DE102023204960A1 - Method for operating a lithography system and lithography system - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems (100,200), wobei wenigstens eine Eigenschaft eines optischen Elements (2) des Lithografiesystems (100,200) während eines Belichtungsbetriebs des Lithografiesystems (100,200) mit einer Arbeitsstrahlung (8) bestimmt wird, wobei das optische Element (2) einen Elementkörper (6) und wenigstens eine an dem Elementkörper (6) angeordnete optische Oberfläche (7) aufweist, mittels welcher die Arbeitsstrahlung (8) beeinflusst wird. Erfindungsgemäß wird eine Messstrahlung (4) auf wenigstens eine an dem Elementkörper (6) angeordnete Beugungsstruktur (9) eingestrahlt, wonach die Messstrahlung (4) von der Beugungsstruktur (9) gebeugt wird und wonach die Messstrahlung (4) interferometrisch vermessen wird.The invention relates to a method for operating a lithography system (100,200), wherein at least one property of an optical element (2) of the lithography system (100,200) is determined during an exposure operation of the lithography system (100,200) with a working radiation (8), wherein the optical element ( 2) has an element body (6) and at least one optical surface (7) arranged on the element body (6), by means of which the working radiation (8) is influenced. According to the invention, a measuring radiation (4) is irradiated onto at least one diffraction structure (9) arranged on the element body (6), after which the measuring radiation (4) is diffracted by the diffraction structure (9) and after which the measuring radiation (4) is measured interferometrically.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems, wobei wenigstens eine Eigenschaft eines optischen Elements des Lithografiesystems während eines Belichtungsbetriebs des Lithografiesystems mit einer Arbeitsstrahlung bestimmt wird, wobei das optische Element einen Elementkörper und wenigstens eine an dem Elementkörper angeordnete optische Oberfläche aufweist, mittels welcher die Arbeitsstrahlung beeinflusst wird.The invention relates to a method for operating a lithography system, wherein at least one property of an optical element of the lithography system is determined during an exposure operation of the lithography system with a working radiation, the optical element having an element body and at least one optical surface arranged on the element body, by means of which the Working radiation is influenced.
Die Erfindung betrifft ferner ein Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterindustrie, welches wenigstens ein optisches Element, besonders bevorzugt einen Spiegel umfasst, wobei das wenigstens eine optische Element einen Elementkörper sowie eine optische Oberfläche zur Beeinflussung einer Arbeitsstrahlung aufweist.The invention further relates to a lithography system, in particular a projection exposure system for the semiconductor industry, which comprises at least one optical element, particularly preferably a mirror, wherein the at least one optical element has an element body and an optical surface for influencing a working radiation.
Die Funktionsfähigkeit von Systemen, welche zur Führung und Formung von Strahlung eingesetzt werden, beruht in besonderem Maße auf einer Kenntnis von Eigenschaften einzelner Komponenten des Systems, insbesondere einer Temperatur, einer möglichen Kontamination und/oder einer korrekten Positionierung hinsichtlich eines Abstands oder einer Lage der Komponenten.The functionality of systems used to guide and shape radiation is based in particular on knowledge of the properties of individual components of the system, in particular a temperature, possible contamination and/or correct positioning with regard to a distance or position of the components .
Insbesondere bei einer Verwendung von EUV- (Extrem-Ultra-Violett-) Strahlung werden aufgrund der geringen Wellenlänge der EUV-Strahlung hinsichtlich der korrekten Positionierung nur geringe Abweichungen der relativen Lage der Komponenten zueinander bzw. zu einem Referenzpunkt toleriert.Particularly when using EUV (extreme ultra violet) radiation, due to the short wavelength of the EUV radiation, only small deviations in the relative position of the components to one another or to a reference point are tolerated with regard to correct positioning.
Hierbei kann es vorkommen, dass nur Abweichungen von lediglich wenigen Pikometern tolerierbar sind.It can happen that only deviations of just a few picometers are tolerable.
Eine hochpräzise Positionsbestimmung kann auch für andere technische Gebiete relevant sein.Highly precise positioning can also be relevant for other technical areas.
Aus dem Stand der Technik bekannte Vorrichtungen und Verfahren zur Abstandsbestimmung unter derartig hohen Genauigkeitsanforderungen beruhen auf interferometrischen Messungen, da hierdurch Positionen messtechnisch mit hoher Präzision erfasst werden können.Devices and methods known from the prior art for determining distances with such high accuracy requirements are based on interferometric measurements, since positions can be recorded with high precision using measurements.
In der
Aus der
Die
Aus der
Die
In der
Zur Beurteilung einer Systemperformance, insbesondere von optischen Performancegrößen, wird gemäß dem Stand der Technik innerhalb von Lithografiesystemen auf einem Waferlevel gemessen. Ein derartiges Messverfahren ist sehr zeitintensiv. To assess system performance, in particular optical performance variables, measurements are carried out at a wafer level within lithography systems according to the state of the art. Such a measuring method is very time-consuming.
Ferner kann hiermit nicht für alle gewünschten Parameter ein Messergebnis gewonnen werden.Furthermore, a measurement result cannot be obtained for all desired parameters.
Nachteilig an den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren und Vorrichtungen ist deren unzureichende Messgenauigkeit und damit eine mangelnde Zuverlässigkeit bei einem Betrieb des Lithografiesystems.A disadvantage of the methods and devices known from the prior art is their insufficient measurement accuracy and thus a lack of reliability when operating the lithography system.
Aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren und Vorrichtungen sind beispielsweise empfindlich gegenüber Gasen in Strahlengängen, welche vom Vakuum abweichende Brechzahlen aufweisen. Hierdurch können Messergebnisse verfälscht werden.Methods and devices known from the prior art are, for example, sensitive to gases in beam paths that have refractive indices that deviate from vacuum. This can falsify measurement results.
Ferner belegen die aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen innerhalb eines Lithografiesystems wertvollen Bauraum, indem sie beispielsweise in eine vertikale Richtung ausgedehnt sind. Üblicherweise werden die aus dem Stand der Technik bekannten Vorrichtungen wenigstens teilweise mittels eines Fügeprozesses angebracht, welcher unter Umständen Ungenauigkeiten durch Kleberalterung bedingen kann. Ferner kann auch eine Reaktion eines Klebstoffs auf Feuchtigkeit und/oder eine thermische Verspannung aufgrund verschiedener thermischer Ausdehnungskoeffizienten der beteiligten Materialien zu einer Ungenauigkeit der Eigenschaftsbestimmung führen.Furthermore, the devices known from the prior art occupy valuable installation space within a lithography system, for example by being extended in a vertical direction. Usually, the devices known from the prior art are at least partially attached by means of a joining process, which may cause inaccuracies due to adhesive aging. Furthermore, a reaction of an adhesive to moisture and/or thermal distortion due to different thermal expansion coefficients of the materials involved can also lead to inaccuracy in the property determination.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems zu schaffen, das die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine zuverlässige und möglichst exakte Belichtung von Wafern ermöglicht.The present invention is based on the object of creating a method for operating a lithography system that overcomes the disadvantages of Stan of the technology, in particular enables reliable and as precise exposure of wafers as possible.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst.According to the invention, this object is achieved by a method with the features mentioned in
Der vorliegenden Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Lithografiesystem zu schaffen, das die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine zuverlässige und möglichst exakte Belichtung von Wafern ermöglicht.The present invention is also based on the object of creating a lithography system that avoids the disadvantages of the prior art, in particular that enables reliable and as precise exposure of wafers as possible.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Lithografiesystem mit den in Anspruch 10 genannten Merkmalen gelöst.According to the invention, this object is achieved by a lithography system with the features mentioned in
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems wird wenigstens eine Eigenschaft eines optischen Elements des Lithografiesystems während eines Belichtungsbetriebs des Lithografiesystems mit der Arbeitsstrahlung bestimmt. Hierbei weist das optische Element einen Elementkörper und wenigstens eine an dem Elementkörper angeordnete optische Oberfläche auf, mittels welcher die Arbeitsstrahlung beeinflusst wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass eine Messstrahlung auf wenigstens eine an dem Elementkörper angeordnete Beugungsstruktur eingestrahlt wird, wonach die Messstrahlung von der Beugungsstruktur gebeugt wird und wonach die Messstrahlung interferometrisch vermessen wird.In the method according to the invention for operating a lithography system, at least one property of an optical element of the lithography system is determined during an exposure operation of the lithography system with the working radiation. Here, the optical element has an element body and at least one optical surface arranged on the element body, by means of which the working radiation is influenced. According to the invention, it is provided that a measurement radiation is irradiated onto at least one diffraction structure arranged on the element body, after which the measurement radiation is diffracted by the diffraction structure and after which the measurement radiation is measured interferometrically.
Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine vorteilhaft hohe Auflösung speziell von Lithografieoptiken erreicht werden. Insbesondere in Lithografiesystemen, in welchen EUV-Licht-Arbeitsstrahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm genutzt wird, kann eine Auflösung erzielt werden, welche höher ist als eine Auflösung von Vorgängersystemen mit typischen Betriebswellenlängen von 365 nm, 248 nm oder 193 nm.By means of the method according to the invention, an advantageously high resolution can be achieved, especially of lithography optics. In particular, in lithography systems in which EUV light working radiation with a wavelength of 13.5 nm is used, a resolution can be achieved that is higher than a resolution of previous systems with typical operating wavelengths of 365 nm, 248 nm or 193 nm.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, da zur Führung und Formung von EUV-Licht auf brechende Medien verzichtet wird, welche bei diesen Wellenlängen nicht mehr sinnvoll einsetzbar sind und auf reine Spiegelsysteme zurückgegriffen wird, die entweder in nahezu senkrechtem Einfall und/oder streifend arbeiten.The method according to the invention is particularly suitable for use in an EUV projection exposure system, since refracting media is dispensed with for guiding and shaping EUV light, which can no longer be used meaningfully at these wavelengths, and pure mirror systems are used, which are either almost vertical Work incidentally and/or grazingly.
Derartige Spiegel weisen eine erhebliche stärkere Sensitivität auf Positionsänderungen im Vergleich zu Linsen auf, wodurch das erfindungsgemäße Verfahren in diesem Zusammenhang besonders vorteilhaft einsetzbar ist. Die Vorzüglichkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens bei reinen Spiegelsystemen kann dadurch veranschaulicht werden, dass ein Strahlverlauf bei einem Spiegel im Vergleich zu einer Linse betrachtet wird. Bei der Linse kompensieren eine Vorderseite und eine Rückseite eine Strahlrichtungsänderung in erheblichem Umfang. Ferner kommt üblicherweise ein Brechzahlunterschied von etwa 0,5 zum Tragen. Ein Spiegel hingegen verdoppelt annäherungsweise einen Kippfehler als Wirkung auf einen reflektierten Strahl der Arbeitsstrahlung.Such mirrors have a considerably greater sensitivity to position changes compared to lenses, which means that the method according to the invention can be used particularly advantageously in this context. The excellence of the method according to the invention in pure mirror systems can be illustrated by considering a beam path in a mirror in comparison to a lens. The lens has a front and a back to compensate for a change in beam direction to a considerable extent. Furthermore, a difference in refractive index of around 0.5 usually comes into play. A mirror, on the other hand, approximately doubles a tilt error as an effect on a reflected beam of working radiation.
