DE102018201326B4 - Kontaktanordnung, elektronisches Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls - Google Patents

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Abstract

Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils (18) eines elektronischen Leistungsmoduls in einer Getriebesteuerung, miteiner auf einem Schaltungsträger (12) angeordneten ersten Leiterbahn (14), wobeidas Siliziumhalbleiterbauteil (18) eine dem Schaltungsträger zugewandte Unterseite (20) aufweist, die mit der ersten Leiterbahn (14) elektrisch leitend verbunden ist,auf dem Siliziumhalbleiterbauteil (18) ein beschichteter Kupfer Clip (24) elektrisch leitend angeordnet ist, der mit einer auf dem Schaltungsträger (12) angeordneten und von der ersten Leiterbahn (14) verschiedenen zweiten Leiterbahn (16) elektrisch leitend verbunden ist, unddie Beschichtung des Kupfer Clips (24) eine öldampfresistente Beschichtung ist, die NiAu aufweist, undder beschichtete Kupfer Clip (24) über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn (16) und mit einer dem Schaltungsträger (12) abgewandten Oberseite (26) des Siliziumhalbleiterbauteils (18) elektrisch leitend verbunden ist.

Description

  • Kontaktanordnung, elektronisches Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls e Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils mit einer auf einem Schaltungsträger angeordneten Leiterbahn.
  • Kontaktanordnungen eines Siliziumhalbleiterbauteils mit einem Schaltungsträger sind allgemein bekannt. Bei den bekannten Kontaktanordnungen wird zwischen einer gehäusten Ausbildung und einer ungehäusten Ausbildung unterschieden. Bei einer gehäusten Ausbildung wird die Kontaktanordnung umgossen bzw. vergossen, was auch als „Molding“ bezeichnet wird. Bei der gehäusten Ausführungsvariante ist weiterhin bekannt, dass auf der Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils ein Kupfer Clip aufgelötet und mit dem Schaltungsträger bzw. einer darauf angeordneten Leiterbahn verbunden wird. Durch das Vergießen der Kontaktanordnung kann der Kupfer Clip vor äußeren Einflüssen geschützt werden, da dieser anderenfalls korrodieren kann. Nachteilig ist, dass bei der gehäusten Ausbildung aufgrund des Vergusses auf dem Siliziumhalbleiterbauteil keine weiteren Kontakte nachträglich angeordnet werden können.
  • Bei der ungehäusten Ausbildung der Kontaktanordnung wird das Siliziumhalbleiterbauteil nicht umgossen. Auf der Oberseite des auf dem Schaltungsträger angeordneten Siliziumhalbleiterbauteils wird ein Kontakt mittels einer Drahtbondverbindung ausgebildet. Hierzu wird ein Draht aus Aluminium auf das Siliziumhalbleiterbauteil gebondet, beispielsweise mittels eines Ultraschall-Reibschweißprozesses. Nachteilig ist, dass ein Aluminiumdraht eine reduzierte Stromtragfähigkeit aufweist. Um die erforderliche Stromtragfähigkeit der Anbindung an das Siliziumhalbleiterbauteil zu erzielen, wird auf der Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils eine Mehrzahl von Aluminium Dickdrähten angeordnet. Diese mehreren, meist nebeneinander angeordneten, Aluminium Dickdrähte erfordern einen entsprechenden Platzbedarf, weshalb, im Vergleich zur gehäusten Ausbildung der Kontaktanordnung, bei der ungehäusten Ausbildung das Siliziumhalbleiterbauteil flächenmäßig größer ausgebildet ist. Daher weist das Siliziumhalbleiterbauteil prozessbedingt in der Regel eine rechteckige, langgezogene Form auf, um die Aluminium Dickdrähte nebeneinander anordnen zu können.
