DE102022213077A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements Download PDF

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Abstract

Vorrichtung zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements (25), umfassend eine Strahlungsquelle (30), einen Monochromator (20), eine Abbildungsoptik (24) und einen Detektor (26). Die Strahlungsquelle (30) gibt Beleuchtungsstrahlung ab, die als Messstrahlengang (22) über den Monochromator (20), die Abbildungsoptik (24) und das Optikelement (25) zu dem Detektor (26) geleitet wird. Der Monochromator (20) hat eine Austrittsöffnung (23). Innerhalb der Austrittsöffnung (23) ist die Beleuchtungsstrahlung spektral separiert. Querschnittsabschnitte (37) des Messstrahlengangs (22), die in der Ebene der Austrittsöffnung (23) voneinander getrennt sind, werden mit dem Detektor (26) getrennt aufgenommen. Die Erfindung betrifft auch ein zugehöriges Verfahren. Die Erfindung kann für die Vermessung von EUV-Spielen (25) verwendet werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements. Die Vorrichtung umfasst eine Strahlungsquelle, einen Monochromator, eine Abbildungsoptik und einen Detektor. Die Strahlungsquelle ist dazu ausgelegt, Beleuchtungsstrahlung auszusenden. Die Beleuchtungsstrahlung wird als Messstrahlengang über den Monochromator, die Abbildungsoptik und das Optikelement zu dem Detektor geleitet.
  • Das Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements ist insbesondere relevant bei EUV-Spiegeln, die in der EUV-Lithographie verwendet werden. Bei der EUV-Lithographie wird extrem kurzwellige ultraviolette Strahlung (EUV-Strahlung) über eine Mehrzahl von EUV-Spiegeln auf ein Lithographieobjekt geleitet. Die EUV-Spiegel sollen einen hohen Reflexionsgrad aufweisen, damit die EUV-Strahlung in ausreichender Intensität auf das Lithographieobjekt trifft.
  • Um zu ermitteln, ob ein EUV-Spiegel die gewünschten Reflexionseigenschaften hat, sind umfangreiche Messungen erforderlich, weil die Reflexionseigenschaften sowohl in Abhängigkeit vom Einfallswinkel der EUV-Strahlung als auch in Abhängigkeit von der Wellenlänge der EUV-Strahlung ermittelt werden. Die betreffenden Messungen sind zeitaufwendig, was sich auch auf den Prozess der Herstellung der EUV-Spiegel auswirkt, weil jeweils die Reflexionseigenschaften eines vorangegangenen EUV-Spiegels vermessen werden, bevor ein nachfolgender EUV-Spiegel beschichtet wird.
  • In DE 10 2018 205 163 A1 ist ein Verfahren beschrieben, mit dem einzelne Messwerte zu den Reflexionseigenschaften eines EUV-Spiegels gewonnen werden können.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren vorzustellen, mit denen der Zeitaufwand beim Ermitteln der Reflexionseigenschaften reduziert wird. Ausgehend vom genannten Stand der Technik wird die Aufgabe gelöst mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung umfasst der Monochromator eine Austrittsöffnung, wobei die Beleuchtungsstrahlung innerhalb der Austrittsöffnung spektral separiert ist. Querschnittsabschnitte des Messstrahlengangs, die in der Ebene der Austrittsöffnung voneinander getrennt sind, werden mit dem Detektor getrennt aufgenommen.
  • Durch die spektrale Separierung der Beleuchtungsstrahlung in der Ebene der Austrittsöffnung und die getrennte Auswertung der Querschnittsabschnitte des Messstrahlengangs wird es möglich, mit einer einzelnen Messaufnahme Informationen über die Reflexionseigenschaften bei verschiedenen Wellenlängen zu gewinnen. Durch diese parallele Form der Messwertaufnahme kann Zeit eingespart werden verglichen mit der aus dem Stand der Technik bekannten sequenziellen Aufnahme von Messwerten.
  • Eine nach Querschnittsabschnitten getrennte Messwertaufnahme kann ermöglicht werden, indem die Detektorfläche, auf die der Messstrahlengang auftrifft, in einer zu der Austrittsöffnung konjugierten Ebene angeordnet ist, so dass die Austrittsöffnung auf die Detektorfläche abgebildet wird. Dies hat zur Folge, dass Querschnittsabschnitte des Messstrahlengangs, die in der Ebene der Austrittsöffnung räumlich voneinander getrennt sind, auch räumlich getrennt voneinander auf die Detektorfläche treffen. Ist es nicht möglich, die Austrittsöffnung und die Detektorfläche in zueinander konjugierten Ebenen anzuordnen, zum Beispiel weil Optikelemente mit verschieden geformten Oberflächen vermessen werden oder weil die Oberfläche des Optikelements unregelmäßig geformt ist, so kann die Vorrichtung auf eine verbesserte Schärfentiefe eingestellt werden, um dennoch eine ausreichende Trennung der Querschnittsabschnitte auf der Detektorfläche zu erreichen. Auch durch Anordnen von Streifenblenden im Messstrahlengang kann die erfindungsgemäße getrennte Aufzeichnung der Querschnittsabschnitte ermöglicht werden, obwohl die Detektorfläche nicht genau in einer zu der Austrittsöffnung konjugierten Ebene angeordnet ist. Der Begriff Abbildung im Sinne der Erfindung umfasst die verschiedenen Varianten, mit denen auf der Detektorfläche eine Trennung der Querschnittsabschnitte aus der Ebene der Austrittsöffnung erreicht wird.
  • Die Anzahl der Querschnittsabschnitte, die getrennt voneinander betrachtet werden, wird nach Zweckmäßigkeit gewählt. Mindestens gibt es zwei Querschnittsabschnitte des Messstrahlengangs, die separat voneinander ausgewertet werden. Möglich ist je nach Auflösung des Detektors auch eine sehr viel höhere Zahl an Querschnittsabschnitten, beispielsweise mindestens 10, vorzugsweise mindestens 100. Die Detektorfläche kann ein zweidimensionales Array aufspannen, innerhalb dessen Querschnittsabschnitte ausgewertet werden.
