DE10325603A1 - Elektrisch leitfähiger Bondpad - Google Patents

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Ralf Schmidt
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Abstract

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Bondpads zur Kontaktierung eines GaN aufweisenden Substrats, bei dem eine Schichtenabfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten, metallischen Schicht und einer dritten Schicht auf das Substrat aufgebracht wird. DOLLAR A Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass als erste und als dritte Schicht eine die zweite Schicht stabilisierende, elektrisch leitfähige Oxidschicht oder eine die zweite Schicht stabilisierende Metallschicht, die in sauerstoffhaltiger Umgebung getempert wird, verwendet wird.

Description

  • Technisches Anwendungsgebiet
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrisch leitfähigen Bondpad zur Kontaktierung eines GaN aufweisenden Substrats sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung, bei dem eine Schichtenabfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten, metallischen Schicht und einer dritten Schicht auf das Substrat aufgebracht wird.
  • In den letzten Jahren wurden große Fortschritte bei der Entwicklung von Halbleitern erzielt, die zur Entwicklung und Kommerzialisierung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen wie Leuchtdioden (LED) und Laserdioden geführt haben. Bei lichtemittierenden Dioden (LED) handelt es sich insbesondere um sog. Lumineszenzdioden, die für das menschliche Auge sichtbare Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 380 – 780 nm emittieren. Die als erste lichtemittierende Dioden entwickelten und heute noch in großen Stückzahlen hergestellten LEDs basieren auf GaAs1-xPx. Moderne Hochleistungs-Lumineszenzdioden zeichnen sich durch eine besonders hohe Strahldichte aus, die durch die Verwendung von Doppelheterostrukturen in Verbindung mit eng begrenzten Lumineszenzvolumina erreicht wird.
  • Neben den Hochleistungs-Lumineszenzdioden finden sog. Super-LEDs Anwendung, die ebenfalls Doppelhetero strukturen aufweisen, in ihrem Aufbau allerdings eher Halbleiterlasern entsprechen. Bei diesen Super-LEDs wird der Strom auf einen Streifen von lediglich 10 – 80 μm Breite begrenzt. Die Abstrahlung erfolgt hierbei in Streifenrichtung aus der Schichtenkante, so dass diese LEDs auch als sog. Kantenstrahler bezeichnet werden. Durch die sehr unterschiedlichen Abmessungen von Dicke (0,3 μm) und Breite (10 – 80 μm) sind die Abstrahlungscharakteristiken senkrecht und parallel zur Schichtenfolge sehr verschieden.
  • Soll mit den vorgenannten Dioden kein Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich sondern mit einer Wellenlänge, die größer als 1000 nm ist, emittiert werden, so können entsprechende LEDs auch als InGaAsP/InP-Form ausgeführt werden.
  • Hochleistungs-Lumineszenzdioden finden vor allem in der optischen Nachrichtentechnik und als Pumplichtquellen für kleine Festkörper-Kristalllaser Anwendung.
  • In der Beleuchtungs- und Displaytechnik sind insbesondere Leuchtdioden mit Doppelheterostrukturen auf (AlGaIn)N Basis von Bedeutung, da durch den großen Bandabstand grünes, blaues, violettes oder ultraviolettes Licht erzeugt werden kann. Dies ermöglicht es sowohl, vollfarbige LED-Displays als auch weiß emittierende Lichtquellen für die Beleuchtungstechnik herzustellen. Weißes Licht kann dabei sowohl durch Kombination verschiedenfarbiger LEDs als auch durch sogenannte Lumineszenzkonversions-LEDs erzeugt werden, bei denen ein Teil des von einer LED emittierten blauen Lichts über zugefügten Phosphor in gelbes Licht umgewandelt wird.
  • (AlGaIn)N-Dioden werden üblicherweise über metallorganische Gasphasenepitaxie auf Saphir oder Siliziumcarbid hergestellt, indem nacheinander eine Pufferschicht zur kontinuierlichen Anpassung der Gitterkonstanten von Substrat und Halbleiter, eine n-leitende Kontaktschicht eine aktive Licht erzeugende Schicht und eine p-leitende Kontaktschicht auf die Substrate abgeschieden werden. Danach werden auf die p- und n-Kontaktschicht Ladungsträger injizierende Elektroden, hier als p- und n-Kontakt bezeichnet aufgebracht. Das Licht kann dabei sowohl auf das Substrat als auch durch den p-Kontakt auf der Oberseite der Diode ausgekoppelt werden, wobei der p-Kontakt dann für das auszukoppelnde Licht transparent sein muss.
