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Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System für eine Lithographieanlage und eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System.
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Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
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Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.
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Neben der Wellenlänge ist auch die numerische Apertur eine wichtige Kenngröße von Lithographieanlagen. Die numerische Apertur wird bei Lithographieanlagen mit Hilfe von Aperturblenden (auch als NA-Blenden bezeichnet) eingestellt.
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Um eine besonders große numerische Apertur zu erreichen, sind der Anmelderin betriebsintern Optikdesigns mit einem ersten und einem zweiten Spiegel bekannt. Ein Strahlengang tritt durch eine Obskuration in dem zweiten Spiegel hindurch und wird von dem ersten Spiegel auf den zweiten Spiegel reflektiert. Der zweite Spiegel fokussiert das Licht auf eine Feldebene des optischen Systems, in welcher beispielsweise eine lichtempfindliche Schicht eines zu strukturierenden Wafers angeordnet ist. Diese beiden Spiegel sind beispielsweise die letzten zwei Spiegel eines EUV-Projektionssystems, welches beispielsweise sechs, acht, zehn oder mehr Spiegel umfassen kann.
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Um die Obskuration in dem Spiegel möglichst klein zu halten, sieht das Optikdesign eine Zwischenbildebene in der Nähe der Obskuration vor. Entsprechend erzeugt die Obskuration eine feldabhängige Abschattung in der Austrittspupille. Um diese Feldabhängigkeit zu eliminieren, kann in einer Pupillenebene eine Obskurationsblende eingefügt werden.
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Da die Obskurationsblende in dem Strahlengang angeordnet ist, wird in diese Wärme eingebracht, die wieder abgeführt werden muss. Die Obskurationsblende ist mit Hilfe von drahtförmigen oder stabförmigen Befestigungselementen aufgehängt, über welche die Wärme abgeführt werden kann. Die Befestigungselemente laufen quer durch den Strahlengang hindurch und schatten diesen dadurch teilweise ab.
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Hinsichtlich einer minimalen Abschattung des Strahlengangs ist ein möglichst kleiner Querschnitt der Befestigungselemente erstrebenswert. Hinsichtlich der Wärmeabfuhr ist ein größtmöglicher Querschnitt der Befestigungselemente wünschenswert. Die Anforderungen an die Befestigungselemente hinsichtlich minimaler Abschattung des Strahlengangs und maximaler Wärmeabfuhr von der Obskurationsblende weg widersprechen sich also.
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Aus diesem Grund sind die Beleuchtungssettings vorzugsweise so konstruiert, dass es kein Licht in der Obskuration gibt. Das heißt, dass die Obskurationsblende nur von Beugungslicht getroffen wird und dadurch wenig Wärme in die Obskurationsblende eingebracht wird. Es kann aber auch sinnvoll sein, ein Setting zu verwenden, welches Licht explizit in die Obskuration schickt. In diesem Fall wird die Obskurationsblende nicht nur von Beugungslicht, sondern auch von Licht nullter Beugungsordnung getroffen. Hierdurch wird deutlich mehr Wärme in die Obskurationsblende eingebracht als wenn diese nur von Beugungslicht getroffen wird.
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Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System bereitzustellen.
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Demgemäß wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Das optische System umfasst mehrere optische Elemente, wobei eines der optischen Elemente eine Obskuration umfasst, eine Feldebene, einen Strahlengang, wobei der Strahlengang durch die Obskuration und über die optischen Elemente zu der Feldebene durch das optische System führt, und eine Obskurationsblende, welche in dem Strahlengang angeordnet ist und diesen teilweise abschattet, wobei eines der optischen Elemente eine optisch wirksame Fläche mit einem Bereich verminderter Reflektivität gegenüber der restlichen optisch wirksamen Fläche umfasst, so dass dieser Bereich die Einbringung von Wärme in die Obskurationsblende reduziert.
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Durch das Vorsehen des Bereichs an dem optischen Element wird gewährleistet, dass im Vergleich zu einem optischen Element ohne einen derartigen Bereich weniger Wärme in die Obskurationsblende eingebracht wird. Hierdurch ist es möglich, Beleuchtungssettings einzusetzen, die explizit Licht in die Obskuration schicken.
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Das optische System kann ein wie zuvor erläutertes Projektionssystem einer EUV-Lithographieanlage oder Teil eines derartigen Projektionssystems sein. Das optische System kann jedoch auch Teil einer DUV-Lithographieanlage, insbesondere eines Projektionssystem einer DUV-Lithographieanlage, sein. Jedes optische Element weist eine optisch wirksame Fläche auf. Bevorzugt weist jedoch nur eines der optischen Elemente den Bereich mit verminderter Reflektivität auf. Das optische System kann ein erstes optisches Element, ein zweites optisches Element und ein drittes optisches Element aufweisen.
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Beispielsweise kann der Strahlengang von dem ersten optischen Element durch die Obskuration zu dem zweiten optischen Element, von dem zweiten optischen Element zu dem dritten optischen Element und von dem dritten optischen Element zu der Feldebene durch das optische System führen. In diesem Fall kann beispielsweise das dritte optische Element die Obskuration aufweisen. Diese Anordnung ist jedoch nur beispielhaft zu verstehen. Beispielsweise kann der Strahlengang jedoch auch von dem dritten optischen Element zu dem ersten optischen Element und von dem ersten optischen Element durch die Obskuration zu dem zweiten optischen Element durch das optische System führen. Ferner kann der Strahlengang auch von dem ersten optischen Element durch die Obskuration zu dem dritten optischen Element und von dem dritten optischen Element zu dem zweiten optischen Element durch das optische System führen.
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Weiterhin kann der Strahlengang auch von dem ersten optischen Element zu dem dritten optischen Element und von dem dritten optischen Element durch die Obskuration zu dem zweiten optischen Element durch das optische System führen. Gemäß einer weiteren Alternative sind nur das erste optische Element und das dritte optische Element vorgesehen. In diesem Fall führt der Strahlengang beispielsweise von dem dritten optischen Element zu dem ersten optischen Element und von dem ersten optischen Element durch die Obskuration durch das optische System führen. Ferner kann der Strahlengang auch von dem ersten optischen Element zu dem dritten optischen Element und von dem dritten optischen Element durch die Obskuration durch das optische System führen. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung sind nur das zweite optische Element und das dritte optische Element vorgesehen. In diesem Fall kann der Strahlengang durch die Obskuration zu dem zweiten optischen Element und von dem zweiten optischen Element zu dem dritten optischen Element durch das optische System führen. Weiterhin kann der Strahlengang durch die Obskuration zu dem dritten optischen Element und von dem dritten optischen Element zu dem zweiten optischen Element durch das optische System führen.
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Die optisch aktive Fläche ist geeignet, Licht, insbesondere EUV-Strahlung, zu reflektieren. Die optisch aktive Fläche kann eine Spiegelfläche sein. Die optischen Elemente können Spiegel sein. Die Begriffe „Spiegel“ und „optisches Element“ können daher gegeneinander getauscht werden. Die Anzahl der optischen Elemente ist beliebig. Beispielsweise können sechs, acht, zehn oder mehr optische Elemente vorgesehen sein. Die Obskurationsblende selbst ist ebenfalls ein optisches Element oder kann als optisches Element bezeichnet werden. Jedoch weist die Obskurationsblende keine Spiegeleigenschaften auf.
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In der Feldebene kann ein zu belichtender Wafer angeordnet sein. Mit Hilfe des optischen Systems werden Objektpunkte einer Objektebene, in der eine Photomaske angeordnet sein kann, auf Feldpunkte der Feldebene abgebildet. Insbesondere ist die Obskurationsblende dazu eingerichtet ist, alle Schattenwürfe der Obskuration auf die Feldebene zu verdecken. Damit ist die Obskuration in der Austrittspupille feldkonstant. Unter einer „Obskuration“ ist vorliegend ein Durchbruch oder ein Loch zu verstehen. Der Durchbruch durchbricht beispielsweise das dritte optische Element, so dass Licht von dem ersten optischen Element durch die Obskuration hindurch auf das zweite optische Element fallen kann. Diese Anordnung ist jedoch beispielhaft zu verstehen. Unter „Licht“ oder „Arbeitslicht“ kann vorliegend EUV-Strahlung zu verstehen sein. Das heißt, die Begriffe „Licht“, „Arbeitslicht“ und „EUV-Strahlung“ können beliebig gegeneinander getauscht werden.
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Dem Strahlengang folgt Licht durch das optische System. Die Obskurationsblende ist innerhalb eines Lichtbündels im Strahlengang angeordnet und blendet somit einen inneren Teil des entsprechenden Lichtbündels aus beziehungsweise schattet diesen ab. Mit „Lichtbündel“ ist hier das Arbeitslicht in dem optischen System gemeint. Im Unterschied dazu greifen Aperturblenden von außen in das entsprechende Lichtbündel ein und blenden einen Teil desselben an seinem äußeren Umfang aus.
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Unter „Reflektivität“ ist vorliegend die Eignung der optisch wirksamen Fläche beziehungsweise des Bereichs der optisch wirksamen Fläche zu verstehen, Licht zu reflektieren. Die Reflektivität oder der Reflexionsgrad ist das Verhältnis zwischen reflektierter und einfallender Lichtintensität als Energiegröße. Vorzugsweise reflektiert der Bereich in einem anderen Wellenlängenbereich als die restliche optisch wirksame Fläche. Alternativ kann der Bereich das Licht auch absorbieren, wodurch dieser sich erwärmt. Das heißt, das von dem Bereich reflektierte oder absorbierte Licht fällt nicht auf die Obskurationsblende, wodurch weniger Wärme in diese eingebracht wird.
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Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein der Obskurationsblende in dem Strahlengang vorgeschaltetes erstes optisches Element den Bereich.
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Das heißt, das auf den Bereich einfallende Licht erreicht die Obskurationsblende nicht, da das erste optische Element in dem Strahlengang der Obskurationsblende vorgeschaltet ist. Insbesondere ist der Bereich nicht an demjenigen optischen Element vorgesehen, welches die Obskuration aufweist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform reduziert der Bereich aufgrund verminderter Reflektivität eine in die Obskurationsblende eingebrachte Lichtmenge.
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Hierdurch wird entsprechend auch der Eintrag von Wärme in die Obskurationsblende reduziert.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Obskurationsblende einen Durchbruch, durch welchen Licht auf ein zweites optisches Element fällt.
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In diesem Fall wird das Licht in dem Strahlengang nicht vor, sondern nach der Obskurationsblende absorbiert oder so reflektiert, dass es weder die Feldebene noch die Obskurationsblende erreicht.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das der Obskurationsblende in dem Strahlengang nachgeschaltete zweite optische Element den Bereich.
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Optional können jedoch auch das erste optische Element und das zweite optische Element einen derartigen Bereich an der optisch wirksamen Fläche aufweisen.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform verhindert der Bereich aufgrund verminderter Reflektivität das Auftreffen von Licht aus dem Bereich auf der Feldebene.
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Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass das durch den Durchbruch der Obskurationsblende gefallene Licht von dem Bereich des zweiten optischen Elements absorbiert wird.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfassen die optischen Elemente jeweils ein Substrat, an welchem jeweils eine Schicht vorgesehen ist, welche die optisch wirksame Fläche bildet.
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Das Substrat ist insbesondere ein Spiegelsubstrat. Das Substrat kann ein Glasblock oder Glaskeramikblock sein. Die Schicht kann mehrschichtig aufgebaut sein.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Substrat in dem Bereich aufgeraut.
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In diesem Fall wird das Licht nicht an dem jeweiligen optischen Element absorbiert, sondern gestreut. In diesem Fall ist darauf zu achten, dass das Licht möglichst nicht den Wafer beziehungsweise die Feldebene erreicht.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das Substrat in dem Bereich ein Beugungsgitter.
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In diesem Fall wird das Licht gestreut und kann bis auf Licht höherer Beugungsordnungen gezielt in einen sogenannten Beam Dump gelenkt werden.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Bereich schichtfrei.
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Das heißt, der Bereich weist die Schicht nicht auf. Die Schicht ist in dem Bereich unterbrochen. Dies kann entweder durch eine gezielte Abschattung des Bereichs bei der Beschichtung des Substrats oder durch ein Entfernen der Schicht nach der Beschichtung des Substrats erfolgen. Das partielle Entfernen der Schicht kann beispielsweise mit Hilfe einer Ätzung erfolgen.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht in dem Bereich mit einer Absorberschicht abgedeckt.
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Die Absorberschicht absorbiert das Licht. Hierdurch erwärmt sich das jeweilige optische Element. Nach der Beschichtung des Substrats mit der Schicht wird beispielsweise mit Hilfe einer Maske an dem Bereich die zusätzliche Absorberschicht aufgebracht.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Schichtdicke der Schicht in dem Bereich derart verändert, dass die Reflektivität in dem Bereich vermindert ist.
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Dies kann als „Verstimmung“ der Schicht bezeichnet werden. Das heißt, die Schicht kann gezielt verstimmt werden. Unter „Verstimmung“ ist vorliegend insbesondere zu verstehen, dass die Schicht innerhalb des Bereichs bei einer anderen Wellenlänge reflektiert als außerhalb des Bereichs. Insbesondere wird die Schichtdicke der Schicht in dem Bereich derart verändert, dass die Schicht in dem Bereich bei einer anderen Wellenlänge reflektiert als außerhalb des Bereichs. Das führt automatisch zu einer verringerten Reflektivität des Bereichs bei der Arbeitswellenlänge. Bei der Verstimmung der Schicht kann allerdings nicht so randscharf gearbeitet werden, wie beispielsweise bei der Verwendung der zuvor erläuterten Absorberschicht. Allerdings ist die Zielsetzung nur, die thermische Last auf der Obskurationsblende zu senken. Die genaue Ortsverteilung ist nicht so relevant. Der Vorteil der lokalen Verstimmung der Schicht liegt darin, dass im Gegensatz zu den vorherigen Möglichkeiten der Veränderung der Reflexionseigenschaften des Bereichs kein zusätzlicher Arbeitsschritt nötig ist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht in dem Bereich aufgeraut.
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Das heißt, nicht das Substrat, sondern die Schicht ist aufgeraut.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht in dem Bereich dadurch aufgeraut, dass eine Schichtdicke der Schicht in dem Bereich derart verändert ist, dass es in dem Bereich zu einer Kristallisation von Schichtmaterialien kommt.
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Wie zuvor schon erläutert, kann auch das Substrat in dem Bereich aufgeraut werden. Dies kann durch eine mechanische Bearbeitung erfolgen. Alternativ kann das Aufrauen des Bereichs auch bei der Erstellung der Schicht erfolgen. Das heißt, die Schicht selbst wird aufgeraut. Die Schicht raut bei bestimmten Schichtdicken der für die Schicht verwendeten Schichtmaterialien stark auf, da es zur Kristallisation kommt. Mit einem geeigneten Schichtdickenverlauf der Schicht kann dafür gesorgt werden, dass die Schichtdicken in dem Bereich zu einer Kristallisation führen. Auch für diese Variante ist kein gesonderter Arbeitsschritt nötig, da das Aufrauen schon bei der Erstellung der Schicht erfolgt.
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Ferner wird eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System vorgeschlagen.
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Das optische System kann ein Projektionssystem oder Teil eines Projektionssystems der Lithographieanlage sein. Die Lithographieanlage kann eine EUV-Lithographieanlage oder eine DUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Die Lithographieanlage kann mehrere derartige wasserführende Systeme umfassen.
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„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
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Die für das optische System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Lithographieanlage entsprechend und umgekehrt.
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Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.
- 1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage;
- 1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage;
- 2 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
- 3 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Obskurationsblende für das optische System gemäß 2;
- 4 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Feldebene für das optische System gemäß 2;
- 5 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform eines optischen Elements für das optische System gemäß 2;
- 6 zeigt eine schematische Schnittansicht des optischen Elements gemäß der Schnittlinie VI-VI der 5;
- 7 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
- 8 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Obskurationsblende für das optische System gemäß 7;
- 9 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Feldebene für das optische System gemäß 7;
- 10 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform eines optischen Elements für das optische System gemäß 7; und
- 11 zeigt eine schematische Schnittansicht des optischen Elements gemäß der Schnittlinie XI-XI der 10.
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In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
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1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
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Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 30 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt, und die gewünschte Betriebswellenlänge wird aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
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Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
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Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
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1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 1A beschrieben - von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein.
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Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.
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Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
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Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
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Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.
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2 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems 200A. Das optische System 200A kann ein wie zuvor erläutertes Projektionssystem 104 einer EUV-Lithographieanlage 100A oder Teil eines derartigen Projektionssystems 104 sein. Das optische System 200A kann jedoch auch Teil einer DUV-Lithographieanlage 100B, insbesondere eines Projektionssystem 104 einer DUV-Lithographieanlage 100B, sein. Nachfolgend wird jedoch davon ausgegangen, dass das optische System 200A Teil einer EUV-Lithographieanlage 100A ist.
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Das optische System 200A umfasst ein erstes optisches Element 202, ein zweites optisches Element 204 und ein drittes optisches Element 206. Die Anzahl der optischen Elemente 202, 204, 206 ist grundsätzlich beliebig. Die optischen Elemente 202, 204, 206 sind Spiegel. Insbesondere kann das erste optische Element 202 der Spiegel M4 sein, das zweite optische Element 204 kann der Spiegel M5 sein und das dritte optische Element 206 kann der Spiegel M6 des in der 1A gezeigten Projektionssystems 104 sein. In einer anderen Ausführungsform kann das Projektionssystem 104 auch mehr optische Elemente 202, 204, 206, beispielsweise neun optische Elemente 202, 204, 206, enthalten. In diesem Fall könnte es sich bei den optischen Elementen 202, 204, 206 um den siebten, achten und neunten Spiegel des Projektionssystems 104 handeln. Es können dem dritten optischen Element 206 noch weitere Spiegel folgen.
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Das dritte optische Element 206 weist eine Obskuration 208 auf. Die Obskuration 208 ist ein das dritte optische Element 206 vollständig durchbrechender Durchbruch oder ein das dritte optische Element 206 vollständig durchbrechendes Loch. Die Obskuration 208 kann mittig in oder an dem dritten optischen Element 206 ausgebildet sein. Die Obskuration 208 kann beispielsweise kreisförmig, elliptisch oder polygonförmig, insbesondere rechteckig oder quadratisch, sein.
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Die von dem Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 bereitgestellte EUV-Strahlung 108A folgt einem Strahlengang 210 (mit gestrichelten Linien dargestellt) des optischen Systems 200A. Der Strahlengang 210 führt von dem ersten optischen Element 202 durch die Obskuration 208 des dritten optischen Elements 206 auf das zweite optische Element 204, von dem zweiten optischen Element 204 auf das dritte optische Element 206 und von dem dritten optischen Element 206 in eine Feldebene 212 des optischen Systems 200A, in welcher der bereits in Zusammenhang mit den 1A und 1B beschriebene Wafer 124 (nicht gezeigt) angeordnet ist.
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Die zuvor beschriebene Anordnung der optischen Elemente 202, 204, 206 und der Verlauf des Strahlengangs 210 sind rein beispielhaft zu verstehen. Die optischen Elemente 202, 204, 206 können beliebig vertauscht oder in beliebiger Reihenfolge angeordnet werden. Dabei können auch einzelne optische Elemente 202, 204, 206 fehlen. Die Obskuration 208 ist auch nicht zwingend dem dritten optischen Element 206 zugeordnet. Die Obskuration 208 kann jedem der optischen Elemente 202, 204, 206 zugeordnet sein.
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Das Optikdesign des optischen Systems 200A ist derart ausgeführt, dass sich in der Nähe der Obskuration 208 eine Zwischenbildebene befindet. Dadurch kann die Obskuration 208 in dem dritten optischen Element 206 klein gehalten werden. Entsprechend befindet sich eine Pupillenebene 214 zwischen dem zweiten optischen Element 204 und dem dritten optischen Element 206.
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In der Pupillenebene 214 ist eine Aperturblende 216 (auch als NA-Blende bezeichnet) vorgesehen. Die Aperturblende 216 greift von außen in den Strahlengang 210 ein und blendet entsprechend Licht an dessen äußerem Umfang aus. Unter „Licht“ ist vorliegend Arbeitslicht, das heißt solches Licht, welches die gewünschte Struktur auf dem Wafer 124 erzeugt, insbesondere EUV-Strahlung 100A, zu verstehen. Unter „Licht“ oder „Arbeitslicht“ kann demnach vorliegend EUV-Strahlung 100A zu verstehen sein. Das heißt, die Begriffe „Licht“, „Arbeitslicht“ und „EUV-Strahlung“ können beliebig gegeneinander getauscht werden. Unter „Licht“ kann jedoch auch DUV-Strahlung 108B zu verstehen sein.
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Weiterhin ist eine Obskurationsblende 218A vorgesehen. Die Obskurationsblende 218A ist in dem Strahlengang 210 angeordnet und blendet so einen inneren Teil des Lichts aus. Die Aperturblende 216 und die Obskurationsblende 218A sind in einem zwischen dem zweiten optischen Element 204 und dem dritten optischen Element 206 vorgesehenen Zwischenraum 220 angeordnet. Der Zwischenraum 220 wird dreimal von dem Strahlengang 210 durchtreten.
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Die Aperturblende 216 kann ringförmig ausgebildet sein. Aufgrund des Umstands, dass die Pupillenebene 214 bei einem derartigen Optikdesign oft physikalisch nicht komplett zugänglich ist, da Teile der Aperturblende 216 in dem Strahlengang 210 zwischen dem dritten optischen Element 206 und der Feldebene 212 liegen würden, kann die Aperturblende 216 geteilt (sogenanntes Split-Stop-Konzept) ausgeführt werden. Mit anderen Worten erstreckt sich die Aperturblende 216 nur um einen Teil eines Umfangs eines entsprechenden Lichtkegels des Strahlengangs 210. Teile der Aperturblende 216 können auch in einer Längsrichtung des Strahlengangs 210 betrachtet zueinander versetzt angeordnet sein.
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3 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer wie zuvor erwähnten Obskurationsblende 218A. Die Obskurationsblende 218A umfasst einen scheibenförmigen oder plattenförmigen Basisabschnitt 222. In der 3 weist der Basisabschnitt 222 eine kreisförmige Geometrie auf. Die Geometrie des Basisabschnitts 222 kann jedoch beliebig gewählt werden. Beispielsweise ist der Basisabschnitt 222 oval, elliptisch oder polygonförmig, insbesondere rechteckförmig oder quadratisch. Der Basisabschnitt 222 ist plattenförmig oder blechförmig. Beispielsweise kann der Basisabschnitt 222 ein Aluminiumblech oder ein Stahlblech sein.
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Die Obskurationsblende 218A umfasst weiterhin Befestigungselemente 224, 226, 228, 230. Die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 sind als Drähte, Schneiden oder Stäbe ausgeführt und dienen der Positionierung der Obskurationsblende 218A in der Pupillenebene 214. Die Anzahl der Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 ist beliebig. Zumindest sind jedoch zwei Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 vorgesehen. Es können jedoch auch drei, vier oder mehr als vier Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 vorgesehen sein. Die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 können beispielsweise mit der Aperturblende 216 oder mit einem Gehäuse des optischen Systems 200A gekoppelt sein.
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Die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 verlaufen quer durch den Strahlengang 210 hindurch. Hierdurch schatten die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 den Strahlengang 210 teilweise ab. Um eine möglichst geringe Abschattung zu erreichen, werden die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 möglichst dünn gestaltet. Im Betrieb des optischen Systems 200A wird über die EUV-Strahlung 100A Wärme W in die Obskurationsblende 218A eingebracht. Die Wärme W wird größtenteils über die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 abgeführt. Hinsichtlich der Wärmeabfuhr ist ein größtmöglicher Querschnitt der Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 wünschenswert. Die Anforderungen an die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 hinsichtlich minimaler Abschattung des Strahlengangs 210 und maximaler Wärmeabfuhr von dem Basisabschnitt 222 weg widersprechen sich also.
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Der Basisabschnitt 222 der Obskurationsblende 218A umfasst eine äußere lichtbestimmende Kante 232. Unter einer „lichtbestimmenden Kante“ ist vorliegend eine Kante oder Kontur der Obskurationsblende 218A zu verstehen, welche mit dem Licht, das dem Strahlengang 210 folgt, wechselwirkt. Die äußere lichtbestimmende Kante 232 kann vollständig um den Basisabschnitt 222 umlaufen.
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4 zeigt eine Aufsicht auf die Feldebene 212 aus 2. Die Obskurationsblende 218A führt zu einem in der 4 schraffiert dargestellten Schatten 234 in der Feldebene 212. Kreise 236, 238 in der Feldebene 212, von denen in der 4 nur zwei mit einem Bezugszeichen versehen sind, beschreiben jeweils einen Schatten, welchen die Obskuration 208 in dem dritten optischen Element 206 in der Feldebene 212 erzeugen würde, wenn keine Obskurationsblende 218A vorgesehen wäre. Die Schatten 236, 238 wandern über die Feldebene 212, weshalb sich feldabhängige Abbildungseigenschaften ergeben. Diese sind jedoch unerwünscht. Daher wird die Obskurationsblende 218A eingesetzt, die eine derartige Geometrie aufweist, dass sie alle Schatten 236, 238 überdeckt. Damit ist die Obskuration 208 in der Austrittspupille feldkonstant.
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Typischerweise sind die Beleuchtungssettings so konstruiert, dass es kein Licht in der Obskuration 208 gibt. Das heißt, dass die Obskurationsblende 218A nur von Beugungslicht getroffen wird. Es kann aber auch sinnvoll sein, ein Setting zu verwenden, das Licht explizit in die Obskuration 208 schickt. In diesem Fall wird die Obskurationsblende 218A nicht nur von Beugungslicht, sondern auch von Licht nullter Beugungsordnung getroffen. Hierdurch wird deutlich mehr Wärme W in die Obskurationsblende 218A eingebracht als wenn diese nur von Beugungslicht getroffen wird. Dies erhöht die Anforderungen an die Wärmeabfuhr. Es ist also wünschenswert, die eingebrachte Wärme W bei einem derartigen Setting zu reduzieren, so dass die mechanische Anbindung der Obskurationsblende 218A durch die Befestigungselemente 224, 226, 228, 230 auch bei einem hohen Wärmeeintrag vereinfacht werden kann.
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5 zeigt eine schematische Aufsicht des ersten optischen Elements 202. Das erste optische Element 202 ist im Strahlengang 210 vor der Obskurationsblende 218A positioniert. In der Aufsicht kann das erste optische Element 202 eine kreisrunde Geometrie aufweisen. Die Geometrie des ersten optischen Elements 202 ist jedoch beliebig. Das erste optische Element 202 kann in der Aufsicht auch oval, ellipsenförmig oder polygonförmig, insbesondere dreieckig, quadratisch oder rechteckig, sein. Das erste optische Element 202 weist vorderseitig, das heißt dem dritten optischen Element 206 zugewandt, eine optisch wirksame Fläche 240 auf. Die optisch wirksame Fläche 240 ist geeignet Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, zu reflektieren. Die optisch wirksame Fläche 240 ist eine Spiegelfläche. Die optisch wirksame Fläche 240 wird durch eine auf einem Substrat, insbesondere auf einem Spiegelsubstrat, aufgebrachte reflektierende Schicht oder Beschichtung verwirklicht.
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Die im Strahlengang 210 vor der Obskurationsblende 218A angeordneten optischen Elemente, beispielsweise das erste optische Element 202, kann einen Bereich 242 aufweisen, in dem es kein Licht außerhalb der Obskuration 208 gibt. Das heißt, es gibt auf dem ersten optischen Element 202 einen gemeinsamen Bereich 242 der Bilder der Obskurationsblende 218A für alle Feldpunkte auf diesem optischen Element, beispielsweise dem ersten optischen Element 202. Mit anderen Worten sieht der Bereich 242 nur Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, welches auf die Obskurationsblende 218A fällt.
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Wird nun in diesem Bereich 242 gezielt die Reflektivität der optisch wirksamen Fläche 240 reduziert, erreicht die Obskurationsblende 218A weniger Licht, wodurch auch weniger Wärme W in die Obskurationsblende 218A eingebracht wird. Das heißt, es ist im Betrieb des optischen Systems 200A weniger Wärme W von der Obskurationsblende 218A abzuführen. Unter „Reflektivität“ ist vorliegend das Vermögen der optisch wirksamen Fläche 240 zu verstehen, Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, zu reflektieren.
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Wenn die Reduktion der Reflektivität durch zusätzliche Absorption geschieht, erhöht dies die thermische Last auf das jeweilige optische Element, beispielsweise auf das erste optische Element 202. Das verschlechtert erst einmal die Spiegelerwärmung (Engl.: mirror heating). Allerdings besitzen diesbezüglich kritische optische Elemente Gegenmaßnahmen, wie Wasserkühlung oder Heizköpfe. Außerdem gilt, dass wenn beispielsweise die thermische Last auf der Obskurationsblende 218A halbiert wird, sich die thermische Last auf das jeweilige optische Element nicht verdoppelt.
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6 zeigt eine schematische Schnittansicht des ersten optischen Elements 202 gemäß der Schnittlinie VI-VI der 5. Wie zuvor erwähnt, umfasst das erste optische Element 202 ein Substrat 244. Das Substrat 244 kann ein Glasblock oder Glaskeramikblock sein. An dem Substrat 244 ist eine Schicht 246 vorgesehen, welche die optisch wirksame Fläche 240 verwirklicht. Das heißt, an der Schicht 246 ist die optisch wirksame Fläche 240 vorgesehen.
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Um nun in dem Bereich 242 die Reflektivität zu modifizieren, insbesondere zu verringern, stehen verschiedene Möglichkeiten zur Verfügung, welche auch miteinander kombiniert werden können. Das Substrat 244 kann in dem Bereich 242 aufgeraut werden. In diesem Fall wird das Licht nicht an dem ersten optischen Element 202 absorbiert, sondern gestreut. In diesem Fall ist darauf zu achten, dass das Licht möglichst nicht den Wafer 124 beziehungsweise die Feldebene 212 erreicht.
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Ferner kann das Substrat 244 in dem Bereich 242 mit einem Beugungsgitter versehen werden. In diesem Fall wird das Licht gestreut und kann bis auf Licht höherer Beugungsordnungen gezielt in einen sogenannten Beam Dump gelenkt werden.
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Der Bereich 242 kann alternativ die Schicht 246 nicht aufweisen. Das heißt, der Bereich 242 ist schichtfrei oder schichtlos. Dies kann entweder durch eine gezielte Abschattung des Bereichs 242 bei der Beschichtung des Substrats 244 oder durch ein Entfernen der Schicht 246 nach der Beschichtung des Substrats 244 erfolgen. Das partielle Entfernen der Schicht 246 kann durch Ätzung erfolgen.
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Alternativ kann in dem Bereich 242 eine mit Hilfe eines Beschichtungsverfahrens auf die Schicht 246 aufgebrachte Absorberschicht 248 vorgesehen werden. Nach der Beschichtung des Substrats 244 mit der Schicht 246 wird beispielsweise mit Hilfe einer Maske an dem Bereich 242 die zusätzliche Absorberschicht 248 aufgebracht.
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Die Schicht 246 kann gezielt verstimmt werden. Unter „Verstimmung“ ist vorliegend zu verstehen, dass die Schicht 246 innerhalb des Bereichs 242 bei einer anderen Wellenlänge reflektiert als außerhalb des Bereichs 242. Insbesondere wird eine Schichtdicke der Schicht 246 in dem Bereich 242 derart verändert, dass die Schicht 246 in dem Bereich 242 bei einer anderen Wellenlänge reflektiert als außerhalb des Bereichs 242. Das führt automatisch zu einer verringerten Reflektivität des Bereichs 242 bei der Arbeitswellenlänge.
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Bei der Verstimmung der Schicht 246 kann allerdings nicht so randscharf gearbeitet werden, wie beispielsweise bei der Verwendung der zuvor erläuterten Absorberschicht 248. Allerdings ist die Zielsetzung nur, die thermische Last auf der Obskurationsblende 218A zu senken. Die genaue Ortsverteilung ist nicht so relevant. Der Vorteil der lokalen Verstimmung der Schicht 246 liegt darin, dass im Gegensatz zu den vorherigen Möglichkeiten der Veränderung der Reflexionseigenschaften des Bereichs 242 kein zusätzlicher Arbeitsschritt nötig ist.
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Wie einleitend schon erläutert, kann das Substrat 244 in dem Bereich 242 aufgeraut werden. Dies kann durch eine mechanische Bearbeitung erfolgen. Alternativ kann das Aufrauen des Bereichs 242 auch bei der Erstellung der Schicht 246 erfolgen. In diesem Fall wird die Schicht 246 selbst aufgeraut. Die Schicht 246 raut bei bestimmten Schichtdicken der für die Schicht 246 verwendeten Materiahen stark auf, da es zu einer Kristallisation kommt. Mit einem geeigneten Schichtdickenverlauf der Schicht 246 kann dafür gesorgt werden, dass die Schichtdicken in dem Bereich 242 zur Kristallisation führen. Auch für diese Variante ist kein gesonderter Arbeitsschritt nötig, da das Aufrauen schon bei der Erstellung der Schicht 246 erfolgt.
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7 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems 200B. Das optische System 200B entspricht von seinem Aufbau her im Wesentlichen dem des optischen Systems 200A. Daher wird nachfolgend nur auf Unterschiede des optischen Systems 200B zu dem optischen System 200A eingegangen. Das optische System 200B unterscheidet sich von dem optischen System 200A durch eine alternativ ausgestaltete Obskurationsblende 218B.
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8 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer wie zuvor erwähnten Obskurationsblende 218B. Die Obskurationsblende 218B unterscheidet sich von der Obskurationsblende 218A nur dadurch, dass der Basisabschnitt 222 der Obskurationsblende 218B einen Durchbruch 250 aufweist, der von einer inneren lichtbestimmenden Kante 252 definiert ist. Das heißt, die Obskurationsblende 218B weist zwei lichtbestimmende Kanten 232, 252 auf. Durch den Durchbruch 250 kann Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, auf das zweite optische Element 204 fallen.
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9 zeigt eine Aufsicht auf die Feldebene 212 aus 7. Die Obskurationsblende 218B führt - wie zuvor mit Bezug auf die Obskurationsblende 218A erläutert - zu einem in der 9 schraffiert dargestellten Schatten 234 in der Feldebene 212. Kreise 236, 238 in der Feldebene 212, von denen in der 9 nur zwei mit einem Bezugszeichen versehen sind, beschreiben jeweils einen Schatten, welchen die Obskuration 208 in dem dritten optischen Element 206 in der Feldebene 212 erzeugen würde, wenn keine Obskurationsblende 218B vorgesehen wäre. Wie zuvor schon mit Bezug auf die Obskurationsblende 218A erläutert, überdeckt der Schatten 234 alle Schatten 236, 238. Damit ist die Obskuration 208 in der Austrittspupille feldkonstant.
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In einem Bereich 254, welcher dem Durchbruch 250 in der Obskurationsblende 218B entspricht, wird als solches keine Abschattung mit Hilfe der der Obskurationsblende 218B erzielt. Dadurch, dass Licht durch den Durchbruch 250 der Obskurationsblende 218B fällt, wird im Vergleich zu einer Obskurationsblende ohne einen derartigen Durchbruch 250 weniger Wärme W in die Obskurationsblende 218B eingebracht.
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Wie zuvor mit Bezug auf das optische System 200A erläutert, kann die Reflektivität des im Strahlengang 210 der Obskurationsblende 218A vorgeordneten ersten optischen Elements 202 in dem Bereich 242 verändert werden, so dass weniger Wärme W in die Obskurationsblende 218A eingebracht wird. Analoges gilt jedoch auch für in dem Strahlengang 210 nach der Obskurationsblende 218B angeordnete optische Elemente, beispielsweise für das zweite optische Element 204. Das heißt, Licht fällt durch den Durchbruch 250 auf das zweite optische Element 204 und wird dort „entsorgt“.
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10 zeigt eine schematische Aufsicht des zweiten optischen Elements 204. Das zweite optische Element 204 ist in dem Strahlengang 210 nach der Obskurationsblende 218B positioniert. In der Aufsicht kann das zweite optische Element 204 eine kreisrunde Geometrie aufweisen. Die Geometrie des zweiten optischen Elements 204 ist jedoch beliebig. Das zweite optische Element 204 kann in der Aufsicht auch oval, ellipsenförmig oder polygonförmig, insbesondere dreieckig, quadratisch oder rechteckig, sein. Das zweite optische Element 204 weist vorderseitig, das heißt dem dritten optischen Element 206 zugewandt, eine optisch wirksame Fläche 240 auf. Die optisch wirksame Fläche 240 ist geeignet Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, zu reflektieren. Die optisch wirksame Fläche 240 ist eine Spiegelfläche.
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Das in dem Strahlengang 210 nach der Obskurationsblende 218B angeordnete zweite optische Element 204 weist einen Bereich 242 auf, in dem es kein Licht außerhalb der Obskuration 208 gibt. Das heißt, es gibt auf dem zweiten optischen Element 204 einen gemeinsamen Bereich 242 der Bilder der Obskurationsblende 218B für alle Feldpunkte auf dem zweiten optischen Element 204. Mit anderen Worten sieht der Bereich 242 nur Licht, insbesondere EUV-Strahlung 100A, welches durch den Durchbruch 250 der Obskurationsblende 218B fällt. Dabei muss gewährleistet sein, dass das Licht innerhalb des Durchbruchs 250 in der Obskurationsblende 218B nicht den Wafer 124 als Streulicht erreicht.
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11 zeigt eine schematische Schnittansicht des zweiten optischen Elements 204. Das zweite optische Element 204 umfasst ein Substrat 244. Das Substrat 244 kann ein Glasblock oder Glaskeramikblock sein. An dem Substrat 244 ist eine Schicht 246 vorgesehen, welche die optisch wirksame Fläche 240 verwirklicht. Das heißt, an der Schicht 246 ist die optisch wirksame Fläche 240 vorgesehen. Die Modifikation der Schicht 246 beziehungsweise des Bereichs 242 kann wie mit Bezug auf das optische System 200A beziehungsweise auf das erste optische Element 202 erläutert, durchgeführt werden.
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Wird nun in diesem Bereich 242 gezielt die Reflektivität der optisch wirksamen Fläche 240 reduziert, erreicht das durch den Durchbruch 250 gefallende Licht nicht die Feldebene 212. Wenn der Bereich 242 derart verändert wird, dass das Licht gezielt entfernt, beispielsweise absorbiert wird, dann wird die Gefahr, dass zusätzliches Streulicht den Wafer 124 erreicht, reduziert.
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Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
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Bezugszeichenliste
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- 100A
- EUV-Lithographieanlage
- 100B
- DUV-Lithographieanlage
- 102
- Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
- 104
- Projektionssystem
- 106A
- EUV-Lichtquelle
- 106B
- DUV-Lichtquelle
- 108A
- EUV-Strahlung
- 108B
- DUV-Strahlung
- 110
- Spiegel
- 112
- Spiegel
- 114
- Spiegel
- 116
- Spiegel
- 118
- Spiegel
- 120
- Photomaske
- 122
- Spiegel
- 124
- Wafer
- 126
- optische Achse
- 128
- Linse
- 130
- Spiegel
- 132
- Medium
- 200A
- optisches System
- 200B
- optisches System
- 202
- optisches Element
- 204
- optisches Element
- 206
- optisches Element
- 208
- Obskuration
- 210
- Strahlengang
- 212
- Feldebene
- 214
- Pupillenebene
- 216
- Aperturblende
- 218A
- Obskurationsblende
- 218B
- Obskurationsblende
- 220
- Zwischenraum
- 222
- Basisabschnitt
- 224
- Befestigungselement
- 226
- Befestigungselement
- 228
- Befestigungselement
- 230
- Befestigungselement
- 232
- lichtbestimmende Kante
- 234
- Schatten
- 236
- Schatten
- 238
- Schatten
- 240
- optisch wirksame Fläche
- 242
- Bereich
- 244
- Substrat
- 246
- Schicht
- 248
- Absorberschicht
- 250
- Durchbruch
- 252
- lichtbestimmende Kante
- 254
- Bereich
- M1
- Spiegel
- M2
- Spiegel
- M3
- Spiegel
- M4
- Spiegel
- M5
- Spiegel
- M6
- Spiegel
- W
- Wärme
