DE10358038B4

DE10358038B4 - Integrierte Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern

Info

Publication number: DE10358038B4
Application number: DE10358038A
Authority: DE
Inventors: Ralf Schneider; Stephan Dr. Schröder; Manfred Pröll; Jürgen Dr. Auge
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2003-12-11
Filing date: 2003-12-11
Publication date: 2006-05-18
Anticipated expiration: 2023-12-12
Also published as: US7042773B2; DE10358038A1; US20050135163A1

Abstract

Integrierte Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern,
– mit einer Programmierschaltung (10) mit einem ersten Eingangsanschluß (E1) zum Anlegen einer Steuerspannung (ES), einem zweiten Eingangsanschluß (E2) zum Anlegen einer Referenzspannung (Vref) und Ausgangsanschlüssen (AP1,..., AP4) zur Erzeugung jeweils eines Programmiersignals (PS1, ..., PS4), - mit ersten steuerbaren Schaltern (21,..., 24),
– mit einer Speicherschaltung (30) mit Programmieranschlüssen (PS1,..., PS4), Ausgangsanschlüssen (AS1,..., AS4) und programmierbaren Elementen (35,..., 38), - mit zweiten steuerbaren Schaltern (41,..., 44),
– mit Ausgangsanschlüssen (A1,..., A4),
– bei der jeweils einer der Ausgangsanschlüsse (AP1,..., AP4) der Programmierschaltung (10) zur Erzeugung der Programmiersignale über jeweils einen der ersten steuerbaren Schalter (21,..., 24) mit jeweils einem der Programmieranschlüsse (P1,..., P4) der Speicherschaltung (30) verbindbar ist,
– bei der jeweils einer der Ausgangsanschlüsse (AS1,..., AS4) der Speicherschaltung (30) über jeweils einen der zweiten steuerbaren Schalter (41,..., 44) mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse (A1,..., A4) der integrierten...

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern.
Die im Datenblatt eines Halbleiterspeichers beispielsweise eines DRAM-(= Dynamic Random Access Memory)-Halbleiterspeichers angegebenen charakteristischen Parameter werden vom Hersteller nur garantiert, wenn der Speicherbaustein innerhalb bestimmter spezifizierter Grenzen von Betriebsparametern betrieben wird. Zu solchen Betriebsparametern gehört z.B. der zulässige Versorgungsspannungsbereich, in dem der Halbleiterspeicher betrieben werden darf. Wenn eine höhere Spannung angelegt wird als die Spannung, die im Datenblatt spezifiziert ist, kann dies die Zerstörung von Komponenten auf dem Chip zur Folge haben, was zum Ausfall des Halbleiterspeichers führt. Weitere vom Hersteller angegebene Betriebsparameter sind beispielsweise der zulässige Umgebungstemperaturbereich, in dem ein ordnungsgemäßes Funktionieren des Halbleiterspeichers garantiert wird, sowie die zulässigen Taktfrequenzen, bei denen der Halbleiterspeicher betrieben werden soll.
Wenn Bauteile beim Kunden ausfallen, werden diese im allgemeinen an den Hersteller zurückgesandt, um beim Hersteller den Ausfallgrund im Rahmen einer Fehleranalyse zu ermitteln. Dabei ist es wünschenswert festzustellen, ob der Ausfall des Halbleiterspeichers auf Mängel im Fertigungsprozeß des Herstellers oder auf ein nicht vorschriftsgemäßes Betreiben des Speicherbausteins durch den Kunden zurückzuführen ist. Ein nicht vorschriftsgemäßes Betreiben eines Speicherbausteins ist beispielsweise ein Übertakten eines DRAMs, der Betrieb des DRAMs bei unzulässig hohen Spannungen oder der Betrieb des DRAMs bei zu hohen bzw. zu tiefen Temperaturen. Das Fehlerbild eines Bauteils läßt jedoch oftmals keine eindeutigen Rückschlüsse auf die Ausfallursache zu. Daher wäre es wünschenswert, wenn dem Hersteller zuverlässige Informationen über die Betriebsbedingungen des Bauteils beim Kunden zur Verfügung stehen würden.
Weiterhin kann die Kenntnis von Betriebsparametern eines Halbleiterspeichers in vorteilhafter Weise zur Optimierung von Modulen oder auch weiterer Peripherie des Halbleiterspeichers verwendet werden. Die Verteilung der Temperaturbelastung der Einzelbausteine auf einem Modul ist durch Systemgrößen wie beispielsweise durch die Position eines Lüfters auf der Hauptplatine eines Rechners vordefiniert. Wenn es gelingt, die Verteilung der maximalen Temperaturbelastung auf einem Modul beispielsweise eines DIMMs zu ermitteln, so kann diese Information dazu benutzt werden, die Position bestimmter Komponenten auf dem Modul zu optimieren, so daß beispielsweise ein Bauteil nicht durch ein anderes Bauteil vom Luftstrom eines Lüfters verdeckt wird.
Die Kenntnis von Betriebsparametern, unter deren Einfluß ein Bauteil ausgefallen ist, ermöglicht ferner den Testbereich beispielsweise den Temperaturbereich, in dem Bauteile hohen oder niedrigen Temperaturen ausgesetzt werden, der Applikation angepaßt zu bestimmen. Beispielsweise wird die bestimmungsgemäße Funktion eines Halbleiterspeichers laut Datenblatt nur in einem gewissen Temperaturbereich garantiert. Im Prüffeld des Herstellers werden die Bauteile im allgemeinen höheren bzw. niedrigeren Temperaturen ausgesetzt und anschließend wieder einer Funktionsüberprüfung unterzogen. Indem das Bauteil mit einem bestimmten Temperaturvorhalt ober halb bzw. unterhalb des spezifizierten Temperaturbereiches getestet wird, ermöglicht dieses überkritische Testen dem Hersteller eine gewisse Sicherheit vor Ausfällen des Bauteils aufgrund von Temperaturbelastungen. Wenn dem Hersteller bekannt ist, welchen tatsächlichen Temperaturen bei den jeweiligen Kundenapplikationen das Bauteil ausgesetzt ist, kann der abzutestende Temperaturbereich von Seiten des Herstellers genauer ermittelt werden und der Applikation des Kunden besser angepaßt werden.

Die Druckschrift US 6,002,627 A beschreibt einen integrierten Schaltkreis mit einer Detektorschaltung zur Detektion einer Temperatur des integrierten Schaltkreises. Die Detektorschaltung erzeugt in Abhängigkeit von der detektierten Temperatur ein Ausgangssignal, das einem Controllerbaustein zur Auswertung zugeführt wird. Der Controllerbaustein erhält nach Auswertung des Ausgangssignals eine Information über die Temperatur des Speicherbausteins und kann die Betriebsfrequenz der integrierten Schaltung entsprechend anpassen. In einer Ausführungsform der integrierten Schaltung lässt sich die von der Detektorschaltung ermittelte Temperatur in einem Latch zwischenspeichern.