  • Das zu vermessende Optikelement kann ein EUV-Spiegel sein. Ein EUV-Spiegel ist in seinen Reflexionseigenschaften auf extrem kurzwellige ultraviolette Strahlung (EUV-Strahlung) optimiert, insbesondere auf EUV-Strahlung mit Wellenlängen zwischen 5 nm und 30 nm. Die reflektierende Oberfläche des EUV-Spiegels kann zu diesem Zweck mit einer Multilayer-Beschichtung versehen sein, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium.
  • Die reflektierende Oberfläche des Optikelements kann eben sein. Möglich sind auch reflektierende Oberflächen in ellipsoider, hyperboloider, toroidaler, zylindrischer, sphärischer, asphärischer oder paraboloider Form sowie Oberflächen in sonstigen regelmäßig oder unregelmäßig gewölbten Formen. Die Erfindung betrifft auch eine Anordnung aus einer erfindungsgemäßen Vorrichtung und dem zu vermessenden Optikelement.
  • Die spektrale Separierung der Beleuchtungsstrahlung kann so ausgestaltet sein, dass der Messstrahlengang in der Ebene der Austrittsöffnung linear dispergiert ist. Dies bedeutet, dass es eine senkrecht zum Hauptstrahl stehende Dispersionsrichtung gibt, in der die Wellenlänge der Beleuchtungsstrahlung sich ändert, sowie eine senkrecht sowohl zum Hauptstrahl als auch zur Dispersionsrichtung stehende Querrichtung gibt, in der die Wellenlänge der Beleuchtungsstrahlung sich nicht ändert. Wird eine solche Austrittsöffnung auf die Detektorfläche abgebildet, so ergeben sich parallele Streifen, wobei die Wellenlänge innerhalb eines Streifens konstant ist und die Wellenlänge sich zu benachbarten Streifen hin ändert.
  • Trifft ein konvergentes Strahlenbündel im Fokus in einem begrenzten Messfleck auf eine reflektive Oberfläche, so sind die reflektierten Strahlen nach Einfallswinkeln separiert. Trifft das reflektierte Strahlenbündel auf einen Detektor, so sind die auftreffenden Strahlen ebenfalls nach Einfallswinkeln separiert. Die Detektorfläche kann in Streifen unterteilt werden, so dass der Einfallswinkel innerhalb eines Streifens gleich ist und sich zwischen benachbarten Streifen ändert. Die einem bestimmten Einfallswinkel zugeordneten Streifen können Teilkreise bilden, die sich konzentrisch um das Lot auf den Auftreffpunkt erstrecken können.
  • Es hängt von der Anordnung der optischen Elemente im Messstrahlengang ab, wie die Streifen konstanter Einfallswinkel und die Streifen konstanter Wellenlänge zueinander ausgerichtet sind. Sind die Streifen parallel zueinander, so ändern Wellenlänge und Einfallswinkel sich gemeinsam und eine separate Auswertung der beiden Größen ist nicht möglich. Schließen die Streifen einen annähernd rechten Winkel miteinander ein, so entspricht jede Kreuzung von zwei Streifen genau einer Paarung von Wellenlänge und Einfallswinkel. Die Detektorfläche bildet dann ein zweidimensionales Feld von Wellenlänge-Einfallswinkel-Paarungen.
  • Bei dem zu vermessenden Optikelement wird durch den einfallenden und den reflektierten Hauptstrahl des Messstrahlengangs eine Ebene aufgespannt, die als Einfallsebene bezeichnet wird. Die Streifen konstanter Wellenlängen und konstanter Einfallswinkel auf der Detektorfläche sind parallel zueinander, wenn die Einfallsebene parallel zur Dispersionsrichtung ausgerichtet ist, also zu der Richtung innerhalb der Ebene der Austrittsöffnung, in der die Wellenlänge sich ändert. Mit dieser Angabe zum Verhältnis von Einfallsebene und Dispersionsrichtung wird von der vereinfachten Annahme ausgegangen, dass der Hauptstrahl sich zwischen der Austrittsöffnung und dem Optikelement entlang einer geraden Linie ausbreitet. Ist der Messstrahl in diesem Abschnitt des Strahlengangs umgelenkt, so ist eine entsprechende Transformation der Koordinatensysteme erforderlich, um die Ausrichtung zwischen Einfallsebene und Dispersionsrichtung gemäß dieser Vorgabe einstellen zu können.
  • Um die Wellenlängen und die Einfallswinkel auf der Detektorfläche getrennt auswerten zu können, kann das Optikelement so ausgerichtet sein, dass die von dem Messstrahlengang mit dem Optikelement aufgespannte Einfallsebene nicht-parallel zur Dispersionsrichtung ist. Die Dispersionsrichtung kann mit der Einfallsebene einen Winkel von wenigstens 30°, vorzugsweise von wenigstens 60°, weiter vorzugsweise von wenigstens 80° einschließen. In einer Ausführungsform ist die Dispersionsrichtung rechtwinklig zur Einfallsebene ausgerichtet.
  • Neben von den verwendeten Abbildungsoptiken hängt es von der Ausdehnung der Austrittsöffnung in Querrichtung ab, wie groß der Einfallswinkelbereich ist, unter dem die Beleuchtungsstrahlung auf das Optikelement trifft. Die Ausdehnung der Austrittsöffnung in Querrichtung kann so bemessen sein, dass der Messstrahlengang auf dem Optikelement einen Einfallswinkelbereich zwischen 0,5° und 5°, vorzugsweise zwischen 1° und 3° abdeckt. Von der Erfindung umfasst ist alternativ auch ein Einfallswinkelbereich, der einen überwiegenden Teil des theoretisch möglichen Bereichs von 0° bis 90° Einfallswinkel abdeckt. Je größer der Einfallswinkelbereich desto schlechter wird bei gleicher Pixelzahl auf dem Detektor die Winkelauflösung oder desto größer wird bei gleicher Winkelauflösung die notwendige Anzahl an Pixeln auf dem Detektor. In einer Ausführungsform ist die Ausdehnung der Austrittsöffnung in Querrichtung verstellbar.