  • Die Lichtausbeute der (AlGaIn)N-Hochleistungs-LEDs kann insbesondere dadurch verbessert werden, dass neben der internen Leistungseffizienz die Lichtauskopplung verbessert wird. Die interne Lichtausbeute lässt sich zum einen durch eine Reduktion des Serienwiderstandes der Diode, insbesondere durch Reduktion des Kontaktwiderstandes des n- und p- Kontaktes erzielen. Dabei sind solche Kontakte vorteilhaft, die neben einem niedrigen Kontaktwiderstand auch eine hohe Reflektivität für das auszukoppelnde Licht aufweisen, weil dadurch neben der internen Leistungseffizienz auch die Auskoppeleffizienz gesteigert werden kann.
  • Hierzu werden im Allgemeinen elektrische p-Kontakte mit ohmschen Stromspannungskennlinien verwendet, die im Gegensatz zu den herkömmlichen Ni/Au-Kontakten neben einer guten Bond- bzw. Lötbarkeit auch eine hohe Reflektivität im Spektralbereich des von der Diode emittierten Lichtes aufweisen. Eine niedrige Reflektivität bedeutet hierbei hohe Absorptionsverluste, insbesondere dann, wenn die emittierte Strahlung auf Grund interner Vielfachreflektionen mehrfach am Kontakt reflektiert wird, ehe sie aus der LED ausgekoppelt wird.
  • Im Wesentlichen sind zwei Methoden bekannt, hochreflektive Kontakte herzustellen.
  • Eine Möglichkeit besteht darin, Ladungsträger injizierende Kontakte zu verwenden, die selbst einen hochreflektierenden Metallkontakt darstellen. Für den sichtbaren Spektralbereich zeigen von allen Metallen nur Ag und Al ein hohes Reflexionsvermögen von mehr als 85% gegenüber Luft.
  • So sind bspw. aus [K. Tadatomo et. al.: High Output Power InGaN Ultraviolett Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy; Japanese Journal of Applied Physics 40 L583] hochreflektierende ohmsche p-Kontakte für p-GaN bekannt, die auf Ag-Basis hergestellt werden. Die in dieser Druckschrift beschriebenen Pt/Ag/Ti/Pt/Au/Ti/Au-Schichten werden verwendet, da sowohl Al- wie In-basierende Kontakte kein ohmsches Verhalten aufweisen.
  • Darüber hinaus sind aus [V. Adivarahan et. al.: Very-low-specific-resistance Pd/Ag/Au/Ti/Au alloyed ohmic contact to p GaN for high-current devices; Applied Physics Letters 78, 2781 (2001)] Pd/Ag/Au/Ti/Au-Kontakte bekannt.
  • Analog zu den beiden vorgenannten Kontakttypen wurden auch Ni/Au- und auch Ni/Ag-Kontakte entwickelt, die jedoch keine ausreichende Temperaturstabilität aufweisen.
  • Die bei diesen Kontakten verwendeten 10 – 20 nm dünnen metallischen Ni-, Pt- oder Pd-Haftschichten verschlechtern insbesondere die Reflektionseigenschaften von Ag. Im Fall von Ni/Ag-Kontakten lässt sich die dünne Ni-Schicht jedoch durch Tempern des Kontaktes in sauerstoffhaltiger Atmosphäre zu elektrisch leitendem, transparentem NiO oxidieren, wobei Ag bis zur GaN-Oberfläche diffundiert und somit prinzipiell die hohe Reflektivität von Silber erhalten bleibt. Nachteilig hierbei ist jedoch, dass sich die Ag-Schicht bei dem notwendigen Tempervorgang aufraut und der Kontakt hierdurch seine guten Haft- und Reflektionseigenschaften verliert und somit für eine Anwendung unbrauchbar wird.
    •
  • Ausgehend von dem bekannten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Kontakts sowie einen entsprechenden Kontakt anzugeben, der die Kontaktierung einer LED mit verbesserter Lichtausbeute ermöglicht, eine ausreichende Temperaturstabilität aufweist und darüber hinaus über gute Hafteigenschaften verfügt.
  • Darstellung der Erfindung
  • Die Lösung der der Erfindung zu Grunde liegenden Aufgabe ist im Anspruch 1 angegeben. Im Anspruch 16 ist ferner ein Kontakt angegeben, der die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe löst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der Unteransprüche sowie aus dem nachfolgenden Beschreibungstext unter Bezugnahme auf die Ausführungsbeispiele zu entnehmen.
