DE10205502A1 - Halbleiterbauelement mit integriertem Temperatursensor - Google Patents

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (IC) mit einem integrierten Temperatursensor (TS), der eine erste und eine zweite Anschlussklemme (A1, A2) zum Anlegen einer Versorgungsspannung aufweist und der einen temperturabhängigen Strom (Is) bereitstellt, wobei der Temperatursensor (TS) als Bipolartransistor ausgebildet ist, dessen Basis (B) und Emitter (E) miteinander gekoppelt sind und dessen Kollektor (K) an die erste Anschlussklemme (A1) und dessen Emitter (E) an die zweite Anschlussklemme (A2) angeschlossen ist.

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem integriertem Temperatursensor.
• Die Temperatur eines Halbleiterbauelements stellt einen wesentlichen Parameter für dessen Betrieb dar. Insbesondere bei Anwendungen, bei denen Temperaturen auftreten können, bei welchen eine Beschädigung oder Zerstörung des Bauelements zu befürchten ist, ist es wesentlich die Temperatur zu erfassen um rechtzeitig vor Erreichen eines kritischen Temperaturwertes geeignete Maßnahmen ergreifen zu können. Derartige Maßnahmen können beispielsweise das Abschalten oder Reduzieren eines wärmeerzeugenden Laststromes zur Reduzierung der in Wärme umgesetzten Verlustleistung, und damit zum Schutz vor einer Übertemperatur, umfassen.
• Zur Ermittlung der Temperatur des Halbleiterbauelements ist es bekannt, einen Temperatursensor auf dem Gehäuse des Halbleiterbauelements oder auf dem Halbleiterkörper/Chip anzubringen. Ein derartiges Vorgehen ist für sogenannte TEMP-FET, die in Chip-on-Chip Technologie gefertigt werden, in Stengl/Tihanyi: "Leistungs-MOS-FET-Praxis", Pflaum Verlag, München, 1992, Seite 112 beschrieben. Nachteilig ist hierbei, dass der Sensor und das eigentliche Halbleiterbauelement zwei getrennte Bauelemente sind, was die Herstellungskosten steigert. Außerdem wird durch den Sensor nur die Temperatur außen an dem Halbleiterbauelement erfasst, die erheblich von der Temperatur im Inneren des Halbleiterbauelement abweichen kann. Gerade die Temperatur im Inneren des Halbleiterkörpers, insbesondere die Sperrschichttemperatur, ist jedoch zur Ermittlung kritischer Betriebszustände relevant.
• Zur Ermittlung der internen Temperatur eines Halbleiterbauelements ist es bekannt, eine Diode in demselben Halbleiterkörper, in dem das Halbleiterbauelement integriert ist, vorzusehen, wobei die Diode an eine Versorgungsspannung angeschlossen ist. Man macht sich hierbei zu Nutze, dass der Sperrstrom der Diode, der durch eine Messanordnung erfasst wird, exponentiell von der Temperatur abhängig ist, so dass von dem Sperrstrom auf die Temperatur in dem Halbleiterkörper geschlossen werden kann. Allerdings weist dieser Sperrstrom erst bei hohen Temperaturen einen nennenswerten, das heißt auswertbaren Wert auf, so dass der Signalhub eines derartigen Dioden-Temperatursensors gering ist. Außerdem weisen Dioden stets eine Sperrschichtkapazität auf, in der Ladung gespeichert ist. Diese gespeicherte Ladung kann einen Strom verursachen, der unter Umständen größer als der Sperrstrom, der den temperaturabhängigen Messwert darstellt, ist, was das Messergebnis unzulässig beeinflusst.
• Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit einem integrierten Temperatursensor zur Verfügung zu stellen, bei welchem der Temperatursensor zuverlässig einen von der Temperatur im Innern des Halbleiterbauelements abhängigen Strom bereitstellt und bei welchem die oben genannten Probleme nicht auftreten.
• Dieses Ziel wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Merkmale des Anspruchs 1 erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
• Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement weist einen integrierten Temperatursensor auf, der eine erste und eine zweite Anschlussklemme zum Anlegen einer Versorgungsspannung aufweist und der einen temperaturabhängigen Strom bereitstellt. Das Halbleiterbauelement ist beispielsweise ein Leistungstransistor oder eine beliebige andere temperatursensible integrierte Schaltung, wobei das Halbleiterbauelement und der Temperatursensor in einem gemeinsamen Halbleiterkörper integriert sind. Erfindungsgemäß ist der Temperatursensor als Bipolartransistor ausgebildet ist, dessen Basis und Emitter miteinander gekoppelt sind und dessen Kollektor an die erste Anschlussklemme und dessen Emitter an die zweite Anschlussklemme angeschlossen ist.
• Der zwischen Kollektor und Emitter bei Anlegen einer Versorgungsspannung fließende Strom ist temperaturabhängig und stellt die interessierende Messgröße dar. Dieser Strom ist erheblich größer als der Sperrstrom einer Diode, so dass sich kapazitive Effekte weniger stark auf das Messergebnis auswirken, wie im Folgenden erläutert ist. Der Messstrom resultiert aus dem Kollektor-Basis-Strom des Bipolartransistors und dessen Kollektor-Emitter-Strom. Der Kollektor-Basis-Strom entspricht dabei dem Sperrstrom einer Diode, da zwischen Kollektor und Basis ein pn-Übergang wie bei einer Diode gebildet ist. Der Kollektor-Emitter-Strom ist höher als der Kollektor- Basis-Strom und resultiert aus dem Produkt aus dem Kollektor- Basis-Strom und der Rückwärtsverstärkung des Bipolartransistors, wobei letztere eine Konstante ist. Für den exponentiell von der Temperatur abhängigen Messstrom Is gilt also:
  
