DE102022206265A1 - Power module and method for producing a power module - Google Patents

Power module and method for producing a power module Download PDF

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DE102022206265A1 DE102022206265.5A DE102022206265A DE102022206265A1 DE 102022206265 A1 DE102022206265 A1 DE 102022206265A1 DE 102022206265 A DE102022206265 A DE 102022206265A DE 102022206265 A1 DE102022206265 A1 DE 102022206265A1
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul (1) mit einem ersten Schaltungsträger (10), welcher eine elektrisch isolierende Schicht (12) aufweist, auf welcher mindestens eine erste Leiterstruktur (14), mindestens eine zweite Leiterstruktur (16) und mindestens eine dritte Leiterstruktur (18) ausgebildet sind, wobei mindestens ein erster Halbleiterschalter (HS1 bis HS4) elektrisch zwischen der mindestens einen ersten Leiterstruktur (14) und der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) eingeschleift ist, wobei mindestens ein zweiter Halbleiterschalter (LS1 bis LS4) elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) und der mindestens einen zweiten Leiterstruktur (16) eingeschleift ist, wobei mindestens ein zweiter Schaltungsträger (20) räumlich parallel über dem ersten Schaltungsträger (10) angeordnet ist und mindestens einen internen Kontaktbereich (22) und mindestens einen externen Kontaktbereich (24) aufweist, wobei ein Layout des ersten Schaltungsträgers (10) spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse (MLA) ausgeführt ist, und wobei der zweite Schaltungsträger (20) als rechteckförmige und insbesondere flexible Leiterplatte (20A) ausgeführt ist, welche symmetrisch zur Mittelängsachse (MLA) angeordnet ist und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger (10) verbunden ist.The invention relates to a power module (1) with a first circuit carrier (10), which has an electrically insulating layer (12), on which at least one first conductor structure (14), at least one second conductor structure (16) and at least one third conductor structure (18 ) are formed, wherein at least one first semiconductor switch (HS1 to HS4) is electrically looped between the at least one first conductor structure (14) and the at least one third conductor structure (18), at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) being electrically connected between the at least a third conductor structure (18) and the at least one second conductor structure (16) is looped in, at least one second circuit carrier (20) being arranged spatially parallel above the first circuit carrier (10) and at least one internal contact area (22) and at least one external contact area (24), wherein a layout of the first circuit carrier (10) is designed to be mirror-symmetrical to a central longitudinal axis (MLA), and wherein the second circuit carrier (20) is designed as a rectangular and in particular flexible circuit board (20A), which is symmetrical to the central longitudinal axis (MLA ) is arranged and is connected to the first circuit carrier (10) via soldered connections or welded connections or adhesive connections or sintered connections.

Description

Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul, insbesondere zur Bereitstellung eines Phasenstroms für einen Elektromotor. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungsmoduls.The invention relates to a power module, in particular for providing a phase current for an electric motor. The invention also relates to a method for producing such a power module.

Aus der DE 10 2014 219 998 B4 ist ein Leistungsmodul, insbesondere zur Bereitstellung von einem Phasenstrom für einen Elektromotor bekannt. Das Leistungsmodul umfasst einen Schaltungsträger mit einer Oberfläche, zumindest zwei erste Kontaktflächen auf der Oberfläche und zumindest zwei erste Leistungstransistoren, die jeweils je eine Bodenkontaktfläche aufweisen. Jeweils ein erster Leistungstransistor der zumindest zwei ersten Leistungstransistoren ist auf jeweils einer der ersten Kontaktflächen unmittelbar angeordnet und über seine Bodenkontaktfläche unmittelbar mit der jeweiligen ersten Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Zudem umfasst das Leistungsmodul eine zweite Kontaktfläche auf der Oberfläche und zumindest zwei zweite Leistungstransistoren, die jeweils je eine Bodenkontaktfläche aufweisen. Die zumindest zwei zweiten Leistungstransistoren sind auf der zweiten Kontaktfläche unmittelbar angeordnet und über ihre jeweiligen Bodenkontaktflächen unmittelbar mit der zweiten Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Des Weiteren umfasst das Leistungsmodul zumindest zwei dritte Kontaktflächen auf der Oberfläche, wobei die zumindest zwei zweiten Leistungstransistoren auf ihren von der Oberfläche des Schaltungsträgers abgewandten Seiten jeweils je eine weitere Kontaktfläche aufweisen und jeweils ein zweiter Leistungstransistor der zumindest zwei zweiten Leistungstransistoren über seine weitere Kontaktfläche mit jeweils einer der zumindest zwei dritten Kontaktflächen elektrisch leitend verbunden ist. Die zumindest zwei ersten Kontaktflächen und die zumindest zwei dritten Kontaktflächen sind in einer Längsrichtung des Leistungsmoduls alternierend nacheinander angeordnet und die zweite Kontaktfläche ist neben den zumindest zwei ersten Kontaktflächen und den zumindest zwei dritten Kontaktflächen angeordnet, wobei die zweite Kontaktfläche zumindest zwei Kontaktbereiche aufweist, wobei sich jeweils einer der zumindest zwei Kontaktbereiche neben jeweils einem der zumindest zwei ersten Leistungstransistoren befindet. Die zumindest zwei ersten Leistungstransistoren weisen auf ihren von der Oberfläche des Schaltungsträgers abgewandten Seiten jeweils je eine weitere Kontaktfläche auf und jeweils ein erster Leistungstransistor der zumindest zwei ersten Leistungstransistoren ist über seine weitere Kontaktfläche mit dem jeweils einen sich neben ihm befindenden Kontaktbereich der zumindest zwei Kontaktbereiche der zweiten Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Hierbei sind die zumindest zwei Kontaktbereiche der zweiten Kontaktfläche und die zumindest zwei zweiten Leistungstransistoren in der Längsrichtung alternierend nacheinander angeordnet.From the DE 10 2014 219 998 B4 is a power module, known in particular for providing a phase current for an electric motor. The power module comprises a circuit carrier with a surface, at least two first contact surfaces on the surface and at least two first power transistors, each of which has a ground contact surface. In each case a first power transistor of the at least two first power transistors is arranged directly on one of the first contact surfaces and is electrically conductively connected directly to the respective first contact surface via its ground contact surface. In addition, the power module includes a second contact area on the surface and at least two second power transistors, each of which has a ground contact area. The at least two second power transistors are arranged directly on the second contact surface and are directly electrically conductively connected to the second contact surface via their respective ground contact surfaces. Furthermore, the power module comprises at least two third contact surfaces on the surface, the at least two second power transistors each having a further contact surface on their sides facing away from the surface of the circuit carrier, and a second power transistor of the at least two second power transistors each having a further contact surface via its further contact surface one of the at least two third contact surfaces is connected in an electrically conductive manner. The at least two first contact surfaces and the at least two third contact surfaces are arranged alternately one after the other in a longitudinal direction of the power module and the second contact surface is arranged next to the at least two first contact surfaces and the at least two third contact surfaces, wherein the second contact surface has at least two contact areas, wherein one of the at least two contact areas is located next to one of the at least two first power transistors. The at least two first power transistors each have a further contact surface on their sides facing away from the surface of the circuit carrier, and a first power transistor of the at least two first power transistors is connected via its further contact surface to the contact region of the at least two contact regions located next to it second contact surface electrically conductively connected. Here, the at least two contact areas of the second contact surface and the at least two second power transistors are arranged alternately one after the other in the longitudinal direction.

Aus der EP 2 418 925 B1 ist eine elektrische Kontaktierung zwischen einer mindestens einer Leiterbahn aufweisenden Flexfolie und mindestens einem elektrischen Kontakt eines Sensors oder eines Steuergeräts bekannt. Hierbei ist ein Endabschnitt der Flexfolie an einer Berührstelle durch Wärmeeintrag elektrisch kontaktiert, wobei der Endabschnitt der Flexfolie an der Berührstelle an vorstehend ausgebildete elektrische Kontakte angestellt ist. Der Endabschnitt der Flexfolie ist als Wellenschlag insbesondere als Umlenkung ausgebildet.From the EP 2 418 925 B1 an electrical contact between a flex film having at least one conductor track and at least one electrical contact of a sensor or a control device is known. Here, an end section of the flex film is electrically contacted at a contact point by heat input, with the end section of the flex film at the contact point being placed against electrical contacts formed above. The end section of the flex film is designed as a wave, in particular as a deflection.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Das Leistungsmodul mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 hat den Vorteil, dass ein rechteckförmiger insbesondere als flexible Leiterplatte ausgeführter zweiter Schaltungsträger kostengünstig hergestellt werden kann.The power module with the features of independent claim 1 has the advantage that a rectangular second circuit carrier, in particular designed as a flexible circuit board, can be produced inexpensively.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen ein Leistungsmodul mit einem ersten Schaltungsträger zur Verfügung, welcher eine elektrisch isolierende Schicht aufweist. Auf der elektrisch isolierenden Schicht sind mindestens eine erste Leiterstruktur, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich mit einem ersten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, mindestens eine zweite Leiterstruktur, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich mit einem zweiten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, und mindestens eine dritte Leiterstruktur ausgebildet, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich mit einem Lastanschluss kontaktierbar ist. Mindestens ein erster Halbleiterschalter ist elektrisch zwischen der mindestens einen ersten Leiterstruktur und der mindestens einen dritten Leiterstruktur eingeschleift. Mindestens ein zweiter Halbleiterschalter ist elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur und der mindestens einen zweiten Leiterstruktur eingeschleift. Mindestens ein zweiter Schaltungsträger ist räumlich parallel über dem ersten Schaltungsträger angeordnet und weist mindestens einen internen Kontaktbereich, an welchem Steueranschlüsse der ersten und zweiten Halbleiterschalter kontaktiert sind, und mindestens einen externen Kontaktbereich auf, an welchem Kontaktelemente angeordnet sind, welche mit Steuerleitungen einer externen Kontaktvorrichtung kontaktierbar sind. Ein Layout des ersten Schaltungsträgers ist spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse ausgeführt. Hierbei ist der zweite Schaltungsträger als rechteckförmige und insbesondere flexible Leiterplatte ausgeführt, welche symmetrisch zur Mittelängsachse angeordnet ist und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger verbunden ist.Embodiments of the present invention provide a power module with a first circuit carrier which has an electrically insulating layer. At least one first conductor structure, which can be contacted with a first supply connection via at least one external contact area, at least one second conductor structure, which can be contacted with a second supply connection via at least one external contact area, and at least one third conductor structure are formed on the electrically insulating layer can be contacted with a load connection via at least one external contact area. At least a first semiconductor switch is electrically looped between the at least one first conductor structure and the at least one third conductor structure. At least one second semiconductor switch is electrically looped between the at least one third conductor structure and the at least one second conductor structure. At least one second circuit carrier is arranged spatially parallel above the first circuit carrier and has at least one internal contact area, on which control connections of the first and second semiconductor switches are contacted, and at least one external contact area, on which contact elements are arranged, which can be contacted with control lines of an external contact device are. A layout of the first circuit carrier is designed to be mirror-symmetrical to a central longitudinal axis. Here, the second circuit carrier is designed as a rectangular and in particular flexible circuit board, which is arranged symmetrically to the central longitudinal axis and via soldered connections or welded connections or adhesive connections gen or sintered connections is connected to the first circuit carrier.

