DE102019209845A1 - Device and method for producing semiconductor wafers with a porous side - Google Patents

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Abstract

Eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Seite weist ein Elektrolytbad, eine Haltevorrichtung zum Halten einer Halbleiterscheibe und eine Transportvorrichtung auf. Die Transportvorrichtung ist ausgebildet, um die Haltevorrichtung in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu einer Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, zu bewegen, um eine erste Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen, während eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe nicht mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird. Ferner ist Einrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist, vorgesehen, um durch Elektrolyse die poröse Schicht auf der ersten Hauptoberfläche und nicht der zweiten Hauptoberfläche zu erzeugen.

Figure DE102019209845A1_0000
A device for producing semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous side has an electrolyte bath, a holding device for holding a semiconductor wafer and a transport device. The transport device is designed to move the holding device in a direction of movement, which has an angle of 90 ° ± 45 ° relative to a bath surface of the electrolyte bath, in order to bring a first main surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolyte bath while one of the first Main surface opposite second main surface of the semiconductor wafer is not brought into contact with the electrolyte bath. Means are also provided for applying a voltage between a first and a second electrode while the semiconductor wafer is in contact with the electrolyte bath, in order to generate the porous layer on the first main surface and not on the second main surface by electrolysis.
Figure DE102019209845A1_0000

Description

ZusammenfassungSummary

Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Oberfläche.The present disclosure relates to a method and an apparatus for producing semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous surface.

Für die kontinuierliche Herstellung von porösem Silizium werden hohe Durchsatzraten benötigt. Ein industriell gängiges Verfahren ist das sogenannte Inline-Verfahren, bei dem das flache Gut in der Form von Siliziumscheiben bzw. Wafern entlang einer Transportstrecke bewegt und Behandlungsschritten in einer festgelegten Reihenfolge ausgesetzt wird.High throughput rates are required for the continuous production of porous silicon. An industrially common process is the so-called inline process, in which the flat goods in the form of silicon wafers or wafers are moved along a transport route and treatment steps are suspended in a specified order.

Um Silizium porös zu machen, wird das Silizium in Kontakt mit einem Elektrolyten gebracht. Dabei werden während der elektrochemischen Ausbildung, auch Elektrolyse genannt, von porösem Silizium die Wafer transportiert. Bekanntermaßen werden hierfür eine Kathode, eine Anode, ein Elektrolyt und eine Elektrolytbevorratungseinheit in Form eines Elektrolytbads verwendet.In order to make silicon porous, the silicon is brought into contact with an electrolyte. During the electrochemical training, also called electrolysis, the wafers are transported by porous silicon. As is known, a cathode, an anode, an electrolyte and an electrolyte storage unit in the form of an electrolyte bath are used for this.

Aus der DE 199 36 569 A1 ist es bekannt, eine poröse Siliziumoberfläche durch elektrolytisches Behandeln einer massiven Siliziumoberfläche zu erzeugen, indem platten- oder strangförmiges Siliziummaterial durch ein Elektrolytbad bewegt wird. Siliziumscheiben werden dabei mittels eines Rollentransports während der Elektrolyse durch das Bad bewegt, wobei für die elektrische Kontaktierung eine Transportrolle als Elektrode dienen kann.From the DE 199 36 569 A1 it is known to produce a porous silicon surface by electrolytically treating a solid silicon surface by moving plate-like or strand-like silicon material through an electrolyte bath. Silicon wafers are moved through the bath by means of a roller transport during the electrolysis, wherein a transport roller can serve as an electrode for the electrical contacting.

Die DE 10 2013 221 522 A1 offenbart ein einseitiges Ätzverfahren, bei dem siliziumhaltige Werkstücke mit einer Transportvorrichtung entlang einer Ätzkammer bewegt werden. Durch die Verwendung von mindestens zwei Elektroden in der Ätzkammer können hier entlang der Transportstrecke unterschiedliche Elektrolysebedingungen eingestellt werden. Dies ist besonders vorteilhaft bei der Ausbildung von Mehrfachschichten mit variabler Porosität.The DE 10 2013 221 522 A1 discloses a one-sided etching method in which workpieces containing silicon are moved along an etching chamber with a transport device. By using at least two electrodes in the etching chamber, different electrolysis conditions can be set here along the transport route. This is particularly advantageous when forming multiple layers with variable porosity.

Die DE 10 2015 121 636 A1 offenbart eine Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht in einer Transportrichtung parallel zu einer Badoberfläche eines Elektrolytbads über das Elektrolytbad bewegt wird, sodass im Wesentlichen nur eine zu ätzende Ätzseite der Halbleiterschicht mit dem Elektrolyten benetzbar ist. Eine variable Stromquelle, durch die ein Ätzstrom automatisch änderbar ist, ist vorgesehen.The DE 10 2015 121 636 A1 discloses a device for one-sided etching of a semiconductor layer, the semiconductor layer being moved in a transport direction parallel to a bath surface of an electrolyte bath via the electrolyte bath, so that essentially only one etching side of the semiconductor layer to be etched can be wetted with the electrolyte. A variable current source, by means of which an etching current can be changed automatically, is provided.

Die DE 10 2012 210 618 A1 offenbart Vorrichtungen und Verfahren zur Behandlung von plattenförmigem Prozessgut, insbesondere Siliziumwafern, wie sie auch für die Herstellung von Solarzellen Anwendung finden. Ein Transport findet dabei mit einer Endloseinrichtung parallel zu einem Prozessmedienspiegel statt. Als vorteilhaft wird hier beschrieben, dass die benetzte Waferseite nahezu vollständig dem flüssigen Ätzmedium ausgesetzt ist und der Wafer nur über sehr geringe Kontaktflächen zu Auflageelementen der Endloseinrichtung beansprucht wird, womit hohe Homogenitäten im erzeugten Ätzbild einhergehen.The DE 10 2012 210 618 A1 discloses devices and methods for the treatment of plate-shaped process material, in particular silicon wafers, as are also used for the production of solar cells. Transport takes place with an endless device parallel to a process media mirror. It is described as advantageous here that the wetted wafer side is almost completely exposed to the liquid etching medium and the wafer is only stressed via very small contact areas with support elements of the endless device, which is accompanied by high homogeneities in the etched image produced.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, Vorrichtungen und Verfahren zu schaffen, die ein Erzeugen von Halbleiterscheiben mit einer porösen Seite auf schonende Art und Weise ermöglichen.The object on which the present invention is based is to provide devices and methods which enable the production of semiconductor wafers with a porous side in a gentle manner.

Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 10 gelöst.This object is achieved by a device according to claim 1 and a method according to claim 10.

Beispiele der vorliegenden Erfindung schaffen eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Seite, mit folgenden Merkmalen:

  • einem Elektrolytbad mit einer ersten Elektrode;
  • einer Haltevorrichtung mit einer zweiten Elektrode, wobei die Haltevorrichtung ausgebildet ist, um eine Halbleiterscheibe zu halten;
  • einer Transportvorrichtung, die ausgebildet ist, um die Haltevorrichtung in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu einer Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, zu bewegen, um eine erste Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen, während eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe nicht mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird, und um die Halbleiterscheibe nach dem Erzeugen einer porösen Schicht auf der ersten Hauptoberfläche von dem Elektrolytbad zu entfernen; und
  • einer Einrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist, um durch Elektrolyse die poröse Schicht auf der ersten Hauptoberfläche und nicht der zweiten Hauptoberfläche zu erzeugen.
Examples of the present invention provide a device for producing semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous side, with the following features:
  • an electrolyte bath with a first electrode;
  • a holding device with a second electrode, the holding device being designed to hold a semiconductor wafer;
  • a transport device which is designed to move the holding device in a direction of movement which has an angle of 90 ° ± 45 ° relative to a bath surface of the electrolyte bath, in order to bring a first main surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolyte bath while a the second main surface of the semiconductor wafer, which is opposite the first main surface, is not brought into contact with the electrolyte bath, and in order to remove the semiconductor wafer from the electrolyte bath after the formation of a porous layer on the first main surface; and
  • means for applying a voltage between the first and second electrodes while the semiconductor wafer is in contact with the electrolyte bath in order to produce the porous layer on the first main surface and not on the second main surface by electrolysis.

