B For example, the annealing annealing process is performed so as to completely silicidate the suspended NEMS structure, which is the delimited detached Si portion 38 with the Pt layer 42 equivalent. The reaction anneal also completely silicates the Si layer 36a as well as the underlying portions of the Si substrate 32 with the Pt layer deposited thereon 42 , As before, the reaction annealing can be carried out using the conditions: 500 ° C for 30 seconds in N ₂ , then 600 ° C for 60 seconds in O ₂ . More generally, the reaction annealing may be performed at a temperature in a range of about 300 ° C to about 750 ° C and the time set accordingly.

Die resultierende NEMS-Struktur weist somit ebenfalls ein vollständig silicidiertes schwebend gehaltenes (abgelöstes) Element 50B sowie vollständig silicidierte feststehende Elemente 50A zusätzlich zu zwei vollständig silicidierten leitfähigen Gebieten 50C auf, die unter den Aperturen 36b auf beiden Seiten des vollständig silicidierten schwebend gehaltenen (abgelösten) Elements 50B liegen. Insofern als die zurückgesetzten Seitenwände 34A dem Pt-Verdampfungsstrom nicht ausgesetzt waren, muss es keinen direkten elektrischen Pfad von den silicidierten festen Elementen 50A oder dem silicidierten schwebend gehaltenen (abgelösten) Element 50B zu den vollständig silicidierten leitfähigen Gebieten 50C geben. Wie in der Ausführungsform der 3 und 4 ist somit das Problem überwunden, welches das Biegen eines schwebend gehaltenen, silicidierten Si-Arms oder -Elements betrifft, da das Si, das bildete, was ursprünglich der abgelöste Anteil 38 war, vollständig durch das Pt-Silicid ersetzt wurde. Außerdem wurde nach dem Ablösen (2D) keine nasschemische Bearbeitung verwendet, wodurch jegliche Degradation des Silicids vermieden und die Möglichkeit für ein Auftreten von Haftreibung verringert wird.The resulting NEMS structure thus also has a fully silicided suspended (released) element 50B as well as completely silicided fixed elements 50A in addition to two fully silicided conductive areas 50C on, under the apertures 36b on either side of the fully silicided suspended (detached) element 50B lie. Insofar as the recessed sidewalls 34A were not exposed to the Pt evaporation current, there is no direct electrical path from the silicided solid elements 50A or the silicided suspended (detached) element 50B to the completely silicided conductive areas 50C give. As in the embodiment of 3 and 4 Thus, the problem of bending a suspended silicided Si arm or element is overcome since the Si that formed originally formed the detached portion 38 was completely replaced by the Pt silicide. In addition, after peeling ( 2D ) does not use wet chemical processing, thereby avoiding any degradation of the silicide and reducing the possibility of stiction.