  • Somit sind unterschiedliche Formen der Siliziumhalbleiterbauteile erforderlich. Eine erste Form, für die gehäuste Variante, die in der Regel kleiner ist, und eine etwas größere zweite Form, für das ungehäuste Siliziumhalbleiterbauteil. Nachteilig hierbei ist, dass die Verfügbarkeit von ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteilen stark eingeschränkt ist, da die Variante der ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteile ein Sonderbauteil ist. Zudem kommt hinzu, dass die Sonderbauteile deutlich teurer sind.
  • Die DE 10 2015 015 699 A1 beschreibt ein elektronisches Leistungsmodul, mit wenigstens einem Halbleiterbauelement, das auf einem Träger angeordnet ist, sowie einem Kühlkörper, der in thermischem Kontakt mit dem Halbleiterbauteil steht, wobei der Träger aus einem Halbleitermaterial besteht und zugleich als Kühlkörper dient.
  • Die US 2003 / 0 067 071 A1 beschreibt einen Halbleiterbaustein mit einer verbesserten Kühlung, wobei ein Baustein auf einer Leiterplatte angeordnet wird, und auf einer der Leiterplatte abgewandten Seite des Bausteins eine Kühlstruktur angeordnet ist, die eine Nickelgoldbeschichtung aufweisen kann.
  • Aus der DE 10 2011 077 757 A1 ist ein Verfahren zur Aushärtung eines elektrisch leitfähigen Klebstoffs zwischen zwei Fügepartnern bekannt.
  • Die US 2012 / 0 168 919 A1 offenbart ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eben dieses.
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung eine Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils anzugeben, die eine sichere elektrische Kontaktierung ermöglicht, eine erhöhte Resistenz gegenüber äußeren Medien aufweist, und mittels derer die Herstellungskosten eines elektrischen Leistungsmoduls reduziert werden können.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindungen sind in den Unteransprüchen der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen angegeben, die jeweils einzeln oder in Kombination einen Aspekt der Erfindung darstellen können.
  • Erfindungsgemäß ist eine Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils eines elektronischen Leistungsmoduls in einer Getriebesteuerung vorgesehen, mit einer auf einem Schaltungsträger angeordneten ersten Leiterbahn , wobei das Siliziumhalbleiterbauteil eine dem Schaltungsträger zugewandte Unterseite aufweist, die mit der ersten Leiterbahn elektrisch leitend verbunden ist, und auf dem Siliziumhalbleiterbauteil ein beschichteter Kupfer Clip elektrisch leitend angeordnet ist, der mit einer auf dem Schaltungsträger angeordneten und von der ersten Leiterbahn verschiedenen zweiten Leiterbahn elektrisch leitend verbunden ist, und die Beschichtung des Kupfer Clips eine öldampfresistente Beschichtung ist, die NiAu aufweist, und der beschichtete Kupfer Clip über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn und mit einer dem Schaltungsträger abgewandten Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils elektrisch leitend verbunden ist.
  • Mit anderen Worten ist es ein Aspekt der vorliegenden Erfindung, dass ein Schaltungsträger bereitgestellt wird, der eine erste Leiterbahn und eine von der ersten Leiterbahn verschiedene zweite Leiterbahn aufweist. Die erste Leiterbahn und auch die zweite Leiterbahn sind vorzugsweise auf den Schaltungsträger aufgedruckt.
  • Ein ungehäustes Siliziumhalbleiterbauteil ist auf dem Schaltungsträger angeordnet. Das Siliziumhalbleiterbauteil wird in der Regel auch als Siliziumchip oder Siliziumwafer bezeichnet. Das Siliziumhalbleiterbauteil weist eine dem Schaltungsträger zugewandte Unterseite auf. Mit dieser Unterseite ist das Siliziumhalbleiterbauteil zumindest abschnittsweise auf der ersten Leiterbahn angeordnet und mit dieser elektrisch leitend verbunden. Auf dem Siliziumhalbleiterbauteil ist ein beschichteter Kupfer Clip elektrisch leitend angeordnet, der zudem mit der zweiten Leiterbahn elektrisch leitend kontaktiert ist. Das Siliziumhalbleiterbauteil ist ungehäust und somit nicht mit einer Vergussmasse umhüllt und/oder vergossen.
