DE10262317B4 - Method for separating a workpiece from a workpiece carrier - Google Patents
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Abstract
Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (52),
bei dem ein zu bearbeitendes Werkstück (52) mit Hilfe eines Feststoffes (62) an einem Werkstückträger (10) befestigt wird,
wobei der Werkstückträger (10) ein poröses Material enthält oder aus einem porösen Material besteht,
wobei der Feststoff (62) zum Trennen von Werkstück (52) und Werkstückträger (10) mit Hilfe eines Lösungsmittels (90) abgelöst wird,
wobei das Lösungsmittel (90) in Poren (14 bis 20) des Werkstückträgers (10) eindringt,
wobei ein für Lösungsmittel (90) durchlässiger Werkstückträger (10) verwendet wird,
und wobei zum Trennen von Werkstück (52) und Werkstückträger (10) Lösungsmittel in Kanälen (24, 25) aus einer Pore oder aus mehreren Poren (14 bis 20) durch den Werkstückträger (10) bis zum Feststoff (62) dringt, durch Kapillarwirkung oder durch das Erzeugen eines Unterdrucks (102), insbesondere an einer dem Werkstück (52) abgewandten Seite des Werkstückträgers (10).Method for machining a workpiece (52),
in which a workpiece (52) to be machined is fastened to a workpiece carrier (10) by means of a solid (62),
wherein the workpiece carrier (10) contains a porous material or consists of a porous material,
wherein the solid (62) for separating workpiece (52) and workpiece carrier (10) is detached by means of a solvent (90),
wherein the solvent (90) penetrates into pores (14 to 20) of the workpiece carrier (10),
wherein a workpiece carrier (10) permeable to solvent (90) is used,
and wherein for separating workpiece (52) and workpiece carrier (10), solvent in channels (24, 25) from one or more pores (14 to 20) penetrates through the workpiece carrier (10) to the solid (62) by capillary action or by generating a negative pressure (102), in particular on a side of the workpiece carrier (10) facing away from the workpiece (52).
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Trennen eines Werkstücks von einem Werkstückträger, insbesondere aus Poröskeramik, bei dem das zu bearbeitende Werkstück mit Hilfe eines Feststoffes an einem Werkstückträger befestigt ist.The invention relates to a method for separating a workpiece from a workpiece carrier, in particular from porous ceramics, in which the workpiece to be machined is fastened to a workpiece carrier with the aid of a solid.
Das Werkstück ist z. B. eine Halbleiterscheibe, d. h. ein sogenannter Wafer. So sind sehr dünne Halbleiterscheiben zu bearbeiten bzw. aus dickeren Halbleiterscheiben herzustellen. Bei Verwendung der SOI-Technik (Silicon on Insulator) beträgt die Dicke der gedünnten Halbleiterscheibe bzw. eines anderen Substrats, z. B. aus Glas oder Keramik, beispielsweise weniger als 20 μm (Mikrometer).The workpiece is z. B. a semiconductor wafer, d. H. a so-called wafer. For example, very thin semiconductor wafers are to be processed or made from thicker semiconductor wafers. When using the SOI technique (Silicon on Insulator), the thickness of the thinned semiconductor wafer or another substrate, for. As glass or ceramic, for example, less than 20 microns (microns).
Als Feststoff wird beispielsweise ein Klebstoff oder Wachs eingesetzt. Damit werden Werkstück und Werkstückträger aufgrund der Adhäsionskräfte zwischen dem Feststoff und dem Werkstück bzw. dem Werkstückträger sowie aufgrund der Kohäsionskräfte im Feststoff zusammengehalten.As a solid, for example, an adhesive or wax is used. Thus, workpiece and workpiece carrier are held together due to the adhesion forces between the solid and the workpiece or the workpiece carrier and due to the cohesive forces in the solid.
Problematisch bei solchen Verfahren ist beispielsweise, dass beim Trennen des Werkstücks vom Werkstückträger Probleme auftreten, wie z. B. Werkstückbrüche. Soll das Werkstück besonders vorsichtig gelöst werden, so verlängert sich in der Regel die zum Abtrennen benötigte Zeit erheblich.The problem with such methods, for example, that when separating the workpiece from the workpiece carrier problems occur, such. B. workpiece fractures. If the workpiece is to be loosened with particular care, the time required for the removal is usually considerably extended.
