DE112010000732T5 - LAMINATE TYPE-CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - Google Patents

LAMINATE TYPE-CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME Download PDF

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Abstract

Es wird eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gefertigt, die einen Dickfilmwiderstand und eine Überzugslage umfasst, um zu verhindern, dass Defekte wie beispielsweise eine Delaminierung verursacht werden, und um zu verhindern, dass der Dickfilmwiderstand nach einem Laserabgleich Risse bekommt, auch wenn ein Verfahren verwendet wird, bei dem ein ungebranntes Verbundlaminat derart einem Brennen unterzogen wird, dass ein ungebranntes Keramiklaminat, ein ungebrannter Dickfilmwiderstand und eine ungebrannte Überzugslage jeweils integral gesintert werden. Die ungebrannte Überzugslage (15) ist aus einem Glaskeramikmaterial, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in der ungebrannten Keramiklage (12) enthalten ist und eine Keramik enthält. Die jeweiligen Glaskeramikmaterialien, die die ungebrannte Keramiklage (12) und die ungebrannte Überzugslage (15) bilden, sind so eingestellt, dass das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der gebrannten Keramiklage bei der Überzugslage höher ist als bei der Keramiklage.A laminate-type ceramic electronic component is manufactured which includes a thick film resistor and a coating layer to prevent defects such as delamination from being caused and to prevent the thick film resistor from cracking after laser trimming even when using a method in which an unfired composite laminate is subjected to firing such that an unfired ceramic laminate, an unfired thick film resistor and an unfired coating layer are each integrally sintered. The unfired coating layer (15) is made of a glass-ceramic material which contains glass with substantially the same components and the same composition ratio as the glass which is contained in the unfired ceramic layer (12) and which contains a ceramic. The respective glass ceramic materials constituting the unfired ceramic layer (12) and the unfired coating layer (15) are set so that the ratio of a crystalline phase having a thermal expansion coefficient smaller than the thermal expansion coefficient of the fired ceramic layer is higher in the coating layer than in the ceramic layer.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente und ein Verfahren zum Fertigen der Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente und bezieht sich insbesondere auf eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente, die ein mehrlagiges Keramiksubstrat, einen auf einer Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats gebildeten Dickfilmwiderstand und ferner eine darauf gebildete Überzugslage umfasst, und auf ein Verfahren zum Fertigen der Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente.The present invention relates to a laminate type ceramic electronic component and a method for manufacturing the laminate type ceramic electronic component, and more particularly relates to a laminate type ceramic electronic component comprising a multilayer ceramic substrate, a thick film resistor formed on a main surface of the multilayer ceramic substrate, and further comprising a coating layer formed thereon, and a method of manufacturing the laminate type ceramic electronic component.

STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART

Im Fall der Bildung eines aus einem Dickfilm gebildeten Widerstands auf der Oberfläche eines Keramiksubstrats ist der Widerstand zum Zweck des Schützen des Widerstands und zum Verbessern der Wetterfestigkeit mit einem Überzug aus einem glasbasierten Material bedeckt. Obwohl der mit dem Überzug bedeckte Widerstand einen Widerstandswert aufweist, der bei der Verwendung eines Lösungsansatzes wie beispielsweise eines Laserabgleichs einer Feineinstellung unterzogen wird, kann der Widerstand nach dem Laserabgleich Widerstand mit verursachte Risse aufweisen, da der Widerstand während des Laserabgleichs einem extrem starken Temperaturschock unterworfen wird. Der Widerstand mit verursachten Rissen macht es schwierig, den Widerstandswert stabil zu halten.In the case of forming a resistor formed of a thick film on the surface of a ceramic substrate, the resistor is covered with a coating of a glass-based material for the purpose of protecting the resistor and improving the weather resistance. Although the resist covered with the coating has a resistance which is finely adjusted using a solution approach such as laser alignment, the resistance after laser alignment may exhibit resistance with cracks caused because the resistance during laser alignment is subjected to an extremely severe thermal shock , The resistance with cracks caused makes it difficult to keep the resistance stable.

Die Techniken, die dieses Problem lösen können, sind beispielsweise in der japanischen Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 8-250623 (Patentschrift 1) und in der japanischen Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2001-322831 (Patentschrift 2) beschrieben.The techniques that can solve this problem are, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 8-250623 (Patent Document 1) and in the Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2001-322831 (Patent Document 2).

Im Fall der Patentschrift 1 ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des Widerstands bei einem Verfahren zum Fertigen eines Keramiksubstrats, das die jeweiligen Schritte eines Aufbringens eines Widerstands auf die Oberfläche eines gebrannten Keramiksubstrats und ferner eines Überzugsglases auf denselben und eines gemeinsamen Brennens des Widerstands und des Überzugsglases umfasst, nicht geringer ausgelegt als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Überzugsglases, so dass der Widerstand keine Risse aufweist, die aufgrund eines Temperaturschocks während des Laserabgleichs verursacht werden.In the case of Patent Document 1, the coefficient of thermal expansion of the resistor is not in a method of fabricating a ceramic substrate comprising the respective steps of applying a resistance to the surface of a fired ceramic substrate and further a cladding glass thereon and firing the resistor and cladding glass together made smaller than the coefficient of thermal expansion of the coating glass, so that the resistance has no cracks caused due to a temperature shock during laser balancing.

Im Fall der Patentschrift 2 ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des Überzugsglases bei einem Verfahren zum Fertigen eines Keramiksubstrats im Wesentlichen wie im Fall der Patentschrift 1 niedriger ausgelegt als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Keramiksubstrats, so dass der Widerstand keine Risse aufweist, die aufgrund eines Temperaturschocks während des Laserabgleichs verursacht werden.In the case of Patent Document 2, in a method of fabricating a ceramic substrate, the coefficient of thermal expansion of the coating glass is made lower than the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate substantially as in the case of Patent Literature 1, so that the resistance has no cracks caused due to a temperature shock during laser alignment ,

Es ist üblich, dass der Widerstand und das Überzugsglas anhand eines derartigen Nach-Brennen-Prozesses gebildet werden, da sie aufeinanderfolgend auf die Oberfläche eines gebrannten Keramiksubstrats aufgebracht und einem Brennen unterzogen werden, wie in den oben beschriebenen Patentschriften 1 und 2 beschrieben ist. Jedoch erhöht das Durchführen des Nach-Brennen-Prozesses die Brennfrequenz und auf ein Problem wie stößt beispielsweise eine Schwierigkeit bei der Bildung von feinen Strukturen.It is common that the resistor and the cladding glass are formed by such a post-baking process as they are sequentially applied to the surface of a baked ceramic substrate and subjected to baking as described in the above-described Patent Documents 1 and 2. However, performing the afterburning process increases the burning frequency and a problem such as difficulty in forming fine structures is encountered.

Um eine Verringerung der Brennfrequenz zu erzielen, können der Widerstand und das Überzugsglas einem gemeinsamen Brennen mit dem Keramiksubstrat unterzogen werden. Jedoch muss in diesem Fall, wenn das Verhalten während des Brennens zwischen dem Keramiksubstratmaterial und dem Überzugsmaterial stark variiert, berücksichtigt werden, dass es wahrscheinlicher ist, dass Defekte wie z. B. eine Delaminierung und Verwerfung des Substrats verursacht werden.In order to achieve a reduction in the focal frequency, the resistor and the cladding glass may be subjected to co-firing with the ceramic substrate. However, in this case, if the behavior during firing greatly varies between the ceramic substrate material and the coating material, it must be considered that defects such as e.g. B. delamination and rejection of the substrate are caused.

Für die Zwecke einer Verringerung der Brennfrequenz wird das gemeinsame Brennen des Widerstands und des Überzugsglases mit dem Keramiksubstrat beispielsweise in der japanischen Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2005-039164 (Patentschrift 3) und in der japanischen Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2005-174953 (Patentschrift 4) beschrieben.For the purposes of reducing the focal frequency, the co-firing of the resistor and the overlay glass with the ceramic substrate is described, for example, in US Pat Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2005-039164 (Patent 3) and in the Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2005-174953 (Patent 4).

Die Patentschrift 3 offenbart die Bildung eines Leiters, eines Widerstands und eines Überzugsglases auf einer Hauptoberfläche eines ungebrannten Keramiklaminats mit einer Mehrzahl von gestapelten Glaskeramikgrünschichten, ferner die Platzierung einer beschränkten Lage, die als ihren Hauptbestandteil ein Keramikmaterial enthält, das bei einer Temperatur, bei der das ungebrannte Keramiklaminat auf beiden Hauptoberflächen des Keramiklaminats gesintert wird, im Wesentlichen nicht gesintert wird, und das Brennen des ungebrannten Keramiklaminats, bei dem der Leiter, der Widerstand und das Überzugsglas gebildet sind und die beschränkten Lagen platziert sind, was auf der Basis eines schrumpfungsfreien gemeinsamen Brennvorgangs ausgeführt wird.Patent Document 3 discloses the formation of a conductor, a resistor and a coating glass on a main surface of a green ceramic laminate having a plurality of stacked glass ceramic green sheets, and the placement of a confined layer containing as its main component a ceramic material which is at a temperature at which unfired ceramic laminate is sintered on both major surfaces of the ceramic laminate, is substantially not sintered, and the firing of the green ceramic laminate in which the conductor, the resistor and the coating glass are formed and the limited layers are placed, which is carried out on the basis of a non-shrinking common burning process.