  • Erfindungsgemäß ist ein ein Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Bondpads zur Kontaktierung eines GaN aufweisenden Substrats, bei dem eine Schichtenabfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten, metallischen Schicht und einer dritten Schicht auf das Substrat aufgebracht wird. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass als erste und als dritte Schicht eine die zweite Schicht stabilisierende, elektrisch leitfähige Oxidschicht oder eine die zweite Schicht stabilisierende Metallschicht, die in sauerstoffhaltiger Umgebung getempert wird, verwendet wird.
  • In diesem Zusammenhang bedeutet Stabilisieren, dass insbesondere die dritte Schicht sicher stellt, dass die zweite metallische Schicht und damit der gesamte Kontakt unter Temperaturbelastung nicht aufrauen kann. Ferner Gewähr leistet die Stabilisierung, dass das Metall der zweiten Schicht nicht an die Oberfläche diffundiert und dort eine chemische Reaktion eingeht. Bei der Verwendung von Ag als zweite, metallische Schicht wird auf diese Weise bspw. die Bildung von Ag2S weitgehend vermieden. Des weiteren schützt die dritte Schicht die zweite metallische Schicht weitgehend vor Umwelteinflüssen, wie z.B. schwefelhaltige Verbindungen. Demgegenüber wird durch die erste Oxidschicht ein Eindringen des Metalls in das GaN aufweisende Substrat verhindert.
  • Auf bevorzugte Weise ermöglicht das Vorhandensein zweier elektrisch leitfähiger Schichten, die Stabilisierung der zwischen ihnen befindlichen metallischen Schicht, da bei einer derartigen Stabilisierung der Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Schicht und den sie umgebenden elektrisch leitfähigen Oxidschichten nicht erhöht wird.
  • Zur Herstellung der Oxidschichten ist es sowohl möglich, als erste und/oder als dritte Schicht Oxidschichten aufzubringen als auch denkbar, eine Metallschicht zu verwenden, die erst nach dem Aufbringen oxidiert wird. Selbstverständlich sind auch Kombinationen dieser beiden alternativen Herstellungsverfahren der ersten und der dritten Schicht denkbar. Bei einem derartig ausgeführten Verfahren wird eine der beiden, die zweite Schicht stabilisierenden Schichten als Metallschicht ausgeführt, die im Anschluß an die Aufbrigung oxidiert wird, während die jeweils andere Schicht bereits in Form einer Oxidschicht aufgebracht wird.
  • In einer besonders geeigneten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als erste und/oder als dritte Schicht ein Metall aufgebracht und die Schichtenabfolge bei einer Temperatur die größer als 400°C ist, getempert. Vorzugsweise erfolgt die Temperung bei einer Temperatur von 450°C in einem sauerstoffhaltigen Gas, so dass die erste und die dritte Schicht, bei denen es sich insbesondere um Nickelschichten handelt, oxidiert werden und auf diese Weise ohmsche Kontakte reproduzierbar herstellbar sind. Eine derartig gewählte Oxidationstemperatur Gewähr leistet, dass die erfindungsgemäßen Kontakte auch nach dem Temperprozess glatt sind und über sehr gute Hafteigenschaften auf dem Halbleiter verfügen. Gleichzeitig wird der spezifische Kontaktwiderstand mindestens um den Faktor 10 reduziert. Darüber hinaus sind die Kontakte unempfindlich gegenüber Oberflächenkontaminationen der Epitaxieschicht sowie gegenüber Prozessschwankungen.
  • In einer weiteren besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die metallische Schicht als Silber enthaltende Schicht ausgeführt. Vorzugsweise wird diese Silberschicht zwischen einer ersten und einer dritten Schicht eingebracht, die Wolfram-, Tantal-, Eisen- und/oder Nickeloxid enthalten. Derartig ausgeführte erste bzw. dritte Schichten stabilisieren die Silberschicht vor und nach der Oxidation, ohne den niedrigen Kontaktwiderstand des Wolfram-, Tantal-, Eisen- und/oder Nickel/Ag-Kontakts zu erhöhen. Bei den vorgenannten Oxidschichten handelt es sich um elektrisch leitfähige Schichten.
  • Vorzugsweise werden die erste Schicht und die dritte Schicht mit einer Schichtdicke von 1 – 20 nm aufgebracht. Ganz besonders eignet sich ein Verfahren, bei dem auf die zu kontaktierende, p-dotierte GaN-Schicht eine 1 – 3 nm dicke Nickelschicht aufgebracht wird, gefolgt von einer nichttransparenten Ag-Schicht und einer zweiten ca. 12 nm dicken Nickelschicht. In diesem Zusammenhang ist es ebenfalls denkbar, die zweite Nickelschicht dicker als die GaN-seitige Nickelschicht auszuführen, da die Kontakte hochreflektiv sein müssen.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht die Aufbringung einer Silberschicht vor, die eine Dicke von maximal 10 nm, vorzugsweise eine Dicke von 1 – 10 nm, aufweist, so dass diese Schicht transparent wird und der Ni/Ag/Ni-Kontakt als transparenter, Ladungsträger injizierender Kontakt verwendbar ist.