Die Druckschrift US 4,419,747 A beschreibt ein Verfahren und eine Speichervorrichtung zur Speicherung von Prozeß- und Testinformationen, die bei der Herstellung der Speichervorrichtung aufgetreten sind. Benachbart zu einer Hauptspeichereinheit, die im Betrieb der Speichervorrichtung zur Speicherung von Daten vorgesehen ist, befindet sich auf einem Chip eine Speicherzellenanordnung, die zur Speicherung der Prozess- und Testinformationen vorgesehen ist. Eine Steuerschaltung verhindert, daß sich Zugriffe auf die Hauptspeichereinheit und die Speicherzellenanordnung zur Speicherung der Prozeß- und Testinformationen gegenseitig stören. Bei einer Ansteuerung der Steuerschaltung mit TTL-Spannungspegeln erfolgt ein Zugriff auf die Hauptspeichereinheit, wohingegen bei einer Ansteuerung der Steuerschaltung mit hohen Spannungspegeln ein Zugriff auf die Speicherzellenanordnung zur Speicherung der Prozeß- und Testinformationen erfolgt.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine integrierte Schaltung mit Speicherung von Betriebsparametern der integrierten Schaltung anzugeben.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch eine integrierte Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern mit einer Programmierschaltung mit einem ersten Eingangsanschluß zum Anlegen einer Steuerspannung, einem zweiten Eingangsanschluß zum Anlegen einer Referenzspannung und Ausgangsanschlüssen zur Erzeugung jeweils eines Programmiersignals, mit ersten steuerbaren Schaltern, mit einer Speicherschaltung mit Programmieranschlüssen, Ausgangsanschlüssen und programmierbaren Elementen sowie mit zweiten steuerbaren Schaltern und mit Ausgangsanschlüssen. Jeweils einer der Ausgangsanschlüsse der Programmierschaltung zur Erzeugung der Programmiersignale ist über jeweils einen der ersten steuerbaren Schalter mit jeweils einem der Programmieranschlüsse der Speicherschaltung verbindbar. Weiterhin ist jeweils einer der Ausgangsanschlüsse der Speicherschaltung über jeweils einen der zweiten steuerbaren Schalter mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse der integrierten Schaltung verbindbar. Die Programmierschaltung ist derart ausgebildet, daß die Anzahl der Programmiersignale von der Höhe der Steuerspannung abhän gig ist. Ferner sind die programmierbaren Elemente der Speicherschaltung in Abhängigkeit von den Programmiersignalen programmierbar.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist der erste Eingangsanschluß zum Anlegen der Steuerspannung als Anschluß zum Anlegen eines Versorgungspotentials ausgebildet.

In einer Weiterbildung der Erfindung umfaßt die integrierte Schaltung eine Signalwandlerschaltung mit einem Eingangsanschluß zum Anlegen eines Eingangssignals und einem Ausgangsanschluß zur Erzeugung einer Ausgangsspannung. Der Ausgangsanschluß der Signalwandlerschaltung ist mit dem ersten Eingangsanschluß der Programmierschaltung zum Anlegen des Steuersignals verbunden. Die Signalwandlerschaltung wandelt eine in dem Eingangssignal enthaltene Information, beispielsweise eine Information über die Höhe der Frequenz eines Signals, in eine Ausgangsspannung um und führt diese ihrem Ausgangsanschluß zu.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Signalwandlerschaltung so ausgebildet, daß sie in Abhängigkeit von einer Temperatur der integrierten Schaltung an ihrem Ausgangsanschluß eine Ausgangsspannung erzeugt. Die Signalwandlerschaltung umfaßt in dieser Ausgestaltungsform einen Temperatursensor zur Aufnahme der Temperatur der integrierten Schaltung. Die Temperatur der integrierten Schaltung ist eine Chiptemperatur. Sie ist von den Betriebsbedingungen der integrierten Schaltung wie beispielsweise von der Taktfrequenz, bei der sie betrieben wird, oder auch von Einflüssen der unmittelbaren Umgebung der integrierten Schaltung abhängig.

In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist die Signalwandlerschaltung so ausgebildet, daß sie in Abhängigkeit von einer Frequenz eines Taktsignals der integrierten Schaltung an ihrem Ausgangsanschluß eine Ausgangsspannung erzeugt. Der Eingangsanschluß der Signalwandlerschaltung ist in dieser Ausgestaltungsform als Anschluß zum Anlegen des Taktsignals der integrierten Schaltung ausgebildet.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung umfaßt die Programmierschaltung zur Erzeugung der Programmiersignale eine erste Vergleicherschaltung und eine zweite Vergleicherschaltung. Die beiden Vergleicherschaltungen weisen jeweils einen ersten Eingangsanschluß, einen zweiten Eingangsanschluß und einen Ausgangsanschluß auf. Der erste Eingangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung ist über die Reihenschaltung eines ersten und eines zweiten Widerstandes mit einem Anschluß zum Anlegen eines Bezugspotentials verbunden. Der erste Eingangsanschluß der zweiten Vergleicherschaltung ist über den ersten Widerstand mit dem ersten Eingangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung und über den zweiten Widerstand mit dem Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials verbunden. Weiterhin ist jeweils der Ausgangsanschluß der ersten und zweiten Vergleicherschaltung mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse der Programmierschaltung verbunden.

In einer ersten Ausführungsform der Programmierschaltung der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung ist jeweils der erste Eingangsanschluß der ersten und zweiten Vergleicherschaltung als Anschluß zum Anlegen einer jeweiligen Teilspannung der Steuerspannung ausgebildet. Der erste Eingangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung ist mit dem ersten Eingangsanschluß zum Anlegen der Steuerspannung der Programmierschaltung verbunden. Weiter ist jeweils der zweite Eingangsan schluß der ersten und zweiten Vergleicherschaltung mit dem Anschluß zum Anlegen der Referenzspannung der Programmierschaltung verbunden. Die jeweils am ersten Eingangsanschluß der Vergleicherschaltungen anliegenden Teilspannungen der Steuerspannung entstehen durch entsprechende Spannungsabfälle an dem aus dem ersten und zweiten Widerstand gebildeten Spannungsteiler. Beispielsweise liegt am ersten Eingangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung die gesamte Steuerspannung an. Am ersten Eingangsanschluß der zweiten Vergleicherschaltung liegt dann abhängig vom Widerstandsverhältnis des ersten und zweiten Widerstandes eine geringere Teilspannung der Steuerspannung an. Die erste und zweite Vergleicherschaltung erzeugen an ihren Ausgangsanschlüssen jeweils ein Programmiersignal, wenn die jeweilige am ersten Eingangsanschluß anliegende Teilspannung der Steuerspannung die am zweiten Eingangsanschluß anliegende Referenzsspannung überschreitet. Je nach Höhe der Steuerspannung tritt damit an einer unterschiedlichen Anzahl von Ausgangsanschlüssen von Vergleicherschaltungen jeweils ein Programmiersignal auf. Die ersten Eingangsanschlüsse der ersten und zweiten Vergleicherschaltung sind in dieser Ausgestaltungsform der Programmierschaltung als nichtinvertierende Anschlüsse ausgebildet. Die zweiten Eingangsanschlüsse der ersten und zweiten Vergleicherschaltung sind als invertierende Anschlüsse ausgebildet.

