DE102022113522B3

DE102022113522B3 - Semiconductor device arrangement, semiconductor driver device and semiconductor light-emitting diode device

Info

Publication number: DE102022113522B3
Application number: DE102022113522.5A
Authority: DE
Inventors: Dietrich Bonart
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2022-05-30
Filing date: 2022-05-30
Publication date: 2023-09-28
Anticipated expiration: 2042-05-31

Abstract

Eine Halbleitervorrichtungsanordnung umfasst eine erste Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads umfasst. Die Halbleitervorrichtungsanordnung umfasst ferner eine zweite Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads umfasst. Die erste Halbleitervorrichtung ist dazu konfiguriert, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit der zweiten Halbleitervorrichtung, ihr zugekehrt, verbunden zu werden. In der zweiten Konfiguration ist die zweite Halbleitervorrichtung verglichen mit einer Position der zweiten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der ersten Halbleitervorrichtung definierten Ebene gedreht. Die mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung sind so ausgeführt, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an ersten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an zweiten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind. Die zweiten Gebiete sind von den ersten Gebieten verschieden.A semiconductor device arrangement includes a first semiconductor device that includes a semiconductor substrate and at least two contact pads. The semiconductor device arrangement further includes a second semiconductor device that includes a semiconductor substrate and at least two contact pads. The first semiconductor device is configured to be connected to the second semiconductor device facing it in a first configuration or in a second configuration. In the second configuration, the second semiconductor device is rotated by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the first semiconductor device compared to a position of the second semiconductor device in the first configuration. The at least two contact pads of the first semiconductor device and the at least two contact pads of the second semiconductor device are designed such that in the first configuration the at least two contact pads of the second semiconductor device are attached to first regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device and in the second configuration the at least two contact pads of the second semiconductor device are attached to second regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device. The second areas are different from the first areas.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL FIELD

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtungsanordnung, eine Halbleitertreibervorrichtung und eine Halbleiterleuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung) .The present disclosure relates to a semiconductor device assembly, a semiconductor driver device and a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device).

HINTERGRUNDBACKGROUND

Halbleitervorrichtungen bilden die Basis für viele elektronische Systeme. Viele moderne elektronische Systeme werden durch die Verwendung einer Vielzahl von verschiedenen Halbleitervorrichtungen geschaffen, und jede der verschiedenen Halbleitervorrichtungen führt eine oder mehrere spezielle Funktionen aus. Mit fortschreitender IC-Technologie (IC, integrated circuit - integrierte Schaltung) wächst das Bedürfnis nach einem „System auf einem Chip“, bei dem die Funktionalität verschiedener Halbleitervorrichtungen des Systems zusammen gepackagt ist. High-Density-Packaging von Halbleitervorrichtungen wird durch Aufeinanderstapeln der Halbleitervorrichtungen erreicht. In einem Beispiel kann das Stapeln von zwei Halbleitervorrichtungen in einer einander zugekehrten Konfiguration, in der eine erste Hauptoberfläche einer ersten Halbleitervorrichtung einer ersten Hauptoberfläche einer zweiten Halbleitervorrichtung zugekehrt ist, durchgeführt werden. Zum Gewährleisten einer stabilen Verbindung zwischen den ersten Halbleitervorrichtungen und den zweiten Halbleitervorrichtungen in der einander zugekehrten Konfiguration müssen die Verbindungen zwischen den beiden Halbleitervorrichtungen auf eine zuverlässige Weise gebildet werden.Semiconductor devices form the basis for many electronic systems. Many modern electronic systems are created through the use of a variety of different semiconductor devices, and each of the different semiconductor devices performs one or more specific functions. As integrated circuit (IC) technology advances, there is a growing need for a “system on a chip” in which the functionality of various semiconductor devices in the system is packaged together. High-density packaging of semiconductor devices is achieved by stacking the semiconductor devices on top of each other. In one example, stacking two semiconductor devices may be performed in a facing configuration in which a first major surface of a first semiconductor device faces a first major surface of a second semiconductor device. In order to ensure a stable connection between the first semiconductor devices and the second semiconductor devices in the facing configuration, the connections between the two semiconductor devices must be formed in a reliable manner.

US 2018 / 0 174 932 A1 beschreibt ein repariertes Transfer-Print-System mit einem Systemsubstrat, an dem Kontaktpads angeordnet sind. Eine Vorrichtung ist in einer face-to-face Konfiguration mit dem Systemsubstrat verbunden. US 2022 / 0 115 251 A1 beschreibt eine Vorrichtung zur Reparatur eines Displays. Das Display enthält LEDs und Defekte. US 2018 / 0 174 932 A1 describes a repaired transfer print system with a system substrate on which contact pads are arranged. A device is connected to the system substrate in a face-to-face configuration. US 2022 / 0 115 251 A1 describes a device for repairing a display. The display contains LEDs and defects.

KURZDARSTELLUNGSHORT PRESENTATION

Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtungsanordnung umfasst die Halbleitervorrichtungsanordnung eine erste Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, umfasst. Die Halbleitervorrichtungsanordnung umfasst ferner eine zweite Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads umfasst, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind. Die erste Halbleitervorrichtung ist dazu konfiguriert, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit der zweiten Halbleitervorrichtung, ihr zugekehrt, verbunden zu werden. In der zweiten Konfiguration ist die zweite Halbleitervorrichtung verglichen mit einer Position der zweiten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der ersten Halbleitervorrichtung definierten Ebene gedreht. Die mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung sind so ausgeführt, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an ersten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an zweiten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind. Die zweiten Gebiete sind von den ersten Gebieten verschieden.According to an embodiment of a semiconductor device arrangement, the semiconductor device arrangement comprises a first semiconductor device that includes a semiconductor substrate and at least two contact pads arranged over a first main surface of the semiconductor substrate. The semiconductor device arrangement further includes a second semiconductor device that includes a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate. The first semiconductor device is configured to be connected to the second semiconductor device facing it in a first configuration or in a second configuration. In the second configuration, the second semiconductor device is rotated by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the first semiconductor device compared to a position of the second semiconductor device in the first configuration. The at least two contact pads of the first semiconductor device and the at least two contact pads of the second semiconductor device are designed such that in the first configuration the at least two contact pads of the second semiconductor device are attached to first regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device and in the second configuration the at least two contact pads of the second semiconductor device are attached to second regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device. The second areas are different from the first areas.

Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitertreibervorrichtung umfasst die Halbleitertreibervorrichtung ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind. Die Halbleitertreibervorrichtung ist dazu konfiguriert, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleiterleuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung), ihr zugekehrt, verbunden zu werden. Die Halbleiter-LED-Vorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind. In der zweiten Konfiguration ist die Halbleiter-LED-Vorrichtung verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der Halbleitertreibervorrichtung definierten Ebene gedreht. Die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung sind so ausgeführt, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung durch die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung an ersten Gebieten kontaktiert werden und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung durch die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung an zweiten Gebieten, die von den ersten Gebieten verschieden sind, kontaktiert werden.According to an embodiment of a semiconductor driver device, the semiconductor driver device includes a semiconductor substrate and at least two contact pads arranged over a first main surface of the semiconductor substrate. The semiconductor driver device is configured to be connected to a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device) facing it in a first configuration or in a second configuration. The semiconductor LED device includes a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate. In the second configuration, the semiconductor LED device is rotated by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the semiconductor driver device compared to a position of the semiconductor LED device in the first configuration. The at least two contact pads of the semiconductor driver device are designed such that in the first configuration the at least two contact pads of the semiconductor driver device are contacted by the at least two contact pads of the semiconductor LED device at first areas and in the second configuration the at least two contact pads of the semiconductor driver device are contacted by the at least two contact pads of the semiconductor LED device are contacted on second areas that are different from the first areas.

Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleiterleuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung) umfasst die Halbleiter-LED-Vorrichtung ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind. Die Halbleiter-LED-Vorrichtung ist dazu konfiguriert, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleitertreibervorrichtung, ihr zugekehrt, verbunden zu werden. Die Halbleitertreibervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind. In der zweiten Konfiguration ist die Halbleiter-LED-Vorrichtung verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der Halbleitertreibervorrichtung definierten Ebene gedreht. Die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung sind so ausgeführt, dass in einer ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung erste Gebiete der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung kontaktieren und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung zweite Gebiete der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung kontaktieren. Die zweiten Gebiete sind von den ersten Gebieten verschieden.According to an embodiment of a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device), the semiconductor LED device includes a semiconductor substrate and at least two contact pads arranged over a first main surface of the semiconductor substrate. The semiconductor LED device is configured to be connected to a semiconductor driver device facing it in a first configuration or in a second configuration. The semiconductor driver device includes a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate. In the second configuration, the semiconductor LED device is rotated by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the semiconductor driver device compared to a position of the semiconductor LED device in the first configuration. The at least two contact pads of the semiconductor LED device are designed such that in a first configuration the at least two contact pads of the semiconductor LED device contact first areas of the at least two contact pads of the semiconductor driver device and in the second configuration the at least two contact pads of the semiconductor LED device contact second areas of the at least two contact pads of the semiconductor driver device. The second areas are different from the first areas.

Der Fachmann erkennt bei Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung und bei Durchsicht der beigefügten Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile.Those skilled in the art will recognize additional features and advantages upon reading the following detailed description and reviewing the accompanying drawings.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Für ein umfassenderes Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nunmehr auf die folgenden Beschreibungen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen Bezug genommen; in den Zeichnungen zeigen:

1A+1B Querschnittsansichten einer beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung in einer ersten Konfiguration und in einer zweiten Konfiguration; 1C+1D stellen perspektivische Ansichten einer beispielhaften ersten Halbleitervorrichtung und einer beispielhaften zweiten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration dar; 1E stellt eine Draufsicht der beispielhaften ersten Halbleitervorrichtung dar; und 1F+1G stellen Draufsichten der beispielhaften zweiten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration dar;
2 stellt ein Flussdiagramm eines beispielhaften Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtungsanordnung dar;
3A+3B stellen perspektivische Ansichten einer weiteren beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung in einer ersten Konfiguration und in einer zweiten Konfiguration dar;
4A+4B stellen perspektivische Ansichten einer weiteren Halbleitervorrichtungsanordnung in einer ersten Konfiguration und in einer zweiten Konfiguration dar; und
5 stellt eine Querschnittsansicht einer weiteren Halbleitervorrichtungsanordnung dar.

For a more complete understanding of the present invention and its advantages, reference is now made to the following descriptions taken in conjunction with the accompanying drawings; show in the drawings:

1A +1B cross-sectional views of an exemplary semiconductor device arrangement in a first configuration and a second configuration; 1C +1D illustrate perspective views of an exemplary first semiconductor device and an exemplary second semiconductor device in the first configuration and in the second configuration; 1E illustrates a top view of the exemplary first semiconductor device; and 1F +1G illustrate top views of the exemplary second semiconductor device in the first configuration and in the second configuration;
2 illustrates a flowchart of an exemplary method for manufacturing a semiconductor device assembly;
3A +3B illustrate perspective views of another example semiconductor device arrangement in a first configuration and a second configuration;
4A +4B illustrate perspective views of another semiconductor device assembly in a first configuration and a second configuration; and
5 represents a cross-sectional view of another semiconductor device arrangement.

Einander entsprechende Zahlen und Symbole in verschiedenen Figuren beziehen sich auf entsprechende Teile, es sei denn, es wird etwas anderes angegeben. Die Figuren dienen der deutlichen Veranschaulichung der relevanten Aspekte der bevorzugten Ausführungsformen und sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu.Corresponding numbers and symbols in different figures refer to corresponding parts unless otherwise stated. The figures are intended to clearly illustrate the relevant aspects of the preferred embodiments and are not necessarily to scale.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION

Es wird nachfolgend die Erstellung und Verwendung mehrerer Ausführungsformen ausführlich beschrieben. Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung viele anwendbare erfinderische Konzepte bereitstellt, die in einer Vielzahl verschiedener spezieller Kontexte ausgestaltet werden können. Die besprochenen speziellen Ausführungsformen dienen lediglich der Veranschaulichung spezieller Weisen der Erstellung und Verwendung der Erfindung und schränken den Schutzumfang der Erfindung nicht ein.The creation and use of several embodiments is described in detail below. It should be understood, however, that the present invention provides many applicable inventive concepts that can be embodied in a variety of different specific contexts. The specific embodiments discussed are merely illustrative of specific ways of making and using the invention and do not limit the scope of the invention.

Die Begriffe „aufweisen“, „enthalten“, „umfassen“ und dergleichen sind offen, und die Begriffe geben das Vorhandensein erwähnter Strukturen, Elemente oder Merkmale an, schließen aber das Vorhandensein zusätzlicher Elemente oder Merkmale nicht aus. Die Artikel „ein/eine/eines“ und „der/die/das“ sollen den Plural sowie den Singular mit einschließen, sofern der Zusammenhang nicht deutlich etwas anderes angibt.The terms "comprising", "including", "comprising" and the like are open-ended and the terms indicate the presence of mentioned structures, elements or features but do not exclude the presence of additional elements or features. The articles “a” and “the” are intended to include the plural and the singular unless the context clearly indicates otherwise.

