DE10360214A1 - Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based - Google Patents
Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based Download PDFInfo
- Publication number
- DE10360214A1 DE10360214A1 DE2003160214 DE10360214A DE10360214A1 DE 10360214 A1 DE10360214 A1 DE 10360214A1 DE 2003160214 DE2003160214 DE 2003160214 DE 10360214 A DE10360214 A DE 10360214A DE 10360214 A1 DE10360214 A1 DE 10360214A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- housing
- sensor module
- detector
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor und ein Sensormodul mit einem derartigen Strahlungsdetektor, die insbesondere zur Messung von infraroter (IR)-Strahlung verwendbar sind und für Messungen von Gaskonzentrationen in Automobilanwendungen eingesetzt werden können.The The invention relates to a radiation detector and a sensor module with such a radiation detector, in particular for the measurement of infrared (IR) radiation and for measurements of gas concentrations in automotive applications can.
Derartige Strahlungsdetektoren bzw. optische Detektoren dienen insbesondere zur Detektion von Einzelgasen in Gasgemischen. Die Einzelgase absorbieren infrarote Strahlung (IR-Strahlung) jeweils in spezifischen Wellenlängenbereichen, so dass durch Messung der Absorption der Strahlung auf einer Messstrecke zwischen einer Infrarot-Strahlungsquelle und dem Infrarot-Detektor Daten über die Konzentration des betreffenden Einzelgases in dem Gasgemisch erhalten werden können. Die Auswahl des spezifischen Wellenlängenbereiches wird im Allgemeinen durch ein Strahlungsfilter bzw. optisches Filter bei der Strahlungsquelle oder dem Detektor vorgenommen. Hierbei wird vorteilhafterweise das Messergebnis mit einer Referenzmessung eines Referenzwellenlängenbereichs in Verhältnis gesetzt, wozu mehrere Infrarot-Detektoren mit unterschiedlichen Strahlungsfiltern nebeneinander gesetzt werden können. Die meisten Infrarot-Sensoren weisen oftmals in Bulk-Mikromechanik hergestellte offene Detektorchips mit einer Membran und Thermopile-Elementen auf, bei denen die Absorption der infraroten Strahlung in einer über den Thermopile-Elementen befindlichen Absorberschicht eine Temperaturänderung bewirkt, welche als Thermospannung ermittelt wird Der offene Thermopile-Chip und der Strahlungsfilter wird hierbei im Allgemeinen entweder in ein Metallgehäuse, dem sogenannten TO-Gehäuse, oder in einem Premold-Gehäuse aus Kunststoff aufgenommen. Bei derartigen Metall- und Premold-Gehäusen sitzen die offenen Thermopile-Chips in herkömmlicher Weise auf dem Gehäuseboden, während die Strahlungsfilter in die jeweilige Metallkappe bei TO-Gehäusen oder den Deckel bei Premold-Gehäusen über Öffnungen verklebt sind. Im Premold-Gehäuse ist der Detektorchip mit einem Leadframe des Gehäuses über Bonddrähte verbunden.such Radiation detectors or optical detectors are used in particular for the detection of individual gases in gas mixtures. The individual gases absorb infrared radiation (IR radiation) in specific wavelength ranges, so by measuring the absorption of the radiation on a measuring section between an infrared radiation source and the infrared detector data on the concentration of the respective individual gas can be obtained in the gas mixture. The Selection of the specific wavelength range is generally a radiation filter or optical filter made at the radiation source or the detector. in this connection is advantageously the measurement result with a reference measurement a reference wavelength range in proportion set, including several infrared detectors with different Radiation filters can be placed side by side. Most infrared sensors often have open-microfabricated detector chips made in bulk micromechanics with a membrane and thermopile elements on which the absorption the infrared radiation in one above the thermopile elements located absorber layer causes a temperature change, which as Thermoelectric voltage is determined The open Thermopile chip and the radiation filter This is generally either in a metal housing, the so-called TO housing, or in a premold case made of plastic. In such metal and Premold housings sit the open Thermopile chips in a conventional manner on the housing bottom, while the Radiation filter in the respective metal cap in TO packages or the lid on Premold housings over openings are glued. In the premold case the detector chip is connected to a leadframe of the housing via bonding wires.