  • Demnach ist vorgesehen, dass der Kupfer Clip eine Beschichtung aufweist. Die Beschichtung schützt den Kupfer Clip beispielsweise vor Korrosion, so dass eine dauerhafte und verlässliche Kontaktierung bereitgestellt werden kann. Im Vergleich zu der aus dem Stand der Technik bekannten ungehäusten Kontaktanordnungsvariante, bei dem auf der Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils Aluminium Dickdrähte angeordnet sind, kann mit dem Kupfer Clip eine vergleichsweise erhöhte Stromtragfähigkeit bereitgestellt werden, so dass die Abmessungen des Siliziumhalbleiterbauteils reduziert werden können. Auf diese Weise können die Kosten des elektronischen Leistungsmoduls reduziert werden. Idealerweise kann auf diese Weise die Bauteilgröße bzw. Form der Siliziumhalbleiterbauteile verwendet werden, die in der Regel für die gehäuste Variante angedacht ist bzw. Verwendung findet. Somit kann die Verfügbarkeit der Siliziumhalbleiterbauteile erhöht werden. Des Weiteren kann die Gefahr von Brüchen und/oder Vorschädigungen des Siliziumhalbleiterbautels durch den Ultraschall-Reibschweißprozess des Drahtbondens vermieden und/oder reduziert werden.
  • Eine öldampfresistente Beschichtung kann für die Verwendung eines elektronischen Leistungsmoduls mit der erfindungsgemäßen Kontaktanordnung von Vorteil sein, wenn das elektronische Leistungsmodul von Ölnebel umgeben ist, wie dies beispielsweise bei einem elektronischen Leistungsmodul zur Getriebesteuerung erforderlich sein kann. Demnach kann über die öldampfresistente Beschichtung des Kupfer Clips die Robustheit und/oder Langlebigkeit der Kontaktanordnung des ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils erhöht werden. Die öldampfresistente Beschichtung kann vorzugsweise auf den Kupfer Clip aufgedampft werden.
  • Erfindungsgemäß weist die Beschichtung NiAu auf. Demnach ist vorgesehen, dass der Kupfer Clip mit einer Nickelgold-Beschichtung zumindest abschnittsweise, vorzugsweise vollständig, ummantelt ist. Eine Nickelgold-Beschichtung weist eine hohe Resistenz gegen Öldampf auf. Zudem ist diese elektrisch leitend. Auf diese Weise kann die Resistenz der ungehäusten Kontaktanordnung gegen äußere Einflüsse erhöht werden.
  • Grundsätzlich ist es denkbar, dass das Siliziumhalbleiterbauteil auf die erste Leiterbahn über eine Lot- und/oder Sinterverbindung elektrisch leitend angeordnet bzw. verbunden ist. Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung liegt darin, dass das Siliziumhalbleiterbauteil über eine Bauteilunterseitenkontaktierung, die als elektrischer Leitkleber ausgebildet ist, elektrisch leitend mit der ersten Leiterbahn verbunden ist. Die Ausbildung der Bauteilunterseitenkontaktierung mittels eines elektrischen Leitklebers stellt eine saubere Kontaktierungsmöglichkeit dar, so dass auf diese Weise eine Verschmutzung der Oberfläche des Schaltungsträgers während des Kontaktierungsvorgangs reduziert werden kann. Somit kann eine saubere Oberfläche für ein nachträgliches Drahtbonden von Logikhalbleitern auf den Schaltungsträger bereitgestellt werden.
  • Erfindungsgemäß ist der beschichtete Kupfer Clip über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn und mit der Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils elektrisch leitend verbunden ist.
