DE102018120893A1 - TO-Gehäuse mit einer Durchführung aus Glas - Google Patents

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Abstract

TO-Gehäuse, umfassend einen Sockel mit einem Montagebereich für ein optoelektronisches Bauelement, wobei der Sockel zumindest einen in einer Durchführung angeordneten Signalpin zum Anschluss des optoelektronischen Bauelements umfasst. Die Durchführung ist mit einem Isolationsmaterial, insbesondere mit einer Vergussmasse aus Glas, gefüllt, wobei sich auf zumindest einer Seite der Durchführung ein Bereich befindet, in welchem das Isolationsmaterial aus Glas ausgespart ist.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein TO-Gehäuse (Transistor Outline-Gehäuse), welches eine hohe Datenübertragungsrate ermöglichen soll.
  • Hintergrund der Erfindung
  • TO-Gehäuse mit eingeglasten Signalpins sind bekannt. Ein derartiges TO-Gehäuse umfasst in der Regel einen Sockel aus Metall, durch den zumindest ein Signalpin geführt ist, welcher in einer Glasdurchführung sitzt. Über den Signalpin kann ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere eine Laserdiode, kontaktiert werden. Über Glasdurchführungen, insbesondere eingeschmolzene Glasdurchführungen, lassen sich auf einfache Weise hermetisch abgedichtete Gehäuse mit hoher Temperaturbeständigkeit bereitstellen.
  • Derzeit sind Datenübertragungsraten von 25 GBit/s pro Kanal beim 100 G Internetstandard üblich. Um den nächsten Internetstandard 400 G zu erreichen, muss die Datenübertragungsrate in etwa verdoppelt werden, um etwa 100 GBit/s pro Wellenlänge zu erreichen.
  • Dies erfordert gleichzeitig die Verdopplung der Bandbreite sowie der Übertragungsfrequenz.
  • Der Bereich der Glasdurchführungen eines TO-Gehäuses ist problematisch, weil es aufgrund der Isolierung aus Glas, welche eine andere Permittivität als Luft hat, immer zu einem Sprung in der Impedanz der Signalleitung kommt. Ein derartiger Impedanzsprung kann beispielsweise durch einen Überstand des Signalspins auf der Unterseite des Gehäuses kompensiert werden.
  • Problematisch ist weiterhin, dass die verwendete Vergussmasse aus Glas Volumenschwankungen unterliegt. Durch ein unterschiedliches Füllvolumen kommt es insbesondere zu variierender Meniskusbildung an den Enden der Glasdurchführung. Dies kann negativen Einfluss auf die gewünschte Impedanz des Signalpfades haben. Es ist aus der Praxis bekannt, den Meniskus mittels einer Kohlehülse zurückzudrücken. Dies ist aber sehr aufwendig.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein TO-Gehäuse bereitzustellen, welches hohe Datenraten ermöglicht und bei welchem Schwankungen im Füllvolumen des Isolationsmaterials aus Glas oder Glaskeramik den Impedanzverlauf des Signalpfades des TO-Gehäuse möglichst wenig beeinflussen, sowie Anwendungen solche TO-Gehäuse.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Aufgabe der Erfindung wird bereits durch ein TO-Gehäuse nach Anspruch 1 gelöst.
  • Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind dem Gegenstand der abhängigen Ansprüche, der Beschreibung sowie den Zeichnungen zu entnehmen.
  • Das TO-Gehäuse umfasst einen Sockel mit einem Montagebereich für ein optoelektronisches Bauelement. Es ist insbesondere vorgesehen, dass das Gehäuse einen Sockel aus Metall, insbesondere aus einem mit einer Beschichtung versehenen Metall, umfasst.
  • Der Montagebereich befindet sich im Inneren des Gehäuses. Das Gehäuse kann mit einer Kappe, welche ein Fenster umfasst, durch das elektromagnetische Strahlung treten kann, verschlossen sein.
  • Der Sockel umfasst zumindest einen in einer Durchführung angeordneten Signalpin zum Anschluss des optoelektronischen Bauelements. Das optoelektronische Bauelement ist insbesondere als Laserdiode ausgebildet. Der zumindest eine Signalpin wird verwendet, um das optoelektronische Bauelement zwecks Datenübertragung anzusteuern bzw. zu modulieren. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf TO-Gehäuse mit einer Sendediode.
  • Es versteht sich, dass das optoelektronische Bauelement noch weitere elektrische Durchführungen umfassen kann, insbesondere solche, die beispielsweise der Stromversorgung von Bauelementen, der Ansteuerung weiterer Bauelemente, wie beispielsweise einer Monitordiode oder eines thermoelektrischen Kühlers dienen.
  • Da derartige weitere Durchführungen entweder gar nicht zur Datenübertragung dienen oder, beispielsweise im Fall einer Monitordiode, gegenüber dem optoelektronischen Bauelement für geringere Datenübertragungsdaten als die Signalpins verwendet werden, ist die Ausgestaltung dieser Durchführungen hinsichtlich des Signalpfades weniger problematisch.
  • Die Durchführung ist mit einem Isolationsmaterial beinhaltend, insbesondere bestehend aus Glas und/oder Glaskeramik gefüllt, in welchem der Signalpin eingebettet ist. Insbesondere ist das Isolationsmaterial als eine Vergussmasse oder Druckglasdurchfürhung ausgebildet, in welcher der Signalpin angeordnet ist.
  • Gemäß der Erfindung ist auf zumindest einer Seite die Durchführung nicht vollständig mit dem Isolationsmaterial aus Glas und/oder Glaskeramik aufgefüllt.
  • Es befindet sich also auf zumindest einer Seite der Durchführung ein Bereich, in welchem das Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik ausgespart ist, das Isolationsmaterial also nicht bis zum Ende der Durchführung an der Oberseite oder Unterseite des Sockels reicht.
