DE112010003296T5 - Barriereschicht - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Moduls kann das Beschichten eines Abschnitts eines Substrats mit einem Beschichtungsmaterial; das Abscheiden einer Barrierematerialschicht auf zumindest einem Abschnitt eines Randes des Substrats; und das Aushärten der Barrierematerialschicht umfassen, wobei die Barrierematerialschicht als eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial wirkt.

Description

  • PRIORITÄTSANSPRUCH
  • Diese Anmeldung beansprucht nach 35 U.S.C. §119(e) die Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung Nr. 61/234,501, eingereicht am 17. August 2009, welche durch Verweis hierin aufgenommen ist.
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Photovoltaik-Module und Verfahren zu deren Herstellung.
  • HINTERGRUND
  • Photovoltaik-Module können ein über einem Substrat abgeschiedenes Halbleitermaterial aufweisen, wobei zum Beispiel eine erste Schicht als eine Fensterschicht und eine zweite Schicht als eine Absorptionsschicht dient. Die Halbleiter-Fensterschicht kann das Eindringen von Sonnenstrahlung bis zu der Absorptionsschicht, wie etwa eine Kadmiumtellurid-Schicht, welche Solarenergie in Elektrizität umwandelt, zulassen. Photovoltaik-Module können auch eine oder mehrere transparente leitfähige Oxidschichten enthalten, welche oft auch Leiter für elektrische Ladung sind.
  • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Moduls.
  • 2 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Moduls.
  • 3 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Moduls.
  • 4 ist eine Prinzipskizze eines Photovoltaik-Moduls.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Ein Photovoltaik-Modul kann eine transparente leitfähige Oxidschicht benachbart zu einem Substrat und Schichten eines Halbleitermaterials aufweisen. Das transparente leitfähige Oxid kann ein Zinkoxid oder ein Zinnoxid aufweisen, welches ein dotiertes, binäres, ternäres oder quaternäres Material sein kann. Die Schichten des Halbleitermaterials können eine Doppelschicht aufweisen, die eine Fensterschicht aus einem Halbleiter vom n-Typ und eine Absorptionsschicht aus einem Halbleiter vom p-Typ aufweisen kann. Die Fensterschicht vom n-Typ und die Absorptionsschicht vom p-Typ können in gegenseitigem Kontakt angeordnet sein, um ein elektrisches Feld zu erzeugen. Bei Kontakt mit der Fensterschicht vom n-Typ können Photonen Elektronen-Loch-Paare freisetzen, wobei die Elektronen auf die n-Seite und die Löcher auf die p-Seite geschickt werden. Die Elektronen können über einen externen Strompfad wieder zur p-Seite zurückfließen. Der daraus entstehende Elektronenfluss schafft einen Strom, der zusammen mit der aus dem elektrischen Feld resultierenden Spannung eine Leistung erzeugt. Das Ergebnis ist die Umwandlung von Photonenenergie in elektrische Leistung. Um das Leistungsvermögen des Gerätes zu erhalten und zu verbessern, kann zusätzlich zu den Halbleiter-Fenster- und Absorptionsschichten eine Vielzahl von Schichten über dem Substrat angeordnet werden.
  • Photovoltaik-Module können auf optisch transparenten Substraten wie zum Beispiel Glas gebildet werden. Da Glas nicht leitfähig ist, wird typischerweise eine Schicht aus transparentem leitfähigem Oxid (TCO) zwischen dem Substrat und der Halbleiter-Doppelschicht abgeschieden. Zwischen der TCO-Schicht und der Halbleiter-Fensterschicht kann eine glatte Pufferschicht abgeschieden werden, um die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Unregelmäßigkeiten bei der Bildung der Halbleiter-Fensterschicht zu verringern. Zusätzlich kann eine Barriereschicht zwischen dem Substrat und der TCO-Schicht inkorporiert werden, um die Diffusion von Natrium oder anderen Verunreinigungen aus dem Substrat in die Halbleiterschichten zu verringern, welche zu einem Zerfall und einer Trennung der Schichten führen könnten. Die Barriereschicht kann transparent und thermisch stabil sein, eine reduzierte Anzahl von Löchern, hervorragende Fähigkeit zur Blockierung von Natrium und gute Hafteigenschaften aufweisen. Das TCO kann daher Teil eines Dreischicht-Stapels sein, welcher zum Beispiel eine Siliziumdioxid-Barriereschicht, eine TCO-Schicht und eine Pufferschicht (z. B. ein Zinn-(IV)-Oxid) aufweisen kann. Die Pufferschicht kann verschiedene geeignete Materialien einschließlich Zinnoxid, Zink-(Zinnoxid, Zinkoxid und Zink-/Magnesiumoxid aufweisen. Ein Photovoltaik-Modul kann eine über einem TCO-Stapel abgeschiedene Fensterschicht aus Kadmiumsulfid und eine über der Kadmiumsulfid-Schicht abgeschiedene Absorptionsschicht aus Kadmiumtellurid aufweisen. Kadmiumtellurid-Photovoltaik-Module bieten mehrere Vorteile im Vergleich zu anderen Photovoltaik-Technologien.