Die Begriffe „gebondet“, „befestigt“, „verbunden“ und/oder „gekoppelt“ sollen nicht bedeuten, dass die Elemente oder Schichten direkt miteinander kontaktiert sein müssen; es können dazwischenliegende Elemente oder Schichten jeweils zwischen den „gebondeten“, „befestigten“, „verbundenen“ und/oder „gekoppelten“ Elementen vorgesehen sein. Gemäß der Offenbarung können die oben genannten Begriffe jedoch optional auch die spezielle Bedeutung haben, dass die Elemente oder Schichten direkt miteinander kontaktiert sind, d. h., dass keine dazwischenliegenden Elemente oder Schichten jeweils zwischen den „gebondeten“, „befestigten“, „verbundenen“ und/oder „gekoppelten“ Elementen vorgesehen sind.The terms “bonded,” “attached,” “connected,” and/or “coupled” are not intended to mean that the elements or layers must be in direct contact with each other; intermediate elements or layers may be provided between the “bonded,” “attached,” “connected,” and/or “coupled” elements, respectively. However, according to the disclosure, the above-mentioned terms can optionally also have the special meaning that the elements or layers are in direct contact with one another, i.e. that is, no intervening elements or layers are provided between the "bonded", "attached", "connected" and/or "coupled" elements.

Der Begriff „elektrisch verbunden“ beschreibt eine dauerhafte niederohmige Verbindung zwischen elektrisch verbundenen Elementen, zum Beispiel einen direkten Kontakt zwischen den betreffenden Elementen oder eine niederohmige Verbindung über ein Metall und/oder stark dotiertes Halbleitermaterial.The term “electrically connected” describes a permanent low-resistance connection between electrically connected elements, for example direct contact between the elements in question or a low-resistance connection via a metal and/or heavily doped semiconductor material.

Die Begriffe „auf“ und „über“ sollen nicht als nur „direkt auf“ und „direkt über“ ausgelegt werden. Wenn ein Element „auf“ oder „über“ einem anderen Element positioniert ist (z. B. sich eine Schicht „auf“ oder „über“ einer anderen Schicht oder „auf“ oder „über“ einem Substrat befindet), kann vielmehr eine weitere Komponente (z. B. eine weitere Schicht) zwischen den beiden Elementen positioniert sein (z. B. kann eine weitere Schicht zwischen einer Schicht und einem Substrat positioniert sein, wenn sich die Schicht „auf“ oder „über“ dem Substrat befindet).The terms “on” and “over” should not be construed as just “directly on” and “directly above.” Rather, when an element is positioned “on” or “above” another element (e.g., a layer is “on” or “above” another layer or “on” or “above” a substrate), another Component (e.g. another layer) may be positioned between the two elements (e.g. another layer may be positioned between a layer and a substrate when the layer is “on” or “above” the substrate).

Jedes der Halbleitersubstrate, auf das hier Bezug genommen wird, kann basierend auf einem speziellen Halbleitermaterial hergestellt sein. Es kann jegliche standardmäßige Art von Halbleitersubstrat verwendet werden, wie zum Beispiel Einzelelement-Halbleiter (z. B. Si, Ge usw.), Silicium-auf-Isolator-Halbleiter, binäre Halbleiter (z. B. SiC, GaN, GaAs usw.), ternäre Halbleiter (z. B. AlGaN, InGaAs, InAIAs usw.). In diesem Zusammenhang können ein erstes Halbleitersubstrat und ein zweites Halbleitersubstrat aus identischem Halbleitermaterial bestehen oder aus verschiedenen Halbleitermaterialien bestehen.Each of the semiconductor substrates referred to herein may be made based on a specific semiconductor material. Any standard type of semiconductor substrate can be used, such as single element semiconductors (e.g. Si, Ge, etc.), silicon-on-insulator semiconductors, binary semiconductors (e.g. SiC, GaN, GaAs, etc. ), ternary semiconductors (e.g. AlGaN, InGaAs, InAIAs, etc.). In this context, a first semiconductor substrate and a second semiconductor substrate can consist of identical semiconductor material or can consist of different semiconductor materials.

1A stellt eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung 100 entlang einer mit A-A` von 1C bezeichneten Linie nach dem Zusammenfügen einer beispielhaften ersten Halbleitervorrichtung 110 und einer beispielhaften zweiten Halbleitervorrichtung 210 dar. 1B stellt eine Querschnittsansicht der beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung 100 entlang einer mit B-B` von 1D bezeichneten Linie nach dem Zusammenfügen der beispielhaften ersten Halbleitervorrichtung 110 und der beispielhaften zweiten Halbleitervorrichtung 210 dar. 1A stellt die beispielhafte Halbleitervorrichtungsanordnung 100 in einer ersten Konfiguration dar, und 1B stellt die beispielhafte Halbleitervorrichtungsanordnung 100 in einer zweiten Konfiguration dar. 1A Figure 12 is a cross-sectional view of an exemplary semiconductor device assembly 100 along a line labeled AA` of 1C designated line after assembling an exemplary first semiconductor device 110 and an exemplary second semiconductor device 210. 1B Figure 12 is a cross-sectional view of the exemplary semiconductor device assembly 100 along a line labeled BB` of 1D designated line after assembling the exemplary first semiconductor device 110 and the exemplary second semiconductor device 210. 1A illustrates the example semiconductor device assembly 100 in a first configuration, and 1B illustrates the exemplary semiconductor device assembly 100 in a second configuration.

Die Halbleitervorrichtungsanordnung 100 beinhaltet eine beispielhafte erste Halbleitervorrichtung 110. Die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhaltet ein Halbleitersubstrat 111. In dem Halbleitersubstrat 111 sind ein oder mehrere aktive und/oder passive Bauteile (nicht dargestellt) enthalten, wie zum Beispiel elektrische und/oder optische Bauteile, z. B. Widerstände, Transistoren, Kondensatoren, Dioden, Speicherzellen usw.The semiconductor device arrangement 100 includes an exemplary first semiconductor device 110. The first semiconductor device 110 includes a semiconductor substrate 111. One or more active and/or passive components (not shown) are included in the semiconductor substrate 111, such as electrical and/or optical components, e.g . B. resistors, transistors, capacitors, diodes, memory cells, etc.

Die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhaltet ferner zwei Kontaktpads 1101, 1102 zur Herstellung eines elektrischen Kontakts mit den Bauteilen, die sich in dem Halbleitersubstrat 111 befinden. Die beiden Kontaktpads 1101, 1102 sind über einer ersten Hauptoberfläche 112 des Halbleitersubstrats 111 angeordnet, um elektrischen Kontakt mit anderen Vorrichtungen außerhalb der ersten Halbleitervorrichtung 110, z. B. mit einer weiteren Halbleitervorrichtung, herzustellen. Das heißt, die beiden Kontaktpads 1101, 1102 stellen Punkte für eine externe elektrische Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung 110 und den anderen Vorrichtungen bereit. Bei einer Ausführungsform können die Kontaktpads 1101, 1102 als Bondpads oder Ausgangspads bezeichnet werden. Gegenüber der ersten Hauptoberfläche 112 ist eine zweite Hauptoberfläche (nicht dargestellt) des Halbleitersubstrats 111 vorgesehen.The first semiconductor device 110 further includes two contact pads 1101, 1102 for establishing electrical contact with the components located in the semiconductor substrate 111. The two contact pads 1101, 1102 are arranged over a first main surface 112 of the semiconductor substrate 111 to provide electrical contact with other devices outside the first semiconductor device 110, e.g. B. with another semiconductor device. That is, the two contact pads 1101, 1102 provide points for external electrical connection between the first semiconductor device 110 and the other devices. In one embodiment, the contact pads 1101, 1102 may be referred to as bond pads or output pads. A second main surface (not shown) of the semiconductor substrate 111 is provided opposite the first main surface 112.

Die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhaltet ferner eine oder mehrere strukturierte Metallisierungsschichten (nicht dargestellt), die über dem Halbleitersubstrat 111 gebildet sind. Die verschiedenen Metallisierungsschichten können durch Zwischenschichtdielektriumsschichten voneinander getrennt sein. Elektrische Verbindungen zwischen den verschiedenen Metallisierungsschichten und zwischen den aktiven und oder/passiven Bauteilen in dem Halbleitersubstrat 111 und der/den darüber liegenden Metallisierungsschicht(en) sind durch elektrisch leitende Vias gebildet. In einem Beispiel sind die beiden Kontaktpads 1101, 1102 über einer obersten Metallisierungsschicht gebildet und sind durch Verbindungsstrukturen mit der obersten Metallisierungsschicht verbunden. Die beiden Kontaktpads 1101, 1102 können zumindest teilweise in einem Isoliermaterial und/oder Passivierungsmaterial (nicht dargestellt) eingebettet sein. In einem anderen Beispiel sind die beiden Kontaktpads 1101, 1102 in den obersten Metallisierungsschichten platziert, z. B. bilden die beiden Kontaktpads 1101, 1102 Teil der obersten Metallisierungsschichten. Die beiden Kontaktpads 1101, 1102 können aus einem oder mehreren Materialien wie beispielsweise Lot, Sn, In, In-Legierung, NiP mit Sn oder In-Inseln, Pb-Lot wie beispielsweise PbSnAg oder Metallen oder Metalllegierungen wie beispielsweise Al, Au, Ag, Cu, NiP, NiPPdAu usw. gebildet sein. Die Kontaktpads 1101, 1102 umfassen beispielsweise eine Basis, die Cu umfasst, und diese Basis ist zumindest teilweise von Au bedeckt. Das heißt, die Kontaktpads 1101, 1102 sind zumindest teilweise mit Au beschichtet und umfassen Au auf mindestens einem Teil ihrer Oberfläche. Alternativ dazu umfassen die Kontaktpads 1101-1102 eine einzige Metall- oder Metalllegierungsschicht. Bei einer Ausführungsform weist jedes der Kontaktpads 1101, 1102 die gleiche Materialzusammensetzung auf. Die beiden Kontaktpads 1101, 1102 können durch zum Beispiel mindestens eines von Pattern Plating, Liftoff, Nassätzen und Plasma-Strukturierung gebildet sein.The first semiconductor device 110 further includes one or more patterned metallization layers (not shown) formed over the semiconductor substrate 111. The different metallization layers can be separated from one another by interlayer dielectric layers. Electrical connections between the different metallization layers and between the active and/or passive components in the semiconductor substrate 111 and the metallization layer(s) above are formed by electrically conductive vias. In one example, the two contact pads 1101, 1102 are formed over a top metallization layer and are connected to the top metallization layer by connecting structures. The two contact pads 1101, 1102 can be at least partially embedded in an insulating material and/or passivation material (not shown). In another example, the two contact pads 1101, 1102 are placed in the top metallization layers, e.g. B. the two contact pads 1101, 1102 form part of the top metallization layers. The two contact pads 1101, 1102 can be made of one or more materials such as solder, Sn, In, In alloy, NiP with Sn or In islands, Pb solder such as PbSnAg or metals or metal alloys such as Al, Au, Ag, Cu, NiP, NiPPdAu etc. can be formed. For example, the contact pads 1101, 1102 include a base that includes Cu, and this base is at least partially covered by Au. That is, the contact pads 1101, 1102 are at least partially coated with Au and include Au on at least part of their surface. Alternatively, the contact pads 1101-1102 include a single metal or metal alloy layer. In one embodiment, each of the contact pads 1101, 1102 has the same material composition. The two contact pads 1101, 1102 can be formed by, for example, at least one of pattern plating, liftoff, wet etching and plasma structuring.

Die Halbleitervorrichtungsanordnung 100 beinhaltet auch eine beispielhafte zweite Halbleitervorrichtung 210. Ähnlich wie die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhaltet die zweite Halbleitervorrichtung 210 ein Halbleitersubstrat 211, sich in dem Halbleitersubstrat 211 befindende Komponenten, eine erste Hauptoberfläche 212, eine zweite Hauptoberfläche (nicht dargestellt), Kontaktpads 2101-2104, eine oder mehrere strukturierte Metallisierungsschichten (nicht dargestellt), Zwischenschichtdielektrikumschichten und elektrisch leitende Vias (nicht dargestellt), Isoliermaterial und/oder Passivierungsmaterial (nicht dargestellt). Die zweite Halbleitervorrichtung 210 kann die gleichen Strukturen und Materialien wie die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhalten, oder sie kann von der ersten Halbleitervorrichtung 110 zumindest teilweise verschiedene Strukturen und Materialien beinhalten.The semiconductor device assembly 100 also includes an exemplary second semiconductor device 210. Similar to the first semiconductor device 110, the second semiconductor device 210 includes a semiconductor substrate 211, components located in the semiconductor substrate 211, a first main surface 212, a second main surface (not shown), contact pads 2101- 2104, one or more patterned metallization layers (not shown), interlayer dielectric layers and electrically conductive vias (not shown), insulating material and/or passivation material (not shown). The second semiconductor device 210 may include the same structures and materials as the first semiconductor device 110, or it may include structures and materials at least partially different from the first semiconductor device 110.

Wie in den 1A und 1B dargestellt ist, ist die erste Halbleitervorrichtung 110, der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt, mit dieser verbunden. Die erste Halbleitervorrichtung 110 und die zweite Halbleitervorrichtung 210 sind vertikal gestapelt, und die erste Hauptoberfläche 112 des Halbleitersubstrats 111 der ersten Halbleitervorrichtung 110 ist der ersten Hauptoberfläche 212 des Halbleitersubstrats 211 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt. Bei dieser Anordnung ist die erste Hauptoberfläche 112 des Halbleitersubstrats 111 der ersten Halbleitervorrichtung 110 parallel zu der ersten Hauptoberfläche 212 des Halbleitersubstrat 211 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 platziert. Die erste Halbleitervorrichtung 110 kann als Bottom-Chip bezeichnet werden, und die zweite Halbleitervorrichtung 210 kann als Top-Chip bezeichnet werden.Like in the 1A and 1B is shown, the first semiconductor device 110, facing the second semiconductor device 210, is connected to the latter. The first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210 are stacked vertically, and the first main surface 112 of the semiconductor substrate 111 of the first semiconductor device 110 faces the first main surface 212 of the semiconductor substrate 211 of the second semiconductor device 210. In this arrangement, the first main surface 112 of the semiconductor substrate 111 of the first semiconductor device 110 is placed parallel to the first main surface 212 of the semiconductor substrate 211 of the second semiconductor device 210. The first semiconductor device 110 may be referred to as a bottom chip, and the second semiconductor device 210 may be referred to as a top chip.

