DE102019130779A1 - SAW-Bauteil - Google Patents

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Abstract

Ein akustisches Oberflächenwellenbauteil wird unter Verwendung eines geschichteten Substratsystems mit einem speziellen Material und einem speziellen Schnitt eines piezoelektrischen Dünnfilms bereitgestellt. Die richtige Wahl des Materials und des Schnitts des piezoelektrischen Dünnfilms führt zu einer niedrigen Geschwindigkeit der angeregten Wellenmode, was die Verwendung kleinerer Bauteile ohne Verschlechterung anderer Leistungsparameter gemäß Spezifikation ermöglicht.

Description

  • Die Entwicklung von Mobilkommunikationssystemen der nächsten Generation erfordert Filterbauteile mit herausragender Leistung und Eigenschaften wie hoher elektromechanischer Kopplungsfaktor k2 und niedriger Temperaturkoeffizient der Frequenz TCF.
  • SAW-Filterbauteile in Form eines Sandwich-Substratsystems oder eines Schichtstapels bieten hohe Kopplungskoeffizienten aufgrund eines sagittalen Wellenführungseffekts. Eine der Schichten eines gängigen Mehrschichtsubstratsystems ist eine SiO2-Schicht, die eine Reduzierung des TCF bewirkt. Eine solche SiO2-Schicht wird als TCF-Kompensationsschicht verwendet, und ihre Dicke kann so eingestellt werden, um eine gewünschte TCF-Reduktion zu erreichen. Aufgrund von unterschiedlichen Impedanzen der Schicht in Sandwich-Systemen können jedoch Störmodi z.B. akustische Volumenmoden (bulk acoustic modes) erscheinen, die unerwünscht sind, da sie störende Resonanzen in benachbarten Frequenzbändern bei höheren Frequenzen erzeugen.
  • Ein Schichtstapel beinhaltet ein Trägersubstrat wie Silizium (Si) oder Saphir (Al2O3), dielektrische Funktionsschichten wie AlN und SiO2 und ein piezoelektrisches Material wie Lithiumtantalat (LiTaO3), auf das z.B. Elektroden aufgebracht werden.
  • Akustische Oberflächenwellenfilter (SAW-Filter) in Sandwich-Substratsystemen weisen eine inhärent hohe elektromechanische Kopplung auf, da sie aufgrund ihrer geeignet gewählten Schichtfolge einen sagittalen Wellenleiter erzeugen. Außerdem werden Funktionsschichten auf die Elektroden oder unter das Piezomaterial aufgebracht, um gezielt die Eigenschaften der Komponente, wie ihren Temperaturkoeffizienten der Frequenz (TCF), zu verbessern.
  • Einige Sandwich-Systeme verwenden einen piezoelektrischen Dünnfilm aus LithiumTantalat LT. Es wird ein Schnittwinkel gewählt, der hauptsächlich eine leckende Oberflächenwelle anregt und ausbreitet. Diese Welle hat eine relativ hohe akustische Geschwindigkeit und erfordert daher einen IDT (Interdigitalwandler), der Elektrodenfinger mit einem relativ hohen Abstand (Pitch) zum Anregen einer Welle einer gewünschten Frequenz im Vergleich zu einer Welle, die eine niedrigere akustische Geschwindigkeit aufweist.
  • Als Folge dieses begrenzenden Merkmals erfordert die Größe von entsprechende SAW-Bausteilen eine Mindestgröße, um IDT mit dem relativ hohen Abstand anzuordnen. Aufgrund der anhaltenden Nachfrage nach kleineren Bauteilen ist jedoch eine Möglichkeit erforderlich, die Bauteilgröße weiter zu reduzieren, ohne die Leistung des Bauteils zu reduzieren.
  • Ein weiterer Nachteil der derzeit verwendeten geschichteten Substratsysteme resultiert durch das Stapeln von Schichten mit unterschiedlichen Impedanzen. Als Folge davon können sich höhere Modi und Volumenmodi ausbreiten, die im Trägeraggregationsanwendungen nachteilig sind.
  • Zusätzlich weisen Bauteile mit den derzeit verwendeten geschichteten Substratsystemen einen signifikanten Unterschied zwischen dem TCF der linken und rechten Bandgrenze auf, der typischerweise größer als 20ppm/K ist. Dies ist nachteilig, da sich die Bandbreite der Komponente aufgrund steigender Temperatur signifikant ändert und die Anpassung der Komponente an Temperaturunterschiede nicht länger optimal ist.
