DE102022105706A1 - Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten - Google Patents

Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten Download PDF

Info

Publication number
DE102022105706A1
DE102022105706A1 DE102022105706.2A DE102022105706A DE102022105706A1 DE 102022105706 A1 DE102022105706 A1 DE 102022105706A1 DE 102022105706 A DE102022105706 A DE 102022105706A DE 102022105706 A1 DE102022105706 A1 DE 102022105706A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic field
field sensor
magnetic
producing
encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022105706.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Rainer Markus Schaller
Jochen Dangelmaier
Klaus Elian
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102022105706.2A priority Critical patent/DE102022105706A1/de
Priority to US18/179,700 priority patent/US20230292626A1/en
Priority to CN202310221021.5A priority patent/CN116736195A/zh
Publication of DE102022105706A1 publication Critical patent/DE102022105706A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0047—Housings or packaging of magnetic sensors ; Holders
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/80—Constructional details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Vorgeschlagen wird ein Magnetfeldsensor (0600) mit einem Halbleiterchip (0111), wobei der Halbleiterchip (0111) wenigstens ein Magnetfeldsensorelement (0112) aufweist, wobei der Halbleiterchip (0111) in einer Halbleiterchipeinkapselung eingebettet ist, mit einem Permanentmagneten, wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet ist, wobei sich eine Grenzschicht zwischen der Halbleiterchipeinkapselung und der Magneteinkapselung bis zu einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors erstreckt. Weiter werden Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors offenbart.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors und Magnetfeldsensoren.
  • Moderne Magnetfeldsensoren weisen typischerweise einen Halbleiterchip auf, in welchem ein unter Verwendung einer Halbleitertechnologie hergestelltes Magnetfeldsensorelement bereitgestellt wird. Für viele Anwendungen ist ein Vormagnetisierungsfeld ein Vorteil. Häufig weisen herkömmliche Magnetfeldsensoren folglich einen Permanentmagneten auf, um dieses Vormagnetisierungsfeld zu erzeugen.
  • Ein Magnetfeldsensor mit einem solchen Permanentmagneten ist beispielsweise in der DE 10 2020 111 626 A1 offenbart.
  • Magnetfeldsensoren der voranstehend beschriebenen Art werden beispielsweise als Nockenwellensensoren von Verbrennungsmotoren verwendet und sind dort hohen thermischen und mechanischen Belastungen ausgesetzt.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einem Verfahren zur Herstellung besonders robuster Magnetfeldsensoren mit hoher Lebensdauer und entsprechenden Magnetfeldsensoren.
  • Diesem Bedarf wird mit dem Gegenstand des Hauptanspruchs und der Nebenansprüche entsprochen. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
  • Vorgeschlagen wird ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors umfassend: Bereitstellen eines Chipträgers, wobei der Chipträger wenigstens zwei Halbleiterchips aufweist, wobei die Halbleiterchips jeweils wenigstens ein Magnetfeldsensorelement aufweisen, Bereitstellen eines Magnetschichtträgers, Verbinden des Magnetschichtträgers mit dem Chipträger, Vereinzeln.
  • Weiter wird offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors umfassend: Bereitstellen eines Magnetschichtträgers, wobei der Magnetschichtträger wenigstens einen Permanentmagneten umfasst; und Auswählen eines Permanentmagneten und Platzieren des Permanentmagneten auf einem Magnetsensorchip.
  • Schließlich wird vorgeschlagen ein Magnetfeldsensor mit einem Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip wenigstens ein Magnetfeldsensorelement aufweist, wobei der Halbleiterchip in einer Halbleiterchipeinkapselung eingebettet ist, mit einem Permanentmagneten, wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet ist, wobei sich eine Grenzschicht zwischen der Halbleiterchipeinkapselung und der Magneteinkapselung bis zu einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors erstreckt.