  • Die Austrittsöffnung des Monochromators kann die Form eines Austrittsspalts haben, insbesondere die Form eines rechteckigen Austrittsspalts. Ein rechteckiger Austrittsspalt kann in Form einer im Wesentlichen rechteckigen Fläche auf den Detektor abgebildet werden. Das Verhältnis von Breite zu Höhe des Austrittsspalts kann an das Verhältnis von Länge zu Breite des Detektors angepasst sein.
  • Der Monochromator kann ein im Messstrahlengang angeordnetes Dispersionselement umfassen, mit dem die von der Strahlungsquelle abgegebene Beleuchtungsstrahlung spektral separiert wird. Das Dispersionselement kann ein Dispersionsgitter sein, an dem der Messstrahlengang abgelenkt wird. Der Monochromator kann so eingerichtet sein, dass der Messstrahlengang in spektral separierter Form durch die Austrittsöffnung des Monochromators hindurchtritt. Spektral separiert bedeutet, dass die verschiedenen Wellenlängen innerhalb des Querschnitts der Austrittsöffnung räumlich voneinander getrennt sind.
  • Im Sinne der Erfindung ist der Begriff Monochromator nicht so zu verstehen, dass die durch die Austrittsöffnung hindurchtretende Beleuchtungsstrahlung im strengen Sinne auf eine einzelne Wellenlänge beschränkt wäre. Vielmehr kann das Spektrum sich über einen Wellenlängenbereich mit einer Bandbreite zwischen beispielsweise 0,5 nm und 5 nm, vorzugsweise 1 nm und 3 nm erstrecken. Allgemein gilt, dass eine größere Bandbreite zu einem größeren Spektralbereich der Messergebnisse führt, was vorteilhaft ist. Im Gegenzug wird entweder eine schlechtere Auflösung in Kauf genommen, oder es sind höhere Anforderungen an den Detektor zu erfüllen. Die von der Strahlenquelle abgegebene Beleuchtungsstrahlung kann EUV-Strahlung sein, deren Wellenlänge insbesondere zwischen 1 nm und 50 nm, vorzugsweise zwischen 5 nm und 30 nm liegen kann.
  • Zwischen dem Dispersionselement und der Austrittsöffnung des Monochromators kann eine Zwischenblende angeordnet sein. Der Messstrahlengang kann so eingerichtet sein, dass die auf dem Optikelement beleuchtete Fläche durch die Zwischenblende begrenzt wird, indem die Zwischenblende auf das Optikelement abgebildet wird. Der Messstrahlengang kann dazu so eingerichtet sein, dass eine zu der Zwischenblende konjugierte Ebene auf das Optikelement fällt und zwar vorzugsweise in dem Bereich, in dem der Messstrahlengang auf das Optikelement trifft. Die zu vermessende Oberfläche des Optikelements kann relativ zu der konjugierten Ebene geneigt sein.
  • Die Blendenöffnung der Zwischenblende kann einstellbar sein. Damit wird die Möglichkeit eröffnet, die Größe der Messfläche auf dem Optikelement zu variieren. Zusätzlich oder alternativ dazu kann die auf der Oberfläche des Optikelements mit dem Messstrahlengang beleuchtete Messfläche auch begrenzt werden, indem die Strahlungsquelle auf das Optikelement abgebildet wird.
  • Die Vorrichtung kann so justiert sein, dass die Austrittsöffnung des Monochromators exakt auf die Detektorfläche abgebildet wird, so dass sich über die gesamte Detektorfläche eine scharfe Abbildung der Austrittsöffnung ergibt. Es gibt dann eine direkte Zuordnung zwischen bestimmten Querschnittsabschnitten des Strahlengangs in der Ebene der Austrittsöffnung und bestimmten Bereichen der Detektorfläche.
  • Um eine eindeutige Zuordnung zwischen den Querschnittsabschnitten des Strahlengangs in der Ebene der Austrittsöffnung und den Bereichen der Detektorfläche auch dann zu ermöglichen, wenn die Austrittsöffnung nicht exakt auf die Detektorfläche abgebildet ist, kann in dem Messstrahlengang eine Streifenblende angeordnet sein, mit der Teile des Messstrahlengangs ausgeblendet werden. Eine erste Streifenblende kann bei der Austrittsöffnung angeordnet sein. Die Streifenblende kann so ausgerichtet sein, dass die Streben der Streifenblende einen rechten Winkel mit der Dispersionsrichtung einschließen. Jede Strebe blendet dann einen Wellenlängenbereich aus, so dass zwischen den zu beiden Seiten einer Strebe hindurchtretenden Bereichen des Strahlengangs eine spektrale Lücke besteht. Die räumliche Trennung der Strahlungsanteile und die spektrale Lücke übertragen sich auf den Detektor, was eine eindeutige Zuordnung auch in solchen Fällen ermöglicht, in denen die Abbildung verschmiert ist.
  • Um eine nach Einfallswinkeln getrennte Erfassung der Reflexionseigenschaften auch dann zu ermöglichen, wenn die Abbildung in Querrichtung verschmiert ist, kann zusätzlich oder alternativ zu der ersten Streifenblende eine zweite Streifenblende vorgesehen sein, deren Streben in Dispersionsrichtung ausgerichtet sind. Die zweite Streifenblenden kann so ausgerichtet sein, dass bestimmte Einfallswinkelbereiche ausgeblendet werden. Die zweite Streifenblenden kann zwischen der Abbildungsoptik und dem zu vermessenden Optikelement angeordnet sein.
  • Die Vorrichtung kann ein Wechselobjektiv umfassen, das in einem ersten Zustand der Vorrichtung außerhalb des Messstrahlengangs angeordnet ist und in einem zweiten Zustand innerhalb des Messstrahlengangs angeordnet ist. Das Wechselobjektiv kann im zweiten Zustand zwischen dem Optikelement und dem Detektor angeordnet sein und so eingerichtet sein, dass das Optikelement auf den Detektor abgebildet wird. Im zweiten Zustand wird auf eine Auflösung der Messung nach Einfallswinkeln und Wellenlängen verzichtet. Im Gegenzug wird die Möglichkeit eröffnet, mit einer einzelnen Messaufnahme Messwerte von einer grö-ßeren Messfläche des Optikelements aufzunehmen. Der Messstrahlengang kann so eingerichtet sein, dass im zweiten Zustand eine größere Messfläche beleuchtet wird als im ersten Zustand. Insbesondere kann die Zwischenblende im zweiten Zustand auf einen größeren Durchmesser eingestellt sein als im ersten Zustand. Im ersten Zustand kann der Abschnitt des Messstrahlengangs zwischen dem Optikelement und dem Detektor eine optische Wegstrecke sein, die frei von optischen Elementen ist. Insbesondere kann die optische Wegstrecke eine Vakuumstrecke sein. Dies kann auch für solche erfindungsgemäßen Vorrichtungen gelten, die nicht zur Verwendung mit einem Wechselobjektiv vorgesehen sind.