  • Es ist daher ein Ziel, ein akustisches Oberflächenwellen-Bauteil bereitzustellen, das mindestens eines der oben genannten Nachteile vermeidet.
  • Ein akustisches Oberflächenwellen-Bauteil wird bereitgestellt, das ein geschichtetes Substratsystem mit einem speziellen Material und einem speziellen Schnitt eines piezoelektrischen Dünnfilms verwendet. Die richtige Wahl des Materials und der Schnitt des piezoelektrischen Dünnfilms führt zu einer niedrigen Geschwindigkeit der angeregten Wellenmode, was die Verwendung kleinerer Bauteile ermöglicht, ohne andere Leistungsparameter gemäß Spezifikation zu verschlechtern.
  • Das SAW-Bauteil ist durch einen Schichtstapel realisiert, der eine Abfolge von unten nach oben von
    • - einem Substrat
    • - einer TCF-Kompensationsschicht
    • - einem piezoelektrischen Dünnfilm und
    • - eine Elektrodenstruktur
    umfasst, wobei der piezoelektrische Dünnfilm eine Dicke und einen Schnittwinkel aufweist, der Anregung und Ausbreitung einer Rayleigh-Mode als Hauptmode begünstigt.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Rayleigh-Welle als Hauptmode verwendet. In Systemen mit leckenden Oberflächenwellen (LSAW), wird die Rayleigh-Welle als eine Störmode dargestellt, der unterhalb der leckenden Oberflächenwelle auftritt. Durch diesen neuen Ansatz ist die Störmode unterhalb der Hauptmode vollständig verschwunden, weil wenn die Rayleigh-Mode als Hauptmode verwendet wird, dann kann sich keine weitere Mode unterhalb der Resonanzfrequenz ausbreiten, da diese die niedrigste Geschwindigkeit des Systems hat. Andere Störmodi wie höhere Modi und Volumenmodi (bulk modes) werden auf höhere Frequenzen bis zu einem Abstand oberhalb der Hauptmode verschoben, wo sie nicht mehr stören.
  • Ein weiterer Vorteil ergibt sich aus der niedrigeren akustischen Geschwindigkeit, die um etwa 20% im Vergleich zur leckenden Oberflächenwelle reduziert ist. Dies ermöglicht ein Bilden von IDTs und anderen Elektrodenstrukturen mit einem kleineren Abstand (Pitch) bei der gleichen Frequenz, wie das frühere LSAW-Bauteil. Dies ermöglicht eine Reduzierung des Bauteilbereichs.
  • Zusätzlich zum Reduzieren der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Welle werden das Material und der Schnitt der piezoelektrischen Schicht so gewählt, dass die anderen Leistungsparameter des SAW-Bauteils, wie elektromechanische Kopplungs- (k2) Qualität und TCF der Hauptmode, nicht wesentlich verschlechtert werden.
  • Ein überraschender Effekt kann nämlich darin gesehen werden, dass sich der Unterschied in TCF zwischen linker und rechter Bandgrenze deutlich auf etwa 5 ppm/K reduziert hat. Dadurch bleibt die Bandbreite konstanter und die Temperaturverschiebung des gesamten Durchlassbandes kann erheblich reduziert werden.
  • Ein Schichtstapel, der die Rayleigh-Mode als Hauptmode begünstigt, kann durch einen piezoelektrischen Dünnfilm, der sich aus Lithium-Niobat, das einen Kristallschnitt mit Eulerwinkeln von (o°/125°+- 15°/o°) aufweist, zusammensetzt, erreicht werden. Mit diesem Schnittwinkel kann ein hoher Kopplungsfaktor k2 erreicht werden und damit eine ausreichend breite Bandbreite des SAW-Bauteils. Die leckende Oberflächenwelle wird nicht mehr angeregt (oder in vernachlässigbarem Maße angeregt) oder kann nicht in der Übertragungskurve gefunden werden.
  • Der piezoelektrische Dünnfilm kann eine Dicke x mit 0,1 λ < x < 0,6 λ haben, wobei λ die Wellenlänge der akustischen Hauptmode innerhalb der piezoelektrischen Schicht eines jeweiligen Schichtstapels ist.
  • Eine entsprechende TCF-Kompensationsschicht kann eine SiO2-Schicht sein, die eine Dicke y von 0,05 λ < y < 0,5 λ aufweist. Alternativ umfasst die TCF-Kompensationsschicht dotiertes SiO2, GeO2.
