DE102017200663A1 - Method for assigning output tilt angles of tiltable field facets of a field facet mirror for a projection exposure apparatus for projection lithography - Google Patents

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Martin Endres
Thomas Fischer
Stig Bieling
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Carl Zeiss SMT GmbH
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Abstract

Bei der Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln (nx,i) von kippbaren Feldfacetten (25i) eines Feldfacettenspiegels für die Projektionslithografie wird zunächst ein mittlerer Basis-Ausgangs-Kippwinkel von Riegel-Feldfacetten (25) innerhalb eines Facettenriegels, wobei für den Basis-Ausgangs-Kippwinkel gilt, dass die zugeordneten Ausgangs-Kippwinkel (nx) für etwa die Hälfte der Riegel-Feldfacetten (25) kleiner ist und für die andere Hälfte der Riegel-Feldfacetten (25) größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0). Anschließend werden die Ausgangs-Kippwinkel (nx,i) auf die Riegel-Facetten (25) innerhalb des Facetten-Riegels gemäß einer Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift derart verteilt, dass eine Differenz der Ausgangs-Kippwinkel zwischen benachbarten Riegel-Facetten im Mittel kleiner ist als wenn die Ausgangs-Kippwinkel zufällig verteilt würden. Es resultiert ein Feldfacettenspiegel, bei dem Beleuchtungslicht-Abschattungseffekte allenfalls geringe Auswirkungen auf eine Beleuchtungsintensitäts-Uniformität über das Objektfeld haben.In assigning output tilt angles (nx, i) of tiltable field facets (25i) of a field facet mirror for projection lithography, first, a mean base output tilt angle of latch field facets (25) within a facet bar is determined for the base output. Tilt angle, the associated output tilt angle (nx) is smaller for about half of the latch field facets (25) and greater than the base output tilt angle (nx, 0) for the other half of the latch field facets (25) ). Subsequently, the output tilt angles (nx, i) are distributed to the latch facets (25) within the facet latch in accordance with an angle difference minimization law such that a difference in output tilt angles between adjacent latch facets is smaller on average than when the output tilt angles would be randomized. The result is a field facet mirror in which illumination light shading effects have at best little effect on illumination intensity uniformity across the object field.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie. Ferner betrifft die Erfindung einen Feldfacettenspiegel mit einer derartigen Ausgangs-Kippwinkel-Zuordnung, eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Feldfacettenspiegel, ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit Hilfe einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem solchen Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil. The invention relates to a method for assigning output tilt angles of tiltable field facets of a field facet mirror for a projection exposure apparatus for projection lithography. Furthermore, the invention relates to a field facet mirror having such an output tilt angle assignment, an illumination optics having such a field facet mirror, an optical system having such illumination optics, a projection exposure apparatus having such an optical system, a method for producing a microstructured or nanostructured component Assistance of such a projection exposure apparatus as well as a microstructured or nanostructured component produced by such a method.

Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der US 2011/0001947 A1 , der WO 2009/132 756 A1 , der WO 2009/100 856 A1 sowie aus der US 6 438 199 B1 und der US 6 658 084 B2 . Ein Feldfacettenspiegel ist bekannt aus der DE 19 931 848 A1 , aus der WO 2008/149 178 A1 , aus der DE 10 2011 076 145 A1 und aus der US 6,859,328. An illumination optics of the type mentioned is known from the US 2011/0001947 A1 , of the WO 2009/132756 A1 , of the WO 2009/100 856 A1 as well as from the US Pat. No. 6,438,199 B1 and the US Pat. No. 6,658,084 B2 , A field facet mirror is known from the DE 19 931 848 A1 , from the WO 2008/149178 A1 , from the DE 10 2011 076 145 A1 and from the US 6,859,328.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Feldfacettenspiegel bereitzustellen, bei dem Beleuchtungslicht-Abschattungseffekte allenfalls geringe Auswirkungen auf eine Beleuchtungsintensitäts-Uniformität über das Objektfeld haben. It is an object of the present invention to provide a field facet mirror in which illumination light shading effects have at best little effect on illumination intensity uniformity across the object field.

Diese Erfindung ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Zuordnungsverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. This invention is achieved according to the invention by an allocation method having the features specified in claim 1.

Die Zuordnung der Ausgangs-Kippwinkel, also des Kippwinkels, den die jeweilige Feldfacette relativ zu einem trägerfesten Koordinatensystem im kräftefreien, nicht aktorisch verkippten Zustand einnimmt, erfolgt im Rahmen der Zuordnung der Feldfacetten zu Pupillenfacetten bzw. zu Pupillenfacetten-Gruppen der Beleuchtungsoptik, um hierüber definierte Beleuchtungswinkelverteilung einer Objektbeleuchtung zugänglich zu machen. Über jede der kippbaren Feldfacetten können durch Verkippung, ausgehend vom Ausgangs-Kippwinkel, in der Regel mehrere Pupillenfacetten, also eine Pupillenfacetten-Gruppe, je nach Wahl und je nach Kippwinkel mit dem auf diese Feldfacette treffenden Beleuchtungslicht-Teilbündel beaufschlagt werden. Auf diese Weise kann über die Verkippung der Feldfacetten das jeweilige Beleuchtungssetting, also die jeweilige Beleuchtungswinkelverteilung für die Objektbeleuchtung, verändert werden. Ausgehend vom Ausgangs-Kippwinkel kann die jeweilige Feldfacette zunächst um eine erste der beiden Kippachsen verkippt werden, wobei die zweite Kippachse dann um den Kippwinkel der ersten Kippung verkippt angeordnet sein kann. Der jeweilige kräftefreie Ausgangs-Kippwinkel einer Feldfacette wird so gewählt, dass diejenigen Pupillenfacetten, die über diese Feldfacette kippwinkelabhängig mit dem Beleuchtungslicht-Teilbündel beaufschlagt werden sollen, über absolut möglichst kleine Kippwinkel erreichbar sind. Je nach Ausgestaltung der Beleuchtungsoptik kann eine der Feldfacetten wahlweise zwei, drei, vier, fünf oder noch mehr Pupillenfacetten kippwinkelabhängig mit dem Beleuchtungslicht-Teilbündel beaufschlagen. The assignment of the output tilt angle, ie the tilt angle, which occupies the respective field facet relative to a carrier-fixed coordinate system in the force-free, not aktorisch tilted state, takes place in the context of the assignment of field facets to pupil facets or pupil facets groups of the illumination optics to defined here To make the illumination angle distribution of an object illumination accessible. By tilting, starting from the initial tilt angle, as a rule a plurality of pupil facets, that is to say a pupil facet group, can be acted upon by each of the tiltable field facets, depending on the choice and depending on the tilt angle, with the illumination light sub-bundle striking this field facet. In this way, the respective illumination setting, ie the respective illumination angle distribution for the object illumination, can be changed by tilting the field facets. Starting from the initial tilt angle, the respective field facet can first be tilted about a first of the two tilt axes, wherein the second tilt axis can then be tilted about the tilt angle of the first tilt. The respective force-free output tilt angle of a field facet is selected such that those pupil facets which are to be acted upon by this field facet as a function of the tilting angle as a function of the illumination light sub-bundle can be reached via absolutely smallest possible tilt angles. Depending on the design of the illumination optics, one of the field facets can selectively apply two, three, four, five or even more pupil facets to the illumination light sub-beam depending on the tilt angle.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es zur Minimierung unerwünschter Abschattungseffekte erforderlich ist, bei der Zuordnung der Feldfacetten zu den Pupillenfacetten den kräftefreien, also ohne aktorische Verkippung vorliegenden Ausgangs- Kippwinkel um eine Kippachse parallel zur kurzen Seite der Feldfacetten nicht willkürlich oder zufällig freizugeben, sondern über eine Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift vorzugeben. Diese Minimierungsvorschrift stellt sicher, dass Differenzen zwischen Ausgangs-Kippwinkeln benachbarter Riegel-Facetten kleiner sind als bei einer zufälligen, als Ergebnis der Feldfacetten/Pupillenfacetten-Zuordnung resultierenden Verteilung der Ausgangs-Kippwinkel der Feldfacetten. Bei der Vorgabe des mittleren Basis-Ausgangs-Kippwinkels muss die Anzahl der Riegel-Feldfacetten, für die ein größerer Ausgangs-Kippwinkel als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel folgt, und entsprechende Anzahl der Riegel-Feldfacetten, für die ein kleinerer Ausgangs-Kippwinkel als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel folgt, nicht genau bei der Hälfte der Riegel-Facetten liegen. Auch eine Verteilung im Bereich zwischen 35:65 und 65:35 dieser Anzahlen ist möglich, z. B. 40:60, 45:55 oder 48:52. Natürlich ist auch eine exakte 50:50-Verteilung möglich. Die Vorgabe des mittleren Basis-Ausgangs-Kippwinkels sorgt dafür, dass absolute Differenzen zwischen diesem Basis-Ausgangs-Kippwinkel und den zugeordneten Ausgangs-Kippwinkeln der Riegel-Feldfacetten vorteilhaft klein sind. Der Basis-Ausgangs-Kippwinkel kann zur Orientierung eines Feldfacetten-Trägers und/oder eines Facettenriegel-Trägers für den jeweiligen Facettenriegel genutzt werden. Die Feldfacetten können bogenförmige oder rechteckige Reflexionsflächen aufweisen. Die Anzahl der Feldfacetten innerhalb eines Facettenriegels kann zwischen 2 und 100 Feldfacetten liegen, z. B. zwischen 5 Feldfacetten und 50 Feldfacetten oder zwischen 10 Feldfacetten und 20 Feldfacetten. Diese Anzahl kann insbesondere im Bereich von 10 Feldfacetten pro Facettenriegel liegen. Die Minimierungsvorschrift kann für alle Facettenriegel des Feldfacettenspiegels oder für ausgewählte Facettenriegel des Feldfacettenspiegels angewandt werden. According to the invention, it has been recognized that in order to minimize unwanted shading effects it is necessary, when assigning the field facets to the pupil facets, not to arbitrarily or randomly release the force-free initial tilt angle about a tilt axis parallel to the short side of the field facets, but rather over one Specify angle difference minimization rule. This minimization rule ensures that differences between output tilt angles of adjacent latch facets are smaller than with a random distribution of the output tilt angles of the field facets resulting from the field facet / pupil facet assignment. When specifying the average base-output tilt angle, the number of latch field facets followed by a larger output tilt angle than the base-output tilt angle and corresponding number of latch field facets must have a smaller output tilt angle than the base output tilt angle follows, not exactly half of the latch facets. Also, a distribution in the range between 35:65 and 65:35 of these numbers is possible, for. 40:60, 45:55 or 48:52. Of course, an exact 50:50 distribution is possible. The specification of the average base output tilt angle ensures that absolute differences between this base output tilt angle and the associated output tilt angles of the latch field facets are advantageously small. The base output tilt angle can be used to orient a field facet carrier and / or a facet bar carrier for the particular facet latch. The field facets may have arcuate or rectangular reflection surfaces. The number of field facets within a facet bar can be between 2 and 100 field facets, e.g. Between 5 field facets and 50 field facets or between 10 field facets and 20 field facets. This number may in particular be in the range of 10 field facets per facet bar. The minimization rule can be applied to all facet latches of the field facet mirror or to selected facet latches of the field facet mirror.

