DE10206188A1 - Verfahren zur Herstellung einer alternierenden Phasenmaske - Google Patents

Abstract

Es wird ein Träger (1) bereitgestellt, der eine Oberfläche (2) aufweist, auf der eine Maskenschicht (3) angeordnet ist. Es wird eine bestrahlungsempfindliche Schicht auf der Maskenschicht (3) aufgebracht, belichtet und entwickelt, wobei eine erste Belichtungsstruktur (4) gebildet wird. Die Maskenschicht (3) wird geätzt, wobei die erste Belichtungsstruktur (4) als Ätzmaske verwendet wird. Anschließend wird die erste Belichtungsstruktur (4) entfernt. Es wird eine zweite bestrahlungsempfindliche Schicht auf die Maskenschicht (3) und den Träger (1) aufgebracht. Es wird eine erste Belichtungsdosis und mindestens eine zweite Belichtungsdosis bestimmt und die zweite bestrahlungsempfindliche Schicht mit der ersten Belichtungsdosis und der zweiten Belichtungsdosis belichtet. Anschließend wird die zweite bestrahlungsempfindliche Schicht entwicklet, wobei eine zweite Belichtungsstruktur (5) gebildet wird, die eine erste Belichtungsstruktur-Dicke (6) und eine zweite Belichtungsstruktur-Dicke (7) aufweist. Der Träger (1) und die zweite Belichtungsstruktur (5) werden geätzt, wobei der Träger (1) in dem Bereich der ersten Belichtungsstruktur-Dicke (6) bis zu einer ersten Ätztiefe (8) und in dem Bereich der zweiten Belichtungsstruktur-Dicke (7) bis zu einer zweiten Ätztiefe (9) geätzt wird. Die erste Ätztiefe (8) wird dabei größer gebildet als die zweite Ätztiefe (9).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer alternierenden Phasenmaske, die zur Strukturierung Ton Halbleiterbauelementen geeignet ist.

Durch die Verwendung von Phasenmasken bei der Belichtung von photosensitiven Schichten auf Halbleiterbauelementen wird durch die gezielte Beeinflussung der Phasenverhältnisse des zur Belichtung verwendeten Lichts mittels der Phasenmaske der Bildkontrast und die Schärfentiefe bei einer optischen Pro­ jektionsbelichtung verbessert. Aus Nölscher, VDI-Berichte 935 (1991) Seite 61-80 ist beispielsweise bekannt, daß mehrstu­ fige Phasenmasken als Übergang zwischen zwei Bereichen mit unterschiedlicher Phasendrehung verwendet werden können, um eine teure Doppelbelichtung (Trim-Belichtung) eines Halblei­ tersubstrats zu vermeiden.

Weiterhin ist aus dem Stand der Technik bekannt, daß z. B. Fotolack als Phasenschieber verwendet werden kann. Dies ist beispielsweise in Watanabe et al., SPIE 1463 (1991) Seite 110 folgende sowie Miyazaki et al., SPIE 1464 (1991) Seite 327 folgende beschrieben. Diese Methoden sind allerdings ungeeig­ net für die praktische Verwendung mit Belichtungswellenlänge im tiefen UV-Bereich.

Von Kobayashi et al., SPIE 3873 (1999), Seite 288-296 wird eine einstufige Lackdickenmodulation verwendet, wobei die un­ terschiedliche Lackdicke beim Trockenätzen ausgenutzt wird, um Halbton-Phasenmasken mit einer Chrom-Maskenschicht zu strukturieren. Im Gegensatz dazu wird in der vorliegenden An­ meldung keine Halbton-Phasenmaske, sondern eine alternierende Phasenmaske hergestellt und das Trägermaterial geätzt.

Die Strukturierung eines mehrstufigen Übergangs zwischen Be­ reichen unterschiedlicher Phasen ist beispielsweise in der Druckschrift EP 0 451 307 B1 beschrieben. Nachteilig ist hierbei allerdings, daß für jeden Bereich der Phasenmaske, der für eine definierte Phasendrehung hergestellt wird, eine vollständige Prozeßabfolge bestehend aus dem Belacken, dem Belichten, dem Entwickeln und der Ätzung des Quarzträgers er­ folgen muß. Folglich ist die Anwendung von mehrstufigen Pha­ senmasken teuer und unpraktikabel für defektfreie Masken.