  • Die Erfindung sieht mithin vor, das Volumen der Durchführung nicht vollständig mit dem Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik zu füllen, sondern sieht auf zumindest einer Seite einen Bereich vor, in welchem die Durchführung unterhalb der Oberseite bzw. Unterseite des Sockels nicht mit dem Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik befüllt ist.
  • So können Volumenschwankungen des Isolationsmaterials aus Glas innerhalb der Durchführung kompensiert werden. Eine Meniskusbildung über die Oberseite bzw. Unterseite des Sockels kann weitgehend vermieden werden, da der Meniskus zumindest teilweise in der Durchführung angeordnet ist.
  • Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Durchführung zu 30 bis 95%, vorzugsweise zu 50 bis 90% und besonders bevorzugt zu 60 bis 80% ihres Volumens mit dem Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik gefüllt ist.
  • Der Bereich, in welchem das Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik ausgespart ist, kann gemäß einer Ausführungsform der Erfindung um den Signalpin herum einen Hohlraum bilden.
  • Dies hat den Effekt, dass der Übergang des elektromagnetischen Feldes von der Durchführung zum Signalpin und/oder zum Signalpfad zum optoelektronischen Bauelement innerhalb des TO Gehäuses entlang eines sich verbessert verlaufenden, insbesondere sich eher graduell ändernden Impedanzverlauf erfolgt. Der Übergang erfolgt durch den Hohlraum weicher, was die Dämpfung reduziert.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist der Bereich, in welchem das Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik nicht vorhanden ist, mit einem Kunststoff, insbesondere mit einem Epoxidharz, aufgefüllt.
  • Die Auffüllung mit einem weiteren Isolationsmaterial aus Kunststoff hat den Vorteil, dass so der ausgesparte Bereich nicht von Luft umgeben ist. Luft hat eine Permittivität εr von etwa 1, so dass sich die Impedanz sprunghaft ändert.
  • Dieser Sprung kann durch Verwendung einer Vergussmasse aus Kunststoff reduziert werden.
  • Prozesstechnisch ist es dabei im Gegensatz zu Einschmelzgläsern einfacher, den nicht mit dem Isolationsmaterial aus Glas ausgefüllten Bereich aufzufüllen, ohne dass es zu einer Meniskusbildung kommt.
  • Es kann beispielsweise ein Kunststoff verwendet werden, welcher thermisch oder mittels Licht, insbesondere mittels UV-Licht, ausgehärtet wird.
  • Es wird insbesondere ein Kunststoff verwendet, welcher eine an das Glas angepasste Permittivität hat. Insbesondere wird ein Kunststoff mit einer Permittivität εr (bei 18°C und 50 Hz) verwendet, die der Permittivität des Isolationsmaterials aus Glas +/- 1,0 entspricht.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung hat der Kunststoff eine Permittivität εr (bei 18°C und 50 Hz) von 4,0 +/- 2,5, vorzugsweise von 4,0 +/- 1,5.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Durchführung mit einem Isolationsmaterial aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik mit einer niedrigen Permittivität gefüllt. Es ist insbesondere vorgesehen, dass ein Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik verwendet wird, welches eine Permittivität εr (bei 18°C und 50 Hz) von unter 5,0, vorzugsweise von unter 4,0 hat.
  • Es hat sich herausgestellt, dass hierdurch sowohl die Einfügedämpfung als auch die Reflexionsdämpfung verbessert werden können.
  • Hierzu kann insbesondere ein Isolationsmaterial verwendet werden, welches aus einem porösen Glas besteht. Es handelt sich dabei insbesondere um ein Glas, welches geschlossenporige Gaseinschlüsse aufweist. Vorzugsweise hat das Glas zumindest eine geschlossene Porosität von 5%, besonders bevorzugt von mehr als 10%. Trotz der geschlossenporigen Ausgestaltung kann eine hermetisch dichte Versiegelung erreicht werden. Ebenso möglich sind Glaskeramiken, welche diese Eigenschaften aufweisen. Insbesondere kann eine Glaskeramik verwendet werden, bei welcher durch die Kristallisation Poren entstehen.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform wird ein Glas oder eine Glaskeramik verwendet, das bzw. die eine höhere Permittivität, insbesondere eine Permittivität εr zwischen 5,0 und 8, vorzugsweise zwischen 6,5 und 7 hat. Derartige Gläser eignen sich insbesondere für Druckglasdurchführungen, also Durchführungen bei denen das Glas unter einer thermisch induzierten mechanischen Druckspannung steht.
  • Mit einem Kunststoff ist der ausgesparte Bereich vorzugsweise an der Unterseite, also der außenliegenden Seite der Durchführung, aufgefüllt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Signalpin in dem Bereich der Durchführung, in sich kein Isolationsmaterial aus Glas und/oder Glaskeramik befindet, eine Verdickung auf.
  • Die Verdickung kann beispielsweise als Kragen ausgebildet sein.
  • Die Verdickung befindet sich vorzugsweise vollständig in der Durchführung.
  • Die Verdickung hat insbesondere den 1,2 bis 3,0fachen, vorzugsweise den 1,5 bis 2,0fachen, Durchmesser des in dem Isolationsmaterial aus Glas angrenzenden Signalpins.
  • Die Verdickung bzw. der Kragen sind insbesondere innenseitig anordnet.
  • Durch die Verdickung ändert sich in dem nicht mit Isolationsmaterial aufgefüllten Bereich das Verhältnis des Durchmessers der Durchführung zum Durchmesser des Pins.
  • Auf diese Weise ist es möglich, den Sprung der Impedanz aufgrund der veränderten Permittivität um den Signalpin herum im nicht mit Glas und/oder Glaskeramik aufgefüllten Bereich weiter zu reduzieren.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat die Verdickung eine Länge lv von 0,02 bis 0,2 mm, vorzugsweise von 0,05 bis 0,1 mm.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Durchführung auf zumindest einer Seite der Durchführung einen Bereich mit vergrößertem Durchmesser auf.