Die 6A bis 6E zeigen eine vierte Variation des Prozessablaufs, um das silicidierte, schwebend gehaltene (abgelöste) Element zu bilden, das einen Teil einer NEMS-Einheit aufweist, wie beispielsweise den in 1 gezeigten Schalter 20. Der in 6 gezeigte Prozess beginnt mit der Struktur, die als ein Ergebnis der in 2 gezeigten Prozessschritte hergestellt wurde. Es ist jedoch anzumerken, dass in dieser Ausführungsform der Ätzprozess von 2D mit trockenem HF-Dampf betrieben wird, um so in einem geringen oder keinem Unterätzen des BOX 34 unterhalb der Si-Schicht 36a zu resultieren. In 6A wird die Schicht 42 aus Pt mittels Sputtern gebildet. Als ein Ergebnis findet die Abscheidung von Pt lediglich auf jenen Oberflächen statt, die dem Strom von gesputtertem Pt direkt ausgesetzt sind, wobei der abgegrenzte abgelöste Si-Anteil 38 als eine Maske wirkt, um eine Abscheidung von Pt auf der darunter liegenden Oberfläche des Si-Substrats 32 zu verhindern. In diesem Fall wird die Pt-Schicht 42 auf den Oberseiten der Schicht 36a, des abgelösten Anteils 38, auf jenem Anteil der Oberfläche des Si-Substrats 32, der durch die Aperturen 36 freigelegt ist, und außerdem auf den Seitenwänden 34a des BOX-Hohlraums gebildet. In 6B wird der Reaktionstemperprozess durchgeführt, um so die schwebend gehaltene NEMS-Struktur vollständig zu silicidieren, die dem abgegrenzten abgelösten Si-Anteil 38 mit der Pt-Schicht 42 entspricht. Das Reaktionstempern silicidiert außerdem vollständig die Si-Schicht 36a ebenso wie die darunter liegenden Anteile des Si-Substrats 32 mit der darauf abgeschiedenen Pt-Schicht 42. Das Reaktionstempern kann unter den Bedingungen durchgeführt werden: 500°C 30 Sekunden in N₂. Allgemeiner kann das Reaktionstempern bei einer Temperatur in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C und der entsprechend eingestellten Zeit durchgeführt werden.The 6A to 6E Figure 4 shows a fourth variation of the process flow to form the silicided, suspended (released) member having a portion of a NEMS unit, such as that shown in Figs 1 shown switch 20 , The in 6 process shown begins with the structure, which as a result of in 2 shown process steps was produced. It should be noted, however, that in this embodiment, the etching process of 2D operated with dry HF vapor, so in little or no undercutting the BOX 34 below the Si layer 36a to result. In 6A becomes the layer 42 formed from Pt by sputtering. As a result, the deposition of Pt occurs only on those surfaces which are directly exposed to the sputtered Pt stream, with the demarcated Si removed portion 38 acts as a mask to prevent deposition of Pt on the underlying surface of the Si substrate 32 to prevent. In this case, the Pt layer becomes 42 on the tops of the layer 36a , the redeemed share 38 , on that portion of the surface of the Si substrate 32 passing through the apertures 36 exposed, and also on the sidewalls 34a formed of the BOX cavity. In 6B For example, the annealing annealing process is performed so as to completely silicidate the suspended NEMS structure, which is the delimited detached Si portion 38 with the Pt layer 42 equivalent. The reaction anneal also completely silicates the Si layer 36a as well as the underlying portions of the Si substrate 32 with the Pt layer deposited thereon 42 , The reaction annealing may be carried out under the conditions: 500 ° C 30 Seconds in N ₂ . More generally, the reaction annealing may be performed at a temperature in a range of about 300 ° C to about 750 ° C and the time set accordingly.

In 6C wird ohne Entfernen des Wafers aus der Kammer für das Reaktionstempern ein zweites Tempern bei 600°C während 60 Sekunden in O₂ oder bei 650°C während 30 Sekunden in O₂ durchgeführt. Dieses schnelle thermische Tempern in O₂ bildet selektiv eine dünne schützende Oxidschicht 60 aus SiO₂ lediglich auf dem PtSi und nicht auf dem nicht reagierten Pt, das auf den BOX-Seitenwänden 34a ausgebildet ist. In diesem Zusammenhang kann auf Z. Zhang, S.-L. Zhang und M. Östling, Robust, Scalable Self-Aligned Platinum Silicide Prozess, Applied Physics Letters 88, 142114 (2006) Bezug genommen werden.In 6C For example, without removing the wafer from the reaction annealing chamber, a second anneal is performed at 600 ° C for 60 seconds in O ₂ or at 650 ° C for 30 seconds in O ₂ . This rapid thermal annealing in O ₂ selectively forms a thin protective oxide layer 60 of SiO ₂ only on the PtSi and not on the unreacted Pt on the BOX sidewalls 34a is trained. In this connection, Z. Zhang, S.-L. Zhang and M. Östling, Robust, Scalable Self-Aligned Platinum Silicide Process, Applied Physics Letters 88, 142114 (2006).

In 6D wird ein reaktiver Ionenätzprozess durchgeführt, um das (ungeschützte) Pt von den BOX-Seitenwänden 34a zu entfernen. Der RIE-Prozess beeinflusst das PtSi-Material unterhalb der schützenden SiO₂-Schicht 60 nicht. In 6E wird ein zweiter Prozess mit (trockenem) HF-Dampf verwendet, um die schützende SiO₂-Schicht 60 zu entfernen.In 6D For example, a reactive ion etch process is performed to remove the (unprotected) Pt from the BOX sidewalls 34a to remove. The RIE process affects the PtSi material below the protective SiO ₂ layer 60 Not. In 6E For example, a second (dry) HF vapor process is used to form the protective SiO ₂ layer 60 to remove.

