DE102017211833A1 - Elektrostatischer Einspanntisch - Google Patents

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Abstract

Ein elektrostatischer Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks beinhaltet: eine plattenförmige Basis, die für einen Laserstrahl, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, um dem Laserstrahl zu ermöglichen, durch das Werkstück zu transmittieren, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, die bezüglich des Laserstrahls, welche die vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht, die für den Laserstrahl, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt. Der elektrostatische Einspanntisch wird beim Ausbilden einer modifizierten Schicht in dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten ist, mit dem Laserstrahl, der auf dem Werkstück von der Seite der zweiten Oberfläche der Basis aufgebracht ist, verwendet.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektrostatischen Einspanntisch und eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die mit dem elektrostatischen Einspanntisch bereitgestellt ist.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Es ist ein Bearbeitungsverfahren bekannt, in dem eine Laserbearbeitungsvorrichtung verwendet wird, um einen Wafer mit Halbleitern oder optischen Bauelementen wie Licht emittierende Dioden (LEDs) usw., die daran ausgebildet sind, zu teilen, und die Teilung des Wafers startet an einer durch einen Laserstrahl modifizierten Schicht, die darin ausgebildet ist, die als Bruchstartpunkte wirkt (siehe das japanische Patent Nr. 3408805 ).
  • Das Bearbeitungsverfahren, das in dem japanische Patent Nr. 3408805 offenbart ist, ist sehr gut bei Wafern anwendbar, die innere Straßen aufweisen, weil es eine stark reduzierte Fugenbreite im Vergleich mit konventionellen Teilungsbearbeitung, die einen Wafer mit einer Schneidklinge schneiden, während Schneidwasser zu dem Wafer zugeführt wird, erreichen kann.
  • Das Bearbeitungsverfahren, das in dem japanische Patent Nr. 3408805 offenbart ist, ist auch hoch effektiv, weil mechanische Stöße, die auf dem Werkstück aufgebracht werden, sehr klein sind, wodurch es möglich wird, Wafer mit Mikrostrukturen, die als Mikro-Elektro-mechanische-Systeme (MEMSs) bekannt sind, die zum Beispiel daran ausgebildet sind, zu teilen, ohne die MEMS zu zerstören.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Der Laserstrahl weist eine solche Wellenlänge auf, sodass diese durch den Wafer transmittiert werden kann, jedoch nicht durch die Metallschichten von Schaltungen usw. der Bauelemente, die an dem Wafer ausgebildet sind, transmittiert werden kann. Darum, um die hintere Seite des Wafers, die keine Metallschichten aufweist, mit dem Laserstrahl bestrahlt zu können, ist es notwendig, die bauelementseitige Oberfläche des Wafers an der Halteroberfläche des Einspanntischs zu halten, speziell den Wafer ohne Testelementgruppenmuster (TEG) (Testelementmuster) an projizierten Teilungslinien auszugestalten und den Schritt des Entfernens eines TEG-Musters vorher bereitzustellen.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung einen elektrostatischen Einspanntisch bereitzustellen, der es ermöglicht, ein Werkstück mit einem Laserstrahl von der Seite der Halteroberfläche des Einspanntischs zu bearbeiten, während die Flächenseite der Werkstücke mit Metallschichten und Bauelementen, die daran ausgebildet sind, freiliegt, und die hintere Seite des Werkstücks an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs zu halten.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein elektrostatischer Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks bereitgestellt, umfassend: eine plattenförmige Basis, die bezüglich eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, um dem Laserstrahl zu ermöglichen, durch das Werkstück transmittiert zu werden, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche aufweist; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, die für den Laserstrahl durchlässig ist, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht, die für den Laserstrahl, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt; wobei der Einspanntisch dazu angepasst ist, verwendet zu werden, wenn der Laserstrahl auf dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten wird, von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis verwendet zu werden, um eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.
  • Vorzugsweise ist die vorbestimmte Wellenlänge in einem Bereich von 500–1400 nm.
  • Vorzugsweise beinhaltet das Werkstück einen Wafer mit mehreren MEMS-Bauelementen, die an einer Flächenseite davon ausgebildet sind, wobei der Wafer eine hintere Seite aufweist, die an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten ist.
