DE102018124188A1 - Method for producing a power semiconductor device and power semiconductor device - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten:a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche aufweisendem Substrat, mit einem eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche aufweisendem elektrisch leitenden Laststromanschlusselement, mit einem Formelement, das über dem Laststromanschlusselement angeordneten Kanal aufweist, wobei eine den Kanal begrenzende Innenwand des Formelements eine Kanalinnenwandstruktur ausbildet, mit einer Schraubenfeder, wobei zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder in dem Kanal angeordnet ist und mit einem auf der Schraubenfeder aufliegenden Rastelement, wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements in dem Kanal angeordnet ist, wobei das Rastelement und die Kanalinnenwandstruktur derartige geometrische Formen aufweisen und derartig zueinander bewegt werden können, dass das Rastelement mit der Kanalinnenwandstruktur durch eine Drehbewegung des Rastelements um die Kanalachse formschlüssig verbunden werden kann,b) Bewegen des Rastelements, mittels eines Druckwerkzeugs, in Richtung auf das Laststromanschlusselement zu, wodurch die Schraubenfeder zusammengedrückt wird und von der Schraubenfeder ein Druck auf das Laststromanschlusselement ausübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert werden.The invention relates to a power semiconductor device and a method for producing a power semiconductor device with the following successive method steps: a) Providing a power semiconductor arrangement with a substrate having an electrically conductive first contact surface, with an electrically conductive load current connection element having an electrically conductive second contact surface, with a molded element that has has the channel arranged load current connection element, wherein an inner wall of the molded element defining the channel forms a channel inner wall structure, with a helical spring, at least a section of the helical spring being arranged in the channel and with a latching element resting on the helical spring, at least a section of the latching element in the Channel is arranged, wherein the locking element and the channel inner wall structure have such geometric shapes and can be moved relative to each other k nn that the locking element can be positively connected to the channel inner wall structure by rotating the locking element around the channel axis, b) moving the locking element by means of a pressure tool in the direction of the load current connection element, whereby the coil spring is compressed and a pressure is exerted by the coil spring the load current connection element is exerted and the first and second contact surfaces are thereby electrically pressure-contacted to one another.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung und eine diesbezügliche Leistungshalbleitereinrichtung.The invention relates to a method for producing a power semiconductor device and a related power semiconductor device.

Aus der DE 10 2016 115 572 A1 ist eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat, mit auf dem Substrat angeordneten und mit dem Substrat elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen, mit elektrisch leitenden Laststromanschlusselementen, mit einer Kühleinrichtung auf der das Substrat angeordnet ist, und mit Druckeinrichtungen, die jeweilig ein in Normalenrichtung des Substrats beweglich angeordnetes Druckelement und ein zwischen dem Druckelement und einem zugeordneten Laststromanschlusselement angeordnetes elastisches Verformungselement aufweisen, wobei das Druckelement über das elastische Verformungselement das zugeordnete Laststromanschlusselement gegen eine elektrisch leitende Kontaktfläche des Substrats drückt und hierdurch eine elektrisch leitende Druckkontaktierung des zugeordneten Laststromanschlusselements mit dem Substrat bewirkt, bekannt. Das Druckelement wird dabei mittels einer Kühleinrichtung einer weiteren Leistungshalbleitereinrichtung in Richtung auf das zugeordnete Laststromanschlusselement gedrückt und hierdurch das zugeordnete Laststromanschlusselement mit dem Substrat druckkontaktiert. Nachteilig dabei ist, dass zur Realisierung der Druckkontaktierung eine weitere Leistungshalbleitereinrichtung benötigt wird.From the DE 10 2016 115 572 A1 is a power semiconductor device with a substrate, with power semiconductor components arranged on the substrate and electrically conductively connected to the substrate, with electrically conductive load current connection elements, with a cooling device on which the substrate is arranged, and with pressure devices, each of which is a pressure element that is movably arranged in the normal direction of the substrate and have an elastic deformation element arranged between the pressure element and an assigned load current connection element, the pressure element pressing the assigned load current connection element against an electrically conductive contact surface of the substrate via the elastic deformation element and thereby causing an electrically conductive pressure contact of the assigned load current connection element with the substrate. The pressure element is pressed by means of a cooling device of a further power semiconductor device in the direction of the assigned load current connection element and thereby the pressure load contact element is contacted with the substrate. The disadvantage here is that a further power semiconductor device is required to implement the pressure contacting.

Es ist Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur rationellen Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung anzugeben und eine diesbezügliche rationell herstellbare Leistungshalbleitereinrichtung zu schaffen, bei der zur Realisierung einer Druckkontaktierung eines Laststromanschlusselements der Leistungshalbleitereinrichtung mit dem Substrat der Leistungshalbleitereinrichtung keine weitere Leistungshalbleitereinrichtung benötigt wird.It is an object of the invention to provide a method for the rational production of a power semiconductor device and to provide a related rationally producible power semiconductor device in which no further power semiconductor device is required to implement pressure contacting of a load current connection element of the power semiconductor device with the substrate of the power semiconductor device.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten:

  1. a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche aufweisendem Substrat, mit auf dem Substrat angeordneten und mit dem Substrat elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen, mit einem eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche aufweisendem elektrisch leitenden Laststromanschlusselement, wobei die zweite Kontaktfläche in Normalenrichtung des Substrats fluchtend zur ersten Kontaktfläche über der ersten Kontaktfläche angerordnet ist, mit einem Formelement, das einen in Normalenrichtung des Substrats durch das Formelement hindurch verlaufenden und in Normalenrichtung des Substrats fluchtend zum Laststromanschlusselement über dem Laststromanschlusselement angeordneten Kanal aufweist, wobei eine den Kanal begrenzende Innenwand des Formelements eine Kanalinnenwandstruktur ausbildet, wobei der Kanal eine in Normalenrichtung des Substrats verlaufende Kanalachse aufweist, mit einer Schraubenfeder, die um ihre Längsachse herumverlaufende Windungen aufweist, wobei die Längsachse der Schraubenfeder in Normalenrichtung des Substrats verläuft und zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder in dem Kanal angeordnet ist, mit einem, auf einem der ersten Kontaktfläche abgewandten Endbereich der Schraubenfeder aufliegenden, Rastelement, wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements in dem Kanal angeordnet ist, wobei das Rastelement und die Kanalinnenwandstruktur derartige geometrische Formen aufweisen und derartig zueinander bewegt werden können, dass das Rastelement in Normalenrichtung des Substrats in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche mit der Kanalinnenwandstruktur durch eine Drehbewegung des Rastelements um die Kanalachse formschlüssig verbunden werden kann,
  2. b) Bewegen des Rastelements, mittels eines Druckwerkzeugs, in Normalenrichtung des Substrats in Richtung auf das Laststromanschlusselement zu, wodurch die Schraubenfeder zusammengedrückt wird und von der Schraubenfeder direkt oder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement in Normalenrichtung des Substrats ausübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert werden.
This object is achieved by a method for producing a power semiconductor device with the following successive method steps:
  1. a) Providing a power semiconductor arrangement with a substrate having an electrically conductive first contact surface, with power semiconductor components arranged on the substrate and electrically conductively connected to the substrate, with an electrically conductive load current connection element having an electrically conductive second contact surface, the second contact surface being aligned in the normal direction of the substrate is arranged to the first contact surface above the first contact surface, with a molded element which has a channel which runs through the molded element in the normal direction of the substrate and is aligned with the load current connection element above the load current connection element in the normal direction of the substrate, an inner wall structure of the molded element delimiting the channel having an inner wall structure forms, the channel extending in the normal direction of the substrate Has channel axis, with a helical spring which has windings extending around its longitudinal axis, the longitudinal axis of the helical spring extending in the normal direction of the substrate and at least a portion of the helical spring being arranged in the channel, with an end region of the helical spring lying on an end region facing away from the first contact surface , Locking element, wherein at least a portion of the locking element is arranged in the channel, wherein the locking element and the channel inner wall structure have such geometric shapes and can be moved relative to one another that the locking element in the normal direction of the substrate in the direction away from the first contact surface with the channel inner wall structure a rotational movement of the latching element about the channel axis can be positively connected,
  2. b) Moving the latching element, by means of a pressure tool, in the normal direction of the substrate in the direction of the load current connection element, whereby the coil spring is compressed and the coil spring directly or indirectly exerts a pressure on the load current connection element in the normal direction of the substrate and thereby the first and second Contact surface are pressure-contacted with each other in an electrically conductive manner.

Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche aufweisendem Substrat, mit auf dem Substrat angeordneten und mit dem Substrat elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen, mit einem eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche aufweisendem elektrisch leitenden Laststromanschlusselement, wobei die zweite Kontaktfläche in Normalenrichtung des Substrats fluchtend zur ersten Kontaktfläche über der ersten Kontaktfläche angeordnet ist, mit einem Formelement, das einen in Normalenrichtung des Substrats durch das Formelement hindurch verlaufenden und in Normalenrichtung des Substrats fluchtend zum Laststromanschlusselement über dem Laststromanschlusselement angeordneten Kanal aufweist, wobei eine den Kanal begrenzende Innenwand des Formelements eine Kanalinnenwandstruktur ausbildet, wobei der Kanal eine in Normalenrichtung des Substrats verlaufende Kanalachse aufweist, mit einer Schraubenfeder, die um ihre Längsachse herumverlaufende Windungen aufweist, wobei die Längsachse der Schraubenfeder in Normalenrichtung des Substrats verläuft und zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder in dem Kanal angeordnet ist, mit einem, auf einem der ersten Kontaktfläche abgewandten Endbereich der Schraubenfeder aufliegenden, Rastelement, wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements in dem Kanal angeordnet ist, wobei das Rastelement und die Kanalinnenwandstruktur derartige geometrische Formen aufweisen und derartig zueinander angeordnet sind, dass das Rastelement in Normalenrichtung des Substrats in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche mit der Kanalinnenwandstruktur formschlüssig verbunden ist, wobei die Schraubenfeder zusammengedrückt angeordnet ist und von der Schraubenfeder direkt oder indirekt einen Druck auf das Laststromanschlusselement in Normalenrichtung des Substrats ausübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert sind.This object is further achieved by a power semiconductor device with a substrate having an electrically conductive first contact surface, with power semiconductor components arranged on the substrate and electrically conductively connected to the substrate, with an electrically conductive load current connection element having an electrically conductive second contact surface, the second contact surface in the normal direction of the substrate is arranged in alignment with the first contact area above the first contact area, with a shaped element which has a channel which runs through the shaped element in the normal direction of the substrate and is aligned in the normal direction of the substrate with the load current connection element above the load current connection element, an inner wall of the channel defining the channel Forming a channel inner wall structure, the channel having a channel axis running in the normal direction of the substrate, with a Schr Aubenfeder, which has windings extending around its longitudinal axis, the longitudinal axis of the coil spring extending in the normal direction of the substrate and at least a portion of the coil spring being arranged in the channel, with a latching element resting on an end region of the coil spring facing away from the first contact surface, at least a section of the latching element is arranged in the channel, the latching element and the channel inner wall structure having such geometric shapes and being arranged relative to one another in such a way that the latching element is positively connected to the channel inner wall structure in the normal direction of the substrate in the direction away from the first contact surface, the helical spring is arranged compressed and the coil spring directly or indirectly exerts a pressure on the load current connection element in the normal direction of the substrate and thereby the first and second contact surfaces are electrically conductive with one another r are pressure contacted.

Vorteilhafte Ausbildungen der Leistungshalbleitereinrichtung ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen des Verfahrens und umgekehrt.Advantageous designs of the power semiconductor device result analogously to advantageous designs of the method and vice versa.

Es erweist sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt b) das Rastelement und die Kanalinnenwandstruktur eine derartige geometrische Formen aufweisen, dass sobald bei der Bewegung des Rastelements das Rastelement eine bestimmte Rastposition im Kanal erreicht, vom Rastelement, infolge des auf ihn einwirkenden Drucks, eine Drehbewegung um die Kanalachse durchgeführt wird, wodurch eine Bewegung des Rastelements in Normalenrichtung des Substrats in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche durch Formschluss des Rastelements mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird, wobei bei der Drehbewegung des Rastelements vom Druckwerkzeug keine Drehbewegung um die Kanalachse durchgeführt wird. Sehr vorteilhaft hierbei ist, dass zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung bzw. zur Erzielung dieser Druckkontaktierung das Druckwerkzeug lediglich eine Linearbewegung durchführen muss und im Gegensatz zu einem Bajonettverschluss keine Drehbewegung des Druckwerkzeugs notwendig ist, so dass die Leistungshalbleitereinrichtung besonders rationell herstellt werden kann.It proves to be advantageous if, in method step b), the latching element and the channel inner wall structure have such geometric shapes that, as soon as the latching element moves to a certain latching position in the channel during the movement of the latching element, a rotational movement of the latching element due to the pressure acting on it is carried out about the channel axis, whereby a movement of the latching element in the normal direction of the substrate in the direction away from the first contact surface is limited by positive locking of the latching element with the channel inner wall structure, with no rotation movement about the channel axis being carried out by the pressure tool during the rotational movement of the latching element. It is very advantageous here that in order to produce the power semiconductor device or to achieve this pressure contact, the printing tool only has to carry out a linear movement and, in contrast to a bayonet lock, no rotary movement of the printing tool is necessary, so that the power semiconductor device can be produced particularly efficiently.

In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt b) das Rastelement ein, im Bezug zur Kanalachse eine schräge Oberseite aufweisendes, Einrastelement aufweist, wobei die Kanalinnenwandstruktur ein Strukturelement ausbildet, das eine im Bezug zur Kanalachse schräge Unterseite aufweist, wobei das Druckwerkzeug ein Fingerelement mit einer im Bezug zur Kanalachse schrägen Unterseite aufweist, die bei der Bewegung des Rastelements, in Normalenrichtung des Substrats in Richtung auf das Laststromanschlusselement zu, mit der Oberseite des Einrastelements einen mechanischen Kontakt aufweist, wobei infolge des auf das Rastelement einwirkenden Drucks und infolge der Schrägen Ausbildung der Oberseite des Einrastelements und der schrägen Unterseite des Fingerelements ein Drehmoment auf das Rastelement einwirkt, dass beim Erreichen der Rastposition eine Drehbewegung des Rastelements um die Kanalachse derart bewirkt, dass die schräge Oberseite des Rastelements eine in Normalenrichtung des Substrats in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche wirkende formschlüssige Verbindung mit der Unterseite des Strukturelements aufweist, da dann das Rastelement zuverlässig in die Kanalinnenwandstruktur einrastbar ist.In this context, it proves to be advantageous if, in method step b), the latching element has a latching element which has an inclined upper side with respect to the channel axis, the channel inner wall structure forming a structural element which has an underside which is oblique with respect to the channel axis, the printing tool has a finger element with an oblique underside with respect to the channel axis, which has a mechanical contact with the upper side of the latching element during the movement of the latching element in the normal direction of the substrate in the direction of the load current connection element, due to the pressure acting on the latching element and as a result the oblique design of the top of the latching element and the oblique underside of the finger element, a torque acts on the latching element that when the latching position is reached, a rotational movement of the latching element about the channel axis causes the oblique top of the latching element has a positive connection with the underside of the structural element, which acts in the normal direction of the substrate in the direction away from the first contact surface, since the latching element can then be reliably latched into the channel inner wall structure.

