DE102019131502A1 - Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102019131502A1
DE102019131502A1 DE102019131502.6A DE102019131502A DE102019131502A1 DE 102019131502 A1 DE102019131502 A1 DE 102019131502A1 DE 102019131502 A DE102019131502 A DE 102019131502A DE 102019131502 A1 DE102019131502 A1 DE 102019131502A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
semiconductor
radiation
contact
contact layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019131502.6A
Other languages
English (en)
Inventor
Alexander F. Pfeuffer
Tobias Meyer
Korbinian Perzlmaier
Thomas Schwarz
Sebastian Hoibl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to PCT/EP2020/072652 priority Critical patent/WO2021037568A1/de
Priority to CN202080060611.9A priority patent/CN114365296A/zh
Priority to US17/638,710 priority patent/US20220406757A1/en
Publication of DE102019131502A1 publication Critical patent/DE102019131502A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (2),- Aufbringen erster Kontaktschichten (5) auf den Halbleiterwafer (2),- Befestigen einer Trägeranordnung (8) an dem Halbleiterwafer (2),- Vereinzeln des Halbleiterwafers (2) zu Halbleiterkörpern (13), und- Aufbringen zweiter Kontaktschichten (14) auf die Halbleiterkörper (13).Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips angegeben. Darüber hinaus werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips anzugeben, mit dem strahlungsemittierende Halbleiterchips besonders kostengünstig herstellbar sind. Außerdem sollen ein entsprechend hergestellter strahlungsemittierender Halbleiterchip und ein entsprechend hergestelltes strahlungsemittierendes Bauelement angegeben werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Halbleiterwafer bereitgestellt. Der Halbleiterwafer umfasst beispielsweise eine erste Halbleiterschichtenfolge eines ersten Leitfähigkeitstyps. Weiterhin umfasst der Halbleiterwafer beispielsweise eine zweite Halbleiterschichtenfolge eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps. Die erste Halbleiterschichtenfolge ist beispielsweise p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet. Weiterhin ist die zweite Halbleiterschichtenfolge beispielsweise n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Damit handelt es sich in diesem Fall bei dem ersten Leitfähigkeitstyp um einen p-leitenden Typ und bei dem zweiten Leitfähigkeitstyp um einen n-leitenden Typ.
  • Der Halbleiterwafer weist beispielsweise eine Haupterstreckungsebene auf. Eine vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und laterale Richtungen erstrecken sich parallel zur Haupterstreckungsebene. Die erste Halbleiterschichtenfolge und die zweite Halbleiterschichtenfolge sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Die Ausdehnung des Halbleiterwafers in vertikaler Richtung ist wesentlich kleiner als die Ausdehnung in den lateralen Richtungen.
  • Zwischen der ersten Halbleiterschichtenfolge und der zweiten Halbleiterschichtenfolge ist zumindest ein aktiver Bereich angeordnet. Der aktive Bereich ist dazu ausgebildet, im Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Der aktive Bereich grenzt beispielsweise direkt an die erste Halbleiterschichtenfolge und an die zweite Halbleiterschichtenfolge an. Der aktive Bereich weist beispielsweise einen pn-Übergang, eine Heterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur und/oder eine Mehrfachquantentopfstruktur auf.
  • Die im Betrieb des aktiven Bereichs erzeugte elektromagnetische Strahlung ist beispielsweise nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung. Das sichtbare Licht ist beispielsweise Licht blauer, grüner, gelber oder roter Farbe.
  • Beispielsweise ist der Halbleiterwafer epitaktisch auf ein Aufwachssubstrat aufgewachsen. Der Halbleiterwafer basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem III-V-Verbindungshalbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um einen Phosphid-, Arsenid- und/oder Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, also zum Beispiel um InxAlyGa1-x-yP, InxAlyGa1-x-yAs und/oder InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.
  • Der Halbleiterwafer kann Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters des Halbleiterwafers, also Al, Ga, In, N, As oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden erste Kontaktschichten auf den Halbleiterwafer aufgebracht. Die ersten Kontaktschichten sind beispielsweise matrixartig, also entlang von Zeilen und Spalten, angeordnet. Das heißt, die ersten Kontaktschichten können an Gitterpunkten eines regelmäßigen Gitters angeordnet sein. Die ersten Kontaktschichten stehen beispielsweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterwafer, insbesondere der ersten Halbleiterschichtenfolge.
  • Beispielsweise weisen die ersten Kontaktschichten ein transparentes leitendes Metall oder ein transparentes leitendes Oxid (englisch: „transparent conductive oxide“, kurz „TCO“) auf. TCOs sind transparente, leitende Materialien und umfassen beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Kadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid und/oder Indiumzinnoxid (ITO).
  • Alternativ ist es möglich, dass die ersten Kontaktschichten beispielsweise ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall aufweisen. In diesem Fall umfassen die ersten Kontaktschichten beispielsweise eines oder mehrere der nachfolgenden Materialien oder bestehen aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Al, Al:Cu, Rh, Pd, Pt.
  • Die ersten Kontaktschichten weisen für die emittierende elektromagnetische Strahlung im Idealfall eine Reflektivität von wenigstens 80 %, insbesondere wenigstens 90 %, auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Trägeranordnung an dem Halbleiterwafer befestigt. Beispielsweise umfasst die Trägeranordnung eine zweite Trägerschicht und eine dritte Trägerschicht. Die zweite Trägerschicht ist auf dem Halbleiterwafer angeordnet und bedeckt diesen beispielsweise vollständig.
  • Die zweite Trägerschicht umfasst insbesondere ein Haftvermittlungsmaterial oder ist durch ein Haftvermittlungsmaterial gebildet. Das Haftvermittlungsmaterial ist beispielsweise mittels eines Lasers erwärmbar. Dadurch können auf das Haftvermittlungsmaterial aufgebrachte Elemente, insbesondere strahlungsemittierende Halbleiterchips, vorteilhafterweise mittels Laserstrahlung zerstörungsfrei abgelöst werden.
  • Die zweite Trägerschicht kann aus einem zumindest temporär fließfähigen Material gebildet sein. In diesem Fall umfasst das temporär fließfähige Material beispielsweise ein metallisches Lot oder ein Benzocyclobuten-Bond-Polymer.
  • Weiterhin ist eine dritte Trägerschicht über der zweiten Trägerschicht angeordnet. Die dritte Trägerschicht steht mit der zweiten Trägerschicht beispielsweise in direktem Kontakt. Bei der dritten Trägerschicht handelt es sich insbesondere um einen Hilfsträger, der eine mechanisch stabilisierende Komponente der Trägeranordnung bilden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterwafer zu Halbleiterkörpern vereinzelt. Der Halbleiterwafer wird beispielsweise durch Schnitte in vertikaler Richtung durch den Halbleiterwafer zu Halbleiterkörpern vereinzelt. Die Schnitte durchdringen den Halbleiterwafer insbesondere vollständig. Die Schnitte werden beispielsweise durch einen Laserprozess, einen Sägeprozess oder einen Ätzprozess erzeugt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zweite Kontaktschichten auf die Halbleiterkörper aufgebracht. Die zweiten Kontaktschichten stehen beispielsweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper, insbesondere der zweiten Halbleiterschichtenfolge.
  • Beispielsweise weisen die zweiten Kontaktschichten ein transparentes leitendes Metall oder ein transparentes leitendes Oxid (TCO) auf.
  • Alternativ ist es möglich, dass die zweiten Kontaktschichten beispielsweise ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall aufweisen. In diesem Fall umfassen die zweiten Kontaktschichten beispielsweise eines oder mehrere der nachfolgenden Materialien oder bestehen aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Al, Al:Cu, Rh, Pd, Pt. Die zweiten Kontaktschichten weisen für die emittierte elektromagnetische Strahlung im Idealfall eine Reflektivität von wenigstens 80 %, insbesondere wenigstens 90 %, auf.
  • Es ist möglich, dass die ersten Kontaktschichten die gleichen Materialien wie die zweiten Kontaktschichten aufweisen. Das heißt, die ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten sind beispielsweise durch dasselbe TCO-Material, zum Beispiel ITO, gebildet. Weiterhin ist es möglich, dass die ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten beispielsweise durch ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall gebildet sind.
  • Alternativ ist es möglich, dass die ersten Kontaktschichten ein von den zweiten Kontaktschichten verschiedenes Material aufweisen. In diesem Fall können die ersten Kontaktschichten durch ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall gebildet sein und die zweiten Kontaktschichten können durch ein TCO gebildet sein. Weiterhin ist es möglich, dass die zweiten Kontaktschichten durch ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall gebildet sind und die ersten Kontaktschichten durch ein TCO gebildet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der ersten Kontaktschichten und/oder eine dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der zweiten Kontaktschichten, insbesondere vollständig, von einem weiteren reflektierenden, elektrisch leitenden Metall bedeckt. Das weitere reflektierende, elektrisch leitende Metall umfasst beispielsweise eines oder mehrere der nachfolgenden Materialien oder besteht aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Al, Al:Cu, Rh, Pd, Pt. Das weitere reflektierende, elektrisch leitende Metall weist für die emittierte elektromagnetische Strahlung im Idealfall eine Reflektivität von wenigstens 80 %, insbesondere wenigstens 90 %, auf.
