DE102019219486A1 - Optical element for a projection exposure system - Google Patents

Abstract

Ein optisches Element einer Projektionsbelichtungsanlage weist eine Reflexionsfläche mit einer strahlungsreflektierenden Beschichtung auf, welche derart durch Ionenstrahlung modifiziert ist, dass sie bereichsweise unterschiedliche Reflektivitäten aufweist.An optical element of a projection exposure system has a reflection surface with a radiation-reflecting coating which is modified by ion radiation in such a way that it has different reflectivities in areas.

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements für eine Projektionsbelichtungsanlage und ein Verfahren zur Herstellung einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels. Außerdem betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Feldfacettenspiegel, eine Beleuchtungssystem und ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie ein entsprechend hergestelltes Bauelement.The invention relates to an optical element for a projection exposure system. The invention further relates to a field facet mirror for illumination optics of a projection exposure system. The invention also relates to a method for producing an optical element for a projection exposure system and a method for producing a field facet of a field facet mirror. The invention also relates to an illumination optics with such a field facet mirror, an illumination system and an optical system with such an illumination optics and a projection exposure system with such an illumination system. Finally, the invention relates to a method for producing a micro- or nano-structured component and a correspondingly produced component.

Aus der US 9,482,959 B2 ist eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Feldfacettenspiegel mit einer Vielzahl von Feldfacetten bekannt.From the US 9,482,959 B2 an illumination optics for a projection exposure system with a field facet mirror with a plurality of field facets is known.

Bei derartigen Systemen besteht stets der Bedarf, die zur Verfügung gestellte Beleuchtungsstrahlung bestmöglich auszunutzen.With systems of this type, there is always the need to make the best possible use of the illumination radiation made available.

Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einen Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.It is therefore an object of the invention to improve an optical element for a projection exposure system, in particular a field facet mirror for an illumination optics of a projection exposure system.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.This object is achieved by the features of claim 1.

Der Kern der Erfindung besteht darin, die strahlungsreflektierende Beschichtung der Reflexionsfläche eines optischen Elements einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einer Facette eines Feldfacettenspiegels derart durch Ionenstrahlung zu modifizieren, dass sie bereichsweise unterschiedliche Reflektivitäten aufweist.The essence of the invention consists in modifying the radiation-reflecting coating of the reflection surface of an optical element of a projection exposure system, in particular a facet of a field facet mirror, by ion radiation in such a way that it has different reflectivities in areas.

Bei dem optischen Element kann es sich um einen Spiegel der Beleuchtungsoptik oder einen Spiegel der Projektionsoptik handeln. Es kann sich insbesondere um eine Feldfacette eines Feldfacettenspiegels handeln.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass unterschiedliche Reflektivitäten durch Ionenbestrahlung einer strahlungsreflektierenden Beschichtung erzeugt werden können. Durch Ionenbestrahlung kann insbesondere die Reflektivität einer strahlungsreflektierenden Beschichtung reduziert, insbesondere vollständig beseitigt werden. Hierbei kann auf eine lokale Be- oder Entschichtung verzichtet werden. Dies führt zu erheblichen Vorteilen.The optical element can be a mirror of the illumination optics or a mirror of the projection optics. In particular, it can be a field facet of a field facet mirror.
According to the invention, it was recognized that different reflectivities can be generated by ion irradiation of a radiation-reflecting coating. By means of ion irradiation, in particular the reflectivity of a radiation-reflecting coating can be reduced, in particular completely eliminated. Local coating or stripping can be dispensed with. This leads to considerable advantages.

Üblicherweise umfasst die strahlungsreflektierende Beschichtung der Spiegel von EUV-Lithographiesystemen eine Mehrzahl von Funktionsschichten. Diese Schichten bestehen aus Heterostrukturen, sog. Multilayern, aus Einzelschichten mit für die verwendete EUV-Strahlung unterschiedlichen Brechungsindizes. Die Materialien, deren Abfolge und die Schichtdicken innerhalb der Multilayer sind exakt auf die zu reflektierende Wellenlänge und den Einfallswinkel der verwendeten EUV-Strahlung abgestimmt. Zur Herstellung der Multilayer werden beispielsweise PVD-Beschichtungsverfahren, beispielsweise Sputter-Verfahren, verwendet. Die Multilayer überdecken die optischen Bauteile üblicherweise in ihrer Gesamtheit.The radiation-reflecting coating of the mirrors of EUV lithography systems usually comprises a plurality of functional layers. These layers consist of heterostructures, so-called multilayers, of individual layers with different refractive indices for the EUV radiation used. The materials, their sequence and the layer thicknesses within the multilayer are precisely matched to the wavelength to be reflected and the angle of incidence of the EUV radiation used. For example, PVD coating processes, for example sputtering processes, are used to produce the multilayer. The multilayers usually cover the optical components in their entirety.

Zur Herstellung lokaler, insbesondere scharf begrenzter, nicht reflektierender Bereiche kann beispielsweise ein lokales Entschichtungs-Verfahren, beispielsweise durch nasschemisches oder trockenes Ätzen oder durch mechanisches Entfernen der Schicht, verwendet werden. Alternativ hierzu ist es möglich, die Multilayer lokal mit nichtreflektierenden Masken zu beschichten.To produce local, in particular sharply delimited, non-reflective areas, for example, a local stripping process can be used, for example by wet chemical or dry etching or by mechanical removal of the layer. Alternatively, it is possible to coat the multilayer locally with non-reflective masks.

