DE102017119180A1

DE102017119180A1 - Anordnungssubstrat, Anzeigetafel und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102017119180A1
Application number: DE102017119180.1A
Authority: DE
Inventors: Lei Zhang
Original assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2017-02-15
Filing date: 2017-08-22
Publication date: 2018-08-16
Anticipated expiration: 2037-08-23
Also published as: CN106684101A; US10459302B2; CN106684101B; US20170293172A1; DE102017119180B4

Abstract

Die vorliegende Erfindung offenbart ein Anordnungssubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung. Das Anordnungssubstrat weist ein Substrat auf; mehrere Abtastleitungen und mehrere Datenleitungen, die sich auf einer Seite des Substrats befinden, wobei die mehreren Abtastleitungen in einer zweiten Richtung verlaufen, die mehreren Datenleitungen in einer ersten Richtung verlaufen, die mehreren Abtastleitungen sich mit den mehreren Datenleitungen auf isolierte Art und Weise überkreuzen; und mehrere Teilpixel, die durch die mehreren Abtastleitungen und die mehreren Datenleitungen gebildet sind; wobei jedes der mehreren Teilpixel einen Dünnfilmtransistor umfasst, der eine aktive Schicht, ein Gate, eine Source und ein Drain aufweist, wobei sich die aktive Schicht, das Gate, die Source und das Drain auf einer Seite des Substrats befinden. Die aktive Schicht weist einen Kanalbereich auf.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnologie und im Spezielleren auf ein Anordnungssubstrat, eine Anzeigetafel mit dem Anordnungssubstrat und eine Anzeigevorrichtung mit der Anzeigetafel.
HINTERGRUND
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen, die die Vorteile von Strahlungsfreiheit sowie Licht- und Stromeinsparung haben, werden in einer Vielzahl von daten- und kommunikationsbezogenen elektronischen Verbraucherprodukten verwendet. Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung enthält allgemein eine Anzeigetafel, die ein Anordnungssubstrat und ein Farbschichtsubstrat aufweist, welche einander gegenüberliegend angeordnet sind, und eine Flüssigkristallschicht, die zwischen den beiden Substraten vorgesehen ist. Das Anordnungssubstrat umfasst Abtastleitungen und Datenleitungen, und die Abtastleitungen und Datenleitungen sind voneinander isoliert, um eine Vielzahl von Teilpixeln zu bilden. Jedes der Teilpixel umfasst eine Pixelelektrode, eine gemeinsame Elektrode und einen Dünnfilmtransistor, und die Pixelelektrode ist elektrisch an ein Drain des Dünnfilmtransistors angeschlossen. Im Anzeigezustand wird der an die Abtastleitung angeschlossene Dünnfilmtransistor durchgeschaltet, indem an die Abtastleitung ein Abtastsignal angelegt wird, und die an der Datenleitung anliegende Datenspannung lädt die Pixelelektrode über den durchgeschalteten Dünnfilmtransistor auf, so dass sich ein elektrisches Feld zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode bildet, um den Flüssigkristall in Drehung zu versetzen, wodurch das Anzeigen eines Bildes erreicht wird.
Mit der beständigen Entwicklung der Anzeigetechnologie gibt es zunehmend Forderungen nach hohen PPI-Werten (Pixel pro Zoll, die Anzahl von Pixeln pro Zoll) und sogar ultrahohen PPI-Werten.
Zusammen mit den beständigen Verbesserungen des PPI-Wertes in einer Anzeigetafel werden Pixelanordnungen jedoch immer dichter und die Abmessungen jedes Teilpixels werden kleiner, was nicht nur große Herausforderungen in Bezug auf das Produktdesign der Anzeigetafel darstellt, sondern auch eine Menge Probleme bereitet; so sind zum Beispiel die Pixelaperturverhältnisse, die sich auf ein Verhältnis zwischen einer Fläche des Lichtdurchgangabschnitts mit Ausnahme des Verdrahtungsteils und Transistorteils (die üblicherweise durch die Schwarzmatrix verdeckt sind) jedes Teilpixels und der Gesamtfläche jedes Teilpixels bezieht, durch Zwangsbedingungen der Prozesstechnologie wie zum Beispiel die Leitungsbreite und Abstandsbeschränkungen zwischen immer kleiner werdenden, benachbarten Teilpixeln eingeschränkt, wenn keine stabile Lichtexposition im Lithografieprozess erreicht werden kann, was zu einer schlechten Belichtung an einer Anzeigetafel führt. Je größer das Öffnungsverhältnis ist, desto stärker ist die Lichtdurchstrahlung.
ZUSAMMENFASSUNG
Angesichts des Vorstehenden stellt die vorliegende Erfindung eine Technik bereit, um ein Anordnungssubstrat, eine Anzeigetafel mit dem Anordnungssubstrat und eine Anzeigevorrichtung mit der Anzeigetafel herzustellen.
Im Rahmen eines ersten Aspekts stellt eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Anordnungssubstrat bereits, das ein Substrat umfasst; und mehrere Abtastleitungen und mehrere Datenleitungen, wobei sich die mehreren Abtastleitungen und die mehreren Datenleitungen auf einer Seite des Substrats befinden. Die mehreren Abtastleitungen verlaufen in einer zweiten Richtung, die mehreren Datenleitungen verlaufen in einer ersten Richtung, und die mehreren Abtastleitungen überkreuzen sich mit den mehreren Datenleitungen auf isolierte Art und Weise; und mehrere Teilpixel, die durch die mehreren Abtastleitungen und die mehreren Datenleitungen gebildet sind. Jedes der mehreren Teilpixel weist einen Dünnfilmtransistor auf, der eine aktive Schicht, ein Gate, eine Source und ein Drain umfasst, wobei sich die aktive Schicht, das Gate, die Source und das Drain auf einer Seite des Substrats befinden. Die aktive Schicht umfasst einen Kanalbereich, der ein Bereich ist, in dem sich die aktive Schicht und das Gate in der zum Anordnungssubstrat senkrechten Richtung überlappen. Der Kanalbereich umfasst zwei Ränder, die zueinander in der zweiten Richtung entgegengesetzt sind. Ein erster Winkel zwischen einer Erstreckungsrichtung der beiden Ränder und der ersten Richtung ist größer als 0° und kleiner oder gleich 40°.