Die Minimierungsvorschrift kann als Algorithmus auf einem Rechner implementiert sein, und kann Bestandteil eines Zuordnungsalgorithmus bei der Zuordnung der kippbaren Feldfacetten zu einem Satz zugeordneter Pupillenfacetten sein, die über diese Feldfacette alternativ und je nach aktuierter Feldfacetten-Kippstellung mit einem Beleuchtungslicht-Teilbündel zur Objektfeldausleuchtung mitgegebenen Beleuchtungssetting ausgeleuchtet werden. Diese Zuordnung kann Bestandteil eines Produktionsverfahrens für den Feldfacettenspiegel sein. The minimization rule may be implemented as an algorithm on a computer, and may be part of an allocation algorithm in the Assigning the tiltable field facets to be a set of associated pupil facets, which are illuminated via this field facet alternatively and depending on the actuated Feldfacetten tilted position with a lighting light sub-beam for object field illumination given lighting settings. This assignment can be part of a production process for the field facet mirror.

Bei einer Minimierungsvorschrift nach Anspruch 2 werden die Ausgangs-Kippwinkel-Differenzen innerhalb eines Facetten-Clusters im Vergleich zur zufälligen Ausgangs-Kippwinkel-Vorgabe deutlich reduziert. Diese reduzierten Ausgangs-Kippwinkel-Differenzen führen zu vorteilhafteren Abschattungseffekten für das Beleuchtungslicht innerhalb der jeweiligen Facetten-Cluster.In a minimization rule according to claim 2, the output tilt angle differences within a facet cluster are significantly reduced compared to the random output tilt angle constraint. These reduced output tilt angle differences result in more advantageous shadowing effects for the illumination light within the respective facet clusters.

Bei einer Minimierungsvorschrift nach Anspruch 3 vereinfacht sich der Aufwand zur Durchführung dieser Vorschrift.In a Minimierungsvorschrift according to claim 3, the effort to implement this rule simplifies.

Alternativ können bei der Minimierungsvorschrift auch unterschiedliche Anzahlen der Riegel-Facetten innerhalb der Facetten-Cluster zugelassen werden. Dies erhöht die Flexibilität bei der Durchführung der Minimierungsvorschrift. Zusatzanforderungen, die aufgrund der Feldfacetten-Pupillenfacetten-Zuordnung sich ergeben, kann auf diese Weise flexibler Rechnung getragen werden. Alternatively, the minimization rule may also allow different numbers of the bar facets within the facet clusters. This increases the flexibility in performing the minimization rule. Additional requirements resulting from the field facet pupil facet assignment can be more flexibly accommodated in this way.

Bei der Minimierungsvorschrift nach Anspruch 4 erfolgt nicht notwendigerweise eine clusterweise Betrachtung der Feldfacetten, sondern es wird darauf geachtet, dass zu große Ausgangs-Kippwinkel-Unterschiede, die mit einem Vorzeichenwechsel einhergehen, in ihrer Anzahl kontrolliert werden. Auch dies führt zu einer Verringerung einer Differenz der Ausgangs-Kippwinkel zwischen den benachbarten Riegel-Facetten im Vergleich zu einer zufälligen Verteilung der Ausgangs-Kippwinkel bei der Feldfacetten/Pupillenfacetten-Zuordnung. In the minimization rule according to claim 4, a cluster-wise consideration of the field facets is not necessarily made, but care is taken to ensure that the number of output tilt-angle differences that are associated with a change of sign are too large. This also results in a reduction in a difference in the output tilt angles between the adjacent latch facets as compared to a random distribution of the output tilt angles in the field facet / pupil facet assignment.

Entsprechendes gilt für eine Minimierungsvorschrift nach Anspruch 5, die alternativ oder zusätzlich zu den vorstehend erläuterten Minimierungsvorschriften zum Einsatz kommen kann. Der Toleranzwert kann im Bereich zwischen 5 % und 50 %, insbesondere zwischen 5 % und 20 %, des absoluten größten Extrem-Ausgangs-Kippwinkels liegen. Der Differenz-Ausgangs-Kippwinkel kann im Bereich zwischen 10 % und 100 %, insbesondere zwischen 10 % und 30 %, des Ausgangs-Kippwinkels der benachbarten Extrem-Winkel-Feldfacette liegen. Soweit der Differenz-Ausgangs-Kippwinkel kleiner ist als 100 % des Ausgangs-Kippwinkels der benachbarten Extrem-Winkel-Feldfacette, ist sichergestellt, dass die betrachtete Nachbar-Feldfacette in Bezug auf den Basis-Ausgangs-Kippwinkel dasselbe Kippwinkel-Vorzeichen hat wie die benachbarte Extrem-Winkel-Feldfacette. Eine Winkeldifferenz, die größer ist als der Ausgangs-Kippwinkel der Extrem-Winkel-Feldfacette ist bei dieser Nachbar-Feldfacette dann vermieden. The same applies to a minimization rule according to claim 5, which can be used alternatively or in addition to the minimization rules explained above. The tolerance value can be in the range between 5% and 50%, in particular between 5% and 20%, of the absolute maximum extreme output tilt angle. The differential output tilt angle may be in the range between 10% and 100%, in particular between 10% and 30%, of the output tilt angle of the adjacent extreme-angle field facet. As far as the differential output tilt angle is less than 100% of the output tilt angle of the adjacent extreme-angle field facet, it is ensured that the considered neighbor field facet has the same tilt angle sign with respect to the base output tilt angle as the adjacent one extreme-angle field facet. An angular difference greater than the output tilt angle of the extreme-angle field facet is then avoided in this neighboring field facet.

Die Vorteile eines Feldfacettenspiegels nach Anspruch 6, einer Beleuchtungsleuchte nach Anspruch 8, eines optischen Systems nach Anspruch 9, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 11 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 12 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Zuordnungsverfahren bereits erläutert wurden. The advantages of a field facet mirror according to claim 6, an illumination lamp according to claim 8, an optical system according to claim 9, a projection exposure apparatus according to claim 10, a manufacturing method according to claim 11 and a microstructured or nanostructured component according to claim 12, correspond to those described above with reference to FIG have already been explained on the assignment method according to the invention.

Bei einem Feldfacettenspiegel mit mindestens einem Facetten-Cluster nach Anspruch 7 kann die Abweichung des Ausgangs-Kippwinkels der Feldfacetten innerhalb des jeweiligen Facetten-Clusters von einem mittleren Ausgangs-Kippwinkel kleiner sein als 20 %, kann kleiner sein als 15 %, kann kleiner sein als 10 % oder kann auch noch kleiner sein. Es ergeben sich bei nicht aktuiertem Feldfacettenspiegel Bereiche von Feldfacetten, nämlich die Facetten-Cluster, die sich von den hieran angrenzenden weiteren Facetten-Bereichen aufgrund der innerhalb der Facetten-Cluster vorliegenden ähnlichen Orientierung, die an Clustergrenzen in jeweils eine hiervon deutlich sich unterscheidende andere Orientierung übergeht, optisch gut unterscheiden lassen. Bei einer Sichtprüfung eines derartigen Facetten-Clusters aufweisenden Facettenriegels lassen sich die verschiedenen Facetten-Cluster aufgrund ihrer jeweiligen, sich ergebenden Facetten-Vorzugsorientierung gut unterscheiden, so dass sich eine charakteristische optische Anmutung eines Facettenriegels ergibt, der derartige Facetten-Cluster aufweist. In a field facet mirror having at least one facet cluster according to claim 7, the deviation of the output tilt angle of the field facets within the respective facet cluster from an average output tilt angle may be less than 20%, may be less than 15%, may be less than 10% or even smaller. When the field facet mirror is not actuated, areas of field facets result, namely the facet clusters which, from the other facet areas adjacent thereto, due to the similar orientation present within the facet clusters, at the cluster boundaries in each case have a clearly different other orientation passes, visually distinguish well. When visually inspecting such facet clusters having such a facet cluster, the various facet clusters can be well distinguished due to their respective resultant facet preference orientation, resulting in a characteristic optical appearance of a facet bar having such facet clusters.