  • In diesem Zusammenhang liegt eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung darin, dass der elektrische Leitkleber thermisch aushärtbar ist. Demnach ist vorgesehen, dass der elektrische Leitkleber zunächst auf die erste Leiterbahn aufgetragen wird. Im Anschluss daran wird das Siliziumhalbleiterbauteil über den elektrischen Leitkleber mit der ersten Leiterbahn kontaktiert. Weiterhin ist vorgesehen, dass auf der zweiten Leiterbahn und auf der Oberseite des Schaltungsträgers der elektrische Leitkleber aufgebracht wird, um den beschichteten Kupfer Clip mit der zweiten Leiterbahn und der Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils zu verbinden. Im Anschluss daran wird der elektrische Leitkleber erwärmt und härtet somit thermisch aus. Die Erwärmung kann vorzugsweise über einen Laser und/oder über ein Ofenprofil, das Wärme ausstrahlt, erfolgen.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung liegt darin, dass der beschichtete Kupfer Clip vorgeformt ist. Es ist denkbar, dass der Kupfer Clip vor der Formgebung beschichtet wird. Besonders bevorzugt ist vorgesehen, dass die Beschichtung des Kupfer Clips im Nachgang an die Formgebung des Kupfer Clips aufgebracht wird. Auf diese Weise kann vermieden werden, dass die Beschichtung bei der Formgebung des Kupfer Clips beschädigt wird und der Kupfer Clip unbeschichtete Stellen aufweist. Somit kann die Robustheit des Kupfer Clips und/oder der Kontaktanordnung erhöht werden.
  • Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls zur Verwendung in einer Getriebesteuerung, umfassend die Schritte:
    • - Bereitstellen eines Schaltungsträgers mit einer auf dem Schaltungsträger angeordneten ersten Leiterbahn und einer von der ersten Leiterbahn verschiedenen zweiten Leiterbahn;
    • - Anordnung und elektrische Kontaktierung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils mit einer dem Schaltungsträger zugewandten Unterseite auf der ersten Leiterbahn;
    • - Anordnen eines beschichteten Kupfer Clips zur elektrisch leitenden Kontaktierung des ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils mit der zweiten Leiterbahn des Schaltungsträgers, wobei der beschichtete Kupfer Clip (24) mit einer öldampfresistenten Beschichtung beschichtet wird, und die Beschichtung NiAu aufweist;
    • - Elektrisch leitende Verbindung des beschichteten Kupfer Clips über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn und mit einer dem Schaltungsträger abgewandten Oberseite des Siliziumhalbleiterbauteils.
  • Mit anderen Worten ist es ein Aspekt des erfindungsgemäßen Verfahrens, dass ein Schaltungsträger mit einer ersten Leiterbahn und einer zweiten Leiterbahn bereitgestellt wird. Die erste Leiterbahn ist verschieden von der zweiten Leiterbahn.
  • Sowohl die erste Leiterbahn als auch die zweite Leiterbahn werden vorzugsweise auf den Schaltungsträger aufgedruckt.
  • Auf die erste Leiterbahn wird ein ungehäustes Siliziumhalbleiterbauteil elektrisch leitend angeordnet. Zudem ist ein beschichteter Kupfer Clip vorgesehen, der auf dem Siliziumhalbleiterbauteil angeordnet und mit der zweiten Leiterbahn des Schaltungsträgers elektrisch leitend verbunden wird. Die Beschichtung des Kupfer Clips reduziert die Gefahr, dass dieser beispielsweise durch Korrosion beschädigt wird.