Beispiele der vorliegenden Erfindung schaffen ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Seite, mit folgenden Merkmalen:

  • Bewegen einer Haltevorrichtung, die eine Halbleiterscheibe hält, zu einem Elektrolytbad in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu der Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, um eine erste Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen, während eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe nicht mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird;
  • Anlegen einer Spannung zwischen einer ersten Elektrode des Elektrolytbads und einer zweiten Elektrode der Haltevorrichtung während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist, um durch Elektrolyse die poröse Schicht auf der ersten Hauptoberfläche und nicht der zweiten Hauptoberfläche zu erzeugen; und
  • Bewegen der Haltevorrichtung, die die Halbleiterscheibe hält, weg von dem Elektrolytbad, um die Halbleiterscheibe von dem Elektrolytbad zu entfernen.
Examples of the present invention provide a method for producing semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous side, with the following features:
  • Moving a holding device that holds a semiconductor wafer to an electrolyte bath in a direction of movement that is at an angle of 90 ° ± 45 ° relative to the bath surface of the Having an electrolytic bath to bring a first main surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolytic bath, while a second main surface of the semiconductor wafer opposite the first main surface is not brought into contact with the electrolytic bath;
  • Applying a voltage between a first electrode of the electrolytic bath and a second electrode of the holding device while the semiconductor wafer is in contact with the electrolytic bath in order to produce the porous layer on the first main surface and not on the second main surface by electrolysis; and
  • Moving the wafer holding device away from the electrolyte bath to remove the wafer from the electrolyte bath.

Beispiele der vorliegenden Erfindung basieren auf der Erkenntnis, dass es möglich ist, einschichtiges oder mehrschichtiges poröses Silizium ohne lineares Transportverfahren herzustellen und ohne durch ein Ätzbad bzw. Elektrolytbad transportiert werden zu müssen. Somit kann eine Beschädigung der Halbleiterscheiben und insbesondere der erzeugten porösen Siliziumschichten durch Transportvorrichtungen, wie sie bei linearen Transportverfahren, wie zum Beispiel Inline-Verfahren, verwendet werden, vermieden werden. Die gebildeten porösen Halbleiterschichten, insbesondere Siliziumschichten, sind nämlich mitunter sehr empfindlich gegenüber mechanischem Stress und können leicht von dem Halbleiterwafer schadhaft abgelöst werden. Zudem kann verhindert werden, dass Komponenten der Transportvorrichtungen schädigende Auswirkungen oder Rückstände auf den Wafern hinterlassen.Examples of the present invention are based on the knowledge that it is possible to produce single-layer or multilayer porous silicon without a linear transport process and without having to be transported through an etching bath or electrolyte bath. Damage to the semiconductor wafers and in particular to the porous silicon layers produced by transport devices such as are used in linear transport processes, such as inline processes, can thus be avoided. The porous semiconductor layers formed, in particular silicon layers, are sometimes very sensitive to mechanical stress and can easily be removed from the semiconductor wafer in a defective manner. In addition, components of the transport devices can be prevented from leaving harmful effects or residues on the wafers.

Bei Beispielen der Erfindung können somit Nachteile, wie sie bei Inline-Vorrichtungen und -Verfahren auftreten, vermieden werden. Insbesondere kann vermieden werden, dass Transportvorrichtungen, wie z.B. Rolleneinheiten oder Transportbänder, sensible Schichten beschädigen oder zumindest soweit negativ beeinflussen, dass Abriebspuren, Verunreinigungen oder lokale Kontaktdefekte ausgebildet werden.In examples of the invention, disadvantages such as occur with inline devices and methods can thus be avoided. In particular, it can be avoided that transport devices, such as e.g. Damage roller units or conveyor belts, sensitive layers or at least negatively influence them to the extent that signs of abrasion, contamination or local contact defects are formed.

Beispiele der Erfindung ermöglichen ferner eine höhere Flexibilität, da die Halbleiterscheiben nicht linear über oder durch das Elektrolytbad bewegt werden. Bei Vorrichtungen und Verfahren, die flache Güter im Inline-Verfahren prozessieren, insbesondere bei Ätzverfahren, kann es nämlich als nachteilig angesehen werden, dass die maximale Ätzzeit begrenzt ist, da wesentliche Anlagenparameter, wie Anlagenlänge und Transportgeschwindigkeit als limitierende Größen für den maximalen Durchsatz anzusehen sind. Ein weiterer Nachteil ist die starre Sequenz, mit der ein Gut eine lineare Transportstrecke durchfährt, inklusive der Atzbecken. Zudem bietet eine Inline-Transportstrecke keine Redundanzen für den Ausfall eines Verfahrensschrittes innerhalb der Transportstrecke, womit ein totaler Stillstand in der Fertigungslinie einhergehen kann.Examples of the invention also allow greater flexibility since the semiconductor wafers are not moved linearly over or through the electrolyte bath. In the case of devices and methods that process flat goods using the inline method, in particular in the case of etching methods, it can be considered disadvantageous that the maximum etching time is limited, since essential system parameters, such as system length and transport speed, are to be regarded as limiting variables for the maximum throughput , Another disadvantage is the rigid sequence with which a good travels through a linear transport route, including the etching basin. In addition, an inline transport route offers no redundancies for the failure of a procedural step within the transport route, which can be accompanied by a total standstill in the production line.

Bei Beispielen der Erfindung weist die Vorrichtung eine oder mehrere Spül/Reinigungsstationen auf, wobei die Transportvorrichtung ausgelegt ist, um die Haltevorrichtung zwischen der einen oder den mehreren Spül/Reinigungsstationen und dem Elektrolytbad zu bewegen. Beispiele ermöglichen somit, dass Halbleiterscheiben nach Bedarf beliebig zwischen dem Elektrolytbad und Spül/Reinigungsstationen bewegt werden können, unabhängig von einer starren Abfolge, wie sie bei einer Inline-Transportstrecke einzuhalten ist.In examples of the invention, the device has one or more rinsing / cleaning stations, the transport device being designed to move the holding device between the one or more rinsing / cleaning stations and the electrolyte bath. Examples thus enable semiconductor wafers to be moved as required between the electrolyte bath and rinsing / cleaning stations, regardless of a rigid sequence such as is to be observed for an inline transport route.

Bei Beispielen der Erfindung weist die Vorrichtung mindestens zwei Ätzbecken bzw. Elektrolytbecken auf. Somit bieten Beispiele der Erfindung ein hohes Maß an Flexibilität während der Herstellung, da unterschiedliche Parameter für die einzelnen Elektrolytbäder eingestellt werden können. Eine Halbleiterscheibe kann dann nach Bedarf durch die Transportvorrichtung mit einem der Elektrolytbäder in Kontakt gebracht werden, um ein Ätzen mit gewünschten Parametern zu erreichen.In examples of the invention, the device has at least two etching tanks or electrolyte tanks. Thus, examples of the invention offer a high degree of flexibility during production, since different parameters can be set for the individual electrolyte baths. A semiconductor wafer can then be brought into contact with one of the electrolyte baths as required by the transport device in order to achieve etching with the desired parameters.

Bei Beispielen der Erfindung ist die Transportvorrichtung derart ausgebildet, dass während der Elektrolyse keine mechanischen Elemente der Transportvorrichtung unterhalb der benetzen Seite der Halbleiterscheibe angebracht sind. Solche Elemente können als Störkonturen für die Ausbildung eines homogenen elektrischen Feldes sorgen, eine vorteilhafte Elektrolytanströmung an die Halbleiterscheibe behindern, und die Anhaftung von ausgebildeten Prozessgasen ermöglichen. Die Prozessgase sind typischerweise Produkte der Elektrolyse und werden an der Elektrode im Elektrolytbad und an der Halbleiterscheibe generiert. Die Prozessgase werden im flüssigen Medium und and der Halbleiterscheibe als Blasen ausgebildet. Eine erhöhte Gasmenge bzw. Blasenbildung an der Halbleiterscheibe, insbesondere Anhaftungen an der Halbleiterscheibe, unterbrechen ebenfalls den Kontakt der festen Halbleiterscheibe zum flüssigen Medium, was zu inhomogenen Ätzbildern und folglich unerwünschten Unterschieden in der Güte des hergestellten porösen Halbleiters führen kann. Da erfindungsgemäß die Halbleiterscheiben bzw. Wafer nicht entlang des Elektrolytbads bewegt werden müssen, sondern von oben in einem Winkel relativ zu der Badoberfläche mit dem Bad in Kontakt gebracht werden, sind unterhalb der Halbleiterscheibe Transportelemente nicht erforderlich, so dass die eben beschriebenen Probleme vermieden werden können. In examples of the invention, the transport device is designed such that no mechanical elements of the transport device are attached below the wetted side of the semiconductor wafer during the electrolysis. Such elements can, as interference contours, provide for the formation of a homogeneous electric field, hinder an advantageous flow of electrolyte to the semiconductor wafer, and enable the adherence of the process gases formed. The process gases are typically products of electrolysis and are generated on the electrode in the electrolyte bath and on the semiconductor wafer. The process gases are formed as bubbles in the liquid medium and on the semiconductor wafer. An increased amount of gas or the formation of bubbles on the semiconductor wafer, in particular buildup on the semiconductor wafer, likewise interrupt the contact of the solid semiconductor wafer with the liquid medium, which can lead to inhomogeneous etching patterns and consequently undesirable differences in the quality of the porous semiconductor produced. Since, according to the invention, the semiconductor wafers or wafers do not have to be moved along the electrolyte bath, but instead are brought into contact with the bath from above at an angle relative to the bath surface, transport elements are not required below the semiconductor wafer, so that the problems just described can be avoided ,