Es kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass die optischen Elemente, insbesondere EUV-Spiegel gravitationskompensiert bzw. fliegend bzw. mit Hilfe einer Gewichtskraftkompensationseinrichtung gelagert werden.It can advantageously be provided that the optical elements, in particular EUV mirrors, are stored in a gravity-compensated or floating manner or with the aid of a weight force compensation device.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht ferner ein besseres Verhältnis zwischen einem benötigten Bauraum und einer Funktionalität zur Charakterisierung des Spiegels bzw. der Bestimmung wenigstens einer Eigenschaft des Spiegels sowie eine verringerte Sensitivität des Bestimmungsvorgangs gegenüber Umwelteinflüssen.The method according to the invention also enables a better relationship between a required installation space and a functionality for characterizing the mirror or determining at least one property of the mirror, as well as a reduced sensitivity of the determination process to environmental influences.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Eigenschaft des wenigstens einen optischen Element eine Lage, insbesondere ein Abstand zwischen dem optischen Element des Lithografiesystems und einer Sollposition des optischen Elements ist.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that the property of the at least one optical element is a position, in particular a distance, between the optical element of the lithography system and a target position of the optical element.
Im Rahmen der Erfindung kann die Lage des optischen Elements eine Information über eine Schwerpunktposition und/oder eine Information über eine Orientierung im Raum beinhalten.Within the scope of the invention, the position of the optical element can contain information about a center of gravity position and/or information about an orientation in space.
Im Vergleich zu aus dem Stand der Technik bekannten interferometrischen Anordnungen und/oder Interferometern, bei denen zum Beispiel auf dem optischen Element Zielspiegel bzw. sogenannte Targets angebracht und beispielsweise mittels Frequenzkämmen angemessen werden, hat das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil einer einfacheren und zuverlässigeren Bestimmung des Abstands.In comparison to interferometric arrangements and/or interferometers known from the prior art, in which, for example, aiming mirrors or so-called targets are attached to the optical element and adjusted, for example, by means of frequency combs, the method according to the invention has the advantage of a simpler and more reliable determination of the distance .
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Beugungsstruktur mit einem
- - Infrarotlicht mit einer Wellenlänge von weniger als 4000 nm, bevorzugt weniger als 2000 nm, und/oder
- - sichtbaren Licht und/oder
- - ultravioletten Licht mit einer Wellenlänge von mehr als 150 nm
als Messstrahlung beleuchtet wird.In an advantageous development of the method according to the invention it can be provided that the diffraction structure with a
- - Infrared light with a wavelength of less than 4000 nm, preferably less than 2000 nm, and/or
- - visible light and/or
- - ultraviolet light with a wavelength of more than 150 nm
is illuminated as measuring radiation.
Es kann vorgesehen sein, dass die Wellenlänge der Messstrahlung bevorzugt von der Betriebswellenlänge der Arbeitsstrahlung, zu deren Führung und Formung die optische Oberfläche des optischen Elements eingerichtet ist, abweicht. Hierzu hat es sich im Rahmen der Erfindung als besonders vorteilhaft herausgestellt, wenn die Beugungsstruktur mit Infrarotlicht einer Wellenlänge unterhalb von 4000 nm, bevorzugt unterhalb von 2000 nm, und/oder mit sichtbarem Licht und/oder mit ultraviolettem Licht einer Wellenlänge von mehr als 150 nm zu Messzwecken beleuchtet wird.It can be provided that the wavelength of the measuring radiation preferably deviates from the operating wavelength of the working radiation, to guide and shape the optical surface of the optical element. For this purpose, it has proven to be particularly advantageous within the scope of the invention if the diffraction structure is illuminated with infrared light with a wavelength of below 4000 nm, preferably below 2000 nm, and/or with visible light and/or with ultraviolet light with a wavelength of more than 150 nm illuminated for measurement purposes.
Es kann vorgesehen sein, dass die wenigstens eine Beugungsstruktur mit einem breiten Spektrum elektromagnetischer Wellen von einem Infrarotbereich bis zu einem Ultraviolettbereich beleuchtet wird. Bevorzugt wird eine Wellenlänge der Messstrahlung gewählt, welche eine Verwendung ökonomisch intensiver Messstrahlungsquellen sowie die Verwendung von Interferometeroptiken erlaubt. Ferner ist eine Wahl der Wellenlänge der Messstrahlung von Vorteil, welche die Verwendung ökonomisch günstig herstellbarer diffraktiver Strukturen ermöglicht. Beispielsweise sind ferner Wellenlängen in einem sichtbaren Lichtbereich dank ihrer leichten Justierbarkeit gut zur Verwendung als Messstrahlung geeignet.It can be provided that the at least one diffraction structure is illuminated with a broad spectrum of electromagnetic waves from an infrared range to an ultraviolet range. A wavelength of the measurement radiation is preferably selected which allows the use of economically intensive measurement radiation sources and the use of interferometer optics. Furthermore, a choice of the wavelength of the measuring radiation is advantageous, which enables the use of diffractive structures that can be produced economically. For example, wavelengths in a visible light range are also well suited for use as measuring radiation thanks to their easy adjustability.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass eine interferometrische Überlagerung der Messstrahlung mit einer Vergleichswelle oder mit einer in abweichender Ordnung gebeugten Welle der Messstrahlung sowie eine Vermessung eines resultierenden Interferenzmusters erfolgt. In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that an interferometric superimposition of the measurement radiation with a comparison wave or with a wave of the measurement radiation diffracted in a different order and a measurement of a resulting interference pattern take place.
Eine interferometrische Vermessung der von der Beugungsstruktur zurückgeworfenen Messstrahlung lässt sich auf einfache und zuverlässige Weise durch die vorbeschriebene interferometrische Überlagerung mit einer Vergleichswelle oder einer in abweichender Ordnung gebeugten Welle sowie einer Vermessung des resultierenden Interferenzmusters realisieren.An interferometric measurement of the measurement radiation reflected by the diffraction structure can be realized in a simple and reliable manner by the above-described interferometric superimposition with a comparison wave or a wave diffracted in a different order and a measurement of the resulting interference pattern.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass mittels der Vermessung der von der Beugungsstruktur gebeugten Messstrahlung eine Lageinformation des optischen Elements ermittelt wird, wobei die Lageinformation
- - zeitabhängig ist, und/oder
- - einen oder mehrere Schwingungszustände umfasst.
- - is time dependent, and/or
- - includes one or more vibration states.
Eine dynamische Ermittlung der Lageinformation mit hoher Zeitauflösung hat den Vorteil, dass bei einer ausreichend hohen Abtastung auch Schwingungen des optischen Elements am Ort der Beugungsstruktur, insbesondere einer CGH-Position gemessen werden können. Selbst bei einer unzureichenden Abtastung kann eine Dynamik des optischen Elements ermittelt werden, in dem simultan mehrere Phasenlagen mehrerer Beugungsstrukturen, insbesondere mehrerer Gitter, unterschiedlicher, vorzugsweise inkommensurabler Perioden bestimmt werden.A dynamic determination of the position information with high time resolution has the advantage that with a sufficiently high sampling, vibrations of the optical element at the location of the diffraction structure, in particular a CGH position, can also be measured. Even if the scanning is insufficient, a dynamic of the optical element can be determined by simultaneously determining several phase positions of several diffraction structures, in particular several gratings, of different, preferably incommensurable, periods.
Hierbei ist es von Vorteil, wenn bei einer relativ zu der aufzulösenden Schwingungsfrequenz niedrig gewählten Abtastrate entsprechend mehr unterschiedliche Beugungsstrukturen bzw. unterschiedliche Gitter vorgesehen werden.It is advantageous here if, with a sampling rate selected to be low relative to the oscillation frequency to be resolved, correspondingly more different diffraction structures or different gratings are provided.
Mittels der vorbeschriebenen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann demnach eine Lageinformation des optischen Elements generiert werden, die zeitabhängig sein kann und insbesondere auch Schwingungszustände erfassen kann.By means of the above-described development of the method according to the invention, position information of the optical element can be generated, which can be time-dependent and, in particular, can also detect vibration states.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Lageinformation als Eingabe für einen Korrekturprozess zur Ermittlung und/oder Einstellung einer Lageabweichung des optischen Elements gegenüber der Sollposition verwendet wird.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that the position information is used as input for a correction process for determining and/or setting a positional deviation of the optical element compared to the target position.
Ist ein Korrekturprozess vorgesehen, so profitiert dieser in besonderem Maße von der mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens bestimmten Lageabweichung zwischen dem optischen Element und seiner Sollposition. Dies gilt insbesondere bei der Verwendung von gravitationskompensiert gelagerten Spiegeln in EUV-Projektionsbelichtungsanlagen.If a correction process is provided, it benefits in particular from the positional deviation between the optical element and its target position determined by the method according to the invention. This applies in particular when using gravity-compensated mirrors in EUV projection exposure systems.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass ein Korrekturprozess wenigstens einer Aberrationsgröße in einer Abbildung der Arbeitsstrahlung vorgesehen ist, und/oder
- - eine kompensierende Positionsänderung vorgesehen ist, welche durch die Lageabweichung beeinflusst wird, wobei die Positionsänderung mittels wenigstens einer an dem optischen Element und/oder an einem Retikel und/oder anderen optischen Elementen eines optischen Systems angreifenden Manipulatoreinrichtung, erzielt wird, und/oder
- - eine aktive Kompensation und/oder eine Dämpfung eingebrachter Schwingungsanregungen durchgeführt wird.
- - a compensating position change is provided, which is influenced by the position deviation, the position change being achieved by means of at least one manipulator device acting on the optical element and/or on a reticle and/or other optical elements of an optical system, and/or
- - Active compensation and/or damping of introduced vibration excitations is carried out.
Hierdurch kann auf Grundlage der ermittelten Eigenschaft des wenigstens einen optischen Elements direkt auf eine Abbildungsqualität des Lithografiesystems eingewirkt werden. Durch die konstant hohe Abbildungsqualität wird wiederum eine Herstellung präzise gefertigter Computerchips ermöglicht.This makes it possible to directly influence the imaging quality of the lithography system based on the determined property of the at least one optical element. Through the constant High image quality in turn enables the production of precisely manufactured computer chips.