  • Dazu gehören überlegene Lichtabsorptionseigenschaften bei bewölkten und diffusen Lichtbedingungen sowie die einfache Herstellung.
  • Eine Barrierematerialschicht kann entlang eines Randes eines ersten Substrats in ein Photovoltaik-Modul inkorporiert werden. Die Barrierematerialschicht sollte starke Haftungseigenschaften aufweisen und Widerstandsfähigkeit gegen ultraviolettes Licht, Feuchtigkeit, Abrieb und extreme Temperaturschwankungen zeigen. Das Material sollte auch beständig sein und einen möglichst ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten wie Glas aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann als eine den Rand umschließende Versiegelung wirken, um eine oder mehrere Schichten der Beschichtung innerhalb des Photovoltaik-Moduls zu umschließen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht eine Barriere für eine oder mehrere Halbleiterschichten in dem Photovoltaik-Modul schaffen. Die Barrierematerialschicht kann auch helfen, jegliches andere Beschichtungsmaterial auf die Oberfläche eines Substrats einzugrenzen. Die Barrierematerialschicht kann auch als eine Barriere für Wasser oder Luft wirken, die/das mit einer oder mehreren Schichten der Beschichtung innerhalb des Photovoltaik-Moduls in Kontakt gelangt.
  • Nach einem Aspekt kann ein Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Moduls das Beschichten eines Abschnitts eines Substrats mit einem Beschichtungsmaterial umfassen. Das Verfahren kann das Abscheiden einer Barrierematerialschicht auf zumindest einem Abschnitt eines Randes des Substrats umfassen. Das Verfahren kann das Aushärten der Barrierematerialschicht umfassen. Die Barrierematerialschicht kann als eine Barriere für das Beschichtungsmaterial wirken.
  • Die Barrierematerialschicht kann ein Epoxid, ein acrylisches Photopolymer, eine konforme Beschichtung, oder beliebige Kombinationen daraus aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Silizium enthaltendes Material, zum Beispiel ein Silikon, aufweisen. Das Abscheiden kann das Aufsprühen einer dünnen Beschichtung umfassen. Das Abscheiden kann das Bewegen einer Flüssigkeit durch eine Nadel zu dem Substrat hin umfassen. Das Abscheiden kann das Bewegen einer Flüssigkeit durch einen fontänenartigen Auslass zu dem Substrat hin umfassen. Das Abscheiden kann das Aufpinseln einer Flüssigkeit auf das Substrat umfassen. Das Abscheiden kann das Abscheiden der Barrierematerialschicht nahe einer Zwischenschicht umfassen. Das Abscheiden kann das Abscheiden der Barrierematerialschicht nahe dem Beschichtungsmaterial umfassen. Das Aushärten kann das Aushärten bei ungefähr Raumtemperatur für etwa 3 bis etwa 25 Stunden umfassen. Das Aushärten kann das Aushärten bei ungefähr Raumtemperatur für etwa 8 bis etwa 20 Stunden umfassen. Das Aushärten kann die Bildung einer den Rand umschließenden Versiegelung umfassen. Das Aushärten kann das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht umfassen. Das Aushärten kann Erwärmen umfassen. Das Erwärmen kann Erwärmen durch Infrarot (IR) umfassen. Das Erwärmen kann Erwärmen durch elektrischen Widerstand umfassen. Das Aushärten kann das Erwärmen eines Epoxids umfassen. Das Aushärten kann das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf ein acrylisches Photopolymer umfassen. Das Aushärten kann das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf ein Epoxid umfassen. Das Aushärten kann das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf eine ein Photopolymer aufweisende konforme Beschichtung umfassen.
  • Nach einem Aspekt kann ein Photovoltaik-Modul ein mit einem Beschichtungsmaterial beschichtetes Substrat aufweisen. Das Substrat kann einen Rand aufweisen. Das Photovoltaik-Modul kann eine Barrierematerialschicht aufweisen, die mit zumindest einem Abschnitt des Randes des Substrats in Kontakt steht. Die Barrierematerialschicht kann eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial aufweisen.
