DE102017223445A1

DE102017223445A1 - Process and lithography plant

Info

Publication number: DE102017223445A1
Application number: DE102017223445.8A
Authority: DE
Inventors: Alexander Wolf; Toralf Gruner; Markus Schwab; Joachim Hartjes
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-12-20
Filing date: 2017-12-20
Publication date: 2019-01-24

Abstract

Verfahren zum Ausrichten eines ersten Moduls (200) einer Lithographieanlage (100A, 100B) relativ zu einem zweiten Modul (216) der Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Einbringen (S1) eines fluoreszenzfähigen Gases (252) in das erste Modul (200), b) Anregen (S2) des fluoreszenzfähigen Gases (252), um eine Fluoreszenz (256) zu erzeugen, c) Erfassen (S3) einer Intensität der Fluoreszenz (256) in einer Blendenebene (E), die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul (200) und dem zweiten Modul (216) bildet, und d) Verändern (S4) einer Lage des ersten Moduls (200) relativ zu dem zweiten Modul (216) bis in der Blendenebene (E) ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz (256) erreicht wird.A method for aligning a first module (200) of a lithography system (100A, 100B) relative to a second module (216) of the lithography system (100A, 100B), comprising the steps of: a) introducing (S1) a fluoresceable gas (252) into the first module (200), b) exciting (S2) the fluoresceable gas (252) to produce fluorescence (256), c) detecting (S3) an intensity of the fluorescence (256) in an orifice plane (E) comprising a Forming interface between the first module (200) and the second module (216), and d) changing (S4) a position of the first module (200) relative to the second module (216) to a maximum in the diaphragm plane (E) Intensity of fluorescence (256) is achieved.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten eines ersten Moduls einer Lithographieanlage relativ zu einem zweiten Modul der Lithographieanlage und eine Lithographieanlage mit einem ersten Modul und einem zweiten Modul.The present invention relates to a method for aligning a first module of a lithography system relative to a second module of the lithography system and to a lithography system having a first module and a second module.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits. The microlithography process is performed with a lithography system having an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated in the image plane of the projection system substrate, for example a silicon wafer, by the projection system to the mask structure on the photosensitive coating of the substrate transferred to.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt, Linsen, eingesetzt werden.Driven by the quest for ever smaller structures in the manufacture of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed which use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm. In such EUV lithography equipment, because of the high absorption of most materials of light of that wavelength, reflective optics, that is, mirrors, must be substituted for refractive optics, that is, lenses, as heretofore.

Lithographieanlagen können modular aus Modulen aufgebaut sein. Beispiele für derartige Module sind das zuvor erwähnte Beleuchtungssystem sowie das Projektionssystem, die wiederum in einzelne Module unterteilt sein können. Ein Lichtquellenmodul, beispielsweise eine EUV-Lichtquelle, kann ein weiteres Modul der Lithographieanlage bilden. Beispielsweise können die Module der Lithographieanlage zu einem Einsatzort der Lithographieanlage gebracht werden und erst am Einsatzort zusammengesetzt beziehungsweise miteinander verbunden werden. Das Zusammensetzen derartiger Module hat hohe Genauigkeitsanforderungen.Lithography systems can be constructed modularly from modules. Examples of such modules are the aforementioned illumination system and the projection system, which in turn may be divided into individual modules. A light source module, for example an EUV light source, may form another module of the lithography system. For example, the modules of the lithographic system can be brought to a place of use of the lithography system and assembled or connected to one another at the place of use. The assembly of such modules has high accuracy requirements.

Ein wie zuvor erwähntes Lichtquellenmodul umfasst zumeist ein optisches Element in Form eines Ellipsoidspiegels und eine Lichtquelle, insbesondere eine Laserquelle, die dazu eingerichtet ist, einen in einem ersten Fokus des Ellipsoidspiegels angeordneten Zinnkörper mit einem Laserpuls zu beschießen und diesen dadurch stark zu erhitzen. Dieses Beschießen des Zinnkörpers erfolgt unter Vakuum. Ein dadurch entstehendes Zinnplasma strahlt EUV-Strahlung in unterschiedliche Richtungen, beispielsweise kugelförmig, ab. Die EUV-Strahlung wird von dem Ellipsoidspiegel eingesammelt und in Richtung des Beleuchtungssystems gesandt. Dabei wird die EUV-Strahlung in einem zweiten Fokus des Ellipsoidspiegels gebündelt.A light source module as mentioned above usually comprises an optical element in the form of an ellipsoidal mirror and a light source, in particular a laser source, which is set up to bombard a tin body arranged in a first focus of the ellipsoidal mirror with a laser pulse and thereby strongly heat it. This bombardment of the tin body takes place under vacuum. A resulting tin plasma radiates EUV radiation in different directions, such as spherical, from. The EUV radiation is collected by the ellipsoidal mirror and sent towards the illumination system. The EUV radiation is concentrated in a second focus of the ellipsoidal mirror.

Beim Aufbau der Lithographieanlage ist es erforderlich, das Lichtquellenmodul und das Beleuchtungssystem hochgenau zueinander auszurichten, um die von dem Lichtquellenmodul erzeugte EUV-Strahlung in möglichst hohem Umfang zu nutzen und um Uniformitätsanforderungen und Telezentrieanforderungen sowie Anforderungen an weitere Eintrittspupillencharakteristika, beispielsweise Polbalance, gerecht zu werden. Die erforderliche Genauigkeit der Ausrichtung des Lichtquellenmoduls und des Beleuchtungssystems zueinander liegt in der Größenordnung von 10 µm bis 25 µm.In constructing the lithography system, it is necessary to precisely align the light source module and the illumination system to maximize the use of EUV radiation generated by the light source module and to meet uniformity requirements and telecentricity requirements, as well as requirements for further entrance pupil characteristics, such as polar balance. The required accuracy of the alignment of the light source module and the illumination system to each other is of the order of 10 .mu.m to 25 .mu.m.

Die Ausrichtung der Module, die auch als Optik-Module bezeichnet werden können, hat dabei so zu erfolgen, dass im Betrieb des Lichtquellenmoduls der erste Fokus des Ellipsoidspiegels in der Position des Zinnplasmas und der zweite Fokus in einer eine Schnittstelle zwischen dem Lichtquellenmodul und dem Beleuchtungssystem bildenden Blendenebene angeordnet ist. Die Ausrichtung hat ferner bevorzugt ohne Mitwirkung des Lichtquellenmoduls, das heißt, ohne die EUV-Strahlung, zu erfolgen, da der Regelbetrieb des Lichtquellenmoduls ein Vakuum erfordert, um das Zinnplasma zu zünden. Die gegeneinander auszurichtenden Optik-Module innerhalb der zueinander zu justierenden Systeme sind schwer, beispielsweise mindestens 100 kg bis 500 kg. Das Lichtquellenmodul, das auch als EUV-Lichtquellensystem oder Kollektormodul bezeichnet werden kann, welches zu dem Beleuchtungssystem justiert oder ausgerichtet werden muss, und das Beleuchtungssystem selbst, können insbesondere jeweils eine Masse von 1000 kg bis 7000 kg aufweisen. Deshalb gibt es nur begrenzte Optionen von Manipulatoren oder Stellelementen zum Ausrichten dieser Module.The orientation of the modules, which can also be referred to as optical modules, has to be such that, during operation of the light source module, the first focus of the ellipsoidal mirror in the position of the tin plasma and the second focus in an interface between the light source module and the illumination system forming diaphragm plane is arranged. The alignment is further preferred to be done without the cooperation of the light source module, that is, without the EUV radiation, since the regular operation of the light source module requires a vacuum to ignite the tin plasma. The mutually aligning optical modules within the systems to be adjusted to each other are difficult, for example, at least 100 kg to 500 kg. The light source module, which may also be referred to as EUV light source system or collector module, which must be adjusted or aligned to the illumination system, and the lighting system itself, in particular, each having a mass of 1000 kg to 7000 kg. Therefore, there are only limited options of manipulators or actuators to align these modules.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zum Ausrichten eines ersten Moduls einer Lithographieanlage relativ zu einem zweiten Modul der Lithographieanlage bereitzustellen.Against this background, an object of the present invention is to provide an improved method for aligning a first module of a lithography system relative to a second module of the lithography system.

Demgemäß wird ein Verfahren zum Ausrichten eines ersten Moduls einer Lithographieanlage relativ zu einem zweiten Modul der Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte: a) Einbringen eines fluoreszenzfähigen Gases in das erste Modul, b) Anregen des fluoreszenzfähigen Gases, um eine Fluoreszenz zu erzeugen, c) Erfassen einer Intensität der Fluoreszenz in einer Blendenebene, die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul und dem zweiten Modul bildet, und d) Verändern einer Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul bis in der Blendenebene ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz erreicht wird.Accordingly, a method for aligning a first module of a lithography system relative to a second module of the lithography system is proposed. The method comprises the steps of: a) introducing a fluoresceable gas into the first module, b) exciting the fluoresceable gas to produce fluorescence, c) detecting an intensity of fluorescence in an orifice plane which interfaces the first module and the first second module forms, and d) changing a position of the first module relative to the second Modulus until in the diaphragm plane a maximum of the intensity of the fluorescence is achieved.

Dadurch, dass mit Hilfe des Erfassens der Intensität der Fluoreszenz und des Veränderns der Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul die Intensität so lange verändert werden kann bis diese ein Maximum aufweist, ist eine hochgenaue Ausrichtung des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul möglich. Auf ein Vakuum kann verzichtet werden. Das heißt, das Ausrichten des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul kann ohne die EUV-Strahlung erfolgen. Das heißt, das erste Modul ist bei dem Ausrichten der Module außer Betrieb. Das Verfahren kann vor der ersten Inbetriebnahme der Lithographieanlage und auch nach der Inbetriebnahme, beispielsweise zum Nachjustieren des ersten Moduls, durchgeführt werden. Die mit Hilfe des Verfahrens erreichbare Genauigkeit der Ausrichtung der Module zueinander beträgt insbesondere wenige µm oder Bruchteile von µm, das heißt insbesondere, dass die Genauigkeit der Ausrichtung im sub-µm-Bereich liegen kann.Characterized in that with the aid of detecting the intensity of the fluorescence and changing the position of the first module relative to the second module, the intensity can be changed until it has a maximum, a highly accurate alignment of the first module relative to the second module is possible , A vacuum can be dispensed with. That is, the alignment of the first module relative to the second module may occur without the EUV radiation. That is, the first module is out of order in aligning the modules. The method can be carried out before the first startup of the lithography system and also after the startup, for example for readjustment of the first module. The achievable with the aid of the method accuracy of the alignment of the modules to each other is in particular a few microns or fractions of microns, that is, in particular, that the accuracy of the alignment may be in the sub-micron range.

Das erste Modul und das zweite Modul können Teile einer EUV-Lithographieanlage oder einer DUV-Lithographieanlage sein. Nachfolgend wird jedoch davon ausgegangen, dass das erste Modul und das zweite Modul Teile einer EUV-Lithographieanlage sind. Das erste Modul kann als EUV-Lichtquellensystem, Kollektormodul, Lichtquellenmodul, Quellmodul oder Quellenmodul bezeichnet werden. Das zweite Modul ist bevorzugt ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem. Das Verändern der Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul umfasst dabei ein Verändern der Lage des gesamten ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul und/oder auch ein Verändern einer Lage eines optischen Elements des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul. Das heißt, der Schritt d) kann ein Verändern einer Lage des optischen Elements des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul bis in der Blendenebene ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz erreicht wird, umfassen.The first module and the second module may be parts of an EUV lithography system or a DUV lithography system. However, it is assumed below that the first module and the second module are parts of an EUV lithography system. The first module may be referred to as an EUV light source system, collector module, light source module, source module or source module. The second module is preferably a beamforming and illumination system. Changing the position of the first module relative to the second module in this case comprises changing the position of the entire first module relative to the second module and / or also changing a position of an optical element of the first module relative to the second module. That is, the step d) may comprise changing a position of the optical element of the first module relative to the second module until in the diaphragm plane a maximum of the intensity of the fluorescence is achieved.