Zudem wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungsmoduls vorgeschlagen. Hierbei werden ein erster Schaltungsträger, dessen Layout spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse ausgeführt ist, und ein zweite Schaltungsträger, welcher mindestens einen internen Kontaktbereich und mindestens einen externen Kontaktbereich aufweist, und mindestens ein erster Halbleiterschalter und mindesten ein zweiter Halbleiterschalter bereitgestellt. Der mindestens eine erste Halbleiterschalter wird elektrisch zwischen mindestens einer ersten Leiterstruktur und mindestens einer dritten Leiterstruktur des ersten Schaltungsträgers eingeschleift. Der mindestens eine zweite Halbleiterschalter wird elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur und mindestens einer zweiten Leiterstruktur des ersten Schaltungsträgers eingeschleift. Hierbei wird der mindestens eine zweite Schaltungsträger räumlich parallel und symmetrisch zur Mittelängsachse über dem ersten Schaltungsträger angeordnet und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger verbunden. Steueranschlüsse der ersten und zweiten Halbleiterschalter werden mit dem mindestens einen internen Kontaktbereich des zweiten Schaltungsträgers kontaktiert.In addition, a method for producing such a power module is proposed. Here, a first circuit carrier, the layout of which is mirror-symmetrical to a central longitudinal axis, and a second circuit carrier, which has at least one internal contact area and at least one external contact area, and at least one first semiconductor switch and at least one second semiconductor switch are provided. The at least one first semiconductor switch is electrically looped between at least one first conductor structure and at least one third conductor structure of the first circuit carrier. The at least one second semiconductor switch is electrically looped between the at least one third conductor structure and at least one second conductor structure of the first circuit carrier. Here, the at least one second circuit carrier is arranged spatially parallel and symmetrical to the central longitudinal axis above the first circuit carrier and connected to the first circuit carrier via soldered connections or welded connections or adhesive connections or sintered connections. Control connections of the first and second semiconductor switches are contacted with the at least one internal contact area of the second circuit carrier.

Durch das zur Mittelängsachse spiegelsymmetrische Layout des ersten Schaltungsträgers kann eine symmetrische Verteilung des Stromflusses auf dem ersten Schaltungsträger erreicht werden. Der erste Schaltungsträger kann beispielsweise als DBC-Substrat (DBC: Direct bonded copper) oder als AMB-Substrat (AMB: Active metal bonding) ausgeführt sein. Die Halbleiterschalter können beispielsweise als Feldeffekttransistoren ausgeführt werden, so dass Drainanschlüsse der Halbleiterschalter jeweils einem ersten Leistungsanschluss entsprechen können. Sourceanschlüsse der Halbleiterschalter können zweiten Leistungsanschlüssen entsprechen. Bei der Verwendung von Bipolartransistoren als Halbleiterschalter können Kollektoranschlüsse den ersten Leistungsanschlüssen und Emitteranschlüsse den zweiten Leistungsanschlüssen der Halbleiterschalter entsprechen. Unter einem Steueranschluss kann beispielsweise ein Gateanschluss oder ein Kelvin-Sourceanschluss eines Feldeffekttransistors oder ein Basisanschluss eines Bipolartransistors verstanden werden.Due to the mirror-symmetrical layout of the first circuit carrier relative to the central longitudinal axis, a symmetrical distribution of the current flow on the first circuit carrier can be achieved. The first circuit carrier can be designed, for example, as a DBC substrate (DBC: Direct bonded copper) or as an AMB substrate (AMB: Active metal bonding). The semiconductor switches can, for example, be designed as field effect transistors, so that drain connections of the semiconductor switches can each correspond to a first power connection. Source connections of the semiconductor switches can correspond to second power connections. When using bipolar transistors as semiconductor switches, collector connections can correspond to the first power connections and emitter connections can correspond to the second power connections of the semiconductor switches. A control connection can be understood to mean, for example, a gate connection or a Kelvin source connection of a field effect transistor or a base connection of a bipolar transistor.

Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen und Weiterbildungen sind vorteilhafte Verbesserungen des im unabhängigen Patentanspruch 1 angegebenen Leistungsmoduls und des im unabhängigen Patentanspruch 12 angegebenen Verfahrens zur Herstellung eines solchen Leistungsmoduls möglich.The measures and further developments listed in the dependent claims make advantageous improvements to the power module specified in independent claim 1 and the method for producing such a power module specified in independent claim 12 possible.

Besonders vorteilhaft ist, dass das Leistungsmodul von einer Umhüllung ummoldet sein kann. Hierbei kann die Umhüllung im Bereich der externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers jeweils eine Aussparung aufweisen, so dass die externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers kontaktierbar sind. Im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers kann in die Umhüllung eine Freilegung eingebracht sein, so dass die Kontaktelemente des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers freigelegt und kontaktierbar sind. Die Umhüllung kann vorzugsweise durch eine ausgehärtete Moldmasse gebildet sein. Da die Umhüllung auch bei hohen Temperaturen eine gute Fixierung der Halbleiterschalter und des zweiten Schaltungsträgers gewährleistet, kann die Lebensdauer der Halbleiterschalter und der elektrischen Verbindungen und Kontaktierungen deutlich erhöht werden. Zudem können die Halbleiterschalter sowie die verschiedenen elektrischen Kontaktierungen und Verbindungen und die Leiterstrukturen durch die Umhüllung vor äußeren Einflüssen geschützt werden. Des Weiteren ermöglicht die Umhüllung eine einfachere Handhabung des umhüllten Leistungsmodul, so dass die Leistungsmodule einfach weiterverarbeitet und transportiert werden können.It is particularly advantageous that the power module can be encased in a casing. In this case, the casing can each have a recess in the area of the external contact areas of the first circuit carrier, so that the external contact areas of the first circuit carrier can be contacted. In the area of the at least one external contact area of the second circuit carrier, an exposure can be introduced into the casing, so that the contact elements of the at least one external contact area of the second circuit carrier are exposed and can be contacted. The covering can preferably be formed by a hardened molding compound. Since the covering ensures good fixation of the semiconductor switches and the second circuit carrier even at high temperatures, the service life of the semiconductor switches and the electrical connections and contacts can be significantly increased. In addition, the semiconductor switches as well as the various electrical contacts and connections and the conductor structures can be protected from external influences by the covering. Furthermore, the covering enables easier handling of the covered power module, so that the power modules can be easily further processed and transported.

Durch das Freilegen der einzelnen Kontaktelemente des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers nach dem Aushärten der Umhüllung, bleiben die anderen Komponenten des Leistungsmoduls weiterhin fluiddicht von der Umhüllung umschlossen und vor äußeren Einflüssen geschützt. Die einzelnen Kontaktelemente werden vorzugsweise mittels eines Laserstrahls freigelegt. Die freigelegten Kontaktelemente des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers können dann einfach über entsprechenden Signalleitungen mit einer Auswerte- und Steuereinheit und/oder einem Steuergerät elektrisch verbunden werden, welche die Steuersignale zur Ansteuerung der Halbleiterschalter erzeugen und ausgeben können. Da die externen Kontaktbereiche der verschiedenen Leiterstrukturen, welche mit Versorgungsanschlüssen bzw. Lastanschlüssen kontaktierbar sind, eine größere Fläche aufweisen, können während des Moldvorgangs entsprechende Einlegeteile im Bereich der externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers in das Werkzeug eingelegt werden, welche entsprechende Aussparungen in der Umhüllung bewirken. Dadurch können die externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers des Leistungsmoduls nach dem Aushärten der Umhüllung einfach mit einem positiven Versorgungsanschluss, einem negativen Versorgungsanschluss und einem Lastanschluss kontaktiert werden.By exposing the individual contact elements of the at least one external contact area of the second circuit carrier after the casing has hardened, the other components of the power module remain enclosed in a fluid-tight manner by the casing and protected from external influences. The individual contact elements are preferably exposed using a laser beam. The exposed contact elements of the at least one external contact area of the second circuit carrier can then simply be electrically connected via corresponding signal lines to an evaluation and control unit and/or a control device, which can generate and output the control signals for controlling the semiconductor switches. Since the external contact areas of the various conductor structures, which can be contacted with supply connections or load connections, have a larger area, corresponding insert parts can be inserted into the tool in the area of the external contact areas of the first circuit carrier during the molding process, which create corresponding recesses in the casing. As a result, after the casing has hardened, the external contact areas of the first circuit carrier of the power module can simply be connected to a positive supply connection or a negative one active supply connection and a load connection.

In vorteilhafter Ausgestaltung des Leistungsmoduls kann der mindestens eine externe Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur und der mindestens eine externe Kontaktbereich der zweiten Leiterstruktur an einem gemeinsamen ersten Endbereich des ersten Schaltungsträgers angeordnet sein. Der mindestens eine externe Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur des ersten Schaltungsträgers kann an einem dem ersten Endbereich gegenüberliegenden zweiten Endbereich des ersten Schaltungsträgers angeordnet sein. Der mindestens eine externe Kontaktbereich des zweiten Schaltungsträgers kann entlang der Mittelängsachse senkrecht zum ersten und zweiten Endbereich des ersten Schaltungsträgers angeordnet sein. Dadurch können eine erste Stromschiene zur Verbindung des Leistungsmoduls mit dem positiven ersten Versorgunganschluss und eine zweite Stromschiene zur Verbindung des Leistungsmoduls mit dem negativen zweiten Versorgunganschluss auf ein und dieselbe Seite des Schaltungsträgers gelegt werden. Dies ermöglicht, dass die Stromschienen zur Verbindung der Leiterstrukturen mit den Versorgungsanschlüssen der Gleichspannungsversorgung übereinander angeordnet werden können. Eine dritte Stromschiene zur Verbindung des Leistungsmoduls mit dem Lastanschluss kann auf der gegenüberliegenden Seite des Leistungsmoduls angeordnet sein. Dies ermöglicht eine einfache Kontaktierung des Leistungsmoduls.In an advantageous embodiment of the power module, the at least one external contact region of the first conductor structure and the at least one external contact region of the second conductor structure can be arranged on a common first end region of the first circuit carrier. The at least one external contact region of the third conductor structure of the first circuit carrier can be arranged on a second end region of the first circuit carrier that is opposite the first end region. The at least one external contact region of the second circuit carrier can be arranged along the central longitudinal axis perpendicular to the first and second end regions of the first circuit carrier. As a result, a first busbar for connecting the power module to the positive first supply connection and a second busbar for connecting the power module to the negative second supply connection can be placed on one and the same side of the circuit carrier. This allows the busbars to be arranged one above the other to connect the conductor structures to the supply connections of the DC voltage supply. A third busbar for connecting the power module to the load connection can be arranged on the opposite side of the power module. This enables easy contacting of the power module.