Bei einer Entschichtung können offene Flanken an den Rändern der Heterostrukturen verbleiben. Dies kann zu einer Degradation der Schichten über deren Lebensdauer führen. Lokale Beschichtungsverfahren können ebenfalls zu offenen Flanken führen oder zu schlecht definierten Rändern. Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass die Reflektivität der strahlungsreflektierenden Beschichtung durch Ionenstrahlung beeinflusst, insbesondere reduziert werden kann. Hierbei werden die Reflexionsschichten in einer definierten Tiefe unterhalb der Schichtoberfläche modifiziert. Die strahlungsreflektierende Beschichtung wird insbesondere chemisch modifiziert. Es ist auch möglich, die Struktur der Schichtabfolge derart zu stören, beispielsweise durch Erhöhung der Grenzflächenrauheit oder durch Interdiffusion von verschiedenen Schichten der Heterostruktur, sodass sie ihre Funktion verlieren. Hierbei kommt es nicht zur Ausbildung offener Flanken an den Rändern der strahlungsreflektierenden Beschichtung. Die Reflexionsfläche ist insbesondere frei von offenen Flanken. Sie ist insbesondere durchgehend, insbesondere geschlossen.When the coating is removed, open flanks can remain at the edges of the heterostructures. This can lead to a degradation of the layers over their lifetime. Local coating processes can also lead to open flanks or poorly defined edges. According to the invention, it was recognized that the reflectivity of the radiation-reflecting coating can be influenced, in particular reduced, by ion radiation. Here, the reflective layers are modified at a defined depth below the layer surface. The radiation-reflecting coating is in particular chemically modified. It is also possible to disrupt the structure of the layer sequence in such a way, for example by increasing the interface roughness or by interdiffusion of different layers of the heterostructure, so that they lose their function. This does not result in the formation of open flanks at the edges of the radiation-reflecting coating. In particular, the reflection surface is free from open edges. In particular, it is continuous, in particular closed.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements für eine Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere zur Herstellung einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit folgenden Schritten gelöst:

• - Bereitstellen eines Grundkörpers des optischen Elements, insbesondere eines Facettengrundkörpers,
• - Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung auf den Grundkörper zur Herstellung eines Reflexionsbereichs,
• - Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung in einem vorgegebenen Teilbereich durch Bestrahlung desselben mit Ionen.

Another object of the invention is to improve a method for producing an optical element for a projection exposure system, in particular for producing a field facet of a field facet mirror. This task is solved by a method with the following steps:

• - Providing a base body of the optical element, in particular a facet base body,
• - applying a reflective coating to the base body to produce a reflective area,
• - Reducing the reflectivity of the reflective coating in a given sub-area by irradiating the same with ions.

Die Reflektivität der Reflexionsbeschichtung kann in einem oder mehreren vorbestimmten Teilbereichen durch eine Bestrahlung mit Ionenstrahlen insbesondere vollständig beseitigt werden.The reflectivity of the reflective coating can, in particular, be completely eliminated in one or more predetermined subregions by irradiation with ion beams.

Es hat sich herausgestellt, dass mittels eines Ionenstrahl-Verfahrens eine gezielte lokale Reduzierung der Reflektivität einer strahlungsreflektierenden Beschichtung möglich ist, ohne die Schichtintegrität, insbesondere einer Multilayer-Struktur, hierbei zu schädigen.It has been found that a targeted local reduction of the reflectivity of a radiation-reflecting coating is possible by means of an ion beam method without damaging the layer integrity, in particular a multilayer structure.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung kann zur Reduzierung der Reflektivität der strahlungsreflektierenden Beschichtung eine Bestrahlung mit leichten Ionen, beispielsweise Wasserstoff, Bor oder Kohlenstoff oder Kombinationen der derselben, vorgesehen sein. Hierdurch können chemische Reaktionen in der Reflexionsbeschichtung herbeigeführt werden. Die Bestrahlungsionen können insbesondere über Vielfachstreuung eine breite Verteilung aufbauen. Sie können mit dem Schichtmaterial Verbindungen eingehen. Hierdurch werden die Heterostrukturen in ihrer Reflektivität erheblich gestört, insbesondere ohne dass dies zu erheblichen strukturellen Schäden führt.According to a further aspect of the invention, irradiation with light ions, for example hydrogen, boron or carbon or combinations thereof, can be provided to reduce the reflectivity of the radiation-reflecting coating. This can cause chemical reactions in the reflective coating. The irradiation ions can build up a broad distribution, in particular through multiple scattering. They can form bonds with the layer material. As a result, the reflectivity of the heterostructures is considerably disturbed, in particular without this leading to considerable structural damage.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung können Einstrahlwinkel und/oder Ionenspezies und/oder Ionenenergie derart optimiert werden, dass die Beschädigung der Oberfläche der Reflexionsschicht, beispielsweise durch Sputterabtrag, minimiert wird.According to one aspect of the invention, the angle of incidence and / or ion species and / or ion energy can be optimized in such a way that damage to the surface of the reflective layer, for example by sputtering, is minimized.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es ausreichend ist, drei bis fünf Schichtpakete zu stören, um die Reflektivität um mehr als 80% zu unterdrücken. Hierfür sind Ionenenergien im Bereich von 5 keV bis 10 keV ideal.According to the invention, it was recognized that it is sufficient to disrupt three to five layer packages in order to suppress the reflectivity by more than 80%. Ion energies in the range from 5 keV to 10 keV are ideal for this.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung kann zur Reduzierung der Reflektivität eine Bestrahlung mit schweren Ionen, beispielsweise Wolfram, vorgesehen sein. Dies kann zu erheblichen Bestrahlungsschäden der Reflexionsschicht führen.According to a further aspect of the invention, irradiation with heavy ions, for example tungsten, can be provided to reduce the reflectivity. This can lead to considerable radiation damage to the reflective layer.

Die schweren Ionen können insbesondere derart in die reflektierende Beschichtung implantiert werden, dass in einem eng begrenzten Bereich die Abfolge und Struktur der Heterostrukur derart geschädigt wird, dass sie ihre Reflektivität für EUV-Strahlung teilweise, insbesondere weitestgehend, vorzugsweise vollständig verliert. Durch die Implantation der schweren Ionen kann insbesondere die Grenzflächenrauheit erhöht werden. Außerdem kann eine Interdiffusion der Schichten erzwungen werden.The heavy ions can in particular be implanted into the reflective coating in such a way that the sequence and structure of the heterostructure is damaged in a narrowly limited area in such a way that it partially, in particular largely, preferably completely loses its reflectivity for EUV radiation. In particular, the interface roughness can be increased by implanting the heavy ions. In addition, an interdiffusion of the layers can be forced.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass bei der Bestrahlung mit schweren Ionen ein erheblicher Anteil der Ionenenergie der Bestrahlungsionen zur internen Vorwärtsstreuung auf die Bestandteile der strahlungsreflektierenden Beschichtung übertragen wird. Diese tragen dann ihrerseits zur erwünschten Vermischung der Multilayers bei.According to the invention, it was recognized that when irradiating with heavy ions, a considerable proportion of the ion energy of the irradiating ions is transferred to the components of the radiation-reflecting coating for internal forward scattering. These in turn contribute to the desired mixing of the multilayers.