Für den zuvor erwähnten Fall, dass in dem Schritt d) nicht die Lage des ersten Moduls als Ganzes relativ zu dem zweiten Modul verändert wird, sondern nur die Lage des optischen Elements des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul, kann das Verfahren in einer bevorzugten Ausführungsform die folgenden Schritte umfassen: a) Einbringen eines fluoreszenzfähigen Gases in das erste Modul, b) Anregen des fluoreszenzfähigen Gases, um eine Fluoreszenz zu erzeugen, c) Erfassen einer Intensität der Fluoreszenz in einer Blendenebene, die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul und dem zweiten Modul bildet, und d) Verändern einer Lage eines optischen Elements des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul bis in der Blendenebene ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz erreicht wird. Das Verfahren kann dann als Verfahren zum Ausrichten eines optischen Elements, insbesondere eines ersten Moduls, einer Lithographieanlage relativ zu einem zweiten Modul der Lithographieanlage bezeichnet werden.In the case mentioned above, that in the step d), not the position of the first module as a whole is changed relative to the second module, but only the position of the optical element of the first module relative to the second module, the method may in a preferred Embodiment comprising the steps of: a) introducing a fluoresceable gas into the first module; b) exciting the fluoresceable gas to produce fluorescence; c) detecting an intensity of fluorescence in an orifice plane that interfaces between the first module and the first module forming a second module, and d) changing a position of an optical element of the first module relative to the second module until a maximum of the intensity of the fluorescence is achieved in the diaphragm plane. The method can then be referred to as a method for aligning an optical element, in particular a first module, of a lithography system relative to a second module of the lithography system.

Das optische Element, das auch als Kollektor bezeichnet werden kann, ist insbesondere innerhalb des ersten Moduls, insbesondere innerhalb eines von einem Gehäuse des ersten Moduls umschlossenen Bauraums, angeordnet. Bevorzugt ist auch dem zweiten Modul ein derartiger Bauraum zugeordnet, der von einem Gehäuse des zweiten Moduls umschlossen sein kann. Unter einem „Gehäuse“ kann vorliegend ein Bauelement mit geschlossenen Wänden, die den jeweiligen Bauraum begrenzen und/oder umschließen, aber auch ein Bauelement ohne derartige Wände, beispielsweise mit einer skelettartigen oder fachwerkartigen Struktur, verstanden werden. In diesem Fall ist der Bauraum durch diese skelettartige oder fachwerkartige Struktur zwar definiert, ohne dass jedoch geschlossene Wände vorgesehen sind. Ferner können für den Fall, dass Wände vorgesehen sind, diese auch Durchbrüche und/oder Öffnungen aufweisen. Das Gehäuse kann somit fluiddicht oder fluiddurchlässig sein.The optical element, which can also be referred to as a collector, is arranged in particular within the first module, in particular within a construction space enclosed by a housing of the first module. Preferably, such a space is assigned to the second module, which may be enclosed by a housing of the second module. In the present case, a "housing" may be understood to mean a component with closed walls which bound and / or enclose the respective installation space, but also a component without such walls, for example with a skeletal or truss-like structure. In this case, the space is defined by this skeletal or truss-like structure, but without closed walls are provided. Furthermore, in the event that walls are provided, they also have openings and / or openings. The housing can thus be fluid-tight or fluid-permeable.

Unter einem „Bauraum“ kann folglich ein durch Wände umschlossenes und/oder begrenztes Volumen zu verstehen sein. Ferner kann unter einem „Bauraum“ jedoch insbesondere auch ein Bereich zu verstehen sein, der zwar durch das skelettartige oder fachwerkartige Gehäuse in seinen Dimensionen definiert ist, der jedoch von diesem offenen Gehäuse nicht vollständig eingeschlossen im Sinne eines fluiddichten Gehäuses ist. Das Gehäuse kann ferner auch ein Bauelement mit einer Kombination aus geschlossenen Wänden und einer skelettartigen oder fachwerkartigen Struktur sein. Darunter, dass der jeweilige Bauraum von dem entsprechenden Gehäuse „umschlossen“ ist, kann dementsprechend zu verstehen sein, dass das Gehäuse den Bauraum, insbesondere fluiddicht, einschließt oder dass das Gehäuse den Bauraum zwar in seinen Dimensionen definiert, jedoch nicht zwingend fluiddicht einschließt.An "installation space" can therefore be understood to mean a volume enclosed by walls and / or limited. Furthermore, a "space", however, in particular also a region to be understood, which is indeed defined by the skeletal or truss-like housing in its dimensions, which is not completely enclosed by this open housing in the sense of a fluid-tight housing. The housing may also be a component with a combination of closed walls and a skeletal or truss-like structure. The fact that the respective installation space is "enclosed" by the corresponding housing can accordingly be understood to mean that the housing encloses the construction space, in particular fluid-tight, or that the housing defines the installation space in its dimensions, but does not necessarily include a fluid-tight seal.

Das erste Modul kann, wie zuvor erwähnt, eine EUV-Lichtquelle sein. Das erste Modul ist insbesondere dazu eingerichtet, EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere von 13,5 nm, zu erzeugen. Das erste Modul umfasst bevorzugt das schon erwähnte optische Element, bevorzugt in Form eines Ellipsoidspiegels. Das optische Element ist ein Kollektor oder kann als Kollektor des ersten Moduls bezeichnet werden. Das optische Element umfasst bevorzugt eine optisch wirksame Fläche in Form einer Spiegelfläche. Das optische Element umfasst bevorzugt einen ersten Fokus und einen von dem ersten Fokus beabstandet angeordneten zweiten Fokus. Der zweite Fokus kann auch als Zwischenfokus bezeichnet werden. Das erste Modul umfasst ferner bevorzugt eine Lichtquelle, insbesondere eine Laserquelle, die im Betrieb des ersten Moduls dazu eingerichtet ist, ein an dem ersten Fokus des optischen Elements vorgesehenes Zinnplasma zu zünden, das Licht in Form von EUV-Strahlung emittiert. Die EUV-Strahlung wird von der optisch wirksamen Fläche des optischen Elements eingesammelt und in Richtung des zweiten Moduls gesandt. Dabei wird die EUV-Strahlung in dem zweiten Fokus gebündelt oder fokussiert.The first module may, as previously mentioned, be an EUV light source. The first module is in particular designed to generate EUV radiation having a wavelength of 0.1 nm to 30 nm, in particular of 13.5 nm. The first module preferably comprises the already mentioned optical element, preferably in the form of an ellipsoidal mirror. The optical element is a collector or may be referred to as a collector of the first module. The optical element preferably comprises an optically active surface in the form of a mirror surface. The optical element preferably comprises a first focus and one spaced from the first focus arranged second focus. The second focus can also be called an intermediate focus. The first module further preferably comprises a light source, in particular a laser source, which is set up during operation of the first module to ignite a tin plasma provided on the first focus of the optical element which emits light in the form of EUV radiation. The EUV radiation is collected from the optically active surface of the optical element and sent towards the second module. In the process, the EUV radiation is focused or focused in the second focus.

Das Verfahren wird insbesondere ohne Beteiligung der zuvor erwähnten Lichtquelle, insbesondere der Laserquelle, durchgeführt. Das heißt, eine Position des Zinnplasmas beziehungsweise eines Zinnkörpers, der zum Erzeugen des Zinnplasmas mit Hilfe der Lichtquelle mit einem Laserpuls beschossen wird, sowie der Laserpuls selbst werden bei dem zuvor erläuterten Verfahren nicht berücksichtigt. Diese werden im Betrieb der Lithographieanlage angepasst.The method is carried out in particular without involvement of the aforementioned light source, in particular the laser source. That is, a position of the tin plasma or a tin body, which is bombarded with a laser pulse for generating the tin plasma by means of the light source, and the laser pulse itself are not taken into account in the method described above. These are adjusted during operation of the lithography system.

Beispielsweise meint „Lage“ eine Orientierung und/oder Position des ersten Moduls beziehungsweise des optischen Elements relativ zu dem zweiten Modul oder umgekehrt. Eine Orientierung meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen rotatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei rotatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Eine Position meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen translatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei translatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Das erste Modul beziehungsweise das optische Element kann somit um drei rotatorische und drei translatorische Freiheitsgrade bewegt werden, um dieses zu dem zweiten Modul auszurichten. Die drei translatorischen Freiheitsgrade umfassen eine x-Richtung, eine y-Richtung und eine z-Richtung. Die drei rotatorischen Freiheitsgrade umfassen jeweils eine rotatorische Richtung um die x-Richtung, die y-Richtung und die z-Richtung.For example, "position" means an orientation and / or position of the first module or of the optical element relative to the second module or vice versa. An orientation means, for example, a positional relationship which is described by at least one rotational degree of freedom, in particular three degrees of rotational freedom. A position means, for example, a positional relationship that is described by at least one translational degree of freedom, in particular three translational degrees of freedom. The first module or the optical element can thus be moved by three rotational and three translational degrees of freedom in order to align it to the second module. The three translational degrees of freedom include an x-direction, a y-direction, and a z-direction. The three rotational degrees of freedom each comprise a rotational direction about the x-direction, the y-direction and the z-direction.

Zum zueinander Ausrichten der Module beziehungsweise des optischen Elements und des zweiten Moduls kann eine Einstellvorrichtung, insbesondere ein Druckmechanismus, an zumindest einem der Module und/oder dem optischen Element vorgesehen sein, um die Lage, das heißt, die Orientierung und/oder Position des ersten Moduls mit dem optischen Element beziehungsweise des optischen Elements relativ zu dem zweiten Modul oder umgekehrt, einzustellen. Der Druckmechanismus kann Einstellschrauben und/oder Mikrometerschrauben umfassen. Mit anderen Worten ist eine Einstellung der Module zueinander, das heißt, die Lageänderung zueinander, beispielsweise durch ein Verschieben eines der beiden Module auf einer gemeinsamen Schnittstellen- beziehungsweise Interfacefläche vollziehbar. Die Schnittstellenfläche kann an den Gehäusen der Module vorgesehen sein. Ein Einbringen einer dazu benötigten Einstellkraft kann beispielsweise mittels Klopfens mit einem Werkzeug oder mittels des zuvor erwähnten Druckmechanismus erfolgen. Beispielsweise kann für eine Reduzierung einer Reibung beziehungsweise von Reibkräften dieser Prozess bei einer gewissen Gewichtsentlastung erfolgen, so dass auch die Einstellkraft verringert ist.For aligning the modules or the optical element and the second module, an adjustment device, in particular a printing mechanism, may be provided on at least one of the modules and / or the optical element to determine the position, that is, the orientation and / or position of the first Module with the optical element or the optical element relative to the second module or vice versa, set. The pressure mechanism may include adjustment screws and / or micrometer screws. In other words, an adjustment of the modules to each other, that is, the change in position to each other, for example, by moving one of the two modules on a common interface or interface surface executable. The interface surface may be provided on the housings of the modules. An introduction of a setting force required for this purpose can be done for example by knocking with a tool or by means of the aforementioned pressure mechanism. For example, for a reduction of friction or frictional forces, this process can take place with a certain weight reduction, so that the setting force is also reduced.