1A stellt die erste Halbleitervorrichtung 110 dar, die in einer ersten Konfiguration, der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt, mit dieser verbunden ist. In dieser ersten Konfiguration sind die beiden Kontaktpads 2101, 2102 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 an ersten Gebieten 131, 132 der beiden Kontaktpads 1101, 1102 der ersten Halbleitervorrichtung 110 befestigt. Mit anderen Worten berühren die zwei Kontaktpads 2101, 2102 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 die zwei Kontaktpads 1101, 1102 der ersten Halbleitervorrichtung 110 an ersten Gebieten 131, 132. 1A illustrates the first semiconductor device 110 connected to the second semiconductor device 210 in a first configuration. In this first configuration, the two contact pads 2101, 2102 of the second semiconductor device 210 are attached to first regions 131, 132 of the two contact pads 1101, 1102 of the first semiconductor device 110. In other words, the two contact pads 2101, 2102 of the second semiconductor device 210 touch the two contact pads 1101, 1102 of the first semiconductor device 110 at first regions 131, 132.

1B stellt die erste Halbleitervorrichtung 110 dar, die in einer zweiten Konfiguration, der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt, mit dieser verbunden ist. In der zweiten Konfiguration sind zwei Kontaktpads 2103, 2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210, die von den beiden Kontaktpads 2101, 2102 gemäß der Darstellung in 1A verschieden sind, mit der ersten Halbleitervorrichtung 110 verbunden. Die beiden Kontaktpads 2103, 2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 sind an zweiten Gebieten 133, 134 der beiden Kontaktpads 1101, 1102 der ersten Halbleitervorrichtung 110 befestigt. Die ersten Gebiete 131, 132 sind von den zweiten Gebieten 133, 134 verschieden. 1B illustrates the first semiconductor device 110 connected to the second semiconductor device 210 in a second configuration. In the second configuration, two contact pads 2103, 2104 of the second semiconductor device 210 are separated from the two contact pads 2101, 2102 as shown in 1A are different, connected to the first semiconductor device 110. The two contact pads 2103, 2104 of the second semiconductor device 210 are attached to second regions 133, 134 of the two contact pads 1101, 1102 of the first semiconductor device 110. The first areas 131, 132 are different from the second areas 133, 134.

1C stellt eine perspektivische Ansicht der ersten Halbleitervorrichtung 110 und der zweiten Halbleitervorrichtung 210 dar. Die erste Halbleitervorrichtung 110 ist vor dem Zusammenfügen in der ersten Konfiguration, der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt, auf diese ausgerichtet. Die erste Halbleitervorrichtung 110 beinhaltet die beiden Kontaktpads 1101, 1102, wie in den 1A und 1B dargestellt, und zwei weitere Kontaktpads 1103, 1104. Alle vier Kontaktpads 1101-1104 können auf die gleiche Weise gebildet sein. Die zweite Halbleitervorrichtung 210 beinhaltet die beiden Kontaktpads 2101, 2102, wie in 1A dargestellt, und die beiden Kontaktpads 2103, 2104, wie in 1B dargestellt. Alle 4 Kontaktpads 2101-2104 können auf die gleiche Weise gebildet sein. Die vier Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 können auf die gleiche Weise wie die vier Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 oder auf verschiedene Weise davon gebildet sein. Nach dem Miteinanderverbinden sind die Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 an ersten Gebieten 131, 132, 135, 136 an den Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 befestigt. 1C illustrates a perspective view of the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210. The first semiconductor device 110 is aligned facing the second semiconductor device 210 before assembly in the first configuration. The first semiconductor device 110 includes the two contact pads 1101, 1102, as shown in FIGS 1A and 1B shown, and two further contact pads 1103, 1104. All four contact pads 1101-1104 can be formed in the same way. The second semiconductor device 210 includes the two contact pads 2101, 2102, as in 1A shown, and the two contact pads 2103, 2104, as in 1B shown. All 4 contact pads 2101-2104 can be formed in the same way. The four contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110 may be formed in the same manner as the four contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210 or in different ways. After being connected together, the contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210 are attached to first regions 131, 132, 135, 136 on the contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110.

1D stellt eine weitere perspektivische Ansicht der ersten Halbleitervorrichtung 110 und der zweiten Halbleitervorrichtung 210 dar. Die erste Halbleitervorrichtung 110 ist vor dem Zusammenfügen in der zweiten Konfiguration, der zweiten Halbleitervorrichtung 210 zugekehrt, auf diese ausgerichtet. In der zweiten Konfiguration wird die zweite Halbleitervorrichtung 210 verglichen mit einer Position der zweiten Halbleitervorrichtung 210 in der ersten Konfiguration um 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche 112 des Halbleitersubstrats 111 der ersten Halbleitervorrichtung 110 definierten Ebene gedreht. Mit anderen Worten wird die zweite Halbleitervorrichtung 210 in der zweiten Konfiguration verglichen mit der ersten Konfiguration um eine senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche 112 verlaufende und vertikal durch die geometrische Mitte der ersten Halbleitervorrichtung 110 passierende Achse 150 um 180 Grad gedreht. Nach dem Zusammenfügen sind die Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 an zweiten Gebieten 133, 134, 137, 138 an den Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 befestigt. Die zweiten Gebiete 133, 134, 137, 138 sind von den ersten Gebieten 131, 132, 135, 136 verschieden. 1D illustrates another perspective view of the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210. The first semiconductor device 110 is aligned facing the second semiconductor device 210 before assembly in the second configuration. In the second configuration, the second semiconductor device 210 is rotated 180 degrees in a plane defined by the first main surface 112 of the semiconductor substrate 111 of the first semiconductor device 110 compared to a position of the second semiconductor device 210 in the first configuration. In other words, the second semiconductor device 210 in the second configuration is rotated by 180 degrees compared to the first configuration about an axis 150 that runs perpendicular to the first main surface 112 and passes vertically through the geometric center of the first semiconductor device 110. After assembly, the contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210 are attached to second regions 133, 134, 137, 138 on the contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110. The second areas 133, 134, 137, 138 are different from the first areas 131, 132, 135, 136.

Die Halbleitervorrichtungsanordnung 100 kann in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration eine gleiche Funktion ausführen. Das heißt, die Halbleitervorrichtungsanordnung 100 kann unabhängig davon, ob die erste Halbleitervorrichtung 110 und die zweite Halbleitervorrichtung 210 in der ersten Konfiguration oder in der zweiten Konfiguration zusammengefügt sind, für eine bestimmte Anwendung verwendet werden. Damit die Halbleitervorrichtungsanordnung 100 in beiden Konfigurationen die gleiche Funktion bereitstellt, sind die Kontaktpads 2101 und 2103 elektrisch miteinander verbunden, und die Kontaktpads 2102 und 2104 sind in der zweiten Halbleitervorrichtung 210 elektrisch miteinander verbunden. Die Kontaktpads, die elektrisch miteinander verbunden sind, sind in den 1C+1D mit der gleichen Schraffur markiert. Die elektrischen Verbindungen können in den strukturierten Metallisierungsschichten und durch Verwendung von Vias, wie oben beschrieben, implementiert sein.The semiconductor device assembly 100 can perform a same function in the first configuration and in the second configuration. The That is, the semiconductor device assembly 100 can be used for a specific application regardless of whether the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210 are assembled in the first configuration or in the second configuration. In order for the semiconductor device assembly 100 to provide the same function in both configurations, the contact pads 2101 and 2103 are electrically connected to each other, and the contact pads 2102 and 2104 are electrically connected to each other in the second semiconductor device 210. The contact pads, which are electrically connected to each other, are in the 1C +1D marked with the same hatching. The electrical connections may be implemented in the patterned metallization layers and using vias as described above.

Die beiden weiteren Kontaktpads 1103, 1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 können aus Stabilitätsgründen vorgesehen sein, um ein Drehen der ersten Halbleitervorrichtung 110 oder der zweiten Halbleitervorrichtung 210 beim Zusammenfügen zu vermeiden. In der ersten Halbleitervorrichtung 110 kann das weitere Kontaktpad 1103 mit dem Kontaktpad 1101 elektrisch verbunden sein, und das weitere Kontaktpad 1104 kann mit dem Kontaktpad 1102 elektrisch verbunden sein, wie in den 1C+1D durch die gleiche Schraffur angegeben ist.The two further contact pads 1103, 1104 of the first semiconductor device 110 can be provided for reasons of stability in order to avoid rotating the first semiconductor device 110 or the second semiconductor device 210 during assembly. In the first semiconductor device 110, the further contact pad 1103 may be electrically connected to the contact pad 1101, and the further contact pad 1104 may be electrically connected to the contact pad 1102, as shown in FIGS 1C +1D is indicated by the same hatching.

1E stellt eine Draufsicht der ersten Halbleitervorrichtung 110 dar, die die vier Kontaktpads 1101-1104 beinhaltet. 1F stellt eine Draufsicht der zweiten Halbleitervorrichtung 210 in der ersten Konfiguration dar, und 1G stellt eine Draufsicht der zweiten Halbleitervorrichtung 210 in der zweiten Konfiguration dar, wobei die zweite Halbleitervorrichtung 210 verglichen mit der ersten Konfiguration um 180 Grad gedreht ist. 1E illustrates a top view of the first semiconductor device 110, which includes the four contact pads 1101-1104. 1F illustrates a top view of the second semiconductor device 210 in the first configuration, and 1G illustrates a top view of the second semiconductor device 210 in the second configuration, where the second semiconductor device 210 is rotated 180 degrees compared to the first configuration.

Die gestrichelten Linien in 1E bezeichnen Oberflächengebiete 231, 232, 235, 236 der vier Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110, die in der ersten Konfiguration von den vier Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 berührt werden. Im Gegensatz dazu bezeichnen die gepunkteten Linien in 1E Oberflächengebiete 233, 234, 237, 238 der vier Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110, die in der zweiten Konfiguration von den vier Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210 berührt werden.The dashed lines in 1E denote surface regions 231, 232, 235, 236 of the four contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110, which are touched by the four contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210 in the first configuration. In contrast, the dotted lines denote in 1E Surface regions 233, 234, 237, 238 of the four contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110, which are touched by the four contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210 in the second configuration.

Wie zu sehen ist, überlappen sich die durch gestrichelten Linien bezeichneten Oberflächengebiete 231, 232, 235, 236 nicht mit den durch die gepunkteten Linien bezeichneten Oberflächengebieten 233, 234, 237, 238. Folglich ist eine Gesamtkontaktfläche der Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 größer als eine Gesamtkontaktfläche der Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210. Insbesondere ist bei der in den 1A-1G dargestellten Ausführungsform die Kontaktfläche jedes der Kontaktpads 1101-1104 der ersten Halbleitervorrichtung 110 größer als eine Kontaktfläche eines der Kontaktpads 2101-2104 der zweiten Halbleitervorrichtung 210. Allgemein ist die Kontaktfläche ein Gebiet eines Kontaktpads, das dazu verwendet werden kann, eine physische Verbindung mit einem Kontaktpad einer anderen Vorrichtung, an dem es befestigt ist, herzustellen.As can be seen, the surface regions 231, 232, 235, 236 indicated by dashed lines do not overlap with the surface regions 233, 234, 237, 238 indicated by dotted lines. Consequently, a total contact area of the contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device is 110 larger than a total contact area of the contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210. In particular, in the 1A-1G In the illustrated embodiment, the contact area of each of the contact pads 1101-1104 of the first semiconductor device 110 is larger than a contact area of one of the contact pads 2101-2104 of the second semiconductor device 210. In general, the contact area is an area of a contact pad that can be used to establish a physical connection with a contact pad another device to which it is attached.

Beim Herstellen einer physischen Verbindung wird eine elektrische Verbindung zwischen einem Kontaktpad der ersten Halbleitervorrichtung 110 und einem entsprechenden Kontaktpad der zweiten Halbleitervorrichtung 210 ermöglicht. Die elektrische Verbindung über Kontaktpads ermöglicht eine Kommunikation zwischen der ersten Halbleitervorrichtung 110 und der zweiten Halbleitervorrichtung 210. Zum Beispiel kann eine von der ersten Halbleitervorrichtung 110 und der zweiten Halbleitervorrichtung 210 die andere von der ersten Halbleitervorrichtung 110 und der zweiten Halbleitervorrichtung 210 steuern oder ansteuern.When establishing a physical connection, an electrical connection is made possible between a contact pad of the first semiconductor device 110 and a corresponding contact pad of the second semiconductor device 210. The electrical connection via contact pads enables communication between the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210. For example, one of the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210 can control or drive the other of the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210.

2 stellt ein Flussdiagramm eines beispielhaften Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtungsanordnung dar. 2 illustrates a flowchart of an exemplary method for manufacturing a semiconductor device assembly.

