DE112012000658T5

DE112012000658T5 - Substrat mit leitendem Film, Substrat mit Mehrschicht-Reflexionsfilm und Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie

Info

Publication number: DE112012000658T5
Application number: DE112012000658T
Authority: DE
Inventors: Kazuyuki Hayashi; Kazunobu Maeshige; Toshiyuki Uno
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2011-02-04
Filing date: 2012-02-03
Publication date: 2013-11-07
Also published as: US9086629B2; WO2012105698A1; KR101857844B1; JPWO2012105698A1; KR20140004157A; JP5888247B2; US20130323630A1

Abstract

Bereitstellung eines Substrats mit einem leitenden Film für einen EUV-Maskenrohling, das einen leitenden Film mit einem niedrigen Flächenwiderstand, einer hervorragenden Oberflächenglätte und einem hervorragenden Kontakt mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung aufweist, und mit dem eine Verformung des Substrats durch die Filmspannung in einem EUV-Maskenrohling unterdrückt werden kann.
Ein Substrat mit einem leitenden Film, das zur Herstellung eines Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie verwendet werden soll, umfassend einen auf einem Substrat ausgebildeten leitenden Film,
wobei der leitende Film mindestens zwei Schichten aus einer Schicht (untere Schicht), die auf der Substratseite ausgebildet ist, und einer Schicht (obere Schicht), die auf der unteren Schicht ausgebildet ist, aufweist, und
die untere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Sauerstoff (O) und Wasserstoff (H) enthält, und die obere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Stickstoff (N) und Wasserstoff (H) enthält.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Reflexionsmaskenrohling für eine EUV(extremes Ultraviolett)-Lithographie (in dieser Beschreibung nachstehend auch als „EUV-Maskenrohling” bezeichnet), der z. B. für die Herstellung von Halbleitern verwendet wird, und ein Substrat mit einem leitenden Film sowie ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das zur Herstellung des Maskenrohlings verwendet wird.
STAND DER TECHNIK
Bisher wurde in der Halbleiterindustrie ein Photolithographieverfahren eingesetzt, bei dem sichtbares Licht oder Ultraviolettlicht als Technik zur Übertragung einer feinen Struktur verwendet worden ist, die zur Bildung einer integrierten Schaltung mit einer feinen Struktur auf z. B. einem Si-Substrat erforderlich ist. Das herkömmliche Photolithographieverfahren ist jedoch mit der schnell fortschreitenden Verkleinerung von Halbleitervorrichtungen an dessen Grenzen angelangt. In dem Fall des Photolithographieverfahrens beträgt die Auflösungsgrenze einer Struktur etwa 1/2 der Belichtungswellenlänge. Selbst wenn ein Immersionsverfahren eingesetzt wird, beträgt die Auflösungsgrenze etwa 1/4 der Belichtungswellenlänge, und selbst wenn ein Immersionsverfahren mit einem ArF-Laser (Wellenlänge: 193 nm) eingesetzt wird, wird davon ausgegangen, dass etwa 45 nm die Grenze darstellen. In dieser Hinsicht wird von der EUV-Lithographie, bei der es sich um eine Belichtungstechnik handelt, bei der EUV-Licht mit einer Wellenlänge verwendet wird, die noch kürzer ist als diejenige eines ArF-Lasers, erwartet, dass sie als Belichtungstechnik der nächsten Generation für 45 nm oder weniger vielversprechend ist. In dieser Beschreibung steht EUV-Licht für einen Lichtstrahl mit einer Wellenlänge innerhalb eines weichen Röntgenbereichs oder innerhalb eines Vakuum-Ultraviolettbereichs, insbesondere für einen Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von etwa 10 bis 20 nm, insbesondere etwa 13,5 nm ± 0,3 nm.
Es ist wahrscheinlich, dass EUV-Licht von allen Arten von Substanzen absorbiert wird, und die Brechungsindizes von Substanzen bei einer solchen Wellenlänge liegen nahe bei 1, wodurch es nicht möglich ist, ein herkömmliches dioptrisches System wie bei einer Photolithographie zu verwenden, bei der sichtbares Licht oder Ultraviolettlicht eingesetzt wird. Aus diesem Grund wird für eine EUV-Lithographie ein katoptrisches System eingesetzt, d. h. eine Reflexionsphotomaske und ein Spiegel.
Ein Maskenrohling ist eine gestapelte Struktur bzw. Schichtstruktur zur Erzeugung einer Photomaske, die noch nicht strukturiert worden ist. In dem Fall eines Maskenrohlings für eine Reflexionsphotomaske weist er eine Struktur auf, bei der eine Reflexionsschicht zum Reflektieren von EUV-Licht und eine Absorberschicht zum Absorbieren von EUV-Licht in dieser Reihenfolge auf einem Substrat ausgebildet sind, das z. B. aus Glas hergestellt ist. Als Reflexionsschicht wird üblicherweise ein Mehrschicht-Reflexionsfilm eingesetzt, der Schichten mit hohem Brechungsindex und Schichten mit niedrigem Brechungsindex aufweist, die abwechselnd gestapelt sind, so dass die Lichtreflexion für Licht, das auf eine Schichtoberfläche eingestrahlt wird, erhöht wird, insbesondere die Lichtreflexion für EUV-Licht, das auf eine Schichtoberfläche eingestrahlt wird. Für die Absorberschicht wird ein Material mit einem hohen Extinktionskoeffizienten für EUV-Licht verwendet, insbesondere z. B. ein Material, das Cr oder Ta als Hauptkomponente enthält.
Der Mehrschicht-Reflexionsfilm und die Absorberschicht werden auf einer optischen Oberfläche eines Glassubstrats durch die Verwendung eines Sputterverfahrens ausgebildet, wie z. B. eines Ionenstrahlsputterverfahrens oder eines Magnetronsputterverfahrens. Zu dem Zeitpunkt, bei dem der Mehrschicht-Reflexionsfilm und die Absorberschicht gebildet werden, wird das Glassubstrat durch ein Haltemittel gehalten. Beispiele für das Mittel zum Halten eines Glassubstrats umfassen eine mechanische Aufspannvorrichtung und eine elektrostatische Aufspannvorrichtung. Im Hinblick auf eine Teilchenerzeugung wird jedoch vorzugsweise ein Klemmen mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung als Mittel zum Halten des Glassubstrats eingesetzt, wenn der Mehrschicht-Reflexionsfilm und die Absorberschicht gebildet werden, insbesondere als Mittel zum Halten des Glassubstrats, wenn der Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wird.
Ferner wird in einem Maskenstrukturierungsverfahren oder bei der Handhabung der Maske für ein Belichten ein Klemmen durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung als Mittel zum Halten eines Glassubstrats eingesetzt.
Bei der elektrostatischen Aufspannvorrichtung handelt es sich um eine Technik, die in den letzten Jahren zum Klemmen eines Siliziumwafers in einem Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet worden ist. Folglich ist es in einem Fall eines Substrats, wie z. B. eines Glassubstrats, das eine niedrige Dielektrizitätskonstante und eine niedrige Leitfähigkeit aufweist, erforderlich, eine hohe Spannung anzulegen, um eine Klemmkraft zu erhalten, die zu der Klemmkraft äquivalent ist, die zum Klemmen eines Siliziumwafers erforderlich ist, und es besteht das Risiko, das ein dielektrischer Durchschlag verursacht wird.
Um dieses Problem zu lösen, offenbart das Patentdokument 1 ein Maskensubstrat, das eine Rückflächenbeschichtung (leitender Film) als eine Schicht zur Förderung des elektrostatischen Klemmens des Substrats aufweist, die aus einem Material wie z. B. Si, Mo, Chromoxynitrid (CrON) oder TaSi ausgebildet ist, das von dem üblicherweise verwendeten Cr verschieden ist, und das eine höhere Dielektrizitätskonstante und eine höhere Leitfähigkeit aufweist als diejenige eines Glassubstrats.
Bei dem Maskensubstrat, das in dem Patentdokument 1 offenbart ist, besteht, da der CrON-Film eine geringe Haftung an dem Glassubstrat aufweist, ein Problem dahingehend, dass ein Ablösen zwischen dem Glassubstrat und dem CrON-Film zum Zeitpunkt des Bildens eines Mehrschicht-Reflexionsfilms oder einer Absorberschicht stattfindet, mit dem Ergebnis, dass Teilchen gebildet werden. Insbesondere besteht eine Tendenz dahingehend, dass in der Nähe der Grenzfläche zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem CrON-Film ein Ablösen des Films durch eine Kraft verursacht wird, die auf die Umgebung der Grenzfläche zwischen dem Substrat und der elektrostatischen Aufspannvorrichtung ausgeübt wird und die durch eine Rotation des Substrats erzeugt wird.
Da ferner in dem Maskensubstrat, das in dem Patentdokument 1 offenbart ist, ein leitender Film auf dem gesamten Bereich einer Oberfläche ausgebildet ist, die Abschrägungen und Seitenflächen des Substrats umfasst, sind die Haftkräfte des Films an den Abschrägungen und Seitenflächen des Substrats besonders schwach, da der leitende Film schräg auf den Abschrägungen und Seitenflächen ausgebildet ist, und es besteht eine Tendenz dahingehend, dass ein Ablösen des Films durch ein Verziehen des Substrats zum Zeitpunkt des Klemmens durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung oder durch einen Kontakt mit einem Wirkorgan eines Roboterarms verursacht wird.
Ferner kann bei dem Maskensubstrat, das in dem Patentdokument 1 offenbart ist, da Sauerstoff (O) und Kohlenstoff (C) in großen Mengen in einer Oberfläche des leitenden CrON-Films enthalten sind, unter einigen Abscheidungsbedingungen eine anomale Entladung in dem Verfahren des Bildens eines Mehrschicht-Reflexionsfilms oder eines Absorberfilms auftreten.
Ein solches Ablösen eines leitenden Films zum Zeitpunkt z. B. eines Klemmens durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung (oder zum Zeitpunkt des Bildens eines Mehrschicht-Reflexionsfilms oder dergleichen) oder eine Teilchenerzeugung aufgrund einer anomalen Entladung zum Zeitpunkt der Filmbildung erhöht die Defekte in einem Produkt (einem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, einem Reflexionsmaskenrohling zum Belichten oder einer Reflexionsmaske zum Belichten) und verhindert die Erzeugung eines Produkts mit hoher Qualität. In dem Fall einer Strukturübertragung unter Verwendung einer herkömmlichen Übertragungsmaske zum Belichten ist es, da die Wellenlänge des Belichtungslichts relativ lang ist und in einem UV-Bereich liegt (etwa 157 bis 248 nm), selbst dann, wenn auf einer Maskenoberfläche konkave oder konvexe Defekte ausgebildet sind, unwahrscheinlich, dass ein kritisches Problem verursacht wird, und demgemäß wurde die Erzeugung von Teilchen zum Zeitpunkt der Filmbildung nicht als ein wesentliches Problem erkannt. In einem Fall, bei dem Licht mit einer kurzen Wellenlänge, wie z. B. EUV-Licht, als Belichtungslicht verwendet wird, haben selbst feine konkave oder konvexe Defekte auf einer Maskenoberfläche einen wesentlichen Einfluss auf die Strukturübertragung und demgemäß kann die Erzeugung von Teilchen nicht ignoriert werden.
Zur Lösung der vorstehend genannten Probleme offenbart das Patentdokument 2 ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, bei dem eine Teilchenerzeugung aufgrund eines Ablösens eines leitenden Films zum Zeitpunkt des Klemmens des Substrats mit einem leitenden Film durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung oder eine Teilchenerzeugung aufgrund einer anomalen Entladung verhindert wird, einen Reflexionsmaskenrohling zum Belichten, der eine hohe Qualität und wenige Oberflächendefekte aufgrund von Teilchen aufweist, und eine Reflexionsmaske zum Belichten, die eine hohe Qualität und keinen Strukturdefekt aufgrund von Teilchen aufweist.
Zur Lösung der vorstehend genannten Probleme umfasst das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das in dem Patentdokument 2 offenbart ist, einen leitenden Film, der eine Zusammensetzung aufweist, die in der Dickenrichtung des leitenden Films variiert, so dass eine Substratseite des leitenden Films Stickstoff (N) enthält und eine Oberflächenseite des Films mindestens einen von Sauerstoff (O) und Kohlenstoff (C) enthält. Bezüglich des Grunds, warum der leitende Film eine solche Struktur aufweist, offenbart das Patentdokument 2, dass Stickstoff (N), der in der Substratseite des leitenden Films enthalten ist, die Haftung des leitenden Films an dem Substrat verbessert, so dass ein Ablösen des leitenden Films verhindert wird, und dass Stickstoff die Filmspannung des leitenden Films vermindert, so dass eine Erhöhung der Anziehungskraft zwischen einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat ermöglicht wird. Ferner erhöhen mindestens einer von Sauerstoff (O) und Kohlenstoff (C), der oder die in der Oberflächenseite des leitenden Films enthalten ist oder sind, die Oberflächenrauhigkeit des leitenden Films auf ein geeignetes Ausmaß, so dass die Anziehungskraft zwischen einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat zum Zeitpunkt des Klemmens durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung erhöht wird, wodurch ein Abrieb zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat verhindert wird. Dabei erhöht gemäß diesem Dokument Sauerstoff (O), der in dem leitenden Film enthalten ist, die Oberflächenrauhigkeit (vergrößert die Oberflächenrauhigkeit) auf ein geeignetes Maß und erhöht die Anziehungskraft zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat, und Kohlenstoff (C), der in dem leitenden Film enthalten ist, vermindert den spezifischen Widerstand des leitenden Films, wodurch die Anziehungskraft zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat verbessert wird.
In dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das in dem Patentdokument 2 beschrieben ist, erzeugt mindestens einer von Sauerstoff (O) und Kohlenstoff (C), der oder die in einer Oberflächenseite des leitenden Films enthalten ist oder sind, einen aufgerauhten Zustand in der Oberfläche des leitenden Films, wodurch die Anziehungskraft zwischen einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat zu dem Zeitpunkt des Klemmens durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung erhöht wird, und wodurch der Abrieb zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat verhindert wird. Es besteht jedoch ein Problem dahingehend, dass dann, wenn bereits ein Abrieb stattgefunden hat, das Vorliegen einer großen Oberflächenrauhigkeit dazu neigt, ein Ablösen oder Absplittern des Films zu verursachen, wodurch Teilchen erzeugt werden. Wenn die Oberflächenrauhigkeit groß ist, neigen ferner Teilchen (z. B. Teilchen von dem Material der elektrostatischen Aufspannvorrichtung oder Teilchen von z. B. Mo oder Si, bei dem es sich um das Filmmaterial des zu bildenden Films handelt) auf der elektrostatischen Aufspannvorrichtung dazu, zum Zeitpunkt des elektrostatischen Klemmens an dem leitenden Film zu haften, und da solche Teilchen kaum durch Reinigen entfernt werden können, tritt das Problem auf, dass sich diese Teilchen in nachfolgenden Schritten (z. B. Übertragung, Reinigung oder Prüfung bzw. Inspektion) ablösen, was neue Defekte verursacht.
Wenn ferner die Substratseite des leitenden Films CrN ist, wird der Flächenwiderstand des leitenden Films nicht ausreichend niedrig, da der Gehalt von Stickstoff (N) von 40 bis 60 Atom-% (At%) beträgt, und es ist nicht möglich, die Klemmkraft durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung ausreichend zu erhöhen. Als Ergebnis ist es nicht möglich, den Kontakt zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat mit einem leitenden Film ausreichend zu erhöhen.
Zur Lösung der vorstehend genannten Probleme des Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das in dem Patentdokument 2 offenbart ist, hat der vorliegende Anmelder in dem Patentdokument 3 ein Substrat mit einem leitenden Film für einen EUV-Maskenrohling vorgeschlagen, wobei der leitende Film Chrom (Cr) und Stickstoff (N) enthält, die durchschnittliche Konzentration von N in dem leitenden Film mindestens 0,1 At% und weniger als 40 At% beträgt, der Kristallzustand von mindestens einer Oberfläche des leitenden Films amorph ist, der Flächenwiderstand des leitenden Films höchstens 27 Ω/☐ beträgt und die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films höchstens 0,5 nm beträgt. Ferner schlägt der vorliegende Anmelder einen EUV-Maskenrohling, der durch die Verwendung des Substrats mit einem leitenden Film hergestellt werden soll, ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm für den Maskenrohling und eine Reflexionsmaske vor, die unter Verwendung des Maskenrohlings hergestellt wird.
Bei dem Substrat mit einem leitenden Film, das in dem Patentdokument 3 beschrieben ist, ist die Oberflächenrauhigkeit einer Oberfläche des leitenden Films gering, was den Kontakt mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert. Ferner ist der Flächenwiderstand des leitenden Films niedrig, was die Klemmkraft durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung verbessert. Als Ergebnis wird dann, wenn das Substrat mit einem leitenden Film an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert wird und zur Erzeugung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert. Wenn der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert wird, wird die Erzeugung von Teilchen durch einen Abrieb mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verhindert.
Wie es vorstehend beschrieben worden ist, wird ein EUV-Maskenrohling durch Bilden dünner Filme, wie z. B. einer Reflexionsschicht (Mehrschicht-Reflexionsfilm) und einer Absorberschicht auf einem Substrat hergestellt. Wenn die dünnen Filme auf dem Substrat gebildet werden, kann in manchen Fällen auf dem Film nach der Bildung eine Filmspannung (d. h. eine Druckspannung oder eine Zugspannung) erzeugt werden. Die Ausübung einer solchen Filmspannung kann eine Verformung des Substrats verursachen. Da als Substrat für einen EUV-Maskenrohling üblicherweise ein Substrat verwendet wird, das aus einem Glas mit geringer Ausdehnung hergestellt ist, ist die Verformung des Substrats, die durch das Ausüben einer Filmspannung verursacht wird, gering und wurde nicht als Problem erkannt.
Aufgrund der Anforderungen bezüglich einer Miniaturisierung der Struktur wird jedoch eine geringe Verformung des Substrats (d. h., eine Verformung des Substrats, die durch das Ausüben einer Filmspannung verursacht wird), die nicht als Problem erkannt worden ist, problematisch. Beispielsweise in einem Fall, bei dem eine Verformung mit einem bestimmten Ausmaß oder größer auf einem Substrat für einen EUV-Maskenrohling vorliegt, insbesondere in einem Fall eines Substrats mit 152 mm im Quadrat, das üblicherweise zur Erzeugung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, kann dann, wenn das Verziehen des Substrats 0,8 μm übersteigt, die Genauigkeit der Position der Struktur zum Zeitpunkt des Strukturierens des EUV-Maskenrohlings vermindert sein. Wenn ferner ein Verziehen mit einem solchen Ausmaß auftritt, kann bzw. können eine Strukturpositionslücke oder Strukturdefekte zum Zeitpunkt der Strukturübertragung unter Verwendung einer Reflexionsmaske auftreten, die aus einem solchen EUV-Maskenrohling hergestellt worden ist.
DOKUMENTE DES STANDES DER TECHNIK
PATENTDOKUMENTE