Bei Beispielen der Erfindung ist die Transportvorrichtung ausgelegt, um die Haltevorrichtung dreidimensional im Raum zu bewegen. Somit ermöglichen Beispiele, dass ein oder mehrere Halbleiterscheiben beliebig zwischen Behandlungsbecken bewegt werden. Bei Beispielen kann die Vorrichtung eine Ätzstation aufweisen, die ausgelegt ist, um die poröse Schicht zumindest teilweise zurückzuätzen, wobei die Transportvorrichtung ausgelegt ist, um die Haltevorrichtung zu der Ätzstation zu bewegen. Somit ermöglichen Beispiele eine flexible Behandlung von Halbleiterscheiben, die neben der Erzeugung einer porösen Schicht weitere Behandlungsschritte umfassen kann, ohne an eine starre Abfolge von Schritten, wie sie bei einer Inline-Anlage gegeben ist, gebunden zu sein.In examples of the invention, the transport device is designed to move the holding device three-dimensionally in space. Examples thus allow one or more semiconductor wafers to be moved between treatment tanks as desired. In examples, the device can have an etching station that is designed to at least partially etch back the porous layer, wherein the transport device is designed to move the holding device to the etching station. Thus, examples enable flexible treatment of semiconductor wafers, which, in addition to the production of a porous layer, can comprise further treatment steps without being bound to a rigid sequence of steps, as is given in an inline system.

Bei Beispielen der Erfindung kann die Vorrichtung mehrere Elektrolytbäder, Haltevorrichtungen und Transportvorrichtungen aufweisen, wobei die Vorrichtung ausgelegt ist, um eine poröse Schicht auf mehreren Halbleiterscheiben parallel und zeitversetzt zu erzeugen. Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung ausgelegt sein, um eine Halbleiterscheibe oder eine Mehrzahl von Halbleiterscheiben mit koplanar ausgerichteten ersten Hauptoberflächen zu halten. Ausführungsbeispiele ermöglichen es somit, mehrere Halbleiterscheiben parallel zu behandeln.In examples of the invention, the device can have a plurality of electrolyte baths, holding devices and transport devices, the device being designed to produce a porous layer on a plurality of semiconductor wafers in parallel and with a time delay. In examples, the holding device can be designed to hold a semiconductor wafer or a plurality of semiconductor wafers with coplanarly oriented first main surfaces. Exemplary embodiments thus make it possible to treat a plurality of semiconductor wafers in parallel.

Bei Beispielen der Erfindung kann die Transportvorrichtung ausgebildet sein, um die Haltevorrichtung um eine Achse, die senkrecht zur Badoberfläche des Elektrolytbads ist, zu drehen, während die Hauptoberfläche der Halbleiterscheiben in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist. Dadurch kann eine gleichmäßige Behandlung der Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe unterstützt werden.In examples of the invention, the transport device may be configured to rotate the holding device about an axis that is perpendicular to the bath surface of the electrolyte bath while the main surface of the semiconductor wafers is in contact with the electrolyte bath. A uniform treatment of the main surface of the semiconductor wafer can thereby be supported.

Bei Beispielen der Erfindung kann die Haltevorrichtung Mittel zum Erzeugen eines Vakuums, um die Halbleiterscheibe zu halten, aufweisen. Dadurch ermöglichen Beispiele ein schonendes Halten der Halbleiterscheibe, ohne dass Kontaktelemente der Haltevorrichtung mit der Unterseite der Halbleiterscheibe, die mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird, Eingriff nehmen.In examples of the invention, the holding device can have means for generating a vacuum in order to hold the semiconductor wafer. As a result, examples enable the semiconductor wafer to be held gently without contact elements of the holding device engaging with the underside of the semiconductor wafer, which is brought into contact with the electrolyte bath.

Bei Beispielen der Erfindung weist die Vorrichtung ferner eine Einrichtung zum Entfernen und/oder Weghalten von Gasblasen von der in Kontakt mit dem Elektrolytbad gebrachten Oberfläche der Halbleiterscheiben auf. Dies kann hilfreich sein, um eine gleichmäßige Behandlung zu unterstützen, die andernfalls durch das Vorliegen von Prozessgasblasen an der zu behandelnden Oberfläche beeinträchtigt sein könnte.In examples of the invention, the device further comprises a device for removing and / or holding gas bubbles away from the surface of the semiconductor wafers brought into contact with the electrolyte bath. This can be helpful to support an even treatment, which could otherwise be affected by the presence of process gas bubbles on the surface to be treated.

Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung eines Beispiels einer Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit einer porösen Seite;
  • 2 ein Flussdiagramm eines Beispiels eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit einer porösen Seite; und
  • 3A und 3B schematische Darstellungen von Beispielen von Verfahrensabläufen, die ein Erzeugen einer porösen Seite einer Halbleiterscheibe unter Verwendung einer Elektrolyse beinhalten.
Examples of the present invention are explained in more detail below with reference to the accompanying drawings. Show it:
  • 1 a schematic representation of an example of a device for producing semiconductor wafers with a porous side;
  • 2 a flowchart of an example of a method for manufacturing semiconductor wafers with a porous side; and
  • 3A and 3B schematic representations of examples of procedures that involve creating a porous side of a semiconductor wafer using electrolysis.

1 zeigt schematisch ein Beispiel einer Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe 1 bzw. eines Wafers mit einer Haltevorrichtung 2 für die Halbleiterscheibe 1, einem Elektrolytbecken 3 mit einem Elektrolytbad mit einer Badoberfläche 3a, einer ersten Elektrode 4 in dem Elektrolytbad, einer zweiten Elektrode 2a an der Haltevorrichtung 2, einer Transportvorrichtung 6 für die Haltevorrichtung 2, und einer Einrichtung 8 zum Anlegen einer Spannung zwischen der ersten Elektrode 4 und der zweiten Elektrode 2a. Die zweite Elektrode 2a kontaktiert die Halbleiterscheibe 1, so dass durch das Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eine Spannung an den Elektrolyten angelegt werden kann. Die Transportvorrichtung 6 ist ausgelegt, um die Haltevorrichtung in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu der Badoberfläche 3a aufweist, zu bewegen, um eine Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe 1 in Kontakt mit dem Elektrolytbad, d.h. dem Elektrolyten in dem Elektrolytbad, zu bringen. Die Transportvorrichtung ist dabei derart ausgelegt, dass die zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe 1, die der ersten Hautoberfläche gegenüberliegt, nicht mit dem Elektrolyten in dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird. Während die erste Hautoberfläche mit dem Elektrolyten in Kontakt ist, wird durch die Einrichtung 8 eine Spannung zwischen der ersten Elektrode 4 und der zweiten Elektrode 2a angelegt, um eine poröse Schicht auf der ersten Hautoberfläche der Halbleiterscheibe 1 zu erzeugen. Die Transportvorrichtung 6 ist ferner ausgelegt, um nach dem Erzeugen der porösen Schicht die Halbleiterscheibe 1 von dem Elektrolytbad zu entfernen, beispielsweise durch eine Bewegung in eine Richtung, die entgegengesetzt zu der Richtung der Bewegung ist, durch die die Halbleiterscheibe mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird. 1 schematically shows an example of a device for producing a semiconductor wafer 1 or a wafer with a holding device 2 for the semiconductor wafer 1 , an electrolyte basin 3 with an electrolytic bath with a bath surface 3a , a first electrode 4 in the electrolyte bath, a second electrode 2a on the holding device 2 , a transport device 6 for the holding device 2 , and a facility 8th for applying a voltage between the first electrode 4 and the second electrode 2a , The second electrode 2a contacts the semiconductor wafer 1 , so that a voltage can be applied to the electrolyte by applying a voltage between the first and second electrodes. The transport device 6 is designed to hold the holding device in a direction of movement that is an angle of 90 ° ± 45 ° relative to the bath surface 3a has to move to a main surface of the wafer 1 in contact with the electrolyte bath, ie the electrolyte in the electrolyte bath. The transport device is designed such that the second main surface of the semiconductor wafer 1 which is opposite to the first skin surface is not brought into contact with the electrolyte in the electrolyte bath. While the first skin surface is in contact with the electrolyte, the device will 8th a voltage between the first electrode 4 and the second electrode 2a applied to a porous layer on the first skin surface of the semiconductor wafer 1 to create. The transport device 6 is further designed to the semiconductor wafer after the creation of the porous layer 1 to be removed from the electrolytic bath, for example by a movement in a direction opposite to the direction of movement by which the semiconductor wafer is brought into contact with the electrolytic bath.

