DE102023201812A1

DE102023201812A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung

Info

Publication number: DE102023201812A1
Application number: DE102023201812.8A
Authority: DE
Inventors: Johann Dorn; Matthias Stepper; Markus Biegler; Laura Detenhoff; Jonathan Griebel
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-03-09
Filing date: 2023-02-28
Publication date: 2023-09-14

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Lösen einer Klebstoffverbindung (36) zwischen einer ersten (30) und einer zweiten Komponente (33) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithografie durch Erwärmen, wobei die Erwärmung eines in der Klebstoffverbindung (36) verwendeten Klebstoffs (39) in zwei Stufen ausgeführt wird. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung (40) zum Lösen einer Klebstoffverbindung (36) zwischen einer ersten (30) und einer zweiten (33) Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithografie mit einer Erwärmungsvorrichtung (41), wobei die Erwärmungsvorrichtung (41) mindestens eine der beiden Komponenten (30,33) zumindest bereichsweise vollständig umschließt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung, insbesondere einer Klebstoffverbindung zwischen zwei Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie.
In Projektionsbelichtungsanlagen werden zur Abbildung einer Lithografiemaske, wie zum Beispiel einer Phasenmaske, eines sogenannten Retikels, auf ein Halbleitersubstrat, einen sogenannten Wafer, optische Elemente, wie Linsen und/oder Spiegel verwendet. Um eine hohe Auflösung speziell von Lithografieoptiken zu erreichen, wird seit wenigen Jahren EUV-Licht mit einer Wellenlänge von beispielsweise zwischen 1 nm und 120 nm, insbesondere im Bereich von 13,5 nm genutzt, im Vergleich zu Vorgängersystemen mit typischen Wellenlängen von 365 nm, 248 nm oder 193 nm. Der Schritt zum sogenannten EUV-Bereich bedeutete den Verzicht auf brechende Medien, die bei dieser Wellenlänge nicht mehr sinnvoll einsetzbar sind, und damit den Übergang auf reine Spiegelsysteme, die entweder im nahezu senkrechten Einfall oder streifend arbeiten.
Die in den Systemen verwendeten optischen Elemente werden durch Halterungen gehalten, wobei die Verbindung zwischen dem optischen Element und der Halterung üblicherweise durch Klemmen oder Kleben realisiert wird. Im Allgemeinen verfestigen sich Klebstoffe zu Thermoplasten, Elastomeren oder Duromeren. Elastomere kommen beispielsweise bevorzugt zum Einsatz, wenn Anforderungen an eine hohe Bruchdehnung gestellt werden. Im Falle von optisch durchlässigen Materialien bieten sich unter anderem strahlenhärtende Acrylate an, welche häufig zu Duromeren aushärten oder auch zweikomponentige Klebstoffe, welche raumhärtend sind und ebenfalls zu Duromeren aushärten. Neben der Klebstoffverbindung zwischen dem optischen Element und der Halterung werden auch Komponenten, wie beispielsweise Sensortargets oder Temperatursensoren durch Verkleben mit dem optischen Element verbunden. Im Fall von Spiegeln als optischen Elementen liegen die Klebestellen der Komponenten und die Verbindung des optischen Elements zu der Halterung oftmals in unmittelbarer Nähe zur optischen Wirkfläche. Die optische Wirkfläche ist dabei diejenige Fläche des optischen Elementes, die mit der zur Abbildung verwendeten elektromagnetischen Strahlung beaufschlagt wird und die in der Regel eine empfindliche Beschichtung umfasst.
Fällt eine der Komponenten im Fertigungsprozess aus oder soll diese im Rahmen einer Wartung ausgetauscht werden, müssen die Klebestellen wieder gelöst werden. Eine Erwärmung des gesamten optischen Elements hat jedoch den Nachteil, dass beispielsweise ein Spiegel mit allen Komponenten und Klebestellen gleichermaßen erwärmt wird und dadurch die Klebestellen aller Komponenten, die Halterung, das optische Material des Spiegels oder die Beschichtung durch die zum Lösen des Klebstoffs benötigte Temperaturen in ihren physikalischen Eigenschaften verändert werden oder sogar beschädigt werden können. Weiterhin muss die Erwärmung der Klebestelle homogen erfolgen, da ansonsten beim Lösen der Komponente vom optischen Element die Gefahr einer Beschädigung des optischen Elementes beispielsweise in Form eines Muschelausbruchs besteht.