  • Da im zweiten Zustand keine Auflösung der Messung nach Einfallswinkeln und Wellenlängen erfolgt, kann es wünschenswert sein, den Wellenlängenbereich und den Einfallswinkelbereich schmalbandiger einzustellen als im ersten Zustand. Eine Möglichkeit dafür ist, den Durchmesser der Austrittsöffnung in Querrichtung kleiner zu gestalten, um den Einfallswinkelbereich zu reduzieren. Die Austrittsöffnung kann in Dispersionsrichtung verkleinert werden, um den Wellenlängenbereich zu verkleinern. Die Ausdehnung der Austrittsöffnung in Dispersionsrichtung kann zu diesem Zweck verstellbar sein.
  • Die Abbildungsoptik kann als Spiegeloptik ausgebildet sein. Dies ist insbesondere hilfreich, wenn die Strahlenquelle EUV-Strahlung emittiert, da EUV-Strahlung in Materie allgemein hohen Transmissionsverlusten unterliegt. Die Transmissionsverluste werden vermindert, wenn die Beleuchtungsstrahlung nur reflektiert und nicht transmittiert wird. Die Spiegeloptik kann für einen streifenden Einfall des Messstrahlengangs eingerichtet sein. Auch das Wechselobjektiv kann eine Spiegeloptik sein.
  • In vielen Fällen reichen die mit einer Messaufnahme gewonnenen Daten für eine vollständige Vermessung des Optikelements nicht aus. So ist regelmäßig die mit dem Messstrahl beleuchtete Messfläche kleiner als die zu untersuchende Oberfläche des Optikelements. Es kann dann mit einer zweiten Messung ein anderer Oberflächenabschnitt des Optikelements untersucht werden. Um dies zu ermöglichen, kann die Vorrichtung ein Positioniersystem umfassen, mit dem die Position des Optikelements relativ zum Hauptstrahl des Messstrahlengangs und/oder die Ausrichtung des Optikelements relativ zum Hauptstrahl des Messstrahlengangs verändert werden kann. Eine Positionierungsmöglichkeit kann darin bestehen, den Messstrahlengang auf einen anderen Bereich des Optikelements zu richten, ohne dass der Einfallswinkel des Messstrahlengangs verändert wird. Hat das Optikelement eine ebene Oberfläche, so kann dies durch eine lineare Bewegung des Optikelements erreicht werden. Bei einem Optikelement mit gewölbter Oberfläche ist eine Kombination einer linearen und einer rotatorischen Positionierbewegung erforderlich.
  • Weiter ist häufig der mit einer einzelnen Messaufnahme abgedeckte Einfallswinkelbereich kleiner als der interessierende Einfallswinkelbereich. Für eine Vermessung weiterer Einfallswinkelbereiche kann das Positioniersystem dazu eingerichtet sein, den Winkel zwischen dem Hauptstrahl des Messstrahlengangs und der Oberfläche des Optikelements zu verändern. Die Veränderung des Einfallswinkels hat regelmäßig zur Folge, dass der Messstrahlengang in eine andere Richtung reflektiert wird. Um den reflektierten Strahlengang dennoch mit dem Detektor erfassen zu können, kann das Positioniersystem die Möglichkeit bieten, die Position des Detektors relativ zu der Probe zu verändern.
  • Für die Qualität der Messwerte ist es von Vorteil, wenn der Monochromator in einer ortsfesten Position angeordnet ist und mit dem Positioniersystem die räumliche Position der Probe und/oder des Detektors verändert wird. Da Erschütterungen des Monochromators sich besonders nachteilig auf die Messung auswirken, kann der Monochromator mit einem massiven Gestell verbunden sein, das beispielsweise einen Granitblock umfassen kann.
  • Auch der mit einer Messung abgedeckte Wellenlängenbereich kann kleiner sein als der interessierende Wellenlängenbereich. Für eine Messung in einem anderen Wellenlängenbereich kann der Monochromator spektral durchgestimmt werden, also so eingestellt werden, dass ein anderer Wellenlängenbereich durch die Austrittsöffnung hindurchtritt. Abgesehen davon kann die Justierung des Reflektometers unverändert bleiben.
  • Das Reflektometer kann eine Steuerung und geeignete Aktoren umfassen, mit denen zwischen einer ersten Messkonfiguration und einer zweiten Messkonfiguration umgeschaltet werden kann. In der zweiten Messkonfiguration ist wenigstens einer der Messparameter Einfallswinkelbereich, Wellenlängenbereich und Oberflächenbereich auf der Probe anders als in der ersten Messkonfiguration. Die Steuerung kann dazu ausgelegt sein, auf wenigstens zwei, vorzugsweise alle drei Messparameter einzuwirken. Die Steuerung kann dazu ausgelegt sein, die betreffenden Messparameter unabhängig voneinander einzustellen.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements. Von einer Strahlungsquelle abgegebene Beleuchtungsstrahlung wird als Messstrahlengang über einen Monochromator, eine Abbildungsoptik und das Optikelement zu einem Detektor geleitet. Der Messstrahlengang tritt in spektral separiertem Zustand durch eine Austrittsöffnung des Monochromators hindurch. Querschnittsabschnitte des Messstrahlengangs, die in der Ebene der Austrittsöffnung voneinander getrennt sind, werden mit dem Detektor getrennt aufgenommen.