Die Halbleiterscheibe kann bei Beispielen eine Siliziumscheibe bzw. sein. Bei anderen Beispielen kann die Halbleiterscheibe aus einem anderen Halbleitermaterial bestehen, wie z.B. Galliumarsenid. Unter den Hauptoberflächen einer Halbleiterscheibe sind dabei die einander gegenüberliegenden Oberflächen zu verstehen, die flächenmäßig größer sind als die Seitenflächen, die die Hauptoberflächen verbinden.In examples, the semiconductor wafer can be a silicon wafer or. In other examples, the semiconductor wafer can consist of another semiconductor material, such as gallium arsenide. The main surfaces of a semiconductor wafer are to be understood as the opposing surfaces which are larger in terms of area than the side surfaces that connect the main surfaces.

Die Transportvorrichtung 6 kann z.B. ausgelegt sein, um eine Bewegung der Haltevorrichtung 2 in einer Bewegungsrichtung, die senkrecht zu der Badoberfläche eines in dem Elektrolytbad befindlichen Elektrolyten ist, zu bewirken, um die Halbleiterscheibe 1 auf die Badoberfläche aufzusetzen und nach dem Ätzen wieder von derselben abzuheben. Eine Spannung ist wie beschrieben zwischen den Elektroden anlegbar, um eine Elektrolyse und somit ein Ätzen einer porösen Schicht auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe an der Grenzfläche zu dem Elektrolytbad zu bewirken. Die Einrichtung 8 kann zu diesem Zweck durch eine beliebige Spannungsquelle gebildet sein, um eine für das Ätzen geeignete Spannung, die einstellbar sein kann, zwischen den Elektroden anzulegen.The transport device 6 can, for example, be designed to move the holding device 2 in a direction of movement that is perpendicular to the bath surface of an electrolyte located in the electrolyte bath, around the semiconductor wafer 1 to put on the surface of the bath and to lift it off after the etching. As described, a voltage can be applied between the electrodes in order to cause electrolysis and thus etching of a porous layer on the surface of the semiconductor wafer at the interface with the electrolyte bath. The facility 8th can for this purpose be formed by any voltage source in order to apply a voltage suitable for the etching, which can be adjustable, between the electrodes.

Gemäß Beispielen der vorliegenden Erfindung erfolgt somit keine lineare Bewegung der Halbleiterscheibe durch die Transportvorrichtung ohne Umkehr der Bewegungsrichtung. According to examples of the present invention, there is therefore no linear movement of the semiconductor wafer through the transport device without reversing the direction of movement.

Vielmehr wird zunächst die Halbleiterscheibe auf die Badoberfläche zubewegt, bis die Unterseite der Halbleiterscheibe in Kontakt mit der Badoberfläche kommt, so dass an der Grenzfläche zwischen Badoberfläche und Halbleiterscheibe eine poröse Schicht erzeugt werden kann. Danach wird die Halbleiterscheibe nach Umkehr der Bewegungsrichtung von der Badoberfläche wegbewegt. Wie nachfolgend erläutert wird, kann die Vorrichtung ausgelegt sein, um den Kontakt zwischen der Halbleiterscheibe und dem Elektrolytbad mehrmals zu unterbrechen, um dadurch einer Blasenbildung an der Unterseite der Halbleiterscheibe entgegenzuwirken.Rather, the semiconductor wafer is first moved toward the bath surface until the underside of the semiconductor wafer comes into contact with the bath surface, so that a porous layer can be produced at the interface between the bath surface and the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is then moved away from the bath surface after reversing the direction of movement. As will be explained below, the device can be designed to interrupt the contact between the semiconductor wafer and the electrolytic bath several times, in order to counteract the formation of bubbles on the underside of the semiconductor wafer.

Bei Beispielen ändert sich die Position der Halbleiterscheibe parallel zur Badoberfläche während der Behandlung nicht. Die Behandlung erfolgt somit statisch. Bei Beispielen kann sich die Halbleiterscheibe während der Behandlung drehen, wodurch sich jedoch die Position der Halbleiterscheibe parallel zur Badoberfläche nicht ändert. Bei Beispielen kann die Behandlung jeweils kurzfristig unterbrochen werden, indem die Halbleiterscheibe kurzzeitig von der Badoberfläche abgehoben und danach wieder aufgesetzt wird, beispielsweise um einer Blasenbildung entgegenzuwirken.In examples, the position of the semiconductor wafer parallel to the bath surface does not change during the treatment. The treatment is therefore static. In examples, the semiconductor wafer can rotate during the treatment, but this does not change the position of the semiconductor wafer parallel to the bath surface. In examples, the treatment can be interrupted briefly in each case by briefly lifting the semiconductor wafer off the bath surface and then replacing it, for example in order to counteract the formation of bubbles.

Wie ferner in 1 gezeigt ist, kann bei Beispielen eine Einrichtung 5, wie z.B. eine Pumpe, vorgesehen sein, um eine Strömung in dem Elektrolyten zu bewirken, und insbesondere eine Anströmung der Unterseite der Halbleiterscheibe 1 zu bewirken. Dadurch können Gasblasen 7 entfernt werden, die andernfalls zu Abschattungen während der Elektrolyse führen können. Dadurch ist es möglich, ein homogenes Ätzbild zu erreichen.As further in 1 a device may be shown in examples 5 , such as a pump, can be provided in order to bring about a flow in the electrolyte, and in particular a flow against the underside of the semiconductor wafer 1 to effect. This can cause gas bubbles 7 removed, which could otherwise lead to shadowing during electrolysis. This makes it possible to achieve a homogeneous etching pattern.

Wie beschrieben wurde, wird die Unterseite der Halbleiterscheibe mit dem Elektrolytbad, d. h. dem Elektrolyten, in Kontakt gebracht. Die Halbleiterscheibe wird lediglich einseitig behandelt. Unter einer solchen einseitigen Behandlung ist noch eine Behandlung zu verstehen, bei der auch Seitenflächen der Halbleiterscheibe behandelt werden, nicht jedoch die der zu behandelnden Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hautoberfläche. Die Halbleiterscheibe wird somit nicht in den Elektrolyten eingetaucht.As has been described, the underside of the semiconductor wafer with the electrolyte bath, i. H. the electrolyte. The semiconductor wafer is only treated on one side. Such a one-sided treatment is also to be understood as a treatment in which side surfaces of the semiconductor wafer are also treated, but not the second skin surface opposite the main surface to be treated. The semiconductor wafer is therefore not immersed in the electrolyte.

Ein Flussdiagramm eines Beispiels eines Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit einer porösen Seite, dass beispielsweise unter Verwendung einer entsprechenden Vorrichtung ausgeführt werden kann, ist in 2 gezeigt. Bei 100 wird die Haltevorrichtung, die die Siliziumscheibe hält, in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu einer Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, bewegt, um die erste Hautoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen. Die zweite Hautoberfläche der Halbleiterscheibe wird nicht mit dem Elektrolyten in Kontakt gebracht. Bei 110 wird eine Spannung zwischen einer ersten Elektrode in dem Elektrolytbad und einer zweiten Elektrode der Haltevorrichtung angelegt, während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist. Dabei wird die poröse Schicht auf der ersten Hautoberfläche durch Elektrolyse und nicht auf der zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe erzeugt. Nach dem Erzeugen der porösen Schicht wird bei 120 die Haltevorrichtung, die die Halbleiterscheibe hält, von dem Elektrolytbad wegbewegt, um die Halbleiterscheibe von dem Elektrolytbad zu entfernen. Bei Beispielen können die Bewegungen in einer Richtung senkrecht zu der Badoberfläche, d. h. in einem Winkel von 90°, erfolgen, wobei die Wegbewegung entgegengesetzt zur Hin-Bewegung stattfindet. Bei anderen Beispielen kann ein von 90° verschiedener Winkel verwendet werden, wobei die Hin-Bewegung in einem ersten Winkel und die Wegbewegung in einem zweiten Winkel erfolgen können, wobei der erste Winkel und der zweite Winkel bezüglich der Badoberfläche entsprechend des optischen Gesetzes Einfallswinkel = Ausfallswinkel gewählt sein können. Erfindungsgemäß wird somit die Halbleiterscheibe nicht durch bzw. über das Elektrolytbad bewegt, sondern wird auf die Badoberfläche aufgesetzt, so dass nur eine Hauptoberfläche behandelt wird.A flowchart of an example of a method for producing semiconductor wafers with a porous side, which can be carried out, for example, using a corresponding device, is shown in FIG 2 shown. at 100 the holding device, which holds the silicon wafer, is moved in a direction of movement which has an angle of 90 ° ± 45 ° relative to a bath surface of the electrolyte bath, in order to bring the first skin surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolyte bath. The second skin surface of the semiconductor wafer is not brought into contact with the electrolyte. at 110 a voltage is applied between a first electrode in the electrolyte bath and a second electrode of the holding device while the semiconductor wafer is in contact with the electrolyte bath. The porous layer is generated on the first skin surface by electrolysis and not on the second main surface of the semiconductor wafer. After creating the porous layer, at 120 the holding device holding the wafer moves away from the electrolytic bath to remove the wafer from the electrolytic bath. In examples, the movements can take place in a direction perpendicular to the bath surface, ie at an angle of 90 °, the movement away taking place in the opposite direction to the outward movement. In other examples, an angle other than 90 ° can be used, the outward movement at a first angle and the away movement at a second angle, the first angle and the second angle with respect to the bath surface according to the optical law, angle of incidence = angle of reflection can be chosen. According to the invention, the semiconductor wafer is therefore not moved through or over the electrolyte bath, but rather is placed on the bath surface, so that only one main surface is treated.