Nachteilhaft an derartigen Sensormodulen mit im jeweiligen Gehäuseunterteil aufgenommenem Thermopile-Element und in der Kappe verklebtem Filter ist insbesondere, dass die Montage der Filter in die Kappe und damit die Gesamtgehäuse sehr kostspielig in der Herstellung sind und eine Passivierung der Bonddrähte zur Kontaktierung des Detektorchips mit den Bondbereichen des jeweiligen Gehäuses aufgrund der offenen Chipstrukturen schwierig ist oder nicht erfolgt, so dass die Tauglichkeit für die besonderen Belastungen im Automobilbereich, insbesondere bezüglich der Betauung, Korrosion usw. stark verringert ist.disadvantageous on such sensor modules with in each case lower part received Thermopile element and glued in the cap filter In particular, that is the assembly of the filter in the cap and thus the overall case are very expensive to manufacture and have a passivation of Bond wires for contacting the detector chip with the bonding areas of the respective Housing due the open chip structures is difficult or not done so that suitability for the special loads in the automotive sector, in particular with regard to Dewing, corrosion, etc. is greatly reduced.
Sehr stressempfindliche Sensoren werden heute überwiegend in Premold-Gehäuse montiert. In Oberflächenmikromechanik hergestellte Thermopile-Chips, bei denen die Membran und die darauf befindlichen Thermopile-Strukturen sowie die Absorberschicht durch eine hermetisch dichte Chipkappe aus Silizium geschützt sind, können leicht in derartige Gehäuse montiert werden. Mit Drahtbondverbindungen wird ein elektrischer Kontakt hergestellt, woraufhin das Premold-Gehäuse mit einer Passivierung, z.B. einem Gel oder Epoxidharz, vollständig vergossen und anschließend mit einem Deckel verschlossen wird. Da sich die Filterelemente zumeist an dem Gehäusedeckel befinden, erfolgt der Strahlengang somit durch die Passivierung, die jedoch im interessanten Wellenlängenbereich, bei IR-Strahlung z.B. ab 4000 nm, über die gesamte Lebenszeit aufgrund Zersetzung, Verfärbung bei Tempera tureinwirkung, Feuchtigkeitsaufnahme, Verschmutzung usw. möglicherweise nicht ausreichend transparent bleibt, so dass bei derartigen Sensoren ein konstanter optischer Zugang zum Detektorchip auf Dauer nicht gegeben ist.Very Stress-sensitive sensors are nowadays predominantly mounted in a premold housing. In surface micromechanics manufactured thermopile chips, in which the membrane and the one located thereon Thermopile structures and the absorber layer by a hermetically sealed chip cap Silicon protected are, can easy in such housing to be assembled. With wire bonds is an electrical Made contact, whereupon the premold housing with a passivation, e.g. a gel or epoxy resin, completely potted and then with a lid is closed. Since the filter elements mostly on the housing cover Thus, the beam path is through the passivation, however, in the interesting wavelength range, with IR radiation e.g. from 4000 nm, over the entire lifetime due to decomposition, discoloration on tempera- ture, moisture absorption, Pollution, etc. possibly does not remain sufficiently transparent, so that in such sensors a constant optical access to the detector chip in the long term not given is.
Der erfindungsgemäße Strahlungsdetektor und das erfindungsgemäße Sensormodul mit einem derartigen Strahlungsdetektor weisen demgegenüber insbesondere den Vorteil auf, dass eine einfache und kostengünstige Montage möglich ist.Of the Radiation detector according to the invention and the sensor module according to the invention with such a radiation detector, in contrast, in particular the advantage that a simple and inexpensive installation is possible.