Im Rahmen eines zweiten Aspekts stellt die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Anzeigetafel bereit, die das im Rahmen des ersten Aspekts bereitgestellte Anordnungssubstrat aufweist.
Im Rahmen eines dritten Aspekts stellt die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darüber hinaus eine Anzeigevorrichtung bereit, die die im Rahmen des zweiten Aspekts bereitgestellte Anzeigetafel aufweist.
Im Vergleich zur herkömmlichen Technologie sind das Anordnungssubstrat, die Anzeigetafel und die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung so ausgelegt, dass der erste Winkel durch die Erstreckungsrichtung von zwei zueinander entgegengesetzten Rändern des Kanalbereichs des Dünnfilmtransistors in der zweiten Richtung und der ersten Richtung gebildet wird, und der erste Winkel größer als 0° und kleiner oder gleich 40° ist. Auf diese Weise wird während der Herstellung des Anordnungssubstrats die relative Länge der Struktur, die dem homologen Filmschichtaufbau im Dünnfilmtransistor zweier benachbarter Teilpixel entspricht, in den Belichtungsprozessabläufen zur Ausbildung des Dünnfilmtransistors kleiner, da die Erstreckungsrichtung des Kanalbereichs einen vorbestimmten Neigungsgrad in Bezug auf die erste Richtung hat. Dementsprechend kann das Belichtungsausmaß zwischen den Strukturen gesteigert werden, wodurch die Belichtungsstabilität erhöht und die Erfolgsrate der Produktion des Anordnungssubstrats verbessert wird. Da außerdem auch ein Teil der Filmschichten des Dünnfilmtransistors in den Teilpixeln geneigt sein muss, nachdem der Kanal geneigt ist, ändert sich folglich der Überlappungsbereich des Teils des Filmschichten und anderer Filmschichten auf dem Anordnungssubstrat derart, dass das Aperturverhältnis verbessert ist.
Figurenliste
Um die technischen Lösungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung deutlicher zu veranschaulichen, werden die folgenden Zeichnungen kurz beschrieben, die im Rahmen der Beschreibung der Ausführungsformen verwendet werden. Es ist offensichtlich, dass die Zeichnungen in der nun folgenden Beschreibung lediglich einige beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind und ein Fachmann auf diesem Gebiet aus diesen Zeichnungen ohne erfinderisches Zutun zu weitere Zeichnungen gelangen kann.

1 ist eine schematische Draufsicht eines Anordnungssubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf dem Anordnungssubstrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
3 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie aa' in 2.
4 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts von Filmschichten in 2.
5 ist eine Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem Anordnungssubstrat gemäß dem Stand der Technik.
6 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 5.
7 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
8 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Richtung bb' in 7.
9 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 7.
10 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
11 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 10.
12 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
13 ist eine schematische Schnittansicht entlang einer Richtung cc' in 12.
14 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 10.
15 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
16 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Richtung dd' in 15.
17 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 15.
18 ist eine schematische Draufsicht von noch einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
19 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie ee' in 18.
20 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 18.
21 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
22 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 21.
23 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
24 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 23.
25 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf noch einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
26 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschicht in 25.
27 ist eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem weiteren Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
28 ist eine schematische Strukturansicht einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
29 ist eine schematische Strukturansicht einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Nun erfolgt in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung eine deutliche und gründliche Beschreibung der in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschriebenen technischen Lösungen, wobei es offensichtlich ist, dass die beschriebenen Ausführungsformen nur einen Teil, aber nicht alle Ausführungsformen der Erfindung darstellen. Alle anderen Ausführungsformen, zu denen Durchschnittsfachleute auf diesem Gebiet auf Grundlage der Ausführungsformen in der vorliegenden Erfindung ohne schöpferisches Zutun gelangen können, fallen in den Umfang der vorliegenden Erfindung.
Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Anordnungssubstrat bereit, das ein Substrat umfasst; mehrere Abtastleitungen und mehrere Datenleitungen, wobei sich die mehreren Abtastleitungen und die mehreren Datenleitungen auf einer Seite des Substrats befinden. Die mehreren Abtastleitungen verlaufen in einer zweiten Richtung, die mehreren Datenleitungen verlaufen in einer ersten Richtung, und die mehreren Abtastleitungen überkreuzen sich mit den mehreren Datenleitungen auf isolierte Art und Weise; und mehrere Teilpixel, die durch die mehreren Abtastleitungen und die mehreren Datenleitungen gebildet sind. Jedes der Teilpixel weist einen Dünnfilmtransistor auf, der eine aktive Schicht, ein Gate, eine Source und ein Drain umfasst, wobei sich die aktive Schicht, das Gate, die Source und das Drain auf einer Seite des Substrats befinden. Die aktive Schicht umfasst einen Kanalbereich, der ein Bereich ist, in dem sich die aktive Schicht und das Gate in der zum Anordnungssubstrat senkrechten Richtung überlappen. Der Kanalbereich umfasst zwei Ränder, die zueinander in der zweiten Richtung entgegengesetzt sind. Ein erster Winkel zwischen einer Erstreckungsrichtung der beiden Ränder und der ersten Richtung ist größer als 0° und kleiner oder gleich 40°.