  • Der Kupfer Clip weist im Vergleich zu bekannten ungehäusten Kontaktanordnungen mit Aluminium Dickdrähten eine erhöhte Stromtragfähigkeit aus, so dass die Größe des Siliziumhalbleiterbauteils reduziert werden kann. Auf diese Weise können Herstellungskosten der Siliziumhalbleiterbauteils aufgrund reduzierter Abmessungen reduziert werden. Überdies können Siliziumhalbleiterbauteile mit einer Standardabmessung verwendet werden, die in der Regel nur für gehäuste Leitungshalbleiter vorgesehen sind. Somit bedarf es keiner Sonderbauteile der Siliziumhalbleiterbauteile, wodurch die Verfügbarkeit der Siliziumhalbleiterbauteile erhöht werden kann.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung liegt darin, dass das Siliziumhalbleiterbauteil über einen elektrischen Leitkleber auf der ersten Leiterbahn angeordnet wird. Der elektrische Leitkleber stellt eine sichere und saubere Möglichkeit zur elektrischen Kontaktierung dar. Insbesondere können auf diese Weise Verschmutzungen der Oberfläche des Schaltungsträgers reduziert werden, um eine saubere Oberfläche für ein nachgeordnetes Drahtbonden von Logikhalbleitern auf dem Schaltungsträger zu ermöglichen.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung liegt darin, dass der beschichtete Kupfer Clip über den elektrischen Leitkleber auf die erste Leiterbahn und das Siliziumhalbleiterbauteil aufgeklebt werden.
  • Des Weiteren liegt eine bevorzugte Weiterbildung darin, dass der elektrische Leitkleber thermisch ausgehärtet wird. Hierzu kann ein Laser und/oder ein Ofenprofil, das Wärme abstrahlt, verwendet werden.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie den nachfolgenden Ausführungsbeispielen. Die Ausführungsbeispiele sind nicht als einschränkend, sondern vielmehr als beispielhaft zu verstehen. Sie sollen dem Fachmann in die Lage versetzen, die Erfindung auszuführen. Der Anmelder behält sich vor, einzelne oder mehrere in den Ausführungsbeispielen offenbarten Merkmale zum Gegenstand von Patentansprüchen zu machen oder solche Merkmale in bestehende Patentansprüche aufzunehmen. Die Ausführungsbeispiele werden anhand von Figuren näher erläutert.
  • In diesen zeigen:
    • 1 einen Ausschnitt eines elektronischen Leistungsmoduls in einer Aufsicht, gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
    • 2 einen Schnitt durch den Ausschnitt des elektronischen Leistungsmoduls, gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
    • 3 ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls, gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • In 1 ist ein Ausschnitt eines elektronischen Leistungsmoduls 10 in einer Aufsicht gezeigt. Die 2 zeigt einen Schnitt durch das elektronische Leistungsmodul 10 entlang der Schnittkante A-A. Nachfolgend wird auf die 1 und 2 gleichzeitig Bezug genommen. Das elektronische Leistungsmodul 10 weist zumindest einen Schaltungsträger 12 mit einer auf den Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 und einer von der ersten Leiterbahn 14 verschiedenen zweiten Leiterbahn 16 auf, die ebenfalls auf den Schaltungsträger 12 aufgedruckt ist.
  • Ein ungehäustes Siliziumhalbleiterbauteil 18 ist mit einer dem Schaltungsträger 12 zugewandten Unterseite 20 über eine Bauteilunterseitenkontaktierung 22 mit der ersten Leiterbahn 14 elektrisch leitend verbunden. Die Bauteilunterseitenkontaktierung 22 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel als elektrischer Leitkleber ausgebildet. Über den elektrischen Leitkleber kann das Siliziumhalbleiterbauteil 18 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der auf dem Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 kontaktiert werden.
  • Ein beschichteter Kupfer Clip 24 ist derart angeordnet, dass dieser auf der einen Seite mit einer auf dem Schaltungsträger 12 abgewandten Oberseite 26 des Siliziumhalbleiterbauteils 18 und andererseits mit der zweiten Leiterbahn 16 elektrisch leitend verbunden ist. Somit ist vorgesehen, dass die zweite Leiterbahn 16 und das Siliziumhalbleiterbauteil 18 über den beschichteten Kupfer Clip 24 miteinander elektrisch leitend verbunden werden. Die Beschichtung des Kupfer Clips 24 ist eine öldampfresistente Beschichtung. Die Beschichtung kann als Nickelgold-Beschichtung ausgebildet sein und weist daher NiAu auf. Somit kann der Kupfer Clip 24 vor äußeren Einflüssen, insbesondere vor Öldampf geschützt werden, wodurch eine robuste Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils 18 mit der auf dem Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 bereitgestellt werden kann.
