DE102019206868A1

DE102019206868A1 - Field facet mirror for illumination optics of a projection exposure apparatus

Info

Publication number: DE102019206868A1
Application number: DE102019206868.5A
Authority: DE
Inventors: Andreas Schmehl; Johannes Eisenmenger; Joachim Hartjes; Heiko Siekmann; Thomas Fischer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-05-13
Filing date: 2019-05-13
Publication date: 2019-07-04
Also published as: DE102020200159A1

Abstract

Ein Feldfacettenspiegel (13) für eine Beleuchtungsoptik (4) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) weist Feldfacetten (19) mit abgesetzten Oberflächenbereichen (37) auf.A field facet mirror (13) for illumination optics (4) of a projection exposure apparatus (1) has field facets (19) with stepped surface regions (37).

Description

Die Erfindung betrifft einen Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Feldfacette eines derartigen Feldfacettenspiegels. Außerdem betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Feldfacettenspiegel, eine Beleuchtungssystem und ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie ein entsprechend hergestelltes Bauelement.The invention relates to a field facet mirror for illumination optics of a projection exposure apparatus. The invention further relates to a method for producing a field facet of such a field facet mirror. In addition, the invention relates to an illumination optics with such a field facet mirror, a lighting system and an optical system with such illumination optics and a projection exposure apparatus with such a lighting system. Finally, the invention relates to a method for producing a micro- or nanostructured component as well as a correspondingly manufactured component.

Aus der US 9,482,959 B2 ist eine Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Feldfacettenspiegel mit einer Vielzahl von Feldfacetten bekannt.From the US 9,482,959 B2 For example, illumination optics for a projection exposure apparatus having a field facet mirror with a multiplicity of field facets is known.

Bei derartigen Systemen besteht stets der Bedarf, die zur Verfügung gestellte Beleuchtungsstrahlung bestmöglich auszunutzen.In such systems, there is always the need to make the best possible use of the available illumination radiation.

Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, einen Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.It is therefore an object of the invention to improve a field facet mirror for illumination optics of a projection exposure apparatus.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.This object is solved by the features of claim 1.

Der Kern der Erfindung besteht darin, einen Feldfacettenspiegel derart auszubilden, dass zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten jeweils einen Facettengrundkörper mit einem abgesetzten Oberflächenbereich aufweist. Der abgesetzte Oberflächenbereich kann insbesondere ausgefräst und/oder aufgeraut und/oder beschichtet sein. Der abgesetzte Oberflächenbereich kann insbesondere im Bereich von 10 µm bis 2 mm, insbesondere im Bereich von 20 µm bis 1 mm abgesetzt sein. Derartige Facetten werden auch als Relieffacetten (Oberflächenbereich um 10 µm bis 50 µm, insbesondere ca. 20 µm abgesetzt) beziehungsweise Stufenfacetten (Oberflächenbereich um 0,5 mm bis 2 mm, insbesondere um ca. 1 mm abgesetzt) bezeichnet.The essence of the invention is to form a field facet mirror in such a way that at least a subset of the field facets each have a facet main body with a stepped surface area. The settled surface area can in particular be milled and / or roughened and / or coated. The settled surface area can be deposited in particular in the range of 10 μm to 2 mm, in particular in the range of 20 μm to 1 mm. Such facets are also referred to as relief facets (surface area deposited by 10 .mu.m to 50 .mu.m, in particular approximately 20 .mu.m) or stepped facets (surface area being deposited by 0.5 mm to 2 mm, in particular by approximately 1 mm).

Feldfacetten mit einem derartig abgesetzten Oberflächenbereich können zur Sicherstellung eines scharf definierten Fernfeldrandes dienen. Sie sind nahezu kostenneutral herstellbar. Sie weisen dieselben Gesamtabmessungen auf wie entsprechende Feldfacetten ohne einen abgesetzten Oberflächenbereich. Sie sind daher ohne zusätzlichen Extraaufwand verarbeitbar.Field facets with such a deposited surface area can serve to ensure a sharply defined far field edge. They can be produced almost cost-neutral. They have the same overall dimensions as corresponding field facets without a remote surface area. They are therefore processable without additional extra effort.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten jeweils Oberflächenbereiche mit unterschiedlichen Reflektivitäten auf. Hierbei kann es sich insbesondere um die abgesetzten Oberflächenbereiche handeln. Unterschiedliche, insbesondere reduzierte Reflektivitäten können beispielsweise durch eine Aufrauhung der Oberflächen und/oder durch eine spezielle Beschichtung, insbesondere eine strahlungsabsorbierende Beschichtung, erzeugt werden.According to a further aspect of the invention, at least a subset of the field facets each have surface areas with different reflectivities. These may be, in particular, the settled surface areas. Different, in particular reduced, reflectivities can be produced, for example, by roughening the surfaces and / or by means of a special coating, in particular a radiation-absorbing coating.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung weisen die Oberflächenbereiche mit homogener Reflektivität jeweils eine wegzusammenhängende, insbesondere eine einfach zusammenhängende Topologie auf. Die Facetten weisen insbesondere eine effektive Reflexionsfläche auf, welche einfach zusammenhängend ausgebildet ist. Unter der effektiven Reflexionsfläche sei der Bereich mit der Facette mit der größten Reflektivität für die Beleuchtungsstrahlung verstanden.According to one aspect of the invention, the surface areas with homogeneous reflectivity each have a path-connected, in particular a simply connected topology. In particular, the facets have an effective reflection surface, which is simply coherent. The effective reflection surface should be understood as the region with the facet with the greatest reflectivity for the illumination radiation.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten jeweils mit einem Blendenelement versehen. Hierbei kann es sich um eine Blende handeln, welche beispielsweise mit dem Facettengrundkörper verschraubt wird. Die Blende kann auch mittels Form- und/oder Kraftschlusses mit dem Facettengrundkörper verbunden werden. Als Blende kann auch eine Beschichtung vorgesehen sein.According to a further aspect of the invention, at least a subset of the field facets are each provided with an aperture element. This may be a diaphragm which is screwed, for example, to the facet main body. The panel can also be connected by means of positive and / or frictional connection with the facet main body. As a diaphragm, a coating can also be provided.

