DE102017208048B3 - Micromechanical pressure sensor - Google Patents

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Arne Dannenberg
Mike Schwarz
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Abstract

Mikromechanischer Drucksensor (100), aufweisend:
- einen Drucksensorrahmen;
- einen Drucksensorkern mit einer Sensormembran (10), wobei die Sensormembran (10) mittels wenigstens eines Federelements (11... 14) vom Drucksensorrahmen entkoppelt ist;
- wobei in dem wenigstens einen Federelement (11... 14) wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung (50) angeordnet ist;
- wobei mittels eines durch die Detektionsleitung (50) geführten elektrischen Detektionsstroms ein Bruch des wenigstens einen Federelements (11... 14) detektierbar ist.

Figure DE102017208048B3_0000
Micromechanical pressure sensor (100), comprising:
a pressure sensor frame;
- A pressure sensor core with a sensor membrane (10), wherein the sensor membrane (10) by means of at least one spring element (11 ... 14) is decoupled from the pressure sensor frame;
- Wherein in the at least one spring element (11 ... 14) at least in sections a brittle electrical detection line (50) is arranged;
- By means of a guided through the detection line (50) electrical detection current, a fraction of the at least one spring element (11 ... 14) is detectable.
Figure DE102017208048B3_0000

Description

Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Drucksensor. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors.The invention relates to a micromechanical pressure sensor. The invention further relates to a method for producing a micromechanical pressure sensor.

Stand der TechnikState of the art

MEMS-Drucksensoren bestehen üblicherweise aus einer Silizium-Membran, deren Auslenkung entweder mittels piezoresistiver Widerstände oder durch kapazitive Ausleseverfahren bestimmt wird und mittels einer Transferfunktion in Druck umgerechnet wird. Piezoresistive Widerstände haben hierbei den Nachteil, dass sie querempfindlich gegenüber Stress aus dem Package oder der Leiterplatte sind. Deshalb ist eine Stressentkopplung bekannt, wobei hierzu neuerdings Federn aus Silizium in MEMS-Technologie verwendet werden.MEMS pressure sensors usually consist of a silicon diaphragm, the deflection of which is determined either by means of piezoresistive resistors or by capacitive readout methods and converted into pressure by means of a transfer function. Piezoresistive resistors have the disadvantage that they are cross-sensitive to stress from the package or the printed circuit board. Therefore, a stress decoupling is known, for which purpose recently springs made of silicon in MEMS technology are used.

Moderne Verpackungstechniken machen es erforderlich, den drucksensitiven Teil eines Drucksensors in Form einer Drucksensormembran mittels spezieller Federdesigns zum restlichen Teil des Sensors mechanisch zu entkoppeln und damit unabhängig von AVT-Einflüssen (Aufbau- und Verbindungstechnik) zu machen. Externe Quereinflüsse, welche den Drucksensor unter mechanischen Stress (z.B. Verbiegung) setzen, sind zum Beispiel mechanische Verspannungen aufgrund eines Moldprozesses, ein Aufbau mit mehreren Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, Stress durch Lötverbindungen des aufgebauten Sensors auf einer externen Leiterplatte, usw.Modern packaging techniques make it necessary to mechanically decouple the pressure-sensitive part of a pressure sensor in the form of a pressure sensor membrane by means of special spring designs to the remaining part of the sensor and thus to make independent of AVT influences (assembly and connection technology). External cross influences which put the pressure sensor under mechanical stress (e.g., bending) are, for example, mechanical stresses due to a molding process, a multi-material structure with different coefficients of thermal expansion, stress due to solder joints of the built sensor on an external circuit board, etc.

Ein Bruch dieser Federn ist derzeit nicht sicher detektierbar, da das spröde Silizium brechen kann, die metallischen Leiterbahnen mit duktilen Eigenschaften aber, trotz gebrochenem Silizium, weiterhin in einem unzuverlässigen elektrischen Kontakt verbleiben können.Breakage of these springs is currently not reliably detectable, since the brittle silicon can break, but the metallic interconnects with ductile properties, despite broken silicon, can continue to remain in an unreliable electrical contact.

Ein mikromechanischer Drucksensor, bei dem eine Druckdifferenz in Abhängigkeit von einer Verformung einer Sensormembran gemessen wird, ist z.B. aus DE 10 2004 006 197 A1 bekannt.A micromechanical pressure sensor, in which a pressure difference is measured as a function of a deformation of a sensor membrane is, for example DE 10 2004 006 197 A1 known.

Ein Drucksensor mit einem Widerstandsmäander auf der Sensorfläche ist aus der DE 10 2005 029841 A1 bekannt. Dabei kann aus einer Unterbrechung der Mäanderstruktur auf einen Membranriss geschlossen werden.A pressure sensor with a resistance meander on the sensor surface is out of DE 10 2005 029841 A1 known. It can be concluded from an interruption of the meander structure on a membrane crack.

Aus der Schrift US 2001/0001550 A1 ist ein Halbleiter-Drucksensorelement bekannt. Dabei weist das Drucksensorelement einen Membranbereich oberhalb einer Ausnehmung auf. Der Membranbereich ist von einem Rahmen eingerahmt, der auf ein die Ausnehmung aufweisenden Träger aufgebracht ist. Zwischen Membranbereich und Rahmen ist eine federartige Region vorgesehen, die den Membranbereich hinsichtlich mechanischem Stress vom Rahmen isolieren soll.From the Scriptures US 2001/0001550 A1 For example, a semiconductor pressure sensor element is known. In this case, the pressure sensor element has a membrane region above a recess. The membrane region is framed by a frame which is applied to a carrier having the recess. Between the diaphragm area and the frame, a spring-like region is provided which is intended to insulate the membrane area from the frame in terms of mechanical stress.

Aus der Schrift WO 96/22515 A1 ist ebenfalls ein Halbleiter-Drucksensor mit einer Membran bekannt, bei dem im Randbereich der Membran Widerstandselemente angebracht sind, die bei einem Membranriss ebenfalls brechen. Durch die Unterbrechung des dabei verwendeten Signalleitungsverlaufs kann das System auf einen Membranriss schließen.From the Scriptures WO 96/22515 A1 is also known a semiconductor pressure sensor with a membrane in which in the edge region of the membrane resistor elements are mounted, which also break in a membrane crack. By interrupting the signal line used in this case, the system can close on a membrane tear.