In einer zweiten Ausführungsform der Programmierschaltung der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung ist jeweils der erste Eingangsanschluß der ersten und zweiten Vergleicherschaltung als Anschluß zum Anlegen einer jeweiligen Teilspannung der Referenzspannung ausgebildet. Der erste Eingangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung ist mit dem Anschluß zum Anlegen der Referenzspannung der Programmierschaltung verbunden. Jeweils der zweite Eingangsanschluß der ersten und zwei ten Vergleicherschaltung ist mit dem Eingangsanschluß zum Anlegen der Steuerspannung der Programmierschaltung verbunden. Der aus dem ersten und zweiten Widerstand gebildete Spannungsteiler erzeugt damit jeweilige Teilspannungen der Referenzspannnung, die jeweils an den ersten Eingangsanschlüssen der Vergleicherschaltungen anliegen. Die erste und zweite Vergleicherschaltung erzeugen an ihren Ausgangsanschlüssen jeweils ein Programmiersignal, wenn die jeweilige am ersten Eingangsanschluß der Programmierschaltung anliegende Teilspannung der Referenzspannung die am zweiten Eingangsanschluß der Programmierschaltung anliegende Steuerspannung überschreitet. Je nach Höhe der Steuerspannung tritt damit an einer unterschiedlichen Anzahl von Ausgangsanschlüssen von Vergleicherschaltungen jeweils ein Programmiersignal auf. Die ersten Eingangsanschlüsse der ersten und zweiten Vergleicherschaltung sind in dieser Ausgestaltungsform der Programmierschaltung als invertierende Anschlüsse ausgebildet. Die zweiten Eingangsanschlüsse der ersten und zweiten Vergleicherschaltung sind als nichtinvertierende Anschlüsse ausgebildet.

Es sei darauf hingewiesen, daß die Programmierschaltung auch als komplexer Analog-/Digitalwandler ausgeführt sein kann. In diesem Fall lassen sich zusätzliche Schwellspannungen definieren. Der Wert der Steuerspannung kann durch die Verwendung eines solchen Analog-/Digitalwandlers noch feiner aufgelöst werden.

In einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung umfaßt die Speicherschaltung einen Anschluß zum Anlegen einer Versorgungsspannung und dritte steuerbare Schalter. Der Anschluß zum Anlegen der Versorgungsspannung ist über die Reihenschaltung von jeweils einem der dritten steuerbaren Schalter und jeweils einem der programmierbaren Schalter mit dem Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials verbindbar. Weiter ist jeweils einer der Ausgangsanschlüsse der Speicherschaltung über jeweils einen der programmierbaren Schalter mit dem Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials verbindbar.

In einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung ist einer der Ausgangsanschlüsse der Programmierschaltung zur Erzeugung jeweils eines Programmiersignals über einen der zweiten steuerbaren Schalter mit einem der Ausgangsanschlüsse der integrierten Schaltung verbindbar. Dadurch läßt sich die am zweiten Eingangsanschluß anliegende Referenzspannung auf die Schaltschwelle der mit diesem Ausgangsanschluß verbundenen Vergleicherschaltung einstellen.

In einer weiteren Ausführungsform der integrierten Schaltung sind die programmierbaren Schalter als elektrisch programmierbare nichtflüchtige Speicherelemente ausgebildet.

In einer anderen Ausführungsform der integrierten Schaltung sind die programmierbaren Schalter als Schmelzsicherungen ausgebildet.

In einer anderen Ausgestaltungsform der Erfindung ist der Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials als Anschluß zum Anlegen eines Massepotentials ausgebildet.

Die Erfindung wird nachfolgend an verschiedenen Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. Es zeigen:

1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltung gemäß der Erfindung,

2 ein Ausführungsbeispiel der Programmierschaltung der integrierten Schaltung gemäß der Erfindung,

3A ein erstes Ausführungsbeispiel einer Signalwandlerschaltung gemäß der Erfindung,

3B den Verlauf der Monoflopspannung U_M und der Ausgangsspannung U_A der Signalwandlerschaltung bei einer hohen Frequenz der Eingangsspannung U_S der Signalwandlerschaltung gemäß 3A,

3C den Verlauf der Monoflopspannung U_M und der Ausgangsspannung U_A der Signalwandlerschaltung bei einer niedrigen Frequenz der Eingangsspannung U_S der Signalwandlerschaltung gemäß 3A,

4A ein zweites Ausführungsbeispiel einer Signalwandlerschaltung gemäß der Erfindung,

4B ein erstes Strom-/Spannungsdiagramm in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur der Signalwandlerschaltung gemäß der 4A,

4C ein drittes Ausführungsbeispiel einer Signalwandlerschaltung gemäß der Erfindung,

4D ein zweites Strom-/Spannungsdiagramm in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur der Signalwandlerschaltung gemäß der 4C.

