DE102017006159A1 - Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle - Google Patents

Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle Download PDF

Info

Publication number
DE102017006159A1
DE102017006159A1 DE102017006159.9A DE102017006159A DE102017006159A1 DE 102017006159 A1 DE102017006159 A1 DE 102017006159A1 DE 102017006159 A DE102017006159 A DE 102017006159A DE 102017006159 A1 DE102017006159 A1 DE 102017006159A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor switch
voltage source
discharge device
control circuit
fuel cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102017006159.9A
Other languages
German (de)
Inventor
Markus Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mercedes Benz Group AG
Original Assignee
Daimler AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daimler AG filed Critical Daimler AG
Priority to DE102017006159.9A priority Critical patent/DE102017006159A1/en
Publication of DE102017006159A1 publication Critical patent/DE102017006159A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J1/00—Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M2250/00—Fuel cells for particular applications; Specific features of fuel cell system
    • H01M2250/20—Fuel cells in motive systems, e.g. vehicle, ship, plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
    • H01M8/04—Auxiliary arrangements, e.g. for control of pressure or for circulation of fluids
    • H01M8/04298—Processes for controlling fuel cells or fuel cell systems
    • H01M8/043—Processes for controlling fuel cells or fuel cell systems applied during specific periods
    • H01M8/04303—Processes for controlling fuel cells or fuel cell systems applied during specific periods applied during shut-down
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M8/00—Fuel cells; Manufacture thereof
    • H01M8/04—Auxiliary arrangements, e.g. for control of pressure or for circulation of fluids
    • H01M8/04298—Processes for controlling fuel cells or fuel cell systems
    • H01M8/04694—Processes for controlling fuel cells or fuel cell systems characterised by variables to be controlled
    • H01M8/04858—Electric variables
    • H01M8/04925—Power, energy, capacity or load
    • H01M8/0494—Power, energy, capacity or load of fuel cell stacks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J2300/00—Systems for supplying or distributing electric power characterised by decentralized, dispersed, or local generation
    • H02J2300/30—The power source being a fuel cell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/50—Fuel cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T90/00—Enabling technologies or technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02T90/40—Application of hydrogen technology to transportation, e.g. using fuel cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fuel Cell (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Entladevorrichtung (1) für eine elektrische Spannungsquelle (2), insbesondere einen Brennstoffzellenstapel, eines Kraftfahrzeugs, mit einem ersten Halbleiterschalter (TH1), mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle (2) Versorgungsanschlüsse (HV+, HV-) der Spannungsquelle (2) elektrisch verbindbar sind, und mit einer ersten Steuerschaltung (3a) zum Ansteuern des ersten Halbleiterschalters (TH1), wobei die Entladevorrichtung (1) einen zweiten Halbleiterschalter (TH2), mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle (2) die Versorgungsanschlüsse (HV+, HV-) der Spannungsquelle (2) unabhängig von dem ersten Halbleiterschalter (TH1) elektrisch verbindbar sind, und eine zweite Steuerschaltung (3b) zum Ansteuern des zweiten Halbleiterschalters (TH2) aufweist, wobei die zweite Steuerschaltung (3b) separat zur ersten Steuerschaltung (3a) ausgebildet ist.

Figure DE102017006159A1_0000
The invention relates to a discharge device (1) for an electrical voltage source (2), in particular a fuel cell stack of a motor vehicle, having a first semiconductor switch (TH1), by means of which supply terminals (HV +, HV-) of the voltage source (2) for discharging the voltage source (2). 2) are electrically connectable, and with a first control circuit (3a) for driving the first semiconductor switch (TH1), wherein the discharge device (1) a second semiconductor switch (TH2), by means of which for discharging the voltage source (2) the supply terminals (HV +, HV) of the voltage source (2) independently of the first semiconductor switch (TH1) are electrically connected, and a second control circuit (3b) for driving the second semiconductor switch (TH2), wherein the second control circuit (3b) separately from the first control circuit (3a ) is trained.
Figure DE102017006159A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft eine Entladevorrichtung für eine elektrische Spannungsquelle, insbesondere einen Brennstoffzellenstapel oder eine Brennstoffzelle, eines Kraftfahrzeugs mit einem ersten Halbleiterschalter, mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle Versorgungsanschlüsse der Spannungsquelle elektrisch verbindbar sind, und mit einer ersten Steuerschaltung zum Ansteuern des ersten Halbleiterschalters.The invention relates to a discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack or a fuel cell, a motor vehicle having a first semiconductor switch, by means of which for discharging the voltage source supply terminals of the voltage source are electrically connected, and having a first control circuit for driving the first semiconductor switch.

Vorliegend gilt das Interesse elektrischen Spannungsquellen, welche im Automobilbereich verwendet werden. Solche Spannungsquellen können insbesondere als Brennstoffzellenstapel ausgebildet sein. Aus dem Stand der Technik sind Entladevorrichtungen für elektrische Spannungsquellen, insbesondere Brennstoffzellenstapel, bekannt, welche bei der Abschaltung das Entladen dieser elektrischen Spannungsquelle zur Aufgabe haben. Eine solche Entladevorrichtung kann einen ersten Halbleiterschalter, beispielsweise einen Thyristor, aufweisen, mittels welchem die Versorgungsanschlüsse des Brennstoffzellenstapels zum Entladen niederohmig miteinander verbunden werden können. Dieser erste Halbleiterschalter, der auch als Hauptentladeschalter bezeichnet werden kann, kann mit einer ersten Steuerschaltung angesteuert werden. Durch das Ansteuern des Halbleiterschalters kann dieser elektrisch leitend geschaltet werden.In the present case, the interest of electrical voltage sources, which are used in the automotive sector. Such voltage sources can be designed in particular as a fuel cell stack. Discharge devices for electrical voltage sources, in particular fuel cell stacks, are known from the prior art, which have the task of discharging this electrical voltage source during the disconnection. Such an unloading device may comprise a first semiconductor switch, for example a thyristor, by means of which the supply terminals of the fuel cell stack can be connected to one another in a low-resistance manner for discharging. This first semiconductor switch, which can also be referred to as the main discharge switch, can be driven by a first control circuit. By driving the semiconductor switch, this can be switched electrically conductive.