Außerdem offenbart die Patentschrift 3 als bevorzugte Ausführungsbeispiele, dass die in dem Überzugsglas enthaltene Glaskomponente kristallisiertes Glas enthält, die Erweichungstemperatur der in dem Überzugsglas enthaltenen Glaskomponente höher ist als der Erweichungspunkt der in dem Widerstand und den Glaskeramikgrünschichten enthaltenen Glaskomponente, und die in dem Überzugsglas enthaltene Glaskomponente SiO2, Bi2O3 und B2O3 enthält.Further, as preferred embodiments, Patent Specification 3 discloses that the glass component contained in the coating glass contains crystallized glass, the softening temperature of the glass component contained in the coating glass is higher than the softening point of the glass component contained in the resistor and the glass ceramic green sheets, and the glass component contained in the coating glass SiO 2 , Bi 2 O 3 and B 2 O 3 .

Jedoch besteht bei der in der Patentschrift 3 beschriebenen Technik, wenn die wie oben beschriebenen zu bevorzugenden Ausführungsbeispiele verwendet werden sollen, ein Erfordernis der Verwendung zueinander unterschiedlicher Glastypen zwischen dem Substratmaterial und dem Überzugsmaterial, und somit wird ein Unterschied bezüglich des Schrumpfungsverhaltens bei dem schrumpfungsfreien gemeinsamen Brennvorgang verursacht, wodurch man auf das Problem der Schwierigkeit bei der Integration des Substratmaterials und des Überzugsmaterials stößt.However, in the technique described in Patent Document 3, if the preferable embodiments described above are to be used, there is a requirement of using different types of glass between the substrate material and the coating material, and thus a difference in shrinkage performance in the non-shrinkage common burning operation causing the problem of difficulty in integrating the substrate material and the coating material.

Dagegen offenbart die Patentschrift 4, dass eine ungebrannte Schaltungsplatine mit einem Widerstand und einem Oberflächenlagenleiter, der mit keramischen grünen Decklagen bedeckt ist, zwischen beschränkten Schichten angeordnet ist und einem gemeinsamen Brennen unterzogen wird. In diesem Fall werden die oben erwähnten keramischen grünen Decklagen durch eine keramikpastenaufgebrachte Lage und eine keramische Grünschicht gebildet, die durch das gemeinsame Brennen in die ungebrannte Schaltungsplatine integriert werden sollen, gebildet. Außerdem sollen die keramikpastenaufgebrachten Lagen und keramischen Grünschichten, die die keramischen grünen Decklagen bilden, im Wesentlichen dieselbe Zusammensetzung aufweisen wie die keramischen Grünschichten, die die ungebrannte Schaltungsplatine bilden. Außerdem wird von den keramischen grünen Decklagen die keramische Decklage, die den Oberflächenlagenleiter bedeckt, nach dem Brennen zusammen mit den beschränkten Schichten derart beseitigt, dass der Oberflächenlagenleiter dadurch an der Oberfläche des Substrats freigelegt wird.On the other hand, Patent Document 4 discloses that an unfired circuit board having a resistor and a surface layer conductor covered with ceramic green cover layers is sandwiched between confined layers and subjected to co-firing. In this case, the above-mentioned ceramic green cover sheets are formed by a ceramic paste-applied sheet and a ceramic green sheet which are to be integrated into the unfired printed circuit board by the co-firing. In addition, the ceramic paste-deposited sheets and ceramic green sheets forming the ceramic green cover sheets should have substantially the same composition as the ceramic green sheets that form the unfired printed circuit board. Moreover, of the green ceramic cover layers, the ceramic cover layer covering the surface layer conductor is removed after firing together with the constrained layers such that the surface layer conductor is thereby exposed on the surface of the substrate.

Im Fall der in der Patentschrift 4 beschriebenen Technik weisen jedoch die keramikpastenaufgebrachten Lagen und keramischen Grünschichten, die die keramischen grünen Decklagen bilden, im Wesentlichen dieselbe Zusammensetzung auf wie die keramischen Grünschichten, die die ungebrannte Schaltungsplatine bilden, und somit besteht bezüglich des Wärmeausdehnungskoeffizienten kein Unterschied zwischen den keramischen grünen Decklagen und der ungebrannten Schaltungsplatine, wodurch es wahrscheinlicher wird, dass nach einem Laserabgleich Risse verursacht werden, und was möglicherweise zu einem Problem einer Schwierigkeit beim Steuern des Widerstandswertes des Widerstands auf stabile Weise führt. Insbesondere ist dieses Problem noch bedeutsamer, falls keine Überzugslagen auf den keramischen grünen Decklagen gebildet werden.
Patentschrift 1: japanische Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 8-250623
Patentschrift 2: japanische Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2001-322831
Patentschrift 3: japanische Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2005-039164
Patentschrift 4: japanische Patentanmeldung Offenlegungsschrift Nr. 2005-174953 However, in the case of the technique described in Patent Document 4, the ceramic paste-deposited sheets and ceramic green sheets constituting the ceramic green cover sheets have substantially the same composition as the ceramic green sheets forming the unfired printed circuit board, and thus there is no difference in the coefficient of thermal expansion the ceramic green cover layers and the green circuit board, which are more likely to cause cracks after laser alignment, and possibly lead to a problem of difficulty in controlling the resistance of the resistor in a stable manner. In particular, this problem is even more significant if no coating layers are formed on the ceramic green cover layers.
Patent document 1: Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 8-250623
Patent document 2: Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2001-322831
Patent 3: Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2005-039164
Patent 4: Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2005-174953

OFFENBARUNG DER ERFINDUNGDISCLOSURE OF THE INVENTION

Durch die Erfindung zu lösendes ProblemProblem to be solved by the invention

Deshalb besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente und einer anhand des Fertigungsverfahrens erhaltenen Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente zu liefern, die die oben beschriebenen Probleme lösen können.Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component and a laminate type ceramic electronic component obtained by the manufacturing method, which can solve the above-described problems.

Mittel zum Lösen des ProblemsMeans of solving the problem

Die vorliegende Erfindung richtet sich zunächst auf ein Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente mit einem Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche eines mehrlagigen Keramiksubstrats gebildet ist, das eine Mehrzahl gestapelter Keramiklagen umfasst, und ferner mit einer darauf gebildeten Überzugslage. Dieses Fertigungsverfahren umfasst folgende Schritte: Herstellen eines ungebrannten Verbundlaminats mit einem ungebrannten Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche eines ungebrannten Keramiklaminats gebildet ist, das eine Mehrzahl ungebrannter Keramiklagen gestapelt umfasst, und ferner eine darauf gebildete ungebrannte Überzugslage; und anschließend Brennen des ungebrannten Verbundlaminats, so dass das ungebrannte Keramiklaminat, der ungebrannte Dickfilmwiderstand und die ungebrannte Überzugslage integral gesintert werden.The present invention is directed firstly to a method of manufacturing a laminate type ceramic electronic component having a thick film resistor formed on a major surface of a multilayer ceramic substrate comprising a plurality of stacked ceramic layers and further having a coating layer formed thereon. This manufacturing method comprises the steps of: preparing an unfired composite laminate having an unfired thick film resistor formed on a main surface of a green ceramic laminate stacked with a plurality of unfired ceramic layers, and further an unfired coating layer formed thereon; and then burning the unburned Composite laminate, so that the green ceramic laminate, the green thick-film resistor and the unfired coating layer are sintered integrally.

Das Verfahren zum Fertigen der Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass, um die oben beschriebenen technischen Probleme zu lösen, die ungebrannten Keramiklagen aus einem Glaskeramikmaterial sind, das Glas und eine Keramik enthält, die ungebrannte Überzugslage aus einem Glaskeramikmaterial ist, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in den ungebrannten Keramiklagen enthalten ist und eine Keramik enthält, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannten Keramiklagen bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage bildet, so eingestellt sind, dass das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der gebrannten Keramiklagen bei der Überzugslage höher ist als bei den Keramiklagen.The method of manufacturing the laminate type ceramic electronic component according to the present invention is characterized in that, in order to solve the above-described technical problems, the green ceramic sheets are made of a glass ceramic material containing glass and a ceramic, the green coating layer is made of a glass ceramic material that contains glass having substantially the same constituents and the same composition ratio as the glass contained in the green ceramic layers and containing a ceramic, and the glass ceramic material constituting the green ceramic layers and the glass ceramic material constituting the green cover layer; are set so that the ratio of a crystalline phase having a lower coefficient of thermal expansion than the thermal expansion coefficient of the fired ceramic layers in the coating layer is higher than in the ceramic layers.

Bei dem Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente werden das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Keramiklage bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage bildet, vorzugsweise so eingestellt, dass die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage höher ist als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklagen.In the method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component, the glass ceramic material constituting the green ceramic sheet and the glass ceramic material constituting the green sheet are preferably adjusted so that the crystallization temperature of the green sheet is higher than the crystallization temperature of the green ceramic sheets.