  • Das Photovoltaik-Modul kann ein Zwischenschichtmaterial auf dem Substrat und nahe dem Beschichtungsmaterial aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann eine den Rand umschließende Versiegelung aufweisen. Das Barrierematerial weist eine Viskosität auf, die zum Auftragen einer Beschichtung auf ein Substrat vor dem Aushärten zur Bildung eines Festkörpers geeignet ist. Die Barrierematerialschicht kann ein Epoxid aufweisen. Das Epoxid kann eine Viskosität von etwa 1000 bis etwa 10000 cP, etwa 1500 bis etwa 9000 cP, etwa 4000 bis etwa 6000 cP oder etwa 5000 bis etwa 5500 cP aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein acrylisches Photopolymer aufweisen. Das acrylische Photopolymer kann eine Viskosität von etwa 10 bis etwa 25 cP oder etwa 15 bis etwa 20 cP aufweisen. Das acrylische Photopolymer kann eine Viskosität von etwa 200 bis etwa 800 cP oder etwa 350 bis etwa 600 cP aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann eine konforme Beschichtung aufweisen. Die konforme Beschichtung kann eine Viskosität von etwa 50 bis etwa 250 cP aufweisen. Die konforme Beschichtung kann eine Viskosität von etwa 100 bis etwa 150 cP aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Silizium enthaltendes Material, zum Beispiel ein Silikon, aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann physisch mit zumindest einem Abschnitt des Zwischenschichtmaterials in Kontakt stehen. Das Substrat kann ein Glas aufweisen. Das Beschichtungsmaterial kann eine transparente leitfähige Oxidschicht aufweisen.
  • Die Barrierematerialschicht kann mit zumindest einem Abschnitt eines Randes der transparenten leitfähigen Oxidschicht in Kontakt stehen. Das Beschichtungsmaterial kann eine Kadmiumsulfid-Schicht auf der transparenten leitfähigen Oxidschicht und eine Kadmiumtellurid-Schicht auf der Kadmiumsulfid-Schicht aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann als eine Barriere gegen Luft oder Wasser wirken, die/das mit dem Beschichtungsmaterial in Kontakt gelangt.
  • Nach einem Aspekt kann ein Photovoltaik-Modul ein Substrat aufweisen. Das Photovoltaik-Modul kann eine transparente leitfähige Oxidschicht auf dem Substrat aufweisen. Das Photovoltaik-Modul kann eine Barrierematerialschicht aufweisen, die mit zumindest einem Abschnitt eines Randes des Substrats in Kontakt steht. Die Barrierematerialschicht kann eine Barriere gegenüber der transparenten leitfähigen Oxidschicht aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Epoxid, ein acrylisches Photopolymer oder eine konforme Beschichtung aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Silizium enthaltendes Material, zum Beispiel ein Silikon, aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann eine den Rand umschließende Versiegelung aufweisen.
  • Nach einem Aspekt kann ein Substrat ein Beschichtungsmaterial und eine Barrierematerialschicht, die mit zumindest einem Abschnitt eines Randes des Substrats in Kontakt steht, aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Epoxid, ein acrylisches Photopolymer, oder eine konforme Beschichtung aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann ein Silizium enthaltendes Material, zum Beispiel ein Silikon, aufweisen. Die Barrierematerialschicht kann eine den Rand umschließende Versiegelung aufweisen.
  • Unter Bezugnahme auf 1 kann ein Photovoltaik-Modul 10 ein Substrat 100 mit einer darauf abgeschiedenen Barrierematerialschicht 140 aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann auf einem Rand des Substrats 100 abgeschieden sein, und kann mit einer oder mehreren Beschichtungen innerhalb des Photovoltaik-Moduls 10 in Kontakt stehen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 mit einem Abschnitt eines Randes einer transparenten leitfähigen Oxidschicht 110 in Kontakt stehen. Das Substrat 100 kann ein beliebiges geeignetes Material aufweisen, einschließlich ein Glas, zum Beispiel Natronkalkglas. Die transparente leitfähige Schicht 110 kann ein beliebiges transparentes leitfähiges Oxid aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann eine Barriere für die transparente leitfähige Oxidschicht 110 schaffen, und diese auf die Oberfläche des Substrats 100 eingrenzen. Die transparente leitfähige Oxidschicht 110 kann Teil eines transparenten leitfähigen Oxidstapels sein. Eine oder mehrere Geräteschichten können auf der transparenten leitfähigen Oxidschicht 110 (welche Teil eines transparenten leitfähigen Oxidstapels sein kann oder nicht) abgeschieden werden, einschließlich zum Beispiel einer Kadmiumtellurid-Schicht auf einer Kadmiumsulfid-Schicht.