In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung des Leistungsmoduls kann der mindestens eine erste Halbleiterschalter mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss auf mindestens einem internen Kontaktbereich der mindestens einen ersten Leiterstruktur angeordnet und kontaktiert sein. Ein zweiter Leistungsanschluss des mindestens einen ersten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit mindestens einem internen Kontaktbereich der mindestens einen dritten Leiterstruktur kontaktiert sein. Die mindestens eine Leistungsverbindung kann vorzugsweise über geeignete Bonddrähte hergestellt werden. Die Anzahl der Leistungsverbindungen hängt von der erforderlichen Stromtragfähigkeit ab. Der mindestens eine erste Halbleiterschalter kann auch als „High-Side-Schalter“ bezeichnet werden, da er zwischen dem positiven Versorgungsanschluss und dem Lastanschluss eingeschleift ist. Vorzugsweise kann auf einem ersten internen Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur und auf einem gegenüberliegenden zweiten internen Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur jeweils mindestens ein erster Halbleiterschalter angeordnet und kontaktiert sein. Hierbei kann der mindestens eine auf dem zweiten internen Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur angeordnete erste Halbleiterschalter um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden ersten internen Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur angeordneten ersten Halbleiterschalter ausgerichtet sein. Zudem können die Steueranschlüsse der ersten Halbleiterschalter über Signalverbindungen mit einem gemeinsamen ersten internen Kontaktbereich der zweiten Leiterplatte kontaktiert sein, welcher zwischen dem ersten internen Kontaktbereich und dem zweiten internen Kontaktbereich der ersten Leiterstruktur angeordnet ist. Die Signalverbindungen können beispielsweise über geeignete Bonddrähte hergestellt werden. Der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem ersten internen Kontaktbereich angeordneten ersten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit einem ersten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur kontaktiert sein. Der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem zweiten internen Kontaktbereich angeordneten ersten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit einem zweiten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur kontaktiert sein, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur angeordnet ist. Dadurch können in Abhängigkeit von der Stromlast zwei symmetrische Gruppen von „High-Side-Schaltern“ gebildet werden, die beispielsweise jeweils einen, zwei, drei oder mehr erste Halbleiterschalter umfassen können. Durch die symmetrische Anordnung der ersten Halbleiterschalter können Streuinduktivitäten reduziert werden.In a further advantageous embodiment of the power module, the at least one first semiconductor switch can be arranged and contacted with a first power connection designed as a contact surface on at least one internal contact area of the at least one first conductor structure. A second power connection of the at least one first semiconductor switch can be contacted via at least one power connection with at least one internal contact area of the at least one third conductor structure. The at least one power connection can preferably be made via suitable bonding wires. The number of power connections depends on the required current carrying capacity. The at least one first semiconductor switch can also be referred to as a “high-side switch” because it is looped between the positive supply connection and the load connection. Preferably, at least one first semiconductor switch can be arranged and contacted on a first internal contact area of the first conductor structure and on an opposite second internal contact area of the first conductor structure. In this case, the at least one first semiconductor switch arranged on the second internal contact region of the first conductor structure can be rotated by 180° and aligned with the at least one first semiconductor switch arranged on the opposite first internal contact region of the first conductor structure. In addition, the control connections of the first semiconductor switches can be contacted via signal connections with a common first internal contact area of the second circuit board, which is arranged between the first internal contact area and the second internal contact area of the first conductor structure. The signal connections can be made, for example, using suitable bonding wires. The second power connection of the at least one first semiconductor switch arranged on the first internal contact area can be contacted with a first internal contact area of the third conductor structure via at least one power connection. The second power connection of the at least one first semiconductor switch arranged on the second internal contact region can be contacted via at least one power connection with a second internal contact region of the third conductor structure, which is arranged opposite the first internal contact region of the third conductor structure. As a result, depending on the current load, two symmetrical groups of “high-side switches” can be formed, which can each include, for example, one, two, three or more first semiconductor switches. The symmetrical arrangement of the first semiconductor switches allows leakage inductances to be reduced.

In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung des Leistungsmoduls kann der mindestens eine zweite Halbleiterschalter mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss auf mindestens einem internen Kontaktbereich der mindestens einen dritten Leiterstruktur angeordnet und kontaktiert sein. Ein zweiter Leistungsanschluss des mindestens einen zweiten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit mindestens einem internen Kontaktbereich der mindestens einen zweiten Leiterstruktur kontaktiert sein. Die mindestens eine Leistungsverbindung kann vorzugsweise über geeignete Bonddrähte hergestellt werden. Die Anzahl der Leistungsverbindungen hängt von der erforderlichen Stromtragfähigkeit ab. Der mindestens eine zweite Halbleiterschalter kann auch als „Low-Side-Schalter“ bezeichnet werden, da er zwischen dem negativen Versorgungsanschluss und dem Lastanschluss eingeschleift ist. Vorzugsweise kann auf einem dritten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur und auf einem gegenüberliegenden vierten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur jeweils mindestens ein zweiter Halbleiterschalter angeordnet und kontaktiert sein. Hierbei kann der mindestens eine auf dem vierten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur angeordnete zweite Halbleiterschalter um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden dritten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur angeordneten zweiten Halbleiterschalter ausgerichtet sein. Zudem können die Steueranschlüsse der zweiten Halbleiterschalter über Signalverbindungen mit einem gemeinsamen zweiten internen Kontaktbereich der zweiten Leiterplatte kontaktiert sein, welcher zwischen dem dritten internen Kontaktbereich und dem vierten internen Kontaktbereich der dritten Leiterstruktur angeordnet ist. Unter einem Steueranschluss kann beispielsweise ein Gateanschluss oder ein Kelvin-Sourceanschluss eines Feldeffekttransistors oder ein Basisanschluss eines Bipolartransistors verstanden werden. Die Signalverbindungen können beispielsweise über geeignete Bonddrähte hergestellt werden. Der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem dritten internen Kontaktbereich angeordneten zweiten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit einem ersten internen Kontaktbereich der mindestens einen zweiten Leiterstruktur kontaktiert sein. Der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem vierten internen Kontaktbereich angeordneten zweiten Halbleiterschalters kann über mindestens eine Leistungsverbindung mit einem zweiten internen Kontaktbereich der mindestens einen zweiten Leiterstruktur kontaktiert sein, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich der zweiten Leiterstruktur angeordnet ist. Dadurch können in Abhängigkeit von der Stromlast zwei symmetrische Gruppen von „Low-Side-Schaltern“ gebildet werden, die beispielsweise jeweils einen, zwei, drei oder mehr zweite Halbleiterschalter umfassen können. Durch die symmetrische Anordnung der zweiten Halbleiterschalter können Streuinduktivitäten reduziert werden.In a further advantageous embodiment of the power module, the at least one second semiconductor switch can be arranged and contacted with a first power connection designed as a contact surface on at least one internal contact area of the at least one third conductor structure. A second power connection of the at least one second semiconductor switch can be contacted via at least one power connection with at least one internal contact area of the at least one second conductor structure. The at least one power connection can preferably be made via suitable bonding wires. The number of power connections depends on the required current carrying capacity. The at least one second semiconductor switch can also be referred to as a “low-side switch” because it is looped between the negative supply connection and the load connection. Preferably, at least one second semiconductor switch can be arranged and contacted on a third internal contact area of the third conductor structure and on an opposite fourth internal contact area of the third conductor structure. Here, the at least one second semiconductor switch arranged on the fourth internal contact area of the third conductor structure can be rotated by 180 ° to the at least one on the opposite lying third internal contact area of the third conductor structure arranged second semiconductor switch. In addition, the control connections of the second semiconductor switches can be contacted via signal connections with a common second internal contact area of the second circuit board, which is arranged between the third internal contact area and the fourth internal contact area of the third conductor structure. A control connection can be understood to mean, for example, a gate connection or a Kelvin source connection of a field effect transistor or a base connection of a bipolar transistor. The signal connections can be made, for example, using suitable bonding wires. The second power connection of the at least one second semiconductor switch arranged on the third internal contact area can be contacted via at least one power connection with a first internal contact area of the at least one second conductor structure. The second power connection of the at least one second semiconductor switch arranged on the fourth internal contact region can be contacted via at least one power connection with a second internal contact region of the at least one second conductor structure, which is arranged opposite the first internal contact region of the second conductor structure. As a result, depending on the current load, two symmetrical groups of “low-side switches” can be formed, which can each include, for example, one, two, three or more second semiconductor switches. Stray inductances can be reduced due to the symmetrical arrangement of the second semiconductor switches.

In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung des Leistungsmoduls kann eine externe Kontaktvorrichtung mit einem Kontaktbereich und mehreren Kontaktelementen ausgebildet sein, um mit dem externen Kontaktbereich des zweiten Schaltungsträgers elektrisch kontaktiert zu werden. Hierbei können die Kontaktelemente des externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Steckerverbindungen mit den Kontaktelementen der externen Kontaktvorrichtung verbindbar sein. Hierbei kann die externe Kontaktvorrichtung vorzugsweise als flexible Leiterplatte ausgebildet sein. Alternativ kann die externe Kontaktvorrichtung als Steckeraufnahme oder als Stecker ausgebildet sein.In a further advantageous embodiment of the power module, an external contact device can be designed with a contact area and a plurality of contact elements in order to be electrically contacted with the external contact area of the second circuit carrier. Here, the contact elements of the external contact area of the second circuit carrier can be connectable to the contact elements of the external contact device via soldered connections or welded connections or adhesive connections or plug connections. Here, the external contact device can preferably be designed as a flexible printed circuit board. Alternatively, the external contact device can be designed as a plug receptacle or as a plug.

In vorteilhafter Ausgestaltung des Verfahrens kann das bestückte und kontaktierte Leistungsmodul in ein Moldwerkzeug eingelegt und in einem Moldvorgang mit einer Umhüllung ummoldet werden. Während des Moldvorgangs kann die Umhüllung im Bereich der externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers durch Einlegeteile ausgespart werden, so dass die externen Kontaktbereiche des ersten Schaltungsträgers nach der Entnahme des ummoldeten Leistungsmoduls aus dem Moldwerkzeug aufgrund der erzeugten Aussparungen kontaktierbar sind. Im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers kann die Umhüllung freigelegt werden, so dass die Kontaktelemente des mindestens einen externen Kontaktbereichs des zweiten Schaltungsträgers durch die erzeugte Freilegung kontaktierbar sind. Hierbei kann der mindestens eine externe Kontaktbereich des zweiten Schaltungsträgers vor der Entnahme des ummoldeten Leitungsmoduls aus dem Moldwerkzeug freigelegt werden. Alternativ kann der mindestens eine externe Kontaktbereich des zweiten Schaltungsträgers nach der Entnahme des ummoldeten Leitungsmoduls aus dem Moldwerkzeug freigelegt werden.In an advantageous embodiment of the method, the equipped and contacted power module can be inserted into a mold and molded with a casing in a molding process. During the molding process, the casing can be left out in the area of the external contact areas of the first circuit carrier by insert parts, so that the external contact areas of the first circuit carrier can be contacted due to the recesses created after the molded power module has been removed from the molding tool. In the area of the at least one external contact area of the second circuit carrier, the casing can be exposed, so that the contact elements of the at least one external contact area of the second circuit carrier can be contacted by the exposure generated. In this case, the at least one external contact area of the second circuit carrier can be exposed before the molded line module is removed from the molding tool. Alternatively, the at least one external contact area of the second circuit carrier can be exposed after the molded line module has been removed from the molding tool.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird in der Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen Komponenten bzw. Elemente, die gleiche bzw. analoge Funktionen ausführen.An exemplary embodiment of the invention is shown in the drawings and is explained in more detail in the following description. In the drawings, like reference numerals designate components or elements that perform the same or analogous functions.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

  • 1 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Leistungsmoduls ohne Umhüllung. 1 shows a schematic top view of an exemplary embodiment of a power module according to the invention without a casing.
  • 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls aus 1 mit transparent dargestellter Umhüllung. 2 shows a schematic perspective view of the power module according to the invention 1 with transparent covering.
  • 3 zeigt eine schematische Draufsicht des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls aus 1 und 2 mit Umhüllung. 3 shows a schematic top view of the power module according to the invention 1 and 2 with wrapping.
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des erfindungsgemäßen Leistungsmoduls aus 1 bis 3. 4 shows a schematic representation of an exemplary embodiment of a method according to the invention for producing the power module according to the invention 1 until 3 .

