DE10304532B4 - Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze - Google Patents

Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze Download PDF

Info

Publication number
DE10304532B4
DE10304532B4 DE10304532A DE10304532A DE10304532B4 DE 10304532 B4 DE10304532 B4 DE 10304532B4 DE 10304532 A DE10304532 A DE 10304532A DE 10304532 A DE10304532 A DE 10304532A DE 10304532 B4 DE10304532 B4 DE 10304532B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tip
crystal
scanning tunneling
bead
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10304532A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10304532A1 (de
Inventor
Bert Dr. Voigtländer
Udo Linke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Juelich GmbH filed Critical Forschungszentrum Juelich GmbH
Priority to DE10304532A priority Critical patent/DE10304532B4/de
Publication of DE10304532A1 publication Critical patent/DE10304532A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10304532B4 publication Critical patent/DE10304532B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/10STM [Scanning Tunnelling Microscopy] or apparatus therefor, e.g. STM probes
    • G01Q60/16Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Verfahren zur Schärfung einer Spitze, dadurch gekennzeichnet, dass die Spitze in ein weiches Metall mit einer Vickershärte von höchstens 550 MN/m2 eingetaucht wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Schärfung einer Spitze nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, insbesondere einer Rastertunnelmikroskop-Spitze sowie eine geschärfte Spitze.
  • Die Methode der Rastertunnelmikroskopie hat in den letzten 20 Jahren die direkte Abbildung von Oberflächen revolutioniert (Physik Nobelpreis 1986). Viele tausend Rastertunnelmikroskope werden zur Charakterisierung der Oberflächenmorphologie in Forschung, Lehre und Industrie eingesetzt. Das Grundprinzip des Rastertunnelmikroskops beruht auf dem "Abtasten" der Oberfläche durch eine scharfe Spitze. Ist das letzte Ende der Spitze scharf genug, kann eine Oberfläche mit atomarer Genauigkeit abgebildet werden.
  • Die Qualität der Spitze ist entscheidend für die Abbildungsqualität des Rastertunnelmikroskops. Da die Qualität der Spitze für die Abbildung entscheidend von den letzten Atomen der Spitze bestimmt wird, ist die Qualität einer Spitze nicht vorher messbar, sondern die Abbildungsqualität einer Spitze zeigt sich erst während des Betriebes des Rastertunnelmikroskops.
  • Der Einsatz des Rastertunnelmikroskops im Ultrahochvakuum erlaubt die Abbildung von reinen Oberflächen ohne Oxide oder andere durch die Luft bedingte Kontaminatio nen. Bei der Abbildung der Oberflächen von harten Materialien, wie zum Beispiel Silizium und Germanium, verschlechtert sich die Abbildungsqualität der geätzten Wolframspitze oft schon nach einem Einsatz von wenigen Tagen. Insbesondere nach einem unter normalen Bedingungen ungewollten mechanischen Kontakt zwischen Spitze und Probe ("Tipcrash") verschlechtert sich die Abbildungsqualität der Spitze oft drastisch. Durch den Kontakt der Wolframspitze mit der harten Probe (Vickershärte ca. 3500 MN/m2) wird die Wolframspitze stumpfer.
  • Für die Herstellung scharfer Spitzen gibt es verschiedene Verfahren. Ein weit verbreitetes Verfahren ist das elektrochemische Ätzen eines Wolframdrahtes (Ibe et al. J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 3187). Nachdem die Qualität der Abbildung von Oberflächen aus harten Materialien abgenommen hat, wird die Spitze des Rastertunnelmikroskops durch eine neue ersetzt. Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass ein Austauschen der Spitze im Ultrahochvakuum erheblichen Aufwand bedeutet, den man vermeiden möchte. Mit dem Ausbau der Spitze aus dem Rastertunnelmikroskop ist Arbeitszeit und damit sind Kosten verbunden.
  • In der Veröffentlichung „Scanning Tunneling Microscopy and its Application" von Chunli Bai Springer Verlag ISBN 3-540-59346-2 Seiten 72 bis 83 wird gezeigt, dass Spitzen durch Eintauchen in Ätzlösungen hergestellt werden können. Weiterhin wird gezeigt, dass sich die Auflösung von Rastertunnelmikroskopspitzen verbessert, wenn sie mit der Spitze der Probe in Kontakt gebracht werden.