  • Der elektrostatische Einspanntisch entsprechend der vorliegenden Ausführungsform ist dahingehend vorteilhaft, dass dieser es ermöglicht, das Werkstück mit dem Laserstrahl zu bearbeiten, während die Flächenseite des Werkstücks, an welcher Metallschichten und Bauelemente ausgebildet sind, frei liegt und die hintere Seite davon an der Halteroberfläche gehalten wird.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, die einen elektrostatischen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks und eine Bestrahlungseinheit für einen Laserstrahl zum Ausbilden einer modifizierten Schicht in dem Werkstück, das durch den elektrostatischen Einspanntisch gehalten ist, mit einem Laserstrahl, der eine Wellenlänge aufweist, die dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück transmittiert zu werden, beinhalte. Der elektrostatische Einspanntisch beinhaltet: eine plattenförmige Basis, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, was dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück zu strahlen, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, der bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht aufweist, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt. Das Werkstück weist eine hintere Seite, die an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten ist, auf und der Laserstrahl wird von der Bestrahlungseinheit für einen Laserstrahl auf dem Werkstück von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis aufgebracht, um eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bereitgestellt, das eine hintere Seite aufweist, die an einem elektrostatischen Einspanntisch gehalten ist, wobei der elektrostatische Einspanntisch eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche ist, aufweist, und beinhaltet: eine plattenförmige Basis, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, was dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück zu strahlen, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, der bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht aufweist, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte beinhaltet: Halten der hinteren Seite des Werkstücks an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs; und Ausbilden einer modifizierten Schicht in dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten ist, mit dem Laserstrahl, der durch den elektrostatischen Einspanntisch strahlt, durch Aufbringen des Laserstrahls auf dem Werkstück, der an der Halteroberfläche von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis gehalten ist.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen mit Bezug zu den angehängten Figuren, die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Werkstücks, das durch ein Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bearbeitet wird;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht des Werkstücks, das in 1 gezeigt ist, das an einem ringförmigen Rahmen getragen ist;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die strukturelle Details eine Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie IV-IV aus 3 gemacht wurde;
  • 5 ist eine Aufsicht, die strukturelle Details eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie VI-VI aus 5 gemacht wurde;
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie VII-VII aus 5 gemacht wurde;
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halteschritt des Bearbeitungsverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht des Bearbeitungsverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt; und
  • 10 ist eine Teilansicht im Querschnitt eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden detailliert im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Die vorliegende Erfindung sollte nicht so ausgelegt werden, dass sie durch die Details, die in den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben sind, beschränkt ist. Komponenten, die im Folgenden in den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben sind, sollen diese, die für den Fachmann offensichtlich sind, und diese, die im Wesentlichen identisch zu diesen sind, umfassen. Die Details, die im Folgenden beschrieben sind, können miteinander in verschiedenen Weisen kombiniert werden. Verschiedene Auslassungen, Ersetzungen und Modifikationen können in den darstellenden Ausführungsformen gemacht werden, ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Ein elektrostatischer Einspanntisch 1, eine Laserbearbeitungsvorrichtung 10 und ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks W (im Folgenden als ein Bearbeitungsverfahren bezeichnet) entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 1 zeigt perspektivisch das Werkstück W, das durch das Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform bearbeitet werden soll, und 2 zeigt perspektivisch das Werkstück W, das in 1 gezeigt ist, das an einem ringförmigen Rahmen F getragen ist.
  • Das Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform ist ein Verfahren zum Bearbeiten des Werkstücks W, das in 1 gezeigt ist. Entsprechend der ersten Ausführungsform beinhaltet das Werkstück W, das in 1 gezeigt ist, einen scheibenförmigen Halbleiter-Wafer oder einen optischen Bauelement-Wafer, der aus einem Basismaterial wie Silizium, Saphir, Gallium oder dergleichen ausgebildet ist. Wie in 1 gezeigt, ist das Werkstück W ein plattenförmiges Objekt, das Bauelemente D in jeweiligen Bereichen einer Flächenseite WS davon ausgebildet aufweist, die durch mehrere sich kreuzende projizierte Teilungslinien S getrennt sind. Die Bauelemente D können integrierte Schaltungen (ICs), Large-Scale-Integrations (LSIs) und Micro-Elektro-mechanische-Systeme (MEMSs) in den jeweiligen Bereichen aufweisen.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das Werkstück W an einem ringförmigen Rahmen F über eine Öffnung davon durch ein haftvermittelndes Band T, das auch als ein Teilungsband bezeichnet wird, getragen. Das haftvermittelnde Band T ist an einer hinteren Seite WR des Werkstücks W aufgebracht, die gegenüber der Seite WS ist, an welcher die Bauelemente D ausgebildet sind, und weist einen äußeren Randkantenabschnitt auf, der an dem ringförmigen Rahmen F angebracht ist. In der ersten Ausführungsform wird das Werkstück W, das an dem ringförmigen Rahmen 11 über der Öffnung davon durch das haftvermittelndes Band T getragen ist, in die einzelnen Bauelemente D durch das Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform geteilt. In der ersten Ausführungsform sind die MEMS-Bauelemente als Bauelemente D an der Flächenseite WS des Werkstücks W ausgebildet. Die Bauelemente D sind nicht auf die MEMS-Bauelemente beschränkt. In der ersten Ausführungsform, falls die Bauelemente D ICs oder LSIs sind, sollte das Werkstück W vorzugsweise Erhöhungen oder Chips an seiner Flächenseite WS und folglich Unregelmäßigkeiten an der Oberfläche aufweisen.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 entsprechend der ersten Ausführungsform wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 3 zeigt perspektivisch strukturelle Details der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 entsprechend der ersten Ausführungsform. 4 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie IV-IV aus 3 gemacht wurde. 5 zeigt in einer Aufsicht strukturelle Details eines elektrostatischen Einspanntischs entsprechend der ersten Ausführungsform. 6 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie VI-VI aus 5 gemacht wurde. 7 ist eine Querschnittsansicht, die entlang Linie VII-VII aus 5 gemacht wurde.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 bringt einen Laserstrahl L (siehe 9), der eine Wellenlänge aufweist, die dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück W transmittiert zu werden, von der hinteren Seite WR des Werkstücks W auf, während dieser entlang der projizierten Teilungslinien S läuft, wodurch eine modifizierte Schicht K (siehe 9) in dem Werkstück W ausgebildet wird, wobei die Schicht als Bruchstartpunkt wirkt. Die modifizierte Schicht K bezeichnet einen Bereich, dessen Dichte, Brechungsindex, mechanische Festigkeit und andere physikalischen Eigenschaften sich von denen eines umgebenden Bereichs des Werkstücks W unterscheiden. Die modifizierte Schicht K kann zum Beispiel ein geschmolzener Bereich, ein gerissener Bereich, ein Bereich mit dielektrischer Zersetzung, ein Bereich mit variierendem Brechungsindex oder ein Bereich sein, an dem alle diese Bereiche zusammen auftreten.