Insbesondere bei gravitationskompensiert gelagerten EUV-Spiegeln ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren eine andauernde bzw. fortlaufende Vermessung der Position der Spiegel während eines Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage bzw. während der Bestrahlung mit der Arbeitsstrahlung und somit eine zeitnahe Nachkorrektur der Position.In particular in the case of EUV mirrors mounted in a gravity-compensated manner, the method according to the invention enables a continuous or continuous measurement of the position of the mirrors during operation of the projection exposure system or during irradiation with the working radiation and thus a timely post-correction of the position.
Hierzu kann es vorgesehen sein, dass ein Abstand des wenigstens einen optischen Elements von der Sollposition gemessen und mittels der Manipulatoreinrichtung verändert wird, wobei das optische Element vorzugsweise in die Sollposition verbracht wird.For this purpose, it can be provided that a distance of the at least one optical element from the target position is measured and changed by means of the manipulator device, the optical element preferably being moved into the target position.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass mittels der Vermessung der Messstrahlung und/oder der Beugungsstruktur eine Temperaturinformation über das optische Element gewonnen wird, wobei die Temperaturinformation vorzugsweise als Eingabe für einen Korrekturprozess bezüglich einer Temperatur für das optische Element dient, wobei zur Ermittlung der Temperaturinformation
- - eine Intensitätsänderung eines auf das optische Element einstrahlenden Vorheizers, und/oder
- - eine Temperaturänderung und/oder eine Flussratenänderung eines das optische Element durchströmenden Fluids und/oder
- - eine Variation eines Drucks eines das optische Element umgebenden Gases erfasst wird.
- - a change in the intensity of a preheater radiating onto the optical element, and/or
- - a change in temperature and/or a change in flow rate of a fluid flowing through the optical element and/or
- - a variation of a pressure of a gas surrounding the optical element is detected.
Als wenigstens eine Eigenschaft des optischen Elements kann in vorteilhafter Weise eine Temperaturinformation über das optische Element mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens gewonnen werden.As at least one property of the optical element, temperature information about the optical element can advantageously be obtained using the method according to the invention.
Temperaturunterschiede innerhalb des optischen Elements oder zwischen dem optischen Element und seiner Umgebung können aufgrund thermischer Ausdehnung zu Abstandsänderungen zwischen zwei an dem optischen Element angebrachten Beugungsstrukturen, insbesondere CGH-Strukturen, oder zu Änderungen von Parametern innerhalb der wenigstens einen Beugungsstruktur, wie beispielsweise eine Periodenlänge, führen.Temperature differences within the optical element or between the optical element and its surroundings can, due to thermal expansion, lead to changes in the distance between two diffraction structures attached to the optical element, in particular CGH structures, or to changes in parameters within the at least one diffraction structure, such as a period length .
Werden mittels der Messstrahlung Positionen zweier an dem optischen Element angeordneter Beugungsstrukturen vermessen, so lässt sich mittels der Positionsmessungen innerhalb des erfindungsgemäßen Verfahrens mit hoher Genauigkeit auf diesen Abstand und damit auf eine thermische Ausdehnung und damit auf Temperaturunterschiede schließen.If positions of two diffraction structures arranged on the optical element are measured using the measuring radiation, this distance and thus thermal expansion and thus temperature differences can be inferred with high accuracy using the position measurements within the method according to the invention.
Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass die Beugungsstrukturen auf einem Hilfsmaterial mit angepasster Formgebung, insbesondere einer Keilform und/oder einer Bogenform angebracht werden.Alternatively or additionally, it can be provided that the diffraction structures are attached to an auxiliary material with an adapted shape, in particular a wedge shape and/or an arch shape.
Das Hilfsmaterial weist vorzugsweise einen bekannten, linearen und hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Von besonderem Vorteil ist es, wenn das Hilfsmaterial keine oder wenig Spannungen auf das optische Element übertragen kann, wobei das optische Element üblicherweise einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist.The auxiliary material preferably has a known, linear and high coefficient of thermal expansion. It is particularly advantageous if the auxiliary material can transfer little or no stress to the optical element, the optical element usually having a low coefficient of thermal expansion.
Es kann vorgesehen sein, dass das Hilfsmaterial aus Kupfer ausgebildet ist und/oder über eine Wärmeleitpaste mit dem optischen Element und/oder der Beugungsstruktur verbunden ist.It can be provided that the auxiliary material is made of copper and/or is connected to the optical element and/or the diffraction structure via a thermal paste.
Ferner kann vorgesehen sein, dass das Hilfsmaterial derart ausgebildet und eingerichtet ist, dass bei einer thermischen Ausdehnung ein Winkel oder eine Krümmung geändert wird, in welcher die Beugungsstruktur zu einem Strahlengang der Messstrahlung steht. Ein derartiger Winkel oder eine derartige Krümmung kann interferometrisch im Rahmen des Verfahrens detektiert werden. Hierdurch lässt sich die Temperatur des optischen Elements am Orte der Beugungsstruktur berührungsfrei messen.Furthermore, it can be provided that the auxiliary material is designed and set up in such a way that, in the event of thermal expansion, an angle or a curvature is changed at which the diffraction structure stands relative to a beam path of the measuring radiation. Such an angle or curvature can be detected interferometrically as part of the method. This allows the temperature of the optical element at the location of the diffraction structure to be measured without contact.
Es kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass die Temperaturinformation
- - als Eingabe für einen Korrekturprozess wenigstens einer Aberrationsgröße in einer Abbildung der Arbeitsstrahlung verwendet wird, welche durch eine Temperaturverteilung des optischen Elements beeinflusst wird, wobei bei dem Korrekturprozess eine aktive Kompensation durchgeführt wird, welche vorzugsweise mittels wenigstens einer Manipulatoreinrichtung an dem optischen Element und/oder an einem Retikel, und/der an dem Elementkörper und/oder anderen optischen Elementen eines optischen Systems erfolgt, und/oder
- - als Einflussgröße auf einen Belichtungsprozess verwendet wird, indem vorzugsweise ein höherer oder niedrigerer Durchsatz des Belichtungsprozesses eingestellt wird, um die aus der Arbeitsstrahlung absorbierte Energie einem Zielwert anzugleichen.
- - is used as input for a correction process of at least one aberration size in an image of the working radiation, which is influenced by a temperature distribution of the optical element, with active compensation being carried out in the correction process, which is preferably carried out by means of at least one manipulator device on the optical element and/or on a reticle, and/which takes place on the element body and/or other optical elements of an optical system, and/or
- - is used as an influencing variable on an exposure process by preferably setting a higher or lower throughput of the exposure process in order to adjust the energy absorbed from the working radiation to a target value.
Es kann vorgesehen sein, dass sich das optische Element in dem EUV-Lithografiesystem nicht in einem Hochvakuum, sondern in einer sehr dünnen Atmosphäre aus einem Restgas befindet.It can be provided that the optical element in the EUV lithography system is not in a high vacuum, but in a very thin atmosphere made up of a residual gas.
Die Zusammensetzung der Restgases kann vorzugsweise derart gewählt werden, dass durch ein Plasma, welches durch die Bestrahlung des Restgases mit EUV-Licht während eines Betriebs des EUV-Lithografiesystems gebildet wird, die optische Oberfläche, insbesondere eine Spiegeloberfläche, gereinigt wird.The composition of the residual gas can preferably be selected such that the optical surface, in particular a mirror surface, is cleaned by a plasma which is formed by irradiating the residual gas with EUV light during operation of the EUV lithography system.
Das Restgas kann jedoch auch störende Anteile aufweisen, die beispielsweise. aus einem Fotolack herausdiffundieren und die optische Oberfläche angreifen und unter Umständen zerstören können. Die verdünnte Atmosphäre spielt außerdem eine wichtige Rolle bei einem Abtransport einer Wärme aus dem Elementkörper, insbesondere einem Spiegelkörper.However, the residual gas can also contain disturbing components, for example. diffuse out of a photoresist and attack and possibly destroy the optical surface. The rarefied atmosphere also plays an important role in removing heat from the element body, in particular a mirror body.
Die vorbeschriebene Erfassung der Temperaturinformation kann eine Bestimmung einer Dichte und somit einer Leitfähigkeit der dünnen Restgas-Atmosphäre im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens, insbesondere mit einem interferometrischen Aufbau, umfassen. Hierdurch wird eine Vorhersage des thermalen Verhaltens des optischen Elements ermöglicht. Ferner kann vorzugsweise eine chemische Zusammensetzung des Restgases bestimmt werden.The above-described detection of the temperature information can include a determination of a density and thus a conductivity of the thin residual gas atmosphere within the scope of the method according to the invention, in particular with an interferometric setup. This makes it possible to predict the thermal behavior of the optical element. Furthermore, a chemical composition of the residual gas can preferably be determined.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass mittels der Vermessung der Messstrahlung und/oder der Beugungsstruktur eine Kontaminationsinformation bezüglich des optischen Elementes gewonnen wird.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that contamination information regarding the optical element is obtained by measuring the measuring radiation and/or the diffraction structure.
Eine Beugungscharakteristik des Beugungselements kann beispielsweise durch Verunreinigungen bzw. Kontaminationen empfindlich verändert werden. Eine Intensität und/oder eine Phasenlage einer durch die Beugungsstruktur erzeugten Welle werden nachweisbar schon durch dünne Schichten zusätzlichen, auf der Beugungsstruktur angelagerten, Materials beeinflusst und können interferometrisch beobachtet werden.A diffraction characteristic of the diffraction element can be sensitively changed, for example, by impurities or contamination. An intensity and/or a phase position of a wave generated by the diffraction structure are demonstrably influenced by thin layers of additional material deposited on the diffraction structure and can be observed interferometrically.
Hierdurch eignen sich Beugungsstrukturen, welche an dem optischen Element angeordnet sind, zur frühzeitigen Erkennung sich aufbauender Verunreinigungen. Von Vorteil ist es, wenn diese Verunreinigungen detektiert werden, bevor diese einen Strahlengang der Arbeitsstrahlung signifikant stören.This makes diffraction structures, which are arranged on the optical element, suitable for the early detection of contaminants that are building up. It is advantageous if these contaminants are detected before they significantly disrupt a beam path of the working radiation.