Bei dem oben beschriebenen vorzuziehenden Ausführungsbeispiel ist es stärker bevorzugt, dass die ungebrannten Keramiklagen und die ungebrannte Überzugslage einen Keimkristall umfassen, der eine kristalline Phase enthält, die nach dem Brennen in der gebrannten Keramiklage und der Überzugslage abgeschieden wird, und das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in den ungebrannten Keramiklagen und das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in der Überzugslage werden dahin gehend eingestellt, die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage höher zu gestalten als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklagen.In the above-described preferable embodiment, it is more preferable that the green ceramic layers and the unfired coating layer comprise a seed crystal containing a crystalline phase deposited in the fired ceramic layer and the overcoat layer after firing, and the weight ratio of the seed crystal in the The unfired ceramic layers and the weight ratio of the seed crystal in the coating layer are set to make the crystallization temperature of the unfired coating layer higher than the crystallization temperature of the unfired ceramic layers.

Ein gesinterter Körper desselben Materials wie des der gebrannten Keramiklagen wird vorzugsweise einem Mahlen unterzogen und als das Keimkristall verwendet.A sintered body of the same material as that of the fired ceramic layers is preferably subjected to grinding and used as the seed crystal.

Außerdem kann bei dem Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung die Korngröße für die Keramik in den ungebrannten Keramiklagen und die Korngröße für die Keramik in der ungebrannten Überzugslage so eingestellt werden, dass das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der gebrannten Keramiklagen bei der Überzugslage höher gestaltet wird als bei den Keramiklagen.In addition, in the method of fabricating a laminate-type ceramic electronic component according to the present invention, the grain size for the ceramic in the unfired ceramic layers and the grain size for the ceramic in the unfired coated layer can be adjusted so that the ratio of a crystalline phase having a smaller coefficient of thermal expansion is made higher than the thermal expansion coefficient of the fired ceramic layers in the coating layer than in the ceramic layers.

Bei dem Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung wird die ungebrannte Überzugslage vorzugsweise dahin gehend gebildet, eine Hauptoberfläche des ungebrannten Keramiklaminats vollständig zu bedecken.In the method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component according to the present invention, the unfired coating layer is preferably formed so as to completely cover a main surface of the green ceramic laminate.

Außerdem umfasst das ungebrannte Verbundlaminat bei dem Verfahren zum Fertigen der Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ferner eine beschränkte Lage, die an zumindest einer Hauptoberfläche des ungebrannten Verbundlaminats platziert ist, und die beschränkte Lage enthält als ihren Hauptbestandteil ein Keramikmaterial, das bei einer Temperatur, bei der die ungebrannten Keramiklagen und die ungebrannte Überzugslage gesintert werden, im Wesentlichen nicht gesintert wird, und das Verfahren umfasst ferner einen Schritt eines Beseitigens der beschränkten Lage nach dem Schritt des Brennens des ungebrannten Verbundlaminats.In addition, in the method for manufacturing the laminate-type ceramic electronic component according to the present invention, the unfired composite laminate further comprises a limited layer placed on at least one major surface of the green composite laminate, and the constrained layer contains as its main component a ceramic material which is used in a composite material Temperature at which the unfired ceramic layers and the unfired coating layer are sintered, substantially not sintered, and the method further comprises a step of removing the constrained layer after the step of firing the unfired composite laminate.

Die vorliegende Erfindung ist auch auf eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gerichtet, die ein mehrlagiges Keramiksubstrat, das eine Mehrzahl von gestapelten Keramiklagen umfasst, einen Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats gebildet ist, und ferner eine darauf gebildete Überzugslage umfasst. Die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie die folgenden Aspekte umfasst.The present invention is also directed to a laminate type ceramic electronic component comprising a multilayer ceramic substrate comprising a plurality of stacked ceramic layers, a thick film resistor formed on a major surface of the multilayer ceramic substrate, and further a coated layer formed thereon. The laminate-type ceramic electronic component according to the present invention is characterized by comprising the following aspects.

Insbesondere ist die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente dadurch gekennzeichnet, dass die Keramiklagen aus einem Glaskeramikmaterial sind, das Glas und eine Keramik enthält, die Überzugslage aus einem Glaskeramikmaterial ist, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in den Keramiklagen enthalten ist und eine Keramik enthält, und das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Keramiklagen bei der Überzugslage höher ist als bei den Keramiklagen.In particular, the laminate-type ceramic electronic component is characterized in that the ceramic layers are of a glass-ceramic material containing glass and a ceramic coated layer of a glass-ceramic material containing glass having substantially the same constituents and the same composition ratio as that of the glass contained in the ceramic layers and containing a ceramic, and the ratio of a crystalline phase with a lower coefficient of thermal expansion than the thermal expansion coefficient of the ceramic layers is higher in the coating layer than in the ceramic layers.

Bei der Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Überzugslage vorzugsweise dahin gehend gebildet, eine Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats vollständig zu bedecken.In the laminate-type ceramic electronic component according to the present invention, the coating layer is preferably formed to completely cover a main surface of the multilayer ceramic substrate.

Auswirkungen der ErfindungEffects of the invention

Gemäß der vorliegenden Erfindung können die Keramiklagen und die Überzugslage, die jeweils dasselbe Glas verwenden, eine Schwankung bei mechanischen Eigenschaften (z. B. der Festigkeit und des Wärmeausdehnungskoeffizienten) und elektrischen Eigenschaften (beispielsweise des Q-Werts und der spezifischen Dielektrizitätskonstante) sogar dann unterdrücken, wenn eine Diffusion des Glases zwischen dem mehrlagigen Keramiksubstrat und der Überzugslage verursacht wird. Außerdem kann das Glas in Bezug auf Kosten ohne weiteres auf vorteilhafte Weise gehandhabt werden. Ferner können eine Delaminierung, Verwerfung des Substrats usw., die durch einen Unterschied bezüglich des Schrumpfungsverhaltens verursacht werden, unterdrückt werden.According to the present invention, the ceramic layers and the coating layer each using the same glass can suppress variation in mechanical properties (eg, strength and thermal expansion coefficient) and electrical properties (for example, Q value and specific dielectric constant) even then when diffusion of the glass is caused between the multilayer ceramic substrate and the overcoat layer. In addition, the glass can be easily handled in terms of cost in an advantageous manner. Further, delamination, warpage of the substrate, etc., caused by a difference in shrinkage behavior can be suppressed.

Da außerdem der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage niedriger ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient für das mehrlagige Keramiksubstrat, kann die Oberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats mit einer verursachten Druckspannung verhindern, dass nach dem Laserabgleich für die Dickfilmwiderstände Risse verursacht werden, wodurch es ermöglicht wird, einen genauen Widerstandswert stabil zu halten.In addition, since the thermal expansion coefficient for the coating layer is lower than the thermal expansion coefficient for the multilayer ceramic substrate, the surface of the multilayer ceramic substrate with a compressive stress caused can prevent cracking of the thick film resistors after laser alignment, thereby making it possible to stably obtain an accurate resistance value hold.

KURZE ERLÄUTERUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF EXPLANATION OF THE DRAWINGS

1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung schematisch veranschaulicht. 1 FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a laminate type ceramic electronic component. FIG 1 illustrated schematically according to an embodiment of the present invention.

2 ist eine Querschnittsansicht, die ein ungebranntes Verbundlaminat 11, das zum Fertigen der in 1 gezeigten Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 hergestellt wird, schematisch veranschaulicht. 2 is a cross-sectional view showing an unfired composite laminate 11 to manufacture the in 1 shown laminate type ceramic electronic component 1 is prepared, illustrated schematically.

MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNGMODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

Zunächst wird unter Bezugnahme auf 1 die Struktur einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben.First, referring to 1 the structure of a laminate type ceramic electronic component 1 according to an embodiment of the present invention.

Die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 umfasst ein mehrlagiges Keramiksubstrat 3, das eine Mehrzahl gestapelter Keramiklagen 2 umfasst, einen auf einer Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats 3 gebildeten Dickfilmwiderstand 4 und ferner eine auf demselben gebildete Überzugslage 5.The laminate type ceramic electronic component 1 comprises a multilayer ceramic substrate 3 containing a plurality of stacked ceramic layers 2 includes one on a main surface of the multilayer ceramic substrate 3 formed thick film resistor 4 and further a coating layer formed thereon 5 ,

Das mehrlagige Keramiksubstrat 3 umfasst Verdrahtungsleiter. Die Verdrahtungsleiter sollen passive Elemente wie z. B. Kondensatoren und Induktoren bilden oder eine Verbindungsverdrahtung wie z. B. elektrische Verbindungen zwischen Elementen bereitstellen. Die Verdrahtungsleiter umfassen mehrere in einer Ebene befindliche Verdrahtungsleiter 6 und Zwischenlagenverbindungsleiter 7, die in dem mehrlagigen Keramiksubstrat 3 gebildet sind, sowie mehrere Oberflächenleiter 8, die auf den Außenoberflächen des mehrlagigen Keramiksubstrats 3 gebildet sind, und von den Oberflächenleitern 8 werden spezifische als resistive Verbindungsleiter 8(A) verwendet.The multilayer ceramic substrate 3 includes wiring conductors. The wiring conductors are passive elements such. B. capacitors and inductors form or a connection wiring such. B. provide electrical connections between elements. The wiring conductors include a plurality of in-plane wiring conductors 6 and liner connection manager 7 used in the multilayer ceramic substrate 3 are formed, as well as multiple surface conductors 8th on the outer surfaces of the multilayer ceramic substrate 3 are formed, and of the surface conductors 8th become specific as resistive connection conductors 8 (A) used.