Das Blendenelement ist vorzugsweise thermisch an den Facettengrundkörper angebunden. Der thermale Widerstand zwischen der Blende und dem Facettengrundkörper liegt insbesondere im Bereich von 20 K/W bis 30 K/W.The diaphragm element is preferably thermally connected to the facet main body. The thermal resistance between the diaphragm and the facet main body is in particular in the range of 20 K / W to 30 K / W.

Das Blendenelement überdeckt jeweils nur einen Teilbereich der Reflexionsfläche beziehungsweise des Grundkörpers der jeweiligen Facette. Der Teilbereich weist insbesondere eine Fläche im Bereich von 5 % bis 95 %, insbesondere im Bereich von 10 % bis 90 %, insbesondere von höchstens 50 %, insbesondere höchstens 40 %, insbesondere höchstens 30 % der Gesamtreflexionsfläche beziehungsweise der Gesamtfläche der jeweiligen Facette auf.The diaphragm element covers only a portion of the reflection surface or the base body of the respective facet. In particular, the subarea has an area in the range from 5% to 95%, in particular in the range from 10% to 90%, in particular at most 50%, in particular at most 40%, in particular at most 30% of the total reflection surface or the total area of the respective facet.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist das Blendenelement einen Anteil aus Nickel oder einer Nickelverbindung auf. Dies hat sich insbesondere für EUV-Beleuchtungsoptiken bewährt.According to a further aspect of the invention, the diaphragm element has a nickel or nickel compound portion. This has proven particularly useful for EUV illumination optics.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist die Form der Feldfacetten jeweils an die Form des auszuleuchtenden Objektfeldes angepasst. Aufgrund der abgesetzten Oberflächenbereiche gemäß der vorhergehenden Beschreibung trägt bei zumindest einer Teilmenge der Feldfacetten jedoch lediglich ein Teilbereich der Reflexionsfläche zur Ausleuchtung des Objektfeldes bei. Derartige Facetten werden daher auch als Teilfeld-Facetten (sub-field Facetten) bezeichnet.According to a further aspect of the invention, the shape of the field facets is adapted in each case to the shape of the object field to be illuminated. Due to the settled surface areas according to the preceding description, however, in at least a subset of the field facets, only a partial area of the reflection area contributes to the illumination of the object field. Such facets are therefore also referred to as sub-field facets.

Durch Einsatz entsprechender Teilfeld-Facetten kann die Lichtausnutzung verbessert werden. Derartige Teilfeld-Facetten ermöglichen es insbesondere, die Transmission des Beleuchtungssystems zu erhöhen. By using appropriate subfield facets, the light utilization can be improved. Such subfield facets make it possible, in particular, to increase the transmission of the illumination system.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind die abgesetzten Oberflächenbereiche derart ausgebildet, dass die Bilder der Feldfacetten in der Objektebene in Cross-Scan-Richtung Abmessungen aufweisen, welche um höchstens 10%, insbesondere höchstens 5%, insbesondere höchstens 3%, insbesondere höchstens 2%, insbesondere höchstens 1%, voneinander abweichen. Die Bilder weisen insbesondere in Cross-Scan-Richtung gleiche Längen auf.According to a further aspect of the invention, the offset surface areas are formed such that the images of the field facets in the object plane in the cross-scan direction have dimensions which are at most 10%, in particular at most 5%, in particular at most 3%, in particular at most 2%. , in particular at most 1%, differ from each other. The images have the same lengths, in particular in the cross-scan direction.

Mit Hilfe der abgesetzten Oberflächenbereiche kann insbesondere eine positionsabhängige Variation des Abbildungsmaßstabs ausgeglichen werden.In particular, a position-dependent variation of the image scale can be compensated with the aid of the offset surface areas.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass bei identisch großen Feldfacetten deren Bildgröße systematisch mit der Position auf dem Feldfacettenspiegel variiert.According to the invention, it has been recognized that, with identically sized field facets, their image size varies systematically with the position on the field facet mirror.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten, insbesondere mindestens 50%, insbesondere mindestens 60%, insbesondere mindestens 70%, insbesondere mindestens 80%, insbesondere mindestens 90% der Feldfacetten Grundkörper mit identischen Abmessungen auf.According to a further aspect of the invention, at least a subset of the field facets, in particular at least 50%, in particular at least 60%, in particular at least 70%, in particular at least 80%, in particular at least 90%, of the field facets have base bodies with identical dimensions.

Hierbei können Feldfacetten mit identischen Facettengrundkörpern aufgrund der abgesetzten Oberflächenbereiche unterschiedliche effektive Reflexionsflächen aufweisen.In this case, field facets with identical facet main bodies can have different effective reflection surfaces due to the offset surface areas.

Die identische Ausbildung der Facettengrundkörper erleichtert die Herstellung, insbesondere die automatisierte Herstellung, und/oder Anordnung der Feldfacetten auf dem Feldfacettenspiegel. Durch die abgesetzten Oberflächenbereiche wird es ermöglicht, die effektiven Reflexionsflächen, d.h. die Bereiche der Reflexionsflächen der Feldfacetten, welche zur Überführung von Beleuchtungsstrahlung zum nachgeordneten zweiten Facettenspiegel, insbesondere zum Objektfeld beitragen, flexibel zu modifizieren. Die effektiven Reflexionsflächen können insbesondere flexibel an vorgegebene Randbedingungen angepasst werden. Mit Hilfe der abgesetzten Oberflächenbereiche ist es insbesondere möglich, eine scharfe Fernfeldberandung sicherzustellen.The identical design of the facet main body facilitates the production, in particular the automated production, and / or arrangement of the field facets on the field facet mirror. The offset surface areas enable the effective reflection areas, i. the regions of the reflection surfaces of the field facets, which contribute to the transfer of illumination radiation to the downstream second facet mirror, in particular to the object field, to flexibly modify. The effective reflection surfaces can in particular be adapted flexibly to given boundary conditions. In particular, it is possible to ensure a sharp far-field boundary with the aid of the offset surface areas.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit folgenden Schritten gelöst:

- Bereitstellen eines Facettengrundkörpers,
- Herstellen eines von einem Reflexionsbereich abgesetzten Bereichs, insbesondere eines abgesetzten Randbereichs und
- Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung auf den Reflexionsbereich.

