DE102017213339A1 - Circuit arrangement and method for producing a circuit arrangement - Google Patents

Abstract

Offenbart wird eine Schaltungsanordnung (SA), umfassend Leiterbahnen (LB1, LB2), welche thermisch spritzbeschichtet und anschließend entsprechend dem Schaltungslayout der Schaltungsanordnung (SA) durch selektive Laserablation ausgebildet sind. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung gezeigt.Disclosed is a circuit arrangement (SA) comprising printed conductors (LB1, LB2), which are thermally spray-coated and subsequently formed in accordance with the circuit layout of the circuit arrangement (SA) by selective laser ablation. Furthermore, a method for producing a circuit arrangement is shown.

Description

Technisches Gebiet:Technical area:

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung, insbesondere für Leistungselektronik. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung.The present invention relates to a circuit arrangement, in particular for power electronics. Furthermore, the invention relates to a method for producing a circuit arrangement.

Stand der Technik und Aufgabe der Erfindung:State of the art and object of the invention:

Schaltungsanordnungen, insbesondere leistungselektronische Schaltungsanordnungen, werden in technischen Vorrichtung von nahezu allen technischen Bereichen, insbesondere vom Automobilbereich, verwendet, wo für die technischen Vorrichtungen Signale bearbeitet oder Steuerungen oder Regelungen durchgeführt werden.Circuit arrangements, in particular power electronic circuit arrangements, are used in technical apparatus of almost all technical fields, in particular in the automotive sector, where signals are processed or controls or arrangements are made for the technical devices.

Dabei besteht die allgemeine Anforderung, die technischen Vorrichtungen und somit auch die Schaltungsanordnungen möglichst leicht und kompakt zu bauen.There is the general requirement to build the technical devices and thus also the circuit arrangements as lightweight and compact as possible.

Damit besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Möglichkeit bereitzustellen, mit der eine Schaltungsanordnung leicht und kompakt gebaut werden kann.Thus, the object of the present invention is to provide a way in which a circuit arrangement can be built easily and compactly.

Beschreibung der Erfindung:Description of the invention:

Diese Aufgabe wird durch Gegenstände der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.This object is solved by subject matters of the independent claims. Advantageous embodiments are the subject of the dependent claims.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Schaltungsanordnung, insbesondere für Leistungselektronik, bereitgestellt.According to one aspect of the invention, a circuit arrangement, in particular for power electronics, is provided.

Die Schaltungsanordnung umfasst Leiterbahnen, welche durch thermisches Spritzen und anschließende selektive Laserablation, insbesondere entsprechend dem Schaltungslayout der Schaltungsanordnung, ausgebildet sind.The circuit arrangement comprises strip conductors which are formed by thermal spraying and subsequent selective laser ablation, in particular in accordance with the circuit layout of the circuit arrangement.

Die Leiterbahnen sind durch selektives Abtragen von mindestens einer Leiterbahnschicht unter einer Laserbestrahlung ausgebildet, wobei die mindestens eine Leiterbahnschicht an sich durch thermisches Spritzbeschichten ausgebildet ist.The conductor tracks are formed by selective removal of at least one conductor track layer under a laser irradiation, wherein the at least one conductor track layer per se is formed by thermal spray coating.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass bei einer Schaltungsanordnung die Leiterbahnen, insbesondere deren Bahnbreite und räumliche Abstände zueinander unter anderem maßgebend für die Dimensionierung und somit für die Baugröße und das Gewicht der Schaltungsanordnung verantwortlich sind.The invention is based on the finding that, in the case of a circuit arrangement, the interconnects, in particular their web width and spatial distances, are responsible, inter alia, decisively for the dimensioning and thus for the size and weight of the circuit arrangement.

Durch die Reduzierung der Bahnbreite und der räumlichen Abstände der Leiterbahnen kann eine Schaltungsanordnung leicht und kompakt gebaut werden.By reducing the web width and the spatial distances of the tracks, a circuit arrangement can be built easily and compact.