Aus dem Stand der Technik ist bekannt, dass die mechanischen Eigenschaften des Klebstoffs ungefähr 20° Celsius über dem Glasübergangsbereich derart sind, dass ein zerstörungsfreies Lösen einer solchen Klebstoffverbindung möglich ist. Bekannte Verfahren mit Laserlicht oder generell Verfahren mit inhomogen eingebrachter Wärme haben den Nachteil, dass Teile des Klebstoffs über den Glasübergangsbereich erwärmt werden, während andere Teile des Klebstoffs noch unter dem Glasübergangsbereich liegen. In den Teilen des Klebstoffs, welche eine Temperatur oberhalb des Glasübergangsbereichs aufweisen, beginnt im Klebstoff neben einer immer stattfindenden Nachhärtung des Klebstoffs beispielsweise eine chemische Sekundärreaktion von OH(Hydroxy)-Gruppen, N(Stickstoff)-Gruppen oder S(Schwefel)-Gruppen, welche bei der Zerstörung des Ursprungsklebstoffs freigesetzt werden. Diese kann zu einer erheblichen Erhöhung der Verbundfestigkeit des Klebstoffs führen, welche ein Lösen der Komponenten unmöglich machen kann, wenn der Glasübergangsbereich des so veränderten Klebstoffs oberhalb der erlaubten Materialbeanspruchung der Komponenten liegt. Die Teile des Klebstoffs mit einer Temperatur, welche unterhalb des Glasübergangsbereichs verbleiben, weisen nicht die für ein Lösen notwendigen mechanischen Eigenschaften auf. Beide Effekte erhöhen das Risiko, dass die zum Lösen der Klebstoffverbindung benötigten Kräfte Spannungen oberhalb der erlaubten Materialspannungen in den Komponenten bewirken und es zu Ausbrüchen und damit zum Ausfall der Komponenten kommt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, welches die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung zwischen zwei Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie anzugeben.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Lösen einer Klebstoffverbindung zwischen einer ersten und einer zweiten Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie durch Erwärmen wird erfindungsgemäß die Erwärmung eines in der Klebstoffverbindung verwendeten Klebstoffs in zwei Stufen ausgeführt. Die zweistufige Erwärmung des Klebstoffs hat den Vorteil, dass neben der Minimierung der Nachhärtung insbesondere eine chemische Sekundärreaktion des Klebstoffs, der beispielsweise als Duromer oder Elastomer ausgebildet sein kann, beim Erwärmen vermieden oder auf ein Minimum reduziert werden kann.
Dabei kann die maximale Temperatur des Klebstoffs in der ersten Stufe der Erwärmung knapp unterhalb der Glasübergangstemperatur des Klebstoffs liegen. Diese kann bei Duromeren beispielsweise bei 75°Celsius liegen, so dass die maximale Temperatur der ersten Stufe beispielsweise zwischen 50° und 70° Celsius liegen kann. Dies hat den Vorteil, dass eine chemische Sekundärreaktion im Klebstoff, welche erst oberhalb des Glasübergangsbereichs auftritt, vermieden wird. Dadurch kann eine im Rahmen von vorbestimmten Toleranzen homogene Temperaturverteilung über den gesamten Klebstoff in Bezug auf die chemische Sekundärreaktion ohne Zeitbeschränkung erreicht werden. Eine homogene Temperaturverteilung hat den Vorteil, dass keine zu kalten Stellen mit Materialwerten oberhalb der zulässigen Materialspannungen der Komponenten im Klebstoff verbleiben, so dass die Gefahr einer Beschädigung einer der Komponenten beim Lösen der Klebstoffverbindung minimiert oder sogar ausgeschlossen werden kann. Das Erreichen der homogenen Temperaturverteilung im Klebstoff kann auf Grund von Simulationen und auf Basis der zur Erwärmung verwendeten Wärmeleistung berechnet oder auch durch an geeigneten Stellen angeordnete Temperatursensoren ermittelt werden. Generell sollte die Zeit, in welcher der Klebstoff erwärmt wird, so kurz wie möglich gehalten werden, um die Nachhärtung des Klebstoffs zu minimieren.