Es kann vorteilhafterweise vorgesehen sein, dass die Kontaminationsinformation vorzugsweise
- - zur Planung einer Wartungsaktivität, insbesondere eines Austauschs des optischen Elements und/oder einer Reinigungsmaßnahme, verwendet wird, und/oder
- - zur Einleitung von Maßnahmen verwendet wird, die vorzugsweise eine Reinigung eines Spülgases und/oder eine Variation einer Zusammensetzung eines Spülgases und/oder einen Reinigungsprozess, besonders bevorzugt eine chemisch unterstützte Photoreinigung, umfassen, und/oder
- - als Eingang für einen Korrekturprozess verwendet wird, wobei bei dem Korrekturprozess vorzugsweise mittels wenigstens eines Kompensators eine Intensitätsverteilung in der Austrittspupille und/oder ein Uniformitätsverlauf über ein Feld der Arbeitsstrahlung eingestellt wird.
- - used to plan a maintenance activity, in particular a replacement of the optical element and/or a cleaning measure, and/or
- - is used to initiate measures which preferably include a purification of a purge gas and/or a variation of a composition of a purge gas and/or a purification process, particularly preferably a chemically assisted photopurification, and/or
- - is used as an input for a correction process, wherein in the correction process an intensity distribution in the exit pupil and/or a uniformity curve over a field of the working radiation is preferably set by means of at least one compensator.
Von Vorteil ist es, dass hierdurch rechtzeitig Wartungsaktivitäten, ein erhöhter Spülfluss in einer Nähe des optischen Elements, eine Leckageursachensuche und/oder eine Kontaminationsursachensuche und/oder andere Aktivitäten begonnen werden können, welche das Lithografiesystem innerhalb seiner Spezifikation erhalten oder in einen Bereich der Spezifikationen zurückverbringen.It is advantageous that maintenance activities, an increased flushing flow in the vicinity of the optical element, a search for the cause of leakage and/or a search for the cause of contamination and/or other activities can be started in a timely manner, which maintain the lithography system within its specification or bring it back into a range of the specifications .
Es kann vorgesehen sein, dass mittels mehrerer örtlich verschiedener Beugungsstrukturen (örtlich verschiedener diffraktiver Elemente) eine Ausbreitung einer Kontamination verfolgt und eine Spur zu einer Verunreinigungsquelle zurückverfolgt werden kann.It can be provided that by means of several locally different diffraction structures (locally different diffractive elements) the spread of a contamination can be tracked and a trace can be traced back to a source of contamination.
Es kann vorgesehen sein, dass ein beispielsweise in Wartungspausen in das Lithografiesystem eindringendes Wasser, welches an die wenigstens eine Beugungsstruktur angelagert wird und beispielsweise durch ein Aufquellen einer Veränderung geometrischer Kenngrößen oder eines Brechungsindex hervorrufen und eine spezifische Veränderung der gebeugten Messstrahlung bewirkt, detektiert wird.It can be provided that water penetrating into the lithography system, for example during maintenance breaks, which is attached to the at least one diffraction structure and causes a change in geometric parameters or a refractive index, for example by swelling, and causes a specific change in the diffracted measurement radiation, is detected.
Hierdurch können dann mittels der interferometrischen Vermessung der Messstrahlung Informationen über einen zeitabhängigen Wassergehalt innerhalb des Lithografiesystems gewonnen werden, auch wenn der Wassergehalt in einem späteren Betrieb des Lithografiesystems abgesenkt wird bzw. das Wasser abgegeben wird. Hierdurch lässt sich ein Feuchtigkeitsgehalt von Klebstoffen in der Nähe der Beugungsstruktur abschätzen, welcher beispielsweise an Buchsen Verspannungen hervorrufen kann.As a result, information about a time-dependent water content within the lithography system can then be obtained by means of the interferometric measurement of the measuring radiation, even if the water content is reduced or the water is released in a later operation of the lithography system. This makes it possible to estimate the moisture content of adhesives in the vicinity of the diffraction structure, which can cause tension in sockets, for example.
Im Rahmen der Erfindung kann als eine Eigenschaft des wenigstens einen optischen Elements auch eine Dichte und/oder eine Zusammensetzung von Gasen in der Umgebung des optischen Elements betrachtet werden, da diese auf die optischen Eigenschaften des optischen Elements Einfluss nehmen.Within the scope of the invention, a density and/or a composition of gases in the vicinity of the optical element can also be considered as a property of the at least one optical element, since these influence the optical properties of the optical element.
Die Dichte und/oder die Zusammensetzung der Gase zwischen verschiedenen optischen Elementen und/oder zwischen dem optischen Element und der Detektoreinrichtung kann sich während eines Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage ändern. Dies kann beispielsweise eine Entfernungsänderung zwischen dem optischen Element und der Detektoreinrichtung vortäuschen.The density and/or the composition of the gases between different optical elements and/or between the optical element and the detector device can change during operation of the projection exposure system. This can, for example, simulate a change in distance between the optical element and the detector device.
Es kann vorgesehen sein, dass zwischen echten Lageunterschieden und gasinduzierten Signalen unterschieden wird, indem eine gegenseitige Kalibrierung durchgeführt wird. Insbesondere kann bei der gegenseitigen Kalibrierung die Beugungsstruktur mehrere Wellen generieren, die sich vorzugsweise mit unterschiedlichen Winkeln und/oder auf unterschiedlichen Längen durch Abschnitte bzw. Bereiche der umgebenden Atmosphäre derart ausbreiten, dass eine redundante Information bezüglich der Lageunterschiede erfasst werden kann. Unterschiede in solchen redundanten Informationsflüssen können dann zur Kalibrierung herangezogen werden.It can be provided that a distinction is made between real position differences and gas-induced signals by carrying out a mutual calibration. In particular, during mutual calibration, the diffraction structure can generate several waves, which preferably propagate at different angles and/or at different lengths through sections or areas of the surrounding atmosphere in such a way that redundant information regarding the position differences can be recorded. Differences in such redundant information flows can then be used for calibration.
Von besonderem Vorteil ist eine derartige Detektion von Dichtefluktuationen in DUV-(Deep-Ultra-Violett-) Projektionsbelichtungsanlagen, während in Vakuumsystemen von EUV-Projektionsbelichtungsanlagen typische Dichteänderungen unter Umständen zu gering sind, um detektiert zu werden.Such detection of density fluctuations is particularly advantageous in DUV (deep ultraviolet) projection exposure systems, while in vacuum systems of EUV projection exposure systems, typical density changes may be too small to be detected.
Es kann vorgesehen sein, dass eine ein Zinn aufweisende Kontamination detektiert wird.It can be provided that a contamination containing tin is detected.
Auch in Vakuumsystemen von EUV-Projektionsbelichtungsanlagen können singuläre Ereignisse stattfinden, bei welchen Material in einen Strahlengang der Messstrahlung transportiert wird. Unter Umständen kann sich in seltenen Fällen Zinn ausgehend von einer Laser-Plasma-Quelle der EUV-Projektionsbelichtungsanlage bis in ein Projektionssystem bewegen. Hierbei kann das Zinn insbesondere in Gasform vorliegen.Even in vacuum systems of EUV projection exposure systems, singular events can take place in which material is transported into a beam path of the measuring radiation. In rare cases, tin can move from a laser plasma source of the EUV projection exposure system into a projection system. The tin can be present in particular in gas form.
Es kann vorgesehen sein, dass die Messstrahlung eine Wellenlänge aufweist, welche von Zinn, insbesondere gasförmigem Zinn, stark absorbiert wird und/oder bei welcher Zinn, insbesondere gasförmiges Zinn, eine hohe Brechzahl aufweist. Hierbei können beide Phänomene in Kombination auftreten.It can be provided that the measuring radiation has a wavelength which is strongly absorbed by tin, in particular gaseous tin, and/or at which tin, in particular gaseous tin, has a high refractive index. Both phenomena can occur in combination.
Durch eine derartige auf die spektralen Eigenschaften von Zinn ausgerichtete Messstrahlung kann ein Nachweis eines solchen zeitlich eng befristeten Ereignisses erbracht werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass auf einer Spektrallinie von Zinn gemessen wird. Vorzugsweise kann vorgesehen sein, dass die Messstrahlung Wellenlängen in einem UV-Bereich, insbesondere von 224 bis 225, 235 bis 236 und 286 bis 287 nm aufweist.Such a measurement radiation aimed at the spectral properties of tin can provide evidence of such a short-term event. In particular, it can be provided that measurements are taken on a spectral line of tin. It can preferably be provided that the measuring radiation has wavelengths in a UV range, in particular from 224 to 225, 235 to 236 and 286 to 287 nm.
Ebenso kann vorgesehen sein, dass der Spektralbereich der verwendeten Messstrahlung auf nachzuweisende bzw. zu detektierende Materialien angepasst ist. Insbesondere kann der Spektralbereich der Messstrahlung auf sogenannte HIO-Materialien angepasst sein, wobei die Messwellenlänge an deren spezifische Spektrallinien anzupassen ist.It can also be provided that the spectral range of the measuring radiation used is adapted to the materials to be detected or detected. In particular, the spectral range of the measurement radiation can be adapted to so-called HIO materials, with the measurement wavelength being adapted to their specific spectral lines.
Die Erfindung betrifft ferner ein Lithografiesystem mit den in Anspruch 10 genannten Merkmalen.The invention further relates to a lithography system with the features mentioned in
Das erfindungsgemäße Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterindustrie umfasst wenigstens ein optisches Element, besonders bevorzugt einen Spiegel, wobei das wenigstens eine optische Element einen Elementkörper sowie eine optische Oberfläche zur Beeinflussung einer Arbeitsstrahlung aufweist. Erfindungsgemäß ist eine Vorrichtung zur Bestimmung wenigstens einer Eigenschaft des wenigstens einen optischen Elements während eines Belichtungsbetriebs des Lithografiesystems mit der Arbeitsstrahlung vorgesehen. Hierbei weist die Vorrichtung eine Messstrahlungsquelle zur Erzeugung einer Messstrahlung und eine Detektoreinrichtung zur interferometrischen Vermessung der Messstrahlung auf. Ferner weist der Elementkörper wenigstens eine Beugungsstruktur zur Beugung der Messstrahlung auf. Alternativ oder zusätzlich ist das Lithografiesystem mittels des vorbeschriebenen erfindungsgemäßen Verfahrens oder einer seiner vorteilhaften Ausführungsformen betrieben.The lithography system according to the invention, in particular a projection exposure system for the semiconductor industry, comprises at least one optical element, particularly preferably a mirror, wherein the at least one optical element has an element body and an optical surface for influencing a working radiation. According to the invention, a device is provided for determining at least one property of the at least one optical element during an exposure operation of the lithography system with the working radiation. Here, the device has a measuring radiation source for generating measuring radiation and a detector device for interferometric measurement of the measuring radiation. Furthermore, the element body has at least one diffraction structure for diffraction of the measurement radiation. Alternatively or additionally, the lithography system is operated using the method according to the invention described above or one of its advantageous embodiments.