Bei Beispielen kann die Erzeugung der porösen Seite bzw. Schicht der Halbleiterscheibe Teil eines Verfahrens zur Behandlung einer Halbleiterscheibe sein, das zusätzliche Verfahrensschritte aufweist.In examples, the production of the porous side or layer of the semiconductor wafer can be part of a method for treating a semiconductor wafer which has additional method steps.

So zeigt 3A ein Beispiel eines Verfahrens zur Behandlung einer Halbleiterscheibe, bei dem die Halbleiterscheibe bei 200 einem Spülen unterzogen wird. Im Anschluss wird bei 210 mittels einer Elektrolyse eine poröse Seite der Halbleiterscheibe erzeugt. Dies kann durch Verfahren, wie sie hierin beschrieben sind, erfolgen. Nachfolgend findet bei 220 wiederum ein Spülen zur Reinigung der Halbleiterscheibe statt. Im Anschluss erfolgt bei 230 eine abschließende Trocknung der Halbleiterscheibe. So shows 3A an example of a method for treating a semiconductor wafer, in which the semiconductor wafer at 200 is subjected to rinsing. A porous side of the semiconductor wafer is then produced at 210 by means of electrolysis. This can be done by methods as described herein. Below takes place at 220 again rinsing to clean the semiconductor wafer instead. The semiconductor wafer is then finally dried at 230.

3B zeigt ein alternatives Beispiel, bei dem nach dem Spülen bei 220 entweder die Trocknung bei 230 oder ein Rückätzen bei 240 stattfindet. Bei dem Rückätzen bei 240 kann ein zumindest teilweises Rückätzen der bei 210 erzeugten porösen Schicht stattfinden. Nach dem Rückätzen bei 240 beginnt das Verfahren wieder mit einem Spülen bei 200. Somit kann, falls die poröse Schicht aus der Elektrolyse 210 nicht Produktionsstandards genügt, zur Reduktion des Ausschusses das poröse Silizium zurückgeätzt werden. 3B shows an alternative example in which after rinsing at 220 either drying at 230 or an etch back takes place at 240. When etching back 240 an at least partial etching back of the porous layer generated at 210 can take place. After etching back at 240, the process begins again with a rinse at 200. Thus, if the porous layer from the electrolysis 210 If production standards are not sufficient, the porous silicon is etched back to reduce the amount of scrap.

Zum Rückätzen kann z.B. ein alkalisches Medium, wie KOH, oder ein Medium oder Ozon in Kombination mit einer Säure, verwendet werden.For etching back, e.g. an alkaline medium such as KOH, or a medium or ozone in combination with an acid can be used.

Bei Beispielen kann die Elektrolyse in mehreren Elektrolytbecken parallel oder zeitlich versetzt durchgeführt werden.In examples, the electrolysis can be carried out in several electrolyte pools in parallel or at different times.

Generell schaffen Beispiele der vorliegenden Erfindung Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von einseitig porösem Silizium ohne einen linearen Transport der Halbleiterscheibe, beispielsweise des Siliziumwafers, durch ein Elektrolytbecken, wobei eine Elektrode pro Elektrolytbecken und Gegenelektrode in der Haltevorrichtung vorgesehen sind. Eine Transportvorrichtung zum Aufsetzen der Halbleiterscheibe auf die Elektrolytoberfläche und eine Haltevorrichtung sind zur Positionierung der Halbleiterscheibe vorgesehen. Die Haltevorrichtung und die Transportvorrichtung können integriert sein, so dass die Haltevorrichtung auch die Transportvorrichtung sein kann. Ferner ist ein Elektrolyt- oder Ätzbecken zur Bevorratung des flüssigen Elektrolyten vorgesehen.In general, examples of the present invention provide devices and methods for producing silicon that is porous on one side without linear transport of the semiconductor wafer, for example the silicon wafer, through an electrolyte basin, one electrode per electrolyte basin and counter electrode being provided in the holding device. A transport device for placing the semiconductor wafer on the electrolyte surface and a holding device are provided for positioning the semiconductor wafer. The holding device and the transport device can be integrated, so that the holding device can also be the transport device. Furthermore, an electrolyte or etching basin is provided for storing the liquid electrolyte.

Bei Beispielen kann die Transportvorrichtung ausgelegt sein, um eine dreidimensionale Bewegung im Raum zu ermöglichen. Bei Ausführungsbeispielen kann die Transportvorrichtung durch einen Handling-Roboter implementiert sein. Die Transportvorrichtung kann zusammen mit der Haltevorrichtung implementiert sein, um die Hauptoberflächen der Halbleiterscheibe in einer zur Elektrolytoberfläche parallelen Ausrichtung zu halten und die Halbleiterscheibe in dieser Ausrichtung zu transportieren. Bei Beispielen kann die Transportvorrichtung ausgelegt sein, um die Hauptoberflächen der Halbleiterscheibe in einer zur Elektrolytoberfläche schrägen Ausrichtung zu transportieren und nach einem ersten Kontakt mit der Elektrolytflüssigkeit, also dem Elektrolyten, parallel auszurichtenIn examples, the transport device can be designed to enable three-dimensional movement in space. In embodiments, the transport device can be implemented by a handling robot. The transport device can be implemented together with the holding device in order to hold the main surfaces of the semiconductor wafer in an orientation parallel to the electrolyte surface and to transport the semiconductor wafer in this orientation. In examples, the transport device can be designed to transport the main surfaces of the semiconductor wafer in an oblique orientation to the electrolyte surface and to align them in parallel after a first contact with the electrolyte liquid, that is to say the electrolyte

Bei Beispielen ist die Haltevorrichtung ausgelegt, um mindestens eine Halbleiterscheibe in Position und auf dem Level des Elektrolyten zu halten. Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung auch ein Teil der Transportvorrichtung sein. Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung während des Ätzens um eine Achse, die senkrecht zur Badoberfläche steht, um bis zu 360° frei rotieren. Die Haltevorrichtung kann ausgebildet sein, um Teile der Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe, die von dem Elektrolyten abgewendet ist, zu kontaktieren oder diese Hauptoberfläche vollflächig zu kontaktieren.In examples, the holding device is designed to hold at least one semiconductor wafer in position and at the level of the electrolyte. In examples, the holding device can also be part of the transport device. In examples, the holding device can rotate freely up to 360 ° around an axis that is perpendicular to the bath surface during the etching. The holding device can be designed to contact parts of the main surface of the semiconductor wafer that faces away from the electrolyte or to contact this main surface over the entire surface.

Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung und/oder die Transportvorrichtung eine Sensorik zur Positionierung der Halbleiterscheibe, beispielsweise basierend auf einem erfassten Abstand, und zur Elektrolytbeckenanalytik, beispielsweise bezüglich Füllstand, Temperatur und Leitwert, beinhalten.In examples, the holding device and / or the transport device can include a sensor system for positioning the semiconductor wafer, for example based on a detected distance, and for electrolyte pool analysis, for example with regard to fill level, temperature and conductance.

Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung Öffnungen zum Gasaustausch zur von dem Elektrolyten abgewandten Oberfläche der Halbleiterscheibe aufweisen. Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung Segmente zum Heranführen von Vakuum an diese Oberfläche der Halbleiterscheibe aufweisen. Bei Beispielen kann die Haltevorrichtung strukturierte Haftungselemente aufweisen, wie z.B. nach Art von „Geckofingern“. Bei Beispielen beinhaltet die Haltevorrichtung einen elektrischen Kontakt zu der Halbleiterscheibe.In examples, the holding device can have openings for gas exchange to the surface of the semiconductor wafer facing away from the electrolyte. In examples, the holding device can have segments for applying vacuum to this surface of the semiconductor wafer. In examples, the holding device can have structured adhesive elements, such as e.g. in the manner of "gecko fingers". In examples, the holding device includes an electrical contact to the semiconductor wafer.