Weiterhin kann die zweite Stufe nach dem Erreichen einer homogenen Temperaturverteilung im Klebstoff in der ersten Stufe gestartet werden. Die von einer verwendeten Erwärmungsvorrichtung eingebrachte Wärmeleistung wird in der zweiten Stufe erhöht, um eine Erhöhung der Temperatur über die zum Lösen der Klebstoffverbindung benötigte Temperatur, die im Fall von Duromeren in einem Bereich von 100° bis 130° Celsius oder abhängig von der Art des Duromers auch höher liegen kann, in dem Klebstoff zu erreichen.
Insbesondere kann eine Heizleistung der zweiten Stufe derart gewählt sein, dass die Dauer zwischen Erreichen der Glasübergangstemperatur bis zum Erreichen der für ein Lösen der Klebstoffverbindung benötigten Temperatur minimiert wird. Dadurch können das Risiko eines Nachhärtens des Klebstoffs und ein damit verbundenes erhöhtes Risiko einer Beschädigung einer der beiden Komponenten, die beispielsweise als ein Sensortarget und ein Spiegel einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie ausgebildet sein können, beim Lösen der Komponenten minimiert werden.
Weiterhin kann der Klebstoff der Klebstoffverbindung über mindestens eine der beiden Komponenten indirekt erwärmt werden. Dies ist insbesondere dann zweckmäßig, wenn eine direkte Erwärmung des in einem Klebespalt zwischen den beiden Komponenten angeordneten Klebstoffs auf Grund der schlechten Zugänglichkeit nur schwer oder gar nicht möglich ist, beziehungsweise eine homogene Erwärmung nicht realisierbar ist.
Weiterhin kann beim Erreichen der zum Lösen der Klebstoffverbindung benötigten Temperatur eine Kraft auf den Klebstoff aufgebracht werden. Diese ist abhängig von dem verwendeten Klebstoff und der Klebstofffläche und kann beispielsweise bei Duromeren in einem Bereich von 20MPa liegen, so dass diese auch in der Nähe der für ein Materialversagen der Komponenten ausreichenden Materialspannung liegen kann. Eine möglichst homogene Temperaturverteilung im Klebstoff minimiert das Risiko eines Materialausbruchs vorteilhaft.
Insbesondere kann die aufgebrachte Kraft derart an mindestens einer der beiden Komponenten angreifen, dass im Klebstoff eine Beanspruchung auf Schälung oder Zug wirkt. Der Klebstoff löst sich durch Beanspruchung auf Schälung am besten. Ist es auf Grund der Geometrie der Klebstoffverbindung nicht möglich, im Klebstoff eine Schälbeanspruchung zu bewirken, ist eine Zugbeanspruchung auf den Klebstoff eine ebenfalls sehr effektive Lösung zum Lösen der Klebstoffverbindung.
Alternativ kann die zum Lösen der Klebstoffverbindung benötigte Kraft vor dem Erwärmen auf eine der beiden Komponenten aufgebracht werden. Die Kraft wird also als eine Vorspannkraft auf eine der Komponenten aufgebracht und wirkt bereits bei einem noch nicht erwärmten Klebstoff auf mindestens eine Komponente. Dies hat den Vorteil, dass der Klebstoff bei Erreichen der zum Lösen der Klebstoffverbindung benötigten Temperatur bereits durch das Einwirken der Vorspannkraft derart beansprucht wird, dass er nachgibt und sich die Klebstoffverbindung automatisch löst.