In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Kanalinnenwandstruktur eine in Normalenrichtung des Substrats verlaufende Nut ausbildet, wobei bei der Bewegung des Rastelements, in Normalenrichtung des Substrats in Richtung auf das Laststromanschlusselement zu, ein Bereich des Fingerelements in der Nut angeordnet ist und hierdurch die Bewegung des Fingerelements in Normalenrichtung des Substrats von der Nut geführt wird. Hierdurch wird eine zuverlässige Führung des Fingerelements erzielt.In this context, it proves to be advantageous if the channel inner wall structure forms a groove running in the normal direction of the substrate, a region of the finger element being arranged in the groove and thereby as a result of the movement of the latching element, in the normal direction of the substrate toward the load current connection element the movement of the finger element in the normal direction of the substrate is guided by the groove. In this way, reliable guidance of the finger element is achieved.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn in einem weiterem Verfahrensschritt c) ein Ausführen einer Drehbewegung des Rastelements um die Kanalachse, durch Ausführen einer Drehbewegung des Druckwerkzeugs erfolgt, wodurch eine Bewegung des Rastelements in Normalenrichtung des Substrats in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche durch Formschluss des Rastelements mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird. Die Verbindung von Rastelement und Formelement kann somit auch als besonders einfach ausgebildeter Bajonettverschluss realisiert sein.Furthermore, it proves to be advantageous if, in a further method step c), the locking element is rotated about the channel axis by rotating the printing tool, whereby the locking element moves in the normal direction of the substrate in the direction away from the first contact surface by positive locking of the locking element with the channel inner wall structure is limited. The connection of the locking element and the shaped element can thus also be implemented as a particularly simple bayonet lock.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt a) der Zustand, dass zumindest ein Abschnitt des Rastelements in dem Kanal angeordnet ist, im Vorfeld dadurch hergestellt wurde, dass zumindest ein Abschnitt des Rastelements über einer der ersten Kontaktfläche abgewandten Öffnung des Kanals in den Kanal eingeführt worden ist. Hierdurch wird eine besonders rationelle Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung ermöglicht, da das Rastelement auch bei bereits montiertem Formelement in den Figuren von oben in den Kanal eingeführt werden kann.It also proves to be advantageous if, in method step a), the condition that at least a section of the latching element is arranged in the channel was established in advance by at least a section of the latching element being inserted into the channel via an opening of the channel facing away from the first contact surface Channel has been introduced. This enables a particularly efficient production of the power semiconductor device, since the latching element can also be inserted into the channel from above in the figures, even when the shaped element is already installed.

Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn beim Verfahrensschritt b) von der Schraubenfeder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement in Normalenrichtung es Substrats ausübt wird, indem zwischen der Schraubenfeder und dem Laststromanschlusselement ein Druckweiterleitungselement angeordnet ist. Hierdurch kann der Druck der Schraubenfeder unabhängig von der geometrischen Form der Schraubenfeder auf einen bestimmten Bereich, insbesondere auf einen kleinen Bereich, des Laststromanschlusselement ausgeübt werden. Wenn das Druckweiterleitungselement aus einem elektrisch nicht leitenden Material ausgebildet ist, dann kann durch das Druckweiterleitungselement eine elektrische Isolation der Schraubenfeder, sofern diese aus einem elektrisch leitenden Material, wie z.B. Federstahl, ausgebildet ist, von dem Laststromanschlusselement bewirkt werden.Furthermore, it proves to be advantageous if, in method step b), the coil spring indirectly exerts a pressure on the load current connection element in the normal direction of the substrate, between the coil spring and the Load current connection element, a pressure transmission element is arranged. As a result, the pressure of the coil spring can be exerted on a specific area, in particular on a small area, of the load current connection element, regardless of the geometric shape of the coil spring. If the pressure transmission element is made of an electrically non-conductive material, then the pressure transmission element can provide electrical insulation of the coil spring, provided that it is made of an electrically conductive material, such as spring steel, by the load current connection element.

Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Schraubenfeder als Druckfeder ausgebildet ist, da dann die am jeweiligen Ende der Schraubenfeder angeordnete Windung der Schraubenfeder eine relativ große Kontaktfläche aufweist über die der von der Schraubenfeder erzeugte Druck übertragen wird.Furthermore, it proves to be advantageous if the helical spring is designed as a compression spring, since the winding of the helical spring arranged at the respective end of the helical spring then has a relatively large contact area via which the pressure generated by the helical spring is transmitted.

Es sei angemerkt, dass die im Singular beschriebenen Elemente gegebenenfalls mehrfach vorhanden sein können.It should be noted that the elements described in the singular may be present more than once.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die unten stehenden Figuren erläutert. Dabei zeigen:

  • 1 eine perspektivische Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtu ng,
  • 2 eine Detailansicht von 2,
  • 3 eine Detailansicht der im Bereich eines Kanals eines Formelements angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung in einem Zustand bei dem eine zumindest teilweise in dem Kanal angeordnete Schraubenfeder nicht zusammengedrückt ist,
  • 4 eine Detailansicht der im Bereich des Kanals des Formelements angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung in einem Zustand bei dem die Schraubenfeder nicht zusammengedrückt ist und ein externes Druckwerkzeug, das auf ein auf der Schraubenfeder aufliegendes Rastelement aufgelegt ist,
  • 5 eine Detailansicht der im Bereich des Kanals des Formelements angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung in einem Zustand bei dem die Schraubenfeder zusammengedrückt und das Rastelement mit einer Kanalinnenwandstruktur in Richtung weg von einer ersten Kontaktfläche eines Substrats der Leistungshalbleitereinrichtung formschlüssig verbunden ist und
  • 6 eine Detailansicht im Rahmen einer weiteren Ausbildung der Erfindung der im Bereich des Kanals des Formelements angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung in einem Zustand bei dem die Schraubenfeder zusammengedrückt und das Rastelement mit einer Kanalinnenwandstruktur in Richtung weg von einer ersten Kontaktfläche eines Substrats der Leistungshalbleitereinrichtung formschlüssig verbunden ist.
Exemplary embodiments of the invention are explained below with reference to the figures below. Show:
  • 1 2 shows a perspective sectional view of a power semiconductor device according to the invention,
  • 2nd a detailed view of 2nd ,
  • 3rd 3 shows a detailed view of the elements of the power semiconductor device arranged in the region of a channel of a molded element in a state in which an at least partially arranged coil spring is not compressed,
  • 4th 3 shows a detailed view of the elements of the power semiconductor device arranged in the region of the channel of the molded element in a state in which the coil spring is not compressed and an external pressure tool which is placed on a latching element resting on the coil spring,
  • 5 a detailed view of the elements of the power semiconductor device arranged in the region of the channel of the molded element in a state in which the coil spring is compressed and the locking element is positively connected to a channel inner wall structure in the direction away from a first contact surface of a substrate of the power semiconductor device and
  • 6 a detailed view in the context of a further embodiment of the invention of the elements of the power semiconductor device arranged in the region of the channel of the molded element in a state in which the coil spring is compressed and the locking element is positively connected to a channel inner wall structure in the direction away from a first contact surface of a substrate of the power semiconductor device.

In den Figuren sind gleiche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen.In the figures, the same elements are provided with the same reference symbols.

In 1 ist eine perspektivische Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 und in 2 eine Detailansicht eines Ausschnitts C von 1 dargestellt. 3 zeigt eine Detailansicht der im Bereich des Kanals 3 des Formelements 7 angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung 1 bzw. der Leistungshalbleiteranordnung in einem Zustand bei dem die zumindest teilweise in dem Kanal 3 angeordnete Schraubenfeder 9 im Gegensatz zu 1 und 2 noch nicht zusammengedrückt ist.In 1 is a perspective sectional view of a power semiconductor device according to the invention 1 and in 2nd a detailed view of a section C of 1 shown. 3rd shows a detailed view of the area of the channel 3rd of the formula element 7 arranged elements of the power semiconductor device 1 or the power semiconductor arrangement in a state in which the at least partially in the channel 3rd arranged coil spring 9 in contrast to 1 and 2nd is not yet compressed.

Es sei angemerkt, dass im Rahmen des Ausführungsbeispiels, mittels der Leistungshalbleitereinrichtung 1, eine Gleichspannung in eine 1-phasige oder 3-phasige Wechselspannung wechselgerichtet, oder eine 1-phasige oder 3-phasige Wechselspannung in eine Gleichspannung gleichgerichtet werden kann.It should be noted that in the context of the exemplary embodiment, by means of the power semiconductor device 1 , a DC voltage can be alternated into a 1-phase or 3-phase AC voltage, or a 1-phase or 3-phase AC voltage can be rectified into a DC voltage.

Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 beschrieben.The following is a method for producing the power semiconductor device according to the invention 1 described.