  • Unter Bezugnahme auf 2 kann beispielsweise die Geräteschicht 120 auf der transparenten leitfähigen Oxidschicht 110 abgeschieden sein, welche Teil eines transparenten leitfähigen Oxidstapels sein kann. Die Geräteschicht 120 kann ein beliebiges geeignetes Halbleitermaterial aufweisen, einschließlich z. B. einer Kadmiumtellurid-Schicht auf einer Kadmiumsulfid-Schicht. Darauf kann ein Kontaktmetall 150 abgeschieden sein, das als ein Rückkontakt für das Photovoltaik-Modul 10 dient. Benachbart zu dem Substrat 100 kann eine Zwischenschicht 130 abgeschieden sein. Die Zwischenschicht 130 kann mit der Barrierematerialschicht 140 in Kontakt stehen. Zum Beispiel kann die Zwischenschicht 130 auf der Barrierematerialschicht 140 abgeschieden sein. Die Zwischenschicht 130 kann ein beliebiges geeignetes Material aufweisen, einschließlich eines Thermoplasten. Zum Beispiel kann die Zwischenschicht 130 Acrylnitril-Butadien-Styren (ABS), Acryl (PMMA), Zelluloid, Zelluloseacetat, Cycloolefin-Copolymer (COC), Ethylenvinylacetat (EVA), Ethylenvinylalkohol (EVOH), Fluorkunststoffe (PTFE), Ionomere, Kydex®, Flüssigkristallpolymer (LCP), Polyacetal (POM), Polyacrylate, Polyacrylnitril (PAN), Polyamid (PA), Polyamidimid (PAI), Polyaryletherketon (PAEK), Polybutadien (PBD), Polybutylen (PB), Polybutylenterephthalat (PBT), Polycaprolacton (PCL), Polychlortrifluorethylen (PCTFE), Polyethylenterephthalat (PET), Polycyclohexylendimethylen-terephthalat (PCT), Polycarbonat (PC), Polyhydroxyalkanoate (PHAs), Polyketon (PK), Polyester, Polyethylen (PE), Polyetheretherketon (PEEK), Polyetherketonketon (PEKK), Polyetherimid (PEI), Polyethersulfon (PES), Polyethylenchlorinate (PEC), Polyimid (PI), Polymilchsäure (PLA), Polymethylpenten (PMP), Polyphenylenoxid (PPO), Polyphenylensulfid (PPS), Polyphthalamid (PPA), Polypropylen (PP), Polystyrol (PS), Polysulfon (PSU), Polytrimethylenterephthalat (PTT), Polyurethan (PU), Polyvinylacetat (PVA), Polyvinylchlorid (PVC), Polyvinylidenchlorid (PVDC), Styrol-Acrylnitril (SAN), Butylkautschuk, oder eine beliebige Kombination davon aufweisen.
  • Die Zwischenschicht 130 kann auch direkt auf dem Substrat 100 benachbart zu einer oder mehreren Schichten der Beschichtung abgeschieden werden, wobei die Barrierematerialschicht 140 danach abgeschieden wird. Unter Bezugnahme auf 3 kann rein beispielhaft die Zwischenschicht 130 auf dem Rand des Substrats 100, benachbart zu der transparenten leitfähigen Schicht 110 und der Geräteschicht 120, abgeschieden werden. Vom Rand des Substrats 100 können vor der Abscheidung der Zwischenschicht 130 eine oder mehrere Schichten der Beschichtung durch Laserablation oder ein beliebiges anderes Mittel entfernt werden. Wie in 1 bis 3 dargestellt kann die Barrierematerialschicht 140 auf dem Rand des Substrats 100 abgeschieden sein. Die Barrierematerialschicht 140 kann mit einem beliebigen Abschnitt eines Randes des Substrats 100 physisch in Kontakt stehen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 einen Bodenabschnitt des Substrats 100, die Seite des Substrats 100 oder einen oberen Rand des Substrats 100 berühren. Die Barrierematerialschicht 100 kann auch mit einem oder mehreren Abschnitten der Zwischenschicht 130 physisch in Kontakt stehen, wie in 2 und 3 dargestellt. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch mit einer oder mehreren Schichten der Beschichtung am Substrat 100 physisch in Kontakt stehen, etwa mit der transparenten leitfähigen Schicht 110, der Geräteschicht 120 oder mit beiden.