Mittels des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann beispielsweise analysiert werden, welcher Spiegel eine signifikante Veränderung erfahren hat, die wiederum eine Ursache für einen Performanceverlust darstellen kann. Mithin weist das erfindungsgemäße Lithografiesystem eine In-Situ-Messtechnik auf. Bei dem erfindungsgemäßen Lithografiesystem kann über eine Lageinformation hinaus ferner eine Aussage über eine Kontamination, eine thermische Substratbelastung und/oder eine Brechzahlschwankung in einer Umgebung des optischen Elements getroffen werden.Using the lithography system according to the invention, it is possible, for example, to analyze which mirror has undergone a significant change, which in turn can be a cause of a loss of performance. The lithography system according to the invention therefore has an in-situ measurement technology. In the lithography system according to the invention, in addition to position information, a statement can also be made about contamination, thermal substrate loading and/or a refractive index fluctuation in an environment of the optical element.
Bei dem erfindungsgemäßen Lithografiesystem werden anstelle der aus dem Stand der Technik bekannten spiegelnden Strukturen Beugungsstrukturen, insbesondere computergenerierte Hologramme an dem optischen Element angeordnet. Die wenigstens eine Beugungsstruktur kann in ihrer geometrischen Form als sehr dünne plane Struktur ausgebildet sein. Dies ermöglicht die Einsparung von Bauraum senkrecht zu dem optischen Element.In the lithography system according to the invention, instead of the reflective structures known from the prior art, diffraction structures, in particular computer-generated holograms, are arranged on the optical element. The geometric shape of the at least one diffraction structure can be designed as a very thin, planar structure. This makes it possible to save installation space perpendicular to the optical element.
Es kann vorgesehen sein, dass die Detektoreinrichtung ladungsgekoppelte Bauteile bzw. CCDs und/oder positionssensitive Detektoren bzw. PSDs und/oder spezielle Diodenarrays aufweist.It can be provided that the detector device has charge-coupled components or CCDs and/or position-sensitive detectors or PSDs and/or special diode arrays.
Es kann vorgesehen sein, dass entlang eines Strahlengangs der Messstrahlung vor der Detektoreinrichtung eine Messstrahlbeeinflussungseinrichtung angeordnet ist. Die Messstrahlbeeinflussungseinrichtung kann vorzugsweise eine oder mehrere LambdaViertel-Platten und/oder eine oder mehrere Lambda-Halbe-Platten und/oder einen oder mehrere optische Wellenlängenfilter und/oder einen oder mehrere Szintillatoren und/oder einen oder mehrere Pockelszellen aufweisen. Ferner kann die Messstrahlbeeinflussungseinrichtung zur Modulierung einer Phase, einer Polarisation und/oder einer Intensität der Messstrahlung eingerichtet sein.It can be provided that a measuring beam influencing device is arranged along a beam path of the measuring radiation in front of the detector device. The measuring beam influencing device can preferably have one or more lambda quarter plates and/or one or more lambda half plates and/or one or more optical wavelength filters and/or one or more scintillators and/or one or more Pockels cells. Furthermore, the measuring beam influencing device can be set up to modulate a phase, a polarization and/or an intensity of the measuring radiation.
Es kann vorgesehen sein, dass das erfindungsgemäße Lithografiesystem an ein Datennetzwerk gemäß eines Industrie 4.0 - Standards angebunden ist. Hierzu kann insbesondere vorgesehen sein, dass die Detektoreinrichtung mit einem digitalen Ausgang, d. h. mit einem integrierten Eingangs-/Ausgangs-Verbindungsstück bzw. einem IO-Link, versehen ist.It can be provided that the lithography system according to the invention is connected to a data network according to an Industry 4.0 standard. For this purpose, it can be provided in particular that the detector device has a digital output, i.e. H. is provided with an integrated input/output connector or an IO-Link.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass eine Wellenlänge der Messstrahlung von einer Wellenlänge der Arbeitsstrahlung, insbesondere einer Betriebswellenlänge des optischen Elementes abweicht und/oder die Messstrahlung eine Wellenlänge und/oder ein Wellenlängenbereich nahe einer Spektrallinie von Zinn oder einer Silizium-Wasserstoffverbindung aufweist.In an advantageous development of the lithography system according to the invention, it can be provided that a wavelength of the measuring radiation deviates from a wavelength of the working radiation, in particular an operating wavelength of the optical element, and/or the measuring radiation has a wavelength and/or a wavelength range close to a spectral line of tin or a silicon Has hydrogen compound.
Eine von der Wellenlänge der Arbeitsstrahlung abweichende Wellenlänge der Messstrahlung hat den Vorteil, dass hierdurch gezielt Kontaminationen wie beispielsweise Zinn- oder Silizium-Wasserstoffverbindungen anhand deren Absorption detektiert und nachgewiesen werden können.A wavelength of the measuring radiation that deviates from the wavelength of the working radiation has the advantage that contamination such as tin or silicon-hydrogen compounds can be specifically detected and detected based on their absorption.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass
- - die Beugungsstruktur eine auf die Beugungsstruktur einfallende ebene Welle der Messstrahlung in eine auslaufende Kugelwelle beugt und/oder
- - die Beugungsstruktur eine auf die Beugungsstruktur einfallende ebene Welle der Messstrahlung in eine ebene Welle beugt, deren Richtung von einer Fresnelschen Reflexionsrichtung bezüglich einer Flächennormalen des optischen Elements an einem Ort der Beugungsstruktur verschieden ist.
- - the diffraction structure diffracts a plane wave of the measurement radiation incident on the diffraction structure into an outgoing spherical wave and/or
- - the diffraction structure diffracts a plane wave of the measurement radiation incident on the diffraction structure into a plane wave whose direction is different from a Fresnel reflection direction with respect to a surface normal of the optical element at a location of the diffraction structure.
Es ist von Vorteil, wenn die wenigstens eine Beugungsstruktur, insbesondere das CGH, dazu eingerichtet ist, eine einfallende ebene optische Welle der Messstrahlung je nach Ausführung wählbar in eine Kugelwelle, eine oder mehrere ebene Wellen abweichender Richtungen und/oder auch komplexere Wellenformen bzw. Wellenfronten umzuformen.It is advantageous if the at least one diffraction structure, in particular the CGH, is set up to convert an incident plane optical wave of the measurement radiation into a spherical wave, one or more plane waves of different directions and/or more complex waveforms or wavefronts, depending on the design to transform.
Dies ermöglicht es, in gewohnter Weise Lage- und Orientierungsinformationen des optischen Elements zu gewinnen.This makes it possible to obtain position and orientation information of the optical element in the usual way.
Es kann vorgesehen sein, dass die Beugungsstruktur mehrere unterschiedliche Teilstrukturen mit jeweils unterschiedlicher Funktionalität aufweist. Vorzugsweise kann vorgesehen sein, dass aneinandergrenzende Rechteckgebiete mit jeweils einheitlicher Funktionalität insgesamt einen Gesamtbereich der Beugungsstruktur bilden. Hierbei können die Einzelbereiche auf eine Messung je eines mechanischen Freiheitsgrades des optischen Elements hin optimiert werden bzw. sein.It can be provided that the diffraction structure has several different substructures, each with different functionality. Preferably, it can be provided that adjacent rectangular areas, each with uniform functionality, form a total area of the diffraction structure. The individual areas can be optimized to measure a mechanical degree of freedom of the optical element.
Vorzugsweise kann vorgesehen sein, dass unterschiedlich orientierte, gruppierte Linien zur Beugung der Messstrahlung in verschiedene Richtungen eingerichtet sind. Hierdurch reagieren die unterschiedlich orientierten, gruppierten Linien spezifisch auf Orientierungsänderungen des optischen Elements, insbesondere in einer senkrecht zu ihrer Orientierung ausgebildeten Komponente der Strahlrichtung des Messstrahls.Preferably, it can be provided that differently oriented, grouped lines are set up to diffract the measuring radiation in different directions. As a result, the differently oriented, grouped lines react specifically to changes in the orientation of the optical element, in particular in a component of the beam direction of the measuring beam that is perpendicular to their orientation.
Beugt die Beugungsstruktur die einfallende ebene Welle der Messstrahlung zu einer Kugelwelle, so können Abstandsinformationen hinsichtlich des optischen Elements gewonnen werden, da die Kugelwelle je nach Abstand in einem Fokus oder aber defokussiert auf die fest positionierte Detektoreinrichtung trifft.If the diffraction structure diffracts the incident plane wave of the measurement radiation into a spherical wave, distance information regarding the optical element can be obtained since, depending on the distance, the spherical wave hits the fixedly positioned detector device in a focus or defocused.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass die Beugungsstruktur aus wenigstens zwei, vorzugsweise mehr als zwei, Gitterstrukturen ausgebildet ist, wobei die Gitterstrukturen jeweils eine unterschiedliche Orientierung oder/und eine unterschiedliche Periode aufweisen.In an advantageous development of the lithography system according to the invention, it can be provided that the diffraction structure is formed from at least two, preferably more than two, lattice structures, the lattice structures each having a different orientation and/or a different period.
Die vorbeschriebenen unterschiedlich orientierten, gruppierten Linien können vorteilhafterweise als Gitterstrukturen unterschiedlicher Orientierungen und unterschiedlicher Periode der Beugungsstruktur realisiert sein.The differently oriented, grouped lines described above can advantageously be realized as grating structures of different orientations and different periods of the diffraction structure.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass
- - die Beugungsstruktur direkt in ein optisches Substrat des Elementkörpers eingearbeitet bzw. integriert ist, und/oder
- - die Beugungsstruktur über ein stoffschlüssiges Verbinden, vorzugsweise ein
- - the diffraction structure is incorporated or integrated directly into an optical substrate of the element body, and/or
- - the diffraction structure via a cohesive connection, preferably one
Ein direktes Einarbeiten der Beugungsstruktur in ein Substrat des Bauteils bzw. des optischen Elements oder ein Anfügen über einen Fügeprozess wie Kleben oder Anspringen hat den Vorteil, dass hierdurch die Beugungsstruktur keine oder lediglich geringe Veränderungen an einer Außenkontur des optischen Elements bewirkt.Directly incorporating the diffraction structure into a substrate of the component or the optical element or attaching it via a joining process such as gluing or snap-on has the advantage that the diffraction structure causes little or no changes to an outer contour of the optical element.