  • Das Verfahren kann mit weiteren Merkmalen fortgebildet werden, die im Zusammenhang der erfindungsgemäßen Vorrichtung beschrieben sind. Die Vorrichtung kann mit weiteren Merkmalen fortgebildet werden, die im Zusammenhang des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben sind.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen anhand vorteilhafter Ausführungsformen beispielhaft beschrieben. Es zeigen:
    • 1: eine schematische Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
    • 2: eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 3: eine schematische Darstellung einer Abbildungsoptik einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 4: eine schematische Darstellung des Messstrahlengangs einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 5: die Ansicht gemäß 4 in einem anderen Zustand der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 6: die Austrittsöffnung eines Monochromators in einer Querschnittsansicht;
    • 7: die Detektorfläche eines erfindungsgemäßen Detektors;
    • 8: eine alternative Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Messstrahlengangs in einer Ansicht von der Seite;
    • 9: den Messstrahlengang aus 8 in einer Ansicht von oben;
    • 10, 11: die Ansicht gemäß den 6 und 7 für den Messstrahlengang aus den 8 und 9;
    • 12, 13: die Ansicht gemäß den 8 und 9 bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung;
    • 14, 15: alternative Ausführungsformen erfindungsgemäßer Messstrahlengänge.
  • In 1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie schematisch dargestellt. Die Projektionsbelichtungsanlage umfasst ein Beleuchtungssystem 10 und ein Projektionssystem 11. Mithilfe des Beleuchtungssystems 10 wird ein Objektfeld 13 in einer Objektebene 12 beleuchtet.
  • Das Beleuchtungssystem 10 umfasst eine Belichtungsstrahlungsquelle 14, die elektromagnetische Strahlung im EUV-Bereich, also insbesondere mit einer Wellenlänge zwischen 5 nm und 30 nm, abgibt. Die von der Belichtungsstrahlungsquelle 14 ausgehende Beleuchtungsstrahlung wird zunächst in einem Kollektor 15 in eine Zwischenfokusebene 16 gebündelt.
  • Das Beleuchtungssystem 10 umfasst einen Umlenkspiegel 17, mit dem die von der Belichtungsstrahlungsquelle 14 abgegebene Beleuchtungsstrahlung auf einen ersten Facettenspiegel 18 umgelenkt wird. Dem ersten Facettenspiegel 18 ist ein zweiter Facettenspiegel 19 nachgeordnet. Der erste Facettenspiegel und der zweite Facettenspiegel 19 umfassen jeweils eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel. Mithilfe des zweiten Facettenspiegels 19 werden die einzelnen Facetten des ersten Facettenspiegels 18 in das Objektfeld 13 abgebildet.
  • Mithilfe des Projektionssystems 20 wird das Objektfeld 13 über eine Mehrzahl von Spiegeln 8 in eine Bildebene 9 abgebildet. In der Objektebene 12 ist eine Maske (auch Retikel genannt) angeordnet, die auf eine lichtempfindliche Schicht eines in der Bildebene 9 angeordneten Wafers abgebildet wird.
  • Die diversen Spiegel der Projektionsbelichtungsanlage, an denen die Beleuchtungsstrahlung reflektiert wird, sind als EUV-Spiegel ausgebildet. Die EUV-Spiegel sind mit hoch reflektierenden Beschichtungen versehen, beispielsweise in Form von Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung bildet ein Reflektometer, das dazu bestimmt ist, die Reflexionseigenschaften eines solchen EUV-Spiegels zu ermitteln. In der nachfolgenden Beschreibung entspricht der EUV-Spiegel dem zu vermessenden Optikelement 25.
  • Gemäß der schematischen Darstellung in 2 umfasst ein beispielhaftes Reflektometer einen Monochromator 20, der auf einem stabilen Gestell in Form eines Granitsockels 21 angeordnet ist. Die von einer in 2 nicht dargestellten Strahlungsquelle 30 abgegebene Beleuchtungsstrahlung tritt als Messstrahlengang 22 aus einer Austrittsöffnung 23 des Monochromators aus und wird über eine Abbildungsoptik 24 unter einem Einfallswinkel θ auf einen EUV-Spiegel 25 geleitet. Der Messstrahlengang ist beim Auftreffen auf den EUV-Spiegel 25 nicht kollimiert, so dass der Messstrahlengang einen Einfallswinkelbereich von verschiedenen Einfallswinkeln θ abdeckt. Der von dem EUV-Spiegel 25 reflektierte Messstrahlengang 22 trifft auf einen Detektor 26, der die Beleuchtungsstrahlung erfasst. Aus der Intensität der beim Detektor 26 ankommenden Beleuchtungsstrahlung kann auf die Reflexionseigenschaften des EUV-Spiegels 25 geschlossen werden.
  • Möglich wäre es alternativ auch, einen Teil der Beleuchtungsstrahlung über einen Strahlteiler auszukoppeln und auf einen Referenzdetektor zu leiten. Der Anteil der ausgekoppelten Strahlung kann durch eine Strahlteilerkalibrierung bestimmt werden. Dabei wird der Detektor 26 direkt in den Beleuchtungsstrahl gestellt, ohne dass dieser an einem Spiegel 25 reflektiert wird. Aus dem wellenlängenabhängigen Teilungsverhältnis des Strahlteilers und dem bei der Reflexionsmessung gemessenen Verhältnis der Intensitäten am nicht dargestellten Referenzdetektor und dem Detektor 26 kann der Reflexionsgrad des Spiegels berechnet werden.
  • Der EUV-Spiegel 25 und der Detektor 26 werden von einem Positioniersystem 27 getragen. Sowohl der Detektor 26 als auch der EUV-Spiegel 25 können in mehreren Dimensionen translatorisch und rotatorisch bewegt werden, so dass der Messstrahlengang 22 unter verschiedenen Einfallswinkeln θ auf verschiedene Oberflächenabschnitte des EUV-Spiegels 25 gerichtet werden kann und die reflektierte Beleuchtungsstrahlung jeweils auf den Detektor 26 trifft.