Patentdokument 1: JP-A-2003-501823
Patentdokument 2: JP-A-2005-210093
Patentdokument 3: JP-A1-2008-072706

OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
Zur Lösung der vorstehend genannten Probleme des Standes der Technik ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Substrat mit einem leitenden Film für einen EUV-Maskenrohling bereitzustellen, das einen leitenden Film mit einem niedrigen Flächenwiderstand, einer hervorragenden Oberflächenglätte und einem hervorragenden Kontakt mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung aufweist, und bei dem eine Verformung des Substrats durch eine Filmspannung in einem EUV-Maskenrohling unterdrückt werden kann.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm für einen EUV-Maskenrohling unter Verwendung des Substrats mit einem leitenden Film, und die Bereitstellung eines EUV-Maskenrohlings.
LÖSUNG DES PROBLEMS
Zum Lösen der vorstehend genannten Aufgaben stellt die vorliegende Erfindung ein Substrat mit einem leitenden Film bereit, das zur Herstellung eines Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie verwendet werden soll, und das einen auf einem Substrat ausgebildeten leitenden Film umfasst,
wobei der leitende Film mindestens zwei Schichten aus einer Schicht (untere Schicht), die auf der Substratseite ausgebildet ist, und einer Schicht (obere Schicht), die auf der unteren Schicht ausgebildet ist, aufweist, und
die untere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Sauerstoff (O) und Wasserstoff (H) enthält, und die obere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Stickstoff (N) und Wasserstoff (H) enthält.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass in der unteren Schicht des leitenden Films der Gesamtgehalt von Cr und O von 85 bis 99,9 Atom-% (nachstehend wird Atom-% als At% bezeichnet) beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Ferner ist es bevorzugt, dass das Zusammensetzungsverhältnis (Atomverhältnis) von Cr zu O in der unteren Schicht des leitenden Films Cr:O = 9:1 bis 3:7 beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass in der oberen Schicht des leitenden Films der Gesamtgehalt von Cr und N von 85 bis 99,9 At% beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Ferner ist es bevorzugt, dass das Zusammensetzungsverhältnis (Atomverhältnis) von Cr zu N in der oberen Schicht des leitenden Films Cr:N = 9,5:0,5 bis 3:7 beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Filmdicke der unteren Schicht des leitenden Films von 1 bis 30 nm beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Filmdicke der oberen Schicht des leitenden Films von 50 bis 300 nm beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Flächenwiderstand des leitenden Films höchstens 20 Ω/☐ beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der leitende Film eine Druckspannung von 300 MPa bis 900 MPa aufweist.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die untere Schicht des leitenden Films in einem amorphen Zustand vorliegt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die obere Schicht des leitenden Films in einem amorphen Zustand vorliegt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films höchstens 0,5 nm beträgt.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die untere Schicht des leitenden Films durch ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre, die ein Inertgas, das mindestens ein Mitglied umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus Helium (He), Argon (Ar), Neon (Ne), Krypton (Kr) und Xenon (Xe) ausgewählt ist, und Sauerstoff (O₂) und Wasserstoff (H₂) enthält, bei einer Atmosphärentemperatur während des Sputterns von 60 bis 120°C gebildet wird.
In dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die obere Schicht des leitenden Films durch ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre, die ein Inertgas, das mindestens ein Mitglied umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus Helium (He), Argon (Ar), Neon (Ne), Krypton (Kr) und Xenon (Xe) ausgewählt ist, und Stickstoff (N₂) und Wasserstoff (H₂) enthält, bei einer Atmosphärentemperatur während des Sputterns von 60 bis 120°C gebildet wird.
Die vorliegende Erfindung stellt ferner ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm für einen Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie bereit, wobei es sich um das Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung handelt, das ferner einen Mehrschicht-Reflexionsfilm umfasst, der auf einer Oberfläche des Substrats gegenüber einer Oberfläche ausgebildet ist, auf welcher der leitende Film ausgebildet ist (in dieser Beschreibung wird dieses nachstehend als „das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung” bezeichnet).
Das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise derart, dass der Verzug des Substrats höchstens 0,8 μm beträgt.
Die vorliegende Erfindung stellt ferner einen Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie bereit, bei dem es sich um das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung handelt, das ferner eine auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm ausgebildete Absorberschicht umfasst (in dieser Beschreibung wird dieser nachstehend als „der EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung” bezeichnet).
Der Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise derart, dass der Verzug des Substrats höchstens 0,8 μm beträgt.
Die vorliegende Erfindung stellt ferner eine Reflexionsmaske für eine EUV-Lithographie bereit, die durch Strukturieren des EUV-Maskenrohlings der vorliegenden Erfindung erzeugt wird (in dieser Beschreibung wird diese nachstehend als „die EUV-Maske der vorliegenden Erfindung” bezeichnet).
In dieser Beschreibung wird „bis”, das verwendet wird, um den Bereich der Zahlenwerte zu zeigen, so verwendet, dass es die Zahlenwerte davor und danach als den unteren Grenzwert und den oberen Grenzwert umfasst und das Gleiche gilt nachstehend, falls nichts anderes angegeben ist.
VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Durch die Verwendung des Substrats mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung kann eine Verformung des Substrats durch eine Filmspannung in einem EUV-Maskenrohling unterdrückt werden.
Ferner ist es bei dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung, das einen leitenden Film mit einer Zweischichtstruktur aufweist, der eine obere Schicht, die vorwiegend zur Verminderung des Widerstands des leitenden Films beiträgt, und eine untere Schicht aufweist, die vorwiegend zu einer Verbesserung der Haftung an dem Substrat beiträgt, während der Flächenwiderstand des leitenden Films niedrig gemacht wird, weniger wahrscheinlich, dass ein Ablösen des leitenden Films von dem Substrat auftritt, wodurch das Auftreten von Defekten unterdrückt werden kann.
Ferner ist bei dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung die Oberflächenrauhigkeit einer Oberfläche des leitenden Films gering, was den Kontakt mit einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert. Ferner ist der Flächenwiderstand des leitenden Films niedrig, was die Klemmkraft durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung verbessert. Als Ergebnis wird dann, wenn das Substrat mit einem leitenden Film an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert und zur Erzeugung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, dessen Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert. Wenn der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert wird, wird die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat verhindert.
Ferner wird dann, wenn jede Schicht (insbesondere die obere Schicht), die den leitenden Film bildet, in einem amorphen Zustand vorliegt, der leitende Film kaum oxidiert und die Veränderung der Spannung in dem leitenden Film ist im Zeitverlauf gering. Als Ergebnis wird erwartet, dass eine Verschlechterung der Strukturgenauigkeit unterdrückt wird und die Lebensdauer der erzeugten Maske erhöht wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine schematische Ansicht, die ein Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist eine schematische Ansicht, die ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung zeigt.
3 ist eine schematische Ansicht, die einen EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung zeigt.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine schematische Ansicht, die ein Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung zeigt. In der 1 weist das Substrat 1 zur Filmbildung eine Oberfläche auf, auf der ein leitender Film 2 ausgebildet ist. Zum Zeitpunkt des Bildens eines Mehrschicht-Reflexionsfilms und einer Absorberschicht auf dem Substrat 1 wird das Substrat 1 über den leitenden Film 2 an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert. Wie es später beschrieben ist, werden der Mehrschicht-Reflexionsfilm und die Absorberschicht auf einer Seite (Filmbildungsseite) des Substrats 1 gebildet, die einer Oberfläche, auf welcher der leitende Film 2 gebildet wird, gegenüber liegt. Kurz gesagt ist der leitende Film 2 ein leitender Rückseitenfilm, der auf einer Rückseite des Substrats 1 bezogen auf die Filmbildungsoberfläche ausgebildet ist.
Wie es in der 1 gezeigt ist, weist der leitende Film 2 eine Zweischichtstruktur aus einer unteren Schicht 21, die auf der Seite des Substrats 1 ausgebildet ist, und einer oberen Schicht 22 auf, die auf der unteren Schicht 21 ausgebildet ist.
In dem leitenden Film 2, der eine Zweischichtstruktur aufweist, weist die obere Schicht 22 die Funktion auf, den Widerstand des gesamten leitenden Films 2 zu vermindern. Andererseits weist die untere Schicht 21 eine Funktion als haftungsverbessernde Schicht zur Verbesserung der Haftung zwischen dem Substrat 1 und dem leitenden Film 2 auf. Durch eine solche Struktur, während der Flächenwiderstand des leitenden Films 2 niedrig gemacht wird, ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Ablösen des leitenden Films von dem Substrat stattfindet, wodurch das Auftreten von Defekten vermindert werden kann.
Um die vorstehend genannte Funktion zu erreichen, muss die untere Schicht 21 des leitenden Films 2 eine hervorragende Haftung an dem Substrat 1 aufweisen.
Ferner muss die untere Schicht 21, die einen Teil des leitenden Films 2 bildet, eine Dielektrizitätskonstante und eine Leitfähigkeit aufweisen, die höher sind als diejenigen des Materials des Substrats 1.
Um ferner die Glätte auf der Oberfläche der unteren Schicht 21 zu verbessern, liegt die untere Schicht vorzugsweise in einem amorphen Zustand vor. Wenn die Glätte der Oberfläche der unteren Schicht 21 verbessert wird, wird auch die Glätte der Oberfläche der oberen Schicht 22, die auf der unteren Schicht 21 ausgebildet ist, verbessert, wodurch eine Verbesserung der Glätte der Oberfläche des leitenden Films 2 erwartet wird.
In dieser Beschreibung steht „in einem amorphen Zustand” nicht nur für einen Zustand einer amorphen Struktur, die keinerlei Kristallstruktur aufweist, sondern auch für einen Zustand einer Mikrokristallstruktur.
Ob die untere Schicht 21 in einem amorphen Zustand vorliegt, d. h. in einem Zustand einer amorphen Struktur oder Mikrokristallstruktur, kann durch ein Röntgenbeugungs(XRD)-Verfahren bestätigt werden. Wenn die untere Schicht 21 eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur aufweist, wird bei den Beugungspeaks, die durch die XRD-Messung erhalten worden sind, kein scharfer Peak festgestellt.
Um dem Vorstehenden zu genügen, enthält die untere Schicht 21 Chrom (Cr), Sauerstoff (O) und Wasserstoff (H).
Es ist bevorzugt, dass in der unteren Schicht 21 der Gesamtgehalt von Cr und O von 85 bis 99,9 At% beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Wenn der Gehalt von H in der unteren Schicht 21 weniger als 0,1 At% beträgt, wird die untere Schicht 21 nicht in einem amorphen Zustand vorliegen, wodurch die Glätte der Oberfläche der unteren Schicht 21 vermindert wird, wodurch die Oberflächenrauhigkeit groß sein kann. Andererseits wird auch in einem Fall, bei dem der H-Gehalt höher als 15 At% ist, die untere Schicht 21 nicht in einem amorphen Zustand vorliegen und die Glätte der Oberfläche der unteren Schicht 21 wird vermindert, wodurch die Oberflächenrauhigkeit groß sein kann. Ferner kann die Oberflächenrauhigkeit groß sein, wenn der Gesamtgehalt von Cr und O in der unteren Schicht 21 weniger als 85 At% beträgt.
In der unteren Schicht 21 beträgt das Zusammensetzungsverhältnis von Cr und O vorzugsweise Cr:O = 9:1 bis 3:7.
Wenn die Menge von Cr größer ist als das vorstehend genannte Zusammensetzungsverhältnis, wird die Spannung keine Druckspannung sein, und kein geeigneter Verzug wird realisiert, und wenn andererseits mehr O als das vorstehend genannte Zusammensetzungsverhältnis vorliegt, können Defekte zunehmen.
In der unteren Schicht 21 beträgt der Gehalt von H mehr bevorzugt von 0,1 bis 13 At%, noch mehr bevorzugt von 0,1 bis 10 At%, besonders bevorzugt von 0,1 bis 8 At%. Ferner beträgt der Gesamtgehalt von Cr und O mehr bevorzugt von 87 bis 99,9 At%, noch mehr bevorzugt von 90 bis 99,9 At%, besonders bevorzugt von 92 bis 99,9 At%. Ferner beträgt das Zusammensetzungsverhältnis von Cr zu O vorzugsweise 9:1 bis 2,5:7,5, mehr bevorzugt von 8,5:1,5 bis 2,5:7,5, besonders bevorzugt von 8:2 bis 2,5:7,5.
Dadurch, dass die untere Schicht 21 den vorstehend genannten Aufbau aufweist, liegt die untere Schicht 21 in einem amorphen Zustand vor und deren Oberfläche weist eine hervorragende Glätte auf.
Bezüglich der Glätte beträgt die Oberflächenrauhigkeit (rms) der unteren Schicht 21 vorzugsweise höchstens 0,5 nm. Wenn die Oberflächenrauhigkeit (rms) der unteren Schicht 21 höchstens 0,5 nm beträgt, ist die Oberfläche der unteren Schicht 21 ausreichend glatt und demgemäß wird erwartet, dass die Oberflächenrauhigkeit (rms) der oberen Schicht 22, die auf der unteren Schicht 21 ausgebildet ist, ebenfalls höchstens 0,5 nm beträgt. Die Oberflächenrauhigkeit der unteren Schicht 21 kann unter Verwendung eines Rasterkraftmikroskops gemessen werden.
Die Oberflächenrauhigkeit (rms) der unteren Schicht 21 beträgt mehr bevorzugt höchstens 0,4 nm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,3 nm.
Die Filmdicke der unteren Schicht 21 beträgt vorzugsweise von 1 bis 30 nm. Wenn die Filmdicke der unteren Schicht 21 weniger als 1 nm beträgt, wird die Haftkraft der unteren Schicht 21 an dem Substrat 1 vermindert, wodurch der leitende Film 2 abgelöst werden kann. Wenn die Filmdicke der unteren Schicht 21 andererseits größer als 30 nm ist, kann der Flächenwiderstand des leitenden Films 2 gegebenenfalls hoch sein. Ferner kann die obere Schicht 22, die auf der unteren Schicht 21 ausgebildet werden soll, gegebenenfalls nicht in einem amorphen Zustand vorliegen.
Die Filmdicke der unteren Schicht 21 beträgt mehr bevorzugt von 2 bis 28 nm, noch mehr bevorzugt von 2 bis 20 nm.
Um die vorstehend beschriebene Funktion zu erreichen, muss die obere Schicht 22 des leitenden Films 2 eine Dielektrizitätskonstante und eine Leitfähigkeit aufweisen, die höher sind als diejenigen des Materials des Substrats 1.
Um ferner die Glätte der Oberfläche der oberen Schicht 22, welche die Oberfläche des leitenden Films 2 bildet, zu verbessern, liegt die obere Schicht 22 vorzugsweise in einem amorphen Zustand vor.
Dabei muss die Oberfläche des leitenden Films 2 eine hervorragende Glätte aufweisen, da dies zur Verhinderung des Erzeugens von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 günstig ist, wenn das Substrat mit einem leitenden Film durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung geklemmt wird.
Ferner weist die Oberfläche der oberen Schicht 22, welche die Oberfläche des leitenden Films 2 bildet, aus dem folgenden Grund vorzugsweise eine große Oberflächenhärte auf.
Die Oberfläche des leitenden Films 2 muss eine große Oberflächenhärte aufweisen, da dies bevorzugt ist, wenn das Substrat mit einem leitenden Film an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert und zur Erzeugung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, um die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film zu verhindern.
Ferner ist es, wie es nachstehend beschrieben ist, zum Erhalten eines leitenden Films 2 mit einer Druckspannung von 300 bis 900 MPa bevorzugt, dass die obere Schicht 22 eine Druckspannung aufweist. Um den Widerstand des gesamten leitenden Films 2 niedrig zu machen, ist in dem leitenden Film 2 mit einer Zweischichtstruktur die obere Schicht 22 dicker als die untere Schicht 21. Demgemäß weist die obere Schicht 22 vorzugsweise eine Druckspannung auf, da, weil sie dicker ist als die untere Schicht 21, es einfach ist, die Filmspannung des (gesamten) leitenden Films 2 so einzustellen, dass es sich um eine Druckspannung handelt.
Um dem Vorstehenden zu genügen, enthält die obere Schicht 22 Chrom (Cr), Stickstoff (N) und Wasserstoff (H).
Es ist bevorzugt, dass in der oberen Schicht 22 der Gesamtgehalt von Cr und N von 85 bis 99,9 At% beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Wenn der Gehalt von H weniger als 0,1 At% beträgt, wird die obere Schicht 22 nicht in einem amorphen Zustand vorliegen, und die Glätte der Oberfläche der oberen Schicht 22, welche die Oberfläche des leitenden Films 2 bildet, wird vermindert, wodurch die Oberflächenrauhigkeit groß sein kann. Wenn ferner der Gesamtgehalt von Cr und N in der oberen Schicht 22 weniger als 85 At% beträgt, kann die Oberflächenrauhigkeit groß sein.
Andererseits wird auch in einem Fall, bei dem der Gehalt von H höher als 15 At% ist, die obere Schicht 22 nicht in einem amorphen Zustand vorliegen und die Glätte der Oberfläche der oberen Schicht 22, welche die Oberfläche des leitenden Films 2 bildet, wird vermindert, wodurch die Oberflächenrauhigkeit groß sein kann.
Ferner ist es bevorzugt, dass in der oberen Schicht 22 das Zusammensetzungsverhältnis von Cr zu N vorzugsweise Cr:N = 9,5:0,5 bis 3:7 beträgt. Wenn die Menge von Cr größer ist als das vorstehend genannte Zusammensetzungsverhältnis, wird die Spannung keine Druckspannung sein und es wird kein geeigneter Verzug realisiert, und wenn andererseits die Menge von N größer ist als das vorstehend genannte Zusammensetzungsverhältnis, können Defekte zunehmen.
Der Gehalt von H in der oberen Schicht 22 beträgt mehr bevorzugt von 0,1 bis 13 At%, mehr bevorzugt von 0,1 bis 10 At%, besonders bevorzugt von 0,1 bis 8 At%. Ferner beträgt der Gesamtgehalt von Cr und N mehr bevorzugt von 87 bis 99,9 At%, noch mehr bevorzugt von 90 bis 99,9 At%, besonders bevorzugt von 92 bis 99,9 At%. Ferner beträgt das Zusammensetzungsverhältnis von Cr zu N im Hinblick auf die Unterdrückung von Defekten zum Zeitpunkt der Filmbildung vorzugsweise von 9,5:0,5 bis 6:4, mehr bevorzugt von 9,5:0,5 bis 6,5:3,5, besonders bevorzugt von 9,5:0,5 bis 7:3.
Dadurch, dass die obere Schicht 22 den vorstehend genannten Aufbau aufweist, liegt die obere Schicht 22 in einem amorphen Zustand vor und deren Oberfläche weist eine hervorragende Glätte auf. Der amorphe Zustand der oberen Schicht 22 kann durch ein XRD-Verfahren (Röntgenbeugungsverfahren) bestätigt werden. Wenn die obere Schicht 22 in einem amorphen Zustand vorliegt, wird bei den Beugungspeaks, die durch die XRD-Messung erhalten worden sind, kein scharfer Peak festgestellt.
Bezüglich der Glätte beträgt die Oberflächenrauhigkeit (rms) der oberen Schicht 22 vorzugsweise höchstens 0,5 nm. Wenn die Oberflächenrauhigkeit (rms) der oberen Schicht 22, welche die Oberfläche des leitenden Films 2 bildet, höchstens 0,5 nm beträgt, wird der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert, wodurch die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 verhindert wird. Die Oberflächenrauhigkeit der oberen Schicht 22 kann durch ein Rasterkraftmikroskop gemessen werden.
Die Oberflächenrauhigkeit (rms) der oberen Schicht 22 beträgt mehr bevorzugt höchstens 0,4 nm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,3 nm.
Die Filmdicke der oberen Schicht 22 beträgt vorzugsweise von 50 bis 300 nm. Wenn die Filmdicke der oberen Schicht 22, welche die Funktion hat, den Widerstand des gesamten leitenden Films 2 zu senken, weniger als 50 nm beträgt, kann der Flächenwiderstand des leitenden Films 2 gegebenenfalls nicht niedrig gemacht werden. Wenn andererseits die Filmdicke der oberen Schicht 22 größer als 300 nm ist, wird die Zunahme der Filmdicke nicht länger zur Verbesserung der Funktion der oberen Schicht 22 beitragen und die Zeit, die zur Bildung der oberen Schicht 22 erforderlich ist, wird zunehmen, was folglich zu einer Zunahme der Kosten für die Bildung der oberen Schicht 22 und folglich des leitenden Films 2 führt. Da ferner die Filmdicke der oberen Schicht 22 und folglich des leitenden Films 2 größer als erforderlich ist, ist es wahrscheinlich, dass ein Ablösen stattfindet.
Die Filmdicke der oberen Schicht 22 beträgt mehr bevorzugt von 100 bis 250 nm, mehr bevorzugt von 150 bis 220 nm.
In der unteren Schicht 21 und der oberen Schicht 22, die den leitenden Film 2 bilden, ist der Gehalt der Komponenten, die Verunreinigungen sind (in dem Fall der unteren Schicht 21 Komponenten, die von Cr, O und H verschieden sind, und in dem Fall der oberen Schicht 22 Komponenten, die von Cr, N und H verschieden sind), vorzugsweise niedrig und es ist mehr bevorzugt, dass im Wesentlichen keine derartigen Komponenten enthalten sind, da solche Komponenten die nachstehend genannten Eigenschaften beeinträchtigen können, die für den leitenden Film 2 erforderlich sind, insbesondere die Filmspannungseigenschaften des leitenden Films 2. Wenn die Komponenten, die Verunreinigungen sind, enthalten sind, beträgt deren Gehalt im Hinblick auf die Einstellung bzw. Kontrolle der Druckspannung vorzugsweise höchstens 3%.
Die untere Schicht 21 und die obere Schicht 22 des leitenden Films 2 können durch ein bekanntes Filmabscheidungsverfahren gebildet werden, wie z. B. ein Sputterverfahren, wie z. B. ein Magnetronsputterverfahren oder ein Ionenstrahlsputterverfahren. In einem Fall, bei dem die untere Schicht 21 und die obere Schicht 22 durch ein Sputterverfahren gebildet werden, wird ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre durchgeführt, die ein Inertgas, das mindestens ein Mitglied umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus Helium (He), Argon (Ar), Neon (Ne), Krypton (Kr) und Xenon (Xe) ausgewählt ist, eines von Sauerstoff (O₂) und Stickstoff (N₂), und Wasserstoff (H₂) enthält. In einem Fall, bei dem ein Magnetronsputterverfahren eingesetzt wird, wird dieses unter den folgenden Abscheidungsbedingungen durchgeführt.
[Abscheidungsbedingungen für die untere Schicht 21]