Insbesondere bei einer Anbringung eines Hilfsmaterials mit einer angepassten Formgebung, insbesondere einer Keil- oder Bogenform, ist eine Anfügung der Beugungsstruktur über den Fügeprozess von Vorteil, da in diesem Fall die Beugungsstruktur nicht direkt in das optische Element integriert ist.Particularly when attaching an auxiliary material with an adapted shape, in particular a wedge or arch shape, adding the diffraction structure via the joining process is advantageous, since in this case the diffraction structure is not integrated directly into the optical element.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass
- - zwei oder mehr als computergenerierte Hologramme ausgebildete und die Messstrahlung in sich selbst zurückreflektierende Beugungsstrukturen voneinander beabstandet an dem Elementkörper angeordnet sind, und/oder
- - eine als computergeneriertes Hologramm ausgebildete Aufspaltungseinrichtung die einfallende Messstrahlung teilweise auf die wenigstens zwei Beugungsstrukturen aufspaltet und teilweise die Messstrahlung in sich selbst zurückreflektiert, wobei
- - die Aufspaltungseinrichtung mehrere Abschnitte aufweist, um die einfallende Messstrahlung auf die Beugungsstrukturen aufzuspalten.
- - two or more diffraction structures designed as computer-generated holograms and reflecting the measuring radiation back into themselves are arranged at a distance from one another on the element body, and / or
- - a splitting device designed as a computer-generated hologram partially splits the incident measuring radiation into the at least two diffraction structures and partially reflects the measuring radiation back into itself, whereby
- - the splitting device has several sections in order to split the incident measuring radiation onto the diffraction structures.
Sind mehrere Beugungsstrukturen vorgesehen, so können auch Lageinformationen und Orientierungsinformationen hinsichtlich des optischen Elements erfasst werden.If several diffraction structures are provided, position information and orientation information regarding the optical element can also be recorded.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Bestimmung wenigstens einer Eigenschaft eines optischen Elements.The invention further relates to a device for determining at least one property of an optical element.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Bestimmung wenigstens einer Eigenschaft eines optischen Element eines Lithografiesystems während eines Belichtungsbetriebs des Lithografiesystems mit einer Arbeitsstrahlung weist das optische Element einen Elementkörper und wenigstens eine an dem Elementkörper angeordnete optische Oberfläche zur Beeinflussung der Arbeitsstrahlung auf. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass
- - eine Messstrahlungsquelle zur Erzeugung einer Messstrahlung vorhanden ist, und
- - der Elementkörper wenigstens eine Beugungsstruktur zur Beugung der Messstrahlung aufweist, und
- - eine Detektoreinrichtung zur interferometrischen Vermessung der Messstrahlung vorhanden ist.
- - a measurement radiation source for generating measurement radiation is present, and
- - the element body has at least one diffraction structure for diffraction of the measuring radiation, and
- - A detector device for interferometric measurement of the measuring radiation is present.
Von Vorteil kann eine Ausführungsform der Vorrichtung sein, bei der die Messstrahlung eine Wellenlänge und/oder einen Wellenlängenbereich nahe einer Spektrallinie von Zinn oder einer Silizium-Wasserstoffverbindung aufweist. Hierdurch wird es ermöglicht, die Gegenwart entsprechenden Materials im Messstrahlengang mit hoher Empfindlichkeit zu registrieren.An embodiment of the device in which the measuring radiation has a wavelength and/or a wavelength range close to a spectral line of tin or a silicon-hydrogen compound can be advantageous. This makes it possible to register the presence of corresponding material in the measuring beam path with high sensitivity.
Die Erfindung betrifft außerdem ein optisches Element für die optische Halbleiterlithographie.The invention also relates to an optical element for optical semiconductor lithography.
Das erfindungsgemäße optische Element für die optische Halbleiterlithographie, ganz besonders als Bestandteil eines Lithografieprojektionsobjektives, weist einen Elementkörper und wenigstens eine an dem Elementkörper angeordnete optische Oberfläche zur Beeinflussung einer Arbeitsstrahlung auf. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Elementkörper wenigstens eine Beugungsstruktur zur Beugung einer von der Arbeitsstrahlung verschiedenen Messstrahlung aufweist.The optical element according to the invention for optical semiconductor lithography, particularly as a component of a lithography projection lens, has an element body and at least one optical surface arranged on the element body for influencing working radiation. According to the invention it is provided that the element body has at least one diffraction structure for diffraction of a measurement radiation that is different from the working radiation.
Von Vorteil kann es sein, wenn vorgesehen ist, dass das optische Element ein Spiegel eines EUV-Projektionsobjektives, ein Spiegel eines DUV-Projektionsobjektives oder eine Linse eines DUV-Projektionsobjektives ist, wobei die Beugungsstruktur vorzugsweise außerhalb der optischen Oberfläche, besonders bevorzugt außerhalb eines durch die Arbeitsstrahlung optisch genutzten Fußabdrucks, liegt.It can be advantageous if it is provided that the optical element is a mirror of an EUV projection lens, a mirror of a DUV projection lens or a lens of a DUV projection lens, with the diffraction structure preferably outside the optical surface, particularly preferably outside of a through the working radiation of the optically used footprint lies.
Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die Messstrahlung eine Wellenlänge von 13,5 nm und/oder von weniger als 8 nm aufweist.In particular, it can be provided that the measurement radiation has a wavelength of 13.5 nm and/or less than 8 nm.
Es kann ferner vorgesehen sein, dass die Beugungsstruktur direkt in ein optisches Substrat des Elementkörpers eingearbeitet bzw. integriert ist. Hierdurch kann die Anwendung eines Fügeverfahrens zur Integration der Beugungsstruktur vermieden werden.It can further be provided that the diffraction structure is incorporated or integrated directly into an optical substrate of the element body. This allows the use of a joining process to integrate the diffraction structure to be avoided.
Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass die Beugungsstruktur über ein Kleben oder Ansprengen mit dem optischen Element verbunden ist, wobei ihre Oberfläche vorzugsweise weniger als 10 mm über die Höhe einer umgebenden Region auf dem optischen Element hinausragt.Alternatively or additionally, it can be provided that the diffraction structure is connected to the optical element via gluing or blasting, with its surface preferably protruding less than 10 mm above the height of a surrounding region on the optical element.
Das optische Element kann sich unter anderem dadurch auszeichnen, dass in diesem eine beugende Struktur ausgebildet ist oder an diesem eine beugende Struktur angeordnet ist. Die beugende Struktur ist insbesondere ein diffraktives optisches Element, insbesondere eine CGH. Durch die Verwendung der beugenden Struktur (insbesondere in einem interferometrischen Aufbau) sind Informationen über das optische Element bzw. dessen Eigenschaften ermittelbar.The optical element can be characterized, among other things, by the fact that a diffractive structure is formed in it or a diffractive structure is arranged on it. The diffractive structure is in particular a diffractive optical element, in particular a CGH. By using the diffractive structure (particularly in an interferometric setup), information about the optical element or its properties can be determined.
Die Erfindung eignet sich insbesondere auch zur Betriebsüberwachung eines Lithografiesystems und/oder zur Justage der optischen Elemente eines Lithografiesystems. Es lassen sich insbesondere Spiegelpositionen und/oder Kontaminationen in einem Lithografiesystem, insbesondere auch während des Betriebs des Lithografiesystems überwachen.The invention is particularly suitable for monitoring the operation of a lithography system and/or for adjusting the optical elements of a lithography system. In particular, mirror positions and/or contamination in a lithography system can be monitored, in particular also during operation of the lithography system.
An dieser Stelle sei auch ein Verfahren zu Herstellung eines Computerchips unter Verwendung eines Lithografiesystems offenbart, welches gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren durchgeführt wird.At this point, a method for producing a computer chip using a lithography system is also disclosed, which is carried out according to the method according to the invention.
Merkmale, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung, namentlich gegeben durch das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems, das erfindungsgemäße Lithografiesystem, die erfindungsgemäße Vorrichtung, das erfindungsgemäße optische Element oder das Verfahren zur Herstellung eines Computerchips, beschrieben wurden, sind auch für die anderen Gegenstände der Erfindung vorteilhaft umsetzbar. Ebenso können Vorteile, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung genannt wurden, auch auf die anderen Gegenstände der Erfindung bezogen verstanden werden.Features that have been described in connection with one of the subjects of the invention, namely given by the method according to the invention for operating a lithography system, the lithography system according to the invention, the device according to the invention, the optical element according to the invention or the method for producing a computer chip, are also applicable to the other objects of the invention can be advantageously implemented. Likewise, advantages that were mentioned in connection with one of the objects of the invention can also be understood in relation to the other objects of the invention.
Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass Begriffe wie „umfassend“, „aufweisend“ oder „mit“ keine anderen Merkmale oder Schritte ausschließen. Ferner schließen Begriffe wie „ein“ oder „das“, die auf eine Einzahl von Schritten oder Merkmalen hinweisen, keine Mehrzahl von Merkmalen oder Schritten aus - und umgekehrt.In addition, it should be noted that terms such as “comprising”, “having” or “with” do not exclude other features or steps. Furthermore, terms such as “a” or “the”, which indicate a singular number of steps or features, do not exclude a plurality of features or steps - and vice versa.
In einer puristischen Ausführungsform der Erfindung kann allerdings auch vorgesehen sein, dass die in der Erfindung mit den Begriffen „umfassend“, „aufweisend“ oder „mit“ eingeführten Merkmale abschließend aufgezählt sind. Dementsprechend kann eine oder können mehrere Aufzählungen von Merkmalen im Rahmen der Erfindung als abgeschlossen betrachtet werden, beispielsweise jeweils für jeden Anspruch betrachtet. Die Erfindung kann beispielsweise ausschließlich aus den in Anspruch 1 genannten Merkmalen bestehen.In a puristic embodiment of the invention, however, it can also be provided that the features introduced in the invention with the terms “comprising”, “having” or “with” are listed conclusively. Accordingly, one or more lists of features may be considered complete within the scope of the invention, for example considered for each claim. The invention can, for example, consist exclusively of the features mentioned in
Es sei erwähnt, dass Bezeichnungen wie „erstes“ oder „zweites“ etc. vornehmlich aus Gründen der Unterscheidbarkeit von jeweiligen Vorrichtungs- oder Verfahrensmerkmalen verwendet werden und nicht unbedingt andeuten sollen, dass sich Merkmale gegenseitig bedingen oder miteinander in Beziehung stehen.It should be mentioned that terms such as “first” or “second” etc. are used primarily for reasons of distinguishing between respective device or method features and are not necessarily intended to indicate that features are mutually dependent or related to one another.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben.Exemplary embodiments of the invention are described in more detail below with reference to the drawing.