  • Die Veröffentlichung "A point field emission tungsten cathode obtained by faceting of the tungsten surface inducted by ultrathin gold film, Observations by means of scanning field emission microscope" von Stanislaw Sendecki und Bogdan Barwinski in Applied Surface Science 134 (1998) Seiten 243 bis 246 offenbart, dass eine ultradünne Schicht von Gold auf eine Spitze aufgedampft worden ist.
  • Das US-Patent 6,017,590 offenbart eine Spitze, die mit einem Softpolimer als Coating beschichtet ist.
  • Das US-Patent 5,085,746 offenbart eine Herstellung einer Spitze unter Verwendung einer Ätzflüssigkeit.
  • Die Veröffentlichung „Local fluorescent probes for the fluorescence resonance energy transfer scanning near-field optical microscopy" aus Applied Physics Letters Volume 80, Number 15 vom 15. April 2002 Seiten 2625 bis 2627 zeigen ein Verfahren bei dem eine Spitze mit einer Lösung enthaltend Chloroform Farbstoff sowie PMMA getaucht wird.
  • Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Schärfen einer Spitze, insbesondere einer Spitze eines Rastertunnelmikroskops zu schaffen, welches zeitsparend, einfach und damit verbunden kostengünstig ist. Weiterhin soll eine geschärfte Spitze zur Verfügung gestellt werden.
  • Ausgehend vom Oberbegriff des Anspruchs 1 wird die Aufgabe erfindungsgemäß gelöst, durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es nunmehr möglich, Spitzen, insbesondere Rastertunnelmikroskop-Spitzen auf einfache und kostengünstige Weise zu schärfen. Die geschärften Spitzen ermöglichen eine atomgenaue Auflösung einer Oberfläche. Die Oberfläche der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Spitze besteht aus besonders reinem Material.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Figuren zeigen beispielhafte Ausführungen der Erfindung sowie die Abbildung einer Oberfläche, die mit einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelten Spitze eines Rastertunnelmikroskops aufgenommen wurde.
  • Es zeigt:
  • 1: Bead-Kristall aus Platin mit einem Draht (Durchmesser ca. 2 mm).
  • 2: Orientierter und polierter Pt-Bead-Kristall (Durchmesser ca. 2 mm) mit zwei Zuleitungsdrähten (Durchmesser 0,5 mm).
  • 3: Ein sehr gleichmäßig auf Rotglut erhitzter Bead-Kristall aus Pt.
  • 4: Rastertunnelmikroskopische Aufnahme der Oberfläche eines Pt-Bead-Kristalls mit zwei Drähten nach der Reinigung durch Heizen mit direktem Stromdurchgang (700 × 700 Å).
  • 5: Rastertunnelmikroskopische Abbildung einer Si (111) Oberfläche mit einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren geschärften Spitze, die eine atomare Auflösung liefert.
  • Erfindungsgemäß wird die zu schärfende Spitze zum Schärfen mit einem weichen Material in Kontakt gebracht.
  • Als weiches Material im Sinne der Erfindung ist ein Material einer Härte von höchstens 550 MN/m2 anzusehen.
  • Als derartige Materialien können Metalle, insbesondere Edelmetalle angeführt werden. Beispielhaft können Platin, Gold, Silber, Rhenium, Rhodium, Iridium, Palladium, Kupfer und Nickel genannt werden. Edelmetalle haben dabei den Vorteil, dass sie auch unter athmosphärischen Bedingungen oder anderen nicht inerten Bedingungen zum Schärfen der Spitzen verwendet werden können.