In diesem Zusammenhang beschreibt die DE 10 2012 016 246 A1 einen Schaltkreis zum Herstellen eines niederohmigen Abschlusses einer Spannungsquelle mit einem ersten und einem zweiten Versorgungsanschluss. Dabei umfasst der Schaltkreis einen Halbleiterschalter und eine Steuerschaltung, wobei der Halbleiterschalter einen ersten einen zweiten Arbeitsanschluss sowie mindestens einen Steueranschluss aufweist. Dabei ist der Halbleiterschalter dazu vorbereitet, zwischen dem ersten und dem zweiten Arbeitsanschluss mittels eines Signals leitend geschaltet zu werden.In this context, the describes DE 10 2012 016 246 A1 a circuit for producing a low-impedance termination of a voltage source having a first and a second supply terminal. In this case, the circuit comprises a semiconductor switch and a control circuit, wherein the semiconductor switch has a first a second working port and at least one control port. In this case, the semiconductor switch is prepared to be switched to be conductive between the first and the second working port by means of a signal.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lösung aufzuzeigen, wie eine Entladevorrichtung für eine elektrische Spannungsquelle der eingangs genannten Art zuverlässiger ausgestaltet werden kann.It is an object of the present invention to provide a solution as to how a discharge device for an electrical voltage source of the type mentioned can be made more reliable.

Diese Aufgabe wird durch eine Entladevorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by a discharge device having the features of patent claim 1. Advantageous developments are specified in the dependent claims.

Eine erfindungsgemäße Entladevorrichtung für eine elektrische Spannungsquelle, insbesondere einen Brennstoffzellenstapel, eines Kraftfahrzeugs umfasst einen ersten Halbleiterschalter, mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle Versorgungsanschlüsse der Spannungsquelle elektrisch verbindbar sind. Des Weiteren umfasst die Entladevorrichtung eine erste Steuerschaltung zum Ansteuern des ersten Halbleiterschalters. Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, dass die Entladevorrichtung einen zweiten Halbleiterschalter, mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle die Versorgungsanschlüsse der Spannungsquelle unabhängig von dem ersten Halbleiterschalter elektrisch verbindbar sind, aufweist. Ferner umfasst die Entladevorrichtung eine zweite Steuerschaltung zum Ansteuern des zweiten Halbleiterschalters. Dabei ist die zweite Steuerschaltung separat zur ersten Steuerschaltung ausgebildet.A discharge device according to the invention for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle comprises a first semiconductor switch, by means of which supply terminals of the voltage source can be electrically connected for discharging the voltage source. Furthermore, the discharge device comprises a first control circuit for driving the first semiconductor switch. According to the invention, the discharge device has a second semiconductor switch, by means of which the supply terminals of the voltage source can be electrically connected independently of the first semiconductor switch in order to discharge the voltage source. Furthermore, the discharge device comprises a second control circuit for driving the second semiconductor switch. In this case, the second control circuit is formed separately from the first control circuit.

Im Betrieb der Entladevorrichtung kann der Hauptentladeschalter beziehungsweise der erste Halbleiterschalter ausfallen. Zu diesem Zwecke ist der zweite Halbleiterschalter vorgesehen, welcher in diesem Fehlerfall das sichere Abschalten der elektrischen Spannungsquelle garantiert. Durch den zweiten Halbleiterschalter und die zweite Steuerschaltung, die unabhängig von der ersten Steuerschaltung betrieben werden kann, kann ein zweiter Sicherheitspfad bereitgestellt werden. Insbesondere kann trotz Ausfall der Schaltfunktionen des ersten Halbleiterschalters eine sichere Abschaltung der elektrischen Spannungsquelle gewährleistet werden. Bevorzugt sind der zweite Halbleiterschalter und die zweite Steuerschaltung dazu ausgebildet, die elektrische Spannung der Spannungsquelle in einer vorbestimmten Mindestzeit, beispielsweise kleiner 5 Sekunden, auf eine geforderte Spannung, typischerweise kleiner 60 V, zu reduzieren. Solange der erste Sicherheitspfad, der den ersten Halbleiterschalter umfasst, alle Anforderungen zur elektrischen Sicherheit abdeckt, kann der zweite Sicherheitspfad, der den zweiten Halbleiterschalter umfasst, passiv bleiben. Dabei ist es ferner vorgesehen, dass sowohl der erste Sicherheitspfad als auch der zweite Sicherheitspfad zur Abschaltung der Brennstoffzellenspannung durch Aktivierung einer niederohmigen Entladung erfolgt. Auf diese Weise kann der - wenn auch unwahrscheinliche - Ausfall des ersten Sicherheitspfads durch den zweiten Halbleiterschalter ergänzt werden. Somit kann die elektrische Spannungsquelle, welche bevorzugt als Brennstoffzellenstapel beziehungsweise als Brennstoffzelle ausgebildet ist, sicher abgeschaltet werden.During operation of the discharge device, the main discharge switch or the first semiconductor switch can fail. For this purpose, the second semiconductor switch is provided, which guarantees the safe switching off of the electrical voltage source in this case of error. By the second semiconductor switch and the second control circuit, which can be operated independently of the first control circuit, a second safety path can be provided. In particular, despite failure of the switching functions of the first semiconductor switch, a safe shutdown of the electrical voltage source can be ensured. The second semiconductor switch and the second control circuit are preferably designed to reduce the electrical voltage of the voltage source in a predetermined minimum time, for example less 5 Seconds, to a required voltage, typically less than 60V. As long as the first safety path comprising the first semiconductor switch covers all electrical safety requirements, the second safety path comprising the second semiconductor switch may remain passive. It is further provided that both the first safety path and the second safety path for switching off the fuel cell voltage by activating a low-impedance discharge takes place. In this way, the - albeit unlikely - failure of the first safety path can be supplemented by the second semiconductor switch. Thus, the electrical voltage source, which is preferably designed as a fuel cell stack or as a fuel cell, be switched off safely.