  Is = Icb + Ice = Icb + Br.Icb = (1 + Br).Icb (1),
  
  wobei Icb der Kollektor-Basis-Strom, Ice der Kollektor- Emitter-Strom und Br die Rückwärtsverstärkung des Bipolartransistors ist. Der Messstrom ist damit um den Faktor (1 + Br) größer als bei Verwendung einer Diode als Temperatursensor, wobei übliche Werte für die Rückwärtsverstärkung im Bereich von 3 liegen.
• Die obige Beziehung gilt für den Fall, dass die Basis und der Emitter des Bipolartransistors kurzgeschlossen oder niederohmig miteinander gekoppelt sind.
• Der als Temperatursensor dienende Bipolartransistor ist auf einfache Weise mittels herkömmlicher Halbleiterprozesse realisierbar. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, den Bipolartransistor im Zellenfeld eines Leistungs-MOS-Transistors auszubilden, wobei der Kollektor durch eine erste dotierte Zone eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers gebildet ist, wobei die Basis durch eine zweite dotierte Zone eines zweiten Leitungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers gebildet ist und wobei der Emitter durch eine dritte dotierte Zone des ersten Leitungstyps in der zweiten dotierten Zone gebildet ist. Der Bipolartransistor kann durch eine Zelle des Zellenfeldes gebildet sein, die separat zu den anderen Zellen kontaktiert ist. Die erste Zone entspricht bei den übrigen Zellen der Drain-Zone, die zweite Zone entspricht bei den übrigen Zellen der Body-Zone und die dritte Zone entspricht bei den übrigen Zellen der Source-Zone.
• Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist zur Reduzierung kapazitiver Effekte eine an den Temperatursensor angeschlossene Kompensationsschaltung vorgesehen, die umfasst: eine an die erste Anschlussklemme des Temperatursensors angeschlossene Diode, einen dem Temperatursensor nachgeschalteten ersten MOS-Transistor und einen der Diode nachgeschalteten zweiten MOS-Transistor, deren Gate-Anschlüsse miteinander verbunden sind, eine parallel zu der Drain-Source-Strecke des zweiten MOS-Transistors geschaltete erste Stromquelle und eine parallel zu der Drain-Source-Strecke des ersten MOS-Transistors geschaltete zweite Stromquelle.
• Das Flächenverhältnis zwischen dem ersten und zweiten MOS- Transistor entspricht dabei vorzugsweise dem Flächenverhältnis zwischen der Diode und dem Stromsensor, das heißt dem Bipolartransistor und das Stromverhältnis der ersten und zweiten Stromquelle entspricht dem Flächenverhältnis zwischen der Diode und dem Stromsensor.
• Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt
• Fig. 1 ein schematisches Schaltbild eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement mit Temperatursensor,
• Fig. 2 ein Beispiel einer Realisierung des Temperatursensors in einem Halbleiterkörper (Fig. 2a) und elektrisches Ersatzschaltbild (Fig. 2b),
• Fig. 3 ein Schaltbild eines Temperatursensors mit Kompensationsschaltung.
• In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
• Fig. 1 zeigt ein schematisches Schaltbild eines Halbleiterbauelements IC mit einem integrierten Temperatursensor. Das Halbleiterbauelement IC, das nur im Umriss dargestellt ist und dessen weiterer Aufbau neben dem Temperatursensor TS in Fig. 1 nicht dargestellt ist, kann ein beliebiges temperatursensitives Halbleiterbauelement, beispielsweise ein Leistungs-MOS-Transistor, sein.