  • Für die Barrierematerialschicht 140 kann eine Vielzahl von Materialien verwendet werden. Die Barrierematerialschicht 140 kann ein beliebiges geeignetes Epoxid oder Acryl sowie eine beliebige konforme Beschichtung enthalten. Die Barrierematerialschicht kann auch ein beliebiges Silizium enthaltendes Material, einschließlich beispielsweise ein Silikon, aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik abgeschieden werden. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 als eine dünne Beschichtung auf einen Rand des Substrats 100 aufgesprüht werden. Die Barrierematerialschicht 140 kann als eine Flüssigkeit über einen kleinen Auslass, zum Beispiel eine Nadel, abgeschieden werden, um Präzision und Genauigkeit sicherzustellen. Alternativ kann die Barrierematerialschicht aus einem großen Auslass, wie beispielsweise einer Fontäne, abgeschieden werden, um eine größere Auftragsgeschwindigkeit sicherzustellen. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch über einen oder mehrere Pinsel abgeschieden werden.
  • Die Barrierematerialschicht 140 kann eine beliebige geeignete Viskosität aufweisen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 eine Viskosität in einem Bereich von etwa 5 bis etwa 8000 cP aufweisen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 ein Epoxid mit einer Viskosität von etwa 4000 bis etwa 6000 cP, zum Beispiel etwa 5300 cP, aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch ein acrylisches Photopolymer mit einer Viskosität von etwa 200 bis etwa 800 cP, zum Beispiel etwa 350 bis etwa 600 cP, aufweisen. Alternativ könnte das acrylische Photopolymer eine Viskosität von etwa 10 bis etwa 30 cP, zum Beispiel etwa 15 bis etwa 20 cP, aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch eine konforme Beschichtung mit einer Viskosität von etwa 100 bis etwa 200 cP, zum Beispiel etwa 125 cP, aufweisen.
  • Die Barrierematerialschicht 140 kann einen beliebigen geeigneten Grad an Härte oder Beständigkeit aufweisen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 eine Härte von etwa 30 bis etwa 80 Shore A aufweisen. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 ein acrylisches Photopolymer mit einer Härte von etwa 75 bis etwa 80 Shore A, oder etwa 35 bis etwa 45 Shore A aufweisen. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch eine konforme Beschichtung mit einer Härte von etwa 70 bis etwa 80 Shore A aufweisen.
  • Nach der Abscheidung kann die Barrierematerialschicht 140 unter Verwendung einer beliebigen geeigneten Technik ausgehärtet werden. Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 bei Raumtemperatur für etwa 3 bis etwa 25 Stunden, etwa 4 bis etwa 24 Stunden oder etwa 8 bis etwa 20 Stunden ausgehärtet werden. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch unter Verwendung von ultraviolettem Licht ausgehärtet werden. Das ultraviolette Licht kann für eine beliebige geeignete Dauer aufgestrahlt werden, einschließlich für etwa 1 Sekunde bis etwa 2 Minuten, zum Beispiel etwa 30 Sekunden. Das ultraviolette Licht kann mit einer beliebigen geeigneten Leistungsstufe, einschließlich etwa 30 mW/cm2 bis etwa 300 mW/cm2, zum Beispiel etwa 100 mW/cm2, aufgestrahlt werden. Das ultraviolette Licht kann eine beliebige geeignete Wellenlänge aufweisen, zum Beispiel etwa 10 bis etwa 400 nm. Zum Beispiel kann ultraviolettes Licht von etwa 365 nm mit etwa 100 mW/cm2 für weniger als etwa 30 Sekunden auf ein acrylisches Photopolymer aufgestrahlt werden. Alternativ kann ultraviolettes Licht von etwa 315 bis etwa 395 nm mit etwa 3,5 J/cm2 auf das acrylische Photopolymer aufgestrahlt werden. Ultraviolettes Licht mit etwa 50 mW/cm2 kann für etwa 3 Sekunden auf eine konforme Beschichtung aufgestrahlt werden. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch unter Verwendung einer Vielzahl von Erwärmungstechniken gehärtet werden. Die Barrierematerialschicht 140 kann bei einer beliebigen geeigneten Temperatur erwärmt werden, einschließlich etwa 100 bis etwa 300°C, zum Beispiel etwa 120 bis etwa 150°C. Die Barrierematerialschicht 140 kann auch für eine beliebige geeignete Dauer, einschließlich von etwa 30 Sekunden bis etwa 10 Minuten, erwärmt werden.
  • Zum Beispiel kann die Barrierematerialschicht 140 entweder durch elektrischen Widerstand oder durch Infrarot bei etwa 100°C bis etwa 200°C für eine beliebige geeignete Zeitdauer, einschließlich etwa 30 Sekunden bis etwa 10 Minuten, erwärmt werden. Das Aushärten kann mehrere Schritte umfassen. Zum Beispiel kann ein Epoxid zuerst bei etwa 150°C für etwa 1 Minute erwärmt werden, danach bei 120°C für etwa 5 Minuten.