7 zeigt eine oben vergrößerte Ansicht einer NEMS-Einheit 70, die unter Verwendung der Prozesse der 2 bis 6 hergestellt werden kann. Die Einheit 70 ist so hergestellt, dass sie eine Source (S) 72, einen Drain (D) 74 sowie ein Gate (G) 76 beinhaltet. Angebracht an die Source 72 ist ein langgestrecktes, elektrisch leitfähiges, vollständig silicidiertes Element 78, das zu einer Biegung in der Lage ist und das als ein Schalterkontakt wirken kann. 7 shows an enlarged top view of a NEMS unit 70 using the processes of 2 to 6 can be produced. The unit 70 is made to be a source (S) 72 , a drain (D) 74 as well as a gate (G) 76 includes. Attached to the source 72 is an elongated, electrically conductive, fully silicided element 78 that is capable of bending and that can act as a switch contact.

Für den Fachmann können viele Modifikationen und Variationen offensichtlich werden, ohne von dem Umfang und dem Inhalt der Erfindung abzuweichen. Zum Beispiel können andere Materialien, andere Metalle (z. B. andere als Pt, wie beispielsweise Ni, W, Er, Yb, Ti, Co), andere Dicken, andere Prozessschritte und andere Parameter verwendet werden, und somit können andere Silicide als PtSi gebildet werden. Des Weiteren sind die exemplarischen Ausführungsformen nicht auf die Herstellung von Schaltern in MEMS- oder in NEMS-Einheiten und -Strukturen beschränkt.Many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope and content of the invention. For example, other materials, other metals (eg, other than Pt, such as Ni, W, Er, Yb, Ti, Co), other thicknesses, other process steps, and other parameters may be used, and thus silicides other than PtSi be formed. Furthermore, the exemplary embodiments are not limited to the fabrication of switches in MEMS or NEMS devices and structures.

Wie für einen Fachmann ersichtlich ist, können Aspekte der vorliegenden Erfindung als ein System, ein Verfahren oder ein Computerprogrammprodukt zum Steuern der Bearbeitung des SOI-Wafers ausgeführt werden, wie vorstehend in den 2 bis 6 erörtert. So können Aspekte der vorliegenden Erfindung die Form eines Computerprogrammprodukts annehmen, das in einem oder mehreren computerlesbaren Medium (Medien) ausgeführt ist, das (die) einen darauf ausgeführten computerlesbaren Programmcode aufweist (aufweisen). Es kann jegliche Kombination von einem oder mehreren computerlesbaren Medium (Medien) verwendet werden. Das computerlesbare Medium kann ein computerlesbares Signalmedium oder ein computerlesbares Speichermedium sein. Ein computerlesbares Speichermedium kann zum Beispiel ein elektronisches, magnetisches, optisches, elektromagnetisches, Infrarot- oder Halbleitersystem, -Vorrichtung oder -Einheit oder irgendeine geeignete Kombination der Vorstehenden sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Spezifischere Beispiele (eine nicht erschöpfende Auflistung) für das computerlesbare Speichermedium beinhalten die folgenden: eine elektrische Verbindung mit einem oder mehreren Drähten, eine tragbare Computerdiskette, eine Festplatte, einen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (RAM), einen Festwertspeicher (ROM), einen löschbaren programmierbaren Festwertspeicher (EPROM oder Flash-Speicher), einen Lichtwellenleiter, einen tragbaren Kompaktdisk-Festwertspeicher (CD-ROM), eine optische Speichereinheit, eine magnetische Speichereinheit oder irgendeine geeignete Kombination des Vorstehenden. Im Kontext dieses Dokuments kann ein computerlesbares Speichermedium irgendein reales Medium sein, das ein Programm zur Verwendung durch oder in Verbindung mit einem System, einer Vorrichtung oder einer Einheit zur Ausführung einer Anweisung enthalten oder speichern kann.As will be apparent to one skilled in the art, aspects of the present invention may be embodied as a system, method, or computer program product for controlling the processing of the SOI wafer, as described in the above 2 to 6 discussed. Thus, aspects of the present invention may take the form of a computer program product embodied in one or more computer readable media having a computer readable program code executed thereon. Any combination of one or more computer-readable media may be used. The computer readable medium may be a computer readable signal medium or a computer readable storage medium. For example, a computer-readable storage medium may be, but is not limited to, an electronic, magnetic, optical, electromagnetic, infrared, or semiconductor system, device, or device, or any suitable combination of the foregoing. More specific examples (non-exhaustive list) of the computer-readable storage medium include the following: electrical connection to one or more wires, portable computer diskette, hard disk, random access memory (RAM), read-only memory (ROM), erasable programmable memory Read-only memory (EPROM or flash memory), an optical fiber, a portable compact disc read only memory (CD-ROM), an optical storage unit, a magnetic storage unit, or any suitable combination of the foregoing. In the context of this document, a computer-readable storage medium may be any real-world medium that may contain or store a program for use by or in connection with a system, apparatus, or unit for executing an instruction.