Sputtergas: Ein Mischgas aus Ar, O₂ und H₂ (H₂-Gaskonzentration: 1 bis 50 Vol.-%, vorzugsweise 1 bis 30 Vol.-%, O₂-Gaskonzentration: 1 bis 80 Vol.-%, vorzugsweise 5 bis 75 Vol.-%, Ar-Gaskonzentration: 5 bis 95 Vol.-%, vorzugsweise 10 bis 94 Vol.-%, Gasdruck: 1,0 × 10^–1 Pa bis 50 × 10^–1 Pa, vorzugsweise 1,0 × 10^–1 Pa bis 40 × 10^–1 Pa, mehr bevorzugt 1,0 × 10^–1 Pa bis 30 × 10^–1 Pa).
Eingangsleistung: 30 bis 3000 W, vorzugsweise 100 bis 3000 W, mehr bevorzugt 500 bis 3000 W.
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,5 bis 60 nm/min, vorzugsweise 1,0 bis 45 nm/min, mehr bevorzugt 1,5 bis 30 nm/min.

[Abscheidungsbedingungen für die obere Schicht 22]

Sputtergas: Ein Mischgas aus Ar, N₂ und H₂ (H₂-Gaskonzentration: 1 bis 50 Vol.-%, vorzugsweise 1 bis 30 Vol.-%, N₂-Gaskonzentration: 1 bis 80 Vol.-%, vorzugsweise 5 bis 75 Vol.-%, Ar-Gaskonzentration: 5 bis 95 Vol.-%, vorzugsweise 10 bis 94 Vol.-%, Gasdruck: 1,0 × 10^–1 Pa bis 50 × 10^–1 Pa, vorzugsweise 1,0 × 10^–1 Pa bis 40 × 10^–1 Pa, mehr bevorzugt 1,0 × 10^–1 Pa bis 30 × 10^–1 Pa).
Eingangsleistung: 30 bis 3000 W, vorzugsweise 100 bis 3000 W, mehr bevorzugt 500 bis 3000 W.
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,5 bis 60 nm/min, vorzugsweise 1,0 bis 45 nm/min, mehr bevorzugt 1,5 bis 30 nm/min.