  • In einer weiteren besonders geeigneten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird vor der Aufbringung der ersten Schicht die zu beschichtende Oberfläche des Halbleitersubstrats, bspw. eines GaN enthaltenden Substrats, mit einer schwefelhaltigen Verbindung, die vorzugsweise Thioacetamid oder Ammoniumsulfid enthält, behandelt. Besonders geeignet ist es, die zu beschichtende Oberfläche mit einer wässrigen Thioacetamid-Lösung zu reinigen. Durch diese Maßnahme wird der Kontaktwiderstand um einen Faktor 2 reduziert.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens werden auf die dritte Schicht noch weitere metallische Schichten aufgebracht, wobei die äußere Schicht vorzugsweise Gold enthält. Auf diese Weise wird die Bondbarkeit eines mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Kontaktes weiter verbessert.
  • Erfindungsgemäß ist weiterhin ein elektrisch leitfähiger Bondpad zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats, insbesondere eines GaN aufweisenden Substrats, aus einer Legierung, die durch Temperung einer Schichtenfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten, metallischen Schicht sowie einer dritten Schicht entstanden ist, der sich dadurch auszeichnet, dass die erste und die dritte Schicht elektrisch leitfähige Oxidschichten sind, die die zweite Schicht stabilisieren.
  • Vorzugsweise entsteht der elektrisch leitfähige Bondpad aus einer Legierung, die wenigstens teilweise Wolfram-, Tantal-, Eisen- und/oder Nickeloxid enthält. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält die Legierung Silber.
  • Eine besonders bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bondpads sieht vor, dass der Bondpad durch Temperung einer Schichtenfolge aus einer ersten Schicht, einer zweiten, metallischen Schicht sowie einer dritten Schicht entstanden ist, wobei die erste Schicht eine 1 – 20nm dicke Nickeloxidschicht, die zweite, metallische Schicht eine Silberschicht, die dicker als 10 nm ist, und die dritte Schicht eine 5 – 20 nm dicke Nickeloxidschicht ist.
  • In einer weiteren besonderen Ausführungsform wird die Legierung unter Zusatz von Silber derart gewählt, dass der elektrisch leitfähige Bondpad ein transparenter, Ladungsträger injizierender Kontakt ist.
  • Bei einer weiteren, besonderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bondpads ist auf der Oberfläche des Kontakts eine vierte, Gold enthaltende Schicht vorgesehen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung exemplarisch beschrieben. Es zeigt:
  • 1 schematischer Aufbau eines erfindungsgemäßen Ni/Ag/Ni-Kontaktes am Beispiel einer (A1GaIn)N-LED.
  • In 1 ist ein GaN aufweisendes Substrat (1) dargestellt, auf das sowohl ein n-Kontakt (6) als auch ein erfindungsgemäßer p-Kontakt (5) aufgebracht worden sind. Hierbei weist der p-Kontakt (5) eine gute Bond- bzw. Lötbarkeit auf und ermöglicht die Kontaktierung der GaN aufweisenden Schicht (1) für eine LED mit hoher Lichtausbeute.
  • Zur Kontaktierung des GaN aufweisenden Substrats (1) wird die für die Kontaktierung vorgesehene Fläche zunächst einer 4-minütigen Reinigung im HCl-Gas bei einer Temperatur von 450°C unterzogen. Anschließend erfolgt eine 10-minütige Aktivierung der LED-Epitaxieschicht bei 580°C in einer Lösung aus 96 Vol-% N2 und 4Vol-% N2O sowie eine Reinigung der zu kontaktierenden Oberfläche in NH4OH. Nach Beendigung dieses Prozesses wird auf die zu kontaktierende Oberfläche eine 2 nm dicke Nickelschicht (2) aufgedampft, gefolgt von einer 300nm dicken Ag-Schicht (3) und einer zweiten 12nm dicken Ni-Schicht (4). Anschließend wird der Kontakt 10 Minuten bei 450°C legiert, wobei die Legierung 8 Minuten in einer N2-Atmosphäre und 2 Minuten in einer O2-Atmosphäre durchgeführt wird.