1 zeigt eine erste Ausführungsform einer integrierten Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern der integrierten Schaltung. Betriebsparameter der integrierten Schal tung sind beispielsweise die Taktfrequenz, bei der die integrierte Schaltung betrieben wird, die Umgebungstemperatur der integrierten Schaltung oder die an die integrierte Schaltung angelegte Versorgungsspannung. Mit dem im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiel der integrierten Schaltung zur Speicherung der Betriebsparameter läßt sich beispielsweise das Überschreiten von 4 voreingestellten Schwellwerten der Taktfrequenz, der Umgebungstemperatur oder der angelegten Versorgungsspannung feststellen. Die 4 Schwellwerte lassen sich dabei über das Verhältnis aus 4 Widerstände R1,..., R4 voreinstellen. Die integrierte Schaltung ist im Ausführungsbeispiel aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit auf die Speicherung des Vorgangs des Überschreitens von 4 diskreten Schwellwerten eines externen Betriebsparameters beschränkt. Sie kann jedoch beliebig erweitert werden und ermöglicht somit die Abspeicherung einer auf den jeweiligen Anwendungszweck hin optimierten Anzahl von überschrittenen Schwellwerten eines externen Betriebsparameters.
Die integrierte Schaltung umfaßt eine Programmierschaltung 10, erste steuerbare Schalter 21,..., 24, eine Speicherschaltung 30, zweite steuerbare Schalter 41,..., 44 sowie Ausgangsanschlüsse A1,..., A4. Die Programmierschaltung umfaßt einen ersten Eingangsanschluß E1 zum Anlegen einer Steuerspannung ES, einen zweiten Eingangsanschluß E2 zum Anlegen einer Referenzspannung Vref und Ausgangsanschlüsse AP1,..., AP4. Sie umfaßt weiterhin eine erste Vergleicherschaltung V1 mit einem ersten Eingangsanschluß 1a, einem zweiten Eingangsanschluß 1b und einem Ausgangsanschluß 1c, einer zweiten Vergleicherschaltung V2 mit einem ersten Eingangsanschluß 2a, einem zweiten Eingangsanschluß 2b und einem Ausgangsanschluß 2c, einer dritten Vergleicherschaltung V3 mit einem ersten Eingangsanschluß 3a, einem zweiten Eingangsanschluß 3b und einem Ausgangsanschluß 3c, einer vierten Vergleicherschaltung V4 mit einem ersten Eingangsanschluß 4a, einem zweiten Eingangsanschluß 4b und einem Ausgangsanschluß 4c. Der erste Eingangsanschluß 1a der ersten Vergleicherschaltung V1 ist mit dem Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung der integrierten Schaltung zum Anlegen des Eingangssignals ES und über einen ersten Widerstand R1 mit dem ersten Eingangsanschluß 2a der zweiten Vergleicherschaltung V2 verbunden. Der erste Eingangsanschluß 2a der zweiten Vergleicherschaltung ist über einen zweiten Widerstand R2 mit dem ersten Eingangsanschluß 3a der dritten Vergleicherschaltung verbunden. Der erste Eingangsanschluß 3a der dritten Vergleicherschaltung ist über einen dritten Widerstand R3 mit dem ersten Eingangsanschluß 4a der vierten Vergleicherschaltung verbunden. Der erste Eingangsanschluß 4a der vierten Vergleicherschaltung ist über einen vierten Widerstand R4 mit dem Anschluß zum Anlegen eines Bezugspotentials verbunden. Die ersten Eingangsanschlüsse 1a,..., 4a der ersten, zweiten, dritten und vierten Vergleicherschaltungen V1,..., V4 sind als nichtinvertierende Eingangsanschlüsse der jeweiligen Vergleicherschaltungen V1,..., V4 ausgebildet. Die zweiten Eingangsanschlüsse 1b,..., 4b der ersten, zweiten, dritten und vierten Vergleicherschaltung sind als invertierende Eingangsanschlüsse der jeweiligen Vergleicherschaltungen V1,..., V4 ausgebildet und sind mit dem zweiten Eingangsanschluß der Programmierschaltung 10 zum Anlegen der Referenzspannung Vref verbunden.
Der erste Ausgangsanschluß 1c der ersten Vergleicherschaltung ist über einen Ausgangsanschluß AP1 der Programmierschaltung 10 und über einen steuerbaren Schalter 21 mit einem Programmieranschluß P1 der Speicherschaltung 30 verbunden. Der zweite Ausgangsanschluß 2c der zweiten Vergleicherschaltung ist über einen Ausgangsanschluß AP2 der Programmierschaltung 10 und über einen steuerbaren Schalter 22 mit einem Programmieranschluß P2 der Speicherschaltung 30 verbunden. Der dritte Ausgangsanschluß 3c der dritten Vergleicherschaltung ist über einen Ausgangsanschluß AP3 der Programmierschaltung 10 und über einen steuerbaren Schalter 23 mit einem Programmieranschluß P3 der Speicherschaltung 30 verbunden. Der vierte Ausgangsanschluß 4c der vierten Vergleicherschaltung ist über einen Ausgangsanschluß AP4 der Programmierschaltung 10 und über einen steuerbaren Schalter 24 mit einem Programmieranschluß P4 der Speicherschaltung 30 verbunden. Die steuerbaren Schalter 21,..., 24 sind über einen gemeinsamen Steueranschluß S1 durch das Anlegen eines Steuersignals SS1 steuerbar.
Die Speicherschaltung 30 umfaßt dritte Schalter 31,..., 34, die mit einem Steueranschluß S3 zum Anlegen eines Steuersignals SS3 ansteuerbar sind. Weiterhin umfaßt sie programmierbare nichtflüchtige Schalter 35,..., 38, denen über jeweils einen der Programmieranschlüsse P1,..., P4 jeweils ein Programmiersignal PS1,..., P54 zugeführt wird. Ein Eingangsanschluß Vin zum Anlegen einer Versorgungsspannung VDD ist über jeweils einen der dritten steuerbaren Schalter 31,..., 34 mit jeweils einem Ausgangsanschluß AS1,..., AS4 verbunden. Weiterhin ist der Eingangsanschluß Vin zum Anlegen der Versorgungsspannung VDD über die Hintereinanderschaltung von jeweils einem der dritten steuerbaren Schalter 31,..., 34 und jeweils einem der programmierbaren Schalter 35,..., 38 mit einem Anschluß M zum Anlegen des Bezugspotentials verbunden. Jeweils einer der Ausgangsanschlüsse AS1,..., AS4 der Speicherschaltung 30 ist über jeweils einen programmierbaren Schalter 35,..., 38 mit dem Anschluß M zum Anlegen des Bezugspotentials verbunden. Jeweils einer der Ausgangsanschlüsse AS1,..., AS4 der Speicherschaltung 30 ist über jeweils einen zweiten steuerbaren Schalter 41,..., 44 mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse A1,..., A4 der integrierten Schaltung verbunden.
Der Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 ist als Anschluß zum Anlegen einer Steuerspannung ausgebildet. wenn die integrierte Schaltung verwendet werden soll, um das Überschreiten von voreingestellten Schwellwerten der Versorgungsspannung festzustellen, so läßt sich die Versorgungsspannung direkt an den Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 angelegen. Wenn die integrierten Schaltung verwendet werden soll, um das Überschreiten von voreingestellten Schwellwerten der Taktfrequenz oder der Chiptemperatur festzustellen, so müssen diese Betriebsparameter in eine elektrische Ausgangsgröße beispielsweise eine Ausgangsspannung umgewandelt werden. Zur Umwandlung einer in einem Eingangssignal ES' enthaltenen nichtelektrischen Information in eine Ausgangsspannung ist eine Signalwandlerschaltung 50 vorgesehen. Die Signalwandlerschaltung 50 umfaßt einen Eingangsanschluß EW zum Anlegen des Eingangssignals ES', das eine nichtelektrische Information enthält. Die Signalwandlerschaltung 50 wandelt die nichtelektrische Information des Eingangssignals ES' in eine Ausgangsspannung um und führt diese über ihren Ausgangsanschluß AW als Steuersignal ES dem Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 zu.
Im folgenden soll die Funktionsweise der integrierten Schaltung zur Speicherung von externen Betriebsparametern erläutert werden. Der Einfachheit halber wird angenommen, daß die integrierte Schaltung so ausgebildet ist, daß sie die Speicherung des Überschreitens von diskreten Stufen der am Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 angelegten Versorgungsspannung, die über einem zulässigen Höchstwert der in der Spezifikation angegebenen Maximalspannung liegt, ermöglicht. Da als Eingangsgröße eine Spannung verwendet wird, entfällt in dieser Ausführungsform die Signalwandlerschaltung 50, so daß an den Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 direkt die Versorgungsspannung als Steuerspannung angelegt wird. Die Einzelwiderstände R1, R2, R3 und R4 werden so dimensioniert, daß beim Anlegen einer Versorgungsspannung, die über einem bestimmten Schwellwert oberhalb der in der Spezifikation angegebenen Höchstspannung liegt, ein erster Teil der Vergleicherschaltungen V1,..., V4 an ihrem jeweiligen Ausgangsanschlüssen 1c,..., 4c ein Programmiersignal erzeugen. Die restlichen Vergleicherschaltungen V1,..., V4 erzeugen an ihren jeweiligen Ausgangsanschlüssen kein Programmiersignal.