A further object of the invention is to improve a method for producing a field facet of a field facet mirror. This task is solved by a procedure with the following steps:

Providing a facet main body,
Producing a region offset from a reflection region, in particular a stepped edge region, and
- Applying a reflective coating on the reflection area.

Der abgesetzte Bereich kann insbesondere durch Ausfräsen des Facettengrundkörpers hergestellt werden.The offset region can in particular be produced by milling out the facet main body.

Der Facettengrundkörper kann insbesondere aus Metall hergestellt sein.The facet main body can in particular be made of metal.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird der abgesetzte Bereich beim Aufbringen der Reflexionsbeschichtung mit einer Beschichtungsblende abgedeckt. Gemäß einem alternativen Aspekt wird auch der abgesetzte Bereich mit einer Reflexionsbeschichtung versehen. Er kann aufgrund der aufgerauten Oberfläche dennoch eine geringere Reflektivität aufweisen als der Reflexionsbereich.According to one aspect of the invention, the deposited area is covered with a coating panel during the application of the reflection coating. According to an alternative aspect, the recessed area is also provided with a reflection coating. However, due to the roughened surface, it can nevertheless have a lower reflectivity than the reflection region.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Blendenelement am Facettengrundkörper angebracht. Das Blendenelement kann insbesondere mit dem Facettengrundkörper verschraubt werden. Es kann auch mittels Form- und/oder Kraftschlusses mit dem Facettengrundkörper verbunden sein.According to a further aspect of the invention, an aperture element is attached to the facet main body. The diaphragm element can in particular be screwed to the facet main body. It can also be connected by means of positive and / or frictional connection with the facet main body.

Bei dem Blendenelement kann es sich insbesondere um ein den Facetten-Randbereich umfassendes Formelement handeln.In particular, the diaphragm element can be a molded element that encompasses the facet edge area.

Weitere Aufgaben der Erfindung bestehen darin, eine Beleuchtungsoptik, ein Beleuchtungssystem und ein optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage beziehungsweise eine Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch einen Feldfacettenspiegel gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Feldfacettenspiegels.Further objects of the invention are to improve an illumination optics, an illumination system and an optical system for a projection exposure apparatus or a projection exposure apparatus. These objects are achieved by a field facet mirror as described above. The advantages result from those of the field facet mirror.

Es kann sich insbesondere um eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage beziehungsweise Teilsysteme einer derartigen EUV-Projektionsbelichtungsanlage handeln.In particular, it can be an EUV projection exposure apparatus or subsystems of such an EUV projection exposure apparatus.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie ein entsprechend hergestelltes Bauelement zu verbessern.A further object of the invention is to improve a method for producing a microstructured or nanostructured component as well as a correspondingly produced component.

Diese Aufgaben werden durch Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Feldfacettenspiegel gemäß der vorhergehenden Beschreibung gelöst. Die Vorteile ergeben sich aus denen des Feldfacettenspiegels.These objects are achieved by providing a projection exposure apparatus with a field facet mirror according to the preceding one Description solved. The advantages result from those of the field facet mirror.

Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigen:

1 schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie,
2 schematisch eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel mit einer Vielzahl von Feldfacetten, welche in mehreren Feldfacetten-Riegeln angeordnet sind,
3 schematisch eine Ansicht einer sogenannten Teilfeld-Facette (sub-field-Facette) mit Oberflächenbereichen unterschiedlicher Reflektivitäten,
4 schematisch eine Ansicht einer Stufenfacette mit einem abgesetzten Bereich und einer Beschichtungsblende,
5 schematisch eine Ansicht einer Relieffacette mit einem abgesetzten Bereich und einer Beschichtungsblende,
6 schematisch eine Ansicht einer Feldfacette mit einem abgesetzten Bereich und einer am Facettengrundkörper angeordneten Blende,
7 schematisch eine Ansicht einer Feldfacette mit einer am Grundkörper angeordneten Blende gemäß einer Variante und
8 eine Detailansicht eines Querschnitts des Blendenelements gemäß 7.

Further details and advantages of the invention will become apparent from the description of embodiments with reference to FIGS. Show it:

1 schematically in a meridional section a projection exposure apparatus for microlithography,
2 2 is a schematic plan view of a field facet mirror having a plurality of field facets arranged in a plurality of field facet bars;
3 1 is a schematic view of a so-called subfield facet with surface areas of different reflectivities;
4 2 is a schematic view of a stepped facet having a stepped area and a coating panel;
5 1 is a schematic view of a relief facet with a stepped area and a coating panel;
6 1 is a schematic view of a field facet having a stepped region and a diaphragm arranged on the facet main body;
7 schematically a view of a field facet with an arranged on the body aperture according to a variant and
8th a detailed view of a cross section of the diaphragm element according to 7 ,

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfelds 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der 1 nicht dargestelltes Retikel, das eine mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiter-Bauelemente zu projizierende Struktur trägt. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for microlithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a radiation source 3 an illumination optics 4 for the exposure of an object field 5 in an object plane 6 , One is exposed in the object field 5 arranged and in the 1 not shown reticle, the one with the projection exposure system 1 contributes to the production of microstructured or nanostructured semiconductor devices to be projected structure.

Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfelds 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird die Struktur auf dem Retikel auf eine strahlungsempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung nicht dargestellt ist.A projection optics 7 serves to represent the object field 5 in a picture field 8th in an image plane 9 , The structure on the reticle is shown on a radiation-sensitive layer in the area of the image field 8th in the picture plane 9 arranged wafer, which is not shown in the drawing.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge Produced Plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV-Strahlungsquellen, beispielsweise solche, die auf einem Synchrotron basieren, sind möglich.At the radiation source 3 it is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gas discharge produced plasma) or an LPP source. Source (plasma generation by laser, laser produced plasma) act. Other EUV radiation sources, such as those based on a synchrotron, are possible.

EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 11 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist beispielsweise aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch eine Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 13 trifft. Der Feldfacettenspiegel 13 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist.EUV radiation 10 coming from the radiation source 3 emanating from a collector 11 bundled. A corresponding collector is for example from the EP 1 225 481 A known. After the collector 11 propagates the EUV radiation 10 through an intermediate focus level 12 before moving to a field facet mirror 13 meets. The field facet mirror 13 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated.

Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungsstrahlung oder als Abbildungsstrahlung bezeichnet.The EUV radiation 10 is also referred to below as illumination radiation or as imaging radiation.

Nach dem Feldfacettenspiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs für die EUV-Strahlung 10 bezeichneten Spiegeln 16, 17 und 18 werden Feldfacetten 19 (vgl. 2) des Feldfacettenspiegels 13 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertragungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing incidence Spiegel“). Die Übertragungsoptik 15 wird zusammen mit dem Pupillenfacettenspiegel 14 auch als Folgeoptik zur Überführung der EUV-Strahlung 10 vom Feldfacettenspiegel 13 hin zum Objektfeld 5 bezeichnet.After the field facet mirror 13 becomes the EUV radiation 10 from a pupil facet mirror 14 reflected. The pupil facet mirror 14 is in a plane of illumination optics 4 arranged to a pupil plane of the projection optics 7 is optically conjugated. Using the pupil facet mirror 14 and an imaging optical assembly in the form of a transmission optics 15 with in the order of the beam path for the EUV radiation 10 designated mirrors 16 . 17 and 18 become field facets 19 (see. 2 ) of the field facet mirror 13 overlapping each other in the object field 5 displayed. The last mirror 18 the transmission optics 15 is a grazing incidence mirror. The transmission optics 15 becomes along with the pupil facet mirror 14 also as a follow-up optics for the transfer of EUV radiation 10 from the field facet mirror 13 towards the object field 5 designated.

Zur Erleichterung der Erläuterung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene auf den Betrachter zu. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben.To facilitate the explanation of positional relationships, a Cartesian xyz coordinate system is used below. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane towards the viewer. The y-axis runs in the 1 to the right. The z-axis runs in the 1 up.

Das Retikel, das von einem nicht dargestellten Retikelhalter gehalten ist, und der Wafer, der von einem nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist, werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron in der y-Richtung gescannt.The reticle, which is held by a reticle holder, not shown, and the wafer, which is held by a wafer holder, not shown, are in operation of the projection exposure apparatus 1 scanned synchronously in the y-direction.

Es kann auch ein gegenläufiges Scannen des Retikels relativ zum Wafer stattfinden.It can also take place an opposite scan of the reticle relative to the wafer.

Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf den Wafer zur lithographischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements, insbesondere eines Halbleiterbauelements, zum Beispiel eines Mikrochips, abgebildet. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer hergestellt.With the help of the projection exposure system 1 At least a portion of the reticle is applied to a portion of a photosensitive layer on the wafer for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component, in particular of a semiconductor component, for example of a microchip. By developing the photosensitive layer, a microstructure or nanostructure is then produced on the wafer.

Das Objektfeld 5 kann bogenförmig oder rechteckig ausgeführt sein. Das Aspektverhältnis aus x- und y-Erstreckung des Objektfelds 5 korreliert mit dem Aspektverhältnis der Feldfacetten 19. In den dargestellten Ausführungsbeispielen sind die Feldfacetten 19 bogenförmig. Sie können grundsätzlich auch rechteckig ausgebildet sein.The object field 5 can be arcuate or rectangular. The aspect ratio of the x and y extents of the object field 5 correlates with the aspect ratio of the field facets 19 , In the illustrated embodiments, the field facets are 19 arcuate. In principle, they can also be rectangular.

Das x/y-Aspektverhältnis des Objektfeldes 5 beträgt beispielsweise 13/1. Auch andere Aspektverhältnisse, die größer sind als 1, sind möglich. Aufgrund dieser Aspektverhältnisse wird die x-Achse auch als lange Feldachse und die y-Achse auch als kurze Feldachse bezeichnet.The x / y aspect ratio of the object field 5 is for example 13/1. Other aspect ratios greater than 1 are possible. Because of these aspect ratios, the x-axis is also referred to as a long field axis and the y-axis as a short field axis.

Die Feldfacetten 19 weisen ein Aspektverhältnis auf, welches an das Aspektverhältnis des Objektfeldes 5 angepasst ist.The field facets 19 have an aspect ratio which corresponds to the aspect ratio of the object field 5 is adjusted.