In einem weiteren Verfahrensschritt können nach dem Lösen der Klebstoffverbindung auf den Komponenten verbleibende Klebstoffreste mit einem der folgenden Verfahren entfernt werden:

Mechanisches Entfernen, wie beispielsweise Schleifen oder Polieren, Plasmaverfahren, wie beispielsweise durch Plasma unterstütztes chemisches Ätzen, Laserablationsverfahren, wie beispielsweise mit einem Ultrakurzpuls-Laser oder einem nasschemischen Verfahren. In dem Fall, dass es sich bei einer der Komponenten um einen Spiegel handelt und neben der zu lösenden Komponente noch weitere Komponenten auf dem Spiegel angeordnet sind, müssen bei der Entfernung der Klebstoffreste die anderen Komponenten, die Halterung und die auf dem Spiegel zur Reflexion der für die Abbildung verwendeten Strahlung ausgebildete Beschichtung geschützt werden.

Insbesondere können bei Anwendung eines der Verfahren temporäre Behälter um eine an einer auf der Komponenten, insbesondere dem Spiegel ausgebildeten Aufnahme angeordnet werden. Diese tragen Sorge dafür, dass beispielsweise im Fall eines nasschemischen Verfahrens die verwendeten chemischen Stoffe nur im Bereich der Klebstoffreste wirken und dadurch die anderen Komponenten, die Halterung und die Beschichtung geschützt werden. Nach Entfernen der Klebstoffreste ist es zweckmäßig, die verbliebenen chemischen Stoffe, welche eine Komponente des Klebstoffs neutralisieren und den Stoffschluss bei einer neuen Klebung verhindern können, vollständig zu entfernen, um eine vollständige Aushärtung der neuen Klebstoffverbindung sicherzustellen.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung zwischen einer ersten und einer zweiten Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Erwärmungsvorrichtung umschließt erfindungsgemäß mindestens eine der beiden Komponenten zumindest bereichsweise vollständig. Unter dem Merkmal „zumindest bereichsweise“ ist in diesem Zusammenhang gemeint, dass der vollständig umschlossene Bereich nicht über die gesamte Höhe der Komponente ausgebildet sein muss. Die Erwärmungsvorrichtung umschließt also beispielsweise den Außenumfang einer als Hohlzylinder ausgebildeten Aufnahme eines Spiegels vollständig, wobei nur ein Teil der Höhe der Aufnahme umschlossen ist. Eine als Sensortarget ausgebildete Komponente umfasst beispielsweise einen zur Aufnahme korrespondierenden Zapfen, zwischen welchen in einem Klebespalt der Klebstoff der Klebstoffverbindung angeordnet ist.
Insbesondere kann es sich beim Umschließen der Komponente um ein taktiles Umschließen handeln. Die Erwärmungsvorrichtung kann derart ausgebildet sein, dass ein Wärmekragen auf einem Rand der Spiegelaufnahme aufliegt, welche dadurch das Gewicht der Erwärmungsvorrichtung aufnehmen kann. Gleichzeitig umschließt der Wärmekragen den Außenmantel der Spiegelaufnahme taktil, sodass Wärme durch Konduktion übertragen werden kann. Zur Montage des Wärmekragens an die als Hohlzylinder ausgebildete Spiegelaufnahme kann dieser zweiteilig aus zwei Halbschalen ausgebildet sein. Diese werden von beiden Seiten um den Hohlzylinder geschoben und beispielsweise durch Schrauben miteinander verbunden.
Weiterhin kann es sich beim Umschließen der Komponente um ein Umschließen durch einen Luftkanal handeln. In diesem Fall kann beispielsweise ein ebenfalls als zweiteilige Schale ausgebildetes Heizelement der Erwärmungsvorrichtung derart um die Spiegelaufnahme oder den Zapfen des Sensortargets schließen, dass ein Luftkanal ausgebildet wird.