  • Aspekte verschiedener Beispiele von Magnetfeldsensoren und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensoren werden nunmehr anhand der Figuren erläutert. Dabei zeigt
    • 1 einen Schritt zur Herstellung eines ersten Magnetsensors;
    • 2 einen weiteren Schritt zur Herstellung des ersten Magnetsensors;
    • 3 einen weiteren Schritt zur Herstellung des ersten Magnetsensors;
    • 4 einen weiteren Schritt zur Herstellung des ersten Magnetsensors;
    • 5 einen weiteren Schritt zur Herstellung des ersten Magnetsensors;
    • 6 einen weiteren Schritt zur Herstellung des ersten Magnetsensors;
    • 7 einen Schritt zur Herstellung eines zweiten Magnetsensors;
    • 8 einen weiteren Schritt zur Herstellung des zweiten Magnetsensors;
    • 9 einen Schritt zur Herstellung eines dritten Magnetsensors;
    • 10 einen weiteren Schritt zur Herstellung des dritten Magnetsensors;
    • 11 einen Schritt zur Herstellung eines vierten Magnetsensors;
    • 12 einen weiteren Schritt zur Herstellung des vierten Magnetsensors;
    • 13 einen Schritt zur Herstellung eines fünften Magnetsensors;
    • 14 einen weiteren Schritt zur Herstellung des fünften Magnetsensors;
    • 15 einen weiteren Schritt zur Herstellung des fünften Magnetsensors;
    • 16 einen weiteren Schritt zur Herstellung des fünften Magnetsensors;
    • 17 einen weiteren Schritt zur Herstellung des fünften Magnetsensors;
    • 18 einen weiteren Schritt zur Herstellung des fünften Magnetsensors;
    • 19 einen Schritt zur Herstellung eines sechsten Magnetsensors;
    • 20 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 21 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 22 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 23 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 24 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 25 einen weiteren Schritt zur Herstellung des sechsten Magnetsensors;
    • 26 siebte Magnetsensoren;
    • 27 einen Schritt zur Herstellung eines achten Magnetsensors;
    • 28 einen weiteren Schritt zur Herstellung des achten Magnetsensors;
    • 29 einen weiteren Schritt zur Herstellung des achten Magnetsensors;
    • 30 einen weiteren Schritt zur Herstellung des achten Magnetsensors;
    • 31 einen Schritt zur Herstellung eines neunten Magnetsensors;
    • 32 einen weiteren Schritt zur Herstellung des neunten Magnetsensors;
    • 33 einen weiteren Schritt zur Herstellung des neunten Magnetsensors.
  • 1 zeigt einen Chipträger 0110 und einen Magnetschichtträger 0120. Der Chipträger 0110 weist wenigstens zwei Halbleiterchips 0111 auf. Der Halbleiterchip 0111 umfasst ein Magnetfeldsensorelement 0112. Typischerweise weist der Chipträger 0110 eine sehr große Anzahl Halbleiterchips 0111 auf. Beispielsweise kann der Chipträger 0110 mehr als 100, insbesondere mehr als 500, insbesondere mehr als 1000 Halbliterchips 0111, insbesondere gleiche Halbleiterchips aufweisen.
  • Bei dem Magnetfeldsensorelement 0112 handelt es sich um ein resistives Magnetfeldsensorelement 0112. Grundsätzlich ist allerdings ebenfalls denkbar, ein Hall-Effekt-basiertes Magnetfeldsensorelement zu verwenden.
  • Der Chipträger 0110 weist weiter eine Zwischenverdrahtungsschicht 0113 auf. Diese stellt Leitungen 0114 bereit, mit welcher Kontakte des Halbleiterchips 0111 mit außen liegenden Kontakten verbunden werden können. Die Zwischenverdrahtungsschicht kann als ein- oder mehrschichtige Polymerfolie ausgebildet sein. Die Halbleiterchips 0111 sind in einer Halbleiterchipeinkapselung 0115 eingebettet.
  • Der Magnetschichtträger 0120 umfasst eine Magnetschicht 0121 und eine Klebeschicht 0122. Die Magnetschicht kann aus einem gesinterten Material, insbesondere gesintertem Ferritmaterial, hergestellt sein. Die Klebeschicht 0122 kann auch als Teil des Chipträgers 0110 vorgesehen sein. Ebenfalls wäre es denkbar, dass sowohl der Chipträger 0110 als auch der Magnetschichtträger 0120 eine Klebeschicht aufweisen.
  • In der 2 sind der Magnetschichtträger 0120 und der Chipträger im miteinander verbundenen Zustand dargestellt.
  • Der Chipträger 0110 kann rechteckige Abmessungen von mehr als 100 mm mal 100 mm, insbesondere mehr als 200 mm mal 200 mm aufweisen. Die Halbleiterchips 0111 des Chipträgers 0110 können an wohldefinierten Positionen des Chipträgers 0110 angeordnet sein. Es ist auch denkbar, dass der Chipträger 0110 im Wesentlichen kreisrunde Abmessungen mit einem Durchmesser von mehr als 190 mm, insbesondere mehr als 290 mm hat. Die Abmessungen des Chipträgers 0110 können insbesondere der Größe eines Wafers entsprechen. Dies kann es erlauben, bereits verfügbare Anlagen zum Prozessieren und den Transport des Chipträgers 0110 zu verwenden. Insbesondere kann auf eine individuelle Anfertigung von Herstellungsvorrichtungen ggf. verzichtet werden. Die Abmessungen des Magnetschichtträgers 0120 können den Abmessungen des Chipträgers 0110 entsprechen, so dass der Chipträger 0110 und der Magnetschichtträger 0120 beim Zusammenfügen einfach in Deckung gebracht werden können.
  • Wie in der 3 dargestellt kann die Magnetschicht 0121 des Magnetschichtträgers 0120 in eine Vielzahl von Permanentmagnete 0321 unterteilt werden. Dies kann beispielsweise durch Sägen geschehen. In der 3 sind Gräben 0330 dargestellt, welche die Permanentmagnete 0321 voneinander trennen. Die Gräben 0330 können sich durch die Klebeschicht 0122 und bis in die Halbleiterchipeinkapselung 0115 erstrecken. Die Ausrichtung der Gräben 0330 kann dabei so gewählt sein, dass ein Kontakt mit den vordefinierten Positionen des Chipträgers 0111 befindlichen Halbleiterchips 0111 im Chipträger 0110 vermieden werden kann. Die mittels der Gräben 0330 voneinander getrennten Permanentmagnete 0321 können im Wesentlichen die Abmessungen eines Quaders, insbesondere eines Würfels haben.
