DE1115937B - Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und Silicium - Google Patents
Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und SiliciumInfo
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Description
- Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und Silicium Bekanntlich gehören Germanium und Silicium zu den Stoffen, deren hervorstechendste Eigenschaft ihre Sprödigkeit ist. Die Bearbeitung dieser Stoffe erfolgte aus diesem Grunde bisher allein durch Sägen, Schleifen, Atzen oder Gießen. Der Erwägung, diese Stoffe plastisch zu verformen, standen so starke theoretische Vorstellungen über die Gitterstruktur entgegen, daß kein Versuch gemacht wurde, in dieser Weise vorzugehen. Lediglich für den Temperaturbereich des Schmelzpunktes liegen theoretische Vorstellungen vor, welche die plastische Verformung möglich erscheinen lassen.
- Das bestehende Vorurteil ist aus der Vorstellung entstanden, daß Kristalle mit hoher Koordinationszahl plastisch gut verformbar sind, während sich Kristalle mit verhältnismäßig niedriger Koordinationszahl nicht verformen lassen, da bei ihnen zwar Versetzungen entstehen können, eine Versetzungswanderung jedoch nicht eintritt. Die experimentellen Ergebnisse haben gezeigt, daß insbesondere Kristalle von tetraedrischem Kristallgitteraufbau, wie der Diamant mit der Koordinationszahl 4, plastisch nicht verformbar sind. Die Halbleiterelemente Silicium und Germanium fallen wegen derselben Kristallstruktur unter das gleiche Vorurteil.
- Entgegen diesen Vorstellungen und Erfahrungen wurde gefunden, daß die genannten Stoffe im Temperaturbereich unterhalb des Schmelzpunktes leicht verformbar sind. Dementsprechend besteht die Erfindung in einem Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und Silicium, das dadurch gekennzeichnet ist, daß diese Verformung bei einer Temperatur von etwa 800° C (Germanium) bzw. bei einer Temperatur von etwa 1100° C (Silicium) erfolgt.
- Die plastische Verformung kann erfindungsgemäß benutzt werden, um Bleche zu walzen, Rohre oder Drähte zu ziehen, Profile zu biegen, Bleche zu stanzen, usw.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und Silicium, dadurch gekennzeichnet, daß diese Verformung bei einer Temperatur von etwa 800° C (Germanium) bzw. bei einer Temperatur von etwa 1100° C (Silicium) erfolgt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 567 696; H a l l a, »Kristallchemie und Kristallphysik metallischer Werkstoffe«, 1939, S. 142/143; Kochendörfer, »Plastische Eigenschaften von Kristallen und metallischen Werkstoffen«, 1940, S.131.
Priority Applications (1)
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| DES29832A DE1115937B (de) | 1952-08-19 | 1952-08-19 | Verfahren zur plastischen Verformung von Germanium und Silicium |
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Publications (1)
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| DE1115937B true DE1115937B (de) | 1961-10-26 |
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1219379B (de) * | 1962-08-29 | 1966-06-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Halbleiterscheiben fuer Halbleiterbauelemente aus einem kristallinen Halbleiterstab |
| WO2010062357A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-06-03 | Globalfoundries Inc. | Method and device for fabricating bonding wires on the basis of microelectronic manufacturing techniques |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE567696C (de) * | 1931-01-10 | 1933-01-07 | Metallgesellschaft Ag | Verbesserung der mechanischen Eigenschaften, insbesondere der Festigkeit von Verbindungen von Metallen mit Silicium oder Phosphor bzw. von Legierungen mit einem 40% uebersteigenden Gehalt an diesen Verbiendungen |
-
1952
- 1952-08-19 DE DES29832A patent/DE1115937B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE567696C (de) * | 1931-01-10 | 1933-01-07 | Metallgesellschaft Ag | Verbesserung der mechanischen Eigenschaften, insbesondere der Festigkeit von Verbindungen von Metallen mit Silicium oder Phosphor bzw. von Legierungen mit einem 40% uebersteigenden Gehalt an diesen Verbiendungen |
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| CN102215994B (zh) * | 2008-10-31 | 2016-02-10 | 格罗方德半导体公司 | 基于微电子制造技术制造键合线的方法及器件 |
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