  • Unter Bezugnahme auf 4 kann nach der Abscheidung der Barrierematerialschicht 140 ein rückwärtiger Träger 200 auf dem Kontaktmetall 150 abgeschieden werden. Der rückwärtige Träger 200 kann ein beliebiges geeignetes Material, einschließlich ein Glas, zum Beispiel Natronkalkglas, aufweisen.
  • Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen sind rein beispielhaft und dienen nur zur Veranschaulichung. Es versteht sich, dass die vorstehend angeführten Beispiele in bestimmter Hinsicht abgeändert werden können, ohne den Schutzbereich der Ansprüche zu verlassen. Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf die vorstehend angeführten bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, fallen auch noch weitere Ausführungsformen in den Schutzbereich der Patentansprüche.

Claims (61)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Moduls umfassend: Beschichten eines Abschnitts eines Substrats mit einem Beschichtungsmaterial; Abscheiden einer Barrierematerialschicht auf zumindest einem Abschnitt eines Randes des Substrats; und Aushärten der Barrierematerialschicht, wobei die Barrierematerialschicht als eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial wirkt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Barrierematerialschicht ein Epoxid umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Barrierematerialschicht ein acrylisches Photopolymer umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Barrierematerialschicht eine konforme Beschichtung umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Barrierematerialschicht ein Silizium enthaltendes Material umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Silizium enthaltende Material ein Silikon umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Aufsprühen einer dünnen Beschichtung umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Bewegen einer Flüssigkeit durch eine Nadel zu dem Substrat hin umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Bewegen einer Flüssigkeit durch einen fontänenartigen Auslass zu dem Substrat hin umfasst.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Aufpinseln einer Flüssigkeit auf das Substrat umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Abscheiden der Barrierematerialschicht nahe einer Zwischenschicht umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Abscheiden das Abscheiden der Barrierematerialschicht nahe dem Beschichtungsmaterial umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aushärten bei ungefähr Raumtemperatur für etwa 3 bis etwa 25 Stunden umfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Aushärten das Aushärten bei ungefähr Raumtemperatur für etwa 8 bis etwa 20 Stunden umfasst.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten die Bildung einer den Rand umschließenden Versiegelung umfasst.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht umfasst.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten Erwärmen umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Erwärmen das Erwärmen durch Infrarot (IR) umfasst.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Erwärmen das Erwärmen durch elektrischen Widerstand umfasst.
  20. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aushärten von Epoxid umfasst.
  21. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf ein acrylisches Photopolymer umfasst.
  22. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf ein Epoxid umfasst.
  23. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aushärten das Aufstrahlen von ultraviolettem Licht auf eine konforme Beschichtung umfasst, die ein Photopolymer aufweist.
  24. Photovoltaik-Modul umfassend: ein mit einem Beschichtungsmaterial beschichtetes Substrat, wobei das Substrat einen Rand umfasst; und eine Barrierematerialschicht, die mit zumindest einem Abschnitt des Randes des Substrats in Kontakt steht, wobei die Barrierematerialschicht eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial umfasst.
  25. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, des Weiteren umfassend ein Zwischenschichtmaterial auf dem Substrat und nahe dem Beschichtungsmaterial,
  26. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht eine den Rand umschließende Versiegelung umfasst.
  27. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht ein Epoxid umfasst.
  28. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 27, wobei das Epoxid eine Viskosität von etwa 1000 bis etwa 10000 cP aufweist.
  29. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 27, wobei das Epoxid eine Viskosität von etwa 1500 bis etwa 9000 cP aufweist.
  30. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 27, wobei das Epoxid eine Viskosität von etwa 4000 bis etwa 6000 cP aufweist.
  31. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 27, wobei das Epoxid eine Viskosität von etwa 5000 bis etwa 5500 cP aufweist.
  32. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht ein acrylisches Photopolymer umfasst.
  33. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 32, wobei das acrylische Photopolymer eine Viskosität von etwa 10 bis etwa 25 cP aufweist.
  34. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 32, wobei das acrylische Photopolymer eine Viskosität von etwa 15 bis etwa 20 cP aufweist.
  35. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 32, wobei das acrylische Photopolymer eine Viskosität von etwa 200 bis etwa 800 cP aufweist.
  36. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 32, wobei das acrylische Photopolymer eine Viskosität von etwa 350 bis etwa 600 cP aufweist.
  37. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht eine konforme Beschichtung umfasst.
  38. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 37, wobei die konforme Beschichtung eine Viskosität von etwa 50 bis etwa 250 cP aufweist.