Im Rahmen der Erfindung wurde erkannt, dass das thermische Spritzen ein vielsprechendes Verfahren ist, die Leiterbahnen mit geringen Bahnbreiten und räumlichen Abständen von ca. 1 Millimeter herzustellen.Within the scope of the invention, it has been recognized that thermal spraying is a promising method for producing conductor tracks with narrow track widths and spacings of about 1 millimeter.

Dabei erwiesen sich die Bahnbreiten und die räumlichen Abstände von ca. 1 Millimeter weiterhin nicht ausreichend gering, insbesondere wenn mit den Leiterbahnen leichte und kompakte Fine-Pitch-Bauelemente ohne zusätzliche Verdrahtungsebene, wie z. B. Bonddrähte, direkt elektrisch kontaktiert werden sollen, was ein Rastermaß von unter 1 Millimeter, insbesondere von ca. 0,5 Millimeter, voraussetzt.In this case, the web widths and the spatial distances of about 1 millimeter still proved insufficiently low, especially if with the tracks light and compact fine-pitch devices without additional wiring level, such. As bonding wires to be contacted directly electrically, which requires a pitch of less than 1 millimeter, in particular of about 0.5 millimeters.

Die Öffnungen in Maskierungen, welche beim thermischen Spritzen zur Bildung der Leiterbahnstruktur verwendet werden, schränken jedoch ein, Leiterbahnen mit einer geringen Breite bzw. einem geringen Abstand von unter 1 Millimeter herzustellen.However, the openings in masks used in thermal spraying to form the wiring pattern restrict the making of traces having a narrow width of less than 1 millimeter.

Um die Bahnbreiten und die räumlichen Abstände der Leiterbahnen dennoch weiter reduzieren und somit eine direkte elektrische Kontaktierung von Fine-Pitch-Bauelementen ermöglichen zu können, wurde im Rahmen der Erfindung die thermisch spritzbeschichtete Leiterbahnschicht durch anschließende selektive Laserablation entsprechend dem Schaltungslayout solange abgetragen, bis eine Leiterbahnstruktur mit Leiterbahnen hergestellt ist, welche den oben genannten Rastermaß erfüllen.In order to further reduce the web widths and the spatial distances of the interconnects and thus to enable direct electrical contacting of fine pitch components, the thermally spray-coated interconnect layer was removed by subsequent selective laser ablation in accordance with the circuit layout until a trace structure was obtained is produced with conductor tracks, which meet the above grid.

Während der selektiven Laserablation wird von der thermisch spritzbeschichteten Leiterbahnschicht das Leiterbahn-Material durch Beschuss mit beispielsweise gepulster Laserstrahlung mit beispielsweise CO2- oder Fasen-Laser, abgetragen, bis die Leiterbahnstruktur mit dem oben genannten Rastermaß ausgebildet wird.During the selective laser ablation, the conductor track material is removed from the thermally spray-coated conductor track layer by bombardment with, for example, pulsed laser radiation with, for example, CO2 or laser lasers, until the track structure is formed with the above-mentioned grid dimension.

Damit ist eine Möglichkeit bereitgestellt, mit der eine Schaltungsanordnung leicht und kompakt gebaut werden kann.This provides a possibility with which a circuit arrangement can be built easily and compactly.

Dabei können die Leiterbahnen entweder am Ende des thermischen Spritzvorganges der gesamten Leiterbahnschicht mittels der Laserablation freigeschnitten werden.In this case, the interconnects can be cut free either by the end of the thermal spraying process of the entire interconnect layer by laser ablation.

Alternativ und insbesondere bei mehrlagigen Leiterbahnen und bei Überdeckung einiger der Leiterbahn-Lagen mit Isolierschichten können die Leiterbahnen noch während des thermischen Spritzprozesses mittels der Laserablation freigeschnitten werden.Alternatively and in particular in the case of multilayer interconnects and when covering some of the interconnect layers with insulating layers, the interconnects can still be cut free during the thermal spraying process by means of laser ablation.

Beispielsweise weisen die Leiterbahnen eine Leiterbahnbreite von und kleiner als 0,75 Millimeter, insbesondere von und kleiner als 0,5 Millimeter, auf. For example, the interconnects have a track width of and less than 0.75 millimeters, in particular of and less than 0.5 millimeters, on.