Aus der Druckschrift
Aus der Druckschrift
Es ist Aufgabe der Erfindung, zum Bearbeiten eines Werkstücks ein einfaches Verfahren zum Trennen des Werkstücks von einem Werkstückträger anzugeben, das schnell und effektiv ist.It is an object of the invention to provide for machining a workpiece a simple method for separating the workpiece from a workpiece carrier, which is fast and effective.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.According to the invention this object is achieved by the method steps indicated in claim 1. Further developments are specified in the subclaims.
Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass der Werkstückträger aus einem Material bestehen sollte bzw. ein Material enthalten sollte, das das Trennen von Werkstück und Werkstückträger auf einfache Art ermöglicht. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird deshalb ein Werkstückträger verwendet, der ein poröses Material enthält oder sogar aus einem porösen Material besteht. Porös bedeutet, dass der Werkstückträger eine Vielzahl von Hohlräumen im Inneren und auch an seiner Oberfläche enthält. Diese Hohlräume werden auch als Poren bezeichnet. Eine poröse Fläche hat im Vergleich zu einer glatten Fläche verbesserte Hafteigenschaften für den Feststoff. Poröse Werkstoffe sind außerdem in einer großen Vielzahl vorhanden, so dass geeignete poröse Werkstoffe ausgewählt werden können.The invention is based on the consideration that the workpiece carrier should consist of a material or should contain a material which allows the separation of workpiece and workpiece carrier in a simple manner. In the method according to the invention therefore a workpiece carrier is used which contains a porous material or even consists of a porous material. Porous means that the workpiece carrier contains a large number of cavities in the interior and also on its surface. These cavities are also referred to as pores. A porous surface has improved adhesive properties for the solid compared to a smooth surface. Porous materials are also present in a wide variety so that suitable porous materials can be selected.
Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein gasdurchlässiger Werkstückträger verwendet. Das Gas strömt durch Kanäle aus untereinander verbundenen Poren oder aus langgestreckten Poren. Beim vor dem Trennen stattfindenden Befestigen des Werkstücks am Werkstückträger kann ein Unterdruck am Werkstückträger erzeugt werden, der die Haftung begünstigt. So wird bei einer Ausgestaltung nach dem Aufbringen des Feststoffes in verflüssigter Form und vor dessen Aushärten ein Unterdruck erzeugt. Der Unterdruck saugt den Feststoff in Anfangsabschnitte der Porenkanäle hinein. Abhängig von der Viskosität des Feststoffes muss der Unterdruck nicht die gesamte Zeit des Aushärtens aufrecht erhalten werden, sondern beispielsweise nur am Anfang des Aushärtens.In a development of the method according to the invention, a gas-permeable workpiece carrier is used. The gas flows through channels of interconnected pores or elongated pores. When taking place before the separation of the workpiece on the workpiece carrier, a negative pressure on the workpiece carrier can be generated, which favors the adhesion. Thus, in one embodiment, after the application of the solid in liquefied form and before its curing, a negative pressure is generated. The negative pressure sucks the solid into initial sections of the pore channels. Depending on the viscosity of the solid, the vacuum need not be maintained throughout the curing time, but only at the beginning of curing, for example.