In einem ersten Verfahrensschritt a) erfolgt ein Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche 6b' aufweisendem Substrat 6, mit auf dem Substrat 6 angeordneten und mit dem Substrat 6 elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen 11 und vorzugsweise mit einer Kühleinrichtung 2 auf der das Substrat 6 angeordnet ist. Das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement 11 liegt vorzugsweise in Form eines Leistungshalbleiterschalters oder einer Diode vor. Die Leistungshalbleiterschalter liegen dabei im Allgemeinen in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), oder in Form von Thyristoren vor. Das Substrat 6 weist einen Isolierstoffkörper 6a (z.B. Keramikkörper) und eine auf einer ersten Seite des Isolierstoffkörpers 6a angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper 6a verbundene elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht 6b auf, die infolge ihrer Struktur elektrisch leitende Kontaktflächen ausbildet, wobei in 2 eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche der erste Leitungsschicht 6b bzw. des Substrats 6 mit dem Bezugszeichen 6b' versehen ist. Vorzugsweise weist das Substrat 6 eine elektrisch leitende, vorzugsweise unstrukturierte zweite Leitungsschicht 6c auf, wobei der Isolierstoffkörper 6a zwischen der strukturierten ersten Leitungsschicht 6b und der zweiten Leitungsschicht 6c angeordnet ist. Das Substrat 6 kann, wie beim Ausführungsbeispiel, z.B. in Form eines Direct Copper Bonded Substrats (DCB-Substrat) oder in Form eines Insulated Metal Substrats (IMS) vorliegen. Die Leistungshalbleiterbauelemente 11 sind vorzugsweise stoffschlüssig (z.B. mittels einer Lot- oder Sinterschicht) mit zugeordneten elektrisch leitenden Kontaktflächen des Substrats 6 verbunden. Das Substrat 6 kann über eine zwischen der Kühleinrichtung 2 und dem Substrat 6 angeordnete Sinter- oder Lotschicht mit der Kühleinrichtung 2 stoffschlüssig verbunden sein. Alternativ kann zwischen Substrat 6 und der Kühleinrichtung 2 eine Wärmeleitpaste angeordnet sein. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist die Kühleinrichtung 2 als Flüssigkeitskühlkörper (z.B. Wasserkühlkörper) ausgebildet und weist einen Flüssigkeitskanal 2', in dem Kühlfinnen oder Kühlpins angeordnet sein können, auf. Die Kühleinrichtung 2 könnte alternativ auch als Luftkühlkörper ausgebildet sein. Die Kühleinrichtung 2 kann einstückig oder mehrstückig ausgebildet sein.In a first method step a), a power semiconductor arrangement is provided with an electrically conductive first contact area 6b ' having substrate 6 , with on the substrate 6 arranged and with the substrate 6 electrically conductive connected power semiconductor components 11 and preferably with a cooling device 2nd on the the substrate 6 is arranged. The respective power semiconductor component 11 is preferably in the form of a power semiconductor switch or a diode. The power semiconductor switches are generally in the form of transistors, such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) or MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), or in the form of thyristors. The substrate 6 has an insulating body 6a (eg ceramic body) and one on a first side of the insulating body 6a arranged and with the insulating body 6a connected electrically conductive structured first conduction layer 6b which, due to their structure, forms electrically conductive contact surfaces, wherein in 2nd an electrically conductive first contact area of the first conductive layer 6b or the substrate 6 with the reference symbol 6b ' is provided. The substrate preferably has 6 an electrically conductive, preferably unstructured second line layer 6c on, the insulating body 6a between the structured first line layer 6b and the second line layer 6c is arranged. The substrate 6 can, as in the exemplary embodiment, for example in the form of a direct copper bonded substrate (DCB substrate) or in the form of an insulated metal substrate (IMS). The power semiconductor components 11 are preferably cohesive (for example by means of a solder or sinter layer) with associated electrically conductive contact surfaces of the substrate 6 connected. The substrate 6 can have a between the cooling device 2nd and the substrate 6 arranged sintered or solder layer with the cooling device 2nd be cohesively connected. Alternatively, between substrate 6 and the cooling device 2nd a thermal paste can be arranged. The cooling device is within the scope of the exemplary embodiment 2nd designed as a liquid heat sink (eg water heat sink) and has a liquid channel 2 ' , in which cooling fins or cooling pins can be arranged. The cooling device 2nd could alternatively also be designed as an air heat sink. The cooling device 2nd can be formed in one piece or in several pieces.

Die Leistungshalbleiteranordnung weist weiterhin ein eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche 5' aufweisendes elektrisch leitendes Laststromanschlusselement 5 auf, wobei die zweite Kontaktfläche 5' in Normalenrichtung N des Substrats 6 fluchtend zur ersten Kontaktfläche 6b' über der ersten Kontaktfläche 6b', insbesondere auf der ersten Kontaktfläche 6b, angeordnet ist. Es sei ausdrücklich angemerkt, dass im Sinne der Erfindung der Begriff „über der ersten Kontaktfläche 6b' angeordnet“ auch die Ausgestaltung „auf der ersten Kontaktfläche 6b' angeordnet“ miteinschließt. Neben dem Laststromanschlusselement 5 weist die Leistungshalbleiteranordnung weitere Laststromanschlusselemente auf. Die Laststromanschlusselemente führen im Betrieb der Leistungshalbleitereinrichtung 1 Lastströme, welche in der Regel, im Gegensatz zu Steuerströmen, die z.B. zur Ansteuerung der Leistungshalbleiterbauelemente 11 dienen, wenn die Leistungshalbleiterbauelemente 11 als Leistungshalbleiterschalter ausgebildet sind, eine hohe Stromstärke aufweisen. Das jeweilige Laststromanschlusselement kann einstückig (wie beim Ausführungsbeispiel) oder mehrstückig ausgebildet sein. Das jeweilige Laststromanschlusselement kann z.B. als gebogenes Metallblechelement (z.B. aus Kupfer- oder aus einer Kupferlegierung) ausgebildet sein.The power semiconductor arrangement furthermore has an electrically conductive second contact area 5 ' having electrically conductive load current connection element 5 on, the second contact surface 5 ' in the normal direction N of the substrate 6 aligned with the first contact surface 6b ' above the first contact area 6b ' , especially on the first contact surface 6b , is arranged. It is expressly noted that in the sense of the invention the term “above the first contact surface 6b ' arranged ”also the design“ on the first contact surface 6b ' arranged ”. In addition to the load current connection element 5 the power semiconductor arrangement has further load current connection elements. The load current connection elements guide the operation of the power semiconductor device 1 Load currents which, as a rule, in contrast to control currents, are used, for example, to control the power semiconductor components 11 serve when the power semiconductor devices 11 are designed as power semiconductor switches, have a high current. The respective load current connection element can be formed in one piece (as in the exemplary embodiment) or in several pieces. The respective load current connection element can be designed, for example, as a bent sheet metal element (for example made of copper or a copper alloy).

Weiterhin weist die Leistungshalbleiteranordnung ein, vorzugsweise mit der Kühleinrichtung 2 direkt oder indirekt (z.B. über mechanisch zwischengeschaltete bzw. dazwischen angeordnete Elemente) verbundenes, Formelement 7 auf, das einen in Normalenrichtung N des Substrats 6 durch das Formelement 7 hindurch verlaufenden und in Normalenrichtung N des Substrats 6 fluchtend zum Laststromanschlusselement 5 über dem Laststromanschlusselement 5 angeordneten Kanal 3 aufweist. Beim Ausführungsbeispiel ist das Formelement 7 mit der Kühleinrichtung 2 direkt mittels Schrauben verbunden. Das Formelement 7 ist vorzugsweise aus Kunststoff ausgebildet. Eine den Kanal 3 begrenzende Innenwand 7a des Formelements 7 bildet eine Kanalinnenwandstruktur aus, wobei der Kanal 3 eine in Normalenrichtung N des Substrats 6 verlaufende (virtuelle) Kanalachse B aufweist in Richtung derer der Kanal 3 verläuft.Furthermore, the power semiconductor arrangement has, preferably with the cooling device 2nd Form element connected directly or indirectly (for example via mechanically interposed or arranged elements) 7 on, one in the normal direction N of the substrate 6 through the shaped element 7 running through and in the normal direction N of the substrate 6 aligned with the load current connection element 5 above the load current connection element 5 arranged channel 3rd having. In the exemplary embodiment, the shaped element 7 with the cooling device 2nd directly connected with screws. The form element 7 is preferably made of plastic. One the channel 3rd delimiting inner wall 7a of the formula element 7 forms a channel inner wall structure, the channel 3rd one in the normal direction N of the substrate 6 running (virtual) channel axis B points in the direction of which the channel 3rd runs.