Das Bauteil kann mit extrem hoher Strukturauflösung hergestellt sein. Auf diese Weise kann beispielsweise ein Halbleiterchip mit extrem hoher Integrations- bzw. Speicherdichte hergestellt werden. The component can be manufactured with extremely high structural resolution. In this way, for example, a semiconductor chip with extremely high integration or storage density can be produced.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen: Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie; 1 schematically a meridional section through a projection exposure system for EUV projection lithography;

2 eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Facettenriegeln, die jeweils eine Mehrzahl von den jeweiligen Facettenriegeln zugehörigen, bogenförmigen Riegel-Feldfacetten aufweisen; 2 a plan view of a field facet mirror of a lighting optical system of the projection exposure system with a plurality of facet bars, each having a plurality of arcuate latch field facets associated with the respective facet bars;

3 perspektivisch eine Ansicht von vier Feldfacetten eines der Facettenriegel des Feldfacettenspiegels nach 2, wobei diese vier Feldfacetten jeweils in einer Ausgangs-Kippposition, also in einem nicht aktuierten oder ausgeschalteten Zustand, dargestellt sind, in der jede der Feldfacetten einen Ausgangs-Kippwinkel einnimmt, der ohne Kraftbeaufschlagung durch Kipp-Aktoren resultiert und ausgehend von dem die jeweilige Feldfacette in verschiedene Kippstellungen verbracht werden kann; 3 In perspective, a view of four field facets of one of the faceted bars of the Field facet mirror after 2 These four field facets are each shown in an initial tilt position, ie in a non-actuated or switched-off state, in which each of the field facets assumes an output tilt angle that results without force being applied by tilt actuators and from which the respective field facet can be spent in different tilt positions;

4 eine Ausschnittsvergrößerung aus 3 zur Verdeutlichung der Lage der Feldfacetten-Koordinaten in Bezug auf eine Riegel-Normale eines Riegel-Koordinatensystems; 4 an excerpt from 3 to clarify the position of the field facet coordinates with respect to a bar normal of a bar coordinate system;

5 eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels mit rechteckigen Riegel-Feldfacetten; 5 another embodiment of a field facet mirror with rectangular bar field facets;

6 eine Aufsicht auf einen Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik; und 6 a plan view of a pupil facet mirror of the illumination optics; and

7 in einem Diagramm die Abhängigkeit einer Beleuchtungs-Uniformität, angegeben in einer Prozentabweichung einer maximalen von einer minimalen Beleuchtungsintensität, von einer Clustergröße von Facetten-Clustern der Riegel-Feldfacetten innerhalb der Facettenriegel einer Ausführung des Feldfacettenspiegels, wobei diese Clustergröße bei der Anwendung einer Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift zum Einsatz kommt, mit der Winkeldifferenzen ausgewählter Ausgangs-Kippwinkel benachbarter Feldfacetten im Vergleich zu einer zufällig auftretenden Winkeldifferenz verringert werden. 7 FIG. 4 is a graph of the dependence of illumination uniformity, given in a percentage deviation of a maximum of a minimum illumination intensity, on a cluster size of facet clusters of the latch field facets within the facet bars of one embodiment of the field facet mirror, this cluster size applying an angle difference minimization law is used, are reduced with the angle differences selected output tilt angle of adjacent field facets compared to a random angle difference.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikro-Lithografie. Zur Projektionsbelichtungsanlage 1 gehört eine Licht- bzw. Strahlungsquelle 2. Ein Beleuchtungssystem 3 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines mit einem Objektfeld 5 zusammenfallenden Beleuchtungsfeldes in einer Objektebene 6. Das Beleuchtungsfeld kann auch größer sein als das Objektfeld 5. Belichtet wird hierbei ein Objekt in Form eines im Objektfeld 5 angeordneten Retikels 7, das von einem Objekt- bzw. Retikelhalter 8 gehalten ist. Das Retikel 7 wird auch als Lithografiemaske bezeichnet. Der Objekthalter 8 ist über einen Objektverlagerungsantrieb 9 längs einer Objekt-Verlagerungsrichtung verlagerbar. Eine stark schematisch dargestellte Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 synchronisiert zum Objekthalter 8 parallel zur Objekt-Verlagerungsrichtung verlagerbar. 1 schematically shows in a meridional section a projection exposure system 1 for micro lithography. To the projection exposure system 1 belongs to a light or radiation source 2 , A lighting system 3 the projection exposure system 1 has a lighting look 4 to expose one with an object field 5 coincident illumination field in an object plane 6 , The illumination field can also be larger than the object field 5 , An object in the form of an object field is exposed in this case 5 arranged reticle 7 that of an object or reticle holder 8th is held. The reticle 7 is also called lithography mask. The object holder 8th is about a object displacement drive 9 displaceable along an object displacement direction. A highly schematically represented projection optics 10 serves to represent the object field 5 in a picture field 11 in an image plane 12 , A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 11 in the picture plane 12 arranged wafers 13 , The wafer 13 is from a wafer holder 14 held. The wafer holder 14 is via a wafer displacement drive 15 synchronized to the object holder 8th displaceable parallel to the object displacement direction.

Bei der Strahlungsquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron oder auf einem freien Elektronenlaser (FEL) basiert, ist für die Strahlungsquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus der US 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung 16, die von der Strahlungsquelle 2 ausgeht, insbesondere das das Objektfeld 5 beleuchtende Nutz-Beleuchtungslicht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 17 propagiert die EUV-Strahlung 16 durch eine Zwischenfokusebene 18, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 19 trifft. Der Feldfacettenspiegel 19 ist ein erster Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Feldfacettenspiegel 19 hat eine Mehrzahl von reflektierenden Feldfacetten, die in der 1 nicht dargestellt ist. Der Feldfacettenspiegel 19 ist in einer Feldebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. At the radiation source 2 It is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gasdischarge-produced plasma) or an LPP source. Source (plasma generation by laser, laser-produced plasma) act. Also, a radiation source based on a synchrotron or on a free electron laser (FEL) is for the radiation source 2 used. Information about such a radiation source is the expert, for example from the US Pat. No. 6,859,515 B2 , EUV radiation 16 coming from the radiation source 2 goes out, in particular the object field 5 Lighting utility lighting light, is from a collector 17 bundled. A corresponding collector is from the EP 1 225 481 A known. After the collector 17 propagates the EUV radiation 16 through an intermediate focus level 18 before moving to a field facet mirror 19 meets. The field facet mirror 19 is a first facet mirror of the illumination optics 4 , The field facet mirror 19 has a plurality of reflective field facets included in the 1 not shown. The field facet mirror 19 is in a field level of the illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated.

Die EUV-Strahlung 16 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet. The EUV radiation 16 is hereinafter also referred to as illumination light or as imaging light.

Nach dem Feldfacettenspiegel 19 wird die EUV-Strahlung 16 von einem Pupillenfacettenspiegel 20 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist ein zweiter Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik 4. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Zwischenfokusebene 18 und zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist oder mit dieser Pupillenebene zusammenfällt. Der Pupillenfacettenspiegel 20 hat eine Mehrzahl von reflektierenden Pupillenfacetten, die in der 1 nicht dargestellt sind. Mit Hilfe der Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 20 und einer insbesondere nachfolgenden abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 21 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 22, 23 und 24 werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 19 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet. Je nach Ausgestaltung der abbildenden optischen Baugruppe können Spiegel, über die die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 19 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet werden, auch im Strahlengang des Beleuchtungslichts 16 zwischen dem Feldfacettenspiegel 19 und dem Pupillenfacettenspiegel 20 angeordnet sein. Grundsätzlich kann bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik auch mindestens ein das Beleuchtungslicht 16 führender Spiegel im Strahlengang vor dem Feldfacettenspiegel 19 angeordnet sein. After the field facet mirror 19 becomes the EUV radiation 16 from a pupil facet mirror 20 reflected. The pupil facet mirror 20 is a second facet mirror of the illumination optics 4 , The pupil facet mirror 20 is in a pupil plane of the illumination optics 4 arranged to the Zwischenfokusebene 18 and to a pupil plane of the illumination optics 4 and the projection optics 10 is optically conjugated or coincides with this pupil plane. The pupil facet mirror 20 has a plurality of reflective pupil facets included in the 1 are not shown. With the help of the pupil facets of the pupil facet mirror 20 and a particular subsequent optical imaging assembly in the form of a transmission optics 21 with mirrors in the order of the beam path 22 . 23 and 24 become the field facets of the field facet mirror 19 overlapping each other in the object field 5 displayed. Depending on the design of the imaging optical assembly, mirrors may be used to mirror the field facets of the field facet mirror 19 overlapping each other in the object field 5 be imaged, even in the beam path of the illumination light 16 between the field facet mirror 19 and the pupil facet mirror 20 be arranged. In principle, in a further embodiment of the illumination optics also at least a lighting light 16 leading mirror in the beam path in front of the field facet mirror 19 be arranged.

Der letzte Spiegel 24 der Übertragungsoptik 21 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel“). Je nach Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann auf die Übertragungsoptik 21 auch gänzlich oder teilweise verzichtet werden. The last mirror 24 the transmission optics 21 is a grazing incidence mirror. Depending on the design of the illumination optics 4 can on the transmission optics 21 be completely or partially omitted.

Eine zentrale Steuereinrichtung 24a steht unter anderem mit Kipp-Aktoren für die Feldfacetten 25 des Feldfacettenspiegels 19 in Signalverbindung. A central control device 24a stands, among other things, with tilt actuators for the field facets 25 of the field facet mirror 19 in signal connection.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach rechts und parallel zur Verlagerungsrichtung des Objekthalters 8 und des Waferhalters 14. Die z-Achse verläuft in der 1 nach unten, also senkrecht zur Objektebene 6 und zur Bildebene 12. To facilitate the description of positional relationships is in the 1 a Cartesian xyz coordinate system as a global coordinate system for the description of the positional relationships of components of the projection exposure apparatus 1 between the object plane 6 and the picture plane 12 located. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane into this. The y-axis runs in the 1 to the right and parallel to the direction of displacement of the object holder 8th and the wafer holder 14 , The z-axis runs in the 1 down, that is perpendicular to the object plane 6 and to the picture plane 12 ,

Die x-Dimension über das Objektfeld 5 bzw. das Bildfeld 11 wird auch als Feldhöhe bezeichnet. Die Objektverlagerungsrichtung verläuft parallel zur y-Achse. The x-dimension over the object field 5 or the image field 11 is also called field height. The object displacement direction is parallel to the y-axis.

Lokale kartesische xyz-Koordinatensysteme, die in den 2 ff. gezeigt werden, sind jeweils den dort gezeigten Einzelkomponenten zugeordnet, wobei gilt, dass eine Reflexionsfläche dieser Einzelkomponente von der xy-Ebene dieses lokalen Koordinatensystems aufgespannt wird, so dass die lokale z-Achse eine Normale auf diese Reflexionsfläche darstellt. Die x-Koordinate des jeweiligen lokalen Koordinatensystems verläuft regelmäßig parallel oder nahezu parallel zur x-Achse des globalen kartesischen Koordinatensystems der 1.Local Cartesian xyz coordinate systems used in the 2 ff. are each assigned to the individual components shown there, with the proviso that a reflection surface of this individual component is spanned by the xy plane of this local coordinate system so that the local z-axis represents a normal to this reflection surface. The x-coordinate of the respective local coordinate system runs regularly parallel or nearly parallel to the x-axis of the global Cartesian coordinate system of the 1 ,

Die 2 zeigt ein Beispiel einer Facettenanordnung für den Feldfacettenspiegel 19. Jede der dort dargestellten Feldfacetten 25 kann als Einzelspiegel-Gruppe aus einer Mehrzahl von Einzelspiegeln aufgebaut sein, wie beispielsweise aus der WO 2009/100 856 A1 bekannt. Jeweils eine der Einzelspiegel-Gruppen hat dann die Funktion einer Facette eines Feldfacettenspiegels, wie dieser beispielsweise in der US 6 438 199 B1 oder der US 6 658 084 B2 offenbart ist. The 2 shows an example of a facet arrangement for the field facet mirror 19 , Each of the field facets displayed there 25 can be constructed as a single-mirror group of a plurality of individual mirrors, such as from WO 2009/100 856 A1 known. In each case one of the individual mirror groups then has the function of a facet of a field facet mirror, as this example in the US Pat. No. 6,438,199 B1 or the US Pat. No. 6,658,084 B2 is disclosed.