Insbesondere kann die vom Luftkanal umschlossene Komponente selbst ein Teil der den Luftkanal bildenden Wandung sein. Das Heizelement kann dabei beispielsweise drei Seiten der Wandung des Luftkanals bilden und die Mantelfläche der Spiegelaufnahme oder des Zapfens die vierte Seite der Umrandung bilden. Dadurch ist die den Luftkanal durchströmende warme Luft in direktem Kontakt zu der Spiegelaufnahme oder dem Zapfen des Sensortargets und kann Wärme über Konvektion auf die Komponenten übertragen. Weiterhin kann Wärme durch Strahlung von dem erwärmten Luftkanal auf die Komponenten wirken.
Weiterhin kann die Erwärmungsvorrichtung eine Komponente taktil umschließen und die andere Komponente mit einem Luftkanal umschließen. Dazu kann auf dem weiter oben erläuterten Wärmekragen der Erwärmungsvorrichtung, welcher die Spiegelaufnahme taktil umschließt, ein Heizelement befestigt werden, welches derart ausgebildet ist, dass es zwei Seiten eines Luftkanals bildet, der weiterhin durch die Oberseite des Wärmekragens, der Oberseite der Spiegelaufnahme und durch die Mantelfläche des Zapfens des Sensortargets gebildet wird. Dadurch ist das Sensortarget mit dem Luftkanal in Kontakt, wodurch es beim Lösen der Klebstoffverbindung nach oben aus dem Heizelement der Erwärmungsvorrichtung gezogen werden kann.
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann die Vorrichtung eine Vorspannvorrichtung zum Aufbringen einer zum Lösen der Komponente benötigten Kraft umfassen. Diese ist derart ausgebildet, dass diese eine Zugbeanspruchung auf den Klebstoff bewirkt, welche zum Lösen der Klebstoffverbindung geeignet ist. Alternativ kann, wenn es die Geometrie der Komponenten und der Bauraum zulassen, auch eine Kraft auf die Komponente derart aufgebracht werden, dass eine Schälbeanspruchung auf den Klebstoff wirkt, welche die für ein Lösen am besten wirkenden Beanspruchung ist. Die Vorspannkraft kann bereits vor dem Erwärmen des Klebstoffs durch die Erwärmungsvorrichtung angelegt werden, wodurch die Klebstoffverbindung bei Erreichen der zum Lösen benötigten Temperatur automatisch gelöst wird.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen

1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
2 eine erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, und
3 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
2 zeigt eine als Erwärmungsvorrichtung 41 ausgebildete erfindungsgemäße Vorrichtung. Die Erwärmungsvorrichtung ist mit einer Aufnahme 31 an einer als Spiegel 30 ausgebildeten Komponente verbunden. Bei dem Spiegel 30 kann es sich insbesondere um einen der in der 1 als Spiegel M1 bis M6 bezeichneten Spiegel handeln. Die als Hohlzylinder ausgebildete Aufnahme 31 umfasst einen zur Innenseite des Hohlzylinders abfallend ausgebildeten Rand 32. Die Aufnahme 31 nimmt eine als Sensortarget 33 ausgebildete Komponente auf. Diese weist einen ebenfalls als Hohlzylinder ausgebildeten Zapfen 34 mit einem nach außen abfallenden und zum Rand 32 der Aufnahme 31 korrespondierenden Rand 35 auf. Die beiden Ränder 32, 35 berühren sich in einer Kontaktlinie 37 und werden durch einen in einem unterhalb oder oberhalb der Kontaktlinie 37 ausgebildeten Klebespalt 38 angeordneten Klebstoff 39 kraftschlüssig miteinander verbunden. Die Erwärmungsvorrichtung 41 umfasst eine Wärmezufuhr 42, welche in der in der 2 gezeigten Ausführungsform als Warmluftzufuhr ausgebildet ist. Alternativ kann die Erwärmungsvorrichtung 41 auch eine Widerstandsheizung, eine Heizpatrone oder einen Infrarotstrahler umfassen. Die warme Luft wird in ein Heizelement 43 geführt, welches zum vollständigen Umschließen des