In der DE 197 56 518 A1 sowie in der DE 42 29 157 C2 sind Phasenmasken mit stufigem Übergang zwischen dem Phasenschie­ ber und dem Substrat gezeigt. Zur Herstellung des stufenför­ migen Übergangs werden Ätzmasken verwendet, die sukzessive zurückgesetzt werden.

Es ist die Aufgabe der Erfindung ein Verfahren anzugeben, das eine kostengünstige und zeitsparende Herstellung einer Pha­ senmaske ermöglicht.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer alternierenden Phasenmaske mit den Schritten:

• - Bereitstellen eines Trägers, der eine Oberfläche aufweist, auf der eine Maskenschicht angeordnet ist;
• - Aufbringen einer ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht auf der Maskenschicht;
• - Bestrahlen der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht;
• - Entwickeln der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht und teilweises Entfernen der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht, um eine erste Belichtungsstruktur gebildet wird;
• - Ätzen der Maskenschicht, wobei die erste Belichtungsstruk­ tur als Ätzmaske dient, so daß die Maskenschicht an Stel­ len, an denen die erste bestrahlungsempfindliche Schicht entfernt worden ist, entfernt wird;
• - Entfernen der ersten Belichtungsstruktur;
• - Aufbringen einer zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht auf die Maskenschicht und den Träger;
• - Bestimmen einer ersten Belichtungsdosis und einer zweiten Belichtungsdosis;
• - an Stellen, an denen die erste Maskenschicht entfernt ist, Bestrahlen der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht mit der ersten Belichtungsdosis und anderen Orts mit der zweiten Belichtungsdosis;
• - Entwickeln der zweiten Belichtungsschicht, wobei eine zwei­ te Belichtungsstruktur gebildet wird, die an Stellen, die mit der ersten Belichtungsdosis belichtet werden, eine er­ ste Belichtungsstruktur-Dicke und an Stellen, die mit der zweiten Belichtungsdosis belichtet werden, eine zweite, von der ersten abweichende Belichtungsstruktur-Dicke aufweist;
• - Ätzen des Trägers an von der zweiten Belichtungsstruktur (5) freiliegenden Stellen und der zweiten Belichtungs­ struktur mit im wesentlichen gleicher Ätzselektivität, so daß der Träger in dem Bereich der ersten Belichtungsstruk­ tur-Dicke bis zu einer ersten Ätztiefe geätzt wird und in dem Bereich der zweiten Belichtungsstruktur-Dicke bis zu einer zweiten, geringeren Ätztiefe geätzt wird.

Die zweite Belichtungsstruktur wird durch mehrfache Bestrah­ lung mit unterschiedlicher Dosis belichtet. Dies kann zum Beispiel mit Licht, Elektronen oder Ionen durchgeführt wer­ den. Nach einer konventionellen Entwicklung der zweiten be­ strahlungsempfindlichen Schicht ist in der zweiten bestrah­ lungsempfindlichen Schicht eine zweite Belichtungsstruktur gebildet, die eine erste Dicke und eine Dicke aufweist. Ein Ätzschritt, der beispielsweise als isotroper oder als ani­ sotroper Ätzschritt durchgeführt werden kann, überträgt die Belichtungsstruktur in den Träger. Weisen beispielsweise die zweite Belichtungsstruktur und der Träger eine ähnliche Ätz­ selektivität auf und wird eine anisotrope Ätzung durchge­ führt, so wird die Stufenstruktur der zweiten bestrahlungs­ empfindlichen Schicht mit den unterschiedlichen Belichtungs­ struktur-Dicken in den Träger übertragen. Anschließend kann die zweite Belichtungsstruktur von dem Träger entfernt wer­ den. Die hergestellte Phasenmaske ist in vorteilhafter Weise robust gegenüber Reinigungsschritten. Darüber hinaus ist sie mit wesentlich weniger Prozeßschritten herstellbar, als aus dem Stand der Technik bekannt ist. Das Belichten der zweiten Belichtungsstruktur erfolgt durch Bestrahlung mit kurzwelli­ gem Licht, Elektronen oder Ionen, insbesondere durch Laser­ strahl oder Elektronenstrahl. Der Laser- oder Elektronen­ strahl wird durch eine entsprechende Steuerung über die zu belichtende Fläche geführt. Die Belichtungsdosis wird dabei gemäß der Erfindung moduliert. Unabhängig davon, ob Laser- oder Elektronenstrahlen verwendet werden, wird in beiden Fäl­ len von Belichtung gesprochen.