Die Bestrahlung mit schweren Ionen führt außerdem über eine Elektronen-Photonen-Wechselwirkung zu einer stark erhöhten Absorption der Implantationszone gegenüber EUV-Strahlung und damit zu einer weiteren Reduktion der Reflektivität.Irradiation with heavy ions also leads, via an electron-photon interaction, to a greatly increased absorption of the implantation zone compared to EUV radiation and thus to a further reduction in reflectivity.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung liegt die Energie der Primärteilchen bei der Bestrahlung mit schweren Ionen vorzugsweise im Bereich von 200 keV bis 1000 keV. Hierdurch können oberflächennahe Prozesse wie beispielsweise Sputterprozesse reduziert, insbesondere minimiert werden.According to one aspect of the invention, the energy of the primary particles when irradiated with heavy ions is preferably in the range from 200 keV to 1000 keV. In this way, processes near the surface, such as sputtering processes, can be reduced, in particular minimized.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist zur Reduzierung der Reflektivität der strahlungsreflektierenden Beschichtung eine Bestrahlung mit intrinsischen Ionen, beispielsweise Silizium und/oder Molybdän, vorgesehen.According to a further aspect of the invention, irradiation with intrinsic ions, for example silicon and / or molybdenum, is provided to reduce the reflectivity of the radiation-reflecting coating.

Dies hat den Vorteil, dass derartige Ionen zu einem optimalen Impulsübertrag mit ihren jeweiligen Partnern im Multilayer-Gefüge und somit zu einer maximalen Durchmischung führen.This has the advantage that such ions lead to optimal momentum transfer with their respective partners in the multilayer structure and thus to maximum mixing.

Um eine Beschädigung der Deckschichten zu vermeiden, wird hierbei eine Ionenenergie im Bereich von 50 keV bis 100 keV bevorzugt.In order to avoid damage to the cover layers, an ion energy in the range from 50 keV to 100 keV is preferred.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind elektrische und/oder magnetische Fokussier- und/oder Ablenkeinrichtungen vorgesehen, um die Ionenstrahlen gezielt auf die strahlungsreflektierende Beschichtung zu lenken. Hierdurch ist es insbesondere möglich, lokal die Eigenschaften der EUV-Funktionsschichten zu modifizieren. Die Schichtintegrität der Gesamtschicht bleibt hierbei intakt.According to a further aspect of the invention, electrical and / or magnetic focusing and / or deflection devices are provided in order to specifically direct the ion beams onto the radiation-reflecting coating. This makes it possible, in particular, to modify the properties of the EUV functional layers locally. The layer integrity of the overall layer remains intact.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind bei der Bestrahlung mit Ionen Masken zur Abdeckung der nicht zu modifizierenden Bereiche vorgesehen.According to a further aspect of the invention, masks are provided for covering the areas not to be modified during the irradiation with ions.

Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, eine Beleuchtungsoptik, ein Beleuchtungssystem und ein optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage beziehungsweise eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch einen Feldfacettenspiegel gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Feldfacettenspiegels.Further objects of the invention are an illumination optics, an illumination system and an optical system for a To improve projection exposure system or a projection exposure system. These objects are achieved by a field facet mirror as described above. The advantages result from those of the field facet mirror.

Es kann sich insbesondere um eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage beziehungsweise Teilsysteme einer derartigen EUV-Projektionsbelichtungsanlage handeln.In particular, it can be an EUV projection exposure system or subsystems of such an EUV projection exposure system.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie ein entsprechend hergestelltes Bauelement zu verbessern.Another object of the invention is to improve a method for producing a micro- or nano-structured component and a correspondingly produced component.

Diese Aufgaben werden durch Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Feldfacettenspiegel gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Feldfacettenspiegels.These objects are achieved by providing a projection exposure system with a field facet mirror as described above. The advantages result from those of the field facet mirror.

Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen. Further details and advantages of the invention emerge from the description of exemplary embodiments.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. 1 shows schematically in a meridional section a projection exposure system for microlithography.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfelds 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter HalbleiterBauelemente zu projizierende Struktur trägt. 1 shows schematically a projection exposure apparatus in a meridional section 1 for microlithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a radiation source 3 an illumination optics 4th for exposing an object field 5 in one object level 6th . A is exposed in the object field 5 arranged and in the 1 Reticle, not shown, the one with the projection exposure system 1 carries structure to be projected for the production of micro- or nano-structured semiconductor components.

Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfelds 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine strahlungsempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.A projection lens 7th serves to map the object field 5 in an image field 8th in one image plane 9 . The structure on the reticle is imaged onto a radiation-sensitive layer in the area of the image field 8th in the image plane 9 arranged wafer, which is not shown in the drawing.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge Produced Plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV-Strahlungsquellen, beispielsweise solche, die auf einem Synchrotron basieren, sind möglich.
EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist beispielsweise aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch eine Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 13 trifft. Der Feldfacettenspiegel 13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist.At the radiation source 3 it is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, Gas Discharge Produced Plasma) or an LPP Act as a source (plasma generation by laser, laser produced plasma). Other EUV radiation sources, for example those based on a synchrotron, are also possible.
EUV radiation 10 by the radiation source 3 going out is from a collector 11 bundled. A corresponding collector is for example from the EP 1 225 481 A known. After the collector 11 propagates EUV radiation 10 through an intermediate focus plane 12 before looking at a field facet mirror 13 meets. The field facet mirror 13 is in one plane of the lighting optics 4th arranged to the object plane 6th is optically conjugated.

Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungsstrahlung oder als Abbildungsstrahlung bezeichnet.The EUV radiation 10 is also referred to below as illumination radiation or as imaging radiation.