  • In einem solchen Stapel umfasst das Substrat ein hochohmiges kristallines Material. Ein hoher spezifischer Widerstand ist ein spezifischer Widerstand von mindestens 1000Ωcm.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist dieses Substratmaterial ein hochohmiges Silizium mit Eulerwinkeln von (-45°±10°, -54°±10°, 60°±20°) oder (0°±10°, 0°±10°, 45°±20°). Alternativ umfasst das Substrat eines von Quarz, Saphir, Glas, Spinell und SiC.
  • Zwischen dem Substrat und der TCF-Kompensationsschicht kann ein polykristallines Silizium angeordnet werden, das eine Dicke z aufweist, wobei 0,05 λ < z < 1,0 λ. Diese Schicht ist eine Schicht mit einer relativ hohen akustischen Geschwindigkeit und verbessert die Wellenführung des SAW und reduziert auch elektrische Verluste durch Lokalisieren von Ladungsträgern darin. Alternativ umfasst die Schicht mit hoher akustischer Geschwindigkeit AlN, Si3N4, Diamant, SiC.
  • Aufgrund der guten Wellenführung des Schichtsystems können Leckwellenverluste der Hauptmode verhindert werden. Diese leckende Welle ist eine Scherwelle mit einer relativ hohen Ausbreitungsgeschwindigkeit.
  • In einer alternativen Ausführungsform gibt es keine zusätzliche Schicht zwischen Substrat und TCF-Kompensationsschicht. Stattdessen weist das Siliziumsubstrat ein Ionenimplantat in einem oberen Oberflächenbereich auf oder sie ist eine amorphe Schicht oder eine dielektrische Schicht.
  • Die Elektrodenstruktur kann eine Schichtstruktur mit Al als eine Hauptkomponente der geschichteten Elektrodenstruktur aufweisen. In dieser Ausführungsform weist die Elektrodenstruktur eine bevorzugte Dicke z mit 0,05 λ < z < 0,25 λ auf.
  • In alternativen Ausführungsformen kann die Elektrodenstruktur eine „schwere Elektrode“ sein, um die Geschwindigkeit der SAW weiter zu reduzieren. Nützliche Beispiele sind Wolfram, Molybdän, kupferbasiertes Elektrodensystem, Titan und Platin.
  • Das SAW-Bauteil kann durch Aufbringen einer oder mehrerer dielektrischer Passivierungsschichten auf die Oberseite der Elektrodenstruktur weiter vervollständigt werden. Die Passivierungsschicht kann eine Dicke w mit 0,0025 λ < w < 0,2 λ aufweisen. Das Dielektrikum kann aus Si3N4, SiO2, SiON und Al2O3 ausgewählt werden.
  • Im Folgenden wird dies anhand spezifischer Ausführungsformen und der zugehörigen Abbildungen näher erläutert. Die Abbildungen sind nur schematisch und zeigen möglicherweise nicht alle Elemente, soweit diese weggelassenen Elemente im Stand der Technik bekannt sind und von einem Facharbeiter leicht ergänzt werden können. Außerdem sind die Figuren nicht maßstabsgetreu gezeichnet und einige Details können zum besseren Verständnis vergrößert dargestellt sein.
    • zeigt einen Schichtstapel gemäß einer Ausführungsform.
    • zeigt eine Leitertypstruktur von SAW-Resonatoren als ein Beispiel einer Filterschaltung, die durch die Elektrodenstruktur realisiert ist.
    • zeigt eine Admittanz eines Ein-Tor-Resonators eines derzeit typischerweise verwendeten Schichtsystems im Vergleich zur Admittanz eines Ein-Tor-Resonators gemäß Ausführungsformen der Offenbarung.
  • zeigt einen Schichtstapel gemäß einer Ausführungsform, die ein SAW-Bauteil realisiert. Der Stapel umfasst ein Substrat SU, eine TCF-Kompensationsschicht CL, einen piezoelektrischen Dünnfilm PL und auf einer Oberseite eine Elektrodenstruktur EL. Eine optionale zusätzliche Schicht AL kann zwischen Substrat und TCF-Kompensationsschicht angeordnet werden. Die Elektrodenstruktur kann eine Filterschaltung realisieren, z.B. eine Leitertypanordnung von Resonatoren, die ein Bandpassfilter oder ein Bandstopfilter (Notch-Filter) bilden.