Bei Beispielen ist mindestens ein Elektrolytbecken bzw. Ätzbecken vorgesehen. Das Elektrolytbecken kann zumindest eine Vorrichtung zur Absaugung von Prozessgasen, Ätzprodukten und/oder Elektrolyt, aufweisen. Ferner kann eine Vorrichtung zum Kühlen und/oder Heizen des Elektrolyten vorgesehen sein. Bei Beispielen kann eine Vorrichtung zum Dosieren von Elektrolytbestandteilen vor und während der Elektrolyse vorgesehen sein, beispielsweise basierend auf mittels einer Sensorik erfassten Parametern des Analyten, beispielsweise Füllstand, Temperatur und/oder Leitwert. Eine Abdeckeinheit kann vorgesehen sein, die ein Abdecken des Elektrolytbeckens ermöglicht. Bei Beispielen kann eine Einheit vorgesehen sein, wie z.B. eine oder mehrere Düsen, um einen gezielten Medienstrom zur benetzten Seite der Halbleiterscheibe zu bewirken. Bei Beispielen kann eine Einheit vorgesehen sein, wie z.B. eine oder mehrere Saugdüsen, um eine gezielte Medienabströmung von der benetzten Seite der Halbleiterscheibe zu bewirken. Bei Beispielen kann eine Zirkulationseinheit vorgesehen sein, um sowohl einen gezielten Medienstrom zu der benetzen Seite als auch eine gezielte Medienabströmung von der benetzen Seite zu bewirken.In examples, at least one electrolyte basin or etching basin is provided. The electrolyte basin can have at least one device for extracting process gases, etching products and / or electrolyte. Furthermore, a device for cooling and / or heating the electrolyte can be provided. In examples, a device for dosing electrolyte components can be provided before and during the electrolysis, for example based on parameters of the analyte, for example fill level, temperature and / or conductance, which are detected by means of sensors. A cover unit can be provided which enables the electrolyte basin to be covered. In examples, a unit can be provided, such as one or more nozzles, in order to bring about a targeted media flow to the wetted side of the semiconductor wafer. In examples, a unit can be provided, such as one or more suction nozzles, in order to bring about a targeted outflow of media from the wetted side of the semiconductor wafer. In examples, a circulation unit can be provided in order to both a targeted media flow to the wetted side and to effect a targeted media outflow from the wetted side.

Bei Beispielen kann eine Medienrückführungseinheit in einen Vorratsbehälter vorgesehen sein. Bei Beispielen kann das Elektrolytbecken einen eigenen Vorratsbehälter haben. Bei Beispielen können mindestens zwei Elektrolytbecken mit einem Vorratsbehälter verbunden sein und aus demselben versorgt werden. Bei Beispielen kann eine strukturierte und/oder verstellbare Überlaufeinheit zur Medienrückführung vorgesehen sein.In examples, a media return unit can be provided in a storage container. In examples, the electrolyte basin can have its own storage container. In examples, at least two electrolyte pools can be connected to a supply container and can be supplied from the same. In examples, a structured and / or adjustable overflow unit for media return can be provided.

Bei Beispielen kann der Elektrolyt einen oder mehrere der folgenden Bestandteile beinhalten:

  • saures Medium, z.B. HF;
  • ionische Salze zur Verringerung des elektrischen Widerstands der Lösung;
  • Wasser;
  • Benetzungsmittel zur Reduktion der Oberflächenspannung, z.B. Alkohole (Ethanol, Isopropanol);
  • Additive (z.B. organische und/oder anorganische Tenside); und
  • gelöstes Ozon.
In examples, the electrolyte may include one or more of the following:
  • acidic medium, eg HF;
  • ionic salts to reduce the electrical resistance of the solution;
  • Water;
  • Wetting agents for reducing the surface tension, for example alcohols (ethanol, isopropanol);
  • Additives (eg organic and / or inorganic surfactants); and
  • dissolved ozone.

Bei Beispielen kann das Verfahren vor und/oder nach der Elektrolysebehandlung ein Spülen aufweisen. Das Spülen kann gleichzeitig eine Reinigung umfassen und eine oder mehrere Phasen aufweisen. Das Reinigungsmedium kann eine oder mehrere der folgenden Bestandteile aufweisen: Wasser, Ozon, HF, HCI. Das Reinigen kann bei einer Temperatur von 5 - 90 °C durchgeführt werden.In examples, the method may include rinsing before and / or after the electrolysis treatment. The rinsing can simultaneously include cleaning and have one or more phases. The cleaning medium can have one or more of the following components: water, ozone, HF, HCl. Cleaning can be carried out at a temperature of 5 - 90 ° C.

Bei Beispielen kann ferner ein Rückätzen mit einem Ätzmedium stattfinden, das einen oder mehrere der folgenden Bestandteile aufweisen kann: Wasser, ein alkalisches Medium mit z.B. KOH, NaOH, ein Additiv wie z.B. ein Tensid, Ozon in gelöstem und/oder gasförmigem Zustand, ein saures Medium mit z.B. HF, Hel. Bei Beispielen kann ein Rückätzen direkt in der beschriebenen Vorrichtung durchgeführt werden. Bei Beispielen kann ein Rückätzen zeitlich versetzt durchgeführt werden.In examples, etching back may also take place with an etching medium, which may have one or more of the following components: water, an alkaline medium with e.g. KOH, NaOH, an additive such as e.g. a surfactant, ozone in dissolved and / or gaseous state, an acidic medium with e.g. HF, Hel. In examples, etching back can be carried out directly in the described device. In the case of examples, etching back can be carried out at different times.

Bei Beispielen kann es vorteilhaft sein, nicht nur eine Seite der Halbleiterscheibe zu behandeln. Um auch die zweite Seite bzw. Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe zu behandeln, beispielsweise zu ätzen, kann diese mittels einer Übergabeeinrichtung nach dem Ätzen der ersten Hauptoberfläche um 180° gedreht werden, so dass danach die zweite noch unbehandelte Hauptoberfläche einem flüssigen Behandlungsschritt zugeführt werden kann.In examples, it may be advantageous not to treat only one side of the semiconductor wafer. In order to also treat, for example etch, the second side or main surface of the semiconductor wafer, it can be rotated by 180 ° after the etching of the first main surface by means of a transfer device, so that the second still untreated main surface can then be fed to a liquid treatment step.

Bei einem weiteren Beispiel kann es vorteilhaft sein, die Halbleiterscheiben in einer Kassette zu sammeln und die Halbleiterscheiben beidseitig in einer Ausrichtung senkrecht zum Medienspiegel einer weiteren Behandlung, beispielsweise einer Reinigung oder einer Rückätzung, zu unterziehen. Dies kann unmittelbar nach der Erzeugung der porösen Schicht oder zeitlich versetzt erfolgen.In a further example, it can be advantageous to collect the semiconductor wafers in a cassette and to subject the semiconductor wafers to further treatment, for example cleaning or etching back, on both sides in an orientation perpendicular to the media level. This can take place immediately after the creation of the porous layer or at different times.

Bei Beispielen kann eine Trocknung der behandelten Halbleiterscheiben erfolgen. Bei Beispielen kann die Trocknung bei folgenden Parametern erfolgen: Temperatur: 25 - 100 °C; Temperatur variabel; Medium: Luft und/oder Inertgas; Umluft.In examples, the treated semiconductor wafers can be dried. In the case of examples, drying can take place with the following parameters: temperature: 25-100 ° C; Temperature variable; Medium: air and / or inert gas; Circulating air.

Wie oben ausgeführt wurde, kann eine Problematik darin bestehen, dass bei dem Prozess erzeugte Gasblasen, wie sie beispielsweise mit dem Bezugszeichen 7 in 1 angedeutet sind, an der Halbleiterscheibe (dem Wafer) und an der Beckenelektrode anhaften können. An der Halbleiterscheibe führen die Gasblasen zu Abschattungen während der Elektrolyse.As stated above, a problem can be that gas bubbles generated in the process, such as those with the reference symbol 7 in 1 are indicated, can adhere to the semiconductor wafer (the wafer) and to the pelvic electrode. The gas bubbles on the semiconductor wafer lead to shadowing during electrolysis.