Dabei ist es insbesondere vorgesehen, dass jeder der Halbleiterschalter einen maximal auftretenden Kurzschlussstrom mindestens irreversibel tragen kann. Dies bedeutet, dass beim Überschreiten eines reversibel schaltbaren Kurzschlussstroms der jeweilige Halbleiterschalter in einen dauerhaft niederohmigen Zustand übergeht. Dies kann auch als „durchlegieren“ bezeichnet werden.In this case, it is provided in particular that each of the semiconductor switches can carry a maximum occurring short-circuit current at least irreversibly. This means that when a reversibly switchable short-circuit current is exceeded, the respective semiconductor switch changes to a permanently low-resistance state. This can also be referred to as "alloying out".

Dabei ergeben sich beispielsweise vier unterschiedliche Varianten der Ausgestaltung der Halbleiterschalter. Beispielsweise können der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter jeweils auf einen vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom reversibel ausgelegt sein. Alternativ dazu kann der erste Halbleiterschalter reversibel auf den vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt sein und der zweite Halbleiterschalter kann irreversibel auf den vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt sein. Alternativ dazu können der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter gemeinsam auf den vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt sein. Eine weitere Alternative sieht vor, dass der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter jeweils auf den vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom irreversibel ausgelegt sind. In this case, for example, four different variants of the embodiment of the semiconductor switches. For example, the first semiconductor switch and the second semiconductor switch may each be designed to be reversible to a predetermined maximum short-circuit current. Alternatively, the first semiconductor switch can be reversibly designed for the predetermined maximum short-circuit current and the second semiconductor switch can be irreversibly designed for the predetermined maximum short-circuit current. Alternatively, the first semiconductor switch and the second semiconductor switch may be configured together to the predetermined maximum short-circuit current. A further alternative provides that the first semiconductor switch and the second semiconductor switch are each designed to be irreversible to the predetermined maximum short-circuit current.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weisen der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter jeweils einen ersten Arbeitsanschluss, einen zweiten Arbeitsanschluss und einen Steueranschluss auf. Dabei ist es vorgesehen, dass die ersten Arbeitsanschlüsse und die zweiten Arbeitsanschlüsse der jeweiligen Halbleiterschalter elektrisch miteinander verbunden sind. Der erste Arbeitsanschluss kann eine Kathode sein, der zweite Arbeitsanschluss kann eine Anode sein und der Steueranschluss kann auch als Gate-Anschluss bezeichnet werden. Dabei können die Anoden und die Kathoden der Halbleiterschalter jeweils elektrisch leitend verbunden sein. Die jeweiligen Halbleiterschalter können also elektrisch parallel geschaltet sein. Bei den Halbleiterschaltern kann es sich beispielsweise um Thyristoren oder selbst leitende Transistoren, insbesondere Feldeffekttransistoren vom Verarmungstyp, handeln. According to a further advantageous embodiment, the first semiconductor switch and the second semiconductor switch each have a first working port, a second working port and a control port. It is provided that the first working ports and the second working ports of the respective semiconductor switches are electrically connected to each other. The first working port may be a cathode, the second working port may be an anode, and the control port may also be referred to as a gate port. In this case, the anodes and the cathodes of the semiconductor switches can each be electrically conductively connected. The respective semiconductor switches can therefore be electrically connected in parallel. The semiconductor switches may, for example, be thyristors or self-conducting transistors, in particular depletion type field-effect transistors.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Entladevorrichtung eine Verspanneinrichtung zur Druckkontaktierung des ersten Halbleiterschalters und des zweiten Halbleiterschalters aufweist. Zudem sind die Verspanneinrichtung und/oder die Halbleiterschalter ohne eine Isolierschicht ausgebildet. Diese Verspanneinrichtung kann einen Spannverband beziehungsweise in Verspannkäfig aufweisen, der aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist. Dieser kann elektrisch mit dem ersten Arbeitsanschluss beziehungsweise der Kathode der jeweiligen Halbleiterschalter verbunden sein. Dieser Verspannkäfig kann nach Art eines Gehäuses ausgebildet sein, in welchem der erste Halbleiterschalter und der zweite Halbleiterschalter mittels einer Spannfeder gehalten sind. Die Halbleiterschalter können so in dem Verspannkäfig angeordnet sein, dass die jeweiligen zweiten Arbeitsanschlüsse beziehungsweise Anoden einander zugewandt sind und jeweils mit einem Anschlusselement elektrisch leitend verbunden sind. Alternativ dazu kann es vorgesehen sein, dass die zweiten Arbeitsanschlüsse über den Verspannkäfig elektrisch leitend verbunden sind und die ersten Arbeitsanschlüsse über das Anschlusselement elektrisch leitend verbunden sind.Furthermore, it is advantageous if the unloading device has a clamping device for pressure-contacting the first semiconductor switch and the second semiconductor switch. In addition, the bracing device and / or the semiconductor switches are formed without an insulating layer. This bracing device may have a clamping dressing or in Verspannkäfig, which is formed of an electrically conductive material. This can be electrically connected to the first working port or the cathode of the respective semiconductor switch. This Verspannkäfig may be formed in the manner of a housing in which the first semiconductor switch and the second semiconductor switch are held by a tension spring. The semiconductor switches may be arranged in the Verspannkäfig that the respective second working ports or anodes are facing each other and are each electrically connected to a connecting element. Alternatively, it can be provided that the second working connections are electrically conductively connected via the Verspannkäfig and the first working ports are electrically connected via the connecting element.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen. Die vorstehend in der Beschreibung genannten Merkmale und Merkmalskombinationen sowie die nachfolgend in der Figurenbeschreibung genannten und/oder in den Figuren alleine gezeigten Merkmale und Merkmalskombinationen sind nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.Further advantages, features and details of the invention will become apparent from the following description of preferred embodiments and from the drawings. The features and feature combinations mentioned above in the description as well as the features and feature combinations mentioned below in the description of the figures and / or in the figures alone can be used not only in the respectively specified combination but also in other combinations or in isolation, without the scope of To leave invention.