  • ist ein schematisches Blockdiagramm einer Leitertypanordnung von Resonatoren als eine Ausführungsform des SAW-Bauteils. Die akustischen SAW-Resonatoren sind in der Regel Ein-Tor-Resonatoren.
  • Die Leitertypstruktur umfasst eine Reihe von Basissektionen BS. Jede Basissektion umfasst mindestens einen Reihenresonator Rs und auch einen Parallelresonator Rp. Solche grundlegenden Basissektionen BS können in Reihe geschaltet werden, und zwar in einer Anzahl, die notwendig ist, um eine gewünschte Selektivität zu erreichen. Serienresonatoren Rs, die zu benachbarten Basissektionen gehören, können zu einem gemeinsamen Serienresonator Rs kombiniert werden sowie Parallelresonatoren Rp auch kombiniert werden können, wenn sie direkt benachbart und zu verschiedenen Basissektionen BS gehören.
  • Neben dem abgebildeten Beispiel bildet nur eine Basissektion BS bereits ein Basisfilter. Zwei, drei oder mehr Basissektionen können eine ausreichende Selektivität bereitstellen.
  • Für die Verwendung mit speziellen Frequenzbändern muss die Frequenz über den Abstand (Pitch) der Elektrodenstruktur gemäß der Formel f=v/A eingestellt werden, wobei f die gewünschte Frequenz des endgültigen SAW-Bauteils darstellt, v die Ausbreitungsgeschwindigkeit der akustischen Welle ist und A ein 2-faches des Abstands (Pitch) ist, was die Wellenlänge λ ergibt, die über den Abstand (Pitch) des IDT einstellbar ist, der aus der Elektrodenstruktur gebildet ist.
  • Durch die Verwendung der Rayleigh-Mode als Hauptmode der Wellenausbreitung, kann die Geschwindigkeit der akustischen Welle um etwa 20% von 3800m/s (LSAW) auf 3100m/s (Rayleigh-Welle in ein Stapel gemäß den hierin beschriebenen Ausführungsformen) reduziert werden.
  • Die Rayleigh-Mode kann als die dominante Wellenmode eingestellt werden, indem die die piezoelektrische Schicht in Bezug auf Material, Dicke und Kristallschnitt geeignet ausgewählt wird. Darüber hinaus können auch Dicke und Material anderer Schichten des gesamten Schichtstapels geeignet ausgewählt werden, um die gewünschte Wellenmode zu unterstützen.
  • Als Ergebnis der Verwendung einer Rayleigh-Welle kann ebenfalls der Abstand (Pitch) der Elektrodenstruktur des SAW-Bauteils um 20% reduziert werden, um die gleiche Frequenzlage des Einzel-Port-Resonators zu erzielen. Dementsprechend kann ein endgültiges SAW-Bauteil, das durch verbinden mehrerer Einzel-Port-Resonatoren miteinander gebildet ist, in Bezug auf Platzbedarf erheblich reduziert werden.
  • zeigt den Realteil (oberes Diagramm) und den Absolutwert (unteres Diagramm) der Admittanz eines einzelnen Ein-Port-Resonators, der auf einem LSAW-Schichtstapel realisiert wurde (Kurve 1/schwarze Linie), im Vergleich zu dem eines Ein-Port-Resonators gemäß einer Ausführungsform (Kurve 2, rote Linie). Beide Resonatoren sind so ausgelegt, dass die Hauptmode auf der gleichen Frequenz liegt.
  • Die Admittanzkurve 1 gemäß dem Stapel, der LSAW verwendet, zeigt auf beiden Seiten der Hauptmode störende Resonanzen von Störmoden. Unterhalb der Hauptresonanz bei 1800 MHz resultiert eine kleine Spitze bei etwa 1400 MHz aus einer Stör-Rayleigh-Wellenmode (siehe Pfeil SM im oberen Diagramm). Oberhalb der Resonanzfrequenz beginnen höhere Modi und Volumen- (Bulk) Modi bei einer Frequenz von etwa 2300 MHz aufzutauchen.