  • Die Abbildungsoptik 24 ist als Spiegeloptik gestaltet. Ein schematisches Beispiel für eine Spiegeloptik ist in 3 gezeigt. Die Spiegeloptik umfasst einen ersten Spiegel 28, dessen Spiegelfläche einem Ausschnitt eines Rotations-Elipsoids entspricht, und einen zweiten Spiegel 29, dessen Spiegelfläche einem Ausschnitt eines Rotations-Hyperboloids entspricht. Das Rotations-Ellipsoid und das Rotations-Hyperboloid, denen die jeweiligen Spiegelflächen entsprechen, sind in 3 zum Zwecke der Veranschaulichung dargestellt. Bei einer solchen Spiegeloptik sind im Allgemeinen der einfallende Hauptstrahl und der austretende Hauptstrahl geometrisch windschief und versetzt zueinander. Systeme, bei denen der einfallende und der ausfallende Hauptstrahl parallel versetzt sind, sich unter einem Winkel schneiden oder koaxial sind, sind ebenfalls möglich.
  • Zum Zwecke der Veranschaulichung ist in 4 sowie in den nachfolgenden Figuren eine vereinfachte Darstellung des Messstrahlengangs 22 gezeigt, bei der der Hauptstrahl 34 vor und der Hauptstrahl hinter der Abbildungsoptik 24 koaxial sind. Der Messstrahlengang 22 erstreckt sich ausgehend von einer Strahlungsquelle 30 über ein Dispersionselement in Form eines Dispersionsgitters 31 über den Austrittsspalt 23 des Monochromators, die Abbildungsoptik 24 und den Prüfling 25 bis zum Detektor 26. In der Ebene des Austrittsspalts 23 ist der Messstrahlengang 22 spektral separiert.
  • In dem in 6 gezeigten Querschnitt des Austrittsspalts 23 nimmt die Wellenlänge X der Beleuchtungsstrahlung von unten nach oben ab. Die Richtung, in der sich die Wellenlänge λ der Beleuchtungsstrahlung ändert, wird als Dispersionsrichtung 32 bezeichnet. In Querrichtung 33 ist die Wellenlänge λ der Beleuchtungsstrahlung konstant. Die Dispersionsrichtung 32 und die Querrichtung 33 spannen mit dem Hauptstrahl 34 des Messstrahlengangs 22 ein kartesisches Koordinatensystem auf. Anschaulich gesprochen gibt es im Austrittsspalt 23 eine Mehrzahl von übereinander angeordneten Streifen, die sich horizontal über die gesamte Breite des Austrittsspalts 23 erstrecken, wobei die Wellenlänge λ innerhalb eines Streifens im Wesentlichen konstant ist und wobei die Wellenlänge λ je geringer ist, desto weiter oben der Streifen innerhalb des Austrittsspalts 23 angeordnet ist. Die Differenz zwischen den niedrigen Wellenlängen X und den hohen Wellenlängen λ innerhalb des Austrittsspalts 23 kann beispielsweise zwischen 1 nm und 3 nm liegen. Die mittlere Wellenlänge λ innerhalb des Austrittspalts der Beleuchtungsstrahlung kann zwischen 5 nm und 50 nm, vorzugsweise zwischen 10 nm und 20 nm liegen und einstellbar sein.
  • Nach Reflexion am EUV-Spiegel 25 trifft der Messstrahlengang auf eine Detektorfläche 35 des Detektors 26. Die Detektorfläche 35 ist in eine Mehrzahl von Detektorfeldern 36 unterteilt, die getrennt voneinander einfallende Beleuchtungsstrahlung aufnehmen und auswerten. In dem vereinfachten Beispiel der 7 bilden die Detektorfelder 36 ein 3 x 3-Feld auf der Detektorfläche 35.
  • Das Reflektometer ist so gestaltet, dass Querschnittsabschnitte 37 des Messstrahlengangs 22, die getrennt voneinander durch den Austrittsspalt 23 hindurchtreten, auch getrennt voneinander auf die Detektorfläche 35 treffen. In den 6 und 7 ist dies am Beispiel eines Querschnittsabschnitts 37 angedeutet. Der Querschnittsabschnitt 37 tritt oben links durch die Austrittsöffnung 23 des Monochromators 20 hindurch und ist damit sowohl in der Ebene der Austrittsöffnung 23 als auch auf der Detektorfläche 35 in einer definierten Richtung von dem Hauptstrahl 34 beabstandet.
  • Der Messstrahlengang 22 ist so eingerichtet, dass die Austrittsöffnung 23 des Monochromators 20 auf die Detektorfläche 35 abgebildet wird. Die Dispersionsrichtung 32 und die Querrichtung 33 finden sich wieder in der Abbildung der Austrittsöffnung 23 auf der Detektorfläche 35.
  • Auf der Detektorfläche 35 in 7 gibt es demnach am unteren Ende drei nebeneinander angeordnete Detektorfelder 36, die Beleuchtungsstrahlung mit höherer Wellenlänge λ aufzeichnen, in der Mitte drei nebeneinander angeordnete Detektorfelder 36, die Beleuchtungsstrahlung mit mittlerer Wellenlänge λ aufzeichnen, und am oberen Ende drei nebeneinander angeordnete Detektorfelder 36, die Beleuchtungsstrahlung mit niedrigerer Wellenlänge X aufzeichnen. Mit dem erfindungsgemäßen Reflektometer können also die Reflexionseigenschaften des EUV-Spiegels 25 nach Wellenlänge getrennt ausgewertet werden.
  • Interessieren auch die Reflexionseigenschaften in einem anderen Wellenlängenbereich, so kann der Monochromator 20 durchgestimmt werden, so dass Beleuchtungsstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs durch den Austrittsspalt 23 hindurchtritt. Es kann dann eine nachfolgende Messaufnahme für diesen zweiten Wellenlängenbereich durchgeführt werden. Auch der zweite Wellenlängenbereich kann sich über 1 nm bis 3 nm erstrecken, wobei die mittlere Wellenlänge λ beispielsweise zwischen 10 nm und 20 nm liegt.
  • Eine nachfolgende Messung in diesem Sinne kann denselben Oberflächenabschnitt des EUV-Spiegels 25 betreffen wie die erste Messung. Sollen andere Oberflächenabschnitte des EUV-Spiegels 25 vermessen werden, so werden der EUV-Spiegel 25 und der Detektor 26 mit dem Positioniersystem 27 relativ zueinander und relativ zum Strahl bewegt.