Eine Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, daß der Träger isotrop geätzt wird, wobei eine Unterät­ zung der Maskenschicht oder der zweiten Belichtungsstruktur parallel zur Oberfläche durchgeführt wird. Durch die Unterät­ zung wird in vorteilhafter Weise ein sog. Intensity-Balancing ermöglicht. Dies ist beispielsweise aus der Veröffentlichung Griessinger et al., SPIE 3873 (1999), Seite 359-369 be­ kannt. Das durchgeführte Intensity-Balancing weist den Vor­ teil auf, daß die abgebildete Intensität unabhängig von der Ätztiefe wird. Der Intensitätsunterschied im Abbild benach­ barter Maskenöffnungen wird weitgehend unabhängig von der Ätztiefe dieser Öffnungen.

Eine weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, daß die zweite Belichtungsstruktur vor dem Ätzen des Trägers auf eine Temperatur zum Beispiel zwischen 120°C und 190°C erwärmt wird, wobei eine zwischen der ersten Be­ lichtungsstruktur-Dicke und der zweiten Belichtungsstruktur- Dicke angeordnete Stufe in der zweiten Belichtungsstruktur verrundet wird.

Das Verrunden bzw. Verfließen der zweiten Belichtungsstruktur weist den Vorteil auf, daß ein kontinuierlicher und glatter Übergang, ähnlich einer Rampe, in der zweiten Belichtungs­ struktur erzeugt wird. Während des nachfolgenden Ätzens des Trägers wird die kontinuierliche Rampe in den Träger übertra­ gen, wodurch ein kontinuierlicher Übergang in der Phasenmaske zwischen einem ersten Bereich mit einer ersten Phasendrehung und einem zweiten Bereich mit einer zweiten Phasendrehung er­ zeugt wird.

Eine weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, daß der Träger aus Quarz oder die Maskenschicht aus Chrom gebildet ist.

Eine weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, daß die Ätzung des Trägers mit einem Ätzgas durch­ geführt wird, das CHF3 und Sauerstoff enthält. Mit einem Ge­ misch von CHF3 und Sauerstoff ist beispielsweise eine Ätz­ selektivität einstellbar, bei der die zweite Belichtungs­ struktur mit einer ähnlichen Ätzrate geätzt wird wie der Trä­ ger.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispie­ len und Figuren näher erläutert.

In den Figuren zeigen:

Fig. 1 einen Träger mit einer Maskenschicht und einer Be­ lichtungsstruktur;

Fig. 2 den Träger aus Fig. 1 nach der Durchführung eines Strukturierungsschrittes;

Fig. 3 den Träger aus Fig. 2 mit einer zweiten Belich­ tungsstruktur;

Fig. 4 den Träger aus Fig. 3 nach einem Ätzschritt;

Fig. 5 den Träger aus Fig. 4 nach einem weiteren Ätz­ schritt;

Fig. 6 den Träger aus Fig. 3 nach einem Temperatur­ schritt;

Fig. 7 den Träger aus Fig. 6 nach einem Ätzschritt;

Fig. 8 den Träger aus Fig. 7 nach einem weiteren Ätz­ schritt.

In Fig. 1 ist ein Träger 1 dargestellt, der eine Oberfläche 2 aufweist. Auf der Oberfläche 2 ist eine Maskenschicht 3 an­ geordnet. Der Träger 1 enthält beispielsweise Quarz und die Maskenschicht 3 enthält beispielsweise Chrom. Auf der Masken­ schicht 3 ist eine Belichtungsstruktur 4 angeordnet.