  • Wie in 3 gezeigt, beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 einen scheibenförmigen elektrostatischen Einspanntisch 1 zum Halten des Werkstücks W an der Halteroberfläche 1a (siehe 4) davon, eine Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl als ein Bearbeitungsmittel, ein X-Achsen-Bewegungsmittel 30 zum Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 und der Bestrahlungseinheit für einen Laserstrahl 20 relativ zueinander entlang von X-Achsen-Richtungen, ein Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 zum Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 und der Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl relativ zueinander entlang von Y-Achsen-Richtungen, ein Bildaufnahmemittel 50 und eine Steuerung 100.
  • Die Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl ist eine Einheit zum Bestrahlten des Werkstücks W, das an der Halteroberfläche 1a des elektrostatischen Einspanntischs 1 gehalten ist, mit dem Laserstrahl L, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, welche dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück W von der hinteren Seite WR davon transmittiert zu werden. Die Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl dient dazu, eine modifizierte Schicht K in dem Werkstück W mit dem Laserstrahl L auszubilden. Die Wellenlänge des Laserstrahls L, der von der Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl emittiert wird, ist in dem Bereich von 500–1400 Nanometern. Die Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl ist an dem distalen Ende eines Trägerarms 13 montiert, der mit seinem proximalen Ende an einer hervorstehenden Wand 12 verbunden ist, die an dem Vorrichtungskörper 11 der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 angebracht ist. Die Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl beinhaltet einen Oszillator, der nicht dargestellt ist, zum Oszillieren des Laserstrahls L und einen Strahlkondensor 22, um den Laserstrahl L von dem Oszillator zu konvergieren. Der Oszillator ist dazu in der Lage, die Frequenz des Laserstrahls L in Abhängigkeit von der Art des Werkstücks W und die Form, in welcher das Werkstück W bearbeitet wird, anzupassen. Der Strahlkondensor 22 beinhaltet einen total reflektierenden Spiegel zum Ändern der Richtung des Laserstrahls L von dem Oszillator und eine Kondensorlinse zum Konservieren des Laserstrahls L.
  • Das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 ist ein Bearbeitungs-Zufuhrmittel für eine Bearbeitungs-Zufuhr des elektrostatischen Einspanntischs 1 entlang der X-Achsen-Richtungen, die parallel zu beidem der Breitenrichtung des Vorrichtungskörpers 11 und einer horizontalen Richtung liegt, indem der elektrostatische Einspanntisch 1 entlang der X-Achsen-Richtungen bewegt wird. Das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 ist ein Index-Zufuhrmittel für eine Index Zufuhrrichtung des elektrostatischen Einspanntischs 1 entlang der Y-Achsen-Richtung, die parallel zu der horizontalen Richtung und senkrecht zu der X-Achsen-Richtung liegt, durch Bewegen des elektrostatischen Einspanntischs 1 entlang der Y-Achsen-Richtung. Das X-Achsen-Bewegungsmittel 30 und das Y-Achsen-Bewegungsmittel 40 beinhalten jeweils bekannte Kugelrollspindeln 31 und 41, die drehbar um ihre eigene Achse sind, und Paare bekannter Führungsschienen 33 und 43 an welchen der elektrostatische Einspanntisch 1 zum Bewegen entlang der X-Achsen-Richtungen und der Y-Achsen-Richtungen getragen ist. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 beinhaltet auch eine Dreh-Antriebsquelle 60 zum Drehen des elektrostatischen Einspanntischs 1 um seine zentrale Achse, die parallel zu der Z Achsen-Richtung ist, die senkrecht zu beiden der X-Achsen-Richtung und der Y-Achsen-Richtung liegt. Die Dreh-Antriebsquelle 60 ist an einem beweglichen Tisch 14 angeordnet, der entlang der X-Achsen-Richtungen durch das X-Bewegungsmittel 30 bewegt werden kann.
  • Das Bildaufnahmemittel 50, das dazu dient, das Werkstück W, das an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten ist, aufzunehmen, ist in einer neben der Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl entlang der X-Achsen-Richtung angeordnet. Entsprechend der ersten Ausführungsform ist das Bildgebungsmittel 50 an dem distalen Ende des Trägerarms 13 montiert. Das Bildgebungsmittel 50 beinhaltet eine ladungsgekoppelte Bauelementkamera (CCD) zum Aufnehmen von Bildern des Werkstücks W, das an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 gehalten ist.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 beinhaltet einen Kassettenaufzug 70A, um darin eine Kassette 70 zu platzieren, welche Werkstücke W aufnimmt, die zu bearbeiten sind, eine Zufuhreinheit 80, zum Entnehmen und Zurückgeben eines Werkstücks W aus und in die Kassette 70 und ein Touchpanel 90 zum Anzeigen von verschiedenen Informationen und auch Eingeben von Information, welche verschiedene Bearbeitungsdetails darstellen.