  • Es ist insbesondere vorgesehen, dass dieser Bereich mit vergrößertem Durchmesser teilweise mit dem Isolationsmaterial aus Glas gefüllt ist.
  • Der Bereich mit vergrößertem Durchmesser hat insbesondere mindestens den 1,2fachen Durchmesser der angrenzenden Durchführung. Vorzugsweise hat der Bereich mit vergrößertem Durchmesser eine Länge von 0,05 bis 0,5 mm, besonders bevorzugt von 0,1 bis 0,3 mm.
  • Der Bereich mit vergrößertem Durchmesser erlaubt ebenfalls eine Anpassung des Impedanzverlaufs der Signalleitung. Weiter dient der Bereich mit vergrößertem Durchmesser als Volumenreservoir für Schwankungen des Glasvolumens.
  • Vorzugsweise ist der Bereich mit vergrößertem Durchmesser teilweise mit Glas und/oder Glaskeramik gefüllt. Ein eventuell sich bildender Meniskus steht vorzugsweise nicht über die Ober- bzw. Unterseite des Sockels heraus.
  • In dem nicht mit Glas bzw. Glaskeramik ausgefüllten Bereich ist der Bereich mit vergrößertem Durchmesser vorzugsweise als Hohlraum ausgebildet oder mit einem Material mit einer geringeren Permittivität als das Glas des Isolationsmaterials befüllt.
  • So kann ein Impedanzsprung durch sich teilweise ausgleichende Induktivität und Kapazität reduziert werden. Das teils in Bereich mit vergrößertem Durchmesser vorhandene Isolationsmaterial bewirkt hinsichtlich der Impedanz eine fehlangepasste Scheibe, die zumindest teilweise den Impedanzsprung aufgrund des angrenzenden, nicht mit Isolationsmaterial ausgefüllten Bereiches der Durchführung kompensiert.
  • Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist das TO-Gehäuse mit einer Leiterplatte verbunden, welche im Wesentlichen koaxial an dem Signalpin angebracht ist.
  • Es hat sich herausgestellt, dass durch eine koaxial angeordnete Leiterplatte der Impedanzverlauf ebenfalls verbessert sein kann.
  • Vorzugsweise ist die Leiterplatte mittels zumindest eines an die Durchführung angrenzenden Metallblocks mit dem Sockel mechanisch und elektrisch zur Bereitstellung einer Erdung verbunden.
  • Die Erdung des TO-Gehäuses wird also nicht über einen Erdungspin realisiert, sondern über einen Metallblock, welcher einen Winkel, insbesondere einen rechten Winkel, bildet und welcher so Leiterplatte und Gehäuseunterseite miteinander verbindet.
  • Der Metallblock grenzt an den oder die Signalpins an und schirmt diese so ab. Der Metallblock ist insbesondere als Platte ausgebildet. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Metallblock als Brücke ausgebildet, welche den zumindest einen Signalpin überspannt.
  • Vorzugsweise ist der Metallblock als massives Metallteil, beispielsweise aus Kupfer, ausgebildet. Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist aber auch denkbar, ein nichtleitendes Material mit Metall zu überziehen.
  • Ein weiterer Vorteil des Metallblocks für eine Erdverbindung und gleichzeitig eine mechanische Verbindung ist, dass das Anlöten der Pins, insbesondere der Signalpins, und das Anlöten der Erdverbindung voneinander entkoppelt sind.
  • Insbesondere, wenn das TO-Gehäuse zwei Signalpins aufweist, können diese zuerst an der Leiterplatte angebracht werden. Da nur die beiden Signalpins angebracht werden, liegt eine höhere Toleranz gegenüber Lagetoleranzen vor, als wenn gleichzeitig ein Erdungspin verlötet wird.
  • Im nächsten Schritt kann sodann eine mechanisch stabile Verbindung über die Erdung bereitgestellt werden.
  • Die Leiterplatte ist vorzugsweise als flexible Leiterplatte ausgebildet. Diese kann insbesondere um 90° gebogen werden, um beispielsweise in ein Bord eingesteckt zu werden.
  • Weiter kann gemäß einer Weiterbildung der Erfindung die Leiterplatte unterhalb des Metallblocks mit einer Versteifung versehen sein.
  • Die Versteifung stabilisiert die Leiterplatte im Bereich des Metallblocks und ermöglicht des Weiteren ein einfaches Anbringen des Metallblocks an der Leiterplatte insbesondere mittels Verlöten.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann die Leiterplatte angrenzend zur Unterseite des TO-Gehäuses verdickt ausgebildet ist.
  • Es ist insbesondere vorgesehen, dass der verdickte Bereich der Leiterplatte als mehrlagige, insbesondere starre Leiterplatte ausgebildet ist, welche in eine flexible Leiterplatte übergeht.
  • Über den verdickten, mehrlagigen Bereich können weitere Anschlüsse, beispielsweise für eine Monitor-Diode bereitgestellt werden.
  • Weiter kann der verdickte Bereich gleichzeitig die vorstehend beschriebene Versteifung ausbilden.
  • Figurenliste
  • Der Gegenstand der Erfindung soll im Folgenden bezugnehmend auf Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen 1 bis 18 näher erläutert werden.
    • 1 bis 4 sind perspektivische Darstellungen eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses (ohne Kappe).
    • 5 ist eine perspektivische Ansicht auf die Innenseite des Gehäuses ohne Submount.
    • 6 ist eine Detailansicht, welche teilweise aufgeschnitten ist und in welcher Details der Leiterplatte dargestellt sind.
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht der Unterseite des Sockels.
    • 8 ist eine Detailansicht eines Schnitts durch eine Durchführung des Sockels.
    • Die Graphen gemäß 9 und 10 zeigen die Reflexionsdämpfung und Einfügedämpfung des in 1 bis 8 dargestellten Gehäuses im Vergleich mit einem aus dem Stand der Technik bekannten TO-Gehäuse.