Nach dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing incidence Spiegel“). Die
Übertragungsoptik 15 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet.According to the field facet mirror 13 becomes the EUV radiation 10 from a pupil facet mirror 14th reflected. The pupil facet mirror 14th is in one plane of the lighting optics 4th arranged to a pupil plane of the projection optics 7th is optically conjugated. With the help of the pupil facet mirror 14th and an imaging optical assembly in the form of transmission optics 15th with in the order of the beam path for the EUV radiation 10 designated mirrors 16 , 17th and 18th become field facets 19th of the field facet mirror 13 overlapping each other in the object field 5 pictured. The last mirror 18th the transmission optics 15th is a mirror for grazing incidence ("grazing incidence mirror"). The
Transmission optics 15th becomes together with the pupil facet mirror 14th also as follow-up optics for transferring EUV radiation 10 from the field facet mirror 13 towards the object field 5 designated.

Zur Erleichterung der Erläuterung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft
in der 1 senkrecht zur Zeichenebene auf den Betrachter zu. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the explanation of positional relationships, a Cartesian xyz coordinate system is used below. The x-axis runs
in the 1 perpendicular to the plane of the drawing towards the viewer. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.

Das Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron in der y-Richtung gescannt.The reticle, which is held by a reticle holder, not shown, and the wafer, which is held by a not-shown wafer holder, are used during operation of the projection exposure system 1 scanned synchronously in the y-direction.

Es kann auch ein gegenläufiges Scannen des Retikels relativ zum Wafer stattfinden.The reticle can also be scanned in opposite directions relative to the wafer.

Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf den Wafer zur lithographischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements, zum Beispiel eines Mikrochips, abgebildet. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer hergestellt.With the help of the projection exposure system 1 at least a part of the reticle is imaged onto an area of a light-sensitive layer on the wafer for the lithographic production of a micro- or nano-structured component, in particular a semiconductor component, for example a microchip. A micro or nanostructure is then produced on the wafer by developing the light-sensitive layer.

Das Objektfeld 5 kann bogenförmig oder rechteckig ausgeführt sein. Das Aspektverhältnis aus x- und y-Erstreckung des Objektfelds 5 korreliert mit dem Aspektverhältnis der Feldfacetten 19. In den dargestellten Ausführungsbeispielen sind die Feldfacetten 19 bogenförmig. Sie können grundsätzlich auch rechteckig ausgebildet sein.The object field 5 can be curved or rectangular. The aspect ratio of the x and y extension of the object field 5 correlates with the aspect ratio of the field facets 19th . In the exemplary embodiments shown, the field facets are 19th arched. In principle, they can also be rectangular.

Das x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 19 und des Objektfeldes 5 beträgt beispielsweise 13/1. Auch andere Aspektverhältnisse, die größer sind als 1, sind möglich. Aufgrund dieser Aspektverhältnisse wird die x-Achse auch als lange Feldachse und die y-Achse auch als kurze Feldachse bezeichnet.The x / y aspect ratio of the field facets 19th and the object field 5 is for example 13/1. Other aspect ratios that are greater than 1 are also possible. Because of these aspect ratios, the x-axis is also referred to as the long field axis and the y-axis is also referred to as the short field axis.

Der Pupillenfacettenspiegel 14 hat eine Mehrzahl runder oder polygonförmiger Pupillenfacetten 22, die beispielsweise hexagonal dicht gepackt auf einem Pupillenfacettenträger angeordnet sind.The pupil facet mirror 14th has a plurality of round or polygonal pupil facets 22nd which are arranged, for example, hexagonally tightly packed on a pupil facet carrier.

Die Feldfacetten 19 und die Pupillenfacetten 22 können eine abbildende Wirkung haben und beispielsweise sphärisch, elliptisch oder torisch konkav geformt sein.The field facets 19th and the pupillary facets 22nd can have an imaging effect and, for example, be spherical, elliptical or torically concave in shape.

Die hochreflektierende Beschichtung auf den Facetten 19, 22 ist in der Praxis eine Mehrlagen-(Multilayer)-Beschichtung mit alternierenden Molybdän- und Silizium-Schichten. Auch andere Beschichtungsmaterialien zur Herstellung einer solchen Mehrlagen-Beschichtung sind möglich. Bei den Facetten 19, 22 handelt es sich um Spiegelfacetten für die EUV-Strahlung 10. Zur Justierung einzelner Feldfacettenblöcke 20 und/oder einzelner Pupillenfacetten 22 können diese Komponenten individuell mit ihnen zugeordneten Aktoren verbunden sein. Diese Aktoren können so ausgeführt sein, dass sie eine Verkippung der individuellen Feldfacettenblöcke bzw. der individuellen Facetten um zwei in der Reflexionsebene des jeweiligen Facettenblocks bzw. der jeweiligen Facette liegende Achsen ermöglichen.The highly reflective coating on the facets 19th , 22nd is in practice a multilayer coating with alternating molybdenum and silicon layers. Other coating materials for producing such a multilayer coating are also possible. With the facets 19th , 22nd it concerns mirror facets for the EUV radiation 10 . For adjusting individual field facet blocks 20th and / or individual pupil facets 22nd these components can be individually connected to actuators assigned to them. These actuators can be designed in such a way that they enable the individual field facet blocks or the individual facets to be tilted about two axes lying in the reflection plane of the respective facet block or the respective facet.

Die Feldfacetten 19 sind den Pupillenfacetten 22 jeweils individuell zugeordnet, so dass auf jeweils eine der Feldfacetten 19 treffende Anteile des Beleuchtungsstrahlungsbündels der EUV-Strahlung 10 über die zugeordnete Pupillenfacette 22 weiter zum Objektfeld 5 geführt werden. Durch die beiden Facettenspiegel 13, 14 ist daher eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen definiert, die die EUV-Strahlung 10 kanalweise hin zum Objektfeld 5 führen.The field facets 19th are the pupil facets 22nd each assigned individually, so that each of the field facets 19th Corresponding parts of the illuminating beam of the EUV radiation 10 via the assigned pupil facet 22nd further to the object field 5 be guided. Through the two facet mirrors 13 , 14th therefore a plurality of illumination channels is defined, which the EUV radiation 10 channel by channel towards the object field 5 to lead.