  • Beispielsweise ist es möglich, dass die ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten durch dasselbe TCO-Material, zum Beispiel ITO, gebildet sind. In diesem Fall ist die dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der ersten Kontaktschichten und die dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der zweiten Kontaktschichten vollständig von dem weiteren reflektierenden, elektrisch leitenden Metall bedeckt.
  • Weisen die ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten beispielsweise ein Metall auf, ist es weiterhin möglich, dass die dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der ersten Kontaktschichten und die dem Halbleiterkörper zugewandte Außenfläche der zweiten Kontaktschichten mit dem weiteren reflektierenden, elektrisch leitenden Metall bedeckt sind.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips die Schritte:
    • - Bereitstellen eines Halbleiterwafers,
    • - Aufbringen erster Kontaktschichten auf den Halbleiterwafer,
    • - Befestigen einer Trägeranordnung an dem Halbleiterwafer,
    • - Vereinzeln des Halbleiterwafers zu Halbleiterkörpern, und
    • - Aufbringen zweiter Kontaktschichten auf die Halbleiterkörper.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufbringen der ersten Kontaktschichten eine Opferschicht auf dem Halbleiterwafer erzeugt, die einfach zusammenhängend ausgebildet ist. In dieser Ausführungsform weist die Opferschicht keine Durchbrüche auf. Bevorzugt sind eine Bodenfläche und eine Deckfläche der Opferschicht unstrukturiert, insbesondere eben ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst die Trägeranordnung eine zweite Trägerschicht und eine dritte Trägerschicht. Die zweite Trägerschicht und die dritte Trägerschicht weisen in dieser Ausführungsform jeweils eine Bodenfläche und eine Deckfläche auf, die eben ausgebildet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die zweite Trägerschicht auf der Opferschicht aufgebracht. Die zweite Trägerschicht vermittelt in dieser Ausführungsform eine mechanisch stabile Verbindung zwischen der Opferschicht und der dritten Trägerschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Aufbringen der ersten Kontaktschichten eine Opferschicht auf dem Halbleiterwafer erzeugt, die von Öffnungen durchbrochen ist. Beispielsweise wird die Opferschicht auf der ersten Halbleiterschichtenfolge aufgebracht.
  • Die Opferschicht wird beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen erzeugt. Die Opferschicht umfasst beispielsweise ein halbleitendes Material, wie Silizium. Die Opferschicht weist eine Dicke auf, die beispielsweise mindestens 50 nm und höchstens 5 µm groß ist.
  • Beispielsweise werden die Öffnungen nach dem Aufbringen der Opferschicht in der Opferschicht erzeugt. Die Öffnungen durchbrechen hierbei die Opferschicht vollständig. Ein Materialabtrag zur Erzeugung der Öffnungen in der Opferschicht kann durch einen Ätzprozess erzeugt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Trägeranordnung an der Opferschicht befestigt. Die Trägeranordnung weist dafür Halteelemente auf, mit denen die Trägeranordnung mechanisch fest mit den zu erzeugenden Halbleiterchips verbunden ist. Die Halteelemente der Trägeranordnung werden in Öffnungen der Opferschicht erzeugt. Die Trägeranordnung kann mehrere Schichten umfassen und/oder durch mehrere Verfahrensschritte erzeugt werden. Beispielsweise weist die Trägeranordnung eine erste Trägerschicht, eine zweite Trägerschicht und eine dritte Trägerschicht auf.
  • Die erste Trägerschicht wird beispielsweise über der Opferschicht aufgebracht. Die erste Trägerschicht bedeckt die Opferschicht beispielsweise vollständig. Ferner wird die erste Trägerschicht auch in den Öffnungen angeordnet. Die Öffnungen können jeweils vollständig mit Material der ersten Trägerschicht bedeckt sein. Das Material der ersten Trägerschicht in den Öffnungen bildet die Halteelemente. Die erste Trägerschicht umfasst beispielsweise Siliziumdioxid oder Aluminiumoxid oder ist daraus gebildet. Weiterhin weist die erste Trägerschicht beispielsweise eine Dicke von wenigstens 50 nm und höchstens 500 nm auf.
  • Nachfolgend wird beispielsweise eine zweite Trägerschicht über der ersten Trägerschicht aufgebracht. Die zweite Trägerschicht steht mit der ersten Trägerschicht beispielsweise in direktem Kontakt. Die zweite Trägerschicht umfasst insbesondere ein Haftvermittlungsmaterial oder ist durch ein Haftvermittlungsmaterial gebildet. Das Haftvermittlermaterial ist beispielsweise durch Benzocyclobuten oder ein metallisches Lot gebildet.
  • Die Haltelemente werden durch Teile der Trägerschichten gebildet, die in den Öffnungen angeordnet sind. Beispielsweise sind die erste Trägerschicht und die zweite Trägerschicht in den Öffnungen angeordnet. In diesem Fall sind die Haltelemente durch Material der ersten Trägerschicht und der zweiten Trägerschicht gebildet.
  • Nachfolgend wird beispielsweise eine dritte Trägerschicht über der zweiten Trägerschicht angeordnet. Die dritte Trägerschicht steht mit der zweiten Trägerschicht beispielsweise in direktem Kontakt. Bei der dritten Trägerschicht handelt es sich insbesondere um einen Hilfsträger. Die zweite Trägerschicht vermittelt hier eine mechanisch stabile Verbindung zwischen der ersten Trägerschicht und der dritten Trägerschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht entfernt, derart, dass die Trägeranordnung lediglich im Bereich der Halteelemente mit den Halbleiterkörpern mechanisch verbunden ist. Beispielsweise wird die Opferschicht vollständig entfernt. Die Opferschicht wird beispielsweise durch einen chemischen Ätzprozess entfernt.
  • In mindestens einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips die Schritte:
    • - Bereitstellen eines Halbleiterwafers,
    • - Aufbringen erster Kontaktschichten auf den Halbleiterwafer,
    • - Erzeugen einer Opferschicht auf dem Halbleiterwafer, die von Öffnungen durchbrochen ist,
    • - Befestigen einer Trägeranordnung an der Opferschicht, wobei Halteelemente der Trägeranordnung jeweils in einer Öffnung der Opferschicht erzeugt werden,
    • - Vereinzeln des Halbleiterwafers zu Halbleiterkörpern,
    • - Aufbringen zweiter Kontaktschichten auf die Halbleiterkörper, und
    • - Entfernen der Opferschicht, derart, dass die Trägeranordnung lediglich im Bereich der Halteelemente mit den Halbleiterkörpern mechanisch verbunden ist.
  • Es ist möglich, dass die aufgeführten Schritte in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt werden.
  • Eine Idee des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips ist es unter anderem, eine Trägeranordnung zu verwenden, bei der lediglich im Bereich der Halteelemente die Halbleiterkörper mechanisch mit der Trägeranordnung verbunden sind. Die Halteelemente sind mit den Halbleiterchips derart verbunden, dass die Halbleiterchips zerstörungsfrei von den Halteelementen getrennt werden können. Vorteilhafterweise können die erzeugten Halbleiterchips so mittels der Trägeranordnung besonders effizient auf eine Anschlusskomponente gedruckt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste dielektrische Schicht auf dem Halbleiterwafer aufgebracht. Die erste dielektrische Schicht kann den Halbleiterwafer vollständig bedecken. Weiterhin kann die erste dielektrische Schicht mit dem Halbleiterwafer in direktem Kontakt stehen. Insbesondere steht die dielektrische Schicht mit der ersten Halbleiterschichtenfolge in direktem Kontakt.
  • Die erste dielektrische Schicht umfasst beispielsweise zumindest zwei erste dielektrische Teilschichten. Die dem Halbleiterwafer zugewandte Teilschicht umfasst beispielsweise Siliziumdioxid oder ist daraus gebildet. Die dem Halbleiterwafer abgewandte Teilschicht umfasst beispielsweise Aluminiumoxid oder ist daraus gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden erste Ausnehmungen in der ersten dielektrischen Schicht erzeugt. Die ersten Ausnehmungen können die erste dielektrische Schicht vollständig durchbrechen. Die ersten Ausnehmungen legen beispielsweise den Halbleiterwafer bereichsweise frei. Insbesondere legen die ersten Ausnehmungen die erste Halbleiterschichtenfolge bereichsweise frei. Ein Materialabtrag der ersten dielektrischen Schicht erfolgt insbesondere durch einen Ätzprozess.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden erste Kontaktschichten jeweils in einer der ersten Ausnehmungen angeordnet. Im Bereich der ersten Ausnehmungen stehen die ersten Kontaktschichten in direktem Kontakt mit dem Halbleiterwafer. Die ersten Kontaktschichten überragen die erste dielektrische Schicht in vertikaler Richtung beispielsweise nicht. Es ist möglich, dass Deckflächen der ersten Kontaktschichten plan mit einer Deckfläche der ersten dielektrischen Schicht abschließen. Weiterhin können die ersten Kontaktschichten die ersten Ausnehmungen vollständig füllen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine zweite dielektrische Schicht über der ersten dielektrischen Schicht und den ersten Kontaktschichten aufgebracht. Die zweite dielektrische Schicht steht beispielsweise in direktem Kontakt mit der ersten dielektrischen Schicht und den ersten Kontaktschichten. Die zweite dielektrische Schicht umfasst beispielsweise ein dielektrisches Material, wie beispielsweise Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid, oder besteht daraus. Es ist weiterhin möglich, dass es sich bei der zweiten dielektrischen Schicht um einen Braggspiegel handelt. Der Braggspiegel umfasst bevorzugt abwechselnd angeordnete Schichten eines hochbrechenden und eines niedrigbrechenden Materials. Die Schichten des Braggspiegels weisen bevorzugt SiO2, Al2O3, TiO2, Tantaloxid, Nb2O5, MgF, Siliziumnitride und/oder Siliziumoxinitride auf.