Beispielsweise weist der Leiterbahnabstand zwischen den Leiterbahnen, welche nebeneinander liegen, von und kleiner als 0,75 Millimeter, insbesondere von und kleiner als 0,5 Millimeter, auf.For example, the interconnect spacing between the interconnects, which are adjacent to each other, of and less than 0.75 millimeters, in particular of and less than 0.5 millimeters, on.

Beispielsweise umfasst die Schaltungsanordnung ferner mindestens eine elektrisch isolierende und thermisch leitende Isolierschicht, welche durch thermisches Spritzen ausgebildet ist. Die Leiterbahnen sind auf der mindestens einen Isolierschicht angeordnet.For example, the circuit arrangement further comprises at least one electrically insulating and thermally conductive insulating layer, which is formed by thermal spraying. The conductor tracks are arranged on the at least one insulating layer.

Beispielsweise umfasst die Schaltungsanordnung ferner einen Kühlkörper zur Kühlung der Schaltungsanordnung. Die mindestens eine Isolierschicht ist beispielsweise auf einer Oberfläche des Kühlkörpers ausgebildet. Die Leiterbahnen sind beispielsweise auf einer von dem Kühlkörper abgewandten Oberfläche der mindestens einen Isolierschicht ausgebildet.For example, the circuit arrangement further comprises a heat sink for cooling the circuit arrangement. The at least one insulating layer is formed, for example, on a surface of the heat sink. The interconnects are formed, for example, on a surface remote from the heat sink surface of the at least one insulating layer.

Beispielsweise umfasst die Schaltungsanordnung ferner mindestens zwei Isolierschichten, welche übereinander angeordnet sind. Zwischen den mindestens zwei Isolierschichten ist mindestens eine der Leiterbahnen angeordnet, welche durch die mindestens zwei Isolierschichten von den restlichen Leiterbahnen und dem Kühlkörper elektrisch isoliert ist.For example, the circuit arrangement further comprises at least two insulating layers, which are arranged one above the other. Between the at least two insulating layers at least one of the conductor tracks is arranged, which is electrically insulated from the remaining conductor tracks and the heat sink by the at least two insulating layers.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung mit Leiterbahnen bereitgestellt.According to a further aspect of the invention, a method for producing a circuit arrangement with interconnects is provided.

Gemäß dem Verfahren wird durch thermisches Spritzen mindestens eine Leiterbahnschicht ausgebildet. Durch selektive Laserablation der mindestens einen Leiterbahnschicht, insbesondere entsprechend dem Schaltungslayout der Schaltungsanordnung, werden dann die Leiterbahnen ausgebildet.According to the method, at least one conductor track layer is formed by thermal spraying. By selective laser ablation of the at least one conductor track layer, in particular according to the circuit layout of the circuit arrangement, the conductor tracks are then formed.

Beispielsweise wird die mindestens eine Leiterbahnschicht auf mindestens einer Isolierschicht thermisch spritzbeschichtet.For example, the at least one conductor track layer is thermally spray-coated on at least one insulating layer.

Dabei wird die mindestens eine Isolierschicht beispielsweise auf einem Kühlkörper der Schaltungsanordnung thermisch spritzbeschichtet, also durch ein weiteres thermisches Spritzen ausgebildet.In this case, the at least one insulating layer is thermally spray-coated, for example, on a heat sink of the circuit arrangement, that is formed by a further thermal spraying.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der oben beschriebenen Schaltungsanordnung sind, soweit möglich, auf das oben genannte Verfahren übertragbar, auch als vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens anzusehen.Advantageous embodiments of the circuit arrangement described above are, as far as possible, transferable to the above-mentioned method, to be regarded as advantageous embodiments of the method.

Beschreibung der Zeichnung:Description of the drawing:

Im Folgenden wird eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung Bezug nehmend auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt eine einzige Figur in einer schematischen Seitenschnittdarstellung eine Schaltungsanordnung SA gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.In the following, an exemplary embodiment of the invention with reference to the accompanying drawings is explained in more detail. In this case, a single figure shows a schematic side sectional view of a circuit arrangement SA according to an embodiment of the invention.