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

Wie aus 1 bis 3 ersichtlich ist, umfasst das dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Leistungsmoduls 1 einen ersten Schaltungsträger 10, welcher eine elektrisch isolierende Schicht 12 aufweist, auf welcher mindestens eine erste Leiterstruktur 14, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich 14.2 mit einem ersten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, mindestens eine zweite Leiterstruktur 16, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich 16.2 mit einem zweiten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, und mindestens eine dritte Leiterstruktur 18 ausgebildet sind, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich 18.2 mit einem Lastanschluss kontaktierbar ist. Mindestens ein erster Halbleiterschalter HS1 bis HS4 ist elektrisch zwischen der mindestens einen ersten Leiterstruktur 14 und der mindestens einen dritten Leiterstruktur 18 eingeschleift. Mindestens ein zweiter Halbleiterschalter LS1 bis LS4 ist elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur 18 und der mindestens einen zweiten Leiterstruktur 16 eingeschleift. Mindestens ein zweiter Schaltungsträger 20 ist räumlich parallel über dem ersten Schaltungsträger 10 angeordnet und weist mindestens einen internen Kontaktbereich 22, an welchem Steueranschlüsse 32 der ersten und zweiten Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 kontaktiert sind, und mindestens einen externen Kontaktbereich 24 auf, an welchem Kontaktelemente 26 angeordnet sind, welche mit Steuerleitungen einer externen Kontaktvorrichtung 40 kontaktierbar sind. Ein Layout des ersten Schaltungsträgers 10 ist spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse MLA ausgeführt. Hierbei ist der zweite Schaltungsträger 20 als rechteckförmige und insbesondere flexible Leiterplatte 20A ausgeführt, welche symmetrisch zur Mittelängsachse MLA angeordnet und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger 10 verbunden ist.How out 1 until 3 As can be seen, the illustrated embodiment of a power module 1 according to the invention comprises a first circuit carrier 10, which has an electrically insulating layer 12, on which at least one first conductor structure 14, which can be contacted with a first supply connection via at least one external contact region 14.2, at least one second conductor structure 16, which can be contacted with a second supply connection via at least one external contact area 16.2, and at least one third conductor structure 18 is formed, which can be contacted with a load connection via at least one external contact area 18.2. At least one first semiconductor switch HS1 to HS4 is electrically looped between the at least one first conductor structure 14 and the at least one third conductor structure 18. At least one second semiconductor switch LS1 to LS4 is electrically looped between the at least one third conductor structure 18 and the at least one second conductor structure 16. At least one second circuit carrier 20 is arranged spatially parallel above the first circuit carrier 10 and has at least one internal contact area 22, to which control connections 32 of the first and second semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 are contacted, and at least one external contact area 24 which contact elements 26 are arranged, which can be contacted with control lines of an external contact device 40. A layout of the first circuit carrier 10 is designed to be mirror-symmetrical to a central longitudinal axis MLA. Here, the second circuit carrier 20 is designed as a rectangular and in particular flexible circuit board 20A, which is arranged symmetrically to the central longitudinal axis MLA and is connected to the first circuit carrier 10 via soldered connections or welded connections or adhesive connections or sintered connections.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist im dargestellten Ausführungsbeispiel des Leistungsmoduls 1 auf einer Oberseite des ersten Schaltungsträger 10 nur eine erste Leiterstruktur 14 und zwei zweite Leiterstrukturen 16, 16A, 16B und nur eine dritte Leiterstruktur 18 ausgebildet. Wie aus 2 weiter ersichtlich ist, ist auf der Unterseite des ersten Schaltungsträgers 10 mindestens eine Metallschicht 9 angeordnet, über welche Verlustwärme der Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 abführbar ist. Der erste Schaltungsträger 10 ist im dargestellten Ausführungsbeispiel als AMB-Substrat 10A (AMB: Active metal bonding) ausgeführt, und die Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 sind als Feldeffekttransistoren 30 ausgeführt, so dass Drainanschlüsse der Feldeffekttransistoren 30 jeweils einem ersten Leistungsanschluss 34 der Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 und Sourceanschlüsse der Feldeffekttransistoren 30 jeweils einem zweiten Leistungsanschluss 34 der Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 entsprechen. Die Steueranschlüsse 32 der Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 entsprechen jeweils einem Gateanschluss oder einem Kelvin-Sourceanschluss des jeweiligen Feldeffekttransistors 30.How out 1 and 2 It can also be seen that in the illustrated embodiment of the power module 1, only a first conductor structure 14 and two second conductor structures 16, 16A, 16B and only a third conductor structure 18 are formed on an upper side of the first circuit carrier 10. How out 2 As can further be seen, at least one metal layer 9 is arranged on the underside of the first circuit carrier 10, via which heat loss from the semiconductor switch HS1 to HS4, LS1 to LS4 can be dissipated. In the exemplary embodiment shown, the first circuit carrier 10 is designed as an AMB substrate 10A (AMB: Active Metal Bonding), and the semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 are designed as field effect transistors 30, so that drain connections of the field effect transistors 30 each have a first power connection 34 of the Semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 and source connections of the field effect transistors 30 each correspond to a second power connection 34 of the semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4. The control connections 32 of the semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 each correspond to a gate connection or a Kelvin source connection of the respective field effect transistor 30.