Dabei zeigen:

  • 1 eine Entladevorrichtung für eine elektrische Spannungsquelle in einer schematischen Darstellung;
  • 2 die elektrische Spannungsquelle, welche als Brennstoffzellenstapel ausgebildet ist, sowie einen ersten Halbleiterschalter und einen zweiten Halbleiterschalter der Entladevorrichtung; und
  • 3 den ersten Halbleiterschalter und den zweiten Halbleiterschalter, welche in einer Verspanneinrichtung gehalten sind.
Showing:
  • 1 a discharge device for an electrical voltage source in a schematic representation;
  • 2 the electrical voltage source, which is designed as a fuel cell stack, and a first semiconductor switch and a second semiconductor switch of the discharge device; and
  • 3 the first semiconductor switch and the second semiconductor switch, which are held in a clamping device.

In den Figuren werden gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen versehen.In the figures, identical or functionally identical elements are provided with the same reference numerals.

1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Entladevorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Entladevorrichtung 1 dient einer Sicherheitsbeschaltung einer elektrischen Spannungsquelle 2, insbesondere eines Brennstoffzellenstapels beziehungsweise einer Brennstoffzelle, zur Abschaltung und Sicherstellung von Spannungen deutlich kleiner als 60 V. Die Entladevorrichtung 1 umfasst einen ersten Halbleiterschalter TH1, welcher vorliegend als Thyristor ausgebildet ist. Zudem umfasst die Entladevorrichtung 1 eine erste Steuerschaltung 3a, welche dem ersten Halbleiterschalter TH1 zugeordnet ist. Die erste Steuerschaltung 3a umfasst eine Spannungsversorgung 4a sowie eine Auslöseeinrichtung 5a, mittels welcher überprüft werden kann, ob eine an der elektrischen Spannungsquelle 2 anliegende elektrische Spannung U größer als eine vorbestimmte Schwellwertspannung ist. Des Weiteren umfasst die erste Steuerschaltung 3a einen Gate-Treiber 6a zur Ansteuerung des ersten Halbleiterschalters TH1. Falls mittels der ersten Steuerschaltung 3a erkannt wird, dass die Spannung U größer als die Schwellwertspannung ist, kann der erste Halbleiterschalter TH1 angesteuert werden und somit Versorgungsanschlüsse HV+ und HV- der elektrischen Spannungsquelle niederohmig verbunden werden. 1 shows a schematic representation of an unloading device 1 according to an embodiment of the invention. The unloading device 1 serves a safety circuit of an electrical voltage source 2 , in particular a fuel cell stack or a fuel cell, for switching off and ensuring voltages significantly less than 60 V. The unloading 1 includes a first semiconductor switch TH1 which is presently designed as a thyristor. In addition, the unloading device includes 1 a first control circuit 3a which the first semiconductor switch TH1 assigned. The first control circuit 3a includes a power supply 4a and a triggering device 5a, by means of which it can be checked whether one of the electrical voltage source 2 applied electrical voltage U is greater than a predetermined threshold voltage. Furthermore, the first control circuit comprises 3a a gate driver 6a for driving the first semiconductor switch TH1 , If by means of the first control circuit 3a it is recognized that the voltage U is greater than the threshold voltage, the first semiconductor switch TH1 be controlled and thus supply connections HV + and HV - Are connected to the electrical voltage source low impedance.

Darüber hinaus umfasst die Entladevorrichtung 1 einen zweiten Halbleiterschalter TH2, welcher zu dem ersten Halbleiterschalter TH1 elektrisch parallel geschaltet ist. Des Weiteren umfasst die Entladevorrichtung 1 eine zweite Steuerschaltung 3b, welche analog zu der ersten Steuerschaltung 3a ausgebildet ist und eine Spannungsversorgung 4b, die eine Auslöseeinrichtung 5b sowie einen Gate-Treiber 6b aufweist. Vorliegend sind die jeweiligen Gate-Treiber 6a, 6b über ein Oder-Glied 7 mit den jeweiligen Auslöseeinrichtungen 5a, 5b verbunden. Des Weiteren umfasst die Entladevorrichtung 1 eine Diagnoseeinrichtung 8 sowie eine Deaktivierungseinrichtung 9, welche jeweils mit einer Niedervolt-Schnittstelle 10 verbunden sind.In addition, the unloading device includes 1 a second semiconductor switch TH2 which is connected to the first semiconductor switch TH1 electrically connected in parallel. Furthermore, the unloading device comprises 1 a second control circuit 3b which is analogous to the first control circuit 3a is formed and a power supply 4b which is a triggering device 5b as well as a gate driver 6b having. Here are the respective gate drivers 6a . 6b over an OR link 7 with the respective tripping devices 5a . 5b connected. Furthermore, the unloading device comprises 1 a diagnostic device 8th and a deactivation device 9 , each with a low-voltage interface 10 are connected.