Die hierin verwendete Terminologie dient lediglich dem Zweck der Beschreibung spezieller Ausführungsformen und soll die Erfindung nicht beschränken. Wie hierin verwendet, sollen die Singularformen ”ein/eine/eines”, ”ein/eine/eines” und ”der/die/das” auch die Pluralformen beinhalten, wenn der Kontext nicht klar etwas anderes anzeigt. Es versteht sich des Weiteren, dass die Ausdrücke ”aufweist” und/oder ”aufweisend”, wenn sie in dieser Beschreibung verwendet werden, das Vorhandensein von angegebenen Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten spezifizieren, das Vorhandensein oder die Hinzufügung von einem oder mehreren weiteren Merkmalen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen derselben jedoch nicht ausschließen.The terminology used herein is for the purpose of describing specific embodiments only and is not intended to limit the invention. As used herein, the singular forms "a / a", "a / a" and "the" should also include the plural forms unless the context clearly indicates otherwise. It is further understood that the terms "comprising" and / or "having" when used in this specification specify the presence of indicated features, integers, steps, operations, elements and / or components, the presence or absence of however, do not preclude the addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, and / or groups thereof.

Die entsprechenden Strukturen, Materialien, Handlungen und Äquivalente sämtlicher Mittel oder Schritt-plus-Funktion-Elemente in den nachstehenden Ansprüchen sollen jegliche Struktur, jegliches Material oder jegliche Handlung zum Durchführen der Funktion in Kombination mit weiteren beanspruchten Elementen beinhalten, wie spezifisch beansprucht. Die Beschreibung der vorliegenden Erfindung wurde zu Zwecken der Darstellung und Beschreibung präsentiert, soll jedoch nicht erschöpfend oder beschränkend für die Erfindung in der offenbarten Form sein. Die Ausführungsformen wurden gewählt und beschrieben, um die Prinzipien der Erfindung und die praktischen Anwendungen derselben am besten zu erläutern und um es anderen Fachleuten zu ermöglichen, die Erfindung für verschiedene Ausführungsformen mit verschiedenen Modifikationen zu verstehen, wie sie für die spezielle, ins Auge gefasste Verwendung geeignet sind.The corresponding structures, materials, acts, and equivalents of all means or step plus function elements in the claims below are intended to include any structure, material, or act of performing the function in combination with other claimed elements, as specifically claimed. The description of the present invention has been presented for purposes of illustration and description, but is not intended to be exhaustive or limited to the invention in the form disclosed. The embodiments have been chosen and described to best explain the principles of the invention and the practical applications thereof, and to enable others skilled in the art to understand the invention for various embodiments with various modifications as adapted to the particular contemplated use are suitable.