Bei Schritt S1 werden eine erste Halbleitervorrichtung und eine zweite Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die erste Halbleitervorrichtung kann die erste Halbleitervorrichtung 110 sein, und die zweite Halbleitervorrichtung kann die zweite Halbleitervorrichtung 210 sein, wie in den 1A-1G dargestellt und in Zusammenhang mit diesen beschrieben.In step S1, a first semiconductor device and a second semiconductor device are provided. The first semiconductor device may be the first semiconductor device 110, and the second semiconductor device may be the second semiconductor device 210, as shown in FIGS 1A-1G presented and described in connection with them.

Bei Schritt S2 wird eine temporäre Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung gebildet. Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung werden temporär an entsprechenden Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung befestigt, indem sie zusammengepresst werden, indem eine Wärmebehandlung an den Kontaktoberflächen angewendet wird oder durch eine Kombination aus beiden. Thermokompressionsverfahren sind nur ein Beispiel für die Herstellung einer temporären Verbindung von Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung 110 mit Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung 210, und es können alternative Verfahren, wie zum Beispiel Löten und/oder Verwendung von leitendem Klebstoff, angewandt werden. Bei diesem ersten Platzierungsschritt S2 werden Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung temporär an ersten Gebieten entsprechender Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung fixiert, und die zweite Halbleitervorrichtung wird in einer ersten Konfiguration, der ersten Halbleitervorrichtung zugekehrt, mit dieser verbunden.In step S2, a temporary connection is formed between the first semiconductor device and the second semiconductor device. Contact pads of the first semiconductor device are temporarily attached to corresponding contact pads of the second semiconductor device by pressing them together, by applying heat treatment to the contact surfaces, or by a combination of both. Thermocompression methods are just one example of making a temporary connection of contact pads of the first semiconductor device 110 to contact pads of the second semiconductor device 210, and alternative methods, such as soldering and/or use of conductive adhesive, may be used. In this first placement step S2, contact pads of the second semiconductor device are temporarily fixed to first regions of corresponding contact pads of the first semiconductor device, and the second semiconductor device is in a first configuration tion, facing the first semiconductor device, connected to it.

Bei Schritt S3 werden die Funktionalität der zweiten Halbleitervorrichtung sowie die Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung getestet. Es kann ein elektrischer Test durchgeführt werden, um die zweite Halbleitervorrichtung auf ordnungsgemäßen Betrieb zu prüfen und eine Qualität der Verbindung zu verifizieren. In step S3, the functionality of the second semiconductor device and the connection between the first semiconductor device and the second semiconductor device are tested. An electrical test may be performed to check the second semiconductor device for proper operation and to verify connection quality.

Der Test ist bestanden, wenn die zweite Halbleitervorrichtung wie erwartet arbeitet und wenn die Verbindungsqualität innerhalb eines erwarteten Bereichs liegt. In diesem Fall fährt das Verfahren mit Schritt S4 fort, und es wird eine permanente Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung gebildet. Es können verschiedene Verfahren angewandt werden, um solch eine endgültige Verbindung zu schaffen, z. B. Thermokompressionsverfahren oder Löten. Beim thermokompressiven Bonden können verglichen mit dem Schaffen einer temporären Verbindung beim Schaffen einer permanenten Verbindung mindestens eines von Druck und Temperatur höher sein.The test is passed if the second semiconductor device operates as expected and if the connection quality is within an expected range. In this case, the method proceeds to step S4 and a permanent connection is formed between the first semiconductor device and the second semiconductor device. Various methods can be used to create such a final connection, e.g. B. Thermocompression process or soldering. In thermocompressive bonding, at least one of pressure and temperature may be higher when creating a permanent bond compared to creating a temporary bond.

Der Test ist nicht bestanden, wenn die zweite Halbleitervorrichtung nicht wie erwartet arbeitet oder wenn die Verbindungsqualität außerhalb des erwarteten Bereichs liegt. In diesem Fall fährt das Verfahren mit Schritt S5 fort, und die zweite Halbleitervorrichtung wird von der ersten Halbleitervorrichtung abgetrennt. Danach wird bei einem zweiten Platzierungsschritt S6 eine weitere zweite Halbleitervorrichtung an der ersten Halbleitervorrichtung befestigt. Die Schritte S5 und S6 können gemeinsam als ein Reparaturschritt bezeichnet werden. Die weitere zweite Halbleitervorrichtung ist auf die gleiche Weise wie die zweite Halbleitervorrichtung, die im ersten Platzierungsschritt S2 an der ersten Halbleitervorrichtung befestigt wurde, ausgeführt. Zum Beispiel ist die weitere zweite Halbleitervorrichtung identisch mit der zweiten Halbleitervorrichtung gebaut. Im Unterschied zu dem ersten Platzierungsschritt S2 wird im zweiten Platzierungsschritt S6 die weitere zweite Halbleitervorrichtung gedreht. Wie oben im Zusammenhang mit den 1A-1G erläutert wurde, wird die weitere zweite Halbleitervorrichtung zum Beispiel um 180 Grad gedreht. Infolgedessen wird die zweite Halbleitervorrichtung in einer zweiten Konfiguration, der ersten Halbleitervorrichtung zugekehrt, mit dieser verbunden.The test is failed if the second semiconductor device does not perform as expected or if the connection quality is outside the expected range. In this case, the process proceeds to step S5 and the second semiconductor device is separated from the first semiconductor device. Thereafter, in a second placement step S6, a further second semiconductor device is attached to the first semiconductor device. Steps S5 and S6 can collectively be referred to as a repair step. The further second semiconductor device is designed in the same way as the second semiconductor device that was attached to the first semiconductor device in the first placement step S2. For example, the further second semiconductor device is constructed identically to the second semiconductor device. In contrast to the first placement step S2, the further second semiconductor device is rotated in the second placement step S6. As above in connection with the 1A-1G has been explained, the further second semiconductor device is rotated, for example, by 180 degrees. As a result, the second semiconductor device is connected to the first semiconductor device in a second configuration facing the first semiconductor device.

Die Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und die Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung sind so ausgeführt, dass in der zweiten Konfiguration die Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an zweiten Gebieten der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt werden. Die zweiten Gebiete sind von den ersten Gebieten verschieden. Während des zweiten Platzierungsschritts S6 werden folglich die Kontaktpads der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung an Positionen der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung, die während des ersten Platzierungsschritts S2 nicht kontaktiert wurden, fixiert. Durch Befestigen der Kontaktpads der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung an unbehandelten Gebieten der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung kann eine zuverlässige Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung hergestellt werden, selbst wenn zuvor ein Reparaturschritt durchgeführt wurde. Selbst wenn es während des ersten Platzierungsschritts und/oder während des Abtrennens des zweiten Halbleiters von der ersten Halbleitervorrichtung zu einer Beschädigung der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung kam, kann eine hohe Verbindungsqualität zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung erreicht werden.The contact pads of the first semiconductor device and the contact pads of the second semiconductor device are designed such that in the second configuration, the contact pads of the second semiconductor device are attached to second regions of the contact pads of the first semiconductor device. The second areas are different from the first areas. During the second placement step S6, the contact pads of the further second semiconductor device are consequently fixed at positions of the contact pads of the first semiconductor device that were not contacted during the first placement step S2. By attaching the contact pads of the further second semiconductor device to untreated areas of the contact pads of the first semiconductor device, a reliable connection can be established between the first semiconductor device and the further second semiconductor device, even if a repair step was previously carried out. Even if damage to the contact pads of the first semiconductor device occurred during the first placement step and/or during the separation of the second semiconductor from the first semiconductor device, a high connection quality can be achieved between the first semiconductor device and the further second semiconductor device.

Während des zweiten Platzierungsschritts S6 kann eine permanente Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung gebildet werden. Alternativ kann während des zweiten Platzierungsschritts S6 eine temporäre Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der weiteren zweiten Halbleitervorrichtung gebildet werden, und es können weitere Testschritte und Reparaturschritte erfolgen (nicht dargestellt).During the second placement step S6, a permanent connection can be formed between the first semiconductor device and the further second semiconductor device. Alternatively, a temporary connection can be formed between the first semiconductor device and the further second semiconductor device during the second placement step S6, and further test steps and repair steps can take place (not shown).

Die 3A+3B stellen perspektivische Ansichten einer weiteren beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung 300 dar, die eine erste Halbleitervorrichtung 310 und eine zweite Halbleitervorrichtung 410 beinhaltet. Die in den 3A+3B dargestellte Ausführungsform ähnelt der in den 1A-1G dargestellten Ausführungsform. Ein Unterschied besteht jedoch darin, dass, während die erste Halbleitervorrichtung 110 und die zweite Halbleitervorrichtung 210 in den 1A-1G jeweils vier Kontaktpads beinhalten, die erste Halbleitervorrichtung 310 und die zweite Halbleitervorrichtung 410 jeweils zwei Kontaktpads beinhalten.The 3A +3B illustrate perspective views of another example semiconductor device assembly 300 that includes a first semiconductor device 310 and a second semiconductor device 410. The ones in the 3A +3B illustrated embodiment is similar to that in the 1A-1G illustrated embodiment. However, a difference is that while the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210 in the 1A-1G each contain four contact pads, the first semiconductor device 310 and the second semiconductor device 410 each contain two contact pads.

3A stellt eine perspektivische Ansicht der ersten Halbleitervorrichtung 310 und der zweiten Halbleitervorrichtung 410 dar. Die erste Halbleitervorrichtung 310 ist vor dem Zusammenfügen in einer ersten Konfiguration, der zweiten Halbleitervorrichtung 410 zugekehrt, auf diese ausgerichtet. Die erste Halbleitervorrichtung 310 beinhaltet ein viereckiges Ringkontaktpad 3101 und ein weiteres Kontaktpad 3102, das von dem viereckigen Ringkontaktpad 3101 physisch getrennt ist und das in dem Ring platziert ist. Die zweite Halbleitervorrichtung 410 beinhaltet ein L-förmiges Kontaktpad 4101 und ein weiteres Kontaktpad 4102, das von dem L-förmigen Kontaktpad 4101 physisch getrennt ist. In der ersten Konfiguration sind die beiden Kontaktpads 4101, 4102 der zweiten Halbleitervorrichtung 410 an ersten Gebieten 331, 332 der beiden Kontaktpads 3101, 3102 der ersten Halbleitervorrichtung 310 befestigt. 3A illustrates a perspective view of the first semiconductor device 310 and the second semiconductor device 410. The first semiconductor device 310 is aligned with the second semiconductor device 410 in a first configuration before assembly. The first semiconductor device 310 includes a square ring contact pad 3101 and another contact pad 3102 that is physically separated from the square ring contact pad 3101 and that is placed in the ring. The second semiconductor device 410 includes an L-shaped contact pad 4101 and a another contact pad 4102, which is physically separated from the L-shaped contact pad 4101. In the first configuration, the two contact pads 4101, 4102 of the second semiconductor device 410 are attached to first regions 331, 332 of the two contact pads 3101, 3102 of the first semiconductor device 310.

3B stellt eine weitere perspektivische Ansicht der ersten Halbleitervorrichtung 310 und der zweiten Halbleitervorrichtung 410 dar. Die erste Halbleitervorrichtung 310 ist in einer zweiten Konfiguration vor dem Zusammenfügen, der zweiten Halbleitervorrichtung 410 zugekehrt, auf diese ausgerichtet. In der zweiten Konfiguration ist die zweite Halbleitervorrichtung 410 verglichen mit der ersten Konfiguration um 180 Grad gedreht. Die beiden Kontaktpads 4101, 4102 der zweiten Halbleitervorrichtung 410 werden an zweiten Gebieten 333, 334 der beiden Kontaktpads 3101, 3102 der ersten Halbleitervorrichtung 310 befestigt. Die ersten Gebiete 331, 332 überlappen sich nicht mit den zweiten Gebieten 333, 334. 3B illustrates another perspective view of the first semiconductor device 310 and the second semiconductor device 410. The first semiconductor device 310 is aligned with the second semiconductor device 410 in a second configuration before assembly. In the second configuration, the second semiconductor device 410 is rotated 180 degrees compared to the first configuration. The two contact pads 4101, 4102 of the second semiconductor device 410 are attached to second regions 333, 334 of the two contact pads 3101, 3102 of the first semiconductor device 310. The first areas 331, 332 do not overlap with the second areas 333, 334.

Ähnlich wie die in Zusammenhang mit den 1A-1G beschriebene Ausführungsform kann die Ausführungsform der 3A+3B für ein Herstellungsverfahren wie in Zusammenhang mit 2 beschrieben verwendet werden. Die Halbleitervorrichtungsanordnung 300, die die erste Halbleitervorrichtung 310 und die zweite Halbleitervorrichtung 410 beinhaltet, gestattet eine zuverlässige Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung 310 und der zweiten Halbleitervorrichtung 410 nach Durchführen eines Reparaturschritts.Similar to those related to the 1A-1G The embodiment described can be the embodiment of 3A +3B for a manufacturing process like that related to 2 described can be used. The semiconductor device assembly 300 including the first semiconductor device 310 and the second semiconductor device 410 allows reliable connection between the first semiconductor device 310 and the second semiconductor device 410 after performing a repair step.

Die Kontaktpads 3101, 3102 der ersten Halbleitervorrichtung 310 und die Kontaktpads 4101, 4102 der zweiten Halbleitervorrichtung 410 können so dimensioniert sein, dass die zweite Halbleitervorrichtung 410 im Rahmen des Reparaturschritts entweder um 90 Grad oder um 180 Grad gedreht werden kann. Die 90-Grad-Drehung kann im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn erfolgen. Bei einer Ausführungsform können die Kontaktpads 3101, 3102, 4101, 4102 so ausgeführt sein, dass die zweite Halbleitervorrichtung 410 mehrmals gedreht werden kann und mehrere Reparaturschritte durchgeführt werden können. Bei jedem dieser mehreren Reparaturschritte können die Kontaktpads 4101, 4102 der zweiten Halbleitervorrichtung 410 die Kontaktpads 3101, 3102 der ersten Halbleitervorrichtung 310 an verschiedenen Positionen berühren.The contact pads 3101, 3102 of the first semiconductor device 310 and the contact pads 4101, 4102 of the second semiconductor device 410 can be dimensioned such that the second semiconductor device 410 can be rotated either by 90 degrees or by 180 degrees as part of the repair step. The 90 degree rotation can be clockwise or counterclockwise. In one embodiment, the contact pads 3101, 3102, 4101, 4102 may be designed such that the second semiconductor device 410 can be rotated multiple times and multiple repair steps can be performed. In each of these multiple repair steps, the contact pads 4101, 4102 of the second semiconductor device 410 may contact the contact pads 3101, 3102 of the first semiconductor device 310 at different positions.

Die Ausführungsform gemäß der Darstellung in den 3A+3B kann auf verschiedene Weisen modifiziert werden. Bei einer Ausführungsform können die L-förmigen Kontaktpads durch streifenförmige Kontaktpads ersetzt sein, und einige der streifenförmigen Kontaktpads können in der zweiten Halbleitervorrichtung 410 elektrisch miteinander verbunden sein. Bei einer anderen Ausführungsform können die L-förmigen Kontaktpads durch eine Mehrzahl von kleineren Kontaktpads ersetzt sein, die entlang einer L-Form oder entlang einer Streifenform angeordnet sind. Die Mehrzahl von kleineren Kontaktpads kann physisch voneinander getrennt sein und in der zweiten Halbleitervorrichtung 410 elektrisch miteinander verbunden sein. Bei einer anderen Ausführungsform kann das viereckige Ringkontaktpad durch ein rundes Ringkontaktpad oder ein achteckiges Ringkontaktpad ersetzt sein. Bei einer Ausführungsform ist der Ring möglicherweise keine geschlossene Ringstruktur, sondern kann zum Beispiel eine offene Ringstruktur oder eine Mehrzahl von Abschnitten, die physisch voneinander getrennt sind und in einer Ringform angeordnet sind, beinhalten. Diese Abschnitte können in der ersten Halbleitervorrichtung 310 elektrisch miteinander verbunden sein.The embodiment as shown in the 3A +3B can be modified in various ways. In one embodiment, the L-shaped contact pads may be replaced with strip-shaped contact pads, and some of the strip-shaped contact pads may be electrically connected to each other in the second semiconductor device 410. In another embodiment, the L-shaped contact pads may be replaced by a plurality of smaller contact pads arranged along an L-shape or along a strip shape. The plurality of smaller contact pads may be physically separated from each other and electrically connected to each other in the second semiconductor device 410. In another embodiment, the square ring contact pad can be replaced by a round ring contact pad or an octagonal ring contact pad. In one embodiment, the ring may not be a closed ring structure, but may include, for example, an open ring structure or a plurality of sections that are physically separated from each other and arranged in a ring shape. These sections may be electrically connected to each other in the first semiconductor device 310.

Die 4A+4B stellen perspektivische Ansichten einer weiteren beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung 500 dar, die eine erste Halbleitervorrichtung 510 und eine zweite Halbleitervorrichtung 610 beinhaltet. Die in den 4A+4B dargestellte Ausführungsform ähnelt der in den 1A-1G dargestellten Ausführungsform. Ein Unterschied besteht jedoch darin, dass, während die erste Halbleitervorrichtung 110 und die zweite Halbleitervorrichtung 210 in den 1A-1G jeweils vier Kontaktpads beinhalten, die erste Halbleitervorrichtung 510 acht Kontaktpads 5101-5108 beinhaltet, die physisch voneinander getrennt sind.The 4A +4B illustrate perspective views of another example semiconductor device assembly 500 that includes a first semiconductor device 510 and a second semiconductor device 610. The ones in the 4A +4B illustrated embodiment is similar to that in the 1A-1G illustrated embodiment. However, a difference is that while the first semiconductor device 110 and the second semiconductor device 210 in the 1A-1G each include four contact pads, the first semiconductor device 510 includes eight contact pads 5101-5108 that are physically separated from each other.

In einer ersten Konfiguration werden vier Kontaktpads 6101-6104 der zweiten Halbleitervorrichtung 610 an vier Kontaktpads 5101-5104 der acht Kontaktpads 5101-5108 der ersten Halbleitervorrichtung 510 befestigt. In einer zweiten Konfiguration ist die zweite Halbleitervorrichtung 610 verglichen mit der ersten Konfiguration um 90 Grad gedreht. Die Drehung kann im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn erfolgen. Nach der Drehung werden die vier Kontaktpads 6101-6104 der zweiten Halbleitervorrichtung 610 an vier anderen 5105-5108 der acht Kontaktpads 5101-5108 der ersten Halbleitervorrichtung 510 befestigt.In a first configuration, four contact pads 6101-6104 of the second semiconductor device 610 are attached to four contact pads 5101-5104 of the eight contact pads 5101-5108 of the first semiconductor device 510. In a second configuration, the second semiconductor device 610 is rotated 90 degrees compared to the first configuration. The rotation can be clockwise or counterclockwise. After rotation, the four contact pads 6101-6104 of the second semiconductor device 610 are attached to four others 5105-5108 of the eight contact pads 5101-5108 of the first semiconductor device 510.

Ähnlich wie die in Zusammenhang mit den 1A-1G beschriebene Halbleiteranordnung 100 kann die Halbleitervorrichtungsanordnung 500 so konfiguriert sein, dass die Halbleiteranordnung 500 in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration eine gleiche Funktion ausführt. In der zweiten Halbleitervorrichtung 610 können die Kontaktpads 6101 und 6103 der zweiten Halbleitervorrichtung 610 elektrisch miteinander verbunden sein und können die Kontaktpads 6102 und 6104 der zweiten Halbleitervorrichtung 610 elektrisch miteinander verbunden sein. Ferner können in der ersten Halbleitervorrichtung 510 die Kontaktpads 5101, 5103, 5105, 5107 der ersten Halbleitervorrichtung 510 elektrisch miteinander verbunden sei, und können die Kontaktpads 5102, 5104, 5106, 5108 der ersten Halbleitervorrichtung 510 elektrisch miteinander verbunden sein. Kontaktpads, die elektrisch miteinander verbunden sein können, sind in den 4A+4B mit derselben Schraffierung markiert.Similar to those related to the 1A-1G In the semiconductor device 100 described, the semiconductor device device 500 may be configured such that the semiconductor device 500 performs the same function in the first configuration and in the second configuration. In the second semiconductor device 610, the contact pads 6101 and 6103 of the second semiconductor device 610 may be electrically connected to each other, and the contact pads 6102 and 6104 of the second semiconductor device 610 may be electrically connected to each other. Furthermore, in of the first semiconductor device 510, the contact pads 5101, 5103, 5105, 5107 of the first semiconductor device 510 are electrically connected to one another, and the contact pads 5102, 5104, 5106, 5108 of the first semiconductor device 510 can be electrically connected to one another. Contact pads that can be electrically connected to each other are in the 4A +4B marked with the same hatching.

Die in Zusammenhang mit den 1A-1G, 3A+3B und 4A+4B dargestellten und beschriebenen Ausführungsformen zeigen beispielhafte Halbleiteranordnungen, die in einem in Zusammenhang mit 2 beschriebenen Herstellungsverfahren verwendet werden können und die eine zuverlässige Verbindung zwischen einer ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung nach Durchführung eines Reparaturschritts gestatten. Während des Reparaturschritts werden nicht funktionierende zweite Halbleitervorrichtungen durch neue zweite Halbleitervorrichtungen ersetzt, um eine Halbleiteranordnung bereitzustellen, die nur funktionierende zweite Halbleitervorrichtungen beinhaltet. Die Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung sind so ausgeführt, dass die Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung während des ersten Platzierungsschritts und während des zweiten Platzierungsschritts an verschiedenen Positionen kontaktiert werden. Zum Beispiel werden eine Form, eine Ausführung, eine Größe und/oder eine Position der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung so ausgewählt, dass verschiedene Gebiete der Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung während des ersten Platzierungsschritts und während des zweiten Platzierungsschritts beteiligt sind.Those related to the 1A-1G , 3A +3B and 4A +4B illustrated and described embodiments show exemplary semiconductor devices that are in connection with 2 Manufacturing methods described can be used and which allow a reliable connection between a first semiconductor device and the second semiconductor device after a repair step has been carried out. During the repair step, non-functional second semiconductor devices are replaced with new second semiconductor devices to provide a semiconductor assembly that includes only functional second semiconductor devices. The contact pads of the first semiconductor device and the second semiconductor device are designed such that the contact pads of the first semiconductor device are contacted at different positions during the first placement step and during the second placement step. For example, a shape, a design, a size and/or a position of the contact pads of the first semiconductor device and the second semiconductor device are selected so that different areas of the contact pads of the first semiconductor device are involved during the first placement step and during the second placement step.

Bei einer Ausführungsform kann die erste Halbleitervorrichtung weitere Kontaktpads beinhalten, die während des ersten Platzierungsschritts und während des zweiten Platzierungsschritts an einer gleichen Position kontaktiert werden. Bei einer Ausführungsform kann mindestens eine von der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung weitere Kontaktpads beinhalten, die überhaupt nicht kontaktiert werden, weder im ersten Platzierungsschritt noch im zweiten Platzierungsschritt.In one embodiment, the first semiconductor device may include additional contact pads that are contacted at a same position during the first placement step and during the second placement step. In one embodiment, at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device may include additional contact pads that are not contacted at all in either the first placement step or the second placement step.

Obgleich hier verschiedene Ausführungsformen dargestellt und beschrieben wurden, handelt es sich lediglich um Beispiele, und es versteht sich, dass verschiedene Änderungen durchgeführt werden können, ohne von dem Wesen und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Zum Beispiel kann mindestens eine von der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung eine ungerade Anzahl von Kontaktpads beinhalten, und die ungerade Anzahl ist gleich oder größer als drei Kontaktpads. Mindestens zwei der mindestens drei Kontaktpads können in der mindestens einen von der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung elektrisch miteinander verbunden sein.Although various embodiments have been illustrated and described herein, they are merely examples, and it is to be understood that various changes may be made without departing from the spirit and scope of the present disclosure. For example, at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device may include an odd number of contact pads, and the odd number is equal to or greater than three contact pads. At least two of the at least three contact pads can be electrically connected to one another in the at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device.

Wie oben beschrieben wurde, können die in Zusammenhang mit den 1A-1 G, 3A+3B und 4A+4B dargestellten und beschriebenen Anordnungen in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration eine gleiche Funktion ausführen. Bei einer alternativen Ausführungsform können die Halbleiteranordnungen in der ersten Konfiguration verglichen mit der zweiten Konfiguration zumindest teilweise eine andere Funktion ausführen. Zum Beispiel kann ein Teil einer Funktionalität der ersten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration verglichen mit der zweiten Konfiguration ausgeschaltet sein. In einem anderen Beispiel kann ein Teil einer Funktionalität, z. B. einer Sensorfunktionalität, der ersten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration verglichen mit der zweiten Konfiguration eingeschaltet sein.As described above, those associated with the 1A-1G , 3A +3B and 4A +4B shown and described arrangements perform the same function in the first configuration and in the second configuration. In an alternative embodiment, the semiconductor devices in the first configuration can at least partially perform a different function compared to the second configuration. For example, part of a functionality of the first semiconductor device may be turned off in the first configuration compared to the second configuration. In another example, part of a functionality, e.g. B. a sensor functionality, the first semiconductor device can be switched on in the first configuration compared to the second configuration.

Die erste Halbleitervorrichtung und die zweite Halbleitervorrichtung können, wie oben beschrieben, mindestens eines von einem Chip, einem Die, einem Wafer und einem Leiterrahmen umfassen. Zudem kann die erste Halbleitervorrichtung eine andere Funktion als die zweite Halbleitervorrichtung ausführen. Bei einer Ausführungsform beinhaltet die erste Halbleitervorrichtung eine Halbleitertreibervorrichtung, die die zweite Halbleitervorrichtung ansteuert, z. B. einen Leistungstransistor. Bei einer anderen Ausführungsform beinhaltet die erste Halbleitervorrichtung eine Steuervorrichtung, die einen Betrieb der zweiten Halbleitervorrichtung steuert. Allgemein kann die erste Halbleitervorrichtung mindestens einen Teil einer Funktion der zweiten Halbleitervorrichtung über Kontaktpads steuern oder ansteuern.The first semiconductor device and the second semiconductor device may include at least one of a chip, a die, a wafer, and a lead frame, as described above. In addition, the first semiconductor device can perform a different function than the second semiconductor device. In one embodiment, the first semiconductor device includes a semiconductor driver device that drives the second semiconductor device, e.g. B. a power transistor. In another embodiment, the first semiconductor device includes a control device that controls operation of the second semiconductor device. In general, the first semiconductor device can control or actuate at least part of a function of the second semiconductor device via contact pads.

Bei einer Ausführungsform beinhaltet die zweite Halbleitervorrichtung eine HalbleiterLeuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung), und die erste Halbleitervorrichtung beinhaltet eine Halbleitertreibervorrichtung. Mindestens eines der Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung stellt einen Kathodenanschluss bereit, und mindestens ein anderes der Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung stellt einen Anodenanschluss bereit. Die Halbleitertreibervorrichtung ist dazu konfiguriert, den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens eines ihrer Kontaktpads zu steuern und den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens ein anderes ihrer Kontaktpads zu steuern.In one embodiment, the second semiconductor device includes a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device), and the first semiconductor device includes a semiconductor driver device. At least one of the contact pads of the semiconductor LED device provides a cathode connection, and at least another of the contact pads of the semiconductor LED device provides an anode connection. The semiconductor driver device is configured to control the cathode terminal of the semiconductor LED device via at least one of its contact pads and to control the anode terminal of the semiconductor LED device via at least another one of its contact pads.

In dem in den 1A-1G dargestellten Beispiel können die Kontaktpads 2101 und 2103 elektrisch miteinander verbunden sein, um einen Kathodenanschluss einer Halbleiter-LED-Vorrichtung 210 bereitzustellen, und die Kontaktpads 2202 und 2204 können elektrisch miteinander verbunden sein, um einen Anodenanschluss einer Halbleiter-LED-Vorrichtung 210 bereitzustellen, oder umgekehrt. Die Kontaktpads 1101 und 1103 der Halbleitertreibervorrichtung 110 können elektrisch miteinander verbunden sein, um den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 210 zu steuern, und die Kontaktpads 1102 und 1104 der Halbleitertreibervorrichtung 110 können elektrisch miteinander verbunden sein, um den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 210 bereitzustellen, oder umgekehrt.In the in the 1A-1G In the example shown, the contact pads 2101 and 2103 can be electrified may be electrically connected to each other to provide a cathode terminal of a semiconductor LED device 210, and the contact pads 2202 and 2204 may be electrically connected to each other to provide an anode terminal of a semiconductor LED device 210, or vice versa. The contact pads 1101 and 1103 of the semiconductor driver device 110 may be electrically connected to each other to control the cathode terminal of the semiconductor LED device 210, and the contact pads 1102 and 1104 of the semiconductor driver device 110 may be electrically connected to each other to control the anode terminal of the semiconductor LED device. To provide device 210, or vice versa.

In dem in den 3A+3B dargestellten Beispiel kann das L-förmige Kontaktpad 4101 einen Kathodenanschluss bereitstellen, und das weitere Kontaktpad 4102 kann einen Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 410 bereitstellen, oder umgekehrt. Die Halbleitertreibervorrichtung 410 kann dazu konfiguriert sein, den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 410 über das viereckige Ringkontaktpad 3101 anzusteuern und den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 410 über das weitere Kontaktpad 3102 anzusteuern, oder umgekehrt.In the in the 3A +3B illustrated example, the L-shaped contact pad 4101 may provide a cathode terminal, and the further contact pad 4102 may provide an anode terminal of the semiconductor LED device 410, or vice versa. The semiconductor driver device 410 may be configured to control the cathode connection of the semiconductor LED device 410 via the square ring contact pad 3101 and to control the anode connection of the semiconductor LED device 410 via the further contact pad 3102, or vice versa.

In dem in den 4A+4B dargestellten Beispiel können die Kontaktpads 6101, 6103 elektrisch miteinander verbunden sein, um einen Kathodenanschluss einer Halbleiter-LED-Vorrichtung 610 bereitzustellen, und die Kontaktpads 6102, 6104 können elektrisch miteinander verbunden sein, um einen Anodenanschluss einer Halbleiter-LED-Vorrichtung 610 bereitzustellen, oder umgekehrt. Die Kontaktpads 5101, 5103, 5105, 5107 der Halbleitertreibervorrichtung 510 können elektrisch miteinander verbunden sein, um den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 610 zu steuern, und die Kontaktpads 5102, 5104, 5106, 5108 der Halbleitervorrichtung 510 können elektrisch miteinander verbunden sein, um den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung 610 zu steuern, oder umgekehrtIn the in the 4A +4B illustrated example, the contact pads 6101, 6103 may be electrically connected to each other to provide a cathode terminal of a semiconductor LED device 610, and the contact pads 6102, 6104 may be electrically connected to each other to provide an anode terminal of a semiconductor LED device 610 , or the other way around. The contact pads 5101, 5103, 5105, 5107 of the semiconductor driver device 510 may be electrically connected to each other to control the cathode terminal of the semiconductor LED device 610, and the contact pads 5102, 5104, 5106, 5108 of the semiconductor device 510 may be electrically connected to each other, to control the anode terminal of the semiconductor LED device 610, or vice versa

5 stellt eine Querschnittsansicht einer weiteren beispielhaften Halbleitervorrichtungsanordnung 700 dar. Die Halbleitervorrichtungsanordnung 700 beinhaltet eine erste Halbleitervorrichtung 710 und eine Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1-810_6, die, der ersten Halbleitervorrichtung 710 zugekehrt, damit verbunden sind. Einige der zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1, 810_2, 810_5, 810_6 sind in einer zweiten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung 710 verbunden, und einige andere der zweiten Halbleitervorrichtungen 810_3, 810 4 sind in einer ersten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung 710 verbunden. Bei der Ausführungsform von 5 sind Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung 710 und Kontaktpads der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1-810_6 gemäß der in Zusammenhang mit den 1A-1G dargestellten und beschriebenen Ausführungsform angeordnet. Bei anderen Ausführungsformen können die Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung 710 und der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1-810_6 wie gemäß anderen vorstehend beschriebenen Ausführungsformen dargestellt und beschrieben angeordnet sein. 5 illustrates a cross-sectional view of another exemplary semiconductor device assembly 700. The semiconductor device assembly 700 includes a first semiconductor device 710 and a plurality of second semiconductor devices 810_1-810_6 connected thereto facing the first semiconductor device 710. Some of the second semiconductor devices 810_1, 810_2, 810_5, 810_6 are connected to the first semiconductor device 710 in a second configuration, and some other of the second semiconductor devices 810_3, 810_4 are connected to the first semiconductor device 710 in a first configuration. In the embodiment of 5 are contact pads of the first semiconductor device 710 and contact pads of the plurality of second semiconductor devices 810_1-810_6 according to the in connection with the 1A-1G illustrated and described embodiment arranged. In other embodiments, the contact pads of the first semiconductor device 710 and the plurality of second semiconductor devices 810_1-810_6 may be arranged as shown and described in accordance with other embodiments described above.

Bei einer Ausführungsform der Halbleitervorrichtungsanordnung 700 beinhaltet die erste Halbleitervorrichtung 710 eine Treibervorrichtung 710, und die Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1-810_6 beinhaltet LED-Vorrichtungen 810_1-810_6. Jede der mehreren zweiten Halbleitervorrichtungen 810_1-810_6 kann die gleiche Funktion ausführen. Jede der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 kann eine einzige LED beinhalten und kann als ein diskreter Halbleiterchip oder diskretes Halbleiter-Die implementiert sein. Die LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 können in einer x-mal-y-Array-Konfiguration angeordnet sein, in der x eine positive ganze Zahl größer als 1 ist und y eine positive ganze Zahl größer als 1 ist. Bei einer Ausführungsform können die LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 in einer 250 × 70-,Pixel'-Array für eine Auflösung von ungefähr 16 k angeordnet sein. Allgemein kann die Halbleitervorrichtungsanordnung 700 Dutzende, Hunderte, Tausende oder sogar noch mehr LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 beinhalten.In one embodiment of the semiconductor device assembly 700, the first semiconductor device 710 includes a driver device 710, and the plurality of second semiconductor devices 810_1-810_6 includes LED devices 810_1-810_6. Each of the plurality of second semiconductor devices 810_1-810_6 can perform the same function. Each of the LED devices 810_1-810_6 may include a single LED and may be implemented as a discrete semiconductor chip or die. The LED devices 810_1-810_6 may be arranged in an x-by-y array configuration in which x is a positive integer greater than 1 and y is a positive integer greater than 1. In one embodiment, the LED devices 810_1-810_6 may be arranged in a 250x70 "pixel" array for a resolution of approximately 16k. In general, the semiconductor device assembly 700 may include tens, hundreds, thousands, or even more LED devices 810_1-810_6.

Die Treibervorrichtung 710 kann individuell jede der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 ansteuern oder kann verschiedene Gruppen von LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 getrennt ansteuern. Die Treibervorrichtung 710 beinhaltet eine Treiberschaltungsanordnung zum Ansteuern und Steuern der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6. Zum Beispiel beinhaltet die Treiberschaltungsanordnung 710 Schaltungsanordnungen zum Steuern der Menge von einzelnen und/oder Gruppen der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 durchfließendem Strom, um eine gewünschte Helligkeit bereitzustellen, Schaltungsanordnungen zum Begrenzen von Strom, um eine Beschädigung der LED-Vorrichtungen zu verhindern, Dimmschaltungsanordnungen usw. Bei einer Ausführungsform ist die Treibervorrichtung 710 als ein Halbleiterwafer implementiert. Alternativ kann die Treibervorrichtung 710 als ein Halbleiterchip implementiert sein.The driver device 710 may individually drive each of the LED devices 810_1-810_6 or may separately drive different groups of LED devices 810_1-810_6. The driver device 710 includes driver circuitry for driving and controlling the LED devices 810_1-810_6. For example, the driver circuitry 710 includes circuitry for controlling the amount of current flowing through individual and/or groups of the LED devices 810_1-810_6 to provide a desired brightness, circuitry for limiting current to prevent damage to the LED devices, dimming circuitry etc. In one embodiment, the driver device 710 is implemented as a semiconductor wafer. Alternatively, the driver device 710 may be implemented as a semiconductor chip.

Jede der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 beinhaltet mindestens zwei Kontaktpads, wobei eines der mindestens zwei Kontaktpads einen Anodenanschluss bereitstellt und wobei mindestens ein anderes der mindestens zwei Kontaktpads einen Kathodenanschluss bereitstellt. Die Treibervorrichtung 710 kann mindestens zwei Kontaktpads für jede der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 beinhalten, um ihren Anodenanschluss und Kathodenanschluss anzusteuern. Die Kontaktpads der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 und der Treibervorrichtung 710 sind so ausgeführt, dass jede der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 entweder in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration selektiv mit der Treibervorrichtung 710 verbunden werden kann, wie oben beschrieben. Es hat keine Auswirkung auf die Funktion der Halbleitervorrichtungsanordnung 700, ob und wie viele der LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration auf der Treibervorrichtung 710 angeordnet sind.Each of the LED devices 810_1-810_6 includes at least two contact pads, one of the at least two contact pads providing an anode connection and at least another of the at least two contact pads providing a cathode connection. The driver device Device 710 may include at least two contact pads for each of the LED devices 810_1-810_6 to drive their anode terminal and cathode terminal. The contact pads of the LED devices 810_1-810_6 and the driver device 710 are designed such that each of the LED devices 810_1-810_6 can be selectively connected to the driver device 710 in either a first configuration or a second configuration, as described above. It has no effect on the function of the semiconductor device arrangement 700 whether and how many of the LED devices 810_1-810_6 are arranged on the driver device 710 in the first configuration and in the second configuration.

In dem Beispiel von 5 sind die LED-Vorrichtungen 810_1, 810_2,810_5, 810_6 mit der Treibervorrichtung 710 in der zweiten Konfiguration verbunden, und die LED-Vorrichtungen 810_3, 810_4 sind mit der Treibervorrichtung 710 in der ersten Konfiguration verbunden. Das Gemisch aus den LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration kann das Ergebnis eines Reparaturschritts sein, der, wie hier zuvor in Zusammenhang mit 2 beschrieben wurde, durchgeführt worden ist. Infolgedessen kann die Halbleitervorrichtungsanordnung 700 LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 beinhalten, die alle auf einen korrekten Betrieb verifiziert worden sind und bei denen es eine zuverlässige Verbindung zwischen den LED-Vorrichtungen 810_1-810_6 und der Treibervorrichtung 710 gibt.In the example of 5 the LED devices 810_1, 810_2, 810_5, 810_6 are connected to the driver device 710 in the second configuration, and the LED devices 810_3, 810_4 are connected to the driver device 710 in the first configuration. The mixture of the LED devices 810_1-810_6 in the first configuration and in the second configuration may be the result of a repair step, as previously described herein 2 described has been carried out. As a result, the semiconductor device assembly 700 may include LED devices 810_1-810_6, all of which have been verified for correct operation and in which there is a reliable connection between the LED devices 810_1-810_6 and the driver device 710.

Es werden hier Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zusammengefasst. Aus der Gesamtheit der Beschreibung und den hier eingereichten Ansprüchen gehen auch weitere Ausführungsformen hervor.

Beispiel 1: Eine Halbleitervorrichtungsanordnung, umfassend: eine erste Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, umfasst; und eine zweite Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads umfasst, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, wobei die erste Halbleitervorrichtung dazu konfiguriert ist, mit der zweiten Halbleitervorrichtung, ihr zugekehrt, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration verbunden zu werden, wobei in der zweiten Konfiguration die zweite Halbleitervorrichtung verglichen mit einer Position der zweiten Halbleitervorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der ersten Halbleitervorrichtung definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung und die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an ersten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung an zweiten Gebieten der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung befestigt sind, und wobei die zweiten Gebiete von den ersten Gebieten verschieden sind.
Beispiel 2: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach Beispiel 1, wobei sich die ersten Gebiete nicht mit den zweiten Gebieten überlappen.
Beispiel 3: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach Beispiel 1 oder 2, wobei eine Gesamtkontaktfläche der mindestens zwei Kontaktpads der ersten Halbleitervorrichtung größer ist als eine Gesamtkontaktfläche der mindestens zwei Kontaktpads der zweiten Halbleitervorrichtung.
Beispiel 4: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 3, wobei mindestens eine von der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung mindestens drei Kontaktpads umfasst, und wobei mindestens zwei der mindestens drei Kontaktpads in der mindestens einen von der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung elektrisch miteinander verbunden sind.
Beispiel 5: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 4, wobei die erste Halbleitervorrichtung dazu konfiguriert ist, eine andere Funktion als die zweite Halbleitervorrichtung auszuführen.
Beispiel 6: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 5, wobei die erste Halbleitervorrichtung dazu konfiguriert ist, mindestens einen Teil einer Funktion der zweiten Halbleitervorrichtung über ihre mindestens zwei Kontaktpads zu steuern.
Beispiel 7: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 6, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration eine gleiche Funktion auszuführen.
Beispiel 8: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 6, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration verglichen mit der zweiten Konfiguration zumindest teilweise eine andere Funktion auszuführen.
Beispiel 9. Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 8, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung eine Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen umfasst, die, der ersten Halbleitervorrichtung zugekehrt, mit dieser verbunden sind, wobei mindestens eine der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen in der ersten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung verbunden ist, und wobei mindestens eine andere der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen in der zweiten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung verbunden ist.
Beispiel 10: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach Beispiel 9, wobei die Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen dazu konfiguriert ist, eine gleiche Funktion auszuführen.
Beispiel 11: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 10, wobei die erste Halbleitervorrichtung eine Halbleitertreibervorrichtung umfasst, wobei die zweite Halbleitervorrichtung eine Halbleiter-Leuchtdioden-Vorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung) umfasst, wobei mindestens eines von den mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung einen Kathodenanschluss bereitstellt, wobei mindestens ein anderes der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung einen Anodenanschluss bereitstellt, wobei die Halbleitertreibervorrichtung dazu konfiguriert ist, den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens eines ihrer mindestens zwei Kontaktpads zu steuern, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung ferner dazu konfiguriert ist, den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens ein anderes ihrer mindestens zwei Kontaktpads zu steuern.
Beispiel 12: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach Beispiel 11, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung eine einzige LED umfasst.
Beispiel 13: Die Halbleitervorrichtungsanordnung nach einem der Beispiele 1 bis 12, wobei die erste Halbleitervorrichtung und die zweite Halbleitervorrichtung mindestens eines von einem Chip, einem Die, einem Wafer und einem Leiterrahmen umfassen.
Beispiel 14: Eine Halbleitertreibervorrichtung, umfassend: ein Halbleitersubstrat; und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, wobei die Halbleitertreibervorrichtung dazu konfiguriert ist, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleiterleuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung), ihr zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads umfasst, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, wobei in der zweiten Konfiguration die Halbleiter-LED-Vorrichtung verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der Halbleitertreibervorrichtung definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung durch die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung an ersten Gebieten kontaktiert werden und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung durch die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung an zweiten Gebieten, die von den ersten Gebieten verschieden sind, kontaktiert werden.
Beispiel 15: Die Halbleitertreibervorrichtung nach Beispiel 14, wobei die Halbleitertreibervorrichtung dazu konfiguriert ist, einen Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens eines ihrer mindestens zwei Kontaktpads zu steuern, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung ferner dazu konfiguriert ist, einen Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung über mindestens ein anderes ihrer mindestens zwei Kontaktpads zu steuern.
Beispiel 16: Die Halbleitertreibervorrichtung nach Beispiel 14 oder 15, wobei die Halbleitertreibervorrichtung dazu konfiguriert ist, mit einer Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen, ihnen zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleitertreibervorrichtung ferner dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration mit mindestens einer der Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen verbunden zu werden, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung ferner dazu konfiguriert ist, in der zweiten Konfiguration mit mindestens einer anderen der Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen verbunden zu werden. Beispiel 17: Die Halbleitertreibervorrichtung nach einem der Beispiele 14 bis 16, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung eine einzige LED umfasst.
Beispiel 18: Die Halbleitertreibervorrichtung nach einem der Beispiele 14 bis 17, wobei die Halbleitertreibervorrichtung mindestens eines von einem Chip, einem Die, einem Wafer und einem Leiterrahmen umfasst.
Beispiel 19: Eine Halbleiter-LED-Vorrichtung, umfassend: ein Halbleitersubstrat; und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung dazu konfiguriert ist, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleitertreibervorrichtung, ihr zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleitertreibervorrichtung ein Halbleitersubstrat und mindestens zwei Kontaktpads, die über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet sind, umfasst, wobei in der zweiten Konfiguration die Halbleiter-LED-Vorrichtung verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats der Halbleitertreibervorrichtung definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung erste Gebiete der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung kontaktieren und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung zweite Gebiete der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleitertreibervorrichtung kontaktieren, wobei die zweiten Gebiete von den ersten Gebieten verschieden sind.
Beispiel 20: Die Halbleiter-LED-Vorrichtung nach Beispiel 19, wobei mindestens eines der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung einen Anodenanschluss bereitstellt, und wobei mindestens ein anderes der mindestens zwei Kontaktpads der Halbleiter-LED-Vorrichtung einen Kathodenanschluss bereitstellt.
Beispiel 21: Ein Verfahren, umfassend: Bereitstellen einer ersten Halbleitervorrichtung und einer zweiten Halbleitervorrichtung; Bilden einer temporären Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung in einer ersten Konfiguration; Testen einer Funktionalität der zweiten Halbleitervorrichtung und einer Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung; wenn der Test bestanden ist, Bilden einer permanenten Verbindung zwischen der ersten Halbleitervorrichtung und der zweiten Halbleitervorrichtung; wenn der Test nicht bestanden ist, Abtrennen der zweiten Halbleitervorrichtung von der ersten Halbleitervorrichtung und Befestigen einer weiteren zweiten Halbleitervorrichtung an der ersten Halbleitervorrichtung in einer zweiten Konfiguration.

Embodiments of the present invention are summarized herein. Further embodiments also emerge from the description as a whole and the claims submitted here.

Example 1: A semiconductor device assembly comprising: a first semiconductor device including a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate; and a second semiconductor device comprising a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate, the first semiconductor device configured to be connected to the second semiconductor device facing it in a first configuration or in a second configuration to be, wherein in the second configuration, the second semiconductor device is rotated by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the first semiconductor device compared to a position of the second semiconductor device in the first configuration, wherein the at least two contact pads of the first semiconductor device and the at least two contact pads of the second semiconductor device are designed such that in the first configuration the at least two contact pads of the second semiconductor device are attached to first regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device and in the second configuration the at least two contact pads of the second Semiconductor device is attached to second regions of the at least two contact pads of the first semiconductor device, and wherein the second regions are different from the first regions.
Example 2: The semiconductor device arrangement according to Example 1, wherein the first regions do not overlap with the second regions.
Example 3: The semiconductor device arrangement according to Example 1 or 2, wherein a total contact area of the at least two contact pads of the first semiconductor device is larger than a total contact area of the at least two contact pads of the second semiconductor device.
Example 4: The semiconductor device arrangement according to one of Examples 1 to 3, wherein at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device comprises at least three contact pads, and wherein at least two of the at least three contact pads in the at least one of the first semiconductor device and the second semiconductor device are electrical are connected to each other.
Example 5: The semiconductor device assembly according to any one of Examples 1 to 4, wherein the first semiconductor device is configured to perform a different function than the second semiconductor device.
Example 6: The semiconductor device arrangement according to any one of Examples 1 to 5, wherein the first semiconductor device is configured to control at least a part of a function of the second semiconductor device via its at least two contact pads.
Example 7: The semiconductor device assembly according to any one of Examples 1 to 6, wherein the semiconductor device assembly is configured to perform a same function in the first configuration and in the second configuration.
Example 8: The semiconductor device assembly according to any one of Examples 1 to 6, wherein the semiconductor device assembly is configured to at least partially perform a different function in the first configuration compared to the second configuration.
Example 9. The semiconductor device assembly according to any one of Examples 1 to 8, wherein the semiconductor device assembly includes a plurality of second semiconductor devices connected to the first semiconductor device facing the first semiconductor device, at least one of the plurality of second semiconductor devices in the first configuration being connected to the first Semiconductor device is connected, and at least another one of the plurality of second semiconductor devices in the second configuration is connected to the first semiconductor device.
Example 10: The semiconductor device arrangement according to Example 9, wherein the plurality of second semiconductor devices are configured to perform a same function.
Example 11: The semiconductor device arrangement according to one of Examples 1 to 10, wherein the first semiconductor device comprises a semiconductor driver device, wherein the second semiconductor device comprises a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device), wherein at least one of the at least two contact pads is the semiconductor -LED device provides a cathode connection, wherein at least another one of the at least two contact pads of the semiconductor LED device provides an anode connection, the semiconductor driver device being configured to control the cathode connection of the semiconductor LED device via at least one of its at least two contact pads , and wherein the semiconductor driver device is further configured to control the anode terminal of the semiconductor LED device via at least another one of its at least two contact pads.
Example 12: The semiconductor device arrangement according to Example 11, wherein the semiconductor LED device comprises a single LED.
Example 13: The semiconductor device assembly according to any one of Examples 1 to 12, wherein the first semiconductor device and the second semiconductor device include at least one of a chip, a die, a wafer, and a lead frame.
Example 14: A semiconductor driver device comprising: a semiconductor substrate; and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate, the semiconductor driver device being configured to be connected in a first configuration or in a second configuration to a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device) facing it, wherein the semiconductor LED device comprises a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate, wherein in the second configuration the semiconductor LED device is compared to a position of the semiconductor LED device in the first configuration either is rotated by 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the semiconductor driver device, wherein the at least two contact pads of the semiconductor driver device are designed such that in the first configuration, the at least two contact pads of the semiconductor driver device are connected by the at least two contact pads of the semiconductor -LED device are contacted on first areas and in the second configuration the at least two contact pads of the semiconductor driver device are contacted by the at least two contact pads of the semiconductor LED device on second areas that are different from the first areas.
Example 15: The semiconductor driver device according to Example 14, wherein the semiconductor driver device is configured to control a cathode terminal of the semiconductor LED device via at least one of its at least two contact pads, and wherein the semiconductor driver device is further configured to control an anode terminal of the semiconductor LED device To control the device via at least one other of its at least two contact pads.
Example 16: The semiconductor driver device according to Example 14 or 15, wherein the semiconductor driver device is configured to be connected to a plurality of semiconductor LED devices facing them, the semiconductor driver device further configured to be connected to at least one in the first configuration of the plurality of semiconductor LED devices, and wherein the semiconductor driver device is further configured to be connected to at least another one of the plurality of semiconductor LED devices in the second configuration. Example 17: The semiconductor driver device according to any one of Examples 14 to 16, wherein the semiconductor LED device includes a single LED.
Example 18: The semiconductor driver device according to any one of Examples 14 to 17, wherein the semiconductor driver device includes at least one of a chip, a die, a wafer, and a lead frame.
Example 19: A semiconductor LED device comprising: a semiconductor substrate; and at least two contact pads disposed over a first major surface of the semiconductor substrate are arranged, wherein the semiconductor LED device is configured to be connected in a first configuration or in a second configuration with a semiconductor driver device facing it, the semiconductor driver device comprising a semiconductor substrate and at least two contact pads disposed over a first major surface of the Semiconductor substrate are arranged, wherein in the second configuration the semiconductor LED device compared to a position of the semiconductor LED device in the first configuration by either 90 degrees or 180 degrees in a plane defined by the first main surface of the semiconductor substrate of the semiconductor driver device is rotated, wherein the at least two contact pads of the semiconductor LED device are designed such that in the first configuration the at least two contact pads of the semiconductor LED device contact first areas of the at least two contact pads of the semiconductor driver device and in the second configuration the at least two Contact pads of the semiconductor LED device contact second areas of the at least two contact pads of the semiconductor driver device, the second areas being different from the first areas.
Example 20: The semiconductor LED device according to Example 19, wherein at least one of the at least two contact pads of the semiconductor LED device provides an anode connection, and at least another one of the at least two contact pads of the semiconductor LED device provides a cathode connection.
Example 21: A method comprising: providing a first semiconductor device and a second semiconductor device; forming a temporary connection between the first semiconductor device and the second semiconductor device in a first configuration; testing a functionality of the second semiconductor device and a connection between the first semiconductor device and the second semiconductor device; if the test is passed, forming a permanent connection between the first semiconductor device and the second semiconductor device; if the test is failed, separating the second semiconductor device from the first semiconductor device and attaching a further second semiconductor device to the first semiconductor device in a second configuration.

Claims

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700), umfassend: eine erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710), die ein Halbleitersubstrat (111) und mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108), die über einer ersten Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) angeordnet sind, umfasst; und eine zweite Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6), die ein Halbleitersubstrat (211) und mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) umfasst, die über einer ersten Hauptoberfläche (212) des Halbleitersubstrats (211) angeordnet sind, wobei die erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, mit der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6), ihr zugekehrt, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration verbunden zu werden, wobei in der zweiten Konfiguration die zweite Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) verglichen mit einer Position der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) der ersten Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der ersten Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) und die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) an ersten Gebieten (131, 132, 135, 136, 331, 332) der mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der ersten Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) befestigt sind und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6108) der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) an zweiten Gebieten (133, 134, 137, 138, 333, 134) der mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der ersten Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) befestigt sind, und wobei die zweiten Gebiete (133, 134, 137, 138, 333, 334) von den ersten Gebieten (131, 132, 135, 136, 331, 332) verschieden sind.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700), comprising: a first semiconductor device (110, 310, 510, 710), which has a semiconductor substrate (111) and at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108), which are above a first main surface (112) of the semiconductor substrate (111) are arranged, includes; and a second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6), which comprises a semiconductor substrate (211) and at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) which are over a first main surface (212) of the semiconductor substrate (211) are arranged, wherein the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) is configured to be connected to the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6), facing it, in a first configuration or in a second configuration, wherein in the second configuration, the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) compared to a position of the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) in the first configuration by either 90 degrees or 180 degrees in one is rotated through the first main surface (112) of the semiconductor substrate (111) of the first semiconductor device (110, 310, 510, 710), wherein the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) and the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the second Semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) are designed such that in the first configuration the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1- 810_6) are attached to first regions (131, 132, 135, 136, 331, 332) of the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) and in the second configuration, the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6108) of the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) on second areas (133, 134, 137, 138, 333, 134 ) of the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) are attached, and wherein the second areas (133, 134, 137, 138, 333, 334) are different from the first areas (131, 132, 135, 136, 331, 332).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach Anspruch 1, wobei sich die ersten Gebiete (131, 132, 135, 136, 331, 332) nicht mit den zweiten Gebieten (133, 134, 137, 138, 333, 334) überlappen.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700). Claim 1 , where the first areas (131, 132, 135, 136, 331, 332) do not overlap with the second areas (133, 134, 137, 138, 333, 334).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Gesamtkontaktfläche der mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der ersten Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) größer ist als eine Gesamtkontaktfläche der mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6).Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of the preceding claims che, wherein a total contact area of the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) is larger than a total contact area of the at least two contact pads (2101-2104, 4101+ 4102, 6101-6104) of the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine von der ersten Halbleitervorrichtung (110, 510, 710) und der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 610, 810_1-810_6) mindestens drei Kontaktpads (1101-1104, 5101-5108, 2101-2104, 6101-6104) umfasst, und wobei mindestens zwei der mindestens drei Kontaktpads (1101-1104, 5101-5108, 2101-2104, 6101-6104) in der mindestens einen von der ersten Halbleitervorrichtung (110, 510, 710) und der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 610, 810_1-810_6) elektrisch miteinander verbunden sind.Semiconductor device arrangement (100, 500, 700) according to one of the preceding claims, wherein at least one of the first semiconductor device (110, 510, 710) and the second semiconductor device (210, 610, 810_1-810_6) has at least three contact pads (1101-1104, 5101 -5108, 2101-2104, 6101-6104), and wherein at least two of the at least three contact pads (1101-1104, 5101-5108, 2101-2104, 6101-6104) in the at least one of the first semiconductor device (110, 510 , 710) and the second semiconductor device (210, 610, 810_1-810_6) are electrically connected to one another.

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, eine andere Funktion als die zweite Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) auszuführen.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of the preceding claims, wherein the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) is configured to perform a different function than the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6 ).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, mindestens einen Teil einer Funktion der zweiten Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) über ihre mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) zu steuern.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of the preceding claims, wherein the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) is configured to provide at least a part of a function of the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1- 810_6) via its at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration und in der zweiten Konfiguration eine gleiche Funktion auszuführen.A semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to any one of the preceding claims, wherein the semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) is configured to perform a same function in the first configuration and in the second configuration.

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration verglichen mit der zweiten Konfiguration zumindest teilweise eine andere Funktion auszuführen.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of Claims 1 until 6 , wherein the semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) is configured to at least partially perform a different function in the first configuration compared to the second configuration.

Halbleitervorrichtungsanordnung (700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleitervorrichtungsanordnung (700) eine Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen (810_1-810_6) umfasst, die, der ersten Halbleitervorrichtung (710) zugekehrt, mit dieser verbunden sind, wobei mindestens eine (810_1, 810_2, 810_5, 810_6) der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen (810_1-810_6) in der ersten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung (710) verbunden ist, und wobei mindestens eine andere (810_3, 810_4) der Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen (810_1-810_6) in der zweiten Konfiguration mit der ersten Halbleitervorrichtung (710) verbunden ist.Semiconductor device arrangement (700) according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor device arrangement (700) comprises a plurality of second semiconductor devices (810_1-810_6) which face the first semiconductor device (710) and are connected thereto, wherein at least one (810_1, 810_2, 810_5, 810_6) of the plurality of second semiconductor devices (810_1-810_6) in the first configuration is connected to the first semiconductor device (710), and wherein at least another one (810_3, 810_4) of the plurality of second semiconductor devices (810_1-810_6) in the second configuration is connected to the first semiconductor device (710).

Halbleitervorrichtungsanordnung (700) nach Anspruch 9, wobei die Mehrzahl von zweiten Halbleitervorrichtungen (810_1-810_6) dazu konfiguriert ist, eine gleiche Funktion auszuführen.Semiconductor device arrangement (700). Claim 9 , wherein the plurality of second semiconductor devices (810_1-810_6) are configured to perform a same function.

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) eine Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) umfasst, wobei die zweite Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) eine Halbleiter-Leuchtdioden-Vorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung) (210, 410, 610, 810_1-810_6) umfasst, wobei mindestens eines von den mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) einen Kathodenanschluss bereitstellt, wobei mindestens ein anderes der mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) einen Anodenanschluss bereitstellt, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, den Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) über mindestens eines ihrer mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) zu steuern, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) ferner dazu konfiguriert ist, den Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) über mindestens ein anderes ihrer mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) zu steuern.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of the preceding claims, wherein the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) comprises a semiconductor driver device (110, 310, 510, 710), wherein the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) comprises a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device) (210, 410, 610, 810_1-810_6), wherein at least one of the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) provides a cathode connection, wherein at least one other of the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) provides an anode connection, wherein the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) is configured to drive the cathode connection of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) via at least one of its at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102 , 5101-5108) to control, and wherein the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) is further configured to drive the anode terminal of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) via at least another one of its at least two contact pads (1101-1104, 3101 +3102, 5101-5108).

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach Anspruch 11, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) eine einzige LED umfasst.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700). Claim 11 , wherein the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) comprises a single LED.

Halbleitervorrichtungsanordnung (100, 300, 500, 700) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Halbleitervorrichtung (110, 310, 510, 710) und die zweite Halbleitervorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) mindestens eines von einem Chip, einem Die, einem Wafer und einem Leiterrahmen umfassen.Semiconductor device arrangement (100, 300, 500, 700) according to one of the preceding claims, wherein the first semiconductor device (110, 310, 510, 710) and the second semiconductor device (210, 410, 610, 810_1-810_6) are at least one of a chip, a die, a wafer and a leadframe.

Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710), umfassend: ein Halbleitersubstrat (111); und mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108), die über einer ersten Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) angeordnet sind, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleiterleuchtdiodenvorrichtung (Halbleiter-LED-Vorrichtung) (210, 410, 610, 810_1-810_6), ihr zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) ein Halbleitersubstrat (211) und mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) umfasst, die über einer ersten Hauptoberfläche (212) des Halbleitersubstrats (211) angeordnet sind, wobei in der zweiten Konfiguration die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) durch die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) an ersten Gebieten (131, 132, 135, 136, 331, 332) kontaktiert werden und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) durch die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) an zweiten Gebieten (133, 134, 137, 138, 333, 334), die von den ersten Gebieten (131, 132, 135, 136, 331, 332) verschieden sind, kontaktiert werden.Semiconductor driver device (110, 310, 510, 710), comprising: a semiconductor substrate (111); and at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) which are arranged over a first main surface (112) of the semiconductor substrate (111), the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) being configured to do so, in a first configuration or in a second configuration with a semiconductor light-emitting diode device (semiconductor LED device) (210, 410, 610, 810_1-810_6) facing it, the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) comprises a semiconductor substrate (211) and at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) which are arranged over a first main surface (212) of the semiconductor substrate (211), in the second Configuration the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) compared to a position of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) in the first configuration by either 90 degrees or 180 degrees is rotated in a plane defined by the first main surface (112) of the semiconductor substrate (111) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710), wherein the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) are designed such that in the first configuration the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) are connected by the at least two Contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) are contacted on first areas (131, 132, 135, 136, 331, 332) and in the second configuration, the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) through the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) on second areas (133, 134, 137, 138, 333, 334) separated from the first areas (131, 132, 135, 136, 331, 332) are different.

Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) nach Anspruch 14, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) dazu konfiguriert ist, einen Kathodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) über mindestens eines ihrer mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) zu steuern, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) ferner dazu konfiguriert ist, einen Anodenanschluss der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) über mindestens ein anderes ihrer mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) zu steuern.Semiconductor driver device (110, 310, 510, 710). Claim 14 , wherein the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) is configured to drive a cathode connection of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) via at least one of its at least two contact pads (1101-1104, 3101+ 3102, 5101-5108), and wherein the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) is further configured to drive one anode terminal of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) via at least one other to control their at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108).

Halbleitertreibervorrichtung (710) nach Anspruch 14 oder 15, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (710) dazu konfiguriert ist, mit einer Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen (810_1-810_6), ihnen zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (710) ferner dazu konfiguriert ist, in der ersten Konfiguration mit mindestens einer der Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen (810_1-810_6) verbunden zu werden, und wobei die Halbleitertreibervorrichtung (710) ferner dazu konfiguriert ist, in der zweiten Konfiguration mit mindestens einer anderen der Mehrzahl von Halbleiter-LED-Vorrichtungen (810_1-810_6) verbunden zu werden.Semiconductor driver device (710). Claim 14 or 15 , wherein the semiconductor driver device (710) is configured to be connected to a plurality of semiconductor LED devices (810_1-810_6) facing them, wherein the semiconductor driver device (710) is further configured to, in the first configuration, with at least one of the plurality of semiconductor LED devices (810_1-810_6), and wherein the semiconductor driver device (710) is further configured to be connected in the second configuration to at least another one of the plurality of semiconductor LED devices (810_1-810_6 ) to be connected.

Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) eine einzige LED umfasst.Semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) according to one of Claims 14 until 16 , wherein the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) comprises a single LED.

Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) mindestens eines von einem Chip, einem Die, einem Wafer und einem Leiterrahmen umfasst.Semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) according to one of Claims 14 until 17 , wherein the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) includes at least one of a chip, a die, a wafer and a lead frame.

Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6), umfassend: ein Halbleitersubstrat (211); und mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104), die über einer ersten Hauptoberfläche (212) des Halbleitersubstrats (211) angeordnet sind, wobei die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) dazu konfiguriert ist, in einer ersten Konfiguration oder in einer zweiten Konfiguration mit einer Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710), ihr zugekehrt, verbunden zu werden, wobei die Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) ein Halbleitersubstrat (111) und mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108), die über einer ersten Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) angeordnet sind, umfasst, wobei in der zweiten Konfiguration die Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) verglichen mit einer Position der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) in der ersten Konfiguration entweder um 90 Grad oder 180 Grad in einer durch die erste Hauptoberfläche (112) des Halbleitersubstrats (111) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) definierten Ebene gedreht ist, wobei die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) so ausgeführt sind, dass in der ersten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) erste Gebiete (131, 132, 135, 136, 331, 332) der mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) kontaktieren, und in der zweiten Konfiguration die mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) zweite Gebiete (133, 134, 137, 138, 333, 334) der mindestens zwei Kontaktpads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) der Halbleitertreibervorrichtung (110, 310, 510, 710) kontaktieren, wobei die zweiten Gebiete (133, 134, 137, 138, 333, 334) von den ersten Gebieten (131, 132, 135, 136, 331, 332) verschieden sind.A semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) comprising: a semiconductor substrate (211); and at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) which are arranged over a first main surface (212) of the semiconductor substrate (211), the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1- 810_6) is configured to be connected in a first configuration or in a second configuration to a semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) facing it, the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) being a semiconductor substrate ( 111) and at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) which are arranged over a first main surface (112) of the semiconductor substrate (111), wherein in the second configuration the semiconductor LED device ( 210, 410, 610, 810_1-810_6) compared to a position of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) in the first configuration by either 90 degrees or 180 degrees in one through the first main surface (112 ) of the semiconductor substrate (111) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710) is rotated, the at least two contact pads (2101-2104, 4101 + 4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410 , 610, 810_1-810_6) are designed so that in the first configuration the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) first areas (131, 132, 135, 136, 331, 332) of the at least two contact pads (1101-1104, 3101+3102, 5101-5108) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710), and in the second configuration the at least two contact pads ( 2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) second regions (133, 134, 137, 138, 333, 334) of the at least two contact pads (1101 -1104, 3101+3102, 5101-5108) of the semiconductor driver device (110, 310, 510, 710), the second regions (133, 134, 137, 138, 333, 334) being separated from the first regions (131, 132, 135, 136, 331, 332) are different.

Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) nach Anspruch 19, wobei mindestens eines der mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) einen Anodenanschluss bereitstellt, und wobei mindestens ein anderes der mindestens zwei Kontaktpads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) der Halbleiter-LED-Vorrichtung (210, 410, 610, 810_1-810_6) einen Kathodenanschluss bereitstellt.Semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6). Claim 19 , wherein at least one of the at least two contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) provides an anode connection, and wherein at least another one of the at least two Contact pads (2101-2104, 4101+4102, 6101-6104) of the semiconductor LED device (210, 410, 610, 810_1-810_6) provides a cathode connection.