Zur besseren Verdeutlichung der Dimensionierung der Widerstände R1,..., R4 wird im folgenden beschrieben, in welcher Größenordnung die Einzelwiderstände R1,..., R4 zu wählen sind, damit die Vergleicherschaltungen V1,..., V4 an ihren Ausgangsanschlüssen in Abhängigkeit von einer Versorgungsspannung, die 10 %, 20 %, 30 % oder 40 % oberhalb der höchstzulässigen Versorgungsspannung liegt, entsprechende Programmiersignale erzeugen.
Der Gesamtwiderstand der aus dem ersten Widerstand R1, dem zweiten Widerstand R2, dem dritten Widerstand R3 und dem vierten Widerstand R4 gebildeten Reihenschaltung ist frei wählbar. Der erste Widerstand R1 wird so dimensioniert, daß die zweite Vergleicherschaltung an ihrem Ausgangsanschluß 2c ein Programmiersignal PS2 erzeugt wenn die am Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 angelegte Versorgungsspannung 20 % oberhalb der gemäß Spezifikation zulässigen Höchstversorgungsspannung liegt. Der zweite Widerstand R2 wird so dimensioniert, daß die dritte Vergleicherschaltung an ihrem Ausgangsanschluß 3c ein Programmiersignal PS3 erzeugt, wenn die am Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 angelegte Versorgungsspannung 30 % oberhalb der gemäß Spezifikation zulässigen Höchstversorgungsspannung liegt. Der dritte Widerstand R3 wird so dimensioniert, daß die vierte Vergleicherschaltung an ihrem Ausgangsanschluß 3c ein Programmiersignal PS4 erzeugt, wenn die am Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 angelegte Versorgungsspannung 40 oberhalb der gemäß Spezifikation zulässigen Höchstversorgungsspannung liegt. Der vierte Widerstand R4 berechnet sich aus dem verbleibenden Restwiderstand des frei wählbaren Gesamtwiderstandes, der aus der Reihenschaltung des ersten, zweiten, dritten und vierten Widerstands gebildet wird.
Zur Einstellung der Referenzspannung Vref wird der Ausgangsanschluß der ersten Vergleicherschaltung V1 über den steuerbaren Schalter 41 mit dem Ausgangsanschluß A1 der integrierten Schaltung verbunden. An den Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 wird eine Spannung angelegt, die 10 % oberhalb der zulässigen Höchstspannung liegt. Die Referenzspannung Vref wird anschließend so eingestellt, daß am Ausgangsanschluß A1 der integrierten Schaltung der mit dem Ausgangsanschluß 1c der ersten Vergleicherschaltung V1 verbunden ist, ein Programmiersignal erzeugt wird. Die Referenzsspannung Vref liegt damit genau an der Schaltschwelle der ersten Vergleicherschaltung V1. Anschließend wird der steuerbare Schalter 41 über das an seinem Steuereingang S2 anliegende Steuersignal S52 geöffnet, so daß der Ausgangsanschluß 1c der ersten Vergleicherschaltung V1 nicht mehr mit dem Ausgangsanschluß A1 der integrierten Schaltung verbunden ist.
Die steuerbaren Schalter 21,..., 24 werden über das Steuersignal SS1, das am Steueranschluß S1 anliegt, geschlossen, so daß jeweils einer der Ausgangsanschlüsse AP1,..., AP4 der Programmierschaltung 10 über die Programmieranschlüsse P1, ..., P4 der Speicherschaltung 30 mit jeweils einem der programmierbaren Schalter 35,..., 38 verbunden ist. Wenn am Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 eine Versorgungsspannung anliegt, die 10 % oberhalb der zulässigen Höchstversorgungsspannung liegt, so wird am Ausgangsanschluß 1c der ersten Vergleicherschaltung V1 ein Programmiersignal PS1 erzeugt, das den programmierbaren Schalter 38 schließt und somit der Ausgangsanschluß AS1 der Speicherschaltung dauerhaft auf das Bezugspotential M schaltet. Entsprechend werden bei Versorgungsspannungen die 20 %, 30 % oder 40 % oberhalb der zulässigen Höchstversorgungsspannung liegen, an den Ausgangsanschlüssen 2c, 3c und 4c der Vergleicherschaltungen V2, V3 und V4 Programmiersignale PS2, PS3 und PS4 erzeugt, die jeweils die programmierbaren Schalter 35, 36 und 37 schließen und somit die Ausgangsanschlüsse AS2, AS3 und AS4 der Speicherschaltung dauerhaft auf das Bezugspotential M schalten. Die programmierbaren Schalter 35,..., 38 sind beispielsweise als Schmelzsicherungen oder als elektrisch programmierbare nichtflüchtige Speicherelemente beispielsweise als EEPROMs ausgebildet. Anhand des Programmierzustandes der programmierbaren Schalter läßt sich anschließend nachprüfen, unter welchen Betriebsbedingungen ein Halbleiterchip, auf dem sich die integrierte Schaltung befindet, verwendet wurde.
Zum Auslesen des Programmierzustandes der programmierbaren Schalter 35,..., 38 werden durch das Anlegen des Steuersignals SS1 an den Steueranschluß S1 der steuerbaren Schalter 21,..., 24 die Ausgangsanschlüsse AP1,..., AP4 der Programmierschaltung 10 von den Programmieranschlüssen P1,..., P4 getrennt. An den Eingangsanschluß Vin der Speicherschaltung 30 wird eine Versorgungsspannung VDD angelegt. Anschließend werden durch das Anlegen eines Steuersignals SS3 an den Steueranschluß S3 die steuerbaren Schalter 31,..., 34 geschlossen, so daß der Eingangsanschluß Vin zum Anlegen der Versorgungsspannung VDD mit jeweils einem der programmierbaren Schalter 35,..., 38 verbunden ist. Durch das Steuersignal SS2, das am Steueranschluß S2 der steuerbaren Schalter 41, ..., 44 anliegt, ist der Eingangsanschluß Vin zum Anlegen der Versorgungsspannung VDD mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse A1,..., A4 der integrierten Schaltung verbunden und ist gleichzeitig je nach Schaltzustand der programmierbaren Schalter mit dem Anschluß M zum Anlegen des Bezugspotentials, der beispielsweise als Anschluß zum Anlegen eines Massepotentials VSS ausgebildet ist, verbunden. Wenn der Programmierzustand eines der programmierbaren Schalter 35,..., 38 derart ist, daß der programmierbare Schalter geöffnet ist, so ist der mit dem jeweiligen programmierbaren Schalter verbundene Ausgangsanschluß A1,..., A4 der integrierten Schaltung über jeweils einen der Schalter 31,..., 34 mit dem Versorgungspotential VDD verbunden. Am jeweiligen Ausgangsanschluß A1, ..., A4 der integrierten Schaltung liegt dann ein Signal an, das dem logischen Zustand 1 entspricht. Wenn der Programmierzustand eines der programmierbaren Schalter 35,..., 38 derart ist, daß der programmierbare Schalter geschlossen ist, so ist der mit dem jeweiligen programmierbaren Schalter verbundene Ausgangsanschluß A1,..., A4 der integrierten Schaltung mit dem Massepotential verbunden. Am jeweiligen Ausgangsanschluß A1,..., A4 der integrierten Schaltung liegt dann ein Signal an, das dem logischen Zustand 0 entspricht. Die an den Ausgangsanschlüssen A1,..., A4 der integrierten Schaltung anliegenden Signale enthalten somit eine Information, bei welchen Betriebsbedingungen der integrierte Halbleiterchip, auf dem sich die integrierte Schaltung befindet, betrieben worden ist.