Unter „Fluoreszenz“ ist vorliegend die spontane Emission von Licht kurz nach der Anregung einer Substanz zu verstehen. Fluoreszenzfähige Substanzen lassen sich beispielsweise mit Hilfe von ultraviolettem Licht in einen energetisch höheren angeregten Zustand versetzen. Diese Anregungsenergie wird durch Licht, die sogenannte Fluoreszenz, wieder abgegeben. Die Wellenlänge der Fluoreszenz ist charakteristisch für die angeregte Substanz, die Intensität derselben ist proportional zu der Menge der Substanz und der Intensität des anregenden Lichts. Vorliegend wird das von einer fluoreszenzfähigen Substanz bei Anregung emittierte Licht als Fluoreszenz bezeichnet. Das heißt, vorliegend sind die Begriffe „Fluoreszenz“, „Licht“ und auch „Fluoreszenzlicht“ für das von dem fluoreszenzfähigen Gas bei Anregung emittierte Licht gegeneinander austauschbar. Unter „fluoreszenzfähig“ ist vorliegend zu verstehen, dass das fluoreszenzfähige Gas bei entsprechender Anregung geeignet ist, Fluoreszenz zu erzeugen.By "fluorescence" is meant in the present case the spontaneous emission of light shortly after the excitation of a substance. Fluorescent substances can, for example, be converted into an energetically higher excited state with the aid of ultraviolet light. This excitation energy is released by light, the so-called fluorescence. The wavelength of the fluorescence is characteristic of the excited substance, the intensity of which is proportional to the amount of the substance and the intensity of the exciting light. In the present case, the light emitted by a fluorescent substance upon excitation is referred to as fluorescence. That is, in the present case, the terms "fluorescence", "light" and also "fluorescent light" are interchangeable with each other for the light emitted from the fluorescent gas upon excitation. In the present case, the term "fluorescently capable" is understood to mean that the fluoresceable gas is suitable for generating fluorescence when excited appropriately.

Unter „Betrieb“ oder „Regelbetrieb“ der Lithographieanlage und/oder der Module ist insbesondere zu verstehen, dass das erste Modul EUV-Strahlung emittiert und mit Hilfe der EUV-Strahlung beziehungsweise mit Hilfe der Lithographieanlage beispielsweise ein Wafer belichtet wird. Die EUV-Strahlung kann auch als Licht oder Arbeitslicht bezeichnet werden."Operation" or "regular operation" of the lithography system and / or the modules is to be understood in particular as meaning that the first module emits EUV radiation and, for example, a wafer is exposed using the EUV radiation or with the aid of the lithography system. The EUV radiation can also be referred to as light or work light.

Gemäß einer Ausführungsform wird vor dem Schritt a) das erste Modul rein mechanisch relativ zu dem zweiten Modul ausgerichtet.According to one embodiment, prior to step a), the first module is aligned purely mechanically relative to the second module.

Unter „rein mechanisch“ ist vorliegend ohne die Anwendung des fluoreszenzfähigen Gases beziehungsweise der Intensität der Fluoreszenz zu verstehen. Hierzu kann zunächst die Lage des ersten Moduls beziehungsweise des optischen Elements relativ zu dem zweiten Modul rein mechanisch auf Bruchteile von Millimetern genau bestimmt werden. Für diesen Zweck kann beispielsweise eine Koordinatenmessmaschine oder eine in den Modulen verbaute Sensorik eingesetzt werden. Anschließend wird das erste Modul beziehungsweise das optische Element relativ zu dem zweiten Modul ausgerichtet. Die hierbei erreichbare Genauigkeit kann, wie zuvor erwähnt, wenige Bruchteile von Millimetern umfassen. Die Feinausrichtung, das heißt, die Ausrichtung auf wenige µm genau, erfolgt dann anschließend mit Hilfe des zuvor beschriebenen Verfahrens.The term "purely mechanical" is understood here without the use of the fluoresceable gas or the intensity of the fluorescence. For this purpose, the position of the first module or of the optical element relative to the second module can first be determined exactly mechanically to fractions of a millimeter. For example, a coordinate measuring machine or a sensor integrated in the modules can be used for this purpose. Subsequently, the first module or the optical element is aligned relative to the second module. The achievable accuracy can, as mentioned above, comprise a few fractions of millimeters. The fine alignment, that is, the orientation on a few microns exactly, then takes place subsequently using the method described above.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) die Fluoreszenz an einer optisch wirksamen Fläche des ersten Moduls in die Blendenebene reflektiert.According to a further embodiment, in step b) the fluorescence is reflected at an optically active surface of the first module in the diaphragm plane.

Die optisch wirksame Fläche ist dem optischen Element zugeordnet. Die optisch wirksame Fläche ist ellipsoidförmig und weist den ersten und den zweiten Fokus auf. Ein Ellipsoid ist vorliegend die dreidimensionale Entsprechung einer Ellipse. Die optisch wirksame Fläche ist insbesondere eine Spiegelfläche.The optically effective surface is assigned to the optical element. The optically effective surface is ellipsoidal and has the first and the second focus. An ellipsoid in the present case is the three-dimensional correspondence of an ellipse. The optically effective surface is in particular a mirror surface.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt a) das fluoreszenzfähige Gas in einen zwischen einem optischen Element des ersten Moduls und der Blendenebene vorgesehenen Bauraum des ersten Moduls eingebracht.According to a further embodiment, in step a), the fluorescent gas is introduced into an installation space of the first module provided between an optical element of the first module and the diaphragm plane.

Insbesondere wird das fluoreszenzfähige Gas vor die optisch wirksame Fläche des optischen Elements in den Bereich des ersten Fokus des optischen Elements eingebracht. Zuvor wird das erste Modul belüftet. Das heißt, es besteht kein Vakuum in dem ersten Modul.In particular, the fluorescence-capable gas is introduced in front of the optically active surface of the optical element in the region of the first focus of the optical element. Beforehand, the first module is ventilated. That is, there is no vacuum in the first module.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas an einem ersten Fokus des optischen Elements angeregt.According to a further embodiment, in step b) the fluoresceable gas is excited at a first focus of the optical element.

Das heißt, das angeregte fluoreszenzfähige Gas emittiert Licht, nämlich die Fluoreszenz, an dem ersten Fokus in verschiedenste Richtungen, beispielsweise kugelförmig. Die optisch wirksame Fläche des optischen Elements sammelt die Fluoreszenz und bündelt diese in dem zweiten Fokus.That is, the excited fluorescent gas emits light, namely, the fluorescence at the first focus in various directions, for example, spherical. The optically active surface of the optical element collects the fluorescence and focuses it in the second focus.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt c) zum Erfassen der Intensität der Fluoreszenz die Fluoreszenz in einem zweiten Fokus des optischen Elements fokussiert.According to a further embodiment, in step c) for detecting the intensity of the fluorescence, the fluorescence is focused in a second focus of the optical element.

Der zweite Fokus kann auch als Zwischenfokus bezeichnet werden. Idealerweise, das heißt, dann, wenn die Module optimal zueinander ausgerichtet sind, ist der zweite Fokus in der Blendenebene angeordnet.The second focus can also be called an intermediate focus. Ideally, that is, when the modules are optimally aligned with each other, the second focus is located in the diaphragm plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas aus dem zweiten Modul heraus angeregt.According to a further embodiment, in step b) the fluoresceable gas is excited out of the second module.

Insbesondere wird das fluoreszenzfähige Gas aus einem Bauraum des zweiten Moduls heraus angeregt. Hierzu ist bevorzugt außerhalb des ersten Moduls und innerhalb des zweiten Moduls eine Lichtquelle zum Anregen des fluoreszenzfähigen Gases vorgesehen.In particular, the fluoresceable gas is excited out of a construction space of the second module. For this purpose, a light source for exciting the fluorescent gas is preferably provided outside the first module and within the second module.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas mit Hilfe von Licht, das aus dem zweiten Modul in das erste Modul einfällt, angeregt.According to a further embodiment, in step b) the fluorescent gas is excited by means of light incident from the second module into the first module.

Insbesondere wird das fluoreszenzfähige Gas mit Hilfe von Licht, das aus dem Bauraum des zweiten Moduls in den Bauraum des ersten Moduls einfällt, angeregt. Das anregende Licht fällt entgegengesetzt einer Strahlungsrichtung der EUV-Strahlung in den Bauraum des ersten Moduls ein, um das fluoreszenzfähige Gas anzuregen. Das heißt, eine Strahlungsrichtung des anregenden Lichts ist entgegengesetzt einer Strahlungsrichtung der EUV-Strahlung orientiert.In particular, the fluorescent gas is excited by means of light which is incident from the installation space of the second module into the construction space of the first module. The exciting light is incident opposite to a radiation direction of the EUV radiation in the space of the first module to excite the fluorescent gas. That is, a radiation direction of the exciting light is oriented opposite to a radiation direction of the EUV radiation.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform fällt in dem Schritt b) das Licht durch eine in der Blendenebene angeordnete Blendenöffnung aus dem zweiten Modul in das ersten Modul ein.According to a further embodiment, in step b), the light enters the first module through an aperture opening arranged in the diaphragm plane from the second module.

Insbesondere fällt das Licht durch die in der Blendenebene angeordnete Blendenöffnung aus dem Bauraum des zweiten Moduls in den Bauraum des ersten Moduls ein. Die Blendenöffnung weist bevorzugt einen sehr kleinen Durchmesser, beispielsweise von sechs Millimetern auf. Eine numerische Apertur der Blendenöffnung beträgt bevorzugt etwa 0,2. Die Blendenöffnung ist an einer Fokusblende vorgesehen. Die Fokusblende ist in der Blendenebene angeordnet oder bildet die Blendenebene.In particular, the light from the installation space of the second module enters the installation space of the first module through the aperture opening arranged in the diaphragm plane. The aperture preferably has a very small diameter, for example of six millimeters. A numerical aperture of the aperture is preferably about 0.2. The aperture is provided on a focus aperture. The focus aperture is located in the aperture plane or forms the aperture plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt c) die Intensität der Fluoreszenz mit Hilfe eines Lichtdetektors ortsaufgelöst erfasst.According to a further embodiment, in step c), the intensity of the fluorescence is recorded spatially resolved with the aid of a light detector.

Der Lichtdetektor kann ein CCD-Sensor sein (Engl.: charge-coupled device, CCD, Deutsch: ladungsgekoppeltes Bauteil) oder einen CCD-Sensor umfassen. Der Lichtdetektor ist geeignet, die Intensität von auf diesen einfallenden Licht zu bestimmen. Der Lichtdetektor beziehungsweise eine Vermessungseinrichtung, die den Lichtdetektor aufweist, kann eine Recheneinheit oder einen Rechner zum Auswerten von Messwerten oder Signalen, die von dem Lichtdetektor erzeugt werden, umfassen.The light detector may be a CCD sensor (charge-coupled device, CCD) or comprise a CCD sensor. The light detector is capable of determining the intensity of light incident thereon. The light detector or a measuring device, which has the light detector, can comprise a computing unit or a computer for evaluating measured values or signals which are generated by the light detector.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt a) das fluoreszenzfähige Gas als Gasgemisch, insbesondere Traceline, Labline oder Topline, mit einer definierten Konzentration einer fluoreszenzfähigen Substanz eingebracht.According to a further embodiment, in step a) the fluorescently capable gas is introduced as gas mixture, in particular Traceline, Labline or Topline, with a defined concentration of a substance capable of fluorescence.

Das Gasgemisch kann ein sogenanntes Kalibriergasgemisch sein. Kalibriergasgemische wie Traceline, Labline oder Topline umfassen jeweils unterschiedliche Konzentrationen der jeweiligen fluoreszenzfähigen Substanz sowie unterschiedliche Toleranzen und Genauigkeiten hinsichtlich deren Konzentration. Beispielsweise umfasst das Kalibriergasgemisch Traceline eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 5 ppb bis 1000 ppb (Engl.: parts per billion, ppb) bei einer Genauigkeit von etwa 5% und einer Toleranz von etwa 10%, das Kalibriergasgemisch Labline umfasst beispielsweise eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 1 ppm (Engl.: parts per million, ppm) bis 100% bei einer Genauigkeit von 2% und einer Toleranz von 5%, und das Kalibriergasgemisch Topline umfasst eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 10 ppm bis 100% bei einer Genauigkeit von weniger als 1% und einer Toleranz von weniger als 5%.The gas mixture may be a so-called calibration gas mixture. Calibration gas mixtures such as Traceline, Labline or Topline each comprise different concentrations of the respective fluorescent substance as well as different tolerances and accuracies with regard to their concentration. For example, the calibration gas mixture Traceline comprises a concentration of the fluorescent substance from 5 ppb to 1000 ppb (English: parts per billion, ppb) with an accuracy of about 5% and a tolerance of about 10%, the calibration gas mixture Labline includes, for example, a concentration of fluorescent Substance from 1 ppm (parts per million, ppm) to 100% with an accuracy of 2% and a tolerance of 5%, and the calibration gas mixture Topline comprises a concentration of the fluorescent substance from 10 ppm to 100% with an accuracy of less than 1% and a tolerance of less than 5%.