  • Im Gegensatz dazu zeigt Kurve 2, die einem SAW-Resonator zugeordnet ist, der auf einem Schichtstapel verschiedener Ausführungsformen gebildet wurde, nicht mehr die störenden Moden. Durch die Verwendung der Rayleigh-Mode als Hauptmode kann sich keine weitere Mode unterhalb der Resonanzfrequenz ausbreiten, da diese Mode (Rayleigh-Welle) die geringste Geschwindigkeit des Systems hat. Daher ist Spitze SM von Kurve 1 (siehe oberes Diagramm) verschwunden. Die Frequenz der höheren Moden und Volumen- (Bulk) Moden (vergleiche Spitze SM von Kurve 1 im unteren Diagramm) ist ebenfalls verschwunden. Störende Moden treten nicht unterhalb von 2800 MHz auf, was wesentlich weiter von der Hauptresonanz entfernt ist als beim Resonator, der aus dem bekannten Schichtstapel gebildet wurde. Daher ist das neue SAW-Bauteil zum Bilden von Filterbauteilen für Trägeraggregation nützlich.
  • Ein weiterer Vorteil des vorgeschlagenen Schichtstapels ist der Unterschied im TCF zwischen der linken und rechten Bandgrenze eines SAW-Filterbauteils, das aus diesem neuen Stapel hergestellt wird. Dieser Unterschied ist typischerweise größer als 20ppm/K in derzeit verwendeten Systemen und wirkt sich negativ auf die Bandbreite und Anpassung des Bauteils aus, da sich die Bandgrenzen stark mit Temperatur ändern. Dieser Effekt führt zu einer Bandbreite eines jeweiligen SAW-Bauteils, die mit zunehmender Temperatur abnimmt.
  • Das vorgeschlagene System reduziert die Differenz im TCF auf einen Wert kleiner als 5ppm/K. Außerdem bleibt nun die Bandbreite konstanter als die eines SAW-Bauteils eines derzeit verwendeten Stapels.
  • Unter Bezugnahme auf die schematische Schichtfolge in können die einzelnen Schichten nach der folgenden Auswahl ausgewählt werden.
  • Substrat SU:
  • Mögliche Materialien können ausgewählt werden aus
    • - hochohmigem Si mit Eulerwinkeln (-45°±10°, -54°±10°, 60°±20°)
    • - hochohmigem Si mit Eulerwinkeln (0°±10°, 0°±10°, 45°±20°)
    • - einem von Quarz, Glas, Spinell und SiC
  • Zusätzliche Schicht AL (optional)
  • Mögliche Materialien können ausgewählt werden aus:
    • - Polykristallinem Si, das eine Schichtdicke x mit 0,05 λ < x < 1λ aufweist
    • - AlN, Si3N4, Diamant, SiC, das eine Schichtdicke x mit 0 < x < 1 λ aufweist
    • - keine Schicht, aber ein Substrat, das eine ionenimplantierte Oberflächenschicht, eine amorphe Schicht oder eine dielektrische Schicht darüber aufweist
  • TCF-Kompensationsschicht CL:
  • Mögliches Material
    • - SiO2, das eine Schichtdicke von 0,05 λ < y < 0,5 λ aufweist
    • - 0,5 λ von dotiertem SiO2, GeO2
  • Piezoelektrischer Dünnfilm PL:
  • Mögliches Material
    • - LiNbO3, das eine Schichtdicke x mit 0,1 λ < x < 0,6 λ und Eulerwinkel (0°/125°+- 15°/o°) aufweist
  • Elektrodenstruktur
  • Mögliche Materialien können ausgewählt werden aus
    • - einer Schichtfolge, die Al als Hauptkomponente umfasst, die eine Schichtdicke x mit 0,05 λ < z < 0,25 λ aufweist
    • - einem kupferbasiertes Elektrodensystem mit einer oder mehreren Schichten
    • - einer einzelnen „schweren Schicht“, die aus W, Mo, Ti, Ag, Au, Ta und Pt ausgewählt wird
  • Passivierungsschicht (optional)
    • - Eine oder mehrere Schichten, die eine Dicke w mit 0,0025 λ < w < 0,2 λ aufweist
    • - Mögliche Materialien können ausgewählt werden aus: Si3N4, SiO2, SiON und Al2O3
  • In der folgenden Ausführungsform werden die Schichten eines Lagenstapels näher spezifiziert. Auf diesem Schichtstapel ist ein Ein-Port-Resonator realisiert. Basierend auf der Struktur dieses Resonators wurde die Admittanzkurve 2 aus simuliert. Das Bauteil ist für eine Resonanzfrequenz von 1800 MHz entworfen.