  • Weiterhin weist die zweite dielektrische Schicht eine Dicke auf, die beispielsweise wenigstens 500 nm und höchstens 30 µm groß ist, insbesondere in etwa 1 µm.
  • Die zweite dielektrische Schicht ist in dieser Ausführungsform derart ausgebildet, dass die zweite dielektrische Schicht sich selbst mechanisch stabilisiert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Passivierungsschicht nach dem Vereinzeln des Halbleiterwafers über den Halbleiterkörpern aufgebracht. Die Passivierungsschicht bedeckt beispielsweise eine der Trägeranordnung abgewandte Außenfläche der Halbleiterkörper vollständig. Weiterhin kann die Passivierungsschicht eine Bodenfläche der ersten dielektrischen Schicht, die der Trägeranordnung abgewandt ist, vollständig bedecken.
  • Die Passivierungsschicht umfasst beispielsweise Siliziumdioxid oder ist daraus gebildet. Mit einer solchen Passivierungsschicht ist der Halbleiterkörper vorteilhafterweise besonders gut vor äußeren Umwelteinflüssen geschützt.
  • Es ist weiterhin möglich, dass es sich bei der Passivierungsschicht um einen Braggspiegel handelt. Vorteilhafterweise kann so eine vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung in eine vorgegebene Richtung gelenkt werden. Damit ist eine Effizienz des strahlungsemittierenden Hableiterchips vorteilhafterweise erhöht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zweite Ausnehmungen in der Passivierungsschicht erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den Halbleiterkörpern beabstandet sind. Die zweiten Ausnehmungen durchdringen die Passivierungsschicht beispielsweise vollständig. Durchdringen die zweiten Ausnehmungen ausschließlich die Passivierungsschicht, überlappen die zweiten Ausnehmungen in lateralen Richtungen jeweils mit einer der ersten Ausnehmungen.
  • Weiterhin ist es möglich, dass die zweiten Ausnehmungen die Passivierungsschicht und die erste dielektrische Schicht vollständig durchdringen. Durchdringen die zweiten Ausnehmungen die erste dielektrische Schicht und die Passivierungsschicht, sind die zweiten Ausnehmungen in lateralen Richtungen zu den ersten Ausnehmungen beabstandet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden dritte Ausnehmungen in der Passivierungsschicht erzeugt, die in lateralen Richtungen jeweils mit einem der Halbleiterkörper überlappen. Die dritten Ausnehmungen durchdringen die Passivierungsschicht beispielsweise vollständig. Weiterhin überlappen die dritten Ausnehmungen in lateralen Richtungen jeweils mit einer der ersten Ausnehmungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens legen die dritten Ausnehmungen jeweils einen der Halbleiterkörper bereichsweise frei. Beispielsweise wird die zweite Halbleiterschicht je Halbleiterkörper bereichsweise freigelegt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zweite Kontaktschichten jeweils auf einen der freiliegenden Halbleiterkörper aufgebracht. Im Bereich der dritten Ausnehmungen stehen die zweiten Kontaktschichten in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper. Die zweiten Kontaktschichten können die Passivierungsschicht in vertikaler Richtung überragen. Weiterhin ist es möglich, dass die zweiten Kontaktschichten die dritten Ausnehmungen in lateralen Richtungen überragen und bereichsweise auf der Passivierungsschicht angeordnet sind. Das heißt, die zweiten Kontaktschichten sind beispielsweise bereichsweise auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Bodenfläche der Passivierungsschicht angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden weitere erste Kontaktschichten auf Seitenflächen der Passivierungsschicht aufgebracht. Weiterhin können die weiteren ersten Kontaktschichten auf der Bodenfläche der Passivierungsschicht angeordnet sein. Die weiteren ersten Kontaktschichten umfassen beispielsweise die gleichen Materialien wie die ersten Kontaktschichten. Alternativ ist es möglich, dass die weiteren ersten Kontaktschichten mit einem Material gebildet sind, das verschieden von einem Material der ersten Kontaktschichten ist. Das heißt, die weiteren ersten Kontaktschichten können ein transparentes leitendes Metall, transparente leitende Oxide oder ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall aufweisen.
  • Werden die Halbleiterkörper durch die ersten Kontaktschichten, die weiteren ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten elektrisch leitend verbunden, sind die weiteren ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten vorteilhafterweise an der Bodenfläche der Passivierungsschicht, in lateralen Richtungen beabstandet voneinander angeordnet. Die weiteren ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten sind in diesem Fall von einer der Trägeranordnung abgewandten Seite elektrisch leitend anschließbar. Die weiteren ersten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktschichten können weiterhin vorteilhafterweise direkt auf die Anschlusskomponente gedruckt werden.
  • Weisen die weiteren ersten Kontaktschichten ein TCO-Material auf, sind die weiteren ersten Kontaktschichten auf den Seitenflächen der Passivierungsschicht als Steg ausgebildet. Der Steg weist in diesem Fall eine Breite von höchstens 5 µm auf. Beispielsweise beträgt die Breite des Stegs höchstens 50 % einer Ausdehnung in lateralen Richtungen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. In diesem Fall wird elektromagnetische Strahlung vorteilhafterweise besonders wenig an den Seitenflächen der Passivierungsschicht absorbiert.
  • Weisen die weiteren ersten Kontaktschichten ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall auf, bedecken die weiteren ersten Kontaktschichten die Seitenflächen der Passivierungsschicht zu großen Teilen. Zu großen Teilen heißt hier, dass die weiteren ersten Kontaktschichten mindestens 90 %, insbesondere 95 % der Seitenflächen der Passivierungsschicht bedecken. Weiterhin können die ersten Kontaktschichten die Seitenflächen der Passivierungsschicht in lateralen Richtungen vollständig umschließen. In diesem Fall weisen die zweiten Kontaktschichten ebenfalls ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall auf und die ersten Kontaktschichten ein TCO-Material. Damit kann die Lichtauskopplung und Effizienz des strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorteilhafterweise besonders hoch sein.
  • Weiterhin ist es möglich, dass ein reflektierender Spiegel zwischen den Halbleiterkörpern und der Passivierungsschicht angeordnet ist. Damit kann die Lichtauskopplung und Effizienz des strahlungsemittierenden Halbleiterchips besonders gut sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die weiteren ersten Kontaktschichten jeweils mit einer der ersten Kontaktschichten in jeweils einer der zweiten Ausnehmungen elektrisch leitend verbunden. In dieser Ausführungsform überlappen die zweite Ausnehmung und die ersten Ausnehmungen in lateralen Richtungen. Die weiteren ersten Kontaktschichten und die ersten Kontaktschichten stehen an einer Grenzfläche der zweiten Ausnehmungen und der ersten Ausnehmungen beispielsweise in direktem Kontakt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden vierte Ausnehmungen in der zweiten dielektrischen Schicht erzeugt, die in lateralen Richtungen jeweils mit einer der ersten Ausnehmungen überlappen. Die vierten Ausnehmungen durchdringen die zweite dielektrische Schicht beispielsweise vollständig. Die vierten Ausnehmungen können die ersten Kontaktschichten bereichsweise freilegen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden erste Kontaktierungen jeweils in einer der vierten Ausnehmungen angeordnet. Eine Seitenfläche der vierten Ausnehmung ist beispielsweise durch die begrenzende zweite dielektrische Schicht gebildet und eine Bodenfläche der vierten Ausnehmung ist beispielsweise durch eine der begrenzenden ersten Kontaktschichten gebildet. Die ersten Kontaktierungen bedecken die Seitenflächen und Bodenflächen der vierten Ausnehmungen vollständig.
  • Beispielsweise weisen die ersten Kontaktierungen ein elektrisch leitendes Metall auf. In diesem Fall umfassen die ersten Kontaktierungen beispielsweise eines oder mehrere der nachfolgenden Materialien oder bestehen aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Al, Cu, Ni, Rh, Pd, Pt.