  • Der mit Hilfe dieses Verfahrens hergestellte p-Kontakt (5) aus einer Legierung aus NiOx und Ag weist ein sehr hohes Reflektionsvermögen auf, das in der Regel um einen Faktor 2 besser als herkömmliche Ni-Au-Kontakte ist und verfügt über einen spezifischen Kontaktwiderstand von 1 × 10-3 Ωcm2.
    •
    • 1
    Galliumnitrid enthaltenes Substrat
    2
    erste Schicht
    3
    zweite Schicht
    4
    dritte Schicht
    5
    p-Kontakt
    6
    n-Kontakt

Claims (22)

  1. Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen Bondpads zur Kontaktierung eines Substrats (1), insbesondere eines GaN aufweisenden Substrats (1), bei dem eine Schichtenabfolge aus einer ersten Schicht (2), einer zweiten, metallischen Schicht (3) und einer dritten Schicht (4) auf das Substrat (1) aufgebracht und getempert wird, dadurch gekennzeichnet, dass als erste (2) und dritte Schicht (4) eine die zweite Schicht (3) stabilisierende, elektrisch leitfähige Oxidschicht oder eine die zweite Schicht (3) stabilisierende Metallschicht, die in sauerstoffhaltiger Umgebung getempert wird, verwendet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (2) und/oder die dritte Schicht (4) aus einem dieelektrischen, oxidationsstabilisierenden Material hergestellt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (2) und/oder die dritte Schicht (4) aus einem Wolfram, Tantal, Eisen und/oder Nickel enthaltenden Material hergestellt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als erste Schicht (2) eine Ni-Schicht oder eine Nickeloxidschicht auf das Substrat (1) aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als erste Schicht (2) eine Ni-Schicht oder eine Nickeloxidschicht mit einer Dicke von 3 bis 12 nm auf das Substrat (1) aufgebracht wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass als zweite, metallische Schicht (3) eine Silber enthaltende Schicht verwendet wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass als zweite, metallische Schicht (3) eine Silber enthaltende Schicht mit einer maximalen Dicke von 10 nm aufgebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schichtenabfolge aus einer Nickelschicht als erste Schicht (2), aus einer nicht transparenten Ag-Schicht als zweite, metallische Schicht (3) und einer Nickelschicht als dritte Schicht (4) auf das Substrat (1) aufgebracht wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schichtenabfolge aus einer 1 – 20 nm dicken Nickeloxidschicht, einer mindestens 10 nm dicken Silberschicht als zweite, metallische Schicht (3), und einer 5 – 20 nm dicken Nickeloxidschicht als dritte Schicht (4) aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite, metallische Schicht (3) mit einer maximalen Dicke von 10 nm aufgebracht und ein hochreflektierender, metallischer oder dielektrischer Spiegel auf dem Substrat (1) erzeugt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Schicht (4) dicker als die erste Schicht (2) ausgeführt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenabfolge bei einer Temperatur größer 400°C, insbesondere bei 450°C, getempert wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtenabfolge von einem sauerstoffhaltigen Gas umgeben getempert wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Kontaktierung die zu kontaktierende Oberfläche des GaN enthaltenden Substrats (1) mit einer wässrigen Thioacetamidlösung gereinigt wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Temperung der Schichtenabfolge ein Au-Bondpad auf die dritte Schicht (4) aufgebracht wird.
  16. Elektrisch leitfähiger Bondpad zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats, insbesondere eines GaN aufweisenden Substrats (1), aus einer Legierung, die durch Temperung einer Schichtenfolge aus einer ersten Schicht (2), einer zweiten, metallischen Schicht (3) sowie einer dritten Schicht (4) entstanden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die erste (2) und die dritte Schicht (4) elektrisch leitfähige Oxidschichten sind, die die zweite Schicht (3) stabilisieren.
  17. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierung Silber enthält.
  18. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierung wenigstens teilweise aus Wolfram-, Tantal-, Eisen- und/oder Nickeloxid entstanden ist.
  19. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (2) eine 1 – 20nm dicke Nickeloxidschicht, die zweite, metallische Schicht (3) eine Silberschicht, die dicker als 10 nm ist, und die dritte Schicht (4) eine 5 – 20 nm dicke Nickeloxidschicht darstellt.
  20. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondpad ein transparenter, Ladungstäger injizierender Kontakt ist.
  21. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dritten Schicht (4) noch eine vierte Schicht aufgebracht ist.
  22. Elektrisch leitfähiger Bondpad nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die vierte Schicht eine Gold enthaltende Schicht ist.
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