  • In der 4 ist gezeigt, dass die Permanentmagneten 0321 mit einer Magneteinkapslung 0431 abgedeckt werden. Hierzu kann beispielsweise eine Gasphasenabscheidung oder ein anderer Beschichtungsprozess, beispielsweise eine Sprühbeschichtung, verwendet werden. Es wäre auch denkbar, die Abdeckung mittels eines Spritzgießprozesses zu realisieren. Bei der Abdeckung der Permanentmagneten 0321 kann der Graben 0330 ggf. auch vollständig aufgefüllt werden.
  • Anschließend kann eine Vereinzelung durchgeführt werden. Hierzu können der Magnetschichtträger 0120 und der Chipträger 0110 vollständig durchtrennt werden, wie es in der 5 dargestellt ist.
  • Anschließend können Lotkugeln 0616 auf der dem Halbleiterchip 0111 gegenüberliegenden Seite der Zwischenverdrahtungsschicht vorgesehen werden, mit denen der Magnetfeldsensor 0600 an Leiterplatten befestigt werden kann. Denkbar wäre es auch, die Lotkugeln 0616 vor dem Vereinzeln anzubringen.
  • Der Magnetfeldsensor 0600 weist folglich einen Halbleiterchip 0111 und einen Permanentmagnet 0321 auf. Der Halbleiterchip 0111 umfasst wenigstens ein Magnetfeldsensorelement 0112 auf und ist in einer Halbleiterchipeinkapselung 0115 eingebettet. Eine Grenzschicht zwischen der Halbleiterchipeinkapselung 0115 und einer Magneteinkapselung 0431, in welcher der Permanentmagnet 0321 eingebettet ist, erstreckt sich bis zu einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors 0600. Unter einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors 0600 kann insbesondere eine Oberfläche verstanden werden, die von außen sichtbar ist. Die Grenzschicht ist im Fall der 6 als Kontaktfläche ausgebildet. Das Magnetfeldsensorelement 0112 ist bei dem in der 6 gezeigten Magnetfeldsensor 0600 an einer dem Permanentmagneten 0321 abgewandten Seite des Halbleiterchips 0111 angeordnet.
  • In den 7 und 8 sind Schritte zur Herstellung eines weiteren Magnetfeldsensors 0800 dargestellt. Zu den Elementen 0122, 0115, 0111, 0112, 0113, 0114 wird auf die voranstehenden Erläuterungen verwiesen. Nach 7 wird die Magnetschicht 0121 des Magnetschichtträgers 0120 (vgl. 2) in eine Vielzahl von Permanentmagneten 0721 unterteilt. Im Unterschied zu dem in der 3 dargestellten Beispiel sind die Permanentmagnete 0721 nicht als Quader, sondern als, insbesondere regelmäßige Pyramidenstümpfe, insbesondere mit rechteckiger, insbesondere quadratischer Grundfläche, ausgebildet. Dies kann zur Ausprägung eines in Stärke und Verteilung besonders vorteilhaften Vormagnetisierungsfeld führen. Nach dem Unterteilen der Magnetschicht 0121 des Magnetschichtträgers 0120 kann wieder eine Beschichtung 0831 aufgebracht und eine Vereinzelung des Verbundes aus Chipträger und Magnetschichtträger durchgeführt werden, um die Vielzahl von einzelnen Magnetfeldsensoren 0800 zu erhalten.
  • 9 zeigt einen mit einem Chipträger 0910 verbundenen Magnetschichtträger 0920 zur Herstellung eines weiteren Magnetfeldsensors. Der Magnetschichtträger 0920 weist wiederum eine Magnetschicht 0921 und eine Klebeschicht 0922 auf. Der Chipträger 0910 umfasst wenigstens zwei Halbleiterchips 0911, die jeweils einen Magnetfeldsensorelement 0912 aufweisen. Das Magnetfeldsensorelement 0912 ist auf der dem Magnetschichtträger 0920 zugewandten Seite des Halbleiterchips 0911 angeordnet. Im Unterschied zum Chipträger 0110 ist bei dem Chipträger 0910 ein Leadframe 0913 zur späteren elektrischen Verbindung der Magnetfeldsensoren mit einer Auswerteinheit vorgesehen. Die elektrischen Kontakte des Halbleiterchips 0911 sind entsprechend mittels Drähten 0918 mit dem Leadframe 0913 elektrisch verbunden. Die Halbleiterchipeinkapselung 0915, in welcher die Halbleiterchips 0911 eingebettet sind, unterstützt die mechanische Verbindung zwischen den Halbleiterchips 0911 und dem Leadframe 0913. Sie schützt ebenfalls die elektrischen Drahtverbindungen 0918 vor Beschädigungen.