• Der Temperatursensor TS ist als Bipolartransistor ausgebildet, dessen Kollektor K an eine erste Anschlussklemme A1 angeschlossen ist, dessen Emitter an eine zweite Anschlussklemmen A2 angeschlossen ist und dessen Basis B mit dessen Emitter E gekoppelt ist. In dem dargestellten Beispiel sind die Basis B und der Emitter E kurzgeschlossen. Basis B und Emitter E können, wie gestrichelt dargestellt ist, auch mittels eines niederohmigen Widerstands R miteinander verbunden sein.
• Bei Anlegen einer Versorgungsspannung zwischen den Anschlussklemmen A1, A2 ist an dem Emitteranschluss E ein temperaturabhängiger Messstrom Is abgreifbar. Dieser Messstrom Is kann beispielsweise mittels einer dem Emitter nachgeschalteten Auswerteschaltung 10 ausgewertet werden, um abhängig von der Temperatur geeignete Maßnahmen zur Verhinderung eines weiteren Temperaturanstiegs ergreifen zu können. Die Auswerteschaltung kann in nicht näher dargestellter Weise in dem Halbleiterkörper des Halbleiterbauelements IC integriert sein, um die Leistungsaufnahme des Bauelements IC bei Erreichen einer kritischen Temperatur zu reduzieren. Dies kann über ein temperaturabhängiges, von der Auswerteschaltung 10 bereitgestelltes Steuersignal S10 erfolgen.
• Der Messstrom setzt sich gemäß Gleichung (1) zusammen aus dem Kollektor-Basis-Strom Icb, der dem Sperrstrom der Kollektor- Basis-Diode entspricht, und dem Kollektor-Emitter-Strom, der dem Produkt aus dem Kollektor-Basis-Strom und der Rückwärtsverstärkung Br entspricht. Der Messstrom ist damit um den Faktor 1 + Br größer als der Sperrstrom der Kollektor-Basis- Diode und damit robuster gegenüber Störungen im Vergleich zur Verwendung einer Diode als Temperatursensor.
• Fig. 2a veranschaulicht ein Beispiel zur Realisierung eines erfindungsgemäßen Temperatursensors, wobei das elektrische Ersatzschaltbild der Anordnung gemäß Fig. 2a in Fig. 2b dargestellt ist. Der in dem Beispiel als npn-Bipolartransistor ausgebildete Temperatursensor ist in einem Halbleiterkörper 100 integriert, wobei der Kollektor K des Bipolartransistors durch eine stark n-dotierte Zone 20 im Bereich einer Rückseite 101 des Halbleiterkörpers 100 ausgebildet ist. Die Basis B wird durch eine p-dotierte zweite Zone 30 im Bereich einer Vorderseite 102 des Halbleiterkörpers 100 gebildet, wobei die Zone 30 in einer schwächer n-dotierten, sich an die Kollektor-Zone anschließenden Driftzone 22 ausgebildet ist. Der Emitter E ist durch eine stark n-dotierte Zone 40 in der Basiszone 40 gebildet.
• Die Basiszone 30 und die Emitterzone 40 sind mittels eines Anschlusskontakts 70, der beispielsweise aus Polysilizium oder einem Metall besteht, miteinander kurzgeschlossen.
• Ein derartiger Temperatursensor ist mittels Halbleiterprozessen bei der Herstellung eines vertikalen Leistungs-MOS- Transistors einfach realisierbar. So stellt Fig. 2a beispielsweise einen Ausschnitt eines Zellenfeldes eines vertikalen Leistungs-MOS-Transistors dar, wobei der Temperatursensor durch die dargestellte Zelle gebildet ist. Während die gleichartig aufgebauten, nicht dargestellten Zellen eines derartigen MOS-Transistor parallel geschaltet sind, ist die dargestellte als Temperatursensor verwendete Zelle separat kontaktierbar, das heißt der Kontaktanschluss 70 ist nicht an den Source-Anschluss des MOS-Transistors angeschlossen, während die Rückseite 101 sowohl den Drain-Anschluss des MOS- Transistors als auch den ersten Anschluss A1 des Temperatursensors bildet.