  • Alternativ weisen die ersten Kontaktschichten ein transparentes leitendes Metall oder ein transparentes leitendes Oxid auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens stehen die ersten Kontaktierungen jeweils in einer der vierten Ausnehmungen in elektrisch leitendem Kontakt zu einer der ersten Kontaktschichten. Beispielsweise stehen die ersten Kontaktierungen in direktem Kontakt zu den durch die vierten Ausnehmungen bereichsweise freigelegten ersten Kontaktschichten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden fünfte Ausnehmungen in der zweiten dielektrischen Schicht erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den ersten Ausnehmungen beabstandet sind. Die fünften Ausnehmungen durchdringen die zweite dielektrische Schicht beispielsweise vollständig. Die fünften Ausnehmungen können die ersten dielektrischen Schichten bereichsweise freilegen. Durchdringen die zweiten Ausnehmungen die Passivierungsschicht und die erste dielektrische Schicht, überlappen die fünften Ausnehmungen jeweils mit einer der zweiten Ausnehmungen in lateralen Richtungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zweite Kontaktierungen jeweils in einer der fünften Ausnehmungen angeordnet. Eine Seitenfläche der fünften Ausnehmung ist beispielsweise durch die begrenzende zweite dielektrische Schicht gebildet und eine Bodenfläche der fünften Ausnehmung ist beispielsweise durch die begrenzende erste dielektrische Schicht gebildet. Die zweiten Kontaktierungen bedecken die Seitenflächen und Bodenflächen der fünften Ausnehmungen vollständig.
  • Beispielsweise sind die zweiten Kontaktierungen durch das gleiche Material gebildet wie die ersten Kontaktierungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden weitere zweite Kontaktschichten auf Seitenflächen der Passivierungsschicht aufgebracht. Die weiteren zweiten Kontaktschichten umfassen beispielsweise die gleichen Materialien wie die zweiten Kontaktschichten. Alternativ ist es möglich, dass die weiteren zweiten Kontaktschichten mit einem Material gebildet sind, das verschieden von einem Material der zweiten Kontaktschichten ist. Die weiteren zweiten Kontaktschichten können ein transparentes leitendes Metall, transparente leitende Oxide oder ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall aufweisen.
  • Weisen die weiteren zweiten Kontaktschichten ein TCO auf, sind die weiteren zweiten Kontaktschichten auf den Seitenflächen der Passivierungsschicht als Steg ausgebildet. Der Steg weist in diesem Fall eine Breite von höchstens 5 µm auf. Beispielsweise beträgt die Breite des Stegs höchstens 50 % einer Ausdehnung in lateralen Richtungen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips. In diesem Fall wird elektromagnetische Strahlung vorteilhafterweise besonders wenig an den Seitenflächen der Passivierungsschicht absorbiert.
  • Weisen die weiteren zweiten Kontaktschichten ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall auf, bedecken die weiteren zweiten Kontaktschichten die Seitenflächen der Passivierungsschicht zu großen Teilen. Zu großen Teilen heißt hier, dass die weiteren zweiten Kontaktschichten mindestens 90 %, insbesondere 95 %, der Seitenflächen der Passivierungsschicht bedecken. Weiterhin können die zweiten Kontaktschichten die Seitenflächen der Passivierungsschicht in lateralen Richtungen vollständig umschließen. In diesem Fall weisen die ersten Kontaktschichten ebenfalls ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall auf und die zweiten Kontaktschichten ein TCO-Material.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens verbinden die zweiten Kontaktschichten und die weiteren zweiten Kontaktschichten jeweils eine der zweiten Kontaktierungen mit jeweils einem der freigelegten Halbleiterkörper elektrisch leitend. Die weiteren zweiten Kontaktschichten und die zweiten Kontaktierungen stehen an einer Grenzfläche der zweiten Ausnehmungen und der fünften Ausnehmungen beispielsweise in direktem Kontakt.
  • Eine Herstellung einer Verbindung der zweiten Kontaktschichten mit den zweiten Kontaktierungen ist vorliegend vorteilhafterweise in einem einzigen Herstellungsverfahren herstellbar. Weiterhin kann durch Verwendung weiterer erster und/oder weiterer zweiter Kontaktschichten auf eine Durchkontaktierung durch den Halbleiterkörper verzichtet werden. Damit sind nichtstrahlende Rekombinationen (englisch „non-radiative recombinations“, kurz „NRR“), die zum Beispiel an Seitenwänden von Durchkontaktierungen auftreten, vorteilhafterweise verringert.
  • Insbesondere handelt es sich bei derartigen hergestellten strahlungsemittierenden Halbleiterchips um Mikro-LEDs, die mit dem hier angegebenen Verfahren besonders effizient herstellbar sind und besonders gut transferierbar sind. Die Mikro-LEDs weisen beispielsweise eine Ausdehnung in lateralen Richtungen von höchstens 100 µm, insbesondere höchstens 50 µm auf.
  • Es wird darüber hinaus ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben, der insbesondere mit einem hier beschriebenen Verfahren hergestellt werden kann. Sämtliche in Verbindung mit dem Verfahren offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip einen Halbleiterkörper, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden. Der Halbleiterkörper weist vorzugsweise eine erste Halbleiterschichtenfolge und eine zweite Halbleiterschichtenfolge auf, zwischen denen ein aktiver Bereich angeordnet ist, der im Betrieb zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist. Die elektromagnetische Strahlung ist beispielsweise nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung. Das sichtbare Licht ist beispielsweise Licht blauer, grüner, gelber oder roter Farbe.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine erste Kontaktschicht. Die erste Kontaktschicht steht beispielsweise in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschichtenfolge.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine zweite Kontaktschicht. Die zweite Kontaktschicht steht beispielsweise in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschichtenfolge.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist durch die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht ein Strom in den Halbleiterkörper einprägbar. Beispielsweise können Ladungsträger über die erste Kontaktschicht in die erste Halbleiterschichtenfolge eingeprägt werden. Weiterhin können Ladungsträger über die zweite Kontaktschicht in die zweite Halbleiterschichtenfolge eingeprägt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip ausschließlich Komponenten auf, die für die vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet sind. Beispielsweise lassen die lichtdurchlässigen Komponenten wenigstens 80 %, insbesondere wenigstens 90 %, der vom Halbleiterkörper ausgesendeten elektromagnetischen Strahlung durch.
  • Umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip beispielsweise metallische Schichten, weisen diese jeweils eine Dicke von höchstens 5 nm, insbesondere höchstens 0,5 nm, auf. Weiterhin bedecken die metallischen Schichten höchstens 0,5 % einer Außenfläche des Halbleiterkörpers. Insbesondere bedeckten die metallischen Schichten nicht mehr als 1 µm2 der Außenfläche des Halbleiterkörpers.
  • Ein derartiger strahlungsemittierender Halbleiterchip kann damit besonders gut in verschiedenste Gehäuse integriert werden. Eine Lichtausrichtung kann in diesem Fall von dem Gehäuse vorgegeben werden. Das heißt, derartige strahlungsemittierende Halbleiterchips sind besonders flexibel einsetzbar. Weiterhin weist ein derartiger strahlungsemittierender Halbleiterchip einen besonders einfachen Chipaufbau auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht ein transparentes leitendes Material. Beispielsweise handelt es sich bei dem transparenten leitenden Material um ein TCO-Material, wie etwa ITO.
  • TCOs umfassen beispielsweise hochdotierte Oxidhalbleiter, die transparent für die vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung ist und elektrisch leitend ausgebildet ist. Damit umfasst die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht keine metallische Schicht. Damit kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip insgesamt frei von metallischen Schichten und Elementen sein.
  • Metallische Schichten absorbieren einen vergleichsweise hohen Anteil der vom Halbleiterkörper ausgesendeten elektromagnetischen Strahlung. Im Vergleich dazu weisen TCOs eine vergleichsweise niedrige Absorption der vom Halbleiterkörper ausgesendeten elektromagnetischen Strahlung auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste Kontaktschicht auf einer Bodenfläche des Halbleiterkörpers angeordnet. Beispielsweise ist die Bodenfläche des Halbleiterkörpers durch eine Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge gebildet. Weiterhin kann auch die zweite Kontaktschicht auf der Bodenfläche des Halbleiterkörpers, insbesondere auf der Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge, angeordnet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die erste Kontaktschicht von der Bodenfläche des Halbleiterkörpers in den Halbleiterkörper hinein. Beispielsweise weist der Halbleiterkörper einen Durchbruch auf, der sich von der zweiten Halbleiterschichtenfolge bis in die erste Halbleiterschichtenfolge hinein erstreckt. Die erste Kontaktschicht steht im Bereich des Durchbruchs in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschichtenfolge.