Die Schaltungsanordnung SA umfasst einen Kühlkörper KK aus Aluminium zur Kühlung der Schaltungsanordnung SA.The circuit arrangement SA comprises a heat sink KK made of aluminum for cooling the circuit arrangement SA.

Die Schaltungsanordnung SA umfasst ferner mehrere elektrische Isolierschichten IS aus einer thermisch leitenden und elektrisch isolierenden Keramik, welche auf einer Oberfläche OF1 des Kühlkörpers KK in mehreren Schichten zueinander zumindest teilweise direkt oder indirekt überlappend angeordnet sind.The circuit arrangement SA further comprises a plurality of electrical insulating layers IS of a thermally conductive and electrically insulating ceramic, which are arranged on a surface OF1 of the heat sink KK in several layers at least partially directly or indirectly overlapping each other.

Die Isolierschichten IS sind durch thermisches Spritzen der Keramik ausgebildet. Dank dem thermischen Spritzen weisen die einzelnen Isolierschichten IS eine Schichtstärke von bzw. kleiner als 200 Mikrometer und somit eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit auf.The insulating layers IS are formed by thermal spraying of the ceramic. Thanks to thermal spraying, the individual insulating layers IS have a layer thickness of less than 200 micrometers and thus a very good thermal conductivity.

Die Schaltungsanordnung SA umfasst ferner mehrere erste Leiterbahnen LB1 aus Aluminium, welche auf mehreren Schichten zueinander zumindest teilweise indirekt überlappend ausgebildet sind. Dabei sind die ersten Leiterbahnen LB1 zwischen den Isolierschichten IS bzw. auf von dem Kühlkörper KK abgewandten Oberflächen OF2 der jeweiligen Isolierschichten IS angeordnet und somit durch die Isolierschichten IS voneinander und von dem Kühlkörper KK elektrisch isoliert.The circuit arrangement SA further comprises a plurality of first conductor tracks LB1 made of aluminum, which are formed on a plurality of layers at least partially indirectly overlapping. In this case, the first interconnects LB1 are disposed between the insulating layers IS or on surfaces OF2 of the respective insulating layers IS facing away from the cooling body KK and thus electrically insulated from one another and from the cooling body KK by the insulating layers IS.

Die Schaltungsanordnung SA umfasst ferner mehrere zweite Leiterbahnen LB2 aus Kupfer, welche auf von dem Kühlkörper KK abgewandten Oberflächen OF3 der außenliegenden ersten Leiterbahnen LB1 ausgebildet sind und lötbare Leiterbahnanschlüsse zur elektrischen Kontaktierung von Fine-Pitch-Bauelementen ausbilden.The circuit arrangement SA furthermore comprises a plurality of second conductor tracks LB2 made of copper, which are formed on surfaces OF3 of the outer first conductor tracks LB1 facing away from the heat sink KK and form solderable conductor track connections for electrical contacting of fine-pitch components.

Wie die Isolierschichten IS sind die ersten und die zweiten Leiterbahnen LB1, LB2 ebenfalls durch thermisches Spritzen ausgebildet. Dabei sind Leiterbahnstrukturen bzw. Leiterbahnverläufe der ersten und der zweiten Leiterbahnen LB1, LB2 durch selektive Laserablation im Anschluss des thermischen Spritzbeschichtens ausgebildet, wobei Leiterbahnschichten, welche durch thermisches Spritzbeschichteten auf den jeweiligen Isolierschichten IS ausgebildet sind, entsprechend dem Schaltungslayout der Schaltungsanordnung SA durch selektive Laserablation teilweise abgetragen und somit zu den jeweiligen Leiterbahnen LB1, LB2 geformt sind.Like the insulating layers IS, the first and second conductor tracks LB1, LB2 are also formed by thermal spraying. In this case, conductor track structures or traces of the first and second conductor tracks LB1, LB2 are formed by selective laser ablation following the thermal spray coating, wherein trace layers formed by thermal spray coating on the respective insulating layers IS partially corresponding to the circuit layout of the circuit SA by selective laser ablation removed and thus formed to the respective conductor tracks LB1, LB2.