  • Im Vergleich zu den bekannten Verfahren zur Kontaktierung ungehäuster Siliziumhalbleiterbauteile, weist der beschichtete Kupfer Clip 24 eine erhöhte Stromtragfähigkeit auf, so dass die Abmessungen des Siliziumhalbleiterbauteils 18 reduziert werden können. Auf diese Weise können Herstellungskosten und/oder Materialkosten des Siliziumhalbleiterbauteils 18 reduziert werden. Zudem können Standard Siliziumhalbleiterbauteile 18 verwendet werden, die leichter verfügbar sind.
  • Die Bauteilunterseitenkontaktierung 22 ist ein elektrischer Leitkleber. Ebenso ist die Kontaktierung des beschichteten Kupfer Clips 24 zur Oberseite 26 und zur zweiten Leiterbahn 16 als elektrischer Leitkleber ausgebildet. Auf diese Weise kann eine saubere Kontaktierungsmöglichkeit bereitgestellt werden, um weitere Dick- und/oder Dünndrahtbondprozesse, vorzugsweise auf der Oberseite 26 des Siliziumhalbleiterbauteils 18, zu ermöglichen.
  • Wie der 1 weiter zu entnehmen ist, ist auf der Oberseite 26 des Siliziumhalbleiterbauteils 18 neben dem Kupfer Clip 24 eine Aluminium Dickdraht 28 angeordnet, der mit einer von der ersten Leiterbahn 14 und der zweiten Leiterbahn 16 verschiedenen weiteren Leiterbahn 30 elektrisch leitend verbunden ist.
  • In 3 ist ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls 10 gezeigt. In einem ersten Schritt 100 wird ein Schaltungsträgers 12 mit einer auf dem Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 und einer von der ersten Leiterbahn 14 verschiedenen zweiten Leiterbahn 16 bereitgestellt. Grundsätzlich kann der Schaltungsträger 12 weitere Leiterbahnen 30 aufweisen.
  • In einem zweiten Schritt 110 wird ein ungehäustes Siliziumhalbleiterbauteil 18 mit einer dem Schaltungsträger 12 zugewandten Unterseite 20 auf der ersten Leiterbahn 14 angeordnet und mit dieser elektrisch kontaktiert. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das ungehäuste Siliziumhalbleiterbauteil 18 über eine Bauteilunterseitenkontaktierung 22 mit der ersten Leiterbahn 14 elektrisch leitend verbunden. Über den elektrischen Leitkleber kann das ungehäuste Siliziumhalbleiterbauteil 18 stoffschlüssig und elektrisch leitend mit der auf dem Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 elektrisch leitend kontaktiert werden. Im Vergleich zu einer Lötverbindung, bei der durch das Aufschmelzen des Lots die Oberseite 26 des Siliziumhalbleiterbauteils 18 verschmutzt wird, so dass eine nachgeordnete Anordnung von Aluminium Dickdrähten auf dem Siliziumhalbleiterbauteil 18 gar nicht oder erst nach einer Reinigung der Oberseite 26 möglich ist, stellt eine Klebeverbindung eine saubere Verbindung dar, die eine Reinigung der Oberfläche 26 nach dem Aufbringen des Leitklebers entbehrlich macht bzw. machen kann. Somit kann der Herstellungsprozess des elektrischen Leistungsmoduls 10 beschleunigt werden. Zudem können die Herstellungskosten reduziert werden.