Die Entladevorrichtung 1 ist mit einem ersten Versorgungsanschluss HV+ und einem zweiten Versorgungsanschluss HV- der elektrischen Spannungsquelle 2 beziehungsweise des Brennstoffzellenstapels verbindbar. Mithilfe des ersten Halbleiterschalters TH1 und des zweiten Halbleiterschalters TH2 können die Versorgungsanschlüsse HV+ und HV- niederohmig miteinander verbunden werden. Bei einem - wenn auch sehr unwahrscheinlichen Fall - eines Ausfalls des ersten Halbleiterschalters TH1 wird durch den zweiten Halbleiterschalter TH2 ein zweiter Abschaltpfad zur niederohmigen Entladung der Spannungsquelle 2 bereitgestellt.The unloading device 1 is with a first supply connection HV + and a second supply connection HV - the electrical voltage source 2 or the fuel cell stack connectable. Using the first semiconductor switch TH1 and the second semiconductor switch TH2 can the supply connections HV + and HV - be connected together low resistance. In a - albeit very unlikely case - a failure of the first semiconductor switch TH1 is through the second semiconductor switch TH2 a second Abschaltpfad for low-impedance discharge of the voltage source 2 provided.

Alle Funktionen zur Aktivierung der Halbleiterschalter TH1, TH2, welche die Zündung der Thyristoren beinhaltet, welche zur Entladung der elektrischen Spannungsquelle 2 verwendet werden, sind redundant ausgelegt. Die zur Entladung vorgesehenen Halbleiterschalter TH1 und TH2 sind ebenfalls zweifach vorgesehen, sodass sich zwei unabhängige Abschaltpfade ergeben. Jeder der Halbleiterschalter TH1, TH2 kann die maximal auftretenden Kurzschlussströme mindestens irreversibel tragen. Dies bedeutet, dass beim Überschreiten eines reversibel schaltbaren Stroms der jeweilige Halbleiterschalter TH1, TH2 in einen dauerhaft niederohmigen Zustand übergeht. Dies kann auch als „durchlegieren“ bezeichnet werden.All functions for activating the semiconductor switches TH1 . TH2 , which includes the ignition of the thyristors, which are for discharging the electric voltage source 2 used are redundant. The semiconductor switch provided for discharging TH1 and TH2 are also provided in duplicate, resulting in two independent shutdown paths. Each of the semiconductor switches TH1 . TH2 can carry the maximum occurring short-circuit currents at least irreversibly. This means that when a reversibly switchable current is exceeded, the respective semiconductor switch TH1 . TH2 changes into a permanently low-impedance state. This can also be referred to as "alloying out".

Grundsätzlich sind vier beispielhafte Möglichkeiten zu optimierten Gestaltung beziehungsweise Auslegung der Halbleiterschalter TH1, TH2 möglich. Bei einer ersten Variante sind beide Halbleiterschalter TH1, TH2 jeweils auf den höchsten, zu erwartenden Kurzschlussstrom ausgelegt. Bei Verlust der Schaltfunktion des ersten Halbleiterschalters TH1 (erster Fehlerfall) kann der zweite Halbleiterschalter TH2 eine sichere Entladung irreversibel bereitstellen.In principle, four exemplary possibilities for optimized design or design of the semiconductor switches TH1 . TH2 possible. In a first variant, both are semiconductor switches TH1 . TH2 each designed for the highest, expected short-circuit current. Upon loss of the switching function of the first semiconductor switch TH1 (first error case), the second semiconductor switch TH2 provide a safe discharge irreversibly.

Eine zweite Variante sieht vor, dass der erste Halbleiterschalter TH1 auf den höchsten, zu erwartenden Kurzschlussstrom reversibel ausgelegt ist und der zweite Halbleiterschalter TH2 auf den höchsten, zu erwartenden Kurzschlussstrom irreversibel beziehungsweise nicht reversibel ausgelegt ist. Bei einem Ausfall des im Standardfall verwendeten, ersten Halbleiterschalters TH1 übernimmt der zweite Halbleiterschalter TH2 den Entladestrom. So kann trotz eines ersten Fehlerfalls eine Abschaltung der elektrischen Spannungsquelle 2 beziehungsweise der Brennstoffzelle gesichert werden.A second variant provides that the first semiconductor switch TH1 is designed to be reversibly on the highest, expected short-circuit current and the second semiconductor switch TH2 is designed to irreversible or not reversible to the highest, expected short-circuit current. In case of failure of the standard semiconductor switch used in the standard case TH1 takes over the second semiconductor switch TH2 the discharge current. Thus, despite a first fault, a shutdown of the electrical voltage source 2 or the fuel cell are secured.

Gemäß einer dritten Variante ist die Gesamtanordnung so ausgelegt, dass ein maximal auftretender Kurzschlussstrom nur bei voller Funktion beider Halbleiterschalter TH1, TH2 reversibel möglich ist. In diesem Fall würde der Verlust der Schaltfähigkeit des ersten Halbleiterschalters TH1 (erster Fehlerfall) der zweite Halbleiterschalter TH2 dennoch eine Abschaltung der elektrischen Spannungsquelle 2 sicherstellen. Hier gibt sich eine besonders kostengünstige Auslegung beider Halbleiterschalter TH1, TH2.According to a third variant, the overall arrangement is designed such that a maximum occurring short-circuit current only with full function of both semiconductor switches TH1 . TH2 reversible is possible. In this case, the loss of switching capability of the first semiconductor switch TH1 (first error), the second semiconductor switch TH2 nevertheless a shutdown of the electrical voltage source 2 to ensure. Here is a particularly cost-effective design of both semiconductor switches TH1 . TH2 ,

Eine vierte Variante bezüglich der Optimierung sieht vor, dass eine bewusste Unterdimensionierung der reversibel schaltbaren Stromtragfähigkeit beider Halbleiterschalter TH1, TH2 erreicht wird. Hier würde eine irreversible Abschaltung bei höchsten Entladeströmen toleriert werden. Dies kann beispielsweise der Fall sein, weil eine Abschaltung bei höchsten Entladeströmen tolerierbar selten auftritt. Eine Abschaltung wäre in jedem Fall - auch bei Ausfall des ersten Entladepfads - durch den zweiten Entladepfad sichergestellt. Dabei muss lediglich der maximal möglichen Entladestrom durch jeden der Halbleiterschalter TH1, TH2 im durchlegierten Zustand getragen werden können.A fourth variant with regard to the optimization provides for a conscious undersizing of the reversibly switchable current-carrying capacity of both semiconductor switches TH1 . TH2 is reached. Here, an irreversible shutdown would be tolerated at the highest discharge currents. This may be the case, for example, because a shutdown rarely occurs at high discharge currents tolerable. A shutdown would be ensured in any case - even in case of failure of the first discharge path - through the second discharge path. All that is required is the maximum possible discharge current through each of the semiconductor switches TH1 . TH2 can be worn in the best state.