    • 11 ist eine Schnittansicht einer Durchführung, die auf einer Seite randseitig einen vergrößerten Durchmesser aufweist.
    • 12 ist eine Schnittansicht einer Durchführung, bei welcher auf einer Seite der Signalpin eine Verdickung aufweist.
    • 13 ist eine Detaildarstellung des Signalpins.
    • Die Graphen gemäß 14 zeigen die Reflexionsdämpfung eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses bei Verwendung verschiedener Glassorten.
    • Die Graphen gemäß 15 zeigen die Reflexionsdämpfung eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses, bei welchem die Durchführung teils mit Glas, teils mit einem Kunststoff gefüllt ist bei Verwendung verschiedener Glas- und Kunststoffsorten.
    • 16 ist eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels eines Sockels im Bereich der Durchführung des Signalpins und des Submounts für das optoelektronische Bauelement.
    • 17 ist eine perspektivische Ansicht eines TO-Gehäuse mit Kappe.
    • 18 zeigt das mit einem optoelektronischen Bauelement bestückte TO-Gehäuse.
  • Detaillierte Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses 1.
  • Das TO-Gehäuse 1 umfasst einen Sockel 2. Der Sockel 2 hat in diesem Ausführungsbespiel einen kreisförmigen Querschnitt. Vorzugsweise besteht der Sockel 2 aus Metall, insbesondere aus einem Metall, welches mit einer Beschichtung, beispielsweise aus Gold, versehen ist.
  • Der Sockel 2 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel die beiden Signalpins 7a, 7b, welche über die Durchführungen 9 durch den Sockel 2 geführt sind.
  • Der Sockel 2 umfasst eine Oberseite 21, welche nach Anbringen einer Kappe eine Innenwand des dann hermetisch verschlossenen TO-Gehäuses 1 bildet.
  • Die Signalpins 7a, 7b sind mittels eines Lots 8 mit den Leiterbahnen 6a, 6b verbunden.
  • Über die Leiterbahnen 6a, 6b wird ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere eine Laserdiode (nicht dargestellt) kontaktiert. Dieses Ausführungsbeispiel der Erfindung ist also für eine Laserdiode mit zwei Signalleiterpfaden vorgesehen.
  • Die Leiterbahnen 6a, 6b befinden sich auf einem Submount 5, welcher seinerseits auf ein Podest 4 aufgebracht ist, welches aus der Oberseite 21 des Sockels 2 hervorragt.
  • Vorzugsweise ist das Podest 4 einstückig mit dem Sockel ausgebildet. Sockel 2 und Podest 4 können insbesondere als einstückiges Stanzteil ausgebildet sein.
  • In diesem Ausführungsbeispiel hat das Podest 4 einen kreissegmentförmigen Querschnitt. Es ist aber ebenso denkbar, das Podest 4 anders auszugestalten, beispielsweise mit einem rechteckigen Querschnitt.
  • Der Submount 5 ist koaxial mit den Signalpins 7a, 7b ausgerichtet, so dass die Unterseite der Laserdiode im bestückten Zustand senkrecht zur Oberseite 21 des Sockels 2 ausgerichtet ist.
  • Der Submount 5 besteht vorzugsweise aus einer Keramik. Beispielsweise kann eine Aluminiumoxidkeramik verwendet werden. Vorzugsweise besteht der Submount 5 aus einer Aluminiumnitritkeramik. Diese hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit.
  • Neben den Signalpins 7a, 7b umfasst das TO-Gehäuse 1 in diesem Ausführungsbeispiel zumindest einen weiteren Pin 10. Dieser kann beispielsweise dem Anschluss einer Monitordiode dienen. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele der Erfindung auch noch weitere Pins, beispielsweise zur Ansteuerung eines thermoelektrischen Kühlers (nicht dargestellt), umfassen können.
  • 2 ist eine weitere perspektivische Ansicht des TO-Gehäuses 1.
  • Zu erkennen ist insbesondere, dass die Signalpins 7a, 7b sowie der Pin 10 senkrecht aus der Oberseite des Sockels 2 herausragen.
  • Gleiches gilt für den Podest 4 mit dem Submount 5.
  • Die Signalpins 7a, 7b gehen koaxial in die Leiterbahnen 6a, 6b über. Die Leiterbahnen 6a und 6b auf dem Submount 5 laufen aufeinander zu, so dass ein optoelektronisches Bauelement unmittelbar auf eine Leiterbahn 6a aufgesetzt werden kann und mittels eines Bonddrahts mit der anderen Leiterbahn 6b kontaktiert werden kann.
  • 3 ist eine weitere perspektivische Ansicht des TO-Gehäuses 1, in welcher die Unterseite 14 des TO-Gehäuses dargestellt ist.
  • Zu erkennen sind die aus der Unterseite 14 herausragenden Signalpins 7a, 7b.
  • Die Signalpins 7a, 7b sind mit einer Leiterplatte 12 verbunden.
  • Die Leiterplatte 12 ist in dieser Ansicht nur teilweise dargestellt. Die Leiterplatte 12 kann beispielsweise als flexible Leiterplatte ausgestaltet sein und abgewinkelt mit einem elektronischen Modul verbunden sein (nicht dargestellt).
  • Die Leiterplatte 12 ist auf ihrer Unterseite mit einer Versteifung 11 versehen. Die Versteifung 11 besteht vorzugsweise aus dielektrischem Material, beispielsweise aus einem Kunststoff oder aus einer Keramik.
  • Durch die Versteifung 11 wird erreicht, dass beispielsweise auch eine flexible Leiterplatte 12 angrenzend an die Unterseite 14 des Sockels 2 steif und stabil ausgebildet ist.