  • In einem dritten Schritt 120 wird ein beschichteter Kupfer Clip 24 zur elektrisch leitenden Kontaktierung des Siliziumhalbleiterbauteils 18 mit der zweiten Leiterbahn 16 des Schaltungsträgers 12 angeordnet. Somit ist vorgesehen, dass die zweite Leiterbahn 16 und das Siliziumhalbleiterbauteil 18 über einen beschichteten Kupfer Clip 24 miteinander elektrisch leitend verbunden werden. Der beschichtete Kupfer Clip 24 weist eine erhöhte Stromtragfähigkeit auf, so dass auf dem Siliziumhalbleiterbauteil 18 ein reduzierter Platzbedarf für Kontaktstellen erforderlich sind. Somit können die Bauteilabmessungen des Siliziumhalbleiterbauteils 18 reduziert werden. Auf diese Weise können auch die Kosten des Siliziumhalbleiterbauteils 18 reduziert werden. Aufgrund der Beschichtung des Kupfer Clips kann der Kupfer Clip 24 vor äußeren Einflüssen geschützt werden.
  • Die Beschichtung des Kupfer Clips 24 ist eine öldampfresistente Beschichtung. Die Beschichtung kann als Nickelgold-Beschichtung ausgebildet sein und weist daher NiAu auf. Somit kann der Kupfer Clip vor äußeren Einflüssen, insbesondere vor Öldampf geschützt werden, wodurch eine robuste Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils 18 mit der auf dem Schaltungsträger 12 aufgedruckten ersten Leiterbahn 14 bereitgestellt werden kann.

Claims (5)

  1. Kontaktanordnung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils (18) eines elektronischen Leistungsmoduls in einer Getriebesteuerung, mit einer auf einem Schaltungsträger (12) angeordneten ersten Leiterbahn (14), wobei das Siliziumhalbleiterbauteil (18) eine dem Schaltungsträger zugewandte Unterseite (20) aufweist, die mit der ersten Leiterbahn (14) elektrisch leitend verbunden ist, auf dem Siliziumhalbleiterbauteil (18) ein beschichteter Kupfer Clip (24) elektrisch leitend angeordnet ist, der mit einer auf dem Schaltungsträger (12) angeordneten und von der ersten Leiterbahn (14) verschiedenen zweiten Leiterbahn (16) elektrisch leitend verbunden ist, und die Beschichtung des Kupfer Clips (24) eine öldampfresistente Beschichtung ist, die NiAu aufweist, und der beschichtete Kupfer Clip (24) über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn (16) und mit einer dem Schaltungsträger (12) abgewandten Oberseite (26) des Siliziumhalbleiterbauteils (18) elektrisch leitend verbunden ist.
  2. Kontaktanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterseite (20) über eine Bauteilunterseitenkontaktierung (22) mit der ersten Leiterbahn (14) verbunden ist, und die Bauteilunterseitenkontaktierung (22) ein elektrischer Leitkleber ist.
  3. Kontaktanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische Leitkleber thermisch aushärtbar ist.
  4. Kontaktanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der beschichtete Kupfer Clip (24) vorgeformt ist.
  5. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Leistungsmoduls (10) zur Verwendung in einer Getriebesteuerung, umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Schaltungsträgers (12) mit einer auf dem Schaltungsträger (12) angeordneten ersten Leiterbahn (14) und einer von der ersten Leiterbahn (14) verschiedenen zweiten Leiterbahn (16); - Anordnung und elektrische Kontaktierung eines ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils (18) mit einer dem Schaltungsträger (12) zugewandten Unterseite auf der ersten Leiterbahn (14); - Anordnen eines beschichteten Kupfer Clips (24) zur elektrisch leitenden Kontaktierung des ungehäusten Siliziumhalbleiterbauteils (18) mit der zweiten Leiterbahn (16) des Schaltungsträgers (12), wobei der beschichtete Kupfer Clip (24) mit einer öldampfresistenten Beschichtung beschichtet wird, und die Beschichtung NiAu aufweist; - Elektrisch leitende Verbindung des beschichteten Kupfer Clips (24) über einen elektrischen Leitkleber mit der zweiten Leiterbahn (16) und mit einer dem Schaltungsträger (12) abgewandten Oberseite (26) des Siliziumhalbleiterbauteils (18) .
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