Die in dem mehrlagigen Keramiksubstrat 3 enthaltenen Keramiklagen 2 sind aus einem Glaskeramikmaterial, das Glas und eine Keramik enthält. Die Überzugslage 5 ist aus einem Glaskeramikmaterial, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in den Keramiklagen 2 enthalten ist und eine Keramik enthält. In diesem Fall kann die Keramik, die in dem Glaskeramikmaterial, das die Überzugslage 5 bildet, enthalten ist, derselbe Typ Keramik sein wie oder ein anderer Typ Keramik sein als die Keramik, die in dem die Keramiklagen 2 bildenden Glaskeramikmaterial enthalten ist. Es ist zu beachten, dass der Begriff „das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und im Wesentlichen demselben Zusammensetzungsverhältnis” bedeutet „Glas, das keine Schwankung bei mechanischen Eigenschaften oder elektrischen Eigenschaften in den Keramiklagen oder der Überzugslage verursacht, auch wenn die Bestandteile des Glases eine Zwischendiffusion zwischen den Keramiklagen und der Überzugslage bewirken”, und sich im Einzelnen auf Glas mit genau denselben Bestandteilen und genau demselben Zusammensetzungsverhältnis bezieht.The in the multilayer ceramic substrate 3 contained ceramic layers 2 are made of a glass-ceramic material that contains glass and a ceramic. The coating situation 5 is made of a glass-ceramic material containing glass having substantially the same components and the same composition ratio as the glass in the ceramic layers 2 is included and contains a ceramic. In this case, the ceramic used in the glass-ceramic material, the coating layer 5 The same type of ceramic is included as or different type of ceramic than the ceramic used in the ceramic layers 2 forming glass ceramic material is included. It should be noted that the term "the glass having substantially the same constituents and substantially the same composition ratio" means "glass which causes no variation in mechanical properties or electrical properties in the ceramic layers or the coating layer even though the constituents of the glass have a Interdiffusion between the ceramic layers and the coating layer effect ", and refers in detail to glass with exactly the same components and exactly the same composition ratio.

Außerdem ist das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Keramiklagen 2 bei der Überzugslage 5 höher ausgelegt als bei den Keramiklagen 2. Folglich ist der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage 5 geringer als der Wärmeausdehnungskoeffizient für das mehrlagige Keramiksubstrat 3. In addition, the ratio of a crystalline phase with a lower coefficient of thermal expansion than the thermal expansion coefficient of the ceramic layers 2 at the coating position 5 designed higher than the ceramic layers 2 , Consequently, the thermal expansion coefficient for the coating layer 5 less than the thermal expansion coefficient for the multilayer ceramic substrate 3 ,

Es ist zu beachten, dass, obwohl die Überzugslage 5 dahin gehend gebildet ist, eine Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats 3 bei der in 1 gezeigten Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 vollständig zu bedecken, die Überzugslage 5 dahin gehend gebildet sein kann, beispielsweise lediglich Abschnitte mit den gebildeten Dickfilmwiderständen 4 zu bedecken.It should be noted that, although the coating situation 5 formed thereon, a main surface of the multilayer ceramic substrate 3 at the in 1 shown laminate type ceramic electronic component 1 to completely cover the coating layer 5 may be formed, for example, only sections with the formed thick-film resistors 4 to cover.

Ein Verfahren zum Fertigen der oben beschriebenen Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 wird unter Bezugnahme auf 2 beschrieben. Die in 1 gezeigte Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 wird erhalten, indem ein in 2 gezeigtes ungebranntes Verbundlaminat 11 einem gemeinsamen Brennen unterzogen wird.A method of manufacturing the above-described laminate type ceramic electronic component 1 is referring to 2 described. In the 1 shown laminate type ceramic electronic component 1 is obtained by placing an in 2 Shown unbaked composite laminate 11 subjected to a common burning.

Das ungebrannte Verbundlaminat 11 umfasst ungebrannte Keramiklagen 12, die den Keramiklagen 2 entsprechen, ein ungebranntes Keramiklaminat 13, das dem mehrlagigen Keramiksubstrat 3 entspricht, ungebrannte Dickfilmwiderstände 14, die den Dickfilmwiderständen 4 entsprechen, eine ungebrannte Überzugslage 15, die der Überzugslage 5 entspricht, ungebrannte in einer Ebene liegende Verdrahtungsleiter 16, die den in einer Ebene liegenden Verdrahtungsleitern 6 entsprechen, ungebrannte Zwischenlagenverbindungsleiter 17, die den Zwischenlagenverbindungsleitern 7 entsprechen, und ungebrannte Oberflächenleiter 18, die den Oberflächenleitern 8 entsprechen. Außerdem beziehen sich von den ungebrannten Oberflächenleitern 18 spezifische auf ungebrannte resistive Verbindungsleiter 18(A), die den resistiven Verbindungsleitern 8(A) entsprechen.The unfired composite laminate 11 includes unfired ceramic layers 12 that the ceramic layers 2 equivalent, an unfired ceramic laminate 13 That is the multi-layer ceramic substrate 3 corresponds to unfired thick film resistors 14 that the thick film resistors 4 correspond, an unfired coating layer 15 , the overdraft situation 5 corresponds to unfired in-plane wiring conductors 16 , which are the in-plane wiring conductors 6 match, unfired liner interconnector 17 who are the liner liaison officers 7 match, and unfired surface conductors 18 that the surface conductors 8th correspond. Besides, refer to the unfired surface conductors 18 specific to unfired resistive connection conductors 18 (A) that the resistive connecting conductors 8 (A) correspond.

Das ungebrannte Verbundlaminat 11 umfasst beschränkte Lagen 21 und 22, die auf jeder Hauptoberfläche desselben platziert sind. Als ihre Hauptkomponente enthalten die beschränkten Lagen 21 und 22 ein Keramikmaterial, das bei einer Temperatur, bei der die ungebrannten Keramiklagen 12 und die ungebrannte Überzugslage 15 gesintert werden, im Wesentlichen nicht gesintert wird. Es ist zu beachten, dass eine beliebige der beschränkten Lagen 21 und 22 weggelassen werden kann, um die andere beschränkte Lage lediglich auf einer Hauptoberfläche des ungebrannten Verbundlaminats 11 zu platzieren.The unfired composite laminate 11 includes limited layers 21 and 22 which are placed on each main surface thereof. As their main component contain the restricted layers 21 and 22 a ceramic material that is at a temperature at which the unfired ceramic layers 12 and the unfired coating layer 15 are sintered, essentially not sintered. It should be noted that any of the limited layers 21 and 22 can be omitted to the other limited position only on a major surface of the green composite laminate 11 to place.

Um die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 zu fertigen, wird zuerst das ungebrannte Keramiklaminat 13 hergestellt, das die Mehrzahl ungebrannter gestapelter Keramiklagen 12 umfasst. Das ungebrannte Keramiklaminat 13 weist die jeweiligen gebildeten ungebrannten in einer Ebene befindlichen Verdrahtungsleiter 16, Zwischenlagenverbindungsleiter 17 und Oberflächenleiter 18 auf.To the laminate type ceramic electronic component 1 First, the unfired ceramic laminate 13 made the majority of unfired stacked ceramic layers 12 includes. The unfired ceramic laminate 13 has the respective formed unfired in-plane wiring conductors 16 , Liner manager 17 and surface conductors 18 on.

Als Nächstes werden die ungebrannten Dickfilmwiderstände 14 auf einer Hauptoberfläche des oben beschriebenen ungebrannten Keramiklaminats 13 gebildet, und die ungebrannte Überzugslage 15 wird ferner darauf gebildet. Ferner werden die beschränkten Lagen 21 und 22 dahin gehend platziert, das ungebrannte Keramiklaminat 13 mit den ungebrannten Dickfilmwiderständen 14 und der gebildeten Überzugslage 15 zwischen sich aufzunehmen. Auf diese Weise wird das ungebrannte Verbundlaminat 11 erhalten.Next are the green thick film resistors 14 on a main surface of the above-described unfired ceramic laminate 13 formed, and the unfired coating layer 15 is further formed thereon. Furthermore, the limited layers become 21 and 22 placed there, the unfired ceramic laminate 13 with the unfired thick film resistors 14 and the formed coating layer 15 to take up between themselves. In this way, the unfired composite laminate 11 receive.

Bei dem Schritt des Fertigens des oben beschriebenen ungebrannten Verbundlaminats 11 werden üblicherweise Keramikgrünschichten, die als die ungebrannten Keramiklagen 12 dienen sollen, eine Widerstandspaste für die Bildung der ungebrannten Dickfilmwiderstände 14, eine Grünschicht als Überzug für die Bildung der ungebrannten Überzugslage 15, eine leitfähige Paste für die Bildung der jeweiligen ungebrannten in einer Ebene liegenden Verdrahtungsleiter 16, Zwischenlagenverbindungsleiter 17 und die Oberflächenleiter 18 und Grünschichten für beschränkte Lagen, die als die beschränkten Lagen 21 und 22 dienen sollen, hergestellt.In the step of manufacturing the above-described unfired composite laminate 11 are usually ceramic green sheets, as the unfired ceramic layers 12 to serve, a resistor paste for the formation of the unfired thick film resistors 14 , a green sheet as a coating for the formation of the unfired coating layer 15 , a conductive paste for the formation of the respective unfired in-plane wiring conductors 16 , Liner manager 17 and the surface conductors 18 and green sheets for limited layers, which are the limited layers 21 and 22 to serve, manufactured.

