DE102022130335B4

DE102022130335B4 - Verbesserter nickel-chrom-aluminium-dünnfilmwiderstand und verfahren zum ausbilden desselben

Info

Publication number: DE102022130335B4
Application number: DE102022130335.7A
Authority: DE
Inventors: Gernot Manfred Bauer; Kai-Alexander Schachtschneider
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 2021-11-26
Filing date: 2022-11-16
Publication date: 2024-04-25
Anticipated expiration: 2042-11-17
Also published as: DE102022130335A1; US20230170111A1; CN116190355A

Abstract

Integrierte Schaltung (200), umfassend:einen Dünnfilmwiderstandskörper (226), der Nickel-Chrom-Aluminium (NiCrAl) umfasst, über einer dielektrischen Schicht (218A);eine Grenzflächenschicht auf dem Dünnfilmwiderstandskörper (226), wobei die Grenzflächenschicht Titannitrid (TiN) umfasst; undWiderstandsköpfe (228) auf der Grenzflächenschicht, wobei die Widerstandsköpfe (228) Titanwolfram (TiW) umfassen.

Description

HINTERGRUND
Bei Dünnfilmwiderständen (TFRs, Thin Film Resistors), die Nickel-Chrom-Aluminium (NiCrAl) enthalten, kann eine Hartmaske genutzt werden, die über dem TFR abgeschieden und strukturiert wird, gefolgt von einer Nassätzung zum Strukturieren des NiCrAl-Films. Die Hartmaske kann aus einem Material ausgebildet sein, das als Widerstandsköpfe wiederverwendet wird, an die Kontakte angeschlossen werden, und kann zum Beispiel aus Titanwolfram (TiW) sein. Durch diese Nassätzung kann eine Unterätzung des NiCrAl-Widerstands unter der Hartmaske entstehen und zudem kann eine deutliche Linienkantenrauigkeit (LER, Line-Edge Roughness) entstehen. Weitere Probleme können eine Ungleichmäßigkeit über den Wafer und/oder einen unerwünscht hohen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes (TCR, Temperature Coefficient of Resistance) umfassen. Verbesserungen sind erforderlich. Dokument DE 10 2008 060 077 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung umfassend das Abscheiden einer mit einem elektrischen Widerstand behafteten Schicht eines Materials, damit diese als Dünnfilmwiderstand (TFR) dient, das Abscheiden einer elektrisch isolierenden Schicht auf der Widerstandsschicht, das Entfernen der elektrisch isolierenden Schicht von außerhalb eines elektrisch aktiven Bereichs der Widerstandsschicht, der einem TFR-Soll-Bereich entspricht, und das Abscheiden einer elektrisch leitenden Schicht eines elektrisch leitenden Materials, derart dass die leitende Schicht den TFR-Soll-Bereich überlappt und die leitende Schicht außerhalb des TFR-Soll-Bereichs elektrisch mit der Widerstandsschicht in Kontakt steht.
KURZDARSTELLUNG
Offenbarte Implementierungen stellen einen verbesserten TFR durch Hinzufügen einer dünnen Schicht zum Verbessern der Bindung zwischen dem NiCrAl-Widerstandskörper und dem TiW-Kopfmaterial bereit. Durch Hinzufügen der neuen Schicht kann die Unterätzung reduziert werden; diese Grenzflächenschicht kann zudem die Linienkantenrauigkeit reduzieren und die Gleichmäßigkeit über den Wafer verbessern. Einige Implementierungen können zudem einen niedrigeren Temperaturkoeffizienten des Widerstandes bereitstellen.
In einem Aspekt ist eine Implementierung einer integrierten Schaltung offenbart. Die integrierte Schaltung umfasst einen Dünnfilmwiderstandskörper aus Nickel-Chrom-Aluminium (NiCrAl), der über einer dielektrischen Schicht ausgebildet ist. Eine Grenzflächenschicht ist auf dem Dünnfilmwiderstandskörper ausgebildet und Widerstandsköpfe sind auf der Grenzflächenschicht ausgebildet. Die Widerstandsköpfe umfassen Titanwolfram (TiW). Die Grenzflächenschicht umfasst Titannitrid (TiN).
In einem anderen Aspekt ist eine Implementierung eines Verfahrens zum Herstellen einer integrierten Schaltung offenbart. Das Verfahren umfasst Ausbilden einer Dünnfilmschicht auf einer dielektrischen Schicht, wobei die Dünnfilmschicht Nickel-Chrom-Aluminium umfasst, und fährt mit Ausbilden einer Grenzflächenschicht direkt auf der Dünnfilmschicht fort, wobei das Ausbilden der Grenzflächenschicht ein Ausbilden einer Titannitridschicht auf der Dünnfilmschicht umfasst. Das Verfahren bildet dann eine Widerstandskopfschicht auf der Grenzflächenschicht aus, wobei die Widerstandskopfschicht Titanwolfram umfasst. Das Verfahren strukturiert und ätzt die Widerstandskopfschicht, um eine Widerstandshartmaske für die Dünnfilmschicht auszubilden, und ätzt die Dünnfilmschicht unter Verwendung der Widerstandshartmaske und einer Nassätzung, um einen Dünnfilmwiderstandskörper auszubilden.
In noch einem anderen Aspekt ist eine Implementierung einer Dünnfilmwiderstandsstruktur offenbart. Die Dünnfilmwiderstandsstruktur umfasst einen Dünnfilmwiderstandskörper, der Nickel-Chrom-Aluminium enthält, der über einer Oxidschicht ausgebildet ist, wobei der Dünnfilmwiderstandskörper eine Dicke aufweist, die kleiner als oder gleich etwa 0,1 µm ist, und eine Titannitridschicht, die über dem Dünnfilmwiderstandskörper ausgebildet ist. Widerstandsköpfe, die Titanwolfram umfassen, sind auf der TiN-Schicht ausgebildet.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Implementierungen der vorliegenden Offenbarung sind beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der begleitenden Zeichnungen veranschaulicht, in denen gleiche Bezugszeichen ähnliche Elemente anzeigen. Es ist anzumerken, dass sich unterschiedliche Bezugnahmen auf „eine“ Implementierung in der vorliegenden Offenbarung nicht notwendigerweise auf dieselbe Implementierung beziehen, und solche Bezugnahmen mindestens eine bedeuten können. Ferner wird, wenn ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft in Verbindung mit einer Implementierung beschrieben ist, unterstellt, dass es im Kenntnisbereich eines Fachmanns auf dem Gebiet liegt, ein solches Merkmal, eine solche Struktur oder eine solche Eigenschaft in Verbindung mit anderen Implementierungen zu bewirken, ob dies nun explizit beschrieben ist oder nicht. Wie hierin verwendet, soll der Begriff „koppeln“ oder „gekoppelt werden“ entweder eine indirekte oder eine direkte elektrische Verbindung bedeuten, sofern nicht näher bestimmt, wie in „kommunikativ gekoppelt“, das drahtlose Verbindungen umfassen kann. Somit kann, wenn eine erste Vorrichtung mit einer zweiten Vorrichtung gekoppelt wird, diese Verbindung durch eine direkte elektrische Verbindung oder durch eine indirekte elektrische Verbindung über andere Vorrichtungen und Verbindungen sein.
Die begleitenden Zeichnungen werden in diese Spezifikation aufgenommen und bilden einen Teil davon, um eine oder mehrere beispielhafte Implementierungen der vorliegenden Offenbarung zu veranschaulichen. Verschiedene Vorteile und Merkmale der Offenbarung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den angefügten Ansprüchen und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungsfiguren verständlich, in denen:

1A-1E Stufen in der Fertigung eines Dünnfilmwiderstands gemäß einer Implementierung der Offenbarung zeigen;
1F eine Draufsicht des Dünnfilmwiderstands von 1E ohne die Oxidmaske zeigt;
2 einen Querschnitt einer integrierten Schaltung zeigt, in die der Dünnfilmwiderstand von 1E implementiert sein kann;
3A eine REM-Fotografie von Abschnitten eines Dünnfilmwiderstands zeigt, der gemäß einer Basisimplementierung gefertigt ist;
3B eine REM-Fotografie von Abschnitten eines Dünnfilmwiderstands zeigt, der unter Verwendung von Ti als eine dünne Grenzflächenschicht gemäß einer Implementierung der Offenbarung gefertigt ist;
3C eine REM-Fotografie von Abschnitten eines Dünnfilmwiderstands zeigt, der unter Verwendung von TiN als eine dünne Grenzflächenschicht gemäß einer Implementierung der Offenbarung gefertigt ist;
4A-4D Ergebnisse von mehreren Tests an sowohl der Basisimplementierung als auch zwei neuen Implementierungen des Dünnfilmwiderstands von 1E zeigen;
5 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Fertigen eines Dünnfilmwiderstands gemäß einer Implementierung der Offenbarung zeigt; und
6 einen Dünnfilmwiderstand gemäß einer Basisimplementierung zeigt.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Spezifische Implementierungen werden nunmehr im Detail unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. In der folgenden ausführlichen Beschreibung von Implementierungen sind zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein umfassenderes Verständnis der Offenbarung bereitzustellen. Es ist jedoch für einen Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet offensichtlich, dass andere Implementierungen ohne diese spezifischen Details praktiziert werden können. In anderen Fällen wurden wohlbekannte Merkmale nicht im Detail beschrieben, um die Beschreibung nicht unnötig zu verkomplizieren.
Während Widerstände in Silizium/Polysilizium oder als Dickfilmwiderstände, die aus einer metallischen Paste ausgebildet sind, gefertigt sein können, können Dünnfilmwiderstände vorteilhafterweise bei Anwendungen verwendet werden, bei denen eine höhere Präzision erforderlich ist, z. B. Überwachungsausrüstung im Medizin- und Luft- und Raumfahrtsektor, Audioanwendungen, Computerchips, Leistungsversorgungsumrichter usw. Die Verwendung von NiCrAl zum Ausbilden des Körpers eines Dünnfilmwiderstands führt aufgrund des Erfordernisses einer Nassätzung zu Problemen.
6 zeigt einen Längsquerschnitt einer TFR-Struktur 600, die gemäß einer Basisimplementierung ausgebildet ist. Die TFR-Struktur 600 liegt auf einer dielektrischen Schicht 602, die eine Oxidschicht 602 sein kann; ein Dünnfilmwiderstandskörper 604 wurde auf der dielektrischen Schicht 602 ausgebildet. Widerstandsköpfe 606 wurden an beiden Enden des Dünnfilmwiderstandskörpers 604 ausgebildet, um eine Anschlussfläche für Kontakte bereitzustellen. Der Dünnfilmwiderstandskörper 604 kann NiCrAl enthalten und die Widerstandsköpfe 606 können TiW enthalten. Eine Oxidhartmaske 608, die zuvor verwendet wurde, um das TiW zum Ausbilden der Widerstandsköpfe 606 zu strukturieren, wurde über den Widerstandsköpfen 606 belassen, da keine Notwendigkeit zum Entfernen der Oxidhartmaske vor Abscheiden eines Zwischenebenendielektrikums besteht.
Der Prozess zum Fertigen der TFR-Struktur 600 kann einem Ablauf folgen, der Abscheiden einer NiCrAl-Widerstandskörperschicht, einer TiW-Widerstandskopfschicht und einer NiCr-Fotolackmaskenschicht umfasst. Die NiCr-Fotolackmaskenschicht wird strukturiert, um die Bereiche zu schützen, in denen die Dünnfilmwiderstandsschicht gewünscht wird, und um verbleibende Gebiete freizulegen. Die TiW-Schicht kann zunächst durch die NiCr-Fotolackmaskenschicht trockengeätzt und dann während der Nassätzung der NiCrAl-Widerstandskörperschicht als eine Hartmaske verwendet werden, um den Dünnfilmwiderstandskörper 604 auszubilden. Der Fertigungsprozess kann mit Abscheiden einer Oxidhartmaske fortfahren, die dann strukturiert und verwendet werden kann, um das Gebiet für die Widerstandsköpfe 606 zu schützen, während verbleibende Teile der TiW-Schicht von Gebieten zwischen den Widerstandsköpfen 606 trockengeätzt werden.
Während der Nassätzung der Widerstandskörperschicht erzeugt der Fertigungsprozess eine Unterätzung 610 des Dünnfilmwiderstandskörpers 604, die die Größe des Dünnfilmwiderstandskörpers 604 reduziert; diese Unterätzung muss bei Erstellen der Fotomaske für den Dünnfilmwiderstandskörper 604 berücksichtigt werden. Bei einer Implementierung der TFR-Basisstruktur 600 war die Unterätzung 0,55 µm. Eine solche Unterätzung ist insbesondere bei kleineren Widerständen problematisch, die in einer Implementierung eine Breite von 2 µm und eine Länge von 50 µm aufweisen können. Bei dieser Implementierung verursacht eine Unterätzung von 0,55 µm nicht nur einen deutlichen Verlust an Fläche, sondern trägt auch deutlich zur Linienkantenrauigkeit (LER) bei. Der Basis-Dünnfilmwiderstand wies zudem eine hohe Ungleichmäßigkeit innerhalb des Wafers und einen hohen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes auf, der die Änderung beim Widerstand bei sich ändernder Temperatur der integrierten Schaltung widerspiegelt.
Die vorliegenden Erfinder stellten fest, dass die während der Nassätzung entstandene Unterätzung durch eine Bindung zwischen der Widerstandsschicht und der Widerstandskopfschicht verstärkt wurde, die nicht stark genug war, um eine übermäßige Ätzung am Schichtübergang zu verhindern. Eine Lösung wurde durch Hinzufügen einer neuen Grenzflächenschicht zwischen der Widerstandsschicht und der Widerstandskopfschicht gefunden, wobei die Grenzflächenschicht eine Bindung mit sowohl der darunterliegenden NiCrAl enthaltenden Widerstandsschicht als auch der darüberliegenden TiW enthaltenden Widerstandskopfschicht bereitstellt. Die neue Grenzflächenschicht kann eine sehr dünne Schicht aus TiN, Ti oder eine Ti/TiN-Mehrfachschicht umfassen. Alternativ dazu kann die neue Grenzflächenschicht des Ergebnis eines Anwendens eines Schritts mit N₂ enthaltendem Plasma auf die NiCrAl-Oberfläche sein. Die neue Grenzflächenschicht kann eine beschleunigte laterale Ätzung in die Widerstandsschicht unterdrücken.
1A-1E zeigen Stufen in der Fertigung einer Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 gemäß einer Implementierung der Offenbarung. 1A zeigt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 in einer frühen Stufe in der Fertigung. Eine dielektrische Schicht 102, die in der gezeigten Implementierung eine Oxidschicht sein kann, wurde bereitgestellt. Eine Dünnfilmschicht 103 wurde auf die dielektrische Schicht 102 abgeschieden; eine dünne Grenzflächenschicht 106 wurde auf der Oberfläche der Dünnfilmschicht 103 ausgebildet; und eine Widerstandskopfschicht 107 wurde auf die dünne Grenzflächenschicht 106 abgeschieden. Bei einer Implementierung kann die Dünnfilmschicht 103 NiCrAl mit einer Dicke sein, die kleiner als etwa 0,1 µm ist, und die Widerstandskopfschicht 107 kann TiW sein. Die dünne Grenzflächenschicht 106 kann Ti, TiN oder eine Kombination dieser Materialien in einer Mehrfachschichtstruktur sein. Alternativ dazu kann die neue Grenzflächenschicht 106 das Ergebnis eines Anwendens eines Schritts mit N₂ enthaltendem Plasma auf die NiCrAl-Oberfläche sein. Bei einer Implementierung kann die dünne Grenzflächenschicht 106 eine Dicke im Bereich von etwa 0,3 Nanometer (nm) bis etwa 2 nm Dicke aufweisen. Bei einer Implementierung kann die dünne Grenzflächenschicht 106 auch eine größere Dicke aufweisen, z. B. im Bereich von etwa 2 nm bis etwa 10 nm. In Zusammenhang mit Dicke bedeutet der Begriff „etwa“ ±10%. Wie in 1A zu sehen, wurde eine erste Fotolackschicht 110 abgeschieden und strukturiert, um das Gebiet zu schützen, in dem ein Dünnfilmwiderstand gewünscht wird. Eine Trockenätzung 112 wird ausgeführt, die freigelegte Teile der Widerstandskopfschicht 107 wegätzt.
1B zeigt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 100, nachdem die Trockenätzung der Widerstandskopfschicht 107 von 1 A die Widerstandskopfschicht 107 geformt hat, um als Widerstandshartmaske zum Ätzen der Dünnfilmschicht 103 zu dienen, und nachdem die erste Fotolackschicht 110 entfernt wurde. Die dünne Grenzflächenschicht 106 wurde ebenfalls geätzt. Die Dünnfilmschicht 103 muss unter Verwendung einer Trockenätzung geätzt werden und die neue dünne Grenzflächenschicht 106 kann eine Bindung zwischen der Dünnfilmschicht 103 und der Widerstandskopfschicht 107 verbessern, die die erzeugte laterale Unterätzung verringern kann. Die hinzugefügte Grenzflächenschicht kann zudem die Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers und/oder die Gleichmäßigkeit über Wafer hinweg verbessern.
1C zeigt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 nach der Nassätzung der Dünnfilmschicht 103 zum Ausbilden des Dünnfilmwiderstandskörpers 104. Es ist immer noch eine Unterätzung 114 in dem Dünnfilmwiderstandskörper 104 unterhalb der Widerstandskopfschicht 107 vorhanden, die Unterätzung 114 kann jedoch viel kleiner sein, als es bisher möglich war. Bei einer Implementierung, bei der TiN verwendet wird, kann die Unterätzung etwa 0,39 µm klein sein, anstatt des bisherigen Werts von 0,55 µm. Bei einer Implementierung, bei der Ti verwendet wird, kann die Unterätzung etwa 0,15 µm klein sein.
1D zeigt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 100, nachdem eine Hartmaskenschicht 115, die bei einer Implementierung ein Oxid umfasst, auf der Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 abgeschieden wurde. 1E zeigt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 100, nachdem eine zweite Fotolackschicht 118 abgeschieden und strukturiert wurde und ein Ätzprozess 120 durch die Hartmaskenschicht 115, um eine Widerstandskopfhartmaske 116 auszubilden, und zudem durch die Widerstandskopfschicht 107, um Widerstandsköpfe 108 auszubilden, geätzt hat. Der Ätzprozess 120 ätzt zudem durch die dünne Grenzflächenschicht 106. Am Ende des Ätzprozesses 120 kann die zweite Fotolackschicht 118 entfernt werden. Die Widerstandskopfhartmaske 116 kann entfernt werden oder kann belassen werden, da nachfolgende Stufen in der Fertigung im Allgemeinen die Fertigung einer dielektrischen Schicht über der Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 umfassen.
1F zeigt eine Draufsicht der Dünnfilmwiderstandsstruktur 100 von 1E ohne die Widerstandskopfhartmaske 116. Bei der gezeigten beispielhaften Implementierung weist der Dünnfilmwiderstandskörper 104 eine Breite von etwa 2 µm und eine Länge von etwa 50 µm auf. In Zusammenhang mit Länge und Breite bedeutet der Begriff „etwa“ ±10 %. Die durch den Nassätzprozess verlorene Breite wird durch die Unterätzung 114 aufgezeigt, die sich auf drei Seiten der Widerstandsköpfe 108 erstreckt und zudem entlang der Länge des Dünnfilmwiderstandskörpers 104 weiterführt.
2 zeigt einen Querschnitt einer integrierten Schaltung 200, in der der Dünnfilmwiderstand gefertigt sein kann. Bei dieser Implementierung kann ein Substrat 202 Bulk-Silizium, eine Epitaxieschicht, ein Halbleiter-auf-Isolator-Substrat (SOI, Semiconductor On Insulator) oder ein anderes Substrat umfassen, ob aktuell bekannt oder zukünftig entwickelt. Eine Anzahl von funktionellen Vorrichtungen 204 wurde auf einer Oberfläche 206 des Substrats ausgebildet. Die funktionellen Vorrichtungen 204 können Transistoren, Widerstände, Speicherelemente usw. umfassen, die auf leitfähige Weise mit anderen funktionellen Vorrichtungen 204 oder mit externen Eingängen/Ausgängen über Vias und eine Reihe von Metallisierungsschichten gekoppelt sein können, die über dem Substrat ausgebildet sind. Obwohl die Oberfläche 206 des Substrats 202, das die funktionellen Vorrichtungen 204 umfasst, als ebenflächig gezeigt ist, wird ein Fachmann auf dem Gebiet erkennen, dass sich gewisse Elemente, z. B. Gatterstrukturen, über der Oberfläche 206 des Substrats 202 erstrecken können.
Bei der Implementierung der gezeigten integrierten Schaltung 200 liegt eine erste dielektrische Schicht 208 über dem Substrat 202 und den funktionellen Vorrichtungen 204 und bildet eine dielektrische Vormetall-Schicht aus. Die erste dielektrische Schicht 208 enthält Kontakte 210, die sich zum Ankontaktieren der funktionellen Vorrichtungen 204 erstrecken. Eine zweite dielektrische Schicht 214, die auch als ein erstes Zwischenebenendielektrikum bezeichnet werden kann, liegt auf der ersten dielektrischen Schicht 208 und enthält erste Metallsegmente 212, die Teil einer ersten Metallisierungsschicht sind, und erste Vias 216, die auf leitfähige Weise mit zumindest einigen der ersten Metallsegmente 212 gekoppelt sein können. Was normalerweise eine dritte dielektrische Schicht oder eine zweite dielektrische Zwischenebenenschicht sein würde, wurde in eine erste dielektrische Teilschicht 218A und eine zweite dielektrische Teilschicht 218B unterteilt, um die Fertigung einer Dünnfilmwiderstandsstruktur in die Metallisierungsschichten zu integrieren. Die erste dielektrische Teilschicht 218A enthält und bedeckt zweite Metallsegmente 220, die Teil der zweiten Metallisierungsschicht sind. Ein Graben 222 ist in der ersten dielektrischen Teilschicht 218A zu sehen, der Raum zur Fertigung einer Dünnfilmwiderstandsstruktur 224 ermöglicht. Die Dünnfilmwiderstandsstruktur 224, die gemäß der in 1A-1E gezeigten Abfolge gefertigt sein kann, enthält einen Dünnfilmwiderstandskörper 226 und Widerstandsköpfe 228. Die zweite dielektrische Teilschicht 218B liegt auf der ersten dielektrischen Teilschicht 218A und bedeckt die Dünnfilmwiderstandsstruktur 224. Mehrere zweite Vias 230 erstrecken sich durch die zweite dielektrische Teilschicht 218B, um die Widerstandsköpfe 228 anzukontaktieren, während sich andere der zweiten Vias 230 in die erste dielektrische Teilschicht 218A erstrecken können, um jeweilige der zweiten Metallsegmente 220 anzukontaktieren. Obwohl diese beispielhafte integrierte Schaltung 200 die Dünnfilmwiderstandsstruktur 224 auf der Ebene der zweiten Metallisierungsschicht offenbart, kann die Dünnfilmwiderstandsstruktur 224 auf einer beliebigen Metallisierungsschicht ausgebildet sein.
3A-3C zeigen Rasterelektronenmikroskop(REM)-Fotografien von drei Dünnfilmwiderstandsstrukturen, die mit einem NiCrAl-Widerstandskörper und TiW-Widerstandsköpfen, entweder unter Verwendung des Basisprozesses oder unter Verwendung einer dünnen Grenzflächenschicht, implementiert sind. Jede dieser REM-Fotografien wurde an einem Chip nahe der Mitte des Wafers aufgenommen. In jeder REM-Fotografie ist ein mittlerer Abschnitt des Dünnfilmwiderstands im oberen Drittel der Fotografie gezeigt und Endabschnitte, die die Widerstandsköpfe enthalten, sind in den unteren zwei Dritteln der Fotografien gezeigt. 3A zeigt eine Dünnfilmwiderstandsstruktur 300A, die unter Verwendung des Basisprozesses gefertigt wurde. Die Dünnfilmwiderstandsstruktur 300A umfasst einen Dünnfilmwiderstandskörper 302 und Widerstandsköpfe 304. Der dunklere Bereich 306, der sowohl über als auch unterhalb des Dünnfilmwiderstandskörpers 302 zu sehen ist und mit weißen Umrissen versehen ist, verdeutlicht die Breite des Dünnfilmwiderstandskörpers 302, wie sie durch die Fotomaske definiert ist, und zeigt den aufgrund der Unterätzung verloren Bereich auf. Der Trockenätzprozess, der zum Entfernen überschüssiger Teile der NiCrAl-Schicht verwendet wurde, entfernte nicht nur Teile des Dünnfilmwiderstandskörpers 302, die zum Zeitpunkt des Ätzprozesses unter der TiW-Schicht lagen, sondern hinterließ zudem eine sehr raue Kante an dem Dünnfilmwiderstandskörper 302. Wie oben erwähnt, war der Dünnfilmwiderstandskörper 302 auf einem Chip nahe der Wafermitte angeordnet; Instanzen des Dünnfilmwiderstandskörpers 302, die nahe der Kanten des Wafers genommen wurden, zeigten verbesserte Kanten und eine geringere Unterätzung auf, jedoch verursacht der Mangel an Gleichmäßigkeit über den Wafer eine große Menge an Ausschuss.
3B zeigt eine Dünnfilmwiderstandsstruktur 300B, die unter Verwendung des offenbarten Prozesses mit Ti als eine dünne Grenzflächenschicht gefertigt wurde. Die Dünnfilmwiderstandsstruktur 300B umfasst einen Dünnfilmwiderstandskörper 312 und Widerstandsköpfe 314, wobei dunklere Bereiche 316, die über und unterhalb des Dünnfilmwiderstandskörpers 312 zu sehen sind, die Breite des Dünnfilmwiderstandskörper 312, wie sie durch die Fotomaske definiert ist, verdeutlichen. Derselbe Nassätzprozess, der bei dem Basisprozess verwendet wurde, wurde bei der Fertigung des Dünnfilmwiderstandskörpers 312 verwendet, jedoch wurde durch die Verwendung der Ti enthaltenden dünnen Grenzflächenschicht die Unterätzung deutlich reduziert und zudem viel glattere Kanten an dem Dünnfilmwiderstandskörper 312 erhalten.
3C zeigt eine Dünnfilmwiderstandsstruktur 300C, die unter Verwendung des offenbarten Prozesses mit TiN als eine dünne Grenzflächenschicht gefertigt wurde. Die Dünnfilmwiderstandsstruktur 300C umfasst einen Dünnfilmwiderstandskörper 322 und Widerstandsköpfe 324, wobei dunklere Bereiche 326 über und unterhalb des Dünnfilmwiderstandskörpers 322 wiederum die Breite des Dünnfilmwiderstandskörper 322, wie sie durch die Fotomaske definiert ist, verdeutlichen. Derselbe Nassätzprozess wurde wiederum bei der Fertigung des Dünnfilmwiderstandskörpers 322 verwendet, mit dem Ergebnis, dass die dünne, TiN enthaltende Grenzflächenschicht auch die Unterätzung deutlich zu der in 3A ersichtlichen Unterätzung reduziert, wenn auch nicht so sehr wie bei der Verwendung von Ti als die dünne Grenzflächenschicht. Durch die Verwendung von TiN wurden jedoch die glattesten Kanten an dem Dünnfilmwiderstandskörper 322 jedes der drei Prozesse erhalten.
4A-4D vergleichen jeweils Testergebnisse von Wafern, die in Übereinstimmung mit dem beschriebenen Basisprozess ausgebildet wurden, mit Wafern, die in Übereinstimmung mit dem Hinzufügen einer dünnen Grenzflächenschicht, die entweder Ti oder TiN enthält, ausgebildet wurden. Sofern nicht anders angegeben, wies der getestete Dünnfilmwiderstand eine Breite von etwa 2 µm und eine Länge von etwa 50 µm auf. 4A vergleicht den Widerstand in Ohm der drei Gruppen von Wafern; wobei die Widerstände von einem Ritzlinienüberwachungschip erhalten wurden, der 53 Stellen pro Wafer enthielt. Ein Testwafer 1A, ein Testwafer 1B und ein Testwafer 1C gehören zu einer Basiswafergruppe 402, die in Übereinstimmung mit dem Basisprozess ausgebildet wurde; ein Testwafer 2A und ein Testwafer 2B gehören zu einer Ti-Wafergruppe 404, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von Ti für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde; und ein Testwafer 3A und ein Testwafer 3B gehören zu einer TiN-Wafergruppe 406, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von TiN für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde. Die Basiswafergruppe 402 zeigt die breiteste Schwankung beim Widerstand über den Wafer sowie die höchsten Werte auf, während die Ti-Wafergruppe 404 die geringste Schwankung über den Wafer und die niedrigsten Werte aufzeigt. Die TiN Wafergruppe 406 zeigte Ergebnisse auf, die zwischen den anderen beiden Wafergruppen liegen, mit Werten, die im Allgemeinen höher lagen und eine größere Schwankung aufwiesen als die Ti-Wafergruppe 404, jedoch mit im Allgemeinen niedrigeren Werte und einer geringeren Schwankung als die Basiswafergruppe 402.
4B vergleicht die Breitenreduzierung in Mikrometern an den drei Gruppen von Wafern, die auch von einem Ritzlinienüberwachungschip erhalten wurde. Die Werte werden von mehreren Widerständen errechnet, um den Verlust bei der Breite des Dünnfilmwiderstands mit dem Ätzprozess widerzuspiegeln. Die negativen Werte sind ein Ergebnis der Grenzen der Messungen und der Berechnungen und sind nicht real, stellen jedoch ein Mittel zum Vergleichen unterschiedlicher Verfahrensweisen bereit. Die Testwafer 1D, 1E, 1F gehören alle zu einer Basiswafergruppe 412, die in Übereinstimmung mit dem Basisprozess ausgebildet wurde; die Testwafer 2C, 2D gehören zu einer Ti-Wafergruppe 414, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von Ti für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde; und die Testwafer 3C, 3D gehören zu einer TiN-Wafergruppe 416, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von TiN für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde. Die Ergebnisse zeigen auf, was visuell in 3A-3C und grafisch in 4A zu sehen war, z. B., dass die Basiswafergruppe 412 die größte Breitenreduzierung und die größte Schwankung über die Wafer aufzeigte; die Ti-Wafergruppe 414 die geringste Breitenreduzierung und die kleinste Schwankung über die Wafer aufzeigte; und die TiN-Wafergruppe 416 Ergebnisse aufzeigte, die im Vergleich zur Basiswafergruppe 412 verbessert waren, jedoch nicht so sehr, wie es in der Ti-Wafergruppe 414 zu sehen war.
4C vergleicht auch eine Breitenreduzierung über die drei Wafergruppen, zeigt jedoch Ergebnisse von einem Prozessüberwachungschip, der nur fünf Stellen auf den Wafern enthält. Die gezeigten Werte werden unter Verwendung von Daten von zwei unterschiedlichen Widerständen berechnet, die beide eine Länge von 100 µm aufweisen; wobei ein erster Widerstand eine Breite von 10 µm und ein zweiter Widerstand eine Breite von 5 µm aufweist. Die Testwafer 1G, 1H, 1J gehören zu einer Basiswafergruppe 422, die in Übereinstimmung mit dem Basisprozess ausgebildet wurde; die Testwafer 2E, 2F gehören zu einer Ti-Wafergruppe 424, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von Ti für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde; und die Testwafer 3E, 3F gehören zu einer TiN-Wafergruppe 426, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von TiN für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde. Die in 4C gezeigten Ergebnisse stimmen im Allgemeinen mit den in 4B aufgezeigten Ergebnissen überein, mit Ausnahme der TiN-Wafergruppe 426, die die größte Schwankung über die Wafer aufzeigte, mehr als sowohl die Basiswafergruppe 422 als auch die Ti-Wafergruppe 424, wenn auch die Werte kleiner als die der Basiswafergruppe 422 waren. Während die spezifischen Ergebnisse von dem Ätzmittel und den Ätzbedingungen, die verwendet werden, abhängen können, ist zu erwarten, dass die Verbesserung bei der Unterätzung auch über mehrere Ätzmittel und Ätzbedingungen hinweg vorliegen würde.
4D vergleicht Ergebnisse für Bestimmungen eines Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, der die Änderung beim Widerstand bei schwankender Temperatur des Widerstandes misst. Der Test wurde unter Verwendung von Prozessüberwachungschips durchgeführt, die fünf Stellen pro Wafer enthalten; bei dem Test wird jeder Widerstand bei 30 °C und bei 100 °C gemessen und der Wert wird extrahiert. Eine Basiswafergruppe 432, die in Übereinstimmung mit dem Basisprozess ausgebildet wurde, umfasst die Testwafer 1K, 1L, 1M; eine Ti-Wafergruppe 434, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von Ti für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde, umfasst die Testwafer 2G, 2H; und eine TiN-Wafergruppe 436, die in Übereinstimmung mit dem offenbarten Prozess unter Verwendung von TiN für die Grenzflächenschicht ausgebildet wurde, umfasst die Testwafer 3G, 3H. Sowohl die Basiswafergruppe 432 als auch die Ti-Wafergruppe 434 zeigen ähnliche, unerwünscht hohe Werte des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes auf. Bei diesem Test zeigte die TiN-Wafergruppe 436 einen klaren Vorteil auf, da alle Werte unter 15 ppm/°C lagen.
5 zeigt ein Verfahren 500 zum Ausbilden einer integrierten Schaltung (z. B. 200, 2), die eine Dünnfilmwiderstandsstruktur umfasst, gemäß einer Implementierung der Offenbarung. Das Verfahren beginnt mit Ausbilden einer dielektrischen Schicht über einer Metallisierungsschicht (505). Die Metallisierungsschicht kann eine beliebige der Metallisierungsschichten (z. B. zweite Metallsegmente 220 in 2) sein, die als Teil einer integrierten Schaltung ausgebildet wurden. Wo ein Laserabgleich des Dünnfilmwiderstands (z. B. des Dünnfilmwiderstandskörpers 104 in 1F oder Dünnfilmwiderstandskörpers 226 in 2) wünschenswert sein kann, kann sich die Metallisierungsschicht auf der Oberseite des Metallisierungsstapels befinden, sie kann sich jedoch ansonsten auf jeder beliebigen gewünschten Ebene befinden. Die dielektrische Schicht kann z. B. die erste dielektrische Teilschicht 218A (2) sein. Das Ausbilden der dielektrischen Schicht kann Ausbilden eines Grabens (z. B. des Grabens 222, 2) in der dielektrischen Schicht umfassen, um eine Fertigung der Dünnfilmwiderstandsstruktur (z. B. 224, 2) zu ermöglichen.
Das Verfahren fährt mit Ausbilden einer Dünnfilmschicht (z. B. 103, 1 A) auf der dielektrischen Schicht (510) (z. B. 102, 1A oder der ersten dielektrischen Teilschicht 218A, 2) fort. Die Dünnfilmschicht kann Nickel-Chrom-Aluminium umfassen. Das NiCrAl kann unter Verwendung eines Endura Sputtersystems, das eine Kammer für NiCrAl umfasst, gesputtert werden.
Das Verfahren fährt mit Ausbilden einer Grenzflächenschicht (z. B. 106, 1A) direkt auf der Dünnfilmschicht (515) (z. B. 103, 1A) fort. Unter Verwendung des Endura Sputtersystems kann ein Wafer zu einer Kammer, die für ein Sputtern der Grenzflächenschicht geeignet ist, ohne Unterbrechung eines Unterdrucks transportiert werden. Bei einer Implementierung ist die Grenzflächenschicht Titan, das unter Verwendung eines Titantargets und eines Argonplasmas gesputtert werden kann. Bei einer Implementierung ist die Grenzflächenschicht Titannitrid, das unter Verwendung eines Titantargets mit einem Argon und Stickstoff enthaltenden Plasma gesputtert werden kann. Beim Sputtern der Titannitrid-Grenzflächenschicht kann Argon verwendet werden, das mit einer Rate zwischen etwa 30 sccm und etwa 45 sccm, und die z. B. 45 sccm sein kann, zugeführt wird, und kann zudem Stickstoff verwendet werden, der mit einer Rate zwischen etwa 45 sccm und etwa 100 sccm, z. B. 95 sccm, zugeführt wird. In Zusammenhang mit einer Strömungsrate bedeutet der Begriff „etwa“ ±10 %. Der Sputterprozess für die TiN-Grenzflächenschicht dauert zwischen etwa 2 Sekunden und etwa 10 Sekunden und kann z. B. 4 Sekunden dauern, bei einer Gleichstromleistung, die zwischen etwa 400 W und etwa 1000 W, z. B. 700 W, liegt und einem Prozessdruck von etwa 0,7999 Pascal. Bei einer Implementierung kann die Grenzflächenschicht eine Dicke aufweisen, die zwischen etwa 0,3 nm und etwa 2 nm, z. B. 0,7 nm, liegt. Bei einer Implementierung kann die Grenzflächenschicht eine Dicke aufweisen, die zwischen etwa 2 nm und etwa 10 nm liegt.
Ein alternatives Verfahren zum Ausbilden der Grenzflächenschicht kann Anwenden eines Schritts mit N₂ enthaltendem Plasma auf die NiCrAl-Oberfläche umfassen. Auch wenn die vorliegenden Erfinder nicht in der Lage waren, die Verwendung eines Schritts mit N₂ enthaltendem Plasma vor Abscheidung der Widerstandskopfschicht zu testen, ist zu erwarten, dass dieses Verfahren auch eine Grenzflächenhaftung zwischen der Dünnfilmschicht (z. B. 103, 1B) und der Widerstandskopfschicht (z. B. 107, 1B) verbessern würde und die Widerstandsfähigkeit gegen einen beschleunigten chemischen Angriff der Grenzfläche zwischen diesen zwei Schichten erhöhen würde. Aluminium, Nickel und Chrom sind allesamt dafür bekannt, mit Stickstoff zu reagieren, um Nitride, z. B. AlN, CrN und NiN₃, auszubilden. Wenn TiN als die Grenzflächenschicht verwendet wurde, war der Effekt größer als bei der kurzen Bearbeitungszeit zu erwarten war. Es wird angenommen, dass durch Verwendung eines N₂ enthaltenden Plasmas die Oberfläche des NiCrAl nitriert werden kann, wodurch eine Grenzflächenschicht ausgebildet wird, die die gewünschten Eigenschaften einer erhöhten Bindung zwischen dem NiCrAl und dem Titanwolfram bereitstellen kann.
Das Verfahren kann mit Ausbilden einer Widerstandskopfschicht (520) (z. B. Widerstandskopfschicht 107, 1A) auf der Grenzflächenschicht (z. B. 106, 1A) fortfahren. Die Widerstandskopfschicht kann Titanwolfram umfassen, das unter Verwendung einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD, Chemical Vapor Deposition) oder durch Sputtern unter Verwendung eines TiW-Targets abgeschieden werden kann. Bevor sie in eine endgültige Form geätzt wird, wird die Widerstandskopfschicht zunächst als eine Widerstandshartmaske während eines Ätzprozesses der Dünnfilmschicht (z. B. 103, 1A) verwendet. Dies kann durch Abscheiden und Strukturieren einer Fotolackschicht (z. B. 110, 1 A) erreicht werden, die Teile der Widerstandskopfschicht freilegt, die außerhalb des Dünnfilmwiderstandsbereichs liegen. Diese strukturierte Fotolackschicht wird dann verwendet, um die Widerstandskopfschicht zu strukturieren und zu ätzen, um als eine Widerstandshartmaske zum Ätzen der Dünnfilmschicht (525) zu dienen. Die Widerstandskopfschicht kann unter Verwendung einer Trockenätzung geätzt werden.
Sobald die Widerstandskopfschicht (z. B. 107, FIG., 1B) geformt wurde, um eine Widerstandshartmaske auszubilden, kann das Verfahren mit Ätzen der Dünnfilmschicht (z. B. 103, 1B) unter Verwendung der Widerstandskopfschicht als eine Widerstandshartmaske und zudem unter Verwendung einer Nassätzung zum Ausbilden eines Dünnfilmwiderstandskörpers (530) (z. B. 104, 1C) fortfahren. Durch das Hinzufügen der Grenzflächenschicht (z. B. 106, 1A) zwischen der Dünnfilmschicht (z. B. 103, 1A) und der Widerstandskopfschicht (107, 1B), die als Widerstandshartmaske verwendet wird, können glattere Kanten an dem Dünnfilmwiderstand (z. B. 104, 1F oder 226, 2) und eine größere Bindung zwischen der Dünnfilmschicht und der Widerstandskopfschicht erhalten werden. Bei einer Implementierung verwendet die Nassätzung eine wässrige Lösung von 6 Gewichts-% Perchlorsäure und 9 Gewichts-% Cerammoniumnitrat, die als eine Ätzlösung CR7 von der Cyantek Corporation im Handel erhältlich ist. Die Ätzzeit kann etwa 26 Sekunden bis etwa 30 Sekunden bei 25 °C betragen. In Zusammenhang mit Zeit bedeutet der Begriff „etwa“ ±5 %. Bei einer Implementierung, bei der die Grenzflächenschicht TiN enthält, kann der Dünnfilmwiderstand einen TCR aufweisen, der kleiner als etwa 15 ppm/°C ist.
Das Verfahren fährt nunmehr damit fort, die Widerstandskopfschicht (z. B. 107, 1D) weiter zu formen, um Widerstandsköpfe (108, 1E) auszubilden. Eine Widerstandskopfhartmaske (z. B. 116, 1E) wird abgeschieden und unter Verwendung eines Fotolacks (z. B. 118, 1E) strukturiert, um Gebiete für die Widerstandsköpfe (535) zu schützen. Die Widerstandskopfschicht wird dann unter Verwendung der Widerstandskopfhartmaske und einer Trockenätzung geätzt, um Widerstandsköpfe (540) an jedem Ende des Dünnfilmwiderstands auszubilden. Sobald die Widerstandsköpfe fertiggestellt sind, kann die Widerstandskopfhartmaske entfernt werden, sie kann jedoch auch belassen werden.
Eine zusätzliche dielektrische Schicht (z. B. 218B, 2) kann über dem Dünnfilmwiderstandskörper (226, 2) und den Widerstandsköpfen (228, 2) abgeschieden werden. Zum Schluss ätzt das Verfahren Vias durch die zusätzliche dielektrische Schicht, um die Widerstandsköpfe (550) (z. B. 228, 2) anzukontaktieren. Gleichzeitig können Vias zum Ankontaktieren anderer Segmente der aktuellen Metallisierungsschicht (z. B. 220, 2) ausgebildet werden.
Die Anmelder haben eine Dünnfilmwiderstandsstruktur offenbart, die einen Dünnfilmwiderstandskörper, der aus NiCrAl ausgebildet ist, und Widerstandsköpfe, die aus TiW ausgebildet sind, aufweist. Eine neue, dünne Grenzflächenschicht wird zwischen dem NiCrAl und dem TiW platziert, um eine stärkere Bindung zwischen dem Dünnfilmwiderstandskörper und den Widerstandsköpfe bereitzustellen. Die neue Grenzflächenschicht kann Titan, Titannitrid, eine Kombination dieser Schichten umfassen oder kann das Ergebnis eines Anwendens eines Schritts mit N₂ enthaltendem Plasma auf die Oberfläche des Dünnfilmwiderstandskörpers sein. Die neue Grenzflächenschicht kann nicht nur die durch eine Nassätzung des NiCrAl entstehende Unterätzung verbessern, sondern kann zudem eines oder mehrere einer verringerten Linienkantenrauigkeit, eines höheren Maßes an Gleichmäßigkeit über den Wafer, eines höheren Maßes an Gleichmäßigkeit über Wafer hinweg und eines Temperaturkoeffizienten des Widerstandes, der kleiner als 15 ppm/°C ist, bereitstellen.

Claims

Integrierte Schaltung (200), umfassend: einen Dünnfilmwiderstandskörper (226), der Nickel-Chrom-Aluminium (NiCrAl) umfasst, über einer dielektrischen Schicht (218A); eine Grenzflächenschicht auf dem Dünnfilmwiderstandskörper (226), wobei die Grenzflächenschicht Titannitrid (TiN) umfasst; und Widerstandsköpfe (228) auf der Grenzflächenschicht, wobei die Widerstandsköpfe (228) Titanwolfram (TiW) umfassen.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Grenzflächenschicht Titan (Ti) umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Grenzflächenschicht eine nitrierte Oberfläche des NiCrAl umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Grenzflächenschicht eine Dicke in dem Bereich von etwa 0,3 - 10 nm aufweist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei sich der Dünnfilmwiderstandskörper (226) über einem Zwischenebenendielektrikum (214) befindet.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Dünnfilmwiderstandskörper (226) einen Temperaturkoeffizienten von etwa 15 ppm/°C oder kleiner umfasst.
Verfahren (500) zum Fertigen einer integrierten Schaltung (200) mit einem Dünnfilmwiderstand (104), umfassend: Ausbilden (510) einer Dünnfilmschicht (103) auf einer dielektrischen Schicht (102), wobei die Dünnfilmschicht (103) Nickel-Chrom-Aluminium umfasst; Ausbilden (515) einer Grenzflächenschicht (106) direkt auf der Dünnfilmschicht (103), wobei das Ausbilden (515) der Grenzflächenschicht (106) Ausbilden einer Titannitridschicht auf der Dünnfilmschicht (103) umfasst; Ausbilden (520) einer Widerstandskopfschicht (107) auf der Grenzflächenschicht (106), wobei die Widerstandskopfschicht (107) Titanwolfram umfasst; Strukturieren und Ätzen (525) der Widerstandskopfschicht (107), um eine Widerstandshartmaske für die Dünnfilmschicht (103) auszubilden; und Ätzen (530) der Dünnfilmschicht (103) unter Verwendung der Widerstandshartmaske und einer Nassätzung, um einen Dünnfilmwiderstandskörper (226) auszubilden.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Ausbilden (515) der Grenzflächenschicht Anwenden eines Schritts mit Stickstoff enthaltendem Plasma auf eine Oberfläche der Dünnfilmschicht (103) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 7, umfassend: Abscheiden und Strukturieren (535) einer Widerstandskopfhartmaske (116) über der Widerstandskopfschicht (107); und Verwenden (540) der Widerstandskopfhartmaske (116) und eines Trockenätzprozesses, um die Widerstandskopfschicht (107) zu ätzen und Widerstandsköpfe (108) an Enden des Dünnfilmwiderstandskörpers (226) auszubilden.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Ätzen (530) der Dünnfilmschicht (103) eine wässrige Lösung aus Perchlorsäure und Cerammoniumnitrat verwendet.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die dielektrische Schicht (102) ein Zwischenebenendielektrikum ist.
Verfahren nach Anspruch 9, umfassend: Ausbilden (545) einer zusätzlichen dielektrischen Schicht (218B) über dem Dünnfilmwiderstandskörper (226) und den Widerstandsköpfen (108, 228); und Ausbilden und Füllen (555) von Vias durch die zusätzliche dielektrische Schicht (218B) zum Ankontaktieren der Widerstandsköpfe (108, 228).
Dünnfilmwiderstandsstruktur (224), umfassend: einen Dünnfilmwiderstandskörper (226), der Nickel-Chrom-Aluminium (NiCrAl) umfasst, der über einer Oxidschicht ausgebildet ist, wobei der Dünnfilmwiderstandskörper (226) eine Dicke aufweist, die kleiner als oder gleich etwa 0,1 µm ist; eine Titannitrid(TiN)-Schicht, die über dem Dünnfilmwiderstandskörper (226) ausgebildet ist; und Widerstandsköpfe (228), die Titanwolfram (TiW) umfassen, die auf der TiN-Schicht ausgebildet sind.
Dünnfilmwiderstandsstruktur nach Anspruch 13, wobei die Dünnfilmwiderstandsstruktur (224) einen Temperaturkoeffizienten von etwa 15 ppm/°C oder kleiner aufweist.
Dünnfilmwiderstandsstruktur nach Anspruch 13, wobei die TiN-Schicht direkt auf dem Dünnfilmwiderstandskörper (226) ausgebildet ist.
Dünnfilmwiderstandsstruktur nach Anspruch 15, umfassend eine Titan(Ti)-Schicht, die direkt auf der TiN-Schicht ausgebildet ist, wobei die TiW-Schicht direkt auf der Ti-Schicht ausgebildet ist.
Dünnfilmwiderstandsstruktur nach Anspruch 13, umfassend eine Titan(Ti)-Schicht, die direkt auf dem Dünnfilmwiderstandskörper (226) ausgebildet ist, wobei die TiN-Schicht direkt auf der Ti-Schicht ausgebildet ist.