Ein Verfahren zur Herstellung der in Fig. 1 dargestellten Anordnung stellt zunächst den Träger 1 mit der Oberfläche 2 und der Maskenschicht 3 bereit. Auf der Maskenschicht 3 wird eine erste bestrahlungsempfindliche Schicht aufgebracht. Die erste bestrahlungsempfindliche Schicht wird zunächst belich­ tet und anschließend entwickelt, wobei die erste Belichtungs­ struktur 4 gebildet wird. Die Belichtung erfolgt mittels La­ ser- oder Elektronenstrahl. Der Laser- oder Elektronenstrahl wird im Belichtungsautomaten durch eine entsprechende Ablenk­ steuerung über die zu belichtende Fläche geführt. Die be­ strahlungsempfindliche Schicht, z. B. ein Photolack, wird ab­ hängig von der Belichtung entwickelt. Der Photolack, wird ab­ hängig von der Belichtung entwickelt. Der belichtete Teil des Photolacks wird entfernt, um die erste Belichtungsstruktur 4 zu bilden.

Mit Bezug auf Fig. 2 wird die erste Maskenschicht 3 unter Verwendung der ersten Belichtungsstruktur 4 als Ätzmaske ge­ ätzt. Anschließend wird die erste Belichtungsstruktur 4 ent­ fernt. Die in Fig. 2 dargestellte Ätzung der ersten Masken­ schicht 3 kann beispielsweise selektiv auf dem Träger 1 stop­ pen. Ebenso ist es möglich, daß eine Überätzung durchgeführt wird, so daß ebenfalls der Träger 1 leicht eingesenkt wird. Weiterhin ist es möglich, daß der Träger 1 mit der gleichen Maske in einem nachfolgenden Ätzschritt auf eine vorbestimmte Tiefe eingesenkt wird. Die Einsenkung in den Träger 1 dabei ist optional. Die opake, beispielsweise aus Chrom gebildete Maskenschicht 3 wird an den nicht mit der ersten Belichtungs­ struktur 4 bedeckten Flächen entfernt, so daß sich das in Fig. 2 gezeigte Ergebnis ergibt.

Mit Bezug auf Fig. 3 wird nachfolgend eine zweite bestrah­ lungsempfindliche Schicht auf die Maskenschicht 3 und den Träger 1 aufgebracht. Anschließend wird eine erste Belich­ tungsdosis und eine zweite Belichtungsdosis bestimmt und die zweite bestrahlungsempfindliche Schicht an einer ersten Posi­ tion mit der ersten Belichtungsdosis und an einer zweiten Be­ lichtungsposition mit der zweiten Belichtungsdosis belichtet. Hierdurch wird die zweite bestrahlungsempfindliche Schicht unterschiedlich stark belichtet, so daß bei der nachfolgenden Entwicklung der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht ei­ ne zweite Belichtungsstruktur 5 aus verbleibendem Material der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht gebildet wird, die eine erste Belichtungsstruktur-Dicke 6 und eine Belich­ tungsstruktur-Dicke 7 aufweist. Zwischen der ersten Belich­ tungsstruktur-Dicke 6 und der zweiten Belichtungsstruktur- Dicke 7 ist eine Stufe 11 in der zweiten Belichtungsstruktur 5 angeordnet. Im Abschnitt 61 der zweiten bestrahlungsemp­ findlichen Schicht wird stärker belichtet als im Abschnitt 71 der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht. Nach Entwick­ lung des Photolacks wird im Abschnitt 61 der Photolack tiefer entfernt als im Bereich 71. Im Abschnitt 31 wird der Photo­ lack vollständig entfernt. Dadurch bildet sich die Dicke 6 des verbleibenden Photolacks im Abschnitt 61 geringer aus als die Dicke 7 im Abschnitt 71. Im Abschnitt 31 gelangt die Oberfläche des aus Quarz bestehenden Trägers 1 an die Ober­ fläche. Die Bereiche, in denen die Maske anschließend geätzt wird, liegen zwischen den stehen gebliebenen Abschnitten der ersten Belichtungsstruktur 3. Die zu ätzenden Bereiche ver­ laufen quer zur durch die Chromschicht 3 gebildeten stehen gebliebenen Abschnitt der Abbildungsmaske. Ein Bereich 51 der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht, der den stehen ge­ bliebenen rechts dargestellten Abschnitt 3 der Abbildungsmas­ ke bedeckt und unmittelbar daran anschließt, wird nicht be­ lichtet. Ein Abschnitt 81, der um einen Abstand 52 von dem verbleibenden Chromabschnitt 3 beabstandet nach links an­ schließt wird mit einer niedrigen Bestrahlungsdosis belich­ tet. Der daran links unmittelbar anschließende Abschnitt 71 wird stärker belichtet, der links daran anschließende Ab­ schnitt 61 wird wiederum stärker belichtet und schließlich der daran unmittelbar links anschließende Abschnitt 31 wird noch stärker belichtet. An den Abschnitt 31 schließt schließ­ lich ein anderer stehen gebliebener Abschnitt 32 der Chrom­ maske an.