Wie aus 2 und 3 weiter ersichtlich ist, ist das Leistungsmodul 1 von einer Umhüllung 3 ummoldet, wobei die Umhüllung 3 des ummoldeten Leistungsmoduls 1A im Bereich der externen Kontaktbereiche 14.2, 16.2, 18.2 des ersten Schaltungsträgers 10 jeweils eine Aussparung 5 aufweist, so dass die externen Kontaktbereiche 14.2, 16.2, 18.2 des ersten Schaltungsträgers 10 kontaktierbar sind. Im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 ist in die Umhüllung 3 eine Freilegung 7 eingebracht, so dass die Kontaktelemente 26 des mindestens einen externen Kontaktbereichs 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 freigelegt und kontaktierbar sind.How out 2 and 3 It can also be seen that the power module 1 is surrounded by a casing 3, the casing 3 of the molded power module 1A each having a recess 5 in the area of the external contact areas 14.2, 16.2, 18.2 of the first circuit carrier 10, so that the external contact areas 14.2, 16.2 , 18.2 of the first circuit carrier 10 can be contacted. In the area of the at least one external contact area 24 of the second circuit carrier 20, an exposure 7 is introduced into the casing 3, so that the contact elements 26 of the at least one external contact area 24 of the second circuit carrier 20 are exposed and can be contacted.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist der mindestens eine erste Halbleiterschalter HS1 bis HS4 mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss 34A auf mindestens einem internen Kontaktbereich 14.1 der mindestens einen ersten Leiterstruktur 14 angeordnet und kontaktiert. Ein zweiter Leistungsanschluss 34B des mindestens einen ersten Halbleiterschalters HS1 bis HS4 ist über mindestens eine Leistungsverbindung 19 mit mindestens einem internen Kontaktbereich 18.1 der mindestens einen dritten Leiterstruktur 18 kontaktiert. Der mindestens eine zweite Halbleiterschalter LS1 bis LS4 ist mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss 34A auf mindestens einem internen Kontaktbereich 18.1 der mindestens einen dritten Leiterstruktur 18 angeordnet und kontaktiert. Ein zweiter Leistungsanschluss 34B des mindestens einen zweiten Halbleiterschalters LS1 bis LS4 ist über mindestens eine Leistungsverbindung 19 mit mindestens einem internen Kontaktbereich 16.1 der mindestens einen zweiten Leiterstruktur 16 kontaktiert.How out 1 and 2 It can also be seen that the at least one first semiconductor switch HS1 to HS4 is arranged and contacted with a first power connection 34A designed as a contact surface on at least one internal contact area 14.1 of the at least one first conductor structure 14. A second power connection 34B of the at least one first semiconductor switch HS1 to HS4 is contacted via at least one power connection 19 with at least one internal contact region 18.1 of the at least one third conductor structure 18. The at least one second semiconductor switch LS1 to LS4 is arranged and contacted with a first power connection 34A designed as a contact surface on at least one internal contact area 18.1 of the at least one third conductor structure 18. A second power connection 34B of the at least one second semiconductor switch LS1 to LS4 is contacted via at least one power connection 19 with at least one internal contact area 16.1 of the at least one second conductor structure 16.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist im dargestellten Ausführungsbeispiel des Leistungsmoduls 1 die erste Leiterstruktur 14 T-förmig ausgeführt und um 90° im Gegenuhrzeigersinn gedreht, so dass ein Querbalken der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 parallel zu einer Mittehochachse MHA verläuft und in einer in der Darstellung linken Hälfte des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet ist. Ein Längsbalken der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 weist eine Verbreiterung auf und ist an einem in der Darstellung rechten Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet. Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist ein erster interner Kontaktbereich 14.1A der ersten Leiterstruktur 14 in einer in der Darstellung oberen Hälfte des Querbalkens der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 ausgebildet. Ein zweiter interner Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 ist in einer in der Darstellung unteren Hälfte des Querbalkens der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 ausgebildet. Ein externer Kontaktbereich 14.2 der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 ist im verbreiterten Bereich des Längsbalkens der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 an dem in der Darstellung rechten Rand des ersten Schaltungsträgers 10 ausgebildet.How out 1 and 2 It can also be seen that in the illustrated embodiment of the power module 1, the first conductor structure 14 is T-shaped and rotated by 90 ° in the counterclockwise direction, so that a crossbar of the T-shaped first conductor structure 14 runs parallel to a central vertical axis MHA and in one in the illustration left half of the first circuit carrier 10 is arranged. A longitudinal bar of the T-shaped first conductor structure 14 has a widening and is arranged on a right-hand edge of the first circuit carrier 10 in the illustration. How out 1 and 2 As can further be seen, a first internal contact area 14.1A of the first conductor structure 14 is formed in an upper half of the crossbar of the T-shaped first conductor structure 14 in the illustration. A second internal contact area 14.1B of the first conductor structure 14 is formed in a lower half of the crossbar of the T-shaped first conductor structure 14 in the illustration. An external contact area 14.2 of the T-shaped first conductor structure 14 is formed in the widened area of the longitudinal bar of the T-shaped first conductor structure 14 on the right edge of the first circuit carrier 10 in the illustration.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, sind die beiden zweiten Leiterstrukturen 16A, 16B jeweils L-förmig ausgebildet und in der Darstellung rechten Eckbereichen des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet. Hierbei verläuft ein erster Schenkel einer ersten zweiten Leiterstruktur 16A entlang eines in der Darstellung oberen Rands des ersten Schaltungsträgers 10 und ein zweiter Schenkel dieser zweiten Leiterstruktur ist dicker als der erste Schenkel ausgeführt und verläuft entlang des in der Darstellung rechten Rands des ersten Schaltungsträgers 10. Ein erster Schenkel einer weiteren zweiten Leiterstruktur 16B verläuft entlang eines in der Darstellung unteren Rands des ersten Schaltungsträgers 10 und ein zweiter Schenkel dieser zweiten Leiterstruktur ist dicker als der erste Schenkel ausgeführt und verläuft entlang des in der Darstellung rechten Rands des ersten Schaltungsträgers 10, wobei das verbreiterte Ende des Längsbalkens der T-förmigen ersten Leiterstruktur die beiden zweiten Schenkel der zweiten Leiterstrukturen 16A, 16B voneinander trennt. Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist ein erster interner Kontaktbereich 16.1A der zweiten Leiterstruktur 16 im ersten Schenkel der am oberen Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten ersten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16A ausgebildet. Ein zweiter interner Kontaktbereich 16.1B der zweiten Leiterstruktur 16 ist im ersten Schenkel der am unteren Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten zweiten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16B ausgebildet. Ein erster externer Kontaktbereich 16.2A der zweiten Leiterstruktur 16 ist im verbreiterten zweiten Schenkel der ersten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16A ausgebildet. Ein zweiter externer Kontaktbereich 16.2B der zweiten Leiterstruktur 16 ist im verbreiterten zweiten Schenkel der zweiten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16B ausgebildet.How out 1 and 2 As can further be seen, the two second conductor structures 16A, 16B are each L-shaped and arranged in the right corner regions of the first circuit carrier 10 in the illustration. Here, a first leg of a first second conductor structure 16A runs along an upper edge of the first circuit carrier 10 in the illustration and a second leg of this second conductor structure is thicker than the first leg and runs along the right edge of the first circuit carrier 10 in the illustration The first leg of a further second conductor structure 16B runs along a lower edge of the first circuit carrier 10 in the illustration, and a second leg of this second conductor structure is thicker than the first leg and runs along the right edge of the first circuit carrier 10 in the illustration, the widened End of the longitudinal beam of the T-shaped first conductor structure separates the two second legs of the second conductor structures 16A, 16B from each other. How out 1 and 2 As can further be seen, a first internal contact region 16.1A of the second conductor structure 16 is formed in the first leg of the first L-shaped second conductor structure 16A arranged at the upper edge of the first circuit carrier 10. A second internal contact region 16.1B of the second conductor structure 16 is formed in the first leg of the second L-shaped second conductor structure 16B arranged at the lower edge of the first circuit carrier 10. A first external contact region 16.2A of the second conductor structure 16 is formed in the widened second leg of the first L-shaped second conductor structure 16A. A second external contact region 16.2B of the second conductor structure 16 is formed in the widened second leg of the second L-shaped second conductor structure 16B.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist die dritte Leiterstruktur 18 U-förmig ausgeführt und um 90° im Uhrzeigersinn gedreht, wobei äußere Schenkel der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 an einem in der Darstellung oberen Rand und an einem in der Darstellung unteren Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet sind. Ein Verbindungssteg der dritten Leiterstruktur 18, welcher die beiden Schenkel der dritten Leiterstruktur 18 miteinander verbindet, ist an einem in der Darstellung linken Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet. Zudem weisen offene Enden der beiden Schenkel der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 jeweils eine Verbreiterung mit einer Aussparung auf. Hierbei ist in der Aussparung der Verbreiterung eines am oberen Rand des ersten Schaltungsträgers 10 verlaufenden Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ein erster Schenkel der ersten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16A angeordnet. In der Aussparung der Verbreiterung eines am unteren Rand des ersten Schaltungsträgers 10 verlaufenden Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ist ein erster Schenkel der weiteren L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16B angeordnet. Zudem umschließt die U-förmige dritte Leiterstruktur 18 den Querbalken der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14, wobei der Längsbalken der T-förmigen ersten Leiterstruktur 14 die beiden Schenkel der dritten Leiterstruktur 18 im Bereich der Verbreiterungen voneinander trennt. Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist ein erster interner Kontaktbereich 18.1A der dritten Leiterstruktur 18 in einem schmäleren Abschnitt des am oberen Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet. Ein zweiter interner Kontaktbereich 18.1B der dritten Leiterstruktur 18 ist in einem schmäleren Abschnitt des am unteren Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet. Ein dritter interner Kontaktbereich 18.1C der dritten Leiterstruktur 18 ist im verbreiterten Abschnitt des am oberen Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet. Ein vierter interner Kontaktbereich 18.1D der dritten Leiterstruktur 18 ist in einem verbreiterten Abschnitt des am unteren Rand des ersten Schaltungsträgers 10 angeordneten Schenkels der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet. Ein erster externer Kontaktbereich 18.2A der dritten Leiterstruktur 18 ist in einer oberen Hälfte des Verbindungsstegs der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet. Ein zweiter externer Kontaktbereich 18.2B der dritten Leiterstruktur 18 ist in einer unteren Hälfte des Verbindungsstegs der U-förmigen dritten Leiterstruktur 18 ausgebildet.How out 1 and 2 As can also be seen, the third conductor structure 18 is U-shaped and rotated through 90° clockwise, with outer legs of the U-shaped third conductor structure 18 at an upper edge in the illustration and at a lower edge in the illustration of the first circuit carrier 10 are arranged. A connecting web of the third conductor structure 18, which connects the two legs of the third conductor structure 18 to one another, is arranged on a left-hand edge of the first circuit carrier 10 in the illustration. In addition, open ends of the two legs of the U-shaped third conductor structure 18 each have a widening with a recess. Here, a first leg of the first L-shaped second conductor structure 16A is arranged in the recess of the widening of a leg of the U-shaped third conductor structure 18 running on the upper edge of the first circuit carrier 10. A first leg of the further L-shaped second conductor structure 16B is arranged in the recess of the widening of a leg of the U-shaped third conductor structure 18 running on the lower edge of the first circuit carrier 10. In addition, the U-shaped third conductor structure 18 encloses the crossbar of the T-shaped first conductor structure 14, with the longitudinal bar of the T-shaped first conductor structure 14 separating the two legs of the third conductor structure 18 from one another in the area of the widenings. How out 1 and 2 As can further be seen, a first internal contact region 18.1A of the third conductor structure 18 is formed in a narrower section of the leg of the U-shaped third conductor structure 18 arranged at the upper edge of the first circuit carrier 10. A second internal contact area 18.1B of the third conductor structure 18 is formed in a narrower section of the leg of the U-shaped third conductor structure 18 arranged at the lower edge of the first circuit carrier 10. A third internal contact area 18.1C of the third conductor structure 18 is formed in the widened section of the leg of the U-shaped third conductor structure 18 arranged at the upper edge of the first circuit carrier 10. A fourth internal contact region 18.1D of the third conductor structure 18 is formed in a widened section of the leg of the U-shaped third conductor structure 18 arranged at the lower edge of the first circuit carrier 10. A first external contact area 18.2A of the third conductor structure 18 is formed in an upper half of the connecting web of the U-shaped third conductor structure 18. A second external contact area 18.2B of the third conductor structure 18 is formed in a lower half of the connecting web of the U-shaped third conductor structure 18.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Schaltungsträger 20 als rechteckige flexible Leiterplatte 20A ausgeführt, wobei ein erster interner Kontaktbereich 22A und ein erster externer Kontaktbereich 24A auf einer in der Darstellung linken Hälfte des zweiten Schaltungsträgers 20 ausgebildet sind. Ein zweiter interner Kontaktbereich 22B und ein zweiter externer Kontaktbereich 24B auf einer in der Darstellung rechten Hälfte des zweiten Schaltungsträgers 20 ausgebildet. Ein dritter externer Kontaktbereich 22C ist in der Mitte des zweiten Schaltungsträgers 20 ausgebildet. Zudem weist der Schaltungsträger 20 in der linken Hälfte eine in den zweiten internen Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 ragende erste Nase auf, auf welcher ein nicht näher bezeichneter erster Temperatursensor angeordnet ist. Des Weiteren weist der Schaltungsträger 20 in der rechten Hälfte eine in den dritten internen Kontaktbereich 18.1C der dritten Leiterstruktur 18 ragende zweite Nase auf, auf welcher ein nicht näher bezeichneter zweiter Temperatursensor angeordnet ist.How out 1 and 2 As can further be seen, the second circuit carrier 20 is designed as a rectangular flexible circuit board 20A, with a first internal contact area 22A and a first external contact area 24A being formed on a left half of the second circuit carrier 20 in the illustration. A second internal contact area 22B and a second external contact area 24B are formed on a right half of the second circuit carrier 20 in the illustration. A third external contact area 22C is formed in the middle of the second circuit carrier 20. In addition, the circuit carrier 20 in the left half has a first nose which projects into the second internal contact area 14.1B of the first conductor structure 14 and on which a first temperature sensor (not specified) is arranged. Furthermore, the circuit carrier 20 in the right half has a second nose projecting into the third internal contact area 18.1C of the third conductor structure 18, on which a second temperature sensor (not specified) is arranged.