Mit Bezugnahme auf die 1 - 4 ist 1 eine schematische Draufsicht eines Anordnungssubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 2 ist eine schematische Draufsicht von einigen Pixeln auf dem Anordnungssubstrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 3 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang einer Linie aa' in 2, und 4 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 2. Das Anordnungssubstrat umfasst ein Substrat 100, mehrere Abtastleitungen 101 und mehrere Datenleitungen 102, die sich auf einer Seite des Substrats 100 befinden, wobei die mehreren Abtastleitungen 101 in einer zweiten Richtung y verlaufen und die mehreren Datenleitungen 102 in einer ersten Richtung x verlaufen. Des Weiteren überkreuzen sich die mehreren Abtastleitungen 101 und die mehreren Datenleitungen 102 auf isolierte Art und Weise, um eine Vielzahl von Teilpixeln zu bilden. Die Teilpixel umfassen einen Dünnfilmtransistor 103, der eine aktive Schicht 1031, ein Gate 1032, eine Source 1033 und ein Drain 1034 aufweist, die sich auf einer Seite des Substrats 100 befinden. Die aktive Schicht 1031 enthält einen Kanalbereich C, bei dem es sich um einen Bereich handelt, in dem sich die aktive Schicht 1031 und das Gate 1032 in der zum Anordnungssubstrat senkrechten Richtung überlappen. Der Kanalbereich C umfasst zwei Ränder, die einander in der zweiten Richtung y entgegengesetzt sind. Es liegt ein erster Winkel α vor, der durch die Erstreckungsrichtung R der beiden Ränder und die erste Richtung x gebildet ist, und der erste Winkel α ist größer als 0° und kleiner oder gleich 40°.
Es ist festzuhalten, dass der Dünnfilmtransistor 103 in der vorliegenden Ausführungsform wie gezeigt als Aufbau mit oben liegendem Gate beschrieben ist, bei dem sich das Gate 1032 auf der Seite der aktiven Schicht 1031 befindet, die vom Substrat 100 abgewandt ist. In anderen alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann der Dünnfilmtransistor auch einen Aufbau mit unten liegendem Gate darstellen, und zwar einen Aufbau, bei dem sich das Gate auf der Seite der aktiven Schicht nahe dem Substrat befindet. Zusätzlich kann, wie in 2 und 3 gezeigt ist, wenn der Dünnfilmtransistor 103 einen Aufbau mit oben liegendem Gate hat, die Source 1033 ein Teil der Datenleitung 102 sein, das Gate 1032 kann ein Teil der Abtastleitung 101 sein, und die Source 1033 und das Drain 1034 können über Durchkontaktierungen h1 und h2 jeweils mit der aktiven Schicht 1031 verbunden sein.
Im Vergleich zur bestehenden Technologie ist das Anordnungssubstrat gemäß der vorliegenden Ausführungsform so ausgelegt, dass hier ein erster Winkel α vorliegt, der durch die Erstreckungsrichtung R (nachstehend als Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C bezeichnet) zweier einander entgegengesetzter Ränder des Kanalbereichs C des Dünnfilmtransistors 103 gebildet ist, und zwar in einer zweiten Richtung y und der ersten Richtung x, und der erste Winkel größer als 0° und kleiner oder gleich 40° ist. Auf diese Weise wird während der Herstellung des Anordnungssubstrats die relative Länge der Struktur, die dem homologen Filmschichtaufbau im Dünnfilmtransistor zweier benachbarter Teilpixel entspricht, in den Belichtungsprozessabläufen der Bildung des Dünnfilmtransistors kleiner, da die Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C einen gewissen Neigungsgrad in Bezug auf die erste Richtung x hat. Dementsprechend kann die Menge an Belichtungslicht zwischen den Strukturen erhöht werden, wodurch sich die Belichtungsstabilität erhöht und die Erfolgsrate der Produktion des Anordnungssubstrats verbessert. Der Prozess der Ausbildung der aktiven Schicht 1041 wird in Verbindung mit 4 - 6 als Beispiel herangezogen. 5 ist eine Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem Anordnungssubstrat gemäß der bestehenden Technologie, und 6 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 5. Die Fläche, an der sich die aktive Schicht 103' und die Abtastleitung 101' in 6 überlappen, ist der entsprechende Kanalbereich C', und die Erstreckungsrichtung R' der beiden in der zweiten Richtung y des Kanalbereichs C' zueinander entgegengesetzten Ränder entspricht der ersten Richtung x. Wenn man davon ausgeht, dass Form und Größe der aktiven Schichtstrukturen in 4 und 6 konsistent sind, ist die Breite der der aktiven Schicht 1031' entsprechenden Struktur in 6 in der ersten Richtung x gleich 1, und die relative Länge L' der der aktiven Schicht 1031' entsprechenden Struktur der beiden benachbarten Teilpixel in 6 ist gleich 1. Die relative Länge L der der aktiven Schicht 1031 entsprechenden Struktur der zwei benachbarten Teilpixel in 4 genügt der Gleichung: L = L' * cosα. Der erste Winkel α ist größer als 0° und kleiner oder gleich 40°, deshalb gilt L < L'. Da demzufolge in der vorliegenden Ausführungsform die relative Leitungsbreite der der aktiven Schicht 1031 entsprechenden Struktur der beiden benachbarten Teilpixel kleiner wird und das Belichtungsausmaß zwischen den Strukturen erhöht ist, wird dadurch die Belichtungsstabilität gesteigert und das Erfolgsverhältnis der Produktion des Anordnungssubstrats verbessert.
Des Weiteren hat eine vom Erfinder beruhend auf der vorliegenden Ausführungsform durchgeführte Simulationsuntersuchung gezeigt, dass das Aperturverhältnis des Anordnungssubstrats im Vergleich zu demjenigen des herkömmlichen Anordnungssubstrats zugenommen hat, wobei der Grund hierfür darin liegt, dass auch ein Abschnitt der Filmschichten der Dünnfilmtransistoren in den Teilpixeln geneigt werden muss, nachdem der Kanalbereich C geneigt ist, womit die Länge der Filmschichten in der ersten Richtung nach dem Kippen relativ verkürzt ist und die Überlappungsfläche der Filmschichten und der anderen Filmschichten auf dem Anordnungssubstrat vergrößert ist, so dass das Aperturverhältnis erhöht ist. Da die Größe von Teilpixeln immer kleiner wird, stellt die Steigerung des Aperturverhältnisses auch eine sehr bedeutsame Verbesserung und einen Durchbruch dar.