• Fig. 2a zeigt auch eine der Zelle zugeordnete Gate-Elektrode 60, die mittels einer Isolationsschicht 50 gegenüber dem Halbleiterkörper isoliert ist. Da bei der dargestellten Zelle die Wirkung des MOS-Transistors unterdrückt werden soll, und nur die Wirkung des Bipolartransistors gewünscht ist, ist die Gate-Elektrode 60 an die Anschlusselektrode 70 angeschlossen. Durch die in Fig. 2a dargestellte Struktur ist neben einem Bipolartransistor auch ein MOS-Transistor gebildet, wie das Ersatzschaltbild in Fig. 2b zeigt. Die Drain-Zone dieses Transistors ist durch die Zone 20, die Driftzone durch die Zone 22, die Body-Zone durch die Zone 30 und die Source-Zone durch die Zone 40 gebildet. Ein Anschließen des Gate 60 an den Anschlusskontakt 70 kommt einem Kurzschluss zwischen Gate und Source des MOS-Transistors gleich.
• Der Bipolartransistor gemäß Fig. 2a ist der bei allen MOS- Transistoren vorkommende parasitäre Bipolartransistor, der bei der Erfindung als Temperatursensor genutzt wird.
• Bei anderen nicht näher dargestellten Zellen des Bauelements steht die Wirkung als MOS-Transistor im Vordergrund, Gate und Source sind deshalb nicht kurzgeschlossen.
• Fig. 3 zeigt einen erfindungsgemäßen als Bipolartransistor ausgebildeten Temperatursensor TS mit einer Kompensationsschaltung zur Vermeidung bzw. Verringerung eines Einflusses kapazitiver Effekte auf das Messergebnis.
• Die Kompensationsschaltung umfasst einen MOS-Transistor, dessen Drain-Source-Strecke D-S in Reihe zu dem Temperatursensor TS geschaltet ist, wobei parallel zu der Drain-Source-Strecke D-S eine Stromquelle Iq2 geschaltet ist.
• Die Kompensationsschaltung umfasst weiterhin eine Reihenschaltung einer Diode D1 und eines MOS-Transistors M1, wobei diese Reihenschaltung parallel zu der Reihenschaltung mit dem Temperatursensor TS und dem MOS-Transistor M2 geschaltet ist. Der Gate-Anschluss G und der Drain-Anschluss D des MOS- Transistors M1 sind kurzgeschlossen, zudem ist eine Stromquelle Iq1 parallel zu der Drain-Source-Strecke des MOS- Transistors M1 geschaltet ist. Die Gate-Anschlüsse der beiden MOS-Transistoren M1, M2 sind miteinander verbunden.
• Das Flächenverhältnis zwischen dem MOS-Transistor M1 und dem MOS-Transistor M2 entspricht vorzugsweise dem Flächenverhältnis zwischen der Diode D1 und dem als Stromsensor dienenden Bipolartransistor TS. In einem entsprechenden Verhältnis steht der Strom der Stromquelle Iq1 zu dem Strom durch die Stromquelle Iq2.
• Der als Bipolartransistors ausgebildete Temperatursensor TS und die Diode D1 sind in derselben Technologie in einem Halbleiterkörper ausgebildet und unterliegen damit auch denselben Temperatureinflüssen. Bei Anlegen einer Spannung zwischen den Anschluss A1 und Bezugspotential fließt sowohl durch die Diode D1 als auch durch den Bipolartransistor TS ein temperaturabhängiger Strom, wobei der Kollektor-Basis-Strom Icb des Bipolartransistors zu dem Sperrstrom der Diode über das Flächenverhältnis zwischen dem Transistor TS und der Diode D1 in Beziehung steht.
• In Fig. 3 ist weiterhin eine Auswerteschaltung IC1 dargestellt, die dem Anschluss A2 des Temperatursensors TS nachgeschaltet ist und die zur Auswertung des Messstromes Is dient.