In einem Fall, bei dem ein von Ar verschiedenes Inertgas verwendet wird, liegt die Konzentration des Inertgases vorzugsweise innerhalb des gleichen Konzentrationsbereichs wie die vorstehend genannte Konzentration des Ar-Gases. Ferner liegt in einem Fall, bei dem eine Mehrzahl von Inertgasen verwendet wird, die Gesamtkonzentration der Inertgase vorzugsweise innerhalb des gleichen Konzentrationsbereichs wie die vorstehend genannte Konzentration des Ar-Gases.
Dabei beträgt in jedem Fall der unteren Schicht 21 und der oberen Schicht 22 die Atmosphärentemperatur während des Sputterns vorzugsweise von 60 bis 120°C, wodurch ein Ablösen von Abscheidungen des Filmabscheidungsmaterials, das auf der Innenwand der Abscheidungsvorrichtung gebildet wird, unterdrückt wird, wodurch Defekte des zu bildenden leitenden Films 2 vermindert werden können.
In einem Fall, bei dem die untere Schicht 21 und die obere Schicht 22 durch das Sputterverfahren gebildet werden, kann zwischen diesen in manchen Fällen eine Diffusionsschicht gebildet werden. Selbst der Film, der eine solche ausgebildete Diffusionsschicht aufweist, ist der leitende Film 2 mit einer Zweischichtstruktur in der vorliegenden Erfindung (d. h. der leitende Film 2, der die untere Schicht 21 und die obere Schicht 22 aufweist).
Ferner kann der leitende Film 2 in der vorliegenden Erfindung eine Schicht aufweisen, die von der unteren Schicht 21 und der oberen Schicht 22 verschieden ist.
Bei dem leitenden Film 2 beträgt der Schichtwiderstand vorzugsweise höchstens 20 Ω/☐. Wenn der Schichtwiderstand des leitenden Films 2 höchstens 20 Ω/☐ beträgt, wird die Klemmkraft durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung erhöht, wodurch der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert wird. Als Ergebnis wird die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 verhindert.
Der Schichtwiderstand des leitenden Films 2 beträgt mehr bevorzugt höchstens 15 Ω/☐], noch mehr bevorzugt höchstens 10 Ω/☐.
Der leitende Film 2 weist vorzugsweise eine Druckspannung von 300 MPa bis 900 MPa auf.
Wie es vorstehend bezüglich des EUV-Maskenrohlings beschrieben worden ist, wird die Verformung des Substrats durch die Filmspannung, die in dünnen Filmen (d. h., der Reflexionsschicht und der Absorberschicht), die auf dem Substrat ausgebildet sind, erzeugt wird, problematisch. Die Filmspannung, die auf der Filmbildungsoberflächenseite des Substrats erzeugt wird, variiert abhängig von der Zusammensetzung und der Filmdicke für jeden Film und den Abscheidungsbedingungen für den Film, und in dem Fall des leitenden Films 2, wenn dieser eine Druckspannung von 300 MPa bis 900 MPa aufweist, heben sich die Spannung, die auf der Filmbildungsoberflächenseite des Substrats erzeugt wird, und die Spannung, die auf der Rückseite des Substrats erzeugt wird, gegeneinander auf, und als Ergebnis kann eine Verformung des Substrats, die durch das Ausüben einer Spannung erzeugt wird, unterdrückt werden. Insbesondere kann in dem Fall eines Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, bei dem ein rechteckiges Substrat innerhalb eines Bereichs von 150 mm bis 154 mm verwendet wird, einschließlich ein Substrat mit 152 mm im Quadrat, das üblicherweise zur Erzeugung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, und eines Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie, bei dem es sich um das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm handelt, das ferner eine Absorberschicht aufweist, die auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm ausgebildet ist, der Verzug des Substrats, der durch das Ausüben einer Spannung erzeugt wird, so unterdrückt werden, dass er höchstens 0,8 μm, mehr bevorzugt höchstens 0,7 μm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,6 μm beträgt.
Daher ist die Möglichkeit einer Verminderung der Genauigkeit der Position der Struktur zum Zeitpunkt des Strukturierens des EUV-Maskenrohlings vermindert. Ferner wird bzw. werden eine Strukturpositionslücke oder Strukturdefekte zum Zeitpunkt der Übertragung der Struktur unter Verwendung einer Reflexionsmaske, die aus dem EUV-Maskenrohling hergestellt worden ist, nicht auftreten. Dabei wird der Verzug des Substrats durch Messen der Form durch ein Laserinterferometer und, auf der Basis einer angenommenen Ebene, die durch die Methode der kleinsten Fehlerquadrate aus allen Daten berechnet worden ist, auf der Substratoberfläche in einem gemessenen Bereich als Standardoberfläche, Berechnen der Differenz zwischen dem positiven Maximalwert und dem negativen Minimalwert in dem gemessenen Bereich erhalten.
In dem Schritt des Erzeugens eines EUV-Maskenrohlings wird eine Filmspannung nur auf der Rückseite des Substrats erzeugt, wobei jedoch auf dieser Stufe, da das Substrat durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung geklemmt wird, das Substrat durch das Ausüben der Filmspannung nicht verformt wird.
Wie es für die obere Schicht 22 offenbart worden ist, beträgt die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2 vorzugsweise höchstens 0,5 nm. Wenn die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2 höchstens 0,5 nm beträgt, wird der Kontakt mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert, wodurch die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 verhindert wird.
Die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2 beträgt mehr bevorzugt höchstens 0,4 nm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,3 nm.
Der leitende Film 2 weist vorzugsweise eine Oberflächenhärte von mindestens 12 GPa auf. Wenn die Oberflächenhärte des leitenden Films 2 mindestens 12 GPa beträgt, wird der leitende Film 2 eine hervorragende Oberflächenhärte aufweisen, und er weist einen hervorragenden Effekt dahingehend auf, dass dann, wenn das Substrat mit einem leitenden Film an einer elektrischen Aufspannvorrichtung fixiert wird und zur Erzeugung einer EUV-Maske verwendet wird, die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film verhindert wird. Dabei ist das Verfahren zum Messen der Oberflächenhärte des leitenden Films 2 nicht speziell beschränkt und ein bekanntes Verfahren, insbesondere z. B. eine Vickers-Härteprüfung, eine Rockwell-Härteprüfung, eine Brinell-Härteprüfung oder eine Nanoeindrückprüfung, kann eingesetzt werden. Von diesen wird die Nanoeindrückprüfung zur Messung der Oberflächenhärte eines Dünnfilms verbreitet verwendet.
Bei dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung muss das Substrat 1 für eine Filmbildung den Eigenschaften genügen, die ein Substrat eines EUV-Maskenrohlings aufweisen soll. Demgemäß muss das Substrat 1 einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen und insbesondere muss es einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 0 ± 0,05 × 10^–7/°C, besonders bevorzugt 0 ± 0,03 × 10^–7/°C, bei 20°C aufweisen. Ferner weist das Substrat vorzugsweise eine hervorragende Glätte, Ebenheit und Beständigkeit bezüglich einer Reinigungsflüssigkeit auf, die zum Reinigen des Maskenrohlings oder der Photomaske nach dem Strukturieren verwendet wird.
Als Substrat 1 kann insbesondere ein Glas mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, wie z. B. ein SiO₂-TiO₂-Glas, verwendet werden. Es ist jedoch nicht auf ein solches Glas beschränkt und ein Substrat von kristallisiertem Glas mit einer ausgeschiedenen festen Lösung von β-Quarz, Quarzglas, Silizium, ein Metall oder dergleichen kann eingesetzt werden.
Das Substrat 1 weist vorzugsweise eine glatte Oberfläche mit einer Oberflächenrauhigkeit (rms) von höchstens 0,15 nm und einer Ebenheit von höchstens 100 nm auf, um ein hohes Reflexionsvermögen und eine hohe Übertragungsgenauigkeit in einer Photomaske nach dem Strukturieren zu erhalten.
Die Größe, die Dicke, usw., des Substrats 11 werden abhängig von den Gestaltungswerten der Maske in geeigneter Weise festgelegt. In den später beschriebenen Beispielen wurde ein SiO₂-TiO₂-Glas mit Außenabmessungen von etwa 6 Zoll (152 mm) im Quadrat und einer Dicke von etwa 0,25 Zoll (6,3 mm) verwendet.
Nun wird das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die 2 ist eine schematische Ansicht, die ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung zeigt. Wie es in der 2 gezeigt ist, ist ein Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 auf einer Oberfläche eines Substrats 1 ausgebildet, die einer Oberfläche, auf der ein leitender Film 2 ausgebildet ist, gegenüber liegt. Dabei sind das Substrat 1 und der leitende Film 2 derart, wie es in der 1 gezeigt ist (das Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung). Das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung kann durch Fixieren des Substrats mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung auf einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung und Bilden des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3 auf einer Filmbildungsoberfläche des Substrats 1 durch die Verwendung eines Sputterverfahrens, wie z. B. eines Magnetronsputterverfahrens oder eines Ionenstrahlsputterverfahrens, erhalten werden.
Der Mehrschicht-Reflexionsfilm 3, der auf dem Substrat 1 ausgebildet werden soll, ist nicht speziell beschränkt, solange er gewünschte Eigenschaften als eine Reflexionsschicht eines EUV-Maskenrohlings aufweist. Dabei ist die Eigenschaft, die für den Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 insbesondere erforderlich ist, ein hohes EUV-Licht-Reflexionsvermögen.
Insbesondere wenn die Oberfläche des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3 mit Licht in einem Wellenlängenbereich von EUV-Licht bei einem Einfallswinkel von 6 Grad bestrahlt wird, beträgt der maximale Wert des Lichtreflexionsvermögens bei einer Wellenlänge in der Umgebung von 13,5 nm vorzugsweise mindestens 60%, mehr bevorzugt mindestens 65%.
Der Mehrschicht-Reflexionsfilm 3, der den vorstehend genannten Eigenschaften genügt, kann z. B. ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm, der eine Mehrzahl von Si-Filmen und Mo-Filmen umfasst, die abwechselnd gestapelt bzw. schichtweise angeordnet sind, ein Be/Mo-Mehrschicht-Reflexionsfilm, der Be-Filme und Mo-Filme umfasst, die abwechselnd gestapelt bzw. schichtweise angeordnet sind, ein Si-Verbindung/Mo-Verbindung-Mehrschicht-Reflexionsfilm, der Si-Verbindung-Filme und Mo-Verbindung-Filme umfasst, die abwechselnd gestapelt bzw. schichtweise angeordnet sind, ein Si/Mo/Ru-Mehrschicht-Reflexionsfilm, der Si-Filme, Mo-Filme und Ru-Filme umfasst, die abwechselnd in dieser Reihenfolge gestapelt bzw. schichtweise angeordnet sind, oder ein Si/Ru/Mo/Ru-Mehrschicht-Reflexionsfilm, der Si-Filme, Ru-Filme, Mo-Filme und Ru-Filme umfasst, die abwechselnd in dieser Reihenfolge gestapelt bzw. schichtweise angeordnet sind, sein.