Die Leistungshalbleiteranordnung weist weiterhin einer Schraubenfeder 9 auf, die um ihre (virtuelle) Längsachse A herumverlaufende Windungen 9' aufweist, wobei die Längsachse A der Schraubenfeder 9 in Normalenrichtung N des Substrats 6 verläuft und zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder 9 in dem Kanal 3 angeordnet ist. Die Schraubenfeder 8 ist vorzugsweise als Druckfeder, d.h. als Schraubenfeder mit mindestens einem abgeflachten Ende, ausgebildet. Die Schraubenfeder 9 ist vorzugsweise aus Metall, wie z.B. Federstahl, ausgebildet.The power semiconductor arrangement also has a coil spring 9 on that about their (virtual) longitudinal axis A winding turns 9 ' has, wherein the longitudinal axis A of the coil spring 9 in the normal direction N of the substrate 6 runs and at least a portion of the coil spring 9 in the channel 3rd is arranged. The coil spring 8th is preferably designed as a compression spring, ie as a coil spring with at least one flattened end. The coil spring 9 is preferably made of metal, such as spring steel.

Die Leistungshalbleiteranordnung weist weiterhin ein, auf einem der ersten Kontaktfläche 6b' abgewandten Endbereich 9a der Schraubenfeder 9 aufliegendes, Rastelement 4 auf, wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements 4 in dem Kanal 3 angeordnet ist. Das Rastelement 4 und die Kanalinnenwandstruktur weisen, wie beispielhaft in den 3 bis 5 im Detail dargestellt, derartige geometrische Formen auf und können derartig zueinander bewegt werden, dass das Rastelement 4 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' mit der Kanalinnenwandstruktur durch eine Drehbewegung 15 des Rastelements 4 um die Kanalachse B formschlüssig verbunden werden kann.The power semiconductor arrangement furthermore has one on one of the first contact areas 6b ' opposite end area 9a the coil spring 9 overlying, locking element 4th on, at least a portion of the locking element 4th in the channel 3rd is arranged. The locking element 4th and have the channel inner wall structure, as exemplified in FIGS 3rd to 5 shown in detail, such geometric shapes and can be moved to each other such that the locking element 4th in the normal direction N of the substrate 6 towards away from the first contact surface 6b ' with the channel inner wall structure by a rotary motion 15 of the locking element 4th around the channel axis B can be positively connected.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt b) erfolgt, wie beispielhaft in 4 dargestellt, ein Bewegen 30 des Rastelements 4, mittels eines, vorzugsweise externen, Druckwerkzeugs 13, in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 zu, wodurch die Schraubenfeder 9 zusammengedrückt wird und von der Schraubenfeder 9 direkt oder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement 5 in Normalenrichtung N des Substrats 6 ausgeübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche 6b' und 5' elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert werden. Hierdurch wird eine zuverlässige elektrisch leitende Druckkontaktierung des Laststromanschlusselements 5 mit dem Substrat 6 erzielt. Bei dem Druckwerkzeug 13 handelt es sich vorzugsweise um ein externes Druckwerkzeug, d.h. das Druckwerkzeug 13 ist vorzugsweise nicht Bestandteil der Leistungshalbleiteranordnung bzw. der Leistungshalbleitereinrichtung 1.In a subsequent method step b), as is exemplified in 4th illustrated a moving 30th of the locking element 4th , by means of a, preferably external, printing tool 13 , in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 too, causing the coil spring 9 is compressed and by the coil spring 9 directly or indirectly a pressure on the load current connection element 5 in the normal direction N of the substrate 6 is exercised and thereby the first and second contact surfaces 6b ' and 5 ' be electrically pressure-contacted with each other. This results in a reliable electrically conductive pressure contacting of the load current connection element 5 with the substrate 6 achieved. With the printing tool 13 it is preferably an external printing tool, ie the printing tool 13 is preferably not part of the Power semiconductor arrangement or the power semiconductor device 1 .

Das Rastelement 4 und die Kanalinnenwandstruktur weisen, wie im Detail in den 3 bis 5 dargestellt, derartige geometrische Formen auf, dass sobald bei der Bewegung 30 des Rastelements 4 das Rastelement 4 eine bestimmte Rastposition im Kanal 3 erreicht, vom Rastelement 3, infolge des auf ihn einwirkenden Drucks, eine Drehbewegung 15 um die Kanalachse B durchgeführt wird, wodurch eine Bewegung des Rastelements 4 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' durch Formschluss des Rastelements 4 mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird. Bei der Drehbewegung 15 des Rastelements 4 wird vom Druckwerkzeug 13 keine Drehbewegung um die Kanalachse B durchgeführt. 3 zeigt eine Detailansicht der im Bereich des Kanals 3 des Formelements 7 angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung 1 bzw. der Leistungshalbleiteranordnung in einem Zustand bei dem die zumindest teilweise in dem Kanal 3 angeordnete Schraubenfeder 9 noch nicht zusammengedrückt ist.The locking element 4th and have the channel inner wall structure as detailed in FIGS 3rd to 5 depicted such geometric shapes on that once in motion 30th of the locking element 4th the locking element 4th a certain resting position in the channel 3rd reached by the locking element 3rd , due to the pressure acting on it, a rotary movement 15 around the channel axis B is performed, causing a movement of the locking element 4th in the normal direction N of the substrate 6 towards away from the first contact surface 6b ' by positive locking of the locking element 4th is limited with the channel inner wall structure. When turning 15 of the locking element 4th is from the printing tool 13 no rotation around the channel axis B carried out. 3rd shows a detailed view of the area of the channel 3rd of the formula element 7 arranged elements of the power semiconductor device 1 or the power semiconductor arrangement in a state in which the at least partially in the channel 3rd arranged coil spring 9 is not yet compressed.

Zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 wird das Druckwerkzeug 13 auf dem Rastelement 4 angeordnet. 4 zeigt einen Zustand bei dem das Druckwerkzeug 13 auf dem Rastelement 4 angeordnet ist. Mittels des Druckwerkzeugs 13 wird anschließend, durch eine Bewegung 14 des Druckwerkzeugs 13 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 zu, das Rastelement 4, in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 gedrückt, d.h. in Bezug auf 4 nach unten gedrückt, so dass die Schraubenfeder 9 zusammengedrückt wird. 5 zeigt den Endzustand nach dem das Rastelement 4 bei Erreichen der Rastposition die Drehbewegung 15 um die Kanalachse B durchgeführt hat, wodurch das Rastelement 4 in Normalenrichtung N des Substrats 6 mit dem Formelement 7 formschlüssig verbunden ist. Das Rastelement 4 ist in der Kanalinnenwandstruktur eingerastet. Anschließend wird das vorzugweise lediglich zur Montage der Leistungshalbleitereinrichtung 1 verwendete Druckwerkzeug 13 entfernt. Die zusammengedrückte Schraubenfeder 9 übt direkt oder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement 5 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf die erste Kontaktfläche 6b' aus, so dass die erste und zweite Kontaktfläche 6b' und 5' elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert werden. Sehr vorteilhaft ist, dass zur Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 bzw. zur Erzielung dieser Druckkontaktierung das Druckwerkzeug 13 lediglich eine Linearbewegung 14 durchführen aber keine Drehbewegung um die Kanalachse B durchführen muss, so dass die Leistungshalbleitereinrichtung 1 besonders rationell herstellt werden kann.To manufacture the power semiconductor device 1 becomes the printing tool 13 on the locking element 4th arranged. 4th shows a state in which the printing tool 13 on the locking element 4th is arranged. Using the printing tool 13 is then, through a movement 14 of the printing tool 13 in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 to, the locking element 4th , in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 pressed, ie in relation to 4th pushed down so that the coil spring 9 is squeezed. 5 shows the final state after the locking element 4th the rotary movement when the stop position is reached 15 has performed about the channel axis B, whereby the locking element 4th in the normal direction N of the substrate 6 with the shaped element 7 is positively connected. The locking element 4th is snapped into the channel inner wall structure. Subsequently, this is preferably only for the assembly of the power semiconductor device 1 printing tool used 13 away. The compressed coil spring 9 exerts pressure directly or indirectly on the load current connection element 5 in the normal direction N of the substrate 6 towards the first contact surface 6b ' out so that the first and second contact area 6b ' and 5 ' be electrically pressure-contacted with each other. It is very advantageous for the production of the power semiconductor device 1 or to achieve this pressure contact, the printing tool 13 just a linear movement 14 perform but does not have to perform a rotary movement about the channel axis B, so that the power semiconductor device 1 can be produced particularly efficiently.