Die Feldfacetten 19 des Feldfacettenspiegels 13 sind in Feldfacettenblöcke 20 mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacetten 19 zusammengefasst. Die Feldfacettenblöcke 20 werden auch als Riegel beziehungsweise Feldfacettenriegel bezeichnet. Die Feldfacettenblöcke 20 sind auf einem Feldfacettenträger 21 angeordnet, der in der Praxis in mehreren Freiheitsgraden justierbar ist. Eine Oberfläche des Feldfacettenträgers 21, auf der die Feldfacettenblöcke 20 angeordnet sind, gibt eine Hauptebene des Feldfacettenspiegels 13 vor. Bestimmte der Feldfacetten 19 oder alle Feldfacetten 19 sind in Bezug auf die Hauptebene des Feldfacettenspiegels 13 individuell um Kippwinkel verkippt, die beispielsweise größer sind als 0,5°. Für bestimmte der Feldfacetten 19 kann der Kippwinkel auch größer sein als 1°, größer als 2°, größer als 3° oder auch größer als 5°. Auch deutlich größere Kippwinkel als 5° zur Hauptebene des Feldfacettenspiegels 13 sind möglich. Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 13 können auch die Feldfacettenblöcke 20 gegenüber dem Feldfacettenträger 21 justierbar ausgeführt sein.The field facets 19 of the field facet mirror 13 are in field faceted blocks 20 each with a plurality of field facets 19 summarized. The field faceted blocks 20 are also referred to as bars or field faceted bars. The field faceted blocks 20 are on a field facet carrier 21 arranged, which is adjustable in practice in several degrees of freedom. A surface of the field facet carrier 21 on which the field facet blocks 20 are disposed, there is a main plane of the field facet mirror 13 in front. Certain of the field facets 19 or all field facets 19 are with respect to the major plane of the field facet mirror 13 individually tilted by tilt angle, for example, greater than 0.5 °. For certain of the field facets 19 The tilt angle can also be greater than 1 °, greater than 2 °, greater than 3 ° or greater than 5 °. Also significantly larger tilt angles than 5 ° to the main plane of the field facet mirror 13 are possible. Depending on the version of the field facet mirror 13 also the field facet blocks 20 opposite the field facet carrier 21 be made adjustable.

Der Pupillenfacettenspiegel 14 hat eine Mehrzahl runder oder polygonförmiger Pupillenfacetten 22, die beispielsweise hexagonal dicht gepackt auf einem Pupillenfacettenträger angeordnet sind.The pupil facet mirror 14 has a plurality of round or polygonal pupil facets 22 , which are arranged, for example, hexagonal close packed on a Pupillenfacettenträger.

Die Feldfacetten 19 und die Pupillenfacetten 22 können eine abbildende Wirkung haben und beispielsweise sphärisch, elliptisch oder torisch konkav geformt sein.The field facets 19 and the pupil facets 22 may have an imaging effect and, for example, be spherically, elliptically or toric concave shaped.

Der Pupillenfacettenträger kann entsprechend dem Feldfacettenträger 21 justierbar ausgeführt sein. Alternativ oder zusätzlich zu einer Justierbarkeit des Pupillenfacettenträgers können auch die einzelnen Pupillenfacetten 22 zum Pupillenfacettenträger justierbar ausgeführt sein.The pupil facet carrier may correspond to the field facet carrier 21 be made adjustable. Alternatively or in addition to an adjustability of the pupil facet carrier, the individual pupil facets can also be used 22 be made adjustable to Pupillenfacettenträger.

Die hochreflektierende Beschichtung auf den Facetten 19, 22 ist in der Praxis eine Mehrlagen-(Multilayer)-Beschichtung mit alternierenden Molybdän- und Silizium-Schichten. Auch andere Beschichtungsmaterialien zur Herstellung einer solchen MehrlagenBeschichtung sind möglich. Bei den Facetten 19, 22 handelt es sich um Spiegelfacetten für die EUV-Strahlung 10. Zur Justierung einzelner Feldfacettenblöcke 20 und/oder einzelner Pupillenfacetten 22 können diese Komponenten individuell mit ihnen zugeordneten Aktoren verbunden sein. Diese Aktoren können so ausgeführt sein, dass sie eine Verkippung der individuellen Feldfacettenblöcke bzw. der individuellen Facetten um zwei in der Reflexionsebene des jeweiligen Facettenblocks bzw. der jeweiligen Facette liegende Achsen ermöglichen.The highly reflective coating on the facets 19 . 22 is in practice a multi-layer coating with alternating molybdenum and silicon layers. Other coating materials for producing such a multilayer coating are also possible. At the facets 19 . 22 these are mirror facets for EUV radiation 10 , For adjustment of individual field facet blocks 20 and / or individual pupil facets 22 For example, these components can be individually connected to actuators associated with them. These actuators may be designed such that they allow a tilting of the individual field facet blocks or the individual facets about two axes lying in the reflection plane of the respective facet block or the respective facet.

Die Feldfacetten 19 sind den Pupillenfacetten 22 jeweils individuell zugeordnet, so dass auf jeweils eine der Feldfacetten 19 treffende Anteile des Beleuchtungsstrahlungsbündels der EUV-Strahlung 10 über die zugeordnete Pupillenfacette 22 weiter zum Objektfeld 5 geführt werden. Durch die beiden Facettenspiegel 13, 14 ist daher eine Mehrzahl von Ausleuchtungskanälen definiert, die die EUV-Strahlung 10 kanalweise hin zum Objektfeld 5 führen.The field facets 19 are the pupil facets 22 each individually assigned, so that in each case one of the field facets 19 striking portions of the illumination beam of the EUV radiation 10 over the assigned pupil facet 22 continue to the object field 5 be guided. Through the two facet mirrors 13 . 14 Therefore, a plurality of illumination channels is defined as the EUV radiation 10 channel by channel to the object field 5 to lead.

Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf die 3 in Verbindung mit einer der 4 bis 7 Varianten von Feldfacetten 19 eines verbesserten Feldfacettenspiegels 13 beschrieben. Diese Varianten sind prinzipiell frei miteinander und mit anderen Ausführungen der Feldfacetten 19 kombinierbar.The following are with reference to the 3 in conjunction with one of 4 to 7 Variants of field facets 19 an improved field facet mirror 13 described. These variants are in principle free with each other and with other versions of the field facets 19 combined.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es zur bestmöglichen Ausnutzung der Beleuchtungsstrahlung 10, insbesondere zur Erhöhung der Transmission der Beleuchtungsoptik vorteilhaft sein kann, Teilfeldfacetten (sub-field-Facetten) zu verwenden. Hierunter sind insbesondere Feldfacetten 19 verstanden, deren Kontur 34 sich über den Fernfeldrand 35 hinaus erstreckt.According to the invention, it has been recognized that it is the best possible use of the illumination radiation 10 , in particular for increasing the transmission of the illumination optics may be advantageous to use subfield facets. These include, in particular, field facets 19 understood, its contour 34 over the far field edge 35 extends beyond.