  39. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 37, wobei die konforme Beschichtung eine Viskosität von etwa 100 bis etwa 150 cP aufweist.
  40. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht ein Silizium enthaltendes Material umfasst.
  41. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 40, wobei das Silizium enthaltende Material ein Silikon umfasst.
  42. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 25, wobei die Barrierematerialschicht mit zumindest einem Abschnitt des Zwischenschichtmaterials physisch in Kontakt steht.
  43. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei das Substrat ein Glas umfasst.
  44. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei das Beschichtungsmaterial eine transparente leitfähige Oxidschicht umfasst.
  45. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 44, wobei die Barrierematerialschicht mit zumindest einem Abschnitt eines Randes der transparenten leitfähigen Oxidschicht in Kontakt steht.
  46. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 44, wobei das Beschichtungsmaterial des Weiteren eine Kadmiumsulfid-Schicht auf der transparenten leitfähigen Oxidschicht, und eine Kadmiumtellurid-Schicht auf der Kadmiumsulfid-Schicht umfasst.
  47. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 24, wobei die Barrierematerialschicht als eine Barriere gegen Luft oder Wasser wirkt, die/das mit dem Beschichtungsmaterial in Kontakt gelangt.
  48. Photovoltaik-Modul umfassend: ein Substrat; eine transparente leitfähige Oxidschicht auf dem Substrat; und eine Barrierematerialschicht, die zumindest mit einem Abschnitt eines Randes des Substrats in Kontakt steht, wobei die Barrierematerialschicht eine Barriere gegenüber der transparenten leitfähigen Oxidschicht umfasst.
  49. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 48, wobei die Barrierematerialschicht ein Epoxid umfasst.
  50. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 48, wobei die Barrierematerialschicht ein acrylisches Photopolymer umfasst.
  51. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 48, wobei die Barrierematerialschicht eine konforme Beschichtung umfasst.
  52. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 48, wobei die Barrierematerialschicht eine den Rand umschließende Versiegelung umfasst.
  53. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 48, wobei die Barrierematerialschicht ein Silizium enthaltendes Material umfasst.
  54. Photovoltaik-Modul nach Anspruch 53, wobei die Barrierematerialschicht ein Silikon umfasst.
  55. Substrat umfassend: ein Beschichtungsmaterial; und eine Barrierematerialschicht, die zumindest mit einem Abschnitt eines Randes des Substrats in Kontakt steht, wobei die Barrierematerialschicht eine Barriere gegenüber dem Beschichtungsmaterial umfasst.