  • Um eine stabile mechanische Verbindung sowie um eine Erdverbindung zwischen Sockel 2 und Leiterplatte 12 bereitzustellen, ist ein Metallblock 13 vorgesehen, welcher zum einen mit der Leiterplatte 12 und zum anderen mit der Unterseite 14 des Sockels 2 verbunden, insbesondere verlötet ist.
  • Der Metallblock 13 bildet einen Winkel, der eine koaxiale Anordnung der Leiterplatte 12 zu den Signalpins 7a, 7b ermöglicht.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist der Metallblock 13 als Brücke ausgebildet, die die Signalpins 7a, 7b jeweils in einem Bogen 15a, 15b überspannt.
  • Die Signalpins 7a, 7b ragen vorzugsweise nicht über den Metallblock 13 hinaus.
  • Der Metallblock 13 kann im Bereich der Bögen 15a, 15b bis in den Bereich der Durchführung (9 in 1 und 8) hineinragen.
  • Durch den Metallblock 13 sind die Signalpins 7a, 7b auch außerhalb der Durchführung geschirmt.
  • Der Metallblock 13 ist vorzugsweise plattenförmig ausgebildet.
  • Durch den Metallblock 13 wird eine Erdverbindung sowohl zwischen den Signalpins 7a, 7b als auch neben den Signalpins 7a, 7b ermöglicht.
  • Vorzugsweise hat der Metallblock 13 eine Dicke d von über 0,1 mm, besonders bevorzugt über 0,5 mm und/oder von unter 5 mm, besonders bevorzugt von unter 2 mm.
  • Der Metallblock 13 kann sich in der Breite über einen großen Teil des Durchmessers des Sockels 2 erstrecken, insbesondere über zumindest 20 %, vorzugsweise zumindest 50 % des Durchmessers des Sockels 2.
  • Die Höhe h des Metallblocks 13 entspricht vorzugsweise mindestens dem 1,5fachen Durchmesser der Durchführung.
  • Neben einer stabilen mechanischen Verbindung der Leiterplatte 12 hat der Metallblock 13 gleichzeitig den Vorteil, dass das Anbringen der Signalpins 7a, 7b an die Leiterplatte 12 vom Bereitstellen der Erdverbindung entkoppelt ist.
  • So können beispielsweise zunächst die Signalpins 7a, 7b mit der Leiterplatte 12 verlötet werden.
  • Da zu diesem Zeitpunkt ansonsten noch keine mechanische Verbindung zur Leiterplatte 12 vorhanden ist, können so Form- und Lagetoleranzen gut ausgeglichen werden.
  • Im nächsten Schritt kann der Metallblock 13 mit dem Sockel 2 und/oder der Leiterplatte 12 verbunden werden, um eine Erdverbindung herzustellen.
  • Weiter ist zu erkennen, dass auf der den Signalpins 7a, 7b gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte 12 ein weiterer Pin 10 vorhanden ist. Der weitere Pin 10 sitzt ebenfalls in einer Durchführung und dient in diesem Ausführungsbeispiel dem Anschluss einer Monitordiode.
  • Der weitere Pin 10 ist an der gleichzeitig als Leiterplatte dienenden Versteifung 11 angeschlossen.
  • 4 ist eine weitere perspektivische Ansicht der Unterseite 14 des TO-Gehäuses.
  • Zu erkennen ist, dass die Signalpins 7a, 7b in einem Isolationsmaterial aus Glas 18a, 18b eingebettet sind.
  • Durch die so gebildeten Durchführungen ragen die Signalpins 7a, 7b aus der Unterseite 14 heraus.
  • Die Signalpins 7a, 7b sind koaxial mit Signalleiterbahnen 17a, 17b der Leiterplatte 12 verbunden.
  • Zwischen den Signalleiterbahnen 17a, 17b befindet sich auf der Leiterplatte 12 die Erdleiterbahn 16b. Die Erdleiterbahnen 16a und 16c grenzen beidseitig an die Signalleiterbahnen 17a, 17b an. So sind die Signalleiterbahnen 17a, 17b von beiden Seiten geschirmt.
  • 5 ist eine Darstellung der Innenseite des TO-Gehäuses, wobei der Podest und der Submount ausgeblendet sind.
  • In dieser Ansicht ist zu erkennen, dass innenseitig die in dem Isolationsmaterial aus Glas 18a, 18b eingebetteten Signalpins 7a, 7b jeweils eine Verdickung 19a, 19b aufweisen. Im Bereich dieser kragenförmigen Verdickungen 19a, 19b ist ein Bereich ohne Isolationsmaterial aus Glas ausgebildet. Der hierdurch bedingte Impedanzsprung wird durch die Verdickungen 19a, 19b zumindest teilweise kompensiert.
  • 6 ist eine aufgeschnittene perspektivische Ansicht, in welcher zu erkennen ist, dass die Leiterplatte 12 als mehrlagige Leiterplatte ausgebildet ist.
  • Auf der Oberseite umfasst die Leiterplatte 12 die in 4 dargestellten Signalleiterbahnen 17a, 17b sowie die Erdleiterbahnen 16a bis 16c.
  • Die Erdleiterbahnen 16a bis 16c sind über Durchkontaktierungen 20 mit einer darunterliegenden Erdleiterbahn 16d verbunden, welche sich auch unterhalb der in 4 dargestellten Signalleiterbahnen 17a, 17b erstreckt und diese so schirmt.
  • Die so ausgestaltete Multilagenleiterplatte sitzt auf der Versteifung 11 und die Erdleiterbahnen 16a bis 16c sind mit dem Metallblock 13 verlötet.
  • Die Versteifung 11 ist also gleichzeitig als verdickter Bereich ausgebildet, welcher eine mehrlagige Leiterplatte bildet, durch welche eine Durchkontaktierung von der Unterseite bis zur Leiterplatte 12 bereitgestellt wird.