2 zeigt eine zweite Ausführung der Programmierschaltung 10. Die Programmierschaltung 10 umfaßt wie das in 1 dargestellte erste Ausführungsbeispiel einen ersten Eingangsanschluß E1 zum Anlegen einer Steuerspannung ES, einen zweiten Eingangsanschluß E2 zum Anlegen einer Referenzspannung Vref und Ausgangsanschlüsse AP1,..., AP4 zur Erzeugung von Programmiersignalen. Sie umfaßt weiterhin eine erste Vergleicherschaltung V1 mit einem ersten Eingangsanschluß 1a, einem zweiten Eingangsanschluß 1b und einem Ausgangsanschluß 1c, eine zweite Vergleicherschaltung V2 mit einem ersten Eingangsanschluß 2a, einem zweiten Eingangsanschluß 2b und einem Ausgangsanschluß 2c, eine dritte Vergleicherschaltung V3 mit einem ersten Eingangsanschluß 3a, einem zweiten Eingangsanschluß 3b und einem Ausgangsanschluß 3c und eine vierte Vergleicherschaltung V4 mit einem ersten Eingangsanschluß 4a, einem zweiten Eingangsanschluß 4b und einem Ausgangsanschluß 4c. Der erste Eingangsanschluß 1a der ersten Vergleicherschaltung V1 ist mit dem Eingangsanschluß E2 der Programmierschaltung zum Anlegen der Referenzspannung Vref und über einen ersten Widerstand R1 mit dem ersten Eingangsanschluß 2a der zweiten Vergleicherschaltung V2 verbunden. Der erste Eingangsanschluß 2a der zweiten Vergleicherschaltung ist über einen zweiten Widerstand R2 mit dem ersten Eingangsanschluß 3a der dritten Vergleicherschaltung verbunden. Der erste Eingangsanschluß 3a der dritten Vergleicherschaltung ist über einen dritten Widerstand R3 mit dem ersten Eingangsanschluß 4a der vierten Vergleicherschaltung verbunden. Der erste Eingangsanschluß 4a der vierten Vergleicherschaltung ist über einen vierten Widerstand R4 mit dem Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials verbunden. Die ersten Eingangsanschlüsse 1a, ..., 4a der ersten, zweiten, dritten und vierten Vergleicherschaltung sind als invertierende Eingangsanschlüsse der jeweiligen Vergleicherschaltungen V1,..., V4 ausgebildet. Die zweiten Eingangsanschlüsse 1b,..., 4b der ersten, zweiten, dritten und vierten Vergleicherschaltungen sind als nichtinvertierende Eingangsanschlüsse der jeweiligen Vergleicherschaltungen V1,..., V4 ausgebildet und sind mit dem ersten Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung 10 zum Anlegen des Eingangssignals ES verbunden. Die zweiten Eingangsanschlüsse 1b,..., 4b der ersten, zweiten, dritten und vierten Vergleicherschaltungen V1,..., V4 sind gemeinsam mit dem ersten Eingangsanschluß E1 der Programmierschaltung über einen Widerstand R_S mit dem Anschluß M zum Anlegen des Bezugspotentials verbunden.
Im Gegensatz zu dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht der Wert der Referenzspannung Vref dem in eine Spannung umgewandelten maximalen Schwellwert eines Betriebsparameters, bei dessen Überschreiten die Vergleicherschaltung V1 an ihrem Ausgangsanschluß 1c ein Programmiersignal erzeugt. Die Widerstände R1,..., R4 werden so gewählt, daß an jeweils dem ersten Eingangsanschluß 1a,..., 4a der Vergleicherschaltungen V1,..., V4 eine Spannung abfällt, die einem zu überwachenden Schwellwert eines Betriebsparameters entspricht. Wenn am zweiten Eingangsanschluß einer der Vergleicherschaltungen eine Steuerspannung ES auftritt, die oberhalb der an dem ersten Eingangsanschluß der Vergleicherschaltung anliegenden Schwellspannung liegt, so erzeugt die Vergleicherschaltung an ihrem Ausgangsanschluß ein Programmiersignal. Wenn am zweiten Eingangsanschluß einer der Vergleicherschaltungen eine Steuerspannung ES auftritt, die unterhalb der an dem ersten Eingangsanschluß der Vergleicherschaltung anliegenden Schwellspannung liegt, so erzeugt die Verglei cherschaltung an ihrem Ausgangsanschluß kein Programmiersignal.
3A zeigt eine erste Ausführungsform der Signalwandlerschaltung 50. Sie umfaßt ein Monoflop MF, dem über einen Ausgangsanschluß EW ein Eingangsignal ES' zugeführt wird. Das Monoflop MF ist über seinen Ausgangsanschluß AM mit einem Tiefpaß verbunden. Der Tiefpaß umfaßt einen Widerstand R_T, der mit dem Ausgangsanschluß AW der Signalwandlerschaltung 50 zur Erzeugung der Steuerspannung ES, die der in 1 bzw. 2 dargestellten Programmierschaltung 10 zugeführt wird, verbunden ist. Weiterhin ist der Widerstand R_T über eine Kapazität C_T mit dem Anschluß M zum Anlegen eines Massebezugspotentials VSS verbunden. Am Eingangsanschluß EW der Signalwandlerschaltung 50 liegt das Eingangssignal ES' in Form der Eingangsspannung U_S an. Am Ausgangsanschluß AM des Monoflops MF erzeugt das Monoflop die Ausgangsspannung U_M. Nach Filterung der Ausgangsspannung U_M des Monoflops tritt am Ausgangsanschluß AW der Signalwandlerschaltung 50 die Ausgangsspannung U_A auf.
3B und 3C zeigen den Verlauf der drei Spannungen U_S, U_M und U_A über der Zeit t für unterschiedliche Frequenzen der am Eingangsanschluß EW anliegenden Spannung U_S. Die Spannung U_S ist im ersten Diagramm der 3B als Rechteckspannung mit der Periodendauer T_P dargestellt. Wie das zweite Diagramm zeigt, kippt das Monoflop MF nach Anlegen des Eingangssignals ES' in Form der Rechteckspannung U_S für die Dauer T_P in den nicht stabilen Zustand und erzeugt an seinem Ausgangsanschluß AM die Ausgangsspannung U_M. Nach Ablauf der Zeit t_X kippt das Monoflop wieder in den stabilen Zustand, wird jedoch durch das erneute Auftreten des folgenden Rechteckimpulses wieder in den nicht stabilen Zustand gezwungen. Da die Zeit t_X, wäh rend der sich das Monoflop im instabilen Zustand befindet, identisch ist mit der Periodendauer T_P der Spannung U_S, tritt am Ausgangsanschluß AM des Monoflops MF eine konstante Spannung U_M auf, die den Kondensator C_T des nachgeschalteten Tiefpasses auf die Konstantspannung U_A auflädt. Der Verlauf der Ausgangsspannung U_A ist im dritten Diagramm dargestellt.
In 3C ist der Verlauf der Spannung U_M und U_A für eine Rechteckspannung U_S mit niedrigerer Frequenz dargestellt. Diagramm 1 zeigt den rechteckförmigen Verlauf der Spannung U_S mit einer größeren Periodendauer T_P als in 3B dargestellt. Da die Zeit t_X kleiner ist als die Periodendauer T der Eingangsspannung U_S, erzeugt das Monoflop MF an seinem Ausgang AM während der Zeit T_P-t_X kein Spannungssignal. Der nachgeschaltete Tiefpaß lädt den Kondensator C_T auf eine Konstantspannung U_A auf, die niedriger ist, als die im Ausführungsbeispiel der 3B aufgetretene Spannung U_A. Die Ausgangsspannung U_A ist bei der in 3A dargestellten Ausführungsform der Signalwandlerschaltung 50 der Frequenz des Eingangssignals ES' proportional.
4A zeigt eine zweite Ausführungsform der Signalwandlerschaltung 50, mit der eine Temperatur, beispielsweise die Umgebungstemperatur T, bei der eine Diode D betrieben wird, in ein elektrisches Signal umgewandelt wird. Die in 4A dargestellte Signalwandlerschaltung 50 umfaßt eine Konstantstromquelle, die den Konstantstrom I_const erzeugt, und mit der Reihenschaltung eines Widerstandes R_D und einer Diode D verbunden ist. Wenn die Diode D im Durchlaßbereich betrieben wird, fällt über ihr beim Anlegen des Flußstromes I_F = I_const die Durchlaßspannung U_F ab.
4B zeigt ein Strom-/Spannungsdiagramm, in dem der Verlauf des Durchlaßstromes I_F über der Flußspannung U_F für eine Umgebungstemperatur T = 25°C und T = 125°C dargestellt ist. Für zunehmende Temperaturen nimmt die Spannung U_F und damit auch die Schleusenspannung der Diode ab. Die Schleusenspannung ändert sich mit ungefähr 2 mV/K und ist der Umgebungstemperatur T der Diode indirekt proportional. Die relative Änderung der Umgebungstemperatur läßt sich bei diesem Verfahren über die Änderung der Schleusenspannung der Diode ermitteln.
4C zeigt eine dritte Ausführungsform der Signalwandlerschaltung 50 zur Umwandlung der Umgebungstemperatur in ein elektrisches Signal. Der Aufbau der Schaltung ist der in 4A gezeigten Ausführungsform der Signalwandlerschaltung bis auf die Verwendung einer Konstantspannungsquelle, die die Konstantspannung U_const erzeugt, an Stelle der Verwendung der Konstantstromquelle identisch. Die Diode D wird bei der dritten Ausführungsform allerdings im Sperrbereich betrieben. Bei diesem Betriebszustand fließt über sie beim Anlegen einer konstanten Sperrspannung U_R der Sperrstromes I_R.
4D zeigt das zur 4C zugehörige Strom-/Spannungsdiagramm, in dem der Verlauf des Sperrstromes I_R über der Sperrspannung U_R dargestellt ist. Beim Anlegen einer konstanten Sperrspannung, die durch die Konstantspannungsquelle vorgegeben wird, wird sie vom Sperrstrom I_R durchflossen. Der Sperrstrom nimmt mit zunehmender Temperatur zu und ist damit der Umgebungstemperatur der Diode direkt proportional. Die relative Änderung der Umgebungstemperatur läßt sich bei diesem Verfahren über die Änderung des Sperrstromes der Diode ermitteln.