Zapfens 34 des Sensortargets 33 beziehungsweise der Aufnahme 31 des Spiegels 30 zweiteilig ausgeführt ist. Das Heizelement 43 umfasst einen Teil der Wandung eines Luftkanals 44, wobei das Heizelement 43 eine an die Außengeometrie des Zapfens 34 angepasste Innengeometrie aufweist. Die Wandung des Luftkanals 44 wird dabei zusätzlich durch den Außenmantel des Zapfens 34, einem Teil des Randes 32 der Aufnahme 31 und einem Teil eines Wärmekragens 45 gebildet, welcher die Aufnahme 31 umschließt. Die warme Luft kommt dadurch in direkten Kontakt mit dem Zapfen 34 des Sensor-targets 33 und umströmt diesen, bevor die Warmluft über die Wärmezufuhr 42 wieder zu einer nicht dargestellten Temperiervorrichtung für die Warmluft geleitet wird, wobei die Zufuhr und die Abfuhr der Warmluft in der 2 durch Pfeile dargestellt ist. Der ebenfalls als Teil der Erwärmungsvorrichtung 41 ausgebildete Wärmekragen 45 ist unterhalb des Heizelementes 43 angeordnet und mit diesem über Schrauben 46 verbunden. Die Innengeometrie des Wärmekragens 45 ist derart ausgebildet, dass diese mit der Außengeometrie der Aufnahme 31 korrespondiert und der Wärmekragen 45 auf dem Rand 32 der Aufnahme 31 aufliegt, sowie mit dem Außenmantel der Aufnahme 31 in Kontakt steht. Der Wärmekragen 45 ist wie das Heizelement 43 zweiteilig in Form von zwei Halbschalen zur Umschließung der Aufnahme 31 ausgebildet. Die den Luftkanal 44 durchströmende Warmluft kommt mit einem Teil der Stirnfläche des Wärmekragen 45 in Kontakt und erwärmt diesen dadurch. Der Klebstoff 39 wird dadurch sowohl von der dem Zapfen 34 zugewandten Seite als auch von der der Aufnahme 31 zugewandten Seite erwärmt, wodurch eine vorteilhafte homogene Erwärmung des Klebstoffs 39 erreicht wird. Der Klebstoff 39 wird dabei in einem ersten Verfahrensschritt zunächst auf eine Temperatur von beispielsweise 50° bis 60° Celsius, welche unterhalb der Glasübergangstemperatur des verwendeten Klebstoffs 39 wie beispielsweise einem Duromer oder Elastomer liegt, erwärmt, bis sich eine homogene Temperaturverteilung im Klebstoff 39 ausgebildet hat. Erst nach Erreichen einer homogenen Temperaturverteilung im Klebstoff 39 wird in einem zweiten Verfahrensschritt die Wärmezufuhr 42 derart erhöht, dass die zum Lösen der Klebstoffverbindung 36 zwischen den Komponenten 30, 33 benötigte Temperatur des Klebstoffs 39, welche oberhalb der Glasübergangstemperatur bei beispielsweise 120° Celsius liegt, in minimaler Zeit erreicht wird. Dies führt zu einem vorteilhaften minimalen Wärmeeintrag in die in unmittelbarer Umgebung der zu lösenden Klebstoffverbindung 36 angeordneten Komponenten 30, 33 oder der auf einer optischen Wirkfläche des Spiegels 30 ausgebildeten Beschichtung. Ist die zum Lösen der Klebstoffverbindung 36 benötigte Temperatur erreicht, kann das Sensortarget 33 durch Aufbringen einer Kraft auf das Sensortarget 33 von dem Spiegel 30 gelöst werden. Die auf den Klebstoff 39 wirkende Beanspruchung wird sofern möglich als Schälbeanspruchung ausgebildet. Alternativ kann auch eine Zugbeanspruchung auf den Klebstoff Verwendung finden. Die homogene Erwärmung des Klebstoffs 39 unterhalb der Glasübergangstemperatur hat den Vorteil, dass eine chemische Sekundärreaktion, welche zu einer Erhöhung der Glasübergangstemperatur führt minimiert beziehungsweise komplett vermieden werden kann. Weiterhin wird eine homogene Temperaturverteilung erreicht, wodurch alle Bereiche des Klebstoffs 39 in einer zweiten Phase der Erwärmung sicher auf eine Temperatur oberhalb der Glasübergangstemperatur erwärmt werden und dadurch die zum Lösen benötigten mechanischen Eigenschaften aufweisen.