Um die ungebrannten Zwischenlagenverbindungsleiter 17 zu bilden, werden die spezifischen keramischen Grünschichten anschließend mit Durchgangslöchern versehen, die mit der leitfähigen Paste gefüllt werden. Um die jeweiligen ungebrannten in einer Ebene liegenden Verdrahtungsleiter 16 und Oberflächenleiter 18 zu bilden, wird die leitfähige Paste auf die spezifischen keramischen Grünschichten aufgedruckt. Um die Dickfilmwiderstände 14 zu bilden, wird die Widerstandspaste außerdem auf die spezifische keramische Grünschicht aufgedruckt.Around the unburned liner connecting conductors 17 to form the specific ceramic green sheets are then provided with through holes, which are filled with the conductive paste. Around the respective unfired in-plane wiring conductors 16 and surface conductors 18 To form the conductive paste is printed on the specific ceramic greensheets. To the thick film resistors 14 In addition, the resistor paste is also printed on the specific ceramic greensheet.

Ferner werden diese keramischen Grünschichten in einer vorbestimmten Reihenfolge gestapelt, um das ungebrannte Keramiklaminat 13 herzustellen, das die Mehrzahl ungebrannter Keramiklagen 12 gestapelt umfasst. Außerdem wird die Grünschicht für den Überzug auf einer Hauptoberfläche des ungebrannten Keramiklaminats 13 gestapelt, um die ungebrannte Überzugslage 15 zu bilden. Außerdem werden die Grünschichten für beschränkte Lagen gestapelt, um die beschränkte Lage 21 und 22 zu bilden.Further, these ceramic green sheets are stacked in a predetermined order around the unfired ceramic laminate 13 produce the majority of unfired ceramic layers 12 stacked covers. In addition, the green sheet for the coating on a main surface of the unfired ceramic laminate 13 stacked to the unfired coating layer 15 to build. In addition, the green sheets for limited layers are stacked to the limited location 21 and 22 to build.

Es ist zu beachten, dass zur Bildung der ungebrannten Überzugslage 15 zusätzlich zu dem Verfahren des Stapelns der Grünschicht für einen Überzug als einzelnen Körper das ungebrannte Keramiklaminat 13 derart hergestellt werden kann, dass eine Aufschlämmung für einen Überzug, der als die ungebrannte Überzugslage 15 dienen soll, auf die Grünschicht für beschränkte Lage aufgebracht wird, um als die beschränkte Lage 21 zu dienen, die Widerstandspaste für die Bildung der ungebrannten Dickfilmwiderstände 14 und die leitfähige Paste für die Bildung der ungebrannten Oberflächenleiter 18 ferner sequentiell auf die auf der Grünschicht für die beschränkte Lage gebildete ungebrannte Überzugslage 15 aufgedruckt werden und die Grünschicht mit der darauf gebildeten ungebrannten Überzugslage 15 und den ferner darauf gebildeten ungebrannten Dickfilmwiderständen 14 und ungebrannten Oberflächenleitern 18 anschließend zusammen mit den anderen keramischen Grünschichten gestapelt wird.It should be noted that to form the unfired coating layer 15 in addition to the method of stacking the green sheet for a single-body coating, the unfired ceramic laminate 13 can be made such that a slurry for a coating, as the unfired coating layer 15 to serve on the green sheet for limited location is applied to as the limited location 21 to serve the resistor paste for the formation of the green thick film resistors 14 and the conductive paste for the formation of the unfired surface conductors 18 and sequentially applied to the unfired coating layer formed on the greensheet for the constrained layer 15 be imprinted and the green sheet with the green coating layer formed thereon 15 and the green thick film resistors further formed thereon 14 and unfired surface conductors 18 then stacked together with the other ceramic greensheets.

Als Nächstes wird das ungebrannte Verbundlaminat 11 einem Brennen unterzogen, so dass das ungebrannte Keramiklaminat 13, die ungebrannten Dickfilmwiderstände 14 und die ungebrannte Überzugslage 15 sowie die in einer Ebene liegenden Verdrahtungswiderstände 16, die Zwischenlagenverbindungsleiter 17 und die Oberflächenleiter 18, die auf die oben beschriebene Weise erhalten wurden, integral gesintert werden. Bei diesem Brennschritt werden die beschränkten Lagen 21 und 22 im Wesentlichen nicht gesintert und fungieren somit dahin gehend, zu verhindern, dass das ungebrannte Keramiklaminat 13 und die ungebrannte Überzugslage 15 in der Richtung der Hauptoberfläche eine Schrumpfung erfahren. Folglich weist die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 eine verbesserte Abmessungsgenauigkeit auf.Next is the unfired composite laminate 11 subjected to burning, leaving the unfired ceramic laminate 13 , the unfired thick film resistors 14 and the unfired coating layer 15 and the in-plane wiring resistors 16 , the liner manager 17 and the surface conductors 18 obtained in the manner described above are integrally sintered. In this firing step, the restricted layers become 21 and 22 essentially not sintered and thus act to prevent the unfired ceramic laminate 13 and the unfired coating layer 15 undergo shrinkage in the direction of the main surface. Thus, the laminate type ceramic electronic component 1 an improved dimensional accuracy.

Nach dem oben beschriebenen Brennschritt wird die in 1 gezeigte Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente 1 durch Beseitigen der beschränkten Lagen 21 und 22 extrahiert. Die beschränkten Lagen 21 und 22 sind bei Abschluss des Brennschrittes porös und können somit ohne weiteres beseitigt werden.After the firing step described above, the in 1 shown laminate type ceramic electronic component 1 by removing the restricted layers 21 and 22 extracted. The limited locations 21 and 22 are porous at the completion of the firing step and thus can be readily eliminated.

Bei dem ungebrannten Verbundlaminat 11 sind die ungebrannten Keramiklagen 12 aus einem Glaskeramikmaterial, das Glas und eine Keramik enthält. Außerdem ist die ungebrannte Überzugslage 15 aus einem Glaskeramikmaterial, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und mit im Wesentlichen demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in den ungebrannten Keramiklagen 12 enthalten ist und eine Keramik enthält.In the unfired composite laminate 11 are the unfired ceramic layers 12 from a glass-ceramic material containing glass and a ceramic. In addition, the unfired coating layer 15 of a glass-ceramic material containing glass with substantially the same constituents and substantially the same composition ratio as the glass used in the unfired ceramic layers 12 is included and contains a ceramic.

In diesem Fall, wie zuvor für die gesinterten Keramiklagen 2 und die Überzugslage 5 beschrieben wurde, kann die Keramik, die in dem Glaskeramikmaterial enthalten ist, das die ungebrannte Überzugslage 15 bildet, vom selben Typ Keramik sein wie oder ein anderer Typ Keramik sein als die Keramik, die in dem Glaskeramikmaterial enthalten ist, das die ungebrannten Keramiklagen 12 bildet. Außerdem enthalten die keramischen Grünschichten für die ungebrannten Keramiklagen 12 und die Grünschicht für einen Überzug für die ungebrannte Überzugslage 15 üblicherweise ein Lösungsmittel, ein Dispersionsmittel, ein Bindemittel und einen Weichmacher für die Herstellung einer Aufschlämmung, und diese organischen Komponenten und die zusätzlichen Mengen derselben können für die oder können unterschiedlich sein bei den keramischen Grünschichten und der Grünschicht für einen Überzug.In this case, as before for the sintered ceramic layers 2 and the coating situation 5 has been described, the ceramic contained in the glass-ceramic material, the unfired coating layer 15 be of the same type of ceramic as or another type of ceramic be as the ceramic contained in the glass ceramic material containing the unfired ceramic layers 12 forms. In addition, the ceramic green sheets contain the unfired ceramic layers 12 and the green sheet for a coating for the unfired coating layer 15 usually a solvent, a dispersing agent, a binder and a plasticizer for the preparation of a slurry, and these organic components and the additional amounts thereof may be different for the one or more of the ceramic green sheets and the green sheet for a coating.

Wie oben beschrieben wurde, ist das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der gebrannten Keramiklagen 2 bei der Überzugslage 5 höher als bei den Keramiklagen 2. Um diese Bedingung zu erfüllen, werden das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannten Keramiklagen 12 bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage 15 bildet, eingestellt.As described above, the ratio of a crystalline phase having a smaller thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the fired ceramic layers 2 at the coating position 5 higher than the ceramic layers 2 , To meet this condition, the glass ceramic material, which are the unfired ceramic layers 12 forms, and the glass ceramic material, the unfired coating layer 15 forms, set.

Im Einzelnen werden das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannten Keramiklagen 12 bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage 15 bildet, so eingestellt, dass die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage 15 höher ist als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklagen 12. Im Einzelnen sind die Kristallisationstemperaturen der jeweiligen Lagen vorzugsweise dahin gehend eingestellt, in die Bandbreite von 920 bis 1.000°C zu fallen, und außerdem wird eine Einstellung vorzugsweise so vorgenommen, dass die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage 2 bis 60°C (ferner 5 bis 20°C) höher ist als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklagen.Specifically, the glass-ceramic material, which are the unfired ceramic layers 12 forms, and the glass ceramic material, the unfired coating layer 15 forms, adjusted so that the crystallization temperature of the unfired coating layer 15 is higher than the crystallization temperature of the unfired ceramic layers 12 , Specifically, the crystallization temperatures of the respective layers are preferably set to fall within the range of 920 to 1,000 ° C, and moreover, adjustment is preferably made such that the crystallization temperature of the green coating layer is 2 to 60 ° C (further 5 to 20) ° C) is higher than the crystallization temperature of the unfired ceramic layers.