Erfindungsgemäß können bei dem in Oberflächenmikromechanik hergestellte Sensorchip die relevanten Filterschichten bereits auf der Chipunterseite angebracht sein und die Membran mit den Thermoelementen und der Absorptionsschicht durch eine hermetisch verschlossene Chipkappe geschützt sein, so dass eine Montage des Chips in ein Gehäuse mit einer Öffnung im Gehäuseboden mittels eines Standard- Pick & Place Prozesses möglich ist. Alle Bondverbindungen, sowohl Drahtbonds zwischen der Detektorchipanordnung und dem Leadframe des Gehäuses als auch zwischen den Chipverbindungen selbst und der Chipverbindung zum Gehäuseboden, können durch Passivierungsmittel oder den zur Befestigung verwendeten Klebstoff sicher passiviert werden. Da der Strahlengang nicht durch die Passivierung und den Deckel des Gehäuses verläuft und der zwischen Kappe und Trägerchip gebildete Detektorraum, in dem die Strahlungsmesseinrichtung aus z. B. Membran und Thermopile-Elementen angeordnet ist, gegenüber dem Gehäuseinnenraum abgedichtet ist, können Standard-Passivierungen, z.B. Gele, in dem Gehäuseinnenraum als Passivierungsmaterial verwendet werden.According to the invention can in in surface micromechanics manufactured sensor chip the relevant filter layers already on the chip base and the membrane with the thermocouples and the absorption layer through a hermetically sealed chip cap be protected allowing a mounting of the chip in a housing with an opening in the caseback using a standard pick & place Process possible is. All bonds, both wire bonds between the detector chip assembly and the leadframe of the enclosure as well as between the chip connections themselves and the chip connection to the caseback, can through Passivating agent or the adhesive used for attachment be passivated safely. Because the beam path is not due to the passivation and the lid of the case extends and the between cap and carrier chip formed detector space in which the radiation measuring device of z. B. membrane and thermopile elements is disposed opposite to Housing interior is sealed, can Standard passivations, e.g. Gels, in the housing interior as Passivierungsmaterial be used.
Die Kappe bzw. Chipkappe kann insbesondere ebenfalls monolithisch ausgebildet und z.B. mit dem Trägerchip mittels eines Sealglases verbunden werden. Grundsätzlich können zwischen Trägerchip und Kappe ein oder mehrere Zwischenschichten vorgesehen sein; relevant ist hierbei die Ausbildung der hermetisch dichtenden Verbindung.The Cap or chip cap can in particular also be monolithic and e.g. with the carrier chip be connected by means of a sealing glass. Basically, between Carrier chip and Cap be provided one or more intermediate layers; relevant Here is the formation of the hermetically sealed connection.
Für das Sensormodul kann ein automotiv-taugliches Gehäuse (z.B. ein Premold-Gehäuse) verwendet werden, in welchem im Bodenbereich unterhalb des transparenten Bereichs des Trägerchips ein oder mehrere Fenster frei gelassen werden. Hierbei ist der Sensorchip vorteilhafterweise vollständig aus einem für die zu detektierende IR-Strahlung transparenten Material, z.B. kristallinem Silizium, hergestellt, so dass nicht nur der als „transparenter Bereich" bezeichnete Bodenbereich, sondern der ganze Chip transparent ist. Das erfindungsgemäße Sensormodul kann nachfolgend auf ein Substrat, insbesondere eine Leiterplatte, mit einem entsprechenden Substratfenster unterhalb des Fensters des Gehäuses gesetzt werden. Hierbei wird das Gehäuse des Sensormoduls über den Leadframe und gegebenenfalls ergänzend über ein am Gehäuseboden freiliegendes die-pad (sog. „exposed die-pad") am Boden des Gehäuses auf dem Substrat befestigt, wodurch auch eine thermische Ankopplung erreicht werden kann. Die gesamte Anordnung ist mechanisch belastbar und wird auch bei Betauung und Schmutzeinwirkung von oben auf das Sensormodul nicht nachteilhaft beeinflusst, da der Strahlengang wirksam abgeschirmt wird.For the sensor module For example, an automotive-grade housing (e.g., a premold housing) may be used be in which in the bottom area below the transparent area of the carrier chip or more windows are left blank. Here is the sensor chip advantageously completely off one for the IR radiation to be detected transparent material, e.g. crystalline Silicon, so that not only the so-called "transparent area" but the whole chip is transparent. The sensor module according to the invention may be subsequent to a substrate, in particular a printed circuit board, with a corresponding substrate window below the window of the housing be set. Here, the housing of the sensor module on the Leadframe and if necessary additionally via a at the bottom of the case exposed die-pad (so-called "exposed the-pad ") on the bottom of the housing attached to the substrate, whereby a thermal coupling can be achieved. The entire arrangement is mechanically resilient and is also at condensation and dirt from above on the Sensor module not adversely affected because the beam path effective is shielded.