Dennoch lässt sich der Feststoff wieder leicht vom Werkstückträger lösen.Nevertheless, the solid can be easily detached again from the workpiece carrier.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Feststoff zum Trennen von Werkstück und Werkstückträger mit Hilfe eines Lösungsmittels abgelöst, beispielsweise mit Hilfe eines organischen Lösungsmittels wie Aceton, Alkohol, Ether oder Isopropanol. Aufgrund der Poren wird das Lösen des Feststoffes vom Werkstückträger und damit auch des Werkstücks vom Werkstückträger begünstigt, insbesondere auch durch Poren, die an den Feststoff angrenzen und untereinander durch Kanäle verbunden sind. Die Kanäle können auch durch langgestreckte Poren gebildet werden, die vom Feststoff beginnend wieder am Feststoff endend im Werkstückträger liegen. Das Ablösen wird beschleunigt, sobald es unter dem Feststoff Poren gibt, die nicht vollständig mit dem Feststoff gefüllt sind bzw. die über Porenkanäle mit anderen Poren verbunden sind, die an den Feststoff angrenzen.In the method according to the invention, the solid for separating workpiece and workpiece carrier is removed by means of a solvent, for example by means of an organic solvent such as acetone, alcohol, ether or isopropanol. Due to the pores, the dissolving of the solid from the workpiece carrier and thus also from the workpiece is promoted by the workpiece carrier, in particular by pores which adjoin the solid and are interconnected by channels. The channels can also be formed by elongated pores, starting from the solid and ending again in the workpiece carrier at the solid. The detachment is accelerated as soon as there are pores under the solid which are not completely filled with the solid or which are connected via pore channels to other pores which adjoin the solid.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein für das Lösungsmittel durchlässiger Werkstückträger verwendet. Das bedeutet, dass es in dem porösen Werkstückträger durch untereinander verbundene Poren bzw. durch langgestreckte Poren gebildete Kanäle gibt, in denen das Lösungsmittel durch Kapillarwirkung oder durch das Erzeugen eines Unterdrucks transportiert wird. Bei einer Ausgestaltung verlaufen die Kanäle von der an den Feststoff angrenzenden Seite des Werkstoffträgers bis zu der dieser Seite abgewandten Seite des Werkstückträgers. Abzweigungen dieser Kanäle führen ggf. zu Seitenflächen des Werkstückträgers. Insbesondere werden Werkstückträger mit einem verzweigten Porennetz eingesetzt.In the method according to the invention, a solvent-permeable workpiece carrier is used. This means that there are in the porous workpiece carrier by interconnected pores or channels formed by elongated pores, in which the solvent by capillary action or by generating a Negative pressure is transported. In one embodiment, the channels extend from the side of the material carrier adjacent to the solid to the side of the workpiece carrier facing away from this side. Branches of these channels possibly lead to side surfaces of the workpiece carrier. In particular, workpiece carriers with a branched pore network are used.
Bei einer Weiterbildung ist das poröse Material eine Keramik, ein Glas, eine Glaskeramik, ein Metall, insbesondere ein Sintermetall, oder eine Metallkeramik. Generell eignen sich Sintermaterialien. Die Porenbildung lässt sich beim Herstellen dieser Materialien fördern, indem bei der Herstellung ausbrennende Materialteilchen zugegeben werden. Die beim erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten Werkstoffe werden auch als Poröswerkstoffe bezeichnet, z. B. als Poröskeramik bzw. Porösglas.In a development, the porous material is a ceramic, a glass, a glass ceramic, a metal, in particular a sintered metal, or a metal ceramic. In general, sintered materials are suitable. Pore formation can be promoted in the manufacture of these materials by the addition of burnout material particles during manufacture. The materials used in the process according to the invention are also referred to as porous materials, eg. B. as Poröskeramik or Porösglas.
Bei einer Ausgestaltung hat die mittlere Porengröße einen Wert zwischen 20 und 500 μm, bevorzugt zwischen 50 und 100 μm. In dem zuletzt genannten Bereich liegende Porendurchmesser bilden Kanäle mit guter Kapillarwirkung.In one embodiment, the average pore size has a value between 20 and 500 microns, preferably between 50 and 100 microns. In the latter area lying pore diameter form channels with good capillary action.
Bei einer nächsten Weiterbildung hat die Porosität des porösen Materials einen Wert zwischen 20% und 50%. Dabei gibt die Porosität das Verhältnis von Porenvolumen zum Gesamtvolumen des Werkstoffs einschließlich des gesamten Porenvolumens an. Der genannte Bereich bietet einen guten Kompromiss zwischen der Anzahl der Poren und der verbleibenden Stabilität des Werkstückträgers.In a next development, the porosity of the porous material is between 20% and 50%. The porosity indicates the ratio of pore volume to the total volume of the material including the total pore volume. The mentioned range offers a good compromise between the number of pores and the remaining stability of the workpiece carrier.