Das Verfahren zur Bildung des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3 auf der Filmbildungsoberfläche des Substrats 1 kann ein üblicherweise verwendetes Verfahren zur Bildung eines Mehrschicht-Reflexionsfilms unter Verwendung eines Sputterverfahrens sein. Beispielsweise ist es in einem Fall, bei dem ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm unter Verwendung eines Ionenstrahlsputterverfahrens gebildet wird, bevorzugt, dass ein Si-Film unter Verwendung eines Si-Targets als Target und Ar-Gas (Gasdruck: 1,3 × 10^–2 Pa bis 2,7 × 10^–2 Pa) als Sputtergas bei einer Ionenbeschleunigungsspannung von 300 bis 1500 V bei einer Filmabscheidungsgeschwindigkeit von 0,03 bis 0,30 nm/s abgeschieden wird, so dass er eine Dicke von 4,5 nm aufweist, und dass anschließend ein Mo-Film unter Verwendung eines Mo-Targets als Target und Ar-Gas (Gasdruck: 1,3 × 10^–2 Pa bis 2,7 × 10^–2 Pa) als Sputtergas bei einer Ionenbeschleunigungsspannung von 300 bis 1500 V bei einer Filmabscheidungsgeschwindigkeit von 0,03 bis 0,30 nm/s abgeschieden wird, so dass er eine Dicke von 2,3 nm aufweist. Wenn das vorstehend genannte Verfahren als ein Zyklus betrachtet wird, werden zur Bildung eines Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilms von 40 bis 50 Zyklen des Abscheidens eines Si-Films und eines Mo-Films durchgeführt. Wenn der Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 gebildet werden soll, wird die Filmabscheidung vorzugsweise durchgeführt, während das Substrat durch eine Rotationsvorrichtung rotieren gelassen wird, um eine einheitliche Filmdicke zu erreichen.
Um die Oxidation einer Oberfläche des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3 zu verhindern, ist in dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung die oberste Schicht des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3 vorzugsweise eine Schicht, die aus einem Material hergestellt ist, das kaum oxidiert werden kann. Die Schicht, die aus einem Material hergestellt ist, das kaum oxidiert werden kann, wirkt als Deckschicht des Mehrschicht-Reflexionsfilms 3. Als ein spezifisches Beispiel für die Schicht, die aus einem Material hergestellt ist, das kaum oxidiert werden kann, und die als Deckschicht wirkt, kann eine Si-Schicht genannt werden. Wenn der Mehrschicht-Reflexionsfilm ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm ist, ist es durch die Bereitstellung einer Si-Schicht als die oberste Schicht möglich, dass die oberste Schicht als Deckschicht wirkt. In diesem Fall beträgt die Filmdicke der Deckschicht vorzugsweise 11 ± 2 nm.
Da das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung das Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung nutzt, ist es zum Zeitpunkt, bei dem der Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wird, während das Substrat mit einem leitenden Film an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert ist, möglich, eine Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 zu verhindern. Demgemäß ist das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm dahingehend hervorragend, dass es extrem geringe Oberflächendefekte aufgrund von Teilchen aufweist.
Ferner heben sich in dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung die Spannung, die auf der Filmbildungsoberflächenseite des Substrats erzeugt wird, und die Spannung, die auf der Rückseite des Substrats erzeugt wird, gegeneinander auf, und als Ergebnis kann eine Verformung des Substrats, die durch Ausüben einer Spannung gebildet wird, unterdrückt werden. Insbesondere kann in dem Fall eines Substrats mit 152 mm im Quadrat, das üblicherweise zur Herstellung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, der Verzug des Substrats, der durch das Ausüben einer Spannung gebildet wird, so unterdrückt werden, dass er höchstens 0,8 μm, mehr bevorzugt höchstens 0,7 μm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,6 μm beträgt.
Da der Verzug des Substrats, der durch Ausüben einer Spannung gebildet wird, in der vorstehend beschriebenen Weise unterdrückt wird, kann zum Zeitpunkt des Erzeugens eines EUV-Maskenrohlings unter Verwendung des Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung ein Effekt zur Verbesserung der Filmbildungsgenauigkeit der auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm zu bildenden Absorberschicht erwartet werden.
Als nächstes wird der EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die 3 ist eine schematische Ansicht, die einen EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung zeigt. In der 3 ist eine Absorberschicht 4 auf einem Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 bereitgestellt. Dabei sind ein Substrat 1, ein leitender Film 2 und der Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 derart, wie es in der 2 gezeigt ist (das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung). Der EUV-Maskenrohling, der vorliegenden Erfindung kann durch Fixieren des Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung auf einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung und Bilden der Absorberschicht 4 auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 unter Verwendung eines Sputterverfahrens, wie z. B. eines Magnetronsputterverfahrens oder eines Ionenstrahlsputterverfahrens, erhalten werden.
In dem EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung kann ein Material der Absorberschicht 4, die auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 ausgebildet werden soll, z. B. ein Material mit einem hohen Extinktionskoeffizienten für EUV-Licht sein, insbesondere Cr, Ta, Pd oder ein Nitrid davon. Von diesen ist ein Material, das mindestens eines von Ta und Pd als die Hauptkomponente enthält, aus dem Grund bevorzugt, dass die Absorberschicht 4 dazu neigt, in einem amorphen Zustand vorzuliegen, die Absorberschicht 4 eine Oberfläche mit einer hervorragenden Glätte aufweisen wird und eine geringe Oberflächenrauhigkeit aufweisen wird. In dieser Beschreibung steht ein Material, das mindestens eines von Ta und Pd als die Hauptkomponente enthält, für ein Material, das mindestens 40 At%, vorzugsweise mindestens 50 At%, mehr bevorzugt mindestens 55 At% von mindestens einem von Ta und Pd enthält. Dabei kann das Material sowohl Ta als auch Pd enthalten und TaPd kann als Beispiel angegeben werden.
Das Material, das mindestens eines von Ta und Pd als die Hauptkomponente enthält und das für die Absorberschicht 4 verwendet werden soll, kann zusätzlich zu Ta oder Pd mindestens ein Element enthalten, das aus der Gruppe, bestehend aus Hf, Si, Zr, Ge, B, N und H, ausgewählt ist. Spezielle Beispiele für ein Material, welches das vorstehend genannte Element zusätzlich zu Ta oder Pd enthält, umfassen TaN, TaNH, PdN, PdNH, TaPdN, TaPdNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiH, TaBSiN, TaBSiNH, TaB, TaBH, TaBN, TaBNH, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr und TaZrN.
Die Dicke der Absorberschicht 4 beträgt vorzugsweise von 50 bis 100 nm. Das Verfahren zur Bildung der Absorberschicht 4 ist nicht speziell beschränkt, solange es ein Sputterverfahren ist, und es kann sich um ein Magnetronsputterverfahren oder ein Ionenstrahlsputterverfahren handeln.
Wenn eine TaN-Schicht als die Absorberschicht durch ein Ionenstrahlsputterverfahren gebildet wird, wird sie vorzugsweise so gebildet, dass sie eine Dicke von 50 bis 100 nm aufweist, und zwar unter Verwendung eines Ta-Targets als Target und von N₂-Gas (Gasdruck: 1,3 × 10^–2 Pa bis 2,7 × 10^–2 Pa) als Sputtergas bei einer Spannung von 300 bis 1500 V bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 0,01 bis 0,1 nm/s.
In dem Verfahren zur Bildung der Absorberschicht 4 unter Verwendung eines Sputterverfahrens wird die Filmabscheidung zum Erhalten eines einheitlichen Films vorzugsweise durchgeführt, während das Substrat 1 unter Verwendung einer Rotationsvorrichtung rotieren gelassen wird.
In dem EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung kann zwischen dem Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 und der Absorberschicht 4 eine Pufferschicht vorliegen.
Ein Material, das die Pufferschicht bildet, kann z. B. Cr, Al, Ru, Ta oder ein Nitrid davon, oder SiO₂, Si₃N₄ oder Al₂O₃ sein. Die Dicke der Pufferschicht beträgt vorzugsweise von 10 bis 60 nm.
Da der EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm der vorliegenden Erfindung nutzt, weist der Mehrschicht-Reflexionsfilm extrem wenig Oberflächendefekte aufgrund von Teilchen auf. Darüber hinaus ist es zum Zeitpunkt des Bildens der Absorberschicht, während das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm auf einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert ist, möglich, die Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem leitenden Film 2 zu verhindern. Demgemäß weist auch die Absorberschicht extrem wenig Oberflächendefekte aufgrund von Teilchen auf.
Durch Strukturieren eines solchen EUV-Maskenrohlings ist es möglich, eine EUV-Maske mit wenig Oberflächendefekten zu bilden. Durch die Verminderung der Anzahl von Defekten ist es möglich, eine Belichtung mit wenig Defekten durchzuführen und die Produktivität zu verbessern.
Ferner heben sich in dem EUV-Maskenrohling der vorliegenden Erfindung die Spannung, die auf der Filmbildungsoberflächenseite des Substrats erzeugt wird, und die Spannung, die auf der Rückseite des Substrats erzeugt wird, gegeneinander auf, und als Ergebnis kann eine Verformung des Substrats, die durch Ausüben einer Spannung gebildet wird, unterdrückt werden. Insbesondere kann in dem Fall eines Substrats mit 152 mm im Quadrat, das üblicherweise zur Herstellung eines EUV-Maskenrohlings verwendet wird, der Verzug des Substrats, der durch das Ausüben einer Spannung gebildet wird, so unterdrückt werden, dass er höchstens 0,8 μm, mehr bevorzugt höchstens 0,7 μm, noch mehr bevorzugt höchstens 0,6 μm beträgt. Demgemäß wird eine Verminderung der Genauigkeit der Position der Struktur zum Zeitpunkt des Strukturierens des EUV-Maskenrohlings vermindert. Ferner wird die Möglichkeit einer Strukturpositionslücke oder einer Bildung von Strukturdefekten zum Zeitpunkt der Strukturübertragung unter Verwendung einer Reflexionsmaske, die aus dem EUV-Maskenrohling hergestellt worden ist, vermindert.
BEISPIELE
Nun wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf Beispiele genauer beschrieben. Es sollte jedoch beachtet werden, dass die vorliegende Erfindung keinesfalls durch solche spezifische Beispiele beschränkt wird.
(Beispiel 1)
In diesem Beispiel wurde ein Substrat mit einem leitenden Film, das in der 1 gezeigt ist, hergestellt, d. h., ein Substrat mit einem leitenden Film, das ein Substrat 1 und, ausgebildet auf mindestens einer Oberfläche des Substrats 1, einen leitenden Film mit einer Zweischichtstruktur 2 (untere Schicht 21, obere Schicht 22) umfasst.
Ein Glassubstrat aus SiO₂-TiO₂-Glas (Außenabmessungen: 6 Zoll (152,4 mm) im Quadrat, Dicke: 6,3 mm) wurde als Substrat 1 zur Filmbildung verwendet. Dieses Glassubstrat weist einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 0,02 × 10^–7/°C (bei 20°C, diese Bedingung gilt auch nachstehend) und einen Young'schen Modul von 67 GPa auf. Dieses Glassubstrat wurde poliert, so dass es eine glatte Oberfläche mit einer Oberflächenrauhigkeit (rms) von höchstens 0,15 nm und eine Ebenheit von höchstens 100 nm aufweist.
[Bildung einer unteren Schicht 21]
Auf der Oberfläche des Substrats 1 wurde ein CrOH-Film als untere Schicht 21 unter Verwendung eines Magnetronsputterverfahrens abgeschieden. Insbesondere wurde, nachdem eine Abscheidungskammer bezüglich Luft auf höchstens 1 × 10^–4 Pa evakuiert worden ist, ein Magnetronsputtern unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre eines Mischgases aus Ar, O₂ und H₂ durchgeführt, so dass eine untere Schicht 21 (CrOH-Film) mit einer Dicke von 10 nm gebildet wurde. Die Abscheidungsbedingungen für die untere Schicht 21 (CrOH-Film) sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar, O₂ und H₂ (Ar: 29,1 Vol.-%, O₂: 70 Vol.-%, H₂: 0,9 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,23 nm/s
Filmdicke: 10 nm