  • Die zu schärfende Spitze wird mit dem weichen Material in Kontakt gebracht bzw. vorzugsweise in das Material eingetaucht. Die Eintauchtiefe beträgt dabei vorzugsweise 50–100 nm, besonders bevorzugt 70 nm.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung liegt das weiche Material in Form eines Einkristalls, vor, da dieser eine Oberfläche hat, die besonders glatt ist und an der Höhenunterschiede von einer Atomlage bestehen. Die Oberfläche des Einkristalls ist daher besonders gut geeignet, die Qualität, das heißt die Schärfe der Spitze eines Rastertunnelmikroskops nach dem Eintauchen in das weiche Material zu testen, da hier die Auflösung in der Größenordnung eines Atoms auf Grund der Einkristallstrukur getestet werden kann. Hierzu wird die Spitze in das weiche Material eingetaucht oder mit ihm in Kontakt gebracht und nachdem der Kontakt zwischen der Spitze und der Probe unterbrochen wurde über die Oberfläche der Probe gefahren, wobei eine reine rastertunnelmikroskopische Aufnahme des weichen Materials erzeugt wird. Entspricht die Auflösung einer Atomstärke, so ist die Güte der regenerierten Spitze sehr gut und das Spitzen ist beendet. Alternativ kann die frisch angespitzte Spitze auch über eine andere Oberfläche geführt werden, die zu Zwecken der Auflösungsqualität herangezogen wird, jedoch handelt es sich dabei um eine weniger bevorzugte Ausführungsform. Sollte die Auflösung noch nicht gut genug sein, so kann das Eintauchen wiederholt werden. Bei Vorliegen eines Einkristalls hat das weiche Material die Reinheit, die für das jeweilige Material bei Vorliegen der Einkristallstruktur natürlich gegeben ist. Das "kontrollierte Eintauchen" der Spitze in das weiche Metall führt, im Gegensatz zum Verhalten bei harten Materialien, zu einer Regenerierung der Abbildungsqualität. Wahrscheinlich wird die Spitze beim Eintauchen bzw. in Kontakt bringen in das weiche Metall mit einer Schicht des weichen Me talls überzogen und es bildet sich eine "frische" Spitze.
  • Zur Verbesserung der Abbildungsqualität auf harten Materialien kann nun eine Regenerierung der Spitze durch definiertes Eintauchen oder in Kontakt bringen der Spitze in ein weiches Material erreicht werden. Die Durchführung einer solchen Regenerierung bedeutet allerdings einen großen Aufwand, da die Probe aus weichem Metall zunächst im Ultrahochvakuum gereinigt werden muss.
  • Das weiche Material soll vor dem Spitzen der Spitze vorzugsweise gereinigt werden, damit sich an der Spitze keine Verunreinigungen ansammeln. Dies geschieht vorzugsweise durch Sublimation. Eine Sublimation kann beispielsweise durch elektrisches Aufheizen des weichen Materials erfolgen. Es sind auch andere Möglichkeiten denkbar, das weiche Material an seiner Oberfläche zu reinigen, wie zum Beispiel Ionenätzen oder der Beschuss mit Laserlicht, jedoch ist das elektrische Aufheizen besonders einfach, da es mit einfachen Mitteln im Ultrahochvakuum durchgeführt werden kann.
  • In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform wird ein Einkristall in Form eines Bead-Kristalls verwendet.
  • Im Folgenden wird eine Methode zur einfachen und preisgünstigen Herstellung von Metall oder Edelmetall Einkristallen (besonders Platin und Gold) beschrieben, deren Oberflächenreinigung im Ultrahochvakuum (UHV) sehr einfach ist. Die Kristalle können durch Heizen gerei nigt werden. Eine Reinigung durch Ionenätzen ist nicht mehr erforderlich.
  • Bead- bzw. Perleneinkristalle können durch Anschmelzen eines aus Edelmetall oder auch anderen Werkstoffen bestehenden ca. 0,1 bis 2 mm dünnen Drahtes hergestellt werden. Das Drahtende wird vorzugsweise mit einer feinen Gasflamme aufgeschmolzen und durch Bewegung der Gasflamme entlang der Drahtachse bildet sich am Drahtende eine flüssige Metallperle.
  • Oberhalb der Perle rekristallisiert der Draht und es bildet sich ein Wachstumskeim. An diesem Keim bildet sich bei der Erstarrung der flüssigen Materialkugel ein Einkristall (siehe 1). Die oben beschriebene Herstellung von Bead-Kristallen wird von J. Clavilier et al., im J. Electroanal. Chem. 107 (1980) 211 beschrieben.