Aus den Schriften DE 10 2015 202 423 A1 , DE 30 00 364 A1 sowie US 6 359 458 B1 sind ebenfalls Detektionsleitungen auf Membranen bekannt, mittels der eine Membranbeschädigung detektiert werden können.From the scriptures DE 10 2015 202 423 A1 . DE 30 00 364 A1 such as US 6,359,458 B1 Detection lines on membranes are also known by means of which membrane damage can be detected.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen verbesserten, mikromechanischen Drucksensor bereit zu stellen, bei dem gebrochene Federstrukturen detektierbar sind.It is an object of the present invention to provide an improved micromechanical pressure sensor in which broken spring structures are detectable.

Die Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt gelöst mit einem mikromechanischen Drucksensor, aufweisend:

  • - einen Drucksensorrahmen;
  • - einen Drucksensorkern mit einer Sensormembran, wobei die Sensormembran mittels wenigstens eines Federelements vom Drucksensorrahmen entkoppelt ist;
  • - wobei in dem wenigstens einen Federelement wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung angeordnet ist;
  • - wobei mittels eines durch die Detektionsleitung geführten elektrischen Detektionsstroms ein Bruch des wenigstens einen Federelements detektierbar ist.
The object is achieved according to a first aspect with a micromechanical pressure sensor, comprising:
  • a pressure sensor frame;
  • a pressure sensor core with a sensor membrane, wherein the sensor membrane is decoupled from the pressure sensor frame by means of at least one spring element;
  • - Wherein in the at least one spring element at least in sections, a brittle electrical detection line is arranged;
  • - Wherein a break of the at least one spring element is detectable by means of a guided through the detection line electrical detection current.

Auf diese Weise kann mit einer einfach durchzuführenden elektrischen Widerstandsmessung der spröden elektrischen Detektionsleitung erkannt werden, ob ein Federelement des mikromechanischen Drucksensors gebrochen ist oder nicht. Vorteilhaft sind für diesen Zweck keine zusätzlichen Anschlusspads vorzusehen, da die bereits vorhandenen Kontakte für die Druckauswerteschaltung genutzt werden können.In this way it can be detected with a simple electrical resistance measurement of the brittle electrical detection line, whether a spring element of the micromechanical pressure sensor is broken or not. No additional connection pads are advantageous for this purpose, since the existing contacts for the pressure evaluation circuit can be used.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird die Aufgabe gelöst mit einem Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors, aufweisend die Schritte:

  • - Bereitstellen eines Drucksensorrahmens;
  • - Bereitstellen eines Drucksensorkerns mit einer Sensormembran, wobei die Sensormembran mittels wenigstens eines Federelements vom Drucksensorrahmen entkoppelt ist;
  • - wobei in dem wenigstens einen Federelement wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung angeordnet wird;
  • - wobei die Detektionsleitung derart ausgebildet wird, dass mittels eines Führens eines elektrischen Detektionsstroms durch die spröde elektrische Detektionsleitung ein Bruch des wenigstens einen Federelements detektierbar ist.
According to a second aspect, the object is achieved with a method for producing a micromechanical pressure sensor, comprising the steps:
  • - Providing a pressure sensor frame;
  • - Providing a pressure sensor core with a sensor membrane, wherein the sensor membrane is decoupled by means of at least one spring element of the pressure sensor frame;
  • - Wherein in the at least one spring element at least partially a brittle electrical detection line is arranged;
  • - Wherein the detection line is formed such that by means of passing an electrical detection current through the brittle electrical detection line a breakage of the at least one spring element is detectable.

Bevorzugte Ausführungsformen des mikromechanischen Drucksensors sind Gegenstand von abhängigen Ansprüchen.Preferred embodiments of the micromechanical pressure sensor are the subject of dependent claims.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die spröde elektrische Detektionsleitung zwischen einem Ansteuerkontakt einer Diode und einem Ansteuerkontakt einer Druckauswerteschaltung verschaltet ist, wobei zur Erzeugung des Dektektionsstroms eine elektrische Detektionsspannung derart an die Detektionsleitung anlegbar ist, dass die Diode in Sperrrichtung betrieben wird. Auf diese Weise können Kontakte zum Ansteuern eines Temperaturerfassungselements in Form einer Diode und einer Druckauswerteschaltung für eine Durchführung einer Widerstandsmessung der spröden elektrischen Detektionsleitung genutzt werden.According to the invention, the brittle electrical detection line is connected between a drive contact of a diode and a drive contact of a pressure evaluation circuit, wherein an electrical detection voltage can be applied to the detection line in such a way that the diode is operated in the reverse direction to generate the detection current. In this way, contacts for driving a temperature sensing element in the form of a diode and a pressure evaluation circuit for performing a resistance measurement of the brittle electrical detection line can be used.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Druckauswerteschaltung eine Wheatstone-Brücke ist. Auf diese Weise kann ein Ansteuerkontakt zum Ansteuern der Wheatstone-Brücke auch zum Anlegen einer Detektionsspannung an die Detektionsleitung genutzt werden.According to the invention, it is provided that the pressure evaluation circuit is a Wheatstone bridge. In this way, a control contact for driving the Wheatstone bridge can also be used to apply a detection voltage to the detection line.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen des mikromechanischen Drucksensors sehen vor, dass ein Widerstandswert der spröden elektrischen Detektionsleitung um einen Faktor ca. 20 bis ca. 10.000, vorzugsweise ca. 800 bis ca. 2.000, noch mehr bevorzugt ca. 1.000 grösser ist als ein Widerstandswert der Diode. Auf diese Weise werden vorteilhafte Widerstandswerte für die spröde elektrische Detektionsleiterbahn bereitgestellt, mit denen ein Bruch des Federelements sicher von einer ordnungsgemäßen Funktionalität unterscheidbar ist.Further preferred embodiments of the micromechanical pressure sensor provide that a resistance value of the brittle electrical detection line is larger by a factor of about 20 to about 10,000, preferably about 800 to about 2,000, more preferably about 1,000, than a resistance value of the diode. In this way, advantageous resistance values are provided for the brittle electrical detection trace, with which a break of the spring element can be reliably distinguished from a proper functionality.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des mikromechanischen Drucksensors sieht vor, dass an die spröde elektrische Detektionsleitung eine elektrische Detektionsspannung zwischen Ansteuerkontakte zum Auslesen einer Brückenspannung einer Wheatstone-Brücke anlegbar ist. Dabei wird ausgenutzt, dass die elektrische Brückenspannung der Wheatstone-Brücke im Wesentlichen stromlos erfasst wird und eine gegenüber duktilen, metallischen Detektionsleitungen meist hochohmigere, spröde Detektionsleitung die Messung der elektrischen Brückenspannung der Wheatstone-Brücke nur geringfügig beeinflusst.A further preferred embodiment of the micromechanical pressure sensor provides that an electrical detection voltage between control contacts for reading a bridge voltage of a Wheatstone bridge can be applied to the brittle electrical detection line. It is exploited that the electrical bridge voltage of the Wheatstone bridge is detected substantially de-energized and compared to ductile, metallic detection lines usually high-impedance, brittle detection line affects the measurement of the electrical bridge voltage of the Wheatstone bridge only slightly.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des mikromechanischen Drucksensors zeichnet sich dadurch aus, dass die spröde elektrische Detektionsleitung in dem wenigstens einen Federelement wenigstens einfach geführt ist. Dadurch ist eine hohe Designvielfalt bei der Leitungsführung der spröden elektrischen Detektionsleitung unterstützt, wodurch eine hohe Detektionsgüte des Drucksensors betreffend Federbruch realisiert ist.Another preferred embodiment of the micromechanical pressure sensor is characterized in that the brittle electrical detection line in the at least one spring element is guided at least simply. As a result, a high degree of design diversity in the routing of the brittle electrical detection line is supported, whereby a high detection quality of the pressure sensor is realized regarding spring break.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des mikromechanischen Drucksensors ist dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung ein in das Federelement eindiffundierter Halbleiterwiderstand ist. Auf diese Weise wird vorteilhaft eine nicht-duktile Struktur bereitgestellt, die gebrochene Silizium-Strukturen sensieren kann.A further preferred embodiment of the micromechanical pressure sensor is characterized in that the brittle electrical detection line is a semiconductor resistor diffused into the spring element. In this way, it is advantageous to provide a non-ductile structure that can sense broken silicon structures.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des mikromechanischen Drucksensors ist dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung eine silizidierte Metallleiterbahn ist. Auf diese Weise wird vorteilhaft eine alternative Variante für die spröde elektrische Detektionsleitung bereitgestellt, wodurch eine Designvielfalt für den mikromechanischen Drucksensor erhöht ist.A further preferred embodiment of the micromechanical pressure sensor is characterized in that the brittle electrical detection line is a silicided metal conductor track. In this way, an alternative variant for the brittle electrical detection line is advantageously provided, whereby a design variety for the micromechanical pressure sensor is increased.