Bei derartigen Teilfeldfacetten trägt nur ein Teil der Facette, insbesondere nur ein strahlungsreflektierender Teilbereich 36 zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 bei.In the case of subfield facets of this kind, only a part of the facet, in particular only one radiation-reflecting subarea, bears 36 for illuminating the object field 5 at.

Ein hiervon abgesetzter Oberflächenbereich 37 weist eine geringere Reflektivität als der strahlungsreflektierende Teilbereich 36 auf. Der abgesetzte Oberflächenbereich 37 kann insbesondere strahlungsabsorbierend ausgebildet sein. Details werden nachfolgend noch näher beschrieben.A surface area detached therefrom 37 has a lower reflectivity than the radiation-reflecting portion 36 on. The settled surface area 37 in particular be formed radiation absorbing. Details will be described in more detail below.

Beim abgesetzten Oberflächenbereich 37 handelt es sich insbesondere um einen Randbereich der Feldfacette 19, insbesondere einen Randbereich deren Reflexionsfläche.With the settled surface area 37 it is in particular a border area of the field facet 19 , In particular, an edge region of the reflective surface.

Die Aufteilung der Oberfläche einer Feldfacette 19 in einen strahlungsreflektierenden Teilbereich 36 und einen hiervon abgesetzten Oberflächenbereich 37 ermöglicht es, Teilfelder scharf zu definieren. Dies kann insbesondere dazu dienen, den Fernfeldrand schärfer zu definieren. Hierbei können die Feldfacetten 19 in voller Größe erhalten bleiben. Die Feldfacetten 19 können insbesondere Grundkörper identischer Größe aufweisen. Dies hat sich für deren Handling und Verarbeitung als vorteilhaft erwiesen.The division of the surface of a field facet 19 in a radiation-reflecting portion 36 and a surface area remote therefrom 37 allows you to sharply define subfields. This can in particular serve to sharpen the definition of the far field edge. Here, the field facets 19 to stay in full size. The field facets 19 may in particular have body of identical size. This has proved to be advantageous for their handling and processing.

In der 3 ist das Bild des strahlungsreflektierenden Teilbereichs 36 ohne Schraffur dargestellt, während die Lage des Bildes des abgesetzten Oberflächenbereichs durch Schraffur gekennzeichnet ist.In the 3 is the image of the radiation-reflecting section 36 without hatching, while the position of the image of the stepped surface area is indicated by hatching.

Im Folgenden werden unterschiedliche Varianten beschrieben, wie Feldfacetten 19 mit einem strahlungsreflektierenden Teilbereich 36 und einem hiervon abgesetzten Oberflächenbereich 37 ausgebildet sein und hergestellt werden können.In the following, different variants are described, such as field facets 19 with a radiation-reflecting portion 36 and a surface area deposited therefrom 37 be trained and can be produced.

In der 4 ist die Variante einer Stufenfacette dargestellt.In the 4 the variant of a stepped facet is shown.

Bei einer derartigen Feldfacette 19 ist der abgesetzte Oberflächenbereich 37 um etwa 1 mm in Richtung einer Flächennormalen 38 gegenüber dem strahlungsreflektierenden Teilbereich 36 zurückgesetzt.In such a field facet 19 is the settled surface area 37 by about 1 mm in the direction of a surface normal 38 opposite the radiation-reflecting portion 36 reset.

Dies kann beispielsweise durch Ausfräsen des Facettengrundkörpers 38 erreicht werden.This can be done, for example, by milling out the facet main body 38 be achieved.

Der abgesetzte Oberflächenbereich 37 weist eine Rauheit Ra im Bereich von 0,1 µm bis 0,4 µm auf. Ra bezeichnet insbesondere die Rauheit nach ISO 1302.The settled surface area 37 has a roughness Ra in the range of 0.1 .mu.m to 0.4 .mu.m. Ra refers in particular to the roughness according to ISO 1302.

Bei Aufbringen einer strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 auf den Facettengrundkörper 38 kann der abgesetzte Oberflächenbereich 37 mit einer Beschichtungsblende 40 abgeblendet, insbesondere überdeckt werden. Der abgesetzte Oberflächenbereich 37 wird somit nicht mit der strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 versehen.When applying a radiation-reflective coating 39 on the facet body 38 can the settled surface area 37 with a coating panel 40 dimmed, in particular covered. The settled surface area 37 is therefore not with the radiation-reflective coating 39 Provided.

Diese Variante ist ohne signifikanten Mehraufwand in der normalen Prozesskette in der Facettenfertigung umsetzbar.This variant can be implemented without significant additional effort in the normal process chain in the facet production.

Insbesondere beim Beschichtungsprozess fällt kein zusätzlicher Prozessschritt an.In particular during the coating process, no additional process step is required.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 5 eine Variante einer Relieffacette beschrieben. Die Ausbildung der Relieffacette entspricht im Wesentlichen der vorhergehend beschriebenen Stufenfacette, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird.The following is with reference to the 5 a variant of a relief facet described. The design of the relief facet substantially corresponds to the previously described stepped facet, to the description of which reference is hereby made.

Der abgesetzte Oberflächenbereich 37 ist bei der Relieffacette wesentlich weniger stark abgesetzt als bei der Stufenfacette. Der Unterschied des strahlungsreflektierenden Teilbereichs 36 zum abgesetzten Oberflächenbereich 37 liegt insbesondere im Bereich von 10 µm bis 100 µm, insbesondere bei weniger als 50 µm, beispielsweise bei ca. 20 µm.The settled surface area 37 is significantly less pronounced in the relief facet than in the stepped facet. The difference of the radiation-reflecting section 36 to the settled surface area 37 is in particular in the range of 10 .mu.m to 100 .mu.m, in particular less than 50 microns, for example, at about 20 microns.