Mit Bezug auf Fig. 4 wird anschließend der Träger 1 und die zweite Belichtungsstruktur 5 geätzt. Ist die Ätzabtragsrate des Trägers identisch mit der Ätzabtragsrate der zweiten Be­ lichtungsstruktur 5, so kann das Höhenprofil der zweiten Be­ lichtungsstruktur 5 mittels einer anisotropen Ätzung in den Träger 1 übertragen werden. Dabei wird der Träger 1 bei­ spielsweise in dem Bereich der ersten Belichtungsstruktur- Dicke 6 bis zu einer Ätztiefe 8 und in dem Bereich der zwei­ ten Belichtungsstruktur-Dicke 7 bis zu einer Ätztiefe 9 ge­ ätzt. Falls die erste Belichtungsstruktur-Dicke 6 kleiner ausgebildet ist als die zweite Belichtungsstruktur-Dicke 7, so wird in dem Bereich der ersten Belichtungsstruktur-Dicke 6 die erste Ätztiefe 8 größer ausgebildet als die zweite Ätz­ tiefe 9 in dem Bereich der zweiten Belichtungsstruktur-Dicke 7. Zur Ätzung des Trägers 1 und der zweiten Belichtungsstruk­ tur ist beispielsweise ein Gemisch der Gase CHF3 und Sauer­ stoff geeignet. Die Ätzselektivität des Ätzgases ist bezüg­ lich der Belichtungsstruktur 5 und bezüglich des Quarzträgers 1 nahezu gleich bis identisch. Der Materialabtrag der Belich­ tungsstruktur sowie des Quarzträgers erfolgt dadurch in glei­ chen Raten. Der Materialabtrag erfolgt oberflächlich, so daß dort, wo der Quarzträger von der Belichtungsstruktur freige­ legt ist, dieser geätzt wird, ansonsten wird die Belichtungs­ struktur selbst geätzt.

Mit Bezug auf Fig. 5 wird ein isotroper Ätzschritt durchge­ führt, wobei der Träger 1 geätzt wird. Dabei wird eine Un­ terätzung 10 unter der Maskenschicht 3 oder der zweiten Be­ lichtungsstruktur 5 parallel zur Oberfläche 2 durchgeführt. Die Unterätzung ermöglicht die Durchführung eines Intensity- Balancing. Die Eckenverrundung durch die isotrope Ätzung ist der Einfachheit halber nicht dargestellt. Als Ergebnis wird eine Belichtungsmaske zur Belichtung von beispielsweise Halb­ leiterwafern gebildet, die opake Chromabschnitte 3, 32 auf­ weist sowie einen ersten Bereich 12 und einen zweiten Bereich 33 mit um 180° unterschiedlichen Phasendrehungen für das für die Belichtung des Wafers verwendeten Lichts. Beispielsweise ist der Bereich 12 derjenige Bereich mit 0° Phasendrehung, der Bereich 33 derjenige Bereich mit 180° Phasendrehung. Im dazwischen liegenden Abschnitt zwischen den Bereichen 12, 33 unterschiedlicher Phasendrehung befindet sich der gestufte Übergang des Quarzträgers 1, der wie oben beschrieben erzeugt wird. Insgesamt wird also eine alternierende Phasenmaske er­ zeugt mit einem gestuften Übergang zwischen Bereichen unter­ schiedlicher Phasendrehungen für ein Licht, das zum Erzeugen einer optischen Abbildung geeignet ist, beispielsweise zur Belichtung von Strukturen auf einem Halbleiterwafer zur Er­ zeugung integrierter Schaltungen.