Weiterhin wird eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Lithographieanlage umfasst ein erstes Modul, ein zweites Modul, und eine mit dem zweiten Modul verbundene Vermessungseinrichtung, die dazu eingerichtet ist, mit Hilfe von Licht ein in das erste Modul eingebrachtes fluoreszenzfähiges Gas anzuregen, um eine Fluoreszenz zu erzeugen, und die dazu eingerichtet ist, in einer Blendenebene, die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul und dem zweiten Modul bildet, eine Intensität der Fluoreszenz zu erfassen, um eine Lage des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul zu verändern, bis in der Blendenebene ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz erreicht ist.Furthermore, a lithography system is proposed. The lithography system comprises a first module, a second module, and a measuring device connected to the second module, which is set up to excite, with the aid of light, a flammable gas introduced into the first module in order to generate a fluorescence and which is set up for this purpose in an aperture plane forming an interface between the first module and the second module, detecting an intensity of the fluorescence to change a position of the first module relative to the second module until a maximum of the intensity of the fluorescence is achieved in the diaphragm plane is.

Die Vermessungseinrichtung ist insbesondere fest an dem zweiten Modul montiert. Das heißt, die Vermessungseinrichtung kann auch im Betrieb der Lithographieanlage an dem zweiten Modul verbleiben. Die Vermessungseinrichtung kann ein Mikroskop sein. Für den Betrieb der Lithographieanlage wird die Vermessungseinrichtung jedoch entweder wieder entfernt oder zumindest aus ihrer Messposition in eine Ausgangsposition verschoben oder verfahren, so dass die Vermessungseinrichtung im Betrieb der Lithographieanlage nicht im Strahlengang angeordnet ist und so die EUV-Strahlung auch nicht abschattet.The measuring device is in particular fixedly mounted on the second module. This means that the measuring device can remain on the second module during operation of the lithography system. The measuring device may be a microscope. For the operation of the lithography system, however, the measuring device is either removed again or at least moved or moved from its measuring position to a starting position, so that the measuring device is not arranged in the beam path during operation of the lithographic system and so does not shadow the EUV radiation.

Für den zuvor schon erläuterten Fall, dass nicht die Lage des ersten Moduls als Ganzes relativ zu dem zweiten Modul verändert wird, sondern nur die Lage des optischen Elements des ersten Moduls relativ zu dem zweiten Modul, wird in einer bevorzugten Ausführungsform eine Lithographieanlage vorgeschlagen, die ein erstes Modul mit einem optischen Element, ein zweites Modul, und eine mit dem zweiten Modul verbundene Vermessungseinrichtung umfasst, die dazu eingerichtet ist, mit Hilfe von Licht ein in das erste Modul eingebrachtes fluoreszenzfähiges Gas anzuregen, um eine Fluoreszenz zu erzeugen, und die dazu eingerichtet ist, in einer Blendenebene, die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul und dem zweiten Modul bildet, eine Intensität der Fluoreszenz zu erfassen, um eine Lage des optischen Elements relativ zu dem zweiten Modul zu verändern, bis in der Blendenebene ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz erreicht ist.For the previously explained case that not the position of the first module as a whole is changed relative to the second module, but only the position of the optical element of the first module relative to the second module, a lithographic system is proposed in a preferred embodiment, the a first module comprising an optical element, a second module, and a measuring device connected to the second module, which is adapted to excite with the aid of light a flammable gas introduced into the first module to generate a fluorescence, and the is arranged to detect an intensity of the fluorescence in an aperture plane, which forms an interface between the first module and the second module, in order to change a position of the optical element relative to the second module, up to a maximum intensity in the diaphragm plane Fluorescence is reached.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Vermessungseinrichtung in dem zweiten Modul angeordnet.According to one embodiment, the measuring device is arranged in the second module.

Bevorzugt ist die Vermessungseinrichtung in dem von dem zweiten Modul umschlossenen Bauraum angeordnet. Insbesondere ist der Bauraum von dem Gehäuse des zweiten Moduls umschlossen. Insbesondere ist die Vermessungseinrichtung in dem Gehäuse angeordnet. Die Vermessungseinrichtung ist somit außerhalb des ersten Moduls, insbesondere außerhalb des Gehäuses des ersten Moduls, positioniert. Die Vorteile einer Anordnung der Vermessungseinrichtung innerhalb des zweiten Moduls liegen darin, dass in dem zweiten Modul im Vergleich zu dem ersten Modul eher ausreichend Bauraum für die Vermessungseinrichtung vorhanden ist. Weiterhin gelangt bei der Verwendung des Zinnplasmas als Lichtquelle deutlich weniger Kontamination in das zweite Modul, so dass die Vermessungseinrichtung besser geschützt ist, als wenn diese direkt in dem ersten Modul positioniert wäre.Preferably, the measuring device is arranged in the space enclosed by the second module. In particular, the space is enclosed by the housing of the second module. In particular, the measuring device is arranged in the housing. The measuring device is thus positioned outside the first module, in particular outside the housing of the first module. The advantages of an arrangement of the measuring device within the second module are that in the second module compared to the first module rather sufficient space for the surveying device is present. Furthermore, when using the tin plasma as a light source, significantly less contamination enters the second module, so that the measuring device is better protected than if it were positioned directly in the first module.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Modul ein optisches Element, insbesondere einen Ellipsoidspiegel, auf, das dazu eingerichtet ist, die Fluoreszenz in der Blendenebene zu fokussieren.According to a further embodiment, the first module has an optical element, in particular an ellipsoidal mirror, which is set up to focus the fluorescence in the diaphragm plane.

Insbesondere ist die Vermessungseinrichtung dazu eingerichtet, in der Blendenebene die Intensität der Fluoreszenz zu erfassen, um eine Lage des optischen Elements relativ zu dem zweiten Modul zu bestimmen.In particular, the measuring device is configured to detect the intensity of the fluorescence in the diaphragm plane in order to determine a position of the optical element relative to the second module.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Vermessungseinrichtung eine Lichtquelle auf, die dazu eingerichtet ist, das Licht von dem zweiten Modul in Richtung des ersten Moduls zu emittieren.According to a further embodiment, the measuring device has a light source which is set up to emit the light from the second module in the direction of the first module.

Insbesondere umfasst die Vermessungseinrichtung neben der Lichtquelle, die insbesondere eine Laserquelle ist, und dem Lichtdetektor auch einen Strahlteiler, der das von der Lichtquelle erzeugte Licht zur Anregung des fluoreszenzfähigen Gases in Richtung des ersten Moduls auf das optische Element lenkt.In particular, in addition to the light source, which is in particular a laser source, and the light detector, the measuring device also comprises a beam splitter which directs the light generated by the light source onto the optical element in the direction of the first module in order to excite the fluoresceable gas.

Die Lithographieanlage kann, wie zuvor erwähnt, eine EUV-Lithographieanlage oder eine DUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.As mentioned above, the lithographic installation may be an EUV lithography installation or a DUV lithography installation. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and refers to a working light wavelength between 0.1 nm and 30 nm. DUV stands for "Deep Ultraviolet" and denotes a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwangsweise als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine genaue Beschränkung auf genau die entsprechende Anzahl von Elementen verwirklich sein muss. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich.In the present case, "a" is not necessarily to be understood as restricting to exactly one element. Rather, several elements, such as two, three or more, may be provided. Also, any other count word used herein is not to be understood as having a precise restriction to exactly the appropriate number of elements. Rather, numerical deviations up and down are possible.

Die für die vorgeschlagene Lithographieanlage beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt.The embodiments and features described for the proposed lithographic system apply accordingly to the proposed method and vice versa.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include not explicitly mentioned combinations of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments. The skilled person will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage;
1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage;
2 zeigt eine weitere schematische Ansicht der EUV-Lithographieanlage gemäß 1A;
3 zeigt eine weitere schematische Ansicht der EUV-Lithographieanlage gemäß 1A;
4 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Lichtdetektors für die EUV-Lithographieanlage gemäß 1A; und
5 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Ausrichten eines ersten Moduls der EUV-Lithographieanlage gemäß 1A relativ zu einem zweiten Modul der EUV-Lithographieanlage.

Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims and the embodiments of the invention described below. Furthermore, the invention will be explained in more detail by means of preferred embodiments with reference to the attached figures.

1A shows a schematic view of an embodiment of an EUV lithography system;
1B shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system;
2 shows a further schematic view of the EUV lithography system according to 1A ;
3 shows a further schematic view of the EUV lithography system according to 1A ;
4 shows a schematic view of an embodiment of a light detector for the EUV lithography system according to 1A ; and
5 shows a schematic block diagram of an embodiment of a method for aligning a first module of the EUV lithography system according to 1A relative to a second module of the EUV lithography system.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, the same or functionally identical elements have been given the same reference numerals, unless stated otherwise. It should also be noted that the illustrations in the figures are not necessarily to scale.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. 1A shows a schematic view of an EUV lithography system 100A which is a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: extreme ultraviolet, EUV) and refers to a wavelength of working light between 0.1 nm and 30 nm. The beam shaping and illumination system 102 and the projection system 104 are each provided in a vacuum housing, not shown, wherein each vacuum housing is evacuated by means of an evacuation device, not shown. The vacuum housings are surrounded by a machine room, not shown, in which drive devices for mechanical method or adjustment of the optical elements are provided. Furthermore, electrical controls and the like may be provided in this engine room.

Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.The EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A on. As an EUV light source 106A For example, a plasma source (or a synchrotron) can be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), so for example in the wavelength range of 5 nm to 20 nm emits. In the beam-forming and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A bundled and the desired operating wavelength from the EUV radiation 108A filtered out. The from the EUV light source 106A generated EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam guiding spaces in the beam-forming and lighting system 102 and in the projection system 104 are evacuated.

Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1A illustrated beam shaping and illumination system 102 has five mirrors 110 . 112 . 114 . 116 . 118 on. After passing through the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A on a photomask (English: reticle) 120 directed. The photomask 120 is also designed as a reflective optical element and can be outside the systems 102 . 104 be arranged. Next, the EUV radiation 108A by means of a mirror 122 on the photomask 120 be steered. The photomask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 (also called projection lens) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. It can single mirror M1 to M6 of the projection system 104 symmetrical to an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of mirrors M1 to M6 the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. There may also be more or less mirrors M1 to M6 be provided. Furthermore, the mirrors M1 to M6 usually curved at its front for beam shaping.

1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 1A beschrieben - in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein. 1B shows a schematic view of a DUV lithography system 100B which is a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultraviolet, DUV) and refers to a wavelength of working light between 30 nm and 250 nm. The beam shaping and illumination system 102 and the projection system 104 can - as already related to 1A described - arranged in a vacuum housing and / or surrounded by a machine room with corresponding drive devices.

Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.The DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B on. As a DUV light source 106B For example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B in the DUV range at, for example, 193 nm emitted.

Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1B illustrated beam shaping and illumination system 102 directs the DUV radiation 108B on a photomask 120 , The photomask 120 is designed as a transmissive optical element and can be outside the systems 102 . 104 be arranged. The photomask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 has several lenses 128 and / or mirrors 130 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. This can be individual lenses 128 and / or mirrors 130 of the projection system 104 symmetrical to an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of lenses 128 and mirrors 130 the DUV lithography system 100B is not limited to the number shown. There may also be more or fewer lenses 128 and / or mirrors 130 be provided. Furthermore, the mirrors 130 usually curved at its front for beam shaping.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 can be through a liquid medium 132 be replaced, which has a refractive index> 1. The liquid medium 132 can be, for example, high purity water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution. The medium 132 can also be referred to as immersion liquid.