Zur Herstellung der Schaltungsanordnung SA wird zuerst der Kühlkörper KK aus Aluminium in einem Gieß- oder Strangpressverfahren in einer dem Fachmann bekannten Weise hergestellt.To produce the circuit arrangement SA, the heat sink KK made of aluminum is first produced in a casting or extrusion process in a manner known to the person skilled in the art.

Auf der Oberfläche OF1 des Kühlkörpers KK wird zunächst eine erste Isolierschicht IS aus der thermisch leitenden und elektrisch isolierenden Keramik durch ein thermisches Spritzen ausgebildet.On the surface OF1 of the heat sink KK, a first insulating layer IS of the thermally conductive and electrically insulating ceramic is first formed by thermal spraying.

Anschließend wird auf der Oberfläche OF2 der ersten Isolierschicht IS eine erste Leiterbahnschicht aus Aluminium durch ein weiteres thermisches Spritzen ausgebildet.Subsequently, a first conductor layer of aluminum is formed on the surface OF2 of the first insulating layer IS by a further thermal spraying.

Anschließend wird durch Beschuss mit gepulster Laserstrahlung von der ersten Leiterbahnschicht das Aluminiummaterial abgetragen (Laserablation) und somit eine erste Leiterbahnstruktur mit den ersten Leiterbahnen LB1 entsprechend dem Schaltungslayout geformt.Subsequently, the aluminum material is ablated (laser ablation) by bombardment with pulsed laser radiation from the first interconnect layer, and thus a first interconnect structure is formed with the first interconnects LB1 in accordance with the circuit layout.

Alternativ wird die Leiterbahnschicht noch während deren Herstellung durch thermisches Spritzens das Aluminiummaterial durch die Laserablation abgetragen.Alternatively, the conductor track layer is removed during its production by thermal spraying the aluminum material by the laser ablation.

Zur Bildung der weiteren Isolierschichten IS und der weiteren ersten Leiterbahnen LB1 werden die Schritte des thermischen Spritzens der jeweiligen weiteren Isolierschichten IS, des thermischen Spritzens und der Laserablation der jeweiligen weiteren Leiterbahnschichten in der oben beschriebenen Weise wiederholt, bis eine gewünschte mehrlagige Leiterbahnstruktur mit den ersten Leiterbahnen LB1 hergestellt wird.In order to form the further insulating layers IS and the further first printed conductors LB1, the steps of thermal spraying of the respective further insulating layers IS, the thermal spraying and the laser ablation of the respective further interconnect layers are repeated in the manner described above until a desired multilayer interconnect structure with the first interconnects LB1 is produced.

Durch abwechselnd ausgeführte Prozessvorgänge des thermischen Spritzens der Isolierschichten IS, des thermischen Spritzens der diversen Leiterbahnschichten sowie der Laserablation der Leiterbahnschichten kann somit eine mehrlagige Leiterbahnstruktur mit den zum Teil überlappenden ersten Leiterbahnen LB1 und zwischen den ersten Leiterbahnen LB1 eingelassenen Isolierschichten IS hergestellt werden.By alternately running process operations of the thermal spraying of the insulating layers IS, the thermal spraying of the various interconnect layers and the laser ablation of the interconnect layers thus a multilayer interconnect structure with the partially overlapping first interconnects LB1 and inset between the first interconnects LB1 insulative layers IS can be produced.

Anschließend werden auf den freien Oberflächen OF3 der außenliegenden ersten Leiterbahnen LB1 die zweiten Leiterbahnen LB1 aus Kupfer durch weiteres thermisches Spritzen und anschließende Laserablation ausgebildet.Subsequently, the second conductor tracks LB1 made of copper are formed on the free surfaces OF3 of the outer first conductor tracks LB1 by further thermal spraying and subsequent laser ablation.

Die Isolierschichten IS und die Leiterbahnen LB1, LB2 werden vorzugsweise unter der Maskierung ausgebildet.The insulating layers IS and the conductor tracks LB1, LB2 are preferably formed under the masking.

Beim thermischen Spritzbeschichten der Isolationsschichten IS werden an Stellen, wo elektrisch Verbindungen zwischen zwei von den jeweiligen Isolationsschichten IS elektrisch und räumlich getrennt liegenden Leiterbahnen LB1, LB2 hergestellt werden sollen, Öffnungen ausgebildet, an denen die Leiterbahnen LB1, LB2 miteinander elektrisch kontaktiert werden können.During thermal spray coating of the insulating layers IS, openings are formed at locations where electrical connections between two interconnects LB1, LB2 that are electrically and spatially separated from the respective insulating layers IS are to be produced, at which the interconnects LB1, LB2 can be electrically contacted with one another.

An den zweiten Leiterbahnen LB2 werden dann Kontaktflächen ausgebildet, an denen elektrische bzw. elektronische Bauteile, insbesondere Fine-Pitch-Bauelemente, beispielsweise durch Löten elektrisch und körperlich kontaktiert werden.Contact surfaces are then formed on the second interconnects LB2, at which electrical or electronic components, in particular fine-pitch components, are electrically and physically contacted, for example by soldering.

Die benötigten Breiten der Leiterbahnen LB1, LB2 und die Abstände zwischen den Leiterbahnen LB1, LB2 sowie die benötigten Kontaktflächen der zweiten Leiterbahnen LB2 werden mittels einer Laser, wie z. B. einer C02- oder Fasen-Laser, freigeschnitten, wobei die Laserenergie so eingestellt wird, dass die Isolationsschichten IS nicht durchgeschnitten werden. Dies dient der Vermeidung von unerwünschten elektrischen Kurzschüssen zwischen den Leiterbahnen LB1, LB2.The required widths of the interconnects LB1, LB2 and the distances between the interconnects LB1, LB2 and the required contact surfaces of the second interconnects LB2 by means of a laser, such as. B. a C02 or chamfer laser, cut free, wherein the laser energy is adjusted so that the insulating layers IS are not cut through. This serves to avoid unwanted electrical short-circuits between the interconnects LB1, LB2.

Es können Leiterbahnen LB1, LB2 mit einer Leiterbahnbreite von und kleiner als 0,5 Millimeter bzw. einem Leiterbahnabstand von und kleiner als 0,5 Millimeter ausgebildet werden. Insbesondere können die zweiten Leiterbahnen LB2 mit Lötflächen mit einer Flächenbreite von ca. 0,3 Millimeter und Abständen zwischen den Lötflächen von ca. 0,2 Millimeter hergestellt werden. Damit ermöglichen die zweiten Leiterbahnen LB2 ein Rastermaß von ca. 0,5 Millimeter und somit zur Herstellung elektrischer Lötverbindung von Fine-Pitch-Bauelementen.It can be formed conductor tracks LB1, LB2 with a track width of and less than 0.5 millimeters or a track spacing of less than and 0.5 mm. In particular, the second conductor tracks LB2 can be produced with soldering surfaces having a surface width of approximately 0.3 millimeter and spacings between the soldering surfaces of approximately 0.2 millimeter. Thus, the second tracks LB2 allow a pitch of about 0.5 millimeters and thus for the production of electrical solder joints of fine-pitch components.

Darüber hinaus können Bereiche der Leiterbahnen LB1, LB2 durch die selektive Laserablation abgetragen werden, sodass in diesen Bereichen Ausnehmungen AN bzw. Leiterbahnstruktur mit Unterbrechungen entsprechend dem Schaltungslayout ausgebildet werden.In addition, areas of the interconnects LB1, LB2 can be removed by the selective laser ablation, so that recesses AN or interconnect structure are formed with interruptions in accordance with the circuit layout in these areas.

Claims (9)

Schaltungsanordnung (SA), umfassend Leiterbahnen (LB1, LB2), welche durch thermisches Spritzen und anschließende selektive Laserablation ausgebildet sind.Circuit arrangement (SA) comprising printed conductors (LB1, LB2), which are formed by thermal spraying and subsequent selective laser ablation. Schaltungsanordnung (SA) nach Anspruch 1, wobei die Leiterbahnen (LB1, LB2) eine Leiterbahnbreite von und kleiner als 0,75 Millimeter, insbesondere von und kleiner als 0,5 Millimeter, aufweisen.Circuit arrangement (SA) according to Claim 1 , wherein the conductor tracks (LB1, LB2) have a track width of and less than 0.75 millimeters, in particular of and less than 0.5 millimeters. Schaltungsanordnung (SA) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Leiterbahnabstand zwischen den Leiterbahnen (LB1, LB2) von und kleiner als 0,75 Millimeter, insbesondere von und kleiner als 0,5 Millimeter, aufweist.Circuit arrangement (SA) according to Claim 1 or 2 , wherein the track spacing between the tracks (LB1, LB2) of and less than 0.75 millimeters, in particular of and less than 0.5 millimeters, has. Schaltungsanordnung (SA) nach einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend mindestens eine elektrisch isolierende und thermisch leitende Isolierschicht (IS), welche durch thermisches Spritzen ausgebildet ist, wobei die Leiterbahnen (LB1, LB2) auf der mindestens einen Isolierschicht (IS) angeordnet sind. Circuit arrangement (SA) according to one of the preceding claims, further comprising at least one electrically insulating and thermally conductive insulating layer (IS), which is formed by thermal spraying, wherein the conductor tracks (LB1, LB2) are arranged on the at least one insulating layer (IS). Schaltungsanordnung (SA) nach Anspruch 4, ferner umfassend einen Kühlkörper (KK) zur Kühlung der Schaltungsanordnung (SA), wobei die mindestens eine Isolierschicht (IS) auf einer Oberfläche (OF1) des Kühlkörpers (KK) ausgebildet ist, und die Leiterbahnen (LB1, LB2) auf einer von dem Kühlkörper (KK) abgewandten Oberfläche (OF2) der mindestens einen Isolierschicht (IS) ausgebildet sind.Circuit arrangement (SA) according to Claim 4 , further comprising a heat sink (KK) for cooling the circuit arrangement (SA), wherein the at least one insulating layer (IS) is formed on a surface (OF1) of the heat sink (KK), and the conductor tracks (LB1, LB2) on one of the Heat sink (KK) facing away from surface (OF2) of at least one insulating layer (IS) are formed. Schaltungsanordnung (SA) nach Anspruch 4 oder 5, ferner umfassend mindestens zwei Isolierschichten (IS), welche übereinander angeordnet sind, wobei zwischen den mindestens zwei Isolierschichten (IS) mindestens eine der Leiterbahnen (LB1) angeordnet ist, welche durch die mindestens zwei Isolierschichten (IS) von den restlichen Leiterbahnen (LB1, LB2) elektrisch isoliert ist.Circuit arrangement (SA) according to Claim 4 or 5 , further comprising at least two insulating layers (IS), which are arranged one above the other, wherein between the at least two insulating layers (IS) at least one of the conductor tracks (LB1) is arranged, which by the at least two insulating layers (IS) of the remaining conductor tracks (LB1, LB2) is electrically isolated. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung (SA) mit Leiterbahnen (LB1, LB2), umfassend folgende Schritte: - Ausbilden von mindestens einer Leiterbahnschicht durch thermisches Spritzen; - Ausbilden von Leiterbahnen (LB1, LB2) durch selektive Laserablation der mindestens einen Leiterbahnschicht.Method for producing a circuit arrangement (SA) with interconnects (LB1, LB2), comprising the following steps: - Forming of at least one conductor layer by thermal spraying; - Forming conductor tracks (LB1, LB2) by selective laser ablation of the at least one conductor track layer. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die mindestens eine Leiterbahnschicht auf mindestens einer Isolierschicht (IS) thermisch spritzbeschichtet wird.Method according to Claim 7 wherein the at least one conductor track layer is thermally spray-coated on at least one insulating layer (IS). Verfahren nach Anspruch 8, wobei die mindestens eine Isolierschicht (IS) auf einem Kühlkörper (KK) thermisch spritzbeschichtet wird.Method according to Claim 8 wherein the at least one insulating layer (IS) is thermally spray-coated on a heat sink (KK).

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