Die Erfindung wird im Folgenden mit weiteren Merkmalen und Vorteilen anhand von mehreren Figuren im Detail beschrieben. Gleiche oder funktionsgleiche Elemente haben darin gleiche Bezugszeichen. Die Figuren sind insbesondere dazu gedacht, die erfindungswesentlichen Prinzipien zu verdeutlichen und sind nicht unbedingt maßstabsgetreu ausgeführt. Der besseren Übersichtlichkeit halber kann vorgesehen sein, dass nicht in sämtlichen Figuren sämtliche Bezugszeichen eingezeichnet sind.The invention will be described below with further features and advantages with reference to several figures in detail. Identical or functionally identical elements have the same reference numerals therein. The figures are particularly intended to illustrate the principles essential to the invention and are not necessarily to scale. For better clarity, it can be provided that not all the figures in all figures are marked.

Offenbarte Verfahrensmerkmale ergeben sich analog aus entsprechenden offenbarten Vorrichtungsmerkmalen und umgekehrt. Dies bedeutet insbesondere, dass sich Merkmale, technische Vorteile und Ausführungen betreffend den mikromechanischen Drucksensor in analoger Weise aus entsprechenden Ausführungen, Merkmalen und technischen Vorteilen betreffend das Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors ergeben und umgekehrt.Disclosed method features are analogous to corresponding disclosed device features and vice versa. This means, in particular, that features, technical advantages and embodiments relating to the micromechanical pressure sensor result analogously from corresponding embodiments, features and technical advantages relating to the method for producing a micromechanical pressure sensor and vice versa.

In den Figuren zeigt:

  • 1 eine prinzipielle Darstellung einer Ausführungsform eines vorgeschlagenen mikromechanischen Drucksensors;
  • 2 den mikromechanischen Drucksensor von 1 in einem höheren Detaillierungsgrad;
  • 3 eine prinzipielle Darstellung einer weiteren Ausführungsform des vorgeschlagenen mikromechanischen Drucksensors; und
  • 4 einen prinzipiellen Ablauf einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines vorgeschlagenen mikromechanischen Drucksensors.
In the figures shows:
  • 1 a schematic representation of an embodiment of a proposed micromechanical pressure sensor;
  • 2 the micromechanical pressure sensor of 1 in a higher level of detail;
  • 3 a schematic representation of another embodiment of the proposed micromechanical pressure sensor; and
  • 4 a basic sequence of an embodiment of a method for producing a proposed micromechanical pressure sensor.

Beschreibung von AusführungsformenDescription of embodiments

Externe mechanische Quereinflüsse, welche einen mikromechanischen Drucksensor unter mechanischen Stress (z.B. Verbiegung) setzen, sind z.B. eine mechanische Verspannung aufgrund eines Moldprozesses, und/oder ein Aufbau mit einem Materialmix mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und/oder Stress durch Lötverbindungen des aufgebauten Sensors auf einer externen Kunden-Leiterplatte. Soweit diese verbiegenden Einflüsse auf den Drucksensorkern des mikromechanischen Drucksensors gelangen, können sie in einem fehlerhaften Drucksignal resultieren.External mechanical transients which place a micromechanical pressure sensor under mechanical stress (e.g., bending) are e.g. a mechanical stress due to a molding process, and / or a construction having a material mix with different coefficients of thermal expansion and / or stress due to solder joints of the assembled sensor on an external customer printed circuit board. As far as these bending influences reach the pressure sensor core of the micromechanical pressure sensor, they can result in a faulty pressure signal.

Vorgesehen ist daher, Federelemente derart auszulegen bzw. anzuordnen, dass sie einen Drucksensorkern mechanisch von einem Drucksensorrahmen des mikromechanischen Drucksensors entkoppeln, wobei die genannten Federelemente die mechanischen Verspannungen aufnehmen können.It is therefore provided to design or arrange spring elements such that they mechanically decouple a pressure sensor core from a pressure sensor frame of the micromechanical pressure sensor, wherein said spring elements can absorb the mechanical stresses.