  • Es wird darüber hinaus ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben, das einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterchip umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Bauelement offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Bauelement einen Träger, der zumindest ein erstes Kontaktelement aufweist. Beispielsweise weist das erste Kontaktelement ein elektrisch leitendes Metall auf. In diesem Fall umfasst das erste Kontaktelement beispielsweise eines oder mehrere der nachfolgenden Materialien oder besteht aus einem oder mehrerer dieser Materialien: Au, Ag, Al, Cu, Ni, Rh, Pd, Pt.
  • Alternativ weist das erste Kontaktelement ein transparentes leitendes Metall oder ein transparentes leitendes Oxid auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip mittels einer direkten Bondverbindung und/oder eines Klebers auf dem Träger angeordnet. Eine direkte Bondverbindung ist beispielsweise frei von einem Lotmetall. Bei der direkten Bondverbindung wird der Halbleiterchip mit dem Träger beispielsweise durch atomare und/oder molekulare Kräfte mechanisch stabil verbunden. Bei den atomaren und/oder molekularen Kräften handelt es sich beispielsweise um Wasserstoffbrückenbindung und/oder Van-der-Wals-Wechselwirkungen. Die direkte Bondverbindung erfolgt in der Regel zwischen zwei ebenen Grenzflächen allein unter Einwirkung von Druck und/oder Temperatur. Damit ist ein Lotmetall für eine direkte Bondverbindung nicht erforderlich. Vorteilhafterweise können so Absorptionsverluste vermieden werden.
  • Der Kleber umfasst beispielsweise ein Matrixmaterial. Bei dem Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz, wie etwa um ein Epoxid, oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Weiterhin können elektrisch leitende Partikel in das Matrixmaterial eingebracht sein. Die elektrisch leitenden Partikel verleihen dem Kleber beispielsweise elektrisch leitende Eigenschaften. Alternativ handelt es sich bei dem Kleber um einen elektrisch isolierenden Kleber. Alternativ handelt es sich bei dem Kleber um ein Spin-On Glas.
  • Ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip mittels einer direkten Bondverbindung auf dem Träger angeordnet, können Zwischenräumen zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger, auftreten. In diesem Fall ist der Kleber zumindest teilweise oder vollständig in den Zwischenräumen angeordnet. Vorteilhafterweise ist das strahlungsemittierende Bauelement so besonders stabil ausgebildet.
  • Weiterhin ist es möglich, dass der Kleber lediglich zur Positionierung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Träger verwendbar ist. Nach der Positionierung und einer Befestigung des Halbleiterchips auf dem Träger ist der Kleber in diesem Fall veraschbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Träger und/oder das erste Kontaktelement transparent für die vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste Kontaktelement reflektierend für die vom Halbleiterkörper ausgesendete elektromagnetische Strahlung ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das erste Kontaktelement eine gekrümmte Form auf. Beispielsweise weist das erste Kontaktelement eine konkave Form auf. Das erste Kontaktelement kann damit eine Kavität aufweisen, in der der strahlungsemittierende Halbleiterchip angeordnet ist. Beispielsweise ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip vollständig in der Kavität angeordnet. Weiterhin kann der strahlungsemittierende Halbleiterchip in lateralen Richtungen vollständig von dem ersten Kontaktelement umschlossen sein.
  • Nachfolgend werden das Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, der strahlungsemittierende Halbleiterchip und das strahlungsemittierende Bauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 und 16 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel,
    • 17, 18, 19, 20, 21, 22 und 23 schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit einer Trägeranordnung gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel,
    • 24 schematische Schnittdarstellungen eines Verfahrensstadiums bei der Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel,
    • 25 und 26 schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel, und
    • 27, 28, 29, 30, 31 und 32 schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • Gemäß der 1 wird in einem Verfahrensschritt zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 zunächst ein Halbleiterwafer 2 bereitgestellt. Der Halbleiterwafer 2 umfasst eine erste Halbleiterschichtenfolge 3 und eine zweite Halbleiterschichtenfolge 3. Der Halbleiterwafer 2 ist hier epitaktisch auf ein Aufwachssubstrat 16 aufgewachsen. Die erste Halbleiterschichtenfolge 3 ist in diesem Ausführungsbeispiel p-dotiert und die zweite Halbleiterschichtenfolge 4 ist in diesem Ausführungsbeispiel n-dotiert ausgebildet.
  • Auf dem Halbleiterwafer 2, insbesondere auf der ersten Halbleiterschichtenfolge 3, ist eine erste dielektrische Schicht 17 aufgebracht. Die erste dielektrische Schicht 17 steht mit dem Halbleiterwafer 2 in direktem Kontakt. Die erste dielektrische Schicht 17 umfasst hier zwei erste dielektrische Schichten 17. Die dem Halbleiterwafer 2 zugewandte erste dielektrische Schicht 17 umfasst in diesem Fall Siliziumdioxid und weist eine Dicke von höchstens 50 nm auf. Die dem Halbleiterwafer 2 abgewandte erste dielektrische Schicht 17 umfasst Aluminiumoxid und weist ebenfalls eine Dicke von höchstens 50 nm auf.
  • Gemäß der 2 werden in einem weiteren Verfahrensschritt erste Ausnehmungen 18 in der ersten dielektrischen Schicht 17 erzeugt. Die ersten Ausnehmungen 18 durchbrechen die erste dielektrische Schicht 17 vollständig und legen den Halbleiterwafer 2, insbesondere die erste Halbleiterschichtenfolge 3, bereichsweise frei.
  • Nachfolgend werden erste Kontaktschichten 5 auf den Halbleiterwafer 2, insbesondere auf die erste Halbleiterschichtenfolge 3, aufgebracht. In diesem Ausführungsbeispiel werden die ersten Kontaktschichten 5 jeweils in einer der ersten Ausnehmungen 18 angeordnet. Die ersten Kontaktschichten 5 stehen im Bereich der ersten Ausnehmungen 18 in direktem Kontakt mit dem Halbleiterwafer 2. In diesem Ausführungsbeispiel weisen die ersten Kontaktschichten 5 ein TCO, wie beispielsweise ITO, auf. Eine Dicke der ersten Kontaktschichten 5 ist in diesem Fall höchstens 50 nm. Damit ist die Dicke der ersten Kontaktschichten 5 kleiner als die Dicke der ersten dielektrischen Schichten 17.
  • In diesem Ausführungsbeispiel bedecken die ersten Kontaktschichten 5 einen Großteil einer Deckfläche der ersten Halbleiterschichtenfolge 3. Zu großen Teilen heißt hier, dass die ersten Kontaktschichten 5 jeweils mindestens 70 % der Deckfläche der ersten Halbleiterschichtenfolge 3 bedecken.
  • Bei dem Verfahrensschritt, wie in 3 gezeigt, wird eine zweite dielektrische Schicht 20 über der ersten dielektrischen Schicht 17 und den ersten Kontaktschichten 5 aufgebracht. Die zweite dielektrische Schicht 20 steht hier in direktem Kontakt mit der ersten dielektrischen Schicht 17 und den ersten Kontaktschichten 5. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die zweite dielektrische Schicht 20 Siliziumdioxid und weist eine Dicke von in etwa 1 µm auf.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß der 4 werden vierte Ausnehmungen 26 in der zweiten dielektrischen Schicht 20 erzeugt, die in lateralen Richtungen jeweils mit einer der ersten Ausnehmungen 18 überlappen. Weiterhin werden fünfte Ausnehmungen 28 in der zweiten dielektrischen Schicht 20 erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den ersten Ausnehmungen 18 beabstandet sind. Die vierten Ausnehmungen 26 und die fünften Ausnehmungen 28 durchdringen die zweite dielektrische Schicht 20 vollständig. Die vierten Ausnehmungen 26 legen hier die ersten Kontaktschichten 5 bereichsweise frei und die fünften Ausnehmungen 28 legen die ersten dielektrischen Schichten 5 bereichsweise frei.
  • Weiterhin werden erste Vereinzelungsgräben 39 in der zweiten dielektrischen Schicht 20 erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den ersten Ausnehmungen 18 beabstandet sind. Die ersten Vereinzelungsgräben 39 sind hier jeweils zwischen einer der vierten Ausnehmungen 26 und einer der fünften Ausnehmungen 28 angeordnet. Die ersten Vereinzelungsgräben 39 durchdringen die zweite dielektrische Schicht 20 vollständig. Weiterhin legen die ersten Vereinzelungsgräben 39 die ersten dielektrischen Schichten bereichsweise frei.
  • Wie in der 5 gezeigt, werden erste Kontaktierungen 27 jeweils in einer der vierten Ausnehmungen 26 angeordnet. Die ersten Kontaktierungen 27 bedecken die die vierten Ausnehmungen 26 begrenzenden Flächen vollständig. Weiterhin werden zweite Kontaktierungen 29 jeweils in einer der fünften Ausnehmungen 28 angeordnet. Die zweiten Kontaktierungen 29 bedecken die die fünften Ausnehmungen 28 begrenzenden Flächen vollständig. Die ersten Kontaktierungen 27 und die zweiten Kontaktierungen 29 umfassen beide ein elektrisch leitendes Metall. Weiterhin stehen die ersten Kontaktierungen 27 jeweils in einer der vierten Ausnehmungen 26 in elektrisch leitendem Kontakt zu einer der ersten Kontaktschichten 5.