Alternativ sind in der obigen Ausführungsform die Erstreckungsrichtungen R von zwei einander gegenüberliegenden Rändern des Kanalbereichs C von beliebigen zwei benachbarten Teilpixeln in der zweiten Richtung y dieselben, d. h. in der zweiten Richtung y sind die Erstreckungsrichtungen R jedes Kanalbereichs C an demselben Teilpixel dieselben, und die Erstreckungsrichtungen R des Kanalbereichs C sind konsistent mit der Neigungsrichtung der ersten Richtung x, um den Herstellprozess zu vereinfachen.
Mit weiterem Bezug auf 2 und 3 umfasst in dieser Ausführungsform jedes Teilpixel darüber hinaus eine Pixelelektrode 104 und eine gemeinsame Elektrode 105 (in 2 nicht gezeigt), wobei sich die Pixelelektrode 104 auf der Seite der gemeinsamen Elektrode 105 befindet, die vom Substrat 100 abgewandt ist. Die Pixelelektrode 104 weist mindestens eine streifenartige Teilelektrode auf, die hier als Pixel-Teilelektrode 1040 bezeichnet wird. In 2 sind zwei Pixel-Teilelektroden 1040 gezeigt, und die gemeinsame Elektrode 105 kann eine plattenartige Elektrode sein. Das Gate des Dünnfilmtransistors 103 ist elektrisch an die entsprechende Abtastleitung 101 angeschlossen, seine Source ist elektrisch an die entsprechende Datenleitung 102 angeschlossen, und sein Drain ist elektrisch an die entsprechende Pixelelektrode 104 angeschlossen. Wenn das Anordnungssubstrat betrieben wird, wird die dem Drain 1034 entsprechende Pixelelektrode 104 über die der Source des Dünnfilmtransistors 103 entsprechende Datenleitung 102 geladen und entladen, und zwar durch den Dünnfilmtransistor 103 unter der Steuerung der entsprechenden Gate-Leitung 101. Infolgedessen bildet sich ein elektrisches Feld zwischen der Pixelelektrode 104 und der gemeinsamen Elektrode 105, um die Anzeigefunktion zu erzielen.
Es ist festzuhalten, dass das Anordnungssubstrat wie in 1 gezeigt allgemein eine Anzeigefläche AA und eine anzeigefreie Fläche N-AA aufweist. Die vorstehend erwähnten mehreren Teilpixel sind im Allgemeinen im Anzeigebereich AA vorgesehen, und die anzeigefreie Fläche N-AA kann mit einer Ansteuerschaltung oder dergleichen versehen sein. Die Ansteuerschaltung kann dazu verwendet werden, für die Abtastleitung 101 ein Abtastsignal bereitzustellen, für die Datenleitung 102 ein Datensignal bereitzustellen, für die gemeinsame Elektrode ein gemeinsames Spannungssignal bereitzustellen, und dergleichen. Zusätzlich kann das Anordnungssubstrat weitere Strukturen aufweisen, die zur Verwirklichung der Anzeige erforderlich sind, wie zum Beispiel die Isolierschichten 110, 120, 130, 140 zwischen den jeweiligen Schichtstrukturen und dergleichen, die aus demselben Material oder aus verschiedenen Materialien hergestellt sein können und hier nicht beschrieben werden.
Mit Bezug auf die 7 - 9 ist 7 eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 8 ist eine schematische Schnittansicht entlang der Richtung bb' in 7, und 9 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 7. In der vorliegenden Ausführungsform bestehen die Unterschiede zwischen dem Dünnfilmtransistor des Aufbaus mit oben liegendem Gate und dem in 2 gezeigten Anordnungssubstrat darin, dass jedes der mehreren Teilpixel darüber hinaus eine Lichtabschirmschicht 106 aufweisen kann, die zwischen dem Substrat 100 und der aktiven Schicht 1031 positioniert ist, wobei die Lichtabschirmschichten 106 der benachbarten Teilpixel voneinander isoliert sind, um nachteilige Auswirkungen eines elektrostatischen Ladungsaufbaus an den Lichtabschirmschichten 106 auf die benachbarten Dünnfilmtransistoren 103 zu verhindern, und die senkrechte Projektion der Lichtabschirmschicht 106 auf das Substrat 100 die senkrechte Projektion des Kanalbereichs C auf das Substrat 100 vollständig überdeckt. Die Funktion der Lichtabschirmschicht 106 besteht darin, das auf den Kanalbereich C der aktiven Schicht 1031 von außen einstrahlende Licht abzuschirmen, um von außen stammende nachteilige Auswirkungen auf den Dünnfilmtransistor 103 zu verhindern. Es sollte klar sein, dass in dieser Ausführungsform das Anordnungssubstrat auch eine Pufferschicht 150 zwischen der Lichtabschirmschicht 106 und der aktiven Schicht 1031 aufweisen kann.
Da hier der erste Winkel α vorliegt, der durch die Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C und die erste Richtung x gebildet ist, und der erste Winkel α größer als 0° und kleiner oder gleich 40° ist, d. h. die Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C einen gewissen Neigungsgrad in Bezug auf die erste Richtung x hat, ist in der vorliegenden Ausführungsform auch die einem jeweiligen Kanalbereich C entsprechende Lichtabschirmschicht 106 entsprechend geneigt. Genauer gesagt, ist die Erstreckungsrichtung zweier zueinander entgegengesetzter Ränder der Lichtabschirmschicht 106 in der zweiten Richtung y dieselbe wie die Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C. Deshalb wird die relative Länge der Struktur der Lichtabschirmschicht 106 zweier benachbarter Teilpixel kleiner, wie in 9 gezeigt ist, wodurch sich das Belichtungsausmaß zwischen Strukturen der Lichtabschirmschichten effektiv erhöht.
In den obigen Ausführungsformen hat die aktive Schicht eine umgekehrte L-förmige Struktur, während in anderen alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die aktive Schicht auch eine U-förmige Struktur haben kann. Mit Bezug auf 10 und 11 handelt es sich bei 10 um eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf noch einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 11 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 10. In der vorliegenden Ausführungsform stellt der Dünnfilmtransistor 103 einen Aufbau mit oben liegendem Gate dar, und jede der mehreren Abtastleitungen 101 weist ein Gate auf. Bei dem Gate kann es sich konkret um einen Teil der Abtastleitung 101 handeln. Die aktive Schicht 1031 weist die U-förmige Struktur auf, und in der zum Anordnungssubstrat senkrechten Richtung umfasst die U-förmige Struktur zwei streifenartige Teilstrukturen, die einander in der zweiten Richtung y gegenüberliegen, und eine Verbindungsstruktur, welche die beiden streifenartigen Teilstrukturen verbindet, wobei sich die beiden streifenartigen Teilstrukturen und die Abtastleitungen 101 überlappen, um zwei Kanalbereiche C zu bilden. In der vorliegenden Ausführungsform bildet die aktive Schicht 1031 der U-förmigen Struktur zwei Kanalbereiche C, was äquivalent ist zur Bildung eines Dünnfilmtransistors mit einem Aufbau mit doppeltem Gate, und der Leckstrom des Dünnfilmtransistors kann reduziert werden, insbesondere in Bezug auf diejenigen Dünnfilmtransistoren, bei denen eine Niedertemperatur-Polysiliziumtechnologie (als LTPS bezeichnet) übernommen wird. Der Grad des Leckstroms stellt einen wichtigen Anzeigeleistungsindex dar, und es ist notwendig, die Entstehung von Leckströmen zu reduzieren. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Abstand zwischen den entsprechenden Strukturen des homogenen Filmschichtaufbaus in den Dünnfilmtransistoren zweier benachbarter Teilpixel für die aktive Schicht 1031 der U-förmigen Struktur relativ gesehen kleiner. So ist zum Beispiel der Abstand zwischen den Lichtabschirmschichten benachbarter Teilpixel und der Abstand zwischen den aktiven Schichten kleiner im Vergleich zu der in 7 gezeigten Ausführungsform. Da die Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C so vorgesehen ist, dass sie einen gewissen Neigungsgrad in Bezug auf die erste Richtung x hat, wird die relative Länge zwischen den Strukturen benachbarter Teilpixel kleiner und das Belichtungsausmaß zwischen den Strukturen größer, wodurch sich die Belichtungsstabilität erhöht und die Erfolgsrate der Produktion des Anordnungssubstrats verbessert. Darüber hinaus wird gemäß der vorliegenden Ausführungsform, da die aktive Schicht 1031 die U-förmige Struktur aufweist, auch die relative Länge zwischen einer Durchkontaktierungsstruktur des Drains des Dünnfilmtransistors 103 und einer Durchkontaktierungsstruktur der Source des benachbarten Dünnfilmtransistors 103 kleiner, wenn die Source und das Drain des Dünnfilmtransistors 103 über eine Durchkontaktierung (nicht gezeigt) an die aktive Schicht angeschlossen sind, und im Ergebnis kann die Belichtungsstabilität zum Zeitpunkt der Vorgänge zur Herstellung der Durchkontaktierungen verbessert werden.
Mit Bezugnahme auf die 12 - 14 handelt es sich bei 12 um eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 13 ist eine schematische Schnittansicht entlang der Linie cc' in 12, und 14 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 10. In der vorliegenden Ausführungsform weist jedes Teilpixel darüber hinaus eine Pixelelektrode 104 und eine gemeinsame Elektrode 105 (in 12 nicht gezeigt) auf, wobei die Pixelelektrode 104 auf der Seite der gemeinsamen Elektrode liegt, die vom Substrat 100 abgewandt ist, und mindestens eine streifenartige Teilelektrode, d. h. die Pixel-Teilelektrode 1040 umfasst. In 12 sind zwei Pixel-Teilelektroden 1040 schematisch gezeigt, und die gemeinsame Elektrode kann eine plattenartige Elektrode sein, um ein Anordnungssubstrat mit Streufeldschaltungs-(FFS)-Betriebsart zu bilden. Anders als bei der in 10 gezeigten Ausführungsform ist ein zweiter Winkel β zwischen der Erstreckungsrichtung P1 der Pixel-Teilelektrode 1040 und der ersten Richtung x größer als 0° und kleiner oder gleich 20°.
Bei dem in 12 - 14 gezeigten Anordnungssubstrat befindet sich die Pixelelektrode 104 auf der Seite der gemeinsamen Elektrode 105 (in 13 gezeigt), die vom Substrat 100 abgewandt ist, und die Pixelelektrode 104 weist mindestens eine streifenartige Teilelektrode auf. In einer anderen alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie in 15 bis 17 gezeigt, handelt es sich bei 15 um eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 16 ist eine schematische Schnittansicht entlang der Linie dd' in 15, und 17 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 15. Es ist möglich, dass die gemeinsame Elektrode 105 auf der Seite der Pixelelektrode 104 (nicht gezeigt) angesiedelt sein kann, die vom Substrat 100 abgewandt ist, und sie umfasst mindestens eine streifenartige Teilelektrode, d. h. die gemeinsame Teilelektrode 1050. Die Pixelelektrode 104 kann eine plattenartige Elektrode sein, um ein Anordnungssubstrat mit Streufeldschaltungs-(FFS)-Betriebsart zu bilden. Ein zweiter Winkel β zwischen der Erstreckungsrichtung P2 der gemeinsamen Teilelektrode 1050 und der ersten Richtung x ist größer als 0° und kleiner oder gleich 20°.
In einer weiteren alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie in 18 - 20 gezeigt, ist 18 eine schematische Teildraufsicht von noch einem anderen Anordnungssubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 19 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang der Linie ee' in 18, und 20 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschicht in 18. Es ist auch möglich, dass die Pixelelektroden 104 und die gemeinsamen Elektroden 105 jeweils mindestens eine Teilelektrode aufweisen, und die mindestens eine streifenartige Teilelektrode der Pixelelektrode 104 (Pixel-Teilelektrode 1040) und die mindestens eine streifenartige Teilelektrode der gemeinsamen Elektroden 105 (gemeinsame Teilelektroden 1050) abwechselnd angeordnet sind, um ein Anordnungssubstrat mit ebeneninterner Schaltungsbetriebsart (als IPS bezeichnet) zu bilden. Ein zweiter Winkel β zwischen der Erstreckungsrichtung P3 der Pixel-Teilelektrode 1040 (der gemeinsamen Teilelektrode 1050) und der ersten Richtung x ist größer als 0° und kleiner oder gleich 20°. Es ist anzumerken, dass in der vorliegenden Ausführungsform die Pixelelektrode 104 und die gemeinsame Elektrode 105 für das Anordnungssubstrat mit IPS-Betriebsart in derselben Schicht angeordnet sein können, wie in 19 gezeigt ist, aber auch in verschiedenen Schichten vorgesehen sein können.
Es ist anzumerken, dass bei den in 12 bis 20 gezeigten Ausführungsformen der zweite Winkel β zwischen der Erstreckungsrichtung der Teilelektrode und der ersten Richtung x dergestalt ist, dass die Erstreckungsrichtung der streifenartigen Teilelektrode einen gewissen Neigungsgrad in Bezug auf die erste Richtung x hat, um die Verbreiterung des Anzeigesichtwinkels zu ermöglichen. Zusätzlich können, wie in 12 bis 20 gezeigt ist, beide Enden der streifenartigen Teilelektroden-Erstreckungsrichtung mit Abwinklungsabschnitten versehen sein, um die Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Unebenheit der Anzeige zu verstärken und den Anzeigeeffekt weiter zu verbessern.
Alternativ ist auf Grundlage der obigen Ausführungsform die Erstreckungsrichtung R des Kanals C dieselbe wie die Erstreckungsrichtung der vorstehend beschriebenen streifenartigen Teilelektrode, d. h. der erste Winkel α ist gleich dem zweiten Winkel β, was dazu führen kann, dass der Neigungswinkel der entsprechenden Struktur des Filmschichtaufbaus in dem Dünnfilmtransistor in Bezug auf die erste Richtung x konsistent ist mit dem Neigungswinkel der streifenartigen Teilelektrode in Bezug auf die erste Richtung x, was die Entwicklung und den Herstellverfahren erleichtert.
Darüber hinaus kann der zweite Winkel β alternativ im Bereich von 5° bis 10° liegen. Wenn der zweite Winkel β in diesem Bereich von 5° bis 10° liegt, ist der Effekt der Erweiterung des Anzeigesichtwinkels besser.
Alternativ sind auf Grundlage der obigen Ausführungsform die eingeschlossenen Winkel der Erstreckungsrichtungen der streifenartigen Teilelektroden der Pixelelektrode und/oder gemeinsamen Elektrode zweier in der ersten Richtung benachbarter Teilpixel in Bezug auf die zweite Richtung gleich. Zieht man die Teilelektrode als Pixel-Teilelektrode als Beispiel heran, wie in 21 - 22 dargestellt, ist 21 eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem weiteren Anordnungssubstrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 22 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten von 21. Anders als bei der in 12 gezeigten Ausführungsform bilden in der vorliegenden Ausführungsform die Erstreckungsrichtungen P1 und P1' der Pixel-Teilelektroden 1040 zweier benachbarter Teilpixel neben derselben Datenleitung denselben Winkel zur Datenleitung. Das heißt, dass die Teilpixel einen Pseudo-Doppelbereichsaufbau bilden. Bei den Pseudo-Doppelbereichsaufbauformen bilden vielmehr zwei benachbarte Reihen von Teilpixeln einen Pseudo-Doppelbereichsaufbau, als dass sie einen Doppelbereichsaufbau an einem Teilpixel bilden. Durch diesen Aufbau wird nicht nur ein breiter Sichtwinkel im Vergleich zu einer Anzeige mit Einzelbereichsaufbau erzielt, sondern es wird auch die fehlerhafte dunkle Fläche im mittleren Bereich innerhalb der Teilpixel von Doppelbereichsstrukturen eliminiert, wodurch sich die Durchlässigkeit der gesamten Anzeige verbessert. Gleichzeitig kann in Bezug auf die Struktur der Vereinfachung der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode innerhalb des Teilpixels durch die Doppelbereichsstruktur das Anordnungssubstrat so ausgelegt werden, dass es entsprechend den tatsächlichen Anforderungen eine höhere Auflösung hat. Simulationsuntersuchungen an der vorliegenden Ausführungsform zeigten auch, dass, wenn der erste Winkel auf α = 10° eingestellt wird, das Aperturverhältnis im Vergleich zu einem Anordnungssubstrat, bei dem die Erstreckungsrichtung des Kanalbereichs dieselbe ist wie die erste Richtung, um ca. 3 % verbessert ist.
Des Weiteren erfolgt auf der Grundlage der wie in 21 dargestellten Pseudo-Doppelbereichsstruktur eine Beschreibung mit Bezugnahme auf 23 und 24. 23 ist eine schematische Teildraufsicht eines weiteren Anordnungssubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 24 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten von 23. Jede der mehreren Datenleitungen 102 umfasst mehrere Datenleitungssegmente 1020, wobei jedes der mehreren Datenleitungssegmente einem jeweiligen Teilpixel der mehreren Teilpixel entspricht und an der Pixelelektrode 104 des jeweiligen Teilpixels der mehreren Teilpixel anliegt, und wobei ein dritter Winkel γ zwischen der Erstreckungsrichtung Q des Datenleitungssegments 1020 und der ersten Richtung x größer als 0° und kleiner oder gleich 20° ist, um die Einkopplungsdifferenz zwischen der Datenleitung 102 und den unterschiedlichen Positionen der streifenartigen Teilelektrode zu reduzieren. Darüber hinaus ist der dritte Winkel γ optional gleich dem zweiten Winkel β, d. h. dass sich jedes der mehreren Datenleitungssegmente 1020 mit der streifenartigen Teilelektrode eines jeweiligen Teilpixels der mehreren Teilpixel (in der vorliegenden Ausführungsform die Pixel-Teilelektrode 1040) in derselben Richtung erstreckt. Auf diese Art und Weise kann der Abstand zwischen dem Datenleitungssegment 1020 und der entsprechenden Pixel-Teilelektrode 1040 konsistent ausgelegt werden, was noch stärker dazu beiträgt, eine Beeinträchtigung des Anzeigeeffekts durch die Einkopplungsdifferenz zwischen der Datenleitung 102 und den verschiedenen Positionen der Pixel-Teilelektrode 1040 zu verhindern.
Beruhend auf jeder der vorstehenden Ausführungsformen umfasst jede der mehrere Abtastleitungen mehrere Abtastleitungssegmente, die mehreren Abtastleitungssegmente entsprechen jeweils einem der mehreren Teilpixel und sind mit dem Gate des Dünnfilmtransistors des jeweiligen Teilpixels der mehreren Teilpixel verbunden. Die Erstreckungsrichtung von jedem der mehreren Abtastleitungssegmente ist senkrecht zur Erstreckungsrichtung des Kanalbereichs des jeweiligen einen Teilpixels der mehreren Teilpixel. Beispielhaft, wie in 25 und 26 gezeigt, ist 25 eine schematische Draufsicht einer Anzahl von Teilpixeln auf einem anderen Anordnungssubstrat gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 26 ist eine schematische Draufsicht eines Abschnitts der Filmschichten in 25. In der vorliegenden Ausführungsform umfasst jede der Abtastleitungen 101 mehrere Abtastleitungssegmente 1010, wobei jedes von ihnen einem Teilpixel entspricht, und das Gate des Dünnfilmtransistors 103 jedes Teilpixels ist an das Abtastleitungssegment 1010 angeschlossen, das dem Teilpixel entspricht. Die Erstreckungsrichtung X des Abtastleitungssegments 1010 ist senkrecht zur Erstreckungsrichtung R des Kanalbereichs C des entsprechenden Teilpixels, wobei es durch diesen Aufbau möglich wird, dass der Kanalbereich C eine rechteckige Form beibehält, was nicht nur den Einsatz von Material für die Lichtabschirmschicht reduziert, sondern auch die Größe jeder Filmschicht im Dünnfilmtransistor 103 des Anordnungssubstrats konsistent mit der Größe einer jeweiligen Filmschicht eines herkömmlichen Dünnfilmtransistors hält, bei dem die Erstreckungsrichtung des Kanalbereichs der ersten Richtung entspricht, um die Auslegung des Prozesses zu vereinfachen und die Kosten zu senken.
In der in den 10 - 26 gezeigten Ausführungsform verfügt jede der Lichtabschirmschichten 106 über eine separate Lichtabschirmstruktur, und die senkrechte Projektion der Lichtabschirmstruktur auf das Substrat überdeckt die senkrechte Projektion der beiden Kanalbereiche C auf das Substrat vollständig. Für ein Produkt mit einem besonders hohen PPI-Wert ist der Abstand zwischen den beiden Kanalbereichen C ein und desselben Dünnfilmtransistors 103 sehr eng, und die Prozessschwierigkeiten können abgeschwächt werden, indem man die beiden Kanalbereiche C eine gemeinsame Lichtabschirmstruktur verwenden lässt.
In einer anderen alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Lichtabschirmschichten jeweils zwei Lichtabschirmstrukturen aufweisen, die voneinander isoliert sind. Die senkrechte Projektion jeder Lichtabschirmstruktur auf das Substrat überdeckt die senkrechte Projektion eines Kanalbereichs auf das Substrat vollständig. Beispielhaft ist, wie in 27 gezeigt, eine schematische Teildraufsicht eines anderen Anordnungssubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. In der vorliegenden Ausführungsform umfasst - anders als bei der in 25 gezeigten Ausführungsform - jede der Lichtabschirmschichten 106 zwei Lichtabschirmstrukturen 1060, die voneinander isoliert sind. Durch die senkrechte Projektion jeder der Lichtabschirmstrukturen 1060 auf das Substrat wird die senkrechte Projektion eines Kanalbereichs C auf das Substrat vollständig überdeckt. Wenn der Abstand zwischen den beiden Kanalbereichen C ein und desselben Dünnfilmtransistors 103 die Belichtungspräzision in den Prozessabläufen erfüllen kann, können die Lichtabschirmstrukturen 1060, die den beiden Kanalbereichen C entsprechen, unabhängig voneinander sein, um in noch stärkerem Grad zu verhindern, dass eine elektrostatische Aufladung an der Lichtabschirmstruktur 1060 nachteilige Auswirkungen auf die Leistungsfähigkeit des Dünnfilmtransistors 103 hat.
Es sollte klar sein, dass bei den durch die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen bereitgestellten Anordnungssubstraten eine ganze Reihe von Ähnlichkeiten bestehen, die in den darauffolgenden begleitenden Zeichnungen durch dieselben Bezugszeichen angegeben sind und hier ausgelassen werden.
Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt auch eine Anzeigetafel bereit, und 28 ist eine schematische Strukturansicht einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezugnahme auf 28 umfasst die Anzeigetafel ein Anordnungssubstrat 300 gemäß einer beliebigen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Anzeigetafel umfasst des Weiteren ein Farbschichtsubstrat 400, das dem Anordnungssubstrat 300 gegenüberliegend angeordnet ist, und eine Flüssigkristallschicht 500, die zwischen dem Anordnungssubstrat 300 und dem Farbschichtsubstrat 400 angeordnet ist. Im Anzeigezustand bildet sich ein elektrisches Feld zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode auf dem Anordnungssubstrat 300, um die Drehung der Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht 500 zu steuern, um so die Anzeigefunktion zu erzielen.
Die vorliegende Erfindung stellt des Weiteren eine Anzeigevorrichtung bereit, und 29 ist eine schematische Strukturansicht einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezugnahme auf 29 umfasst die Anzeigevorrichtung eine Anzeigetafel 600 nach einer beliebigen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der vorliegenden Ausführungsform handelt es sich bei der Anzeigevorrichtung um ein Mobiltelefon. Bei einer anderen alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann es sich bei der Anzeigevorrichtung um eine beliebige Vorrichtung mit Anzeigefunktion handeln, wie zum Beispiel um einen Tablet-Computer, ein Notebook, eine Anzeige oder dergleichen.
Das Anordnungssubstrat, die Anzeigetafel und die Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind vorstehend im Einzelnen beschrieben. Das Prinzip und die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind mit Bezugnahme auf spezifische Beispiele im Detail beschrieben worden, wobei die Beschreibungen der obigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung jedoch lediglich beim Nachvollziehen des Verfahrens der vorliegenden Erfindung und dem Verständnis von deren Kern und Konzept behilflich sein soll. Dabei sollte klar sein, dass Fachleute unter Berücksichtigung des Grundgedankens der vorliegenden Erfindung bestimmte Modifikationen an den Ausführungsformen und dem Umfang der Anwendungen vornehmen können, und der Inhalt der vorliegenden Beschreibung nicht als Einschränkung der vorliegenden Erfindung aufgefasst werden soll.
Die technischen Lösungen bzw. vorteilhaften Ausgestaltungen können beliebig kombiniert werden.
Insbesondere können die Gegenstände jedes der abhängigen Ansprüche kombiniert werden mit den Gegenständen von jedem der diesbezüglich vorstehenden abhängigen Ansprüche, die zumindest indirekt rückbezogen sind auf den gleichen unabhängigen Anspruch.

Claims

Anordnungssubstrat (300), aufweisend: mehrere Abtastleitungen (101), die sich mit mehreren Datenleitungen (102) auf dem Anordnungssubstrat (300) überkreuzen und gegenüber diesen isoliert sind, wobei sich die mehreren Datenleitungen (102) in einer ersten Richtung und die mehreren Abtastleitungen (101) in einer zweiten Richtung erstrecken; und mehrere Teilpixel, die durch die mehreren Abtastleitungen (101) und die mehreren Datenleitungen (102) gebildet sind, wobei die mehreren Teilpixel jeweils einen Dünnfilmtransistor (103) mit einem Gate (1032), einer Source (1033), einem Drain (1034) und einer aktiven Schicht (1031) umfassen, wobei die aktive Schicht (1031) mindestens einen streifenförmigen Abschnitt aufweist, der entlang eines ersten Winkels zur ersten Richtung verläuft, wobei die aktive Schicht (1031) einen Kanalbereich (C) umfasst, der ein Bereich ist, in dem sich der streifenförmige Abschnitt der aktiven Schicht (1031) und das Gate (1032) in der zum Anordnungssubstrat (300) senkrechten Richtung überlappen, wobei der erste Winkel im Bereich von 0° bis 40° liegt.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 1, wobei die ersten Winkel von beliebigen zwei benachbarten Teilpixeln gleich groß sind.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 1, wobei das Teilpixel darüber hinaus eine Pixelelektrode (104) und eine gemeinsame Elektrode (105) aufweist, wobei die Pixelelektrode (104) oder die gemeinsame Elektrode (105) eine streifenartige Elektrode ist, die unter einem zweiten Winkel gegenüber der ersten Richtung verläuft, wobei der zweite Winkel im Bereich von 0° bis 20° liegt.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 3, wobei der erste Winkel gleich dem zweiten Winkel ist.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 3, wobei der zweite Winkel im Bereich von 5° bis 10° liegt.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 3, wobei die Pixelelektrode (104) und die gemeinsame Elektrode (105) übereinandergestapelt sind, wobei sich die streifenartige Elektrode stets oben auf der anderen Elektrode befindet.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 6, wobei die Pixelelektrode (104) und die gemeinsame Elektrode (105) abwechselnd übereinandergestapelt sind.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 3, wobei die zweiten Winkel von zwei benachbarten Teilpixeln gleich groß sind.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 3, wobei jede der mehreren Datenleitungen (102) mehrere Datenleitungssegmente (1020) aufweist, wobei die mehreren Datenleitungssegmente (1020) von der ersten Richtung jeweils um den zweiten Winkel des benachbarten Teilpixels abweichen.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 1, wobei jede der mehreren Abtastleitungen (101) mehrere Abtastleitungssegmente (1010) aufweist, wobei jedes der mehreren Abtastleitungssegmente (1010) einen Winkel zur zweiten Richtung bildet, wobei dieser Winkel gleich dem zweiten Winkel eines benachbarten Teilpixels dieses Abtastleitungssegments ist.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 1, wobei jedes der mehreren Teilpixel darüber hinaus eine Lichtabschirmschicht (106) aufweist, die zwischen einem Substrat (100) und der aktiven Schicht (1031) positioniert ist, und die Lichtabschirmschichten (106) von beliebigen zwei benachbarten Teilpixeln voneinander isoliert sind, und die senkrechte Projektion der Lichtabschirmschicht (106) auf das Substrat (100) die senkrechte Projektion des Kanalbereichs auf das Substrat (100) vollständig überdeckt.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 11, wobei die aktive Schicht (1031) zwei streifenartige Abschnitte und ein Verbindungsteil aufweist, um eine U-Form zu bilden, wobei sich die beiden streifenartigen Abschnitte und das Gate (1032) überlappen, um zwei Kanalbereiche (C) zu bilden.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 12, wobei jede Lichtabschirmschicht (106) eine Lichtabschirmstruktur (1060) aufweist, und die senkrechte Projektion der Lichtabschirmstruktur (1060) auf das Substrat (100) die senkrechte Projektion der beiden Kanalbereiche (C) auf das Substrat (100) vollständig überdeckt.
Anordnungssubstrat (300) nach Anspruch 12, wobei jede Lichtabschirmschicht (106) zwei Lichtabschirmstrukturen (1060) aufweist, die voneinander isoliert sind, wobei die senkrechte Projektion der Lichtabschirmstrukturen (1060) auf das Substrat (100) jeweils die senkrechte Projektion eines der Kanalbereiche (C) auf das Substrat (100) vollständig überdeckt.
Anzeigetafel (600) mit dem Anordnungssubstrat (300) nach einem der Ansprüche 1-14.
Anzeigevorrichtung, mit der Anzeigetafel (600) nach Anspruch 15.