2 zeigt eine stark vereinfachte schematische Ansicht der EUV-Lithographieanlage 100A. Die EUV-Lithographieanlage 100A umfasst ein erstes Modul 200. Das erste Modul 200 kann als Lichtquellenmodul, Quellmodul oder Quellenmodul bezeichnet werden. Das erste Modul 200 kann eine wie zuvor erwähnte EUV-Lichtquelle 106A sein. Das erste Modul 200 erzeugt bevorzugt EUV-Strahlung 108A mit einer Wellenlänge von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere von 13,5 nm. Das erste Modul 200 umfasst ein optisches Element 202. Das optische Element 202 ist ein Kollektor oder kann als Kollektor des ersten Moduls 200 bezeichnet werden. 2 shows a highly simplified schematic view of the EUV lithography system 100A , The EUV lithography system 100A includes a first module 200 , The first module 200 may be referred to as a light source module, source module, or source module. The first module 200 may be an EUV light source as previously mentioned 106A be. The first module 200 preferably produces EUV radiation 108A with a wavelength of 0.1 nm to 30 nm, in particular of 13.5 nm. The first module 200 includes an optical element 202 , The optical element 202 is a collector or can be used as a collector of the first module 200 be designated.

Insbesondere ist das optische Element 202 ein Ellipsoidspiegel mit einer ellipsoidförmigen optisch wirksamen Fläche 204. Ein Ellipsoid ist vorliegend die dreidimensionale Entsprechung einer Ellipse. Die optisch wirksame Fläche 204 ist eine Spiegelfläche. Der optisch wirksamen Fläche 204 abgewandt ist eine Rückseite 206 des optischen Elements 202 vorgesehen. Das optische Element 202 umfasst einen ersten Fokus 208 und einen von dem ersten Fokus 208 beabstandet positionierten zweiten Fokus 210. Der zweite Fokus 210 kann auch als Zwischenfokus bezeichnet werden. Das optische Element 202 umfasst ferner eine Obskuration 212. Die Obskuration 212 kann als Durchbruch in dem optischen Element 202 ausgebildet sein.In particular, the optical element 202 an ellipsoidal mirror with an ellipsoidal optically active surface 204 , An ellipsoid in the present case is the three-dimensional correspondence of an ellipse. The optically effective surface 204 is a mirror surface. The optically effective surface 204 turned away is a back 206 of the optical element 202 intended. The optical element 202 includes a first focus 208 and one of the first focus 208 spaced second focus 210 , The second focus 210 can also be referred to as an intermediate focus. The optical element 202 also includes obscuration 212 , The obscuration 212 can be considered a breakthrough in the optical element 202 be educated.

Das erste Modul 200 ist im Betrieb mit einem Vakuum beaufschlagt. Das heißt, das optische Element 202 ist im Betrieb des ersten Moduls 200 in einem Vakuum angeordnet. Eine Blende oder Fokusblende 214, die eine Blendenebene E bildet oder die in der Blendenebene E positioniert ist, bildet eine Schnittstelle des ersten Moduls 200 zu einem zweiten Modul 216 der EUV-Lithographieanlage 100A. Die Fokusblende 214 kann dabei dem ersten Modul 200 oder dem zweiten Modul 216 zugeordnet sein. Das zweite Modul 216 ist ein wie zuvor erläutertes Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102. Die Fokusblende 214 umfasst einen Durchbruch oder eine Blendenöffnung 218 für den zweiten Fokus 210. Der zweite Fokus 210 ist in der Blendenebene E angeordnet. Die Blendenöffnung 218 weist einen Durchmesser von bevorzugt sechs Millimetern auf.The first module 200 is subjected to a vacuum during operation. That is, the optical element 202 is in operation of the first module 200 arranged in a vacuum. An aperture or focus aperture 214 holding a shutter plane e forms or in the aperture plane e is positioned forms an interface of the first module 200 to a second module 216 the EUV lithography system 100A , The focus aperture 214 can be the first module 200 or the second module 216 be assigned. The second module 216 is a beamforming and illumination system as previously discussed 102 , The focus aperture 214 includes a breakthrough or aperture 218 for the second focus 210 , The second focus 210 is in the aperture plane e arranged. The aperture 218 has a diameter of preferably six millimeters.

Das erste Modul 200 umfasst ferner eine Lichtquelle 220, insbesondere eine Laserquelle, die dazu eingerichtet ist, einen in dem ersten Fokus 208 angeordneten Zinnkörper, beispielsweise ein Zinnkügelchen oder Zinntröpfchen, mit einem Laserpuls 222 zu beschießen und diesen dadurch stark zu erhitzen. Dieses Beschießen des Zinnkörpers erfolgt, wie zuvor erwähnt, unter Vakuum. Ein durch das Beschießen des Zinnkörpers entstehendes Zinnplasma 224 strahlt Licht 226, insbesondere Arbeitslicht, in unterschiedliche Richtungen, beispielsweise kugelförmig, ab. Das Licht 226 ist EUV-Strahlung 108A. Das Licht 226 wird von der optisch wirksamen Fläche 204 des optischen Elements 202 eingesammelt und in Richtung des zweiten Moduls 216 gesandt. Dabei wird das Licht 226 in dem zweiten Fokus 210 gebündelt oder fokussiert.The first module 200 further includes a light source 220 , in particular a laser source, which is adapted to one in the first focus 208 arranged tin bodies, for example a tin or tin droplets, with a laser pulse 222 to bombard and thereby heat this strong. This bombardment of the tin body takes place, as mentioned above, under vacuum. A tin plasma resulting from the bombardment of the tin body 224 emits light 226 , in particular work light, in different directions, such as spherical, from. The light 226 is EUV radiation 108A , The light 226 is from the optically effective surface 204 of the optical element 202 collected and in the direction of the second module 216 sent. In the process, the light becomes 226 in the second focus 210 bundled or focused.

Beim Aufbau oder zum Nachjustieren der EUV-Lithographieanlage 100A ist es erforderlich, das erste Modul 200 mitsamt dem optischen Element 202 oder das optische Element 202 alleine und das zweite Modul 216 hochgenau zueinander auszurichten, um das Licht 226 in möglichst hohem Umfang zu nutzen und um Uniformitätsanforderungen und Telezentrieanforderungen sowie Anforderungen an weitere Eintrittspupillencharakteristika, beispielsweise Polbalance, gerecht zu werden. Die erforderliche Genauigkeit der Ausrichtung des ersten Moduls 200 mit dem optischen Element 202 beziehungsweise des optischen Elements 202 und des zweiten Moduls 216 relativ zueinander liegt in der Größenordnung von mindestens 10 µm bis 25 µm.When setting up or readjusting the EUV lithography system 100A it is required the first module 200 together with the optical element 202 or the optical element 202 alone and the second module 216 highly accurate to each other to align the light 226 to the maximum extent possible and to meet uniformity requirements and telecentricity requirements as well as requirements for further entrance pupil characteristics, for example, polbalance. The required accuracy of alignment of the first module 200 with the optical element 202 or of the optical element 202 and the second module 216 relative to each other is of the order of at least 10 microns to 25 microns.

Die gegeneinander auszurichtenden Module 200, 216 sind schwer, beispielsweise weisen die Module 200, 216 jeweils ein Gewicht oder eine Masse von mindestens etwa 100 kg bis 500kg auf. Insbesondere können die Module 200, 216 jeweils eine Masse von 1000 kg bis 7000 kg aufweisen. Daher gibt es nur begrenzte Optionen hinsichtlich des Einsatzes von fest verbauten Manipulatoren oder Stellelementen zur Ausrichtung der Module 200, 216. Das Ausrichten der Module 200, 216 zueinander wird nachfolgend mit Bezug auf die EUV-Lithographieanlage 100A gemäß 1A erläutert, ist jedoch ebenso auf entsprechende Module der DUV-Lithographieanlage 100B gemäß 1B anwendbar.The mutually aligned modules 200 . 216 are heavy, for example, the modules have 200 . 216 in each case a weight or a mass of at least about 100 kg to 500 kg. In particular, the modules can 200 . 216 each have a mass of 1000 kg to 7000 kg. Therefore, there are only limited options regarding the use of built-in manipulators or actuators to align the modules 200 . 216 , Aligning the modules 200 . 216 one below the other with reference to the EUV lithography system 100A according to 1A However, it is also based on corresponding modules of the DUV lithography system 100B according to 1B applicable.

Bei dem Ausrichten der Module 200, 216 zueinander wird entweder das erste Modul 200 als Ganzes relativ zu dem zweiten Modul 216 ausgerichtet oder nur das optische Element 202 alleine wird relativ zu dem zweiten Modul 216 ausgerichtet. Die Vorgehensweise zum Ausrichten ist dabei jedoch identisch. Nachfolgend wird daher davon ausgegangen, dass das erste Modul 200 als Ganzes relativ zu dem zweiten Modul 216 ausgerichtet wird. Dieses Ausrichten umfasst, wie zuvor erwähnt, auch nur ein Ausrichten des optischen Elements 202 relativ zu dem zweiten Modul 216.When aligning the modules 200 . 216 each other is either the first module 200 as a whole relative to the second module 216 aligned or just the optical element 202 alone becomes relative to the second module 216 aligned. However, the alignment procedure is identical. The following is therefore assumed that the first module 200 as a whole relative to the second module 216 is aligned. This alignment, as previously mentioned, also involves just aligning the optical element 202 relative to the second module 216 ,

Vor dem Ausrichten des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 ist eine Lage des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 zu erfassen oder zu bestimmen. Diese Lagebestimmung kann anhand einer Lage des optischen Elements 202 mit Hilfe von Licht erfolgen. Weil der Regelbetrieb des ersten Moduls 200 ein Vakuum erfordert, ist es aufwendig am Betriebsstrahlengang direkt zu messen. Die Wellenlänge des zur Vermessung erforderlichen Lichts entspricht daher bevorzugt nicht der Wellenlänge der EUV-Strahlung 108A.Before aligning the first module 200 relative to the second module 216 is a location of the first module 200 relative to the second module 216 to capture or determine. This position determination can be based on a position of the optical element 202 with the help of light. Because the regular operation of the first module 200 requires a vacuum, it is expensive to measure directly on the operating beam path. The wavelength of the light required for the measurement therefore preferably does not correspond to the wavelength of the EUV radiation 108A ,

Beispielsweise meint „Lage“ eine Orientierung und/oder Position des ersten Moduls 200 beziehungsweise des optischen Elements 202 relativ zu dem zweiten Modul 216 oder umgekehrt. Eine Orientierung meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen rotatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei rotatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Eine Position meint beispielsweise eine Lagebeziehung, die durch zumindest einen translatorischen Freiheitsgrad, insbesondere drei translatorische Freiheitsgrade, beschrieben ist. Das erste Modul 200 beziehungsweise das optische Element 202 kann somit um drei rotatorische und drei translatorische Freiheitsgrade bewegt werden, um dieses zu dem zweiten Modul 216 auszurichten. Die drei translatorischen Freiheitsgrade umfassen eine x-Richtung x, eine y-Richtung y und eine z-Richtung z. Die drei rotatorischen Freiheitsgrade umfassen jeweils eine rotatorische Richtung um die x-Richtung x, die y-Richtung y und die z-Richtung z. Dabei verläuft die z-Richtung z parallel zu dem Laserpuls 222 der Lichtquelle 220.For example, "position" means an orientation and / or position of the first module 200 or of the optical element 202 relative to the second module 216 or the other way around. An orientation means, for example, a positional relationship which is described by at least one rotational degree of freedom, in particular three degrees of rotational freedom. A position means, for example, a positional relationship that is described by at least one translational degree of freedom, in particular three translational degrees of freedom. The first module 200 or the optical element 202 can thus be moved by three rotational and three translational degrees of freedom, this to the second module 216 align. The three translational degrees of freedom include an x-direction x, a y-direction y and a z-direction z. The three rotational degrees of freedom each comprise a rotational direction about the x-direction x, the y-direction y and the z-direction z. The z direction z runs parallel to the laser pulse 222 the light source 220 ,

Die Vermessung des optischen Elements 202, um dessen oder die Lage des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 zu bestimmen, erfolgt bevorzugt durch die Fokusblende 214 hindurch von dem zweiten Modul 216 aus. Die Vorteile einer Vermessung des optischen Elements 202 von dem zweiten Modul 216 aus liegen darin, dass in dem zweiten Modul 216 im Vergleich zu dem ersten Modul 200 eher Bauraum für eine oder mehrere Lichtquellen und einen oder mehrere Detektoren vorhanden ist. Weiterhin gelangt bei der Verwendung des Zinnplasmas 224 deutlich weniger Kontamination in das zweite Modul 216, so dass die zum Vermessen des optischen Elements 202 erforderliche Lichtquelle und der erforderliche Detektor besser geschützt sind, als wenn diese direkt in dem ersten Modul 200 positioniert wären.The measurement of the optical element 202 to its or the location of the first module 200 relative to the second module 216 to be determined, preferably by the focus aperture 214 through from the second module 216 out. The advantages of measuring the optical element 202 from the second module 216 from lie in that in the second module 216 compared to the first module 200 more space for one or more light sources and one or more detectors is present. Furthermore, when using the tin plasma 224 significantly less contamination in the second module 216 , so that for measuring the optical element 202 required light source and the required detector are better protected than if this directly in the first module 200 would be positioned.

Um das erste Modul 200 und das zweite Modul 216 zueinander auszurichten, wird bevorzugt das erste Modul 200 oder nur das optische Element 202 so ausgerichtet, dass sich der erste Fokus 208 in der Position des Zinnplasmas 224 und der zweite Fokus 210 in der Fokusblende 214, insbesondere in der Blendenebene E, befindet. Die Ausrichtung des ersten Modul 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 erfolgt dabei ohne Vakuum. Dies verhindert ein Zünden des Zinnplasmas 224.To the first module 200 and the second module 216 to align each other, is preferably the first module 200 or only the optical element 202 aligned so that the first focus 208 in the position of the tin plasma 224 and the second focus 210 in the focus aperture 214 , especially in the diaphragm plane e , is located. The orientation of the first module 200 relative to the second module 216 takes place without vacuum. This prevents ignition of the tin plasma 224 ,

3 zeigt eine weitere stark vereinfachte schematische Ansicht der EUV-Lithographieanlage 100 A. Das zweite Modul 216 umfasst hierbei eine Vermessungseinrichtung 228 zum Vermessen, das heißt, zum Bestimmen der Lage, des optischen Elements 202 beziehungsweise des ersten Moduls 200. Die Vermessungseinrichtung 228 kann ein Mikroskop sein. Die Vermessungseinrichtung 228 umfasst einen Fokus 230, der in der Blendenebene E positioniert ist. Im Idealfall, das heißt, dann, wenn die Module 200, 216 optimal zueinander ausgerichtet sind, entspricht der Fokus 230 der Vermessungseinrichtung 228 dem zweiten Fokus 210 des optischen Elements 202. 3 shows another highly simplified schematic view of the EUV lithography system 100 A , The second module 216 this includes one measuring device 228 for measuring, that is, for determining the position of the optical element 202 or the first module 200 , The measuring device 228 can be a microscope. The measuring device 228 includes a focus 230 who is in the aperture plane e is positioned. Ideally, that is, then, if the modules 200 . 216 are optimally aligned with each other, corresponds to the focus 230 the surveying device 228 the second focus 210 of the optical element 202 ,

Die Vermessungseinrichtung 228 ist außerhalb des ersten Moduls 200, insbesondere außerhalb eines von dem ersten Modul 200, insbesondere einem Gehäuse 232 des ersten Moduls 200, umschlossenen Bauraums 234, angeordnet. Die Vermessungseinrichtung 228 ist fest mit dem zweiten Modul 216 verbunden und/oder ist Teil von diesem. Insbesondere kann die Vermessungseinrichtung 228 in einem von dem zweiten Modul 216, insbesondere von einem Gehäuse 236 des zweiten Moduls 216, umschlossenen Bauraum 238 angeordnet sein.The measuring device 228 is outside the first module 200 , especially outside of the first module 200 , in particular a housing 232 of the first module 200 , enclosed space 234 arranged. The measuring device 228 is fixed to the second module 216 connected and / or is part of this. In particular, the surveying device 228 in one of the second module 216 , in particular of a housing 236 of the second module 216 , enclosed space 238 be arranged.

Die Vermessungseinrichtung 228 umfasst einen Strahlteiler 240, beispielsweise einen halbdurchlässigen Spiegel, und eine Lichtquelle 242, insbesondere eine Laserquelle. Ferner umfasst die Vermessungseinrichtung 228 einen Lichtdetektor 244. Der Lichtdetektor 244 kann ein CCD-Sensor sein oder einen CCD-Sensor umfassen. Der Lichtdetektor 244 ist geeignet, die Intensität von auf diesen einfallenden Licht zu bestimmen. Die Vermessungseinrichtung 228 kann ferner mehrere optische Elemente 246, 248, 250, insbesondere Linsen und/oder Spiegel, umfassen. Der Lichtdetektor 244 beziehungsweise die Vermessungseinrichtung 228 kann eine Recheneinheit oder einen Rechner zum Auswerten von Messwerten oder Signalen, die von dem Lichtdetektor 244 erzeugt werden, umfassen.The measuring device 228 includes a beam splitter 240 For example, a semitransparent mirror, and a light source 242 , in particular a laser source. Furthermore, the surveying device comprises 228 a light detector 244 , The light detector 244 may be a CCD sensor or include a CCD sensor. The light detector 244 is suitable for determining the intensity of light incident thereon. The measuring device 228 can also have several optical elements 246 . 248 . 250 , in particular lenses and / or mirrors. The light detector 244 or the surveying device 228 can be a computing unit or a computer for evaluating measured values or signals from the light detector 244 be generated include.

Zum Vermessen und Ausrichten des optischen Elements 202 wird der Bauraum 234 zwischen dem optischen Element 202 und der Fokusblende 214 zumindest teilweise mit einem fluoreszenzfähigen Gas 252 gefüllt. Unter „Fluoreszenz“ ist vorliegend die spontane Emission von Licht kurz nach der Anregung einer Substanz zu verstehen. Fluoreszenzfähige Substanzen lassen sich durch ultraviolettes Licht in einen energetisch höheren angeregten Zustand versetzen. Diese Anregungsenergie wird durch Licht, die sogenannte Fluoreszenz, wieder abgegeben. Die Fluoreszenz kann vorliegend auch als Fluoreszenzlicht bezeichnet werden. Die Wellenlänge der Fluoreszenz ist charakteristisch für die angeregte Substanz, die Intensität derselben ist proportional zu der Menge der Substanz und der Intensität des anregenden Lichts. Das fluoreszenzfähige Gas 252 wird nachfolgend nur als Gas 252 bezeichnet.For measuring and aligning the optical element 202 becomes the installation space 234 between the optical element 202 and the focus aperture 214 at least partially with a fluorescent gas 252 filled. By "fluorescence" is meant in the present case the spontaneous emission of light shortly after the excitation of a substance. Fluorescent substances can be converted by ultraviolet light in an energetically higher excited state. This excitation energy is released by light, the so-called fluorescence. In the present case, the fluorescence can also be referred to as fluorescent light. The wavelength of the fluorescence is characteristic of the excited substance, the intensity of which is proportional to the amount of the substance and the intensity of the exciting light. The fluorescent gas 252 is subsequently only as gas 252 designated.

Das Gas 252 kann als fluoreszenzfähige Substanzen beispielsweise bestimmte ungesättigte Kohlenwasserstoffe oder Schwefeldioxid umfassen. Vorzugsweise ist das Gas 252 ein Gasgemisch mit einer genau definierten Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz. Beispielsweise ist das Gas 252 ein sogenanntes Kalibriergasgemisch mit genau bekannter Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz. Die Intensität der Fluoreszenz ist dabei proportional zu der bekannten Menge der in dem Gas 252 enthaltenen fluoreszenzfähigen Substanz. Die Intensität ist ferner, wie zuvor erwähnt, auch proportional zu der Intensität des anregenden Lichts.The gas 252 may include as fluorescent substances, for example, certain unsaturated hydrocarbons or sulfur dioxide. Preferably, the gas 252 a gas mixture with a well-defined concentration of the fluorescent substance. For example, the gas 252 a so-called calibration gas mixture with a precisely known concentration of the fluorescent substance. The intensity of the fluorescence is proportional to the known amount of the in the gas 252 contained fluorescent substance. The intensity is also, as previously mentioned, also proportional to the intensity of the exciting light.

Als Gas 252 können beispielsweise die Kalibriergasgemische Traceline, Labline oder Topline eingesetzt werden, die jeweils unterschiedliche Konzentrationen der fluoreszenzfähigen Substanz aufweisen sowie unterschiedliche Toleranzen und Genauigkeiten hinsichtlich der Konzentrationen der fluoreszenzfähigen Substanz umfassen. Beispielsweise umfasst das Kalibriergasgemisch Traceline eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 5 ppb bis 1000 ppb bei einer Genauigkeit von etwa 5% und einer Toleranz von etwa 10%, das Kalibriergasgemisch Labline umfasst beispielsweise eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 1 ppm bis 100% bei einer Genauigkeit von 2% und einer Toleranz von 5%, und das Kalibriergasgemisch Topline umfasst eine Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz von 10 ppm bis 100% bei einer Genauigkeit von weniger als 1% und einer Toleranz von weniger als 5%.As gas 252 For example, the calibration gas mixtures Traceline, Labline or Topline can be used, each of which has different concentrations of the fluorescent substance and different tolerances and accuracies with regard to the concentrations of the fluorescent substance. For example, the calibration gas mixture Traceline comprises a concentration of the fluorescent substance from 5 ppb to 1000 ppb with an accuracy of about 5% and a tolerance of about 10%, the calibration gas mixture Labline for example, a concentration of the fluorescent substance from 1 ppm to 100% with accuracy of 2% and a tolerance of 5%, and the Topline calibration gas mixture comprises a concentration of the fluorescent substance from 10 ppm to 100% with an accuracy of less than 1% and a tolerance of less than 5%.

Zum Bestimmen der Lage des optischen Elements 202 und damit des ersten Moduls 200 emittiert die Lichtquelle 242 Licht 254, insbesondere einen Laserstrahl, bekannter Wellenlänge und Intensität. Die Wellenlänge des Lichts 254 ist auf die chemische Zusammensetzung der fluoreszenzfähigen Substanz abgestimmt, so dass das Licht 254 dazu eingerichtet ist, die fluoreszenzfähigen Substanz anzuregen und so Fluoreszenz 256 zu erzeugen. Unter „Lichtstärke“ oder „Intensität“ ist vorliegend eine Leistung pro Flächeneinheit (SI-Einheit: Wm^-2) zu verstehen. Für eine vorgegebene Fläche berechnet sich die Intensität als Quotient aus der durch die Fläche übertragenen Leistung und der Größe der Fläche.For determining the position of the optical element 202 and thus the first module 200 emits the light source 242 light 254 , In particular a laser beam, known wavelength and intensity. The wavelength of the light 254 is tuned to the chemical composition of the fluorescent substance, so that the light 254 is designed to excite the fluorescent substance and so fluorescence 256 to create. In the present case, "intensity" or "intensity" is understood to mean a power per unit area (SI unit: Wm ^-2 ). For a given area, the intensity is calculated as the quotient of the power transmitted through the area and the size of the area.

Das Licht 254 wird von dem Strahlteiler 240 in Richtung des optischen Elements 202 reflektiert. Das Gas 252 beziehungsweise die in dem Gas 252 enthaltende fluoreszenzfähige Substanz wird von dem Licht 254 angeregt, wodurch das Gas 252 eine fluoreszierende Lichtquelle bildet, die die Fluoreszenz 256 in verschiedene Richtungen, beispielsweise kugelförmig, emittiert. Die Fluoreszenz 256 wird von dem optischen Element 202 gesammelt und in Richtung des zweiten Moduls 216 reflektiert. Die Fluoreszenz 256 wird dabei in dem zweiten Fokus 210 gebündelt, der nach dem Ausrichten des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 idealerweise in der Blendenebene E liegt. In diesem Fall stimmt der zweite Fokus 210 mit dem Fokus 230 der Vermessungseinrichtung 228 überein. Vor dem Ausrichten der Module 200, 216 zueinander kann der zweite Fokus 210 des optischen Elements 202 jedoch auch außerhalb der Blendenebene E liegen, so dass der zweite Fokus 210 nicht mit dem Fokus 230 der Vermessungseinrichtung 228 übereinstimmt.The light 254 is from the beam splitter 240 in the direction of the optical element 202 reflected. The gas 252 or in the gas 252 containing fluorescent substance is from the light 254 stimulated, causing the gas 252 a fluorescent light source that forms the fluorescence 256 in different directions, such as spherical, emitted. The fluorescence 256 is from the optical element 202 collected and towards the second module 216 reflected. The fluorescence 256 is doing in the second focus 210 bundled after aligning the first module 200 relative to the second module 216 ideally in the aperture plane e lies. In this case, the second focus is right 210 with the focus 230 the surveying device 228 match. Before aligning the modules 200 . 216 each other can be the second focus 210 of the optical element 202 but also outside the aperture plane e lie, leaving the second focus 210 not with the focus 230 the surveying device 228 matches.

Die Intensität der Fluoreszenz 256 in der Blendenebene E ist, wie zuvor erwähnt, direkt proportional zu der bekannten Konzentration der fluoreszenzfähigen Substanz in dem Gas 252 und zu der bekannten Intensität des in den Bauraum 234 eingestrahlten Lichts 254. Wenn die Module 200, 216 ideal zueinander ausgerichtet sind, ist die Intensität der Fluoreszenz 256 in dem ersten Fokus 208 des optischen Elements 202 am höchsten. Die Fluoreszenz 256 wird von dem optischen Element 202 in den zweiten Fokus 210 abgebildet. Die Vermessungseinrichtung 228 sammelt die Fluoreszenz 256 auf dem Lichtdetektor 244.The intensity of fluorescence 256 in the aperture plane e is, as previously mentioned, directly proportional to the known concentration of the fluorescent substance in the gas 252 and the known intensity of the in the space 234 irradiated light 254 , If the modules 200 . 216 Ideally aligned, is the intensity of fluorescence 256 in the first focus 208 of the optical element 202 the highest. The fluorescence 256 is from the optical element 202 in the second focus 210 displayed. The measuring device 228 collects the fluorescence 256 on the light detector 244 ,

Das Bestimmen der Lage des optischen Elements 202 kann nun dadurch erfolgen, dass mit Hilfe des Lichtdetektors 244 die Intensität der Fluoreszenz 256 ortsaufgelöst am zweiten Fokus 210 bestimmt wird. Ziel der Ausrichtung des ersten Moduls 200 und/oder des optischen Elements 202 ist die Maximierung der Intensität am zweiten Fokus 210. Dies kann mit Hilfe einer Veränderung der Lage des optischen Elements 202 beziehungsweise des ersten Moduls 200, insbesondere durch Verschiebung und Rotation des optischen Elements 202 beziehungsweise des ersten Moduls 200 entlang der Richtungen x, y, z und eine Rotation um dieselben erfolgen. Bei einer Veränderung der Lage des optischen Elements 202 beziehungsweise des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 wird sich die Intensität verändern. Die Lage des optischen Elements 202 beziehungsweise des ersten Moduls 200 relativ zu dem zweiten Modul 216 wird solange verändert, bis ein Maximum der Intensität erreicht ist. Wenn dieses erreicht ist, ist das optische Element 202 beziehungsweise das erste Modul 200 ideal zu dem zweiten Modul 216 ausgerichtet.Determining the position of the optical element 202 can now be done by using the light detector 244 the intensity of fluorescence 256 spatially resolved at the second focus 210 is determined. Aim of the orientation of the first module 200 and / or the optical element 202 is the maximization of the intensity at the second focus 210 , This can be done by means of a change in the position of the optical element 202 or the first module 200 , in particular by displacement and rotation of the optical element 202 or the first module 200 along the directions x . y . z and rotate around them. When changing the position of the optical element 202 or the first module 200 relative to the second module 216 the intensity will change. The location of the optical element 202 or the first module 200 relative to the second module 216 is changed until a maximum intensity is reached. When this is achieved, the optical element is 202 or the first module 200 ideal for the second module 216 aligned.

Insbesondere kann, wie zuvor erwähnt und in der 4 gezeigt, mit Hilfe des Lichtdetektors 244 eine ortsaufgelöste Verteilung der Intensität oder Intensitätsverteilung der Fluoreszenz 256 detektiert werden. Die Fluoreszenz 256 resultiert in einer Lichtablage 258, beispielsweise einem Lichtpunkt, auf dem Lichtdetektor 244. Die Lichtablage 258 kann, wie in der 4 gezeigt, kreisrund sein, jedoch auch jede andere Geometrie aufweisen. Asymmetrien der Lichtablage 258 weisen beispielsweise auf eine unerwünschte Kippung des ersten Moduls 200 beziehungsweise des optischen Elements 202, das heißt, auf eine Rotation um die Richtungen x, y, hin. Das erste Modul 200 beziehungsweise das optische Element 202 kann dementsprechend ausgerichtet werden. Verschiebungen in der z-Richtung z verändern die Größe der Lichtablage 258.In particular, as previously mentioned and in the 4 shown with the help of the light detector 244 a spatially resolved distribution of the intensity or intensity distribution of the fluorescence 256 be detected. The fluorescence 256 results in a light storage 258 , for example, a light spot, on the light detector 244 , The light shelf 258 can, as in the 4 shown to be circular, but also have any other geometry. Asymmetries of the light storage 258 have, for example, an undesirable tilting of the first module 200 or of the optical element 202 that is, on a rotation around the directions x . y , go. The first module 200 or the optical element 202 can be aligned accordingly. Shifts in the z-direction z change the size of the light storage 258 ,

Das erste Modul 200 beziehungsweise das optische Element 202 werden solange manipuliert bis eine maximale Intensität erfasst wird. Bei maximaler Intensität ist eine optimale Ausrichtung des ersten Moduls 200 beziehungsweise des optische Elements 202 relativ zu dem zweiten Modul 216 erreicht. Verringert sich die Intensität bei einer weiteren Veränderung der Lage des ersten Moduls 200 beziehungsweise des optischen Elements 202 relativ zu dem zweiten Modul 216 wieder, bewegt sich das erste Modul 200 beziehungsweise das optische Element 202 wieder aus seiner Optimallage oder Solllage relativ zu dem zweiten Modul 216 heraus.The first module 200 or the optical element 202 are manipulated until a maximum intensity is detected. At maximum intensity is an optimal alignment of the first module 200 or the optical element 202 relative to the second module 216 reached. Reduces the intensity of a further change in the position of the first module 200 or of the optical element 202 relative to the second module 216 again, the first module moves 200 or the optical element 202 again from its optimum position or desired position relative to the second module 216 out.

Zum zueinander Ausrichten der Module 200, 216 beziehungsweise des optischen Elements 202 und des zweiten Moduls 216 kann eine Einstellvorrichtung, insbesondere ein Druckmechanismus, an zumindest einem der Module 200, 216 und/oder dem optischen Element 202 vorgesehen sein, um die Lage, das heißt, die Orientierung und/oder Position des ersten Moduls 200 mit dem optischen Element 202 beziehungsweise des optischen Elements 202 alleine relativ zu dem zweiten Modul 216 oder umgekehrt, einzustellen. Der Druckmechanismus kann Einstellschrauben und/oder Mikrometerschrauben umfassen. Mit anderen Worten ist eine Einstellung der Module 200, 216 und/oder des optischen Elements 202 zueinander, das heißt, die Lageänderung zueinander, beispielsweise durch ein Verschieben eines der beiden Module 200, 216 und/oder des optischen Elements 202 auf einer gemeinsamen Schnittstellen- beziehungsweise Interfacefläche vollziehbar. Ein Einbringen einer dazu benötigten Einstellkraft kann beispielsweise mittels Klopfens mit einem Werkzeug oder mittels des zuvor erwähnten Druckmechanismus erfolgen. Beispielsweise kann für eine Reduzierung einer Reibung beziehungsweise von Reibkräften dieser Prozess bei einer gewissen Gewichtsentlastung erfolgen, sodass auch die Einstellkraft verringert ist. Nach dem Ausrichten werden die Module 200, 216 fest miteinander verbunden, beispielsweise verschraubt.To align the modules 200 . 216 or of the optical element 202 and the second module 216 may be an adjusting device, in particular a printing mechanism, on at least one of the modules 200 . 216 and / or the optical element 202 be provided to the location, that is, the orientation and / or position of the first module 200 with the optical element 202 or of the optical element 202 alone relative to the second module 216 or vice versa. The pressure mechanism may include adjustment screws and / or micrometer screws. In other words, this is a setting of the modules 200 . 216 and / or the optical element 202 to each other, that is, the change in position to each other, for example by moving one of the two modules 200 . 216 and / or the optical element 202 executable on a common interface or interface surface. An introduction of a setting force required for this purpose can be done for example by knocking with a tool or by means of the aforementioned pressure mechanism. For example, for a reduction of friction or frictional forces, this process can take place with a certain weight reduction, so that the setting force is also reduced. After aligning the modules will be 200 . 216 firmly connected to each other, for example screwed.

5 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum zueinander Ausrichten des ersten Moduls 200 und des zweiten Moduls 216 beziehungsweise des optischen Elements 202 und des zweiten Moduls 216. In einem Schritt S1 wird das Gas 252 in das erste Modul 200 eingebracht. Das Gas 252 wird dabei in den Bauraum 234 des ersten Moduls 200 zwischen die Blendenebene E beziehungsweise die Fokusblende 214 und das optische Element 202, insbesondere die optisch wirksame Fläche 204 des optischen Elements 202, eingebracht. Der Bauraum 234 ist dabei nicht mit einem Vakuum beaufschlagt. Das Gas 252 befindet sich bevorzugt im Bereich des ersten Fokus 208 des optischen Elements 202. 5 shows a schematic block diagram of an embodiment of a method for aligning the first module to each other 200 and the second module 216 or of the optical element 202 and the second module 216 , In one step S1 becomes the gas 252 in the first module 200 brought in. The gas 252 is doing in the space 234 of the first module 200 between the aperture plane e or the focus aperture 214 and the optical element 202 , in particular the optically effective surface 204 of the optical element 202 , brought in. The installation space 234 is not subjected to a vacuum. The gas 252 is preferably in the range of the first focus 208 of the optical element 202 ,

In einem Schritt S2 wird das Gas 252 mit Hilfe des von dem zweiten Modul 216 durch die Blendenöffnung 218 in das erste Modul 200 einstrahlenden Lichts 254 angeregt, um die Fluoreszenz 256 zu erzeugen. Das Gas 252 wird in dem ersten Fokus 208 des optischen Elements 202 angeregt und die Fluoreszenz 256 wird von der optisch wirksame Fläche 204 des optischen Elements 202 eingesammelt und in dem zweiten Fokus 210 gebündelt. Im Idealfall liegt der zweite Fokus 210 in der Blendenebene E.In one step S2 becomes the gas 252 with the help of the second module 216 through the aperture 218 in the first module 200 radiating light 254 stimulated the fluorescence 256 to create. The gas 252 becomes in the first focus 208 of the optical element 202 stimulated and the fluorescence 256 is from the optically effective surface 204 of the optical element 202 collected and in the second focus 210 bundled. Ideally, the second focus is on 210 in the aperture plane e ,

In einem Schritt S3 wird die Intensität der Fluoreszenz 256 in der eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul 200 und dem zweiten Modul 216 bildenden Blendenebene E erfasst. Die Schnittstelle kann dabei die Fokusblende 214 sein. Die Fokusblende 214 liegt in der Blendenebene E oder bildet die Blendenebene E. Die Intensität wird mit Hilfe des Lichtdetektors 244 in der Blendenebene E ortsaufgelöst erfasst.In one step S3 will the intensity of fluorescence 256 in an interface between the first module 200 and the second module 216 forming aperture plane e detected. The interface can be the focus aperture 214 be. The focus aperture 214 lies in the aperture plane e or forms the aperture plane e , The intensity is determined by means of the light detector 244 in the aperture plane e recorded in a spatially resolved manner.

In einem Schritt S4 wird die Lage des ersten Moduls 200 oder die Lage des optischen Elements 202 relativ zu dem zweiten Modul 216 solange verändert, bis in der Blendenebene E ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz 256 erreicht wird. Hierbei kann, wie zuvor erwähnt, entweder die Lage des gesamten ersten Moduls 200 oder auch nur die Lage des optischen Elements 202 verändert werden. Die Intensität der Fluoreszenz 256 ist dabei direkt proportional zu der Intensität des zur Anregung verwendeten Lichts 254 und der Konzentration der in dem Gas 252 enthaltenen fluoreszenzfähigen Substanz. Die Substanz kann dabei beispielsweise ungesättigte Kohlenwasserstoffe, Schwefeldioxid oder andere geeignete fluoreszenzfähige Stoffe umfassen.In one step S4 becomes the location of the first module 200 or the position of the optical element 202 relative to the second module 216 changed as long as in the aperture plane e a maximum of the intensity of fluorescence 256 is reached. Here, as previously mentioned, either the position of the entire first module 200 or even only the position of the optical element 202 to be changed. The intensity of fluorescence 256 is directly proportional to the intensity of the light used for the excitation 254 and the concentration of the gas 252 contained fluorescent substance. The substance may include, for example, unsaturated hydrocarbons, sulfur dioxide or other suitable fluorescent substances.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described with reference to embodiments, it is variously modifiable.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100A100A: EUV-LithographieanlageEUV lithography system
100B100B: DUV-LithographieanlageDUV lithography system
102102: Strahlformungs- und BeleuchtungssystemBeam shaping and lighting system
104104: Projektionssystemprojection system
106A106A: EUV-LichtquelleEUV-light source
106B106B: DUV-LichtquelleDUV light source
108A108A: EUV-StrahlungEUV radiation
108B108B: DUV-StrahlungDUV radiation
110110: Spiegelmirror
112112: Spiegelmirror
114114: Spiegelmirror
116116: Spiegelmirror
118118: Spiegelmirror
120120: Photomaskephotomask
122122: Spiegelmirror
124124: Waferwafer
126126: optische Achseoptical axis
128128: Linselens
130130: Spiegelmirror
132132: Mediummedium
200200: Modulmodule
202202: optisches Elementoptical element
204204: optisch wirksame Flächeoptically effective surface
206206: Rückseiteback
208208: Fokusfocus
210210: Fokusfocus
212212: Obskurationobscuration
214214: Fokusblendefocus aperture
216216: Modulmodule
218218: Blendenöffnungaperture
220220: Lichtquellelight source
222222: Laserpulslaser pulse
224224: ZinnplasmaZinnplasma
226226: Lichtlight
228228: Vermessungseinrichtungmeasuring device
230230: Fokusfocus
232232: Gehäusecasing
234234: Bauraumspace
236236: Gehäusecasing
238238: Bauraumspace
240240: Strahlteilerbeamsplitter
242242: Lichtquellelight source
244244: Lichtdetektorlight detector
246246: optisches Elementoptical element
248248: optisches Elementoptical element
250250: optisches Elementoptical element
252252: Gasgas
254254: Lichtlight
256256: Fluoreszenzfluorescence
258258: Lichtablage light shelf
Ee: Blendenebenestop plane
M1M1: Spiegelmirror
M2M2: Spiegelmirror
M3M3: Spiegelmirror
M4M4: Spiegelmirror
M5M5: Spiegelmirror
M6M6: Spiegelmirror
S1S1: Schrittstep
S2S2: Schrittstep
S3S3: Schrittstep
S4S4: Schrittstep
xx: x-Richtungx-direction
yy: y-Richtungy-direction
zz: z-Richtungz-direction

Claims

Verfahren zum Ausrichten eines ersten Moduls (200) einer Lithographieanlage (100A, 100B) relativ zu einem zweiten Modul (216) der Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Einbringen (S1) eines fluoreszenzfähigen Gases (252) in das erste Modul (200), b) Anregen (S2) des fluoreszenzfähigen Gases (252), um eine Fluoreszenz (256) zu erzeugen, c) Erfassen (S3) einer Intensität der Fluoreszenz (256) in einer Blendenebene (E), die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul (200) und dem zweiten Modul (216) bildet, und d) Verändern (S4) einer Lage des ersten Moduls (200) relativ zu dem zweiten Modul (216) bis in der Blendenebene (E) ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz (256) erreicht wird.A method of aligning a first module (200) of a lithography system (100A, 100B) relative to a second module (216) of the lithography system (100A, 100B), comprising the steps of: a) introducing (S1) a fluorescent gas (252) into the first module (200), b) exciting (S2) the fluoresceable gas (252) to produce fluorescence (256), c) detecting (S3) an intensity of the fluorescence (256) in an aperture plane (E) which forms an interface between the first module (200) and the second module (216), and d) changing (S4) a position of the first module (200) relative to the second module (216) until in the diaphragm plane (E) a maximum of the intensity of the fluorescence (256) is reached.

Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Schritt a) das erste Modul (200) rein mechanisch relativ zu dem zweiten Modul (216) ausgerichtet wird.Method according to Claim 1 wherein, prior to step a), the first module (200) is aligned purely mechanically relative to the second module (216).

Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei in dem Schritt b) die Fluoreszenz (256) an einer optisch wirksamen Fläche (204) des ersten Moduls (200) in die Blendenebene (E) reflektiert wird.Method according to Claim 1 or 2 , wherein in step b) the fluorescence (256) on an optically active surface (204) of the first module (200) is reflected in the diaphragm plane (E).

Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei in dem Schritt a) das fluoreszenzfähige Gas (252) in einen zwischen einem optischen Element (202) des ersten Moduls (200) und der Blendenebene (E) vorgesehenen Bauraum (234) des ersten Moduls (200) eingebracht wird.Method according to one of Claims 1 - 3 , wherein in step a) the fluorescence-capable gas (252) is introduced into an installation space (234) of the first module (200) provided between an optical element (202) of the first module (200) and the diaphragm plane (E).

Verfahren nach Anspruch 4, wobei in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas (252) an einem ersten Fokus (208) des optischen Elements (202) angeregt wird.Method according to Claim 4 wherein, in step b), the fluorescent gas (252) is excited at a first focus (208) of the optical element (202).

Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei in dem Schritt c) zum Erfassen der Intensität der Fluoreszenz (256) die Fluoreszenz (256) in einem zweiten Fokus (210) des optischen Elements (202) fokussiert wird.Method according to Claim 4 or 5 in which, in step c) for detecting the intensity of the fluorescence (256), the fluorescence (256) is focused in a second focus (210) of the optical element (202).

Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, wobei in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas (252) aus dem zweiten Modul (216) heraus angeregt wird.Method according to one of Claims 1 - 6 in which step b) the fluoresceable gas (252) is excited out of the second module (216).

Verfahren nach einem der Ansprüche 1-7, wobei in dem Schritt b) das fluoreszenzfähige Gas (252) mit Hilfe von Licht (254), das aus dem zweiten Modul (216) in das erste Modul (200) einfällt, angeregt wird.Method according to one of Claims 1 - 7 in which, in step b), the fluorescent gas (252) is excited by means of light (254) incident from the second module (216) into the first module (200).

Verfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt b) das Licht (254) durch eine in der Blendenebene (E) angeordnete Blendenöffnung (218) aus dem zweiten Modul (216) in das erste Modul (200) einfällt.Method according to Claim 8 in which, in step b), the light (254) enters the first module (200) from the second module (216) through an aperture (218) arranged in the diaphragm plane (E).

Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9, wobei in dem Schritt c) die Intensität der Fluoreszenz (256) mit Hilfe eines Lichtdetektors (244) ortsaufgelöst erfasst wird.Method according to one of Claims 1 - 9 , wherein in step c) the intensity of the fluorescence (256) is detected spatially resolved by means of a light detector (244).

Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10, wobei in dem Schritt a) das fluoreszenzfähige Gas (252) als Gasgemisch, insbesondere Traceline, Labline oder Topline, mit einer definierten Konzentration einer fluoreszenzfähigen Substanz eingebracht wird.Method according to one of Claims 1 - 10 , wherein in step a) the fluorescent gas (252) is introduced as a gas mixture, in particular Traceline, Labline or Topline, with a defined concentration of a fluorescent substance.

Lithographieanlage (100A, 100B) aufweisend ein erstes Modul (200), ein zweites Modul (216), und eine mit dem zweiten Modul (216) verbundene Vermessungseinrichtung (228), die dazu eingerichtet ist, mit Hilfe von Licht (254) ein in das erste Modul (200) eingebrachtes fluoreszenzfähiges Gas (252) anzuregen, um eine Fluoreszenz (256) zu erzeugen, und die dazu eingerichtet ist, in einer Blendenebene (E), die eine Schnittstelle zwischen dem ersten Modul (200) und dem zweiten Modul (216) bildet, eine Intensität der Fluoreszenz (256) zu erfassen, um eine Lage des ersten Moduls (200) relativ zu dem zweiten Modul (216) zu verändern, bis in der Blendenebene (E) ein Maximum der Intensität der Fluoreszenz (256) erreicht ist.Lithography system (100A, 100B) comprising a first module (200), a second module (216), and a measurement device (228) connected to the second module (216) and configured to excite by means of light (254) a fluoresceable gas (252) introduced into the first module (200) to produce fluorescence (256) and which is adapted to detect an intensity of the fluorescence (256) in a diaphragm plane (E), which forms an interface between the first module (200) and the second module (216), in order to detect a position of the first module (E). 200) relative to the second module (216) until in the diaphragm plane (E) a maximum of the intensity of the fluorescence (256) is reached.

Lithographieanlage nach Anspruch 12, wobei die Vermessungseinrichtung (228) in dem zweiten Modul (216) angeordnet ist.Lithography plant after Claim 12 wherein the surveying device (228) is arranged in the second module (216).

Lithographieanlage nach Anspruch 12 oder 13, wobei das erste Modul (200) ein optisches Element (202), insbesondere einen Ellipsoidspiegel, aufweist, das dazu eingerichtet ist, die Fluoreszenz (256) in der Blendenebene (E) zu fokussieren. Lithography plant after Claim 12 or 13 wherein the first module (200) comprises an optical element (202), in particular an ellipsoidal mirror, which is arranged to focus the fluorescence (256) in the diaphragm plane (E).

Lithographieanlage nach einem der Ansprüche 12-14, wobei die Vermessungseinrichtung (228) eine Lichtquelle (242) aufweist, die dazu eingerichtet ist, das Licht (254) von dem zweiten Modul (216) in Richtung des ersten Moduls (200) zu emittieren.Lithography plant according to one of Claims 12 - 14 wherein the surveying device (228) comprises a light source (242) adapted to emit the light (254) from the second module (216) towards the first module (200).