  • Bei dem Verfahrensschritt gemäß der 6 wird eine Opferschicht 6 auf dem Halbleiterwafer 2, insbesondere der ersten Halbleiterschichtenfolge 3, aufgebracht. Die Opferschicht 6 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel Silizium.
  • Entsprechend der 7 werden Öffnungen 7 in der Opferschicht 6 erzeugt, die die Opferschicht 6 vollständig durchdringen und die zweite dielektrische Schicht 20 bereichsweise freilegen.
  • Auf der Opferschicht 6 wird in Verbindung mit den 8, 9 und 10 eine Trägeranordnung 8 an der Opferschicht 6 befestigt.
  • Wie in 8 gezeigt, wird eine erste Trägerschicht 10 über der Opferschicht 6 aufgebracht. Die erste Trägerschicht 10 bedeckt die Opferschicht 6 vollständig und ist auch in den Öffnungen 7 angeordnet. Die erste Trägerschicht umfasst in diesem Ausführungsbeispiel Aluminiumoxid und weist eine Dicke von wenigstens 50 nm und höchstens 500 nm auf.
  • Nachfolgend, wie in 9 gezeigt, wird eine zweite Trägerschicht 11 über der ersten Trägerschicht 10 aufgebracht. Die zweite Trägerschicht 11 füllt die Öffnungen 7 aus und überragt die Öffnungen 7 in vertikaler Richtung. Die zweite Trägerschicht umfasst in diesem Ausführungsbeispiel ein Haftvermittlungsmaterial, wie zum Beispiel Benzocyclobuten.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird, wie in 10 gezeigt, eine dritte Trägerschicht 12 über der zweiten Trägerschicht 11 angeordnet. Bei der dritten Trägerschicht 12 handelt es sich in diesem Ausführungsbeispiel um einen Hilfsträger.
  • Weiterhin werden Halteelemente 9 durch die Trägeranordnung 8 definiert, die in den Öffnungen 7 angeordnet sind. In diesem Ausführungsbeispiel sind die erste Trägerschicht 10 und die zweite Trägerschicht 11 in den Öffnungen angeordnet und bilden die Halteelemente 9.
  • Bei dem Verfahrensschritt gemäß der 11 wird das Aufwachssubstrat 16 von der Halbleiterschichtenfolge 2 abgelöst.
  • Die 12 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem der Halbleiterwafer 2 zu Halbleiterkörpern 13 vereinzelt wird. Der Halbleiterwafer 2 wird beispielsweise durch Schnitte in vertikaler Richtung durch den Halbleiterwafer 2 zu Halbleiterkörpern 13 vereinzelt. Die Schnitte durchdringen den Halbleiterwafer 2 in diesem Ausführungsbeispiel vollständig.
  • Gemäß der 13 wird in diesem Verfahrensschritt eine Passivierungsschicht 21 über den Halbleiterkörpern 13 aufgebracht. Die Passivierungsschicht 21 bedeckt eine der Trägeranordnung 8 abgewandte Außenfläche der Halbleiterkörper 13 vollständig. Weiterhin bedeckt die Passivierungsschicht 8 eine Bodenfläche der ersten dielektrischen Schicht 17, die der Trägeranordnung 8 abgewandt ist, vollständig. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die Passivierungsschicht Siliziumdioxid.
  • Wie in Verbindung mit der 14 gezeigt, werden in einem weiteren Verfahrensschritt zweite Ausnehmungen 22 in der Passivierungsschicht 21 erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den Halbleiterkörpern 13 beabstandet sind. In diesem Ausführungsbeispiel durchdringen die zweiten Ausnehmungen 22 auch die erste dielektrische Schicht 17 vollständig. Die zweiten Ausnehmungen 22 legen hier einen Bereich der zweiten Kontaktierung 29 frei.
  • Weiterhin werden dritte Ausnehmungen 23 in der Passivierungsschicht 21 erzeugt, die in lateralen Richtungen jeweils mit einem der Halbleiterkörper 13 überlappen. Die dritten Ausnehmungen 23 durchdringen die Passivierungsschicht 8 beispielsweise vollständig. Die dritten Ausnehmungen 23 legen jeweils einen der Halbleiterkörper 13, insbesondere die zweite Halbleiterschichtenfolge 4, bereichsweise frei.
  • Des Weiteren werden zweite Vereinzelungsgräben 40 in der ersten dielektrischen Schicht 17 erzeugt, die jeweils in lateralen Richtungen mit einem der ersten Vereinzelungsgräben 39 überlappen. Die zweiten Vereinzelungsgräben 40 durchdringen die erste dielektrische Schicht 17 vollständig. Weiterhin legen die zweiten Vereinzelungsgräben 40 die Opferschicht 6 bereichsweise frei.
  • Die 15 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem zweite Kontaktschichten 14 auf die durch die dritten Ausnehmungen 23 freigelegten Halbleiterkörper 13 aufgebracht werden. Die zweiten Kontaktschichten 14 stehen hier in direktem Kontakt mit den Halbleiterkörpern 13, insbesondere der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4. Die zweiten Kontaktschichten 14 füllen die dritten Ausnehmungen 23 vollständig aus und überragen die Passivierungsschicht 21 in vertikaler Richtung. Weiterhin überragen die zweiten Kontaktschichten 14 die dritten Ausnehmungen 23 in lateralen Richtungen und sind bereichsweise auf der Passivierungsschicht 21 angeordnet.
  • Weiterhin werden weitere zweite Kontaktschichten 30 auf Seitenflächen der Passivierungsschicht 21 aufgebracht. Die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 füllen die zweiten Ausnehmungen 22 vollständig aus. Die zweiten Kontaktschichten 14 und die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 verbinden jeweils eine der zweiten Kontaktierungen 29 mit jeweils einem der freigelegten Halbleiterkörper 13, insbesondere die zweite Halbleiterschichtenfolge 4, elektrisch leitend.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfassen die zweiten Kontaktschichten 14 und die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 ein TCO, wie zum Beispiel ITO. Die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 auf der Seitenfläche der Passivierungsschicht 21a weisen hierbei eine Dicke von mindestens 50 nm und höchstens 20 nm auf. Weiterhin sind die weiteren ersten Kontaktschichten 30 in diesem Ausführungsbeispiel auf den Seitenflächen der Passivierungsschicht 21a als Steg ausgebildet, der eine Breite von höchstens 5 µm aufweist.
  • In einem weiteren Schritt gemäß der 16 wird die Opferschicht 6 entfernt, derart, dass die Trägeranordnung 8 lediglich im Bereich der Halteelemente 9 mit den Halbleiterkörpern 13 mechanisch verbunden ist. Die Opferschicht 6 wird in diesem Ausführungsbeispiel durch einen chemischen Ätzprozess entfernt.
  • Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 sind damit lediglich durch das Halteelement 9 mit der Trägeranordnung 8 mechanisch verbunden. Vorteilhafterweise können die erzeugten Halbleiterchips 1 so mittels der Trägeranordnung 8 auf eine Anschlusskomponente gedruckt werden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 17 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 16 erste Kontaktschichten 5 auf, die ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall aufweisen. Weiterhin sind die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall. In diesem Ausführungsbeispiel bedecken die weiteren ersten Kontaktschichten 30 die Seitenflächen der Passivierungsschicht 21a zu großen Teilen.
  • Die ersten Kontaktschichten 5 und die weiteren zweiten Kontaktschichten 30 sind in diesem Ausführungsbeispiel für in den Halbleiterkörpern 13 erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet.
  • In diesem Ausführungsbeispiel bedecken zweite Kontaktschichten 14 einen Großteil einer Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4. Zu großen Teilen heißt hier, dass die zweiten Kontaktschichten 14 jeweils mindestens 90 % der Bodenfläche der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4 bedecken. Durch solche zweite Kontaktschichten 14 kann die in den Halbleiterkörpern 13 erzeugte Strahlung ausgekoppelt werden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 18 weist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 17 weitere reflektierende Spiegel 38 auf, der Seitenflächen der Halbleiterkörper 13, insbesondere Seitenflächen der ersten Halbleiterschichtenfolge 3, teilweise bedeckt. Die weiteren reflektierenden Spiegel 38 sind beispielsweise mit den gleichen Materialien, wie die ersten Kontaktschichten 5, gebildet. Damit sind die weiteren reflektierenden Spiegel 38 in diesem Ausführungsbeispiel für in den Halbleiterkörpern 13 erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet.
  • Vorteilhafterweise umschließen die reflektierend ausgebildeten ersten Kontaktschichten 5, die weiteren zweiten Kontaktschichten und die weiteren reflektierenden Spiegel 38 jeweils einen Halbleiterkörper 13 bis auf die transparent ausgebildeten zweiten Kontaktschichten 14 vollständig.
  • Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 19 sind die ersten Kontaktierungen 27 und die zweiten Kontaktierungen 29 im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 16 mit einem TCO gebildet.
  • Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen der 16, 17, 18 und 19 umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 20 keine ersten Kontaktierungen 27 und keine zweiten Kontaktierungen 29. Demzufolge sind in der zweiten dielektrischen Schicht 20 auch keine vierten Ausnehmungen 26 und keine fünften Ausnehmungen 28 angeordnet.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite Halbleiterschicht 4 im Bereich je Halbleiterkörper 13 nur durch die zweiten Kontaktschichten 14 elektrisch leitend kontaktierbar. Damit weist der Halbleiterchip 1 hier keine weiteren zweiten Kontaktschichten 30 auf.
  • Weiterhin sind weitere erste Kontaktschichten 25 auf Seitenflächen der Passivierungsschicht 21a angeordnet. Die weiteren ersten Kontaktschichten sind zudem auf der Bodenfläche der Passivierungsschicht 21 angeordnet.
  • Die weiteren ersten Kontaktschichten 25 sind jeweils mit einer der ersten Kontaktschichten 5 in jeweils einer der zweiten Ausnehmungen 22 elektrisch leitend verbunden.
  • Die weiteren ersten Kontaktschichten 25 umfassen hier die gleichen Materialien wie die ersten Kontaktschichten 5, wie in diesem Ausführungsbeispiel ein TCO. Die weiteren ersten Kontaktschichten 25 sind auf den Seitenflächen der Passivierungsschicht 21a als Steg ausgebildet. Der Steg weist in diesem Fall eine Breite von höchstens 5 µm auf.
  • Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 21 sind die weiteren ersten Kontaktschichten 25 und die zweiten Kontaktschichten 14 im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 20 mit einem reflektierenden, elektrisch leitenden Metall gebildet.
  • Weiterhin ist ein reflektierender Spiegel 31 zwischen den Halbleiterkörpern 13, insbesondere der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4, und der Passivierungsschicht 21 angeordnet.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel der 22 ist die zweite Halbleiterschicht 4 je Halbleiterkörper 13 jeweils mit einer zweiten Kontaktierung 29 wie im Ausführungsbeispiel der 16 elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterchip 1 weist jedoch keine ersten Kontaktierungen 27 auf. In der Passivierungsschicht 21 sind weitere zweite Ausnehmungen 24 erzeugt, die in lateralen Richtungen zu den Halbleiterkörpern 13 und den zweiten Ausnehmungen 22 beabstandet sind. Die weiteren zweiten Ausnehmungen 24 durchdringen die Passivierungsschicht 21 vollständig. Weitere erste Kontaktschichten 25, die auf einer Seitenfläche der Passivierungsschicht 21 angeordnet sind, sind jeweils mit einer der ersten Kontaktschichten 5 in jeweils einer der weiteren zweiten Ausnehmungen 24 elektrisch leitend verbunden.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 22 umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 23 erste Kontaktierungen 27.
  • Bei dem Verfahrensstadium gemäß dem Ausführungsbeispiel der 24 ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 im Unterschied zu den Verfahrensstadien gemäß dem Ausführungsbeispiel der 15 bis 16 an einer Trägeranordnung 8 mechanisch befestigt. Die Trägeranordnung 8 umfasst hier eine zweite Trägerschicht 11 und eine dritte Trägerschicht 12. Die zweite Trägerschicht 11 steht in direktem Kontakt mit der Opferschicht 6. Weiterhin vermittelt die zweite Trägerschicht 11 eine mechanisch stabile Verbindung zwischen der Opferschicht 6 und der dritten Trägerschicht 12. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 kann durch Laserstrahlung von der Trägeranordnung 8 zerstörungsfrei abgelöst werden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 25 umfasst einen Halbleiterkörper 13, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden. Der Halbleiterkörper 13 weist eine erste Halbleiterschichtenfolge 3 und eine zweite Halbleiterschichtenfolge 4 auf. Auf der ersten Halbleiterschichtenfolge 3 ist eine erste Kontaktschicht 5 angeordnet und auf der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4 ist eine zweite Kontaktschicht 14 angeordnet. Weiterhin ist eine Seitenfläche des Halbleiterkörpers 13 vollständig mit einer Passivierungsschicht 21 bedeckt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 ausschließlich Komponenten auf, die für die vom Halbleiterkörper 13 ausgesendete elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet sind. Die erste Kontaktschicht 5 und die zweite Kontaktschicht 14 sind hier mit einem transparenten leitenden Material, wie etwa ITO, gebildet. Weiterhin ist die Passivierungsschicht 21 mit Siliziumdioxid gebildet.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 25 umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 26 keine Passivierungsschicht 21.
  • Das strahlungsemittierende Bauelement 32 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 27 umfasst einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 25. Der Halbleiterchip 1 ist hierbei auf einem Träger 33 aufgebracht, der zumindest ein erstes Kontaktelement 34 aufweist. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit der zweiten Kontaktschicht 14 mittels eines Klebers 35 auf dem ersten Kontaktelement 34 des Trägers 33 angeordnet. In diesem Fall handelt es sich bei dem Kleber 35 um einen elektrisch leitenden Kleber 35.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 27 ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 28 mit der ersten Kontaktschicht 5 mittels eines Klebers 35 auf dem ersten Kontaktelement 34 des Trägers 33 angeordnet. In diesem Fall handelt es sich bei dem Kleber 35 um einen elektrisch isolierenden Kleber 35.
  • Das strahlungsemittierende Bauelement 32 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 29 umfasst im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 28 einen Umhüllungskörper 37. Der Umhüllungskörper 37 ist beispielsweise durchlässig für die vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 erzeugte Strahlung ausgebildet. Bei dem Umhüllungskörper 37 kann es sich um ein Harz, wie etwa um ein Epoxid, oder um ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Weiterhin bedeckt eine erste Kontaktschicht 5 zudem eine Deckfläche des Umhüllungskörpers 37, insbesondere vollständig.
  • Das erste Kontaktelement 34 weist gemäß dem Ausführungsbeispiel der 30 im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 28 eine gekrümmte Form auf.
  • Das erste Kontaktelement 34 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine Kavität auf, in der der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 vollständig angeordnet ist. Weiterhin ist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 in lateralen Richtungen vollständig von dem ersten Kontaktelement 34 umschlossen.
  • Die erste Kontaktschicht 14 und die zweite Kontaktschicht 5 des strahlungsemittierenden Bauelements 32 sind gemäß dem Ausführungsbeispiel der 31 auf einer Bodenfläche des Halbleiterkörpers 13, insbesondere der zweiten Halbleiterschichtenfolge 4, angeordnet. Die erste Kontaktschicht 5 erstreckt sich hier von der Bodenfläche des Halbleiterkörpers 13 in den Halbleiterkörper 13 bis zur ersten Halbleiterschichtenfolge 3 hinein. Weiterhin ist die erste Kontaktschicht 14 auf einem ersten Kontaktelement 34 angeordnet und die zweite Kontaktschicht 5 auf einem zweiten Kontaktelement 36. In diesem Ausführungsbeispiel umfassen das erste Kontaktelement 34 und das zweite Kontaktelement 36 ein reflektierendes, elektrisch leitendes Metall.
  • Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel der 31 sind das erste Kontaktelement 34 und das zweite Kontaktelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 32 mit einem TCO gebildet.
  • Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    strahlungsemittierender Halbleiterchip
    2
    Halbleiterwafer
    3
    erste Halbleiterschichtenfolge
    4
    zweite Halbleiterschichtenfolge
    5
    erste Kontaktschicht
    6
    Opferschicht
    7
    Öffnung
    8
    Trägeranordnung
    9
    Halteelement
    10
    erste Trägerschicht
    11
    zweite Trägerschicht
    12
    dritte Trägerschicht
    13
    Halbleiterkörper
    13a
    Bodenfläche des Halbleiterkörpers
    14
    zweite Kontaktschicht
    16
    Aufwachssubstrat
    17
    erste dielektrische Schicht
    18
    erste Ausnehmungen
    20
    zweite dielektrische Schicht
    21
    Passivierungsschicht
    21a
    Seitenflächen der Passivierungsschicht
    22
    zweite Ausnehmung
    23
    dritte Ausnehmung
    24
    weitere zweite Ausnehmung
    25
    weitere erste Kontaktschicht
    26
    vierte Ausnehmung
    27
    erste Kontaktierung
    28
    fünfte Ausnehmung
    29
    zweite Kontaktierung
    30
    weitere zweite Kontaktschichten
    31
    reflektierender Spiegel
    32
    strahlungsemittierendes Bauelement
    33
    Träger
    34
    erstes Kontaktelement
    35
    Kleber
    36
    zweites Kontaktelement
    37
    Umhüllungskörper
    38
    weiterer reflektierender Spiegel
    39
    erster Vereinzelungsgraben
    40
    zweiter Vereinzelungsgraben

Claims (20)

  1. Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (2), - Aufbringen erster Kontaktschichten (5) auf den Halbleiterwafer (2), - Befestigen einer Trägeranordnung (8) an dem Halbleiterwafer (2), - Vereinzeln des Halbleiterwafers (2) zu Halbleiterkörpern (13), und - Aufbringen zweiter Kontaktschichten (14) auf die Halbleiterkörper (13).