• Die in Fig. 3 dargestellte Schaltungsanordnung mit dem Temperatursensor TS, der Auswerteschaltung IC1 und der Kompensationsschaltung funktioniert wie im folgenden kurz erläutert ist.
• Bei Anlegen einer Spannung zwischen dem Anschluss A1 und einem Bezugspotential, an welches die Source-Anschlüsse S der MOS-Transistoren und die Ansteuerschaltung IC1 angeschlossen sind, fließt ein temperaturabhängiger Strom durch die Diode D1, die in der Kompensationsschaltung als Temperatursensor dient. Der Strom, der bei niedrigen Temperaturen und einer nicht oder nicht stark schwankenden Spannung durch die Diode D1 fließt bzw. der Spannungsabfall zwischen Gate und Source des MOS-Transistors M2 ist dabei nicht ausreichend, den MOS- Transistor M2 leitend anzusteuern. Der Strom durch die Diode D1 fließt damit über die Stromquelle. In entsprechender Weise fließt der Messstrom Is bei kleinen Temperaturen nahezu ausschließlich über die Stromquelle Iq2 und wird in der Auswerteschaltung IC1 nicht erfasst. Eine Temperaturmessung erfolgt damit erst oberhalb einer vorgegebenen Temperaturschwelle.
• Bei einer Temperatur oberhalb dieser Temperaturschwelle wird der MOS-Transistor M1 leitend angesteuert, so dass ein Teil des Stromes der Diode D1 durch den angesteuerten MOS- Transistor M1 und ein Teil des Diodenstromes durch die Stromquelle Iq1 fließt. Da die beiden MOS-Transistoren M1, M2 als Stromspiegel verschaltet sind, fließt ein Strom durch den Transistor M2, der über das Stromspiegelverhältnis zu dem Strom durch den Transistor M1 in Beziehung steht. Da weiterhin die beiden Stromquellen Iq1, Iq2 entsprechend dem Stromspiegelverhältnis dimensioniert sind, fließt durch den MOS- Transistor M2 und die Stromquelle Iq2 ein Strom, der über das Stromspiegelverhältnis zu dem Diodenstrom der Diode D1 in Beziehung steht.
• Da das Stromspiegelverhältnis dem Flächenverhältnis zwischen der Diode D1 und dem Temperatursensor TS entspricht, fließt über die Stromquelle Iq2 und den MOS-Transistor M2 ein Strom, der dem Kollektor-Basis-Strom Icb des Temperatursensors TS entspricht.
• Ein Strom der, dem Kollektor-Emitter-Strom Ice des Bipolartransistors entspricht und der um den Wert der Rückwärtsverstärkung größer als der Kollektor-Basis-Strom Icb ist, fließt durch die Auswerteschaltung IC1, um ausgewertet zu werden.
• Unterliegt die Spannung zwischen der Klemme A1 und Bezugspotential starken Schwankungen, so kann ein kapazitiver Strom aus der Diode D1 fließen, der aus einer in der Diode D1 gespeicherten Ladung resultiert und der erheblich größer als der temperaturabhängige Sperrstrom der Diode D1 sein kann. Ein entsprechender Strom fließt auch durch den Bipolartransistor TS, der eine entsprechende Sperrschichtkapazität wie die Diode D1 umfasst. Der kapazitive Strom durchfließt den MOS-Transistor M1, wobei der kapazitive Anteil des Messstromes entsprechend durch den Transistor M2 fließt, so dass der kapazitive Strom nicht durch die Auswerteschaltung IC1 fließt sondern bezüglich des in der Auswerteschaltung IC1 gemessenen Stromes kompensiert ist.
• Wie bereits erwähnt, sind der Temperatursensor TS und die Diode in einem gemeinsamen Halbleiterkörper integriert und weisen entsprechende Temperaturverhalten auf, wobei der temperaturabhängige Strom Is durch den Temperatursensor TS um den Wert des Kollektor-Emitter-Stromes größer als der Strom durch die Diode D1 ist.