  • In der 10 sind die vereinzelten Magnetfeldsensoren 1000 dargestellt. Diese weisen eine Magneteinkapselung 1031 auf, welche die Permanentmagneten 1021 schützt. Die Permanentmagneten 1021 können aus der Magnetschicht 0921 auf die gleiche Weise gebildet werden, wie es in Bezug auf die 3 und 7 erläutert worden ist. Die Magneteinkapselung 1031 und Vereinzelung kann entsprechend den 4, 5 bzw. 8 durchgeführt werden.
  • 11 illustriert einen Schritt zur Herstellung eines weiteren Magnetfeldsensors. Der mit einem Chipträger 1110 verbundenen Magnetschichtträger 1120 dient zur Herstellung von Magnetfeldsensoren. Der Magnetschichtträger 1120 weist ebenfalls eine Magnetschicht 1121 und eine Klebeschicht 1122 auf. Der Chipträger 1110 umfasst wenigstens zwei Halbleiterchips 1111, die jeweils ein Magnetfeldsensorelement 1112 aufweisen. Das Magnetfeldsensorelement 1112 ist auf der dem Magnetschichtträger 1120 abgewandten Seite des Halbleiterchips 1111 angeordnet. Der Chipträger 1110 weist einen Leadframe 1113 zur späteren elektrischen Verbindung der Magnetfeldsensoren mit einer Auswerteinheit auf.
  • Die elektrischen Kontakte des Halbleiterchips 1111 sind mit Lotkugeln 1118 mit dem Leadframe 1113 elektrisch verbunden.
  • Die Halbleiterchipeinkapselung 1115, in welcher die Halbleiterchips 1111 eingebettet sind, unterstützt die mechanische und elektrische Verbindung zwischen den Halbleiterchips 1111 und dem Leadframe 1113.
  • 12 zeigt die vereinzelten Magnetfeldsensoren 1200. Die Magneteinkapselung 1231 schützt die Permanentmagneten 1221. Die Permanentmagneten 1221 können aus der Magnetschicht 1121 auf die gleiche Weise gebildet werden, wie es in Bezug auf die 3 und 7 erläutert worden ist. Die Magneteinkapselung 1231 und Vereinzelung kann entsprechend den 4, 5 bzw. 8 durchgeführt werden.
  • Die 13 bis 18 zeigen Schritte zur Herstellung eines weiteren Magnetfeldsensors 1800. Nach 13 kann auf einem, insbesondere wiederverwendbaren, Träger 1340 mittels einer Klebeschicht 1322 eine Magnetschicht 1321 aufgebracht werden. Wie in der 14 illustriert wird, können aus der Magnetschicht 1321 z.B. durch Sägen Permanentmagnete 1421 hergestellt werden. Die Permanentmagnete 1421 können quaderförmige Abmessungen haben. Gemäß 15 kann anschließend eine Magneteinkapselung 1531 bereitgestellt werden, um die Permanentmagnete 1421 zu schützen, insbesondere vor mechanischen Beanspruchungen.
  • Entsprechend der 16, kann der Magnetschichtträger 1620 mit der Magneteinkapselung 1531, den Permanentmagneten 1421 und der Klebeschicht 1322 von dem Träger 1340 abgehoben werden und auf einen Chipträger 1610 gesetzt werden. Der Chipträger 1610 weist wenigstens zwei Halbleiterchips 1611 auf, die jeweils ein Magnetfeldsensorelement 1612 umfassen. Die Halbleiterchips 1611 sind in einer Halbleiterchipeinkapselung 1651 angeordnet.
  • Weiter kann der Chipträger 1610 eine Zwischenverdrahtungsschicht 1613 umfassen, in welcher Leiter 1614 vorgesehen sind, um elektrische Anschlüsse der Halbleiterchips 1611 nach außen zu führen.
  • Die 17 zeigt den Magnetschichtträger 1620 und den Chipträger 1610 im mittels der Klebeschicht 1322 verbundenen Zustand.
  • Anschließend kann eine Vereinzelung stattfinden und Lotkugeln können bereitgestellt werden, um den Magnetfeldsensor 1800 zu erhalten.
  • Die 19 bis 25 illustrieren beispielhaft ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors 2500. Eine Magnetschicht 1921 kann in einer Form 1941, 1942 mit einer Magneteinkapselungsschicht 1931 versehen werden (20) und auf einem, insbesondere wiederverwendbaren, Träger 2040 angeordnet werden. Die Magnetschicht 1921 kann in Permanentmagnete 2121 zerteilt werden (21). Anschließend können auf den Permanentmagneten 2121 Halbleiterchips 2211 angeordnet werden, welche ein Magnetfeldsensorelement 2212 aufweisen. Das Magnetfeldsensorelement 2212 kann dabei insbesondere auf der den Permanentmagneten 2121 abgewandten Seite der Halbleiterchips 2211 vorgesehen sein. Die Halbleiterchips 2211 können in einer Halbleiterchipeinkapselung 2315 eingebettet werden (23). Dazu kann gegebenenfalls auf Formen zurückgegriffen werden wie es in 19 gezeigt ist. Insbesondere kann die Halbleiterchipeinkapselung 2315 durch Spritzgießen ermöglicht werden.
  • Nach 24 kann ein Aufbringen einer Zwischenverdrahtungsschicht 2413 und das Bereitstellen von Lotkugeln 2414 vorgesehen sein. Der in der 24 gezeigte Stapel kann auf einem weiteren Träger 2540 angeordnet und vereinzelt werden, um die Magnetfeldsensoren 2500 zu erhalten.
  • In der 26 sind weitere Magnetfeldsensoren 2600 dargestellt. Die mit den Bezugszeichen 2631, 2621, 2622, 2615 bezeichneten Elemente können dabei jeweils den Elementen 1531, 1421, 1322, 1651 gemäß 18 entsprechen und die mit den Bezugszeichen 2615, 2612, 2611, 2614, 2613 bezeichneten Elemente können jeweils den Elementen 0915, 0912, 0911, 0913, 0918 gemäß 10 entsprechen.
  • Ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors ist in den 27 bis 30 dargestellt.
  • Nach 27 kann auf einem, insbesondere wiederverwendbaren, Träger 2740 mittels einer Klebeschicht 2722 eine Magnetschicht 2721 aufgebracht werden. Wie in der 28 illustriert wird, können aus der Magnetschicht 2721, z.B. durch Sägen, Permanentmagnete 2821 hergestellt werden. Die Permanentmagnete 2821 können quaderförmige Abmessungen haben. Gemäß 29 kann anschließend eine Magneteinkapselung 2931 bereitgestellt werden, um die Permanentmagnete 2921 zu schützen, insbesondere vor mechanischen Beanspruchungen. Die Magneteinkapselung 2931 kann für jeden Permanentmagneten 2821 getrennt hergestellt werden. Typischerweise kann allerdings zunächst eine gemeinsame Magneteinkapselungsschicht für alle auf dem Träger 2740 befindlichen Permanentmagneten 2821 vorgesehen sein, die dann in die jeweiligen Magneteinkapselungen 2931 der Permanentmagnete 2821 geteilt wird. Anschließend können die mit der Magneteinkapselung 2931 versehenen Permanentmagnete 2821 von dem Träger entnommen werden und auf einem Magnetsensorchip platziert werden, um den Magnetfeldsensor 3000 zu erhalten. Die Elemente 3012, 3011, 3013, 3015 des Magnetsensorchips können dabei den Elementen 2612, 2611, 2614, 2613 entsprechen.
  • Auch die 31 bis 33 illustrieren ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors 3300.
  • Entsprechend der 31 können Permanentmagneten 3121 in Ausnehmungen einer Form 3141, 3142 angeordnet werden. Die Form 3141, 3142 weist Abstandshalter 3141 auf, so dass die Permanentmagneten 3121 einen Abstand zum Boden der Ausnehmungen haben. Anschließend wird in die Form 3141, 3142 ein Material zur Herstellung einer Magneteinkapselung 3231 eingebracht. Mit Ausnahme der Stellen, an denen die Abstandshalter 3141 angeordnet sind, umschließt die Magneteinkapselung 3231 die Permanentmagneten 3121 im Wesentlichen vollständig. Die Permanentmagnete 2821 können eine beliebige Gestalt haben. Anschließend können die mit der Magneteinkapselung 2931 versehenen Permanentmagnete 2821 von dem Träger entnommen werden und auf einem Magnetsensorchip platziert werden, um den Magnetsensor 3300 zu erhalten. Im Unterschied zum Beispiel der 22 kann die zur Verbindung vorgesehene Klebeschicht 3322 am Magnetsensorchip vorgesehen sein. Die Elemente 3312, 3311, 3313, 3315 des Magnetsensorchips können den Elementen 2612, 2611, 2614, 2613 entsprechen.
  • Einige Ausführungsbeispiele werden durch die nachfolgenden Beispiele definiert:
    • Beispiel 1. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors (0600, 0800, 1200, 1800) umfassend:
      • - Bereitstellen eines Chipträgers (0110), wobei der Chipträger (0110) wenigstens zwei Halbleiterchips (0111) aufweist,
        • wobei die Halbleiterchips (0111) jeweils wenigstens ein Magnetfeldsensorelement (0112) aufweisen,
      • - Bereitstellen eines Magnetschichtträgers (0210),
      • - Verbinden des Magnetschichtträgers (0210) mit dem Chipträger (0110),
      • - Vereinzeln.
    • Beispiel 2. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Beispiel 1, wobei der Chipträger und/oder der Magnetschichtträger rechteckige Abmessungen von mehr als 100 mm mal 100 mm, insbesondere mehr als 200 mm mal 200 mm, oder wobei der Chipträger und/oder der Magnetschichtträger im Wesentlichen kreisrunde Abmessungen mit einem Durchmesser von mehr als 190 mm, insbesondere mehr als 290 mm hat.
    • Beispiel 3. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 1 oder 2, wobei eine Magnetschicht des Magnetschichtträgers, insbesondere nach dem Verbinden des Magnetschichtträgers mit dem Chipträger, insbesondere durch Sägen, in eine Vielzahl von Permanentmagnete unterteilt wird.
    • Beispiel 4. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 1 bis 3, wobei die Permanentmagneten mit einer Magneteinkapselung, insbesondere durch Gasphasenabscheidung, Beschichtung, Sprühbeschichtung, Spritzgießen, abgedeckt werden.
    • Beispiel 5. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 1 bis 4, wobei der Chipträger eine, insbesondere als Polymerfolie ausgebildete, Zwischenverdrahtungsschicht aufweist.
    • Beispiel 6. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 1 bis 5, wobei der Chipträger einen Leadframe umfasst.
    • Beispiel 7. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors umfassend:
      • - Bereitstellen eines Magnetschichtträgers, wobei der Magnetschichtträger wenigstens einen Permanentmagneten umfasst.
      • - Auswählen eines Permanentmagneten und Platzieren des Permanentmagneten auf einem Magnetsensorchip.
    • Beispiel 8. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Beispiel 7, wobei der Permanentmagnet durch Unterteilen, insbesondere Zersägen, einer Magnetschicht des Magnetschichtträgers hergestellt ist.
    • Beispiel 9. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Beispiel 7 oder 8, wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet wird.
    • Beispiel 10. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Beispiel 9, wobei die Magneteinkapselung unter Verwendung einer Gießform geformt wird.
    • Beispiel 11. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 9 oder 10, wobei die Magneteinkapselung durch Zerteilen, insbesondere Zersägen, einer Magneteinkapselungsschicht hergestellt wird.
    • Beispiel 12. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 7 bis 11, wobei der Magnetsensorchip eine, insbesondere als Polymerfolie ausgebildete, Zwischenverdrahtungsschicht aufweist.
    • Beispiel 13. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Beispiele 7 bis 12, wobei der Magnetsensorchip einen Leadframe umfasst.
    • Beispiel 14. Magnetfeldsensor (0600) mit einem Halbleiterchip (0111),
      • wobei der Halbleiterchip (0111) wenigstens ein Magnetfeldsensorelement (0112) aufweist,
      • wobei der Halbleiterchip (0111) in einer Halbleiterchipeinkapselung eingebettet ist,
      mit einem Permanentmagneten,
      • wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet ist,
      dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Grenzschicht zwischen der Halbleiterchipeinkapselung und der Magneteinkapselung bis zu einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors erstreckt.
    • Beispiel 15. Magnetfeldsensor nach Beispiel 14, wobei der Magnetfeldsensor mit einem Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 13 hergestellt ist.
    • Beispiel 16. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 14 oder 15, wobei die Grenzschicht eine Klebeschicht ist.
    • Beispiel 17. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 15 oder 16, wobei die Grenzschicht eine Kontaktfläche ist.
    • Beispiel 18. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 17, wobei der Permanentmagnet ein Quader, insbesondere Würfel, ist.
    • Beispiel 19. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 18, wobei der Permanentmagnet ein Pyramidenstumpf einer, insbesondere regelmäßigen, Pyramide mit rechteckiger, insbesondere quadratischer Grundfläche ist.
    • Beispiel 20. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 19, wobei die Magneteinkapselung aus einem Polymer hergestellt ist.
    • Beispiel 21. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 20, wobei die Magneteinkapslung aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
    • Beispiel 22. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 21, wobei die Magneteinkapslung aus einem organischen Material hergestellt ist.
    • Beispiel 23. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 22, wobei das Magnetfeldsensorelement an einer dem Permanentmagneten abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist.
    • Beispiel 24. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 23, wobei das Magnetfeldsensorelement an einer dem Permanentmagneten zugewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist.
    • Beispiel 25. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 24, wobei der Permanentmagnet aus einem gesinterten Material, insbesondere einem gesinterten Ferritmaterial, hergestellt ist.
    • Beispiel 26. Magnetfeldsensor nach einem der Beispiele 9 bis 25, wobei das Magnetfeldsensorelement ein resistives, insbesondere auf dem magnetischen Tunnelwiderstand oder Riesenmagnetowiderstand oder kolossalen magnetoresistiven Effekt basierendes, Magnetfeldsensorelement; und/oder ein Hall-Effekt-basiertes Magnetfeldsensorelement umfasst.
  • Obgleich in dieser Beschreibung spezifische Ausführungsbeispiele illustriert und beschrieben wurden, werden Personen mit üblichem Fachwissen erkennen, dass eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Implementierung als Substitution für die spezifischen Ausführungsbeispiele, die in dieser Beschreibung gezeigt und beschrieben sind, ohne von dem Umfang der gezeigten Erfindung abzuweichen, gewählt werden können. Es ist die Intention, dass diese Anmeldung alle Adaptionen oder Variationen der spezifischen Ausführungsbeispiele, die hier diskutiert werden, abdeckt. Daher ist es beabsichtigt, dass diese Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente der Ansprüche beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102020111626 A1 [0003]

Claims (26)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors (0600) umfassend: - Bereitstellen eines Chipträgers (0110), wobei der Chipträger (0110) wenigstens zwei Halbleiterchips (0111) aufweist, wobei die Halbleiterchips (0111) jeweils wenigstens ein Magnetfeldsensorelement (0112) aufweisen, - Bereitstellen eines Magnetschichtträgers (0210), - Verbinden des Magnetschichtträgers (0210) mit dem Chipträger (0110), - Vereinzeln.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Patentanspruch 1, wobei der Chipträger und/oder der Magnetschichtträger rechteckige Abmessungen von mehr als 100 mm mal 100 mm, insbesondere mehr als 200 mm mal 200 mm, oder wobei der Chipträger und/oder der Magnetschichtträger im Wesentlichen kreisrunde Abmessungen mit einem Durchmesser von mehr als 190 mm, insbesondere mehr als 290 mm hat.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 1 oder 2, wobei eine Magnetschicht des Magnetschichtträgers, insbesondere nach dem Verbinden des Magnetschichtträgers mit dem Chipträger, insbesondere durch Sägen, in eine Vielzahl von Permanentmagnete unterteilt wird.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 1 bis 3, wobei die Permanentmagneten mit einer Magneteinkapselung, insbesondere durch Gasphasenabscheidung, Beschichtung, Sprühbeschichtung, Spritzgießen, abgedeckt werden.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 1 bis 4, wobei der Chipträger eine, insbesondere als Polymerfolie ausgebildete, Zwischenverdrahtungsschicht aufweist.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 1 bis 5, wobei der Chipträger einen Leadframe umfasst.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors umfassend: - Bereitstellen eines Magnetschichtträgers, wobei der Magnetschichtträger wenigstens einen Permanentmagneten umfasst. - Auswählen eines Permanentmagneten und Platzieren des Permanentmagneten auf einem Magnetsensorchip.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Patentanspruch 7, wobei der Permanentmagnet durch Unterteilen, insbesondere Zersägen, einer Magnetschicht des Magnetschichtträgers hergestellt ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Patentanspruch 7 oder 8, wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet wird.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach Patentanspruch 9, wobei die Magneteinkapselung unter Verwendung einer Gießform geformt wird.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 9 oder 10, wobei die Magneteinkapselung durch Zerteilen, insbesondere Zersägen, einer Magneteinkapselungsschicht hergestellt wird.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 7 bis 11, wobei der Magnetsensorchip eine, insbesondere als Polymerfolie ausgebildete, Zwischenverdrahtungsschicht aufweist.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Magnetfeldsensors nach einem der Patentansprüche 7 bis 12, wobei der Magnetsensorchip einen Leadframe umfasst.
  14. Magnetfeldsensor (0600) mit einem Halbleiterchip (0111), wobei der Halbleiterchip (0111) wenigstens ein Magnetfeldsensorelement (0112) aufweist, wobei der Halbleiterchip (0111) in einer Halbleiterchipeinkapselung eingebettet ist, mit einem Permanentmagneten, wobei der Permanentmagnet in einer Magneteinkapselung eingebettet ist, dadurch gekennzeichnet, dass sich eine Grenzschicht zwischen der Halbleiterchipeinkapselung und der Magneteinkapselung bis zu einer freien Oberfläche des Magnetfeldsensors erstreckt.
  15. Magnetfeldsensor nach Patentanspruch 14, wobei der Magnetfeldsensor mit einem Verfahren gemäß einem der Patentansprüche 1 bis 13 hergestellt ist.
  16. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 14 oder 15, wobei die Grenzschicht eine Klebeschicht ist.
  17. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 15 oder 16, wobei die Grenzschicht eine Kontaktfläche ist.
  18. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 17, wobei der Permanentmagnet ein Quader, insbesondere Würfel, ist.
  19. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 18, wobei der Permanentmagnet ein Pyramidenstumpf einer, insbesondere regelmäßigen, Pyramide mit rechteckiger, insbesondere quadratischer Grundfläche ist.
  20. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 19, wobei die Magneteinkapselung aus einem Polymer hergestellt ist.
  21. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 20, wobei die Magneteinkapslung aus einem nichtmagnetischen Material hergestellt ist.
  22. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 21, wobei die Magneteinkapslung aus einem organischen Material hergestellt ist.
  23. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 22, wobei das Magnetfeldsensorelement an einer dem Permanentmagneten abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist.
  24. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 23, wobei das Magnetfeldsensorelement an einer dem Permanentmagneten zugewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist.
  25. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 24, wobei der Permanentmagnet aus einem gesinterten Material, insbesondere einem gesinterten Ferritmaterial, hergestellt ist.
  26. Magnetfeldsensor nach einem der Patentansprüche 9 bis 25, wobei das Magnetfeldsensorelement ein resistives, insbesondere auf dem magnetischen Tunnelwiderstand oder Riesenmagnetowiderstand oder kolossalen magnetoresistiven Effekt basierendes, Magnetfeldsensorelement; und/oder ein Hall-Effekt-basiertes Magnetfeldsensorelement umfasst.
DE102022105706.2A 2022-03-10 2022-03-10 Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten Pending DE102022105706A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022105706.2A DE102022105706A1 (de) 2022-03-10 2022-03-10 Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten
US18/179,700 US20230292626A1 (en) 2022-03-10 2023-03-07 Magnetic field sensor with mechanically protected permanent magnet
CN202310221021.5A CN116736195A (zh) 2022-03-10 2023-03-09 带机械保护的永磁体的磁场传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022105706.2A DE102022105706A1 (de) 2022-03-10 2022-03-10 Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022105706A1 true DE102022105706A1 (de) 2023-09-14

Family

ID=87760102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022105706.2A Pending DE102022105706A1 (de) 2022-03-10 2022-03-10 Magnetfeldsensor mit mechanisch geschütztem Permanentmagneten

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230292626A1 (de)
CN (1) CN116736195A (de)
DE (1) DE102022105706A1 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1532958A (zh) 2003-03-19 2004-09-29 尼科希株式会社 磁电变换元件及其制造方法
US20040212360A1 (en) 2001-01-24 2004-10-28 Yamaha Corporation Magnetic sensor and method of producing the same
WO2007125022A1 (de) 2006-04-26 2007-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit magnetoresistivem effekt sowie verwendungen davon
DE102014108388A1 (de) 2013-06-20 2014-12-24 Infineon Technologies Ag Vorform für eine Magnethalbleiterbaugruppe und Verfahren zu deren Herstellung
US9304175B2 (en) 2006-02-23 2016-04-05 Nxp B.V. Magnetoresistive sensor device and method of fabricating such magnetoresistive sensor device
DE112016006539T5 (de) 2016-03-03 2018-11-15 Tdk Corporation Magnetsensor
DE102020111626A1 (de) 2020-04-29 2021-11-04 Infineon Technologies Ag Magnetsensorvorrichtung und verfahren zur herstellung desselben

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040212360A1 (en) 2001-01-24 2004-10-28 Yamaha Corporation Magnetic sensor and method of producing the same
CN1532958A (zh) 2003-03-19 2004-09-29 尼科希株式会社 磁电变换元件及其制造方法
US9304175B2 (en) 2006-02-23 2016-04-05 Nxp B.V. Magnetoresistive sensor device and method of fabricating such magnetoresistive sensor device
WO2007125022A1 (de) 2006-04-26 2007-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit magnetoresistivem effekt sowie verwendungen davon
DE102014108388A1 (de) 2013-06-20 2014-12-24 Infineon Technologies Ag Vorform für eine Magnethalbleiterbaugruppe und Verfahren zu deren Herstellung
DE112016006539T5 (de) 2016-03-03 2018-11-15 Tdk Corporation Magnetsensor
DE102020111626A1 (de) 2020-04-29 2021-11-04 Infineon Technologies Ag Magnetsensorvorrichtung und verfahren zur herstellung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
CN116736195A (zh) 2023-09-12
US20230292626A1 (en) 2023-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012110492B4 (de) Magnetsensor-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012110488B4 (de) Magnetsensor-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112008000759B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Geräts mit integrierten Schaltungen betreffend eine mehrstufig gegossene Schaltungspackung
DE102016122172A1 (de) Sensorkopf für einen Kraft- oder Drehmomentsensor
DE102015108622B4 (de) Magnetsensor-Bauelement mit ringförmigem Magnet
DE102015121044B4 (de) Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend
DE69205078T2 (de) Verbindungstechnik für elektronische Vorrichtungen.
EP0537419A1 (de) Anordnung mit einem integrierten Magnetfeldsensor sowie einem ferromagnetischen ersten und zweiten Magnetfluss-Konzentrator und Verfahren zum Einbau einer Vielzahl von Anordnungen in je einem Kunststoffgehäuse
DE102014100509B4 (de) Verfahren zur herstellung und testung eines chipgehäuses
DE102018114426A1 (de) Stromsensorpackage mit kontinuierlicher Isolation
DE102013202910A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014207636A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Induktionsbauteils und Induktionsbauteil
EP3048653B1 (de) Verfahren zur herstellung von stromsensoren
DE102012218457A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102014107729A1 (de) Dreidimensionaler Stapel einer mit Anschlüssen versehenen Packung und eines elektronischen Elements
DE102018114785A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Planarspulenanordnung sowie eines damit versehenen Sensorkopfes
EP2936077B1 (de) Sensor zum erfassen einer position eines geberelements
DE102017129924A1 (de) Verkapseltes, anschlussleiterloses Package mit zumindest teilweise freiliegender Innenseitenwand eines Chipträgers
DE102013111540B4 (de) Höckergehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102017119905A1 (de) Magnetfeld-Erfassungsvorrichtung
DE102010039156A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Schaltung und elektrische Schaltung
DE102013113558A1 (de) Eingebettetes chipgehäuse, chipgehäuse und verfahren zur herstellung eines eingebetteten chipgehäuses
DE102019110191A1 (de) Package aufweisend einen Identifizierer auf und/oder in einem Träger
EP2936515B1 (de) Verfahren zum herstellen eines messaufnehmers
DE102013203350A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0043120000

Ipc: H10N0050010000

R016 Response to examination communication