2 zeigt die elektrische Spannungsquelle 2 in Form einer Brennstoffzelle beziehungsweise eines Brennstoffzellenstapels. Die elektrische Spannungsquelle 2 ist mit der Entladevorrichtung 1 verbunden, wobei vorliegend der erste Halbleiterschalter TH1 und der zweite Halbleiterschalter TH2 der Entladevorrichtung 1 dargestellt sind. Wie bereits erläutert, sind die Halbleiterschalter TH1, TH2 bevorzugt als Thyristoren ausgebildet. Die beiden Thyristoren sind elektrisch parallel geschaltet. Bei der Ausführung einer heute üblichen zuverlässigen Kontaktierung kommt eine Anordnung in Form einer Druckkontaktierung zur Anwendung. Dabei werden die Halbleiterschalter TH1, TH2 unter hohen Anpresskräften verspannt. Bei der Realisierung des zweiten Abschaltpfades können hierbei beide Halbleiterschalter TH1, TH2 in einem Verbund verspannt werden. 2 shows the electrical voltage source 2 in the form of a fuel cell or a fuel cell stack. The electrical voltage source 2 is with the unloading device 1 connected, wherein present the first semiconductor switch TH1 and the second semiconductor switch TH2 the unloading device 1 are shown. As already explained, the semiconductor switches TH1 . TH2 preferably designed as thyristors. The two thyristors are electrically connected in parallel. In the execution of today usual reliable contacting an arrangement in the form of a pressure contact is used. In the process, the semiconductor switches TH1 . TH2 clamped under high contact forces. In the realization of the second Abschaltpfades this case, both semiconductor switches TH1 . TH2 be braced in a composite.

Hierzu zeigt 3 den ersten Halbleiterschalter TH1 und den zweiten Halbleiterschalter TH2. Die Halbleiterschalter TH1, TH2 umfassen jeweils einen ersten Arbeitsanschluss 11 beziehungsweise eine Kathode. Des Weiteren umfassen die Halbleiterschalter TH1, TH2 jeweils einen zweiten Arbeitsanschluss 12 beziehungsweise eine Anode. Schließlich umfassen die jeweiligen Halbleiterschalter TH1, TH2 einen Steueranschluss 13 beziehungsweise einen Gate-Anschluss. Die Halbleiterschalter TH1, TH2 sind in einer Verspanneinrichtung 14 angeordnet. Die Verspanneinrichtung 14 umfasst einen Verspannkäfig 15, welcher aus einem elektrisch leitfähigen Material, beispielsweise einem Metall, gefertigt sein kann. Des Weiteren umfasst die Verspanneinrichtung 14 eine Spannfeder 16, welche ebenfalls aus einem elektrisch leitfähigen Material gefertigt ist. Durch die Spannfeder 16 wird eine Federkraft für die Druckkontaktierung der Halbleiterschalter TH1, TH2 bereitgestellt. Auf diese Weise kann eine zuverlässige Durchlegierung und der niederohmige Ausfall bei einem zerstörenden Überstrom ermöglicht werden.This shows 3 the first semiconductor switch TH1 and the second semiconductor switch TH2 , The semiconductor switches TH1 . TH2 each include a first work connection 11 or a cathode. Furthermore, the semiconductor switches include TH1 . TH2 each a second work connection 12 or an anode. Finally, the respective semiconductor switches TH1 . TH2 a control connection 13 or a gate connection. The semiconductor switches TH1 . TH2 are in a tensioning device 14 arranged. The tensioning device 14 includes a brace cage 15 which can be made of an electrically conductive material, for example a metal. Furthermore, the clamping device comprises 14 a tension spring 16 , which is also made of an electrically conductive material. By the tension spring 16 becomes a spring force for the pressure contact of the semiconductor switch TH1 . TH2 provided. In this way, a reliable alloy and the low-impedance failure in a destructive overcurrent can be made possible.

Ferner werden die ersten Arbeitsanschlüsse 11 der Halbleiterschalter TH1, TH2 durch die Verspanneinrichtung 14 elektrisch miteinander verbunden. Der Verspannkäfig 15 umfasst ein Anschlusselement 17, welches mit dem zweiten Versorgungsanschluss HV- der elektrischen Spannungsquelle 2 verbunden werden kann. Des Weiteren ist ein Anschlusselement 18 vorgesehen, welches mit den jeweiligen zweiten Arbeitsanschlüssen 12 der Halbleiterschalter TH1, TH2 verbunden ist. Dieses Anschlusselement 18 kann dann mit dem ersten Versorgungsanschluss HV+ der elektrischen Spannungsquelle 2 verbunden werden.Furthermore, the first work connections 11 the semiconductor switch TH1 . TH2 through the tensioning device 14 electrically connected to each other. The brace cage 15 includes a connection element 17 connected to the second supply connection HV - the electrical voltage source 2 can be connected. Furthermore, a connection element 18 provided, which with the respective second working ports 12 the semiconductor switch TH1 . TH2 connected is. This connection element 18 can then with the first supply connection HV + the electrical voltage source 2 get connected.