Der Feldfacettenspiegel 19 hat eine Vielzahl gebogen ausgeführter Feldfacetten 25. Diese sind gruppenweise in Feldfacetten-Blöcken 26, die auch als Facettenriegel bezeichnet sind, auf einem Feldfacetten-Träger 27 angeordnet. Insgesamt hat der Feldfacettenspiegel 19 nach 2 26 Facettenriegel 26, in denen bis zu zehn der Feldfacetten 25 gruppenweise zusammenfassen. Je nach Ausführung des Feldfacettenspiegels 19 kann die Anzahl der Feldfacetten 25 pro Facettenriegel 26 im Bereich zwischen zwei und 50 und insbesondere im Bereich zwischen fünf und 20, beispielsweise im Bereich von zehn, liegen. The field facet mirror 19 has a variety of curved executed field facets 25 , These are in groups in field facet blocks 26 , also referred to as facet latches, on a field facet carrier 27 arranged. Overall, the field facet mirror has 19 to 2 26 faceted bars 26 in which up to ten of the field facets 25 group together. Depending on the version of the field facet mirror 19 can the number of field facets 25 per facet bar 26 in the range between two and 50 and in particular in the range between five and 20 , for example in the range of ten.

3 zeigt einen Ausschnitt aus einem dieser Facettenriegel 26 mit insgesamt vier Feldfacetten 25, die zum gleichen Facettenriegel gehören und in der 3, um eine Unterscheidung zu ermöglichen, mit 25a, 25b, 25c und 25d bezeichnet sind. Die Feldfacetten 25 eines Facettenriegels 26 werden auch als Riegel-Feldfacetten bezeichnet. Jede der Feldfacetten 25 hat eine Reflexionsfläche 28 mit einer langen Seite 28 L und einer kurzen Seite 28 K. Benachbarte Feldfacetten 25 innerhalb des Facettenriegels 26 grenzen jeweils über ihre langen Seiten 28 L aneinander an. 3 shows a section of one of these facet bars 26 with a total of four field facets 25 that belong to the same facet bar and in the 3 to allow a distinction with 25a . 25b . 25c and 25d are designated. The field facets 25 a facet bar 26 are also called bar field facets. Each of the field facets 25 has a reflection surface 28 with a long side 28 L and a short side 28 K. Neighboring field facets 25 inside the facet bar 26 each border on their long sides 28 L together.

Jede der Feldfacetten 25a bis 25d liegt kräftefrei in einer Ausgangs-Kippposition vor, von der aus sie in Bezug auf zwei Kippachsen mit Hilfe jeweils eines Kipp-Aktors verkippbar ist. Each of the field facets 25a to 25d is force-free in an initial tilt position, from which it can be tilted with respect to two tilt axes by means of a tilt actuator.

In den 3 und 4 ist jeder der Feldfacetten 25 i ein kartesisches Feldfacetten-Koordinatensystem xyzFF zugeordnet. Die Koordinaten xFF und yFF dieses Feldfacetten-Koordinatensystems spannen die jeweilige Reflexionsfläche 28 der Feldfacette 25 i auf. In the 3 and 4 is each of the field facets 25 i is assigned a Cartesian field facet coordinate system xyz FF . The coordinates x FF and y FF of this field facet coordinate system span the respective reflection surface 28 the field facet 25 i up.

Zusätzlich sind in den 3 und 4 auch noch trägerfeste, kartesische Facettenriegel-Koordinaten xFR, yFR und zFR dargestellt, mittels denen eine Lage der jeweilige Feldfacette 25a bis 25d im Facettenriegel 26 spezifiziert werden kann. Eingezeichnet ist in den 3 und 4 zusätzlich die Lage einer Riegel-Normalen n, die jeweils parallel zur Riegel-Koordinatenachse zFR verläuft. In addition, in the 3 and 4 also carrier-solid, Cartesian facet bar coordinates x FR , y FR and z FR represented by means of which a position of the respective field facet 25a to 25d in the faceted bar 26 can be specified. Marked in the 3 and 4 in addition, the position of a bar normal n, which runs parallel to the bar coordinate axis z FR .

Die Feldfacetten-Koordinate yFF verläuft im Wesentlichen parallel zur Objektverlagerungsrichtung y. Genau stimmt dies nur für den Fall ny = 0, der nachfolgend vereinfachend betrachtet wird. Die beiden Kippachsen, um die die jeweilige Feldfacette 25 i verkippbar ist, fallen zumindest näherungsweise mit den Feldfacetten-Koordinaten xFF, yFF zusammen. Genau stimmt dies wiederum für den Fall ny = 0, wo die Kippachse für den Kippwinkel nx mit der Feldfacetten-Koordinate yFF zusammenfällt. Tatsächlich weichen für den Fall ny ≠ 0 die Feldfacetten-Koordinaten yFF voneinander ab und der Kippwinkel nx kann als Kippung um eine gemeinsame Achse yFR und die Kippung ny als Kippung um eine gemeinsame Achse xFR verstanden werden. Der Kippwinkel nx betrifft also näherungsweise eine Kippung der jeweiligen Feldfacette 25 um eine Achse yFF bzw. yFR, die parallel zur kurzen Seite 28K der Feldfacette 25 verläuft.The field facet coordinate y FF runs essentially parallel to the object displacement direction y. Exactly this is true only for the case n y = 0, which is considered simplifying in the following. The two tilt axes around which the respective field facet 25 i is tiltable coincide at least approximately with the field facet coordinates x FF , y FF . This in turn is exactly true for the case n y = 0, where the tilt axis for the tilt angle n x coincides with the field facet coordinate y FF . In fact, for the case n y ≠ 0, the field facet coordinates y FF deviate from one another and the tilt angle n x can be understood as a tilt about a common axis y FR and the tilt n y as a tilt about a common axis x FR . The tilt angle n x thus affects approximately a tilt of the respective field facet 25 around an axis y FF or y FR , which is parallel to the short side 28 K of the field facet 25 runs.

Bei der Ausführung nach den 3 und 4 verlaufen die Feldfacetten-Koordinaten yFF für alle Feldfacetten 25a bis 25d des gleichen Facettenriegels 26 parallel und fallen zusammen. Diese Lagebeziehung der Feldfacetten-Koordinaten yFF für die Feldfacetten 25 i jeweils eines Feldfacettenriegels 26 muss bei anderen Ausführungen von Facettenriegeln 26 nicht gegeben sein, bei denen die Feldfacetten-Koordinaten yFF auch beabstandet parallel zueinander oder gekippt zueinander verlaufen können.In the execution of the 3 and 4 The field facet coordinates y FF run for all field facets 25a to 25d the same facet bar 26 parallel and fall together. This positional relationship of the field facet coordinates y FF for the field facets 25 i one field facet bar each 26 must in other versions of Facettenriegeln 26 not be given, in which the field facet coordinates y FF may also be spaced parallel to each other or tilted to each other.

Die Feldfacetten-Koordinate zFF stellt die Normale auf die jeweilige Reflexionsfläche 28 der Feldfacette 25 i dar. Die Facetten-Koordinaten zFF verlaufen im nicht aktuierten Zustand aufgrund der unterschiedlichen Ausgangs-Kippwinkel nicht parallel zueinander. The field facet coordinate z FF places the normal on the respective reflection surface 28 the field facet 25 In the non-actuated state, the facet coordinates z FF do not run parallel to one another due to the different output tilt angles.

Die Verkippung der jeweiligen Feldfacette 25 i, ausgehend von der Ausgangs-Kippposition um ihre Feldfacetten-Koordinaten xFF und yFF, wird angetrieben über einen Kipp-Aktor 29, der in der 3 beispielhaft für die Feldfacette 25d dargestellt ist. Der Kipp-Aktor 29 umfasst eine x-Kipp-Aktoreinheit 29x und eine y-Kipp-Aktoreinheit 29y, die unabhängig voneinander von der zentralen Steuereinrichtung 24a angesteuert werden können. Jede Feldfacette 25 hat einen eigenen Kipp-Aktor 29. The tilt of the respective field facet 25 i , starting from the initial tilt position about its field facet coordinates x FF and y FF , is driven via a tilt actuator 29 , the Indian 3 exemplary for the field facet 25d is shown. The tilt actuator 29 includes an x-tilt actuator unit 29x and a y-tilt actuator unit 29y independently from the central control device 24a can be controlled. Every field facet 25 has its own tilt actuator 29 ,

Die Kipp-Aktoreinheit 29x verkippt die Feldfacette 25d um einen Kippwinkel ny um die zugehörige Facetten-Koordinatenachse xFF (vgl. auch 4). Die Kipp-Aktoreinheit 29y verkippt die Feldfacette 25d um die Facetten-Koordinatenachse yFF um einen Kippwinkel nx. Je nach Ausgangs-Kippposition können sich die Kippwinkel ny im Bereich zwischen beispielsweise –140 mrad und 140 mrad, bezogen auf einen mittleren Ausgangs-Kippwinkel, unterscheiden. Die Kippwinkel nx können sich, bezogen auf einen Basis-Ausgangs-Kippwinkel, der nachfolgend noch erläutert wird, in einem Bereich zwischen –65 mrad und 65 mrad voneinander unterscheiden. The tilt actuator unit 29x tilts the field facet 25d by a tilt angle ny about the associated facets coordinate axis x FF (see. also 4 ). The tilt actuator unit 29y tilts the field facet 25d around the facet coordinate axis y FF by a tilt angle n x . Depending on the initial tilt position, the tilt angle y n may mrad and 140 mrad in the range of, for example, -140, based on a mean output tilt angle differ. The tilt angles n x may differ from each other in a range between -65 mrad and 65 mrad, based on a base output tilt angle, which will be described later.

Bei der dargestellten Ausführung sind die Ausgangs-Kippwinkel ny gleich groß, was in diesem Fall dazu führt, dass die Feldfacetten-Koordinaten yFF zusammenfallen.In the illustrated embodiment, the output y n tilt angle are equal, resulting in this case to the fact that the field facets coordinates y FF coincide.

Im Zusammenhang mit den 3 und 4 wird nachfolgend die Verkippung um die Facetten-Koordinatenachse yFF betrachtet. Entsprechendes gilt für den realen Fall, dass sich auch die Ausgangs-Kippwinkel ny unterscheiden, auch in Bezug auf die Verkippung um die Facetten-Koordinatenachsen yFF. In connection with the 3 and 4 the tilting of the facets coordinate axis y FF is considered below. The same applies to the real case that the output tilt angles n y also differ, also with respect to the tilt about the facet coordinate axes y FF .

Die Riegel-Koordinatenachse yFR verläuft in etwa parallel zur Objektverlagerungsrichtung y. Die Riegel-Koordinatenachsen xFR und yFR spannen eine Riegel-Hauptebene auf, die repräsentativ für eine mittlere Reflexionsflächenorientierung der Feldfacetten 25 i des Facettenriegels 26 in der Ausgangs-Kippposition aller Feldfacetten 25 i dieses Feldfacettenriegels 26 ist. The bolt coordinate axis y FR runs approximately parallel to the object displacement direction y. The bar coordinate axes x FR and y FR span a bar main plane representative of a mean reflective surface orientation of the field facets 25 i of the facet bar 26 in the initial tilt position of all field facets 25 i this field facets bar 26 is.

Die jeweiligen Ausgangs-Kippwinkel der Feldfacetten 25a bis 25d sind als Winkel der Facetten-Koordinatenachsen zFF zur Riegel-Normalen n definiert. Nachfolgend wird dies für eine Verkippung um eine gemeinsame Feldfacetten-Koordinatenachse yFF jeweils um einen Kippwinkel nx erläutert, also für eine Verkippung der jeweiligen Facetten 25 um eine Achse im Wesentlichen parallel zur kurzen Seite 28 K, auf die es nachfolgend ankommt. The respective output tilt angles of the field facets 25a to 25d are defined as angles of the facet coordinate axes z FF to the bar normal n. This is explained below for a tilting about a common field facet coordinate axis y FF by a tilt angle n x , ie for a tilting of the respective facets 25 about an axis substantially parallel to the short side 28 K , which arrives below.

Bei den drei Feldfacetten 25a bis 25c nach 4 wird die Ausgangs-Kippposition durch Verkippung der jeweiligen Feldfacette 25a bis 25c um die Facetten-Koordinatenachse yFF um den jeweiligen Ausgangs-Kippwinkel nx,a, nx,b und nx,c entgegen dem Uhrzeigersinn erreicht. Diese Kippwinkel nx,a, nx,b, nx,c haben definitionsgemäß negatives Vorzeichen. Für andere, in den 3 und 4 nicht dargestellte Feldfacetten 25 i des Facettenriegels 26 ist in der Ausgangs-Kippposition deren Feldfacetten-Koordinate zFF um die Feldfacetten-Koordinate yFF im Uhrzeigersinn um den Ausgangs-Kippwinkel nx,i verkippt, so dass dort ein positiver Ausgangs-Kippwinkel nx,i resultiert. In the three field facets 25a to 25c to 4 becomes the output tilt position by tilting the respective field facet 25a to 25c around the facet coordinate axis y FF by the respective output tilt angle nx , a , nx, b and nx, c in the counterclockwise direction. By definition, these tilt angles n x, a , n x, b , n x, c have negative signs. For others, in the 3 and 4 not shown field facets 25 i of the facet bar 26 In the initial tilt position, its field facet coordinate z FF is tilted by the field facet coordinate y FF clockwise by the output tilt angle n x , i , so that there results a positive output tilt angle n x , i .

Mit Hilfe des jeweiligen Kipp-Aktors 29 kann die jeweilige Feldfacette 25 i, ausgehend von ihrem jeweiligen Ausgangs-Kippwinkel nx,i, in eine Mehrzahl definierter Kippstellungen mit Verkippungen mit Kippwinkeln um die Facetten-Koordinatenachsen xFF und yFF verkippt werden. With the help of the respective tilt actuator 29 can the respective field facet 25 i , starting from its respective output tilt angle n x, i , are tilted into a plurality of defined tilt positions with tilts tilting about the facet coordinate axes x FF and y FF .

6 zeigt schematisch eine Aufsicht auf den Pupillenfacettenspiegel 20. Pupillenfacetten 30 des Pupillenfacettenspiegels 20 sind im Bereich einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet. Die Anzahl der Pupillenfacetten 30 ist in der Realität sehr viel größer als in der 6 dargestellt. In der Realität ist die Anzahl der Pupillenfacetten 30 größer als die Anzahl der Feldfacetten 25 des Feldfacetten-Spiegels 19 und ist z. B. ein Mehrfaches der Anzahl der Feldfacetten 25. Die Pupillenfacetten 30 sind auf einem Pupillenfacetten-Träger 31 des Pupillenfacettenspiegels 20 angeordnet. Eine Verteilung von über die Feldfacetten 25 mit dem Beleuchtungslicht beaufschlagten Pupillenfacetten 30 innerhalb der Beleuchtungspupille gibt eine Ist-Beleuchtungswinkelverteilung im Objektfeld 5 vor. 6 schematically shows a plan view of the pupil facet mirror 20 , pupil facets 30 of the pupil facet mirror 20 are in the range of an illumination pupil of the illumination optics 4 arranged. The number of pupil facets 30 is much bigger in reality than in the real world 6 shown. In reality, the number of pupil facets is 30 greater than the number of field facets 25 of the field facet mirror 19 and is z. B. a multiple of the number of field facets 25 , The pupil facets 30 are on a pupil facet carrier 31 of the pupil facet mirror 20 arranged. A distribution of over the field facets 25 pupil facets imparted to the illumination light 30 within the illumination pupil gives an actual illumination angle distribution in the object field 5 in front.

Jede der Feldfacetten 25 dient zur Überführung eines Teils des Beleuchtungslichts 16, also eines Beleuchtungslicht-Teilbündels 16 i, von der Lichtquelle 2 hin zu einer der Pupillenfacetten 30. Aufgrund der verschiedenen Kipppositionen, die jeweils eine der Feldfacetten 25 einnehmen kann, erreicht diese Feldfacette 25 i je nach Kippwinkel wahlweise eine Pupillenfacette 30 von einer Mehrzahl von Pupillenfacetten 30 innerhalb eines Pupillenfacetten-Bereichs 32. Ein Zentrum dieses Pupillenfacettenbereichs 32 ist definiert als der Auftreffpunkt des Beleuchtungslicht-Teilbündels 16 i, welches über ein Zentrum der Feldfacette 25 i in der Ausgangs-Kippposition hin zum Pupillenfacettenspiegel 20 geführt ist. Der Radius des Pupillenfacetten-Bereichs 32 ist vorgegeben durch die maximalen, über den jeweiligen Kipp-Aktor 29 erreichbaren Kippwinkel nx,i bzw. ny,i.Each of the field facets 25 serves to transfer part of the illumination light 16 , that is, an illumination light sub-beam 16 i , from the light source 2 towards one of the pupil facets 30 , Due to the different tilting positions, each one of the field facets 25 can occupy this field facet 25 i Depending on the tilt angle either a pupil facet 30 from a plurality of pupil facets 30 within a pupil facet area 32 , A center of this pupil facet area 32 is defined as the impact point of the illumination light sub-beam 16 i , which has a center of the field facet 25 i in the initial tilt position toward the pupil facet mirror 20 is guided. The radius of the pupil facet area 32 is specified by the maximum, via the respective tilt actuator 29 achievable tilt angle n x, i or n y, i .

Bei der Zuordnung der Ausgangs-Kippwinkel nx,i der kippbaren Feldfacetten 25 des Feldfacetten-Spiegels 19 wird folgendermaßen vorgegangen:
Zunächst wird durch entsprechende Definition der Richtung der Riegel-Normalen n, also durch entsprechende Definition des Facettenriegel-Koordinatensystems xFR, yFR, zFR, ein mittlerer Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 der Riegel-Feldfacetten 25 i innerhalb des Facettenriegels 26 vorgegeben, für den definitionsgemäß gilt, dass die noch zuzuordnenden Ausgangs-Kippwinkel nx,i für etwa die Hälfte der Riegel-Feldfacetten 25 i kleiner ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 und für die andere Hälfte der Riegel-Feldfacetten 25 größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0. Der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 stellt also einen Mittelwert der zu erwartenden Ausgangs-Kippwinkel nx,i der Riegel-Feldfacetten 25 i des jeweiligen Facettenriegels 26 dar. Dieser Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 wird vorgegeben, in dem die Orientierung der Riegel-Normalen n entsprechend angepasst wird.
In the assignment of the output tilt angle n x, i of the tiltable field facets 25 of the field facet mirror 19 the procedure is as follows:
First, by a corresponding definition of the direction of the bar normal n, ie by a corresponding definition of the facet bar coordinate system x FR , y FR , z FR , a mean base output tilt angle n x, 0 of the bar field facets 25 i inside the facet bar 26 By definition, it holds that the output tilt angles n x, i still to be allocated for about half of the latch field facets 25 i is smaller than the base output tilt angle n x, 0 and for the other half of the latch field facets 25 is greater than the base output tilt angle n x, 0 . The base output tilt angle n x, 0 thus represents an average of the expected output tilt angles n x, i of the latch field facets 25 i of the respective facet bar 26 This basic output tilt angle n x, 0 is specified, in which the orientation of the bar normal n is adjusted accordingly.

Anschließend werden beim Zuordnungsverfahren die Ausgangs-Kippwinkel nx,i auf die Riegel-Facetten 25 i innerhalb des Riegels 26 gemäß einer Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift derart verteilt, dass eine Differenz nx,i – nx,i+1 der Ausgangs-Kippwinkel zwischen benachbarten Riegel-Facetten 25 i im Mittel kleiner ist als wenn die Ausgangs-Kippwinkel bei der Zuordnung der Feldfacetten 25 i zu Pupillenfacetten 30 zufällig verteilt würden. Die Minimierungsvorschrift kann für alle Riegel 26 des Feldfacettenspiegels 19 angewandt werden oder alternativ ausschließlich für einige ausgewählte Facettenriegel 26. Subsequently, in the assignment process, the output tilt angles n x, i on the lock facets 25 i inside the bar 26 distributed according to an angle difference minimization rule such that a difference n x, i - n x, i + 1 of the output tilt angle between adjacent latch facets 25 i is smaller on average than if the output tilt angles in the assignment of the field facets 25 i to pupil facets 30 would be randomly distributed. The minimization rule can be used for all latches 26 of the field facet mirror 19 or alternatively only for a few selected facet bars 26 ,

Eine Variante der Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift stellt sicher, dass die Riegel-Facetten 25 i innerhalb des zugehörigen Facettenriegels 26 Facetten-Cluster bilden, wobei innerhalb der Facetten-Cluster alle Ausgangs-Kippwinkel nx,i entweder größer sind als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 oder kleiner sind als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0. Ein solches Facetten-Cluster 33 nach erfolgter Vorgabe des Basis-Ausgangs-Kippwinkels nx,0, also nach erfolgter Definition der Riegel-Normalen n, zeigt die 3. Dort ist der Ausgangs-Kippwinkel nx,i jeweils größer als 0 bei allen vier Feldfacetten 25a bis 25d des Facetten-Clusters 33. Diese gleiche Orientierung des Ausgangs-Kippwinkels nx,i relativ zum Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 innerhalb des Facetten-Clusters 33 sorgt dafür, dass die Unterschiede zwischen den Ausgangs-Kippwinkel nx,i und nx,i+1 zwischen Benachbarten der Feldfacetten 25a bis 25d gering sind, da die Kippwinkel nx,i innerhalb des Facetten-Clusters 33 nur in einem Vorzeichenhalbraum vorliegen können, also entweder alle positives oder alle negatives Vorzeichen haben können.A variant of the angle difference minimization rule ensures that the latch facets 25 i within the associated facet bar 26 Form facet clusters, wherein within the facet clusters, all output tilt angles n x, i are either greater than the base output tilt angle n x, 0 or less than the base output tilt angle n x, 0 . Such a faceted cluster 33 after the specification of the base output tilt angle n x, 0 , ie after the definition of the bar normals n, shows 3 , There, the output tilt angle n x, i is greater than 0 for all four field facets 25a to 25d of the faceted cluster 33 , This same orientation of the output tilt angle n x, i relative to the base output tilt angle n x, 0 within the facet cluster 33 ensures that the differences between the output tilt angles n x, i and n x, i + 1 between adjacent field facets 25a to 25d are small, since the tilt angles n x, i within the facet cluster 33 can only exist in a sign half-space, so either all positive or all negative sign can have.

Das Facetten-Cluster 33 nach 3 hat die Clustergröße 4, da im Facetten-Cluster 33 vier Feldfacetten 25a, 25b, 25c und 25d vorliegen. The faceted cluster 33 to 3 has the cluster size 4 because in the faceted cluster 33 four field facets 25a . 25b . 25c and 25d available.

Bei einer Variante der Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift haben alle Facetten-Cluster 33, für die die Vorschrift angewandt wird, die gleiche Clustergröße. In one variant of the angle difference minimization rule, all facet clusters have 33 for which the rule is applied, the same cluster size.

Die Verringerung der Differenz der Ausgangs-Kippwinkel nx,i zwischen benachbarten Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 im Vergleich zur reinen zufälligen Zuordnung der Ausgangs-Kippwinkel im Rahmen der Feldfacetten-Pupillenfacetten-Zuordnung führt dazu, dass eine Abschattung zwischen diesen benachbarten Feldfacetten 25 i, 25 i+1 gering ist und insbesondere über die Facetten-Koordinate xFF gering variiert. Anschaulich wird dies in der 3 deutlich, die das Facetten-Cluster 33 aus einem recht flachen Blickwinkel zeigt. Aufgrund der geringen Unterschiede der Ausgangs-Kippwinkel nx,i sind bei den Feldfacetten 25a bis 25d die Reflexionsflächen 28 fast vollständig sichtbar. Bei einem realen Beleuchtungslicht-Beaufschlagungswinkel auf den Feldfacetten 25 mit einem Einfallswinkel, beispielsweise im Bereich von höchstens 20°, ist die Abschattung, die das Beleuchtungslicht 16 aufgrund der geringen Ausgangs-Kippwinkelunterschiede aufgrund der Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift erfährt, noch deutlich geringer. The reduction of the difference of the output tilt angles n x, i between adjacent latch facets 25 i , 25 i + 1 compared to pure random assignment of initial tilt angle within the field facet pupil facet assignment causes shadowing between these adjacent field facets 25 i , 25 i + 1 is small and in particular varies slightly over the facet coordinate x FF . This becomes clear in the 3 clearly that the faceted cluster 33 from a fairly flat angle. Due to the small differences in the output tilt angles n x, i are in the field facets 25a to 25d the reflection surfaces 28 almost completely visible. At a real illumination light exposure angle on the field facets 25 with an angle of incidence, for example in the range of at most 20 °, is the shading, which is the illumination light 16 due to the low output Kippwinkelunterschiede due to the angle difference minimization rule undergoes even lower.

7 zeigt bei der vorstehend beschriebenen Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift und bei einem gegebenen Beleuchtungssetting die Abhängigkeit einer auf der Ordinate aufgetragenen Uniformitäts-Abweichung der Beleuchtungsintensität von der bei der Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift gewählten Facetten-Clustergröße CS. 7 In the above-described angle difference minimization law and given a lighting setting, the dependency of an ordinate-applied uniformity deviation of the illumination intensity from the facet cluster size CS selected in the angle difference minimization rule is shown.

Die Uniformitäts-Abweichung ist dabei als Prozentabweichung zwischen einer maximalen und einer minimalen Beleuchtungsintensität über das Objektfeld 5 (PV, Peak to Valley, in Prozent) aufgetragen. Eine Definition der Uniformität findet sich beispielsweise in der US 8 705 000 B2 . The uniformity deviation is a percentage deviation between a maximum and a minimum illumination intensity over the object field 5 (PV, Peak to Valley, in percent). A definition of uniformity can be found in the US 8 705 000 B2 ,

Clustergröße CS = 0 bedeutet, dass die Minimierungsvorschrift nicht angewendet wird, bedeutet also eine rein zufällige Verteilung der Ausgangs-Kippwinkel, wobei es nicht darauf ankommt, ob die Ausgangs-Kippwinkel größer oder kleiner sind als ein Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0. Es ergibt sich dabei eine Uniformitäts-Abweichung PV von 7 %. Cluster size CS = 0 means that the minimization rule is not applied, thus means a purely random distribution of the output tilt angle, it does not matter if the output tilt angles are greater or smaller than a base output tilt angle n x, 0 , This results in a uniformity deviation PV of 7%.

CS = 1 bedeutet eine Größe der Facetten-Cluster 33 von 1, bedeutet also, dass jedes Facetten-Cluster 33 exakt eine Feldfacette 25 beinhaltet. Die Anwendung der vorstehend erläuterten Minimierungsvorschrift erzwingt dann, dass bei benachbarten Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 das Vorzeichen im Verhältnis zum Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0 zwingend wechselt, was einer Vergrößerung der mittleren Differenz der Ausgangs-Kippwinkel zwischen den benachbarten Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 gleichkommt. Entsprechend nehmen die Abschattungswirkung und insbesondere die Abhängigkeit der Abschattung von der Facetten-Koordinate xFF zu, was zu einer Verschlechterung der Uniformität führt. Entsprechend ist der PV-Wert bei CS = 1 in der 7 auf etwa 14 % angewachsen. CS = 1 means a size of the facet clusters 33 of 1, that means every facet cluster 33 exactly one field facet 25 includes. The application of the minimization rule explained above then forces adjacent bar facets to be used 25 i , 25 i + 1 the sign in relation to the base output tilt angle n x, 0 necessarily changes, resulting in an increase in the average difference of the output tilt angle between the adjacent latch facets 25 i , 25 i + 1 equals. Accordingly, the shading effect and, in particular, the dependency of the shading on the facet coordinate x FF increase, which leads to a worsening of the uniformity. Accordingly, the PV value at CS = 1 in the 7 grown to about 14%.

Eine Cluster-Größe CS = 2 bedeutet, dass jeweils zwei benachbarte Riegel-Feldfacetten 25 i, 25 i+1 zu einem Facetten-Cluster 33 gehören, für welches die vorstehend erläuterte Minimierungsvorschrift angewandt wird. Hier ergibt sich eine Uniformitäts-Abweichung, die derjenigen ohne Anwendung der Minimierungsvorschrift praktisch entspricht, also PV ≈ 7 %. A cluster size CS = 2 means that there are two adjacent bar field facets 25 i , 25 i + 1 to a faceted cluster 33 belong to which the minimization rule explained above is applied. This results in a uniformity deviation which practically corresponds to that without application of the minimization rule, ie PV ≈ 7%.

Bei größeren Cluster-Größen CS ≥ 3 ergibt sich eine Verringerung der Differenz der Ausgangs-Kippwinkel zwischen den benachbarten Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 innerhalb eines Facettenriegels 26 bei Anwendung der Minimierungsvorschrift. Die Uniformitätsabweichung ist bei CS = 3 schon deutlich geringer als ohne Anwendung der Minimierungsvorschrift und beträgt dort etwa 5,5 %. Bei CS = 4 ist die Uniformitätsabweichung bereits kleiner als 5 %. Bei CS = 6 beträgt die Uniformitätsabweichung weniger als 4 %. Oberhalb von CS = 8 ergibt die Minimierungsvorschrift keine weitere Verbesserung der Uniformitätsabweichung, die dann knapp oberhalb von 3 % liegt. Im Vergleich ohne Anwendung der Minimierungsvorschrift ist die Uniformitätsabweichung um mehr als einen Faktor 2 verbessert. For larger cluster sizes CS ≥ 3, there is a reduction in the difference in output tilt angles between the adjacent latch facets 25 i , 25 i + 1 within a facet bar 26 when applying the minimization rule. The uniformity deviation at CS = 3 is already significantly lower than without application of the minimization rule and is there about 5.5%. At CS = 4, the uniformity deviation is already less than 5%. At CS = 6, the uniformity deviation is less than 4%. Above CS = 8, the minimization rule yields no further improvement in the uniformity deviation, which is then just above 3%. In comparison without applying the minimization rule, the uniformity deviation is improved by more than a factor of 2.

Bei einer alternativen Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift wird die Anzahl der Vorzeichenwechsel des Ausgangs-Kippwinkels benachbarter Feldfacetten 25 i, 25 i+1 innerhalb eines Facettenriegels 26 betrachtet. Ein solcher Vorzeichenwechsel liegt dann vor, wenn auf eine Riegel-Facette 25 i, deren Ausgangs-Kippwinkel nx,i größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0, eine Riegel-Facette 25 i+1 folgt, deren Ausgangs-Kippwinkel kleiner ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0. Ein Vorzeichenwechsel liegt ebenfalls vor, wenn auf eine Riegel-Facette 25 i, deren Ausgangs-Kippwinkel nx,i kleiner ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0, eine Riegel-Facette 25 i+1 folgt, deren Ausgangs-Kippwinkel nx,i+1 größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel nx,0. Anschaulich liegt ein Vorzeichenwechsel also dann vor, wenn bei zwei benachbarten Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 die Facetten-Normale zFF einmal zur einen Seite und einmal zur anderen Seite, bezogen auf die xz-Ebene relativ zur Riegel-Normalen n orientiert ist. In an alternative angle difference minimization law, the number of sign changes of the output tilt angle of adjacent field facets becomes 25 i , 25 i + 1 within a facet bar 26 considered. Such a sign change occurs when on a latch facet 25 i , whose output tilt angle n x, i is greater than the base output tilt angle n x, 0 , a latch facet 25 i + 1 follows, whose output tilt angle is smaller than the base output tilt angle n x, 0 . A sign change is also present when on a latch facet 25 i , whose output tilt angle n x, i is smaller than the base output tilt angle n x, 0 , a latch facet 25 i + 1 follows, whose output tilt angle n x, i + 1 is greater than the base output tilt angle n x, 0 . Clearly, there is a change of sign if, then, with two neighboring latch facets 25 i , 25 i + 1, the facet normal z FF is once oriented to one side and once to the other side, relative to the x-z plane relative to the transom normal n.

Bei dieser alternativen Minimierungsvorschrift wird also nicht auf Clustergröße der Facetten-Cluster 33 geachtet, sondern lediglich darauf, dass nur eine bestimmte Anzahl von Facetten-Clustern innerhalb des Facettenriegels 26 vorliegt, wobei die Anzahl der Feldfacetten 25 innerhalb eines Facetten-Clusters keine Rolle spielt. Es ist anschaulich klar, dass eine Differenz zwischen den Ausgangs-Kippwinkeln benachbarter Riegel-Facetten 25 i, 25 i+1 im Mittel geringer wird, wenn die Anzahl der Vorzeichenwechsel des Ausgangs-Kippwinkels im Vergleich zum Basis-Ausgangs-Kippwinkel sich verringert. In this alternative minimization rule, therefore, the cluster cluster does not have the facet cluster 33 pay attention, but only insist that only a certain number of faceted clusters within the facet bar 26 is present, the number of field facets 25 within a faceted cluster does not matter. It is clear that a difference between the initial tilt angles of adjacent latch facets 25 i , 25 i + 1 decreases on average as the number of sign changes in the output tilt angle decreases compared to the base output tilt angle.

Bei einer weiteren alternativen Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift werden nach Vorgabe des mittleren Basis-Ausgangs-Kippwinkels nx,0 zunächst Extremwinkel-Feldfacetten ermittelt, deren Ausgangs-Kippwinkel von einem für die Beleuchtung der zugeordneten Pupillenfacetten 30 notwendigen absolut größten Extrem-Ausgangs-Kippwinkel nx,E um höchstens einen Toleranzwert abweicht. Dieser Toleranzwert kann beispielsweise bei 10 % oder bei 15 % des Extrem-Ausgangs-Kippwinkels liegen. Soweit ein absolut größter Extrem-Ausgangs-Kippwinkel beispielsweise von 80 mrad oder 65 mrad erforderlich ist, werden bei einem Toleranzwert von 10 % als Extrem-Winkel-Feldfacetten 25 i diejenigen Feldfacetten berücksichtigt, deren Ausgangs-Kippwinkel nx,i im Bereich zwischen 72 und 80 mrad liegt. In a further alternative angle difference minimization rule, after specification of the mean base output tilt angle n x, 0 , extreme angle field facets are first determined, whose output tilt angle is one of that for illumination of the associated pupil facets 30 necessary absolutely largest extreme output tilt angle n x, E deviates by more than one tolerance value. This tolerance value can be, for example, 10% or 15% of the extreme output tilt angle. As far as an absolute maximum extreme tilt angle of, for example, 80 mrad or 65 mrad is required, with a tolerance value of 10%, extreme-angle field facets are used 25 i takes into account those field facets whose output tilt angle n x, i lies in the range between 72 and 80 mrad.

Anschließend wird sichergestellt, dass diese Extrem-Winkel-Feldfacetten 25 i innerhalb ihres Facettenriegels 26 Nachbar-Feldfacetten 25 i+1 haben, deren Ausgangs-Kippwinkel um weniger als einen Differenz-Ausgangs-Kippwinkel nx,D vom Ausgangs-Kippwinkel der Extrem-Winkel-Feldfacette nx,i abweicht. Der Differenz-Ausgangs-Kippwinkel nx,D kann beispielsweise 20 % oder 25 % des Ausgangs-Kippwinkels der Extrem-Winkel-Feldfacette betragen. Soweit die Extrem-Winkel-Feldfacette einen Ausgangs-Kippwinkel von beispielsweise 75 mrad hat, wird bei einem Differenz-Ausgangs-Kippwinkel von 20 % beispielsweise sichergestellt, dass die benachbarte Feldfacette 25 i+1 einen Ausgangs-Kippwinkel von mindestens 60 mrad aufweist. In diesem Fall wird ein Differenz-Ausgangs-Kippwinkel von 20 % des Ausgangs-Kippwinkels der Extrem-Winkel-Feldfacette toleriert. It then ensures that these extreme-angle field facets 25 i within her facet bar 26 Neighboring field facets 25 i + 1 whose output tilt angle deviates less than a differential output tilt angle n x, D from the output tilt angle of the extreme-angle field facet n x, i . The difference output tilt angle n x, D can be, for example, 20% or 25% of the Initial tilt angle of the extreme angle field facet. For example, if the extreme-angle field facet has an output tilt angle of 75 mrad, for example, with a differential output tilt angle of 20%, it is ensured that the adjacent field facet 25 i + 1 has an output tilt angle of at least 60 mrad. In this case, a differential output tilt angle of 20% of the output tilt angle of the extreme-angle field facet is tolerated.

Auch bei Anwendung dieser Minimierungsvorschrift ist anschaulich klar, dass gerade dort, wo die Abschattungseffekte am größten sind, nämlich bei den Feldfacetten 25 i mit den absolut größten Ausgangs-Kippwinkeln, die Abschattungseffekte zu benachbarten Feldfacetten 25 i minimiert sind. Even with the application of this minimization rule, it is clearly clear that precisely where the shadowing effects are greatest, namely in the field facets 25 i with the absolute highest initial tilt angles, the shading effects to adjacent field facets 25 i are minimized.

5 zeigt einen alternativen Feldfacettenspiegel 19, der anstelle des Feldfacettenspiegels 19 nach 2 zum Einsatz kommen kann. Der Feldfacettenspiegel 19 nach 5 hat rechteckige Feldfacetten 25, die wiederum gruppenweise in Facettenriegeln 26 angeordnet sind. Auch bei einem solchen, alternativen Feldfacettenspiegel 19 mit rechteckigen Feldfacetten 25, können die vorstehend erläuterten Winkeldifferenz-Minimierungsvorschriften im Rahmen eines Zuordnungsverfahrens für die Ausgangs-Kippwinkel der ebenfalls kippbar gestalteten, rechteckigen Feldfacetten zum Einsatz kommen. 5 shows an alternative field facet mirror 19 instead of the field facet mirror 19 to 2 can be used. The field facet mirror 19 to 5 has rectangular field facets 25 , in turn, in groups in Facettenriegeln 26 are arranged. Even with such an alternative field facet mirror 19 with rectangular field facets 25 , the angular difference minimization provisions explained above can be used in the context of an assignment method for the output tilt angles of the likewise tiltable rectangular field facets.

Nach erfolgter Zuordnung der Ausgangs-Kippwinkel nx,i, ny,i aller kippbaren Feldfacetten 25 des Feldfacettenspiegels 19 wird dieser entsprechend der zugeordneten Kippwinkel-Verteilung gefertigt. Dabei können die verschiedenen Facettenriegel 26 unabhängig voneinander gefertigt und entsprechend unabhängig relativ zueinander orientiert werden, so dass die Riegel-Hauptebenen xFR, yFR zueinander verkippt sind.After the assignment of the output tilt angles n x, i , n y, i of all tiltable field facets 25 of the field facet mirror 19 this is made according to the associated tilt angle distribution. The different facet bars can do this 26 made independently of each other and are oriented independently relative to each other, so that the bolt main planes x FR , y FR are tilted to each other.

Bei der Projektionsbelichtung mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird nach Durchführung des vorstehend erläuterten Ausgangs-Kippwinkel-Zuordnungsverfahrens wenigstens ein Teil des Retikels 7 im Objektfeld 5 auf einen Bereich der lichtempfindlichen Schicht auf den Wafer 13 im Bildfeld 11 zur lithografischen Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiterbauteils, beispielsweise eines Mikrochips, abgebildet. Hierbei werden das Retikel 7 und der Wafer 13 zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb verfahren.In the projection exposure using the projection exposure system 1 becomes at least a part of the reticle after the above-explained initial tilt-tilt allocation process 7 in the object field 5 on a portion of the photosensitive layer on the wafer 13 in the image field 11 for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component, in particular a semiconductor component, for example a microchip. This will be the reticle 7 and the wafer 13 synchronized in time in the y-direction continuously in scanner operation.

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Claims (12)

Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln (nx,i) von kippbaren Feldfacetten (25 i) eines Feldfacettenspiegels (19) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithografie, wobei der Feldfacettenspiegel (19) aufweist: – mindestens einen Facettenriegel (26) mit einer Mehrzahl von Riegel-Feldfacetten (25) mit einer Reflexionsfläche (28) mit einer langen Seite (28 L) und einer kurzen Seite (28 K), wobei benachbarte Feldfacetten (25 i, 25 i+1) innerhalb des Facettenriegels (26) über ihre langen Seiten (28 L) aneinander angrenzen, – wobei die Feldfacetten (25), ausgehend vom Ausgangs-Kippwinkel (nx) um zwei Achsen (yFF, xFF; yFR, xFR) verkippbar sind, um eine Mehrzahl von jeweils einer Feldfacette (25) zugeordneten Pupillenfacette (30) eines Pupillen-Facettenspiegels (20) der Projektionsbelichtungsanlage (1) mit über diese Feldfacette (25) geführten Beleuchtungslichts (16 i) wahlweise und kippwinkelabhängig zu beleuchten, – wobei jeweils der zuzuordnende Ausgangs-Kippwinkel (nx) eine Kippung der Feldfacette (25) um eine Achse (yFF; yFR) betrifft, die parallel zur kurzen Seite (28 K) der Feldfacette (25) verläuft, mit folgenden Schritten: – Vorgabe eines mittleren Basis-Ausgangs-Kippwinkels (nx,0) der Riegel-Feldfacetten (25) innerhalb des Facettenriegels (26), für den gilt, dass die zugeordneten Ausgangs-Kippwinkel (nx) für etwa die Hälfte der Riegel-Feldfacetten (25) kleiner ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0) und für die andere Hälfte der Riegel-Feldfacetten (25) größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0), – Verteilen der Ausgangs-Kippwinkel (nx,i) auf die Riegel-Facetten (25 i) innerhalb des Facettenriegels (26) gemäß einer Winkeldifferenz-Minimierungsvorschrift derart, dass eine Differenz (nx,i – nx,i+1) der Ausgangs-Kippwinkel zwischen benachbarten Riegel-Facetten (25 i, 25 i+1) im Mittel kleiner ist als wenn die Ausgangs-Kippwinkel (nx,i) zufällig verteilt würden. Method for assigning output tilt angles (n x, i ) of tiltable field facets ( 25 i ) a field facet mirror ( 19 ) for a projection exposure apparatus ( 1 ) for projection lithography, wherein the field facet mirror ( 19 ): - at least one facet bar ( 26 ) with a plurality of bar field facets ( 25 ) with a reflection surface ( 28 ) with a long side ( 28 L ) and a short page ( 28 K ), whereby adjacent field facets ( 25 i , 25 i + 1 ) within the facet bar ( 26 ) over their long sides ( 28 L ) adjoin one another, - the field facets ( 25 ), are tiltable about two axes (y FF , x FF , y FR , x FR ) starting from the initial tilt angle (n x ), to form a plurality of field facets each ( 25 ) associated pupil facet ( 30 ) of a pupil facet mirror ( 20 ) of the projection exposure apparatus ( 1 ) with this field facet ( 25 ) guided illumination light ( 16 i ) optionally and tilt angle-dependent lighting, - wherein in each case the output tilt angle (n x ) to be assigned a tilt of the field facet ( 25 ) about an axis (y FF ; y FR ) parallel to the short side ( 28 K ) the field facet ( 25 ) Runs, with the following steps: - presetting a central base-output tilting angle (n x, (0) of the locking field facets 25 ) within the facet bar ( 26 ), for which the assigned output tilt angles (n x ) for approximately half of the latch field facets ( 25 ) is smaller than the base output tilt angle (n x, 0 ) and for the other half of the latch field facets ( 25 ) is greater than the base output tilt angle (n x, 0 ), distributing the output tilt angles (n x, i ) to the latch facets ( 25 i ) within the facet bar ( 26 ) according to an angle difference minimization law such that a difference (n x, i - n x, i + 1 ) is the output tilt angle between adjacent latch facets ( 25 i , 25 i + 1 ) is on average smaller than if the output tilt angles (n x, i ) were randomly distributed. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Winkel-Differenz-Minimierungsvorschrift: Sicherstellen, dass Benachbarte der Riegel-Facetten (25) innerhalb des Facettenriegels (26) Facetten-Cluster (33) bilden, wobei innerhalb der Facetten-Cluster (33) alle Ausgangs-Kippwinkel (nx) entweder größer sind als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0) oder kleiner sind als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0). Method according to Claim 1, characterized by the following angle-difference minimization rule: ensuring that adjoining the bar facets ( 25 ) within the facet bar ( 26 ) Faceted clusters ( 33 ), where within the facet clusters ( 33 ) all output tilt angles (n x ) are either greater than the base output tilt angle (n x, 0 ) or less than the base output tilt angle (n x, 0 ). Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass alle Facetten-Cluster (33) die gleiche Anzahl von Riegel-Facetten (25) aufweisen. Method according to claim 2, characterized in that all facet clusters ( 33 ) the same number of latch facets ( 25 ) exhibit. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgende Winkel-Differenz-Minimierungsvorschrift: Sicherstellen, dass die Anzahl der Vorzeichen-Wechsel, bei der auf eine Riegel-Facette (25 i), deren Ausgangs-Kippwinkel (nx,i) größer oder kleiner ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0), eine Riegel-Facette (25 i+1) folgt, deren Ausgangs-Kippwinkel (nx,i+1) kleiner oder größer ist als der Basis-Ausgangs-Kippwinkel (nx,0), kleiner ist als ein Vorgabewert. Method according to Claim 1, characterized by the following angle difference minimization rule: ensuring that the number of sign changes in which a bar facet ( 25 i ) whose output tilt angle (n x, i ) is greater or smaller than the base output tilt angle (n x, 0 ), a latch facet ( 25 i + 1 ) whose output tilt angle (n x, i + 1 ) is smaller or larger than the base output tilt angle (n x, 0 ) is smaller than a preset value. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch folgende Winkel-Differenz-Minimierungsvorschrift: – Ermitteln von Extremwinkel-Feldfacetten (25), deren Ausgangs-Kippwinkel (nx) von einem für die Beleuchtung zugeordneter Pupillen-Facetten (30) notwendigen, absolut größten Extrem-Ausgangs-Kippwinkel (nx,E) um höchstens einen Toleranzwert abweicht, – Sicherstellen, dass diesen Extrem-Winkel-Feldfacetten (25 i) innerhalb ihres Facettenriegels (26) Nachbar-Feldfacetten (25 i-1, 25 i+1) benachbart sind, deren Ausgangs-Kippwinkel (nx,i-1, nx,i+1) um weniger als einen Differenz-Ausgangs-Kippwinkel (nx,D) vom Ausgangs-Kippwinkel (nx) der Extrem-Winkel-Feldfacetten (25) abweichen. Method according to one of claims 1 to 4, characterized by the following angle difference minimization rule: - determining extreme angle field facets ( 25 ) whose output tilt angle (n x ) is assigned by a pupil facet assigned to the illumination ( 30 ) absolutely maximum extreme output tilt angle (n x, E ) deviates by at most one tolerance value, - ensure that these extreme-angle field facets ( 25 i ) within its facet bar ( 26 ) Neighboring field facets ( 25 i-1 , 25 i + 1 ) whose output tilt angle (n x, i-1 , n x, i + 1 ) is less than a differential output tilt angle (n x, D ) from the output tilt angle (n x ) of Extreme-angle field facets ( 25 ) differ. Feldfacettenspiegel (19) mit einer Anordnung von Feldfacetten (25) mit einer Ausgangs-Kippwinkel-Zuordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5. Field facet mirror ( 19 ) with an array of field facets ( 25 ) with an output tilt angle assignment according to one of claims 1 to 5. Feldfacettenspiegel nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch mindestens ein Facetten-Cluster (33), gebildet aus benachbarten Riegel-Facetten (25) innerhalb eines Facettenriegels (26), wobei die Ausgangs-Kippwinkel (nx) innerhalb des Facetten-Clusters (33) von einem mittleren Ausgangs-Kippwinkel um weniger als 25 % abweichen. Field facet mirror according to claim 6, characterized by at least one facet cluster ( 33 ), formed from adjacent bar facets ( 25 ) within a facet bar ( 26 ), where the output tilt angles (n x ) within the facet cluster ( 33 ) deviate from a mean output tilt angle by less than 25%. Beleuchtungsoptik (4) mit einem Feldfacettenspiegel (19) nach Anspruch 6 oder 7 und mit einem Pupillenfacettenspiegel (20).Illumination optics ( 4 ) with a field facet mirror ( 19 ) according to claim 6 or 7 and having a pupil facet mirror ( 20 ). Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8 und mit einer Projektionsoptik (10) zur Abbildung eines mit der Beleuchtungsoptik (4) ausgeleuchteten Objektfeldes (5), in dem ein eine abzubildende Struktur tragendes Retikel (7) anordenbar ist, in ein Bildfeld (11), in dem ein zu belichtender Wafer (13) anordenbar ist. Optical system with an illumination optical system according to claim 8 and with a projection optics ( 10 ) for imaging one with the illumination optics ( 4 ) illuminated object field ( 5 ) in which a reticle carrying a structure to be imaged ( 7 ) can be arranged, in an image field ( 11 ), in which a wafer to be exposed ( 13 ) can be arranged. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 9. Projection exposure apparatus ( 1 ) with an optical system according to claim 9. Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit folgenden Schritten: – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 10, – Bereitstellen eines Wafers (13), – Bereitstellen einer Lithografiemaske (7), – Projizieren wenigstens eines Teils der Lithografiemaske (7) auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht des Wafers (13) mit Hilfe der Projektionsoptik (10) der Projektionsbelichtungsanlage (1). Method for producing a microstructured or nanostructured component comprising the following steps: - providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to claim 10, - providing a wafer ( 13 ), - providing a lithography mask ( 7 ), - projecting at least a part of the lithographic mask ( 7 ) to a region of a photosensitive Layer of the wafer ( 13 ) with the aid of the projection optics ( 10 ) of the projection exposure apparatus ( 1 ). Bauteil, hergestellt durch ein Verfahren nach Anspruch 11.Component produced by a method according to claim 11.
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