Bei Beispielen kann das Abführen der Gasblasen zu und über die Kanten der Halbleiterscheibe hinweg durch zumindest eine der folgenden Maßnahmen bewirkt werden:

  • - gepulste Anströmung zur temporären Erhöhung des Medienstroms an der Unterseite der Halbleiterscheibe;
  • - gepulste Anströmung zur temporären Erhöhung des Medienstroms an der Unterseite der Halbleiterscheibe im Wechsel zum angelegten elektrischen Feld;
  • - gerichtete Anströmung des Elektrolyten an die Unterseite der Halbleiterscheibe;
  • - gerichteter Gasstoß alternativ zum flüssigen Anströmen;
  • - Verwenden eines zusätzlichen Ultraschall- oder Megaschall-Felds, um die Gasblasen in ihrer Bewegung im flüssigen Medium zu stören und/oder bereits anhaftende Gasblasen zu zerstören.
In examples, the gas bubbles can be removed to and across the edges of the semiconductor wafer by at least one of the following measures:
  • - pulsed inflow to temporarily increase the media flow on the underside of the semiconductor wafer;
  • - pulsed flow to temporarily increase the media flow on the underside of the semiconductor wafer alternating with the applied electrical field;
  • - Directed flow of the electrolyte to the underside of the semiconductor wafer;
  • - Directed gas surge as an alternative to the liquid flow;
  • - Use an additional ultrasound or megasound field to disturb the gas bubbles in their movement in the liquid medium and / or to destroy already attached gas bubbles.

Bei Beispielen kann die Ansammlung und Aggregierung von Gasblasen auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe durch eine oder mehrere der folgenden Maßnahmen verringert werden:

  • - eine variable Sequenz von Anströmung und Elektrolyse;
  • - eine variable Sequenz von Anströmung und Elektrolyse, wobei die Intensität von Anströmung und/oder Feldstärke der Elektrolyse auch variabel sein kann;
  • - gerichteter Abtransport von Gasblasen zur Beckenkante;
  • - Unterbrechung des Kontaktes zwischen Halbleiterscheibe und Flüssigkeit (Elektrolyt), um Gasblasen von der unteren Oberfläche der Halbeiterscheibe vollständig zu entfernt werden. Diese Unterbrechung kann durch Abheben der Halbleiterscheibe von der Badoberfläche erfolgen. Bei Abreißen des Kontakts gehen die Gasblasen in die das Elektrolytbecken umgebende Gasphase über. Nach kurzer Unterbrechung der Elektrolyse wird die Halbleiterscheibe wieder an der Badoberfläche positioniert und die Bildung des porösen Siliziums wird fortgesetzt. Dies kann beliebig oft und mit unterschiedlicher Dauer während eines Herstellungsprozesses in einem Becken vorgenommen werden. Das Abheben kann durch zwei unterschiedliche Möglichkeiten erreicht werden. Die erste Möglichkeit besteht darin, einen Abhebevorgang der Halbleiterscheibe unter Verwendung der Transportvorrichtung (parallel oder gewinkelt zum Elektrolytspiegel, Halbleiterscheibe kann mit Elektrolyt benetzt sein) und ein anschließendes Absetzen der Halbleiterscheibe auf der Badoberfläche durchzuführen. Die zweite Möglichkeit besteht darin, den Elektrolytspiegel innerhalb des Elektrolytbeckens abzusenken und wieder anzuheben.
In examples, the accumulation and aggregation of gas bubbles on the surface of the semiconductor wafer can be reduced by one or more of the following measures:
  • - a variable sequence of inflow and electrolysis;
  • - A variable sequence of flow and electrolysis, the intensity of the flow and / or field strength of the electrolysis can also be variable;
  • - directed removal of gas bubbles to the pool edge;
  • - Interruption of the contact between the semiconductor wafer and liquid (electrolyte) in order to completely remove gas bubbles from the lower surface of the semiconductor wafer. This interruption can take place by lifting the semiconductor wafer off the bath surface. When the contact breaks, the gas bubbles pass into the gas phase surrounding the electrolyte basin. After a brief interruption in the electrolysis, the semiconductor wafer is repositioned on the bath surface and the formation of the porous silicon continues. This can be done as often and with different durations in a basin during a manufacturing process. Withdrawal can be achieved in two different ways. The first possibility is to carry out a lifting process of the semiconductor wafer using the transport device (parallel or angled to the electrolyte mirror, semiconductor wafer can be wetted with electrolyte) and then to deposit the semiconductor wafer on the bath surface. The second option is to lower and raise the electrolyte level within the electrolyte basin.

Wie oben beschrieben wurde, sind bei Beispielen die Haltevorrichtung und Transportvorrichtung ausgelegt, um eine Behandlung unter statischen Bedingungen zu implementieren. Anders ausgedrückt ist die Vorrichtung ausgelegt, um während der Behandlung der Halbleiterscheibe, um die poröse Schicht zu erzeugen, die Position der Halbleiterscheibe in der Ebene parallel zu der Badoberfläche beizubehalten. Wie beschrieben wurde, kann bei Beispielen eine Rotation der Halbleiterscheibe und/oder ein zeitweises Trennen der Halbleiterscheibe von der Badoberfläche erfolgen.As described above, in examples, the holding device and transport device are designed to implement treatment under static conditions. In other words, the device is designed to maintain the position of the semiconductor wafer in the plane parallel to the bath surface during the treatment of the semiconductor wafer to produce the porous layer. As has been described, rotation of the semiconductor wafer and / or temporary separation of the semiconductor wafer from the bath surface can take place in examples.

Generell kann bei Beispielen die Vorrichtung ausgelegt sein, um die obigen Funktionen sowohl zur Behandlung der Halbleiterscheiben als auch zur Beseitigung der Gasblasenproblematik zu implementieren. Bei Beispielen kann die Vorrichtung eine entsprechende Steuerung aufweisen, die als eine Kombination von Hardware-Strukturen und maschinenlesbaren Befehlen implementiert sein kann. Bei Beispielen kann die Steuerung einen Prozessor und Speichereinrichtungen aufweisen, die maschinenlesbare Befehle speichern, die zur Durchführung von hierin beschriebenen Verfahren führen, wenn sie von dem Prozessor ausgeführt werden. Bei Beispielen kann die Steuerung ausgebildet sein, um die hierein beschriebenen Komponenten, wie z.B. die Transportvorrichtung, die Haltevorrichtung und/oder die Einrichtung zum Anlegen einer Spannung, zu steuern, um die hierin beschriebenen Funktionalitäten zu implementieren. Bei Beispielen kann die Steuerung getrennt von den Komponenten oder als Teil einer oder mehrerer dieser Komponenten vorgesehen sein.In general, in examples, the device can be designed to implement the above functions both for treating the semiconductor wafers and for eliminating the gas bubble problem. In examples, the device can have a corresponding controller, which can be implemented as a combination of hardware structures and machine-readable commands. In examples, the controller may include a processor and memory devices that store machine-readable instructions that result in performing the methods described herein when executed by the processor. In examples, the controller may be configured to incorporate the components described herein, such as control the transport device, the holding device and / or the device for applying a voltage in order to implement the functionalities described herein. In examples, the controller may be separate from the components or as part of one or more of these components.

Obwohl einige Aspekte der vorliegenden Offenbarung als Merkmale im Zusammenhang mit einer Vorrichtung beschrieben wurden, ist es klar, dass eine solche Beschreibung ebenfalls als eine Beschreibung entsprechender Verfahrensmerkmale betrachtet werden kann. Obwohl einige Aspekte als Merkmale im Zusammenhang mit einem Verfahren beschrieben wurden, ist klar, dass eine solche Beschreibung auch als eine Beschreibung entsprechender Merkmale einer Vorrichtung bzw. der Funktionalität einer Vorrichtung betrachtet werden können.Although some aspects of the present disclosure have been described as features in connection with an apparatus, it is clear that such a description can also be regarded as a description of corresponding method features. Although some aspects have been described as features in connection with a method, it is clear that such a description can also be regarded as a description of corresponding features of a device or the functionality of a device.

In der vorhergehenden detaillierten Beschreibung wurden teilweise verschiedene Merkmale in Beispielen zusammen gruppiert, um die Offenbarung zu rationalisieren. Diese Art der Offenbarung soll nicht als die Absicht interpretiert werden, dass die beanspruchten Beispiele mehr Merkmale aufweisen als ausdrücklich in jedem Anspruch angegeben sind. Vielmehr kann, wie die folgenden Ansprüche wiedergeben, der Gegenstand in weniger als allen Merkmalen eines einzelnen offenbarten Beispiels liegen. Folglich werden die folgenden Ansprüche hiermit in die detaillierte Beschreibung aufgenommen, wobei jeder Anspruch als ein eigenes separates Beispiel stehen kann. Während jeder Anspruch als ein eigenes separates Beispiel stehen kann, sei angemerkt, dass, obwohl sich abhängige Ansprüche in den Ansprüchen auf eine spezifische Kombination mit einem oder mehreren anderen Ansprüchen zurückbeziehen, andere Beispiele auch eine Kombination von abhängigen Ansprüchen mit dem Gegenstand jedes anderen abhängigen Anspruchs oder einer Kombination jedes Merkmals mit anderen abhängigen oder unabhängigen Ansprüchen umfassen. Solche Kombinationen seien umfasst, es sei denn, es ist ausgeführt, dass eine spezifische Kombination nicht beabsichtigt ist. Ferner ist beabsichtigt, dass auch eine Kombination von Merkmalen eines Anspruchs mit jedem anderen unabhängigen Anspruch umfasst ist, selbst wenn dieser Anspruch nicht direkt abhängig von dem unabhängigen Anspruch ist.In the foregoing detailed description, various features have in part been grouped together in examples to rationalize the disclosure. This type of disclosure should not be interpreted as the intent that the claimed examples have more features than expressly stated in each claim. Rather, as the following claims reflect, the subject matter may be less than all of the features of a single disclosed example. Accordingly, the following claims are hereby incorporated into the Detailed Description, with each claim standing on its own as a separate example. While each claim may stand as its own separate example, it should be noted that, although dependent claims in the claims relate to a specific combination with one or more other claims, other examples also combine the dependent claims with the subject matter of each other dependent claim or a combination of each feature with other dependent or independent claims. Such combinations are included unless stated that a specific combination is not intended. It is also intended that a combination of features of a claim be included with any other independent claim, even if that claim is not directly dependent on the independent claim.