Wie aus 1 bis 3 weiter ersichtlich ist, sind der externe Kontaktbereich 14.2 der ersten Leiterstruktur 14 und die beiden externen Kontaktbereiche 16.2A, 162B der beiden zweiten Leiterstrukturen 16A, 16B an einem gemeinsamen ersten, in der Darstellung rechten Endbereich des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet. Die beiden externen Kontaktbereiche 18.2A, 18.2B der dritten Leiterstruktur 18 sind an einem dem ersten Endbereich gegenüberliegenden zweiten, in der Darstellung linken Endbereich des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet ist. Die externen Kontaktbereiche 24A, 24B, 24C des zweiten Schaltungsträgers 26 sind entlang der gemeinsamen Mittelängsachse des ersten Schaltungsträgers 10 und des zweiten Schaltungsträgers 20 und senkrecht zum ersten und zweiten Endbereich des ersten Schaltungsträgers 10 angeordnet.How out 1 until 3 can also be seen, are the external contact area 14.2 of the first Lei ter structure 14 and the two external contact areas 16.2A, 162B of the two second conductor structures 16A, 16B are arranged on a common first end area of the first circuit carrier 10, which is on the right in the illustration. The two external contact areas 18.2A, 18.2B of the third conductor structure 18 are arranged on a second end area of the first circuit carrier 10, which is opposite the first end area and is on the left in the illustration. The external contact areas 24A, 24B, 24C of the second circuit carrier 26 are arranged along the common central longitudinal axis of the first circuit carrier 10 and the second circuit carrier 20 and perpendicular to the first and second end regions of the first circuit carrier 10.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist auf einem ersten internen Kontaktbereich 14.1A der ersten Leiterstruktur 14 und auf einem gegenüberliegenden zweiten internen Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 jeweils mindestens ein erster Halbleiterschalter HS1, HS2; HS3, HS4 angeordnet und kontaktiert. Hierbei ist der mindestens eine auf dem zweiten internen Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 angeordnete erste Halbleiterschalter HS3, HS4 um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden ersten internen Kontaktbereich 14.1A der ersten Leiterstruktur 14 angeordneten ersten Halbleiterschalter HS1, HS2 ausgerichtet. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind auf dem ersten internen Kontaktbereich 14.1A der ersten Leiterstruktur 14 zwei erste Halbleiterschalter HS1, HS2 angeordnet und kontaktiert, welche eine erste High-Side-Schaltergruppe ausbilden. Auf dem gegenüberliegenden zweiten internen Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 sind ebenfalls zwei erste Halbleiterschalter HS3, HS4 angeordnet und kontaktiert, welche eine zweite High-Side-Schaltergruppe ausbilden. Die Steueranschlüsse der ersten Halbleiterschalter HS1, HS2; HS3, HS4 sind über als Signalbonddrähte 28A ausgeführte Signalverbindungen 28 mit dem gemeinsamen ersten internen Kontaktbereich 22A der zweiten Leiterplatte 20 kontaktiert, welcher zwischen dem ersten internen Kontaktbereich 14.1A und dem zweiten internen Kontaktbereich 14.1B der ersten Leiterstruktur 14 angeordnet ist. Die zweiten Leistungsanschlüsse 34B der beiden auf dem ersten internen Kontaktbereich 14.1A angeordneten ersten Halbleiterschalter HS1, HS2 sind über mehrere als Leistungsbonddrähte 19A ausgeführten Leistungsverbindungen 19 mit dem ersten internen Kontaktbereich 18.1A der dritten Leiterstruktur 18 kontaktiert. Die zweiten Leistungsanschlüsse 34B der beiden auf dem zweiten internen Kontaktbereich 14.1B angeordneten ersten Halbleiterschalter HS3, HS4 sind über mehrere als Leistungsbonddrähte 19A ausgeführte Leistungsverbindungen 19 mit dem zweiten internen Kontaktbereich 18.1B der dritten Leiterstruktur 18 kontaktiert, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich 18.1A der dritten Leiterstruktur 18 angeordnet ist.How out 1 and 2 As can further be seen, there is at least one first semiconductor switch HS1, HS2; HS3, HS4 arranged and contacted. Here, the at least one first semiconductor switch HS3, HS4 arranged on the second internal contact region 14.1B of the first conductor structure 14 is rotated by 180° and aligned with the at least one first semiconductor switch HS1, HS2 arranged on the opposite first internal contact region 14.1A of the first conductor structure 14. In the illustrated embodiment, two first semiconductor switches HS1, HS2 are arranged and contacted on the first internal contact area 14.1A of the first conductor structure 14, which form a first high-side switch group. Two first semiconductor switches HS3, HS4 are also arranged and contacted on the opposite second internal contact area 14.1B of the first conductor structure 14, which form a second high-side switch group. The control connections of the first semiconductor switches HS1, HS2; HS3, HS4 are contacted via signal connections 28 designed as signal bonding wires 28A with the common first internal contact area 22A of the second circuit board 20, which is arranged between the first internal contact area 14.1A and the second internal contact area 14.1B of the first conductor structure 14. The second power connections 34B of the two first semiconductor switches HS1, HS2 arranged on the first internal contact area 14.1A are contacted with the first internal contact area 18.1A of the third conductor structure 18 via several power connections 19 designed as power bonding wires 19A. The second power connections 34B of the two first semiconductor switches HS3, HS4 arranged on the second internal contact area 14.1B are contacted via several power connections 19 designed as power bonding wires 19A with the second internal contact area 18.1B of the third conductor structure 18, which is opposite to the first internal contact area 18.1A of the third conductor structure 18 is arranged.

Wie aus 1 und 2 weiter ersichtlich ist, ist auf dem dritten internen Kontaktbereich 18.1C der dritten Leiterstruktur 18 und auf dem gegenüberliegenden vierten internen Kontaktbereich 18.1D der dritten Leiterstruktur 18 jeweils mindestens ein zweiter Halbleiterschalter LS1, LS2; LS3, LS4 angeordnet und kontaktiert. Hierbei ist der mindestens eine auf dem vierten internen Kontaktbereich 18.1 D der dritten Leiterstruktur 18 angeordnete zweite Halbleiterschalter LS3, LS4 um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden dritten internen Kontaktbereich 18.1C der dritten Leiterstruktur 18 angeordneten zweiten Halbleiterschalter LS1, LS2 ausgerichtet. Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind auf dem dritten internen Kontaktbereich 18.1C der dritten Leiterstruktur 18 zwei zweite Halbleiterschalter LS1, LS2 angeordnet und kontaktiert, welche eine erste Low-Side-Schaltergruppe ausbilden. Auf dem gegenüberliegenden vierten internen Kontaktbereich 18.1D der dritten Leiterstruktur 18 sind ebenfalls zwei zweite Halbleiterschalter LS3, LS4 angeordnet und kontaktiert, welche eine zweite Low-Side-Schaltergruppe ausbilden. Die Steueranschlüsse der zweiten Halbleiterschalter LS1, LS2; LS3, LS4 sind über als Signalbonddrähte 28A ausgebildete Signalverbindungen 28 mit dem gemeinsamen zweiten internen Kontaktbereich 22B der zweiten Leiterplatte 20 kontaktiert, welcher zwischen dem dritten internen Kontaktbereich 18.1C und dem vierten internen Kontaktbereich 18.1D der dritten Leiterstruktur 18 angeordnet ist. Die zweiten Leistungsanschlüsse 34B der beiden auf dem dritten internen Kontaktbereich 18.1C angeordneten zweiten Halbleiterschalter LS1, LS2 sind über mehrere als Leistungsbonddrähte 19A ausgeführte Leistungsverbindungen 19 mit dem ersten internen Kontaktbereich 16.1A der ersten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16A kontaktiert. Die zweiten Leistungsanschlüsse 34B der beiden auf dem vierten internen Kontaktbereich 18.1D angeordneten zweiten Halbleiterschalter LS3, LS4 sind über mehrere als Leistungsbonddrähte 19A ausgeführte Leistungsverbindungen 19 mit dem zweiten internen Kontaktbereich 16.1B der zweiten L-förmigen zweiten Leiterstruktur 16B kontaktiert, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich 16.1A der zweiten Leiterstruktur 16 angeordnet ist.How out 1 and 2 It can also be seen that on the third internal contact area 18.1C of the third conductor structure 18 and on the opposite fourth internal contact area 18.1D of the third conductor structure 18 there is at least one second semiconductor switch LS1, LS2; LS3, LS4 arranged and contacted. Here, the at least one second semiconductor switch LS3, LS4 arranged on the fourth internal contact region 18.1D of the third conductor structure 18 is rotated by 180° and aligned with the at least one second semiconductor switch LS1, LS2 arranged on the opposite third internal contact region 18.1C of the third conductor structure 18. In the exemplary embodiment shown, two second semiconductor switches LS1, LS2 are arranged and contacted on the third internal contact area 18.1C of the third conductor structure 18, which form a first low-side switch group. Two second semiconductor switches LS3, LS4 are also arranged and contacted on the opposite fourth internal contact area 18.1D of the third conductor structure 18, which form a second low-side switch group. The control connections of the second semiconductor switches LS1, LS2; LS3, LS4 are contacted via signal connections 28 designed as signal bonding wires 28A with the common second internal contact area 22B of the second circuit board 20, which is arranged between the third internal contact area 18.1C and the fourth internal contact area 18.1D of the third conductor structure 18. The second power connections 34B of the two second semiconductor switches LS1, LS2 arranged on the third internal contact area 18.1C are contacted with the first internal contact area 16.1A of the first L-shaped second conductor structure 16A via several power connections 19 designed as power bonding wires 19A. The second power connections 34B of the two second semiconductor switches LS3, LS4 arranged on the fourth internal contact area 18.1D are contacted via several power connections 19 designed as power bonding wires 19A with the second internal contact area 16.1B of the second L-shaped second conductor structure 16B, which is opposite to the first internal Contact area 16.1A of the second conductor structure 16 is arranged.

Zur elektrischen Verbindung der externen Kontaktbereiche 24A, 24B, 24C mit einer nicht dargestellten Auswerte- und Steuereinheit oder einem Steuergerät, welche die Steuersignale zur Ansteuerung der Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 erzeugen und ausgeben, kann eine nicht näher dargestellte externe Kontaktvorrichtung eingesetzt werden. Die externe Kontaktvorrichtung kann beispielsweise als flexible Leiterplatte ausgeführt sein, welche einen Kontaktbereich und mehrere Kontaktelemente umfasst. Hierbei werden die Kontaktelemente der externen Kontaktvorrichtung über Schweißverbindungen mit den Kontaktelementen 26 des externen Kontaktbereichs 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 elektrisch kontaktiert. Alternativ kann die elektrische Kontaktierung über Lötverbindungen oder Klebeverbindungen oder Steckerverbindungen erfolgen. Alternativ kann die externe Kontaktvorrichtung auch als Steckeraufnahme oder als Stecker ausgebildet sein.An external contact device, not shown, can be used to electrically connect the external contact areas 24A, 24B, 24C to an evaluation and control unit (not shown) or a control device which generates and outputs the control signals for controlling the semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 the. The external contact device can, for example, be designed as a flexible circuit board, which includes a contact area and a plurality of contact elements. Here, the contact elements of the external contact device are electrically contacted via welded connections with the contact elements 26 of the external contact area 24 of the second circuit carrier 20. Alternatively, the electrical contact can be made via soldered connections or adhesive connections or plug connections. Alternatively, the external contact device can also be designed as a plug receptacle or as a plug.

Wie aus 4 weiter ersichtlich ist, umfasst das dargestellten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens 100 zur Herstellung des Leistungsmoduls 1 einen Schritt S100, in welchem ein erster Schaltungsträger 10, dessen Layout spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse MLA ausgeführt ist, und ein zweiter Schaltungsträger 20, welcher mindestens einen internen Kontaktbereich 22 und mindestens einen externen Kontaktbereich 24 aufweist, und mindestens ein erster Halbleiterschalter HS1 bis HS4 und mindesten ein zweiter Halbleiterschalter LS1 bis LS4 bereitgestellt werden. In einem Schritt S110 wird der mindestens eine erste Halbleiterschalter HS1 bis HS4 elektrisch zwischen mindestens einer ersten Leiterstruktur 14 und mindestens einer dritten Leiterstruktur 18 des ersten Schaltungsträgers 10 eingeschleift. In einem Schritt S120 wird mindestens ein zweiter Halbleiterschalter LS1 bis LS4 elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur 18 und mindestens einer zweiten Leiterstruktur 16 des ersten Schaltungsträgers 10 eingeschleift. In einem Schritt S130 wird der mindestens ein zweite Schaltungsträger 20 räumlich parallel und symmetrisch zur Mittelängsachse MLA über dem ersten Schaltungsträger 10 angeordnet und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger 10 verbunden. In einem Schritt S140 werden Steueranschlüsse 32 der ersten und zweiten Halbleiterschalter HS1 bis HS4, LS1 bis LS4 mit dem mindestens einen internen Kontaktbereich 22 des zweiten Schaltungsträgers 20 kontaktiert.How out 4 As can further be seen, the illustrated exemplary embodiment of a method 100 according to the invention for producing the power module 1 includes a step S100, in which a first circuit carrier 10, the layout of which is mirror-symmetrical to a central longitudinal axis MLA, and a second circuit carrier 20, which has at least one internal contact area 22 and at least one external contact region 24, and at least one first semiconductor switch HS1 to HS4 and at least one second semiconductor switch LS1 to LS4 are provided. In a step S110, the at least one first semiconductor switch HS1 to HS4 is electrically looped between at least one first conductor structure 14 and at least one third conductor structure 18 of the first circuit carrier 10. In a step S120, at least one second semiconductor switch LS1 to LS4 is electrically looped in between the at least one third conductor structure 18 and at least one second conductor structure 16 of the first circuit carrier 10. In a step S130, the at least one second circuit carrier 20 is arranged spatially parallel and symmetrical to the central longitudinal axis MLA above the first circuit carrier 10 and connected to the first circuit carrier 10 via soldered connections or welded connections or adhesive connections or sintered connections. In a step S140, control connections 32 of the first and second semiconductor switches HS1 to HS4, LS1 to LS4 are contacted with the at least one internal contact area 22 of the second circuit carrier 20.