  • Für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es besonders vorteilhaft, Bead-Kristalle mit zwei Drahtanschlüssen zu verwenden, da der Bead-Kristall über die beiden Drähte elektrisch aufgeheizt werden kann. Das elektrische Aufheizen bewirkt dann eine Reinigung des Bead-Kristalls. Diese Ausführungsform ist besonders vorteilhaft, da der Bead-Kristall innerhalb des UHV gereinigt werden kann. Hierdurch kann Arbeitszeit und damit Kosten gespart werden.
  • Bei der Doppeldrahtmethode werden die Kristalldrähte erfindungsgemäß verdrillt oder an einem Ende im Wesentlichen parallel in Kontakt gebracht und dann aufgeschmolzen. Durch Zonenschmelzen der Kugel bildet sich nach einigen Glühzyklen an einem der beiden Drähte ein Einkristall-Keim, der sich über die Kugel bis zum anderen Draht hin ausbreitet. Die Kugel erstarrt dann zu einem Einkristall.
  • Die bei der Erstarrung auf der Oberfläche der Perle entstehenden Kristallfacetten können zur kristallographischen Orientierung der Kristalle genutzt werden. Die orientierte Facette wird angeschnitten und poliert. 2 zeigt einen orientierten und polierten Bead-Kristall mit zwei Zuleitungsdrähten.
  • Der Bead-Kristall kann mit direktem Stromdurchgang durch die beiden Zuleitungsdrähte geheizt werden. Bei einem Strom von etwa 5A kann der Kristall sehr gleichmäßig auf Rotglut geheizt werden, wie es in 3 abgebildet ist. Durch Heizen bei 10A wird eine Temperatur von 1100°C erreicht. Durch ein solches Heizen im Ultrahochvakuum kann. die Oberfläche des Bead-Kristalls gereinigt werden. Im Vakuum ist der Partialdruck von Verunreinigungskomponenten so niedrig, dass eine Rekontamination der Kristalloberfläche nicht stattfindet. Ein besonders bevorzugter Druckbereich liegt bei p < 10–9 mbar. Eine Reinigung kann jedoch auch noch bei einem Druck von 10–8 mbar erfolgen.
  • Beispiel:
  • Nach der Reinigung des Bead-Kristalls wird der Kristall als Probe in das Rastertunnelmikroskop eingebaut und die Probe an die Spitze des Rastertunnelmikroskops angenähert. Eine Abbildung der Oberfläche des Bead-Kristalls zeigt saubere, atomar glatte Terrassen, be grenzt durch atomar hohe Stufen an der Kristalloberfläche, wie in 4 dargestellt.
  • Das erfindungsgemäße Regenerieren der Spitze erfolgt durch definiertes Eintauchen der Spitze in die saubere Probe weichen Materials (Bead-Kristall). Dazu wird die Abstandsregelung des Rastertunnelmikroskops abgeschaltet. Bei einer Spannung an der Probe von 10 V wird die Spitze 50–100 nm in die Probe eingetaucht. Der fließende Strom wird durch einen Widerstand von 1 kΩ auf einen Wert von 10 mA begrenzt. Die Spitze wird 50–100 nm in die Probe eingetaucht. Dann wird die Spitze langsam (Dauer ca. 1 min) wieder aus der Probe herausgezogen, bis der Strom abreißt und auf Null zurück geht. Dies tritt erst bei einer Entfernung oberhalb der Probe auf, bei der die Spitze vor dem Eintauchen noch nicht im Kontakt mit der Probe war. Die Spitze wird nach dem Eintauchen typischerweise 50–100 nm länger, als sie vorher war. Die Annahme ist, dass die Probe durch den fließenden Strom im Bereich nahe der Spitze lokal aufschmilzt. Die Dauer von ca. einer Minute wird dabei weniger durch die Kontaktzeit zwischen Spitze und Bead-Kristall, sondern durch die damit verbundenen Handlungsabläufe bestimmt. Beim Zurückziehen der Spitze wird ein neues Ende der Spitze aus der lokalen Platin-Schmelze gezogen. Das Ende der Spitze wird dadurch mit dem weichen Material, wie beispielsweise Platin überzogen. Da die Platinprobe eine Einkristallprobe ist und monoatomare Stufen in regelmäßigen Abständen besitzt, kann die Qualität der Abbildung mit der neuen Spitze sofort kontrolliert werden. Gegebenenfalls kann die Regenerierung der Spitze wiederholt werden, bis die Abbildungsqualität ausreichend ist. Dann wird die Platin probe wieder durch die Probe aus hartem Material ersetzt. Fast immer kann nach der Regenerierungprozedur atomare Auflösung auf dem harten Material (Silizium) erreicht werden. Die mit Platin überzogene regenerierte Spitze ist auch nach einem mechanischen Kontakt zwischen Spitze und Probe (Tipcrash) wesentlich unempfindlicher als eine reine Wolframspitze. Eine mit Platin überzogene Spitze bietet wesentlich länger eine hohe Abbildungsqualität als eine Wolframspitze.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können alle in der Rastertunnelmikroskopie verwendeten Spitzen angespitzt bzw. regeneriert werden. Die häufigsten Materialien für Spitzen sind Wolfram, Iridium und Platiniridium.