Das Rastelement 4 weist vorzugsweise ein, im Bezug zur Kanalachse B eine schräge Oberseite 4a' aufweisendes, Einrastelement 4a auf, wobei die Kanalinnenwandstruktur ein Strukturelement 7b ausbildet, das eine im Bezug zur Kanalachse B schräge Unterseite 7b' aufweist. Das Druckwerkzeug 13 weist weiterhin ein Fingerelement 13a mit einer im Bezug zur Kanalachse B schrägen Unterseite 13a' auf, die bei der Bewegung 30 des Rastelements 4, in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 zu, mit der Oberseite 4a' des Einrastelements 4a einen mechanischen Kontakt aufweist. Infolge des auf das Rastelement 4 einwirkenden Drucks und infolge der schrägen Ausbildung der Oberseite 4a' des Einrastelements 4a und der schrägen Unterseite 13a' des Fingerelements 13a wirkt ein Drehmoment auf das Rastelement 4 ein, dass beim Erreichen der Rastposition eine Drehbewegung 15 des Rastelements 4 um die Kanalachse B derart bewirkt, dass die schräge Oberseite 4a' des Rastelements 4 eine in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' wirkende formschlüssige Verbindung mit der Unterseite 7b' des Strukturelements 7b aufweist.The locking element 4th preferably has one with respect to the channel axis B a sloping top 4a ' exhibiting, snap-in element 4a on, wherein the channel inner wall structure is a structural element 7b forms, which is an oblique with respect to the channel axis B bottom 7b ' having. The printing tool 13 still has a finger element 13a with one in relation to the channel axis B sloping bottom 13a ' on that when moving 30th of the locking element 4th , in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 too, with the top 4a ' of the snap element 4a has a mechanical contact. As a result of the locking element 4th acting pressure and due to the oblique formation of the top 4a ' of the snap element 4a and the sloping bottom 13a ' of the finger element 13a acts on the locking element 4th a that a rotary movement when reaching the rest position 15 of the locking element 4th around the channel axis B so causes the sloping top 4a ' of the locking element 4th one in the normal direction N of the substrate 6 towards away from the first contact surface 6b ' positive connection with the bottom 7b ' of the structural element 7b having.

Die Kanalinnenwandstruktur bildet vorzugsweise eine in Normalenrichtung N des Substrats 6 verlaufende Nut 7c aus. Bei der Bewegung 30 des Rastelements 4, in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 zu, ist ein Bereich des Fingerelements 13a in der Nut 7c angeordnet, wobei hierdurch die Bewegung 14 des Fingerelements 13a in Normalenrichtung N des Substrats 6 von der Nut 7c geführt wird.The channel inner wall structure preferably forms one in the normal direction N of the substrate 6 running groove 7c out. When moving 30th of the locking element 4th , in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 too, is an area of the finger element 13a in the groove 7c arranged, thereby moving 14 of the finger element 13a in the normal direction N of the substrate 6 from the groove 7c to be led.

Vorzugsweise ist beim Verfahrensschritt a) der Zustand, dass zumindest ein Abschnitt des Rastelements 4 in dem Kanal 3 angeordnet ist, im Vorfeld dadurch hergestellt worden, dass, insbesondere in einem Zustand bei dem das Formelement 7 direkt oder indirekt mit der Kühlleinrichtung 2 verbunden ist, zumindest ein Abschnitt des Rastelements 4 über einer der ersten Kontaktfläche 6b' abgewandten Öffnung 3a des Kanals 3 in den Kanal 3 eingeführt worden ist.In step a), the condition is preferably that at least a portion of the latching element 4th in the channel 3rd has been arranged in advance in that, in particular in a state in which the shaped element 7 directly or indirectly with the cooling device 2nd is connected, at least a portion of the locking element 4th over one of the first contact areas 6b ' facing opening 3a of the channel 3rd in the channel 3rd has been introduced.

Weiterhin wird vorzugsweise beim Verfahrensschritt b) von der Schraubenfeder 9 indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement 5 in Normalenrichtung N des Substrats 6 ausübt, indem zwischen der Schraubenfeder 9 und dem Laststromanschlusselement 5 ein, vorzugsweise elektrisch nicht leitendes, Druckweiterleitungselement 13 angeordnet ist. Das Druckweiterleitungselement 13 ist vorzugsweise aus einem elektrisch nicht leitenden Material, wie z.B. Kunststoff, ausgebildet.Furthermore, the coil spring is preferably used in method step b) 9 indirectly a pressure on the load current connection element 5 in the normal direction N of the substrate 6 exercises by between the coil spring 9 and the load current connector 5 a, preferably electrically non-conductive, pressure transmission element 13 is arranged. The pressure relay element 13 is preferably made of an electrically non-conductive material, such as plastic.

6 zeigt im Rahmen einer weiteren Ausbildung der Erfindung, eine Detailansicht der im Bereich des Kanals 3 des Formelements 7 angeordneten Elemente der Leistungshalbleitereinrichtung 1 in einem Zustand bei dem das Rastelement 4 mit der Kanalinnenwandstruktur, welche von der den Kanal 3 begrenzenden Innenwand 7a des Formelements 7 ausgebildet wird, in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' des Substrats 3 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 formschlüssig verbunden ist. Die Ausbildung der Erfindung gemäß 6 stimmt mit der Ausbildung der Erfindung gemäß den 1 bis 5 bis auf das Merkmal überein, dass nach Verfahrensschritt b) folgender weiterer Verfahrensschritt c) erfolgt, bei dem ein Ausführen einer Drehbewegung 15 des Rastelements 4 um die Kanalachse B, durch Ausführen einer Drehbewegung 40 des Druckwerkzeugs erfolgt, wodurch eine Bewegung des Rastelements 4 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' durch Formschluss des Rastelements 4 mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird. Der Übersichtlichkeit halber ist in 6 das Druckwerkzeug und das Druckweiterleitungselement nicht dargestellt. Das Druckwerkzeug wir auf dem Rastelement 4 angeordnet. 6 shows in the context of a further embodiment of the invention, a detailed view of the area of the channel 3rd of the formula element 7 arranged elements of the power semiconductor device 1 in a state in which the locking element 4th with the channel inner wall structure, which of the the channel 3rd limiting inner wall 7a of the formula element 7 is formed in the direction away from the first contact surface 6b ' of the substrate 3rd the power semiconductor device 1 is positively connected. The formation of the invention according 6 agrees with the design of the invention according to the 1 to 5 except for the feature that after method step b) the following further method step c) takes place, in which a rotary movement is carried out 15 of the locking element 4th around the channel axis B , by rotating it 40 of the printing tool, causing movement of the locking element 4th in the normal direction N of the substrate 6 towards away from the first contact surface 6b ' by positive locking of the locking element 4th is limited with the channel inner wall structure. For the sake of clarity, is in 6 the printing tool and the pressure transfer element are not shown. The printing tool is on the locking element 4th arranged.