Bei dieser Variante wird auch der abgesetzte Oberflächenbereich 37 mit der strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 versehen.In this variant also the settled surface area becomes 37 with the radiation-reflective coating 39 Provided.

Die strahlungsreflektierende Beschichtung 39 wird bei dieser Variante auf die fräsraue Oberfläche des abgesetzten Oberflächenbereichs 37 aufgebracht.The radiation-reflecting coating 39 In this variant, the milling surface of the settled surface area is rendered rough 37 applied.

Es wird insbesondere die gesamte Vorderseite des Facettengrundkörpers 38 mit einer strahlungsreflektierenden Beschichtung 39 versehen. Aufgrund der fräsrauen Oberfläche im abgesetzten Oberflächenbereich 37 weist dieser jedoch eine geringe Reflektivität auf. Die Reflektivität im abgesetzten Oberflächenbereich 37 ist insbesondere höchstens halb so groß wie im strahlungsreflektierenden Teilbereich 36. Das Verhältnis der Reflektivitäten im abgesetzten Oberflächenbereich 37 und im strahlungsreflektierenden Teilbereich 36 beträgt insbesondere höchstens 1 : 5, insbesondere höchstens 1 : 10, insbesondere höchstens 1 : 100.In particular, it becomes the entire front side of the facet main body 38 with a radiation-reflective coating 39 Provided. Due to the milled surface in the settled surface area 37 However, this has a low reflectivity. The reflectivity in the settled surface area 37 in particular is at most half as large as in the radiation-reflecting subregion 36 , The ratio of the reflectivities in the settled surface area 37 and in the radiation-reflecting portion 36 is in particular at most 1: 5, in particular at most 1:10, in particular at most 1: 100.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 6 eine Variante der Stufenfacette gemäß 4, auf deren Beschreibung hiermit verwiesen wird, beschrieben. Bei der Variante gemäß 6 ist vorgesehen, im abgesetzten Oberflächenbereich 37 eine Blende, insbesondere eine strahlungsabsorbierende Blende 41 anzuordnen. Die Blende 41 kann mittels eines oder mehreren Befestigungselementen 42 am Facettengrundkörper 38 angeordnet, insbesondere befestigt sein.The following is with reference to the 6 a variant of the stepped facet according to 4 , to the description of which reference is hereby described. In the variant according to 6 is provided in the settled surface area 37 a diaphragm, in particular a radiation-absorbing diaphragm 41 to arrange. The aperture 41 can by means of one or more fasteners 42 at the facetted body 38 arranged, in particular be attached.

Als Befestigungselemente 42 können beispielsweise Schrauben, insbesondere M2-Schrauben dienen.As fasteners 42 For example, screws, especially M2 screws can be used.

Die Blende 41 kann insbesondere austauschbar sein.The aperture 41 In particular, it can be exchangeable.

Die Blende 41 kann aus Nickel oder einer Nickel-Verbindung sein oder zumindest Anteile aus Nickel oder einer Nickel-Verbindung aufweisen. Für Details der Blende 41 sei auf die US 9,482,959 B2 verwiesen. The aperture 41 may be nickel or a nickel compound or at least parts of nickel or a nickel compound. For details of the aperture 41 be on the US 9,482,959 B2 directed.

Um eine möglichst gute thermale Anbindung der Blende 41 an den Facettengrundkörper 38 zu gewährleisten, kann die Blende 41 auch als Formelement ausgeführt sein. Diese Variante ist in den 7 und 8 exemplarisch dargestellt.To ensure the best possible thermal connection of the panel 41 to the facet main body 38 To ensure the aperture can be 41 also be designed as a form element. This variant is in the 7 and 8th exemplified.

Bei dieser Variante ist die Blende 41 mittels Form- und/oder Kraftschluss mit dem Facettengrundkörper 38 verbunden.In this variant, the aperture 41 by means of positive and / or non-positive connection with the facet main body 38 connected.

Bei der Umsetzung einer derartigen Ausführung der Blende 41 werden die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Blende 41 und des Facettengrundkörpers 38 berücksichtigt. Außerdem wird durch geeignete Ausbildung der Blende 41 soweit wie möglich sichergestellt, dass mechanisch induzierte Spannungen im Facettengrundkörper 38 vermieden werden.In the implementation of such an embodiment of the aperture 41 be the different thermal expansion coefficient of the aperture 41 and the faceted basic body 38 considered. In addition, by suitable design of the aperture 41 As far as possible ensure that mechanically induced stresses in the facet body 38 be avoided.

Die Blende 41 kann vorzugsweise dünnwandig ausgeführt sein. Sie kann insbesondere eine Dicke aufweisen, deren Verhältnis zur Dicke des Facettengrundkörpers 38 im Bereich der Kontaktfläche höchstens 0,1, insbesondere höchstens 0,05, insbesondere höchstens 0,03, insbesondere höchstens 0,02, insbesondere höchstens 0,01 beträgt. Die Gesamt-Kontaktfläche zwischen der Blende 41 und dem Facettengrundkörper 38 kann insbesondere in mehrere Teil-Kontaktflächen aufgeteilt sein. Hierdurch kann die Kompensation induzierter Spannung verbessert werden. Eine Kompensation kann insbesondere durch eine Dehnung des Blendenmaterials bewirkt werden.The aperture 41 can preferably be made thin-walled. In particular, it may have a thickness whose ratio to the thickness of the facet main body 38 in the region of the contact surface is not more than 0.1, in particular not more than 0.05, in particular not more than 0.03, in particular not more than 0.02, in particular not more than 0.01. The total contact area between the panel 41 and the faceted basic body 38 can in particular be divided into several partial contact surfaces. As a result, the compensation of induced voltage can be improved. A compensation can be effected in particular by an elongation of the diaphragm material.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