1a,...,4a: erste Eingangsanschlüsse der Vergleicherschal
: tungen
1b,...,4b: zweite Eingangsanschlüsse der Vergleicherschal
: tungen
1c,...,4c: Ausgangsanschlüsse der Vergleicherschaltungen
10: Programmierschaltung
21,...,24: erste steuerbare Schalter
30: Speicherschaltung
31,...,34: dritte steuerbare Schalter
35,...,38: programmierbare Schalter
41,...,44: zweite steuerbare Schalter
50: Signalwandlerschaltung
A: Ausgangsanschluß der integrierten Schaltung
AP: Ausgangsanschluß der Programmierschaltung
AS: Ausgangsanschluß der Speicherschaltung
AW: Ausgangsanschluß der Signalwandlerschaltung
D: Diode
E: Eingangsanschluß der Programmierschaltung
ES: Steuerspannung der Programmierschaltung
ES': Eingangssignal der Signalwandlerschaltung
EW: Eingangsanschluß der Signalwandlerschaltung
M: Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials
P: Programmieranschluß der Speicherschaltung
PS: Programmiersignal
R: Widerstand
S: Steueranschluß der steuerbaren Schalter
SS: Steuersignal zur Ansteuerung der steuerbaren
: Schalter
V1,...,V4: Vergleicherschaltungen
Vin: Anschluß zum Anlegen des Versorgungspotentials
Vref: Referenzspannung der Programmierschaltung