Beispielsweise umfassen die ungebrannten Keramiklagen 12 und die ungebrannte Überzugslage 15 einen Keimkristall, der eine kristalline Phase enthält, die in den gebrannten Keramiklagen 2 und der Überzugslage 5 abgeschieden ist, und das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in der ungebrannten Überzugslage 15 ist niedriger gestaltet als das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in den ungebrannten Keramiklagen 12. In diesem Fall wird ein gesinterter Körper desselben Materials wie die gebrannten Keramiklagen 2 vorzugsweise einem Mahlen unterzogen und als der Keimkristall verwendet. Das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls wird vorzugsweise innerhalb der Bandbreite 0 bis 2,0 Gew.-% und ferner 0,2 bis 1,0 Gew.-% bezüglich der Gesamtmenge an Glas und Keramik eingestellt.For example, the unfired ceramic layers include 12 and the unfired coating layer 15 a seed crystal containing a crystalline phase which is in the fired ceramic layers 2 and the coating situation 5 and the weight ratio of the seed crystal in the unfired coating layer 15 is lower than the weight ratio of the seed crystal in the unfired ceramic layers 12 , In this case, a sintered body of the same material as the fired ceramic layers 2 preferably subjected to milling and used as the seed crystal. The weight ratio of the seed crystal is preferably set within the range of 0 to 2.0% by weight and further 0.2 to 1.0% by weight with respect to the total amount of glass and ceramics.

Anstelle des oder zusätzlich zu dem oben beschriebenen Verfahren kann ein Verfahren herangezogen werden, um die Korngröße für die Keramik bei der ungebrannten Überzugslage 15 kleiner zu gestalten als die Korngröße für die Keramik bei den ungebrannten Keramiklagen 12.Instead of or in addition to the method described above, a method can be used to determine the grain size for the ceramic in the unfired coating layer 15 To make smaller than the grain size for the ceramic in the unfired ceramic layers 12 ,

Wie oben beschrieben wurde, können die ungebrannten Keramiklagen 12 und die ungebrannte Überzugslage 15, die im Wesentlichen dasselbe Glas verwenden, es somit weniger wahrscheinlich machen, eine Schwankung bei mechanischen Eigenschaften wie z. B. der mechanischen Festigkeit und dem Wärmeausdehnungskoeffizienten zu bewirken oder eine Schwankung bei elektrischen Eigenschaften wie z. B. dem Q-Wert und der spezifischen Dielektrizitätskonstante zu bewirken, auch wenn eine Diffusion des Glases zwischen den ungebrannten Keramiklagen 12 und der Überzugslage 15 verursacht wird. Außerdem kann dasselbe Glasrohmaterial sowohl für die Keramiklagen 12 als auch für die Überzugslage 15 verwendet werden, und somit kann das Glasrohmaterial hinsichtlich Kosten ohne weiteres auf vorteilhafte Weise gehandhabt werden.As described above, the unfired ceramic layers 12 and the unfired coating layer 15 , which use substantially the same glass, thus making it less likely, a fluctuation in mechanical properties such. B. the mechanical strength and the coefficient of thermal expansion or a fluctuation in electrical properties such. The Q value and the specific dielectric constant, even if diffusion of the glass between the unfired ceramic layers 12 and the coating situation 15 is caused. In addition, the same glass raw material can be used both for the ceramic layers 12 as well as for the coating situation 15 can be used, and thus the glass raw material can be easily handled in terms of cost in an advantageous manner.

Außerdem ist die ungebrannte Überzugslage 15 bei diesem Ausführungsbeispiel dahin gehend gebildet, eine Hauptoberfläche des ungebrannten Keramiklaminats 13 ganz zu bedecken. In diesem Fall wird die eine beschränkte Lage 21 in Kontakt mit der ungebrannten Überzugslage 15 gebracht, wohingegen die andere beschränkte Lage 22 in Kontakt mit der ungebrannten Keramiklage 12 gebracht wird. In diesem Fall können die ungebrannte Überzugslage 15 und die ungebrannten Keramiklagen 12, die jeweils dasselbe Glas verwenden, somit die jeweiligen Beschränkungskräfte der zwei beschränkten Lagen 21 und 22 im Wesentlichen identisch zueinander zu machen, um dadurch zu ermöglichen, dass bei der Verwendung der beschränkten Lagen 21 und 22 ohne weiteres ein schrumpfungsfreies gemeinsames Brennen durchgeführt wird. Das liegt daran, dass die durch die jeweiligen beschränkten Lagen 21 und 22 bereitgestellten Beschränkungskräfte von der Dicke einer reaktiven Lage abhängen, die mit dem Glas gebildet ist, das in jede der beschränkten Lagen 21 und 22 eindringt.In addition, the unfired coating layer 15 formed in this embodiment, a main surface of the green ceramic laminate 13 to cover completely. In this case, the one becomes a limited location 21 in contact with the unfired coating layer 15 whereas the other limited location 22 in contact with the unfired ceramic layer 12 is brought. In this case, the unfired coating layer 15 and the unfired ceramic layers 12 each using the same glass, thus the respective restraining forces of the two restricted layers 21 and 22 to make them substantially identical to each other thereby enabling the use of the restricted layers 21 and 22 readily a non-shrinking common burning is performed. That's because of the respective limited layers 21 and 22 constraints imposed depend on the thickness of a reactive layer formed with the glass in each of the constrained layers 21 and 22 penetrates.

Als Nächstes wird ein experimentelles Beispiel beschrieben, das durchgeführt wurde, um die vorteilhaften Auswirkungen der vorliegenden Erfindung zu bestätigen.Next, an experimental example conducted to confirm the advantageous effects of the present invention will be described.

Ein Glaspulver auf der Basis von SiO2-CaO-B2O3-Al2O3, ein Aluminiumoxidpulver und ein Anorthitkeimkristallpulver wurden als Ausgangsrohmaterialien hergestellt. Es ist zu beachten, dass ein gesinterter Körper (bei dem Anorthit abgeschieden ist), der erhalten wurde, indem ein Glaskeramikpulver, das aus dem Glaspulver auf SiO2-CaO-B2O3-Al2O3-Basis, das mit dem Aluminiumoxidpulver zu einer Schicht gemischt wurde, zusammengesetzt ist, gebildet wurde, indem die Schicht gestapelt wurde und indem die gestapelten Schichten einem Brennen unterzogen wurden, einem Mahlen unterzogen und als das Anorthitkeimkristallpulver verwendet wurde.A glass powder based on SiO 2 -CaO-B 2 O 3 -Al 2 O 3 , an alumina powder and an anorthite seed crystal powder were prepared as starting raw materials. It is to be noted that a sintered body (in which anorthite is deposited) obtained by using a glass-ceramic powder composed of the SiO 2 -CaO-B 2 O 3 -Al 2 O 3 -based glass powder supplied with the glass powder Alumina powder was compounded into a layer composed by stacking the layer and subjecting the stacked layers to firing, subjected to grinding, and used as the anorthite seed crystal powder.

Als Nächstes wurden zu einem gemischten Pulver, das erhalten wurde, indem das Glaspulver und das Aluminiumoxidpulver mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,6 μm in einem Gewichtsverhältnis von 56:44 verbunden wurden und indem das Anorthitkeimkristallpulver zu dem Glaspulver und dem Aluminiumoxidpulver in einem solchen Gewichtsverhältnis hinzugefügt wurde, dass eine Kristallisationstemperatur von 935°C geliefert wurde, ein Lösungsmittel, ein Dispersionsmittel, ein Bindemittel und ein Weichmacher hinzugegeben, um eine Aufschlämmung herzustellen, und die Aufschlämmung wurde auf einen PET-Film (Polyethylenterephthalat-Film) aufgebracht, um keramische Grünschichten herzustellen, die als Keramiklagen dienen sollen.Next, a mixed powder obtained by compounding the glass powder and the alumina powder having an average grain size of 0.6 μm in a weight ratio of 56:44 and adding the anorthite seed crystal powder to the glass powder and the alumina powder in such a weight ratio was added to give a crystallization temperature of 935 ° C, a solvent, a dispersant, a binder and a plasticizer were added to prepare a slurry, and the slurry was applied to a PET film (polyethylene terephthalate film) to make ceramic green sheets to produce, which are to serve as ceramic layers.

Dagegen wurde eine Aufschlämmung des mit einem Lösungsmittel, einem Dispersionsmittel, einem Bindemittel und einem Weichmacher verbundenen Aluminiumoxidpulvers auf einen PET-Film aufgebracht, um Grünschichten für beschränkte Lagen herzustellen.On the other hand, a slurry of the alumina powder bonded with a solvent, a dispersing agent, a binder and a plasticizer was applied to a PET film to prepare green sheets for restricted layers.