Im Folgenden wird ein Verfahren zur Beeinflussung der Reflektivität der strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 beschrieben. Das Verfahren ermöglicht insbesondere eine gezielte Reduzierung der Reflektivität in einem vorgegebenen lokalen Teilbereich.The following is a method for influencing the reflectivity of the radiation-reflecting coating 39 described. In particular, the method enables a targeted reduction of the reflectivity in a given local sub-area.

Das Verfahren eignet sich allgemein zur Herstellung eines optischen Elements einer Projektionsbelichtungsanlage. Bei dem optischen Element handelt es sich insbesondere um einen Spiegel der Beleuchtungsoptik 4 oder der Projektionsoptik 7. Es kann sich insbesondere um eine Feldfacette 19 des Facettenspiegels 13 oder eine Pupillenfacette 22 des Pupillenfacettenspiegels 14 oder einen der Spiegel 16, 17, 18 der Übertragungsoptik 15 handeln.The method is generally suitable for producing an optical element of a projection exposure system. The optical element is in particular a mirror of the illumination optics 4th or the projection optics 7th . In particular, it can be a field facet 19th of the facet mirror 13 or a pupillary facet 22nd of the pupil facet mirror 14th or one of the mirrors 16 , 17th , 18th the transmission optics 15th act.

Zur Herstellung der Reflexionsfläche von Spiegeln für EUV-Strahlung 10 werden üblicherweise Spiegelgrundkörper mit Funktionsschichten beschichtet. Diese Funktionsschichten bestehen aus Heterostrukturen, sogenannten Multilayer, aus Einzelschichten mit für die verwendete EUV-Strahlung 10 unterschiedlichen Brechungsindizes. Die Materialien, deren Abfolge und die Schichtdicken innerhalb der Multilayer können exakt auf die zu reflektierende Wellenlänge und den Einfallswinkel der verwendeten EUV-Strahlung 10 abgestimmt werden. Außerdem hängt die Funktionalität der Multilayer kritisch von der Perfektion der Grenzflächen, insbesondere der Grenzflächenrauheit, der Heterostruktur ab.For producing the reflective surface of mirrors for EUV radiation 10 mirror bodies are usually coated with functional layers. These functional layers consist of heterostructures, so-called multilayers, of individual layers with the EUV radiation used 10 different indices of refraction. The materials, their sequence and the layer thicknesses within the multilayer can exactly match the wavelength to be reflected and the angle of incidence of the EUV radiation used 10 be matched. In addition, the functionality of the multilayer depends critically on the perfection of the interfaces, in particular the interface roughness, of the heterostructure.

Zum Aufbringen der Multilayer können beispielsweise großflächige Beschichtungsverfahren, insbesondere PVD-Beschichtungsverfahren (Physical Vapor Deposition-Verfahren, physische Dampfabscheidungsverfahren), beispielsweise Sputter-Verfahren, verwendet werden. Mit derartigen Verfahren können optische Bauteile im Gesamten mit Heterostrukturen beschichtet werden.For example, large-area coating processes, in particular PVD coating processes (physical vapor deposition processes), for example sputtering processes, can be used to apply the multilayer. With such methods, optical components can be coated as a whole with heterostructures.

Aus unterschiedlichen Gründen kann es andererseits wünschenswert sein, Teilbereiche der optischen Oberfläche eines Bauelements, beispielsweise einer Feldfacette 19, mit geringerer Reflektivität oder sogar nicht-reflektierend auszubilden. Dies kann beispielsweise wünschenswert sein, um eine scharfe Begrenzung des reflektierten Feldes zu erreichen. Eine derartige Begrenzung ist in der Regel nur aufwändig zu realisieren. Grundsätzlich können hierbei zwei unterschiedliche Strategien unterschieden werden: 1. lokale Entschichtung und 2. lokale Beschichtung.On the other hand, it may be desirable for various reasons to remove partial areas of the optical surface of a component, for example a field facet 19th , with lower reflectivity or even non-reflective. This can be desirable, for example, in order to achieve a sharp delimitation of the reflected field. Such a limitation is usually difficult to implement. Basically, two different strategies can be distinguished: 1. local stripping and 2. local coating.

Zu 1. - lokale Entschichtung: eine lokale Entschichtung kann beispielsweise durch lokales Entfernen der Multilayer erreicht werden. Hierfür kann beispielsweise ein nasschemisches Ätzen oder ein trockenes Ätzen vorgesehen sein. Beim Ätzprozess können Masken, insbesondere harte Masken, verwendet werden. Der Ätzprozess kann auch mittels eines oder mehrerer fotolithographischer Schritte beeinflusst werden.To 1 . Local stripping: local stripping can be achieved, for example, by local removal of the multilayer. For example, wet chemical etching or dry etching can be provided for this. Masks, in particular hard masks, can be used in the etching process. The etching process can also be influenced by means of one or more photolithographic steps.

Eine lokale Entschichtung kann auch durch mechanisches Entfernen der Multilayerschicht, beispielsweise durch Schleifen, Fräsen oder durch ein anderes Entschichtungsverfahren, beispielsweise Laserablation, erfolgen. Hierbei kann auch das Substrat entfernt werden.Local stripping can also be achieved by mechanical removal of the multilayer layer, for example by grinding, milling or by another stripping process, for example laser ablation, take place. The substrate can also be removed here.

Zu 2. - lokales Beschichten: Es ist auch möglich, die Multilayer nur lokal, das heißt nur in Teilbereichen, auf den Grundkörper aufzubringen. Die Beschichtung kann beispielsweise durch Masken, insbesondere durch Schattenmasken, oder durch fotolithographische Verfahren, insbesondere Lift-Off-Verfahren, beeinflusst werden.To 2 . Local coating: it is also possible to apply the multilayer only locally, that is to say only in partial areas, to the base body. The coating can be influenced, for example, by masks, in particular by shadow masks, or by photolithographic processes, in particular lift-off processes.

Eine weitere Möglichkeit, nicht-reflektierende Bereiche zu definieren, besteht darin, die entsprechenden Teilbereiche mit einer Beschichtung, insbesondere mit einer absorbierenden Schicht, zu versehen. Hierbei können wiederum Masken, insbesondere Schattenmasken oder ein fotolithographisches Lift-Off, eingesetzt werden.Another possibility of defining non-reflective areas is to provide the corresponding partial areas with a coating, in particular with an absorbent layer. In turn, masks, in particular shadow masks or a photolithographic lift-off, can be used here.