Die Figuren zeigen jeweils bevorzugte Ausführungsbeispiele, in denen einzelne Merkmale der vorliegenden Erfindung in Kombination miteinander dargestellt sind. Merkmale eines Ausführungsbeispiels sind auch losgelöst von den anderen Merkmalen des gleichen Ausführungsbeispiels umsetzbar und können dementsprechend von einem Fachmann ohne Weiteres zu weiteren sinnvollen Kombinationen und Unterkombinationen mit Merkmalen anderer Ausführungsbeispiele verbunden werden.The figures each show preferred exemplary embodiments in which individual features of the present invention are shown in combination with one another. Features of one exemplary embodiment can also be implemented separately from the other features of the same exemplary embodiment and can accordingly be easily combined by a person skilled in the art to form further sensible combinations and sub-combinations with features of other exemplary embodiments.
In den Figuren sind funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen.In the figures, functionally identical elements are provided with the same reference numbers.
Es zeigen:
-
1 eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage im Meridionalschnitt; -
2 eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage; -
3 eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform einer Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; -
4 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; -
5 eine blockdiagrammmäßige Darstellung einer möglichen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; -
6 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; -
7 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; -
8 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; -
9 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems; und -
10 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der Vorrichtung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems.
-
1 an EUV projection exposure system in meridional section; -
2 a DUV projection exposure system; -
3 a schematic representation of a possible embodiment of a device of the lithography system according to the invention; -
4 a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention; -
5 a block diagram representation of a possible embodiment of the method according to the invention; -
6 a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention; -
7 a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention; -
8th a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention; -
9 a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention; and -
10 a schematic representation of a further possible embodiment of the device of the lithography system according to the invention.
Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf
Ein Beleuchtungssystem 101 der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 weist neben einer Strahlungsquelle 102 eine Beleuchtungsoptik 103 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 104 in einer Objektebene 105 auf. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 104 angeordnetes Retikel 106. Das Retikel 106 ist von einem Retikelhalter 107 gehalten. Der Retikelhalter 107 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 108 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.An
In
Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst eine Projektionsoptik 109. Die Projektionsoptik 109 dient zur Abbildung des Objektfeldes 104 in ein Bildfeld 110 in einer Bildebene 111. Die Bildebene 111 verläuft parallel zur Objektebene 105. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111 möglich.The EUV
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 106 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 110 in der Bildebene 111 angeordneten Wafers 112. Der Wafer 112 wird von einem Waferhalter 113 gehalten. Der Waferhalter 113 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 114 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 106 über den Retikelverlagerungsantrieb 108 und andererseits des Wafers 112 über den Waferverlagerungsantrieb 114 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the
Bei der Strahlungsquelle 102 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 102 emittiert eine Arbeitsstrahlung 115, insbesondere eine EUV-Strahlung 115, welche im Folgen-den auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Projektionsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 115 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle („Laser Produced Plasma“, mithilfe einer Laserstrahlungsquelle erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle („Gas Discharged Produced Plasma“, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln.The
Die Beleuchtungsstrahlung 115, die von der Strahlungsquelle 102 ausgeht, wird von einem Kollektor 116 gebündelt. Bei dem Kollektor 116 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 116 kann im streifenden Einfall („Grazing Incidence“, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall („Normal Incidence“, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 115 beaufschlagt werden. Der Kollektor 116 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung 115 und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The
Nach dem Kollektor 116 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 115 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 117. Die Zwischenfokusebene 117 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 102 und den Kollektor 116, und der Beleuchtungsoptik 103 darstellen.After the
Die Beleuchtungsoptik 103 umfasst einen Umlenkspiegel 118 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 119. Bei dem Umlenkspiegel 118 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 118 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 115 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 119 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, die zur Objektebene 105 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 119 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 120, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 120 sind in der
Die ersten Facetten 120 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 120 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The
Wie beispielsweise aus der
Zwischen dem Kollektor 116 und dem Umlenkspiegel 118 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 115 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 ist dem ersten Facettenspiegel 119 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 121. Sofern der zweite Facettenspiegel 121 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 121 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 119 und dem zweiten Facettenspiegel 121 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
Der zweite Facettenspiegel 121 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 122. Die zweiten Facetten 122 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The
Bei den zweiten Facetten 122 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
Die zweiten Facetten 122 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The
Die Beleuchtungsoptik 103 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Fliegenaugeintegrator („Fly's Eye Integrator“) bezeichnet.The
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 121 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 109 optisch konjugiert ist, anzuordnen.It may be advantageous not to arrange the
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 121 werden die einzelnen ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 121 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 115 im Strahlengang vor dem Objektfeld 104.With the help of the
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Objektfeld 104 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, „Normal Incidence“-Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, „Gracing Incidence“-Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the
Die Beleuchtungsoptik 103 hat bei der Ausführung, die in der
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann der Umlenkspiegel 118 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 103 nach dem Kollektor 116 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 119 und den zweiten Facettenspiegel 121.In a further embodiment of the
Die Abbildung der ersten Facetten 120 mittels der zweiten Facetten 122 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 122 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 105 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The image of the
Die Projektionsoptik 109 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 durchnummeriert sind.The
Bei dem in der
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 103, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 115 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the
Die Projektionsoptik 109 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 104 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 110. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111.The
Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 109 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The
Die Projektionsoptik 109 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The
Die Projektionsoptik 109 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Image scales of the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 104 und dem Bildfeld 110 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 109, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der
Jeweils eine der Pupillenfacetten 122 ist genau einer der Feldfacetten 120 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 120 in eine Vielzahl an Objektfeldern 104 zerlegt. Die Feldfacetten 120 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 122.One of the
Die Feldfacetten 120 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 122 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 auf das Retikel 106 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 104 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2% auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.The illumination of the entrance pupil of the
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 103 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 104 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the
Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 121 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 109, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 121 telezentrisch auf den Wafer 112 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 109 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Retikel 106 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Bauelements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It may be that the
Bei der in der
Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 121 definiert ist.The
In
Alternativ oder ergänzend zu den dargestellten Linsen 207 können diverse refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elemente, unter anderem auch Spiegel, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen, vorgesehen sein.Alternatively or in addition to the
Das grundsätzliche Funktionsprinzip der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 sieht vor, dass die in das Retikel 203 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 204 abgebildet werden.The basic operating principle of the DUV
Das Beleuchtungssystem 201 stellt einen für die Abbildung des Retikels 203 auf den Wafer 204 benötigte Arbeitsstrahlung 210, insbesondere einen Projektionsstrahl 210 bzw. eine Projektionsstrahlung in Form elektromagnetischer Strahlung bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in dem Beleuchtungssystem 201 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 210 beim Auftreffen auf das Retikel 203 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The
Mittels des Projektionsstrahls 210 wird ein Bild des Retikels 203 erzeugt und von der Projektionsoptik 206 entsprechend verkleinert auf den Wafer 204 übertragen. Dabei können das Retikel 203 und der Wafer 204 synchron verfahren werden, so dass praktisch kontinuierlich während eines sogenannten Scanvorganges Bereiche des Retikels 203 auf entsprechende Bereiche des Wafers 204 abgebildet werden.Using the
Optional kann ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 207 und dem Wafer 204 durch ein flüssiges Medium ersetzt sein, welches einen Brechungsindex größer 1,0 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.Optionally, an air gap between the
Die Verwendung der Erfindung ist nicht auf den Einsatz in Projektionsbelichtungsanlagen 100, 200, insbesondere auch nicht mit dem beschriebenen Aufbau, beschränkt. Die Erfindung eignet sich für beliebige Lithografiesysteme, insbesondere jedoch für Projektionsbelichtungsanlagen, mit dem beschriebenen Aufbau. Die Erfindung eignet sich auch für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, welche eine geringere bildseitige numerische Apertur aufweisen als jene, die im Zusammenhang mit