  2. Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) nach dem Anspruch 1, wobei - eine Opferschicht (6) auf dem Halbleiterwafer erzeugt wird, die einfach zusammenhängend ausgebildet ist, - die Trägeranordnung (8) eine zweite Trägerschicht (11) und eine dritte Trägerschicht (12) umfasst, und die zweite Trägerschicht (11) auf der Opferschicht (6) aufgebracht wird.
  3. Verfahren zur Herstellung strahlungsemittierender Halbleiterchips (1) nach dem Anspruch 1, wobei nach dem Aufbringen der ersten Kontaktschichten (5) - eine Opferschicht (6) auf dem Halbleiterwafer erzeugt wird, die von Öffnungen (7) durchbrochen ist, - die Trägeranordnung (8) an der Opferschicht (6) befestigt wird, wobei Halteelemente (9) der Trägeranordnung (8) jeweils in einer Öffnung (7) der Opferschicht (6) erzeugt werden, und - die Opferschicht (6) derart entfernt wird, dass die Trägeranordnung (8) lediglich im Bereich der Halteelemente (9) mit den Halbleiterkörpern (13) mechanisch verbunden ist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei - eine erste dielektrische Schicht (17) auf dem Halbleiterwafer (2) aufgebracht wird, - erste Ausnehmungen (18) in der ersten dielektrischen Schicht (17) erzeugt werden, und - erste Kontaktschichten (5) jeweils in einer der ersten Ausnehmungen (18) angeordnet werden.
  5. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei eine zweite dielektrische Schicht (20) über der ersten dielektrischen Schicht (17) und den ersten Kontaktschichten (5) aufgebracht wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Passivierungsschicht (21) nach dem Vereinzeln des Halbleiterwafers (2) über den Halbleiterkörpern (13) aufgebracht wird.
  7. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei - zweite Ausnehmungen (22) in der Passivierungsschicht (21) erzeugt werden, die in lateralen Richtungen zu den Halbleiterkörpern (13) beabstandet sind, - dritte Ausnehmungen (23) in der Passivierungsschicht (21) erzeugt werden, die in lateralen Richtungen jeweils mit einem der Halbleiterkörper (13) überlappen, und - die dritten Ausnehmungen (23) jeweils einen der Halbleiterkörper (13) bereichsweise freilegen.
  8. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zweite Kontaktschichten (14) jeweils auf einen der freiliegenden Halbleiterkörper (13) aufgebracht werden.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei - weitere erste Kontaktschichten (25) auf Seitenflächen der Passivierungsschicht (21a) aufgebracht werden, und - die weiteren ersten Kontaktschichten (25) jeweils mit einer der ersten Kontaktschichten (5) in jeweils einer der zweiten Ausnehmungen (22) elektrisch leitend verbunden werden.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei - vierte Ausnehmungen (26) in der zweiten dielektrischen Schicht (20) erzeugt werden, die in lateralen Richtungen jeweils mit einer der ersten Ausnehmungen (18) überlappen, - erste Kontaktierungen (27) jeweils in einer der vierten Ausnehmungen (26) angeordnet werden, und - die ersten Kontaktierungen (27) jeweils in einer der vierten Ausnehmungen (26) in elektrisch leitendem Kontakt zu einer der ersten Kontaktschichten (5) stehen.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8 oder 10, wobei - fünfte Ausnehmungen (28) in der zweiten dielektrischen Schicht (20) erzeugt werden, die in lateralen Richtungen zu den ersten Ausnehmungen (18) beabstandet sind, und - zweite Kontaktierungen (29) jeweils in einer der fünften Ausnehmungen (28) angeordnet werden.
  12. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei - weitere zweite Kontaktschichten (30) auf Seitenflächen der Passivierungsschicht (21a) aufgebracht werden, und - die zweiten Kontaktschichten (14) und die weiteren zweiten Kontaktschichten (30) jeweils eine der zweiten Kontaktierungen (29) mit jeweils einem der freigelegten Halbleiterkörper (13) elektrisch leitend verbinden.
  13. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit: - einem Halbleiterkörper (13), der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung auszusenden, - einer ersten Kontaktschicht (5), und - einer zweiten Kontaktschicht (14), wobei - durch die erste Kontaktschicht (5) und die zweite Kontaktschicht (14) ein Strom in den Halbleiterkörper einprägbar ist.
  14. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) ausschließlich Komponenten aufweist, die für die vom Halbleiterkörper (13) ausgesendete elektromagnetische Strahlung durchlässig ausgebildet sind.
  15. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 13 oder 14, bei dem die erste Kontaktschicht (5) und die zweite Kontaktschicht (14) ein transparentes leitendes Material umfassen.
  16. Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 13 bis 15, bei dem - die erste Kontaktschicht (5) auf einer Bodenfläche des Halbleiterkörpers (13a) angeordnet ist, und - sich die erste Kontaktschicht (5) von der Bodenfläche des Halbleiterkörpers (13a) in den Halbleiterkörper (13) hinein erstreckt.
  17. Strahlungsemittierendes Bauelement (32), mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) nach einem der Ansprüche 11 bis 16, - einem Träger (33), der zumindest ein erstes Kontaktelement (34) aufweist, und - der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) mittels einer direkten Bondverbindung und/oder eines Klebers (35) auf dem Träger angeordnet ist.
  18. Strahlungsemittierendes Bauelement nach dem vorangehenden Anspruch, bei dem der Träger (33) und/oder das erste Kontaktelement (34) transparent für die vom Halbleiterkörper (13) ausgesendete elektromagnetische Strahlung ausgebildet sind.
  19. Strahlungsemittierendes Bauelement nach dem Anspruch 17, bei dem das erste Kontaktelement (34) reflektierend für die vom Halbleiterkörper (13) ausgesendete elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist.
  20. Strahlungsemittierendes Bauelement nach dem vorangehenden Anspruch, bei dem das erste Kontaktelement (34) eine gekrümmte Form aufweist.
DE102019131502.6A 2019-08-29 2019-11-21 Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement Pending DE102019131502A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2020/072652 WO2021037568A1 (de) 2019-08-29 2020-08-12 Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement
CN202080060611.9A CN114365296A (zh) 2019-08-29 2020-08-12 用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件
US17/638,710 US20220406757A1 (en) 2019-08-29 2020-08-12 Method for Producing Radiation-Emitting Semiconductor Chips, Radiation-Emitting Semiconductor Chip and Radiation-Emitting Component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019123188 2019-08-29
DE102019123188.4 2019-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019131502A1 true DE102019131502A1 (de) 2021-03-04

Family

ID=74565591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019131502.6A Pending DE102019131502A1 (de) 2019-08-29 2019-11-21 Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220406757A1 (de)
CN (1) CN114365296A (de)
DE (1) DE102019131502A1 (de)
WO (1) WO2021037568A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021132559A1 (de) * 2021-12-09 2023-06-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines bauelements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160181476A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror
DE102017104752A1 (de) * 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern und Halbleiterchip
US20190096774A1 (en) * 2016-11-25 2019-03-28 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
US20190229097A1 (en) * 2017-12-05 2019-07-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006057747B4 (de) * 2006-09-27 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper
WO2010114250A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
DE102010048159B4 (de) * 2010-10-11 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
DE102015102374A1 (de) * 2015-02-19 2016-08-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
KR20170026958A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10395966B2 (en) * 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160181476A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror
US20190096774A1 (en) * 2016-11-25 2019-03-28 Vuereal Inc. Microdevice transfer setup and integration of micro-devices into system substrate
DE102017104752A1 (de) * 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern und Halbleiterchip
US20190229097A1 (en) * 2017-12-05 2019-07-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20220406757A1 (en) 2022-12-22
WO2021037568A1 (de) 2021-03-04
CN114365296A (zh) 2022-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2149160B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente
DE102005007601B4 (de) Optoelektronisches Bauelement, Vorrichtung mit einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP3345225B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102007030129A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102005053274A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterbauelement
DE102013111496A1 (de) Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2012110364A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips
DE102013112549A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012106953A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2017060160A1 (de) Halbleiterlaser und verfahren zur herstellung eines halbleiterlasers
DE102010032497A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
EP2980864A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung einer kontaktstruktur für einen derartigen chip
WO2012107289A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht
DE102009059887A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
EP2697835B1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterkörpers
DE102019131502A1 (de) Verfahren zur herstellung strahlungsemittierender halbleiterchips, strahlungsemittierender halbleiterchip und strahlungsemittierendes bauelement
WO2012107290A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht
EP2223333A2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterchips und halbleiterchip
WO2022184414A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102012112771A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102008015253A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Laserbauelements und Laserbauelement
WO2019002097A1 (de) Halbleiterchip mit transparenter stromaufweitungsschicht
DE102020200621A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE112017002426B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102021124146A1 (de) Licht emittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R163 Identified publications notified