3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, wobei neben der in der 2 dargestellten Erwärmungsvorrichtung 41, welche ebenfalls zweiteilig ausgebildet ist, eine Vorspannvorrichtung 47 vorhanden ist. Diese bewirkt eine Zugkraft auf eine der Komponenten 33, wodurch auf den Klebstoff 39 der Klebstoffverbindung 36 zwischen dem Sensortarget 33 und einem Testkörper 54 eine Zugbeanspruchung wirkt, wobei die in der 3 dargestellte Ausführungsform einen Laboraufbau darstellt, bei welchem die Aufnahme 31 des Spiegels 30 in dem Testkörper 54 nachgebaut ist. Die Vorspannvorrichtung 47 umfasst eine Aufnahme 51, in welcher das Sensortarget 33 eingespannt werden kann. Die Aufnahme 51 ist mit einem über Führungen 50 geführten und über eine Gewindestange 49 bewegbaren Schlitten 52 verbunden, so dass durch Drehen eines mit der Gewindestange 49 verbundenen Handrads 48 eine Kraft auf das Sensortarget 33 bewirkt werden kann. Je nach Ausrichtung des Klebespaltes 38 (in der 3 verdeckt) zur aufgebrachten Kraft wird dadurch eine Zugbeanspruchung im Klebstoff 39 erzeugt. Im Fall eines zur Vorspannkraft geneigten Klebespaltes 38, wie er in der 2 erläutert ist, wird durch eine senkrecht zur Oberfläche 53 des Sensortargets 33 aufgebrachte Kraft eine zerstörende Beanspruchung auf den Klebstoff 39 bewirkt. Die Vorspannkraft wird im Vorfeld durch Versuche, bei welchen der in der 3 gezeigte Laboraufbau zur Anwendung kommen kann und Simulationen bestimmt und vor dem Erwärmen des Klebstoffs 39 durch die Erwärmungsvorrichtung 41 angelegt. Dadurch wird das Sensortarget 33 beim Erreichen der zum Lösen der Klebstoffverbindung 36 benötigten Temperatur automatisch von dem Spiegel 30 gelöst. Eine Kontrolle der Temperatur des Klebstoffs 39 kann dadurch vorteilhaft entfallen. Die nach dem Lösen am Spiegel 30 verbliebenen Klebstoffreste können durch mechanische Verfahren wie Schleifen oder Polieren, durch plasmaunterstütztes chemisches Ätzen, Ultrakurz-Laser oder ein nasschemisches Verfahren entfernt werden. Im Fall von nasschemischen Verfahren werden die Klebestellen von temporären Behältern umschlossen, so dass die weiteren in unmittelbarer Umgebung angeordneten Komponenten und die Beschichtung geschützt sind. Insbesondere die empfindliche Beschichtung muss bei allen Verfahren durch Abdecken oder ähnliche Maßnahmen geschützt werden, um Beschädigungen zu vermeiden. Die nach dem Entfernen der Klebstoffreste verbleibenden chemischen Stoffe können eine Komponente des Klebstoffs 39 neutralisieren und den Stoffschluss bei einer neuen Klebung verhindern und müssen daher ebenfalls vollständig entfernt werden, um eine vollständige Aushärtung der neuen Klebstoffverbindung sicherzustellen.