Ein lokales Entschichtungsverfahren kann technologische Risiken oder Defizite bergen. Es kann insbesondere offene Flanken an den Rändern der Heterostrukturen hinterlassen. Diese können durch die Prozessatmosphäre innerhalb einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage angegriffen werden. Dies kann wiederum zu einer Degradation der Schichten über deren Lebensdauer führen.A local stripping process can harbor technological risks or deficits. In particular, it can leave open flanks at the edges of the heterostructures. These can be attacked by the process atmosphere within an EUV projection exposure system. This in turn can lead to a degradation of the layers over their lifetime.

Entsprechend können lokale Beschichtungsverfahren ebenfalls zu offenen Flanken führen, insbesondere bei Verwendung eines Lift-Off-Verfahrens, oder zu schlecht definierten Rändern, insbesondere im Falle der Verwendung einer Schattenmaske.Correspondingly, local coating processes can also lead to open flanks, especially when using a lift-off process, or to poorly defined edges, especially when using a shadow mask.

Sowohl bei einer lokalen Entschichtung als auch bei einer lokalen Beschichtung kann es zu lokal stark variierenden Schichtspannungen kommen. Diese können zu Passedeformationen der Optiken führen. Außerdem stellen die beim Einsatz von fotolithographischen Verfahren verwendeten Prozesschemikalien ein Degradations- beziehungsweise Kontaminationsrisiko für die entsprechenden Bauteile dar.Both local stripping and local coating can lead to locally strongly varying layer stresses. This can lead to deformation of the optics. In addition, the process chemicals used when using photolithographic processes pose a risk of degradation or contamination for the corresponding components.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine bestehende, insbesondere eine großflächige EUV-Reflexionsschicht derart lokal modifiziert werden kann, dass die entsprechenden Bereich eine reduzierte Reflektivität für die Nutzwellenlänge aufweisen, ohne dass hierfür ein lokales Be- oder Entschichtungsverfahren verwendet werden muss. Es ist insbesondere möglich, die EUV-Reflexionsschicht mittels Ionenstrahlung derart in vorbestimmten Teilbereichen zu modifizieren, dass diese Teilbereiche für die Nutzwellenlänge nicht-reflektierend sind. Hierfür ist vorgesehen, die zu modifizierenden Teilbereiche mit hochenergetischen Ionen zu bestrahlen.According to the invention, it was recognized that an existing, in particular a large-area EUV reflective layer can be modified locally in such a way that the corresponding areas have a reduced reflectivity for the useful wavelength without having to use a local coating or stripping process. In particular, it is possible to modify the EUV reflective layer by means of ion radiation in predetermined partial areas in such a way that these partial areas are non-reflective for the useful wavelength. For this purpose, the sub-areas to be modified are to be irradiated with high-energy ions.

Die Ionenspezies, deren Energie und deren Einstrahlwinkel werden hierbei derart gewählt, dass die Reflexionsschichten in einer definierten Tiefe unterhalb der Schichtoberfläche chemisch modifiziert werden, oder die Struktur der Schichtabfolge derart gestört wird, dass sie ihre Funktion verlieren. Dies kann beispielsweise durch Erhöhung der Grenzflächenrauheit oder durch Interdiffusion von verschiedenen Schichten der Heterostrukturen geschehen.The ion species, their energy and their angle of incidence are selected in such a way that the reflective layers are chemically modified at a defined depth below the layer surface, or the structure of the layer sequence is disturbed in such a way that they lose their function. This can be done, for example, by increasing the interface roughness or by interdiffusion of different layers of the heterostructures.

Generell sind drei unterschiedliche Varianten der Ionenbestrahlung zur Modifizierung der Reflektivität einer EUV-Reflexionsschicht, insbesondere eines strahlungsreflektierenden Teilbereichs 36, möglich: 1. Bestrahlung mit leichten Ionen zur Herbeiführung von zusätzlichen chemischen Reaktionen, 2. Bestrahlung mit schweren Ionen zur Herbeiführung von Bestrahlungsschäden und 3. Bestrahlung mit Ionen der Sorte, aus welchen die Heteroschichten bestehen. Diese Ionen werden auch als intrinsische Ionen bezeichnet.In general, there are three different variants of ion irradiation for modifying the reflectivity of an EUV reflective layer, in particular of a radiation-reflecting partial area 36 , possible: 1. irradiation with light ions to induce additional chemical reactions, 2. irradiation with heavy ions to induce irradiation damage and 3. irradiation with ions of the kind that make up the heterolayers. These ions are also known as intrinsic ions.

Im Folgenden werden die unterschiedlichen Alternativen weiter erläutert.The different alternatives are explained in more detail below.

Als leichte Ionen können beispielsweise Wasserstoff-Ionen, Bor-Ionen
oder Kohlenstoff-Ionen dienen. Diese zeichnen sich dadurch aus, dass sie über Vielfachstreuung eine breite Verteilung aufbauen. Zusätzlich gehen sie mit dem vorliegenden Schichtmaterial, insbesondere mit Silizium in Molybdän/Silizium-Heterostrukturen, chemische Verbindungen ein. Hierdurch lässt sich die Reflektivität der Heterostrukturen, insbesondere der Multilayer, erheblich reduzieren. Die Reflektivität kann insbesondere um mehr als 50 %, insbesondere mehr 60 %, insbesondere mehr als 70 %, insbesondere mehr als 80 % unterdrückt werden. Die strukturellen Schäden an den Heterostrukturen oder dem darunterliegenden Substrat bleiben relativ gering.Hydrogen ions, boron ions, for example, can be used as light ions
or carbon ions serve. These are characterized by the fact that they build up a broad distribution through multiple scattering. In addition, they enter into chemical compounds with the present layer material, in particular with silicon in molybdenum / silicon heterostructures. This allows the reflectivity of the heterostructures, in particular the multilayer, to be reduced considerably. The reflectivity can be suppressed in particular by more than 50%, in particular more than 60%, in particular more than 70%, in particular more than 80%. The structural damage to the heterostructures or the underlying substrate remains relatively minor.