Ferner zeigt
Bei der Arbeitsstrahlung 8 kann es sich insbesondere um die Arbeitsstrahlung 115, 210 der Projektionsbelichtungsanlage 100, 200 handeln. Die Vorrichtung 1 ist allerdings auch bei anderen Lithografiesystemen oder auch bei anderen optischen Systemen außerhalb des Lithografiebereichs einsetzbar.The working
Der in
In dem in
Die in
Bei dem in
Bei dem in
Bei dem in
Es kann vorgesehen sein, dass die Anzahl an Detektoreinrichtungen 5 der Anzahl der Messstrahlungsquellen 3 entspricht. Vorzugsweise sind jedoch weniger Messstrahlungsquellen 3 als Detektoreinrichtungen 5 vorgesehen, so dass jede Messstrahlungsquelle 3 Strahlen der Messstrahlung 4 für Detektoreinrichtungen 5 bereitstellt.It can be provided that the number of
Im Ausführungsbeispiel nach
Bei dem in
Ferner kann auch die Anzahl der verwendeten Messstrahlungsquellen 3 in Abhängigkeit von der gewählten Anzahl von Substrukturen und/oder in Abhängigkeit der zu detektierenden Kenngröße gewählt werden.Furthermore, the number of measuring
Bei dem in
Daher kann in dem in
In dem in
Bei dem Verfahren zum Betrieb des Lithografiesystems 100, 200 wird in einem Bestimmungsblock 50 wenigstens eine Eigenschaft des optischen Elements 2 des Lithografiesystems 100, 200 während eines Betriebs des Lithografiesystems 100, 200 bestimmt.In the method for operating the
In einem Beeinflussungsblock 51 wird mittels der an dem Elementkörper 6 des optischen Elements 2 angeordneten optischen Oberfläche 7 die Arbeitsstrahlung 8 beeinflusst. In einem Einstrahlungsblock 52 wird die Messstrahlung 4 auf die wenigstens eine an dem Elementkörper 6 angeordnete Beugungsstruktur 9 eingestrahlt. In einem Beugungsblock 53 wird die Messstrahlung 4 von der Beugungsstruktur 9 gebeugt. In einem Vermessungsblock 54 wird die Messstrahlung 4 interferometrisch vermessen.In an influencing
Im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 ist die Eigenschaft des wenigstens einen optischen Elements 2 vorzugsweise ein Abstand zwischen dem optischen Element 2 des Lithografiesystems 100, 200 und einer Sollposition des optischen Elements 2.Within the scope of the
Im Rahmen des Einstrahlungsblocks 52 wird die Beugungsstruktur 9 vorzugsweise mit einem Infrarotlicht mit einer Wellenlänge von weniger als 4000 nm, bevorzugt weniger als 200 nm, und/oder einem ultravioletten Licht mit einer Wellenlänge von mehr als 150 nm als Messstrahlung 4 beleuchtet.As part of the
Im Rahmen des Vermessungsblocks 54 erfolgt vorzugsweise eine interferometrische Überlagerung der Messstrahlung 4 mit einer Vergleichswelle oder mit einer in abweichender Ordnung gebeugten Welle der Messstrahlung 4 sowie eine Vermessung eines resultierenden Interferenzmusters.As part of the
Im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 wird mittels der Vermessung der von der Beugungsstruktur 9 gebeugten Messstrahlung 4 vorzugsweise eine Lageinformation des optischen Elements 2 ermittelt, wobei die Lageinformation zeitabhängig ist und/oder eine oder mehrere Schwingungszustände umfasst.As part of the
In einem Korrekturblock 55 wird die Lageinformation vorzugsweise als Eingabe für einen Korrekturprozess zur Ermittlung und/oder Einstellung einer Lageabweichung des optischen Elements 2 gegenüber der Sollposition verwendet.In a
Im Rahmen des Korrekturblocks 55 kann vorzugsweise ein Korrekturprozess wenigstens einer Aberrationsgröße in einer Abbildung der Arbeitsstrahlung 8 vorgesehen sein. Alternativ oder zusätzlich kann im Rahmen des Korrekturblocks 55 eine kompensierende Positionsänderung vorgesehen sein, welche durch die ermittelte Lageabweichung beeinflusst wird, wobei die Positionsänderung mittels der wenigstens einen an dem optischen Element 2 und/oder an einem Retikel 106,203 oder an anderen optischen Elementen 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207 eines optischen Systems 101, 201 angreifenden Manipulatoreinrichtung 12 (siehe
Alternativ oder zusätzlich kann im Rahmen des Korrekturblocks 55 eine aktive Kompensation und/oder eine Dämpfung eingebrachter Schwingungsanregungen durchgeführt werden.Alternatively or additionally, active compensation and/or damping of introduced vibration excitations can be carried out within the framework of the
Im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 wird in dem in
Hierbei wird die Temperaturinformation vorzugsweise als Eingangsinformation für einen im Rahmen des Korrekturblocks 55 vorgesehenen Korrekturprozess bezüglich einer Temperatur des optischen Elements 2 herangezogen.Here, the temperature information is preferably used as input information for a correction process regarding a temperature of the
Im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 kann vorzugsweise vorgesehen sein, dass zur Ermittlung der Temperaturinformation eine Intensitätsänderung eines auf das optische Element 2 einstrahlenden Vorheizers und/oder eine Temperaturänderung und/oder eine Flussratenänderung eines das optische Element 2 durchströmenden Fluids und/oder eine Variation eines Drucks eines das optische Element 2 umgebenden Gases erfasst wird.As part of the
Im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 ist in dem in
Eine Abschwächung bzw. Nachveränderung der Messstrahlung 4, welche durch eine Kontamination des optischen Elements 2 und/oder der Beugungsstruktur 9 bedingt ist, kann vorzugsweise in Versuchsreihen aufgenommen und einem Kontaminationsgrad entsprechend skaliert werden.An attenuation or subsequent change in the measuring
Da ein Ort der Beugungsstruktur sich in einer gleichen Atmosphäre wie das optische Element, insbesondere ein EUV-Spiegel, befindet, kann ein Kontaminationsgleichverhalten unterstellt werden. Ferner kann vorgesehen sein, dass in Versuchsreihen ein Kontaminationsgrad bis zu einer Anwendungsgrenze in Bezug zu der optischen Oberfläche 7 ermittelt wird.Since a location of the diffraction structure is in the same atmosphere as the optical element, in particular an EUV mirror, equal contamination behavior can be assumed. Furthermore, it can be provided that a degree of contamination up to an application limit is determined in relation to the
Es kann vorgesehen sein, dass im Rahmen des Bestimmungsblocks 50 Brechzahlschwankungen in einer das optische Element 2 umgebenden Atmosphäre ermittelt werden.It can be provided that as part of the
Brechzahlschwankungen verursachen prinzipiell eine Retardierung, welche mit einer geeigneten Detektoreinrichtung 5 detektiert werden kann. Hierzu kann insbesondere ein polarisierter Verlauf der Messstrahlung 4 vorgesehen sein.Fluctuations in the refractive index basically cause retardation, which can be detected with a
Bei dem in
Bei dem in
Insbesondere kann im Rahmen des Einstrahlungsblocks 52 vorgesehen sein, dass die Vielzahl von Beugungszonen von mindestens einem Laser bestrahlt wird und im Rahmen des Vermessungsblocks 54 unter Verwendung von einer Vielzahl von Sensoren der Detektoreinrichtung 5 vermessen wird. Hierbei wird die entsprechende Messgröße als Informationsträger erfasst. Insbesondere können pro optischem Messpfad mehrere Messgrößen erfasst werden.In particular, it can be provided within the framework of the
Das in
Der Aufbau des in
In dem in
Ferner ist in dem in
Eine Bewegung des optischen Elements 2, insbesondere eines Spiegels der Projektionsoptik 109, 206, relativ zu der Aufspaltungseinrichtung 13, welche vorzugsweise an einer Rahmeneinrichtung festgelegt bzw. verankert ist, resultiert in einer Veränderung einer Kavität zwischen der Aufspaltungseinrichtung 13 und der Beugungsstruktur 9. Hierdurch wird eine Veränderung eines Interferenzmusters bzw. Interferogramms in einer Ebene der Detektoreinrichtung 5 bewirkt.A movement of the
Bei dem in
In dem in
Hinsichtlich der weiteren Bezugszeichen sei auf die
Bei dem in
Die Aufspaltungseinrichtung 13 ist mithin multifunktional und in mehrere unabhängige Gebiete bzw. Abschnitte 15 zerteilt. Sie reflektiert die einlaufende Kugelwelle in sich zurück und transformiert die einlaufende Kugelwelle bei einem Durchtritt in eine Planwelle. Die Beugungsstrukturen 9 reflektieren die einlaufende Welle der Messstrahlung 4 in sich zurück.The
In dem in
Hinsichtlich der weiteren Bezugszeichen sei auf die
Bei dem in
Ferner ist eine Mikroskopoptik 16 bzw. ein Mikroskopobjektiv vorgesehen, welche die Messstrahlung 4, welche bei dem in
In dem in
Eine Dezentrierung des Kugelmittelpunkts relativ zu der Mikroskopoptik 16 kann in dem in
Das Kugelsegment kann auch als Vollkugel ausgebildet sein.The spherical segment can also be designed as a solid sphere.
Es kann vorzugsweise vorgesehen sein, dass drei Kugelsegmente an dem optischen Element 2 angeordnet sind (in
Durch das Vermessen von drei Kugelsegmenten können alle Starrkörperfreiheitsgrade des optischen Elements 2 vermessen werden.By measuring three spherical segments, all rigid body degrees of freedom of the
Es kann vorgesehen sein, dass die Mikroskopoptik 16 eine vorteilhaft hohe numerische Apertur aufweist, da eine Auflösung bei der interferometrischen Positionsmessung eines Kugelsegments von der numerischen Apertur der Mikroskopoptik 16 abhängt. Bei dem Kugelsegment gemäß der Ausführungsform in
Der Aufbau des Ausführungsbeispiels nach
Wie in dem in
Durch die Transformation der einlaufenden Kugelwelle der Messstrahlung 4 in eine auslaufende Kugelwelle der Messstrahlung 4 durch die Aufspaltungseinrichtung 13 wirkt die in
Bei dem in
Hinsichtlich der weiteren Bezugszeichen sei auf die
Der Aufbau des Ausführungsbeispiels nach
Bei dem in
BezugszeichenlisteReference symbol list
- 11
- Vorrichtungcontraption
- 22
- optisches Elementoptical element
- 33
- MessstrahlungsquelleMeasuring radiation source
- 44
- MessstrahlungMeasuring radiation
- 55
- DetektoreinrichtungDetector device
- 66
- ElementkörperElement body
- 77
- optische Oberflächeoptical surface
- 88th
- ArbeitsstrahlungWork radiation
- 99
- BeugungsstrukturDiffraction structure
- 1010
- StrahlteilerBeam splitter
- 1111
- SubstrukturSubstructure
- 1212
- ManipulatoreinrichtungManipulator device
- 1313
- AufspaltungseinrichtungSplitting device
- 1414
- ParabolspiegelParabolic mirror
- 1515
- AbschnittSection
- 1616
- MikroskopoptikMicroscope optics
- 1717
- Referenzspiegel Reference mirror
- 5050
- BestimmungsblockDetermination block
- 5151
- BeeinflussungsblockInfluence block
- 5252
- EinstrahlungsblockIrradiation block
- 5353
- BeugungsblockDiffraction block
- 5454
- VermessungsblockSurvey block
- 5555
- Korrekturblock Correction block
- 100100
- EUV-ProjektionsbelichtungsanlageEUV projection exposure system
- 101101
- BeleuchtungssystemLighting system
- 102102
- StrahlungsquelleRadiation source
- 103103
- BeleuchtungsoptikIllumination optics
- 104104
- ObjektfeldObject field
- 105105
- ObjektebeneObject level
- 106106
- RetikelReticule
- 107107
- RetikelhalterReticle holder
- 108108
- RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
- 109109
- ProjektionsoptikProjection optics
- 110110
- BildfeldImage field
- 111111
- BildebeneImage plane
- 112112
- Waferwafers
- 113113
- Waferhalterwafer holder
- 114114
- WaferverlagerungsantriebWafer displacement drive
- 115115
- ArbeitsstrahlungWork radiation
- 116116
- Kollektorcollector
- 117117
- ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
- 118118
- UmlenkspiegelDeflecting mirror
- 119119
- erster Facettenspiegel / Feldfacettenspiegelfirst facet mirror / field facet mirror
- 120120
- erste Facetten / Feldfacettenfirst facets / field facets
- 121121
- zweiter Facettenspiegel / Pupillenfacettenspiegelsecond facet mirror / pupil facet mirror
- 122122
- zweite Facetten / Pupillenfacettensecond facets / pupil facets
- 200200
- DUV-ProjektionsbelichtungsanlageDUV projection exposure system
- 201201
- BeleuchtungssystemLighting system
- 202202
- Retikelstagereticular days
- 203203
- RetikelReticule
- 204204
- Waferwafers
- 205205
- Waferhalterwafer holder
- 206206
- ProjektionsoptikProjection optics
- 207207
- Linselens
- 208208
- Fassungversion
- 209209
- ObjektivgehäuseLens housing
- 210210
- ArbeitsstrahlungWork radiation
- MiWed
- SpiegelMirror
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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- DE 102018221405 A1 [0013]DE 102018221405 A1 [0013]
- DE 102008009600 A1 [0129, 0133]DE 102008009600 A1 [0129, 0133]
- US 20060132747 A1 [0131]US 20060132747 A1 [0131]
- EP 1614008 B1 [0131]EP 1614008 B1 [0131]
- US 6573978 [0131]US 6573978 [0131]
- US 20180074303 A1 [0150]US 20180074303 A1 [0150]
Claims (15)
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Publications (1)
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-
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