Ein Kerngedanke der vorliegenden Erfindung ist insbesondere eine Bereitstellung eines verbesserten, insbesondere eines robusten und stressentkoppelten mikromechanischen Drucksensors, für den ein einfaches und sicheres Detektieren von gebrochenen Federelementen möglich ist.A central idea of the present invention is in particular a provision of an improved, in particular a robust and stress-decoupled micromechanical pressure sensor, for which a simple and reliable detection of broken spring elements is possible.

Vorgeschlagen wird zu diesem Zweck ein Anordnen einer spröden elektrischen Detektionsleiterbahn 50 auf bzw. in den Silizium-Federelementen, wobei die spröde Detektionsleiterbahn 50 einen geeigneten Widerstandswert aufweist, um einen Bruch wenigstens eines Federelements mittels einer elektrischen Widerstandsmessung mittels eines elektrischen Detektionsstroms detektieren zu können. Die Spröde der Detektionsleiterbahn 50 bewirkt, dass im Falle eines Bruches des Federelements auch die Detektionsleiterbahn 50 bricht bzw. an der Bruchstelle galvanisch getrennt ist.Proposed for this purpose is a placement of a brittle electrical detection trace 50 on or in the silicon spring elements, wherein the brittle detection trace 50 has a suitable resistance value in order to be able to detect a breakage of at least one spring element by means of an electrical resistance measurement by means of an electrical detection current. The brittle of the detection trace 50 causes, in the event of breakage of the spring element and the detection trace 50 breaks or is galvanically separated at the fracture.

Dabei ist der Widerstandswert der genannten spröden elektrischen Detektionsleiterbahn 50 um einen Faktor ca. 20 bis ca. 10.000, bevorzugt ca. 800 bis ca. 2000, noch mehr bevorzugt ca. 1.000 größer als ein Widerstandswert einer Diode 40, die zu einer Temperaturerfassung vorgesehen ist, bzw. des Eingangswiderstandes der Druckauswerteschaltung. Die genannte elektrische Widerstandsmessung der spröden Detektionsleitung 50 wird an bereits vorhandenen Kontakten bzw. Anschlusspads durchgeführt. Vorteilhaft kann dies aufgrund des oben gewählten Widerstandes durchgeführt werden, ohne die Druck- bzw. Temperaturauswerteschaltung signifikant zu beeinflussen (und vice versa).In this case, the resistance of said brittle electrical detection trace 50 is a factor of about 20 to about 10,000, preferably about 800 to about 2000, more preferably about 1,000 greater than a resistance of a diode 40, which is provided for a temperature detection , or the input resistance of the pressure evaluation circuit. Said electrical resistance measurement of the brittle detection line 50 is carried out on existing contacts or connection pads. This can advantageously be carried out on the basis of the resistor selected above without significantly influencing the pressure or temperature evaluation circuit (and vice versa).

Vorteilhaft ermöglicht dies im Ergebnis ein Aussortieren von Bauteilen mit gebrochenen Federelementen beim ohnehin erforderlichen elektrischen End-of-Line-Test in der Herstellung des mikromechanischen Drucksensors. Ferner ist vorteilhaft auch kein zusätzliches Anschlusspad auf einem MEMS-Element und einem ASIC des mikromechanischen Drucksensors erforderlich, was vorteilhaft in einer Flächen- und Kostenersparnis resultiert.As a result, this advantageously makes it possible to sort out components with broken spring elements in the case of the anyway required electrical end-of-line test in the manufacture of the micromechanical pressure sensor. Furthermore, advantageously no additional connection pad on a MEMS element and an ASIC of the micromechanical pressure sensor is required, which advantageously results in a space and cost savings.

Vorteilhaft kann die spröde elektrische Detektionsleitung 50 als ein in das zu überprüfende Federelement eindiffundierter Halbleiterwiderstand oder als eine auf das Federelement aufgebrachte silizidierte, d.h. spröde Metallleiterbahn ausgeführt werden. Im Falle der Ausführung als eindiffundierte Halbleiterwiderstände erfordert dies vorteilhaft keine erhöhte Breite des überprüften Federelements.Advantageously, the brittle electrical detection line 50 as a semiconductor resistor diffused into the spring element to be tested or as a silicided, ie brittle, metal conductor track applied to the spring element. In the case of the embodiment as diffused semiconductor resistors, this advantageously does not require an increased width of the tested spring element.

1 zeigt eine beispielhafte Leitungsführung der genannten, spröden Detektionsleitung bzw. -leiterbahn 50 über vier zu überprüfende Federelemente 11... 14 eines mikromechanischen Drucksensors 100. Die genannten Federelemente 11... 14 entkoppeln eine Sensormembran 10 mechanisch von einem Drucksensorrahmen (nicht dargestellt) des mikromechanischen Drucksensors 100. Der Rest des MEMS-Elements des Drucksensors 100, auf dem Ansteuerkontakte 20, 21 (z.B. in Form von Anschlusspads) angeordnet sind, ist der besseren Übersicht halber nicht dargestellt. 1 shows an exemplary routing of said brittle detection line or conductor 50 via four spring elements to be tested 11 ... 14 of a micromechanical pressure sensor 100 , The mentioned spring elements 11 ... 14 decouple a sensor membrane 10 mechanically from a pressure sensor frame (not shown) of the micromechanical pressure sensor 100 , The remainder of the MEMS element of the pressure sensor 100 , are arranged on the control contacts 20, 21 (eg in the form of connection pads), is not shown for the sake of clarity.

Die spröde elektrische Detektionsleitung 50 wird an einem Ansteuerkontakt 20, an dem auch eine elektrische Versorgungsspannung für die Diode 40 angeschlossen ist und an einem Ansteuerkontakt 21, an dem auch eine elektrische Versorgungsspannung für die Druckauswerteschaltung (nicht dargestellt) angeschlossen. Die Ansteuerkontakte 20, 21 können somit einer Mehrfachverwendung als Anschlusspads für die spröde elektrische Detektionsleitung 50 und als Anschlusspads für die Druckauswerteschaltung bzw. für die Diode zugeführt werden. Vorteilhaft kann auf diese Weise ein Schaltungsaufwand minimiert werden.The brittle electrical detection line 50 is at a control contact 20 , on which also an electrical supply voltage for the diode 40 is connected and to a control contact 21 , to which also an electrical supply voltage for the pressure evaluation circuit (not shown) is connected. The control contacts 20 . 21 Thus, multiple use can be supplied as connection pads for the brittle electrical detection line 50 and as connection pads for the pressure evaluation circuit or for the diode. Advantageously, a circuit complexity can be minimized in this way.

2 zeigt den mikromechanischen Drucksensor 100 von 1 in einem höheren Detaillierungsgrad. Man erkennt, dass für den mikromechanischen Drucksensor 100 eine Druckauswerteschaltung 30 in Form einer Wheatstone-Brückenschaltung vorgesehen ist, die elektrisch an Ansteuerkontakte 21...24 angeschlossen ist, wobei eine elektrische Differenzspannung der Wheatstone-Brückenschaltung an Ansteuerkontakten 23, 24 abgegriffen wird. Der Ansteuerkontakt 22 repräsentiert dabei eine gemeinsame Masse für die Druckauswerteschaltung 30 und die Diode 40. Eine elektrische Betriebsspannung UB für die Diode 40 wird zwischen den Ansteuerkontakten 20, 21 angelegt. Mittels der Diode 40 wird eine Temperatur ermittelt, die zu einer rechnerischen Korrektur des von der Wheatstone-Brücke erfassten Druckes verwendet wird. Dies ist erforderlich, da die Widerstände R der Wheatstone-Brücke sehr temperaturempfindlich sind. 2 shows the micromechanical pressure sensor 100 from 1 in a higher level of detail. One recognizes that for the micromechanical pressure sensor 100, a pressure evaluation circuit 30 is provided in the form of a Wheatstone bridge circuit, which is electrically connected to control contacts 21 ... 24 is connected, wherein an electrical difference voltage of the Wheatstone bridge circuit to control contacts 23 . 24 is tapped. The control contact 22 represents a common ground for the pressure evaluation circuit 30 and the diode 40 , An electrical operating voltage U B for the diode 40 is between the control contacts 20 . 21 created. By means of the diode 40, a temperature is determined which is used for a mathematical correction of the pressure detected by the Wheatstone bridge. This is necessary because the resistors R of the Wheatstone bridge are very temperature sensitive.

Beispielhaft weist ein Brückenwiderstand R der Wheatstone-Brücke einen Widerstandswert von 1 kΩ auf. Ein Widerstandswert der Diode 40 beträgt 1 V/ 100 μ A = 10  k Ω bis 1 V/ 10 μ A = 100  k Ω

Figure DE102017208048B3_0001
wobei die Werte 1V, 10...100 µA einen üblichen Parameterraum der Diode 40 repräsentieren.By way of example, a bridge resistance R of the Wheatstone bridge has a resistance of 1 kΩ. A resistance of the diode 40 is 1 V / 100 μ A = 10 k Ω to 1 V / 10 μ A = 100 k Ω
Figure DE102017208048B3_0001
 where the values 1V . 10 ... 100 μA a common parameter space of the diode 40 represent.

Ein Widerstandswert der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 zwischen den Kontakten 20, 21 beträgt ca. das 20-fache bis ca. das 10.000-fache, vorzugsweise ca. das 800 bis ca. das 2.000-fache, noch mehr bevorzugt ca. das 1.000-fache des Widerstandswerts der Diode 40. Dadurch ergibt sich ein Widerstandswert der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 im Bereich von 200 kΩ bis 1 GΩ, vorzugsweise im Bereich von 8 MΩ bis 200 MΩ, und noch mehr bevorzugt von ca. 10 MΩ bis 100 MΩ, der über die Kontakte 20, 21 gut messbar ist, aber vorteilhaft weder die Druckmessung mittels der Druckauswerteschaltung 30 noch die Temperaturmessung mittels der Diode 40 signifikant beeinflusst.A resistance value of the brittle electrical detection line 50 between the contacts 20 . 21 is about 20 times to about 10,000 times, preferably about 800 to about 2,000 times, even more preferably about 1,000 times the resistance value of the diode 40 , This results in a resistance of the brittle electrical detection line 50 in the range of 200 kΩ to 1 GΩ, preferably in the range of 8 MΩ to 200 MΩ, and more preferably from about 10 MΩ to 100 MΩ, via the contacts 20 . 21 is well measurable, but advantageous neither the pressure measurement by means of the pressure evaluation circuit 30 nor the temperature measurement by means of the diode 40 significantly influenced.

Der Gesamtwiderstand der Wheatstone-Brücke in Höhe von ca. 1 kΩ ist gegenüber dem Widerstand der Diode 40 in Höhe von ca. 100 kΩ vernachlässigbar. Die spröde elektrische Detektionsleitung 50 ist deutlich hochohmiger als die Diode 40. Die Wheatstone-Brücke ist deutlich niederohmiger als die spröde elektrische Detektionsleitung 50, weshalb die Wheatstone-Brücke vereinfacht als ein Kurzschluss gesehen werden kann, weshalb in der Anordnung von 2 die Anschlusskontakte 21, 22 als kurzgeschlossen angenommen werden können. Im Ergebnis können die spröde elektrische Detektionsleitung 50 und Diode 40 als parallelgeschaltet angenommen werden.The total resistance of the Wheatstone bridge of approximately 1 kΩ is opposite to the resistance of the diode 40 negligible in the amount of approx. 100 kΩ. The brittle electrical detection line 50 is significantly higher impedance than the diode 40 , The Wheatstone bridge is significantly lower impedance than the brittle electrical detection line 50 why the Wheatstone bridge can be seen in simplified terms as a short circuit, which is why in the arrangement of 2 the connection contacts 21 . 22 can be assumed to be short-circuited. As a result, the brittle electrical detection line 50 and diode 40 be assumed to be connected in parallel.

Im Falle einer Temperaturmessung mit der Diode 40 wird die Diode 40 mittels der elektrischen Betriebsspannung UB in Durchflussrichtung betrieben, wobei der elektrische Strom von Anschlusskontakt 20 durch die Diode 40 zur Erdung an Anschluss 22 fließt. Es wird dabei also nicht der Widerstand der hochohmigen Detektionsleitung 50 gemessen (d.h. der elektrische Strom durch Detektionsleitung 50 zu Anschluss 21, und durch die Druckauswerteschaltung 30 in Form der Wheatstone-Brücke zu Anschluss 22 ist aufgrund der geforderten Widerstandsverhältnisse gegenüber dem elektrischen Strom durch die Diode 40 vernachlässigbar), sondern der Widerstand der Diode 40.In the case of a temperature measurement with the diode 40 becomes the diode 40 operated by means of the electrical operating voltage U B in the flow direction, wherein the electric current of the terminal contact 20 through the diode 40 to ground to terminal 22 flows. Thus, it is not the resistance of the high-impedance detection line 50 that is measured (ie, the electrical current through the detection line 50 to the terminal 21 , and by the pressure evaluation circuit 30 in the form of the Wheatstone bridge to port 22 is due to the required resistance ratios to the electrical current through the diode 40 negligible), but the resistance of the diode 40 ,

Im Falle der Detektionsmessung der Federelemente 11... 14 wird zwischen die Anschlusskontakte 21, 20 eine elektrische Detektionsspannung UDet angelegt, wodurch die Diode 40 in Sperrrichtung betrieben wird und einen sehr hohen Widerstand aufweist, der deutlich höher ist als der Widerstand der Detektionsleitung 50. Dadurch wird aufgrund der Parallelschaltung der Diode 40 mit der Detektionsleitung 50 über einen elektrischen Detektionsstrom im Wesentlichen ausschließlich der Widerstand der Detektionsleitung 50 gemessen.In the case of the detection measurement of the spring elements 11 ... 14 is applied between the terminals 21, 20, an electrical detection voltage U Det , whereby the diode 40 operated in the reverse direction and has a very high resistance, which is significantly higher than the resistance of the detection line 50. This is due to the parallel connection of the diode 40 with the detection line 50 via an electrical detection current substantially exclusively the resistance of the detection line 50 measured.

Im Falle eines gebrochenen Federelements 11... 14 ist als Konsequenz auch die spröde elektrische Detektionsleitung 50 gebrochen, wodurch im Ergebnis der elektrische Widerstand der spröden Detektionsleitung 50 bei der Widerstandsmessung zwischen den Kontakten 20, 21 (mittels einer Widerstandsmesseinrichtung, nicht dargestellt) auf beispielsweise über 1 GΩ erhöht ist. Aus diesem Widerstandswert der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 kann eindeutig gefolgert werden, dass wenigstens eines der Federelemente 11... 14 gebrochen ist, wodurch der mikromechanische Drucksensor 100 in der Regel unbrauchbar ist.In the case of a broken spring element 11 ... 14 is also the consequence of the brittle electrical detection line 50 broken, resulting in the electrical resistance of the brittle detection line 50 in the resistance measurement between the contacts 20 . 21 (By means of a resistance measuring device, not shown) is increased to, for example, about 1 GΩ. From this resistance of the brittle electrical detection line 50 can be clearly deduced that at least one of the spring elements 11 ... 14 is broken, causing the micromechanical pressure sensor 100 usually unusable.

Der mikromechanische Drucksensor 100 von 1 kann die spröde elektrische Detektionsleitung 50, wie auf den Federelementen 12, 13 realisiert, doppelt geführt aufweisen. Alternativ ist es auch möglich, die spröde elektrische Detektionsleitung 50 auf den Federelementen einfach zu führen, wie es bei den Federelementen 11, 14 realisiert ist. Die spröde elektrische Detektionsleitung 50 kann beliebige Federelemente 11... 14 beliebig oft, gegebenenfalls auch nur in Teilbereichen, passieren, um durch den Effekt einer Mäandrierung den hohen Widerstandswert der Detektionsleitung 50 zu erreichen. Dabei wird die Tatsache ausgenutzt, dass der Widerstand der Detektionsleitung 50 umso höher ist, je länger die Detektionsleitung 50 ist.The micromechanical pressure sensor 100 from 1 may be the brittle electrical detection line 50, as on the spring elements 12 . 13 realized, have double out. Alternatively, it is also possible to easily guide the brittle electrical detection line 50 on the spring elements, as is realized in the spring elements 11, 14. The brittle electrical detection line 50 can be any spring elements 11 ... 14 as often as desired, possibly even in subregions, happen to the high resistance value of the detection line due to the effect of meandering 50 to reach. The fact is exploited that the resistance of the detection line 50 the higher, the longer the detection line 50 is.

Statt die spröde elektrische Detektionsleitung 50 elektrisch über den Ansteuerkontakt 21 anzuschließen und zu vermessen, können auch andere Ansteuerkontakte der Druckauswerteschaltung 30 verwendet werden (nicht dargestellt). Dabei ist der Anschluss der spröden Detektionsleitung 50 am Ansteuerkontakt 20 allerdings erforderlich, da über diesen Ansteuerkontakt auch die Diode 40 angeschlossen ist, deren Betrieb in Sperrrichtung erfolgen muss.Instead of the brittle electrical detection line 50 can also be electrically connected and measured via the control contact 21 other control contacts of the pressure evaluation circuit 30 used (not shown). Here is the connection of the brittle detection line 50 at the control contact 20 However, it is necessary that the diode is connected via this control contact 40 is connected, whose operation must be in the reverse direction.

Die spröde Detektionsleitung 50 kann in mehrere parallele Abschnitte unterteilt werden, wenn es wichtig ist zu erkennen, welches der Federelemente 11... 14 gebrochen ist. In diesem Fall wären mehrere Kontakte bzw. Anschlusspads erforderlich (nicht dargestellt).The brittle detection line 50 can be divided into several parallel sections, if it is important to recognize which of the spring elements 11 ... 14 is broken. In this case, multiple contacts or pads would be required (not shown).

Statt die Druckauswerteschaltung 30 und die Diode 40 miteinander funktional zu verbinden, kann auch vorgesehen sein, die Diode 40 durch eine separate Temperaturauswerteschaltung (nicht dargestellt) zu ersetzen, wobei in diesem Fall ein zusätzlicher Ansteuerkontakt erforderlich ist (nicht dargestellt).Instead of the pressure evaluation circuit 30 and the diode 40 can be functionally connected to each other, can also be provided, the diode 40 by a separate Temperaturauswerteschaltung (not shown) to replace, in which case an additional control contact is required (not shown).

Der elektrische Widerstand der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 zwischen den Ansteuerkontakten 20, 21 kann durch einen ASIC (nicht dargestellt), der das MEMS-Element ansteuert und ausliest, direkt ausgewertet werden, oder vom ASIC auf ASIC-Testpads gelegt werden, welche durch End-of-Line-Messgeräte vermessen werden. Zusätzlich ist es vorteilhaft auch möglich, die genannte Widerstandsmessung der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 auch im Normalbetrieb des mikromechanischen Drucksensors, z.B. in zyklischen Intervallen vorzunehmen.The electrical resistance of the brittle electrical detection line 50 between the control contacts 20 . 21 may be directly evaluated by an ASIC (not shown) driving and reading the MEMS element, or placed by the ASIC on ASIC test pads measured by end-of-line gauges. In addition, it is also advantageously possible to use said resistance measurement of the brittle electrical detection line 50 also in normal operation of the micromechanical pressure sensor, for example, to make in cyclic intervals.

3 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen, mikromechanischen Drucksensors 100. Man erkennt, dass in diesem Fall vorgesehen ist, als spröde elektrische Detektionsleiterbahnen 50 die Leiterbahnen für den Abgriff der elektrischen Brückenspannung der Wheatstone-Brücke zu benutzen. 3 shows a further embodiment of the micromechanical pressure sensor according to the invention 100 , It can be seen that it is provided in this case, as a brittle electrical detection conductor tracks 50 to use the traces for the tap of the electrical bridge voltage of the Wheatstone bridge.

In diesem Fall ist vorzugsweise vorgesehen, die spröde elektrische Detektionsleitung 50 als eine silizidierte, d.h. spröde Metallleiterbahn auszubilden, die zwischen die Ansteuerkontakte 23, 24 verschaltet ist, an denen üblicherweise das elektrische Brückensignal der Wheatstone-Brücke gemessen wird. Dabei ist der erhöhte Widerstand der silizidierten Detektionsleitung 50 nicht nachteilig, weil das elektrische Brückensignal der Wheatstone-Brücke quasi ohnehin stromlos gemessen wird. Das Prinzip der Anordnung von 3 funktioniert anstelle der oberflächlich auf den Federelementen angeordneten silizidierten Detektionsleiterbahn 50 vorteilhaft auch mit eindiffundierten spröden Detektionsleitungen 50, die in die Federelemente eindiffundiert sind.In this case, it is preferably provided to form the brittle electrical detection line 50 as a silicided, ie, brittle, metal conductor track, which is located between the control contacts 23 . 24 is connected, at which usually the electrical bridge signal of the Wheatstone bridge is measured. Here is the increased resistance of the silicided detection line 50 not disadvantageous, because the electrical bridge signal of the Wheatstone bridge is virtually measured without current anyway. The principle of the arrangement of 3 works instead of the superficially arranged on the spring elements silicided detection trace 50 advantageously with diffused brittle detection lines 50 which have diffused into the spring elements.

Für die Detektionsmessung wird die elektrische Detektionsspannung UDet zwischen den Ansteuerkontakten 23, 24 angelegt, wodurch ein elektrischer Detektionsstrom durch die auf den Federelementen 12, 14 angeordnete Detektionsleitung 50 fließt. Im Falle eines Bruchs wenigstens eines der Federelemente 12, 14 ist kein Detektionsstrom mehr messbar, wodurch ermittelt werden kann, dass wenigstens eines der Federelemente 12, 14 gebrochen ist. Das in 3 dargestellte Prinzip funktioniert vorteilhaft auch für mehrere Federelemente (nicht dargestellt).For the detection measurement, the electrical detection voltage U Det between the control contacts 23 . 24 applied, creating an electrical detection current through the on the spring elements 12 . 14 arranged detection line 50 flows. In the case of a breakage of at least one of the spring elements 12, 14, no detection current is measurable, whereby it can be determined that at least one of the spring elements 12 . 14 is broken. This in 3 illustrated principle also works advantageously for several spring elements (not shown).

Statt einer Diode 40 kann in dieser Ausgestaltung auch eine andere Temperaturmessschaltung verwendet werden, da diese Ausgestaltung nicht auf die Sperrrichtung der Diode 40 zum Messen des Widerstands der Detektionsleitung 50 angewiesen ist.Instead of a diode 40 can be used in this embodiment, a different temperature measuring circuit, since this embodiment is not on the reverse direction of the diode 40 for measuring the resistance of the detection line 50 instructed.

Vorteilhaft sind bei beiden vorgehend erläuterten Ausführungsformen eine Ausgestaltung der spröden elektrischen Detektionsleitung 50, eine Art der Leitungsführung der spröden elektrischen Detektionsleitung 50 und eine Anzahl der Federelemente, auf denen die spröde elektrische Detektionsleitung 50 angeordnet ist, sehr flexibel gestaltbar. Vorteilhaft lässt sich das vorgehend beschriebene Prinzip der Detektion von gebrochenen Federn für eine beliebige Anzahl von Federn durchführen, in denen die spröde elektrische Detektionsleitung 50 angeordnet ist.Advantageous in both previously explained embodiments, an embodiment of the brittle electrical detection line 50 , a kind of wiring of the brittle electrical detection line 50 and a number of the spring elements on which the brittle electrical detection line 50 is arranged, very flexible gestaltbar. Advantageously, the previously described principle of the detection of broken springs for any number of springs can perform in which the brittle electrical detection line 50 is arranged.

4 zeigt einen prinzipiellen Ablauf eines Verfahrens zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors 100. 4 shows a basic sequence of a method for producing a micromechanical pressure sensor 100 ,

In einem Schritt 200 wird ein Bereitstellen eines Drucksensorrahmens durchgeführt.In one step 200 a provision of a pressure sensor frame is performed.

In einem Schritt 210 wird ein Bereitstellen eines Drucksensorkerns mit einer Sensormembran 10 durchgeführt, wobei die Sensormembran 10 mittels wenigstens eines Federelements 11... 14 vom Drucksensorrahmen entkoppelt angeordnet wird.In one step 210 providing a pressure sensor core is performed with a sensor membrane 10, wherein the sensor membrane 10 by means of at least one spring element 11 ... 14 is arranged decoupled from the pressure sensor frame.

In einem Schritt 220 wird in dem wenigstens einen Federelement 11... 14 wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung angeordnet, wobei die Detektionsleitung 50 derart ausgebildet wird, dass mittels eines Führens eines elektrischen Detektionsstroms durch die spröde elektrische Detektionsleitung 50 ein Bruch des wenigstens einen Federelements 11... 14 detektierbar ist.In one step 220 is in the at least one spring element 11 ... arranged at least in sections a brittle electrical detection line, wherein the detection line 50 is formed such that by means of passing an electrical detection current through the brittle electrical detection line 50, a fracture of the at least one spring element 11 ... 14 is detectable.

Obwohl vorgehend die Erfindung anhand eines piezoresistiven mikromechanischen Drucksensors beschrieben wurde, ist es auch denkbar, dass der mikromechanische Drucksensor kapazitiv ausgebildet ist.Although the invention has been described above with reference to a piezoresistive micromechanical pressure sensor, it is also conceivable that the micromechanical pressure sensor is capacitively formed.

Der Fachmann kann also vorgehend auch nicht oder nur teilweise offenbarte Ausführungsformen der Erfindung realisieren, ohne vom Kern der Erfindung abzuweichen.Thus, the person skilled in the art can realize previously or only partially disclosed embodiments of the invention without deviating from the gist of the invention.

Claims (6)

Mikromechanischer Drucksensor (100), aufweisend: - einen Drucksensorrahmen; - einen Drucksensorkern mit einer Sensormembran (10), wobei die Sensormembran (10) mittels wenigstens eines Federelements (11... 14) vom Drucksensorrahmen entkoppelt ist; - wobei in dem wenigstens einen Federelement (11... 14) wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung (50) angeordnet ist; - wobei mittels eines durch die Detektionsleitung (50) geführten elektrischen Detektionsstroms ein Bruch des wenigstens einen Federelements (11... 14) detektierbar ist, und - wobei der Drucksensor (100) eine Druckauswerteschaltung (30) in Form einer Wheatstone-Brückenschaltung mit einem Ansteuerkontakt (21) und eine Diode (40) mit einem Ansteuerkontakt (20) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) zwischen dem Ansteuerkontakt (20) der Diode (40) und dem Ansteuerkontakt (21) der Druckauswerteschaltung (30) verschaltet ist, wobei zur Erzeugung des Detektionsstroms eine elektrische Detektionsspannung (UDet) derart an die Detektionsleitung (50) anlegbar ist, dass die Diode (40) in Sperrrichtung betrieben wird.Micromechanical pressure sensor (100), comprising: - a pressure sensor frame; - A pressure sensor core with a sensor membrane (10), wherein the sensor membrane (10) by means of at least one spring element (11 ... 14) is decoupled from the pressure sensor frame; - Wherein in the at least one spring element (11 ... 14) at least in sections a brittle electrical detection line (50) is arranged; - Wherein by means of a through the detection line (50) guided electrical detection current a fraction of the at least one spring element (11 ... 14) is detectable, and - wherein the pressure sensor (100) comprises a pressure evaluation circuit (30) in the form of a Wheatstone bridge circuit with a A control contact (21) and a diode (40) having a control contact (20), characterized in that the brittle electrical detection line (50) between the control contact (20) of the diode (40) and the control contact (21) of the pressure evaluation circuit (30 ) is connected, wherein for generating the detection current, an electrical detection voltage (U Det ) to the detection line (50) can be applied, that the diode (40) is operated in the reverse direction. Mikromechanischer Drucksensor (100) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) einen Widerstand im Bereich von 200 kΩ bis 1 GΩ und die Diode (40) einen Widerstand von 10 kΩ bis 100 kΩ aufweist.Micromechanical pressure sensor (100) after Claim 1 , characterized in that the brittle electrical detection line (50) has a resistance in the range of 200 kΩ to 1 GΩ and the diode (40) has a resistance of 10 kΩ to 100 kΩ. Mikromechanischer Drucksensor (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) in dem wenigstens einen Federelement (11... 14) wenigstens einfach geführt ist.Micromechanical pressure sensor (100) according to one of the preceding claims, characterized in that the brittle electrical detection line (50) in the at least one spring element (11 ... 14) is guided at least simply. Mikromechanischer Drucksensor (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) ein in das Federelement (11... 14) eindiffundierter Halbleiterwiderstand ist.Micromechanical pressure sensor (100) according to one of the preceding claims, characterized in that the brittle electrical detection line (50) is a semiconductor resistor diffused into the spring element (11 ... 14). Mikromechanischer Drucksensor (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) eine silizidierte Metallleiterbahn ist.Micromechanical pressure sensor (100) according to one of Claims 1 to 3 , characterized in that the brittle electrical detection line (50) is a silicided metal trace. Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Drucksensors (100), aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines Drucksensorrahmens; - Bereitstellen eines Drucksensorkerns mit einer Sensormembran (10), wobei die Sensormembran (10) mittels wenigstens eines Federelements (11...14) vom Drucksensorrahmen entkoppelt ist; - wobei in dem wenigstens einen Federelement (11...14) wenigstens abschnittsweise eine spröde elektrische Detektionsleitung (50) angeordnet wird; - wobei die Detektionsleitung (50) derart ausgebildet wird, dass mittels eines Führens eines elektrischen Detektionsstroms durch die spröde elektrische Detektionsleitung (50) ein Bruch des wenigstens einen Federelements (11...14) detektierbar ist, - wobei eine Druckauswerteschaltung (30) in Form einer Wheatstone-Brückenschaltung mit einem Ansteuerkontakt (21) und eine Diode (40) mit einem Ansteuerkontakt (20) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die spröde elektrische Detektionsleitung (50) zwischen dem Ansteuerkontakt (20) der Diode (40) und dem Ansteuerkontakt (21) der Druckauswerteschaltung (30) verschaltet wird.A method of manufacturing a micromechanical pressure sensor (100), comprising the steps of: - providing a pressure sensor frame; - Providing a pressure sensor core with a sensor membrane (10), wherein the sensor membrane (10) by means of at least one spring element (11 ... 14) is decoupled from the pressure sensor frame; - Wherein in the at least one spring element (11 ... 14) at least in sections, a brittle electrical detection line (50) is arranged; - wherein the detection line (50) is formed such that by means of passing an electrical detection current through the brittle electrical detection line (50) a breakage of the at least one spring element (11 ... 14) is detectable, - wherein a pressure evaluation circuit (30) in Form of a Wheatstone bridge circuit with a drive contact (21) and a diode (40) with a drive contact (20) is generated, characterized in that the brittle electrical detection line (50) between the drive contact (20) of the diode (40) and the Control contact (21) of the pressure evaluation circuit (30) is connected.
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