  56. Substrat nach Anspruch 55, wobei die Barrierematerialschicht ein Epoxid umfasst.
  57. Substrat nach Anspruch 55, wobei die Barrierematerialschicht ein acrylisches Photopolymer umfasst.
  58. Substrat nach Anspruch 55, wobei die Barrierematerialschicht eine konforme Beschichtung umfasst.
  59. Substrat nach Anspruch 55, wobei die Barrierematerialschicht eine den Rand umschließende Versiegelung umfasst.
  60. Substrat nach Anspruch 55, wobei die Barrierematerialschicht ein Silizium enthaltendes Material umfasst.
  61. Substrat nach Anspruch 60, wobei die Barrierematerialschicht ein Silikon umfasst.
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201347215A (zh) * 2012-01-26 2013-11-16 Dow Corning 光伏打電池模組之形成方法
US9640676B2 (en) 2012-06-29 2017-05-02 Sunpower Corporation Methods and structures for improving the structural integrity of solar cells
US9812350B2 (en) 2013-03-06 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer
US9583414B2 (en) * 2013-10-31 2017-02-28 Qorvo Us, Inc. Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same
US20140252566A1 (en) * 2013-03-06 2014-09-11 Rf Micro Devices, Inc. Silicon-on-dual plastic (sodp) technology and methods of manufacturing the same
US9214337B2 (en) 2013-03-06 2015-12-15 Rf Micro Devices, Inc. Patterned silicon-on-plastic (SOP) technology and methods of manufacturing the same
TWI582847B (zh) 2014-09-12 2017-05-11 Ｒｆ微型儀器公司 包含具有聚合物基板之半導體裝置的印刷電路模組及其製造方法
US10085352B2 (en) 2014-10-01 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Method for manufacturing an integrated circuit package
US9530709B2 (en) 2014-11-03 2016-12-27 Qorvo Us, Inc. Methods of manufacturing a printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer
US9613831B2 (en) 2015-03-25 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Encapsulated dies with enhanced thermal performance
US9960145B2 (en) 2015-03-25 2018-05-01 Qorvo Us, Inc. Flip chip module with enhanced properties
US20160343604A1 (en) 2015-05-22 2016-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination
US10276495B2 (en) 2015-09-11 2019-04-30 Qorvo Us, Inc. Backside semiconductor die trimming
US10020405B2 (en) 2016-01-19 2018-07-10 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with integrated sensors
US10090262B2 (en) 2016-05-09 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with inductive element and magnetically enhanced mold compound component
US10784149B2 (en) 2016-05-20 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Air-cavity module with enhanced device isolation
US10773952B2 (en) 2016-05-20 2020-09-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
US10103080B2 (en) 2016-06-10 2018-10-16 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same
US10079196B2 (en) 2016-07-18 2018-09-18 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature
CN109716511A (zh) 2016-08-12 2019-05-03 Qorvo美国公司 具有增强性能的晶片级封装
WO2018031995A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Qorvo Us, Inc. Wafer-level package with enhanced performance
CN109844937B (zh) 2016-08-12 2023-06-27 Qorvo美国公司 具有增强性能的晶片级封装
US10109502B2 (en) 2016-09-12 2018-10-23 Qorvo Us, Inc. Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same
US10090339B2 (en) 2016-10-21 2018-10-02 Qorvo Us, Inc. Radio frequency (RF) switch
US10749518B2 (en) 2016-11-18 2020-08-18 Qorvo Us, Inc. Stacked field-effect transistor switch
US10068831B2 (en) 2016-12-09 2018-09-04 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same
US10490471B2 (en) 2017-07-06 2019-11-26 Qorvo Us, Inc. Wafer-level packaging for enhanced performance
US10784233B2 (en) 2017-09-05 2020-09-22 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US10366972B2 (en) 2017-09-05 2019-07-30 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly
US11152363B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process
US10804246B2 (en) 2018-06-11 2020-10-13 Qorvo Us, Inc. Microelectronics package with vertically stacked dies
US11069590B2 (en) 2018-10-10 2021-07-20 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US10964554B2 (en) 2018-10-10 2021-03-30 Qorvo Us, Inc. Wafer-level fan-out package with enhanced performance
US11646242B2 (en) 2018-11-29 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same
KR20210129656A (ko) 2019-01-23 2021-10-28 코르보 유에스, 인크. Rf 반도체 디바이스 및 이를 형성하는 방법
US20200235040A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Qorvo Us, Inc. Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11387157B2 (en) 2019-01-23 2022-07-12 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
KR20210129658A (ko) 2019-01-23 2021-10-28 코르보 유에스, 인크. Rf 반도체 디바이스 및 이를 형성하는 방법
US11646289B2 (en) 2019-12-02 2023-05-09 Qorvo Us, Inc. RF devices with enhanced performance and methods of forming the same
US11923238B2 (en) 2019-12-12 2024-03-05 Qorvo Us, Inc. Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive
CN111378934B (zh) * 2020-03-30 2021-03-30 中国科学院上海光学精密机械研究所 提升电子束蒸镀薄膜元件的光谱和应力时效稳定性的镀膜方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5059254A (en) * 1988-05-24 1991-10-22 Asahi Glass Company Ltd. Solar cell substrate and solar panel for automobile
US4985751A (en) * 1988-09-13 1991-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin-encapsulated semiconductor devices
KR100267667B1 (ko) * 1998-07-18 2000-10-16 윤종용 센터 패드형 반도체 패키지 소자의 제조 방법
US20030079772A1 (en) * 2001-10-23 2003-05-01 Gittings Bruce E. Sealed photovoltaic modules
TWI340763B (en) * 2003-02-20 2011-04-21 Nippon Kayaku Kk Seal agent for photoelectric conversion elements and photoelectric conversion elements using such seal agent
GB0315846D0 (en) * 2003-07-07 2003-08-13 Dow Corning Solar cells and encapsulation thereof
ES2375607T3 (es) * 2003-07-07 2012-03-02 Dow Corning Corporation Encapsulación de células solares.
JP4823478B2 (ja) * 2003-09-19 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2006120365A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子
US20070144576A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Crabtree Geoffrey J Photovoltaic module and use
TWI427682B (zh) * 2006-07-04 2014-02-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置的製造方法
US20080289681A1 (en) * 2007-02-27 2008-11-27 Adriani Paul M Structures for low cost, reliable solar modules
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080264471A1 (en) * 2007-04-30 2008-10-30 Richard Allen Hayes Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers
US20090139567A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Philip Chihchau Liu Conformal protective coating for solar panel

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Publication number Publication date
US20110036400A1 (en) 2011-02-17
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ZA201201020B (en) 2012-10-31

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