  • Die Kassette 70 nimmt in sich mehrere Werkstücke W auf, die an einem ringförmigen Rahmen 11 durch ein haftvermittelndes Band T gehalten sind. Der Kassettenaufzug 70A ist vertikal entlang der Z-Achsen-Richtung beweglich.
  • Die Zufuhreinheit 80 ist eine Einheit zum Entfernen eines Werkstücks W, das zu bearbeiten ist, von einer Kassette 70 und Platzieren des entfernten Werkstücks W an dem elektrostatischen Einspanntisch 1 und auch zum Tragen eines bearbeiten Werkstücks W von dem elektrostatischen Einspanntisch 1 zu der Kassette 70. Die Zufuhreinheit 80 weist einen beweglichen Arm 81, der mehrere Gelenke und Armelemente beinhaltet, die durch die Gelenke verbunden sind, und einen Halter 82 auf, der an einem distalen Ende des beweglichen Abends 81 zum Halten eines Werkstücks W montiert ist.
  • Der Halter 82 beinhaltet einen Halterkörper 83 in der Form einer C-förmigen flachen Platte und mehrere Saugpads 84, die an dem Haltekörper 83 zum Anziehen unter einem Saugen des ringförmigen Rahmens 11 angeordnet sind, welcher ein Werkstück W umgibt. Die Saugpads 84 sind an einer oberen Oberfläche des Halterkörpers 83 bereitgestellt und mit einer Vakuum-Saugquelle 86 durch ein Ein-Aus-Ventil 85 verbunden. Die Zufuhreinheit 80 zieht den ringförmigen Rahmen 11 mit den Saugpads 84, die nach unten positioniert sind, an und hält das Werkstück W an einer unteren Oberfläche des Halters 82. Bevor eine modifizierte Schicht K in dem Werkstück W ausgebildet ist, das in der Kassette 70 angeordnet ist, liegt das Werkstück W durch die Öffnung, die in dem Halter 82 ausgebildet ist frei und wird dadurch gehalten, ohne in Kontakt mit dem Halter 82 zu sein. Zum Einführen des Werkstücks W in den elektrostatischen Einspanntisch 1 wird der Halter 82, welcher das Werkstück W hält, von oben nach unten umgedreht, sodass das haftvermittelnde Band T, das an dem Werkstück W angebracht ist, nach oben gerichtet ist, und drückt das haftvermittelnde Band T bzw. dessen Seite gegen die Halteroberfläche 1a des elektrostatischen Einspanntischs 1, wodurch die Halteroberfläche 1a dazu gebracht wird, das Werkstück W zu halten. Zum Entfernen des Werkstücks W von dem elektrostatischen Einspanntisch 1, nachdem eine modifizierte Schicht K in dem Werkstück W ausgebildet wurde, hält die Zufuhreinheit 80 das Werkstück W an dem Halter 82, dreht den Halter 82 um und trägt das Werkstück W in die Kassette 70.
  • Das Touchpanel 90 beinhaltet eine Flüssigkristallanzeige zum Anzeigen von Zuständen eines Bearbeitungsprozesses und Bildern und einen Touchscreen, der über der Flüssigkristallanzeige angeordnet ist. Der Touchscreen detektiert einen Finger, einen Stift oder einen Stylus-Stift, welcher mit dem Touchscreen in Kontakt ist oder der in die Nähe eines Touchscreens gebracht wurde. Der Touchscreen detektiert auch die Position des Fingers, des Stifts oder des Stylus-Stifts, welcher den Touchscreen kontaktiert hat oder in die Nähe des Touchscreens gebracht wurde, auf der Flüssigkristallanzeige. Der Touchscreen ist ein Touchscreen dessen Detektionssystem auf einer elektrostatischen Kapazität, einem resistiven Film, Oberflächenakustikwellen, Ultraschallwelle, Infrarotstrahlung, elektromagnetischer Induktion oder einer Leitungsfunktion basiert.
  • Die Steuerung 100 steuert Komponenten der Laserbearbeitungsvorrichtung 10, um die Laserbearbeitungsvorrichtung 10 dazu zu bringen, die Betätigung zum Ausbilden der modifizierten Schicht K durchzuführen. Beachte, dass die Steuerung 100 ein Computersystem beinhaltet. Die Steuerung 100 beinhaltet eine arithmetische Bearbeitungseinheit, die einen Mikroprozessor wie eine zentrale Berechnungseinheit (CPU), einen Speicher, der ein Speicher wie einen Festwertspeicher (ROM) oder einen Arbeitsspeicher (RAM) aufweist, und eine Eingabe/Ausgabeschnittstelle.
  • Die arithmetische Bearbeitungseinheit der Steuerung 100 führt eine arithmetische Prozessbearbeitung entsprechend einem Computerprogramm aus, das in dem Speicher gespeichert ist, und gibt Steuerungssignale zum Steuern der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 durch die Eingabe/Ausgabeschnittstelle an die Komponenten aus, die oben mit Bezug zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 genannt sind. Die Steuerung 100 ist mit dem Touchpanel 90, welches Zustände der Bearbeitungsweise und Bilder und das Ein-Aus Ventil 85 anzeigt.