[Zusammensetzungsanalyse der unteren Schicht 21 (CrOH-Film)]
Die Zusammensetzung der unteren Schicht 21 wurde unter Verwendung eines Röntgenphotoelektronenspektrometers (hergestellt von PERKIN-ELMER-PHI) und eines Rutherford-Rückstreuspektroskops (hergestellt von Kobe Steel, Ltd.) gemessen. Das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der unteren Schicht 21 war Cr:O:H = 71,8:27,9:0,3. Ferner betrug das Zusammensetzungsverhältnis (At%) von Cr zu O Cr:O = 2,4:1.
[Zustand der unteren Schicht 21]
Der Zustand der unteren Schicht 21 wurde durch ein Röntgendiffraktometer (von RIGAKU Corporation hergestellt) bestätigt. Da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt worden ist, wurde bestätigt, dass der Kristallzustand der unteren Schicht 21 eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war.
[Bildung der oberen Schicht 22]
Dann wurde auf der unteren Schicht 21 ein CrNH-Film als obere Schicht 22 durch ein Magnetronsputterverfahren abgeschieden. Insbesondere wurde, nachdem eine Abscheidungskammer bezüglich Luft auf höchstens 1 × 10^–4 Pa evakuiert worden ist, ein Magnetronsputtern unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre eines Mischgases aus Ar, N₂ und H₂ durchgeführt, so dass eine obere Schicht 22 (CrNH-Film) mit einer Dicke von 140 nm gebildet wurde. Die Abscheidungsbedingungen für die obere Schicht 22 (CrNH-Film) sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar, N₂ und H₂ (Ar: 58,2 Vol.-%, N₂: 40 Vol.-%, H₂: 1,8 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,18 nm/s
Filmdicke: 140 nm

[Zusammensetzungsanalyse der oberen Schicht 22 (CrNH-Film)]
Mit dem gleichen Verfahren wie für die untere Schicht 21 wurde die Zusammensetzung der oberen Schicht 22 durch ein Röntgenphotoelektronenspektrometer gemessen. Das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der oberen Schicht 22 war Cr:N:H = 86,0:13,7:0,3. Ferner betrug das Zusammensetzungsverhältnis (At%) von Cr zu N Cr:N = 3,1:0,5.
[Zustand der oberen Schicht 22]
Mit dem gleichen Verfahren wie für die untere Schicht 21 wurde der Zustand der oberen Schicht 22 durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt. Da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt worden ist, wurde bestätigt, dass der Zustand der oberen Schicht 22 eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war.
[Flächenwiderstand des leitenden Films 2]
Der Flächenwiderstand des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde unter Verwendung eines Viersonden-Messgeräts gemessen. Der Flächenwiderstand des leitenden Films 2 betrug 7,5 Ω/☐.
[Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2]
Die Oberflächenrauhigkeit des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde mit einem Rasterkraftmikroskop (SPI-3800, hergestellt von Seiko Instruments Inc.) im dynamischen Kraftmodus gemessen. Der Bereich für die Messung der Oberflächenrauhigkeit war 1 μm × 1 μm und SI-DF40 (von Seiko Instruments Inc.) wurde als Cantilever verwendet. Die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2 betrug 0,2 nm.
[Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films 2]
Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde mit einer Defektuntersuchungsvorrichtung (M1350, hergestellt von Lasertec Corporation) gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 0,025 Teilchen/cm² und es wurde bestätigt, dass der leitende Film 2 ein leitender Film mit wenig Defekten bezüglich Teilchen war. Dabei ist die Anzahl von Teilchen die Anzahl von Teilchen mit einer Größe von 0,5 μm oder größer.
[Haftung des leitenden Films 2]
Auf der Oberfläche des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde eine Gitterstruktur gemäß einem Gitterschnitt-Haftprüfverfahren gebildet, wie es in JIS K5400 beschrieben ist, um eine Prüfprobe herzustellen. Dann wurde ein druckempfindliches Klebeband (Cellophanband, hergestellt von NICHIBAN CO., LTD.) an die Gitterstruktur der Prüfprobe geklebt und dann rasch in einer Richtung von 90° gezogen und abgelöst, und eine Prüfung, ob ein Ablösen auf 100 Quadraten stattfand oder nicht, wurde durchgeführt. Als Ergebnis trat auf den Quadraten kein Ablösen auf.
[Filmspannung des leitenden Films 2]
Die Filmspannung des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde wie folgt gemessen.
Der Krümmungsradius des Substrats mit einem leitenden Film wurde durch ein Laserinterferometer berechnet und die innere Spannung wurde aus dem Young'schen Modul und dem Poisson-Verhältnis des Substrats 1 und der Filmdicke des leitenden Films 2 berechnet. Als Ergebnis wurde bestätigt, dass in dem leitenden Film 2 eine Druckspannung von 600 MPa erzeugt worden ist.
Dann wurde unter Verwendung des Substrats mit einem leitenden Film, das mit dem vorstehend genannten Verfahren erhalten worden ist, ein Mehrschicht-Reflexionsfilm (Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm) mit dem folgenden Verfahren gebildet, so dass ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm hergestellt wurde, wie es in der 2 gezeigt ist.
[Bildung eines Mehrschicht-Reflexionsfilms]
In einem Zustand, bei dem der leitende Film 2, der durch das vorstehend genannte Verfahren gebildet worden ist, durch eine elektrostatische Aufspannvorrichtung geklemmt war, wurde ein Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 (Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm) auf einer Seite (Filmbildungsoberfläche) des Substrats 1 gegenüber dem leitenden Film 2 durch ein Ionenstrahlsputterverfahren gebildet. Insbesondere wurde durch Wiederholen von 40 Zyklen eines abwechselnden Abscheidens von Si-Filmen und Mo-Filmen ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm mit einer Gesamtfilmdicke von 272 nm ((4,5 nm (Si-Film) + 2,3 nm (Mo-Film) × 40) gebildet. Schließlich wurde als Deckschicht eine Si-Schicht mit einer Dicke von 11,0 nm gebildet.
Dabei sind die Abscheidungsbedingungen für die Si-Filme und die Mo-Filme wie folgt.
[Abscheidungsbedingungen für Si-Filme]