  • Substrat SU: hochohmiges Si mit Eulerwinkeln (-45°±10°, -54°±10°, 60°±20°) oder (0°±10°, 0°±10°, 45°±20°).
  • Zusätzliche Schicht AL: Polykristallines Si, das eine Schichtdicke x = 500nm aufweist
    SiO2, das eine Dicke y = 550nm aufweist
    Piezoelektrischer Dünnfilm PL: LiNbO3, das eine Schichtdicke x = 550 nm und Eulerwinkel (0°/125°+- 15°/o°) aufweist
    Elektrodenstruktur EL: Eine Schichtfolge umfassend Al als eine Hauptkomponente, die eine Schichtdicke x = 150 nm aufweist
    Passivierungsschicht PL: Si3N4, die eine Dicke w = 10nm aufweist.
  • Liste verwendeter Begriffe und Referenzsymbole
    •  
    dielektrische Passivierungsschicht
     
    Schichtstapel
     
    Passivierungsschicht
     
    SAW-Bauteil
    AL
    zusätzliche Schicht
    CL
    TCF-Kompensationsschicht
    CL
    TCF-Kompensationsschicht
    ES
    Elektrodenstruktur
    PL
    piezoelektrischer Dünnfilm
    SU
    Substrat
    w
    Dicke der Passivierungsschicht
    x
    Dicke des piezoelektrischen Dünnfilms
    y
    Dicke der TCF-Kompensationsschicht
    z
    Dicke der Elektrodenstruktur

Claims (10)

  1. SAW-Bauteil, realisiert auf einen Schichtstapel, umfassend: - ein Substrat (SU) - eine TCF-Kompensationsschicht (CL) - einem piezoelektrischen Dünnfilm (PL) und - eine Elektrodenstruktur (ES) wobei der piezoelektrische Dünnfilm eine Dicke und einen Schnittwinkel aufweist, der Anregung und Ausbreitung einer Rayleigh-Welle als eine Hauptmode begünstigt.
  2. SAW-Bauteil nach dem vorangegangenen Anspruch, wobei der piezoelektrische Dünnfilm ein Lithium-Niobat-Film ist.
  3. SAW-Bauteil nach dem vorangegangenen Anspruch, wobei der piezoelektrische Dünnfilm ein Lithium-Niobat-Film ist, der einen Kristallschnitt mit Eulerwinkeln von (0°/125° +- 15°/o°) aufweist.
  4. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der piezoelektrische Dünnfilm eine Dicke x mit 0,1 λ < x < 0,6 λ aufweist.
  5. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die TCF-Kompensationsschicht eine SiO2-Schicht ist, die eine Dicke y von 0,05 λ < y < 0,5 λ aufweist, wobei die TCF-Kompensationsschicht eine von dotiertem SiO2 oder GeO2 umfasst.
  6. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Substrat ein hochohmiges kristallines Material umfasst.
  7. SAW-Bauteil nach dem vorangegangenen Anspruch, wobei das Substrat ein hochohmiges Silizium mit Eulerwinkeln von (-45°±10°, -54°±10°, 60°±20°) oder (0°±10°, 0°±10°, 45°±20°) umfasst, oder wobei das Substrat eines von Quarz, Saphir, Glas, Spinell und SiC umfasst.
  8. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei zwischen dem Substrat und der TCF-Kompensationsschicht als eine zusätzliche Schicht (AL) ein polykristallines Silizium angeordnet ist, die eine Dicke z aufweist, wobei 0,05 λ < z < 1,0 λ, wobei die zusätzliche Schicht eines von AlN, Si3N4, Diamant und SiC umfasst.
  9. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Elektrodenstruktur eine Schichtstruktur aufweist, wobei Al die Hauptkomponente der geschichteten Elektrodenstruktur ist, wobei die Elektrodenstruktur eine Dicke z mit 0,05 λ < z < 0,25 λ aufweist, wobei die Elektrode eine von einem kupferbasierten Elektrodensystem mit einer oder mehreren Schichten, einer einzigen Schicht, die ausgewählt ist aus W, Mo und Pt, Ta, Ag, Au und Ti, umfasst.
  10. SAW-Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei eine dielektrische Passivierungsschicht auf der Elektrodenstruktur angeordnet ist, wobei die Passivierungsschicht eine Dicke w mit 0,0025 λ < w < 0,2 λ aufweist, wobei das Material der dielektrischen Passivierungsschicht ausgewählt ist aus Si3N4, SiO2, SiON und Al2O3.
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