  • Wie in 4 gezeigt ist der elektrostatische Einspanntisch 1 an der Dreh-Antriebsquelle 60 durch ein Gehäuse 110 für ein Werkstück getragen. Das Gehäuse 110 für ein Werkstück ist in der Form einer flachen Box, die an der Dreh Antriebsquelle 60 montiert ist. Das Gehäuse 110 für ein Werkstück beinhaltet ein unteres Wandelement 111, das an der Dreh Antriebsquelle 60 angebracht ist, ein rohrförmiges Element 112, das an den äußeren Kanten des unteren Wandelements 111 angebracht ist, und ein oberes Element 113, das an dem oberen Ende des rohrförmigen Elements 112 angebracht ist. Wie in 3 gezeigt, weist das rohrförmige Element 112 einen Einlass/Auslass-Schlitz 114 auf, durch welchen das Werkstück W, das an der Zufuhreinheit 80 gehalten ist, in das rohrförmigen Element 112 eingeführt und ausgeführt werden kann. Der elektrostatische Einspanntisch 1 ist zentral an dem oberen Element 113 montiert. Entsprechend einer ersten Ausführungsform weist der elektrostatische Einspanntisch 1 eine äußere Kante an der inneren umfänglichen Oberfläche eines zentralen Lochs 115, das in dem oberen Element 113 ausgebildet ist, angebracht auf. Rahmenklemmen 116 zum Klemmen des ringförmigen Rahmens 11 sind in dem Gehäuse 110 für ein Werkstück bereitgestellt.
  • Wie in 5, 6 und 7 dargestellt, beinhaltet der Einspanntisch 1 eine plattenförmige Basis 2, die bezüglich des Laserstrahls L durchlässig ist, einen Elektrodenaufbau 3 für eine elektrostatische Anziehung, die bezüglich des Laserstrahls L durchlässig ist, und einen Polyethylenterephthalat(PET)-Film 4 als eine Kunststoffschicht, die bezüglich des Laserstrahls L durchlässig ist. Die Basis 2, die aus Glas ausgebildet ist, ist in der Form einer Scheibe, die eine erste Oberfläche 2a, welche dem Inneren des Gehäuses 110 für ein Werkstück zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche 2b gegenüber der ersten Oberfläche 2a aufweist. Entsprechend der ersten Ausführungsform weist die Basis 2 eine Dicke von 1 mm auf. Jedoch ist die Dicke der Basis nicht auf 1 mm beschränkt.
  • Wie in 4, 6 und 7 gezeigt, ist der Elektrodenaufbau 3 an der ersten Oberfläche 1a der Basis 2 durch einen Ultraviolett-(UV)-Haftvermittler 5 ausgebildet, der bezüglich des Laserstrahls L durchlässig ist. Der UV-Haftvermittler 5 ist durch ein Belichten mit ultravioletten Strahlen aushärtbar und elektrisch isolierend. Entsprechend der ersten Ausführungsform ist der UV-Haftvermittler 5 ein optischer Haftvermittler von NORLAND, der durch NORLAND Products, Inc., USA hergestellt wird, aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Elektrodenaufbau 3 ist aus Indiumzinnoxid (ITO) ausgebildet. Der Brechungsindex von Indiumzinnoxid, aus welchem der Elektrodenaufbau 3 ausgebildet ist, ist im Wesentlichen gleich dem Brechungsindex des UV-Haftvermittlers 5. Dass diese Brechungsindizes im Wesentlichen gleich zueinander sind, bedeutet, dass diese sich so weit voneinander entscheiden unterscheiden können, dass die modifizierte Schicht K an einer gewünschten Position durch den Laserstrahl L ausgebildet werden kann.
  • Der Elektrodenaufbau 3 beinhaltet eine positive Elektrode 6 und eine negative Elektrode 7. Die positive Elektrode 6 und die negative Elektrode 7 sind voneinander elektrisch isoliert. Die positive Elektrode 6 beinhaltet ein positives anziehendes Element 61 und einen positiven Zufuhranschluss 62 und die negative Elektrode 7 beinhaltet ein negatives anziehendes Element 71 und einen negativen Zufuhranschluss 72. Das positive anziehende Element 61 und das negative anziehende Element 71 sind in ihrer Form identisch, d. h. in einer Halbkreisform und weisen dieselbe Größe auf. Das positive anziehende Element 61 und das negative anziehende Element 71 weisen entsprechende gerade Abschnitte 61a und 71a auf, die sich parallel zueinander erstrecken und voneinander, wie in 5 gezeigt, beabstandet sind, wobei ein Zwischenelektrodenbereich 3a zwischen den Geradenabschnitten 61a und 71a vorliegt. Das positive anziehende Element 61 und das negative anziehende Element 71 weisen jeweils gebogene Abschnitte 61b und 71b auf, die benachbart zu und sich entlang der äußeren Kante der Basis 2 erstreckend angeordnet sind. Der gebogene Abschnitt 61b des positiven anziehenden Elements 61 und die positive Elektrode 6 und der gebogene Abschnitt 71b des negativen anziehenden Elements 71 der negativen Elektrode 7 sind in der Nähe von und sich entlang der äußeren Kante der Basis 2 erstreckend angeordnet und der Elektrodenaufbau 3 ist an der ersten Oberfläche 2a im Wesentlichen in seiner Gesamtheit der Basis 2 angeordnet. Der Zwischenelektrodenbereich 3a und der Spalt zwischen dem gebogenen Abschnitten 61b und 71b des positiven anziehenden Elements 61 und des negativen anziehenden Elements 71 und die äußere Kante der Basis 2 sind mit dem UV-Haftvermittler 5 aufgefüllt.
  • Der positive Zufuhranschluss 62 erstreckt sich von der äußeren Kante des positiven anziehenden Elements 61 nach außen in einer Richtung weg von einem Zentrum der Halteroberfläche 1a und steht nach außen von der äußeren Kante der Basis 2 hervor. Der negative Zufuhranschluss 72 erstreckt sich von der äußeren Kante des negativen Anziehungselements 71 nach außen in einer Richtung weg von einem Zentrum der Halteroberfläche 1a und steht nach außen von einer äußeren Kante der Basis 2 hervor. Während das Werkstück W an der Halteroberfläche 1a gehalten ist, ist eine positive Spannung von einer Spannungsquelle 8 immer an dem positiven Zufuhranschluss 62 angelegt. Wenn das Werkstück W an der Halteroberfläche 1a gehalten ist, ist eine negative Spannung von der Spannungsquelle 8 immer an dem negativen Zufuhranschluss 72 angelegt. Der PET-Film 4 bedeckt den Elektrodenaufbau 3 und bildet die Halteroberfläche 1a, welche das Werkstück W hält, aus.
  • Der elektrostatische Einspanntisch 1 zieht und hält das Werkstück W, das an der Halteroberfläche 1a platziert ist, die durch den PET-Film 4 bereitgestellt ist, durch das Teilungsband T unter Kräften, die zwischen dem positiven und negativen anziehenden Elementen 61 und 71 durch die positive Spannung, die von dem positiven Zufuhranschluss 62 an dem positiven anziehenden Element 61 angelegt ist, und der negativen Spannung, die von dem negativen Zufuhranschluss 72 an dem negativen anziehenden Element 71 angelegt wird, generiert werden, an.
  • Das Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform, das unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 durchgeführt wird, wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 8 stellt einen Halteschritt des Bearbeitungsverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform im Querschnitt dar und 9 stellt einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht des Bearbeitungsverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform im Querschnitt dar.
  • Das Bearbeitungsverfahren wird durch Starten der Steuerung 100 der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 begonnen, wenn der Bediener die Detailinformationen der Bearbeitung in der Steuerung 100 der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 registriert und die Steuerung 100 anweist, eine Bearbeitungssequenz zu beginnen.
  • Das Bearbeitungsverfahren beinhaltet einen Halteschritt, einen Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht und einen Aufnahmeschritt. In dem Halteschritt arbeitet die Steuerung 100 so, dass eine Saugkraft von der Vakuum-Saugquelle 86 durch das Ein-Aus-Ventil 85 an den Saugpads 84 der Zufuhreinheit 80 aufgebracht wird, und einen ringförmigen Rahmen 11, der in der Kassette 70 angeordnet ist, und ein Werkstück W hält, in dem eine modifizierte Schicht K ausgebildet werden soll, wird unter einem Saugen an dem Halter 82 der Zufuhreinheit 80 gehalten. Die Steuerung 100 wird danach so betätigt, dass das Werkstück W, das unter einem Saugen an dem Halter 82 gehalten ist, von der Kassette 70 entfernt wird und das Werkstück W wird in das Gehäuse 110 für ein Werkstück eingeführt. Wie in 8 gezeigt, arbeitet die Steuerung 100 so, dass das Werkstück W an der Halteroberfläche 1a durch das Teilungsband T aufgelegt ist, wobei die positive Spannung an dem positiven Zufuhranschluss 62 aufgebracht ist, und die negative Spannung an dem negativen Zufuhranschluss 72 aufgebracht ist, sodass das Werkstück W unter einem Saugen an der Halteroberfläche 1a angezogen ist. Danach verursacht die Steuerung 100, dass die Rahmenklemmen 116 den ringförmigen Rahmen F Klemmen und steuert das Ein-Aus-Ventil 85, das Aufbringen der Saugkraft von der Vakuum-Saugquelle 86 zu den Saugpads 84 anzuhalten. Danach geht die Betätigungssequenz zu dem Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht über.
  • In dem Ausbildungsschritt für eine modifizierte Schicht führt die Steuerung 100 einen Ausrichtungsprozess an der Bestrahlungseinheit 20 für einen Laserstrahl auf der Basis eines Bilds des Werkstücks W durch, das durch das Bildaufnahmemittel 50 aufgenommen wurde. Danach, wie in 9 gezeigt, steuert die Steuerung 100 die Bestrahlungseinheit 20 für einen Laser, den Laserstrahl L von dem Strahlkondensor 22 auf dem Werkstück W aufzubringen. Während der Laserstrahl L auf dem Werkstück W aufgebracht wird, steuert die Steuerung 100 das X-Bewegungsmittel 30, das Y-Bewegungsmittel 40 und die Drehantriebsquelle 60, um das Werkstück W mit dem Laserstrahl L entlang all den projizierten Teilungslinien S zu bestrahlen. Zu diesem Zeitpunkt wird der Laserstrahl L auf der zweiten Oberfläche 2b der Basis 2 aufgebracht und durch den elektrostatischen Einspanntisch 1 transmittiert, wodurch eine modifizierte Schicht in dem Werkstück W, das an der Halteroberfläche 1a gehalten ist, entlang all den projizierten Teilungslinien S ausgebildet wird. Der elektrostatische Einspanntisch 1 wird so verwendet, um die modifizierte Schicht K in dem Werkstück W, das an der Halteroberfläche 1a gehalten wird, auszubilden. Die Steuerungssequenz geht danach zurück Aufnahmeschritt über.
  • In dem Aufnahmeschritt hält die Steuerung 100 den ringförmigen Rahmen F, der das Werkstück W hält, in dem die modifizierte Schicht K entlang all projizierten Teilungslinien S ausgebildet ist, unter einem Saugen an den Haltepads 84 und gibt die Rahmenklemmen 116 an dem ringförmigen Rahmen F frei, entfernt das Werkstück W von dem Gehäuse 110 für ein Werkstück, setzt das Werkstück W in die Kassette 70 ein und deaktiviert danach die Saugpads 84, um den ringförmigen Rahmen F freizugeben. Das Werkstück W mit der modifizierten Schicht K, die darin auf entlang all den projizierten Teilungslinien S ausgebildet ist, wird in die einzelnen Bauelemente D in einem nächsten Schritt geteilt.
  • In dem elektrostatischen Einspanntisch 1 entsprechend der ersten Ausführungsform sind die Basis 2, der Elektrodenaufbau 3, der PET-Film 4 als eine Kunststoffschicht und der UV-Haftvermittler 5 für den Laserstrahl L zum Bearbeiten des Werkstücks W durchlässig. Folglich ermöglicht der elektrostatische Einspanntisch 1, dass der Laserstrahl L dadurch auf dem Werkstück W aufgebracht wird, während die hintere Seite WR des Werkstücks, die keine Metallschichten und Bauelemente D aufweist, an der Halteroberfläche 1a gehalten ist. Als ein Ergebnis, da es für den elektrostatischen Einspanntisch 1 nicht notwendig ist, die Flächenseite WS des Werkstücks W zu halten, kann der elektrostatische Einspanntisch 1 das Werkstück W halten, ohne eine Beschädigung an den Bauelementen D, welche unregelmäßige Oberflächen aufweisen, zu verursachen. Das Werkstück W kann folglich bearbeitet werden, ohne speziell ausgestaltet zu sein, oder ohne dass das TEG-Muster vor entfernt werden muss. Darum ermöglicht es der elektrostatische Einspanntisch 1 das Werkstück W mit dem Laserstrahl L von der Seite der Halteroberfläche 1a zu bearbeiten, ohne die Bauelemente D zu beschädigen und die Metallschichten von dem Werkstück W zu entfernen, während die Flächenseite WS des Werkstücks W, in welchem die Metallschichten und die Bauelemente D ausgebildet sind, freiliegt und die hintere Seite WR an der Halteroberfläche 1a gehalten ist.
  • In dem elektrostatischen Einspanntisch 1, der Laserbearbeitungsvorrichtung 10 und dem Bearbeitungsverfahren entsprechend der ersten Ausführungsform sind das positive anziehende Element 61 der positiven Elektrode 6 und das negative anziehende Element 71 der negativen Elektrode 7 des Elektrodenaufbaus 3 halbkreisförmig und an der ersten Oberfläche 2a im Wesentlichen in der Gesamtheit der Basis 2 ausgebildet. Das Werkstück W wird an der Halteroberfläche 1a durch Kräfte angezogen, die zwischen positiven und negativen anziehenden Elementen 61 und 71 generiert werden, welche im Wesentlichen an der Gesamtheit an der ersten Oberfläche 2a der Basis 2 generiert werden. Als ein Ergebnis, da der elektrostatische Einspanntisch 1 anziehende Kräfte für das Werkstück W an der Halteroberfläche 1a im Wesentlichen in seiner Gesamtheit aufgrund der Kräfte, die zwischen den positiven und negativen anziehenden Elementen 61 und 71 ausgebildet sind, generiert, kann das Werkstück W im Wesentlichen in der Gesamtheit an und durch die erste Halteroberfläche 2a der Basis 2 angezogen werden, anstelle dass die äußere Kante durch einen negativen Druck angezogen und in Position gehalten ist.
  • Der Brechungsindex des Indiumzinnoxids, aus welchem der Elektrodenaufbau 3 ausgebildet ist, und der Brechungsindex des UV-Haftvermittlers, welcher den Zwischenelektrodenbereich 3a füllt, sind im Wesentlichen zueinander gleich. Darum ermöglicht der elektrostatische Einspanntisch 1, dass die modifizierte Schicht K an einer gewünschten Position in dem Werkstück ausgebildet wird.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Ein elektrostatischer Einspanntisch entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. 10 zeigt eine Teilansicht im Querschnitt des elektrostatischen Einspanntischs entsprechend einer zweiten Ausführungsform. In 10 sind solche Teile, die zu den entsprechend der ersten Ausführungsform identisch sind, mit identischen Bezugszeichen versehen und werden im Folgenden nicht detailliert beschrieben.
  • Wie in 10 gezeigt, beinhaltet der elektrostatische Einspanntisch, der im Allgemeinen durch 1-2 gekennzeichnet ist, entsprechend der zweiten Ausführungsform einen PET-Film 4 als eine Kunststoffschicht, die an einer ersten Oberfläche 2a der Basis 2 durch einen UV-Haftvermittler 5 angeordnet ist, und einen Elektrodenaufbau 3, der an dem PET-Film 4 ausgebildet ist. Ein Zwischenelektrodenbereich 3a des Elektrodenaufbaus 3 und einen Spalt zwischen gekrümmten Abschnitten 61b und 71b der einzelnen Elemente 61 und 71 der äußeren Kante des PET-Films sind mit dem UV-Haftvermittler 5 gefüllt.
  • Wie in dem Fall der ersten Ausführungsform sind die Basis 2, der Elektrodenaufbau 3, der PET-Film 4 als eine Kunststoffschicht und der UV-Haftvermittler des elektrostatischen Einspanntischs 1-2 entsprechend der zweiten Ausführungsform für den Laserstrahl L zum Bearbeiten des Werkstücks W durchlässig. Folglich ermöglicht der elektrostatische Einspanntisch 1-2 dem Laserstrahl L, dadurch auf dem Werkstück W aufgebracht zu werden, während die hintere Seite WR des Werkstücks W, die frei von Metallschichten und Bauelementen D ist, an der Halteroberfläche 1a gehalten ist. Als ein Ergebnis ermöglicht es der elektrostatische Einspanntisch 1-2, das Werkstück W mit dem Laserstrahl L zu bearbeiten, ohne dass die Bauelemente D beschädigt werden und die Metallschichten von den Werkstücken W entfernt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung ist durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen Modifikation, die in das äquivalente des Umfangs der Ansprüche fallen, werden dadurch durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 3408805 [0002, 0003, 0004]

Claims (5)

  1. Elektrostatischer Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, umfassend: eine plattenförmige Basis, die bezüglich eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, die dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück transmittiert zu werden, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche ist, aufweist; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, der bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt; wobei der Einspanntisch dazu angepasst ist, verwendet zu werden, wenn der Laserstrahl auf dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten ist, von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis aufgebracht wird, um eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.
  2. Elektrostatischer Einspanntisch nach Anspruch 1, wobei die vorbestimmte Wellenlänge in einem Bereich von 500–1400 nm ist.
  3. Elektrostatischer Einspanntisch nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Werkstück einen Wafer mit mehreren Mikro-Elektromechanischen-Systembauelementen beinhaltet, die an einer Flächenseite davon ausgebildet sind, wobei der Wafer eine hintere Seite aufweist, die an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten ist.
  4. Laserbearbeitungsvorrichtung, umfassend: einen elektrostatischen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks; und eine Bestrahlungseinheit für einen Laserstrahl zum Ausbilden einer modifizierten Schicht in dem Werkstück, das durch den elektrostatischen Einspanntisch gehalten ist, mit einem Laserstrahl, der eine Wellenlänge aufweist, die es dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück transmittiert zu werden; wobei der elektrostatische Einspanntisch beinhaltet: eine plattenförmige Basis, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, die dem Laserstrahl ermöglicht, durch das Werkstück transmittiert zu werden, wobei die plattenförmige Basis eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche ist, aufweist; einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, der bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist; und eine Kunststoffschicht, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran bereitstellt; wobei das Werkstück eine hintere Seite aufweist, die an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs gehalten ist, und der Laserstrahl von der Bestrahlungseinheit für einen Laserstrahl auf dem Werkstück von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis aufgebracht ist, um eine modifizierte Schicht in dem Werkstück auszubilden.
  5. Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks, das eine hintere Seite aufweist, die an einem elektrostatischen Einspanntisch gehalten ist, wobei der elektrostatische Einspanntisch eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche ist, aufweist und eine plattenförmige Basis, die bezüglich eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, um dem Laserstrahl zu ermöglichen, durch das Werkstück transmittiert zu werden, einen Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung, die für den Laserstrahl durchlässig ist, welcher die vorbestimmte Wellenlänge aufweist, wobei der Elektrodenaufbau für eine elektrostatische Anziehung an der ersten Oberfläche der Basis ausgebildet ist, und eine Kunststoffschicht beinhaltet, die bezüglich des Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, durchlässig ist, wobei die Kunststoffschicht den Elektrodenaufbau abdeckt und eine Halteroberfläche zum Halten des Werkstücks daran ausbildet, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Halten der hinteren Seite des Werkstücks an der Halteroberfläche des elektrostatischen Einspanntischs; und Ausbilden einer modifizierten Schicht in dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten ist, mit dem Laserstrahl, der durch den elektrostatischen Einspanntisch transmittiert wurde, durch Aufbringen des Laserstrahls auf dem Werkstück, das an der Halteroberfläche gehalten ist, von einer Seite der zweiten Oberfläche der Basis.
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