Im Gegensatz zu der Ausbildung der Erfindung gemäß den 1 bis 5 muss bei der Ausbildung der Erfindung gemäß 6, das Druckwerkzeug nach einer Bewegung 14 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf das Laststromanschlusselement 5 zu, d.h. bezogen auf 6 nach einer Bewegung 14 nach unten, zusätzlich eine Drehbewegung 40 um die Kanalachse B durchführen um das Rastelement 4 in Normalenrichtung N des Substrats 6 mit dem Formelement 7 formschlüssig zu verbinden. Die Verbindung von Rastelement 4 und Formelement 7 ist somit bei der Ausbildung der Erfindung gemäß 6 als Bajonettverschluss realisiert. Das Rastelement 4 weist bei der Ausbildung der Erfindung gemäß 6 vorzugsweise ein, im Bezug zur Kanalachse B eine senkrechte Oberseite 4a' aufweisendes, Einrastelement 4a auf, wobei die Kanalinnenwandstruktur ein Strukturelement 7b ausbildet, das eine im Bezug zur Kanalachse B senkrechte Unterseite 7b' aufweist. Nach der Drehbewegung 15 des Rastelements 4 um die Kanalachse B, mittels der Drehbewegung 40 des Druckwerkzeugs, weist die Oberseite 4a' des Rastelements 4 eine in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche 6b' wirkende formschlüssige Verbindung mit der Unterseite 7b' des Strukturelements 7b auf. Anschließend wird das vorzugweise lediglich zur Montage der Leistungshalbleitereinrichtung 1 verwendete Druckwerkzeug entfernt. Die zusammengedrückte Schraubenfeder 9 übt direkt oder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement 5 in Normalenrichtung N des Substrats 6 in Richtung auf die erste Kontaktfläche 6b' aus, so dass die erste und zweite Kontaktfläche 6b' und 5' elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert sind. Hierdurch wird eine zuverlässige elektrisch leitende Druckkontaktierung der Laststromanschlusselemente mit dem Substrat 6 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 erzielt.In contrast to the embodiment of the invention according to the 1 to 5 must be in accordance with the formation of the invention 6 , the printing tool after a movement 14 in the normal direction N of the substrate 6 towards the load current connection element 5 to, ie related to 6 after a movement 14 down, additionally a rotary movement 40 around the channel axis B perform around the locking element 4th in the normal direction N of the substrate 6 with the shaped element 7 to connect positively. The connection of the locking element 4th and shaped element 7 is thus in the formation of the invention 6 realized as a bayonet catch. The locking element 4th points in the formation of the invention 6 preferably one, in relation to the channel axis B a vertical top 4a ' exhibiting, snap-in element 4a on, wherein the channel inner wall structure is a structural element 7b trains one in relation to the channel axis B vertical bottom 7b ' having. After the rotation 15 of the locking element 4th around the channel axis B, by means of the rotary movement 40 of the printing tool, has the top 4a ' of the locking element 4th one in the normal direction N of the substrate 6 towards away from the first contact surface 6b ' positive connection with the bottom 7b ' of the structural element 7b on. Subsequently, this is preferably only for the assembly of the power semiconductor device 1 used printing tool removed. The compressed coil spring 9 exerts pressure directly or indirectly on the load current connection element 5 in the normal direction N of the substrate 6 towards the first contact surface 6b ' out so that the first and second contact area 6b ' and 5 ' are electrically conductively pressure-contacted to each other. This ensures reliable, electrically conductive pressure contacting of the load current connection elements with the substrate 6 the power semiconductor device 1 achieved.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können.It should be noted at this point that features of different exemplary embodiments of the invention can of course be combined with one another as long as the features are not mutually exclusive.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 102016115572 A1 [0002]DE 102016115572 A1 [0002]

Claims (9)

Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung (1) mit folgenden aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Leistungshalbleiteranordnung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche (6b') aufweisendem Substrat (6), mit auf dem Substrat (6) angeordneten und mit dem Substrat (6) elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (11), mit einem eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche (5') aufweisendem elektrisch leitenden Laststromanschlusselement (5), wobei die zweite Kontaktfläche (5') in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) fluchtend zur ersten Kontaktfläche (6b') über der ersten Kontaktfläche (6b') angerordnet ist, mit einem Formelement (7), das einen in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) durch das Formelement (7) hindurch verlaufenden und in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) fluchtend zum Laststromanschlusselement (5) über dem Laststromanschlusselement (5) angeordneten Kanal (3) aufweist, wobei eine den Kanal (3) begrenzende Innenwand (7a) des Formelements (7) eine Kanalinnenwandstruktur ausbildet, wobei der Kanal (3) eine in Normalenrichtung (N) des Substrats verlaufende Kanalachse (B) aufweist, mit einer Schraubenfeder (9), die um ihre Längsachse (A) herumverlaufende Windungen (9') aufweist, wobei die Längsachse (A) der Schraubenfeder (9) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) verläuft und zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder (9) in dem Kanal (3) angeordnet ist, mit einem, auf einem der ersten Kontaktfläche (6b') abgewandten Endbereich (9a) der Schraubenfeder (9) aufliegenden, Rastelement (4), wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements (4) in dem Kanal (3) angeordnet ist, wobei das Rastelement (4) und die Kanalinnenwandstruktur derartige geometrische Formen aufweisen und derartig zueinander bewegt werden können, dass das Rastelement (4) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche (6b') mit der Kanalinnenwandstruktur durch eine Drehbewegung (15) des Rastelements (4) um die Kanalachse (B) formschlüssig verbunden werden kann, b) Bewegen des Rastelements (4), mittels eines Druckwerkzeugs (13), in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung auf das Laststromanschlusselement (5) zu, wodurch die Schraubenfeder (9) zusammengedrückt wird und von der Schraubenfeder (9) direkt oder indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement (5) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) ausübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche (6b',5') elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert werden.Method for producing a power semiconductor device (1) with the following successive method steps: a) Providing a power semiconductor arrangement with a substrate (6) having an electrically conductive first contact surface (6b '), with power semiconductor components (11) arranged on the substrate (6) and electrically conductively connected to the substrate (6), with an electrically conductive one second contact surface (5 ') having an electrically conductive load current connection element (5), the second contact surface (5') being arranged in the normal direction (N) of the substrate (6) in alignment with the first contact surface (6b ') above the first contact surface (6b') , with a shaped element (7), which extends in the normal direction (N) of the substrate (6) through the shaped element (7) and in the normal direction (N) of the substrate (6) in alignment with the load current connection element (5) above the load current connection element (5 ) arranged channel (3), an inner wall (7a) of the molded element (7) delimiting the channel (3) forming a channel inner wall structure, the channel (3) ei ne has channel axis (B) extending in the normal direction (N) of the substrate, with a helical spring (9) which has turns (9 ') running around its longitudinal axis (A), the longitudinal axis (A) of the helical spring (9) in the normal direction (N) of the substrate (6) extends and at least a section of the helical spring (9) is arranged in the channel (3), with an end region (9a) of the helical spring (9) lying on an end region facing away from the first contact surface (6b ') , Locking element (4), at least a portion of the locking element (4) being arranged in the channel (3), the locking element (4) and the channel inner wall structure having such geometric shapes and being able to be moved relative to one another that the locking element (4) in the normal direction (N) of the substrate (6) in the direction away from the first contact surface (6b ') with the channel inner wall structure by a rotational movement (15) of the locking element (4) about the channel axis (B), b) Moving the locking element (4) by means of a pressure tool (13) in the normal direction (N) of the substrate (6) towards the load current connection element (5), whereby the coil spring (9) is compressed and by the coil spring (9 ) a pressure is exerted directly or indirectly on the load current connection element (5) in the normal direction (N) of the substrate (6) and as a result the first and second contact surfaces (6b ', 5') are electrically pressure-contacted to one another. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt b) das Rastelement (4) und die Kanalinnenwandstruktur eine derartige geometrische Formen aufweisen, dass sobald bei der Bewegung (30) des Rastelements (4) das Rastelement (4) eine bestimmte Rastposition im Kanal (3) erreicht, vom Rastelement (3), infolge des auf ihn einwirkenden Drucks, eine Drehbewegung (15) um die Kanalachse (B) durchgeführt wird, wodurch eine Bewegung des Rastelements (4) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche (6b') durch Formschluss des Rastelements (4) mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird, wobei bei der Drehbewegung (15) des Rastelements (4) vom Druckwerkzeug (13) keine Drehbewegung um die Kanalachse (B) durchgeführt wird.Procedure according to Claim 1 , characterized in that in method step b) the locking element (4) and the channel inner wall structure have such a geometric shape that as soon as the locking element (4) moves (30) the locking element (4) reaches a certain locking position in the channel (3) , by the locking element (3), due to the pressure acting on it, a rotary movement (15) about the channel axis (B) is carried out, whereby a movement of the locking element (4) in the normal direction (N) of the substrate (6) in the direction away from the first contact surface (6b ') is limited by the positive engagement of the latching element (4) with the channel inner wall structure, the rotary tool (13) not causing the pressure tool (13) to perform a rotational movement about the channel axis (B) during the rotational movement (15). Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt b) das Rastelement (4) ein, im Bezug zur Kanalachse (B) eine schräge Oberseite (4a') aufweisendes, Einrastelement (4a) aufweist, wobei die Kanalinnenwandstruktur ein Strukturelement (7b) ausbildet, das eine im Bezug zur Kanalachse (B) schräge Unterseite (7b') aufweist, wobei das Druckwerkzeug (13) ein Fingerelement (13a) mit einer im Bezug zur Kanalachse (B) schrägen Unterseite (13a') aufweist, die bei der Bewegung (30) des Rastelements (4), in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung auf das Laststromanschlusselement (5) zu, mit der Oberseite (4a') des Einrastelements (4a) einen mechanischen Kontakt aufweist, wobei infolge des auf das Rastelement (4) einwirkenden Drucks und infolge der Schrägen Ausbildung der Oberseite (4a') des Einrastelements (4a) und der schrägen Unterseite (13a') des Fingerelements (13a) ein Drehmoment auf das Rastelement (4) einwirkt, dass beim Erreichen der Rastposition eine Drehbewegung (15) des Rastelements (4) um die Kanalachse (B) derart bewirkt, dass die schräge Oberseite (4a') des Rastelements (4) eine in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche (6b') wirkende formschlüssige Verbindung mit der Unterseite (7b') des Strukturelements (7b') aufweist.Procedure according to Claim 2 , characterized in that in method step b) the latching element (4) has a latching element (4a) which has an oblique upper side (4a ') with respect to the channel axis (B), the channel inner wall structure forming a structural element (7b) which forms a has an underside (7b ') with respect to the channel axis (B), the printing tool (13) having a finger element (13a) with an underside (13a') which is inclined with respect to the channel axis (B) and which during movement (30) of the locking element (4), in the normal direction (N) of the substrate (6) in the direction of the load current connection element (5), has a mechanical contact with the upper side (4a ') of the locking element (4a). 4) acting pressure and due to the oblique formation of the top (4a ') of the latching element (4a) and the oblique underside (13a') of the finger element (13a), a torque acts on the latching element (4) that a rotational movement when reaching the latching position (15) of the locking element (4) around the channel axis (B) in such a way that the inclined upper side (4a ') of the locking element (4) acts in a direction normal to (N) the substrate (6) in the direction away from the first contact surface (6b') has a positive connection to the underside (7b ') of the structural element (7b'). Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanalinnenwandstruktur eine in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) verlaufende Nut (7c) ausbildet, wobei bei der Bewegung (30) des Rastelements (4), in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung auf das Laststromanschlusselement (5) zu, ein Bereich des Fingerelements (13a) in der Nut (7c) angeordnet ist und hierdurch die Bewegung (14) des Fingerelements (13a) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) von der Nut (7c) geführt wird.Procedure according to Claim 3 , characterized in that the channel inner wall structure forms a groove (7c) extending in the normal direction (N) of the substrate (6), with the movement (30) of the locking element (4) in the normal direction (N) of the substrate (6) in the direction towards the load current connection element (5), a region of the finger element (13a) is arranged in the groove (7c) and as a result the movement (14) of the finger element (13a) in the normal direction (N) of the substrate (6) from the groove (7c ) to be led. Verfahren nach Anspruch 1 mit folgendem weiterem Verfahrensschritt c) c) Ausführen einer Drehbewegung (15) des Rastelements (4) um die Kanalachse (B), durch Ausführen einer Drehbewegung (40) des Druckwerkzeugs, wodurch eine Bewegung des Rastelements (4) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche (6b') durch Formschluss des Rastelements (4) mit der Kanalinnenwandstruktur begrenzt wird.Procedure according to Claim 1 with the following further method step c) c) performing a rotary movement (15) of the latching element (4) about the channel axis (B), by executing a rotary movement (40) of the printing tool, whereby a movement of the latching element (4) in the normal direction (N) of the Substrate (6) in the direction away from the first contact surface (6b ') is limited by positive engagement of the locking element (4) with the channel inner wall structure. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt a) der Zustand, dass zumindest ein Abschnitt des Rastelements (4) in dem Kanal (3) angeordnet ist, im Vorfeld dadurch hergestellt wurde, dass zumindest ein Abschnitt des Rastelements (4) über einer der ersten Kontaktfläche (6b') abgewandten Öffnung (3a) des Kanals (3) in den Kanal (3) eingeführt worden ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that in method step a) the state that at least a section of the latching element (4) is arranged in the channel (3) was established in advance by at least a section of the latching element (4th ) has been introduced into the channel (3) via an opening (3a) of the channel (3) facing away from the first contact surface (6b '). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt b) von der Schraubenfeder (9) indirekt ein Druck auf das Laststromanschlusselement (5) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) ausübt wird, indem zwischen der Schraubenfeder (9) und dem Laststromanschlusselement (5) ein Druckweiterleitungselement (13) angeordnet ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that, in method step b), the coil spring (9) indirectly exerts a pressure on the load current connection element (5) in the normal direction (N) of the substrate (6) in that between the coil spring (9) and a pressure transmission element (13) is arranged on the load current connection element (5). Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass die Schraubenfeder (9) als Druckfeder ausgebildet ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the helical spring (9) is designed as a compression spring. Leistungshalbleitereinrichtung mit einem eine elektrisch leitende erste Kontaktfläche (6b') aufweisendem Substrat (6), mit auf dem Substrat (6) angeordneten und mit dem Substrat (6) elektrisch leitend verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (11), mit einem eine elektrisch leitende zweite Kontaktfläche (5') aufweisendem elektrisch leitenden Laststromanschlusselement (5), wobei die zweite Kontaktfläche (5') in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) fluchtend zur ersten Kontaktfläche (6b') über der ersten Kontaktfläche (6b') angeordnet ist, mit einem Formelement (7), das einen in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) durch das Formelement (7) hindurch verlaufenden und in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) fluchtend zum Laststromanschlusselement (5) über dem Laststromanschlusselement (5) angeordneten Kanal (3) aufweist, wobei eine den Kanal (3) begrenzende Innenwand (7a) des Formelements (7) eine Kanalinnenwandstruktur ausbildet, wobei der Kanal (3) eine in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) verlaufende Kanalachse (B) aufweist, mit einer Schraubenfeder (9), die um ihre Längsachse (A) herumverlaufende Windungen (9a) aufweist, wobei die Längsachse (A) der Schraubenfeder (9) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) verläuft und zumindest ein Abschnitt der Schraubenfeder (9) in dem Kanal (3) angeordnet ist, mit einem, auf einem der ersten Kontaktfläche (6b') abgewandten Endbereich (9a) der Schraubenfeder (9) aufliegenden, Rastelement (4), wobei zumindest ein Abschnitt des Rastelements (4) in dem Kanal (3) angeordnet ist, wobei das Rastelement (3) und die Kanalinnenwandstruktur derartige geometrische Formen aufweisen und derartig zueinander angeordnet sind, dass das Rastelement (3) in Normalenrichtung (N) des Substrats (3) in Richtung weg von der ersten Kontaktfläche (6b') mit der Kanalinnenwandstruktur formschlüssig verbunden ist, wobei die Schraubenfeder (9) zusammengedrückt angeordnet ist und von der Schraubenfeder (9) direkt oder indirekt einen Druck auf das Laststromanschlusselement (5) in Normalenrichtung (N) des Substrats (6) ausübt wird und hierdurch die erste und zweite Kontaktfläche (6b',5') elektrisch leitend miteinander druckkontaktiert sind.Power semiconductor device with a substrate (6) having an electrically conductive first contact surface (6b '), with power semiconductor components (11) arranged on the substrate (6) and electrically conductively connected to the substrate (6), with an electrically conductive second contact surface (5 ') having an electrically conductive load current connection element (5), the second contact surface (5') being arranged in the normal direction (N) of the substrate (6) in alignment with the first contact surface (6b ') above the first contact surface (6b'), with a shaped element (7), which has a channel running in the normal direction (N) of the substrate (6) through the shaped element (7) and aligned in the normal direction (N) of the substrate (6) to the load current connection element (5) above the load current connection element (5). 3), an inner wall (7a) of the molded element (7) delimiting the channel (3) forming a channel inner wall structure, the channel (3) being one in the normal direction (N) of the substrate (6) has a channel axis (B), with a helical spring (9) which has turns (9a) running around its longitudinal axis (A), the longitudinal axis (A) of the helical spring (9) in the normal direction ( N) of the substrate (6) and at least a section of the helical spring (9) is arranged in the channel (3), with an end region (9a) of the helical spring (9) lying on an end region (9a) facing away from the first contact surface (6b '), Locking element (4), at least a portion of the locking element (4) being arranged in the channel (3), the locking element (3) and the channel inner wall structure having such geometric shapes and being arranged relative to one another that the locking element (3) is in the normal direction (N) of the substrate (3) in the direction away from the first contact surface (6b ') is positively connected to the channel inner wall structure, the helical spring (9) being arranged compressed and one of the helical spring (9) directly or indirectly n Pressure is exerted on the load current connection element (5) in the normal direction (N) of the substrate (6) and as a result the first and second contact surfaces (6b ', 5') are electrically pressure-contacted to one another.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102006058694B4 (en) * 2006-12-13 2011-06-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Power semiconductor module with contact springs

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