Bei einer nächsten Weiterbildung liegt der Wert der offenen Porosität des porösen Materials zwischen 10% und 60%, insbesondere zwischen 20% und 50%. Dabei gibt die offene Porosität das Verhältnis des Volumens derjenigen Poren zum Gesamtvolumen einschließlich des gesamten Porenvolumens an, die eine Verbindung über einen Porenkanal zum Rand des porösen Materials haben oder die an der Oberfläche des porösen Materials liegen. Dabei wird nicht danach unterschieden, ob die Porenkanäle durchgehend verlaufen oder einseitig, d. h. sogenannte Blindkanäle. Die genannten Bereiche bieten einen guten Kompromiss zwischen vergrößerter Haftung des Feststoffes am Werkstückträger, zwischen leichter Lösbarkeit und zwischen ausreichender Stabilität des Werkstückträgers.In a next development, the value of the open porosity of the porous material is between 10% and 60%, in particular between 20% and 50%. In this case, the open porosity indicates the ratio of the volume of those pores to the total volume, including the total pore volume, which have a connection via a pore channel to the edge of the porous material or which are located on the surface of the porous material. It is not distinguished according to whether the pore channels are continuous or unilaterally, d. H. so-called blind channels. The ranges mentioned provide a good compromise between increased adhesion of the solid to the workpiece carrier, between easy solubility and between sufficient stability of the workpiece carrier.
Bei einer anderen Ausgestaltung gehören mindestens 10% oder mindestens 20% des Porenvolumens zu Porenkanälen, die durch das poröse Material hindurchgehen. Bei dieser Ausgestaltung ist das Heranführen von Lösungsmittel an den Feststoff in ausreichendem Maße gewährleistet.In another embodiment, at least 10% or at least 20% of the pore volume is associated with pore channels that pass through the porous material. In this embodiment, the introduction of solvent to the solid is sufficiently ensured.
Bei einer nächsten Weiterbildung sind die Poren unregelmäßig und/oder gemäß einer Gleichverteilung angeordnet. Im Gegensatz zu in einem Raster angeordneten dünnen Bohrungen ergibt sich neben dem verringerten Herstellungsaufwand auch eine homogenere Verteilung der Poren, die das Verbinden von Werkstück und Werkstückträger bzw. das Trennen von Werkstück und Werkstückträger begünstigt.In a next development, the pores are arranged irregularly and / or according to an equal distribution. In contrast to arranged in a grid thin holes results in addition to the reduced manufacturing cost and a more homogeneous distribution of the pores, which favors the connection of the workpiece and workpiece carrier or the separation of workpiece and workpiece carrier.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird das am Werkstückträger befestigte Werkstück bei der Bearbeitung gedünnt, insbesondere auf eine Dicke kleiner als 100 μm oder kleiner als 20 μm. Beispielsweise wird ein Schleifverfahren durchgeführt, bei dem die Abtragsrate größer als 1 μm/s ist, bspw. 3 μm/s. Zusätzlich wird das Werkstück danach trocken poliert oder mit einem CMP-Verfahren (chemisches mechanisches Polieren) poliert. Dabei liegt die Abtragsrate bspw. bei 1 μm/min. An Stelle des Polierens wird auch ganzflächig geätzt, z. B. mit einem trockenchemischen, einem nasschemischen oder einem chemischen Verfahren, z. B. ein Plasmaätzen oder ein reaktives Ionenätzen. Das so gedünnte Werkstück, z. B. ein Wafer, wird dann z. B. einem lithografischen Verfahren unterzogen. Auch eine Schichtabscheidung lässt sich auf dem gedünnten Werkstück durchführen, um Halbleiterbauelemente oder Leitbahnen zu erzeugen. Bei diesen Bearbeitungsschritten lässt sich auch ein gedünntes Werkstück wie ein Werkstück mit der ursprünglichen Dicke handhaben, insbesondere transportieren, in die Bearbeitungsmaschinen einlegen bzw. einspannen sowie aus den Bearbeitungsmaschinen herausnehmen.In a next development, the workpiece fastened to the workpiece carrier is thinned during processing, in particular to a thickness of less than 100 μm or less than 20 μm. For example, a grinding process is carried out in which the removal rate is greater than 1 μm / s, for example 3 μm / s. In addition, the workpiece is then dry-polished or polished by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method. The removal rate is, for example, at 1 μm / min. Instead of polishing is also etched over the entire surface, z. B. with a dry chemical, a wet chemical or a chemical process, for. As a plasma etching or a reactive ion etching. The thinned workpiece, z. B. a wafer, then z. B. subjected to a lithographic process. A layer deposition can also be carried out on the thinned workpiece in order to produce semiconductor components or interconnects. In these processing steps can also handle a thinned workpiece such as a workpiece with the original thickness, in particular transport, insert or clamp in the processing machines and remove it from the processing machines.
Neben dem oben erwähnten Klebstoff oder Wachs werden bei einer nächsten Weiterbildung als Feststoff ein Plastwerkstoff oder ein beidseitig klebendes Klebeband genutzt.In addition to the above-mentioned adhesive or wax in a next development as solid a plastic material or a double-sided adhesive tape used.
Bei einer Weiterbildung füllt der Feststoff auf einfache Art den gesamten Zwischenraum zwischen Werkstück und Werkstückträger aus. Alternativ füllt der Feststoff nur einen Teil des Zwischenraums zwischen Werkstück und Werkstückträger aus, bspw. mehrere voneinander durch Zwischenräume getrennte Bereiche oder einen ringförmigen Bereich, der einen nicht ausgefüllten Bereich umgibt. Durch das teilweise Ausfüllen wird das Ablösen weiter erleichtert.In a further development, the solid fills in a simple way the entire gap between the workpiece and the workpiece carrier. Alternatively, the solid fills only a portion of the gap between the workpiece and the workpiece carrier, for example. A plurality of separate areas by gaps between them or an annular area surrounding an unfilled area. By partially filling the peeling is further facilitated.
Im Folgenden werden Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens an Hand der Figuren erläutert. Darin zeigen:In the following, developments of the method according to the invention will be explained with reference to the figures. Show:
Nach dem Auflegen des Werkstückträgers
Die Höhe des Halterings
Nach dem Aushärten wird der am Werkstoffträger
Wie in
Bei einem nicht beanspruchten Beispiel wird der Werkstückträger
Nach dem Dünnen des Halbleiterwafers
Wie in
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird vor dem Ablösen des Halbleiterwafers
Insbesondere durch die an Hand der
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1291698B (en) * | 1965-06-14 | 1969-03-27 | Siemens Ag | Device for holding workpieces |
DE2258007A1 (en) * | 1972-05-01 | 1973-11-22 | Dbm Industries Ltd | CLAMPING DEVICE |
DE7922341U1 (en) * | 1979-08-04 | 1979-11-08 | Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh, 6100 Darmstadt | VACUUM CLAMPING TABLE FOR CLAMPING THIN FILMS |
DE8703223U1 (en) * | 1987-03-03 | 1987-04-16 | Modellbau Paul Apitz, 7913 Senden | Vacuum clamping plate |
US5273615A (en) * | 1992-04-06 | 1993-12-28 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers |
US5981361A (en) * | 1996-09-13 | 1999-11-09 | Fujitsu Limited | Fabrication process of a semiconductor device including a dicing process of a semiconductor wafer |
US6032715A (en) * | 1996-06-28 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Wafer bonding device |
DE29909410U1 (en) * | 1999-06-01 | 2000-05-04 | Lotsch, Friedemann, Dipl.-Designer, 44287 Dortmund | Device for clamping objects |
DE19929617A1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-25 | Siemens Ag | Workpiece holder arrangement |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1291698B (en) * | 1965-06-14 | 1969-03-27 | Siemens Ag | Device for holding workpieces |
DE2258007A1 (en) * | 1972-05-01 | 1973-11-22 | Dbm Industries Ltd | CLAMPING DEVICE |
DE7922341U1 (en) * | 1979-08-04 | 1979-11-08 | Gesellschaft Fuer Schwerionenforschung Mbh, 6100 Darmstadt | VACUUM CLAMPING TABLE FOR CLAMPING THIN FILMS |
DE8703223U1 (en) * | 1987-03-03 | 1987-04-16 | Modellbau Paul Apitz, 7913 Senden | Vacuum clamping plate |
US5273615A (en) * | 1992-04-06 | 1993-12-28 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for handling fragile semiconductor wafers |
US6032715A (en) * | 1996-06-28 | 2000-03-07 | Sony Corporation | Wafer bonding device |
US5981361A (en) * | 1996-09-13 | 1999-11-09 | Fujitsu Limited | Fabrication process of a semiconductor device including a dicing process of a semiconductor wafer |
DE29909410U1 (en) * | 1999-06-01 | 2000-05-04 | Lotsch, Friedemann, Dipl.-Designer, 44287 Dortmund | Device for clamping objects |
DE19929617A1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-25 | Siemens Ag | Workpiece holder arrangement |
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