Die oben beschriebenen Beispiele sind nur darstellend für die Grundsätze der vorliegenden Offenbarung. Es ist zu verstehen, dass Modifikationen und Variationen der Anordnungen und der Einzelheiten, die beschrieben sind, für Fachleute offensichtlich sind. Es ist daher beabsichtigt, dass die Offenbarung nur durch die beigefügten Patentansprüche und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die zum Zweck der Beschreibung und Erklärung der Beispiele dargelegt sind, begrenzt ist.The examples described above are only illustrative of the principles of the present disclosure. It is to be understood that modifications and variations in the arrangements and details described are obvious to those skilled in the art. It is therefore intended that the disclosure be limited only by the appended claims and not by the specific details set forth for the purpose of describing and explaining the examples.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 19936569 A1 [0004]DE 19936569 A1 [0004]
  • DE 102013221522 A1 [0005]DE 102013221522 A1 [0005]
  • DE 102015121636 A1 [0006]DE 102015121636 A1 [0006]
  • DE 102012210618 A1 [0007]DE 102012210618 A1 [0007]

Claims (11)

Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Seite, mit folgenden Merkmalen: einem Elektrolytbad mit einer ersten Elektrode; einer Haltevorrichtung mit einer zweiten Elektrode, wobei die Haltevorrichtung ausgebildet ist, um eine Halbleiterscheibe zu halten; einer Transportvorrichtung, die ausgebildet ist, um die Haltevorrichtung in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu einer Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, zu bewegen, um eine erste Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen, während eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe nicht mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird, und um die Halbleiterscheibe nach dem Erzeugen einer porösen Schicht auf der ersten Hauptoberfläche von dem Elektrolytbad zu entfernen; und einer Einrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrode während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist, um durch Elektrolyse die poröse Schicht auf der ersten Hauptoberfläche und nicht der zweiten Hauptoberfläche zu erzeugen.Device for producing semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous side, with the following features: an electrolyte bath with a first electrode; a holding device with a second electrode, the holding device being designed to hold a semiconductor wafer; a transport device, which is designed to move the holding device in a movement direction, which has an angle of 90 ° ± 45 ° relative to a bath surface of the electrolyte bath, to bring a first main surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolyte bath while a the second main surface of the semiconductor wafer, which is opposite the first main surface, is not brought into contact with the electrolyte bath, and in order to remove the semiconductor wafer from the electrolyte bath after the formation of a porous layer on the first main surface; and means for applying a voltage between the first and second electrodes while the semiconductor wafer is in contact with the electrolyte bath in order to produce the porous layer on the first main surface and not on the second main surface by electrolysis. Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine oder mehrere Spül/Reinigungsstationen aufweist, wobei die Transportvorrichtung ausgelegt ist, um die Haltevorrichtung zwischen der einen oder den mehreren Spül/Reinigungsstationen und dem Elektrolytbad zu bewegen.Device after Claim 1 which further comprises one or more rinsing / cleaning stations, the transport device being designed to move the holding device between the one or more rinsing / cleaning stations and the electrolyte bath. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine Ätzstation aufweist, die ausgelegt ist, um die poröse Schicht zumindest teilweise zurückzuätzen, wobei die Transportvorrichtung ausgelegt ist, um die Haltevorrichtung zu der Ätzstation zu bewegen.Device after Claim 1 or 2 further comprising an etching station configured to at least partially etch back the porous layer, the transport device being configured to move the holding device to the etching station. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, die mehrere Elektrolytbäder, Haltevorrichtungen und Transportvorrichtungen aufweist, wobei die Vorrichtung ausgelegt ist, um eine poröse Schicht auf mehreren Halbleiterscheiben parallel oder zeitversetzt zu erzeugen.Device according to one of the Claims 1 to 3 which has a plurality of electrolyte baths, holding devices and transport devices, the device being designed to produce a porous layer on a plurality of semiconductor wafers in parallel or with a time delay. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die Transportvorrichtung ausgelegt ist, um die Haltevorrichtung dreidimensional im Raum zu bewegen.Device according to one of the Claims 1 to 4 , in which the transport device is designed to move the holding device three-dimensionally in space. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Haltevorrichtung ausgelegt ist, um eine Halbleiterscheibe oder eine Mehrzahl von Halbleiterscheiben mit koplanar ausgerichteten ersten Hauptoberflächen zu halten.Device according to one of the Claims 1 to 5 , in which the holding device is designed to hold a semiconductor wafer or a plurality of semiconductor wafers with coplanarly aligned first main surfaces. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Transportvorrichtung ausgebildet ist, um die Haltevorrichtung um eine Achse, die senkrecht zur Badoberfläche des Elektrolytbads ist, zu drehen, während die Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist.Device according to one of the Claims 1 to 6 , in which the transport device is designed to rotate the holding device about an axis which is perpendicular to the bath surface of the electrolyte bath, while the main surface of the semiconductor wafer is in contact with the electrolyte bath. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der die Haltevorrichtung Mittel zum Erzeugen eines Vakuums, um die Halbleiterscheibe zu halten, aufweist.Device according to one of the Claims 1 to 7 , wherein the holding device has means for generating a vacuum to hold the semiconductor wafer. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die ferner eine Einrichtung zum Entfernen und/oder Weghalten von Gasblasen von der in Kontakt mit dem Elektrolytbad gebrachten Oberfläche der Halbleiterscheibe aufweist.Device according to one of the Claims 1 to 8th which further comprises a device for removing and / or holding gas bubbles away from the surface of the semiconductor wafer brought into contact with the electrolyte bath. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben, mit einer porösen Seite, mit folgenden Merkmalen: Bewegen einer Haltevorrichtung, die eine Halbleiterscheibe hält, zu einem Elektrolytbad in einer Bewegungsrichtung, die einen Winkel von 90° ± 45° relativ zu der Badoberfläche des Elektrolytbads aufweist, um eine erste Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad zu bringen, während eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe nicht mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wird; Anlegen einer Spannung zwischen einer ersten Elektrode des Elektrolytbads und einer zweiten Elektrode der Haltevorrichtung während die Halbleiterscheibe in Kontakt mit dem Elektrolytbad ist, um durch Elektrolyse die poröse Schicht auf der ersten Hauptoberfläche und nicht der zweiten Hauptoberfläche zu erzeugen; und Bewegen der Haltevorrichtung, die die Halbleiterscheibe hält, weg von dem Elektrolytbad, um die Halbleiterscheibe von dem Elektrolytbad zu entfernen.Process for the production of semiconductor wafers, in particular silicon wafers, with a porous side, with the following features: Moving a holding device, which holds a semiconductor wafer, to an electrolyte bath in a direction of movement, which is at an angle of 90 ° ± 45 ° relative to the bath surface of the electrolyte bath, in order to bring a first main surface of the semiconductor wafer into contact with the electrolyte bath while one of the first main surface opposite second main surface of the semiconductor wafer is not brought into contact with the electrolyte bath; Applying a voltage between a first electrode of the electrolytic bath and a second electrode of the holding device while the semiconductor wafer is in contact with the electrolytic bath in order to produce the porous layer on the first main surface and not on the second main surface by electrolysis; and Moving the wafer holding device away from the electrolyte bath to remove the wafer from the electrolyte bath. Verfahren nach Anspruch 10, das ferner ein Entfernen und/oder Weghalten von Gasblasen von der Oberfläche des Halbleitersubstrats, die mit dem Elektrolytbad in Kontakt gebracht wurde, aufweist.Procedure according to Claim 10 , further comprising removing and / or holding gas bubbles from the surface of the semiconductor substrate that has been brought into contact with the electrolytic bath.
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