Einstrahlwinkel, Ionenspezies und Ionenenergie können derart optimiert werden, dass eine Beschädigung der Oberfläche der Funktionsschicht, beispielsweise ein Sputterabtrag, minimiert wird.The angle of incidence, ion species and ion energy can be optimized in such a way that damage to the surface of the functional layer, for example sputtering, is minimized.

Es hat sich gezeigt, dass drei bis fünf gestörte Schichtpakete ausreichen, um die Reflektivität erheblich, insbesondere um mehr als 80 %, zu unterdrücken. Hierfür sind Ionenenergien im Bereich von 5 keV bis 10 keV ideal.It has been shown that three to five disturbed layer packages are sufficient to suppress the reflectivity considerably, in particular by more than 80%. Ion energies in the range from 5 keV to 10 keV are ideal for this.

Gemäß der zweiten Alternative werden schwere Ionen, beispielsweise Wolfram-Ionen, derart in die Funktionsschicht implantiert, dass in einem eng begrenzten Bereich die Abfolge und Struktur der Heterostruktur geschädigt wird. Die Struktur der Heterostruktur wird insbesondere derart geschädigt, dass diese ihre EUV-Reflektivität verliert. Dies kann auf eine Erhöhung der Grenzflächenrauheit und/oder auf eine erzwungene Interdiffusion der Schichten zurückzuführen sein. Bei der Ionenbestrahlung mit schweren Ionen kommt zum Tragen, dass ein erheblicher Anteil der Ionenenergie der Primärteilchen zur internen Vorwärtsstreuung auf die Materialatome übertragen wird. Diese tragen dann auch ihrerseits zur erwünschten Vermischung bei.According to the second alternative, heavy ions, for example tungsten ions, are implanted into the functional layer in such a way that the sequence and structure of the heterostructure are damaged in a narrowly limited area. The structure of the heterostructure is damaged in particular to such an extent that it loses its EUV reflectivity. This can be due to an increase in the interface roughness and / or to a forced interdiffusion of the layers. With ion irradiation with For heavy ions, the fact that a considerable proportion of the ion energy of the primary particles is transferred to the material atoms for internal forward scattering comes into play. These then also contribute to the desired mixing.

Die hohen Kernladungszahlen Z der schweren Ionen führen zudem über Elektronen-Photonen-Wechselwirkung zu einer stark erhöhten Absorption der Implantationszone gegenüber der EUV-Strahlung 10. Dies führt zu einer weiteren Reduktion der Reflektivität.The high atomic numbers Z of the heavy ions also lead to a greatly increased absorption of the implantation zone compared to the EUV radiation via electron-photon interaction 10 . This leads to a further reduction in reflectivity.

Um oberflächennahe Prozesse, beispielsweise Sputterprozesse, zu minimieren, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Energie der Primärteilchen bei mehr als 200 keV liegt.In order to minimize processes close to the surface, for example sputtering processes, it has proven to be advantageous if the energy of the primary particles is more than 200 keV.

Eine Bestrahlung mit intrinsischen Ionen, insbesondere Silizium-Ionen und/oder Molybdän-Ionen, hat den Vorteil, dass sie zu einem optimalen Impulsübertrag mit den jeweiligen Reaktionspartnern im Gefüge der jeweiligen Heterostruktur führt. Dies führt zu einer maximalen Durchmischung.Irradiation with intrinsic ions, in particular silicon ions and / or molybdenum ions, has the advantage that it leads to an optimal transfer of momentum with the respective reaction partners in the structure of the respective heterostructure. This leads to maximum mixing.

Auch hierbei werden die Ionen-Energien vorteilhafterweise derart gewählt, dass die Deckschichten wenig beschädigt werden. Als vorteilhaft haben sich die leichteren Ionen-Spezies, insbesondere Kohlenstoff-Ionen und Silizium-Ionen, mit mittleren Energien, insbesondere im Bereich von 50 keV bis 100 keV, erwiesen.Here, too, the ion energies are advantageously selected in such a way that the cover layers are not damaged much. The lighter ion species, in particular carbon ions and silicon ions, with medium energies, in particular in the range from 50 keV to 100 keV, have proven to be advantageous.

Zur gezielten und/oder lokalen Modifizierung der Eigenschaften der EUV-Funktionsschichten, insbesondere der strahlungsreflektierenden Beschichtung 39, können elektrische und/oder magnetische Fokussier- und/oder Ablenkeinrichtungen vorgesehen sein.For the targeted and / or local modification of the properties of the EUV functional layers, in particular the radiation-reflecting coating 39 , electrical and / or magnetic focusing and / or deflection devices can be provided.

Als vorteilhaft hat sich insbesondere herausgestellt, dass die Schichtintegrität der Gesamtschicht bei den vorhergehend beschriebenen Verfahren intakt bleibt. Sämtliche der vorhergehend beschriebenen Ionen-Bestrahlungsverfahren sind durch Anordnung und Verwendung geeignet ausgeführter Masken gezielt auf vorgegebene Teilbereiche der strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 beschränkbar.It has been found to be particularly advantageous that the layer integrity of the overall layer remains intact in the methods described above. All of the ion irradiation methods described above are targeted to predetermined partial areas of the radiation-reflecting coating through the arrangement and use of suitably designed masks 39 restrictable.

Die vorhergehend beschriebenen Ionen-Bestrahlungsverfahren können insbesondere zur gezielten Beeinflussung, insbesondere zur gezielten Begrenzung, des strahlungsreflektierenden Teilbereichs 36 der Feldfacetten 19 dienen. Sie bilden insbesondere eine Alternative zur Herstellung eines abgesetzten Oberflächenbereichs 37 und/oder zur Verwendung der strahlungsabsorbierenden Blenden 41.The ion irradiation methods described above can in particular be used for targeted influencing, in particular for targeted delimitation, of the radiation-reflecting partial area 36 of the field facets 19th serve. In particular, they form an alternative to producing a detached surface area 37 and / or to use the radiation-absorbing screens 41 .