Optional wird das bestückte und kontaktierte Leistungsmodul 1 in ein Moldwerkzeug eingelegt und in einem Moldvorgang mit einer Umhüllung 3 ummoldet. Während des Moldvorgangs wird die Umhüllung 3 im Bereich der externen Kontaktbereiche 14.2, 16.2, 18.2 des ersten Schaltungsträgers 10 durch Einlegeteile ausgespart, so dass die externen Kontaktbereiche 14.2, 16.2, 18.2 des ersten Schaltungsträgers 10 nach der Entnahme des ummoldeten Leistungsmoduls 1A aus dem Moldwerkzeug aufgrund der erzeugten Aussparungen 5 kontaktierbar sind. Im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 die Umhüllung 3 freigelegt, so dass die Kontaktelemente 26 des mindestens einen externen Kontaktbereichs 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 durch die erzeugte Freilegung 7 kontaktierbar sind. Hierbei wird der mindestens eine externe Kontaktbereich 24 des zweiten Schaltungsträgers 20 entweder vor oder nach der Entnahme des ummoldeten Leitungsmoduls 1A aus dem Moldwerkzeug freigelegt.Optionally, the equipped and contacted power module 1 is inserted into a mold and molded with a casing 3 in a molding process. During the molding process, the casing 3 is recessed by inserts in the area of the external contact areas 14.2, 16.2, 18.2 of the first circuit carrier 10, so that the external contact areas 14.2, 16.2, 18.2 of the first circuit carrier 10 after the molded power module 1A has been removed from the mold the recesses 5 created can be contacted. In the area of the at least one external contact area 24 of the second circuit carrier 20, the casing 3 is exposed, so that the contact elements 26 of the at least one external contact area 24 of the second circuit carrier 20 can be contacted by the exposure 7 generated. Here, the at least one external contact area 24 of the second circuit carrier 20 is exposed either before or after the molded line module 1A is removed from the molding tool.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102014219998 B4 [0002]DE 102014219998 B4 [0002]
  • EP 2418925 B1 [0003]EP 2418925 B1 [0003]

Claims (15)

Leistungsmodul (1) mit einem ersten Schaltungsträger (10), welcher eine elektrisch isolierende Schicht (12) aufweist, auf welcher mindestens eine erste Leiterstruktur (14), welche über mindestens einen externen Kontaktbereich (14.2) mit einem ersten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, mindestens eine zweite Leiterstruktur (16), welche über mindestens einen externen Kontaktbereich (16.2) mit einem zweiten Versorgungsanschluss kontaktierbar ist, und mindestens eine dritte Leiterstruktur (18) ausgebildet sind, welche über mindestens einen externen Kontaktbereich (18.2) mit einem Lastanschluss kontaktierbar ist, wobei mindestens ein erster Halbleiterschalter (HS1 bis HS4) elektrisch zwischen der mindestens einen ersten Leiterstruktur (14) und der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) eingeschleift ist, wobei mindestens ein zweiter Halbleiterschalter (LS1 bis LS4) elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) und der mindestens einen zweiten Leiterstruktur (16) eingeschleift ist, wobei mindestens ein zweiter Schaltungsträger (20) räumlich parallel über dem ersten Schaltungsträger (10) angeordnet ist und mindestens einen internen Kontaktbereich (22), an welchem Steueranschlüsse (32) der ersten und zweiten Halbleiterschalter (HS1 bis HS4, LS1 bis LS4) kontaktiert sind, und mindestens einen externen Kontaktbereich (24) aufweist, an welchem Kontaktelemente (26) angeordnet sind, welche mit Steuerleitungen einer externen Kontaktvorrichtung (40) kontaktierbar sind, wobei ein Layout des ersten Schaltungsträgers (10) spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse (MLA) ausgeführt ist, und wobei der zweite Schaltungsträger (20) als rechteckförmige und insbesondere flexible Leiterplatte (20A) ausgeführt ist, welche symmetrisch zur Mittelängsachse (MLA) angeordnet ist und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger (10) verbunden ist.Power module (1) with a first circuit carrier (10), which has an electrically insulating layer (12), on which at least one first conductor structure (14), which can be contacted with a first supply connection via at least one external contact area (14.2), at least one second conductor structure (16), which can be contacted with a second supply connection via at least one external contact area (16.2), and at least one third conductor structure (18), which can be contacted with a load connection via at least one external contact area (18.2), wherein at least a first semiconductor switch (HS1 to HS4) is electrically looped between the at least one first conductor structure (14) and the at least one third conductor structure (18), wherein at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) is electrically looped between the at least one third conductor structure (18) and the at least one second conductor structure (16) is looped in, with at least one second circuit carrier (20) being arranged spatially parallel above the first circuit carrier (10) and at least one internal contact area (22) on which control connections (32) of the first and second Semiconductor switches (HS1 to HS4, LS1 to LS4) are contacted, and has at least one external contact area (24), on which contact elements (26) are arranged, which can be contacted with control lines of an external contact device (40), wherein a layout of the first circuit carrier (10) is designed mirror-symmetrically to a central longitudinal axis (MLA), and wherein the second circuit carrier (20) is designed as a rectangular and in particular flexible circuit board (20A), which is arranged symmetrically to the central longitudinal axis (MLA) and via soldered connections or welded connections or adhesive connections or Sintered connections are connected to the first circuit carrier (10). Leistungsmodul (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungsmodul (1) von einer Umhüllung (3) ummoldet ist, wobei die Umhüllung (3) im Bereich der externen Kontaktbereiche (14.2, 16.2, 18.2) des ersten Schaltungsträgers (10) jeweils eine Aussparung (5) aufweist, so dass die externen Kontaktbereiche (14.2, 16.2, 18.2) des ersten Schaltungsträgers (10) kontaktierbar sind, und wobei im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) in die Umhüllung (3) eine Freilegung (7) eingebracht ist, so dass die Kontaktelemente (26) des mindestens einen externen Kontaktbereichs (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) freigelegt und kontaktierbar sind.Power module (1). Claim 1 , characterized in that the power module (1) is encased in a casing (3), the casing (3) each having a recess (5) in the area of the external contact areas (14.2, 16.2, 18.2) of the first circuit carrier (10). , so that the external contact areas (14.2, 16.2, 18.2) of the first circuit carrier (10) can be contacted, and wherein in the area of the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) an exposure (7 ) is introduced so that the contact elements (26) of the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) are exposed and can be contacted. Leistungsmodul (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine externe Kontaktbereich (14.2) der ersten Leiterstruktur (14) und der mindestens eine externe Kontaktbereich (16.2) der zweiten Leiterstruktur (14) an einem gemeinsamen ersten Endbereich des ersten Schaltungsträgers (10) angeordnet sind, wobei der mindestens eine externe Kontaktbereich (18.2) der dritten Leiterstruktur (18) des ersten Schaltungsträgers (10) an einem dem ersten Endbereich gegenüberliegenden zweiten Endbereich des ersten Schaltungsträgers (10) angeordnet ist und der mindestens eine externe Kontaktbereich (24) des zweiten Schaltungsträgers (26) entlang der Mittelängsachse (MLA) senkrecht zum ersten und zweiten Endbereich des ersten Schaltungsträgers (10) angeordnet ist.Power module (1). Claim 1 or 2 , characterized in that the at least one external contact region (14.2) of the first conductor structure (14) and the at least one external contact region (16.2) of the second conductor structure (14) are arranged on a common first end region of the first circuit carrier (10), the at least one external contact region (18.2) of the third conductor structure (18) of the first circuit carrier (10) is arranged on a second end region of the first circuit carrier (10) opposite the first end region and the at least one external contact region (24) of the second circuit carrier (26) is arranged along the central longitudinal axis (MLA) perpendicular to the first and second end regions of the first circuit carrier (10). Leistungsmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine erste Halbleiterschalter (HS1 bis HS4) mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss (34A) auf mindestens einem internen Kontaktbereich (14.1) der mindestens einen ersten Leiterstruktur (14) angeordnet und kontaktiert ist, wobei ein zweiter Leistungsanschluss (34B) des mindestens einen ersten Halbleiterschalters (HS1 bis HS4) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit mindestens einem internen Kontaktbereich (18.1) der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) kontaktiert ist.Power module (1) according to one of the Claims 1 until 3 , characterized in that the at least one first semiconductor switch (HS1 to HS4) is arranged and contacted with a first power connection (34A) designed as a contact surface on at least one internal contact area (14.1) of the at least one first conductor structure (14), wherein a second power connection (34B) of the at least one first semiconductor switch (HS1 to HS4) is contacted via at least one power connection (19) with at least one internal contact area (18.1) of the at least one third conductor structure (18). Leistungsmodul (1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem ersten internen Kontaktbereich (14.1A) der ersten Leiterstruktur (14) und auf einem gegenüberliegenden zweiten internen Kontaktbereich (14.1B) der ersten Leiterstruktur (14) jeweils mindestens ein erster Halbleiterschalter (HS1, HS2; HS3, HS4) angeordnet und kontaktiert ist, wobei der mindestens eine auf dem zweiten internen Kontaktbereich (14.1 B) der ersten Leiterstruktur (14) angeordnete erste Halbleiterschalter (HS3, HS4) um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden ersten internen Kontaktbereich (14.1A) der ersten Leiterstruktur (14) angeordneten ersten Halbleiterschalter (HS1, HS2) ausgerichtet ist.Power module (1). Claim 4 , characterized in that at least one first semiconductor switch (HS1, HS2; HS3, HS4 ) is arranged and contacted, wherein the at least one first semiconductor switch (HS3, HS4) arranged on the second internal contact area (14.1 B) of the first conductor structure (14) is rotated by 180 ° to the at least one on the opposite first internal contact area (14.1A ) of the first semiconductor switch (HS1, HS2) arranged on the first conductor structure (14). Leistungsmodul (1) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Steueranschlüsse der ersten Halbleiterschalter (HS1, HS2; HS3, HS4) über Signalverbindungen mit einem gemeinsamen ersten internen Kontaktbereich (22A) der zweiten Leiterplatte (20) kontaktiert sind, welcher zwischen dem ersten internen Kontaktbereich (14.1A) und dem zweiten internen Kontaktbereich (14.1B) der ersten Leiterstruktur (14) angeordnet ist, wobei der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem ersten internen Kontaktbereich (14.1A) angeordneten ersten Halbleiterschalters (HS1, HS2) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit einem ersten internen Kontaktbereich (18.1A) der dritten Leiterstruktur (18) kontaktiert ist und der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem zweiten internen Kontaktbereich (14.1B) angeordneten ersten Halbleiterschalters (HS3, HS4) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit einem zweiten internen Kontaktbereich (18.1B) der dritten Leiterstruktur (18) kontaktiert ist, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich (18.1A) der dritten Leiterstruktur (18) angeordnet ist.Power module (1). Claim 5 , characterized in that the control connections of the first semiconductor switches (HS1, HS2; HS3, HS4) are contacted via signal connections with a common first internal contact area (22A) of the second circuit board (20), which is between the first internal contact area (14.1A) and the second internal contact region (14.1B) of the first conductor structure (14) is arranged, wherein the second power connection of the at least one first semiconductor arranged on the first internal contact region (14.1A). switch (HS1, HS2) is contacted via at least one power connection (19) with a first internal contact area (18.1A) of the third conductor structure (18) and the second power connection of the at least one first semiconductor switch (14.1B) arranged on the second internal contact area (14.1B) HS3, HS4) is contacted via at least one power connection (19) with a second internal contact area (18.1B) of the third conductor structure (18), which is arranged opposite the first internal contact area (18.1A) of the third conductor structure (18). Leistungsmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine zweite Halbleiterschalter (LS1 bis LS4) mit einem als Kontaktfläche ausgeführten ersten Leistungsanschluss (34A) auf mindestens einem internen Kontaktbereich (18.1) der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) angeordnet und kontaktiert ist, wobei ein zweiter Leistungsanschluss (34B) des mindestens einen zweiten Halbleiterschalters (LS1 bis LS4) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit mindestens einem internen Kontaktbereich (16.1) der mindestens einen zweiten Leiterstruktur (16) kontaktiert ist.Power module (1) according to one of the Claims 1 until 6 , characterized in that the at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) is arranged and contacted with a first power connection (34A) designed as a contact surface on at least one internal contact area (18.1) of the at least one third conductor structure (18), wherein a second power connection (34B) of the at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) is contacted via at least one power connection (19) with at least one internal contact area (16.1) of the at least one second conductor structure (16). Leistungsmodul (1) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem dritten internen Kontaktbereich (18.1C) der dritten Leiterstruktur (18) und auf einem gegenüberliegenden vierten internen Kontaktbereich (18.1D) der dritten Leiterstruktur (18) jeweils mindestens ein zweiter Halbleiterschalter (LS1, LS2; LS3, LS4) angeordnet und kontaktiert ist, wobei der mindestens eine auf dem vierten internen Kontaktbereich (18.1D) der dritten Leiterstruktur (18) angeordnete zweite Halbleiterschalter (LS3, LS4) um 180° verdreht zu dem mindestens einen auf dem gegenüberliegenden dritten internen Kontaktbereich (18.1C) der dritten Leiterstruktur (18) angeordneten zweiten Halbleiterschalter (LS1, LS2) ausgerichtet ist.Power module (1). Claim 7 , characterized in that at least one second semiconductor switch (LS1, LS2; LS3, LS4 ) is arranged and contacted, wherein the at least one second semiconductor switch (LS3, LS4) arranged on the fourth internal contact area (18.1D) of the third conductor structure (18) is rotated by 180 ° to the at least one on the opposite third internal contact area (18.1C ) of the third conductor structure (18) arranged second semiconductor switch (LS1, LS2) is aligned. Leistungsmodul (1) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Steueranschlüsse der zweiten Halbleiterschalter (LS1, LS2; LS3, LS4) über Signalverbindungen mit einem gemeinsamen zweiten internen Kontaktbereich (22B) der zweiten Leiterplatte (20) kontaktiert sind, welcher zwischen dem dritten internen Kontaktbereich (18.1C) und dem vierten internen Kontaktbereich (18.1D) der dritten Leiterstruktur (18) angeordnet ist, wobei der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem dritten internen Kontaktbereich (18.1C) angeordneten zweiten Halbleiterschalters (LS1, LS2) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit einem ersten internen Kontaktbereich (16.1A) der mindestens einen zweiten Leiterstruktur (16) kontaktiert ist und der zweite Leistungsanschluss des mindestens einen auf dem vierten internen Kontaktbereich (18.1D) angeordneten zweiten Halbleiterschalters (LS3, LS4) über mindestens eine Leistungsverbindung (19) mit einem zweiten internen Kontaktbereich (16.1B) der mindestens einen zweiten Leiterstruktur (16) kontaktiert ist, welcher gegenüberliegend zum ersten internen Kontaktbereich (16.1A) der zweiten Leiterstruktur (16) angeordnet ist.Power module (1). Claim 8 , characterized in that the control connections of the second semiconductor switches (LS1, LS2; LS3, LS4) are contacted via signal connections with a common second internal contact area (22B) of the second circuit board (20), which is between the third internal contact area (18.1C) and the fourth internal contact area (18.1D) of the third conductor structure (18), the second power connection of the at least one second semiconductor switch (LS1, LS2) arranged on the third internal contact area (18.1C) being connected via at least one power connection (19). first internal contact area (16.1A) of the at least one second conductor structure (16) is contacted and the second power connection of the at least one second semiconductor switch (LS3, LS4) arranged on the fourth internal contact area (18.1D) via at least one power connection (19) with a second internal contact area (16.1B) of the at least one second conductor structure (16) is contacted, which is arranged opposite the first internal contact area (16.1A) of the second conductor structure (16). Leistungsmodul (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine externe Kontaktvorrichtung mit einem Kontaktbereich und mehreren Kontaktelementen ausgebildet ist, um mit dem externen Kontaktbereich (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) elektrisch kontaktiert zu werden, wobei die Kontaktelemente (26) des externen Kontaktbereichs (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Steckerverbindungen mit den Kontaktelementen der externen Kontaktvorrichtung verbindbar sind.Power module (1) according to one of the Claims 1 until 9 , characterized in that an external contact device is designed with a contact area and a plurality of contact elements in order to be electrically contacted with the external contact area (24) of the second circuit carrier (20), the contact elements (26) of the external contact area (24) of the second Circuit carrier (20) can be connected to the contact elements of the external contact device via soldered connections or welded connections or adhesive connections or plug connections. Leistungsmodul (1) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die externe Kontaktvorrichtung als flexible Leiterplatte oder als Steckeraufnahme oder als Stecker ausgebildet ist.Power module (1). Claim 10 , characterized in that the external contact device is designed as a flexible circuit board or as a plug receptacle or as a plug. Verfahren (100) zur Herstellung eines Leistungsmoduls (1), welches nach einem der Ansprüche 1 bis 11 ausgeführt ist, wobei ein erster Schaltungsträger (10), dessen Layout spiegelsymmetrisch zu einer Mittelängsachse (MLA) ausgeführt ist, und ein zweiter Schaltungsträger (20), welcher mindestens einen internen Kontaktbereich (22) und mindestens einen externen Kontaktbereich (24) aufweist, und mindestens ein erster Halbleiterschalter (HS1 bis HS4) und mindesten ein zweiter Halbleiterschalter (LS1 bis LS4) bereitgestellt werden, wobei der mindestens eine erste Halbleiterschalter (HS1 bis HS4) elektrisch zwischen mindestens einer ersten Leiterstruktur (14) und mindestens einer dritten Leiterstruktur (18) des ersten Schaltungsträgers (10) eingeschleift wird, wobei mindestens ein zweiter Halbleiterschalter (LS1 bis LS4) elektrisch zwischen der mindestens einen dritten Leiterstruktur (18) und mindestens einer zweiten Leiterstruktur (16) des ersten Schaltungsträgers (10) eingeschleift wird, wobei der mindestens ein zweite Schaltungsträger (20) räumlich parallel und symmetrisch zur Mittelängsachse (MLA) über dem ersten Schaltungsträger (10) angeordnet und über Lötverbindungen oder Schweißverbindungen oder Klebeverbindungen oder Sinterverbindungen mit dem ersten Schaltungsträger (10) verbunden wird, wobei Steueranschlüsse (32) der ersten und zweiten Halbleiterschalter (HS1 bis HS4, LS1 bis LS4) mit dem mindestens einen internen Kontaktbereich (22) des zweiten Schaltungsträgers (20) kontaktiert werden.Method (100) for producing a power module (1), which according to one of Claims 1 until 11 is designed, wherein a first circuit carrier (10), the layout of which is mirror-symmetrical to a central longitudinal axis (MLA), and a second circuit carrier (20), which has at least one internal contact area (22) and at least one external contact area (24), and at least one first semiconductor switch (HS1 to HS4) and at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) are provided, the at least one first semiconductor switch (HS1 to HS4) being electrically connected between at least one first conductor structure (14) and at least one third conductor structure (18). of the first circuit carrier (10), wherein at least one second semiconductor switch (LS1 to LS4) is electrically looped between the at least one third conductor structure (18) and at least one second conductor structure (16) of the first circuit carrier (10), the at least one second circuit carrier (20) is arranged spatially parallel and symmetrical to the central longitudinal axis (MLA) above the first circuit carrier (10) and is connected to the first circuit carrier (10) via soldered connections or welded connections or adhesive connections or sintered connections, with control connections (32) of the first and second Semiconductor switches (HS1 to HS4, LS1 to LS4) are contacted with the at least one internal contact area (22) of the second circuit carrier (20). Verfahren (100) nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das bestückte und kontaktierte Leistungsmodul (1) in ein Moldwerkzeug eingelegt und in einem Moldvorgang mit einer Umhüllung (3) ummoldet wird, wobei während des Moldvorgangs die Umhüllung (3) im Bereich der externen Kontaktbereiche (14.2, 16.2, 18.2) des ersten Schaltungsträgers (10) durch Einlegeteile ausgespart wird, so dass die externen Kontaktbereiche (14.2, 16.2, 18.2) des ersten Schaltungsträgers (10) nach der Entnahme des ummoldeten Leistungsmoduls (1A) aus dem Moldwerkzeug aufgrund der erzeugten Aussparungen (5) kontaktierbar sind, und wobei im Bereich des mindestens einen externen Kontaktbereichs (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) die Umhüllung (3) freigelegt wird, so dass die Kontaktelemente (26) des mindestens einen externen Kontaktbereichs (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) durch die erzeugte Freilegung (7) kontaktierbar sind.Procedure (100) according to Claim 12 , characterized in that the equipped and contacted power module (1) is inserted into a mold and molded with a casing (3) in a molding process, the casing (3) being placed in the area of the external contact areas (14.2, 16.2, 18.2.) during the molding process ) of the first circuit carrier (10) is recessed by inserts, so that the external contact areas (14.2, 16.2, 18.2) of the first circuit carrier (10) can be contacted due to the recesses (5) created after the molded power module (1A) has been removed from the molding tool are, and wherein in the area of the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) the casing (3) is exposed, so that the contact elements (26) of the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) pass through the generated exposure (7) can be contacted. Verfahren (100) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine externe Kontaktbereich (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) vor der Entnahme des ummoldeten Leitungsmoduls (1A) aus dem Moldwerkzeug freigelegt wird.Procedure (100) according to Claim 13 , characterized in that the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) is exposed before the molded line module (1A) is removed from the molding tool. Verfahren (100) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine externe Kontaktbereich (24) des zweiten Schaltungsträgers (20) nach der Entnahme des ummoldeten Leitungsmoduls (1A) aus dem Moldwerkzeug freigelegt wird.Procedure (100) according to Claim 13 , characterized in that the at least one external contact area (24) of the second circuit carrier (20) is exposed after the molded line module (1A) has been removed from the molding tool.
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