Bezugszeichenliste

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Beleuchtungssystem
3: Strahlungsquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Retikelverlagerungsantrieb
10: Projektionsoptik
11: Bildfeld
12: Bildebene
13: Wafers
14: Waferhalter
15: Waferverlagerungsantrieb
16: EUV-Strahlung
17: Kollektor
18: Zwischenfokusebene
19: Umlenkspiegel
20: Facettenspiegel
21: Facetten
22: Facettenspiegel
23: Facetten
30: Spiegel
31: Aufnahme
32: Rand
33: Komponente
34: Zapfen
35: Rand
36: Klebstoffverbindung
37: Kontaktlinie
38: Klebespalt
39: Klebstoff
40: Vorrichtung
41: Erwärmungsvorrichtung
42: Wärmezufuhr
43: Heizelement
44: Luftkanal
45: Wärmekragen
46: Schraube
47: Vorspannvorrichtung
48: Handrad
49: Gewindestange
50: Führung
51: Aufnahme
52: Schlitten
53: Oberfläche Komponente
54: Testkörper

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0036, 0040]
US 20060132747 A1 [0038]
EP 1614008 B1 [0038]
US 6573978 [0038]
DE 102017220586 A1 [0043]
US 20180074303 A1 [0057]

Claims

Verfahren zum Lösen einer Klebstoffverbindung (36) zwischen einer ersten (30) und einer zweiten Komponente (33) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithografie durch Erwärmen, dadurch gekennzeichnet, dass die Erwärmung eines in der Klebstoffverbindung (36) verwendeten Klebstoffs (39) in zwei Stufen ausgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die maximale Temperatur des Klebstoffs (39) in der ersten Stufe der Erwärmung unterhalb der Glasübergangstemperatur des Klebstoffs (39) liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Stufe nach dem Erreichen einer homogenen Temperaturverteilung im Klebstoff (39) in der ersten Stufe gestartet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Heizleistung der zweiten Stufe derart gewählt ist, dass die Dauer zwischen Erreichen der Glasübergangstemperatur bis zum Erreichen der für ein Lösen der Klebstoffverbindung (36) benötigten Temperatur minimiert wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Klebstoff (39) der Klebstoffverbindung (36) über mindestens eine der beiden Komponenten (30,33) erwärmt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erreichen der zum Lösen der Klebstoffverbindung (36) benötigten Temperatur eine Kraft auf den Klebstoff (39) aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die aufgebrachte Kraft derart an mindestens einer der beiden Komponenten (30,33) angreift, dass im Klebstoff (39) eine Beanspruchung auf Schälung oder eine Beanspruchung auf Zug wirkt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die zum Lösen der Klebstoffverbindung (36) benötigte Kraft vor dem Erwärmen auf eine der beiden Komponenten (30,33) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Lösen der Klebstoffverbindung (36) auf den Komponenten (30,33) verbleibende Klebstoffreste mit einem der folgenden Verfahren entfernt werden: mechanisches Entfernen, wie beispielsweise Schleifen oder Polieren, Plasmaverfahren, wie beispielsweise Plasma unterstütztes chemisches Ätzen, Laserablation, wie beispielsweise mit einem Ultrakurzpuls-Laser oder einem nasschemischen Verfahren.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass bei Anwendung des Verfahrens temporäre Behälter um eine an einer der Komponenten (30,33) ausgebildeten Aufnahme (31,34) angeordnet werden.
Vorrichtung (40) zum Lösen einer Klebstoffverbindung (36) zwischen einer ersten (30) und einer zweiten (33) Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithografie mit einer Erwärmungsvorrichtung (41) dadurch gekennzeichnet, dass die Erwärmungsvorrichtung (41) mindestens eine der beiden Komponenten (30,33) zumindest bereichsweise vollständig umschließt.
Vorrichtung (40) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass es sich beim Umschließen der Komponente um ein taktiles Umschließen handelt.
Vorrichtung (40) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass es sich beim Umschließen der Komponente (30,33) um ein Umschließen durch einen Luftkanal (44) handelt.
Vorrichtung (40) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die vom Luftkanal (44) umschlossene Komponente (30,33) selbst ein Teil der den Luftkanal (44) bildenden Wandung ist.
Vorrichtung (40) nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Erwärmungsvorrichtung (41) eine Komponente (30) taktil umschließt und die andere Komponente (33) mit einem Luftkanal (44) umschließt.
Vorrichtung (40) nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (40) eine Vorspannvorrichtung (47) zum Aufbringen einer zum Lösen der Komponente (30,33) benötigten Kraft umfasst.