Claims

Integrierte Schaltung zur Speicherung von Betriebsparametern, – mit einer Programmierschaltung (10) mit einem ersten Eingangsanschluß (E1) zum Anlegen einer Steuerspannung (ES), einem zweiten Eingangsanschluß (E2) zum Anlegen einer Referenzspannung (Vref) und Ausgangsanschlüssen (AP1,..., AP4) zur Erzeugung jeweils eines Programmiersignals (PS1, ..., PS4), - mit ersten steuerbaren Schaltern (21,..., 24), – mit einer Speicherschaltung (30) mit Programmieranschlüssen (PS1,..., PS4), Ausgangsanschlüssen (AS1,..., AS4) und programmierbaren Elementen (35,..., 38), - mit zweiten steuerbaren Schaltern (41,..., 44), – mit Ausgangsanschlüssen (A1,..., A4), – bei der jeweils einer der Ausgangsanschlüsse (AP1,..., AP4) der Programmierschaltung (10) zur Erzeugung der Programmiersignale über jeweils einen der ersten steuerbaren Schalter (21,..., 24) mit jeweils einem der Programmieranschlüsse (P1,..., P4) der Speicherschaltung (30) verbindbar ist, – bei der jeweils einer der Ausgangsanschlüsse (AS1,..., AS4) der Speicherschaltung (30) über jeweils einen der zweiten steuerbaren Schalter (41,..., 44) mit jeweils einem der Ausgangsanschlüsse (A1,..., A4) der integrierten Schaltung verbindbar ist, – bei der die Anzahl der Programmiersignale (PS1,..., PS4) von der Höhe der Steuerspannung (ES) abhängig ist, – und bei der die programmierbaren Elemente (35,..., 38), der Speicherschaltung (10) in Abhängigkeit von den Programmiersignalen (PS1,..., PS4) programmierbar sind.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, bei der der erste Eingangsanschluß (E1) zum Anlegen der Steuerspannung (ES) als Anschluß zum Anlegen eines Versorgungspotentials ausgebildet ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, – mit einer Signalwandlerschaltung (50) mit einem Eingangsanschluß (EW) zum Anlegen eines Eingangssignals (ES') und einem Ausgangsanschluß (AW) zur Erzeugung einer Ausgangsspannung, – bei der der Ausgangsanschluß (AW) der Signalwandlerschaltung. mit dem ersten Eingangsanschluß (E1) der Programmierschaltung (10) zum Anlegen des Steuersignals (ES) verbunden ist, – bei der die Signalwandlerschaltung (50) eine in dem Eingangssignal (ES) enthaltene Information in eine Ausgangsspannung umwandelt und dem Ausgangsanschluß (AW) zuführt.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, – bei der die Signalwandlerschaltung (50) einen Temperatursensor zur Aufnahme einer Temperatur der integrierten Schaltung umfaßt, – bei der die Signalwandlerschaltung so ausgebildet ist, daß sie in Abhängigkeit von der Temperatur der integrierten Schaltung am Ausgangsanschluß (AW) eine Ausgangsspannung erzeugt.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, – bei der der Eingangsanschluß (EW) der Signalwandlerschaltung (50) als Anschluß zum Anlegen eines Taktsignals der integrierten Schaltung ausgebildet ist, - bei der die Signalwandlerschaltung so ausgebildet ist, daß sie in Abhängigkeit von der Frequenz des Taktsignals der integrierten Schaltung am Ausgangsanschluß (AW) eine Ausgangsspannung erzeugt.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, – bei der die Programmierschaltung (10) zur Erzeugung der Programmiersignale eine erste Vergleicherschaltung (V1) und eine zweite Vergleicherschaltung (V2) mit jeweils einem ersten Eingangsanschluß (1a, 2a), einen zweiten Eingangsanschluß (1b, 2b) und einem Ausgangsanschluß (1c, 2c) umfaßt, – bei der der erste Eingangsanschluß (1a) der ersten Vergleicherschaltung (V1) über die Reihenschaltung eines ersten (R1) und eines zweiten Widerstandes (R_Rest) mit einem Anschluß zum Anlegen eines Bezugspotentials (M) verbunden ist, – bei der der erste Eingangsanschluß (2a) der zweiten Vergleicherschaltung (V2) über den ersten Widerstand (R1) mit dem ersten Eingangsanschluß (1a) des ersten Vergleichers (V1) und über den zweiten Widerstand (R_Rest) mit dem Anschluß zum Anlegen des Bezugspotentials (M) verbunden ist, – bei der jeweils der Ausgangsanschluß (1c, 2c) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) mit einem der Ausgangsanschlüsse (AP1, AP2) der Programmierschaltung verbunden ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, – bei der jeweils der erste Eingangsanschluß (1a, 2a) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) als Anschluß zum Anlegen einer jeweiligen Teilspannung der Steuerspannung ausgebildet ist, – bei der der erste Eingangsanschluß (1a) der ersten Vergleicherschaltung (V1) mit dem ersten Eingangsanschluß (E1) zum Anlegen der Steuerspannung (ES) der Programmierschaltung (10) verbunden ist, – bei der jeweils der zweite Eingangsanschluß (1b, 2b) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) mit dem Anschluß (E2) zum Anlegen der Referenzspannung (Vref) der Programmierschaltung (10) verbunden ist, – bei der die erste und zweite Vergleicherschaltung an ihren Ausgangsanschlüssen (1c, 2c) jeweils ein Programmiersignal (PS1, PS2) erzeugen, wenn die jeweilige am ersten Eingangsanschluß (1a, 2a) anliegende Teilspannung der Steuerspannung (ES) die am zweiten Eingangsanschluß (1b, 2b) anliegende Referenzspannung (Vref) überschreitet.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 7, – bei der jeweils der erste Eingangsanschluß (1a, 2a) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) als nichtinvertierender Anschluß ausgebildet ist, – bei der jeweils der zweite Eingangsanschluß (1b, 2b) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) als invertierender Anschluß ausgebildet ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, – bei der jeweils der erste Eingangsanschluß (1a, 2a) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) als Anschluß zum Anlegen einer jeweiligen Teilspannung der Referenzspannung ausgebildet ist, – bei der der erste Eingangsanschluß (1a) der ersten Vergleicherschaltung (V1) mit dem Anschluß zum Anlegen der Referenzspannung (Vref) der Programmierschaltung (10) verbunden ist, – bei der jeweils der zweite Eingangsanschluß (1b, 2b) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) mit dem Eingangsanschluß (E1) zum Anlegen der Steuerspannung (ES) der Programmierschaltung (10) verbunden ist, – bei der die erste und zweite Vergleicherschaltung (V1, V2) an ihren Ausgangsanschlüssen (1c, 2c) jeweils ein Programmiersignal (PS1, PS2) erzeugen, wenn die jeweilige am ersten Eingangsanschluß (1a, 2a) anliegende Teilspannung der Referenzspannung (Vref) die am zweiten Eingangsanschluß (1b, 2b) anliegende Steuerspannung (ES) überschreitet.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 9, – bei der jeweils der erste Eingangsanschluß (1a, 2a) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung (V1, V2) als invertierender Anschluß ausgebildet ist, – bei der jeweils der zweite Eingangsanschluß (1b, 2b) der ersten und zweiten Vergleicherschaltung als nichtinvertierender Anschluß ausgebildet ist.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, – bei der die Speicherschaltung (30) einen Anschluß (Vin) zum Anlegen einer Versorgungsspannung (VDD) und dritte steuerbare Schalter (31,..., 34) umfaßt, – bei der der Anschluß (Vin) zum Anlegen der Versorgungsspannung über die Reihenschaltung von jeweils einem der dritten steuerbaren Schalter (31,..., 34) und jeweils einem der programmierbaren Schalter (35,..., 38) mit dem Anschluß (M) zum Anlegen des Bezugspotentials verbindbar ist, – bei der jeweils einer der Ausgangsanschlüsse (AS1,..., AS4) der Speicherschaltung (30) über jeweils einen der programmierbaren Schalter (35,..., 38) mit dem Anschluß (M) zum Anlegen des Bezugspotentials verbindbar ist.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der einer der Ausgangsanschlüsse (AP1) der Programmierschaltung (10) zur Erzeugung jeweils eines Programmiersignals über einen der zweiten steuerbaren Schalter (41) mit einem der Ausgangsanschlüsse (A1) der integrierten Schaltung verbindbar ist.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei der die programmierbaren Schalter (35,..., 38) als elektrisch programmierbare nichtflüchtige Speicherelemente ausgebildet sind.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der die programmierbaren Schalter (35,..., 38) als Schmelzsicherungen ausgebildet sind.
Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der der Anschluß (M) zum Anlegen des Bezugspotentials als Anschluß zum Anlegen eines Massepotentials (VSS) ausgebildet ist.