Erfindungsgemäß wird insbesondere auch eine Vielzahl von Möglichkeiten der Montage weiterer optischer Filter vor der Strahlungsmesseinrichtung geschaffen, z. B. unter dem Gehäuse oder unter oder auf dem Substrat. Hierdurch kann insbesondere eine Vielzahl verschiedener Einzelgase in einem Gasgemisch durch verschiedene Strahlungsfilter nachgewiesen werden.In particular, according to the invention also a lot of possibilities the installation of additional optical filters in front of the radiation measuring device created, z. B. under the housing or under or on the substrate. This can in particular a variety different individual gases in a gas mixture by different Radiation filters are detected.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen an einigen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:The Invention will be described below with reference to the accompanying drawings on some embodiments explained in more detail. It demonstrate:
Ein
Strahlungsdetektor
Auf
einer Unterseite
Erfindungsgemäß kann auf
der Unterseite
Ein
oder mehrere Strahlungsdetektoren
Von
außen
eintreffende IR-Strahlung S kann durch das als Freiraum ausgebildete
Fenster
Die
Ausführungsform
der
Bei
der Ausführungsform
der
Bei
der Ausführungsform
der
Gemäß
Bei
der Ausführungsform
der
Bei
der Ausführungsform
der
Bei
der Ausführungsform
der
Bei
der Ausführungsform
der
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003160214 DE10360214A1 (en) | 2003-12-20 | 2003-12-20 | Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003160214 DE10360214A1 (en) | 2003-12-20 | 2003-12-20 | Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10360214A1 true DE10360214A1 (en) | 2005-07-28 |
Family
ID=34706385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2003160214 Ceased DE10360214A1 (en) | 2003-12-20 | 2003-12-20 | Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10360214A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110867427A (en) * | 2019-11-28 | 2020-03-06 | 宁波安创电子科技有限公司 | Sealing structure for NOX sensor chip |
-
2003
- 2003-12-20 DE DE2003160214 patent/DE10360214A1/en not_active Ceased
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110867427A (en) * | 2019-11-28 | 2020-03-06 | 宁波安创电子科技有限公司 | Sealing structure for NOX sensor chip |
CN110867427B (en) * | 2019-11-28 | 2021-10-15 | 宁波安创电子科技有限公司 | Sealing structure for NOX sensor chip |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102004031316B3 (en) | Gas sensor module for the spectroscopic measurement of a gas concentration | |
DE102008053083B4 (en) | Infrared light detector and production thereof | |
DE19912720A1 (en) | Optoelectronic component group for devices serving for displacement, rotation and angle measurement | |
EP2649647B1 (en) | Opto-electronic semiconductor component, method for producing the same and use of such a component | |
EP1639639B1 (en) | Optical sensor array and method for producing the same | |
DE102005003657A1 (en) | Infrared radiation detector with infrared radiation sensor and housing | |
DE19923960C2 (en) | infrared sensor | |
EP1554564B1 (en) | Detection device and device for measuring the concentration of a substance | |
DE10318501A1 (en) | Infrared radiation detector chip assembly, has a pre-mold housing and passivation filling material that is filled around the chip assembly and bond wires, while leaving the radiation sensitive chip surface free | |
DE19835769C2 (en) | Optoelectronic gas sensor based on optodes | |
WO2006061274A1 (en) | Chip module and method for the production thereof | |
DE102005016008B4 (en) | Component module for mounting on a substrate | |
DE10360214A1 (en) | Detector measuring (especially IR) radiation e.g. in automobile-application gas concentration determinations can be mounted in a claimed sensor module and is chip- based | |
DE10321640B4 (en) | Infrared sensor with improved radiation efficiency | |
EP1103808A2 (en) | Gas sensor and method for its manufacturing | |
WO2006072492A1 (en) | Gas sensor module | |
EP3093633B1 (en) | Apparatus for the simultaneous detection of a plurality of distinct materials and/or substance concentrations | |
EP0987663A1 (en) | Optical smoke detector according to the extinguish principle and method for compensating the temperature drift | |
DE102008011304B4 (en) | Temperature measurement unit | |
WO2005085808A1 (en) | Micro-structured sensor | |
DE102004002164A1 (en) | Radiation detector, sensor module with a radiation detector and method for producing a radiation detector | |
DE102004031317A1 (en) | Gas sensor module, useful particularly for measuring carbon dioxide content of air in cars, comprises spectroscopic sensor, lead frame, filter chip and housing | |
DE4428844A1 (en) | Thermoelectric component for infra red and visible radiation | |
EP1879761A1 (en) | Sensor arrangement for recording misting tendency | |
DE102004031318A1 (en) | Premold housing for receiving a component, useful particularly for preparing microelectronic or sensor modules, comprises housing body and metal lead frame |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |