DE102021118568A1

DE102021118568A1 - Process for a substrate carrier, a substrate carrier and a vacuum arrangement

Info

Publication number: DE102021118568A1
Application number: DE102021118568.8A
Authority: DE
Inventors: Thomas Meyer; Torsten Dsaak; Michael Hofmann; Georg Haasemann; Knut Barthel; Robert Stock
Original assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Current assignee: Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date: 2021-07-19
Filing date: 2021-07-19
Publication date: 2023-01-19

Abstract

Ein Substratträger (100) ein plattenförmiges Gestell (102) und mehrere Substrataufnahmebereiche (104) aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (1000) für den Substratträger (100) aufweisen: Anordnen eines Substrats (204) in einem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche (104), in welchem eine das plattenförmige Gestell (102) berührende Schicht (106), die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht, angeordnet ist, derart, dass die Schicht (106) das Substrat (204) berührt; und Prozessieren des Substrats (204), das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist und die Schicht (106) berührt, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrate (204) Energie zuführt.A substrate carrier (100) has a plate-shaped frame (102) and a plurality of substrate receiving areas (104). According to various embodiments, a method (1000) for the substrate carrier (100) can include: arranging a substrate (204) in a substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas (104), in which a plate-shaped frame (102) touching layer (106) consisting of a fluid and/or a film, is arranged such that the layer (106) contacts the substrate (204); and processing the substrate (204) disposed in the substrate receiving area and contacting the layer (106) by a process in a vacuum which energizes the substrate (204).

Description

Verschiedene Ausführungsbeispiele betreffen ein Verfahren für einen Substratträger, einen Substratträger und eine Vakuumanordnung, z.B. eine Anlage, welche Schichten von einer Quelle auf einem Substrat abscheidet, z.B. eine Vakuumanlage.Various embodiments relate to a method for a substrate support, a substrate support, and a vacuum assembly, e.g., a tool, that deposits layers from a source onto a substrate, e.g., a vacuum tool.

Im Allgemeinen können Werkstücke oder Substrate prozessiert (auch als bearbeitet bezeichnet) werden, z.B. beschichtet, erwärmt, geätzt und/oder strukturell verändert werden. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats ist beispielsweise die Beschichtung im Vakuum, z.B. mittels chemischer oder physikalischer Gasphasenabscheidung. Die Effizienz der dafür eingesetzten Anlage steigt im Üblichen mit deren Größe und deren Durchsatzvermögen. Beispielsweise können große Anlagen ein großes Durchsatzvermögen ermöglichen und dadurch die Bearbeitungskosten reduzieren. Das Durchsatzvermögen wird noch weiter erhöht, wenn die Substrate hintereinander durch die Anlage hindurch transportiert werden (auch als In-Line-Konfiguration bezeichnet), so dass eine Massenbearbeitung erfolgt.In general, workpieces or substrates can be processed (also referred to as machined), e.g. coated, heated, etched and/or structurally altered. One method of processing a substrate is, for example, vacuum deposition, e.g., by chemical or physical vapor deposition. The efficiency of the system used for this usually increases with its size and throughput capacity. For example, large systems can allow for high throughput and thereby reduce processing costs. Throughput is further increased when the substrates are transported through the system one at a time (also referred to as an in-line configuration) so that bulk processing occurs.

Einige Typen von Substraten sind allerdings in ihrer Größe beschränkt. Ein Beispiel dafür ist der Halbleiterwafer, welcher nicht beliebig groß hergestellt werden kann. In solchen Fällen kommt ein sogenannter Substratträger (auch als Carrier oder Tray bezeichnet) zum Einsatz, in welchem mehrere Substrate gehalten und gleichzeitig transportiert bzw. bearbeitet werden können. Sollen beispielsweise kleine Substrate in einer großen Anlage beschichtet werden, so werden diese Substrate mittels eines Substratträgers durch die Anlage hindurch und unter oder über der Beschichtungsvorrichtung (auch als Depositionsquelle oder Beschichtungsmaterial-Quelle bezeichnet) entlanggeführt.However, some types of substrates are limited in size. An example of this is the semiconductor wafer, which cannot be produced in any size. In such cases, a so-called substrate carrier (also referred to as a carrier or tray) is used, in which several substrates can be held and transported or processed at the same time. If, for example, small substrates are to be coated in a large system, these substrates are guided through the system and below or above the coating device (also referred to as deposition source or coating material source) by means of a substrate carrier.

Das Prozessieren eines Substrates, wie beispielsweise ein Beschichten des Substrates, kann dem Substrat Energie zuführen, wodurch das Substrat erwärmt werden kann. Einige Typen von Substraten sind allerdings temperaturempfindlich, so dass das Substrat auf eine Temperatur gebracht werden kann, bei welchem dieses verändert (z.B. geschädigt) werden kann. Ein Beispiel für ein Substrat ist ein (z.B. chemisch) vorgespanntes Glas, dessen Härte aufgrund eines Erwärmens abnimmt. Anschaulich kann eine Energiezufuhr aufgrund des Prozessierens eines Substrats zu einem unerwünschten Glühen des Substrats führen. Um eine temperaturbedingte (z.B. chemische und/oder physikalische) Veränderung eines Substrats während eines Prozessierens zu hemmen (z.B. zu verhindern), werden herkömmlicherweise aktiv gekühlte Oberflächen verwendet, welche als Wärmesenke zum Kühlen des Substrats im Vakuum (mittels Wärmestrahlung) dienen. Allerdings erhöhen aktiv gekühlte Oberflächen den prozesstechnischen Aufwand und vergrößern (z.B. verlängern) die Vakuumanlage, wodurch sowohl die Anschaffungskosten als auch die Prozesskosten steigen. Alternativ wird die Beschichtungsrate verringert, was den Durchsatz der Anlage verringert.Processing a substrate, such as coating the substrate, may add energy to the substrate, which may heat the substrate. However, some types of substrates are temperature sensitive such that the substrate can be brought to a temperature at which it can be altered (e.g. damaged). An example of a substrate is a (e.g. chemically) toughened glass whose hardness decreases due to heating. Clearly, an energy supply due to the processing of a substrate can lead to undesired glowing of the substrate. In order to inhibit (e.g. prevent) a temperature-related (e.g. chemical and/or physical) change in a substrate during processing, actively cooled surfaces are conventionally used, which serve as a heat sink for cooling the substrate in a vacuum (by means of thermal radiation). However, actively cooled surfaces increase the process engineering effort and enlarge (e.g. lengthen) the vacuum system, which increases both the acquisition costs and the process costs. Alternatively, the coating rate is reduced, reducing the throughput of the plant.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass das Potential des Substratträgers zum Kühlen eines von diesem getragenen Substrats nicht ausgeschöpft wird. Als Grund hierfür wurde erkannt, dass der Substratträger zu wenige thermische Masse aufweist oder dessen thermische Kopplung zu dem Substrat eine zu geringe Konduktion ermöglicht. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird die thermische Kopplung verbessert und/oder die thermische Masse des Substratträgers vergrößert.According to various embodiments, it was recognized that the potential of the substrate carrier for cooling a substrate carried by it is not exhausted. The reason for this was found to be that the substrate carrier has too little thermal mass or its thermal coupling to the substrate allows too little conduction. According to various embodiments, the thermal coupling is improved and/or the thermal mass of the substrate carrier is increased.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird die thermische Kopplung verbessert, indem zwischen dem Gestell des Substratträgers und dem Substrat eine Schicht (z.B. eine Fluidschicht oder eine Folie) angeordnet wird, welche das Gestell thermisch mit dem Substrat koppelt. Zum Beispiel kann dieser direkte physische Kontakt der Schicht mit dem Substrat und dem Gestell eine Wärmeübertragung (auch als Wärmetransport bezeichnet), z.B. eine Wärmeleitung (auch als Konduktion bezeichnet) von dem Substrat zu dem Gestell erhöhen. Anschaulich kann die erhöhte Wärmeübertragung mehr Wärmeleistung von dem Substrat abführen, so dass eine Temperatur, welche sich beim Prozessieren des Substrats einstellt (beispielsweise im thermischen Gleichgewicht), geringer ist. Dadurch werden zum Beispiel weniger aktiv gekühlte Oberflächen zum Kühlen des Substrats im Vakuum benötigt.According to various embodiments, thermal coupling is improved by placing a layer (e.g., a fluid layer or foil) between the stage of the substrate support and the substrate that thermally couples the stage to the substrate. For example, this direct physical contact of the layer with the substrate and the stage can increase heat transfer (also referred to as thermal transport), e.g., thermal conduction (also referred to as conduction) from the substrate to the stage. Clearly, the increased heat transfer can dissipate more thermal power from the substrate, so that a temperature that occurs when the substrate is processed (for example in thermal equilibrium) is lower. As a result, for example, fewer actively cooled surfaces are required to cool the substrate in a vacuum.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden ein Verfahren für einen Substratträger, ein Substratträger und eine Vakuumanordnung bereitgestellt, welche das Beschichten eines Substrats erleichtern, und es beispielsweise dadurch ermöglichen, die Effizienz einer Vakuumprozessieranlage zu erhöhen oder deren Betriebskosten zu verringern. Anschaulich wurde erkannt, dass eine Wärmeleitschicht zwischen dem Gestell eines Substratträgers und dem davon getragenen Substrat zusätzliche aktive Kühleinrichtungen entbehrlich machen kann.According to various embodiments, a method for a substrate carrier, a substrate carrier and a vacuum arrangement are provided, which facilitate the coating of a substrate and thereby make it possible, for example, to increase the efficiency of a vacuum processing system or to reduce its operating costs. Clearly, it was recognized that a thermally conductive layer between the frame of a substrate carrier and the substrate carried by it can make additional active cooling devices unnecessary.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Wärmeabfuhr von den Substraten erhöht, indem die Wärme mittels einer die Substrate berührenden Schicht, wie beispielsweise einer Fluidschicht und/oder einer Folie, an ein die Schicht berührendes Gestell abgeführt werden kann. Anschaulich kann die Wärmeleitung mittels der Schicht im Vergleich zu einer Wärmestrahlung eine deutlich höhere Wärmeabfuhr von den Substraten ermöglichen.According to various embodiments, heat dissipation from the substrates is increased in that the heat can be dissipated to a frame touching the layer by means of a layer touching the substrates, such as a fluid layer and/or a film. Clearly, thermal conduction by means of the layer can enable significantly higher heat dissipation from the substrates compared to thermal radiation.

Es zeigen

1A bis 6B jeweils einen Substratträger gemäß verschiedenen Ausführungsformen in verschiedenen schematischen Ansichten;
7A bis 8 jeweils eine Vakuumanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
9A und 9B jeweils eine Anordnung zum Anordnen eines Substratträgers gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und
10 ein Verfahren für einen Substratträger gemäß verschiedenen Ausführungsformen.

Show it

1A until 6B each a substrate carrier according to different embodiments in different schematic views;
7A until 8th each a vacuum assembly according to various embodiments;
9A and 9B in each case an arrangement for arranging a substrate carrier according to various embodiments; and
10 a method for a substrate carrier according to various embodiments.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings that form a part hereof, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the figure(s) being described. Because components of embodiments can be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is used for purposes of illustration and is in no way limiting. It is understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It is understood that the features of the various exemplary embodiments described herein can be combined with one another unless specifically stated otherwise. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Begriff „berühren“ im Sinne eines (z.B. direkten) physischen Kontakts (auch als Körperkontakt bezeichnet) verstanden werden. Wenn sich zwei Elemente berühren, so kann zwischen diesen Elementen zumindest abschnittsweise ein Körperkontakt bestehen. Als eine Berührung von zwei Elementen, wie hierin verwendet, kann verstanden werden, dass ein Abstand zumindest eines jeweiligen Abschnitts der zwei Elemente so klein ist, dass zwischen den zwei Elementen eine Wärmeleitung erfolgen kann. Anschaulich können die zwei sich berührenden Elemente einen körperlichthermischen Kontakt miteinander aufweisen, so dass diese über Konduktion unmittelbar Wärmeenergie austauschen können. Im Gegensatz dazu kann bei einem größeren Abstand zweier Elemente lediglich eine Wärmeübertragung mittels Konvektion oder Wärmestrahlung stattfinden.According to various embodiments, the term "touch" can be understood in the sense of a (e.g. direct) physical contact (also referred to as physical contact). If two elements touch, there can be physical contact between these elements at least in sections. As used herein, a contact of two elements can be understood as a distance of at least a respective portion of the two elements being so small that thermal conduction can occur between the two elements. Clearly, the two touching elements can have physical thermal contact with one another, so that they can directly exchange thermal energy via conduction. In contrast, with a greater distance between two elements, only heat transfer can take place by means of convection or thermal radiation.

Der Begriff „Fluid“ kann verstanden werden als ein Material, das sich unter dem Einfluss von Scherkräften kontinuierlich verformt, beispielsweise der Form eines Behälters anpassend. Beispielsweise kann das Material einer Scherung keinen Widerstand oder nur den Strömungswiderstand entgegensetzen (d.h. eine endliche Viskosität aufweist). Beispielsweise kann das Fluid dem Fließgesetz oberhalb der Fließgrenze unterliegen (DIN 1342). Ein Fluid kann ein Gas und/oder eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus bestehen, und optional Feststoffpartikel aufweisen. Ein Fluid, wie hierin verwendet, kann eine Paste, wie beispielsweise eine Wärmeleitpaste, aufweisen oder daraus bestehen. Als Paste kann eine Suspension (Feststoff-Flüssigkeits-Gemisch) verstanden werden. Als Wärmeleitpaste kann eine Paste verstanden werden, welche die Wärmeübertragung zwischen zwei Objekten, wie beispielsweise einem Substrat und einem Gestell, verbessert gegenüber Luft.The term "fluid" can be understood as a material that continuously deforms under the influence of shearing forces, for example adapting to the shape of a container. For example, the material may have no resistance to shear or only resistance to flow (i.e., have a finite viscosity). For example, the fluid can be subject to the flow law above the yield point (DIN 1342). A fluid may include or consist of a gas and/or a liquid, and optionally include solid particles. A fluid, as used herein, may include or consist of a paste, such as a thermal paste. A paste can be understood as a suspension (solid-liquid mixture). A thermally conductive paste can be understood to mean a paste that improves the heat transfer between two objects, such as a substrate and a frame, compared to air.

Der Begriff „Folie“ kann verstanden werden als ein homogenes Flächengebilde. Als Folie kann ein homogenes Flächengebilde mit einer Breite und Länge verstanden werden, dessen Dicke kleiner ist als 3% (z.B. kleiner als 1%) der Breite und/oder Länge. Zum Beispiel kann eine Folie, wie hierin verwendet, eine Dicke kleiner als 3 mm (z.B. kleiner als 1 mm, z.B. kleiner als 0,5 mm, z.B. kleiner als 0,1 mm) aufweisen.The term "foil" can be understood as a homogeneous flat structure. A film can be understood to mean a homogeneous flat structure with a width and length whose thickness is less than 3% (e.g. less than 1%) of the width and/or length. For example, a film as used herein may have a thickness less than 3mm (e.g. less than 1mm, e.g. less than 0.5mm, e.g. less than 0.1mm).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substrat prozessiert (auch als Bearbeiten bezeichnet) werden. Beispiele für das Bearbeiten (auch als Prozessieren bezeichnet) weisen auf: Hinzufügen von Material (z.B. Beschichten und/oder Dotieren), Abtragen von Material (z.B. Ätzen), Zuführen von Energie (z.B. Erwärmen und/oder Bestrahlen), Entziehen von Energie (z.B. Kühlen), chemisches Verändern (z.B. Rekristallisieren oder Entmischen). Beispiele für das Beschichten weisen auf: chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Optional kann das Beschichten plasmaunterstützt sein, z.B. eine plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung bereitstellend. Beispiele für eine Prozessiervorrichtung weisen auf: eine Beschichtungsvorrichtung, eine Ätzvorrichtung, eine Bestrahlungsvorrichtung. Die Beschichtungsvorrichtung kann beispielsweise zum Durchführen einer PVD eingerichtet sein, z.B. indem diese einen Feststoff in ein gasförmiges Material überführt, z.B. mittels eines Plasmas und/oder mittels thermischen Verdampfens. Beispiele für eine Beschichtungsvorrichtung weisen auf: eine Sputtervorrichtung und eine Elektronenstahlverdampfung-Vorrichtung.According to various embodiments, a substrate may be processed (also referred to as machining). Examples of editing (also referred to as processing) include: adding material (e.g., coating and/or doping), removing material (e.g., etching), adding energy (e.g., heating and/or irradiating), removing energy (e.g., cooling), chemical changes (e.g. recrystallization or demixing). Examples of coating include: chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD). Optionally, the coating may be plasma-enhanced, e.g., providing plasma-enhanced chemical vapor deposition. Examples of a processing device include: a coating device, an etching device, an irradiation device. The coating device can be set up, for example, to carry out a PVD, e.g. by converting a solid into a gaseous material, e.g. by means of a plasma and/or by means of thermal evaporation. Examples of a coating device include: a sputtering device and an electron beam evaporation device.

Die Beschichtungsvorrichtung (auch als Beschichtungsmaterialquelle bezeichnet) kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Beschichten zumindest eines Substrats (d.h. eines Substrats oder mehrere Substrate) eingerichtet sein, welches z.B. durch den Beschichtungsbereich hindurch transportiert wird. Beispielsweise kann die Beschichtungsmaterialquelle zum Bereitstellen eines gasförmigen Beschichtungsmaterials (Materialdampf) und/oder flüssigen Beschichtungsmaterials eingerichtet sein, welches z.B. auf dem zumindest einen Substrat zum Bilden einer Schicht abgeschieden werden kann. Eine Beschichtungsmaterialquelle kann zumindest eines von Folgendem aufweisen: eine Sputtervorrichtung, eine thermisch-Verdampfen-Vorrichtung (z.B. einen Laserstrahlverdampfer, einen Lichtbogenverdampfer, einen Elektronenstrahlverdampfer und/oder einen thermischen Verdampfer), eine Präkursorgasquelle, einen Flüssigphasenzerstäuber. Eine Sputtervorrichtung kann zum Zerstäuben des Beschichtungsmaterials mittels eines Plasmas (anschaulich ionisiertes Gas aufweisend) eingerichtet sein. Eine thermisch-Verdampfen Vorrichtung kann zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials mittels thermischer Energie eingerichtet sein. Je nach der Beschaffenheit des Beschichtungsmaterials kann alternativ oder zusätzlich zu dem thermischen Verdampfen, d.h. ein thermisches Überführen eines flüssigen Zustands (flüssige Phase) in einen gasförmigen Zustand (gasförmige Phase), auch ein Sublimieren, d.h. ein thermisches Überführen eines festen Zustands (feste Phase) in einen gasförmigen Zustand, auftreten. Mit anderen Worten kann die thermisch-Verdampfen-Vorrichtung das Beschichtungsmaterial auch sublimieren. Ein Flüssigphasenzerstäuber kann zum Aufbringen eines Beschichtungsmaterials aus der Flüssigphase eingerichtet sein, z.B. eines Farbstoffs.According to various embodiments, the coating device (also referred to as a coating material source) can be set up for coating at least one substrate (ie one substrate or a plurality of substrates), which is transported through the coating region, for example. For example, the coating material source can be set up to provide a gaseous coating material (material vapor) and/or liquid coating material, which can be deposited, for example, on the at least one substrate to form a layer. A coating material source may include at least one of the following: a sputtering device, a thermal evaporation device (eg, a laser beam evaporator, an arc evaporator, an electron beam evaporator, and/or a thermal evaporator), a precursor gas source, a liquid phase atomizer. A sputtering device can be set up to atomize the coating material by means of a plasma (illustratively having an ionized gas). A thermal evaporation device can be set up to evaporate the coating material by means of thermal energy. Depending on the nature of the coating material, as an alternative or in addition to thermal evaporation, i.e. thermal conversion of a liquid state (liquid phase) into a gaseous state (gaseous phase), sublimation, i.e. thermal conversion of a solid state (solid phase) into a gaseous state. In other words, the thermal evaporation device can also sublimate the coating material. A liquid phase atomizer can be set up to apply a coating material from the liquid phase, for example a dye.

Das Prozessieren des Substrats kann auch aufweisen, das Substrat dem Plasma auszusetzen. Dann kann dem Plasma ein sogenanntes Prozessgas (z.B. ein oder mehr als ein gasförmiges Material aufweisend) zugeführt werden, welches von dem Plasma angeregt wird, mit dem Substrat zu wechselwirken. Beispiele für ein Prozessgas weisen auf: ein Präkursor, ein Ätzgas (d.h. z.B. eine gasförmige Säure), Sauerstoff, ein Polymer, ein Donorgas (z.B. ein Spendergas), und Ähnliches.Processing the substrate may also include exposing the substrate to the plasma. A so-called process gas (e.g. comprising one or more than one gaseous material) can then be supplied to the plasma, which is excited by the plasma to interact with the substrate. Examples of a process gas include: a precursor, an etchant gas (i.e., e.g., an acid gas), oxygen, a polymer, a donor gas (e.g., a donor gas), and the like.

Wärmeleitfähig kann hierin verstanden werden, als eine Wärmeleitfähigkeit von mehr als ungefähr 0,1 Watt pro Meter und Kelvin (W/(m·K)) aufweisend, z.B. mehr als ungefähr 0,15 W/(m·K) oder mehr als ungefähr 0,2 W/(m·K).Thermally conductive may be understood herein as having a thermal conductivity greater than about 0.1 watts per meter and Kelvin (W/(m*K)), e.g., greater than about 0.15 W/(m*K) or greater than about 0.2 W/(m·K).

Eine hierin beschriebene Höhenlage einer Komponente eines Substratträgers kann den Abstand der Komponente von einer Transportfläche bezeichnen, welche beispielsweise von der Transportrichtung aufgespannt wird. Bezogen auf den Substratträger kann die beispielsweise aufgespannt werden von den Auflageflächen des Substratträgers, d.h. an diese angrenzen. Liegt der Substratträger auf entsprechenden Transportrollen einer Transportvorrichtung auf, kann die Transportfläche von den Transportrollen aufgespannt werden und an die Auflageflächen des Substratträgers angrenzen. Beispielsweise kann die Transportfläche als Transportfläche verwendet werden.A height of a component of a substrate carrier described herein can designate the distance of the component from a transport surface, which is spanned by the transport direction, for example. In relation to the substrate carrier, it can, for example, be stretched out from the support surfaces of the substrate carrier, i.e. adjoin them. If the substrate carrier lies on corresponding transport rollers of a transport device, the transport surface can be spanned by the transport rollers and border on the support surfaces of the substrate carrier. For example, the transport surface can be used as a transport surface.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird erreicht, dass ein Wärmetransport von einem auf einem Substratträger angeordneten und prozessierten Substrat zu dem Substratträger erhöht wird, wodurch keine zusätzlichen Kühleinrichtungen erforderlich sind, was wiederum Anlagenkosten reduziert. Ferner können aufgrund des erhöhten Wärmetransports Abkühlzeiten zwischen verschiedenen Prozessen verringert werden, wodurch eine Durchsatzerhöhung erreicht wird, was wiederum die Prozesskosten reduziert.According to various embodiments, what is achieved is that heat transport from a substrate arranged and processed on a substrate carrier to the substrate carrier is increased, as a result of which no additional cooling devices are required, which in turn reduces system costs. Furthermore, because of the increased heat transport, cooling times between different processes can be reduced, as a result of which an increase in throughput is achieved, which in turn reduces the process costs.

Anschaulich wird der Wärmetransport von dem Substrat zu dem Substratträger erhöht, indem die Wärme anstatt Wärmestrahlung mittels einer Wärmeleitschicht durch Wärmeleitung übertragen wird.Clearly, the heat transport from the substrate to the substrate carrier is increased in that the heat is transferred by thermal conduction by means of a thermally conductive layer instead of thermal radiation.

1A veranschaulicht einen Substratträger 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 103 und/oder auf die Transportfläche). 1B veranschaulicht den Substratträger 100 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). Der Substratträger 100 weist ein (z.B. flächig ausgedehntes) plattenförmiges Gestell 102 auf. Das plattenförmige Gestell 102 kann entlang der Transportfläche flächig ausgedehnt sein, z.B. entlang der Transportfläche eine Breite 100q und eine Länge 1001 aufweisen. 1A 10 illustrates a substrate carrier 100 according to various embodiments in a schematic plan view or cross-sectional view (looking from direction 103 and/or onto the transport surface). 1B illustrates the substrate carrier 100 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105). The substrate carrier 100 has a plate-shaped frame 102 (for example, which extends over a two-dimensional surface). The plate-shaped frame 102 can be extended flatly along the transport surface, eg have a width 100q and a length 1001 along the transport surface.

Das plattenförmige Gestell 102 kann einen (z.B. metallischen) Feststoff (d.h. ein Material in festem Aggregatszustand) aufweisen oder daraus gebildet sein. Beispielsweise können alle festen Komponenten des Substratträgers 100 Teil des Gestells sein. Beispiele für den Feststoff weisen auf: ein Metall, z.B. Stahl und/oder Edelstahl.The plate-like frame 102 may comprise or be formed from a solid (e.g., metallic) (i.e., a material in a solid state of aggregation). For example, all fixed components of the substrate carrier 100 can be part of the frame. Examples of the solid include: a metal such as steel and/or stainless steel.

Der Substratträger 100 kann eine Länge 1001 aufweisen entlang einer Transportrichtung 105 von einem vorderen Rand 100a des Substratträgers 100 zu einem hinteren Rand 100b des Substratträgers 100 (z.B. Ausdehnung über alles). Der Substratträger 100 kann eine Breite 100q (auch als Trägerbreite 100q bezeichnet) aufweisen quer zu der Transportrichtung 105 von einem linken Rand des Substratträgers 100 zu einem rechten Rand des Substratträgers 100. Der Substratträger 100 kann eine Höhe 100h aufweisen.The substrate carrier 100 can have a length 1001 along a transport direction 105 from a front edge 100a of the substrate carrier 100 to a rear edge 100b of the substrate carrier 100 (eg overall extension). The substrate carrier 100 can have a width 100q (also referred to as carrier width 100q) transverse to the transport direction 105 from a left edge of the Substrate carrier 100 to a right edge of the substrate carrier 100. The substrate carrier 100 can have a height of 100h.

Die Länge 1001 (auch als Trägerlänge 1001 bezeichnet) des Substratträgers 100 kann beispielsweise größer sein als die Breite 100q des Substratträgers 100, z.B. größer als das Doppelte der Breite 100q. Die Länge 1001 kann beispielsweise größer sein als ungefähr 1 m (Meter), z.B. als ungefähr 1,5 m, z.B. als ungefähr 2 m, z.B. als ungefähr 3 m, z.B. als ungefähr 5 m, z.B. als ungefähr 7 m. Die Breite 100q kann beispielsweise größer sein als ungefähr 0,5 m (Meter), z.B. als ungefähr 1 m, z.B. als ungefähr 2 m, z.B. als ungefähr 3 m.The length 1001 (also referred to as carrier length 1001) of the substrate carrier 100 can, for example, be greater than the width 100q of the substrate carrier 100, e.g. greater than twice the width 100q. For example, the length 1001 may be greater than about 1 m (meters), such as about 1.5 m, such as about 2 m, such as about 3 m, such as about 5 m, such as about 7 m may be, for example, greater than about 0.5 m (meters), e.g., greater than about 1 m, e.g., greater than about 2 m, e.g., greater than about 3 m.

Der Substratträger 100 weist mindestens einen Substrataufnahmebereich (z.B. genau einen Substrataufnahmebereich, z.B. mehrere Substrataufnahmebereiche 104) auf. Im Folgenden wird der Substratträger 100 mit mehreren Substrataufnahmebereichen 104 beschrieben. Es kann verstanden werden, dass das für mehrere Substrataufnahmebereiche 104 Beschriebene in Analogie gelten kann für einen Substratträger 100, der nur einen Substrataufnahmebereich aufweist. Jeder Substrataufnahmebereich (auch als Substrattasche bezeichnet) der mehreren Substrataufnahmebereiche 104 kann eingerichtet sein, ein Substrat aufzunehmen.The substrate carrier 100 has at least one substrate receiving area (e.g. exactly one substrate receiving area, e.g. several substrate receiving areas 104). The substrate carrier 100 with a plurality of substrate receiving areas 104 is described below. It can be understood that what has been described for a plurality of substrate receiving areas 104 can apply analogously to a substrate carrier 100 which has only one substrate receiving area. Each substrate receiving area (also referred to as a substrate pocket) of the plurality of substrate receiving areas 104 can be set up to receive a substrate.

Die Anzahl an Substrataufnahmebereichen 104 pro Substratträger 100 kann beispielsweise 1 sein oder größer, z.B. 2 oder größer, z.B. 3 oder größer, z.B. 4 oder größer, z.B. 5 oder größer, z.B. 10 oder größer, z.B. 20 oder größer, z.B. 50 oder größer. Die Substrataufnahmebereiche 104 können beliebig auf dem plattenförmigen Gestell 102 angeordnet sein. Die Anzahl an Substrataufnahmebereichen 104 pro Meter entlang der Länge 1011 des Substratträgers 100 kann beispielsweise 1 sein oder größer, z.B. 2 oder größer, z.B. 3 oder größer, z.B. 4 oder größer, z.B. 5 oder größer, z.B. 10 oder größer, z.B. 20 oder größer, z.B. 50 oder größer.The number of substrate receiving areas 104 per substrate carrier 100 can be, for example, 1 or more, e.g. 2 or more, e.g. 3 or more, e.g. 4 or more, e.g. 5 or more, e.g. 10 or more, e.g. 20 or more, e.g. 50 or more. The substrate receiving areas 104 can be arranged arbitrarily on the plate-shaped frame 102 . The number of substrate receiving areas 104 per meter along the length 1011 of the substrate carrier 100 can be, for example, 1 or more, e.g. 2 or more, e.g. 3 or more, e.g. 4 or more, e.g. 5 or more, e.g. 10 or more, e.g. 20 or more , e.g. 50 or greater.

Der Substratträger 100 weist in einigen Ausführungsformen eine Schicht 106 (z.B. eine Wärmeleitschicht) auf, die in zumindest einem Substrataufnahmebereich (z.B. in genau einem Substrataufnahmebereich oder in mehr als einem Substrataufnahmebereich, z.B. in jedem Substrataufnahmebereich) der mehreren Substrataufnahmebereiche 104 angeordnet ist. Die Schicht 106 kann derart eingerichtet (z.B. angeordnet) sein, dass die Schicht 106 das plattenförmige Gestell 102 berührt. In some embodiments, the substrate carrier 100 has a layer 106 (e.g. a thermally conductive layer) which is arranged in at least one substrate receiving area (e.g. in exactly one substrate receiving area or in more than one substrate receiving area, e.g. in each substrate receiving area) of the plurality of substrate receiving areas 104. Layer 106 may be configured (e.g., arranged) such that layer 106 contacts shelf 102 .

Zum Beispiel kann die Schicht 106 in einem Substrataufnahmebereich in direktem physischen Kontakt mit dem plattenförmigen Gestell 102 angeordnet sein. Die Schicht 106 kann derart eingerichtet sein, dass in dem Substrataufnahmebereich ein Substrat derart angeordnet werden kann, dass das Substrat die Schicht 106 berührt. Optional kann das Gestell Substratauflagesegmente aufweisen, auf denen das Substrat aufliegt, beispielsweise in direktem physischen Kontakt mit dem plattenförmigen Gestell 102.For example, the layer 106 may be placed in direct physical contact with the pedestal 102 in a substrate receiving area. The layer 106 can be set up in such a way that a substrate can be arranged in the substrate receiving area in such a way that the substrate touches the layer 106 . Optionally, the frame can have substrate support segments on which the substrate rests, for example in direct physical contact with the plate-shaped frame 102.

Die Schicht 106 kann eine Schichtdicke (in Richtung 103) aufweisen. Die Schichtdicke kann in einem Bereich von ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 3 mm liegen. Die Dicke der Schicht 106 kann größer sein als ungefähr 1 % der Gestellhöhe 100h. Alternativ oder zusätzlich kann die Dicke der Schicht 106 kleiner sein als 10 % der Gestellhöhe 100h. In einigen Ausführungsformen kann die Schicht 106 aber auch größer sein als 10 % der Gestellhöhe 100h, beispielsweise wenn das Substrat besonders flach ist oder besonders wenig verschattet und/oder überragt werden soll.Layer 106 may have a layer thickness (in direction 103). The layer thickness can range from about 0.1 µm to about 3 mm. The thickness of layer 106 can be greater than about 1% of rack height 100h. Alternatively or additionally, the thickness of the layer 106 can be less than 10% of the frame height 100h. In some embodiments, however, the layer 106 can also be greater than 10% of the frame height 100h, for example if the substrate is particularly flat or is to be shaded and/or projected over particularly little.

So kann ein Substrataufnahmebereich 104 zum Beispiel eine Tiefe 104h (z.B. eine Rahmenhöhe 404h, siehe zum Beispiel 4B) von ungefähr 1 mm aufweisen. In diesem Fall kann die Gestellhöhe 100h kleiner sein als das zehnfache (z.B. kleiner als das fünffache) der Schichtdicke, welche in dem Bereich von ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 3 mm liegen kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Tiefe 104h eines Substrataufnahmebereichs 104 kleiner sein als die doppelte Höhe eines Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich 104 aufgenommen werden kann. Zum Beispiel kann das Substrat eine Höhe von ungefähr 0,6 mm aufweisen und die Tiefe 104h des Substrataufnahmebereichs kann ungefähr 1 mm sein. Dadurch kann beispielsweise eine homogene Beschichtung während eines Beschichtungsprozesses sichergestellt werden. Anschaulich kann dies verhindern, dass Substratränder des Substrats bei einer Schichtabscheidung „verschattet“ werden.For example, a substrate receiving area 104 can have a depth 104h (e.g. a frame height 404h, see e.g 4B) of about 1 mm. In this case, the rack height 100h can be less than ten times (eg, less than five times) the layer thickness, which can range from about 0.1 μm to about 3 mm. According to various embodiments, the depth 104h of a substrate receiving area 104 may be less than twice the height of a substrate that can be received in the substrate receiving area 104 . For example, the substrate may have a height of approximately 0.6 mm and the depth 104h of the substrate receiving area may be approximately 1 mm. In this way, for example, a homogeneous coating can be ensured during a coating process. Clearly, this can prevent substrate edges of the substrate from being “shadowed” during a layer deposition.

Jeder Substrataufnahmebereich 104 kann eine Aussparung (z.B. eine Vertiefung) in dem plattenförmigen Gestell 102 aufweisen. Each substrate-receiving area 104 may have a recess (e.g., a recess) in the plate-shaped frame 102 .

Die Aussparung eines Substrataufnahmebereichs 104 kann von einer Oberseite 102o des plattenförmigen Gestells 102 in das plattenförmige Gestell 102 hinein erstreckt sein in Richtung zu einer Unterseite 102u des plattenförmigen Gestells 102 hin, z.B. bis zu einem Boden 108 der Aussparung. Die Oberseite 102o des plattenförmigen Gestells 102 kann eine zu prozessierende Seite des Substratträgers 100 (z.B. des plattenförmigen Gestells 102) sein bzw. einer Prozessiervorrichtung zugewandt sein. Die Schicht 106 kann den Boden 108 der Aussparung berühren und/oder diese bedecken, z.B. die Aussparung auskleidend. Zum Beispiel kann die Schicht 106 zumindest den Boden 108 der Aussparung bedecken. Die Schicht 106 kann eine Substratauflage bereitstellen, auf der ein Substrat aufliegen kann.The recess of a substrate receiving area 104 can extend from an upper side 102o of the plate-shaped frame 102 into the plate-shaped frame 102 in the direction of an underside 102u of the plate-shaped frame 102, eg up to a bottom 108 of the recess. The upper side 102o of the plate-shaped frame 102 can be a side of the substrate carrier 100 (eg of the plate-shaped frame 102) to be processed or can face a processing device. The layer 106 may touch and/or cover the bottom 108 of the recess, eg lining the recess. For example, layer 106 can at least cover the bottom 108 of the recess. Layer 106 may provide a substrate support upon which a substrate may rest.

Nachfolgend werden weitere Ausführungsformen des Substratträgers 100 erläutert.Further embodiments of the substrate carrier 100 are explained below.

2A und 2B veranschaulichen jeweils einen Ausschnitt 200 des Substratträgers 100 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105) durch einen Substrataufnahmebereich 104 hindurch gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 2A and 2 B each illustrate a section 200 of the substrate carrier 100 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105) through a substrate receiving area 104 according to various embodiments.

Das plattenförmige Gestell 102 kann eine Höhe 100h (auch als Gestellhöhe bezeichnet) aufweisen, dessen Ausdehnung von der Oberseite 102o zu der Unterseite 102u sein kann. Grundsätzlich kann die Gestellhöhe 100h unterschiedliche Werte an unterschiedlichen Stellen des plattenförmigen Gestells 102 aufweisen, muss dies aber nicht notwendigerweise. Die hierin erläuterten Werte für die Gestellhöhe 100h können beispielsweise der räumlich gemittelte Wert der Ausdehnung von der Oberseite 102o zu der Unterseite 102u sein, das Maximum der Ausdehnung von der Oberseite 102o zu der Unterseite 102u sein, oder der Wert der Höhe 100h an den Substratauflagen.The plate-shaped frame 102 can have a height 100h (also referred to as frame height), which can extend from the top 102o to the bottom 102u. In principle, the frame height 100h can have different values at different points of the plate-shaped frame 102, but this does not necessarily have to be the case. The values for the rack height 100h discussed herein can be, for example, the spatially averaged value of the extension from the top 102o to the bottom 102u, the maximum of the extension from the top 102o to the bottom 102u, or the value of the height 100h at the substrate supports.

Die Länge 1001 und/oder die Breite 100q können beispielsweise größer sein als die Gestellhöhe 100h, z.B. größer als das Zehnfache der Gestellhöhe 100h, z.B. größer als das Hundertfache der Gestellhöhe 100h.The length 1001 and/or the width 100q can, for example, be greater than the frame height 100h, for example greater than ten times the frame height 100h, for example greater than a hundred times the frame height 100h.

Die Gestellhöhe 100h kann beispielsweise kleiner sein als ungefähr 0,2 m (Meter), z.B. als ungefähr 0,1 m, z.B. als ungefähr 0,05 m, z.B. als ungefähr 0,02 m, z.B. als ungefähr 0,01 m. Zum Beispiel kann die Gestellhöhe einen Wert in einem Bereich von ungefähr 10 mm bis ungefähr 15 mm aufweisen. Mit anderen Worten kann das plattenförmige Gestell 102 eine flache Struktur sein, welche flächig in Transportrichtung 105 und in Breitenrichtung 101 ausgedehnt ist.Rack height 100h may be, for example, less than about 0.2 m (meters), such as about 0.1 m, such as about 0.05 m, such as about 0.02 m, such as about 0.01 m For example, the frame height may have a value in a range from about 10 mm to about 15 mm. In other words, the plate-shaped frame 102 can be a flat structure which is extended over a surface area in the transport direction 105 and in the width direction 101 .

Der Substrataufnahmebereich 104 kann eine Aussparung 202 (z.B. eine Vertiefung) in dem plattenförmigen Gestell 102 aufweisen. Die Aussparung 202 kann von der Oberseite 102o des plattenförmigen Gestells 102 in das plattenförmige Gestell 102 hinein erstreckt sein in Richtung zu der Unterseite 102u des plattenförmigen Gestells 102 hin bis zu dem Boden 108 der Aussparung 202. Die Schicht 106 kann den Boden 108 der Aussparung 202 berühren. Zum Beispiel kann die Schicht 106 den Boden 108 der Aussparung 202 bedecken, z.B. die Aussparung auskleidend. Wie in 2B gezeigt, kann die Schicht 106 optional zumindest teilweise (z.B. vollständig) zwischen den mehreren Substrataufnahmebereichen 104 angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Schicht 106 derart zwischen den mehreren Substrataufnahmebereichen 104 angeordnet sein, dass die Schicht 106 das plattenförmige Gestell 102 berührt. Ferner optional kann die Schicht 106 einen seitlichen Rand 202r der Aussparung 202 zumindest teilweise berühren (z.B. vollständig über dem seitlichen Rand 202r angeordnet sein).The substrate receiving area 104 can have a recess 202 (eg a recess) in the plate-shaped frame 102 . The recess 202 can extend from the top 102o of the plate-shaped frame 102 into the plate-shaped frame 102 in the direction of the underside 102u of the plate-shaped frame 102 up to the bottom 108 of the recess 202. The layer 106 can cover the bottom 108 of the recess 202 touch. For example, layer 106 may cover bottom 108 of recess 202, eg, lining the recess. As in 2 B As shown, layer 106 may optionally be at least partially (eg, fully) disposed between the plurality of substrate receiving areas 104 . For example, the layer 106 may be disposed between the plurality of substrate receiving areas 104 such that the layer 106 contacts the shelf 102 . Further optionally, the layer 106 may at least partially contact a lateral edge 202r of the recess 202 (eg, be disposed entirely over the lateral edge 202r).

Eine Ausdehnung jeder Aussparung entlang der Transportrichtung 105 kann beispielsweise kleiner sein als ungefähr 0,5 m (Meter), z.B. als ungefähr 0,25 m, z.B. als ungefähr 0,15 m. Eine Ausdehnung jeder Aussparung quer zur Transportrichtung 105 kann beispielsweise kleiner sein als ungefähr 0,5 m (Meter), z.B. als ungefähr 0,25 m, z.B. als ungefähr 0,15 m.An extent of each recess along the transport direction 105 can be, for example, less than about 0.5 m (meters), e.g. than approximately 0.25 m, e.g. than approximately 0.15 m. An extent of each recess transverse to the transport direction 105 can be smaller, for example than about 0.5 m (meters), e.g., about 0.25 m, e.g., about 0.15 m.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist die Schicht 106 derart eingerichtet, dass in dem Substrataufnahmebereich 104 ein Substrat 204 in direktem physischen Kontakt mit der Schicht 106 angeordnet werden kann. Zum Beispiel kann die den Boden 108 der Aussparung 202 bedeckende Schicht 106 eine Substratauflage bereitstellen, auf der ein Substrat 204 aufliegen kann.According to various embodiments, the layer 106 is set up such that a substrate 204 can be arranged in direct physical contact with the layer 106 in the substrate receiving area 104 . For example, the layer 106 covering the bottom 108 of the cavity 202 may provide a substrate support upon which a substrate 204 may rest.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass ein Hohlraum zwischen einem Substrat und einem Gestell des Substratträgers lediglich eine Wärmeübertragung von dem Substrat zu dem Substratträger mittels Wärmestrahlung ermöglicht und somit hemmt, dass das Substrat Wärmeenergie an das Gestell abgibt. Als ein Aspekt wurde erkannt, dass eine Schicht (z.B. eine Fluidschicht und/oder eine Folie), die sowohl das Substrat 204 als auch das plattenförmige Gestell 102 berührt, aufgrund des thermischen Kontakts eine Wärmeleitung von dem Substrat 204 zu dem plattenförmigen Gestell 102 ermöglicht. Hierbei wurde erkannt, dass die Wärmeleitung im Vergleich zu einer Wärmestrahlung (z.B. im Vakuum) einen signifikant höheren Wärmetransport ermöglicht, wodurch eine (z.B. passive) Kühlung des Substrats 204 erreicht werden kann.According to various embodiments, it was recognized that a cavity between a substrate and a frame of the substrate carrier only allows heat to be transferred from the substrate to the substrate carrier by means of thermal radiation and thus inhibits the substrate from emitting thermal energy to the frame. As one aspect, it has been recognized that a layer (e.g., a fluid layer and/or a film) that contacts both the substrate 204 and the slab 102 allows thermal conduction from the substrate 204 to the slab 102 due to thermal contact. It was recognized here that thermal conduction enables significantly higher heat transport compared to thermal radiation (e.g. in a vacuum), as a result of which (e.g. passive) cooling of the substrate 204 can be achieved.

Grundsätzlich kann das Substrat zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Keramik, ein Glas, ein Halbleiter (z.B. amorphes, polykristalliner oder einkristalliner Halbleiter, wie Silizium), ein Metall, und/oder ein Polymer (z.B. Kunststoff). Beispielsweise kann das Substrat eine Kunststofffolie, ein Wafer (ein Halbleitersubstrat), eine Metallfolie, ein Metallblech oder eine Glasplatte sein, und optional beschichtet sein oder werden.In principle, the substrate can include or be formed from at least one of the following: a ceramic, a glass, a semiconductor (e.g. amorphous, polycrystalline or monocrystalline semiconductor such as silicon), a metal, and/or a polymer (e.g. plastic). For example, the substrate can be a plastic film, a wafer (a semiconductor substrate), a metal foil, a metal sheet or a glass plate, and optionally be or will be coated.

Das Substrat 204 kann in einigen Ausführungsformen (beispielsweise thermisch und/oder chemisch) vorgespannt sein. In diesem Fall kann das Substrat besonders temperaturempfindlich sein. Ein thermisch (nach DIN 12150-1) vorgespanntes Substrat (z.B. Glas) wird auf eine Temperatur oberhalb seiner Transformationstemperatur, beispielsweise auf etwa 630 Grad Celsius, erhitzt und dann durch Abblasen mit kalter Luft rasch abgekühlt. Ein chemisch vorgespanntes Substrat (z.B. Glas) wird chemisch inhomogen modifiziert (z.B. dotiert) und dadurch verspannt.The substrate 204 may be tempered (e.g., thermally and/or chemically) in some embodiments. In this case, the substrate can be particularly sensitive to temperature being. A thermally (according to DIN 12150-1) toughened substrate (eg glass) is heated to a temperature above its transformation temperature, for example to around 630 degrees Celsius, and then rapidly cooled by blowing off with cold air. A chemically toughened substrate (eg glass) is chemically inhomogeneously modified (eg doped) and thus strained.

Das Substrat 204 kann in einigen bevorzugten Ausführungsformen ein Glassubstrat sein, beispielsweise ein (z.B. chemisch) vorgespanntes Glas (z.B. Gorilla-Glas) aufweisend.The substrate 204 may, in some preferred embodiments, be a glass substrate, for example comprising a (e.g. chemically) toughened glass (e.g. gorilla glass).

Das Substrat 204 (z.B. vorgespannte Glassubstrat) kann zum Beispiel eine Länge in einem Bereich von ungefähr 50 mm bis ungefähr 70 mm aufweisen. Das Substrat 204 (z.B. vorgespannte Glassubstrat) kann zum Beispiel eine Breite in einem Bereich ungefähr 130 mm bis ungefähr 170 mm aufweisen. Das Substrat 204 (z.B. vorgespannte Glassubstrat) kann zum Beispiel eine Höhe (z.B. eine Dicke) in einem Bereich von ungefähr 0,4 mm bis ungefähr 0,8 mm aufweisen.The substrate 204 (e.g., toughened glass substrate) may have a length in a range from about 50 mm to about 70 mm, for example. The substrate 204 (e.g., toughened glass substrate) may have a width in a range of about 130 mm to about 170 mm, for example. For example, the substrate 204 (e.g., tempered glass substrate) may have a height (e.g., a thickness) in a range from about 0.4 mm to about 0.8 mm.

Die Schicht 106 kann aus einem Fluid (dann auch als Fluidschicht bezeichnet) und/oder einem Feststoff bestehen (dann auch als Folie bezeichnet). Die Folie der Schicht 106 kann beispielsweise ein Metall und/oder Kohlenstoff in einer Kohlenstoffmodifikation (z.B. Graphit) aufweisen oder daraus bestehen. Beispielsweise kann die Folie der Schicht 106 eine Grafitfolie und/oder eine Metallfolie aufweisen oder daraus bestehen.The layer 106 can consist of a fluid (then also referred to as a fluid layer) and/or a solid (then also referred to as a film). The foil of the layer 106 can, for example, contain or consist of a metal and/or carbon in a carbon modification (e.g. graphite). For example, the foil of the layer 106 can have or consist of a graphite foil and/or a metal foil.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substratträger 100 derart eingerichtet sein, dass das in dem Substrataufnahmebereich 104 angeordnete Substrat 204 auf einer oder mehr als einer Seite des Substrats freiliegt, z.B. einem Prozess (z.B. einem Beschichtungsprozess) und/oder einem Vakuum ausgesetzt werden kann. Das Vakuum kann einen Druck in einem Bereich von ungefähr 10 mbar bis ungefähr 1 mbar (mit anderen Worten Grobvakuum) aufweisen oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar (mit anderen Worten Feinvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10^-3 mbar bis ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Hochvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck von kleiner als Hochvakuum, z.B. kleiner als ungefähr 10^-7 mbar.According to various embodiments, the substrate carrier 100 can be set up in such a way that the substrate 204 arranged in the substrate receiving area 104 is exposed on one or more than one side of the substrate, eg can be exposed to a process (eg a coating process) and/or a vacuum. The vacuum may have a pressure in a range from about 10 mbar to about 1 mbar (in other words rough vacuum) or less, eg a pressure in a range from about 1 mbar to about 10 ^-3 mbar (in other words medium vacuum) or less , eg a pressure in a range from about 10 ^-3 mbar to about 10 ^-7 mbar (in other words high vacuum) or less, eg a pressure of less than high vacuum, eg less than about 10 ^-7 mbar.

Das Prozessieren (z.B. Beschichten) des Substrats 204 kann dem Substrat 204 (z.B. thermische) Energie zuführen, wodurch das Substrat 204 erwärmt wird. Beispielsweise kann das Substrat 204 beim Prozessieren (z.B. Beschichten) aus dem thermischen Gleichgewicht gebracht werden. Beispielsweise kann die thermische Energie oder ein Teil derer aufgrund der Kondensation des Beschichtungsmaterials auf dem Substrat frei werden. Beispielsweise kann das Beschichtungsmaterial thermische Energie oder ein Teil derer aufweisen und diese an das Substrat abgeben. Beispielsweise kann eine Bestrahlung (z.B. mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Partikeln) des Substrats erfolgen, welche in die thermische Energie oder ein Teil derer umgesetzt wird.Processing (e.g., coating) the substrate 204 may provide energy (e.g., thermal) to the substrate 204, thereby heating the substrate 204. For example, the substrate 204 may be thermally unbalanced during processing (e.g., coating). For example, the thermal energy or part of it can be released due to the condensation of the coating material on the substrate. For example, the coating material may contain thermal energy or a portion thereof and deliver it to the substrate. For example, the substrate can be irradiated (e.g. with electromagnetic radiation and/or particles), which is converted into the thermal energy or a part thereof.

Als ein Aspekt wurde erkannt, dass diese prozessbedingte Erwärmung zu (beispielsweise chemischen oder physikalischen) Veränderungen (z.B. Schädigungen) des Substrats führen kann. Es wurde erkannt, dass diese Veränderung gehemmt (z.B. verhindert) werden kann, indem mehr Wärme von dem Substrat durch eine Schicht hindurch mittels Wärmeleitung zu dem plattenförmigen Gestell abgeführt wird. Anschaulich kann das Substrat passiv gekühlt werden mittels des Gestells.As one aspect, it was recognized that this process-related heating can lead to (e.g. chemical or physical) changes (e.g. damage) to the substrate. It has been found that this change can be inhibited (e.g. prevented) by conducting more heat away from the substrate through a layer to the slab. Clearly, the substrate can be passively cooled by means of the frame.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schicht 106 (z.B. die Fluidschicht und/oder die Folie) bei der Temperatur, auf die das Substrat 204 aufgrund des Prozessierens erwärmt wird, und in dem Vakuum, in dem das Substrat 204 prozessiert wird, vakuumbeständig sein.According to various embodiments, the layer 106 (e.g., the fluid layer and/or the foil) may be vacuum resistant at the temperature to which the substrate 204 is heated due to processing and in the vacuum in which the substrate 204 is processed.

Eine Vakuumbeständigkeit einer Schicht, wie hierin verwendet, kann beschreiben, dass die Schicht in dem Vakuum bei der Temperatur, auf die das Substrat aufgrund des Prozessierens erwärmt wird, weder zersetzt (z.B. nicht thermisch zersetzt) wird noch ausgast. Als Ausgasen wird ein Austreten von Gasen aus der Schicht verstanden. Eine Schicht kann zum Beispiel als in dem Vakuum nicht ausgasend betrachtet werden, wenn sich ein Vakuumdruck aufgrund des Ausgasens nicht verändert um mehr als einen Faktor von ungefähr drei oder weniger (z.B. von ungefähr zwei oder weniger)A vacuum durability of a layer, as used herein, may describe that the layer neither decomposes (e.g., thermally decomposes) nor outgasses in the vacuum at the temperature to which the substrate is heated due to processing. Outgassing is understood to be the escape of gases from the layer. For example, a layer may be considered non-outgassing in the vacuum if a vacuum pressure does not change by more than a factor of about three or less (e.g., about two or less) due to outgassing.

Zum Beispiel kann die Schicht 106 aus einem Fluid bestehen (z.B. eine Fluidschicht bildend) und das Fluid kann bezüglich des Prozessierens vakuumbeständig und temperaturbeständig sein.For example, layer 106 may be comprised of a fluid (e.g., forming a fluid layer) and the fluid may be vacuum resistant and temperature resistant to processing.

Ein Material (z.B. das Schichtmaterial) oder Objekt daraus kann dann als vakuumbeständig verstanden werden, wenn dessen Dampfdruck bei einer Temperatur (auch als Einsatztemperatur bezeichnet), dem dieses im Prozess ausgesetzt ist, kleiner ist, als der Druck (auch als Einsatzdruck bezeichnet), welchem dieses im Prozess ausgesetzt ist. Der Einsatzdruck kann beispielsweise ein Vakuumdruck (z.B. 0,3 bar) und/oder der Arbeitsdruck (z.B. 3,0E-03 mbar oder weniger) in der Vakuumkammer während des Prozesses sein (auch als Prozessdruck bezeichnet) oder weniger. Die Einsatztemperatur kann beispielsweise die Soll-Prozesstemperatur und/oder Soll-Substrattemperatur (z.B. einer maximal zulässigen Substrattemperatur) sein oder weniger, die Einsatztemperatur kann beispielsweise 100°C sein oder mehr, z.B. 200°C oder mehr.A material (e.g. the layered material) or object made of it can be understood as vacuum-resistant if its vapor pressure at a temperature (also referred to as the operating temperature) to which it is exposed in the process is lower than the pressure (also referred to as the operating pressure), to which it is exposed in the process. The application pressure can be, for example, a vacuum pressure (eg 0.3 bar) and/or the working pressure (eg 3.0E-03 mbar or less) in the vacuum chamber during the process (also referred to as process pressure) or less. The operating temperature can, for example, be the target process temperature and/or target substrate temperature (e.g. a max times the permissible substrate temperature) or less, the application temperature can be, for example, 100° C. or more, for example 200° C. or more.

Beispielsweise kann der Dampfdruck 50% des Einsatzdrucks sein oder weniger, z.B. 10% des Einsatzdrucks oder weniger, z.B. 1% des Einsatzdrucks oder weniger. In einem Beispiel kann die Schicht 106 Krytox 16256 aufweisen oder daraus bestehen. Krytox 16256 weist bei 100°C einen Dampfdruck von ungefähr 1E-9 torr und bei 200°C einen Dampfdruck von ungefähr 2E-6 torr auf. Demgemäß ist Krytox 16256 bei einem beispielhaften Vakuumdruck von ungefähr 3E-03 torr vakuumbeständig.For example, the vapor pressure may be 50% of the charge pressure or less, eg 10% of the charge pressure or less, eg 1% of the charge pressure or less. In one example, layer 106 may include or consist of Krytox 16256. Krytox 16256 has a vapor pressure of about 1E-9 torr at 100°C and a vapor pressure of about 2E-6 torr at 200°C. Accordingly, Krytox 16256 is vacuum resistant at an exemplary vacuum pressure of about 3E-03 torr.

Ein Material (z.B. das Schichtmaterial) oder Objekt daraus kann als temperaturbeständig verstanden werden, wenn dessen zulässige Dauereinsatztemperatur deutlich größer (z.B. mindestens 1,5-mal größer, z.B. mindestens 2-mal größer) ist als die Einsatztemperatur (z.B. der maximal zulässigen Substrattemperatur). Die Dauereinsatztemperatur bezeichnet beispielsweise diejenige Temperatur, der das Material über eine Einsatzdauer ausgesetzt werden kann, ohne dass das Material sich physisch und/oder chemisch verändert (z.B. thermisch zersetzt und/oder chemisch reagiert) bzw. zumindest kaum (z.B. weniger als 10% davon) verändert. Die Einsatzdauer kann beispielsweise 1 Stunde sein oder mehr, z.B. 24 Stunden oder mehr, z.B. 1 Woche oder mehr.A material (e.g. the layered material) or an object made of it can be understood as temperature-resistant if its permissible continuous operating temperature is significantly higher (e.g. at least 1.5 times higher, e.g. at least 2 times higher) than the operating temperature (e.g. the maximum permissible substrate temperature) . The long-term service temperature describes, for example, the temperature to which the material can be exposed over a period of use without the material changing physically and/or chemically (e.g. thermally decomposed and/or chemically reacting) or at least hardly (e.g. less than 10% of it) changes. The duration of use may be, for example, 1 hour or more, such as 24 hours or more, such as 1 week or more.

Das Fluid der Fluidschicht kann ein Gas aufweisen oder sein, beispielsweise, wenn dieses mittels des Substrats nach außen hin abgedichtet ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substratträger 100 eine Dichtung aufweisen. Die Dichtung kann zwischen dem plattenförmigen Gestell 102 und dem Substrat 204 angeordnet sein. Die Dichtung, das plattenförmige Gestell 102 und das Substrat 204 können derart eingerichtet sein, dass diese einen nach außen hin fluiddicht abgedichteten Hohlraum begrenzen. Der Hohlraum kann das Gas, welches das Fluid der Fluidschicht aufweist oder ist, aufweisen. Zum Beispiel kann der Hohlraum mit dem Gas gefüllt sein. Anschaulich kann der mit dem Gas gefüllte Hohlraum die Schicht 106 bilden. Zum Beispiel kann der mit dem Gas gefüllte Hohlraum ein Gaspolster bilden. Das Gas kann (z.B. in dem fluiddicht abgedichteten Hohlraum) einen Druck aufweisen, welcher größer ist als zehnmal (z.B. größer als einhundertmal, z.B. größer als eintausendmal) der Druck in dem Vakuum (auch als Vakuumdruck bezeichnet). Der Druck des Gases (z.B. in dem fluiddicht abgedichteten Hohlraum) kann beispielsweise größer sein als 0,3 mbar (z.B. größer als 0,45 mbar, z.B. größer als 0,7 mbar, z.B. größer als 1 mbar, z.B. größer als 10 mbar, z.B. größer als 1 bar, z.B. größer als 10 bar) und/oder kleiner sein als 500 mbar (z.B. als 200 mbar, z.B. als 100 mbar). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Druck des Gases in einem Bereich von ungefähr 0,5 mbar bis ungefähr 100 mbar liegen.The fluid of the fluid layer can include or be a gas, for example if this is sealed off from the outside by means of the substrate. According to various embodiments, the substrate carrier 100 can have a seal. The seal can be arranged between the plate-shaped frame 102 and the substrate 204 . The seal, the plate-shaped frame 102 and the substrate 204 can be set up in such a way that they delimit a cavity which is sealed in a fluid-tight manner from the outside. The cavity can contain the gas which contains or is the fluid of the fluid layer. For example, the cavity can be filled with the gas. The cavity filled with the gas can clearly form the layer 106 . For example, the cavity filled with the gas can form a gas cushion. The gas may have (e.g. in the fluid-tightly sealed cavity) a pressure which is greater than ten times (e.g. greater than one hundred times, e.g. greater than one thousand times) the pressure in the vacuum (also referred to as vacuum pressure). The pressure of the gas (e.g. in the fluid-tightly sealed cavity) can, for example, be greater than 0.3 mbar (e.g. greater than 0.45 mbar, e.g. greater than 0.7 mbar, e.g. greater than 1 mbar, e.g. greater than 10 mbar, e.g. greater than 1 bar, e.g. greater than 10 bar) and/or less than 500 mbar (e.g. than 200 mbar, e.g. than 100 mbar). According to various embodiments, the pressure of the gas can be in a range from about 0.5 mbar to about 100 mbar.

Das Fluid der Fluidschicht kann eine Flüssigkeit aufweisen oder sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Flüssigkeit ein Öl und/oder Fett aufweisen.The fluid of the fluid layer can include or be a liquid. According to various embodiments, the liquid can include an oil and/or fat.

Beispiele gemäß verschiedenen Ausführungsformen für Fett weisen auf: Silikonfett, kryogenes Wärmeleitfett, kohlenwasserstoffbasiertes Vakuumfett.Examples of grease according to various embodiments include: silicone grease, cryogenic thermal grease, hydrocarbon-based vacuum grease.

Beispiele gemäß verschiedenen Ausführungsformen für Öl weisen auf: Mineralöl, Silikonöl, Perfluoröl (z.B. Perfluorpolyether aufweisend), auch als PFPE-Öl bezeichnet, oder Syntheseöl. Alternativ oder zusätzlich zu dem Öl kann (z.B. vakuumtaugliches und/oder temperaturfestes) Klebeband, wie z.B. Kaptonband, zur Herstellung der Schicht 106 verwendet werden.Examples according to various embodiments of oil include: mineral oil, silicone oil, perfluoro oil (e.g. comprising perfluoropolyether), also referred to as PFPE oil, or synthetic oil. Alternatively or in addition to the oil, adhesive tape (e.g., vacuum-rated and/or temperature-resistant), such as Kapton tape, may be used to form layer 106.

Die Flüssigkeit kann zum Beispiel ein Diffusionspumpenöl aufweisen oder sein. Die Flüssigkeit kann zum Beispiel ein Silikonöl aufweisen oder sein. Die Flüssigkeit kann zum Beispiel ein Perfluorpolyether (PFPE) aufweisen oder sein.The liquid may include or be a diffusion pump oil, for example. The liquid can include or be a silicone oil, for example. The liquid may include or be a perfluoropolyether (PFPE), for example.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Fluid der Fluidschicht Krytox® aufweisen oder sein.According to various embodiments, the fluid of the fluid layer may include or be Krytox®.

Beispiele für Krytox® Öle und/oder Fette sind: Krytox VPF 1506, Krytox VPF 1506XP, Krytox VPF 1514, Krytox VPF 1514XP, Krytox VPF1525, Krytox VPF1525XP, Krytox VPF1531, Krytox VPF 1531XP, Krytox VPF 1618, Krytox VPF 16256, Krytox VPF 16350, Krytox VPF 1645. Es wird verstanden, dass diese Produktnamen beispielhafte Zusammensetzungen beschreiben und dass auch andere Zusammensetzungen eines Öls und/oder Fetts möglich sind.Examples of Krytox® oils and/or greases are: Krytox VPF 1506, Krytox VPF 1506XP, Krytox VPF 1514, Krytox VPF 1514XP, Krytox VPF1525, Krytox VPF1525XP, Krytox VPF1531, Krytox VPF 1531XP, Krytox2x VPF, Krytox VPF 161XP, Krytox2x VPF 161XP 16350, Krytox VPF 1645. It is understood that these product names describe exemplary compositions and that other compositions of an oil and/or fat are also possible.

Als ein Aspekt wurde erkannt, dass eine Fluidschicht auch dann einen thermischen Kontakt zwischen dem Substrat und der Fluidschicht und zwischen der Fluidschicht und dem plattenförmigen Gestell 102 sicherstellt, wenn sich das Substrat verformt, zum Beispiel, wenn sich aufgrund thermischer Energie Spannungen erhöhen (z.B. thermisch induzierte Spannungen) oder verringern (z.B. aufgrund eines unerwünschten Spannungsarmglühens). Anschaulich kann die Fluidschicht im Vergleich zu einer Feststoffschicht eine größere Toleranz gegenüber Abstandsschwankungen zwischen dem Substrat 204 und dem plattenförmigen Gestell 102 aufweisen. Ferner kann die Wärmeleitung von dem Substrat zu dem plattenförmigen Gestell einen im Wesentlichen konstanten Temperaturgradienten aufweisen, wodurch eine Wahrscheinlichkeit für Substratverformungen reduziert werden kann.As one aspect, it was recognized that a fluid layer ensures thermal contact between the substrate and the fluid layer and between the fluid layer and the plate-shaped frame 102 even if the substrate deforms, for example if stresses increase due to thermal energy (e.g. thermal induced stresses) or reduce them (e.g. due to undesired stress-relief annealing). The fluid layer can clearly have a greater tolerance for distance fluctuations between the substrate 204 and the plate-shaped frame 102 in comparison to a solid layer. Furthermore, the heat conduction from the substrate to the plate-shaped frame can have an im Have a substantially constant temperature gradient, whereby a probability of substrate deformation can be reduced.

Die Fluidschicht kann bei der Temperatur, auf die das Substrat 204 mittels des Prozessierens erwärmt werden kann, einen Dampfdruck aufweisen, der kleiner ist als ein Druck des Vakuums. Zum Beispiel kann die Fluidschicht bei einer Temperatur von ungefähr 70°C einen Dampfdruck kleiner als 5·10^-3 mbar (z.B. kleiner als 5·10^-5 mbar, z.B. kleiner als 5·10^-6 mbar) aufweisen. Zum Beispiel kann die Fluidschicht selbst bei einer Temperatur von ungefähr 150°C einen Dampfdruck kleiner als 5·10^-3 mbar (z.B. kleiner als 5·10^-5 mbar, z.B. kleiner als 5·10^-6 mbar) aufweisen.At the temperature to which the substrate 204 can be heated by means of the processing, the fluid layer can have a vapor pressure which is lower than a pressure of the vacuum. For example, the fluid layer may have a vapor pressure less than 5*10 ^-3 mbar (eg less than 5*10 ^-5 mbar, eg less than 5*10 ^-6 mbar) at a temperature of about 70°C. For example, even at a temperature of about 150°C, the fluid layer may have a vapor pressure less than 5*10 ^-3 mbar (eg less than 5*10 ^-5 mbar, eg less than 5*10 ^-6 mbar).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Maximaltemperatur eines prozessierten Substrats reduziert werden, indem mittels der Schicht 106 eine Wärmeabfuhr von dem Substrat erhöht wird. Die Schicht 106 kann eine wärmeleitfähige (z.B. hochwärmeleitfähige) Schicht sein. Zum Beispiel kann die Schicht 106 eine Wärmeleitfähigkeit größer als ungefähr 0,15 W/(m·K) aufweisen.According to various embodiments, a maximum temperature of a processed substrate can be reduced by increasing heat dissipation from the substrate by means of the layer 106 . Layer 106 may be a thermally conductive (e.g., highly thermally conductive) layer. For example, layer 106 may have a thermal conductivity greater than about 0.15 W/(m*K).

Die Fluidschicht kann bei der Temperatur, auf die das Substrat 204 mittels des Prozessierens erwärmt werden kann, eine kinematische Viskosität aufweisen, die größer ist als 4 mm²/s (z.B. größer als 10 mm²/s, z.B. größer als 50 mm²/s). Zum Beispiel kann die Fluidschicht in einem Temperaturbereich von ungefähr 20°C bis ungefähr 30°C eine kinematische Viskosität größer als 100 mm²/s (z.B. größer als 300 mm²/s, z.B. größer als 2000 mm²/s) aufweisen. Dies kann eine Stabilität der Fluidschicht während des Prozessierens gewährleisten. Anschaulich kann dies ein Kriechen der Fluidschicht reduzieren.At the temperature to which the substrate 204 can be heated by means of the processing, the fluid layer can have a kinematic viscosity that is greater than 4 mm ² /s (e.g. greater than 10 mm ² /s, e.g. greater than 50 mm ² /s). s). For example, the fluid layer may have a kinematic viscosity greater than 100 mm ² /s (eg, greater than 300 mm ² /s, eg, greater than 2000 mm ² /s) over a temperature range of about 20°C to about 30°C. This can ensure stability of the fluid layer during processing. Clearly, this can reduce creep of the fluid layer.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das plattenförmige Gestell 102 eingerichtet sein, die von dem Substrat 204 abgeführt und mittels der Schicht 106 übertragene Wärme aufzunehmen (z.B. zu speichern). Das plattenförmige Gestell 102 kann hierzu eine spezifische Wärmekapazität aufweisen, die größer ist als ungefähr 500 Joule pro Kilogramm mal Kelvin (J/(kg·K)) (z.B. größer als 1000 J/(kg·K)). Zum Beispiel kann das plattenförmige Gestell 102 ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Eisen oder Aluminium aufweisend. Zum Beispiel kann das plattenförmige Gestell 102 ein Stahl oder Edelstahl aufweisen oder daraus gebildet sein. Optional kann das plattenförmige Gestell 102 einen mit einer Flüssigkeit (z.B. Wasser) gefüllten Hohlraum aufweisen, wodurch die spezifische Wärmekapazität des plattenförmigen Gestells 102 erhöht werden kann (siehe 4E), bzw. ist eine deutliche Reduktion der Gestellmasse unter Beibehaltung der gewünschten Wärmekapazität der Anordnung möglich.According to various embodiments, the plate-shaped frame 102 can be set up to absorb (eg store) the heat that is dissipated from the substrate 204 and transferred by means of the layer 106 . For this purpose, the plate-shaped frame 102 can have a specific thermal capacity that is greater than approximately 500 joules per kilogram Kelvin (J/(kg*K)) (eg greater than 1000 J/(kg*K)). For example, the plate-shaped frame 102 may comprise or be formed from a metal, eg comprising iron or aluminum. For example, the plate-shaped frame 102 can comprise or be formed from steel or stainless steel. Optionally, the plate-shaped frame 102 can have a cavity filled with a liquid (e.g. water), as a result of which the specific heat capacity of the plate-shaped frame 102 can be increased (see FIG 4E) , or a significant reduction in the frame mass while maintaining the desired heat capacity of the arrangement is possible.

Als ein Beispiel kann das Substrat 204 ein chemisch vorgespanntes Glas sein, welches mittels eines Beschichtungsprozesses mit einer mehr als 1 µm-dicken Schicht aus SiO₂ /SiN als Kratzschutz beschichtet werden soll, wodurch eine Temperatur des chemisch vorgespannten Glases auf eine Temperatur von größer als 150°C ansteigen kann, wodurch aufgrund von Diffusionsprozessen eine Härte des chemisch vorgespannten Glases reduziert wird. Die Schicht 106 kann sowohl das chemisch vorgespannte Glas als auch das plattenförmige Gestell 102 berühren, wodurch Wärme von dem chemisch vorgespannten Glas zu dem plattenförmigen Gestell 102 abgeführt werden kann, so dass eine maximale Temperatur des chemisch vorgespannten Glases während des Beschichtungsprozesses auf weniger als 150°C (z.B. weniger als 100°C, z.B. weniger als 70°C) verringert wird. Der Substratträger 100 kann zum Beispiel in einer Vakuumkammer mit einem Druck kleiner als 5·10^-3 mbar (z.B. kleiner als 5·10^-5 mbar) beschichtet werden. Die Schicht 106 kann derart ausgewählt sein, dass die Schicht 106 bei der Temperatur, auf welche das chemisch vorgespannte Glas aufgrund der Schicht 106 während des Beschichtungsprozesses reduziert wird (z.B. 100°C), und bei dem Druck in der Vakuumkammer (z.B. einem Druck kleiner als 5·10^-3 mbar) einen Dampfdruck aufweisen, der kleiner als ein Zehntel (z.B. kleiner als ein Hundertstel, z.B. kleiner als ein Tausendstel) des Drucks in der Vakuumkammer ist. Der Substratträger 100 kann vor dem Beschichten in der Vakuumkammer eine Transferkammer mit einem Druck kleiner als 5·10^-5 mbar (z.B. kleiner als 5·10^-6 mbar) durchlaufen. Die Schicht 106 kann derart ausgewählt sein, dass die Schicht 106 bei einer Temperatur in einem Temperaturbereich von ungefähr 20°C bis ungefähr 30°C eine kinematische Viskosität größer als 100 mm²/s (z.B. größer als 1000 mm²/s) aufweist. Als ein Beispiel kann die Schicht 106 Öl und/oder Fett (z.B. Krytox®) aufweisen oder daraus bestehen.As an example, the substrate 204 may be a chemically toughened glass to be coated with a more than 1 μm thick layer of SiO ₂ /SiN as a scratch protection using a coating process, whereby a temperature of the chemically toughened glass to a temperature greater than 150°C, which reduces the hardness of the chemically toughened glass due to diffusion processes. The layer 106 can touch both the chemically toughened glass and the slab 102, allowing heat to be dissipated from the chemically toughened glass to the slab 102, so that a maximum temperature of the chemically toughened glass during the coating process to less than 150 ° C (eg less than 100°C, eg less than 70°C). The substrate carrier 100 can, for example, be coated in a vacuum chamber with a pressure of less than 5*10 ^-3 mbar (eg less than 5*10 ^-5 mbar). The layer 106 can be selected such that the layer 106 at the temperature to which the chemically toughened glass is reduced due to the layer 106 during the coating process (e.g. 100° C.) and at the pressure in the vacuum chamber (e.g. a pressure less than than 5*10 ^-3 mbar) have a vapor pressure which is less than a tenth (eg less than a hundredth, eg less than a thousandth) of the pressure in the vacuum chamber. Before being coated in the vacuum chamber, the substrate carrier 100 can pass through a transfer chamber with a pressure of less than 5*10 ^-5 mbar (eg less than 5*10 ^-6 mbar). Layer 106 may be selected such that layer 106 has a kinematic viscosity greater than 100 mm ² /s (eg, greater than 1000 mm ² /s) at a temperature in a temperature range from about 20°C to about 30°C. As an example, layer 106 may include or consist of oil and/or grease (eg, Krytox®).

In einigen Ausführungsformen kann das plattenförmige Gestell 102 mehrteilig sein, beispielsweise einen Rahmen und eine Platte aufweisend. Der Rahmen kann generell in jedem der Substrataufnahmebereiche von einer Öffnung durchdrungen sein (dann auch als Durchgangsöffnung bezeichnet). Weist die Platte eine größere Höhe (Richtung 103) auf als der Rahmen, wird die Platte auch als Trägerplatte bezeichnet. Weist die Platte eine kleinere Höhe (Richtung 103) auf als der Rahmen, wird die Platte auch als Abdeckplatte bezeichnet. Beispielhafte Ausführungsformen eines mehrteiligen plattenförmigen Gestells 102 werden mit Bezug auf die 3A bis 5B beschrieben. Das mehrteilige plattenförmige Gestell 102 kann zum Beispiel einen Rahmen und eine Abdeckplatte aufweisen (siehe 3A und 3B). Das mehrteilige plattenförmige Gestell 102 kann zum Beispiel einen Rahmen und eine Trägerplatte aufweisen (siehe 4A bis 4E). Das mehrteilige plattenförmige Gestell 102 kann zum Beispiel einen Rahmen, eine Trägerplatte und eine Abdeckplatte aufweisen (siehe 5A und 5B).In some embodiments, the plate-shaped frame 102 can be multi-part, for example comprising a frame and a plate. The frame can generally be penetrated by an opening in each of the substrate receiving areas (then also referred to as a through-opening). If the plate has a greater height (direction 103) than the frame, the plate is also referred to as a carrier plate. If the panel has a smaller height (direction 103) than the frame, the panel is also referred to as a cover panel. Exemplary embodiments of a multi-part plate-shaped frame 102 are described with reference to FIG 3A until 5B described. The multi-part plate-shaped frame 102 can have, for example, a frame and a cover plate (see FIG 3A and 3B) . The multi-part plate-shaped frame 102 can, for example, a frame and have a carrier plate (see 4A until 4E) . The multi-part plate-shaped frame 102 can have, for example, a frame, a support plate and a cover plate (see FIG 5A and 5B) .

3A veranschaulicht einen Ausschnitt 300 des Substratträgers 100 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105) durch einen Substrataufnahmebereich 104 hindurch gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 3A illustrates a section 300 of the substrate carrier 100 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105) through a substrate receiving area 104 according to various embodiments.

Das plattenförmige Gestell 102 kann mehrteilig sein und kann eine Abdeckplatte 304 und einen Rahmen 324 aufweisen.The plate-shaped frame 102 can be in several parts and can have a cover plate 304 and a frame 324 .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substrataufnahmebereich 104 (z.B. jeder Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche 104) eine Durchgangsöffnung 306 aufweisen, die sich durch das plattenförmige Gestell 102 hindurch erstreckt. Der Rahmen 324 (auch als Gitterrahmen bezeichnet) kann Öffnungen aufweisen, welche die mehreren Substrataufnahmebereiche 104 bereitstellen (z.B. bilden). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die Durchgangsöffnungen 306 durch den Rahmen 324 hindurch erstrecken.According to various embodiments, the substrate-receiving area 104 (e.g., each substrate-receiving area of the plurality of substrate-receiving areas 104 ) may have a through-opening 306 that extends through the plate-shaped frame 102 . The frame 324 (also referred to as a grid frame) may have openings that provide (e.g., form) the plurality of substrate receiving areas 104 . According to various embodiments, through openings 306 may extend through frame 324 .

Der Substrataufnahmebereich 104 kann ein oder mehreren Substratauflagesegmente 302 zum darauf Auflegen des Substrats 204 aufweisen. Die ein oder mehreren Substratauflagesegmente 302 können eine Auflagefläche in dem Substrataufnahmebereich 104 bereitstellen, auf die das Substrat 204 aufgelegt werden kann.The substrate receiving area 104 can have one or more substrate support segments 302 for placing the substrate 204 thereon. The one or more substrate support segments 302 can provide a support surface in the substrate receiving area 104 onto which the substrate 204 can be placed.

Die Durchgangsöffnung 306 kann beispielsweise eine Entnahme des Substrats 204 aus dem Substrataufnahmebereich 104 (z.B. nach einem Prozessieren des Substrats 204) erleichtern (z.B. mittels Einblasens von Luft in die Durchgangsöffnung 306 und/oder mittels eines in die Durchgangsöffnung 306 eingeführten Dorns).The through-opening 306 can, for example, facilitate removal of the substrate 204 from the substrate receiving area 104 (e.g. after processing the substrate 204) (e.g. by blowing air into the through-opening 306 and/or by using a mandrel inserted into the through-opening 306).

Das plattenförmige Gestell 102 (z.B. der Rahmen 324) kann die ein oder mehreren Substratauflagesegmente 302 aufweisen. Beispiel für ein Substratauflagesegment 302 weisen auf: eine Ecke, ein Vorsprung oder ein Rahmen sein, der sich in die Aussparung 202 hinein erstreckt. Zum Beispiel kann der Boden 108 der Aussparung 202 mehrere voneinander räumlich separierte Segmente aufweisen, welche beispielsweise (z.B. nur) in den Ecken der Aussparung 202 angeordnet sein können. Alternativ oder zusätzlich kann ein Substratauflagesegment 302 von einem zusätzlichen Bauteil, wie beispielsweise einer Klemme, gebildet werden, wobei das Bauteil in der Aussparung 202 angeordnet ist.The shelf 102 (e.g., the frame 324) may include the one or more substrate support segments 302. FIG. Examples of a substrate support segment 302 include: a corner, a protrusion, or a frame that extends into the recess 202 . For example, the bottom 108 of the recess 202 can have a plurality of segments which are spatially separated from one another and which can be arranged (e.g. only) in the corners of the recess 202, for example. Alternatively or additionally, a substrate support segment 302 can be formed by an additional component, such as a clamp, with the component being arranged in the recess 202 .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schicht 106 in der Durchgangsöffnung 306 angeordnet sein. Die Schicht 106 kann die Durchgangsöffnung zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) ausfüllen.According to various embodiments, the layer 106 can be arranged in the through opening 306 . Layer 106 may fill at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%) of the through opening.

Optional kann die Schicht 106 ferner über und in direktem Kontakt mit der Auflagefläche, welche von den ein oder mehreren Substratauflagesegmenten 302 gebildet wird, angeordnet sein. Optionally, the layer 106 may further be disposed over and in direct contact with the support surface formed by the one or more substrate support segments 302 .

3B veranschaulicht den Substratträger 100 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105) durch mehrere Substrataufnahmebereiche 104 hindurch. 3B 10 illustrates the substrate carrier 100 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105) through a plurality of substrate receiving areas 104. FIG.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Substratträger 100 die Abdeckplatte 304 aufweisen. Die Abdeckplatte 304 kann über einer Unterseite des Rahmens 324 angeordnet sein. Die Abdeckplatte 304 kann in direktem physischen Kontakt mit dem Rahmen 324 angeordnet sein. Die Abdeckplatte 304 kann derart eingerichtet sein, dass die Abdeckplatte 304 alle Durchgangsöffnungen 306, die sich durch den Rahmen 324 hindurch erstrecken, bedeckt. Zum Beispiel kann die Schicht 106 ein Fluid aufweisen und die Abdeckplatte 304 kann sicherstellen, dass das Fluid in den Durchgangsöffnungen 306 angeordnet bleibt (d.h. anschaulich nicht aus diesen herausläuft).According to various embodiments, the substrate carrier 100 can have the cover plate 304 . The cover plate 304 may be positioned over an underside of the frame 324 . The cover plate 304 can be placed in direct physical contact with the frame 324 . The cover plate 304 can be set up in such a way that the cover plate 304 covers all through openings 306 which extend through the frame 324 . For example, the layer 106 may include a fluid and the cover plate 304 may ensure that the fluid remains located within (i.e., illustratively does not spill out of) the through-openings 306 .

Die Abdeckplatte 304 kann eine Abdeckplattenhöhe 304h (Richtung 103) aufweisen. Der Rahmen 324 kann eine Rahmenhöhe 324h (Richtung 103) aufweisen. Die Abdeckplattenhöhe 304h kann kleiner sein als die Rahmenhöhe 324h. Die Summe aus Abdeckplattenhöhe 304h und Rahmenhöhe 324h kann die Gestellhöhe 102h ergeben.The cover plate 304 can have a cover plate height 304h (direction 103). The frame 324 can have a frame height 324h (direction 103). Cover plate height 304h may be less than frame height 324h. The sum of cover plate height 304h and frame height 324h can result in frame height 102h.

4A veranschaulicht einen Substratträger 400 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 103 und/oder auf die Transportfläche). 4B veranschaulicht den Substratträger 400 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). Der Substratträger 400 kann ähnlich sein zu dem Substratträger 100, wobei das plattenförmige Gestell 102 eine Trägerplatte 402 und einen Rahmen 404 aufweist. 4A 10 illustrates a substrate carrier 400 according to various embodiments in a schematic plan view or cross-sectional view (looking from direction 103 and/or onto the transport surface). 4B illustrates the substrate carrier 400 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105). The substrate carrier 400 can be similar to the substrate carrier 100, the plate-shaped frame 102 having a carrier plate 402 and a frame 404.

Eine zu prozessierende Seite der Trägerplatte 402 kann der Oberseite 102o des plattenförmigen Gestells 102 zugewandt sein. Der Rahmen 404 kann über der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 angeordnet sein. Der Rahmen 404 (auch als Gitterrahmen bezeichnet) kann Öffnungen 406 aufweisen, welche die mehreren Substrataufnahmebereiche 104 bereitstellen (z.B. bilden).A side of the carrier plate 402 to be processed can face the upper side 102o of the plate-shaped frame 102 . The frame 404 can be arranged over the side of the carrier plate 402 to be processed. The frame 404 (also referred to as a grid frame) may include openings 406 that provide (e.g., form) the plurality of substrate receiving areas 104 .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Schicht 106 zwischen der Trägerplatte 402 und dem Rahmen 404 angeordnet (z.B. diese räumlich voneinander separierend) sein. Die Schicht 106 kann derart zwischen der Trägerplatte 402 und dem Rahmen 404 angeordnet sein, dass die Schicht sowohl die zu prozessierende Seite der Trägerplatte 402 als auch den Rahmen 404 berührt (z.B. in direktem physischen Kontakt mit diesen ist). Optional kann die Schicht 106 die zu prozessierende Seite der Trägerplatte 402 vollständig bedecken. Der Rahmen 404 kann zum Beispiel Bereiche der Schicht 106, über denen kein Substrat 204 angeordnet ist, abschirmen (z.B. um ein Prozessieren (z.B. ein Beschichten) dieser zu verhindern).According to various embodiments, the layer 106 can be arranged between the carrier plate 402 and the frame 404 (eg spatially separating them from one another). The layer 106 may be disposed between the backing plate 402 and the frame 404 such that the layer touches (eg, is in direct physical contact with) both the side of the backing plate 402 and the frame 404 to be processed. Optionally, the layer 106 can completely cover the side of the carrier plate 402 to be processed. The frame 404 can, for example, shield areas of the layer 106 over which no substrate 204 is arranged (eg to prevent processing (eg coating) thereof).

Die Trägerplatte 402 kann eine Trägerplattenhöhe 402h aufweisen. Der Rahmen 404 kann eine Rahmenhöhe 404h aufweisen. In dem Fall, dass die Schicht 106 lediglich in den mehreren Substrataufnahmebereichen 104 (d.h. in den Öffnungen 406 des Rahmens 404) angeordnet ist, kann die Summe aus Trägerplattenhöhe 402h und Rahmenhöhe 404h die Gestellhöhe 102h ergeben. In dem Fall, dass die Schicht 106 die Trägerplatte (z.B. im Wesentlichen vollständig) bedeckt, kann die Summe aus Trägerplattenhöhe 402h, Schichtdicke 106h und Rahmenhöhe 404h die Gestellhöhe 102h ergeben.The carrier plate 402 can have a carrier plate height 402h. Frame 404 may have a frame height 404h. In the event that the layer 106 is only arranged in the plurality of substrate receiving areas 104 (i.e. in the openings 406 of the frame 404), the sum of the carrier plate height 402h and the frame height 404h can result in the frame height 102h. In the event that the layer 106 covers the base plate (e.g. substantially completely), the sum of the base plate height 402h, layer thickness 106h and frame height 404h can result in the frame height 102h.

4C veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105) des Substratträgers 400, wobei, ähnlich zu den mit Bezug auf 2A und 2B beschriebenen Ausführungsformen, die Schicht 106 eine Auflagefläche bilden kann, auf der die Substrate 204 angeordnet werden können. 4C 12 illustrates a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105) of the substrate support 400 wherein, similar to those referred to in FIG 2A and 2 B described embodiments, the layer 106 can form a support surface on which the substrates 204 can be arranged.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest die zu prozessierende Seite der Trägerplatte 402 eine gestrahlte (z.B. plasmagestrahlte und/oder kugelgestrahlte) Oberfläche aufweisen. Dies kann eine Rauheit der Oberfläche erhöhen, wodurch sowohl eine Haftung der Schicht 106 an der Trägerplatte 402 als auch eine thermische Kontaktfläche zwischen der Schicht 106 und der Trägerplatte 402 erhöht wird. Anschaulich kann dies einen Wärmetransport von dem Substrat 204 zu der Trägerplatte weiter erhöhen.According to various embodiments, at least the side of the carrier plate 402 to be processed can have a peened (e.g. plasma peened and/or shot peened) surface. This may increase surface roughness, thereby increasing both adhesion of layer 106 to backing plate 402 and thermal contact area between layer 106 and backing plate 402 . Clearly, this can further increase heat transport from the substrate 204 to the carrier plate.

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest die der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 gegenüberliegende Seite eine oxidierte Oberfläche und/oder eine Beschichtung (z.B. eine schwarze Beschichtung) aufweisen, wodurch eine Emission von Wärme erhöht werden kann. Dies kann zum Beispiel ein Abkühlen der Trägerplatte 402, welcher mittels der Schicht 106 Wärme von dem Substrat 204 zugeführt werden kann, verbessern.According to various embodiments, at least the side of the carrier plate 402 opposite the side to be processed can have an oxidized surface and/or a coating (e.g. a black coating), whereby an emission of heat can be increased. This can, for example, improve cooling of the carrier plate 402, which can be supplied with heat from the substrate 204 by means of the layer 106. FIG.

4D veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105) des Substratträgers 400, wobei der Substratträger 400, ähnlich zu den mit Bezug auf 3A beschriebenen Ausführungsformen, in jedem Substrataufnahmebereich 104 ein oder mehrere Substratauflagesegmente 302 zum darauf Auflegen eines Substrats 204 aufweisen kann. Zum Beispiel kann der Rahmen 404 die ein oder mehreren Substratauflagesegmente 302 aufweisen. 4D 12 illustrates a schematic cross-sectional view (looking from direction 105) of substrate carrier 400, wherein substrate carrier 400 is similar to those referred to in FIG 3A described embodiments, in each substrate receiving area 104 can have one or more substrate support segments 302 for placing a substrate 204 thereon. For example, the frame 404 can include the one or more substrate support segments 302 .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zwischen einem Substrat 204 und der Trägerplatte 402 ein Hohlraum (auch als Spalt bezeichnet) gebildet sein. Der Hohlraum kann zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) von der Schicht 106 ausgefüllt sein.According to various embodiments, a cavity (also referred to as a gap) may be formed between a substrate 204 and the backing plate 402 . The cavity may be at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%) filled by the layer 106.

4E veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht des Substratträgers 400, der mindestens einen (d.h. einen oder mehr als einen) mit einem Fluid gefüllten Hohlraum 410 in der Trägerplatte 402 und/oder in dem Rahmen 404 aufweist. Das Fluid, welches den Hohlraum 410 zumindest teilweise füllt, kann ein Gas und/oder eine Flüssigkeit aufweisen oder daraus bestehen. Die Flüssigkeit kann zum Beispiel Wasser und/oder Öl aufweisen oder daraus bestehen (anschaulich kann die Trägerplatte 402 einen Wasserkern aufweisen). Die Flüssigkeit kann zum Beispiel ein festes Material mit einem Schmelzpunkt in einem Bereich von ungefähr 50°C bis ungefähr 100°C aufweisen (z.B. ein Latentwärmespeicher, wie beispielsweise ein Salz). Alternativ oder zusätzlich kann der Schmelzpunkt kleiner sein als die Einsatztemperatur und/oder die Prozesstemperatur. Durch den stattfindenden Phasenwechsel der Flüssigkeit beim Schmelzen und die damit verbundene sehr hohe Aufnahmefähigkeit für Wärmeenergie kann die Wärmekapazität des plattenförmigen Gestells 102 deutlich erhöht werden - bei gleichzeitiger Masseeinsparung am plattenförmigen Gestell 102. 4E 12 illustrates a schematic cross-sectional view of the substrate carrier 400 having at least one (ie, one or more than one) fluid-filled cavity 410 in the carrier plate 402 and/or in the frame 404. FIG. The fluid that at least partially fills the cavity 410 may include or consist of a gas and/or a liquid. The liquid can, for example, contain or consist of water and/or oil (the carrier plate 402 can clearly have a water core). For example, the liquid may comprise a solid material having a melting point in a range from about 50°C to about 100°C (eg, a phase change material such as a salt). Alternatively or additionally, the melting point can be lower than the application temperature and/or the process temperature. The heat capacity of the plate-shaped frame 102 can be significantly increased due to the phase change that takes place in the liquid when it melts and the associated very high absorption capacity for heat energy - while at the same time saving mass on the plate-shaped frame 102.

Der Hohlraum 410 kann von dem plattenförmigen Gestell 102 (z.B. von der Trägerplatte 402 und/oder dem Rahmen 404) nach außen hin fluiddicht abgedichtet sein.The cavity 410 can be sealed off from the outside in a fluid-tight manner by the plate-shaped frame 102 (e.g. by the support plate 402 and/or the frame 404).

Der Hohlraum 410 kann zum Beispiel eine Höhe (in Richtung 103) in einem Bereich von ungefähr 7 mm bis ungefähr 10 mm (z.B. von ungefähr 8 mm bis ungefähr 9 mm) aufweisen.For example, cavity 410 may have a height (in direction 103) in a range from about 7 mm to about 10 mm (e.g., from about 8 mm to about 9 mm).

Das plattenförmige Gestell (z.B. dessen Trägerplatte 402, Abdeckplatte 304 und/oder Rahmen) kann zum Beispiel ein Metall, z.B. Stahl und/oder Edelstahl aufweisen. Anschaulich kann die im Vergleich zu Metall, Stahl bzw. Edelstahl geringere Dichte des Fluids (z.B. von Wasser) eine durchschnittliche Dichte im Vergleich zu einer Trägerplatte 402 ohne Hohlraum 410 reduzieren, so dass ein Gesamtgewicht der Trägerplatte 402 und des mit Fluid gefüllten Hohlraums 410 reduziert wird im Vergleich zu einer Trägerplatte ohne Hohlraum. Dies verbessert zum Beispiel eine Handhabung des Substratträgers 400 und kann daher eine Prozesseffizienz erhöhen. Anschaulich kann die im Vergleich zu Metall, Stahl bzw. Edelstahl höhere spezifische Wärmekapazität des Fluids (z.B. von Wasser) eine durchschnittliche spezifische Wärmekapazität im Vergleich zu einer Trägerplatte 402 ohne Hohlraum 410 erhöhen, so dass eine Wärmespeicherung der Trägerplatte 402 und des mit Fluid gefüllten Hohlraums 410 verbessert wird im Vergleich zu einer Trägerplatte ohne Hohlraum. Zum Beispiel kann derart eine durchschnittliche spezifische Wärmekapazität von Trägerplatte 402 und dem mit Fluid gefüllten Hohlraum 410 größer als 1000 J/(kg·K) erreicht werden. Anschaulich kann dies einen Wärmetransport von dem Substrat 204 zu der Trägerplatte 402 weiter erhöhen, wodurch eine maximale Temperatur des Substrats 204 während eines Prozessierens zusätzlich verringert werden kann.The plate-shaped frame (for example its support plate 402, cover plate 304 and/or frame) can, for example, have a metal, for example steel and/or stainless steel. The lower density of the fluid (e.g. of water) compared to metal, steel or stainless steel can clearly be an average density compared to a carrier plate 402 without a cavity 410, so that a total weight of the backing plate 402 and the fluid-filled cavity 410 is reduced compared to a backing plate without a cavity. This improves handling of the substrate carrier 400, for example, and can therefore increase process efficiency. Clearly, the higher specific heat capacity of the fluid (e.g. of water) compared to metal, steel or stainless steel can increase an average specific heat capacity compared to a carrier plate 402 without a cavity 410, so that heat storage of the carrier plate 402 and the cavity filled with fluid 410 is improved compared to a non-cavity backing plate. For example, an average specific heat capacity of the carrier plate 402 and the fluid-filled cavity 410 greater than 1000 J/(kg*K) can be achieved in this way. Clearly, this can further increase heat transport from the substrate 204 to the carrier plate 402, as a result of which a maximum temperature of the substrate 204 can be additionally reduced during processing.

5A veranschaulicht einen Substratträger 500 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 103 und/oder auf die Transportfläche). 5B veranschaulicht den Substratträger 500 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). Der Substratträger 500 kann ähnlich sein zu dem Substratträger 400, wobei die Trägerplatte 402 in mindestens einem Substrataufnahmebereich 104 (z.B. in jedem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche 104) eine Durchgangsöffnung 502 aufweist. 5A FIG. 5 illustrates a substrate carrier 500 according to various embodiments in a schematic top view or cross-sectional view (looking from direction 103 and/or onto the transport surface). 5B illustrates the substrate carrier 500 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105). The substrate carrier 500 can be similar to the substrate carrier 400, the carrier plate 402 having a through opening 502 in at least one substrate receiving area 104 (eg in each substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas 104).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das plattenförmige Gestell 102 mehrteilig sein und kann die Trägerplatte 402, den Rahmen 404 und die Abdeckplatte 304 aufweisen.According to various embodiments, the plate-shaped frame 102 can be multi-part and can have the carrier plate 402 , the frame 404 and the cover plate 304 .

Die Durchgangsöffnung 502 kann sich durch die Trägerplatte 402 hindurch erstrecken. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 402 in mehreren Substrataufnahmebereichen 104 (z.B. in jedem Substrataufnahmebereich) von einer jeweiligen Durchgangsöffnung 502 durchdrungen sein. Für einen (z.B. jeden) Substrataufnahmebereich kann eine laterale Ausdehnung (z.B. in Richtung 101 und/oder in Richtung 105) einer zugehörigen Öffnung 406 in dem Rahmen 404 größer sein als eine laterale Ausdehnung (z.B. in Richtung 101 und/oder in Richtung 105) der zugehörigen Durchgangsöffnung 502 in der Trägerplatte 402. Derart kann die Trägerplatte 402 ein oder mehrere Substratauflagesegmente zum Auflegen eines Substrats 204 bereitstellen.The through opening 502 can extend through the carrier plate 402 . According to various embodiments, the carrier plate 402 can be penetrated by a respective through opening 502 in a plurality of substrate receiving areas 104 (e.g. in each substrate receiving area). For a (e.g. each) substrate receiving area, a lateral extent (e.g. in direction 101 and/or in direction 105) of an associated opening 406 in the frame 404 can be greater than a lateral extent (e.g. in direction 101 and/or in direction 105) of the associated through-opening 502 in the carrier plate 402. In this way, the carrier plate 402 can provide one or more substrate support segments for placing a substrate 204 on it.

Die Schicht 106 kann in jeder Durchgangsöffnung 502 angeordnet sein. Die Schicht kann die Durchgangsöffnung 502 zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) ausfüllen.The layer 106 can be disposed in each through opening 502 . The layer may fill the through opening 502 by at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%).

Die Abdeckplatte 304 kann, eine oder mehr als eine (z.B. alle) Durchgangsöffnungen 502, die sich durch die Trägerplatte 402 hindurch erstrecken, bedecken.The cover plate 304 can cover one or more than one (e.g. all) through openings 502 that extend through the carrier plate 402 therethrough.

6A veranschaulicht einen Substratträger 600 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Draufsicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 103 und/oder auf die Transportfläche). 6B veranschaulicht den Substratträger 500 in einer schematischen Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). Der Substratträger 600 kann ähnlich sein zu den Substratträger 100, 400, 500 (z.B. einteilig oder mehrteilig ausgeführt sein), wobei der Substratträger 600 eine erste seitliche Auflagefläche 102a und eine zweite seitliche Auflagefläche 102b aufweist. Zum Beispiel kann das plattenförmige Gestell 102 die erste seitliche Auflagefläche 102a und die zweite seitliche Auflagefläche 102b aufweisen. Zum Beispiel kann die Trägerplatte 402 die erste seitliche Auflagefläche 102a und die zweite seitliche Auflagefläche 102b aufweisen. 6A 10 illustrates a substrate carrier 600 according to various embodiments in a schematic plan view or cross-sectional view (looking from direction 103 and/or onto the transport surface). 6B illustrates the substrate carrier 500 in a schematic cross-sectional view (viewed from direction 105). The substrate carrier 600 can be similar to the substrate carrier 100, 400, 500 (eg be designed in one piece or in several parts), the substrate carrier 600 having a first lateral bearing surface 102a and a second lateral bearing surface 102b. For example, the plate-shaped frame 102 can have the first side support surface 102a and the second side support surface 102b. For example, the backing plate 402 may include the first side support surface 102a and the second side support surface 102b.

Die mehreren Substrataufnahmebereiche 104 können zwischen der ersten seitlichen Auflagefläche 102a und der zweiten seitlichen Auflagefläche 102b angeordnet sein. Ein Abstand der mehreren Substrataufnahmebereiche 104 von einem linken Rand 600r1 des Substratträgers 600 kann einen linken Randbereich des Substratträgers 600 bilden. Ein Abstand der mehreren Substrataufnahmebereiche 104 von einem rechten Rand 600r2 des Substratträgers 600 kann einen rechten Randbereich des Substratträgers 600 bilden. Der linke Randbereich kann eine Breite (auch als Auflagebreite bezeichnet) der ersten seitlichen Auflagefläche 102a angeben. Der rechte Randbereich kann eine Breite (auch als Auflagebreite bezeichnet) der zweiten seitlichen Auflagefläche 102b angeben. Die Breite der ersten seitlichen Auflagefläche 102a und/oder die Breite der zweiten seitlichen Auflagefläche 102b kann größer sein als ungefähr 0,1 m (Meter), z.B. als ungefähr 0,2 m, z.B. als ungefähr 0,3 m, z.B. als ungefähr 0,4 m, z.B. als ungefähr 0,5 m.The plurality of substrate receiving areas 104 may be arranged between the first lateral support surface 102a and the second lateral support surface 102b. A distance between the multiple substrate receiving areas 104 and a left edge 600r1 of the substrate carrier 600 can form a left edge area of the substrate carrier 600 . A distance between the multiple substrate receiving areas 104 and a right-hand edge 600r2 of the substrate carrier 600 can form a right-hand edge area of the substrate carrier 600 . The left edge area can specify a width (also referred to as the bearing width) of the first lateral bearing surface 102a. The right edge area can specify a width (also referred to as the bearing width) of the second lateral bearing surface 102b. The width of the first lateral bearing surface 102a and/or the width of the second lateral bearing surface 102b can be greater than about 0.1 m (meters), e.g. than about 0.2 m, e.g. than about 0.3 m, e.g. than about 0 .4 m, e.g. as approximately 0.5 m.

7A und 7B veranschaulichen eine Vakuumanordnung 700 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Frontansicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). Die Vakuumanordnung 700 weist eine Vakuumkammer 702 und eine Transportvorrichtung 802 auf. 7A and 7B 12 illustrate a vacuum assembly 700 according to various embodiments in a schematic front view or cross-sectional view (viewed from direction 105). The vacuum arrangement 700 has a vacuum chamber 702 and a transport device 802 .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Vakuumkammer 702 mittels eines Kammergehäuses bereitgestellt sein. Das Kammergehäuse kann derart eingerichtet sein, dass darin (d.h. in deren Innenraum 702r) ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10 mbar bis ungefähr 1 mbar (mit anderen Worten Grobvakuum) bereitgestellt werden kann oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 1 mbar bis ungefähr 10^-3 mbar (mit anderen Worten Feinvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck in einem Bereich von ungefähr 10^-3 mbar bis ungefähr 10^-7 mbar (mit anderen Worten Hochvakuum) oder weniger, z.B. ein Druck von kleiner als Hochvakuum, z.B. kleiner als ungefähr 10^-7 mbar. Dazu kann das Kammergehäuse derart stabil eingerichtet sein, dass diese dem Einwirken des Luftdrucks im abgepumpten Zustand standhält. Die Vakuumkammer 702 kann eine oder mehr als eine Vakuumpumpe (z.B. Vorvakuumpumpe und/oder Hochvakuumpumpe) aufweisen zum Bereitstellen eines Vakuums im Inneren der Vakuumkammer 702.According to various embodiments, the vacuum chamber 702 may be provided by a chamber housing. The chamber housing can be set up in such a way that a pressure in a range from approximately 10 mbar to approximately 1 mbar (in other words rough vacuum) or less can be provided in it (ie in its interior space 702r), e.g. a pressure in a range from approximately 1 mbar to about 10 ^-3 mbar (in other words fine vacuum) or less, eg a pressure in a range from about 10 ^-3 mbar to about 10 ^-7 mbar (in other words high vacuum) or less, eg a pressure less than high vacuum , eg less than about 10 ^-7 mbar. For this purpose, the chamber housing can be set up so stably that it withstands the action of the air pressure in the pumped-out state. The vacuum chamber 702 can have one or more than one vacuum pump (e.g. fore-vacuum pump and/or high-vacuum pump) for providing a vacuum inside the vacuum chamber 702.

Die Transportvorrichtung 802 kann zwei Sätze Transportrollen 802r aufweisen, von denen jede Transportrolle entlang einer Drehachse 804 drehbar gelagert ist. Die Drehachsen 804 können in der von Richtung 105 und Richtung 101 aufgespannten Ebene liegen. Die Transportrollen 802r können eine gemeinsame Transportfläche 806 breitstellen, auf welcher der Substratträger 100, 400, 500, 600 aufliegen kann. Zum Beispiel kann der Substratträger 600 mit der ersten seitlichen Auflagefläche 102a und der zweiten seitlichen Auflagefläche 102b auf der gemeinsamen Transportfläche aufliegen. Beispielsweise kann der Substratträger 600 nur mit der ersten seitlichen Auflagefläche 102a und der zweiten seitlichen Auflagefläche 102b aufliegen, d.h. zweiseitig gelagert sein. Mit anderen Worten kann die auf den Substratträger 600 wirkende Belastung nur über dessen Auflageflächen 102a, 102b abgetragen werden.The transport device 802 can have two sets of transport rollers 802r, of which each transport roller is rotatably mounted along an axis of rotation 804. The axes of rotation 804 can lie in the plane spanned by direction 105 and direction 101 . The transport rollers 802r can provide a common transport surface 806 on which the substrate carrier 100, 400, 500, 600 can rest. For example, the substrate carrier 600 can rest on the common transport surface with the first lateral bearing surface 102a and the second lateral bearing surface 102b. For example, the substrate carrier 600 can rest only with the first lateral bearing surface 102a and the second lateral bearing surface 102b, i.e. it can be mounted on two sides. In other words, the load acting on the substrate carrier 600 can only be dissipated via its bearing surfaces 102a, 102b.

Die zwei Sätze Transportrollen 802r können entlang der Richtung der Drehachsen 804 (z.B. Richtung 101) räumlich voneinander separiert sein, so dass zwischen den zwei Sätzen Transportrollen 802r ein Spalt gebildet ist.The two sets of sprockets 802r may be spatially separated from each other along the direction of the axes of rotation 804 (e.g., direction 101) such that a gap is formed between the two sets of sprockets 802r.

Die 7A und 7B zeigen beispielhaft den Substratträger 600, welcher die Trägerplatte 402 und den Rahmen 404 gemäß dem Substratträger 400 aufweisen kann. Eine flächige Ausdehnung (z.B. in der von Richtung 105 und Richtung 101 aufgespannten Ebene) des Rahmens 404 kann kleiner sein als eine flächige Ausdehnung der Trägerplatte 402. Zum Beispiel kann über dem linken Randbereich und/oder dem rechten Randbereich des Substratträgers (z.B. der Trägerplatte 402) kein Rahmen 404 angeordnet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine flächige Ausdehnung Schicht 106 im Wesentlichen der flächigen Ausdehnung des Rahmens 404 entsprechen (siehe 7A). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine flächige Ausdehnung Schicht 106 im Wesentlichen der flächigen Ausdehnung der Trägerplatte 402 entsprechen (siehe 7B). Zum Beispiel kann die Schicht 106 über der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 auch in dem rechten Randbereich und/oder dem linken Randbereich angeordnet sein.the 7A and 7B show an example of the substrate carrier 600, which can have the carrier plate 402 and the frame 404 according to the substrate carrier 400. A two-dimensional extent (e.g. in the plane spanned by direction 105 and direction 101) of the frame 404 can be smaller than a two-dimensional extent of the carrier plate 402. For example, over the left edge area and/or the right edge area of the substrate carrier (e.g. the carrier plate 402 ) no frame 404 may be arranged. According to various embodiments, an areal extent of layer 106 can essentially correspond to the areal extent of frame 404 (see FIG 7A) . According to various embodiments, an areal extent of layer 106 can essentially correspond to the areal extent of carrier plate 402 (see FIG 7B) . For example, the layer 106 can also be arranged in the right edge area and/or the left edge area over the side of the carrier plate 402 to be processed.

8 veranschaulicht eine Prozessiervorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Frontansicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105), welche die Vakuumanordnung 700 aufweisen kann. Die Prozessiervorrichtung kann ferner eine oder mehr als eine Prozessiervorrichtung 850 aufweisen, von denen jede Prozessiervorrichtung 850 eingerichtet ist, ein entlang der Transportfläche 806 transportiertes Substrat zu bearbeiten. 8th 10 illustrates a processing device according to various embodiments in a schematic front view or cross-sectional view (viewed from direction 105) that the vacuum arrangement 700 may have. The processing device can also have one or more than one processing device 850, of which each processing device 850 is set up to process a substrate transported along the transport surface 806.

9A und 9B veranschaulichen eine Anordnung 900 zum Anordnen eines Substratträgers (z.B. des Substratträgers 100, des Substratträgers 400, des Substratträgers 500 oder des Substratträgers 600) gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Frontansicht oder Querschnittsansicht (mit Blick aus Richtung 105). 9A and 9B illustrate an arrangement 900 for arranging a substrate carrier (eg the substrate carrier 100, the substrate carrier 400, the substrate carrier 500 or the substrate carrier 600) according to various embodiments in a schematic front view or cross-sectional view (viewed from direction 105).

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Anordnung 900 die Transportvorrichtung 802 aufweisen.According to various embodiments, the arrangement 900 can include the transport device 802 .

Die Anordnung 900 kann eine Montagevorrichtung aufweisen, die eingerichtet sein kann, das plattenförmige Gestell 102 auf der Transportvorrichtung 802 anzuordnen. Die Montagevorrichtung kann eingerichtet sein, die Trägerplatte 402 (und/oder die Abdeckplatte 304) auf der Transportvorrichtung 802 anzuordnen.The arrangement 900 can have an assembly device that can be set up to arrange the panel-shaped frame 102 on the transport device 802 . The assembly device can be set up to arrange the carrier plate 402 (and/or the cover plate 304) on the transport device 802.

Die Anordnung 900 kann eine Beschichtungsvorrichtung 902 aufweisen. Die Beschichtungsvorrichtung 902 kann entlang der Transportrichtung 105 hinter der Montagevorrichtung angeordnet sein. Das plattenförmige Gestell 102 kann einteilige ausgeführt sein. Die Beschichtungsvorrichtung 902 kann eingerichtet sein, die Schicht 106 in dem Substrataufnahmebereich zu bilden. Das plattenförmige Gestell 102 kann mehrteilig ausgeführt sein (z.B. als Trägerplatte 402 und als Rahmen 404). Die Beschichtungsvorrichtung 902 kann eingerichtet sein, die Schicht 106 auf der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 zu bilden. Zum Beispiel kann die Schicht 106 ein Fluid aufweisen und die Beschichtungsvorrichtung 902 kann eingerichtet sein, das Fluid auf der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 aufzubringen (z.B. abzuscheiden und/oder zu bestreichen). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsvorrichtung 902 eingerichtet sein, das Fluid mittels Bestreichens der Trägerplatte 402 aufzubringen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Beschichtungsvorrichtung 902 eine Rolle (z.B. einer Walze) aufweisen und kann eingerichtet sein, das Fluid mittels der Rolle auf der Trägerplatte 402 aufzubringen. Zum Beispiel kann die Schicht 106 eine Folie aufweisen und die Beschichtungsvorrichtung 902 kann eingerichtet sein, die Folie auf der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte 402 bereitzustellen (z.B. aufzulegen und/oder anzupressen).The arrangement 900 can have a coating device 902 . The coating device 902 can be arranged along the transport direction 105 behind the assembly device. The plate-shaped frame 102 can be made in one piece. The coating device 902 can be set up to form the layer 106 in the substrate receiving area. The plate-shaped frame 102 can be designed in multiple parts (eg as a support plate 402 and a frame 404). The coating device 902 can be set up to form the layer 106 on the side of the carrier plate 402 to be processed. For example, the layer 106 can have a fluid and the coating device 902 can be set up to apply (eg deposit and/or coat) the fluid to the side of the carrier plate 402 to be processed. According to various embodiments, the coating before Device 902 may be set up to apply the fluid by brushing the carrier plate 402. According to various embodiments, the coating device 902 can have a roller (eg a roller) and can be set up to apply the fluid to the carrier plate 402 by means of the roller. For example, the layer 106 can have a film and the coating device 902 can be set up to provide the film on the side of the carrier plate 402 to be processed (eg to place and/or press it on).

Die Anordnung 900 kann eine Bestückungsvorrichtung 904 aufweisen. Die Bestückungsvorrichtung 904 kann entlang der Transportrichtung 105 hinter der Beschichtungsvorrichtung 902 angeordnet sein.The arrangement 900 can have an assembly device 904 . The loading device 904 can be arranged behind the coating device 902 along the transport direction 105 .

Die Bestückungsvorrichtung 904 kann eingerichtet sein, ein Substrat 204 in einem Substrataufnahmebereich des Substratträgers in direktem physischen Kontakt mit der Schicht 106 anzuordnen (z.B. in einer einteiligen Ausführung des plattenförmigen Gestells 102). Die Bestückungsvorrichtung 904 kann eingerichtet sein, den Rahmen 404 über der Schicht 106 und in direktem physischen Kontakt mit der Schicht 106 anzuordnen (z.B. in einer mehrteiligen Ausführung des plattenförmigen Gestells 102). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Rahmen 404 die ein oder mehreren Substratauflagesegmente 302 aufweisen (siehe zum Beispiel 4D). In diesem Fall können die Substrate 204 bereits in den Öffnungen 406, welche zusammen mit den ein oder mehreren Substratauflagesegmenten 302 die mehreren Substrataufnahmebereiche 104 bilden, angeordnet sein und die Bestückungsvorrichtung 904 kann eingerichtet sein, den Rahmen 404 mit den Substraten 204 über der Schicht 106 derart anzuordnen, dass die Substrate 204 die Schicht 106 berühren. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bestückungsvorrichtung 904 eingerichtet sein, die Substrate 204 in den mehreren Substrataufnahmebereichen 104 derart anzuordnen, dass die Substrate 106 die Schicht 106 berühren (z.B. in direktem physischen Kontakt angeordnet sind). Alternativ kann Anordnung 900 eine andere Bestückungsvorrichtung aufweisen. Zum Beispiel kann die Bestückungsvorrichtung 904 den Rahmen 404 über der Schicht 106 anordnen und die andere Bestückungsvorrichtung kann eingerichtet sein, die Substrate 204 in den mehreren Substrataufnahmebereichen 104 derart anzuordnen, dass die Substrate 106 die Schicht 106 berühren (z.B. in direktem physischen Kontakt angeordnet sind).The placement device 904 can be set up to arrange a substrate 204 in a substrate receiving area of the substrate carrier in direct physical contact with the layer 106 (eg in a one-piece design of the plate-shaped frame 102). The pick and place device 904 may be configured to place the frame 404 over the layer 106 and in direct physical contact with the layer 106 (eg, in a multi-piece embodiment of the shelf 102). According to various embodiments, the frame 404 may include the one or more substrate support segments 302 (see, for example 4D ). In this case, the substrates 204 can already be arranged in the openings 406, which together with the one or more substrate support segments 302 form the plurality of substrate receiving areas 104, and the placement device 904 can be set up to position the frame 404 with the substrates 204 over the layer 106 in such a way to arrange that the substrates 204 touch the layer 106. According to various embodiments, the placement device 904 may be configured to arrange the substrates 204 in the plurality of substrate receiving areas 104 in such a way that the substrates 106 touch the layer 106 (eg are arranged in direct physical contact). Alternatively, assembly 900 may include a different pick and place device. For example, the pick and place device 904 may place the frame 404 over the layer 106 and the other pick and place device may be configured to place the substrates 204 in the plurality of substrate receiving areas 104 such that the substrates 106 touch the layer 106 (e.g., are placed in direct physical contact) .

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Anordnung 900 außerhalb der Vakuumkammer 702 angeordnet sein und der Substratträger 100, 400, 500, 600 kann mittels der Transportvorrichtung 802 in die Vakuumkammer 702 transportiert werden. Alternativ kann die Anordnung 900 innerhalb der Vakuumkammer 702 angeordnet sein.According to various embodiments, the arrangement 900 can be arranged outside of the vacuum chamber 702 and the substrate carrier 100 , 400 , 500 , 600 can be transported into the vacuum chamber 702 by means of the transport device 802 . Alternatively, assembly 900 may be located within vacuum chamber 702 .

10 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 1000 für einen Substratträger gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Der Substratträger kann ein plattenförmiges Gestell und mehrere Substrataufnahmebereiche aufweisen. Der Substratträger kann gemäß einem oder mehreren des Substratträgers 100, des Substratträgers 400, des Substratträgers 500, und/oder des Substratträgers 600 eingerichtet sein. 10 10 illustrates a flow diagram of a method 1000 for a substrate carrier according to various embodiments. The substrate carrier can have a plate-shaped frame and several substrate receiving areas. The substrate carrier can be set up according to one or more of the substrate carrier 100, the substrate carrier 400, the substrate carrier 500, and/or the substrate carrier 600.

Das Verfahren 1000 kann ein Anordnen eines Substrats in einem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche, in welchem eine das plattenförmige Gestell berührende Schicht (z.B. eine Fluidschicht und/oder eine Folie) angeordnet ist, derart, dass die Schicht das Substrat berührt (in 1002). Die Schicht kann aus einem Fluid und/oder einer Folie bestehen.Method 1000 may include arranging a substrate in a substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas in which a layer (e.g., a fluid layer and/or a foil) contacting the plate-shaped frame is arranged such that the layer contacts the substrate (in 1002). The layer can consist of a fluid and/or a film.

Das Verfahren 1000 kann ein Bilden der Schicht in dem Substrataufnahmebereich (oder in mehreren Substrataufnahmebereichen, wie beispielsweise jedem Substrataufnahmebereich) der mehreren Substrataufnahmebereiche aufweisen, derart, dass die Schicht das plattenförmige Gestell berührt. Zum Beispiel kann das plattenförmige Gestell eine Trägerplatte und einen Rahmen, der in jedem der mehreren Substrataufnahmebereiche von einer Öffnung durchdrungen ist, aufweisen. Das Verfahren 1000 kann ein Bilden der Schicht über einer zu prozessierenden Seite des Trägers aufweisen. Zum Beispiel kann die Schicht mittels einer Rolle (z.B. einer Walze) auf der zu prozessierenden Seite des Trägers aufgebracht werden. Das Verfahren 1000 kann ein Anordnen des Rahmens über (und in direktem physischen Kontakt mit) der Schicht derart, dass der Rahmen die Schicht berührt.The method 1000 may include forming the layer in the substrate receiving area (or in multiple substrate receiving areas, such as each substrate receiving area) of the multiple substrate receiving areas such that the layer contacts the sheet-shaped stage. For example, the plate-shaped rack may include a supporting plate and a frame pierced by an opening in each of the plurality of substrate receiving areas. The method 1000 may include forming the layer over a side of the carrier to be processed. For example, the layer can be applied to the side of the support to be processed by means of a roller (e.g. a roller). The method 1000 may include placing the frame over (and in direct physical contact with) the layer such that the frame touches the layer.

Das Verfahren 1000 kann ein Prozessieren des Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist und die Schicht berührt, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (z.B. thermische und/oder elektromagnetische) Energie zuführt, aufweisen (in 1004).The method 1000 may include processing the substrate disposed in the substrate receiving area and contacting the layer by a process in a vacuum that applies energy (e.g., thermal and/or electromagnetic) to the substrate (in 1004).

Das Verfahren 1000 kann ein Erneuern der Schicht nach dem Prozessieren des Substrats aufweisen.The method 1000 may include refreshing the layer after processing the substrate.

Das Verfahren 1000 kann ein Entfernen der Schicht von dem Substrat aufweisen (z.B. nach dem Prozessieren des Substrats). Die Schicht kann zum Beispiel ein Fluid (z.B. ein Silikonöl) aufweisen oder sein und das Fluid kann von dem Substrat unter Verwendung eines ethanolhaltigen Lösemittels entfernt werden.The method 1000 may include removing the layer from the substrate (e.g., after processing the substrate). For example, the layer may include or be a fluid (e.g., a silicone oil) and the fluid may be removed from the substrate using an ethanol-based solvent.

Es wird verstanden, dass auch in mehreren der Substrataufnahmebereichen ein jeweiliges Substrat angeordnet werden kann (z.B. in 1002) und dass die Substrate gemeinsam prozessiert werden können (z.B. in 1004).It is understood that a respective substrate can also be arranged in several of the substrate receiving areas (eg in 1002) and that the substrates can be processed together (eg in 1004).

Im Folgenden werden verschiedene Beispiele beschrieben, die sich auf vorangehend Beschriebene und in den Figuren Dargestellte beziehen.Various examples are described below, which relate to those described above and shown in the figures.

Beispiel 1 ist ein Verfahren für einen Substratträger, der ein plattenförmiges Gestell und mehrere Substrataufnahmebereiche aufweist, das Verfahren aufweisend: Anordnen eines Substrats in einem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche, in welchem eine das plattenförmige Gestell berührende Schicht (z.B. eine Fluidschicht, z.B. eine Flüssigkeitsschicht, z.B. eine Fettschicht), die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht, angeordnet ist, derart, dass die Schicht das Substrat berührt, und Prozessieren des Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist und die Schicht berührt, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (z.B. thermische und/oder elektromagnetische) Energie zuführt.Example 1 is a method for a substrate carrier having a shelf and a plurality of substrate receiving areas, the method comprising: arranging a substrate in one substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas in which a layer contacting the plate-like stage (e.g. a fluid layer, e.g. a liquid layer, e.g. a fat layer) consisting of a fluid and/or a film, is arranged such that the layer contacts the substrate, and processing the substrate, which is arranged in the substrate receiving area and contacts the layer, by means of a process in a vacuum, which supplies energy (e.g. thermal and/or electromagnetic) to the substrate.

Beispiel 2 ist das Verfahren gemäß Beispiel 1, wobei die mehreren Substrataufnahmebereiche in einem Abstand zueinander auf einer zu prozessierenden Seite des plattenförmigen Gestells angeordnet sind, wobei das Verfahren vorzugsweise ferner aufweisen kann: Bilden der Schicht auf der zu prozessierenden Seite des plattenförmigen Gestells in dem Substrataufnahmebereich und zumindest teilweise zwischen den mehreren Substrataufnahmebereichen derart, dass die Fluidschicht das plattenförmige Gestell berührt.Example 2 is the method according to Example 1, wherein the plurality of substrate receiving areas are arranged at a distance from each other on a side to be processed of the plate-shaped frame, wherein the method can preferably further comprise: forming the layer on the side to be processed of the plate-shaped frame in the substrate receiving area and at least partially between the plurality of substrate receiving areas such that the fluid layer contacts the shelf.

In Beispiel 3 kann das Verfahren gemäß Beispiel 1 oder 2 optional ferner aufweisen: Bilden der Schicht in jedem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche derart, dass die Fluidschicht das plattenförmige Gestell berührt.In Example 3, the method according to Example 1 or 2 may optionally further include: forming the layer in each substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas such that the fluid layer contacts the plate-shaped stage.

In Beispiel 4 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 3 optional ferner aufweisen, dass das plattenförmige Gestell eine Trägerplatte und einen Rahmen, der in jedem der mehreren Substrataufnahmebereiche von einer Öffnung durchdrungen ist, aufweist, und dass die Schicht zwischen der Trägerplatte und dem Rahmen (z.B. diese räumlich voneinander separierend) angeordnet ist.In Example 4, the method according to any one of Examples 1 to 3 can optionally further include that the plate-shaped frame has a support plate and a frame which is penetrated by an opening in each of the plurality of substrate receiving areas, and that the layer between the support plate and the Frame (e.g. spatially separating them from each other) is arranged.

Beispiel 5 ist ein Verfahren für einen Substratträger, der ein plattenförmiges Gestell und einen Substrataufnahmebereich aufweist, das Verfahren aufweisend: Anordnen eines Substrats in dem Substrataufnahmebereich, in welchem eine das Gestell berührende Schicht, die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht, angeordnet ist derart, dass die Schicht das Substrat berührt, und Prozessieren des Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (z.B. thermische und/oder elektromagnetische) Energie zuführt.Example 5 is a method for a substrate carrier having a plate-shaped frame and a substrate receiving area, the method comprising: arranging a substrate in the substrate receiving area, in which a layer contacting the frame, which consists of a fluid and/or a film, is arranged such that the layer contacts the substrate, and processing the substrate located in the substrate receiving area by a process in a vacuum which supplies energy (e.g. thermal and/or electromagnetic) to the substrate.

In Beispiel 6 kann das Verfahren gemäß Beispiel 5 optional ferner aufweisen, dass das plattenförmige Gestell eine Trägerplatte und einen Rahmen, der in dem Substrataufnahmebereich von einer Öffnung durchdrungen ist, aufweist, und dass die Schicht zwischen der Trägerplatte und dem Rahmen (z.B. diese räumlich voneinander separierend) angeordnet ist.In Example 6, the method according to Example 5 can optionally further include that the plate-shaped frame has a support plate and a frame, which is penetrated by an opening in the substrate receiving area, and that the layer between the support plate and the frame (e.g. these are spatially separated from each other separating) is arranged.

In Beispiel 7 kann das Verfahren gemäß Beispiel 6 optional ferner aufweisen: Bilden der Schicht über (und in direktem physischen Kontakt mit) einer zu prozessierenden Seite der Trägerplatte derart, dass die Schicht die Trägerplatte berührt, Anordnen des Rahmens über der Schicht (und in direktem physischen Kontakt mit) derart, dass der Rahmen die Schicht berührt; und Anordnen des Substrats in dem Substrataufnahmebereich.In example 7, the method according to example 6 can optionally further comprise: forming the layer over (and in direct physical contact with) a side of the carrier plate to be processed such that the layer touches the carrier plate, placing the frame over the layer (and in direct physical contact with physical contact with) such that the frame touches the layer; and placing the substrate in the substrate receiving area.

In Beispiel 8 kann das Verfahren gemäß Beispiel 7 optional ferner aufweisen, dass die Schicht das Fluid aufweist und dass das Bilden der Schicht über der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte derart, dass die Schicht die Trägerplatte berührt, aufweist: Aufbringen des Fluids über der zu prozessierenden Seite der Trägerplatte mittels einer Rolle (z.B. einer Walze).In example 8, the method according to example 7 can optionally further comprise the layer comprising the fluid and forming the layer over the side of the backing plate to be processed such that the layer contacts the backing plate comprises: applying the fluid over the side to be processed side of the carrier plate by means of a roller (e.g. a roller).

In Beispiel 9 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 8 optional ferner aufweisen: Bilden der Schicht in dem Substrataufnahmebereich derart, dass die Schicht das plattenförmige Gestell berührt, wobei das Bilden der Schicht vorzugsweise aufweist, ein Fluid auf das plattenförmige Gestell aufzubringen, vorzugsweise mittels Bestreichens des plattenförmigen Gestells und/oder mittels einer Rolle.In Example 9, the method according to any one of Examples 1 to 8 can optionally further comprise: forming the layer in the substrate receiving area such that the layer touches the plate-shaped stand, wherein forming the layer preferably comprises applying a fluid to the plate-shaped stand, preferably by brushing the plate-shaped frame and/or by means of a roller.

In Beispiel 10 kann das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 9 optional ferner aufweisen: Erneuern der Schicht nach dem Prozessieren des Substrats, und/oder Entfernern der Schicht von dem Substrat.In example 10, the method according to any one of examples 1 to 9 can optionally further comprise: renewing the layer after processing the substrate, and/or removing the layer from the substrate.

Beispiel 11 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 10, wobei zwischen dem Substrat und dem plattenförmigen Gestell ein Hohlraum gebildet ist, welcher zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) von der Fluidschicht ausgefüllt ist.Example 11 is the method according to any one of Examples 1 to 10, wherein a cavity is formed between the substrate and the plate-shaped frame which is at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%) filled by the fluid layer.

Beispiel 12 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 11, wobei die Schicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 3 mm aufweist.Example 12 is the process according to any one of Examples 1 to 11, wherein the layer has a thickness in a range from about 0.1 µm to about 3 mm.

Beispiel 13 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 12, wobei die Schicht eine Dicke aufweist, wobei das plattenförmige Gestell eine Höhe aufweist; und wobei die Dicke der Schicht größer ist als ungefähr 1 % der Höhe des plattenförmigen Gestells und kleiner ist als ungefähr 10 % der Höhe des plattenförmigen Gestells.Example 13 is the method according to any one of Examples 1 to 12, wherein the sheet has a thickness, the slab has a height; and wherein the thickness of the layer is greater than about 1% of the height of the shelf and less than about 10% of the height of the shelf.

Beispiel 14 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 13, wobei die Schicht das Fluid aufweist, welches in einem Temperaturbereich von ungefähr 20°C bis ungefähr 100°C eine kinematische Viskosität größer als 100 mm2/s (z.B. 300 mm2/s, z.B. 2000 mm2/s) aufweist.Example 14 is the method according to any one of Examples 1 to 13, wherein the layer comprises the fluid having a kinematic viscosity greater than 100 mm2/s (e.g. 300 mm2/s, e.g. 2000 mm2/s).

Beispiel 15 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 14, wobei die Schicht das Fluid aufweist, welches eine kinematische Viskosität aufweist; wobei das Prozessieren des Substrats das Substrat erwärmt; und wobei die kinematische Viskosität des Fluids bei einer Temperatur, auf die das Substrat mittels des Prozessierens erwärmt wird, größer ist als 4 mm2/s (z.B. 10 mm2/s, z.B. 50 mm2/s).Example 15 is the method according to any one of Examples 1 to 14, wherein the layer comprises the fluid having a kinematic viscosity; wherein processing the substrate heats the substrate; and wherein the kinematic viscosity of the fluid at a temperature to which the substrate is heated by the processing is greater than 4 mm2/s (e.g. 10 mm2/s, e.g. 50 mm2/s).

Beispiel 16 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 15, wobei die Schicht das Fluid aufweist, welches bei einer Temperatur von 70°C (z.B. 100°C oder 150°C) einen Dampfdruck kleiner als oder gleich 5E-3 mbar (z.B. kleiner als 5E-5 mbar, z.B. kleiner als 5E-6 mbar) aufweist.Example 16 is the process according to any one of Examples 1 to 15, wherein the layer comprises the fluid which at a temperature of 70°C (e.g. 100°C or 150°C) has a vapor pressure less than or equal to 5E-3 mbar (e.g. less than 5E-5 mbar, e.g. less than 5E-6 mbar).

Beispiel 17 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 16, wobei die Schicht das Fluid aufweist, welches einen Dampfdruck aufweist; wobei das Prozessieren des Substrats das Substrat erwärmt; und wobei der Dampfdruck des Fluids bei einer Temperatur, auf die das Substrat mittels des Prozessierens erwärmt wird, kleiner ist (z.B. mindestens 10 Mal kleiner ist, z.B. mindestens 100 Mal kleiner ist) als ein Druck des Vakuums.Example 17 is the method according to any one of Examples 1 to 16, wherein the layer comprises the fluid having a vapor pressure; wherein processing the substrate heats the substrate; and wherein the vapor pressure of the fluid at a temperature to which the substrate is heated by the processing is smaller (e.g. at least 10 times smaller, e.g. at least 100 times smaller) than a pressure of the vacuum.

Beispiel 18 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 17, wobei die Schicht das Fluid aufweist, welches ein Gas (Gaspolster) aufweist.Example 18 is the method according to any one of Examples 1 to 17, wherein the layer comprises the fluid comprising a gas (gas cushion).

Beispiel 19 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 17, wobei die Schicht eine Flüssigkeit und/oder ein Gas aufweist, vorzugsweise bei Standardbedingungen und/oder bei: dem Druck des Vakuums und/oder der Temperatur auf die das Substrat mittels des Prozessierens erwärmt wird.Example 19 is the method according to any of Examples 1 to 17, wherein the layer comprises a liquid and/or a gas, preferably at standard conditions and/or at: the pressure of the vacuum and/or the temperature to which the substrate is heated by the processing will.

Standardbedingungen können gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine zugehörige Temperatur und einen zugehörigen Druck definieren. Als Standardbedingungen können zum Beispiel eine Temperatur von 273,15 Kelvin (K) und ein Druck von 1,01325 bar verstanden werden (DIN 1343). Als Standardbedingungen können zum Beispiel eine Temperatur von 273,15 Kelvin (K) und ein Druck von 1 bar verstanden werden (IUPAC).Standard conditions may define an associated temperature and pressure, according to various embodiments. For example, a temperature of 273.15 Kelvin (K) and a pressure of 1.01325 bar can be understood as standard conditions (DIN 1343). For example, a temperature of 273.15 Kelvin (K) and a pressure of 1 bar can be understood as standard conditions (IUPAC).

Beispiel 20 ist das Verfahren gemäß Beispiel 19, wobei die Flüssigkeit Öl und/oder Fett (z.B. Krytox®) aufweist.Example 20 is the method according to example 19, wherein the liquid comprises oil and/or fat (e.g. Krytox®).

Beispiel 21 ist das Verfahren gemäß Beispiel 19 oder 20, wobei die Flüssigkeit ein Silikonöl (z.B. Perfluorpolyether, PFPE, aufweisend) aufweist.Example 21 is the method of Example 19 or 20, wherein the liquid comprises a silicone oil (e.g., comprising perfluoropolyether, PFPE).

Beispiel 22 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 19 bis 21, wobei die Flüssigkeit ein Diffusionspumpenöl aufweist, wobei das Diffusionspumpenöl vorzugsweise ein Silikonöl und/oder ein PFPE-Öl aufweist.Example 22 is the method according to any one of Examples 19 to 21, wherein the liquid comprises a diffusion pump oil, preferably wherein the diffusion pump oil comprises a silicone oil and/or a PFPE oil.

Beispiel 23 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 1 bis 22, wobei die Schicht (bzw. das Fluid der Fluidschicht und/oder das Material, aus dem die Folie besteht) eine Wärmeleitfähigkeit größer als oder gleich ungefähr 0,15 W/(m·K) (z.B. größer als ungefähr 0,2 W/(m·K)) aufweist.Example 23 is the method of any of Examples 1-22, wherein the layer (or the fluid of the fluid layer and/or the material making up the film) has a thermal conductivity greater than or equal to about 0.15 W/(m· K) (e.g. greater than about 0.2 W/(m·K)).

Beispiel 24 ist ein Verfahren für einen Substratträger, der ein plattenförmiges Gestell und mehrere Substrataufnahmebereiche aufweist, das Verfahren aufweisend: Anordnen eines Substrats in einem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche, in welchem eine das Gestell berührende Fluidschicht und/oder Folie (z.B. Grafitfolie und/oder Metallfolie) angeordnet ist, derart, dass die Folie das Substrat berührt, und Prozessieren des Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (z.B. thermische und/oder elektromagnetische) Energie zuführt.Example 24 is a method for a substrate carrier having a plate-shaped frame and a plurality of substrate receiving areas, the method comprising: arranging a substrate in a substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas in which a fluid layer and/or foil (e.g. graphite foil and/or metal foil) contacting the frame ) is arranged such that the foil contacts the substrate, and processing the substrate arranged in the substrate receiving area by means of a process in a vacuum which supplies energy (e.g. thermal and/or electromagnetic) to the substrate.

In Beispiel 25 kann das Verfahren gemäß Beispiel 24 optional ferner aufweisen, dass das plattenförmige Gestell eine Trägerplatte und einen Rahmen, der in jedem der mehreren Substrataufnahmebereiche von einer Öffnung durchdrungen ist, aufweist, und dass die Fluidschicht bzw. Folie zwischen der Trägerplatte und dem Rahmen (z.B. diese räumlich voneinander separierend) angeordnet ist.In Example 25, the method according to Example 24 can optionally further include that the plate-shaped frame has a support plate and a frame which is penetrated by an opening in each of the plurality of substrate receiving areas, and that the fluid layer or film between the support plate and the frame (e.g. spatially separating them from each other).

In Beispiel 26 kann das Verfahren gemäß Beispiel 24 oder 25 optional ferner aufweisen: Anordnen der Fluidschicht bzw. der Folie über einer zu prozessierenden Seite der Trägerplatte derart, dass die Fluidschicht bzw. die Folie die Trägerplatte berührt; Anordnen des Rahmens über der Fluidschicht bzw. der Folie derart, dass der Rahmen die Fluidschicht bzw. die Folie berührt; und Anordnen des Substrats in dem Substrataufnahmebereich.In example 26, the method according to example 24 or 25 can optionally further comprise: arranging the fluid layer or the foil over a side of the carrier plate to be processed such that the fluid layer or the foil touches the carrier plate; Arranging the frame over the fluid layer or the film in such a way that the frame covers the fluid layer or touches the foil; and placing the substrate in the substrate receiving area.

Beispiel 27 ist ein Verfahren für einen Substratträger, der ein plattenförmiges Gestell und einen Substrataufnahmebereich aufweist, das Verfahren aufweisend: Anordnen eines Substrats in dem Substrataufnahmebereich, in welchem eine das Gestell berührende Fluidschicht und/oder Folie angeordnet ist derart, dass die Fluidschicht bzw. Folie das Substrat berührt, und Prozessieren des Substrats, das in dem Substrataufnahmebereich angeordnet ist, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (z.B. thermische und/oder elektromagnetische) Energie zuführt.Example 27 is a method for a substrate carrier which has a plate-shaped frame and a substrate receiving area, the method comprising: arranging a substrate in the substrate receiving area in which a fluid layer and/or film touching the frame is arranged such that the fluid layer or film touches the substrate, and processing the substrate located in the substrate receiving area by a process in a vacuum which applies energy (e.g., thermal and/or electromagnetic) to the substrate.

Beispiel 28 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 24 bis 27, wobei das Verfahren ferner aufweist: Erneuern der Fluidschicht und/oder Folie nach dem Prozessieren des Substrats.Example 28 is the method according to any one of Examples 24 to 27, the method further comprising: replenishing the fluid layer and/or foil after processing the substrate.

Beispiel 29 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 24 bis 28, wobei die Folie (bzw. ein Material, aus dem die Folie besteht) und/oder die Fluidschicht (bzw. das Fluid der Fluidschicht) eine Wärmeleitfähigkeit größer als oder gleich 0,15 W/(m·K) aufweist.Example 29 is the method of any of Examples 24-28, wherein the film (or a material comprising the film) and/or the fluid layer (or the fluid of the fluid layer) has a thermal conductivity greater than or equal to 0.15 W/(m·K).

Beispiel 30 ist das Verfahren gemäß einem der Beispiele 24 bis 29, wobei das Prozessieren des Substrats ein Beschichten des Substrats aufweist.Example 30 is the method according to any one of Examples 24 to 29, wherein processing the substrate comprises coating the substrate.

Beispiel 31 ist ein Substratträger (z.B. der des Verfahrens gemäß einem der Beispiele 1 bis 30), aufweisend: ein plattenförmiges Gestell, mehrere Substrataufnahmebereiche zum Aufnehmen von Substraten; und eine Schicht, die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht und angeordnet ist in zumindest einem der mehreren Substrataufnahmebereiche in direktem physischen Kontakt mit dem plattenförmigen Gestell (d.h. dieses berührend), wobei die Schicht derart eingerichtet ist, dass in dem Substrataufnahmebereich ein Substrat in direktem physischen Kontakt mit der Schicht angeordnet werden kann.Example 31 is a substrate carrier (e.g., that of the method according to any one of Examples 1 to 30) comprising: a plate-shaped stage, a plurality of substrate accommodating portions for accommodating substrates; and a layer, which consists of a fluid and/or a film and is arranged in at least one of the plurality of substrate receiving areas in direct physical contact with the plate-shaped frame (i.e. touching it), wherein the layer is set up such that in the substrate receiving area a substrate can be placed in direct physical contact with the layer.

Beispiel 32 ist der Substratträger gemäß Beispiel 31, wobei jeder Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche eine Aussparung in dem plattenförmigen Gestell aufweist.Example 32 is the substrate support according to Example 31, wherein each substrate receiving portion of the plurality of substrate receiving portions has a recess in the plate-shaped stand.

Beispiel 33 ist der Substratträger gemäß Beispiel 31 oder 32, wobei Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche ein oder mehrere Substratauflagesegmente (Ecke, Rahmen, Klemme, Vorsprung) zum Auflegen eines jeweiligen Substrats und eine Aussparung, die sich in das plattenförmige Gestell hinein erstreckt, aufweist.Example 33 is the substrate carrier according to Example 31 or 32, wherein the substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas has one or more substrate support segments (corner, frame, clamp, projection) for placing a respective substrate and a recess which extends into the plate-shaped frame.

Beispiel 34 ist der Substratträger gemäß einem der Beispiele 31 bis 33, wobei der Substratträger ferner einen Rahmen aufweist, der zumindest in dem Substrataufnahmebereich, in dem die Schicht angeordnet ist, (z.B. in jedem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche) von einer Durchgangsöffnung durchdrungen ist. Anschaulich kann der Rahmen eine Durchgangsöffnung aufweisen, die sich durch den Rahmen hindurch erstreckt.Example 34 is the substrate support according to any one of Examples 31 to 33, wherein the substrate support further comprises a frame which is penetrated by a through hole at least in the substrate receiving area in which the layer is arranged (e.g. in each substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas). Clearly, the frame can have a through-opening that extends through the frame.

Beispiel 35 ist der Substratträger gemäß Beispiel 34, wobei das plattenförmige Gestell eine Platte aufweist, die die Durchgangsöffnung zumindest teilweise abdeckt. Optional kann die Platte über einer nicht zu prozessierenden Seite des Rahmens angeordnet sein. Die Platte kann zum Beispiel eine Trägerplatte oder eine Abdeckplatte sein.Example 35 is the substrate carrier according to example 34, wherein the plate-shaped frame has a plate which at least partially covers the through-opening. Optionally, the platen can be placed over a non-processing side of the frame. The plate can be, for example, a carrier plate or a cover plate.

Beispiel 36 ist der Substratträger gemäß einem der Beispiele 12 bis 14, wobei die ein oder mehreren Substratauflagesegmente eine Auflagefläche in dem jeweiligen Substrataufnahmebereich zum Auflegen des Substrats aufweisen.Example 36 is the substrate carrier according to any one of Examples 12 to 14, wherein the one or more substrate support segments have a support surface in the respective substrate receiving area for placing the substrate.

Beispiel 37 ist der Substratträger gemäß einem der Beispiele 31 bis 36, wobei das plattenförmige Gestell eine Trägerplatte und einen über einer zu prozessierenden Seite der Trägerplatte angeordneten Rahmen aufweist, wobei der Rahmen Öffnungen aufweist, die die mehreren Substrataufnahmebereiche bilden.Example 37 is the substrate carrier according to any one of Examples 31 to 36, wherein the plate-shaped frame comprises a carrier plate and a frame arranged over a side of the carrier plate to be processed, the frame having openings forming the plurality of substrate receiving areas.

Beispiel 38 ist der Substratträger gemäß Beispiel 37, wobei die Schicht zwischen der Trägerplatte und dem Rahmen (z.B. diese räumlich voneinander separierend) derart angeordnet ist, dass die Schicht die zu prozessierende Seite der Trägerplatte und den Rahmen berührt.Example 38 is the substrate carrier according to Example 37, wherein the layer is arranged between the carrier plate and the frame (e.g. spatially separating them from one another) such that the layer touches the side of the carrier plate to be processed and the frame.

Beispiel 39 ist ein Substratträger (z.B. der des Verfahrens gemäß einem der Beispiele 1 bis 30 oder der Substratträger gemäß einem der Beispiele 31 bis 38), aufweisend: ein plattenförmiges Gestell, einen Substrataufnahmebereich zum Aufnehmen eines Substrats; und eine Schicht, die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht und angeordnet ist in dem Substrataufnahmebereich in direktem physischen Kontakt mit dem plattenförmigen Gestell, wobei die Schicht derart eingerichtet ist, dass in dem Substrataufnahmebereich ein Substrat in direktem physischen Kontakt mit der Schicht angeordnet werden kann.Example 39 is a substrate carrier (e.g., that of the method according to any one of Examples 1 to 30 or the substrate carrier according to any one of Examples 31 to 38) comprising: a plate-shaped stage, a substrate accommodating portion for accommodating a substrate; and a layer which consists of a fluid and/or a film and is arranged in the substrate receiving area in direct physical contact with the plate-shaped frame, the layer being set up in such a way that a substrate is arranged in direct physical contact with the layer in the substrate receiving area can be.

Beispiel 40 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 1 bis 39 wobei der Substratträger ferner eine Länge entlang einer Transportrichtung aufweist, wobei das plattenförmige Gestell zwei seitliche Auflageflächen aufweist, die entlang der Transportrichtung erstreckt sind, und wobei die Substrataufnahmebereiche zwischen den zwei seitlichen Auflageflächen angeordnet sind. Zum Beispiel kann das Verfahren gemäß einem der Beispiel 1 bis 30 ferner aufweisen: Auflegen der zwei seitlichen Auflageflächen des Substratträgers auf eine Transportvorrichtung. Zum Beispiel kann das Verfahren ferner aufweisen: Transportieren des Substratträgers entlang der Transportrichtung.Example 40 is set up according to one of Examples 1 to 39, the substrate carrier also having a length along a transport direction, the plate-shaped frame having two lateral bearing surfaces which are extended along the transport direction, and the substrate holder measuring areas are arranged between the two lateral bearing surfaces. For example, the method according to any one of examples 1 to 30 can also include: placing the two lateral support surfaces of the substrate carrier on a transport device. For example, the method may further include: transporting the substrate carrier along the transport direction.

Beispiel 41 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 40, wobei ein Material des plattenförmigen Gestells Stahl oder Edelstahl aufweist.Example 41 is configured according to any one of Examples 31 to 40, wherein a material of the plate-shaped frame includes steel or stainless steel.

Beispiel 42 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 41, wobei der Substratträger ferner aufweist: einen oder mehr als einen Hohlraum aufweist, der in dem plattenförmigen Gestell gebildet und von diesem nach außen hin fluiddicht abgedichtet ist; und ein Fluid (z.B. Wasser), welches in dem einen oder mehr als einen Hohlraum angeordnet ist. Optional kann das Fluid den Hohlraum zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) füllen.Example 42 is set up according to any one of Examples 31 to 41, wherein the substrate carrier further comprises: one or more than one cavity formed in the plate-shaped frame and sealed in a fluid-tight manner to the outside therefrom; and a fluid (e.g., water) disposed within the one or more cavities. Optionally, the fluid can fill the cavity at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%).

Beispiel 43 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 1 bis 42, wobei ferner die Schicht eine Ausdehnung aufweist entlang einer Richtung, welche mindestens 50% einer Ausdehnung des plattenförmigen Gestells ist, wobei die Richtung beispielsweise die Transportrichtung ist oder quer zur Transportrichtung ist.Example 43 is arranged according to any of Examples 1 to 42, further wherein the layer has an extent along a direction which is at least 50% of an extent of the sheet-like frame, which direction is for example the transport direction or is transverse to the transport direction.

Beispiel 44 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 43, wobei das Substrat ein Glassubstrat (z.B. Gorilla-Glas) ist.Example 44 is configured according to any one of Examples 31 to 43, wherein the substrate is a glass substrate (e.g., Gorilla Glass).

Beispiel 45 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 44, wobei das plattenförmige Gestell (bzw. das Material, aus dem das plattenförmige Gestell besteht) eine spezifische Wärmekapazität größer als oder gleich 500 J/(kg·K) aufweist.Example 45 is set up according to any one of Examples 31 to 44, wherein the plate-shaped frame (or the material from which the plate-shaped frame is made) has a specific heat capacity greater than or equal to 500 J/(kg·K).

Beispiel 46 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 45, wobei zwischen dem Substrat und dem plattenförmigen Gestell ein Hohlraum gebildet ist, welcher zu mindestens 50% (z.B. mindestens 75%, z.B. mindestens 90%) von der Schicht ausgefüllt ist.Example 46 is set up according to any one of Examples 31 to 45, wherein a cavity is formed between the substrate and the plate-shaped frame, which is at least 50% (e.g. at least 75%, e.g. at least 90%) filled by the layer.

Beispiel 47 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 46, wobei die Schicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 µm bis ungefähr 3 mm aufweist.Example 47 is arranged according to any one of Examples 31 to 46, wherein the layer has a thickness in a range from about 0.1 μm to about 3 mm.

Beispiel 48 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 47, wobei die Schicht eine Dicke aufweist; wobei das plattenförmige Gestell eine Höhe aufweist; und wobei die Dicke der Schicht größer ist als 1 % der Höhe des plattenförmigen Gestells und kleiner ist als 10 % der Höhe des plattenförmigen Gestells.Example 48 is set up according to any one of Examples 31 to 47, wherein the layer has a thickness; wherein the plate-shaped frame has a height; and wherein the thickness of the layer is greater than 1% of the height of the shelf and less than 10% of the height of the shelf.

Beispiel 49 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 48, wobei die Schicht aus dem Fluid besteht und wobei das Fluid in einem Temperaturbereich von 20°C bis 100°C eine kinematische Viskosität größer als 100 mm2/s (z.B. 300 mm2/s, z.B. 2000 mm2/s) aufweist.Example 49 is set up according to any one of Examples 31 to 48, wherein the layer consists of the fluid and wherein the fluid has a kinematic viscosity greater than 100 mm2/s (e.g. 300 mm2/s, e.g. 2000 mm2/s).

Beispiel 50 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 49, wobei die Schicht aus dem Fluid besteht, welches eine kinematische Viskosität aufweist, wobei die kinematische Viskosität des Fluids bei einer Temperatur von 100°C größer ist als 4 mm2/s (z.B. 10 mm2/s, z.B. 50 mm2/s).Example 50 is set up according to any one of Examples 31 to 49, wherein the layer consists of the fluid having a kinematic viscosity, the kinematic viscosity of the fluid at a temperature of 100°C being greater than 4 mm2/s (e.g. 10 mm2 /s, e.g. 50 mm2/s).

Beispiel 51 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 50, wobei die Schicht aus dem Fluid besteht, welches bei einer Temperatur von 70°C (oder einer Temperatur von 100°C oder 150°C) einen Dampfdruck kleiner als oder gleich 5E-3 mbar (z.B. kleiner als 5E-5 mbar, z.B. kleiner als 5E-6 mbar) aufweist.Example 51 is set up according to any one of Examples 31 to 50, wherein the layer consists of the fluid which at a temperature of 70°C (or a temperature of 100°C or 150°C) has a vapor pressure less than or equal to 5E-3 mbar (e.g. less than 5E-5 mbar, e.g. less than 5E-6 mbar).

Beispiel 52 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 51, wobei das Fluid ein Gas (z.B. ein Gaspolster bildend) aufweist.Example 52 is set up according to any one of Examples 31 to 51, wherein the fluid comprises a gas (e.g. forming a gas cushion).

Beispiel 53 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 51, wobei das Fluid eine Flüssigkeit und/oder ein Gas aufweist, vorzugsweise bei Standardbedingungen und/oder bei: dem Druck des Vakuums und/oder der Temperatur auf die das Substrat mittels des Prozessierens erwärmt wird.Example 53 is set up according to any one of Examples 31 to 51, wherein the fluid comprises a liquid and/or a gas, preferably at standard conditions and/or at: the pressure of the vacuum and/or the temperature to which the substrate is heated by the processing .

Beispiel 54 ist eingerichtet gemäß Beispiel 53, wobei die Flüssigkeit Öl und/oder Fett (z.B. Krytox®) aufweist.Example 54 is set up according to example 53, wherein the liquid comprises oil and/or fat (e.g. Krytox®).

Beispiel 55 ist eingerichtet gemäß Beispiel 53 oder 54, wobei die Flüssigkeit ein Silikonöl (z.B. Perfluorpolyether aufweisend) aufweist.Example 55 is set up according to example 53 or 54, wherein the liquid comprises a silicone oil (e.g., comprising perfluoropolyether).

Beispiel 56 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 53 bis 55, wobei die Flüssigkeit ein Diffusionspumpenöl aufweist.Example 56 is set up according to any one of Examples 53-55, wherein the liquid comprises a diffusion pump oil.

Beispiel 57 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 56, wobei die Schicht (bzw. das Material, aus dem die Schicht besteht) eine Wärmeleitfähigkeit größer als oder gleich 0,15 W/(m·K) aufweist.Example 57 is arranged according to any one of Examples 31 to 56, wherein the layer (or the material comprising the layer) has a thermal conductivity greater than or equal to 0.15 W/(m*K).

Beispiel 58 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 31 bis 57, wobei zumindest eine zu prozessierende Seite der Trägerplatte eine gestrahlte (z.B. plasmagestrahlte und/oder kugelgestrahlte) Oberfläche aufweist.Example 58 is configured according to any one of Examples 31 to 57, wherein at least one side of the backing plate to be processed has a peened (e.g., plasma peened and/or shot peened) surface.

Beispiel 59 ist ein Substratträger (z.B. der des Verfahrens gemäß einem der Beispiele 1 bis 30 oder der Substratträger gemäß einem der Beispiele 31 bis 58), aufweisend: ein plattenförmiges Gestell; mehrere Substrataufnahmebereiche zum Aufnehmen von Substraten; einen oder mehr als einen Hohlraum, der in dem plattenförmigen Gestell gebildet und von diesem nach außen hin fluiddicht abgedichtet ist; und ein Fluid, welches in dem einen oder mehr als einen Hohlraum angeordnet ist; wobei vorzugsweise das Fluid eine größere spezifische Wärmekapazität aufweist als das Gestell. Optional kann das Fluid den einen oder mehr als einen Hohlraum zum Beispiel zu mehr als 50% (z.B. mehr als 60%, z.B. mehr als 75%, z.B. mehr als 90) füllen.Example 59 is a substrate carrier (eg, that of the method according to any one of Examples 1 to 30 or the substrate carrier according to any one of Examples 31 to 58) comprising: a plate-shaped stand; a plurality of substrate receiving areas for receiving substrates; one or more than one cavity formed in the plate-shaped frame and sealed fluid-tight to the outside thereof; and a fluid disposed in the one or more cavities; preferably wherein the fluid has a greater specific heat capacity than the frame. Optionally, the fluid may fill the one or more voids, for example, greater than 50% (eg, greater than 60%, eg, greater than 75%, eg, greater than 90%).

Beispiel 60 ist ein Verwenden einer Schicht (z.B. gemäß einem der Beispiele 1 bis 59), die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht, zum Lagern eines Substrats in einem Substrataufnahmebereich eines Substratträgers, der ein plattenförmiges Gestell aufweist, wobei die Fluidschicht das Substrat und das plattenförmige Gestell berührt.Example 60 is using a layer (e.g. according to one of Examples 1 to 59) consisting of a fluid and/or a film for storing a substrate in a substrate receiving area of a substrate carrier which has a plate-shaped frame, the fluid layer supporting the substrate and touches the plate-shaped frame.

Beispiel 61 ist eine Vakuumanordnung, aufweisend: eine Vakuumkammer, einen Substratträger gemäß einem der Beispiele 31 bis 59; und eine Transportvorrichtung zum Transportieren des Substratträgers entlang der Transportrichtung (in der Vakuumkammer).Example 61 is a vacuum assembly comprising: a vacuum chamber, a substrate support according to any one of Examples 31 to 59; and a transport device for transporting the substrate carrier along the transport direction (in the vacuum chamber).

Beispiel 62 ist eingerichtet gemäß Beispiel 61, wobei der Substratträger ferner eine Länge entlang einer Transportrichtung aufweist, wobei das plattenförmige Gestell des Substratträgers zwei seitliche Auflageflächen aufweist, die entlang der Transportrichtung erstreckt sind und wobei die Substrataufnahmebereiche zwischen den zwei seitlichen Auflageflächen angeordnet sind; und wobei die Transportvorrichtung zwei Sätze Transportrollen aufweist, die quer zu der Transportrichtung einen Abstand voneinander aufweisen, zum Transportieren des Substratträgers entlang der Transportrichtung, wenn dieser mit den zwei seitlichen Auflageflächen auf den zwei Sätzen Transportrollen aufliegt.Example 62 is set up according to Example 61, wherein the substrate carrier further has a length along a transport direction, the plate-shaped frame of the substrate carrier having two lateral bearing surfaces which are extended along the transport direction and the substrate receiving areas are arranged between the two lateral bearing surfaces; and wherein the transport device has two sets of transport rollers, which are spaced apart from one another transversely to the transport direction, for transporting the substrate carrier along the transport direction when it rests with the two lateral bearing surfaces on the two sets of transport rollers.

In Beispiel 63 kann die Vakuumanordnung gemäß Beispiel 61 oder 62 ferner aufweisen: mindestens eine Prozessiervorrichtung, die eingerichtet ist, das entlang der Transportrichtung transportierte Substrat zu bearbeiten.In example 63, the vacuum arrangement according to example 61 or 62 can furthermore have: at least one processing device which is set up to process the substrate transported along the transport direction.

Beispiel 64 ist eingerichtet gemäß Beispiel 63, wobei die mindestens eine Prozessiervorrichtung eingerichtet ist, das entlang der Transportrichtung transportierte Substrat zu beschichten.Example 64 is set up according to example 63, the at least one processing device being set up to coat the substrate transported along the transport direction.

Beispiel 65 ist eingerichtet gemäß einem der Beispiele 62 bis 64, wobei die Schicht des Substratträgers aus dem Fluid besteht, wobei das Fluid einen Dampfdruck aufweist; wobei die mindestens eine Prozessiervorrichtung eingerichtet ist, das entlang der Transportrichtung transportierte Substrat mittels eines Bearbeitungsprozesses (z.B. Beschichtungsprozesses) auf eine Bearbeitungstemperatur zu erwärmen; und wobei der Dampfdruck des Fluids bei der Bearbeitungstemperatur kleiner als ein Zehntel (z.B. kleiner als ein Hundertstel, z.B. kleiner als ein Tausendstel) des Vakuumdrucks in der Vakuumkammer ist.Example 65 is set up according to any one of Examples 62 to 64, wherein the layer of the substrate support consists of the fluid, the fluid having a vapor pressure; wherein the at least one processing device is set up to heat the substrate transported along the transport direction to a processing temperature by means of a processing process (e.g. coating process); and wherein the vapor pressure of the fluid at the processing temperature is less than one tenth (e.g. less than one hundredth, e.g. less than one thousandth) of the vacuum pressure in the vacuum chamber.

Beispiel 66 ist eine Anordnung, aufweisend: eine Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substratträgers, der vorzugsweise ein plattenförmiges Gestell und einen Substrataufnahmebereich aufweist, entlang einer Transportrichtung; eine Beschichtungsvorrichtung, die eingerichtet ist, eine Schicht, die aus einem Fluid oder einer Folie besteht, in dem Substrataufnahmebereich zu bilden; und eine Bestückungsvorrichtung, welche entlang der Transportrichtung hinter der Beschichtungsvorrichtung angeordnet ist und eingerichtet ist, ein Substrat in dem Substrataufnahmebereich anzuordnen.Example 66 is an arrangement comprising: a transport device for transporting a substrate carrier, which preferably has a plate-shaped frame and a substrate receiving section, along a transport direction; a coating device configured to form a layer composed of a fluid or a film in the substrate receiving area; and a pick-and-place device which is arranged behind the coating device along the transport direction and is set up to arrange a substrate in the substrate receiving area.

Beispiel 67 ist eine Vakuumanordnung, aufweisend: eine Vakuumkammer; die Anordnung gemäß Beispiel 66; und eine Transportvorrichtung zum Transportieren des Substratträgers entlang der Transportrichtung.Example 67 is a vacuum assembly comprising: a vacuum chamber; the arrangement according to Example 66; and a transport device for transporting the substrate carrier along the transport direction.

Claims

Verfahren (1000) für einen Substratträger (100), der ein plattenförmiges Gestell (102) und mehrere Substrataufnahmebereiche (104) aufweist, das Verfahren (1000) aufweisend: • Anordnen eines Substrats (204) in einem Substrataufnahmebereich der mehreren Substrataufnahmebereiche (104), in welchem eine das plattenförmige Gestell (102) berührende Schicht (106), die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht, angeordnet ist, derart, dass die Schicht (106) das Substrat (204) berührt; und • Prozessieren des Substrats (204), das in dem Substrataufnahmebereich (104) angeordnet ist und die Schicht (106) berührt, mittels eines Prozesses in einem Vakuum, welcher dem Substrat (204) Energie zuführt.Method (1000) for a substrate carrier (100), which has a plate-shaped frame (102) and a plurality of substrate receiving areas (104), the method (1000) having: • Arranging a substrate (204) in a substrate receiving area of the plurality of substrate receiving areas (104), in which a plate-shaped frame (102) touching layer (106) consisting of a fluid and / or a film is arranged such that the layer (106) contacts the substrate (204); and • processing the substrate (204) placed in the substrate receiving area (104) and touching the layer (106) by a process in a vacuum which supplies energy to the substrate (204).

Verfahren (1000) gemäß Anspruch 1, wobei das plattenförmige Gestell (102) eine Trägerplatte (402) und einen Rahmen (404), der in jedem der mehreren Substrataufnahmebereiche (104) von einer Öffnung (406) durchdrungen ist, aufweist; und wobei die Schicht (106) zwischen der Trägerplatte (402) und dem Rahmen (404) angeordnet ist.Method (1000) according to claim 1 wherein the plate-shaped frame (102) has a support plate (402) and a frame (404) which is penetrated by an opening (406) in each of the plurality of substrate receiving areas (104); and wherein the layer (106) is disposed between the backing plate (402) and the frame (404).

Verfahren (1000) gemäß Anspruch 1 oder 2, ferner aufweisend: • Bilden der Schicht (106) in dem Substrataufnahmebereich (104) derart, dass die Schicht (106) das plattenförmige Gestell (102) berührt, wobei das Bilden der Schicht (106) vorzugsweise aufweist, ein Fluid auf das plattenförmige Gestell (102) aufzubringen, vorzugsweise mittels Bestreichens des plattenförmigen Gestells (102) und/oder mittels einer Rolle.Method (1000) according to claim 1 or 2 , further comprising: • forming the layer (106) in the substrate mount measuring area (104) such that the layer (106) contacts the plate-shaped frame (102), the forming of the layer (106) preferably comprising applying a fluid to the plate-shaped frame (102), preferably by painting the plate-shaped frame (102 ) and/or by means of a role.

Verfahren (1000) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Schicht (106) das Fluid aufweist, welches eine kinematische Viskosität aufweist; wobei das Prozessieren des Substrats (204) das Substrat (204) erwärmt; wobei die kinematische Viskosität des Fluids bei einer Temperatur, auf die das Substrat (204) mittels des Prozessierens erwärmt wird, größer ist als 4 mm²/s.Method (1000) according to any one of Claims 1 until 3 wherein the layer (106) comprises the fluid having a kinematic viscosity; wherein processing the substrate (204) heats the substrate (204); wherein the kinematic viscosity of the fluid at a temperature to which the substrate (204) is heated by the processing is greater than 4 mm ² /s.

Verfahren (1000) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Schicht (106) das Fluid aufweist, welches einen Dampfdruck aufweist; wobei das Prozessieren des Substrats (204) das Substrat (204) erwärmt; wobei der Dampfdruck des Fluids bei einer Temperatur, auf die das Substrat (204) mittels des Prozessierens erwärmt wird, kleiner ist als ein Druck des Vakuums.Method (1000) according to any one of Claims 1 until 4 wherein the layer (106) comprises the fluid having a vapor pressure; wherein processing the substrate (204) heats the substrate (204); wherein the vapor pressure of the fluid at a temperature to which the substrate (204) is heated by the processing is less than a pressure of the vacuum.

Verfahren (1000) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Schicht (106) das Fluid aufweist; wobei das Fluid ein Gas oder eine Flüssigkeit aufweist, wobei die Flüssigkeit vorzugsweise Öl und/oder Fett aufweist.Method (1000) according to any one of Claims 1 until 5 wherein the layer (106) comprises the fluid; wherein the fluid comprises a gas or a liquid, the liquid preferably comprising oil and/or fat.

Substratträger (100), aufweisend: • ein plattenförmiges Gestell (102); • mehrere Substrataufnahmebereiche (104) zum Aufnehmen von Substraten (204); und • eine Schicht (106), die aus einem Fluid und/oder einer Folie besteht und angeordnet ist in zumindest einem der mehreren Substrataufnahmebereiche (104) in direktem physischen Kontakt mit dem plattenförmigen Gestell (102), wobei die Schicht (106) derart eingerichtet ist, dass in dem Substrataufnahmebereich (104) ein Substrat (204) in direktem physischen Kontakt mit der Schicht (106) angeordnet werden kann.Substrate carrier (100) comprising: • a plate-shaped frame (102); • a plurality of substrate receiving areas (104) for receiving substrates (204); and • a layer (106) consisting of a fluid and/or a foil and arranged in at least one of the plurality of substrate-receiving areas (104) in direct physical contact with the plate-shaped frame (102), the layer (106) being arranged in such a way that in the substrate receiving area (104) a substrate (204) can be arranged in direct physical contact with the layer (106).

Substratträger (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, • wobei das plattenförmige Gestell (102) einen Rahmen (324, 404) aufweist, wobei der Rahmen (324, 404) zumindest in dem Substrataufnahmebereich, in dem die Schicht (106) angeordnet ist, von einer Durchgangsöffnung (306) durchdrungen ist.Substrate carrier (100) according to one of Claims 1 until 7 • wherein the plate-shaped frame (102) has a frame (324, 404), wherein the frame (324, 404) is penetrated by a through opening (306) at least in the substrate receiving area in which the layer (106) is arranged.

Substratträger (100) gemäß Anspruch 8, • wobei das plattenförmige Gestell (102) eine Platte (304, 402) aufweist, die die Durchgangsöffnung (306) zumindest teilweise abdeckt.Substrate carrier (100) according to claim 8 , • wherein the plate-shaped frame (102) has a plate (304, 402) which at least partially covers the through-opening (306).

Substratträger (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend: einen oder mehr als einen Hohlraum, der in dem Gestell (102) gebildet und von diesem nach außen hin fluiddicht abgedichtet ist; ein Fluid, welches in dem einen oder mehr als einen Hohlraum angeordnet ist.Substrate carrier (100) according to one of Claims 1 until 9 , further comprising: one or more cavities formed in the frame (102) and fluid-tightly sealed to the outside thereof; a fluid disposed in the one or more cavities.

Substratträger (100), aufweisend: • ein plattenförmiges Gestell (102); • mehrere Substrataufnahmebereiche (104) zum Aufnehmen von Substraten (204); • einen oder mehr als einen Hohlraum, der in dem plattenförmigen Gestell (102) gebildet und von diesem nach außen hin fluiddicht abgedichtet ist; und • ein Fluid, welches in dem einen oder mehr als einen Hohlraum angeordnet ist.Substrate carrier (100) comprising: • a plate-shaped frame (102); • a plurality of substrate receiving areas (104) for receiving substrates (204); • one or more than one cavity which is formed in the plate-shaped frame (102) and is sealed off from the outside in a fluid-tight manner; and • a fluid located in the one or more cavities.

Verwenden einer Schicht (106), die aus einem Fluid oder einer Folie besteht, zum Lagern eines Substrats (204) in einem Substrataufnahmebereich (104) eines Substratträgers (100), der ein plattenförmiges Gestell (102) aufweist, wobei die Schicht (106) das Substrat (204) und das plattenförmige Gestell (102) berührt.Using a layer (106) consisting of a fluid or a film for storing a substrate (204) in a substrate receiving area (104) of a substrate carrier (100) having a plate-shaped frame (102), the layer (106) touches the substrate (204) and the plate-shaped frame (102).

Vakuumanordnung (700), aufweisend: • eine Vakuumkammer (702); • einen Substratträger (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11; • eine Transportvorrichtung (802) zum Transportieren des Substratträgers (100) entlang der Transportrichtung (105) durch die Vakuumkammer hindurch.A vacuum assembly (700) comprising: • a vacuum chamber (702); • a substrate carrier (100) according to one of Claims 1 until 11 ; • a transport device (802) for transporting the substrate carrier (100) along the transport direction (105) through the vacuum chamber.

Vakuumanordnung (700) gemäß Anspruch 13, • wobei der Substratträger (100) ferner eine Länge (1001) entlang einer Transportrichtung (105) aufweist, wobei das plattenförmige Gestell (102) des Substratträgers (100) zwei seitliche Auflageflächen (602a, 602b) aufweist, die entlang der Transportrichtung (105) erstreckt sind und wobei die Substrataufnahmebereiche (104) zwischen den zwei seitlichen Auflageflächen (602a, 602b) angeordnet sind; • wobei die Transportvorrichtung (802) zwei Sätze Transportrollen (802r) aufweist, die quer zu der Transportrichtung (105) einen Abstand voneinander aufweisen, zum Transportieren des Substratträgers (100) entlang der Transportrichtung (105), wenn dieser mit den zwei seitlichen Auflageflächen (602a, 602b) auf den zwei Sätzen Transportrollen (802r) aufliegt.Vacuum arrangement (700) according to Claim 13 , • wherein the substrate carrier (100) also has a length (1001) along a transport direction (105), the plate-shaped frame (102) of the substrate carrier (100) having two lateral support surfaces (602a, 602b) which extend along the transport direction (105 ) are extended and wherein the substrate receiving areas (104) are arranged between the two lateral bearing surfaces (602a, 602b); • wherein the transport device (802) has two sets of transport rollers (802r) which are spaced apart from one another transversely to the transport direction (105), for transporting the substrate carrier (100) along the transport direction (105) when it is connected to the two lateral bearing surfaces ( 602a, 602b) rests on the two sets of transport rollers (802r).

Anordnung (900), aufweisend: • eine Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substratträgers (100), der ein plattenförmiges Gestell (102) und einen Substrataufnahmebereich (104) aufweist, entlang einer Transportrichtung (105); • eine Beschichtungsvorrichtung (902), die eingerichtet ist, eine Schicht (106), die aus einem Fluid oder einer Folie besteht, in dem Substrataufnahmebereich zu bilden; und • eine Bestückungsvorrichtung, welche entlang der Transportrichtung (105) hinter der Beschichtungsvorrichtung angeordnet ist und eingerichtet ist, ein Substrat in dem Substrataufnahmebereich (104) anzuordnen.Arrangement (900), comprising: • a transport device for transporting a substrate carrier (100), which has a plate-shaped frame (102) and a substrate receiving area (104), along a transport direction (105); • a coating device (902), which is set up to form a layer (106), which consists of a fluid or a film, in the substrate receiving area; and • an equipping device which is arranged behind the coating device along the transport direction (105) and is set up to arrange a substrate in the substrate receiving area (104).