Als solche können verschiedene Modifikationen und Adaptionen für den Fachmann in Anbetracht der vorstehenden Beschreibung offensichtlich werden, wenn sie in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen und den beigefügten Ansprüchen gelesen wird. Um nur einige Beispiele zu nennen, kann die Verwendung von anderen ähnlichen oder äquivalenten mathematischen Ausdrücken vom Fachmann verwendet werden. Sämtliche derartigen und ähnlichen Modifikationen der Lehren dieser Erfindung fallen jedoch weiterhin in den Umfang dieser Erfindung.As such, various modifications and adaptations will become apparent to those skilled in the art in light of the foregoing description, when read in conjunction with the accompanying drawings and the appended claims. To name just a few examples, the use of other similar or equivalent mathematical expressions may be used by those skilled in the art. However, all such and similar modifications of the teachings of this invention are still within the scope of this invention.

Claims (21)

Verfahren zum Herstellen einer elektro-mechanischen Einheit, das aufweist: Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Silicium-Substrat aufgebracht ist; Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht derart, dass er wenigstens teilweise schwebend über einem Hohlraum in der isolierenden Schicht gehalten ist; Abscheiden eines Metalls auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht; und vollständiges Silicidieren von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht unter Verwendung des abgeschiedenen Metalls.A method of making an electro-mechanical device comprising: Providing a silicon layer deposited over an insulating layer deposited on a silicon substrate; Detaching a portion of the silicon layer from the insulating layer so as to be at least partially suspended over a cavity in the insulating layer; Depositing a metal on at least one surface of at least the detached portion of the silicon layer; and completely silicidating at least the detached portion of the silicon layer using the deposited metal. Verfahren nach Anspruch 1, wobei anschließend an das Ablösen des Anteils der Silicium-Schicht kein nasschemischer Ätzprozess durchgeführt wird.The method of claim 1, wherein subsequent to the detachment of the portion of the silicon layer, no wet chemical etching process is performed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei das Ablösen unter Verwendung eines HF-Dampfes durchgeführt wird.A method according to any one of claims 1 or 2 wherein the stripping is performed using an HF vapor. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Abscheiden eines Metalls aus einem Abscheiden einer aus Kohlenstoff bestehenden Schicht derart, dass sie den Hohlraum füllt, einem Entfernen eines Anteils der aus Kohlenstoff bestehenden Schicht, um so eine Oberseite des abgelösten Anteils der Silicium-Schicht und umgebende Anteile der Silicium-Schicht freizulegen, einem Verwenden einer atomaren Schichtabscheidung, um die Schicht aus Metall auf der freigelegten Oberseite zu bilden, und einem Entfernen des Rests der aus Kohlenstoff bestehenden Schicht vor einem vollständigen Silicidieren besteht.The method of any one of claims 1 to 3, wherein depositing a metal from depositing a layer of carbon such that it fills the cavity, removing a portion of the layer consisting of carbon so as to form an upper surface of the detached portion of the silicon. Exposing layer and surrounding portions of the silicon layer, using atomic layer deposition to form the layer of metal on the exposed top, and removing the remainder of the carbon layer before complete silicidation. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt des Ablösens den Hohlraum derart bildet, dass eine darunter liegende Oberseite des Silicium-Substrats am Boden des Hohlraums freigelegt wird, und wobei das Abscheiden eines Metalls aus einem Anbringen selbstorganisierter Monoschichten an Seitenwänden des Hohlraums und einem Verwenden einer atomaren Schichtabscheidung besteht, um die Schicht aus Metall auf freigelegten Oberflächen des abgelösten Anteils der Silicium-Schicht, umgebenden Anteilen der Silicium-Schicht und auf der freigelegten Oberfläche des Silicium-Substrats, jedoch nicht auf den Seitenwänden des Hohlraums zu bilden.The method of any one of claims 1 to 3, wherein the stripping step forms the cavity such that an underlying top surface of the silicon substrate is exposed at the bottom of the cavity, and wherein depositing a metal comprises attaching self-assembled monolayers to sidewalls of the cavity and using atomic layer deposition to form the layer of metal on exposed surfaces of the stripped portion of the silicon layer, surrounding portions of the silicon layer, and on the exposed surface of the silicon substrate, but not on the sidewalls of the cavity. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt des Ablösens den Hohlraum derart bildet, dass eine darunter liegende Oberseite des Silicium-Substrats am Boden des Hohlraums freigelegt wird, und wobei das Abscheiden eines Metalls aus einem Verdampfen des Metalls besteht, um die Schicht aus Metall auf freigelegten Oberflächen des abgelösten Anteils der Silicium-Schicht, umgebenden Anteilen der Silicium-Schicht, auf der freigelegten Oberfläche des Silicium-Substrats, die nicht unter dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht liegt, jedoch nicht auf den Seitenwänden des Hohlraums zu bilden.The method of any of claims 1 to 3, wherein the step of releasing forms the cavity such that an underlying top surface of the silicon substrate is exposed at the bottom of the cavity, and wherein the deposition of a metal consists of vaporization of the metal to prevent the metal from being deposited Layer of metal on exposed surfaces of the detached portion of the silicon layer, surrounding portions of the silicon layer, on the exposed surface of the silicon substrate, which is not below the detached portion of the silicon layer, but not on the sidewalls of the cavity form. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt des Ablösens den Hohlraum derart bildet, dass eine darunter liegende Oberseite des Silicium-Substrats am Boden des Hohlraums freigelegt wird, und wobei das Abscheiden des Metalls aus einem Sputtern des Metalls besteht, um die Schicht aus Metall auf freigelegten Oberflächen des abgelösten Anteils der Silicium-Schicht, umgebenden Anteilen der Silicium-Schicht, auf der freigelegten Oberfläche des Silicium-Substrats, die nicht unter dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht liegt, sowie auf Seitenwänden des Hohlraums zu bilden, wobei das gesputterte Metall auf dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht, den umgebenden Anteilen der Silicium-Schicht und auf der freigelegten Oberfläche des Silicium-Substrats, die nicht unter dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht liegt, vollständig zu Siliciden silicidiert wird, und das des Weiteren ein Bilden einer schützenden Oxidschicht selektiv lediglich auf vollständig silicidierten Oberflächen, ein Entfernen des gesputterten Metalls von den Seitenwänden des Hohlraums sowie ein Entfernen der schützenden Oxidschicht aufweist.The method of any one of claims 1 to 3, wherein the step of detaching forms the cavity such that an underlying top surface of the silicon substrate is exposed at the bottom of the cavity, and wherein the deposition of the metal consists of sputtering the metal around the cavity Layer of metal on exposed surfaces of the detached portion of the silicon layer, surrounding portions of the silicon layer, on the exposed surface of the silicon substrate, which is not below the detached portion of the silicon layer, as well as to form sidewalls of the cavity, wherein the sputtered metal on the detached portion of the silicon layer, the surrounding portions of the silicon layer and on the exposed surface of the silicon substrate, which is not below the detached portion of the silicon layer, is completely silicided to silicides, and Furthermore, forming a protective oxide layer selectively only on completely silici diert surfaces, removing the sputtered metal from the side walls of the cavity and removing the protective oxide layer. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall aus einem von Pt, Ni, W, Er, Yb, Ti, Co besteht und wobei der vollständig silicidierte abgelöste Anteil der Silicium-Schicht aus PtSi oder NiSi oder WSi oder ErSi oder YbSi oder TiSi oder CoSi zusammengesetzt ist.The method of claim 1, wherein the metal is one of Pt, Ni, W, Er, Yb, Ti, Co, and wherein the fully silicided detached portion of the silicon layer is PtSi or NiSi or WSi or ErSi or YbSi or TiSi or CoSi is composed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das vollständige Silicidieren einen thermischen Prozess verwendet, der in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C durchgeführt wird. The method of any one of claims 1 to 7, wherein the complete siliciding uses a thermal process conducted in a range of about 300 ° C to about 750 ° C. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der thermische Prozess aus einem Erwärmen in einer Stickstoffatmosphäre gefolgt von einem Erwärmen in einer Sauerstoffatmosphäre besteht.The method of claim 9, wherein the thermal process consists of heating in a nitrogen atmosphere followed by heating in an oxygen atmosphere. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das vollständige Silicidieren einen thermischen Prozess verwendet, der ein Erwärmen in einer Stickstoffatmosphäre aufweist, und wobei das Bilden der schützenden Oxidschicht selektiv lediglich auf vollständig silicidierten Oberflächen ein Erwärmen in einer Sauerstoffatmosphäre aufweist.The method of claim 7, wherein the complete siliciding employs a thermal process comprising heating in a nitrogen atmosphere, and wherein forming the protective oxide layer selectively comprises heating in an oxygen atmosphere only on fully silicided surfaces. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die aus Kohlenstoff bestehende Schicht unter Verwendung eines Plasmas entfernt wird.The method of claim 4, wherein the layer of carbon is removed using a plasma. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der abgelöste Anteil der Silicium-Schicht einen Teil eines bewegbaren, einen Strom leitenden Anteils eines MEMS- oder NEMS-Schalters bildet.The method of any one of the preceding claims, wherein the stripped portion of the silicon layer forms part of a movable, current-carrying portion of a MEMS or NEMS switch. Schalter, der einen bewegbaren Anteil aufweist, der einen Kontakt aufweist, der so konfiguriert ist, dass er, wenn der Schalter betätigt wird, eine elektrische Verbindung zwischen zwei stationären Punkten herstellt, wobei wenigstens der Kontakt aus einem vollständig silicidierten Material besteht.A switch having a movable portion having a contact configured to establish an electrical connection between two stationary points when the switch is actuated, wherein at least the contact is made of a fully silicided material. Schalter nach Anspruch 14, wobei das vollständig silicidierte Material aus PtSi oder NiSi oder WSi oder ErSi oder YbSi oder TiSi oder CoSi besteht.A switch according to claim 14 wherein the fully silicided material is PtSi or NiSi or WSi or ErSi or YbSi or TiSi or CoSi. Schalter nach einem der Ansprüche 14 oder 15, der aus einem MEMS- oder einem NEMS-Schalter besteht.Switch according to one of claims 14 or 15, which consists of a MEMS or a NEMS switch. Verfahren zum Herstellen einer elektro-mechanischen Einheit, das aufweist: Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Substrat aufgebracht ist; Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht, um ein Silicium-Element zu bilden, das wenigstens teilweise schwebend über einem in der isolierenden Schicht ausgebildeten Hohlraum gehalten ist; Abscheiden eines Metalls auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem Silicium-Element; Anwenden eines thermischen Prozesses auf das Silicium-Element mit dem darauf abgeschiedenen Metall, um ein vollständig silicidiertes Element zu bilden; wobei nach dem Bilden des vollständig silicidierten Elements kein nasschemischer Prozess verwendet wird, um die Einheit weiter zu bearbeiten.A method of making an electro-mechanical device comprising: Providing a silicon layer deposited over an insulating layer deposited on a substrate; Detaching a portion of the silicon layer from the insulating layer to form a silicon element that is at least partially suspended over a cavity formed in the insulating layer; Depositing a metal on at least one surface of at least the silicon element; Applying a thermal process to the silicon element with the metal deposited thereon to form a fully silicided element; in which after forming the fully silicided element, no wet chemical process is used to further process the unit. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Ablösen unter Verwendung eines HF-Dampfes durchgeführt wird.The method of claim 17, wherein the stripping is performed using an HF vapor. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 18, wobei das Anwenden des thermischen Prozesses in einem Bereich von etwa 300°C bis etwa 750°C durchgeführt wird.The method of any one of claims 17 to 18, wherein applying the thermal process is performed in a range of about 300 ° C to about 750 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei das Anwenden des thermischen Prozesses aus einem Erwärmen in einer Stickstoffatmosphäre gefolgt von einem Erwärmen in einer Sauerstoffatmosphäre besteht.The method of any one of claims 17 to 19, wherein applying the thermal process consists of heating in a nitrogen atmosphere followed by heating in an oxygen atmosphere. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei das Metall aus einem von Pt, Ni, W, Er, Yb, Ti, Co besteht und wobei das vollständig silicidierte Element aus PtSi oder NiSi oder WSi oder ErSi oder YbSi oder TiSi oder CoSi zusammengesetzt ist.The method of any one of claims 17 to 20, wherein the metal is one of Pt, Ni, W, Er, Yb, Ti, Co, and wherein the fully silicided element is composed of PtSi or NiSi or WSi or ErSi or YbSi or TiSi or CoSi is.

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