US 9482959 B2 [0002, 0075]US 9482959 B2 [0002, 0075]
EP 1225481 A [0036]EP 1225481 A [0036]

Claims

Feldfacettenspiegel (13) für eine Beleuchtungsoptik (4) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) 1.1. aufweisend eine Vielzahl von Feldfacetten (19), 1.2. wobei zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten (19) jeweils einen Facettengrundkörper (38) mit einem abgesetzten Oberflächenbereich (37) aufweist und/oderl.3. wobei zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten (19) jeweils Oberflächenbereiche (37) mit unterschiedlichen Reflektivitäten aufweist.Field facet mirror (13) for an illumination optical unit (4) of a projection exposure apparatus (1) 1.1. comprising a plurality of field facets (19), 1.2. wherein at least a subset of the field facets (19) each have a facet main body (38) with a stepped surface area (37) and / orl.3. wherein at least a subset of the field facets (19) each have surface regions (37) with different reflectivities.

Feldfacettenspiegel (13) gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens 50% der Feldfacetten (19) Facettengrundkörper (38) mit identischen Abmessungen aufweisen, wobei zu jeder dieser Feldfacetten (19) mindestens eine weitere Feldfacette (19) existiert, welche derart ausgebildet ist, dass die beiden Feldfacetten (19) effektive Reflexionsbereiche (36) mit unterschiedlichen Abmessungen aufweisen.Field facet mirror (13) according to Claim 1 Characterized in that at least 50% of the field facets (19) facet base body have identical dimensions (38), to each of these field facets (19) at least one further field facet (19) exists, which is designed such that the two field facets (19 ) have effective reflection areas (36) of different dimensions.

Feldfacettenspiegel (13) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Teilmenge der Feldfacetten (19) jeweils mit einem Blendenelement (41) versehen sind.Field facet mirror (13) according to one of the preceding claims, characterized in that at least a subset of the field facets (19) are each provided with an aperture element (41).

Feldfacettenspiegel (13) gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Blendenelement (41) einen Anteil aus Nickel oder einer Nickel-Verbindung aufweist.Field facet mirror (13) according to Claim 3 , characterized in that the diaphragm element (41) comprises a nickel or a nickel compound.

Verfahren zur Herstellung einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels (13) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend die folgenden Schritte: 5.1. Bereitstellen eines Facettengrundkörpers (38), 5.2. Herstellen eines von einem Reflexionsbereich (36) abgesetzten Bereichs (37) 5.3. Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung (39) auf den Reflexionsbereich (36).Method for producing a field facet of a field facet mirror (13) according to one of the preceding claims, comprising the following steps: 5.1. Providing a facet main body (38), 5.2. Producing a region (37) remote from a reflection region (36) 5.3. Applying a reflective coating (39) to the reflective area (36).

Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass beim Aufbringen der Reflexionsbeschichtung (39) der abgesetzte Bereich (37) mit einer Beschichtungsblende (40) abgedeckt wird.Method according to Claim 5 , characterized in that the deposited area (37) is covered with a coating panel (40) when the reflective coating (39) is applied.

Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass auch der abgesetzte Bereich mit einer Reflexionsbeschichtung (39) versehen wird.Method according to Claim 5 , characterized in that also the offset area is provided with a reflective coating (39).

Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Blendenelement (41) am Facettengrundkörper (38) angebracht wird.Method according to one of Claims 5 to 7 , characterized in that an aperture element (41) is attached to the facet main body (38).

Beleuchtungsoptik (4) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie umfassend einen Feldfacettenspiegel (13) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4.Illumination optics (4) for a microlithography projection exposure apparatus (1) comprising a field facet mirror (13) according to one of the Claims 1 to 4 ,

Beleuchtungssystem (2) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) aufweisend 10.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß Anspruch 9 und 10.2. eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Beleuchtungsstrahlung (10).Illumination system (2) for a projection exposure apparatus (1) comprising 10.1. an illumination optical system (4) according to Claim 9 and 10.2. a radiation source for generating illumination radiation (10).

Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) aufweisend 11.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß Anspruch 9 und 11.2. eine Projektionsoptik (7) zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).Optical system for a projection exposure apparatus (1) comprising 11.1. an illumination optical system (4) according to Claim 9 and 11.2. a projection optics (7) for imaging an object field (5) in an image field (8).

Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Mikrolithographie aufweisend 12.1. ein Beleuchtungssystem (2) gemäß Anspruch 10 und 12.2. eine Projektionsoptik (7) zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (8).Projection exposure apparatus (1) for microlithography comprising 12.1. an illumination system (2) according to Claim 10 and 12.2. a projection optics (7) for imaging an object field (5) in an image field (8).

Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements umfassend die folgenden Schritte: 13.1. Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) gemäß Anspruch 12, 13.2. Bereitstellen eines Retikels, 13.3. Bereitstellen eines Wafers mit einer für die Beleuchtungsstrahlung empfindlichen Beschichtung, 13.4. Projezieren zumindest eines Abschnitts des Retikels auf den Wafer mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1), 13.5. Entwickeln der mit Beleuchtungsstrahlung belichteten Strahlungsempfindlichen Schicht auf dem Wafer.A method of manufacturing a micro- or nanostructured device comprising the following steps: 13.1. Providing a projection exposure apparatus (1) according to Claim 12 , 13.2. Providing a reticle, 13.3. Providing a wafer with a coating sensitive to the illumination radiation, 13.4. Projecting at least a portion of the reticle onto the wafer with the aid of the projection exposure apparatus (1), 13.5. Developing the irradiation-sensitive radiation-sensitive layer on the wafer.

Bauelement hergestellt nach einem Verfahren gemäß Anspruch 13.Component produced by a method according to Claim 13 ,