Claims (11)

  1. Verfahren zur Schärfung einer Spitze, dadurch gekennzeichnet, dass die Spitze in ein weiches Metall mit einer Vickershärte von höchstens 550 MN/m2 eingetaucht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das weiche Metall eine Komponente aus der Gruppe bestehend aus Platin, Gold, Silber, Rhenium, Rhodium, Iridium, Kupfer, Palladium und Nickel, ist.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als weiches Metall ein Einkristall eingesetzt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Einkristall in Form eines Bead-Kristalls verwendet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Bead-Kristall ein Bead-Kristall mit zwei Drähten verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das weiche Metall zu Reinigungszwecken erhitzt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizung elektrisch erfolgt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Rastertunnelmikroskopspitze geschärft wird.
  9. Spitze, hergestellt nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass sie wenigstens an ihrem spitzen Ende mit einem weichen Metall mit einer Vickershärte von höchstens 550 MN/m2 beaufschlagt ist.
  10. Spitze nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Rastertunnelmikroskopspitze ist.
  11. Spitze nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass sie mit einem Metall aus der Gruppe Platin, Gold, Silber, Kupfer, Palladium und Nickel beaufschlagt ist.
DE10304532A 2003-02-04 2003-02-04 Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze Expired - Fee Related DE10304532B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10304532A DE10304532B4 (de) 2003-02-04 2003-02-04 Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10304532A DE10304532B4 (de) 2003-02-04 2003-02-04 Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10304532A1 DE10304532A1 (de) 2004-08-19
DE10304532B4 true DE10304532B4 (de) 2005-09-08

Family

ID=32730742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10304532A Expired - Fee Related DE10304532B4 (de) 2003-02-04 2003-02-04 Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10304532B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005032594A1 (de) * 2005-07-11 2007-01-18 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Herstellung eines Bead-Einkristalls

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085746A (en) * 1990-09-10 1992-02-04 North Carolina State University Method of fabricating scanning tunneling microscope tips
US6017590A (en) * 1995-09-06 2000-01-25 Molecular Imaging Corporation Tip coating system for scanning probe microscopy
US6280647B1 (en) * 1998-05-13 2001-08-28 Seiko Instruments Inc. Method for sharpening a probe

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085746A (en) * 1990-09-10 1992-02-04 North Carolina State University Method of fabricating scanning tunneling microscope tips
US6017590A (en) * 1995-09-06 2000-01-25 Molecular Imaging Corporation Tip coating system for scanning probe microscopy
US6280647B1 (en) * 1998-05-13 2001-08-28 Seiko Instruments Inc. Method for sharpening a probe

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
(1988)
Chunli Bai: "Scanning Tunneling Microscopy and its Application", Springer Series in Surface Sciences Vol. 32, Shanghai Scientific & Technical Publishers and Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1995, ISBN 3-540-59346-2, Kapitel 4.3, S. 72-83 *
G.T. Shubeita, S.K. Sekatskii, G. Dietler, V.S. Letokhov: "Local fluorescent probes for the fluorescence resonance energy transfer scanning near-field optical microscopy", Appl. Phys. Lett. 80 (15), pp. 2625-2627 (2002) *
J. Clavilier et al., J. Electroanal. Chem. 107, p. 211(1980)
Masahiko Tomitori, Toyoko Arai: "Tip cleaning and sharpening processes for noncontact atomic force microscope in ultrahigh vacuum", Applied Surface Science 140, pp. 432-438 (1999);$ Ibe et al., J. Vac. Sci. Technol. B12, p. 3187 (1994)
O. Nishikawa, K. Hattori, F. Katsuki, M. Tomitori: "Field ion microscope and atom-probe studies of scanning tunneling microscope tips" Journal de Physique Colloque, Vol. 49, No. C6, pp. 55-59
O. Nishikawa, K. Hattori, F. Katsuki, M. Tomitori:"Field ion microscope and atom-probe studies of scanning tunneling microscope tips" Journal de Physique Colloque, Vol. 49, No. C6, pp. 55-59 *
S. Sendecki, B. Barwinski: "A point field emission tungsten cathode obtained by faceting of the tungsten surface induced by ultrathin gold film, Observations by means of scanning field emission microscope (SFEM)", Applied Surface Science 134, pp. 243-246 (1998)
S. Sendecki, B. Barwinski: "A point field emissiontungsten cathode obtained by faceting of the tungsten surface induced by ultrathin gold film, Observations by means of scanning field emission microscope (SFEM)", Applied Surface Science 134, pp. 243-246 (1998) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10304532A1 (de) 2004-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69306565T2 (de) Vorrichtung und Verfahren um feine Metal-linie auf einem Substrat abzulegen
DE69127379T2 (de) Mikrosonde, Herstellungsverfahren zur Herstellung derselben und Informations-Eingabe- und/oder Ausgabe-Gerät welches dieselbe verwendet
DE4007292C1 (de)
EP2051936B1 (de) Verfahren zur erzeugung von oxidishen nanopartikeln aus einem oxidpartikel bildenden material durch filmsieden
Grossmann et al. Processing and property assessment of NiTi and NiTiCu shape memory actuator springs
DE1764994A1 (de) Kaltkathoden-Feldemitter
DE102013102777B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Emitters
DE102018203131A1 (de) Einkristallherstellungsvorrichtung
Wurster et al. Novel methods for the site specific preparation of micromechanical structures: Presented at the metallography conference 2014 in Leoben, Austria
DE10304532B4 (de) Verfahren zur Schärfung einer Spitze sowie geschärfte Spitze
CN108037319B (zh) 一种镍铬铝铁合金透射电镜样品的制备方法
EP0112439B1 (de) Verfahren zur anodischen Oxydation von Aluminiumlegierungen
WO2007076745A1 (de) Verfahren zur herstellung von nanostrukturen auf einem substrat
DE102016101688A1 (de) Apparatur mit fokussiertem ionenstrahl
Roy et al. Nanocomposites by fractal growth of electrodeposited silver in ion‐exchanged oxide glasses
DE10304533B4 (de) Bead-Kristall sowie Verfahren zur Herstellung eines Bead-Kristalls und Verwendung
DE102005018731A1 (de) Verfahren zur Herstellung freitragender Schichten aus Titan und Nickel
DE3841241A1 (de) Metallfaser und verfahren zur herstellung einer metallfaser
DE10147950C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Extraktion von Zellmaterial aus einer Gewebeprobe
DE2725966A1 (de) Verfahren zum wachsen von kuenstlichen diamanten
DE102022128369B3 (de) Verfahren zum Deponieren einzelner Atome und/oder Moleküle auf einer Probenoberfläche sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP4060098A1 (de) Herstellungsverfahren für einen sic-volumeneinkristall inhomogener schraubenversetzungsverteilung und sic-substrat
Saller et al. Selektive Phasenkontrastierung in ausgewählten Nickelbasis-Superlegierungen/Selective Phase Contrasting in Chosen Nickel Base Superalloys
DE735286C (de) Verfahren zur Vorbehandlung von Objekten, die mikroskopisch untersucht werden sollen
DE102017205158A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee