DE102022124574A1

DE102022124574A1 - METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC COMPONENT

Info

Publication number: DE102022124574A1
Application number: DE102022124574.8A
Authority: DE
Inventors: Thomas Schwarz
Original assignee: Ams Osram International GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2022-09-23
Filing date: 2022-09-23
Publication date: 2024-03-28
Also published as: WO2024061689A1

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines elektronischen Halbleiterchips, wobei an einer Kontaktseite des elektronischen Halbleiterchips eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche ausgebildet sind, wobei die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche um eine erste Höhe über einen zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche befindlichen Abschnitt der Kontaktseite erhaben sind, zum Bereitstellen eines Trägers, wobei an einer Oberseite des Trägers eine erste Gegenkontaktfläche und eine zweite Gegenkontaktfläche ausgebildet sind, wobei die erste Gegenkontaktfläche und die zweite Gegenkontaktfläche um eine zweite Höhe über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers erhaben sind, wobei die erste Höhe größer oder gleich Null ist und die zweite Höhe größer, kleiner oder gleich Null ist, wobei eine als Summe der ersten Höhe und der zweiten Höhe gebildete Gesamthöhe größer als Null ist, zum Anordnen von Kapseln auf den Gegenkontaktflächen, wobei die Kapseln jeweils eine feste Schale aufweisen, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit umschließt, wobei die Kapseln jeweils einen Durchmesser aufweisen, der geringer als die Gesamthöhe ist, und zum Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips auf den Träger derart, dass die Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips auf die Gegenkontaktflächen des Trägers gepresst werden, wobei die Schalen der zwischen den Kontaktflächen und den Gegenkontaktflächen angeordneten Kapseln aufbrechen und die metallische Flüssigkeit die Kontaktflächen und die Gegenkontaktflächen benetzt.A method for producing an electronic component includes steps for providing an electronic semiconductor chip, wherein a first contact surface and a second contact surface are formed on a contact side of the electronic semiconductor chip, wherein the first contact surface and the second contact surface are a first height above one between the first contact surface and the second contact surface located portion of the contact side are raised to provide a carrier, wherein a first counter-contact surface and a second counter-contact surface are formed on an upper side of the carrier, wherein the first counter-contact surface and the second counter-contact surface are a second height above one between the first counter-contact surface and the second counter-contact surface portion of the top of the carrier are raised, the first height being greater than or equal to zero and the second height being greater than, less than or equal to zero, with a total height formed as the sum of the first height and the second height greater than zero is, for arranging capsules on the mating contact surfaces, the capsules each having a solid shell which encloses a supercooled metallic liquid, the capsules each having a diameter that is smaller than the overall height, and for pressing the electronic semiconductor chip onto the carrier in such a way that the contact surfaces of the electronic semiconductor chip are pressed onto the mating contact surfaces of the carrier, the shells of the capsules arranged between the contact surfaces and the mating contact surfaces breaking open and the metallic liquid wetting the contact surfaces and the mating contact surfaces.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements sowie ein elektronisches Bauelement.The present invention relates to a method for producing an electronic component and an electronic component.

Es sind im Stand der Technik verschiedene Verfahren zur elektrischen Kontaktierung elektronischer Halbleiterchips mit geringen lateralen Abmessungen bekannt. Viele derartige Verfahren erfordern eine vorherige Mikrostrukturierung der verwendeten Kontaktmaterialen und gehen mit einem hohen Kurzschlussrisiko einher.Various methods for electrically contacting electronic semiconductor chips with small lateral dimensions are known in the prior art. Many such methods require prior microstructuring of the contact materials used and are associated with a high risk of short circuits.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements anzugeben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein elektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren und durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.One object of the present invention is to provide a method for producing an electronic component. Another object of the present invention is to provide an electronic component. These tasks are solved by a method and a device with the features of the independent patent claims. Various further developments are specified in the dependent claims.

Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines elektronischen Halbleiterchips, wobei an einer Kontaktseite des elektronischen Halbleiterchips eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche ausgebildet sind, wobei die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche um eine erste Höhe über einen zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche befindlichen Abschnitt der Kontaktseite erhaben sind, zum Bereitstellen eines Trägers, wobei an einer Oberseite des Trägers eine erste Gegenkontaktfläche und eine zweite Gegenkontaktfläche ausgebildet sind, wobei die erste Gegenkontaktfläche und die zweite Gegenkontaktfläche um eine zweite Höhe über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers erhaben sind, wobei die erste Höhe größer oder gleich Null ist und die zweite Höhe größer, kleiner oder gleich Null ist, wobei eine als Summe der ersten Höhe und der zweiten Höhe gebildete Gesamthöhe größer als Null ist, zum Anordnen von Kapseln auf den Gegenkontaktflächen, wobei die Kapseln jeweils eine feste Schale aufweisen, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit umschließt, wobei die Kapseln jeweils einen Durchmesser aufweisen, der geringer als die Gesamthöhe ist, und zum Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips auf den Träger derart, dass die Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips auf die Gegenkontaktflächen des Trägers gepresst werden, wobei die Schalen der zwischen den Kontaktflächen und den Gegenkontaktflächen angeordneten Kapseln aufbrechen und die metallische Flüssigkeit die Kontaktflächen und die Gegenkontaktflächen benetzt.A method for producing an electronic component includes steps for providing an electronic semiconductor chip, wherein a first contact surface and a second contact surface are formed on a contact side of the electronic semiconductor chip, the first contact surface and the second contact surface being a first height above one between the first contact surface and the second contact surface located portion of the contact side are raised to provide a carrier, wherein a first counter-contact surface and a second counter-contact surface are formed on an upper side of the carrier, wherein the first counter-contact surface and the second counter-contact surface are a second height above one between the first counter-contact surface and the second counter-contact surface section of the top of the carrier are raised, the first height being greater than or equal to zero and the second height being greater than, less than or equal to zero, with a total height formed as the sum of the first height and the second height greater than zero is, for arranging capsules on the mating contact surfaces, the capsules each having a solid shell which encloses a supercooled metallic liquid, the capsules each having a diameter that is smaller than the overall height, and for pressing the electronic semiconductor chip onto the carrier in such a way that the contact surfaces of the electronic semiconductor chip are pressed onto the mating contact surfaces of the carrier, the shells of the capsules arranged between the contact surfaces and the mating contact surfaces breaking open and the metallic liquid wetting the contact surfaces and the mating contact surfaces.

Dieses Verfahren erfordert keine Feinstrukturierung eines Verbindungsmaterials zur Verbindung der Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips mit den Gegenkontaktflächen des Trägers. Dadurch ist das Verfahren vorteilhafterweise einfach und kostengünstig durchführbar. Das Verfahren erfordert außerdem keine Verwendung von Silber zur Herstellung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem elektronischen Halbleiterchip und dem Träger, wodurch vorteilhafterweise das Risiko einer Migration von Silber und die damit einhergehende Gefahr von Kurzschlüssen reduziert werden. Das Verfahren erfordert auch kein vorheriges Aufbringen von Lot auf die Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips, was ebenfalls dazu beiträgt, dass das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist. Ferner lässt sich das Verfahren bei niedrigen Temperaturen durchführen, was unter anderem die Verwendung kostengünstiger Trägermaterialien ermöglicht, beispielsweise die Verwendung von PET.This method does not require any fine structuring of a connecting material to connect the contact surfaces of the electronic semiconductor chip to the mating contact surfaces of the carrier. This means that the method can advantageously be carried out simply and inexpensively. The method also does not require the use of silver to produce the electrically conductive connection between the electronic semiconductor chip and the carrier, which advantageously reduces the risk of migration of silver and the associated risk of short circuits. The method also does not require any prior application of solder to the contact surfaces of the electronic semiconductor chip, which also contributes to the method being simple and cost-effective to carry out. Furthermore, the process can be carried out at low temperatures, which, among other things, enables the use of inexpensive carrier materials, for example the use of PET.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden auch auf einem neben den Gegenkontaktflächen befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers Kapseln angeordnet. Dies ermöglicht es, die Kapseln mittels eines Verfahrens mit geringer Positioniergenauigkeit aufzubringen, wodurch das Verfahren einfach und kostengünstig durchführbar ist.In one embodiment of the method, capsules are also arranged on a section of the top side of the carrier located next to the mating contact surfaces. This makes it possible to apply the capsules using a method with low positioning accuracy, making the method simple and cost-effective to carry out.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips ein weiterer Schritt durchgeführt zum Entfernen zumindest eines Teils der neben den Gegenkontaktflächen angeordneten Kapseln. Vorteilhafterweise wird dadurch verhindert, dass neben den Gegenkontaktflächen angeordnete Kapseln zu einem Zeitpunkt nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips auf den Träger, beispielsweise durch Hitzeeinwirkung, aufbrechen und elektrische Kurzschlüsse verursachen.In one embodiment of the method, after pressing on the electronic semiconductor chip, a further step is carried out to remove at least some of the capsules arranged next to the mating contact surfaces. This advantageously prevents capsules arranged next to the mating contact surfaces from breaking open at a time after the electronic semiconductor chip has been pressed onto the carrier, for example due to the effects of heat, and causing electrical short circuits.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen der Kapseln unter Verwendung eines Lösungsmittels, durch Abblasen, durch ein Ätzverfahren oder mittels einer Klebefolie. Vorteilhafterweise ermöglichen diese Varianten jeweils eine wirksame, schonende und kostengünstige Entfernung zumindest eines Teils der neben den Gegenkontaktflächen angeordneten Kapseln.In one embodiment of the method, the capsules are removed using a solvent, by blowing off, by an etching process or by means of an adhesive film. Advantageously, these variants each enable effective, gentle and cost-effective removal of at least some of the capsules arranged next to the mating contact surfaces.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen der Kapseln unter Verwendung einer Schattenmaske. Vorteilhafterweise ermöglicht dies ein einfaches und kostengünstiges Aufbringen der Kapseln, wobei die Positionen der Kapseln auf gewünschte Bereiche der Oberseite des Trägers beschränkt werden können.In one embodiment of the method, the capsules are arranged using a shadow mask. Advantageously, this enables the capsules to be applied easily and cost-effectively, with the positions of the capsules being determined desired areas of the top of the carrier can be limited.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen der Kapseln durch ein Sprühverfahren. Vorteilhafterweise ist dadurch ein schnelles und kostengünstiges Aufbringen der Kapseln möglich.In one embodiment of the method, the capsules are arranged using a spraying process. This advantageously makes it possible to apply the capsules quickly and cost-effectively.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Kapseln gemeinsam mit einem Lösungsmittel auf den Gegenkontaktflächen angeordnet. Das Lösungsmittel verdunstet vor dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips. Vorteilhafterweise können in einem Lösungsmittel dispergierte Kapseln besonders gut mittels eines Sprühverfahrens aufgebracht werden.In one embodiment of the method, the capsules are arranged together with a solvent on the mating contact surfaces. The solvent evaporates before the electronic semiconductor chip is pressed on. Advantageously, capsules dispersed in a solvent can be applied particularly well using a spray process.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen der Kapseln durch ein Druckverfahren. Vorteilhafterweise ermöglicht auch ein Druckverfahren ein kostengünstiges Aufbringen der Kapseln auf die Oberseite des Trägers.In one embodiment of the method, the capsules are arranged using a printing process. Advantageously, a printing process also enables the capsules to be applied cost-effectively to the top of the carrier.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Kapseln eingebettet in ein Matrixmaterial auf den Gegenkontaktflächen angeordnet. Vorteilhafterweise lassen sich in ein Matrixmaterial eingebettete Kapseln besonders einfach auf den Gegenkontaktflächen des Trägers anordnen. Das Matrixmaterial kann beispielsweise ein organisches Material sein oder ein Acrylharz, ein Epoxid oder ein Silikon aufweisen.In one embodiment of the method, the capsules are embedded in a matrix material and arranged on the mating contact surfaces. Advantageously, capsules embedded in a matrix material can be arranged particularly easily on the mating contact surfaces of the carrier. The matrix material can, for example, be an organic material or comprise an acrylic resin, an epoxy or a silicone.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Matrixmaterial nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips entfernt, insbesondere mittels eines Lösungsmittels. Vorteilhafterweise können bei der Entfernung des Matrixmaterials auch neben den Gegenkontaktflächen angeordnete Kapseln entfernt werden.In one embodiment of the method, the matrix material is removed after the electronic semiconductor chip has been pressed on, in particular using a solvent. Advantageously, capsules arranged next to the mating contact surfaces can also be removed when the matrix material is removed.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Matrixmaterial nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips ausgehärtet. Das Matrixmaterial kann dann an dem durch das Verfahren erhältlichen elektronischen Bauelement verbleiben. Das ausgehärtete Matrixmaterial kann in dem Matrixmaterial verbliebene Kapseln schützen und voneinander isolieren, sodass in dem Matrixmaterial verbliebene Kapseln auch nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips auf den Träger keine unerwünschten Kurzschlüsse verursachen können.In one embodiment of the method, the matrix material is cured after the electronic semiconductor chip has been pressed onto it. The matrix material can then remain on the electronic component obtainable by the method. The cured matrix material can protect capsules remaining in the matrix material and insulate them from one another, so that capsules remaining in the matrix material cannot cause undesirable short circuits even after the electronic semiconductor chip has been pressed onto the carrier.

In einer Ausführungsform des Verfahrens berührt das Matrixmaterial nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips den zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche befindlichen Abschnitt der Kontaktseite des elektronischen Halbleiterchips und den zwischen der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers. Das ausgehärtete Matrixmaterial kann dadurch eine Unterfüllung (underfill) des elektronischen Halbleiterchips bilden, diesen zusätzlich mechanisch an dem Träger fixieren. Die Unterfüllung kann auch die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen dem elektronischen Halbleiterchip und dem Träger vor äußeren Einwirkungen schützen.In one embodiment of the method, after the electronic semiconductor chip has been pressed on, the matrix material touches the section of the contact side of the electronic semiconductor chip located between the first contact surface and the second contact surface and the section of the top side of the carrier located between the first mating contact surface and the second mating contact surface. The hardened matrix material can thereby form an underfill of the electronic semiconductor chip and additionally fix it mechanically to the carrier. The underfilling can also protect the electrically conductive connections between the electronic semiconductor chip and the carrier from external influences.

In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt ein Abstand zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche weniger als 50 µm, insbesondere weniger als 20 pm. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren trotz dieses nur geringen Abstands zwischen den Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips eine zuverlässige elektrische Kontaktierung ohne Gefahr eines Kurzschlusses zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche.In one embodiment of the method, a distance between the first contact surface and the second contact surface is less than 50 μm, in particular less than 20 μm. Despite this small distance between the contact surfaces of the electronic semiconductor chip, the method advantageously enables reliable electrical contacting without the risk of a short circuit between the first contact surface and the second contact surface.

In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt der Durchmesser der Kapseln zwischen 0,2 pm und 10 µm, insbesondere zwischen 0,5 µm und 5 µm. Vorteilhafterweise eignen sich die Kapseln dadurch zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips und den Gegenkontaktflächen des Trägers auch im Fall eines sehr kleinen elektronischen Halbleiterchips mit sehr kleinen Kontaktflächen mit sehr geringem Abstand.In one embodiment of the method, the diameter of the capsules is between 0.2 µm and 10 µm, in particular between 0.5 µm and 5 µm. The capsules are therefore advantageously suitable for producing an electrically conductive connection between the contact surfaces of the electronic semiconductor chip and the mating contact surfaces of the carrier, even in the case of a very small electronic semiconductor chip with very small contact surfaces with a very small distance.

In einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Durchmesser der Kapseln zwischen 0,5 pm und 3 µm geringer als die Gesamthöhe. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine Herstellung eines elektronischen Bauelements mit sehr kompakten äußeren Abmessungen, insbesondere mit geringer Höhe.In one embodiment of the method, the diameter of the capsules is between 0.5 pm and 3 µm smaller than the overall height. Advantageously, the method thereby enables the production of an electronic component with very compact external dimensions, in particular with a low height.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weisen die Schalen der Kapseln ein Oxid auf, insbesondere ein Zinnoxid (SnOx). Vorteilhafterweise weisen die Schalen der Kapseln dadurch geeignete mechanische Eigenschaften auf.In one embodiment of the method, the shells of the capsules have an oxide, in particular a tin oxide (SnOx). Advantageously, the shells of the capsules therefore have suitable mechanical properties.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die unterkühlte metallische Flüssigkeit Sn, SnAgCu oder SnBi auf. Vorteilhafterweise eignet sich die unterkühlte metallische Flüssigkeit dadurch zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen den Kontaktflächen des elektronischen Halbleiterchips und den Gegenkontaktflächen des Trägers.In one embodiment of the method, the supercooled metallic liquid has Sn, SnAgCu or SnBi. The supercooled metallic liquid is advantageously suitable for producing an electrically conductive connection between the contact surfaces of the electronic semiconductor chip and the mating contact surfaces of the carrier.

In einer Ausführungsform des Verfahrens ist der elektronische Halbleiterchip ein optoelektronischer Halbleiterchip, insbesondere ein Leuchtdiodenchip. Das Verfahren eignet sich dadurch zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise eines Leuchtdiodenbauelements. Vorteilhafterweise können dabei optoelektronische Halbleiterchips mit sehr geringer Größe verwendet werden.In one embodiment of the method, the electronic semiconductor chip is an optoelectronic semiconductor chip, in particular a light-emitting diode chip. The method is therefore suitable for producing an optoelectronic component, for example a light-emitting diode component. Advantageously, optoelectronic semiconductor chips with a very small size can be used.

Ein elektronisches Bauelement weist einen elektronischen Halbleiterchip und einen Träger auf. An einer Kontaktseite des elektronischen Halbleiterchips sind eine erste Kontaktfläche und eine zweite Kontaktfläche ausgebildet. Die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche sind um eine erste Höhe über einen zwischen der ersten Kontaktfläche und der zweiten Kontaktfläche befindlichen Abschnitt der Kontaktseite erhaben. An einer Oberseite des Trägers sind eine erste Gegenkontaktfläche und eine zweite Gegenkontaktfläche ausgebildet. Die erste Gegenkontaktfläche und die zweite Gegenkontaktfläche sind um eine zweite Höhe über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers erhaben. Die erste Höhe ist größer oder gleich Null. Die zweite Höhe ist größer, kleiner oder gleich Null. Eine als Summe der ersten Höhe und der zweiten Höhe gebildete Gesamthöhe ist größer als Null. Die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche sind über Lotverbindungen mit der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche verbunden. Auf dem zwischen der ersten Gegenkontaktfläche und der zweiten Gegenkontaktfläche befindlichen Abschnitt der Oberseite des Trägers sind Kapseln angeordnet, die jeweils eine feste Schale aufweisen, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit umschließt. Die Kapseln weisen jeweils einen Durchmesser auf, der geringer als die Gesamthöhe ist.An electronic component has an electronic semiconductor chip and a carrier. A first contact surface and a second contact surface are formed on a contact side of the electronic semiconductor chip. The first contact surface and the second contact surface are raised by a first height above a section of the contact side located between the first contact surface and the second contact surface. A first counter-contact surface and a second counter-contact surface are formed on an upper side of the carrier. The first counter-contact surface and the second counter-contact surface are raised by a second height above a section of the top side of the carrier located between the first counter-contact surface and the second counter-contact surface. The first height is greater than or equal to zero. The second height is greater, less than or equal to zero. A total height formed as the sum of the first height and the second height is greater than zero. The first contact surface and the second contact surface are connected to the first mating contact surface and the second mating contact surface via solder connections. On the section of the top side of the carrier located between the first counter-contact surface and the second counter-contact surface, capsules are arranged, each of which has a solid shell which encloses a supercooled metallic liquid. The capsules each have a diameter that is smaller than the overall height.

Vorteilhafterweise lässt sich dieses elektronische Bauelement einfach und kostengünstig herstellen. Die Lotverbindungen können ohne Silber ausgebildet sein, wodurch vorteilhafterweise das Risiko einer Migration von Silber und die damit einhergehende Gefahr von Kurzschlüssen reduziert sein können. Der Träger kann ein kostengünstiges Trägermaterial aufweisen, beispielsweise PET.Advantageously, this electronic component can be produced easily and inexpensively. The solder connections can be made without silver, which can advantageously reduce the risk of migration of silver and the associated risk of short circuits. The carrier can have a cost-effective carrier material, for example PET.

In einer Ausführungsform des elektronischen Bauelements sind die Kapseln in ein Matrixmaterial eingebettet. Das Matrixmaterial kann die in das Matrixmaterial eingebetteten Kapseln schützen und voneinander isolieren, sodass die Kapseln vorteilhafterweise keine unerwünschten Kurzschlüsse verursachen können. Das Matrixmaterial kann auch eine Unterfüllung (underfill) des elektronischen Halbleiterchips bilden, diesen zusätzlich mechanisch an dem Träger fixieren und die Lotverbindungen zwischen dem elektronischen Halbleiterchip und dem Träger vor äußeren Einwirkungen schützen.In one embodiment of the electronic component, the capsules are embedded in a matrix material. The matrix material can protect and insulate the capsules embedded in the matrix material from each other, so that the capsules advantageously cannot cause undesirable short circuits. The matrix material can also form an underfill of the electronic semiconductor chip, additionally fix it mechanically to the carrier and protect the solder connections between the electronic semiconductor chip and the carrier from external influences.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung

1 eine geschnittene Seitenansicht eines elektronischen Halbleiterchips;
2 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers;
3 eine Aufsicht auf Gegenkontaktflächen an einer Oberseite des Trägers;
4 eine als Summe einer ersten Höhe und einer zweiten Höhe gebildete Gesamthöhe;
5 eine zum Aufbringen von Kapseln verwendete Schattenmaske;
6 eine Seitenansicht des Trägers mit auf die Gegenkontaktflächen aufgebrachten Kapseln;
7 eine Aufsicht auf die Oberseite des Trägers mit den darauf aufgebrachten Kapseln;
8 eine geschnittene Ansicht einer der Kapseln;
9 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers mit darauf aufgepresstem elektronischem Halbleiterchip;
10 eine geschnittene Detailansicht einer Kontaktfläche und einer Gegenkontaktfläche während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips;
11 eine weitere Detailansicht einer Kontaktfläche und einer Gegenkontaktfläche während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips;
12 in ein Lösungsmittel eingebettete Kapseln; und
13 den Träger, den elektronischen Halbleiterchip und in ein Matrixmaterial eingebettete Kapseln.

The characteristics, features and advantages of this invention described above, as well as the manner in which these are achieved, will be more clearly and clearly understood in connection with the following description of the exemplary embodiments, which will be explained in more detail in connection with the drawings. Shown in a schematic representation

1 a sectioned side view of an electronic semiconductor chip;
2 a sectioned side view of a carrier;
3 a top view of mating contact surfaces on an upper side of the carrier;
4 a total height formed as the sum of a first height and a second height;
5 a shadow mask used to apply capsules;
6 a side view of the carrier with capsules applied to the mating contact surfaces;
7 a top view of the top of the carrier with the capsules applied thereto;
8th a sectioned view of one of the capsules;
9 a sectional side view of the carrier with an electronic semiconductor chip pressed onto it;
10 a sectional detailed view of a contact surface and a mating contact surface during the pressing on of the electronic semiconductor chip;
11 a further detailed view of a contact surface and a mating contact surface during the pressing on of the electronic semiconductor chip;
12 capsules embedded in a solvent; and
13 the carrier, the electronic semiconductor chip and capsules embedded in a matrix material.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines elektronischen Halbleiterchips 100. Der elektronische Halbleiterchip 100 kann beispielsweise ein optoelektronischer Halbleiterchip sein, insbesondere beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip). Der elektronische Halbleiterchip 100 kann aber auch ein beliebiger anderer elektronischer Halbleiterchip sein. 1 shows a schematic sectional side view of an electronic semiconductor chip 100. The electronic semiconductor chip 100 can be, for example, an optoelectronic semiconductor chip, in particular, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). The electronic semiconductor chip 100 can also be any other electronic semiconductor chip.

Der elektronische Halbleiterchip 100 weist eine Vorderseite 101 und eine der Vorderseite 101 gegenüberliegende Kontaktseite 102 auf. Falls der elektronische Halbleiterchip 100 als optoelektronischer Halbleiterchip ausgebildet ist, kann die Vorderseite 101 beispielsweise eine lichtemittierende Seite des elektronischen Halbleiterchips 100 bilden. Im Falle eines anders ausgebildeten elektronischen Halbleiterchips 100 kann die Vorderseite 101 eine andere oder gar keine funktionelle Eigenschaft aufweisen.The electronic semiconductor chip 100 has a front side 101 and a contact side 102 opposite the front side 101. If the electronic semiconductor chip 100 is designed as an optoelectronic semiconductor chip, the front Page 101, for example, form a light-emitting side of the electronic semiconductor chip 100. In the case of a differently designed electronic semiconductor chip 100, the front side 101 may have a different functional property or no functional property at all.

An der Kontaktseite 102 des elektronischen Halbleiterchips 100 sind eine erste Kontaktfläche 110 und eine zweite Kontaktfläche 120 ausgebildet. Die erste Kontaktfläche 110 und die zweite Kontaktfläche 120 sind dazu vorgesehen, den elektronischen Halbleiterchip 100 elektrisch zu kontaktieren, beispielsweise, um den elektronischen Halbleiterchip 100 mit elektrischer Spannung und elektrischem Strom zu beaufschlagen. Die Kontaktflächen 110, 120 können beispielsweise als Schichtenfolgen unterschiedlicher metallischer Materialien ausgebildet sein.A first contact surface 110 and a second contact surface 120 are formed on the contact side 102 of the electronic semiconductor chip 100. The first contact surface 110 and the second contact surface 120 are intended to electrically contact the electronic semiconductor chip 100, for example in order to apply electrical voltage and electrical current to the electronic semiconductor chip 100. The contact surfaces 110, 120 can, for example, be designed as layer sequences of different metallic materials.

Die erste Kontaktfläche 110 und die zweite Kontaktfläche 120 weisen einen in lateraler Richtung bemessenen Abstand 140 voneinander auf. Im Falle eines kleinen elektronischen Halbleiterchips 100 kann der Abstand 140 ebenfalls klein sein. Der Abstand 140 kann beispielsweise weniger als 50 µm oder sogar weniger als 20 µm betragen.The first contact surface 110 and the second contact surface 120 have a distance 140 from one another measured in the lateral direction. In the case of a small electronic semiconductor chip 100, the distance 140 can also be small. The distance 140 can be, for example, less than 50 μm or even less than 20 μm.

Die erste Kontaktfläche 110 und die zweite Kontaktfläche 120 sind jeweils um eine erste Höhe 130 über einen zwischen der ersten Kontaktfläche 110 und der zweiten Kontaktfläche 120 befindlichen Abschnitt 103 der Kontaktseite 102 des elektronischen Halbleiterchips 100 erhaben. Die erste Höhe 130 ist dabei senkrecht zu der Kontaktseite 102 bemessen. Die erste Höhe 130 kann im Bereich einiger µm liegen und beispielsweise bis zu 10 µm betragen. Die erste Höhe 130 kann aber auch kleinere Werte bis unterhalb von 1 µm betragen. Im Extremfall kann die erste Höhe 130 sogar gleich Null sein. In diesem Fall sind die erste Kontaktfläche 110 und die zweite Kontaktfläche 120 gar nicht über den zwischen den Kontaktflächen 110, 120 befindlichen Abschnitt 103 der Kontaktseite 102 erhaben, sondern schließen bündig mit der Kontaktseite 102 des elektronischen Halbleiterchips 100 ab.The first contact surface 110 and the second contact surface 120 are each raised by a first height 130 above a section 103 of the contact side 102 of the electronic semiconductor chip 100 located between the first contact surface 110 and the second contact surface 120. The first height 130 is dimensioned perpendicular to the contact side 102. The first height 130 can be in the range of a few µm and, for example, up to 10 µm. However, the first height 130 can also be smaller values of less than 1 μm. In extreme cases, the first height 130 can even be zero. In this case, the first contact surface 110 and the second contact surface 120 are not raised above the section 103 of the contact side 102 located between the contact surfaces 110, 120, but are flush with the contact side 102 of the electronic semiconductor chip 100.

Der elektronische Halbleiterchip 100 kann zusätzlich zu der ersten Kontaktfläche 110 und der zweiten Kontaktfläche 120 noch weitere Kontaktflächen aufweisen.The electronic semiconductor chip 100 can have further contact surfaces in addition to the first contact surface 110 and the second contact surface 120.

2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Trägers 200. Der Träger 200 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Der Träger 200 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial aufweisen, insbesondere beispielsweise PET. 2 shows a schematic sectional side view of a carrier 200. The carrier 200 can also be referred to as a substrate. The carrier 200 can, for example, comprise a plastic material, in particular PET, for example.

Der Träger 200 weist eine Oberseite 201 auf, die in 3 in Aufsicht dargestellt ist. An der Oberseite 201 des Trägers 200 sind eine erste Gegenkontaktfläche 210 und eine zweite Gegenkontaktfläche 220 ausgebildet. Die erste Gegenkontaktfläche 210 ist elektrisch leitend mit einer an der Oberseite 201 angeordneten ersten Leiterbahn 215 verbunden. Die zweite Gegenkontaktfläche 220 ist elektrisch leitend mit einer an der Oberseite 201 ausgebildeten zweiten Leiterbahn 225 verbunden. Die erste Gegenkontaktfläche 210 und die zweite Gegenkontaktfläche 220 können beispielsweise jeweils als Schichtstapel unterschiedlicher metallischer Materialien ausgebildet sein.The carrier 200 has a top 201 which is in 3 shown in supervision. A first mating contact surface 210 and a second mating contact surface 220 are formed on the top 201 of the carrier 200. The first mating contact surface 210 is electrically conductively connected to a first conductor track 215 arranged on the top 201. The second mating contact surface 220 is electrically conductively connected to a second conductor track 225 formed on the top 201. The first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220 can, for example, each be designed as a layer stack of different metallic materials.

Die erste Gegenkontaktfläche 210 und die zweite Gegenkontaktfläche 220 sind um eine zweite Höhe 230 über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 befindlichen Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 erhaben. Die zweite Höhe 230 ist dabei senkrecht zu der Oberseite 201 des Trägers 200 bemessen.The first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220 are raised by a second height 230 above a section 203 of the top side 201 of the carrier 200 located between the first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220. The second height 230 is dimensioned perpendicular to the top 201 of the carrier 200.

Die zweite Höhe 230 kann beispielsweise einige µm betragen, beispielsweise bis zu 10 µm. Die zweite Höhe 230 kann aber auch einen kleineren Wert aufweisen, beispielsweise einen Wert von weniger als 1 µm. Die erste Gegenkontaktfläche 210 und die zweite Gegenkontaktfläche 220 können sogar derart in der Oberseite 201 des Trägers 200 versenkt sein, dass die zweite Höhe 230 gleich Null ist oder sogar einen Wert von weniger als Null aufweist. Im letztgenannten Fall ragt der zwischen der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 liegende Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Träger 200 über die erste Gegenkontaktfläche 210 und die zweite Gegenkontaktfläche 220 hinaus.The second height 230 can be, for example, a few µm, for example up to 10 µm. However, the second height 230 can also have a smaller value, for example a value of less than 1 μm. The first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220 can even be sunk into the top 201 of the carrier 200 in such a way that the second height 230 is equal to zero or even has a value of less than zero. In the latter case, the section 203 of the top side 201 of the carrier 200 lying between the first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220 projects beyond the first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220.

Die erste Leiterbahn 215 und die zweite Leiterbahn 225 können gegenüber der Oberseite 201 des Trägers 200 eine Höhe aufweisen, die der zweiten Höhe 230 der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 entspricht. Die Leiterbahnen 215, 225 können aber auch eine geringere oder eine größere Höhe aufweisen.The first conductor track 215 and the second conductor track 225 can have a height relative to the top 201 of the carrier 200 that corresponds to the second height 230 of the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220. However, the conductor tracks 215, 225 can also have a smaller or larger height.

Der Träger 200 kann zusätzlich zu der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 noch weitere Gegenkontaktflächen aufweisen.The carrier 200 can have further counter-contact surfaces in addition to the first counter-contact surface 210 and the second counter-contact surface 220.

Aus der ersten Höhe 130 der Kontaktflächen 110, 120 des elektronischen Halbleiterchips 100 und der zweiten Höhe 230 der Gegenkontaktflächen 210, 220 des Trägers 200 lässt sich durch Addition rechnerisch eine Gesamthöhe 300 bilden. Dies ist in 4 graphisch dargestellt. Die Gesamthöhe 300 entspricht der Summe der ersten Höhe 130 und der zweiten Höhe 230. Dies gilt nicht nur für den in 4 gezeigten Fall, dass die erste Höhe 130 und die zweite Höhe 230 jeweils positive Werte aufweisen, sondern auch in dem Fall, dass die erste Höhe 130 oder die zweite Höhe 230 den Wert Null aufweist oder die zweite Höhe 230 einen negativen Wert hat.From the first height 130 of the contact surfaces 110, 120 of the electronic semiconductor chip 100 and the second height 230 of the mating contact surfaces 210, 220 of the carrier 200, a total height 300 can be formed mathematically by addition. This is in 4 represented graphically. The total height 300 corresponds to the sum of the first height 130 and the second height 230. This does not only apply to the in 4 shown case that the first height is 130 and the second height 230 each have positive values, but also in the case that the first height 130 or the second height 230 has the value zero or the second height 230 has a negative value.

5 zeigt eine schematische Darstellung der Oberseite 201 des Trägers 200 mit einer oberhalb der Oberseite 201 angeordneten Schattenmaske 500. Die Schattenmaske 500 weist eine Öffnung 510 auf, die über der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 angeordnet ist. Im dargestellten Beispiel ist die Größe der Öffnung 510 so bemessen, dass durch die Öffnung 510 außer der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 und dem zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 liegenden Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 auch Teile der Leiterbahnen 215, 225 und weitere Abschnitte 204 der Oberseite 201 des Trägers 200 sichtbar und zugänglich sind. 5 shows a schematic representation of the top 201 of the carrier 200 with a shadow mask 500 arranged above the top 201. The shadow mask 500 has an opening 510 which is arranged above the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220. In the example shown, the size of the opening 510 is dimensioned such that parts of the conductor tracks 215, 225 and further sections 204 of the top 201 of the carrier 200 are visible and accessible.

Die Öffnung 510 der Schattenmaske 500 könnte aber auch beispielsweise so klein bemessen sein, dass nur die erste Gegenkontaktfläche 210, die zweite Gegenkontaktfläche 220 und der zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 liegende Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 freigelegt sind. Alternativ könnte die Öffnung 510 der Schattenmaske 500 auch größer sein. Der Verwendung einer Schattenmaske 500 mit einer größeren Öffnung 510 bietet den Vorteil, dass die Schattenmaske 500 mit nur geringer Genauigkeit positioniert werden muss, um die Öffnung 510 über der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 anzuordnen. Auf die Verwendung der Schattenmaske 500 kann auch vollständig verzichtet werden, wie nachfolgend noch erläutert wird.The opening 510 of the shadow mask 500 could also, for example, be dimensioned so small that only the first mating contact surface 210, the second mating contact surface 220 and the section 203 of the top 201 of the carrier 200 lying between the mating contact surfaces 210, 220 are exposed. Alternatively, the opening 510 of the shadow mask 500 could also be larger. Using a shadow mask 500 with a larger opening 510 offers the advantage that the shadow mask 500 has to be positioned with only low precision in order to position the opening 510 over the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220. The use of the shadow mask 500 can also be completely dispensed with, as will be explained below.

6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 200 in einem den vorherigen Darstellungen zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 7 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite 201 des Trägers 200 in dem in 6 dargestellten Bearbeitungsstand. 6 shows a schematic sectional side view of the carrier 200 in a processing state that follows the previous illustrations. 7 shows a top view of the top 201 of the carrier 200 in the in 6 processing status shown.

Auf den Gegenkontaktflächen 210, 220 an der Oberseite 201 des Trägers 200 sind Kapseln 400 angeordnet worden. Das Anordnen der Kapseln 400 ist unter Verwendung der in 5 gezeigten Schattenmaske 500 erfolgt. Dabei sind Kapseln 400 in dem gesamten durch die Öffnung 510 der Schattenmaske 500 freiliegenden Bereich angeordnet worden. Dadurch sind Kapseln 400 nicht nur auf der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 angeordnet worden, sondern auch auf dem zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 liegenden Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200, auf Teilen der Leiterbahnen 215, 225 und auf weiteren Abschnitten 204 der Oberseite 201 des Trägers 200. Durch Verwendung einer Schattenmaske 500 mit kleinerer Öffnung 510 könnten die Kapseln 400 aber auch auf die erste Gegenkontaktfläche 210, die zweite Gegenkontaktfläche 220 und den zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 liegenden Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 beschränkt werden. Bei vollständigem Verzicht auf eine Schattenmaske 500 würden die Kapseln 400 auf der gesamten Oberseite 201 des Trägers 200 angeordnet werden. Zwingend erforderlich ist lediglich, dass Kapseln 400 auf den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordnet werden.Capsules 400 have been arranged on the mating contact surfaces 210, 220 on the top 201 of the carrier 200. Arranging the capsules 400 is using the in 5 Shadow mask 500 shown takes place. Capsules 400 have been arranged in the entire area exposed through the opening 510 of the shadow mask 500. As a result, capsules 400 have been arranged not only on the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220, but also on the section 203 of the top 201 of the carrier 200 lying between the mating contact surfaces 210, 220, on parts of the conductor tracks 215, 225 and on other sections 204 of the top 201 of the carrier 200. By using a shadow mask 500 with a smaller opening 510, the capsules 400 could also be placed on the first mating contact surface 210, the second mating contact surface 220 and the section 203 of the top 201 of the carrier 200 lying between the mating contact surfaces 210, 220 be limited. If a shadow mask 500 were completely dispensed with, the capsules 400 would be arranged on the entire top 201 of the carrier 200. All that is absolutely necessary is that capsules 400 be arranged on the mating contact surfaces 210, 220.

Die Kapseln 400 sind alle im Wesentlichen gleich ausgebildet. 8 zeigt eine schematische geschnittene Ansicht einer der Kapseln 400. Jede Kapsel 400 weist eine feste Schale 410 auf, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit 420 umschließt. Die feste Schale 410 kann dabei beispielsweise ein Oxid aufweisen, beispielsweise ein Zinnoxid (SnOx, SnO, Sn2O3, SnO2). Die unterkühlte metallische Flüssigkeit 420 kann beispielsweise Zinn oder eine Zinnverbindung aufweisen, insbesondere beispielsweise Sn, SnAgCu oder SnBi.The capsules 400 are all designed essentially the same. 8th shows a schematic sectional view of one of the capsules 400. Each capsule 400 has a solid shell 410 which encloses a supercooled metallic liquid 420. The solid shell 410 can, for example, have an oxide, for example a tin oxide (SnOx, SnO, Sn2O3, SnO2). The supercooled metallic liquid 420 can comprise, for example, tin or a tin compound, in particular, for example, Sn, SnAgCu or SnBi.

Die Kapseln 400 weisen jeweils einen Durchmesser 430 auf. Der Durchmesser 430 ist geringer als die Gesamthöhe 300, also geringer als die Summe aus der ersten Höhe 130 und der zweiten Höhe 230. Es ist zweckmäßig, dass der Durchmesser 430 der Kapseln 400 zwischen 0,5 pm und 3 µm geringer als die Gesamthöhe 300 ist. Der Durchmesser 430 der Kapseln 400 kann beispielsweise zwischen 0,2 pm und 10 µm betragen, insbesondere beispielsweise zwischen 0,5 µm und 5 µm.The capsules 400 each have a diameter 430. The diameter 430 is smaller than the total height 300, i.e. smaller than the sum of the first height 130 and the second height 230. It is expedient that the diameter 430 of the capsules 400 is between 0.5 pm and 3 μm smaller than the total height 300 is. The diameter 430 of the capsules 400 can be, for example, between 0.2 μm and 10 μm, in particular, for example, between 0.5 μm and 5 μm.

9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des elektronischen Halbleiterchips 100 und des Trägers 200 in einem den vorherigen Darstellungen zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 9 shows a schematic sectional side view of the electronic semiconductor chip 100 and the carrier 200 in a processing state that follows the previous illustrations.

In einem der Darstellung der 9 zeitlich vorhergehenden Bearbeitungsschritt ist der elektronische Halbleiterchip 100 derart auf den Träger 200 aufgepresst worden, dass die erste Kontaktfläche 110 des elektronischen Halbleiterchips 100 auf die erste Gegenkontaktfläche 210 des Trägers 200 und die zweite Kontaktfläche 120 des elektronischen Halbleiterchips 100 auf die zweite Gegenkontaktfläche 220 des Trägers 200 gepresst worden sind. Dieser Bearbeitungsschritt ist schematisch in 10 gezeigt, wo eine vergrößerte geschnittene Seitenansicht eines Teils der zweiten Kontaktfläche 120 des elektronischen Halbleiterchips 100 und eines Teils der zweiten Gegenkontaktfläche 220 des Trägers 200 dargestellt ist. Durch das Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips 100 auf den Träger 200 werden die zuvor auf den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordneten Kapseln 400 zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 und den Kontaktflächen 110, 120 eingequetscht und deformiert, bis die Schalen 410 der zwischen den Kontaktflächen 110, 120 und den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordneten Kapseln 400 schließlich aufbrechen. Dann läuft die in den Kapseln 400 enthaltene unterkühlte metallische Flüssigkeit 420 aus und benetzt die Kontaktflächen 110, 120 des elektronischen Halbleiterchips 100 und die Gegenkontaktflächen 210, 220 des Trägers 200. Das Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips 100 auf den Träger 200 kann hierzu beispielsweise mit einem Druck zwischen 0,1 MPa und 10 MPa erfolgen.In one of the representation of the 9 In the preceding processing step, the electronic semiconductor chip 100 was pressed onto the carrier 200 in such a way that the first contact surface 110 of the electronic semiconductor chip 100 is on the first mating contact surface 210 of the carrier 200 and the second contact surface 120 of the electronic semiconductor chip 100 is on the second mating contact surface 220 of the carrier 200 have been pressed. This processing step is shown schematically in 10 shown, where an enlarged sectional side view of a part of the second contact surface 120 of the electronic semiconductor chip 100 and a part of the second mating contact surface 220 of the carrier 200 is shown. By pressing the electronic semiconductor chip 100 onto the carrier 200, the previously on the mating contact surfaces 210, 220 arranged capsules 400 between the mating contact surfaces 210, 220 and the contact surfaces 110, 120 are squeezed and deformed until the shells 410 of the capsules 400 arranged between the contact surfaces 110, 120 and the mating contact surfaces 210, 220 finally break open. Then the supercooled metallic liquid 420 contained in the capsules 400 runs out and wets the contact surfaces 110, 120 of the electronic semiconductor chip 100 and the mating contact surfaces 210, 220 of the carrier 200. The electronic semiconductor chip 100 can be pressed onto the carrier 200, for example with pressure between 0.1 MPa and 10 MPa.

Die aus den aufgebrochenen Kapseln 400 austretende unterkühlte metallische Flüssigkeit 420 erstarrt nach dem Benetzen der Kontaktflächen 110, 120 und Gegenkontaktflächen 210, 220 rasch und bildet Lotverbindungen 450 zwischen der ersten Kontaktfläche 110 und der ersten Gegenkontaktfläche 210 sowie der zweiten Kontaktfläche 120 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220. Dies ist in 9 und in der vergrößerten Detailansicht der 11 gezeigt.The supercooled metallic liquid 420 emerging from the broken capsules 400 solidifies quickly after wetting the contact surfaces 110, 120 and mating contact surfaces 210, 220 and forms solder connections 450 between the first contact surface 110 and the first mating contact surface 210 and the second contact surface 120 and the second mating contact surface 220 .This is in 9 and in the enlarged detailed view of the 11 shown.

Die Anzahl der während des Anordnens der Kapseln 400 auf den Gegenkontaktflächen 210, 220 des Trägers 200 pro Fläche auf die Oberseite 201 des Trägers 200 aufgebrachten Kapseln 400 kann so hoch gewählt werden, dass die entstehenden Lotverbindungen 450 eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisen. Gleichzeitig sollte die Anzahl der Kapseln 400 pro Fläche ausreichend niedrig gewählt werden, damit die Lotverbindungen 450 thermomechanischen Stress in möglichst geringem Maße übertragen und sich während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 auf den Träger 200 nur ein geringes Risiko einer Ausbildung eines elektrischen Kurzschlusses einstellt.The number of capsules 400 applied per surface to the top side 201 of the carrier 200 during the arrangement of the capsules 400 on the mating contact surfaces 210, 220 of the carrier 200 can be selected so high that the resulting solder connections 450 have good electrical and thermal conductivity. At the same time, the number of capsules 400 per area should be chosen to be sufficiently low so that the solder connections 450 transmit thermomechanical stress to the lowest possible extent and there is only a small risk of an electrical short circuit forming when the electronic semiconductor chip 100 is pressed onto the carrier 200.

Wie in 9 und 11 erkennbar ist, werden die auf dem zwischen der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 befindlichen Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 angeordneten Kapseln 400 während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 auf den Träger 200 nicht geöffnet. Dies wird insbesondere dadurch sichergestellt, dass der Durchmesser 430 der Kapseln 400 geringer als die Gesamthöhe 300 ist. Somit wird verhindert, dass unerwünschte Kurzschlüsse zwischen der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 des Trägers 200 bzw. zwischen der ersten Kontaktfläche 110 und der zweiten Kontaktfläche 120 des elektronischen Halbleiterchips 100 entstehen. Auch die auf den Leiterbahnen 215, 225 und auf weiteren Abschnitten 204 der Oberseite 201 des Trägers 200 angeordneten Kapseln 400 bleiben unversehrt.As in 9 and 11 As can be seen, the capsules 400 arranged on the section 203 of the top side 201 of the carrier 200 located between the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220 are not opened during the pressing of the electronic semiconductor chip 100 onto the carrier 200. This is ensured in particular by the fact that the diameter 430 of the capsules 400 is smaller than the total height 300. This prevents unwanted short circuits from occurring between the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220 of the carrier 200 or between the first contact surface 110 and the second contact surface 120 of the electronic semiconductor chip 100. The capsules 400 arranged on the conductor tracks 215, 225 and on other sections 204 of the top 201 of the carrier 200 also remain intact.

In dem in 9 gezeigten Bearbeitungsstand kann der Träger 200 mit dem darauf angeordneten elektronischen Halbleiterchip 100 ein elektronisches Bauelement 10 bilden, dessen Bearbeitung abgeschlossen ist. Falls der elektronische Halbleiterchip 100 ein optoelektronischer Halbleiterchip ist, ist das elektronische Bauelement 10 ein optoelektronisches Bauelement. Es können aber auch, ausgehend von dem in 9 gezeigten Bearbeitungsstand, noch weitere Bearbeitungsschritte erfolgen.In the in 9 In the processing status shown, the carrier 200 with the electronic semiconductor chip 100 arranged thereon can form an electronic component 10, the processing of which is completed. If the electronic semiconductor chip 100 is an optoelectronic semiconductor chip, the electronic component 10 is an optoelectronic component. But it can also, based on the in 9 processing status shown, further processing steps can be carried out.

Dem in 9 gezeigten Bearbeitungsstand kann optional ein Prozessschritt zum Entfernen zumindest eines Teils der neben den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordneten Kapseln 400 nachfolgen. Hierbei werden einige oder alle der an der Oberseite 201 des Trägers 200 angeordneten Kapseln 400 entfernt, die während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 nicht aufgebrochen worden sind. Durch das Entfernen dieser Kapseln 400 wird verhindert, dass diese Kapseln 400 zu einem späteren Zeitpunkt aufbrechen, was zur Folge haben könnte, dass die in den Kapseln 400 enthaltene unterkühlte metallische Flüssigkeit 420 einen Kurzschluss verursacht. Ein späteres Aufbrechen der Kapseln 400 könnte beispielsweise durch mechanische Beanspruchungen oder durch Hitzeeinwirkungen verursacht werden.Dem in 9 The processing status shown can optionally be followed by a process step for removing at least part of the capsules 400 arranged next to the mating contact surfaces 210, 220. Here, some or all of the capsules 400 arranged on the top 201 of the carrier 200, which were not broken open during the pressing on of the electronic semiconductor chip 100, are removed. Removing these capsules 400 prevents these capsules 400 from rupturing at a later time, which could result in the supercooled metallic liquid 420 contained in the capsules 400 causing a short circuit. A later rupture of the capsules 400 could be caused, for example, by mechanical stress or by the effects of heat.

Das Entfernen zumindest eines Teils der neben den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordneten Kapseln 400 kann beispielsweise unter Verwendung eines Lösungsmittels, durch Abblasen, durch ein Ätzverfahren oder mittels einer Klebefolie erfolgen. Es ist günstig, wenn bei dem Entfernen der Kapseln 400 auch ein möglichst großer Teil der Kapseln 400 entfernt wird, die sich auf dem zwischen den Gegenkontaktflächen 210, 220 angeordneten Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 befinden, da die dort angeordneten Kapseln 400 besonders leicht einen Kurzschluss verursachen könnten.The removal of at least some of the capsules 400 arranged next to the mating contact surfaces 210, 220 can be done, for example, using a solvent, by blowing off, by an etching process or by means of an adhesive film. It is advantageous if, when removing the capsules 400, as large a portion of the capsules 400 as possible are removed, which are located on the section 203 of the top 201 of the carrier 200 arranged between the mating contact surfaces 210, 220, since the capsules 400 arranged there are particularly could easily cause a short circuit.

Das anhand der 6 und 7 beschriebene Anordnen der Kapseln 400 auf den Gegenkontaktflächen 210, 220 des Trägers 200 kann beispielsweise durch ein Sprühverfahren erfolgen. Wahlweise kann hierbei die anhand der 5 beschriebene Schattenmaske 500 verwendet werden. Zum Aufsprühen auf die Oberseite 201 des Trägers 200 können die Kapseln 400 in einem Lösungsmittel 600 dispergiert sein, das gemeinsam mit den Kapseln 400 aufgesprüht ist. Dies ist schematisch in 12 dargestellt, wo ein Teil der ersten Gegenkontaktfläche 210 des Trägers 200 mit einigen darauf angeordneten Kapseln 400 dargestellt ist. Das Lösungsmittel 600 kann nach dem Aufsprühen der Kapseln 400 verdunsten, bevor der elektronische Halbleiterchip 100 auf den Träger 200 aufgepresst wird.This based on the 6 and 7 The described arrangement of the capsules 400 on the mating contact surfaces 210, 220 of the carrier 200 can be carried out, for example, by a spraying process. Optionally, this can be done using the 5 Shadow mask 500 described can be used. For spraying onto the top 201 of the carrier 200, the capsules 400 can be dispersed in a solvent 600 which is sprayed on together with the capsules 400. This is schematic in 12 shown, where a part of the first mating contact surface 210 of the carrier 200 is shown with some capsules 400 arranged thereon. The solvent 600 can evaporate after spraying on the capsules 400 before the electronic semiconductor chip 100 is pressed onto the carrier 200.

Alternativ kann das anhand der 6 und 7 beschriebene Anordnen der Kapseln 400 durch ein Druckverfahren erfolgen. Hierbei kann beispielsweise die anhand der 5 beschriebene Schattenmaske 500 verwendet werden. Die Schattenmaske ist in diesem Fall ein Drucksieb oder eine Druckschablone.Alternatively, this can be done using the 6 and 7 Arrangement of the capsules 400 described can be done using a printing process. For example, this can be done using the 5 Shadow mask 500 described can be used. The shadow mask in this case is a printing screen or a printing stencil.

Zum Anordnen der Kapseln 400 mittels eines Druckverfahrens können die Kapseln 400 in ein Matrixmaterial 700 eingebettet sein. Dieses ist in 13 gezeigt, wo der Träger 200 und der elektronische Halbleiterchip 100 nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips 100 schematisch dargestellt sind.To arrange the capsules 400 using a printing process, the capsules 400 can be embedded in a matrix material 700. This one is in 13 shown where the carrier 200 and the electronic semiconductor chip 100 are shown schematically after pressing on the electronic semiconductor chip 100.

Das gemeinsam mit den Kapseln 400 durch ein Druckverfahren aufgebrachte Matrixmaterial 700 kann in einer Variante des Verfahrens nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips 100 entfernt werden, beispielsweise mittels eines Lösungsmittels. In diesem Fall kann das Matrixmaterial 700 beispielsweise ein organisches Material aufweisen, beispielsweise eine Palmitinsäure oder 1-Decanol. Während des Entfernens des Matrixmaterials 700 können auch in das Matrixmaterial 700 eingebettete Kapseln 400 entfernt werden, die während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 nicht aufgebrochen wurden.In a variant of the method, the matrix material 700 applied together with the capsules 400 by a printing process can be removed after the electronic semiconductor chip 100 has been pressed on, for example by means of a solvent. In this case, the matrix material 700 can comprise an organic material, for example a palmitic acid or 1-decanol. During the removal of the matrix material 700, capsules 400 embedded in the matrix material 700 that were not broken open during the pressing on of the electronic semiconductor chip 100 can also be removed.

Eine alternative Möglichkeit besteht darin, das Matrixmaterial 700 nach dem Aufpressen oder während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 auszuhärten. In diesem Fall kann das Matrixmaterial 700 beispielsweise ein Acrylharz, ein Epoxid oder ein Silikon aufweisen. Das Aushärten des Matrixmaterials 700 kann beispielsweise durch Wärmezufuhr oder durch Bestrahlung mit Licht erfolgen. Das ausgehärtete Matrixmaterial 700 verbleibt dann an dem elektronischen Bauelement 10, wie dies in 13 dargestellt ist.An alternative possibility is to harden the matrix material 700 after pressing on or during pressing on the electronic semiconductor chip 100. In this case, the matrix material 700 may include, for example, an acrylic resin, an epoxy or a silicone. The hardening of the matrix material 700 can take place, for example, by applying heat or by irradiating light. The cured matrix material 700 then remains on the electronic component 10, as shown in FIG 13 is shown.

Das ausgehärtete Matrixmaterial 700 kann die in das Matrixmaterial 700 eingebetteten Kapseln 400, die während des Aufpressens des elektronischen Halbleiterchips 100 nicht aufgebrochen sind, derart fixieren, dass ein späteres Aufbrechen dieser Kapseln 400 oder zumindest ein Entstehen eines Kurzschlusses durch die aus den Kapseln 400 austretende metallische Flüssigkeit 420 verhindert wird.The hardened matrix material 700 can fix the capsules 400 embedded in the matrix material 700, which have not broken open during the pressing on of the electronic semiconductor chip 100, in such a way that these capsules 400 can later break open or at least a short circuit can occur due to the metal emerging from the capsules 400 Liquid 420 is prevented.

Das ausgehärtete Matrixmaterial 700 kann auch die Funktion einer Unterfüllung (underfill) erfüllen. In diesem Fall ist es zweckmäßig, wenn das Matrixmaterial 700 nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips 100 den zwischen der ersten Kontaktfläche 110 und der zweiten Kontaktfläche 120 befindlichen Abschnitt 103 der Kontaktseite 102 des elektronischen Halbleiterchips 100 und den zwischen der ersten Gegenkontaktfläche 210 und der zweiten Gegenkontaktfläche 220 befindlichen Abschnitt 203 der Oberseite 201 des Trägers 200 berührt. In diesem Fall füllt das Matrixmaterial 700 den Raum zwischen den Kontaktflächen 110, 120, der Kontaktseite 102 des elektronischen Halbleiterchips 100, den Gegenkontaktflächen 210, 220 und der Oberseite 201 des Trägers 200 möglichst vollständig aus. Das Matrixmaterial 700 bewirkt dann eine zusätzliche mechanische Fixierung des elektronischen Halbleiterchips 100 an dem Träger 200, kann eine Ionenmigration verhindern und die elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktflächen 110, 120 und den Gegenkontaktflächen 210, 220 vor äußeren Einwirkungen durch Feuchtigkeit, Säuren und korrosive Gase schützen.The cured matrix material 700 can also fulfill the function of an underfill. In this case, it is expedient if the matrix material 700, after pressing on the electronic semiconductor chip 100, covers the section 103 of the contact side 102 of the electronic semiconductor chip 100 located between the first contact surface 110 and the second contact surface 120 and that between the first mating contact surface 210 and the second mating contact surface 220 located section 203 of the top 201 of the carrier 200 touched. In this case, the matrix material 700 fills the space between the contact surfaces 110, 120, the contact side 102 of the electronic semiconductor chip 100, the mating contact surfaces 210, 220 and the top 201 of the carrier 200 as completely as possible. The matrix material 700 then effects an additional mechanical fixation of the electronic semiconductor chip 100 on the carrier 200, can prevent ion migration and protect the electrical connections between the contact surfaces 110, 120 and the mating contact surfaces 210, 220 from external influences caused by moisture, acids and corrosive gases.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Andere Variationen können vom Fachmann abgeleitet werden.The invention was illustrated and described in more detail using the preferred exemplary embodiments. However, the invention is not limited to the examples disclosed. Other variations may be derived by those skilled in the art.

BEZUGSZEICHENLISTEREFERENCE SYMBOL LIST

1010: elektronisches Bauelement electronic component
100100: elektronischer Halbleiterchipelectronic semiconductor chip
101101: Vorderseitefront
102102: KontaktseiteContact page
103103: zwischenliegender Abschnitt intermediate section
110110: erste Kontaktflächefirst contact surface
120120: zweite Kontaktflächesecond contact surface
130130: erste Höhefirst height
140140: Abstand Distance
200200: Trägercarrier
201201: OberseiteTop
203203: zwischenliegender Abschnittintermediate section
204204: weiterer Abschnitt further section
210210: erste Gegenkontaktflächefirst mating contact surface
215215: erste Leiterbahnfirst conductor track
220220: zweite Gegenkontaktflächesecond counter contact surface
225225: zweite Leiterbahnsecond conductor track
230230: zweite Höhe second height
300300: Gesamthöhe Total height
400400: Kapselcapsule
410410: SchalePeel
420420: Flüssigkeitliquid
430430: Durchmesserdiameter
450450: Lotverbindung Solder connection
500500: SchattenmaskeShadow mask
510510: Öffnung opening
600600: Lösungsmittelsolvent
700700: MatrixmaterialMatrix material

Claims

Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines elektronischen Halbleiterchips (100), wobei an einer Kontaktseite (102) des elektronischen Halbleiterchips (100) eine erste Kontaktfläche (110) und eine zweite Kontaktfläche (120) ausgebildet sind, wobei die erste Kontaktfläche (110) und die zweite Kontaktfläche (120) um eine erste Höhe (130) über einen zwischen der ersten Kontaktfläche (110) und der zweiten Kontaktfläche (120) befindlichen Abschnitt (103) der Kontaktseite (102) erhaben sind; - Bereitstellen eines Trägers (200), wobei an einer Oberseite (201) des Trägers (200) eine erste Gegenkontaktfläche (210) und eine zweite Gegenkontaktfläche (220) ausgebildet sind, wobei die erste Gegenkontaktfläche (210) und die zweite Gegenkontaktfläche (220) um eine zweite Höhe (230) über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche (210) und der zweiten Gegenkontaktfläche (220) befindlichen Abschnitt (203) der Oberseite (201) des Trägers (200) erhaben sind, wobei die erste Höhe (130) größer oder gleich Null ist und die zweite Höhe (230) größer, kleiner oder gleich Null ist, wobei eine als Summe der ersten Höhe (130) und der zweiten Höhe (230) gebildete Gesamthöhe (300) größer als Null ist; - Anordnen von Kapseln (400) auf den Gegenkontaktflächen (210, 220), wobei die Kapseln (400) jeweils eine feste Schale (410) aufweisen, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit (420) umschließt, wobei die Kapseln (400) jeweils einen Durchmesser (430) aufweisen, der geringer als die Gesamthöhe (300) ist; - Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) auf den Träger (200) derart, dass die Kontaktflächen (110, 120) des elektronischen Halbleiterchips (100) auf die Gegenkontaktflächen (210, 220) des Trägers (200) gepresst werden, wobei die Schalen (410) der zwischen den Kontaktflächen (110, 120) und den Gegenkontaktflächen (210, 220) angeordneten Kapseln (400) aufbrechen und die metallische Flüssigkeit (420) die Kontaktflächen (110, 120) und die Gegenkontaktflächen (210, 220) benetzt.Method for producing an electronic component (10) with the following steps: - Providing an electronic semiconductor chip (100), wherein a first contact surface (110) and a second contact surface (120) are formed on a contact side (102) of the electronic semiconductor chip (100), wherein the first contact surface (110) and the second contact surface (120) are raised by a first height (130) above a section (103) of the contact side (102) located between the first contact surface (110) and the second contact surface (120); - providing a carrier (200), wherein a first counter-contact surface (210) and a second counter-contact surface (220) are formed on a top side (201) of the carrier (200), wherein the first counter-contact surface (210) and the second counter-contact surface (220) have a second height (230) over a section (203) of the top side (201) of the carrier located between the first counter-contact surface (210) and the second counter-contact surface (220). 200) are exalted, wherein the first height (130) is greater than or equal to zero and the second height (230) is greater than, less than or equal to zero, wherein a total height (300) formed as the sum of the first height (130) and the second height (230) is greater is as zero; - Arranging capsules (400) on the mating contact surfaces (210, 220), wherein the capsules (400) each have a solid shell (410) which encloses a supercooled metallic liquid (420), wherein the capsules (400) each have a diameter (430) that is less than the overall height (300); - Pressing the electronic semiconductor chip (100) onto the carrier (200) in such a way that the contact surfaces (110, 120) of the electronic semiconductor chip (100) are pressed onto the mating contact surfaces (210, 220) of the carrier (200), the shells ( 410) of the capsules (400) arranged between the contact surfaces (110, 120) and the mating contact surfaces (210, 220) break open and the metallic liquid (420) wets the contact surfaces (110, 120) and the mating contact surfaces (210, 220).

Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei auch auf einem neben den Gegenkontaktflächen (210, 220) befindlichen Abschnitt (204) der Oberseite (201) des Trägers (200) Kapseln (400) angeordnet werden.Procedure according to Claim 1 , capsules (400) also being arranged on a section (204) of the top (201) of the carrier (200) located next to the mating contact surfaces (210, 220).

Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) der folgende weitere Schritt durchgeführt wird: - Entfernen zumindest eines Teils der neben den Gegenkontaktflächen (210, 220) angeordneten Kapseln (400).Procedure according to Claim 2 , wherein after pressing on the electronic semiconductor chip (100), the following further step is carried out: - removing at least a part of the capsules (400) arranged next to the mating contact surfaces (210, 220).

Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei das Entfernen unter Verwendung eines Lösungsmittels, durch Abblasen, durch ein Ätzverfahren oder mittels einer Klebefolie erfolgt.Procedure according to Claim 3 , wherein the removal is carried out using a solvent, by blowing off, by an etching process or by means of an adhesive film.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anordnen der Kapseln (400) unter Verwendung einer Schattenmaske (500) erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the arrangement of the capsules (400) is carried out using a shadow mask (500).

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Anordnen der Kapseln (400) durch ein Sprühverfahren erfolgt.Method according to one of the preceding claims, wherein the arrangement of the capsules (400) is carried out by a spraying process.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kapseln (400) gemeinsam mit einem Lösungsmittel (600) auf den Gegenkontaktflächen (210, 220) angeordnet werden, wobei das Lösungsmittel (600) vor dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) verdunstet.Method according to one of the preceding claims, wherein the capsules (400) are arranged together with a solvent (600) on the mating contact surfaces (210, 220), the solvent (600) evaporating before the electronic semiconductor chip (100) is pressed on.

Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Anordnen der Kapseln (400) durch ein Druckverfahren erfolgt.Procedure according to one of the Claims 1 until 5 , wherein the arrangement of the capsules (400) is carried out by a printing process.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kapseln (400) eingebettet in ein Matrixmaterial (700) auf den Gegenkontaktflächen (210, 220) angeordnet werden.Method according to one of the preceding claims, wherein the capsules (400) are arranged embedded in a matrix material (700) on the mating contact surfaces (210, 220).

Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Matrixmaterial (700) nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) entfernt wird, insbesondere mittels eines Lösungsmittels.Procedure according to Claim 9 , wherein the matrix material (700) is removed after pressing on the electronic semiconductor chip (100), in particular by means of a solvent.

Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das Matrixmaterial (700) nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) ausgehärtet wird.Procedure according to Claim 9 , wherein the matrix material (700) is hardened after pressing on the electronic semiconductor chip (100).

Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei das Matrixmaterial (700) nach dem Aufpressen des elektronischen Halbleiterchips (100) den zwischen der ersten Kontaktfläche (110) und der zweiten Kontaktfläche (120) befindlichen Abschnitt (103) der Kontaktseite (102) des elektronischen Halbleiterchips (100) und den zwischen der ersten Gegenkontaktfläche (210) und der zweiten Gegenkontaktfläche (220) befindlichen Abschnitt (203) der Oberseite (201) des Trägers (200) berührt.Procedure according to Claim 11 , wherein the matrix material (700) after pressing on the electronic semiconductor chip (100) covers the section (103) of the contact side (102) of the electronic semiconductor chip (100) located between the first contact surface (110) and the second contact surface (120) and the between the first mating contact surface (210) and the second mating contact surface (220) touches the section (203) of the top (201) of the carrier (200).

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Abstand (140) zwischen der ersten Kontaktfläche (110) und der zweiten Kontaktfläche (120) weniger als 50 µm beträgt, insbesondere weniger als 20 pm.Method according to one of the preceding claims, wherein a distance (140) between the first contact surface (110) and the second contact surface (120) is less than 50 µm, in particular less than 20 pm.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Durchmesser (430) der Kapseln (400) zwischen 0,2 pm und 10 µm beträgt, insbesondere zwischen 0,5 µm und 5 pm.Method according to one of the preceding claims, wherein the diameter (430) of the capsules (400) is between 0.2 pm and 10 µm, in particular between 0.5 µm and 5 pm.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Durchmesser (430) der Kapseln (400) zwischen 0,5 µm und 3 µm geringer als die Gesamthöhe (300) ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the diameter (430) of the capsules (400) is between 0.5 µm and 3 µm less than the total height (300).

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schalen (410) der Kapseln (400) ein Oxid aufweisen, insbesondere ein Zinnoxid.Method according to one of the preceding claims, wherein the shells (410) of the capsules (400) have an oxide, in particular a tin oxide.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die unterkühlte metallische Flüssigkeit (420) Sn, SnAgCu oder SnBi aufweist.A method according to any one of the preceding claims, wherein the supercooled metallic liquid (420) comprises Sn, SnAgCu or SnBi.

Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der elektronische Halbleiterchip (100) ein optoelektronischer Halbleiterchip ist, insbesondere ein Leuchtdiodenchip.Method according to one of the preceding claims, wherein the electronic semiconductor chip (100) is an optoelectronic semiconductor chip, in particular a light-emitting diode chip.

Elektronisches Bauelement (10) mit einem elektronischen Halbleiterchip (100) und einem Träger (200), wobei an einer Kontaktseite (102) des elektronischen Halbleiterchips (100) eine erste Kontaktfläche (110) und eine zweite Kontaktfläche (120) ausgebildet sind, wobei die erste Kontaktfläche (110) und die zweite Kontaktfläche (120) um eine erste Höhe (130) über einen zwischen der ersten Kontaktfläche (110) und der zweiten Kontaktfläche (120) befindlichen Abschnitt (103) der Kontaktseite (102) erhaben sind, wobei an einer Oberseite (201) des Trägers (200) eine erste Gegenkontaktfläche (210) und eine zweite Gegenkontaktfläche (220) ausgebildet sind, wobei die erste Gegenkontaktfläche (210) und die zweite Gegenkontaktfläche (220) um eine zweite Höhe (230) über einen zwischen der ersten Gegenkontaktfläche (210) und der zweiten Gegenkontaktfläche (220) befindlichen Abschnitt (203) der Oberseite (201) des Trägers (200) erhaben sind, wobei die erste Höhe (130) größer oder gleich Null ist und die zweite Höhe (230) größer, kleiner oder gleich Null ist, wobei eine als Summe der ersten Höhe (130) und der zweiten Höhe (230) gebildete Gesamthöhe (300) größer als Null ist, wobei die erste Kontaktfläche (110) und die zweite Kontaktfläche (120) über Lotverbindungen (450) mit der ersten Gegenkontaktfläche (210) und der zweiten Gegenkontaktfläche (220) verbunden sind, wobei auf dem zwischen der ersten Gegenkontaktfläche (210) und der zweiten Gegenkontaktfläche (220) befindlichen Abschnitt (203) der Oberseite (201) des Trägers (200) Kapseln (400) angeordnet sind, die jeweils eine feste Schale (410) aufweisen, die eine unterkühlte metallische Flüssigkeit (420) umschließt, wobei die Kapseln (400) jeweils einen Durchmesser (430) aufweisen, der geringer als die Gesamthöhe (300) ist.Electronic component (10) with an electronic semiconductor chip (100) and a carrier (200), wherein a first contact surface (110) and a second contact surface (120) are formed on a contact side (102) of the electronic semiconductor chip (100), wherein the first contact surface (110) and the second contact surface (120) have a first height (130) are raised above a section (103) of the contact side (102) located between the first contact surface (110) and the second contact surface (120), wherein a first counter-contact surface (210) and a second counter-contact surface (220) are formed on a top side (201) of the carrier (200), wherein the first counter-contact surface (210) and the second counter-contact surface (220) have a second height (230) over a section (203) of the top side (201) of the carrier located between the first counter-contact surface (210) and the second counter-contact surface (220). 200) are exalted, wherein the first height (130) is greater than or equal to zero and the second height (230) is greater than, less than or equal to zero, wherein a total height (300) formed as the sum of the first height (130) and the second height (230) is greater is as zero, wherein the first contact surface (110) and the second contact surface (120) are connected to the first mating contact surface (210) and the second mating contact surface (220) via solder connections (450), wherein capsules (400) are arranged on the section (203) of the upper side (201) of the carrier (200) located between the first counter-contact surface (210) and the second counter-contact surface (220), each of which has a solid shell (410). a supercooled metallic liquid (420) encloses, wherein the capsules (400) each have a diameter (430) that is less than the overall height (300).

Elektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 19, wobei die Kapseln (400) in ein Matrixmaterial (700) eingebettet sind.Electronic component (10) according to Claim 19 , wherein the capsules (400) are embedded in a matrix material (700).