Target: Si-Target (bordotiert)
Sputtergas: Ar-Gas (Gasdruck: 0,02 Pa)
Spannung: 700 V
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,077 nm/s
Filmdicke: 4,5 nm

[Abscheidungsbedingungen für Mo-Filme]

Target: Mo-Target
Sputtergas: Ar-Gas (Gasdruck: 0,02 Pa)
Spannung: 700 V
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,064 nm/s
Filmdicke: 2,3 nm

[Bewertung von Oberflächendefekten]
Die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm, der durch das vorstehend genannte Verfahren gebildet worden ist, wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 0,5 Teilchen/cm² und es wurde bestätigt, dass sehr wenig Teilchen zum Zeitpunkt der Bildung des Mehrschicht-Reflexionsfilms erzeugt worden sind, und dass der Mehrschicht-Reflexionsfilm ein Mehrschicht-Reflexionsfilm mit wenig Oberflächendefekten in Bezug auf Teilchen war. Dabei ist die Anzahl von Teilchen die Anzahl von Teilchen mit einer Größe von 0,15 μm oder größer.
Dann wurde unter Verwendung des Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren erhalten worden ist, eine Absorberschicht 4 mit dem folgenden Verfahren zur Herstellung eines in der 3 gezeigten EUV-Maskenrohlings gebildet.
[Bildung einer Absorberschicht]
Auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm 3 (Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm), der mit dem vorstehend genannten Verfahren gebildet worden ist, wurde eine TaN-Schicht als eine Absorberschicht 4 für EUV-Licht durch ein Ionenstrahlsputterverfahren gebildet, so dass ein EUV-Maskenrohling erhalten wurde. Die Abscheidungsbedingungen sind wie folgt.
[Abscheidungsbedingungen für die TaN-Schicht]

Target: Ta-Target
Sputtergas: N₂-Gas (Gasdruck: 0,02 Pa)
Spannung: 700 V
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,015 nm/s
Filmdicke: 70 nm

[Bewertung von Oberflächendefekten]
Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des EUV-Maskenrohlings, der durch das vorstehend genannte Verfahren gebildet worden ist, wurde auch mit dem gleichen Verfahren gemessen, das vorstehend genannt worden ist, wobei die Anzahl von Teilchen 2,0 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit wenig Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
[Messung des Verzugs des Substrats]
Der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der durch das vorstehend genannte Verfahren hergestellt worden ist, wurde gemessen. Als Ergebnis betrug der Verzug des Substrats 0,55 μm.
Dabei wurde der Verzug des Substrats durch Messen der Form durch ein Laserinterferometer und, auf der Basis einer angenommenen Ebene, die durch die Methode der kleinsten Fehlerquadrate aus allen Daten berechnet worden ist, auf der Substratoberfläche in einem gemessenen Bereich als Standardoberfläche, Berechnen der Differenz zwischen dem positiven Maximalwert und dem negativen Minimalwert in dem gemessenen Bereich erhalten.
(Beispiel 2)
In diesem Beispiel wurden ein Substrat mit einem leitenden Film, ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm und ein EUV-Maskenrohling unter den gleichen Bedingungen in dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Filmdicken der jeweiligen Schichten des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2 (untere Schicht 21, obere Schicht 22) verändert wurden.
[Bildung einer unteren Schicht 21]
Auf der Oberfläche des gleichen Glassubstrats (Substrat 1) aus SiO₂-TiO₂-Glas wie im Beispiel 1 wurde ein CrOH-Film als untere Schicht 21 unter Verwendung eines Magnetronsputterverfahrens abgeschieden. Insbesondere wurde, nachdem eine Abscheidungskammer bezüglich Luft auf höchstens 1 × 10^–4 Pa evakuiert worden ist, ein Magnetronsputtern unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre eines Mischgases aus Ar, O₂ und H₂ durchgeführt, so dass eine untere Schicht 21 (CrOH-Film) mit einer Dicke von 20 nm gebildet wurde. Die Abscheidungsbedingungen für die untere Schicht 21 (CrOH-Film) sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar, O₂ und H₂ (Ar: 29,1 Vol.-%, O₂: 70 Vol.-%, H₂: 0,9 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,23 nm/s
Filmdicke: 20 nm

[Zusammensetzungsanalyse und Zustand der unteren Schicht 21 (CrOH-Film)]
Die Messung wurde mit der gleichen Vorrichtung unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der unteren Schicht 21 Cr:O:H = 71,8:27,9:0,3 war, und es wurde bestätigt, dass der Zustand der unteren Schicht 21 eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war.
[Bildung der oberen Schicht 22]
Dann wurde auf der unteren Schicht 21 ein CrNH-Film als obere Schicht 22 durch ein Magnetronsputterverfahren abgeschieden. Insbesondere wurde, nachdem eine Abscheidungskammer bezüglich Luft auf höchstens 1 × 10^–4 Pa evakuiert worden ist, ein Magnetronsputtern unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre eines Mischgases aus Ar, N₂ und H₂ durchgeführt, so dass eine obere Schicht 22 (CrNH-Film) mit einer Dicke von 180 nm gebildet wurde. Die Abscheidungsbedingungen für die obere Schicht 22 (CrNH-Film) sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar, N₂ und H₂ (Ar: 58,2 Vol.-%, N₂: 40 Vol.-%, H₂: 1,8 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,18 nm/s
Filmdicke: 180 nm

[Zusammensetzungsanalyse und Zustand der oberen Schicht 22 (CrNH-Film)]
Die Messung wurde mit der gleichen Vorrichtung unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der oberen Schicht 22 Cr:N:H = 86,0:13,7:0,3 war, und es wurde bestätigt, dass der Zustand der oberen Schicht 22 eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war.
[Flächenwiderstand des leitenden Films 2]
Der Flächenwiderstand des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde durch ein Viersonden-Messgerät gemessen. Der Flächenwiderstand des leitenden Films 2 betrug 5,4 Ω/☐.
[Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2]
Die Oberflächenrauhigkeit des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde mit der gleichen Vorrichtung und unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 gemessen, wobei die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films 2 0,2 nm betrug.
[Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films 2]
Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde mit der gleichen Vorrichtung unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 gemessen, wobei die Anzahl von Teilchen 0,020 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass der leitende Film 2 ein leitender Film mit wenig Defekten bezüglich Teilchen war.
[Haftung des leitenden Films 2]
Die Haftung der Oberfläche des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 untersucht, wobei auf den 100 Quadraten kein Ablösen auftrat.
[Filmspannung des leitenden Films 2]
Die Filmspannung des leitenden Films mit Zweischichtstruktur 2, der mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren gebildet worden ist, wurde unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 gemessen, wobei bestätigt wurde, dass in dem leitenden Film 2 eine Druckspannung von 590 MPa erzeugt worden ist.
[Bildung eines Mehrschicht-Reflexionsfilms und Bewertung von Oberflächendefekten]
Dann wurde unter Verwendung des Substrats mit einem leitenden Film, der durch das vorstehend genannte Verfahren erhalten worden ist, ein Mehrschicht-Reflexionsfilm (Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm) unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 gebildet, um ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, wie es im Beispiel 2 gezeigt ist, herzustellen. Die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm, der durch das vorstehend genannte Verfahren gebildet worden ist, wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 0,3 Teilchen/cm² und es wurde bestätigt, dass sehr wenig Teilchen zum Zeitpunkt der Bildung des Mehrschicht-Reflexionsfilms erzeugt worden sind, und dass der Mehrschicht-Reflexionsfilm ein Mehrschicht-Reflexionsfilm mit wenig Oberflächendefekten in Bezug auf Teilchen war.
[Bildung einer Absorberschicht und Bewertung von Oberflächendefekten]
Dann wurde unter Verwendung des Substrats mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren erhalten worden ist, eine Absorberschicht 4 unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 gebildet, um einen EUV-Maskenrohling herzustellen, wie er in der 3 gezeigt ist. Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des EUV-Maskenrohlings, der durch das vorstehend genannte Verfahren gebildet worden ist, wurde auch mit dem gleichen Verfahren gemessen, das vorstehend genannt worden ist, wobei die Anzahl von Teilchen 0,7 Teilchen/cm² betrug und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit wenig Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
[Messung des Verzugs des Substrats]
Der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der durch das vorstehend genannte Verfahren hergestellt worden ist, wurde gemessen. Als Ergebnis betrug der Verzug des Substrats 0,47 μm.
(Vergleichsbeispiel 1)
Im Vergleichsbeispiel 1 wurde ein CrN-Film als leitender Film auf einem Substrat durch ein Magnetronsputterverfahren gebildet, so dass ein Substrat mit einem leitenden Film hergestellt wurde. Die Abscheidungsbedingungen für den CrN-Film sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar und N₂ (Ar: 30 Vol.-%, N₂: 70 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,10 nm/s
Filmdicke: 140 nm

Eine Zusammensetzungsanalyse des leitenden Films wurde mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) des leitenden Films Cr:N:O = 55,4:42,5:2,1 betrug.
Ferner wurde der Zustand des leitenden Films durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt, wobei bestätigt wurde, dass der leitende Film eine kristalline Struktur aufwies, da bei den erhaltenen Beugungspeaks ein scharfer Peak festgestellt wurde.
Ferner wurde der Flächenwiderstand des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei dieser 75 Ω/☐ betrug.
Ferner wurde die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei diese 0,52 nm betrug.
Ferner wurde die Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei die Anzahl von Teilchen 1,0 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem leitenden Film um einen leitenden Film handelte, der viele Defekte aufgrund von Teilchen aufwies.
Ferner wurde die Haftung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 bewertet und als Ergebnis wurde bestätigt, dass ein Ablösen des Films stattfand.
Ferner wurde die Filmspannung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei bestätigt wurde, dass in dem leitenden Film eine Druckspannung von 550 MPa erzeugt worden ist.
Ferner wurde auf der Filmbildungsoberfläche des Substrats mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet, so dass ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wurde, und die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm wurde mit einer Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem Mehrschicht-Reflexionsfilm um einen Mehrschicht-Reflexionsfilm handelte, der eine sehr große Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen aufwies.
Auf dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, wurde eine Absorberschicht mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gebildet, so dass ein EUV-Maskenrohling hergestellt wurde. Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des hergestellten EUV-Maskenrohlings wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit einer sehr großen Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
Ferner wurde der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, gemessen, wobei der Verzug des Substrats 0,6 μm betrug.
(Vergleichsbeispiel 2)
Im Vergleichsbeispiel 2 wurde ein CrN-Film als leitender Film auf einem Substrat durch ein Magnetronsputterverfahren gebildet, so dass ein Substrat mit dem leitenden Film hergestellt wurde. Die Abscheidungsbedingungen des CrN-Films sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar und N₂ (Ar: 60 Vol.-%, N₂: 40 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,15 nm/s
Filmdicke: 140 nm

Eine Zusammensetzungsanalyse des leitenden Films wurde mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) des leitenden Films Cr:N = 85,0:15,0 betrug.
Ferner wurde der Zustand des leitenden Films durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt, wobei bestätigt wurde, dass der Zustand des leitenden Films eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war, da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt wurde.
Ferner wurde der Flächenwiderstand des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei dieser 6,8 Ω/☐ betrug.
Ferner wurde die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei diese 0,21 nm betrug.
Ferner wurde die Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei die Anzahl von Teilchen 0,025 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem leitenden Film um einen leitenden Film handelte, der viele Defekte aufgrund von Teilchen aufwies.
Ferner wurde die Haftung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 bewertet und als Ergebnis wurde bestätigt, dass ein Ablösen des Films stattfand.
Ferner wurde die Filmspannung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei bestätigt wurde, dass in dem leitenden Film eine Zugspannung von 55 MPa erzeugt worden ist.
Ferner wurde auf der Filmbildungsoberfläche des Substrats mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet, so dass ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wurde, und die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm wurde mit einer Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen.
Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem Mehrschicht-Reflexionsfilm um einen Mehrschicht-Reflexionsfilm handelte, der eine sehr große Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen aufwies.
Auf dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, wurde eine Absorberschicht mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gebildet, so dass ein EUV-Maskenrohling hergestellt wurde. Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des hergestellten EUV-Maskenrohlings wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit einer sehr großen Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
Ferner wurde der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, gemessen, wobei der Verzug des Substrats 1,1 um betrug, und es wurde bestätigt, dass der Verzug des Substrats signifikant war.
(Vergleichsbeispiel 3)
Im Vergleichsbeispiel 3 wurde ein CrNH-Film als leitender Film auf einem Substrat durch ein Magnetronsputterverfahren gebildet, so dass ein Substrat mit dem leitenden Film hergestellt wurde. Die Abscheidungsbedingungen des CrNH-Films sind wie folgt.