Claims (13)

1. Halbleiterbauelement (IC) mit einem integrierten Temperatursensor (TS), der eine erste und eine zweite Anschlussklemme (A1, A2) zum Anlegen einer Versorgungsspannung aufweist und der einen temperaturabhängigen Strom (Is) bereitstellt, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor (TS) als Bipolartransistor ausgebildet ist, dessen Basis (B) und Emitter (E) miteinander gekoppelt sind und dessen Kollektor (K) an die erste Anschlussklemme (A1) und dessen Emitter (E) an die zweite Anschlussklemme (A2) angeschlossen ist.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Basis (B) und der Emitter (E) des Bipolartransistors kurzgeschlossen sind.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Basis (B) und der Emitter (E) des Bipolartransistors über einen ohmschen Widerstand (R) miteinander verbunden sind.

4. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche bei dem der Kollektor (K) durch eine erste dotierte Zone (20) eines ersten Leitungstyps (n) im Bereich einer Rückseite (101) eines Halbleiterkörpers (100) gebildet ist, bei dem die Basis (B) durch eine zweite dotierte Zone (30) eines zweiten Leitungstyps (p) im Bereich einer Vorderseite (102) des Halbleiterkörpers (100) gebildet ist und bei dem der Emitter (E) durch eine dritte dotierte Zone (40) des ersten Leitungstyps (n) in der zweiten dotierten Zone (30) gebildet ist.

5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, bei dem die zweite dotierte Zone (30) und die dritte dotierte Zone (40) mittels eines Anschlusskontakts (70) kurzgeschlossen sind.

6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei dem oberhalb der Vorderseite (102) des Halbleiterkörpers (100) über der zweiten und dritten dotierten Zone (30, 40) eine Steuerelektrode (60) angeordnet ist, die gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist und die mit dem Anschlusskontakt (70) kurzgeschlossen ist.

7. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das eine an den Temperatursensor (TS) angeschlossene Kompensationsschaltung aufweist mit einem an die erste Anschlussklemme (A1) angeschlossenen weiteren Temperatursensor (D1) und einem Stromspiegel (M1, M2) der an den Temperatursensor (TS) und den weiteren Temperatursensor (D1) angeschlossen ist.

8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem der weitere Temperatursensor (D1) als Diode ausgebildet ist, die in demselben Halbleiterkörper wie der Temperatursensor (TS) realisiert ist.

9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem der Stromspiegel einen ersten MOS-Transistor (M1), der dem weiteren Temperatursensor (D1) nachgeschaltet ist, und einen zweiten MOS-Transistor (M2), der dem Temperatursensor (TS) nachgeschaltet ist, aufweist, wobei die Gate-Anschlüsse (G) der beiden Transistoren (M1, M2) miteinander verbunden sind.

10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem parallel zu der Drain-Source-Strecke (D-S) des ersten MOS-Transistors (M1) eine erste Stromquelle (Iq1) und parallel zu der Drain-Source-Strecke (D-S) des zweiten MOS- Transistors (M2) eine zweite Stromquelle (Iq2) geschaltet ist.

11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9 oder 10, bei dem das Flächenverhältnis zwischen dem ersten und zweiten MOS- Transistor (M1, M2) dem Flächenverhältnis zwischen der Diode (D1) und dem Stromsensor (TS) entspricht.

12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10 oder 11, bei dem das Stromverhältnis der ersten und zweiten Stromquelle (Iq1, Iq2) dem Flächenverhältnis zwischen der Diode (D1) und dem Stromsensor (TS) entspricht.

13. Verwendung eines Bipolartransistors, dessen Basis (B) und Emitter (E) miteinander gekoppelt sind, als integrierten Temperatursensor in einem Halbleiterbauelement.