  • Zwischen dem Dispersionsgitter 31 und dem Austrittsspalt 23 ist eine Zwischenblende 38 angeordnet, die auf den EUV-Spiegel 25 abgebildet wird, so dass die Messfläche 39, die auf der Oberfläche des EUV-Spiegels 25 mit dem Messstrahlengang 22 beleuchtet wird, durch die Zwischenblende 38 definiert wird. In 4 ist die Zwischenblende 38 mit großer Blendenöffnung dargestellt, was einer großen Messfläche 39 auf dem EUV-Spiegel 25 entspricht.
  • Hat der EUV-Spiegel 25 eine ebene Oberfläche, so wird die Qualität der Abbildung von dem Austrittsspalt 23 auf die Detektorfläche 35 durch die Größe der Messfläche 39 nicht beeinträchtigt. Wird aber der EUV-Spiegel 25 bei einer nachfolgenden Messung ersetzt durch einen EUV-Spiegel mit gewölbter Oberfläche, so kann die Abbildung auf der Detektorfläche 35 verschmiert werden. Um dies zu verhindern, kann die Blendenöffnung der Zwischenblende 38 verkleinert werden, bis der Austrittsspalt 23 in ausreichender Qualität auf die Detektorfläche 35 abgebildet wird. In 5 ist der Messstrahlengang 22 in einem Zustand dargestellt, in dem die Blendenöffnung der Zwischenblende 38 und die Messfläche 39 auf dem EUV-Spiegel 25 klein sind.
  • Bei der alternativen Ausführungsform gemäß den 8 und 9 wird der Messstrahlengang 22 unter einem anderen Winkel auf den EUV-Spiegel 25 geleitet. Die an dem EUV-Spiegel 25 mit dem einfallenden und dem reflektierten Hauptstrahl 34 aufgespannte Einfallsebene 40 schließt einen rechten Winkel mit der Dispersionsrichtung 32 ein. Diese Angabe bezieht sich auf ein Koordinatensystem, in dem der Messstrahlengang 22 sich zwischen dem Austrittsspalt 23 und dem EUV-Spiegel 25 geradlinig ausbreitet. Wird der Messstrahlengang 22 auf dieser Strecke auf andere Weise geführt, so ist eine entsprechende Transformation des Koordinatensystems erforderlich.
  • In 8 ist ein solcher Messstrahlengang 22 in einer Ansicht von der Seite gezeigt. Der Detektor 26 ist der Anschaulichkeit halber in einer nach rechts verschobenen Position dargestellt. Wie die Ansicht von oben in 9 zeigt, wäre der Detektor 26 anderenfalls durch den EUV-Spiegel 25 verdeckt.
  • Mit dieser Position des EUV-Spiegels 25 im Strahlengang 22 ergibt sich auf der Detektorfläche 35 in Dispersionsrichtung 32 eine Separierung nach Wellenlängen λ und in Querrichtung 33 eine Separierung nach Einfallswinkeln θ. Bewegt man sich auf der Detektorfläche 35 in Dispersionsrichtung 32, so ändert sich die Wellenlänge X, während der Einfallswinkel θ konstant bleibt. Bewegt man sich auf der Detektorfläche 35 in Querrichtung 33, so bleibt die Wellenlänge λ konstant, während der Einfallswinkel θ sich ändert. Jedes Detektorfeld 36 ist genau einer Paarung aus Wellenlänge λ und Einfallswinkel θ zugeordnet. Die Reflexionseigenschaften des EUV-Spiegels 25 können sowohl nach Wellenlänge A als auch nach Einfallswinkel θ getrennt ausgewertet werden.
  • Der Winkelbereich für den Einfallswinkel θ während einer einzelnen Messaufnahme kann sich beispielsweise über 2° bis 3° erstrecken. Sind die Reflexionseigenschaften für Einfallswinkel θ außerhalb dieses Winkelbereichs von Interesse, so wird die Ausrichtung des EUV-Spiegels 25 mit dem Positioniersystem 27 verändert, so dass der Messstrahlengang 22 unter einem anderen Winkel auf den EUV-Spiegel 25 trifft. In dieser Position des EUV-Spiegels kann eine weitere Messaufnahme durchgeführt werden.
  • Ist eine scharfe Abbildung des Austrittsspalts 23 auf die Detektorfläche 35 zum Beispiel aufgrund der Form des EUV-Spiegels 25 nicht möglich, so kann gemäß den 12 und 13 der Strahlengang mit Streifenblenden 41, 42 versehen sein. Ist die Abbildung auf der Detektorfläche 35 in Dispersionsrichtung 32 verschmiert, so kann in der Ebene der Austrittsblende 23 eine erste Streifenblende 41 angeordnet werden, deren Stege in Dispersionsrichtung 32 ausgerichtet sind. Die Breite der Stege sollte so bemessen sein, dass die Spots auf der Detektorfläche 35 nicht mehr miteinander überlappen. Auf diese Weise kann trotz der verschmierten Abbildung eine eindeutige Zuordnung zwischen Detektorfeldern 36 und Wellenlängen λ der Beleuchtungsstrahlung ermöglicht werden.
  • Entsprechend kann bei einer in Querrichtung 33 verschmierten Abbildung zwischen der Abbildungsoptik 24 und dem EUV-Spiegel 25 eine zweite Streifenblende 42 angeordnet sein, deren Stege in Querrichtung 33 ausgerichtet sind, so dass die auf die Detektorfelder 36 auftreffenden Anteile der Beleuchtungsstrahlung nach Einfallswinkeln θ voneinander separiert sind. Ist die Abbildung auf der Detektorfläche 35 sowohl in Dispersionsrichtung 32 als auch in Querrichtung 33 verschmiert, so können beide Streifenblenden 41, 42 im Strahlengang angeordnet sein.
  • In 14 ist der Strahlengang aus 4 in einem alternativen Zustand des Reflektometers dargestellt. Zwischen dem EUV-Spiegel 25 und dem Detektor 26 ist ein Wechselobjektiv 43 angeordnet, mit dem die Messfläche 39 des EUV-Spiegels 25 auf die Detektorfläche 35 abgebildet wird. Damit wird die Möglichkeit eröffnet, eine größere Messfläche 39 des EUV-Spiegels 25 mit einer einzelnen Messaufnahme auszuwerten. Auf die Möglichkeit der nach Wellenlängen λ und Einfallswinkeln θ getrennten Auswertung wird im Gegenzug verzichtet.