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

• US 9482959 B2 [0002]US 9482959 B2 [0002]
• EP 1225481 A [0035]EP 1225481 A [0035]

Claims (15)

Optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) mit 1.1. einer Reflexionsfläche mit einer strahlungsreflektierenden Beschichtung (39) zur Reflexion von Beleuchtungsstrahlung (10), 1.2. wobei die Beschichtung (39) derart durch Ionenstrahlung modifiziert ist, dass sie bereichsweise unterschiedliche Reflektivitäten aufweist.Optical element for a projection exposure system (1) with 1.1. a reflection surface with a radiation-reflecting coating (39) for reflecting illumination radiation (10), 1.2. wherein the coating (39) is modified by ion radiation in such a way that it has different reflectivities in areas. Optisches Element gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich um eine Feldfacette (19) handelt, welche Oberflächenbereiche (37) mit unterschiedlichen Reflektivitäten aufweist.Optical element according to Claim 1 , characterized in that it is a field facet (19) which has surface areas (37) with different reflectivities. Feldfacettenspiegel (13) für eine Beleuchtungsoptik (4) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) aufweisend eine Vielzahl von Feldfacetten (19) mit einer strahlungsreflektierenden Beschichtung (39) dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten (19) Oberflächenbereiche aufweist, in welchen eine Reflektivität der strahlungsreflektierenden Beschichtung (39) durch ein Ionen-Bestrahlungsverfahren reduziert ist.Field facet mirror (13) for an illumination optics (4) of a projection exposure system (1) having a plurality of field facets (19) with a radiation-reflecting coating (39), characterized in that at least a subset of the field facets (19) has surface areas in which the reflectivity of the radiation-reflecting coating (39) is reduced by an ion irradiation process. Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2 umfassend die folgenden Schritte: 4.1. Bereitstellen eines Grundkörpers (38) des optischen Elements, 4.2. Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung (39) auf den Grundkörper (38) zur Herstellung eines Reflexionsbereichs (36), 4.3. Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) in einem vorgegebenen Teilbereich durch Bestrahlung desselben mit Ionen.Method for producing an optical element according to one of the Claims 1 to 2 comprising the following steps: 4.1. Providing a base body (38) of the optical element, 4.2. Applying a reflective coating (39) to the base body (38) to produce a reflective area (36), 4.3. Reducing the reflectivity of the reflective coating (39) in a given partial area by irradiating the same with ions. Verfahren zur Herstellung einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels (13) umfassend die folgenden Schritte: 5.1. Bereitstellen eines Facettengrundkörpers (38), 5.2. Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung (39) auf den Facettengrundkörper (38), 5.3. Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) in einem vorgegebenen Teilbereich durch Bestrahlung desselben mit Ionen.Method for producing a field facet of a field facet mirror (13) comprising the following steps: 5.1. Providing a facet base body (38), 5.2. Applying a reflective coating (39) to the facet base body (38), 5.3. Reducing the reflectivity of the reflective coating (39) in a given partial area by irradiating the same with ions. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) eine Bestrahlung mit Ionen ausgewählt aus der Gruppe von Wasserstoff, Bor, Kohlenstoff, Wolfram, Silizium und Molybdän oder einer Kombination derselben vorgesehen ist.Method according to one of the Claims 4 or 5 , characterized in that an irradiation with ions selected from the group of hydrogen, boron, carbon, tungsten, silicon and molybdenum or a combination thereof is provided to reduce the reflectivity of the reflective coating (39). Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) eine Bestrahlung mit Ionen in einem Energiebereich vom 5 keV bis 10 keV vorgesehen ist.Method according to one of the Claims 4 to 6th , characterized in that irradiation with ions in an energy range from 5 keV to 10 keV is provided to reduce the reflectivity of the reflective coating (39). Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) eine Bestrahlung mit Ionen in einem Energiebereich vom 50 keV bis 100 keV vorgesehen ist.Method according to one of the Claims 4 to 6th , characterized in that irradiation with ions in an energy range from 50 keV to 100 keV is provided to reduce the reflectivity of the reflective coating (39). Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Reduzieren der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung (39) eine Bestrahlung mit Ionen in einem Energiebereich vom 200 keV bis 1000 keV vorgesehen ist.Method according to one of the Claims 4 to 6th , characterized in that, in order to reduce the reflectivity of the reflective coating (39), irradiation with ions in an energy range from 200 keV to 1000 keV is provided. Beleuchtungsoptik (4) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie umfassend einen Feldfacettenspiegel (13) gemäß Anspruch 3.Illumination optics (4) for a projection exposure system (1) for microlithography comprising a field facet mirror (13) according to Claim 3 . Beleuchtungssystem (2) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) aufweisend 11.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß Anspruch 10 und 11.2. eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Beleuchtungsstrahlung (10).Illumination system (2) for a projection exposure system (1) comprising 11.1. an illumination optics (4) according to Claim 10 and 11.2. a radiation source for generating illuminating radiation (10). Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) aufweisend 12.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß Anspruch 10 und 12.2. eine Projektionsoptik (7) zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).Optical system for a projection exposure system (1) having 12.1. an illumination optics (4) according to Claim 10 and 12.2. a projection optics (7) for mapping an object field (5) into an image field (8). Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie aufweisend 13.1. ein Beleuchtungssystem (2) gemäß Anspruch 11 und 13.2. eine Projektionsoptik (7) zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).Projection exposure system (1) for microlithography having 13.1. a lighting system (2) according to Claim 11 and 13.2. a projection optics (7) for mapping an object field (5) into an image field (8). Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements umfassend die folgenden Schritte: 14.1. Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) gemäß Anspruch 13, 14.2. Bereitstellen eines Retikels, 14.3. Bereitstellen eines Wafers mit einer für die Beleuchtungsstrahlung empfindlichen Beschichtung, 14.4. Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels auf den Wafer mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1), 14.5. Entwickeln der mit Beleuchtungsstrahlung belichteten Strahlungsempfindlichen Schicht auf dem Wafer.Method for producing a micro- or nano-structured component comprising the following steps: 14.1. Providing a projection exposure system (1) according to Claim 13 , 14.2. Providing a reticle, 14.3. Providing a wafer with a coating that is sensitive to the illumination radiation, 14.4. Projecting at least a section of the reticle onto the wafer with the aid of the projection exposure system (1), 14.5. Developing the radiation-sensitive layer on the wafer that has been exposed to the illumination radiation. Bauelement hergestellt nach einem Verfahren gemäß Anspruch 14.Component produced by a method according to Claim 14 .

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