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar, H₂ und N₂ (Ar: 58,2 Vol.-%, H₂: 1,8 Vol.-%, N₂: 40 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,15 nm/s
Filmdicke: 140 nm

Eine Zusammensetzungsanalyse des leitenden Films wurde mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) des leitenden Films Cr:N:H = 85,2:13,9:0,9 betrug.
Ferner wurde der Zustand des leitenden Films durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt, wobei bestätigt wurde, dass der Zustand des leitenden Films eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war, da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt wurde.
Ferner wurde der Flächenwiderstand des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei dieser 7,1 Ω/☐ betrug.
Ferner wurde die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei diese 0,22 nm betrug.
Ferner wurde die Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei die Anzahl von Teilchen 0,025 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem leitenden Film um einen leitenden Film handelte, der sehr wenig Defekte aufgrund von Teilchen aufwies.
Ferner wurde die Haftung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 bewertet und als Ergebnis wurde bestätigt, dass ein Ablösen des Films stattfand.
Ferner wurde die Filmspannung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei bestätigt wurde, dass in dem leitenden Film eine Druckspannung von 567 MPa erzeugt worden ist.
Ferner wurde auf der Filmbildungsoberfläche des Substrats mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet, so dass ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wurde, und die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm wurde mit einer Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem Mehrschicht-Reflexionsfilm um einen Mehrschicht-Reflexionsfilm handelte, der eine sehr große Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen aufwies.
Auf dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, wurde eine Absorberschicht mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gebildet, so dass ein EUV-Maskenrohling hergestellt wurde. Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des hergestellten EUV-Maskenrohlings wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen 10 Teilchen/cm² oder mehr und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit einer sehr großen Anzahl von Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
Ferner wurde der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, gemessen, wobei der Verzug des Substrats 0,63 μm betrug.
(Vergleichsbeispiel 4)
Im Vergleichsbeispiel 4 wurde ein CrO-Film als untere Schicht eines leitenden Films mit Zweischichtstruktur und ein CrN-Film als obere Schicht auf einem Substrat durch ein Magnetronsputterverfahren gebildet, so dass ein Substrat mit einem leitenden Film hergestellt wurde. Die Abscheidungsbedingungen für den CrO-Film bzw. den CrN-Film sind wie folgt.
Abscheidungsbedingungen für den CrO-Film

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar und O₂ (Ar: 30 Vol.-%, O₂: 70 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,24 nm/s
Filmdicke: 10 nm

Abscheidungsbedingungen für den CrN-Film

Target: Cr-Target
Sputtergas: Mischgas aus Ar und N₂ (Ar: 60 Vol.-%, N₂: 40 Vol.-%, Gasdruck: 0,1 Pa)
Eingangsleistung: 1500 W
Abscheidungsgeschwindigkeit: 0,18 nm/s
Filmdicke: 140 nm

Eine Zusammensetzungsanalyse der unteren Schicht (CrO-Film) des leitenden Films wurde mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der unteren Schicht des leitenden Films Cr:O = 85,8:14,2 betrug.
Eine Zusammensetzungsanalyse der oberen Schicht (CrN-Film) des leitenden Films wurde durchgeführt, wobei das Zusammensetzungsverhältnis (At%) der oberen Schicht (CrN-Film) des leitenden Films Cr:N = 86,0:14,0 betrug.
Ferner wurde der Zustand der unteren Schicht (CrO-Film) des leitenden Films durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt, wobei bestätigt wurde, dass der Zustand des leitenden Films eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war, da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt wurde.
Ferner wurde der Zustand der oberen Schicht (CrN-Film) des leitenden Films durch ein Röntgendiffraktometer bestätigt, wobei bestätigt wurde, dass der Zustand des leitenden Films eine amorphe Struktur oder eine Mikrokristallstruktur war, da bei den erhaltenen Beugungspeaks kein scharfer Peak festgestellt wurde.
Ferner wurde der Flächenwiderstand des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei dieser 7,8 Ω/☐ betrug.
Ferner wurde die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei diese 0,20 nm betrug.
Ferner wurde die Bewertung von Defekten auf der Oberfläche des leitenden Films in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 durchgeführt, wobei die Anzahl von Teilchen höchstens 0,025 Teilchen/cm² betrug, und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem leitenden Film um einen leitenden Film handelte, der sehr wenig Defekte aufgrund von Teilchen aufwies.
Ferner wurde die Haftung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 bewertet, wobei kein Ablösen des Films stattfand, und es wurde bestätigt, dass der leitende Film eine starke Haftung aufwies.
Ferner wurde die Filmspannung des leitenden Films mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gemessen, wobei bestätigt wurde, dass in dem leitenden Film eine Zugspannung von 65 MPa erzeugt worden ist.
Ferner wurde auf der Filmbildungsoberfläche des Substrats mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 ein Mo/Si-Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet, so dass ein Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm gebildet wurde, und die Anzahl von Teilchen auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm wurde mit einer Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen höchstens 0,025 Teilchen/cm² und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem Mehrschicht-Reflexionsfilm um einen Mehrschicht-Reflexionsfilm mit sehr wenig Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
Auf dem Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm, das mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, wurde eine Absorberschicht mit dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 gebildet, so dass ein EUV-Maskenrohling hergestellt wurde. Die Anzahl von Teilchen auf der Oberfläche der Absorberschicht des hergestellten EUV-Maskenrohlings wurde durch eine Defektuntersuchungsvorrichtung gemessen. Als Ergebnis betrug die Anzahl von Teilchen höchstens 0,025 Teilchen/cm² und es wurde bestätigt, dass es sich bei dem EUV-Maskenrohling um einen EUV-Maskenrohling mit sehr wenig Oberflächendefekten aufgrund von Teilchen handelte.
Ferner wurde der Verzug des Substrats in dem EUV-Maskenrohling, der mit dem vorstehend genannten Verfahren hergestellt worden ist, gemessen, wobei der Verzug des Substrats 1,1 μm betrug, und es wurde bestätigt, dass der Verzug des Substrats signifikant war.
GEWERBLICHE ANWENDBARKEIT
Gemäß dem Substrat mit einem leitenden Film der vorliegenden Erfindung kann ein Ablösen des leitenden Films von dem Substrat unterdrückt werden, während der Flächenwiderstand des leitenden Films niedrig gemacht wird, und darüber hinaus wird aufgrund einer geringen Oberflächenrauhigkeit auf der Oberfläche des leitenden Films der Kontakt zwischen dem Substrat mit einem leitenden Film und einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung verbessert, und die Klemmkraft durch die elektrostatische Aufspannvorrichtung wird verbessert. Als Ergebnis wird durch die Verbesserung des Kontakts mit der elektrostatischen Aufspannvorrichtung eine Erzeugung von Teilchen aufgrund eines Abriebs zwischen der elektrostatischen Aufspannvorrichtung und dem Substrat verhindert und dies ist besonders nützlich, wenn das Substrat mit einem leitenden Film zur Herstellung eines EUV-Maskenrohlings an einer elektrostatischen Aufspannvorrichtung fixiert wird.
Die gesamte Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 2011-022769 , die am 4. Februar 2011 eingereicht worden ist, einschließlich die Beschreibung, die Patentansprüche, die Zeichnungen und die Zusammenfassung, wird hierin unter Bezugnahme vollständig einbezogen.
Bezugszeichenliste

1: Substrat
2: Leitender Film
21: Untere Schicht
22: Obere Schicht
3: Mehrschicht-Reflexionsfilm
4: Absorberschicht

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2003-501823 A [0021]
JP 2005-210093 A [0021]
JP 2008-072706 A1 [0021]
JP 2011-022769 [0211]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

JIS K5400 [0138]

Claims

Substrat mit einem leitenden Film, das zur Herstellung eines Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie verwendet werden soll, umfassend einen auf einem Substrat ausgebildeten leitenden Film, wobei der leitende Film mindestens zwei Schichten aus einer Schicht (untere Schicht), die auf der Substratseite ausgebildet ist, und einer Schicht (obere Schicht), die auf der unteren Schicht ausgebildet ist, aufweist, und die untere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Sauerstoff (O) und Wasserstoff (H) enthält, und die obere Schicht des leitenden Films Chrom (Cr), Stickstoff (N) und Wasserstoff (H) enthält.
Substrat mit einem leitenden Film nach Anspruch 1, bei dem in der unteren Schicht des leitenden Films der Gesamtgehalt von Cr und O von 85 bis 99,9 At% beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach Anspruch 2, bei dem das Zusammensetzungsverhältnis (Atomverhältnis) von Cr zu O in der unteren Schicht des leitenden Films Cr:O = 9:1 bis 3:7 beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem in der oberen Schicht des leitenden Films der Gesamtgehalt von Cr und N von 85 bis 99,9 At% beträgt und der Gehalt von H von 0,1 bis 15 At% beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach Anspruch 4, bei dem das Zusammensetzungsverhältnis (Atomverhältnis) von Cr zu N in der oberen Schicht des leitenden Films Cr:N = 9,5:0,5 bis 3:7 beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Filmdicke der unteren Schicht des leitenden Films von 1 bis 30 nm beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Filmdicke der oberen Schicht des leitenden Films von 50 bis 300 nm beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Flächenwiderstand des leitenden Films höchstens 20 Ω/☐ beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der leitende Film eine Druckspannung von 300 MPa bis 900 MPa aufweist.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die untere Schicht des leitenden Films in einem amorphen Zustand vorliegt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die obere Schicht des leitenden Films in einem amorphen Zustand vorliegt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die Oberflächenrauhigkeit (rms) des leitenden Films höchstens 0,5 nm beträgt.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die untere Schicht des leitenden Films durch ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre, die ein Inertgas, das mindestens ein Mitglied umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus Helium (He), Argon (Ar), Neon (Ne), Krypton (Kr) und Xenon (Xe) ausgewählt ist, und Sauerstoff (O₂) und Wasserstoff (H₂) enthält, bei einer Atmosphärentemperatur während des Sputterns von 60 bis 120°C gebildet wird.
Substrat mit einem leitenden Film nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die obere Schicht des leitenden Films durch ein Sputterverfahren unter Verwendung eines Cr-Targets in einer Atmosphäre, die ein Inertgas, das mindestens ein Mitglied umfasst, das aus der Gruppe, bestehend aus Helium (He), Argon (Ar), Neon (Ne), Krypton (Kr) und Xenon (Xe) ausgewählt ist, und Stickstoff (N₂) und Wasserstoff (H₂) enthält, bei einer Atmosphärentemperatur während des Sputterns von 60 bis 120°C gebildet wird.
Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm für einen Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie, wobei es sich um das Substrat mit einem leitenden Film handelt, wie es in einem der Ansprüche 1 bis 14 definiert ist, das ferner einen Mehrschicht-Reflexionsfilm umfasst, der auf einer Oberfläche des Substrats gegenüber einer Oberfläche ausgebildet ist, auf welcher der leitende Film ausgebildet ist.
Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm nach Anspruch 15, bei dem der Verzug des Substrats höchstens 0,8 μm beträgt.
Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie, bei dem es sich um das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm handelt, wie es in Anspruch 15 oder 16 definiert ist, das ferner eine auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm ausgebildete Absorberschicht umfasst.
Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie nach Anspruch 17, bei dem es sich um das Substrat mit einem Mehrschicht-Reflexionsfilm handelt, das ferner eine Absorberschicht umfasst, die auf dem Mehrschicht-Reflexionsfilm ausgebildet ist, wobei der Verzug des Substrats höchstens 0,8 μm beträgt.
Reflexionsmaske für eine EUV-Lithographie, erzeugt durch Strukturieren des Reflexionsmaskenrohlings für eine EUV-Lithographie, wie er im Anspruch 17 oder 18 definiert ist.