  • Damit der Messstrahlengang 22 eine große Messfläche 39 auf dem EUV-Spiegel 25 abdeckt, sollte die Zwischenblende 38 auf eine große Blendenöffnung eingestellt werden. Der Querschnitt des Austrittsspalts 23 kann kleiner gewählt werden, um die Bandbreite der Einfallswinkel und die Bandbreite der Wellenlängen zu reduzieren. In vielen Fällen ist es wünschenswert, eine Vermischung von Einfallswinkeln und Wellenlängen so weit wie möglich zu vermeiden. Da die Blendenöffnung der Zwischenblende 38 groß ist, gelangt trotz des verkleinerten Austrittsspalts 23 eine ausreichende Menge an Beleuchtungsstrahlung auf den EUV-Spiegel 25.
  • Das Wechselobjektiv 43 ist eine Spiegeloptik der in 3 schematisch dargestellten Art. Um zwischen dem ersten Zustand und dem zweiten Zustand des Reflektometers zu wechseln, kann das Wechselobjektiv 43 wahlweise in den Messstrahlengang 22 eingebracht werden oder aus dem Messstrahlengang 22 entfernt werden. Im ersten Zustand des Reflektometers wird die Austrittsblende 23 auf den Detektor 26 abgebildet.
  • Bei der alternativen Ausführungsform in 15 wird die Lichtquelle 30 unter Verwendung eines in dem Monochromator 20 angeordneten Vorspiegels 44 auf den EUV-Spiegel 25 abgebildet. Es handelt sich um eine vereinfachte Darstellung, in der das Dispersionselement des Monochromators 20 nicht dargestellt ist. 15 zeigt eine alternative Möglichkeit eines Strahlengangs 22, mit dem gleichzeitig eine definierte Messfläche 39 auf dem EUV-Spiegel 25 ausgeleuchtet wird und der Austrittsspalt 23 auf den Detektor 26 abgebildet wird. Die Abbildungsoptik 24 kann in diesem Fall als ebener Spiegel ausgebildet sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102018205163 A1 [0004]

Claims (14)

  1. Vorrichtung zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements (25), umfassend eine Strahlungsquelle (30), einen Monochromator (20), eine Abbildungsoptik (24) und einen Detektor (26), wobei die Strahlungsquelle (30) Beleuchtungsstrahlung abgibt, die als Messstrahlengang (22) über den Monochromator (20), die Abbildungsoptik (24) und das Optikelement (25) zu dem Detektor (26) geleitet wird, wobei der Monochromator (20) eine Austrittsöffnung (23) aufweist, wobei die Beleuchtungsstrahlung innerhalb der Austrittsöffnung (23) spektral separiert ist und wobei Querschnittsabschnitte (37) des Messstrahlengangs (22), die in der Ebene der Austrittsöffnung (23) voneinander getrennt sind, mit dem Detektor (26) getrennt aufgenommen werden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Austrittsöffnung (23) abgebildet wird auf die Detektorfläche (35), auf die der Messstrahlengang (22) trifft.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Optikelement ein EUV-Spiegel (25) ist.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Messstrahlengang (22) in der Ebene der Austrittsöffnung (23) linear dispergiert ist, so dass die Wellenlänge (λ) sich in einer Dispersionsrichtung (32) ändert und dass die Wellenlänge (λ) sich in einer Querrichtung (33) nicht ändert.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die von dem Messstrahlengang (22) mit dem Optikelement (25) aufgespannte Einfallsebene (40) nicht-parallel zur Dispersionsrichtung (32) ist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Dispersionsrichtung (32) rechtwinklig zur Einfallsebene (40) ausgerichtet ist.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausdehnung der Austrittsöffnung (23) in Querrichtung so bemessen ist, dass der Messstrahlengang (22) auf dem Optikelement (25) einen Einfallswinkelbereich zwischen 0,5° und 5°, vorzugsweise zwischen 1° und 3° abdeckt.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einem Dispersionselement (31) des Monochromators (20) und der Austrittsöffnung (23) eine Zwischenblende (38) angeordnet ist, die auf das Optikelement (25) abgebildet wird.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Blendenöffnung der Zwischenblende (38) einstellbar ist.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Messstrahlengang (22) eine Streifenblende (41, 42) angeordnet ist, die Teile des Messstrahlengangs (22) ausblendet.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Streifenblende (41) bei der Austrittsöffnung (23) angeordnet ist und dass die Streben der Streifenblende (41) mit der Dispersionsrichtung (32) einen rechten Winkel einschließen.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Streifenblende (42) zwischen der Abbildungsoptik (24) und dem Optikelement (25) angeordnet ist und dass die Streben der zweiten Streifenblende (42) in Dispersionsrichtung (32) ausgerichtet sind.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, gekennzeichnet durch ein Wechselobjektiv (43), das in einem ersten Zustand außerhalb des Messstrahlengangs (22) angeordnet ist und das in einem zweiten Zustand innerhalb des Messstrahlengangs (22) zwischen dem Optikelement (25) und dem Detektor (26) angeordnet ist und das Optikelement (25) auf die Detektorfläche (35) abbildet.
  14. Verfahren zum Ermitteln der Reflexionseigenschaften eines Optikelements (25), bei dem von einer Strahlungsquelle (30) abgegebene Beleuchtungsstrahlung als Messstrahlengang (22) über einen Monochromator (20), eine Abbildungsoptik (24) und das Optikelement (25) zu einem Detektor (26) geleitet wird, wobei der Messstrahlengang (22) in spektral separiertem Zustand durch eine Austrittsöffnung (23) des Monochromators (20) hindurchtritt und wobei Querschnittsabschnitte (37) des Messstrahlengangs (22), die in der Ebene der Austrittsöffnung (23) voneinander getrennt sind, mit dem Detektor (26) getrennt aufgenommen werden.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102018205163A1 (de) 2018-04-06 2018-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe im extremen ultravioletten Spektralbereich
DE102015208181B4 (de) 2014-05-23 2021-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung und Verfahren für winkelaufgelöste Reflektometrie, insbesondere im extremen ultravioletten Spektralbereich

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