Außerdem wurden zu einem gemischten Pulver, das für seine Kristallisationstemperatur angepasst wurde, um zu der Temperatur in Tabelle 1 zu gelangen, derart, dass das Glaspulver mit dem Aluminiumoxidpulver mit einer durchschnittlichen Korngröße, wie sie in der Spalte „Aluminiumoxidkorngröße” der Tabelle 1 gezeigt ist, in einem Gewichtsverhältnis von 56:44 verbunden wurde, und das Anorthitkeimkristallpulver wurde im Bereich von 0 bis 1,0 Gew.-% bezüglich insgesamt 100 Gew.-% des Glaspulvers und Aluminiumoxidpulvers, hinzugefügt, ein Lösungsmittel, ein Dispersionsmittel, ein Bindemittel und ein Weichmacher hinzugefügt, um eine Aufschlämmung für einen Überzug herzustellen. Anschließend wurde diese Aufschlämmung für einen Überzug auf die Grünschichten für beschränkte Lagen aufgebracht, um Grünschichten einer zweilagigen Struktur herzustellen. [Tabelle 1] Probe Nummer Aluminiumoxid-Korngröße [μm] Kristallisationstemperatur [°C] 1 0,6 920 2 0,6 935 3 0,6 945 4 0,35 930 5 0,35 945 Further, to a mixed powder adjusted for its crystallization temperature to reach the temperature in Table 1, the glass powder was mixed with the alumina powder having an average grain size as shown in the column "Alumina grain size" of Table 1 was compounded in a weight ratio of 56:44, and the anorthite seed crystal powder was added in the range of 0 to 1.0 wt% with respect to a total of 100 wt% of the glass powder and alumina powder, a solvent, a dispersant, a binder and added a plasticizer, to make a slurry for a coating. Subsequently, this slurry was applied for coating on the green sheets for limited layers to prepare green sheets of a two-layered structure. [Table 1] Sample number Aluminum oxide grain size [μm] Crystallization temperature [° C] 1 0.6 920 2 0.6 935 3 0.6 945 4 0.35 930 5 0.35 945

Als Nächstes wurden vorbestimmte der keramischen Grünschichten mit einer leitfähigen Paste, die Ag als ihren Hauptbestandteil enthielt, versehen, um in einer Ebene befindliche Verdrahtungsleiter, Zwischenlagenverbindungsleiter und Oberflächenleiter zu bilden, und mit einer Widerstandspaste, die RuO2 als ihren Hauptbestandteil enthielt, versehen, um Dickfilmwiderstände zu bilden.Next, predetermined ceramic green sheets were provided with a conductive paste containing Ag as their main component to form in-plane wiring conductors, interlayer connection conductors and surface conductors, and provided with a resistor paste containing RuO 2 as its main component To form thick film resistors.

Als Nächstes wurden die mehreren keramischen Grünschichten mit den Grünschichten für beschränkte gestapelte Schichten gestapelt, einschließlich einer, auf der die Aufschlämmung für einen Überzug aufgebracht wurde, und anschließend einem Druckbonden unterzogen, wodurch ein ungebranntes Verbundlaminat bereitgestellt wurde.Next, the plurality of ceramic green sheets were stacked with the green sheets for restricted stacked layers, including one on which the slurry for coating was applied, and then pressure-bonded, thereby providing a green composite laminate.

Als Nächstes wurde ein Brennen bei einer Temperatur durchgeführt, bei der die Keramiklagen, die Überzugslage, die Dickfilmwiderstände und die Verdrahtungsleiter ausreichend gesintert wurden, während die beschränkten Lagen nicht gesintert wurden. Das gebrannte Verbundlaminat wurde einer Nassstrahlbehandlung unterzogen, um die beschränkten Lagen auf den Oberflächen zu beseitigen und um dadurch eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente für eine Probe zu extrahieren.Next, firing was conducted at a temperature at which the ceramic layers, the overcoat layer, the thick film resistors, and the wiring conductors were sufficiently sintered while the restricted layers were not sintered. The fired composite laminate was subjected to a wet blast treatment to remove the restricted layers on the surfaces, thereby extracting a laminate-type ceramic electronic component for a sample.

Die somit erhaltenen Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponenten für jedes Probe wurden bezüglich des Wärmeausdehnungskoeffizienten, der Kristallisationstemperatur, des Abscheidungsverhältnisses von Anorthit und der Anzahl von Widerstandsänderungsdefekten ausgewertet, wie in Tabelle 2 gezeigt ist.The laminate type ceramic electronic components thus obtained for each sample were evaluated for the coefficient of thermal expansion, the crystallization temperature, the deposition ratio of anorthite, and the number of resistance change defects as shown in Table 2.

Das Keramiklagensegment und Überzugslagensegment der laminierten Keramikelektronikkomponente wurden bezüglich des Wärmeausdehnungskoeffizienten, der Kristallisationstemperatur und des Abscheidungsverhältnisses von Anorthit ausgewertet. Die Kristallisationstemperatur wurde mittels Differentialscanningkalorimetrie aus der höchsten Temperatur einer exothermen Spitze erhalten. Das Abscheidungsverhältnis von Anorthit gibt ein Spitzenintensitätsverhältnis zwischen Aluminiumoxid und Anorthit an, das für jede Probe anhand einer XRD-Analyse erhalten wurde, und das höhere Abscheidungsverhältnis gibt die höhere Abscheidungsmenge an Anorthit an.The ceramic layer segment and coating layer segment of the laminated ceramic electronic component were evaluated for the coefficient of thermal expansion, the crystallization temperature and the deposition ratio of anorthite. The crystallization temperature was obtained by differential scanning calorimetry from the highest temperature of an exothermic peak. The deposition ratio of anorthite indicates a peak intensity ratio between alumina and anorthite obtained for each sample by XRD analysis, and the higher deposition ratio indicates the higher deposition amount of anorthite.

Die Anzahl von Widerstandsänderungsdefekten wurde wie folgt erhalten. Für die Auswertung der Widerstandsstabilität wurde, nachdem die Dickfilmwiderstände einem Laserabgleich unterzogen wurden, die Widerstandsänderungsrate vor und nach Durchführung eines 2.000 Zyklen umfassenden Temperaturschocktests von –40°C bis +150°C gemessen. Anschließend wurde von 30 Proben die Anzahl von Proben mit einer Widerstandsänderungsrate von mehr als 1% als die Anzahl von Widerstandsänderungsdefekten angesehen. [Tabelle 2] Wärmeausdehnungskoeffizient [ppm/K] Kristallisationstemperatur [°C] Abscheidungsverhältnis von Anorthit Die Anzahl von Widerstandsänderungsdefekten Keramiklage 5,9 935 1,5 - Überzugslage Probe 1 6 920 1,4 3/30 Probe 2 5,9 935 1,5 1/30 Probe 3 5,8 945 1,7 0/30 Probe 4 5,7 930 2 0/30 Probe 5 5,6 945 2,2 0/30 The number of resistance change defects was obtained as follows. For resistivity evaluation, after the thick film resistors were laser balanced, the resistance change rate was measured before and after a 2,000 cycle thermal shock test from -40 ° C to + 150 ° C. Subsequently, of 30 samples, the number of samples having a resistance change rate of more than 1% was regarded as the number of resistance change defects. [Table 2] Coefficient of thermal expansion [ppm / K] Crystallization temperature [° C] Deposition ratio of anorthite The number of resistance change defects ceramic layer 5.9 935 1.5 - coating layer Sample 1 6 920 1.4 3.30 Sample 2 5.9 935 1.5 1.30 Sample 3 5.8 945 1.7 0/30 Sample 4 5.7 930 2 0/30 Sample 5 5.6 945 2.2 0/30

Wie aus der Tabelle 2 hervorgeht, führten die Proben 3 bis 5, bei denen das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Überzugslage höher ist als das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Keramiklage und der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage niedriger ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Keramiklage, zu „0/30” für die Anzahl von Widerstandsänderungsdefekten, was ermöglicht, dass der Widerstandswert sogar dann stabil gehalten wird, wenn nach einem Laserabgleich ein Temperaturschock ausgeübt wird.As is apparent from Table 2, Samples 3 to 5, in which the deposition rate of anorthite for the coating layer is higher than the deposition ratio of anorthite for the ceramic layer and the thermal expansion coefficient for the coating layer, is lower than the thermal expansion coefficient for the ceramic layer. 0/30 "for the number of resistance change defects, allowing the resistance value to be kept stable even if a temperature shock is applied after laser balancing.

Speziell ist in dem Fall der Probe 3 die Kristallisationstemperatur der Überzugslage höher als die Kristallisationstemperatur der Keramiklage, somit ist das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Überzugslage höher als das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Keramiklage, und der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage ist niedriger als der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Keramiklage.Specifically, in the case of the sample 3, the crystallization temperature of the coating layer is higher than the crystallization temperature of the ceramic layer, thus, the deposition ratio of anorthite for the coating layer is higher than the deposition ratio of anorthite for the ceramic layer, and the thermal expansion coefficient for the coating layer is lower than the thermal expansion coefficient for the ceramic layer.

Außerdem ist in dem Fall der Probe 4 die Korngröße für die Keramik in der Überzugslage geringer als die Korngröße für die Keramik in der Keramiklage, somit ist das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Überzugslage höher als das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Keramiklage, und der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage ist niedriger als der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Keramiklage.In addition, in the case of the sample 4, the grain size for the ceramic in the coating layer is smaller than the grain size for the ceramic in the ceramic layer, thus, the deposition ratio of anorthite for the coating layer is higher than the deposition ratio of anorthite for the ceramic layer, and the thermal expansion coefficient for the coating layer is lower than the thermal expansion coefficient for the ceramic layer.