Fig. 6 schließt sich in einer Herstellungsreihenfolge an Fig. 3 an, wobei die zweite Belichtungsstruktur 5 vor dem Ät­ zen des Trägers 1 auf eine Temperatur zwischen 120°C und 190°C erwärmt wird, wobei die Stufe 11 verrundet wird und die in Fig. 3 dargestellte stufenförmige Struktur der zweiten Belichtungsstruktur 5 in eine rampenförmige Struktur in Fig. 6 umgewandelt wird. Der die Belichtungsstruktur 5 bildende Photolack ist bis 120°C stabil. Bei höherer Temperatur ver­ fließt er. Im Bereich zwischen 120 bis 190°C kann ein relativ gutes Verrunden des Photolacks erreicht werden, um eine ram­ penförmige Struktur wie in Fig. 6 gezeigt zu erzeugen.

Mit Bezug auf Fig. 7 wird ein Ätzschritt durchgeführt, der das Höhenprofil der zweiten Belichtungsstruktur 5 in den Trä­ ger 1 überträgt. Dabei kann es sich beispielsweise um eine isotrope oder eine anisotrope Ätzung handeln. Die Prozeß­ schritte gemäß Fig. 7 entsprechen denen zur Herstellung der in Fig. 4 dargestellten Struktur.

Mit Bezug auf Fig. 8 wird eine Unterätzung 10 durchgeführt, die der Unterätzung aus Fig. 5 entspricht.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung einer alternierenden Phasen­ maske mit den Schritten:

• - Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Oberfläche (2) aufweist, auf der eine Maskenschicht (3) angeordnet ist;
• - Aufbringen einer ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht auf der Maskenschicht (3);
• - Bestrahlen der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht;
• - Entwickeln der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht und teilweises Entfernen der ersten bestrahlungsempfindlichen Schicht, um eine erste Belichtungsstruktur (4) gebildet wird;
• - Ätzen der Maskenschicht (3), wobei die erste Belichtungs­ struktur (4) als Ätzmaske dient, so daß die Maskenschicht (3) an Stellen, an denen die erste bestrahlungsempfindliche Schicht entfernt worden ist, entfernt wird;
• - Entfernen der ersten Belichtungsstruktur (4);
• - Aufbringen einer zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht auf die Maskenschicht (3) und den Träger (1);
• - Bestimmen einer ersten Belichtungsdosis und einer zweiten Belichtungsdosis;
• - an Stellen, an denen die erste Maskenschicht (3) entfernt ist, Bestrahlen der zweiten bestrahlungsempfindlichen Schicht mit der ersten Belichtungsdosis und anderen Orts mit der zweiten Belichtungsdosis;
• - Entwickeln der zweiten Belichtungsschicht, wobei eine zwei­ te Belichtungsstruktur (5) gebildet wird, die an Stellen, die mit der ersten Belichtungsdosis belichtet werden, eine erste Belichtungsstruktur-Dicke (6) und an Stellen, die mit der zweiten Belichtungsdosis belichtet werden, eine zweite, von der ersten abweichende Belichtungsstruktur-Dicke (7) aufweist;
• - Ätzen des Trägers (1) an von der zweiten Belichtungsstruk­ tur (5) freiliegenden Stellen und der zweiten Belichtungs­ struktur (5) mit im wesentlichen gleicher Ätzselektivität, so daß der Träger (1) in dem Bereich der ersten Belich­ tungsstruktur-Dicke (6) bis zu einer ersten Ätztiefe (8) geätzt wird und in dem Bereich der zweiten Belichtungs­ struktur-Dicke (7) bis zu einer zweiten, geringeren Ätztie­ fe (9) geätzt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (1) isotrop geätzt wird, wobei eine Unterätzung (10) der Maskenschicht (3) oder der zweiten Belichtungsstruk­ tur (5) parallel zur Oberfläche (2) durchgeführt wird.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Belichtungsstruktur (5) vor dem Ätzen des Trägers (1) auf eine Temperatur zwischen 120°C und 190°C erwärmt wird, wobei eine zwischen der ersten Belichtungsstruktur- Dicke (6) und der zweiten Belichtungsstruktur-Dicke (7) ange­ ordnete Stufe (11) in der zweiten Belichtungsstruktur (5) verrundet wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (1) aus Quarz oder die Maskenschicht (3) aus Chrom gebildet ist.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzung des Trägers (1) mit einem Ätzgas durchgeführt wird, das CHF3 und Sauerstoff enthält.