Vorliegend sind die beiden zweiten Arbeitsanschlüsse 12 (Anoden) der Halbleiterschalter TH1 und TH2 einander zugewandt und mittels des Anschlusselements 18 elektrisch miteinander verbunden. Die jeweiligen ersten Arbeitsanschlüsse 11 (Kathoden), welche gegenüberliegend zu den zweiten Arbeitsanschlüssen 12 angeordnet sind, sind mit dem Verspannkäfig 15 leitend verbunden. Dadurch entfällt die, bei nur einem zu verspannenden Thyristor notwendige Isolierschicht. Diese wäre notwendig, damit der im Allgemeinen leitfähige Verspannkäfig 15 nicht die Anode und Kathode des einzelnen Thyristors leitend verbindet. Wenn die Halbleiterschalter TH1, TH2 gemäß der zuvor beschriebenen dritten Variante ausgelegt sind, reduziert sich bei den Halbleiterschaltern TH1, TH2 die notwendige Anpresskraft entsprechend der Verkleinerung der Thyristorenfläche, sodass sich die mechanischen Anforderungen die Verspanneinrichtung 14 ebenfalls reduzieren. Damit entsteht ein Kostenvorteil. Zudem kann durch die Verdopplung der Thyristoren je Brennstoffzellenanwendung ein Kostenvorteil durch den Skaleneffekt erwartet werden.In the present case are the two second working connections 12 (Anodes) of the semiconductor switch TH1 and TH2 facing each other and by means of the connecting element 18 electrically connected to each other. The respective first work connections 11 (Cathodes), which are opposite to the second working ports 12 are arranged are with the Verspannkäfig 15 conductively connected. This eliminates the need for only one thyristor to be braced insulating layer. This would be necessary so that the generally conductive Verspannkäfig 15 does not conductively connect the anode and cathode of the single thyristor. When the semiconductor switches TH1 . TH2 are designed according to the third variant described above, is reduced in the semiconductor switches TH1 . TH2 the necessary contact force corresponding to the reduction of the thyristor surface, so that the mechanical requirements of the clamping device 14 also reduce. This creates a cost advantage. In addition, by doubling the thyristors per fuel cell application, a cost advantage due to the economies of scale can be expected.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Entladevorrichtungunloader
22
Spannungsquellevoltage source
3a3a
erste Steuerschaltungfirst control circuit
3b3b
zweite Steuerschaltungsecond control circuit
4a4a
Spannungsversorgungpower supply
4b4b
Spannungsversorgungpower supply
5a5a
Auslöseeinrichtungtriggering device
5b5b
Auslöseeinrichtungtriggering device
6a6a
Gate-TreiberGate Driver
6b6b
Gate-TreiberGate Driver
77
Oder-GliedOR gate
88th
Diagnoseeinrichtungdiagnostic device
99
Deaktivierungseinrichtungdeactivation device
1010
Niedervolt-SchnittstelleLow-voltage interface
1111
Arbeitsanschlussworking port
1212
Arbeitsanschlussworking port
1313
Steueranschlusscontrol connection
1414
Verspanneinrichtungtensioning device
1515
VerspannkäfigVerspannkäfig
1616
Spannfedertension spring
1717
Anschlusselementconnecting element
1818
Anschlusselementconnecting element
HV+HV +
Versorgungsanschlusssupply terminal
HV-HV
Versorgungsanschlusssupply terminal
TH1TH1
HalbleiterschalterSemiconductor switches
TH2TH2
HalbleiterschalterSemiconductor switches
UU
Spannungtension

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102012016246 A1 [0003]DE 102012016246 A1 [0003]

Claims (7)