Ferner ist in dem Fall der Probe 5 die Kristallisationstemperatur der Überzugslage höher als die Kristallisationstemperatur der Keramiklage, und die Korngröße für die Keramik in der Überzugslage ist geringer als die Korngröße für die Keramik in der Keramiklage, somit ist im Vergleich zu den Proben 3 und 4 das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Überzugslage deutlich höher als das Abscheidungsverhältnis von Anorthit für die Keramiklage, und der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Überzugslage ist niedriger als der Wärmeausdehnungskoeffizient für die Keramiklage.Further, in the case of Sample 5, the crystallization temperature of the coating layer is higher than the crystallization temperature of the ceramic layer, and the grain size for the ceramic in the coating layer is smaller than the grain size for the ceramic in the ceramic layer, thus compared to Samples 3 and 4 the deposition ratio of anorthite for the coating layer is significantly higher than the deposition ratio of anorthite for the ceramic layer, and the thermal expansion coefficient for the coating layer is lower than the thermal expansion coefficient for the ceramic layer.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Laminattyp-Keramik-ElektronikkomponenteLaminate-type ceramic electronic component
22
Keramiklageceramic layer
33
Mehrlagiges KeramiksubstratMulti-layer ceramic substrate
44
DickfilmwiderstandThick film resistor
55
Überzugslagecoating layer
1111
Ungebranntes VerbundlaminatUnburned composite laminate
1212
Ungebrannte KeramiklageUnbranded ceramic layer
1313
Ungebranntes KeramiklaminatUnburned ceramic laminate
1414
Ungebrannter DickfilmwiderstandUnburned thick film resistor
1515
Ungebrannte ÜberzugslageUnburned coating layer
21, 2221, 22
Beschränkte LageLimited location

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Claims (9)

Ein Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente mit einem Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche eines mehrlagigen Keramiksubstrats gebildet ist, das eine Mehrzahl gestapelter Keramiklagen umfasst, und ferner mit einer darauf gebildeten Überzugslage („darauf” bedeutet „auf dem Widerstand”), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Herstellen eines ungebrannten Verbundlaminats mit einem ungebrannten Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche eines ungebrannten Keramiklaminats gebildet ist, das eine Mehrzahl ungebrannter Keramiklagen gestapelt umfasst, und ferner eine darauf gebildete ungebrannte Überzugslage („darauf” bedeutet „auf dem Widerstand”); und anschließend Brennen des ungebrannten Verbundlaminats, so dass das ungebrannte Keramiklaminat, der ungebrannte Dickfilmwiderstand und die ungebrannte Überzugslage integral gesintert werden, wobei die ungebrannten Keramiklagen aus einem Glaskeramikmaterial sind, das Glas und eine Keramik enthält, die ungebrannte Überzugslage aus einem Glaskeramikmaterial ist, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas ist, das in den ungebrannten Keramiklagen enthalten ist und eine Keramik enthält, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannten Keramiklagen bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage bildet, so eingestellt sind, dass das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der gebrannten Keramiklagen bei der Überzugslage höher ist als bei den Keramiklagen.A method of fabricating a laminate type ceramic electronic component having a thick film resistor formed on a main surface of a multilayer ceramic substrate comprising a plurality of stacked ceramic layers, and further having a coating layer ("on" means "on the resistor") formed thereon; the method comprising the steps of: Producing an unfired composite laminate having an unfired thick film resistor formed on a main surface of a green ceramic laminate comprising a plurality of unfired ceramic layers stacked, and further an unfired coating layer ("on" means "on the resistor") formed thereon; and then firing the green composite laminate to integrally sinter the unfired ceramic laminate, the unfired thick film resistor, and the unfired coating layer, the green ceramic layers comprising a glass ceramic material containing glass and a ceramic, the unfired overcoating layer being a glass ceramic material, the glass having substantially the same constituents and the same composition ratio as the glass contained in the unfired ceramic layers and containing a ceramic, and the glass ceramic material forming the green ceramic layers and the glass ceramic material forming the unfired coated layer are set the ratio of a crystalline phase having a lower coefficient of thermal expansion than the thermal expansion coefficient of the fired ceramic layers is higher in the coating layer than in the ceramic layers. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß Anspruch 1, bei dem das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Keramiklage bildet, und das Glaskeramikmaterial, das die ungebrannte Überzugslage bildet, so eingestellt werden, dass die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage höher ist als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklage.The method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component according to claim 1, wherein the glass ceramic material constituting the unfired ceramic layer and the glass ceramic material constituting the unfired coated layer are adjusted so that the crystallization temperature of the unfired coated layer is higher than the crystallization temperature the unfired ceramic layer. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß Anspruch 2, bei dem die ungebrannte Keramiklage und die ungebrannte Überzugslage einen Keimkristall umfassen, der eine kristalline Phase enthält, die nach dem Brennen in der Keramiklage und der Überzugslage abgeschieden wird, und das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in der ungebrannten Keramiklage und das Gewichtsverhältnis des Keimkristalls in der Überzugslage dahin gehend eingestellt werden, die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage höher zu gestalten als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklage.The method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component according to claim 2, wherein the green ceramic sheet and the green coating sheet comprise a seed crystal containing a crystalline phase deposited in the ceramic layer and the overcoat layer after firing, and the weight ratio of the Seed crystal in the green ceramic layer and the weight ratio of the seed crystal in the coating layer are set to make the crystallization temperature of the green coating layer higher than the crystallization temperature of the green ceramic layer. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß Anspruch 3, bei dem ein gesinterter Körper desselben Materials wie des der Keramiklage nach dem Brennen einem Mahlen unterzogen und als das Keimkristall verwendet wird.The method of manufacturing a laminate-type ceramic electronic component according to claim 3, wherein a sintered body of the same material as that of the ceramic sheet is subjected to grinding after firing and used as the seed crystal. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Korngröße für die Keramik in der ungebrannten Keramiklage und die Korngröße für die Keramik in der ungebrannten Überzugslage dahin gehend eingestellt werden, die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Überzugslage höher zu gestalten als die Kristallisationstemperatur der ungebrannten Keramiklage.The method for manufacturing a laminate-type ceramic electronic component according to any one of claims 1 to 4, wherein the grain size for the ceramic in the green ceramic sheet and the grain size for the ceramic in the green sheet are set higher, the crystallization temperature of the green sheet becomes higher to be designed as the crystallization temperature of the unfired ceramic layer. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die ungebrannte Überzugslage dahin gehend gebildet ist, eine Hauptoberfläche des ungebrannten Keramiklaminats vollständig zu bedecken.The method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component according to any one of claims 1 to 5, wherein the unfired coating layer is formed to completely cover a main surface of the green ceramic laminate. Das Verfahren zum Fertigen einer Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das ungebrannte Verbundlaminat ferner eine beschränkte Lage umfasst, die an zumindest einer Hauptoberfläche des ungebrannten Verbundlaminats platziert ist, und die beschränkte Lage als ihren Hauptbestandteil ein Keramikmaterial enthält, das bei einer Temperatur, bei der die ungebrannten Keramiklagen und die ungebrannte Überzugslage gesintert werden, im Wesentlichen nicht gesintert wird, wobei das Verfahren ferner einen Schritt eines Beseitigens der beschränkten Lage nach dem Schritt des Brennens des ungebrannten Verbundlaminats umfasst.The method for manufacturing a laminate type ceramic electronic component according to any one of claims 1 to 6, wherein the green composite laminate further comprises a constrained layer placed on at least one major surface of the green composite laminate and the constrained layer contains as its main component a ceramic material which is substantially not sintered at a temperature at which the green ceramic sheets and green sheet are sintered, the method further comprising a step of removing the confined sheet position after the step of firing the green composite laminate. Eine Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente, die ein mehrlagiges Keramiksubstrat, das eine Mehrzahl von gestapelten Keramiklagen umfasst, einen Dickfilmwiderstand, der auf einer Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats gebildet ist, und ferner eine darauf gebildete Überzugslage („darauf” bedeutet „auf dem Widerstand”) umfasst, wobei die Keramiklagen aus einem Glaskeramikmaterial sind, das Glas und eine Keramik enthält, die Überzugslage aus einem Glaskeramikmaterial ist, das Glas mit im Wesentlichen denselben Bestandteilen und demselben Zusammensetzungsverhältnis wie bei dem Glas enthält, das in den Keramiklagen enthalten ist und eine Keramik enthält, und das Verhältnis einer kristallinen Phase mit einem geringeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Keramiklagen bei der Überzugslage höher ist als bei den Keramiklagen.A laminate-type ceramic electronic component comprising a multilayer ceramic substrate comprising a plurality of stacked ceramic layers, a thick film resistor formed on a major surface of the multilayer ceramic substrate, and further a coating layer ("on" means "on the resistor") formed thereon wherein the ceramic layers are of a glass ceramic material containing glass and a ceramic, the coating layer of a glass ceramic material containing glass with substantially the same constituents and the same composition ratio as in the glass, which in the Ceramic layers is included and contains a ceramic, and the ratio of a crystalline phase having a lower coefficient of thermal expansion than the thermal expansion coefficient of the ceramic layers in the coating layer is higher than in the ceramic layers. Die Laminattyp-Keramik-Elektronikkomponente gemäß Anspruch 8, bei der die Überzugslage dahin gehend gebildet ist, eine Hauptoberfläche des mehrlagigen Keramiksubstrats vollständig zu bedecken.The laminate-type ceramic electronic component according to claim 8, wherein the coating layer is formed to completely cover a major surface of the multilayer ceramic substrate.
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