  • Die durch den verdickten Bereich bzw. die Versteifung 11 gebildete mehrlagige Leiterplatte ist als starre Leiterplatte ausgebildet, wohingegen die Leiterplatte 12 als vorzugsweise einlagige flexible Leiterplatte ausgebildet ist.
  • An der Unterseite der Versteifung 11 kann so der weitere Pin (10 in 3) zum Anschluss beispielsweise einer Monitor-Diode angeschlossen werden.
  • 7 ist eine weitere perspektivische Ansicht der Unterseite des TO-Gehäuses.
  • In dieser Ansicht ist der Metallblock ausgeblendet. Gut zu erkennen ist, dass die aus der Unterseite 14 herausragenden Signalpins 7a, 7b mittels eines Lots mit den Signalleiterbahnen 17a, 17b der Leiterplatte 12 verbunden sind.
  • 8 ist eine Detailansicht eines Schnitts im Bereich einer Durchführung 9.
  • Ein Signalpin 7 ist in einem Isolationsmaterial 18 aus Glas in der Durchführung 9 angeordnet.
  • Hierzu umfasst der Sockel 2 ein Durchgangsloch 23.
  • Die Durchführung 9 bzw. das Durchgangsloch 23 ist aber nur teilweise mit dem Isolationsmaterial 18 aus Glas und/oder Glaskeramik ausgefüllt, so dass sowohl angrenzend an die Unterseite 14 als auch angrenzend an die Oberseite 21 ein von dem Isolationsmaterial 18 Bereich 22 vorhanden ist, welcher den Signalpin 7 umgibt und welcher nicht mit dem Isolationsmaterial aus Glas und/oder Glaskeramik aufgefüllt ist.
  • Innenseitig ist in diesem nicht aufgefüllten Bereich 22 ein Hohlraum 25 vorhanden. Im Bereich des Hohlraums 25 ist eine Verdickung 19 des Signalpins 7 vorhanden.
  • Durch die Verdickung 19 des Signalpins 7 wird der Impedanzsprung aufgrund der geänderten Permittivität reduziert.
  • Auf der Außenseite ist der nicht aufgefüllte Bereich 22 mit einer Vergussmasse 24 aus Kunststoff ausgefüllt.
  • Vorzugsweise ist die Permittivität der Vergussmasse 24 aus Kunststoff der Permittivität des verwendeten Isolationsmaterials 18 aus Glas angepasst.
  • Insbesondere hat der Kunststoff eine Permittivität εr von 4,0 +/- 2,5, besonders bevorzugt +/- 1,5.
  • Als Isolationsmaterial aus Glas bzw. Glaskeramik 18 wird vorzugsweise ein Glas und/oder Glaskeramik mit einer Permittivität εr (bei 18°C und 50 Hz) von unter 5,0, vorzugsweise von unter 4,0, verwendet.
  • Es kann insbesondere ein poröses Glas verwendet werden, insbesondere ein Glas mit einer geschlossenen Porosität von über 30%, und/oder eine Glaskeramik mit diesen Eigenschaften.
  • Der Durchmesser des Signalpins beträgt (außerhalb des Bereiches der Verdickung 19) vorzugsweise 0,1 bis 0,5, besonders bevorzugt 0,2 bis 0,3 mm.
  • Die Durchführung 9 ist vorzugsweise zu 50 bis 90%, besonders bevorzugt zu 60 bis 80%, ihres Volumens mit dem Isolationsmaterial 18 aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik gefüllt.
  • Die Verdickung 19 hat vorzugsweise mindestens den 1,2fachen Durchmesser des angrenzenden Signalpins 7, insbesondere den 1,5 bis 2,5fachen Durchmesser.
  • Die Verdickung 19 ist in dieser Ausführungsform 0,02 bis 0,2 mm, vorzugsweise 0,05 bis 0,1 mm lang.
  • Die Länge der Durchführung 9 kann insbesondere 0,5 bis 2 mm, vorzugsweise 0,8 bis 1,5 mm, betragen.
  • In 9 ist die Reflexionsdämpfung eines aus dem Stand der Technik bekannten TO-Gehäuses (dünne Kurve) mit der Reflexionsdämpfung eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses (dicke Kurve) verglichen. Zu erkennen ist insbesondere, dass eine Reflexionsdämpfung von etwa -10 dB von einer Frequenz von etwa 30 GHz auf etwa 50 GHz verschoben wurde. Die Reflexionsdämpfung ist also signifikant verbessert.
  • Gleiches gilt für die Einfügedämpfung, welche in 10 gegenübergetragen ist. Eine Einfügedämpfung von 2 dB wird bei knapp 60 GHz statt bei etwas über 30 GHz erreicht.
  • So kann durch die Erfindung eine etwa 25 GHz höhere Bandbreite bereitgestellt werden.
  • Bezugnehmend auf 11 bis 13 sollen weitere Maßnahmen zur Anpassung des Impedanzverlaufs der Durchführung näher erläutert werden.
  • 11 ist eine schematische Schnittansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Durchführung 9, welche in den Sockel 12 eingebracht ist.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist ebenfalls ein Signalpin 7 in einem Isolationsmaterial 18 aus Glas und/oder Glaskeramik eingebettet. Auf zumindest einer Seite umfasst die Durchführung 9 einen Bereich 26 mit vergrößertem Durchmesser.
  • Der Bereich 26 mit vergrößertem Durchmesser ist teilweise mit dem Isolationsmaterial 18 aus Glas und/oder beinhaltend Glaskeramik aufgefüllt.
  • Durch den Bereich 26 mit vergrößertem Durchmesser wird ein Reservoir bereitgestellt, in dem Volumenschwankungen des Isolationsmaterials 18 aus Glas aufgenommen werden können.
  • Durch den vergrößerten Durchmesser des Bereichs 26 ändert sich dabei aber die Füllhöhe nur wenig.
  • Das in dem Bereich 26 vorhandene Isolationsmaterial 18 bildet eine fehlangepasste Scheibe, die wiederum den Impedanzsprung aufgrund des darüber vorhandenen Hohlraums reduziert.
  • Der Bereich mit vergrößertem Durchmesser hat vorzugsweise mindestens den 1,2fachen Durchmesser der angrenzenden Durchführung 9 sowie eine Länge von 0,05 bis 0,5 mm, vorzugsweise von 0,1 bis 0,3 mm.
  • 12 zeigt, wie eine Impedanzanpassung auch vorgenommen werden kann, indem in dem mit Isolationsmaterial 18 nicht aufgefüllten Bereich 22 der Signalpin 7 eine Verdickung 19 aufweist.
  • 13 ist eine Detaildarstellung des Signalpins 7.
  • Der Signalpin 7 weist im nicht verdickten Bereich einen Durchmesser di auf, welcher vorzugsweise zwischen 0,1 und 0,5 mm, besonders bevorzugt zwischen 0,2 und 0,3 mm liegt.
  • Die Verdickung 19 ist in diesem Ausführungsbeispiel stufig, also als kreiszylindrischer ausgebildet.
  • Die Verdickung 19 kann aber auch eine andere Form haben, insbesondere vorne und/oder hinten eine Fase aufweisen. So geht die Verdickung 19 nicht sprunghaft, sondern graduell in den größten Durchmesser da über. Dies bedingt einen sich graduell ändernden Impedanzverlauf.
  • Die Verdickung 19 hat einen Durchmesser da , welcher bevorzugt mindestens dem 1,2fachen Durchmesser di entspricht, besonders bevorzugt das 1,5 bis 2,5fache des Durchmessers di beträgt.
  • Die Verdickung 19 hat vorzugsweise eine Länge lv von 0,02 bis 0,2 mm, besonders bevorzugt von 0,05 bis 0,1 mm.
  • Die Länge des sich daran anschließenden Überstandes lü beträgt vorzugsweise 0,2 bis 0,5 mm.
  • Der Graph gemäß 14 zeigt die Reflexionsdämpfung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei welchem eine Durchführung mit jeweils einem Isolationsmaterial aus Glas mit einer unterschiedlichen Permittivität aufgefüllt wurde.
  • Zu erkennen ist, dass sich die Reflexionsdämpfung verbessert, je geringer die Permittivität des Isolationsmaterials aus Glas ist.
  • 15 zeigt die Reflexionsdämpfung eines erfindungsgemäßen TO-Gehäuses bei Verwendung verschiedener Gläser als Isolationsmaterial sowie verschiedener Füllungen für den von Glas ausgesparten Bereich der Durchführung.
  • Zu erkennen ist, dass die Reflexionsdämpfung ohne Füllung (εr Füllung = 1 und εr Glas = 6,5) am schlechtesten ist.
  • Eine optimale Reflexionsdämpfung kann durch Verwendung eines Glases mit niedriger Permittivität und gleichzeitig Verwendung einer Füllung erreicht werden, deren Permittivität an die Permittivität des Glases angepasst ist.
  • Bezugnehmend auf 16 soll anhand einer schematischen Schnittansicht erläutert werden, wie ein Signalpin zur Impedanzanpassung und/oder zur Verwendung eines dünneren Submounts 5 exzentrisch in die Durchführung 9 eingebracht werden kann.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist ein in ein Isolationsmaterial 18 aus Glas oder Glaskeramik eingebetteter Signalpin 7 vorgesehen, welcher mittels eines Lots 8 mit dem auf dem Podest 4 sitzenden Submount 5 verbunden ist.
  • Die Durchführung 9 ist nur teilweise mit dem Isolationsmaterial 18 aus Glas aufgefüllt.
  • Angrenzend zum Isolationsmaterial aus Glas 18 ist ein ausgesparter Bereich mit einer Vergussmasse 24 aus Kunststoff befüllt.
  • Zu erkennen ist, dass der Signalpin 7 exzentrisch in der Durchführung 9 sitzt und so in Richtung des Submounts 5 verschoben ist.
  • Der Submount 5 hat vorzugsweise eine Dicke von 0,05 bis 2 mm, besonders bevorzugt von 0,1 bis 0,2 mm. Der Submount besteht vorzugsweise aus einer Keramik, insbesondere aus Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrit.
  • Gegenüber der Mittelachse der Durchführung 9 ist die Mittelachse des Signalpins vorzugsweise um 0,01 bis 0,15 mm, besonders bevorzugt 0,02 bis 0,08 mm, verschoben.
  • Der Submount 5 ragt bis in den Bereich der Durchführung 9 hinein, ist aber vom Signalpin 7 beabstandet, um das Einfließen von Lot 8 zu ermöglichen.
  • Der Abstand des Signalpins 7 vom Submount 5 beträgt vorzugsweise zwischen 0,05 und 0,3 mm, besonders bevorzugt zwischen 0,1 und 0,2 mm.
  • 17 zeigt in einer perspektivischen Ansicht ein Set zur Ausbildung eines TO-Gehäuses 1.
  • Das TO-Gehäuse 1 besteht aus dem Sockel 2 sowie der Kappe 3, welche mit einem Fenster 27 versehen ist.
  • Das Fenster 27 ist insbesondere als Linse ausgebildet.
  • Der Sockel 2 kann mit einem optoelektronischen Modul, beispielsweise einer Laserdiode sowie einer Monitordiode bestückt werden. Danach wird die Kappe 3 auf den Sockel aufgebrauch, z.B. verlötet oder verschweißt.
  • Der Metallblock 13 sowie die mit der Versteifung 11 versehene Leiterplatte 12 können auch nach dem Auflöten der Kappe 3 angebracht werden.
  • Wie eingangs beschrieben, ist dabei von Vorteil, dass das Verbinden der Signalpins vom Bereitstellen einer Erdverbindung entkoppelt ist.
  • 18 zeigt in einer schematischen Ansicht, wie nunmehr das TO-Gehäuse mit einer Laserdiode 28 bestückt ist.
  • Auf dem Submount 5 ist ein Montagebereich 30 ausgebildet.
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist die Laserdiode 28 auf die auf dem Submount 5 vorhandene Leiterbahn 6a aufgesetzt und so mit dem Signalpin 7a verbunden.
  • Um mit dem Signalpin 7b kontaktiert zu werden, ist ein Bonddraht 29 vorhanden, welcher die Laderdiode 28 mit der Leiterbahn 6b verbindet.
  • Da die Leiterbahnen 6a und 6b sich unmittelbar gegenüberliegen, kann die Länge des Bonddrahts 29 kurz gehalten werden, insbesondere unter 0,5 mm liegen.
  • Durch die Erfindung konnte auf einfache Weise ein TO-Gehäuse bereitgestellt werden, welches signifikant höhere Datenübertragungsraten ermöglicht.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    TO-Gehäuse
    2
    Sockel
    3
    Kappe
    4
    Podest
    5
    Submount
    6a, 6b
    Leiterbahnensubmount
    7, 7a, 7b
    Signalpin
    8
    Lot
    9
    Durchführung
    10
    Pin
    11
    Versteifung/verdickter Bereich
    12
    Leiterplatte
    13
    Metallblock
    14
    Unterseite
    15a, 15b
    Bogen
    16a - 16d
    Erdleiterbahnen
    17a, 17b
    Signalleiterbahn
    18, 18a, 18b
    Isolationsmaterial aus Glas
    19, 19a, 19b
    Verdickung des Signalpins
    20
    Durchkontaktierung
    21
    Oberseite des Sockels
    22
    nicht mit Füllmaterial aufgefüllter Bereich der Durchführung
    23
    Durchgangsloch des Sockels
    24
    Vergussmasse aus Kunststoff
    25
    Hohlraum
    26
    Bereich mit vergrößertem Durchmesser
    27
    Fenster
    28
    Laserdiode
    29
    Bond-Draht
    30
    Montagebereich

Claims (17)

  1. TO-Gehäuse, umfassend einen Sockel mit einem Montagebereich für ein optoelektronisches Bauelement, wobei der Sockel zumindest einen in einer Durchführung angeordneten Signalpin zum Anschluss des optoelektronischen Bauelements umfasst, wobei die Durchführung mit einem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik gefüllt ist, und wobei auf zumindest einer Seite die Durchführung nicht vollständig mit dem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik aufgefüllt ist.
  2. TO-Gehäuse nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchführung zu 30 bis 95 %, vorzugsweise zu 50 bis 90 %, und besonders bevorzugt zu 60 bis 80 % ihres Volumens mit dem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik gefüllt ist.
  3. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich, in welchem das Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik nicht vorhanden ist, mit einem Kunststoff, insbesondere mit einem Epoxidharz, aufgefüllt ist.
  4. TO-Gehäuse nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Kunststoff eine Permittivität εr (bei 18 °C und 50 Hz) hat, die der Permittivität des Isolationsmaterials beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik +/- 1,0 entspricht.
  5. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Kunststoff eine Permittivität εr (bei 18 °C und 50 Hz) von 4,0 +/-2,5, vorzugsweise +/- 1,5 aufweist.
  6. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchführung mit einem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik mit einer Permittivität εr (bei 18 °C und 50 Hz) von unter 5,0, vorzugsweise von unter 4,0, gefüllt ist.
  7. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Isolationsmaterial aus Glas aus einem porösem Glas und/oder einer porösen Glaskeramik besteht oder dieses umfasst.
  8. TO-Gehäuse nach dem vorstehenden Anspruch dadurch gekennzeichnet, dass in dem Bereich, in welchem die Durchführung nicht mit dem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik befüllt ist, der Signalpin eine Verdickung aufweist.
  9. TO-Gehäuse nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdickung den 1,2 bis 3,0fachen, vorzugsweise den 1,5 bis 2,5fachen Durchmesser des in dem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik angrenzenden Signalpins aufweist.
  10. TO-Gehäuse nach einem der beiden vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdickung eine Länge lv von 0,02 bis 0,2 mm, vorzugsweise von 0,05 bis 0,1 mm, aufweist
  11. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchführung auf zumindest einer Seite einen Bereich mit vergrößertem Durchmesser aufweist.
  12. TO-Gehäuse nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich mit vergrößertem Durchmesser teilweise mit dem Isolationsmaterial beinhaltend Glas und/oder Glaskeramik gefüllt ist.
  13. TO-Gehäuse nach einem der beiden vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich mit vergrößertem Durchmesser mindestens den 1,2fachen Durchmesser der angrenzenden Durchführung und/oder eine Länge von 0,05 bis 0,5 mm, vorzugsweise von 0,1 bis 0,3 mm hat.
  14. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leiterplatte im Wesentlichen koaxial an dem Signalpin angebracht ist, wobei vorzugsweise die Leiterplatte mittels zumindest eines an die Durchführung angrenzenden Metallblocks mit dem Sockel mechanisch und elektrisch zur Bereitstellung einer Erdung verbunden ist.
  15. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte als flexible Leiterplatte ausgebildet ist und/oder dass die Leiterplatte unterhalb des Metallblocks mit einer Versteifung versehen ist und/oder das TO-Gehäuse zumindest zwei, insbesondere genau zwei, jeweils in einer Durchführung angeordnete Signalpins umfasst.
  16. TO-Gehäuse nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte angrenzend zur Unterseite des TO-Gehäuses verdickt ausgebildet ist, insbesondere, dass die Leiterplatte einen verdickten mehrlagigen Bereich aufweist.
  17. Einrichtung zur Datenübertragung mit einer Datenübertragungsrate von zumindest 100 GBit/s pro Wellenlänge, beinhaltend zumindest ein TO-Gehäuse nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16.
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