Entladevorrichtung (1) für eine elektrische Spannungsquelle (2), insbesondere einen Brennstoffzellenstapel, eines Kraftfahrzeugs, mit einem ersten Halbleiterschalter (TH1), mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle (2) Versorgungsanschlüsse (HV+, HV-) der Spannungsquelle (2) elektrisch verbindbar sind, und mit einer ersten Steuerschaltung (3a) zum Ansteuern des ersten Halbleiterschalters (TH1), dadurch gekennzeichnet, dass die Entladevorrichtung (1) einen zweiten Halbleiterschalter (TH2), mittels welchem zum Entladen der Spannungsquelle (2) die Versorgungsanschlüsse (HV+, HV-) der Spannungsquelle (2) unabhängig von dem ersten Halbleiterschalter (TH1) elektrisch verbindbar sind, und eine zweite Steuerschaltung (3b) zum Ansteuern des zweiten Halbleiterschalters (TH2) aufweist, wobei die zweite Steuerschaltung (3b) separat zur ersten Steuerschaltung (3a) ausgebildet ist.Discharge device (1) for an electrical voltage source (2), in particular a fuel cell stack of a motor vehicle, with a first semiconductor switch (TH1), by means of which for discharging the voltage source (2) supply terminals (HV +, HV-) of the voltage source (2) electrically connectable are, and with a first control circuit (3a) for driving the first semiconductor switch (TH1), characterized in that the discharge device (1) a second semiconductor switch (TH2), by means of which for discharging the voltage source (2) the supply terminals (HV +, HV -) of the voltage source (2) independently of the first semiconductor switch (TH1) are electrically connectable, and a second control circuit (3b) for driving the second semiconductor switch (TH2), wherein the second control circuit (3b) separately to the first control circuit (3a) is trained. Entladevorrichtung (1) nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterschalter (TH1) und der zweite Halbleiterschalter (TH2) jeweils auf einen vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom reversibel ausgelegt sind.Discharge device (1) after Claim 1 characterized in that the first semiconductor switch (TH1) and the second semiconductor switch (TH2) are each designed to be reversible to a predetermined maximum short-circuit current. Entladevorrichtung (1) nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterschalter (TH1) reversibel auf einen vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt ist und der zweite Halbleiterschalter (TH2) irreversibel auf den vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt ist.Discharge device (1) after Claim 1 characterized in that the first semiconductor switch (TH1) is reversibly designed for a predetermined maximum short-circuit current and the second semiconductor switch (TH2) is irreversibly designed for the predetermined maximum short-circuit current. Entladevorrichtung (1) nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterschalter (TH1) und der zweite Halbleiterschalter (TH2) gemeinsam auf einen vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom ausgelegt sind.Discharge device (1) after Claim 1 characterized in that the first semiconductor switch (TH1) and the second semiconductor switch (TH2) are jointly designed for a predetermined maximum short-circuit current. Entladevorrichtung (1) nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterschalter (TH1) und der zweite Halbleiterschalter (TH2) jeweils auf einen vorbestimmten maximalen Kurzschlussstrom irreversibel ausgelegt sind.Discharge device (1) after Claim 1 characterized in that the first semiconductor switch (TH1) and the second semiconductor switch (TH2) are each designed to be irreversible to a predetermined maximum short-circuit current. Entladevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterschalter (TH1) und der zweite Halbleiterschalter (TH2) jeweils einen ersten Arbeitsanschluss (11), einen zweiten Arbeitsanschluss (12) und einen Steueranschluss (13) aufweisen, wobei ersten Arbeitsanschlüsse (12) und die zweiten Arbeitsanschlüsse (12) der jeweiligen Halbleiterschalter (TH1, TH2) elektrisch miteinander verbunden sind.Discharge device (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the first semiconductor switch (TH1) and the second semiconductor switch (TH2) each have a first working port (11), a second working port (12) and a control port (13), wherein first working terminals (12) and the second working terminals (12) of the respective semiconductor switches (TH1, TH2) are electrically connected together. Entladevorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Entladevorrichtung (1) eine Verspanneinrichtung (14) zur Druckkontaktierung des ersten Halbleiterschalters (TH1) und des zweiten Halbleiterschalters (TH2) ohne eine Isolierschicht aufweist.Discharge device (1) according to one of the preceding claims, characterized in that the discharge device (1) has a clamping device (14) for pressure-contacting the first semiconductor switch (TH1) and the second semiconductor switch (TH2) without an insulating layer.
DE102017006159.9A 2017-06-29 2017-06-29 Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle Withdrawn DE102017006159A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017006159.9A DE102017006159A1 (en) 2017-06-29 2017-06-29 Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017006159.9A DE102017006159A1 (en) 2017-06-29 2017-06-29 Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017006159A1 true DE102017006159A1 (en) 2019-01-03

Family

ID=64661589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017006159.9A Withdrawn DE102017006159A1 (en) 2017-06-29 2017-06-29 Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102017006159A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020002283A1 (en) 2020-04-15 2021-10-21 Marquardt Gmbh Switching element

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012016246A1 (en) 2012-08-16 2013-03-14 Daimler Ag Switching circuit for voltage source e.g. fuel cell stack, has semiconductor switch that generates conductive switching signal, when predetermined condition is not satisfied operation of voltage source

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012016246A1 (en) 2012-08-16 2013-03-14 Daimler Ag Switching circuit for voltage source e.g. fuel cell stack, has semiconductor switch that generates conductive switching signal, when predetermined condition is not satisfied operation of voltage source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020002283A1 (en) 2020-04-15 2021-10-21 Marquardt Gmbh Switching element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0981849B1 (en) Circuit for the protection of electrical devices
DE102007050377A1 (en) Fuel cell system with at least one fuel cell
DE102011103834A1 (en) Switching system for motor vehicle power conductor, has separating device which is arranged for irreversibly cutting the current path in motor vehicle power conductor, and a switching device connected in series with the separating device
EP3452336B1 (en) Multi-voltage control device for a motor vehicle, motor vehicle and operating method for the control device
DE102019215855A1 (en) Vehicle electrical system
DE102017006159A1 (en) Discharge device for an electrical voltage source, in particular a fuel cell stack, of a motor vehicle
DE102018203636B3 (en) Separating device for DC interruption of a current path, and electrical system of a motor vehicle
DE102017213452A1 (en) Energy storage system and method for electrically disconnecting at least a first energy storage unit
EP3907110A1 (en) On-board voltage system for a vehicle and method for operating such an on-board voltage system
EP2243668A1 (en) Disconnecting element for a motor vehicle electrical system
DE102020004737A1 (en) Electrical energy store for an electrical high-voltage on-board network of an at least partially electrically operated motor vehicle, as well as electrical high-voltage on-board network
DE3722286C2 (en)
DE102016221445B4 (en) Battery cell with a switching device
DE102005002490A1 (en) Motor vehicle electrical system switching device, has charging and discharging unit to charge and discharge electrical components of vehicle electrical system and switched before closing or after opening of isolating switch
DE102018009485A1 (en) Vehicle battery and DC electrical system of a motor vehicle with a vehicle battery
DE102017106909A1 (en) Circuit device for a vehicle electrical system of a vehicle
WO2021209164A1 (en) Switching element
DE102017207732A1 (en) Battery arrangement for metrological connection of cell modules and motor vehicle
DE102022200043A1 (en) Safety device for a circuit
DE102009053653A1 (en) Switching arrangement for protecting hydraulic control device in vehicle from electrical overvoltages at on-board voltage network, has switch interrupting current path through element when amount of voltage falls below pre-determined value
DE102019003066A1 (en) A method for switching off a switching arrangement with a fuel cell and switching arrangement
DE102022002596A1 (en) Vehicle with a high-voltage electrical system and method for operating the high-voltage electrical system
EP3745572A1 (en) Circuit arrangement for a traction system
EP3329564B1 (en) Circuit assembly for electronically actuating triggerable surge arresters
DE102021209236A1 (en) Heating device and motor vehicle with heating device

Legal Events

Date Code Title Description
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee